WO2016165173A1 - Coa阵列基板的长线修复方法 - Google Patents

Coa阵列基板的长线修复方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to the field of display technologies, and in particular, to a long-line repair method for a COA array substrate.
  • liquid crystal displays have become the most common display devices.
  • long-line repair is an important process.
  • the principle is that the laser is used to vaporize the coated metal in the long-line area to form long-line metal, so that the broken metal wire can be reconnected through the long-line metal.
  • Long-line repair is the last step in the COA array substrate process. Because the long-line repair process will make the temperature in the long-line area extremely high, the color resistance in the long-line area will be carbonized because it cannot withstand high temperatures. The color resistance of carbonization easily causes the long-line metal to fall off, resulting in a lower success rate of long-line repair.
  • the invention provides a long-line repairing method for a COA array substrate, comprising:
  • the transparent electrode and the color resistance of the first long line region are removed, specifically:
  • the color resistance of the first long line region is removed using a laser.
  • the first long-line metal is tungsten or molybdenum.
  • the metal wire to be repaired is located in the second metal layer.
  • the metal wire to be repaired is located in the first metal layer.
  • the long-line repairing method further includes:
  • the data line is cut.
  • the long-line repair method further includes:
  • the first long line area and the second long line area do not overlap each other.
  • the second long-line metal is tungsten or molybdenum.
  • the present invention brings about the following beneficial effects: in the long-line repairing method of the COA array substrate provided by the present invention, after the first via hole is opened at both ends of the first long-line region, the transparent electrode and the color resistance of the first long-line region are removed, A first trench is formed. Since the color resistance in the first long line region has been removed, when the first long-line metal is formed in the first trench, the color resistance of the first long-line region is not carbonized, thereby solving the technical problem of long-line metal falling off. Greatly improved the success rate of long-line repair.
  • FIG. 1 is a schematic diagram 1 of a long-line repair of a COA array substrate according to Embodiment 1 of the present invention
  • Figure 2 is a cross-sectional view taken along line A-A of Figure 1;
  • FIG. 3 is a second schematic diagram of a long-line repair of a COA array substrate according to Embodiment 1 of the present invention.
  • Figure 4 is a cross-sectional view taken along line B-B of Figure 3;
  • FIG. 5 is a schematic diagram 1 of a long-line repair of a COA array substrate according to Embodiment 2 of the present invention.
  • Figure 6 is a cross-sectional view taken along line C-C of Figure 5;
  • FIG. 7 is a second schematic diagram of long-line repair of a COA array substrate according to Embodiment 2 of the present invention.
  • Embodiment 1 is a diagrammatic representation of Embodiment 1:
  • the embodiment of the invention provides a long-line repairing method for a COA array substrate, which can be applied to a long-line repair process of a COA array substrate.
  • the COA array substrate in this embodiment includes a glass substrate 1, a scan line 21 located in the first metal layer, a data line 22 located in the second metal layer, a first insulating layer 31, and a second The insulating layer 32, the color resist 41, the color resist 42, and the transparent electrode 5.
  • the first insulating layer 31 and the second insulating layer 32 are generally made of a silicon nitride material
  • the transparent electrode 5 is usually made of indium tin oxide (ITO)
  • the data line 22 is the metal line to be repaired in the embodiment.
  • the long-line repair method includes:
  • a via hole 6 is formed at both ends of the long line region to expose the data line 22.
  • the laser is used to punch holes at both ends of the long line region, and the formed via hole 6 should penetrate the second insulating layer 32, the color resists 41, 42 and the like above the data line 22, so that the data line 22 is formed. Exposed.
  • the transparent electrode 5 in the long-line region is first removed by using a laser of a suitable small energy. Then, using a suitable small energy laser, the color resists 41, 42 in the long line region are removed to form the trench 7. In order to ensure that the color resists 41, 42 of the long line region can be completely removed, the trench 7 should have a sufficient depth to remove a portion of the second insulating layer 32.
  • a long line metal 8 is formed in the trench 7.
  • the coated metal is vaporized and condensed in the trench 7 by a laser to form a long-line metal 8, and Further, both ends of the long-line metal 8 are connected to the data line 22 through the via 6, thereby realizing long-line repair of the data line 22.
