WO2016151773A1 - 発光装置 - Google Patents

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    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • the organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode.
  • Examples of light emitting devices having organic EL elements include lighting devices and display devices.
  • the light emitting device may be required to make a light emission color of a part of the light emission region different from a light emission color of another part of the light emission region in a light emission region having the same organic layer.
  • Patent Document 1 describes that a part of the emission color is made different from that of another region by modifying (degrading) the organic dye in a part of the emission region.
  • Patent Document 1 describes a method of irradiating an electromagnetic wave, for example, i-line of a high-pressure mercury lamp, as a method of modifying (degrading) an organic dye.
  • Patent Document 2 after the hole injection layer and the hole transport layer are formed and before the light emitting layer is formed, the hole transport layer is irradiated with light from the side opposite to the substrate. Therefore, it is described that the initial luminance reduction can be suppressed.
  • the emission color of a part of the light emitting region is different from other parts without reducing the lifetime of the light emitting device.
  • the invention according to claim 1 is a substrate; A light emitting part formed on the substrate; With The light emitting unit has a first light emitting region and a second light emitting region, The first light emitting region and the second light emitting region are adjacent to each other, and each includes a first electrode, a second electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode.
  • the invention according to claim 2 is a substrate; A first light emitting region and a second light emitting region formed on the substrate and adjacent to each other; A light limiting layer formed on the substrate and positioned between the first light emitting region and the second light emitting region; With The light limiting layer is a light emitting device including a low transmittance material having a light transmittance lower than that of the material constituting the light limiting layer.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. It is sectional drawing which shows the structure of an organic layer. It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. It is a figure which shows an example of the light emission spectrum of a 1st light emission area
  • FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a light emitting device according to Modification Example 1.
  • FIG. It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. It is the figure which removed the insulating layer and the organic layer from FIG. 12 is a plan view showing a configuration of a light emitting device according to Modification 2.
  • FIG. It is the figure which removed the insulating layer and the organic layer from FIG. It is BB sectional drawing of FIG. It is a figure which shows the modification of FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Modification 3.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a view in which the second electrode 130 is removed from FIG.
  • FIG. 3 is a diagram in which the insulating layer 150 and the organic layer 120 are removed from FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 1, the sealing portion 160 is omitted for the sake of explanation.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100 and a light emitting unit 140.
  • the light emitting unit 140 is formed on the substrate 100 and has a first light emitting region 140a and a second light emitting region 140b as shown in FIG.
  • the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b are adjacent to each other, and all include the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the emission spectrum of the first emission region 140a hereinafter referred to as the first emission spectrum
  • the emission spectrum of the second emission region 140b hereinafter referred to as the second emission spectrum
  • peak intensity ratio The intensity ratio of the second peak to the first peak (hereinafter referred to as peak intensity ratio) is different between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b.
  • the substrate 100 is formed of a material that transmits visible light, such as glass or a light-transmitting resin. However, when the light emitting device 10 is a top emission type, the substrate 100 may be formed of a material that does not have translucency.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle.
  • the substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m. In particular, when the substrate 100 is glass, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the substrate 100 is a resin
  • the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PES polyethersulfone
  • PET polyethylene terephthalate
  • polyimide polyimide
  • an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least the light emitting surface side (preferably both surfaces) of the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 has an organic EL element.
  • This organic EL element has a configuration in which a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 are laminated in this order on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode that transmits visible light.
  • the transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide), and the like. is there.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.
  • the organic layer 120 has a light emitting layer.
  • the organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked.
  • the organic layer 120 has a plurality of light emitting layers. Details of the configuration of the organic layer 120 will be described later with reference to FIG.
  • the second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer.
  • the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the materials of the first electrode 110 and the second electrode 130 described above are examples in the case where light is transmitted through the substrate 100, that is, in the case where light emission of the light emitting device 10 is performed through the substrate 100 (bottom emission type). is there. In other cases, light may pass through the side opposite to the substrate 100. That is, the light emission of the light emitting device 10 is performed without passing through the substrate 100 (top emission type).
  • the top emission type includes two types of laminated structures: a reverse product type and a forward product type. In the reverse product type, the material of the first electrode 110 and the material of the second electrode 130 are opposite to those of the bottom emission type.
  • the material of the second electrode 130 is used as the material of the first electrode 110, and the material exemplified as the material of the first electrode 110 is selected as the material of the second electrode 130.
  • the material of the first electrode 110 is formed on the material of the second electrode 130 described above, the organic layer is further formed thereon, and the second electrode 130 is formed on the organic layer.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment may be of any structure of a bottom emission type and the above two types of top emission types.
