WO2016158045A1 - 共振子 - Google Patents

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WO2016158045A1
WO2016158045A1 PCT/JP2016/054425 JP2016054425W WO2016158045A1 WO 2016158045 A1 WO2016158045 A1 WO 2016158045A1 JP 2016054425 W JP2016054425 W JP 2016054425W WO 2016158045 A1 WO2016158045 A1 WO 2016158045A1
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WO
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arm
electrodes
holding
connection line
holding frame
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/054425
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English (en)
French (fr)
Inventor
中村 大佐
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators

Definitions

  • the present invention relates to a resonator.
  • a piezoelectric resonance apparatus using a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technique has been used as a timing device, for example.
  • This piezoelectric resonance device is mounted on a printed circuit board incorporated in an electronic device such as a smartphone.
  • Patent Document 1 discloses a configuration of a resonator in which upper electrodes are connected to each other by a bus bar, and then the electrodes are drawn from a vibrating portion to an outer holding frame.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a resonator capable of reducing the influence of a parasitic capacitance generated between a connection line connecting electrodes and an electrode.
  • a resonator has first and second long sides and first and second short sides, and is provided so as to surround a rectangular vibrating portion that vibrates in outline, and around the vibrating portion, A holding frame that holds the vibrating part, a first arm that is provided substantially in parallel along the vibrating part between the holding frame and the first long side, and a plurality that connects the first arm and the vibrating part A first arm provided on the first arm, and a first holding arm that connects the vibrating portion and the holding frame.
  • the first terminal may be provided in the holding frame at a position facing the first long side, or may be routed to a position facing the first short side.
  • the resonator includes four or more electrodes, and further includes a first arm provided substantially in parallel along the vibrating portion between the holding frame and the second long side, and the first arm and the vibration.
  • a second holding arm that has a plurality of second arms that connect the first part and a third arm that connects the first arm and the holding frame, and a second holding arm that connects the vibrating part and the holding frame;
  • a second connection line provided on the first arm, a second terminal provided on the holding frame, and a third and fourth electrode of four or more electrodes provided on the plurality of second arms.
  • a plurality of second lead lines connecting the second connection lines, the plurality of second lead lines are connected to the second connection lines, and the second connection lines are electrically connected to the second terminals.
  • an electric field having a phase different from that applied to the first and second electrodes is applied to the third and fourth electrodes.
  • the second terminal may be provided at a position facing the second long side in the holding frame, or may be provided at a position facing the second short side.
  • a connection line for connecting electrodes to which an electric field having the same phase is applied is provided outside the vibrating portion.
  • a certain gap is provided between the connection line and, in particular, an electrode to which an electric field having an opposite phase to the electric field connected to the connection line is applied. Therefore, the influence of parasitic capacitance can be reduced. Therefore, the vibration characteristics of the vibration part can be improved. Furthermore, since it is not necessary to provide a bus bar in the vibration part, it is possible to arrange electrodes up to the end of the vibration part.
  • two of the plurality of second arms of the first holding arm are provided corresponding to the first and second electrodes, respectively, and two of the plurality of second arms of the second holding arm. Are preferably provided corresponding to the third and fourth electrodes, respectively.
  • the pair of holding arms of the resonator has a configuration that is vertically and horizontally symmetrical. As a result, it is possible to suppress vibration disturbances caused by coupling unnecessary vibration modes to higher-order contour vibrations.
  • a resonator includes a pair of first sides facing each other and a pair of second sides facing each other, a rectangular vibrating portion that performs contour vibration, and a vibrating portion
  • a holding frame that is provided so as to surround the periphery and holds the vibrating unit; a first holding arm having a plurality of arms that connect the vibrating unit and the holding frame between the holding frame and the first side; and a holding unit In the frame, a first connection line provided at a position facing at least one side of the pair of first sides, a first terminal provided on the holding frame, and at least three provided on the vibrating portion.
  • first lead lines provided on the plurality of arms of the first holding arm and connecting the first and second electrodes of the three or more electrodes and the first connection line.
  • the plurality of first lead lines are connected to the first connection line, and the first connection line is electrically connected to the first terminal. Cage, first and second electrodes, the electric field of the same phase are applied from the first terminal.
  • the first terminal may be provided in the holding frame at a position facing the first long side, or may be routed to a position facing the first short side.
  • the resonator includes four or more electrodes, and further includes a plurality of arms that connect the vibrating portion and the holding frame between the holding frame and the other side of the pair of first sides.
  • the second connection line is electrically connected to the second terminal, and the third and fourth electrodes are preferably applied with an electric field having a phase different from that applied to the first and second electrodes.
  • the second terminal may be provided at a position facing the second long side in the holding frame, or may be provided at a position facing the second short side.
  • the holding arm can be shortened by providing the connection line on the holding frame. Therefore, even when the width of the holding arm is narrowed in order to reduce the loss of vibration, the resonance resistance of the holding arm can be reduced.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a structure of a resonance device according to a first embodiment. It is a top view which shows roughly an example of the structure of the resonator which concerns on 1st Embodiment. It is a figure which shows roughly an example of the structure of the cross section of the resonator which concerns on 1st Embodiment. It is a top view which shows roughly an example of the structure of the resonator which concerns on 2nd Embodiment. It is a top view which shows roughly an example of the structure of the resonator which concerns on 3rd Embodiment. It is a top view which shows roughly an example of the structure of the resonator which concerns on 4th Embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing the appearance of the resonance device 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • the resonance device 1 includes a lower substrate 14, an upper substrate 13 that forms a vibration space between the lower substrate 14, and a resonator 10 that is sandwiched and held between the lower substrate 14 and the upper substrate 13.
  • the resonator 10 is a MEMS vibrator manufactured using the MEMS technology.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view schematically showing the structure of the resonance device 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • the lower substrate 14 extends in a flat plate shape along the XY plane, and a flat rectangular parallelepiped concave portion 17 is formed on the upper surface thereof.
  • the recess 17 forms a part of the vibration space of the resonator 10.
  • the upper substrate 13 extends in a flat plate shape along the XY plane, and a flat rectangular parallelepiped concave portion 18 is formed on the lower surface thereof.
  • the recess 18 forms part of the vibration space of the resonator 10. A vacuum state is maintained in this vibration space.
  • the lower substrate 14 and the upper substrate 13 are made of, for example, Si (silicon).
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing the structure of the resonator 10 according to the present embodiment.
  • the resonator 10 includes a vibrating unit 120, a holding frame 11, a holding arm 111 (an example of a first holding arm), 112 (an example of a second holding arm), and a connection line B121 (first first).
  • B122 an example of a second connection line
  • lead lines W111 and W121 an example of a first lead line
  • W123 an example of a first lead line
  • W112, W122 an example of a second lead line
  • W124 an example of a second lead line.
  • the vibrating unit 120 has a substantially rectangular parallelepiped outline extending in a flat plate shape along the XY plane in the orthogonal coordinate system of FIG.
  • the vibration unit 120 On the vibration unit 120, four rectangular plate-shaped upper electrodes 121 to 124 (an example of the first electrode to the fourth electrode) having a length direction and a width direction are provided.
  • the vibration unit 120 has a long side in the X-axis direction and a short side in the Y-axis direction, and the four upper electrodes 121 to 124 all have long sides in the Y-axis direction and short sides in the X-axis direction. have.
  • a space is formed between the vibrating unit 120 and the holding frame 11 at a predetermined interval.
  • the vibration unit 120 is connected to and held by the holding frame 11 by holding arms 111 and 112 described later on a pair of long sides, respectively.
  • the vibration part 120 is not held by the holding frame 11 on a pair of short sides.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
  • a lower electrode 129 is stacked on a Si substrate 130 made of a degenerate semiconductor.