  • the long-line metal 8 in this embodiment is preferably tungsten or molybdenum.
  • the transparent electrode 5 and the color resists 41 and 42 of the long-line region are removed, and the trench 7 is formed. Since the color resists 41 and 42 in the long-line region have been removed, when the long-line metal 8 is formed in the trench 7, the color resistance of the long-line region is not carbonized, thereby solving the technical problem of long-line metal falling off, and greatly improving the technical problem. The success rate of long-line repair.
  • Embodiment 2 is a diagrammatic representation of Embodiment 1:
  • the COA array substrate in this embodiment is substantially the same as the first embodiment, and includes a glass substrate 1 , a scan line 21 located on the first metal layer, and a data line 22 located on the second metal layer.
  • the difference between this embodiment and the first embodiment is that the metal line to be repaired in this embodiment is the scan line 21.
  • S21 opening a first via hole 61 at both ends of the first long line region to expose the scan line 21.
  • the laser is used to punch holes at both ends of the first long line region, and the first via hole 61 formed should penetrate the first insulating layer 31, the second insulating layer 32, the color resists 41, 42 and the like above the scan line.
  • the structure exposes the scan line 21.
  • the transparent electrode 5 of the first long-line region is removed by using a laser of a suitable small energy. Then, using a suitable small energy laser, the color resists 41, 42 of the first long line region are removed to form a first trench. In order to ensure that the color resists 41, 42 of the first long line region can be completely removed, the first trench should have a sufficient depth to remove a portion of the second insulating layer 32.
  • the coated metal is vaporized and condensed in the first trench by using a laser to form a first long-line metal 81, and both ends of the first long-line metal 81 and the scanning line 21 pass through the first via. 61 is connected to achieve long-line repair of the scan line 21.
  • the transparent electrode 5 and the color resists 41 and 42 of the first long-line region are removed, forming a The first groove. Since the color resists 41 and 42 in the first long line region have been removed, when the first long-line metal 81 is formed in the first trench, the color resistance of the first long-line region is not carbonized, thereby solving the long-line metal peeling. Technical problems, greatly The success rate of long-line repair is high.
  • the long-line repairing method provided by the embodiment of the present invention further includes:
  • the first trench formed in step S22 is deep and causes the second insulating layer 32 to be damaged, since the thickness of the second insulating layer 32 is usually only 1000 to Therefore, the first long-line metal 81 in the first trench is easily short-circuited with the data line 22, thereby causing the scan line 21 to be short-circuited with the data line 22. Therefore, at the intersection of the data line 22 and the first long-line metal 81, the regions of the data line 22 on both sides of the first long-line metal 81 are cut.
  • the process proceeds to step S23 to complete the long-line repair.
  • the specific repair process is basically the same as that described in the first embodiment:
  • the laser is used to punch holes at both ends of the second long line region, and the formed second via hole 62 should penetrate the second insulating layer 32, the color resists 41, 42 and the like above the data line 22, The data line 22 is exposed.
  • the transparent electrode 5 of the second long-line region is removed by using a laser of a suitable small energy. Then, using a suitable small energy laser, the color resists 41, 42 of the second long line region are removed to form a second trench. In order to ensure that the color resists 41, 42 of the second long line region can be completely removed, the second trench should also have a sufficient depth to remove a portion of the second insulating layer 32.
  • the coated metal is vaporized and condensed in the second trench by the laser to form the second long-line metal 82, and both ends of the second long-line metal 82 are connected to the data line 22 through the second via 62, thereby disconnecting the data. Line 22 is repaired again.
  • the first long line metal 81 and the second long line metal 82 in this embodiment are each preferably tungsten or molybdenum.
  • the first long line area and the second long line area should not overlap each other and maintain a certain distance, so that the first groove and the second groove can also overlap each other and remain.
  • the formed first long-line metal 81 and second long-line metal 82 can also overlap each other and maintain a certain distance, so that short-circuit between the first long-line metal 81 and the second long-line metal 82 can be avoided, thereby avoiding the scanning line. Short circuit between 21 and data line 22.