  • the light emitting device 10 has a first terminal 112 and a second terminal 132.
  • the first terminal 112 is electrically connected to the first electrode 110.
  • the first terminal 112 has a layer formed of the same material as the first electrode 110. Further, this layer may be integrated with the first electrode 110.
  • the second terminal 132 is electrically connected to the second electrode 130.
  • the second terminal 132 also has a layer formed of the same material as the first electrode 110. However, this layer is separated from the first electrode 110.
  • a lead-out wiring may be provided between the first terminal 112 and the first electrode 110.
  • a lead wiring may be provided between the second terminal 132 and the second electrode 130.
  • a conductive layer made of a material having lower resistance than the first electrode 110 may be formed on the first electrode 110, the first terminal 112, and the second terminal 132.
  • This conductive layer is formed of, for example, a metal or an alloy.
  • This conductive layer may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the conductive layer has a configuration in which, for example, a Mo alloy layer (for example, a MoNb layer), an Al alloy layer (for example, an AlNd layer), and a Mo alloy layer (for example, a MoNb layer) are formed in this order.
  • the part located in the 1st electrode 110 among this electrically conductive layer is formed as a some linear electrode, for example.
  • a portion of the conductive layer located on the first terminal 112 may be formed on the entire surface of the first terminal 112. Further, a portion of the conductive layer located on the second terminal 132 may be formed on the entire surface of the second terminal 132. By forming this conductive layer, the apparent resistance of the first electrode 110, the first terminal 112, and the second terminal 132 is lowered.
  • the light emitting device 10 has an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is provided on the first surface 102 of the substrate 100 to define the light emitting unit 140. In the example illustrated in FIG. 2, the insulating layer 150 covers the edge of the first electrode 110.
  • the insulating layer 150 is made of, for example, polyimide, epoxy, acrylic, or novolac resin material.
  • the insulating layer 150 is formed, for example, by mixing and applying a photosensitive material to a resin material to be the insulating layer 150, and then exposing and developing the resin material.
  • the insulating layer 150 may be formed using an inkjet method or a screen printing method.
  • the organic layer 120a is located in the region that becomes the first light emitting region 140a, and the organic layer 120b is located in the region that becomes the second light emitting region 140b.
  • the current density is a certain value or less
  • the emission color (color temperature) of the organic layer 120a is different from the emission color (color temperature) of the organic layer 120b.
  • the difference between the color temperature of the organic layer 120a and the color temperature of the organic layer 120b decreases, and finally there is almost no difference.
  • the organic layers 120a and 120b have the same layer structure and are formed using the same process and the same material. For this reason, it is difficult to distinguish between the organic layer 120a and the organic layer 120b in a state where the light emitting device 10 is not emitting light.
  • the light emitting unit 140 has one first electrode 110 and one second electrode 130. Therefore, the first electrode 110 of the first light emitting region 140a is electrically and physically connected to the first electrode 110 of the second light emitting region 140b. The second electrode 130 in the first light emitting region 140a is electrically and physically connected to the second electrode 130 in the second light emitting region 140b.
  • the light-emitting device 10 has the sealing part 160.
  • FIG. The sealing unit 160 seals the light emitting unit 140.
  • the sealing portion 160 shown in this figure is a sealing member, and is formed using, for example, a metal such as glass or aluminum, or a resin.
  • the sealing portion 160 is a polygon or a circle similar to the substrate 100, and has a shape in which a recess is provided at the center.
  • the edge of the sealing portion 160 is fixed to the substrate 100 with an adhesive. Thereby, the space surrounded by the sealing portion 160 and the substrate 100 is sealed. And the light emission part 140 is located in this sealed space.
  • the sealing member may be a film formed by an atomic layer deposition (ALD) method or a film formed by a chemical vapor deposition (CVD) method.
  • the thickness of the sealing film is, for example, 10 nm or more and 1000 nm or less.
  • the sealing film may have, for example, at least one of an aluminum oxide film or a titanium oxide film, or may be a laminated film of these materials.
  • the sealing film is formed using a CVD method or a sputtering method, the sealing film is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the organic layer 120.
  • the organic layer 120 includes a second light-emitting layer 123 and a first light-emitting layer 124 between the hole injection layer 121 and the electron injection layer 126 (or electron transport layer).
  • the organic layer 120 includes, from the first electrode 110 side, a hole injection layer 121, a hole transport layer 122, a second light emitting layer 123, a first light emitting layer 124, a hole blocking layer 125, and an electron injection layer. 126 is laminated in this order.
  • the hole injection layer 121 is in contact with the first electrode 110
  • the electron injection layer 126 is in contact with the second electrode 130.