  • the Si substrate 130 is desirably about 140 ⁇ m long, about 400 ⁇ m wide, and about 10 ⁇ m thick.
  • the lower electrode 129 is formed using, for example, a metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and has a thickness of about 0.1 ⁇ m. Note that the Si substrate 130 which is a degenerated semiconductor may be used as the lower electrode without forming the lower electrode 129.
  • a piezoelectric thin film 128 is laminated on the lower electrode 129 so as to cover the lower electrode 129, and further, upper electrodes 121 to 124 are laminated on the piezoelectric thin film 128. After the upper electrodes 121 to 124 are formed on the vibration unit 120, the upper electrodes 121 to 124 are divided into four by processing such as etching.
  • the piezoelectric thin film 128 is a piezoelectric thin film that converts an applied voltage into vibration.
  • the piezoelectric thin film 128 can be mainly composed of a nitride such as aluminum nitride or an oxide.
  • the piezoelectric thin film 128 can be formed of scandium aluminum nitride (ScAlN).
  • ScALN is obtained by replacing a part of aluminum (Al) in aluminum nitride (AlN) with scandium (Sc).
  • the piezoelectric thin film 128 has a thickness of 0.8 ⁇ m, for example.
  • the upper electrodes 121 to 124 are formed using a metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and have a thickness of about 0.1 ⁇ m.
  • the vibration unit 120 undergoes contour vibration along the X-axis direction when an alternating electric field is applied.
  • the piezoelectric thin film 128 is oriented in the c-axis direction, so that a predetermined electric field is applied to the upper electrodes 121 to 124 and a predetermined potential difference is generated between the lower electrode 129 and the upper electrodes 121 to 124. Is formed, the piezoelectric thin film 128 expands and contracts in the XY in-plane direction in accordance with the potential difference, so that the vibration unit 120 undergoes contour vibration.
  • the holding frame 11 is formed in a rectangular frame shape along the XY plane.
  • the holding frame 11 is provided so as to surround the vibration unit 120 and the outside of the vibration unit 120 along the XY plane. More specifically, the holding frame 11 includes a pair of long-side plate-like frames 11a and 11b extending in parallel with the X-axis direction so as to face the long side of the vibration unit 120, and the short side of the vibration unit 120. And a pair of short-side frames 11c and 11d that extend in parallel to the Y-axis direction and are connected to both ends of the frames 11a and 11b at both ends thereof, respectively.
  • the frame body 11a and the frame body 11b are formed with voltage application portions 110a (an example of a first terminal) and 110b (an example of a second terminal).
  • the voltage application units 110 a and 110 b can apply an alternating electric field to the upper electrodes 121 to 124 via the holding arms 111 and 112.
  • the voltage application unit 110a is formed near the center of the frame 11a
  • the voltage application unit 110b is formed near the center of the frame 11b.
  • the voltage application unit 110a may be formed at 11c and 11d.
  • the frame 11a side is described as the upper side of the resonator 10
  • the frame 11b side is described as the lower side of the resonator 10.
  • a metal layer Z129 integrally formed by the same process as that of the lower electrode 129 of the vibration unit 120 is formed on the Si substrate 130 made of a degenerate semiconductor.
  • a piezoelectric thin film 128 is laminated so as to cover the layer Z129.
  • the holding frame 11 is formed on the Si substrate 130 in the order of the metal layer Z129 and the piezoelectric thin film 128, and is formed integrally with the vibration unit 120 and removed to have a desired shape by processing such as etching.
  • the metal layer Z129 provided on the holding frame 11 may be removed when the lower electrode 129 is formed into a predetermined shape by etching or the like.
  • the holding arm 111 connects the vibrating unit 120 and the holding frame 11.
  • the holding arm 111 is provided inside the holding frame 11 along the XY plane and between the long side of the vibration unit 120 and the frame body 11a.
  • the holding arm 111 includes a main arm 111n (an example of the third arm of the first holding arm), a connecting arm 111m (an example of the first arm of the first holding arm), and the child arms 111a to 111d. (An example of a plurality of second arms of the first holding arm).
  • the lower arm 111a has a lower end connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 121, and an upper end connected to one end of the connecting arm 111m.
  • the lower arm 111d has a lower end connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 124, and an upper end connected to the other end of the connecting arm 111m.
  • the lower arm 111b has a lower end connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 122, and an upper end connected to the connecting arm 111m.
  • the lower arm 111c has a lower end connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 123, and an upper end connected to the connecting arm 111m.
  • connection arm 111m, the main arm 111n, and the child arms 111a to 111d are all rectangular plates having a long side with a width of about 5 ⁇ m.
  • the holding arm 111 has the same number of child arms as the number of electrodes of the vibration unit 120, and is configured to be symmetrical with respect to the main arm 111n in the X-axis direction. As a result, it is possible to suppress vibration disturbances caused by coupling unnecessary vibration modes to higher-order contour vibrations.
  • the holding arm 112 connects the vibration unit 120 and the holding frame 11.
  • the holding arm 112 is provided between the long side of the vibration part 120 and the frame 11b.
  • the holding arm 112 includes a main arm 112n (an example of a third arm of the second holding arm), a connecting arm 112m (an example of the first arm of the second holding arm), and child arms 112a to 112d. (An example of a plurality of second arms of the second holding arm).
  • connection arm 112m is provided in the space between the vibration unit 120 and the frame 11b so as to face the long side of the vibration unit 120 across the upper electrodes 121 to 124 in parallel with the X-axis direction.
  • the main arm 112n is provided in parallel to the Y-axis direction so as to face the short side of the vibration unit 120, and connects the connection arm 112m and the frame 11b.
  • the child arms 112a to 112d are provided in the space between the vibration unit 120 and the frame 11b so as to face the long side of the vibration unit 120 in parallel with the Y-axis direction.
  • the upper end of the child arm 112a is connected to the longer side of the vibrating portion 120 near the center of the lower side of the upper electrode 121, and the lower end is connected to one end of the connecting arm 112m.
  • the child arm 112d has an upper end connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the lower side of the upper electrode 124, and a lower end connected to the other end of the connecting arm 112m.
  • the child arm 112b has an upper end connected to the long side of the vibration unit 120 near the center of the lower side of the upper electrode 122, and a lower end connected to the connecting arm 112m.
  • the upper end of the child arm 112c is connected to the longer side of the vibration unit 120 near the center of the lower side of the upper electrode 123, and the lower end is connected to the connecting arm 112m.
  • the connecting arm 112m, the main arm 112n, and the child arms 112a to 112d are all rectangular plates having a long side with a width of about 5 ⁇ m.
  • the holding arm 112 has the same number of child arms as the number of electrodes of the vibration unit 120, and is configured to be symmetrical with respect to the main arm 112n in the X-axis direction. As a result, it is possible to suppress vibration disturbances caused by coupling unnecessary vibration modes to higher-order contour vibrations. Further, the holding arm 111 and the holding arm 112 described above have a symmetrical configuration. Thereby, vibration inhibition can be further suppressed.
  • the holding arms 111 and 112 are formed by stacking a metal layer Z129 on a Si substrate 130 made of a degenerate semiconductor, and piezoelectrically covering the metal layer Z129 on the metal layer Z129.
  • a thin film 128 is laminated.
  • connection lines B121 and B122 and lead lines W111, W121, W123, W112, W122, and W124, which will be described later, are integrally formed on the piezoelectric thin film 128 by the same process as the upper electrodes 121 to 124 of the vibration unit 120. Are stacked.
  • the Si substrate 130 of the holding arms 111 and 112, the metal layer Z129, the piezoelectric thin film 128, the connection lines B121 and B122, and the lead lines W111, W121, W123, W112, W122, and W124 are integrally formed with the vibrating unit 120, and are etched. It is removed and formed so as to have a desired shape by processing.