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Abstract

一种COA阵列基板的长线修复方法，包括：在长线区域的两端开设过孔（6），露出数据线（22），去除长线区域的透明电极（5）和色阻（41、42），形成沟槽（7），在沟槽（7）中形成长线金属（8），并且使长线金属（8）的两端与数据线（22）通过过孔（6）连接，从而实现数据线（22）的长线修复。

Description

COA阵列基板的长线修复方法
本申请要求享有2015年4月17日提交的名称为“COA阵列基板的长线修复方法”的中国专利申请CN201510181326.3的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种COA阵列基板的长线修复方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。
目前，人们对于液晶显示器的显示品质的需求不断提高，因此将色阻和黑矩阵设置在阵列基板上(Color Filter on Array，简称COA)的技术已经被越来越多的应用在液晶显示器中。因为COA技术中的色阻和黑矩阵设置在阵列基板上，所以色阻层与金属线路的对位更加准确，能够避免传统的阵列基板与彩膜基板对盒时产生的偏差导致开口率降低及漏光的问题，从而提高了液晶显示器的显示品质。
在COA阵列基板的制造过程中，长线修复是一项重要制程，其原理是利用激光使镀膜金属气化凝结在长线区域，形成长线金属，从而使断开的金属线能够通过长线金属重新连接起来。长线修复是COA阵列基板制程的最后一步，因为长线修复工艺会使长线区域的温度极高，所以位于长线区域的色阻会因为承受不了高温而发生碳化。碳化的色阻很容易使长线金属脱落，导致长线修复的成功率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种COA阵列基板的长线修复方法，以解决现有技术中长线金属容易脱落的技术问题。
本发明提供一种COA阵列基板的长线修复方法，包括：
在第一长线区域的两端开设第一过孔，露出待修复金属线；
去除所述第一长线区域的透明电极和色阻，形成第一沟槽；
在所述第一沟槽中形成第一长线金属，使所述第一长线金属的两端与所述待修复金属线通过所述第一过孔连接。
优选的是，所述去除所述第一长线区域的透明电极和色阻，具体为：
利用激光，去除所述第一长线区域的透明电极；
利用激光，去除所述第一长线区域的色阻。
优选的是，所述第一长线金属为钨或钼。
在一种实施方式中，所述待修复金属线位于第二金属层。
在另一种实施方式中，所述待修复金属线位于第一金属层。
进一步的是，如果所述第一长线金属与位于第二金属层的数据线存在交叠，则所述长线修复方法还包括：
在与所述第一长线金属交叠处，切断所述数据线。
进一步的是，该长线修复方法还包括：
修复所述数据线，具体为：
在第二长线区域的两端开设第二过孔，露出所述数据线；
去除所述第二长线区域的透明电极和色阻，形成第二沟槽；
在所述第二沟槽中形成第二长线金属，使所述第二长线金属的两端与所述数据线通过所述第二过孔连接。
优选的是，所述第一长线区域与所述第二长线区域互不交叠。
优选的是，所述第二长线金属为钨或钼。
本发明带来了以下有益效果：本发明提供的COA阵列基板的长线修复方法中，在第一长线区域的两端开设第一过孔之后，去除了第一长线区域的透明电极和色阻，形成了第一沟槽。因为第一长线区域中的色阻已经被去除，所以在第一沟槽中形成第一长线金属时，也不会造成第一长线区域的色阻碳化，从而解决了长线金属脱落的技术问题，大幅提高了长线修复的成功率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1是本发明实施例一提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图一；
图2是图1中沿A-A线的剖面图；
图3是本发明实施例一提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图二；
图4是图3中沿B-B线的剖面图；
图5是本发明实施例二提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图一；