  • the internal emission spectrum of the second light emitting layer 123 has a second peak, and the internal emission spectrum of the first light emitting layer 124 has a first peak.
  • the first peak included in the emission spectrum of the output of the light emitting unit 140 (hereinafter referred to as the light emission output spectrum) is derived from the internal emission spectrum from the first light emitting layer 124, and the light emission output spectrum of the light emitting unit 140.
  • the second peak contained in is derived from the internal emission spectrum from the second light emitting layer 123.
  • the first peak is located, for example, in the blue wavelength range
  • the second peak is located, for example, in the red wavelength range.
  • first light-emitting layer 124 or the second light-emitting layer 123 may be a single layer and have a plurality of light emission peaks.
  • the second light emitting layer 123 has peaks in a red wavelength region and a green wavelength region. Note that at least one of the hole transport layer 122 and the hole block layer 125 may be omitted.
  • the light emission output spectrum is indicated by, for example, the result of measuring the light emission of the light emitting unit 140 that is lit from the outside of the light emitting unit 140 using a spectrophotometer.
  • the internal emission spectrum is indicated by, for example, a result of measuring the photoluminescence of the light emitting layer to be measured by a microphotoluminescence measuring device.
  • the peak wavelengths are common to each other and the peak intensity ratios are different from each other.
  • the internal light emission spectrum of the first light emitting region 140a and the internal light emission spectrum of the second light emitting region 140b have the same peak wavelength and peak intensity ratio (almost coincide).
  • Each layer constituting the organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. Further, at least one of the organic layers 120, for example, the hole injection layer 121 that is in contact with the first electrode 110 may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. Moreover, all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply
  • the first light-emitting layer 124 and the second light-emitting layer 123 either a fluorescent light-emitting material or a phosphorescent light-emitting material may be used.
  • a phosphorescent material is selected from iridium, platinum, osmium, rhenium, gold, tungsten, ruthenium, hafnium, eurobium, terbium, rhodium, palladium, silver, or the like, and has an atomic weight of 100 to 200.
  • a phosphorescent organometallic complex or the like containing one or more atoms is used.
  • the first electrode 110 is formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are also formed.
  • a resin material to be the insulating layer 150 is applied to the first surface 102 of the substrate 100, and this resin material is exposed and developed. Thereby, the insulating layer 150 is formed.
  • the organic layer 120 is formed in a region surrounded by the first insulating layer 150 in the first electrode 110.
  • the second electrode 130 is formed.
  • the sealing part 160 is provided.
  • the organic layer 120 is organically disposed on the second surface 104 side of the substrate 100 through the substrate 100 and the first electrode 110 in a portion of the organic layer 120 that is located in the region that becomes the first light emitting region 140a.
  • Light for heating the layer 120 is irradiated.
  • This light includes, for example, near-infrared light or infrared light.
  • the light intensity is, for example, 1 W or more and 10,000 W or less
  • the light irradiation time is, for example, 1 second or more and 36000 seconds or less.
  • region 140a among the organic layers 120 is heated, As a result, the light emission output spectrum of the part (organic layer 120a) located in the 1st light emission area
  • the peak intensity ratio (ie, “second peak intensity” / “first peak intensity”) is a portion of the organic layer 120 that is not irradiated with light, that is, a portion located in the second light emitting region 140b (organic layer). 120b) is different from the peak intensity ratio of the emission output spectrum.
  • the peak intensity ratio of the organic layer 120a is different from the peak intensity ratio of the organic layer 120b because the organic layer 120 is irradiated with light so that the carrier balance of at least one of the second light emitting layer 123 and the first light emitting layer 124 is reached. This is considered to be because the portion where the amount of bonding between holes and electrons is the largest (binding site) moves.
  • the light emitting device 10 is the above-described top emission type
  • the organic layer 120 is formed from the sealing portion 160 side (the first surface 102 surface side of the substrate 100). The above-mentioned heating light can be irradiated.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of the light emission output spectrum of the first light emission region 140a and the light emission output spectrum of the second light emission region 140b.
  • the two light emission output spectra have a plurality of peaks, and the positions of the plurality of peaks, that is, the peak wavelengths are the same.
  • the first peak is located in the blue wavelength range
  • the second peak is located on the longer wavelength side than the first peak, specifically in the red wavelength range.
  • the two emission output spectra have a third peak in the green wavelength region. For this reason, the light emission color of the 1st light emission area
  • the first peak becomes strong, the color becomes bluish white (that is, high color temperature), and when the second peak becomes strong, the color becomes reddish white (that is, low color temperature).
  • FIG. 8 shows the emission output spectrum shown in FIG. 7 normalized by the first peak.