  • the metal layer Z129 provided on the holding arms 111 and 112 may be removed when the lower electrode 129 is formed into a predetermined shape by etching or the like.
  • connection line B121 is provided in a space between the long side of the vibration unit 120 and the frame 11a.
  • the connection line B121 is provided on the surface of the connection arm 111m, and extends in parallel with the X-axis direction across the upper electrodes 121 to 124 so as to face the long side of the vibration unit 120.
  • the connection line B121 connects the upper electrodes 121 and 123 having the same phase of the electric field extended by the lead lines W121 and W123 among the four upper electrodes 121 to 124 provided on the vibration unit 120.
  • the resonator 10 has a configuration in which the connection line B121 connecting the upper electrodes 121 and 123 having the same phase provided in the vibration unit 120 is provided outside the vibration unit 120. . Therefore, since a gap is formed between the connection line B121 and the upper electrode 122, the influence of parasitic capacitance can be reduced. In addition, since it is not necessary to provide a bus bar on the vibration unit 120, the upper electrode 122 can be provided to the end of the vibration unit 120. Furthermore, since the connection line B121 is provided on the holding arm 111, the number of main arms that are connection points between the holding arm 111 and the holding frame 11 can be reduced, and the vibration attenuation of the vibrating unit 120 can be reduced. it can.
  • the lead lines W111, W121, W123 are provided in the space between the long side of the vibration unit 120 and the frame body 11a in parallel to the Y-axis direction.
  • the lead wire W121 is provided on the surface of the child arm 111a, and the upper electrode 121 extends on the child arm 111a and is connected to the connection line B121.
  • the lead wire W123 is provided on the surface of the child arm 111c, and the upper electrode 123 to which an electric field having the same phase as the electric field of the upper electrode 121 is extended on the child arm 111c and connected to the connection line B121.
  • the lead line W111 is provided on the main arm 111n, and connects the voltage application unit 110a and the connection line B121.
  • connection line B122 is provided in a space between the long side of the vibration unit 120 and the frame body 11b.
  • the connection line B122 is provided on the surface of the connection arm 112m, and extends along the upper electrodes 121 to 124 so as to face the long side of the vibration unit 120 in parallel with the X-axis direction.
  • the connection line B122 connects the upper electrodes 122 and 124 having the same phase extended by the lead lines W122 and W124 among the four upper electrodes 121 to 124 provided on the vibration unit 120.
  • the resonator 10 has a configuration in which the connection line B122 that connects the upper electrodes of the same phase provided in the vibration unit 120 is provided outside the vibration unit 120.
  • connection line B122 since a gap is formed between the connection line B122 and the upper electrode 123, the influence of parasitic capacitance can be reduced.
  • the upper electrode 123 can be provided up to the end of the vibration unit 120.
  • the connection line B122 is provided on the holding arm 112, the number of main arms that are the connection points between the holding arm 112 and the holding frame 11 can be reduced, and the vibration of the vibration unit 120 can be attenuated. Can be reduced.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing an example of the structure of the resonator 10 according to the present embodiment.
  • the detailed configuration of the resonator 10 according to the present embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.
  • the vibration unit 120 includes three upper electrodes 121 to 123. Other configurations of the vibration unit 120 are the same as those in the first embodiment.
  • the voltage application units 110a and 110b are provided at the ends of the frames 11a and 11b, respectively.
  • Other configurations of the holding frame 11 are the same as those in the first embodiment.
  • the holding arm 111 has only three arms, child arms 111a to 111c, and does not have a configuration corresponding to the connecting arm 111m and the main arm 111n. Other configurations of the holding arm 111 are the same as those in the first embodiment.
  • the holding arm 112 has only three arms, child arms 112a to 112c, and does not have a configuration corresponding to the connection arm 112m and the main arm 112n.
  • the configuration of the other holding arms 112 is the same as that of the first embodiment.
  • connection line B121 is provided on the frame 11a so as to face the long side of the vibration unit 120 and in parallel with the X-axis direction.
  • the connection line B121 connects the upper electrodes 121 and 123 extended by the lead lines W121 and W123, and is connected to the voltage application unit 110a provided at the end of the frame 11a.
  • the resonator 10 according to the present embodiment can shorten the holding arm 111 by providing the connection line B121 on the frame 11a. Therefore, even when the width of the holding arm 111 is narrowed to reduce the loss of vibration, the resonance resistance of the holding arm 111 can be reduced.
  • the configuration of the other connection line B121 is the same as that of the first embodiment.
  • connection line B122 In the present embodiment, the resonator 10 does not have the connection line B122.
  • the resonator 10 does not have the lead wire W124.
  • the lead wire W112 is provided on the frame 11b so as to face the long side of the vibration unit 120 in parallel with the X-axis direction.
  • the lead line W112 connects the upper electrode 122 extended by the lead line W122 to the voltage application unit 110b.
  • the configuration of the lead line W122 is the same as that of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing an example of the structure of the resonator 10 according to the present embodiment. Below, the difference with 1st Embodiment is demonstrated among each structure of the resonator 10 which concerns on this embodiment.
  • Vibration unit 120 The configuration of the vibration unit 120 is the same as that of the first embodiment.
  • the voltage application units 110a and 110b are provided at the ends of the frames 11a and 11b, respectively.
  • Other configurations of the holding frame 11 are the same as those in the first embodiment.
  • the holding arm 111 has only two arms, child arms 111a and 111b, and the number of electrodes provided on the vibration unit 120 does not match the number of child arms. .
  • the holding arm 111 does not have a configuration corresponding to the connecting arm 111m and the main arm 111n.
  • the holding arm 111 has a smaller number of child arms than the number of electrodes provided on the vibration unit 120. As a result, the loss of vibration energy leaking from the arm can be reduced as the number of child arms connected to the vibration unit 120 is small, and vibration characteristics are improved.
  • the effect of reducing the energy loss can be further improved by using the structure in which the child arm outside the long side of the vibrating unit 120 among the child arms of the holding arm 111 is configured to blink.
  • Other configurations of the holding arm 111 are the same as those in the first embodiment.
  • the holding arm 112 has only two arms, child arms 112a and 112b, and the number of electrodes provided on the vibration unit 120 does not match the number of child arms. . Further, the holding arm 112 does not have a configuration corresponding to the connection arm 112m and the main arm 112n. Thus, in the present embodiment, the holding arm 112 has a smaller number of child arms than the number of electrodes provided on the vibrating unit 120. As a result, the loss of vibration energy leaking from the arm can be reduced as the number of child arms connected to the vibration unit 120 is small, and vibration characteristics are improved.
  • the effect of reducing the energy loss can be further improved by using the structure in which the child arm outside the long side of the vibrating unit 120 among the child arms of the holding arm 112 is configured to blink.
  • the configuration of the other holding arms 112 is the same as that of the first embodiment.
  • connection line B121 is provided on the frame 11a in a direction parallel to the X-axis direction so as to face the long side of the vibration unit 120.
  • the connection line B121 connects the upper electrodes 121 and 123 extended by the lead lines W121 and W123, and is connected to the voltage application unit 110a provided at the end of the frame 11a.
  • the configuration of the other connection line B121 is the same as that of the first embodiment.
  • the resonator 10 does not have the lead wire W111.
  • the configuration of the lead lines W121 and W123 is the same as that of the first embodiment.
  • connection line B122 is provided on the frame body 11b in a direction parallel to the X-axis direction so as to face the long side of the vibration unit 120.
  • the connection line B122 connects the upper electrodes 122 and 124 extended by the lead lines W122 and W124, and is connected to the voltage application unit 110b provided at the end of the frame 11b.