图6是图5中沿C-C线的剖面图；
图7是本发明实施例二提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图二。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
实施例一：
本发明实施例提供一种COA阵列基板的长线修复方法，可应用于COA阵列基板的长线修复制程中。如图1和图2所示，本实施例中的COA阵列基板包括玻璃基板1、位于第一金属层的扫描线21、位于第二金属层的数据线22、第一绝缘层31、第二绝缘层32、色阻41、色阻42、透明电极5。其中，第一绝缘层31和第二绝缘层32通常可选用氮化硅材料，透明电极5通常可选用铟锡氧化物(ITO)，数据线22为本实施例中的待修复金属线。
在确定了长线区域之后，即可进行长线修复，该长线修复方法包括：
S11：在长线区域的两端开设过孔6，露出数据线22。
如图1所示，利用激光在长线区域的两端进行打孔，所形成的过孔6应当穿透数据线22上方的第二绝缘层32、色阻41、42等结构，使数据线22暴露出来。
S12：去除长线区域的透明电极5和色阻41、42，形成沟槽。
如图1和图2所示，首先利用适当的小能量的激光，去除长线区域的透明电极5。然后再利用适当的小能量的激光，去除长线区域的色阻41、42，形成沟槽7。为了保证长线区域的色阻41、42能够完全去除，沟槽7应当具有足够的深度，可以深至去除掉部分第二绝缘层32。
以上两次使用的小能量的激光的具体参数，可以针对不同规格的COA阵列基板通过实验调试得出。
S13：在沟槽7中形成长线金属8。
如图3和图4所示，利用激光使镀膜金属气化凝结在沟槽7中，形成长线金属8，并 且使长线金属8的两端与数据线22通过过孔6连接，从而实现数据线22的长线修复。本实施例中的长线金属8优选为钨或者钼。
本发明实施例提供的COA阵列基板的长线修复方法中，在长线区域的两端开设过孔6之后，去除了长线区域的透明电极5和色阻41、42，形成了沟槽7。因为长线区域中的色阻41、42已经被去除，所以在沟槽7中形成长线金属8时，也不会造成长线区域的色阻碳化，从而解决了长线金属脱落的技术问题，大幅提高了长线修复的成功率。
实施例二：
如图5和图6所示，本实施例中的COA阵列基板与实施例一基本相同，包括玻璃基板1、位于第一金属层的扫描线21、位于第二金属层的数据线22、第一绝缘层31、第二绝缘层32、色阻41、色阻42、透明电极5。本实施例与实施例一之间的不同点在于，本实施例中的待修复金属线为扫描线21。
本发明实施例提供的长线修复方法包括：
S21：在第一长线区域的两端开设第一过孔61，露出扫描线21。
具体的，利用激光在第一长线区域的两端进行打孔，所形成的第一过孔61应当穿透扫描线上方的第一绝缘层31、第二绝缘层32、色阻41、42等结构，使扫描线21暴露出来。
S22：去除第一长线区域的透明电极5和色阻41、42，形成第一沟槽。
首先利用适当的小能量的激光，去除第一长线区域的透明电极5。然后再利用适当的小能量的激光，去除第一长线区域的色阻41、42，形成第一沟槽。为了保证第一长线区域的色阻41、42能够完全去除，第一沟槽应当具有足够的深度，可以深至去除掉部分第二绝缘层32。
以上两次使用的小能量的激光的具体参数，可以针对不同规格的COA阵列基板通过实验调试得出。
S23：在第一沟槽中形成第一长线金属81。
如图5和图6所示，利用激光使镀膜金属气化凝结在第一沟槽中，形成第一长线金属81，并且使第一长线金属81的两端与扫描线21通过第一过孔61连接，从而实现扫描线21的长线修复。
本发明实施例提供的COA阵列基板的长线修复方法中，在第一长线区域的两端开设第一过孔61之后，去除了第一长线区域的透明电极5和色阻41、42，形成了第一沟槽。因为第一长线区域中的色阻41、42已经被去除，所以在第一沟槽中形成第一长线金属81时，也不会造成第一长线区域的色阻碳化，从而解决了长线金属脱落的技术问题，大幅提 高了长线修复的成功率。
进一步的是，如果第一长线金属81与位于第二金属层的数据线22存在交叠，则本发明实施例提供的长线修复方法还包括：
S24：在与第一长线金属81交叠处，切断数据线22。
如图5和图6所示，在步骤S22中形成的第一沟槽较深，并导致第二绝缘层32受损，由于第二绝缘层32的厚度通常只有1000至