  • the height of the second peak shown in this figure indicates the above-described peak intensity ratio (second peak / first peak). From this figure, it can be seen that the peak intensity ratio of the first light emitting region 140a is different from the peak intensity ratio of the second light emitting region 140b. In the example shown in the figure, the peak intensity ratio of the second light emitting region 140b is higher than the peak intensity ratio of the first light emitting region 140a. This means that the color temperature of the second light emitting region 140b is lower than the color temperature of the first light emitting region 140a.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating how the light emission output spectrum of the first light emitting region 140a varies depending on the magnitude of current (current density).
  • FIG. 10 is a graph in which the emission output spectrum shown in FIG. 9 is normalized by the first peak.
  • the height of the second peak in FIG. 10 indicates the above-described peak intensity ratio.
  • the first light emitting region 140a that is, the region irradiated with light in FIG. 6
  • the light becomes stronger as the current density increases as shown in FIG.
  • the first current for example, the current density is 5 mA / cm 2 or less
  • the first peak is higher than the second peak.
  • the first peak is higher than the second peak.
  • the difference between the first peak and the second peak is small.
  • the peak intensity ratio when the first current flows is different from the peak intensity ratio when the second current flows.
  • the current density of the second current is, for example, 101% or more of the current density of the first current.
  • FIG. 11 is a diagram showing how the light emission output spectrum of the second light emitting region 140b changes depending on the current magnitude (current density).
  • FIG. 12 shows the emission output spectrum shown in FIG. 11 normalized by the first peak. The height of the second peak in FIG. 12 indicates the above-described peak intensity ratio.
  • a first current current density is 2.5 mA / cm 2 in the example shown in this figure
  • the first peak is higher than the second peak.
  • the current density is increased and the second current (in the example shown in the figure, the current density is 10 mA / cm 2 ) is flowing, the first peak is lower than the second peak.
  • the difference between the peak intensity ratio of the first light emitting region 140a and the peak intensity ratio of the second light emitting region 140b when the first current is passed is the same as that of the second current. It can be seen that the difference between the peak intensity ratio of the first light emitting region 140a and the peak intensity ratio of the second light emitting region 140b is smaller. This indicates that when the current density is small, the light emission color of the first light emission region 140a and the light emission color of the second light emission region 140b are different, but this difference becomes smaller as the current density is increased. .
  • the light emission output spectrum of the light emission part 140 shows the characteristic shown in FIG.9 and FIG.10.
  • FIG. 13 is a view of the light emitting device 10 in which the first current flows through the light emitting unit 140, as viewed from the second surface 104 side of the substrate 100 (the surface opposite to the light emitting unit 140).
  • the peak intensity ratio of the first light emitting region 140a in this state is different from the peak intensity ratio of the second light emitting region 140b.
  • region 140a differs from the light emission color of the 2nd light emission area
  • the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b are formed in stripes, but the shape of these light emitting regions is selected as appropriate, such as letters, symbols, pictures, or combinations thereof. May be.
  • FIG. 14 is a view of the light emitting device 10 in which the second current flows in the light emitting unit 140 as viewed from the second surface 104 side of the substrate 100.
  • the difference between the peak intensity ratio of the first light emitting region 140a and the peak intensity ratio of the second light emitting region 140b in this state is smaller than that when the first current is passed. For this reason, the difference between the emission color of the first emission region 140a and the emission color of the second emission region 140b is smaller than that shown in FIG. 13, and is almost the same depending on the conditions. For this reason, the person cannot distinguish between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b, and recognizes the light emitting unit 140 as one light emitting region.
  • the region corresponding to the first light emitting region 140a can be caused to rise or disappear by changing the current density.
  • the display that can be expressed by the difference in emission color between the first light emitting region 140a and the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b may be a character, a symbol, or a picture.
  • the shape of the first light emitting region 140a can be freely set by adjusting the light emitting region of the light emitting unit 140.
  • the light-off mode the display mode for performing display using the difference in light emission color between the first light-emitting region 140a and the second light-emitting region 140b, the light-emitting mode for performing only light emission with the display turned off, Can be provided with different levels of current values. Therefore, it is not necessary to design the element structure for display or finely adjust the applied current.
  • the portion of the organic layer 120 located in the first light emitting region 140a (the organic layer 120a) is heated, and thus the peak of the light emission output spectrum of the first light emitting region 140a of the light emitting unit 140.
  • the intensity ratio is different from the peak intensity ratio of the light emission output spectrum of the second light emitting region 140b.
  • region 140a can be made different from the light emission color of the 2nd light emission area
  • the amount of light applied to the organic layer 120a is small, and the organic dye of the organic layer 120a is not deteriorated. Therefore, it can suppress that the lifetime of the light-emitting device 10 falls.