  • the configuration of the other connection line B122 is the same as that of the first embodiment.
  • the resonator 10 does not have the lead wire W112.
  • the configuration of the lead lines W122 and W124 is the same as that of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing an example of the structure of the resonator 10 according to the present embodiment. Below, the difference with 1st Embodiment is demonstrated among each structure of the resonator 10 which concerns on this embodiment.
  • the vibration unit 120 includes seven upper electrodes 121 to 127, a bus bar b121, and a bus bar b125.
  • the bus bar b121 is an upper end portion of the vibration unit 120, is provided on the upper electrode 122, and extends along the X-axis direction in parallel with the long side of the vibration unit 120.
  • the bus bar b ⁇ b> 125 is provided on the upper end of the upper electrode 126 on the upper end of the vibration unit 120, and extends along the X-axis direction in parallel with the long side of the vibration unit 120.
  • the vibration unit 120 includes the bus bars b121 and b125.
  • the connection points between the vibration part 120 and the holding arm 111 can be reduced, and the loss of vibration energy of the vibration part 120 can be reduced.
  • the vibration unit 120 by not providing a bus bar on the vibration part 120 at the center of the vibration part 120, it is possible to reduce the parasitic capacitance and to arrange the upper electrode up to the end, and the capacity is large and the resonance resistance is small. Vibration can be obtained.
  • Other configurations of the vibration unit 120 are the same as those in the first embodiment.
  • the holding arm 111 includes child arms 111a, 111b, and 111c, a connecting arm 111m, and a main arm 111n.
  • the number of child arms of the holding arm 111 does not match the number of electrodes provided on the vibration unit 120.
  • the holding arm 111 according to the present embodiment does not have a child arm connected to the vibration region at the extreme end of the vibration unit 120 or in the vicinity thereof. That is, the holding arm 111 has only a child arm connected to the vibration region at the center of the vibration unit 120 or in the vicinity thereof. Thereby, loss of vibration energy can be reduced.
  • Other configurations of the holding arm 111 are the same as those in the first embodiment.
  • connection line B121 The configuration of the connection line B121 of this embodiment is the same as that of the first embodiment.
  • connection line B122 The configuration of the connection line B122 of this embodiment is the same as that of the first embodiment.
  • the lead lines W122, W124, and W126 are respectively provided in the direction parallel to the Y-axis direction between the long side of the vibration unit 120 and the frame body 11b.
  • the lead-out line W122 is provided on the child arm 112a, extends the upper electrodes 122 having the same phase, and connects to the connection line B122.
  • the lead line W124 is provided on the child arm 111b, and extends from the upper electrode 124 to be connected to the connection line B122.
  • the lead line W126 is provided on the child arm 112c, and extends from the upper electrode 126 to be connected to the connection line B122.
  • the configuration of the lead line W112 is the same as that of the first embodiment.
  • each embodiment described above is for facilitating the understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention.
  • the present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof.
  • those obtained by appropriately modifying the design of each embodiment by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
  • Each embodiment is an exemplification, and it is needless to say that a partial replacement or combination of configurations shown in different embodiments is possible, and these are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention. .

Abstract

 電極同士を接続する接続線と電極との間に発生する寄生容量の影響を低減することを可能にする。 輪郭振動する矩形の振動部と、当該振動部を保持する保持枠と、保持枠と第1長辺との間において、振動部に沿って略平行に設けられた第1腕と、当該第1腕と振動部とを接続する複数の第2腕と、第1腕と保持枠とを接続する第3腕とを有し、当該振動部と保持枠とを接続する第1保持腕と、第1腕上に設けられた第1接続線と、保持枠に設けられた第1端子と、振動部上に設けられた少なくとも3つ以上の電極と、複数の第2腕上に設けられ、3つ以上の電極のうちの第1及び第2電極と第1接続線とを接続する複数の第1引き出し線とを備え、複数の第1引き出し線は、第1接続線と接続し、第1接続線は、第1端子に電気的に接続されており、第1及び第2電極は、第1端子から同位相の電界が印加される。