Figure PCTCN2015078199-appb-000001
所以第一沟槽内的第一长线金属81很容易与数据线22发生短路，进而导致扫描线21与数据线22短路。因此，在数据线22与第一长线金属81的交叠处，将数据线22的位于第一长线金属81两侧的区域都切断。
在其他实施方式中，如果第一长线金属与任意一条数据线都不存在交叠，则不需要切断数据线，也就是进行至步骤S23即可完成长线修复。
由于在上述的步骤S24中，数据线22被切断了，因此本发明实施例提供的长线修复方法中还需要修复数据线22。其具体的修复过程与实施例一中的描述基本相同：
S25：在第二长线区域的两端开设第二过孔62，露出数据线22。
如图7所示，利用激光在第二长线区域的两端进行打孔，所形成的第二过孔62应当穿透数据线22上方的第二绝缘层32、色阻41、42等结构，使数据线22暴露出来。
S26：去除第二长线区域的透明电极5和色阻41、42，形成第二沟槽。
首先利用适当的小能量的激光，去除第二长线区域的透明电极5。然后再利用适当的小能量的激光，去除第二长线区域的色阻41、42，形成第二沟槽。为了保证第二长线区域的色阻41、42能够完全去除，第二沟槽也应当具有足够的深度，可以深至去除掉部分第二绝缘层32。
以上两次使用的小能量的激光的具体参数，可以针对不同规格的COA阵列基板通过实验调试得出。
S27：在第二沟槽中形成第二长线金属82。
利用激光使镀膜金属气化凝结在第二沟槽中，形成第二长线金属82，并且使第二长线金属82的两端与数据线22通过第二过孔62连接，从而将断开的数据线22重新修复。本实施例中的第一长线金属81和第二长线金属82均优选为钨或者钼。
应当说明的是，本实施例中的第一长线区域与第二长线区域应当互不交叠，并保持一定距离，那么第一沟槽与第二沟槽之间也能够互不交叠并保持一定距离，所形成的第一长线金属81与第二长线金属82也能够互不交叠并保持一定距离，从而能够避免第一长线金属81与第二长线金属82之间短路，进而避免扫描线21与数据线22之间短路。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的 实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

  1. 一种COA阵列基板的长线修复方法，其中，包括：
    在第一长线区域的两端开设第一过孔，露出待修复金属线；
    去除所述第一长线区域的透明电极和色阻，形成第一沟槽；
    在所述第一沟槽中形成第一长线金属，使所述第一长线金属的两端与所述待修复金属线通过所述第一过孔连接。
  2. 根据权利要求1所述的长线修复方法，其中，所述去除所述第一长线区域的透明电极和色阻，具体为：
    利用激光，去除所述第一长线区域的透明电极；
    利用激光，去除所述第一长线区域的色阻。
  3. 根据权利要求1所述的长线修复方法，其中，所述第一长线金属为钨或钼。
  4. 根据权利要求1所述的长线修复方法，其中，所述待修复金属线位于第二金属层。
  5. 根据权利要求1所述的长线修复方法，其中，所述待修复金属线位于第一金属层。
  6. 根据权利要求5所述的长线修复方法，其中，如果所述第一长线金属与位于第二金属层的数据线存在交叠，则所述长线修复方法还包括：
    在与所述第一长线金属交叠处，切断所述数据线。
  7. 根据权利要求6所述的长线修复方法，其中，还包括：
    修复所述数据线。
  8. 根据权利要求7所述的长线修复方法，其中，所述修复所述数据线，具体为：
    在第二长线区域的两端开设第二过孔，露出所述数据线；
    去除所述第二长线区域的透明电极和色阻，形成第二沟槽；
    在所述第二沟槽中形成第二长线金属，使所述第二长线金属的两端与所述数据线通过所述第二过孔连接。
  9. 根据权利要求8所述的长线修复方法，其中，所述第一长线区域与所述第二长线区域互不交叠。
  10. 根据权利要求8所述的长线修复方法，其中，所述第二长线金属为钨或钼。
PCT/CN2015/078199 2015-04-17 2015-05-04 Coa阵列基板的长线修复方法 Ceased WO2016165173A1 (zh)

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