  • the light irradiation to the organic layer 120 a is performed after the light emitting unit 140 is sealed using the sealing unit 160. For this reason, the process of irradiating the organic layer 120a with light can be performed outside the vacuum apparatus. Therefore, an increase in the manufacturing cost of the light emitting device 10 can be suppressed.
  • FIG. 15 is a plan view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the first modification, and corresponds to FIG. 1 of the embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. 15.
  • FIG. 17 is a diagram in which the insulating layer 150 and the organic layer 120 are removed from FIG. 16.
  • the light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points.
  • the insulating layer 150 has a plurality of openings 152 in a region overlapping with the first electrode 110.
  • the organic layer 120 is located in each of the plurality of openings 152.
  • the light emitting unit 140 is divided into a plurality of light emitting areas.
  • the first light emitting areas 140a and the second light emitting areas 140b are alternately arranged.
  • the arrangement of the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b is not limited to the example shown in the drawing.
  • the second electrode 130 is individually provided for each of the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b.
  • the plurality of second electrodes 130 may be connected to the common second terminal 132. Further, the plurality of second electrodes 130 may be connected to different second terminals 132, respectively.
  • the applied current to the plurality of second electrodes 130 that is, the first light emitting region 140a and the applied current to the second light emitting region 140b can be individually controlled.
  • the emission color of the light emitting device 10 can be adjusted. Such control is performed by the control unit 200 described later.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a mask.
  • the second electrode 130 may be formed in a predetermined pattern by etching.
  • the insulating layer 150 located between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b is a light limiting layer 154.
  • the light limiting layer 154 prevents light incident on the second light emitting region 140b from entering the first light emitting region 140a due to reflection or scattering when the organic layer 120 of the second light emitting region 140b is irradiated with light. It is provided for.
  • the light limiting layer 154 may have a near-infrared or infrared light transmittance of 50% or less, and the difference in infrared transmittance between the light limiting layer 154 and other portions is 10% or more. It may be.
  • the light limiting layer 154 has a low transmittance with which the resin material constituting the light limiting layer 154 has a lower light transmittance (for example, light in the near infrared region or infrared region) than the resin material. Formed by adding material. In this case, the low-transmittance material is also added to portions of the insulating layer 150 other than the light limiting layer 154.
  • the low-transmittance material is, for example, carbon, but may be other materials.
  • the light limiting layer 154 of the insulating layer 150 may be formed in a separate process from other portions of the insulating layer 150. In this case, a low transmittance material can be added only to the light limiting layer 154.
  • the light limiting layer 154 may include particles or layers that reflect light (for example, metal particles such as Al or metal layers). When providing a metal layer, the resin material of the light limiting layer 154 covers the metal layer.
  • the light emission color of the first light emission region 140a can be made different from the light emission color of the second light emission region 140b, as in the embodiment. Moreover, it can suppress that the lifetime of the light-emitting device 10 falls.
  • a light limiting layer 154 is formed between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b.
  • the light limiting layer 154 prevents light incident on the second light emitting region 140b from entering the first light emitting region 140a due to reflection or scattering when the organic layer 120 of the second light emitting region 140b is irradiated with light. . Therefore, the boundary between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b can be clarified, and the width of the first light emitting region 140a can be suppressed from becoming wider than the design value.
  • FIG. 18 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 10 according to the second modification, and corresponds to FIG. 16 of the first modification.
  • FIG. 19 is a diagram in which the insulating layer 150 and the organic layer 120 are removed from FIG. 20 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. In FIG. 20, the sealing portion 160 is not shown, and the second electrode 130 is shown for explanation.
  • the light-emitting device 10 according to this modification has the same configuration as the light-emitting device 10 according to modification 1 except that the first electrode 110 is divided into a plurality of parts. Specifically, the first electrode 110 is provided with one set of the first electrode 110 and the first terminal 112 for one first light emitting region 140a, and one set for one second light emitting region 140b. A pair of first electrodes 110 and first terminals 112 are provided. Therefore, the first electrode 110 in the first light emitting region 140a is separated from the first electrode 110 in the second light emitting region 140b.
  • the light limiting layer 154 is located between the adjacent first electrodes 110.
  • a current is allowed to flow only in the first light emitting region 140a.
  • the insulating layer 150 that does not include a low-transmittance material may be provided between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b adjacent to each other.
  • the second electrodes 130 may be connected to each other as shown in FIG.