Description

共振子
 本発明は、共振子に関する。
 従来、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いた圧電共振装置がたとえばタイミングデバイスとして用いられている。この圧電共振装置は、スマートフォンなどの電子機器内に組み込まれるプリント基板上に実装される。
 このような圧電共振装置に用いられる共振子のうち、高次輪郭振動を行う共振子は、振動部上に設けられた端部電極を介して同位相の電極同士を接続している。特許文献1には、上部電極同士をバスバーで接続した後、振動部から外周の保持枠へと電極を引き出す共振子の構成が開示されている。
米国特許第784328号明細書
 しかし、特許文献1に記載された従来の共振子では、端部電極と上部電極との間に発生した寄生容量の影響によって、特性の悪化を招くという課題があった。また、振動部の端部に端部電極を設ける必要があるため、上部電極を振動部の端部まで配置することができない場合もあった。
 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、電極同士を接続する接続線と電極との間に発生する寄生容量の影響を低減することが可能な共振子を提供することを目的とする。
 本発明の一側面に係る共振子は、第1及び第2長辺並びに第1及び第2短辺を有し、輪郭振動する矩形の振動部と、振動部の周囲を囲むように設けられ、当該振動部を保持する保持枠と、保持枠と第1長辺との間において、振動部に沿って略平行に設けられた第1腕と、当該第1腕と振動部とを接続する複数の第2腕と、第1腕と保持枠とを接続する第3腕とを有し、当該振動部と保持枠とを接続する第1保持腕と、第1腕上に設けられた第1接続線と、保持枠に設けられた第1端子と、振動部上に設けられた少なくとも3つ以上の電極と、複数の第2腕上に設けられ、3つ以上の電極のうちの第1及び第2電極と第1接続線とを接続する複数の第1引き出し線とを備え、複数の第1引き出し線は、第1接続線と接続し、第1接続線は、第1端子に電気的に接続されており、第1及び第2電極は、第1端子から同位相の電界が印加される。
 第1端子は、保持枠において、第1長辺と対向する位置に設けてもよいし、第1短辺と対向する位置まで引き回して設けてもよい。
 また、共振子は、4つ以上の電極を備え、さらに、保持枠と第2長辺との間において、振動部に沿って略平行に設けられた第1腕と、当該第1腕と振動部とを接続する複数の第2腕と、第1腕と保持枠とを接続する第3腕とを有し、当該振動部と保持枠とを接続する第2保持腕と、第2保持腕の第1腕上に設けられた第2接続線と、保持枠に設けられた第2端子と、複数の第2腕上に設けられ、4つ以上の電極のうちの第3及び第4電極と第2接続線とを接続する複数の第2引き出し線とを備え、複数の第2引き出し線は、第2接続線と接続し、第2接続線は、第2端子に電気的に接続されており、第3及び第4電極は、第1及び第2電極に印加される電界と異なる位相の電界が印加されることが好ましい。
 第2端子は、保持枠において第2長辺と対向する位置に設けてもよいし、第2短辺と対向する位置に設けても良い。
 かかる共振子によれば、同位相の電界が印加される電極同士を接続する接続線を振動部の外部に設ける構成となる。これにより、接続線を振動部の外部に設けることで、接続線と、特に、当該接続線で接続される電極の電界と逆位相の電界が印加される電極との間に一定の隙間を設けることができるため、寄生容量の影響を低減できる。よって、振動部の振動特性を改善することができる。さらに、振動部にバスバーを設けなくともよいため、振動部の端部まで電極を配置することが可能になる。
 また、第1保持腕の複数の第2腕のうちの2本は、第1及び第2電極にそれぞれ対応して設けられており、第2保持腕の複数の第2腕のうちの2本は、第3及び第4電極にそれぞれ対応して設けられることが好ましい。
 この好ましい態様では、共振子が有する1対の保持腕は、上下左右が対称な構成となっている。これによって、不要な振動モードが高次輪郭振動に結合することにより発生する振動障害を抑制することが可能になる。
 また、本発明の他の側面に係る共振子は、互いに対向する1対の第1辺、及び互いに対向する1対の第2辺を有し、輪郭振動する矩形の振動部と、振動部の周囲を囲むように設けられ、当該振動部を保持する保持枠と、保持枠と第1辺との間において、振動部と保持枠とを接続する複数の腕を有する第1保持腕と、保持枠において、1対の第1辺のうち、少なくとも一方の辺に対向する位置に設けられた第1接続線と、保持枠に設けられた第1端子と、振動部上に設けられた少なくとも3つ以上の電極と、第1保持腕の複数の腕上に設けられ、3つ以上の電極のうちの第1及び第2電極と第1接続線とを接続する複数の第1引き出し線とを備え、複数の第1引き出し線は、第1接続線と接続し、第1接続線は、第1端子に電気的に接続されており、第1及び第2電極は、第1端子から同位相の電界が印加される。
 第1端子は、保持枠において、第1長辺と対向する位置に設けてもよいし、第1短辺と対向する位置まで引き回して設けてもよい。
 また、共振子は、4つ以上の電極を備え、さらに、保持枠と1対の第1辺のうち、他方の辺との間において、振動部と保持枠とを接続する複数の腕を有する第2保持腕と、保持枠において、他方の辺と対向する位置に設けられた第2接続線と、保持枠に設けられた第2端子と、第2保持腕の複数の腕上に設けられ、4つ以上の電極のうちの第3及び第4電極と第2接続線とを接続する複数の第2引き出し線とを備え、複数の第2引き出し線は、第2接続線と接続し、第2接続線は、第2端子に電気的に接続されており、第3及び第4電極は、第1及び第2電極に印加される電界と異なる位相の電界が印加されることが好ましい。
 第2端子は、保持枠において第2長辺と対向する位置に設けてもよいし、第2短辺と対向する位置に設けても良い。
 かかる共振子によれば、接続線を保持枠上に設けることにより、保持腕を短くすることができる。従って、振動の損失を低減するために、保持腕の幅を狭くした場合でも、保持腕の共振抵抗を小さくすることができる。
 本発明によれば、従来発生していた寄生容量の影響を低減することが可能となる。
第1の実施形態に係る共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。 第1の実施形態に係る共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。 第1の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。 第1の実施形態に係る共振子の断面の構造の一例を概略的に示す図である。 第2の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。 第3の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。 第4の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。
[第1の実施形態]
 以下、添付の図面を参照して本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る共振装置1の外観を概略的に示す斜視図である。この共振装置1は、下側基板14と、下側基板14との間に振動空間を形成する上側基板13と、下側基板14及び上側基板13の間に挟み込まれて保持される共振子10と、を備えている。共振子10は、MEMS技術を用いて製造されるMEMS振動子である。
 図2は、本発明の第1実施形態に係る共振装置1の構造を概略的に示す分解斜視図である。下側基板14はXY平面に沿って平板状に広がっており、その上面に例えば平たい直方体形状の凹部17が形成されている。凹部17は共振子10の振動空間の一部を形成する。その一方で、上側基板13はXY平面に沿って平板状に広がっており、その下面に例えば平たい直方体形状の凹部18が形成されている。凹部18は共振子10の振動空間の一部を形成する。この振動空間では真空状態が維持されている。下側基板14及び上側基板13は例えばSi(シリコン)から形成されている。
 図3は、本実施形態に係る、共振子10の構造を概略的に示す平面図である。図3を用いて本実施形態に係る共振子10の各構成について説明する。共振子10は、振動部120と、保持枠11と、保持腕111(第1保持腕の一例である。)、112(第2保持腕の一例である。)と、接続線B121(第1接続線の一例である。)、B122(第2接続線の一例である。)と、引き出し線W111、W121(第1引き出し線の一例である。)、W123(第1引き出し線の一例である。)、W112、W122(第2引き出し線の一例である。)、W124(第2引き出し線の一例である。)とを備えている。
(1.振動部120)
(1-1.詳細構成)
 振動部120は、図3の直交座標系におけるXY平面に沿って平板状に広がる略直方体の輪郭を有している。振動部120上には、長さ方向と幅方向とを有する矩形板状の4つの上部電極121~124(第1電極~第4電極の一例である。)が設けられている。図3において、振動部120は、X軸方向に長辺、Y軸方向に短辺を有し、4つの上部電極121~124は、いずれもY軸方向に長辺、X軸方向に短辺を有している。
 振動部120と保持枠11との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図3の例では、振動部120は、1対の長辺において、それぞれ後述する保持腕111、112によって保持枠11に接続され、保持されている。他方で、振動部120は、1対の短辺において、保持枠11によって保持されていない。
(1-2.積層構造)
 図4(A)を用いて振動部120の積層構造について説明する。図4(A)は、図3のAA´断面図である。
 図4(A)に示すように、振動部120は、縮退半導体からなるSi基板130上に、下部電極129が積層されている。Si基板130は、長さ140μm程度、幅400μm程度、厚さ10μm程度であることが望ましい。下部電極129は、たとえば、モリブデン(Mo)やアルミニウム(Al)等の金属を用いて形成され、厚さ0.1μm程度である。なお、下部電極129を形成せずに、縮退した半導体であるSi基板130を下部電極として用いてもよい。
 また、下部電極129の上には、下部電極129を覆うように圧電薄膜128が積層されており、さらに、圧電薄膜128上には、上部電極121~124が積層されている。上部電極121~124は、振動部120に形成された後、エッチング等の加工により4つに分割される。
 圧電薄膜128は、印加された電圧を振動に変換する圧電体の薄膜であり、たとえば、窒化アルミニウム等の窒化物や酸化物を主成分とすることができる。具体的には、圧電薄膜128は、窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)により形成することができる。ScALNは、窒化アルミニウム(AlN)におけるアルミニウム(Al)の一部をスカンジウム(Sc)に置換したものである。また、圧電薄膜128は、たとえば、0.8μmの厚さを有する。
 また、上部電極121~124は、下部電極129と同様、たとえばモリブデン(Mo)やアルミニウム(Al)等の金属を用いて形成され、厚さ0.1μm程度である。
(1-3.機能)
 次に、振動部120の機能について説明する。振動部120は、交番電界が印加されることによって、X軸方向に沿って輪郭振動する。
 具体的には、圧電薄膜128はc軸方向に配向しており、そのため、上部電極121~124に所定の電界を印加して、下部電極129と上部電極121~124との間に所定の電位差を形成すると、この電位差に応じて圧電薄膜128がXY面内方向において伸縮することにより、振動部120が輪郭振動する。
 図4(A)に示すとおり、振動部120は、上部電極121~124に対応する振動領域A121~A124に区画される。すなわち、振動領域A121~A124には、それぞれ上部電極121~124が形成されている。上部電極121~124は、隣接する電極とは逆位相となるように、圧電薄膜128のc軸方向に交番電界が印加されると、隣接する振動領域A121~124が機械的に結合する。それにより、各領域のX軸方向における中心付近が振動の節となり、4つの振動領域A121~A124は、隣接する領域同士が逆位相で面内方向において振動する。これによって、振動部120は、全体として高次輪郭振動する。
 なお、Si基板130、下部電極129及び圧電薄膜128は、振動領域A121~A124で共有されている。
 図3に戻り、共振子10の他の構成について説明する。
(2.保持枠11)
(2-1.詳細構成)
 保持枠11は、XY平面に沿って矩形の枠状に形成される。保持枠11は、振動部120と、XY平面に沿って振動部120の外側を囲むように設けられる。保持枠11は、より具体的には、X軸方向に平行に、振動部120の長辺に対向して延びる1対の長辺板状の枠体11a、11bと、振動部120の短辺に対向してY軸方向に平行に延び、その両端で枠体11a、11bの両端にそれぞれ接続される1対の短辺の枠体11c、11dと、を備えている。
 枠体11a及び枠体11bには、電圧印加部110a(第1端子の一例である。)、110b(第2端子の一例である。)が形成されている。電圧印加部110a、110bは、保持腕111、112を介して上部電極121~124に交番電界を印加することができる。本実施形態では、電圧印加部110aは枠体11aの中央付近に、電圧印加部110bは枠体11bの中央付近にそれぞれ形成されているが、さらに11cや11dに形成しても良い。
 なお、以下の説明では、枠体11a側を共振子10の上側、枠体11b側を共振子10の下側として説明する。
(2-2.積層構造)
 図4(A)に示すように、保持枠11は、縮退半導体からなるSi基板130上に、振動部120の下部電極129と同一のプロセスで一体形成された金属層Z129が形成され、さらに金属層Z129を覆うように、圧電薄膜128が積層されている。保持枠11は、Si基板130上に金属層Z129、圧電薄膜128の順に、振動部120と一体形成され、エッチング等の加工により望ましい形状となるように除去されて形成される。なお、保持枠11に設けられた金属層Z129は、エッチング等により下部電極129を所定の形状に形成するときに除去されてもよい。
(3.保持腕111、112)
(3-1.保持腕111の詳細構成)
 保持腕111は、振動部120と保持枠11とを接続する。保持腕111は、XY平面に沿って保持枠11の内側であって、振動部120の長辺と枠体11aとの間に設けられている。保持腕111は、主腕111n(第1保持腕の第3腕の一例である。)と、接続腕111m(第1保持腕の第1腕の一例である。)と、子腕111a~111d(第1保持腕の複数の第2腕の一例である。)とを有する。
 接続腕111mは、振動部120と枠体11aとの間の空間において、X軸方向に平行に、上部電極121~124に亘って、振動部120の長辺に対向して設けられている。
 主腕111nは、Y軸方向に平行に、振動部120の長辺に対向して設けられ、接続腕111mと枠体11aとを接続する。
 子腕111a~111dは、振動部120と枠体11aとの間の空間において、Y軸方向に平行に、振動部120の長辺に対向して設けられている。子腕111aは、下端が上部電極121の上側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、上端は接続腕111mの一方の端部に接続している。子腕111dは、下端が上部電極124の上側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、上端は接続腕111mの他方の端部に接続している。また、子腕111bは、下端が上部電極122の上側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、上端は接続腕111mに接続している。子腕111cは、下端が上部電極123の上側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、上端は接続腕111mに接続している。
 接続腕111m、主腕111n、子腕111a~111dは、いずれも、幅5μm程度の長辺の矩形の板である。本実施形態においては、保持腕111は、振動部120の電極の数と同じ数の子腕を有しており、X軸方向において主腕111nを中心に左右対称となる構成をしている。これによって、不要な振動モードが高次輪郭振動に結合することにより発生する振動障害を抑制することが可能になる。
(3-2.保持腕112の詳細構成)
 保持腕112は、振動部120と保持枠11とを接続する。保持腕112は、振動部120の長辺と枠体11bとの間に設けられている。保持腕112は、主腕112n(第2保持腕の第3腕の一例である。)と、接続腕112m(第2保持腕の第1腕の一例である。)と、子腕112a~112d(第2保持腕の複数の第2腕の一例である。)とを有する。
 接続腕112mは、振動部120と枠体11bとの間の空間において、X軸方向に平行に、上部電極121~124に亘って、振動部120の長辺に対向して設けられている。
 主腕112nは、Y軸方向に平行に、振動部120の短辺に対向して設けられ、接続腕112mと枠体11bとを接続する。
 子腕112a~112dは、振動部120と枠体11bとの間の空間において、Y軸方向に平行に、振動部120の長辺に対向して設けられている。子腕112aは、上端が上部電極121の下側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、下端は接続腕112mの一方の端部に接続している。子腕112dは、上端が上部電極124の下側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、下端は接続腕112mの他方の端部に接続している。また、子腕112bは、上端が上部電極122の下側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、下端は接続腕112mに接続している。子腕112cは、上端が上部電極123の下側の短辺の中央付近において、振動部120の長辺に接続し、下端は接続腕112mに接続している。
 また、接続腕112m、主腕112n、子腕112a~112dはいずれも、幅5μm程度の長辺の矩形の板である。本実施形態においては、保持腕112は、振動部120の電極の数と同じ数の子腕を有しており、X軸方向において主腕112nを中心に左右対称となる構成をしている。これによって、不要な振動モードが高次輪郭振動に結合することにより発生する振動障害を抑制することが可能になる。
 さらに、上述した保持腕111と保持腕112とは互いに対称な構成となっている。これによって、より一層振動阻害を抑制することができる。
(3-3.積層構造)
 図4(B)を用いて保持腕111、112の積層構造について説明する。図4(B)は図3のBB´断面図である。
 図4(B)に示すように、保持腕111、112は、縮退半導体からなるSi基板130上に、金属層Z129が積層され、金属層Z129の上には、金属層Z129を覆うように圧電薄膜128が積層されている。さらに、圧電薄膜128上には、振動部120の上部電極121~124と同一のプロセスで一体形成される、後述する接続線B121、B122や引き出し線W111、W121、W123、W112、W122、W124が積層されている。保持腕111、112のSi基板130、金属層Z129、圧電薄膜128、接続線B121、B122や引き出し線W111、W121、W123、W112、W122、W124は、振動部120と一体形成され、エッチング等の加工により望ましい形状となるように除去されて形成される。なお、保持腕111、112に設けられた金属層Z129は、エッチング等により下部電極129を所定の形状に形成するときに除去されてもよい。