  • the emission color of the first light emitting area 140a can be made different from the emission color of the second light emitting area 140b. Moreover, it can suppress that the lifetime of the light-emitting device 10 falls. In addition, the boundary between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b can be clarified, and the width of the first light emitting region 140a can be suppressed from becoming wider than the design value.
  • the first electrode 110 is individually provided for each of the plurality of first light emitting regions 140a and the plurality of second light emitting regions 140b. Accordingly, as shown in FIG. 18, a control unit 200 that controls the amount of current supplied to the light emitting unit 140 is provided. Using the control unit 200, the amount of current supplied to the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b are provided. It is possible to individually control the amount of current supplied to the. In this case, the controller 200 can make the emission color of the first light emitting area 140a and the emission color of the second light emitting area 140b different or match each other. Further, the control unit 200 can slightly change the color of the light emitting unit 140. For example, the light emission color of the light emitting unit 140 can be bluish white or reddish. The adjustment of the emission color of the light emitting device 10 by the control unit 200 can be performed not only in two stages but also in multiple stages.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the third modification, and corresponds to FIG. 20 of the second modification.
  • the first electrode 110 included in the first light emitting region 140a and the first electrode 110 included in the second light emitting region 140b adjacent to the first electrode 110 are connected to each other, and the first light emission is performed.
  • the configuration is the same as that of the light emitting device 10 according to the modification 2 except that the second electrode 130 included in the region 140a and the second electrode 130 included in the adjacent second light emitting region 140b are connected to each other.
  • the light limiting layer 154 shown in Modification 1 is provided in the light emitting device 10 shown in the embodiment.
  • the light emission color of the first light emission region 140a can be made different from the light emission color of the second light emission region 140b. Moreover, it can suppress that the lifetime of the light-emitting device 10 falls. In addition, the boundary between the first light emitting region 140a and the second light emitting region 140b can be clarified, and the width of the first light emitting region 140a can be suppressed from becoming wider than the design value.

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Abstract

　発光部（１４０）は、第１発光領域（１４０ａ）及び第２発光領域（１４０ｂ）を有している。第１発光領域（１４０ａ）及び第２発光領域（１４０ｂ）は互いに隣り合っており、いずれも、第１電極、有機層、及び第２電極を有している。有機層は第１電極と第２電極の間に位置している。第１発光領域（１４０ａ）と第２発光領域（１４０ｂ）の間には、光制限層（１５４）が形成されている。光制限層（１５４）は、第２発光領域（１４０ｂ）に入射した光が第１発光領域（１４０ａ）に入射することを抑制する。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極と、第２電極とで挟んだ構成を有している。有機ＥＬ素子を有する発光装置には、例えば照明装置や表示装置がある。
　発光装置には、同一の有機層を有する発光領域において、発光領域の一部の発光色を発光領域の他の部分の発光色と異ならせることが求められることがある。このような要求に対して、特許文献１には、発光領域の一部において有機色素を変性（劣化）させることにより、この一部の発光色を他の領域と異ならせることが記載されている。特許文献１には、有機色素を変性（劣化）させる方法として、電磁波、例えば高圧水銀ランプのｉ線を照射する方法が記載されている。