(4.接続線B121)
 接続線B121は、振動部120の長辺と枠体11aとの間の空間に設けられている。接続線B121は、接続腕111mの表面に設けられ、X軸方向に平行に、上部電極121~124に亘って、振動部120の長辺と対向して延びている。
 接続線B121は、振動部120上に設けられた4つの上部電極121~124のうち、引き出し線W121及びW123によって延出された同位相の電界の上部電極121と123とを接続する。
 このように、本実施形態に係る共振子10は、振動部120に設けられた同位相の上部電極121、123を接続する接続線B121が、振動部120の外部に設けられる構成となっている。そのため、接続線B121と上部電極122との間に隙間ができるため、寄生容量の影響を低減することができる。また、振動部120上にバスバーを設ける必要がなくなるため、振動部120の端部まで上部電極122を設けることが可能となる。
 さらに、接続線B121が保持腕111上に設けられていることにより、保持腕111と保持枠11との接続点である主腕の数を減らすことができ、振動部120の振動の減衰を低減できる。
(5.引き出し線W111、W121、W123)
 引き出し線W111、W121、W123は、振動部120の長辺と枠体11aとの間の空間に、それぞれY軸方向に平行に設けられている。
 引き出し線W121は、子腕111aの表面に設けられ、上部電極121を子腕111a上に延出し、接続線B121に接続させる。引き出し線W123は、子腕111cの表面に設けられ、上部電極121の電界と同位相の電界が印加される上部電極123を子腕111c上に延出し、接続線B121に接続させる。
 また、引き出し線W111は、主腕111n上に設けられ、電圧印加部110aと接続線B121とを接続する。
(6.接続線B122)
 接続線B122は、振動部120の長辺と枠体11bとの間の空間に設けられている。接続線B122は、接続腕112mの表面に設けられ、X軸方向に平行に、上部電極121~124に亘って、振動部120の長辺と対向して沿って延びている。
 接続線B122は、振動部120上に設けられた4つの上部電極121~124のうち、引き出し線W122及びW124によって延出された同位相の上部電極122と124とを接続する。
 このように、本実施形態に係る共振子10は、振動部120に設けられた同位相の上部電極同士を接続する接続線B122が、振動部120の外部に設けられる構成となっている。そのため、接続線B122と上部電極123との間に隙間ができるため、寄生容量の影響を低減することができる。また、振動部120上にバスバーを設ける必要がなくなるため、振動部120の端部まで上部電極123を設けることが可能となる。
 さらに、接続線B122が、保持腕112上に設けられていることにより、保持腕112と保持枠11との接続点である主腕の数を減らすことができ、振動部120の振動の減衰を低減できる。
(7.引き出し線W112、W122、W124)
 引き出し線W112、W122、W124は、振動部120の長辺と枠体11bとの間の空間に、それぞれY軸方向に平行な方向に設けられている
 引き出し線W122は、子腕112bの表面に設けられ、上部電極122を子腕112b上に延出し、接続線B122に接続させる。引き出し線W124は、子腕112dの表面に設けられ、上部電極122と同位相の電界が印加される上部電極124を子腕112dに延出し、接続線B122に接続させる。
 また、引き出し線W112は、主腕112nの表面に設けられ、電圧印加部110bと接続線B122とを接続する。
[第2の実施形態]
 第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
 図5は、本実施形態に係る、共振子10の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子10の詳細構成のうち、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。
(1.振動部120)
 本実施形態では、振動部120は、3つの上部電極121~123を有している。その他の振動部120の構成は第1の実施形態と同様である。
(2.保持枠11)
 本実施形態では、電圧印加部110a、110bはそれぞれ枠体11a、11bの端部に設けられている。その他の保持枠11の構成は第1の実施形態と同様である。
(3.保持腕111)
 本実施形態では、保持腕111は、子腕111a~111cの3つの腕しか有しておらず、接続腕111m及び主腕111nに対応する構成を有していない。その他の保持腕111の構成は第1の実施形態と同様である。
(4.保持腕112)
 本実施形態では、保持腕112は、子腕112a~112cの3つの腕しか有しておらず、接続腕112m及び主腕112nに対応する構成を有していない。その他の保持腕112の構成は第1の実施形態と同様である。
(5.接続線B121)
 本実施形態では、接続線B121は、枠体11a上に、振動部120の長辺に対向してX軸方向と平行に設けられている。接続線B121は、引き出し線W121、W123によって延出された上部電極121、123を接続し、枠体11aの端部に設けられた電圧印加部110aに接続する。このように、本実施形態に係る共振子10は、接続線B121を枠体11a上に設けることにより、保持腕111を短くすることができる。従って、振動の損失を低減するために、保持腕111の幅を狭くした場合でも、保持腕111の共振抵抗を小さくすることができる。
 その他の接続線B121の構成は第1の実施形態と同様である。
(6.引き出しW111、W121、W123)
 本実施形態では、共振子10は、引き出し線W111を有していない。引き出し線W121、W123の構成は第1の実施形態と同様である。
(7.接続線B122)
 本実施形態では、共振子10は接続線B122を有していない。
(8.引き出し線W112、W122、W124)
 本実施形態では、共振子10は、引き出し線W124を有していない。また、引き出し線W112は、X軸方向に平行に、振動部120の長辺に対向して枠体11b上に設けられている。引き出し線W112は、引き出し線W122によって延出された上部電極122を電圧印加部110bへ接続する。なお、引き出し線W122の構成は第1の実施形態と同様である。
 その他の構成、効果は第1の実施形態と同様である。
[第3の実施形態]
 図6は、本実施形態に係る、共振子10の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子10の各構成のうち、第1の実施形態との差異点について説明する。
(1.振動部120)
 振動部120の構成は第1の実施形態と同様である。
(2.保持枠11)
 本実施形態では、電圧印加部110a、110bはそれぞれ枠体11a、11bの端部に設けられている。その他の保持枠11の構成は第1の実施形態と同様である。
(3.保持腕111)
 本実施形態では、保持腕111は、子腕111a、111bの2つの腕しか有しておらず、さらに、振動部120上に設けられた電極の数と子腕の数とは一致していない。また、保持腕111は、接続腕111m及び主腕111nに対応する構成を有していない。このように、本実施形態において、保持腕111は、振動部120上に設けられた電極の数よりも少ない子腕の数を有している。これによって、振動部120と接続する子腕の数が少ない分、腕から漏れる振動エネルギーのロスを低減でき、振動特性が向上する。このように、保持腕111の子腕のうち、振動部120の長辺の外側の子腕をまびく構成にすることにより、よりエネルギーロスの低減の効果を向上させることができる。
 その他の保持腕111の構成は第1の実施形態と同様である。
(4.保持腕112)
 本実施形態では、保持腕112は、子腕112a、112bの2つの腕しか有しておらず、さらに、振動部120上に設けられた電極の数と子腕の数とは一致していない。また、保持腕112は、接続腕112m及び主腕112nに対応する構成を有していない。このように、本実施形態において、保持腕112は、振動部120上に設けられた電極の数よりも少ない子腕の数を有している。これによって、振動部120と接続する子腕の数が少ない分、腕から漏れる振動エネルギーのロスを低減でき、振動特性が向上する。このように、保持腕112の子腕のうち、振動部120の長辺の外側の子腕をまびく構成にすることにより、よりエネルギーロスの低減の効果を向上させることができる。
 その他の保持腕112の構成は第1の実施形態と同様である。
(5.接続線B121)
 本実施形態では、接続線B121は、枠体11a上に、振動部120の長辺に対向して、X軸方向と平行な方向に設けられている。接続線B121は、引き出し線W121、W123によって延出された上部電極121、123を接続し、枠体11aの端部に設けられた電圧印加部110aに接続する。その他の接続線B121の構成は第1の実施形態と同様である。
(6.引き出し線W121、W123)
 本実施形態では、共振子10は、引き出し線W111を有していない。引き出し線W121、W123の構成は第1の実施形態と同様である。
(7.接続線B122)
 本実施形態では、接続線B122は、枠体11b上に、振動部120の長辺に対向して、X軸方向と平行な方向に設けられている。接続線B122は、引き出し線W122、W124によって延出された上部電極122、124を接続し、枠体11bの端部に設けられた電圧印加部110bに接続する。その他の接続線B122の構成は第1の実施形態と同様である。