　なお、特許文献２には、正孔注入層及び正孔輸送層が形成された後、かつ発光層が形成される前に、正孔輸送層に、基板とは逆側から光照射を行うことにより、初期の輝度低下が抑制できる、と記載されている。
国際公開第１９９７／４３８７４号 特開２０１１－２１０６１３号公報
　特許文献１に記載の方法では、有機色素を劣化させることにより、発光領域の一部の発光色を他の部分と異ならせている。しかしこの方法では、発光層中の有機色素を劣化させるため、発光装置の寿命の低下が懸念される。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の寿命を低下させることなく、発光領域の一部の発光色を他の部分と異ならせることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、基板と、
　前記基板に形成された発光部と、
を備え、
　前記発光部は、第１発光領域及び第２発光領域を有し、
　前記第１発光領域及び前記第２発光領域は、互いに隣り合っており、かつ、いずれも、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有しており、
　前記基板に形成され、前記第１発光領域と前記第２発光領域の間に位置し、前記第２発光領域に入射した光が前記第１発光領域に入射することを抑制する光制限層と、
を備える発光装置である。
　請求項２に記載の発明は、基板と、
　前記基板に形成され、互いに隣り合う第１発光領域及び第２発光領域と、
　前記基板に形成され、前記第１発光領域と前記第２発光領域の間に位置する光制限層と、
を備え、
　前記光制限層は、前記光制限層を構成する材料よりも光の透過率が低い低透過率材料を含んでいる発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１から第２電極を取り除いた図である。 図２から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 有機層の構成を示す断面図である。 発光装置の製造方法を説明するための断面図である。 第１発光領域の発光スペクトルと第２発光領域の発光スペクトルの一例を示す図である。 図７に示した発光スペクトルを、第１ピークで規格化した図である。 第１発光領域の発光スペクトルが電流の大きさでどのように変化するかを示す図である。 図９に示した発光スペクトルを第１ピークで規格化した図である。 第２発光領域の発光スペクトルが電流の大きさでどのように変化するかを示す図である。 図１１に示した発光スペクトルを第１ピークで規格化した図である。 発光部に第１の電流が流れている発光装置を、基板の第２面側から見た図である。 発光部に第２の電流が流れている発光装置を、基板の第２面側から見た図である。 変形例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１５から第２電極を取り除いた図である。 図１６から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。 変形例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１８から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。 図１８のＢ－Ｂ断面図である。 図２０の変形例を示す図である。 変形例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は図１から第２電極１３０を取り除いた図である。図３は図２から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。図４は図１のＡ－Ａ断面図である。なお、図１において、説明のため封止部１６０を省略している。
　本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００及び発光部１４０を有している。発光部１４０は基板１００に形成されており、図２に示すように、第１発光領域１４０ａ及び第２発光領域１４０ｂを有している。第１発光領域１４０ａ及び第２発光領域１４０ｂは互いに隣り合っており、いずれも、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。そして、第１発光領域１４０ａの発光スペクトル（以下、第１発光スペクトルと記載）及び第２発光領域１４０ｂの発光スペクトル（以下、第２発光スペクトルと記載）は、いずれも第１ピーク及び第２ピークを有している。第１発光スペクトルの第１ピークのピーク波長と第２発光スペクトルの第１ピークのピーク波長とはそれぞれ同一である。同様に第１発光スペクトルの第２ピークのピーク波長と第２発光スペクトルの第２ピークのピーク波長とはそれぞれ同一である。そして、第１ピークに対する第２ピークの強度比（以下、ピーク強度比と記載）は、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂとで互いに異なる。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
　基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの可視光を透過する材料で形成されている。ただし、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過しやすくなっている。水分が透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面側（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
　発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、基板１００の第１面１０２に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。
　第１電極１１０は、可視光を透過する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。
　有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。本実施形態において、有機層１２０は複数の発光層を有している。有機層１２０の構成の詳細については、図５を用いて後述する。
　第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
　なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、基板１００を光が透過する場合、すなわち発光装置１０の発光が基板１００を透過して行われる場合（ボトムエミッション型）の例である。他の場合として、基板１００とは逆側を光が透過する場合がある。すなわち、発光装置１０の発光が基板１００を透過しないで行われる場合（トップエミッション型）である。トップエミッション型には、逆積型と、順積型との２種類の積層構造がある。逆積型では、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料はボトムエミッション型と逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料として例示した材料が選択される。他方の順積型では、上記した第２電極１３０の材料の上に第１電極１１０の材料を形成し、更にその上に有機層、さらにその上に薄く成膜した第２電極１３０を形成することで、基板１００とは逆側から光を取出す構造である。本実施形態にかかる発光装置１０は、ボトムエミッション型、及び上記した2種類のトップエミッション型のいずれの構造であってもよい。