(8.引き出し線W122、W124)
 本実施形態では、共振子10は、引き出し線W112を有していない。引き出し線W122、W124の構成は第1の実施形態と同様である。
 その他の構成、効果は第1の実施形態と同様である。
[第4の実施形態]
 図7は、本実施形態に係る、共振子10の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子10の各構成のうち、第1の実施形態との差異点について説明する。
(1.振動部120)
 振動部120は、本実施形態において、7つの上部電極121~127と、バスバーb121とバスバーb125とを有している。バスバーb121は、振動部120の上側の端部であって、上部電極122の上部に設けられ、振動部120の長辺と平行にX軸方向に沿って延びている。また、バスバーb125は、振動部120の上側の端部であって、上部電極126の上部に設けられ、振動部120の長辺と平行にX軸方向に沿って延びている。
 7つの上部電極121~127のうち、同位相の電界が印加される上部電極121と123、上部電極125と127は、それぞれバスバーb121、b125によって、振動部120上で接続される。
 このように本実施形態に係る振動部120は、バスバーb121及びb125を有している。これによって、振動部120と保持腕111との接続点を減らすことができ、振動部120の振動エネルギーのロスを低減できる。他方で、振動部120の中央では振動部120上にはバスバーを設けないことで、寄生容量の低減や上部電極を端部まで配置することを可能とし、容量が大きく共振抵抗の小さい効率的な振動を得ることができる。
 その他の振動部120の構成は第1の実施形態と同様である。
(2.保持枠11)
 保持枠11の構成は第1の実施形態と同様である。
(3.保持腕111)
 保持腕111は、本実施形態において、子腕111a、111b、111c、接続腕111m、主腕111nを有している。本実施形態では、保持腕111の子腕の数は、振動部120上に設けられた電極の数とは一致していない。
 このように本実施形態に係る保持腕111は、振動部120の最端又はその近傍の振動領域に接続される子腕を有していない。すなわち、保持腕111は、振動部120の中心又はその近傍の振動領域に接続される子腕のみを有している。これによって、振動エネルギーの損失を低減することができる。
 その他の保持腕111の構成は第1の実施形態と同様である。
(4.保持腕112)
 保持腕112は、本実施形態において、子腕112a、112b、112c、接続腕112m、主腕112nを有している。本実施形態では、保持腕112の子腕の数は、振動部120上に設けられた電極の数とは一致していない。
 このように本実施形態に係る保持腕112は、振動部120の最端又はその近傍の振動領域に接続される子腕を有していない。すなわち、保持腕112は、振動部120の中心又はその近傍の振動領域に接続される子腕のみを有している。これによって、振動エネルギーの損失を低減することができる。
 その他の保持腕111の構成は第1の実施形態と同様である。
(5.接続線B121)
 本実施形態の接続線B121の構成は第1の実施形態と同様である。
(6.引き出し線W111、W121、W125)
 本実施形態において、引き出し線W121、W125はそれぞれ振動部120の長辺と枠体11aとの間に、Y軸方向と平行な方向に設けられている。引き出し線W121は、子腕111a上に設けられ、同位相同士の上部電極121、123を接続するバスバーb121と、接続線B121とを接続する。
 引き出し線W125は、子腕111c上に設けられ、同位相同士の上部電極125、127を接続するバスバーb125と、接続線B121とを接続する。
 なお、引き出し線W111の構成は、第1の実施形態と同様である。
(7.接続線B122)
 本実施形態の接続線B122の構成は第1の実施形態と同様である。
(8.引き出し線W112、W122、W124、W126)
 本実施形態において、引き出し線W122、W124、W126はそれぞれ振動部120の長辺と枠体11bとの間に、Y軸方向と平行な方向に設けられている。引き出し線W122は、子腕112a上に設けられ、同位相同士の上部電極122を延出して、接続線B122へ接続する。
 引き出し線W124は、子腕111b上に設けられ、上部電極124を延出して、接続線B122へ接続する。
 引き出し線W126は、子腕112c上に設けられ、上部電極126を延出して、接続線B122へ接続する。
 なお、引き出し線W112の構成は、第1の実施形態と同様である。
 その他の構成、効果は第1の実施形態と同様である。
 以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
 10      共振子
 11      保持枠
 11a~d   枠体
 110a、b  電圧印加部
 111     保持腕
 111a~e  子腕
 111m    接続腕
 111n    主腕
 112     保持腕
 112a~e  子腕
 112m    接続腕
 112n    主腕
 120     振動部
 121~127 上部電極
 128     圧電薄膜
 129     下部電極
 130     Si基板
 B121、122  接続線
 b121、125  バスバー
 W111、112、121、123、122、124  引き出し線

Claims (5)

  1.  第1及び第2長辺並びに第1及び第2短辺を有し、輪郭振動する矩形の振動部と、
     前記振動部の周囲を囲むように設けられ、当該振動部を保持する保持枠と、
     前記保持枠と前記第1長辺との間において、前記振動部に沿って略平行に設けられた第1腕と、当該第1腕と前記振動部とを接続する複数の第2腕と、前記第1腕と前記保持枠とを接続する第3腕とを有し、当該振動部と前記保持枠とを接続する第1保持腕と、
     前記第1腕上に設けられた第1接続線と、
     前記保持枠に設けられた第1端子と、
     前記振動部上に設けられた少なくとも3つ以上の電極と、
     前記複数の第2腕上に設けられ、前記3つ以上の電極のうちの第1及び第2電極と前記第1接続線とを接続する複数の第1引き出し線と
     を備え、
     前記複数の第1引き出し線は、前記第1接続線と接続し、
     前記第1接続線は、前記第1端子に電気的に接続されており、
     前記第1及び第2電極は、前記第1端子から同位相の電界が印加される、共振子。
  2.  前記共振子は、
     4つ以上の電極を備え、さらに、
     前記保持枠と前記第2長辺との間において、前記振動部に沿って略平行に設けられた第1腕と、当該第1腕と前記振動部とを接続する複数の第2腕と、前記第1腕と前記保持枠とを接続する第3腕とを有し、当該振動部と前記保持枠とを接続する第2保持腕と、
     前記第2保持腕の前記第1腕上に設けられた第2接続線と、
     前記保持枠に設けられた第2端子と
     前記複数の第2腕上に設けられ、前記4つ以上の電極のうちの第3及び第4電極と前記第2接続線とを接続する複数の第2引き出し線と
    を備え、
     前記複数の第2引き出し線は、前記第2接続線と接続し、
     前記第2接続線は、前記第2端子に電気的に接続されており、
     前記第3及び第4電極は、前記第1及び第2電極に印加される電界と異なる位相の電界が印加される、請求項1に記載の共振子。
  3.  前記第1保持腕の前記複数の第2腕のうちの2本は、前記第1及び第2電極にそれぞれ対応して設けられており、
     前記第2保持腕の前記複数の第2腕のうちの2本は、前記第3及び第4電極にそれぞれ対応して設けられた、請求項2に記載の共振子。
  4.  互いに対向する1対の第1辺、及び互いに対向する1対の第2辺を有し、輪郭振動する矩形の振動部と、
     前記振動部の周囲を囲むように設けられ、当該振動部を保持する保持枠と、
     前記保持枠と前記第1辺との間において、前記振動部と前記保持枠とを接続する複数の腕を有する第1保持腕と、
     前記保持枠において、前記1対の第1辺のうち、少なくとも一方の辺に対向する位置に設けられた第1接続線と、
     前記保持枠に設けられた第1端子と、
     前記振動部上に設けられた少なくとも3つ以上の電極と、
     前記第1保持腕の前記複数の腕上に設けられ、前記3つ以上の電極のうちの第1及び第2電極と前記第1接続線とを接続する複数の第1引き出し線と
     を備え、
     前記複数の第1引き出し線は、前記第1接続線と接続し、
     前記第1接続線は、前記第1端子に電気的に接続されており、
     前記第1及び第2電極は、前記第1端子から同位相の電界が印加される、共振子。
  5.  前記共振子は、
     4つ以上の電極を備え、さらに、
     前記保持枠と前記1対の第1辺のうち、他方の辺との間において、前記振動部と前記保持枠とを接続する複数の腕を有する第2保持腕と、
     前記保持枠において、前記他方の辺と対向する位置に設けられた第2接続線と、
     前記保持枠に設けられた第2端子と、
     前記第2保持腕の前記複数の腕上に設けられ、前記4つ以上の電極のうちの第3及び第4電極と前記第2接続線とを接続する複数の第2引き出し線と
    を備え、
     前記複数の第2引き出し線は、前記第2接続線と接続し、
     前記第2接続線は、前記第2端子に電気的に接続されており、
     前記第3及び第4電極は、前記第1及び第2電極に印加される電界と異なる位相の電界が印加される、請求項4に記載の共振子。
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