　また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に電気的に接続している。例えば、第１端子１１２は、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。さらに、この層は、第１電極１１０と一体になっていてもよい。また、第２端子１３２は第２電極１３０に電気的に接続している。また、第２端子１３２も、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。ただし、この層は第１電極１１０から分離している。
　なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。
　また、第１電極１１０の上、第１端子１１２の上、及び第２端子１３２の上には、第１電極１１０よりも抵抗が低い材料からなる導電層が形成されていてもよい。この導電層は、例えば金属又は合金によって形成されている。この導電層は、単層構造であってもよいし多層構造であってもよい。この導電層は、例えばＭｏ合金層（例えばＭｏＮｂ層）、Ａｌ合金層（例えばＡｌＮｄ層）、及びＭｏ合金層（例えばＭｏＮｂ層）をこの順に形成した構成を有している。そして、この導電層のうち第１電極１１０に位置する部分は、例えば複数の線状の電極として形成されている。また、この導電層のうち第１端子１１２の上に位置する部分は、第１端子１１２の全面に形成されていてもよい。さらに、この導電層のうち第２端子１３２の上に位置する部分は、第２端子１３２の全面に形成されていてもよい。この導電層が形成されることにより、第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２の見かけ上の抵抗は低くなる。
　また、発光装置１０は、絶縁層１５０を有している。絶縁層１５０は発光部１４０を画定するために、基板１００の第１面１０２に設けられている。図２に示す例では、絶縁層１５０は、第１電極１１０の縁を覆っている。絶縁層１５０は、例えばポリイミド、エポキシ、アクリルやノボラック系の樹脂材料によって形成されている。絶縁層１５０は、例えば、絶縁層１５０となる樹脂材料に感光性の材料を混入させ塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。また、絶縁層１５０は、インクジェット法やスクリーン印刷法を用いて形成されていてもよい。
　そして、有機層１２０のうち第１発光領域１４０ａとなる領域には有機層１２０ａが位置しており、第２発光領域１４０ｂとなる領域には有機層１２０ｂが位置している。電流密度が一定値以下の場合、有機層１２０ａの発光色（色温度）は、有機層１２０ｂの発光色（色温度）と異なる。ただし、後述するように、電流密度が上がっていくと、有機層１２０ａの色温度と有機層１２０ｂの色温度の差は小さくなっていき、最終的にはほとんど差がなくなる。
　そして、有機層１２０ａ，１２０ｂは互いに同一の層構造を有しており、かつ同一の工程かつ同一の材料を用いて形成されている。このため、発光装置１０が発光していない状態において、有機層１２０ａと有機層１２０ｂを区別することは難しい。
　また、図１及び図３に示すように、発光部１４０は一つの第１電極１１０及び一つの第２電極１３０を有している。このため、第１発光領域１４０ａの第１電極１１０は第２発光領域１４０ｂの第１電極１１０と電気的かつ物理的に繋がっている。また、第１発光領域１４０ａの第２電極１３０は第２発光領域１４０ｂの第２電極１３０と電気的かつ物理的に繋がっている。
　そして図４に示すように、発光装置１０は、封止部１６０を有している。封止部１６０は、発光部１４０を封止している。本図に示す封止部１６０は封止部材であり、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されている。封止部１６０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部１６０の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部１６０と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置している。
　なお、封止部材は原子層成長（ＡＬＤ）法で形成された膜又は化学気相成長（ＣＶＤ）法で形成された膜であってもよい。封止膜の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。封止膜がＡＬＤ法を用いて形成されている場合、封止膜は、例えば酸化アルミニウム膜又は酸化チタン膜の少なくとも一方を有していてもよく、また、これらの材料の積層膜でもよい。封止膜がＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されている場合、封止膜は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されている。
　図５は、有機層１２０の構成を示す断面図である。有機層１２０は、正孔注入層１２１と電子注入層１２６（又は電子輸送層）の間に、第２発光層１２３及び第１発光層１２４を有している。詳細には、有機層１２０は、第１電極１１０側から、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、第２発光層１２３、第１発光層１２４、正孔ブロック層１２５、及び電子注入層１２６をこの順に積層した構成を有している。正孔注入層１２１は第１電極１１０に接しており、電子注入層１２６は第２電極１３０に接している。第２発光層１２３の内部発光スペクトルは第２ピークを有しており、第１発光層１２４の内部発光スペクトルは第１ピークを有している。このため、発光部１４０の出力の発光スペクトル（以下、発光出力スペクトルと記載）に含まれる第１ピークは第１発光層１２４からの内部発光スペクトルに由来しており、発光部１４０の発光出力スペクトルに含まれる第２ピークは第２発光層１２３からの内部発光スペクトルに由来している。第１ピークは例えば青色の波長域に位置しており、第２ピークは例えば赤色の波長域に位置している。また、第１発光層１２４または第２発光層１２３が単層で複数の発光ピークを有していてもよい。例えば、第２発光層１２３が赤色の波長領域と緑色の波長領域のピークをもつなどである。なお、正孔輸送層１２２及び正孔ブロック層１２５の少なくとも一方は省略されていてもよい。
　なお、発光出力スペクトルは、例えば、点灯させた発光部１４０の発光を発光部１４０の外側から分光光度計により測定した結果で示される。また、内部発光スペクトルは、例えば、測定対象となる発光層のフォトルミネッセンスを顕微フォトルミネッセンス測定装置により測定された結果で示される。そしてこれらの測定方法を用いた場合、第１発光領域１４０ａの発光出力スペクトル及び第２発光領域１４０ｂの発光出力スペクトルを比較すると、ピーク波長は互いに共通し、かつピーク強度比が互いに異なる。一方、第１発光領域１４０ａの内部発光スペクトル及び第２発光領域１４０ｂの内部発光スペクトルは、ピーク波長及びピーク強度比が互いに共通する（ほぼ一致する）。
　有機層１２０を構成する各層は、蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層である正孔注入層１２１は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。また、第２発光層１２３が塗布法によって形成されている場合、第１発光層１２４は蒸着法によって形成されていてもよい。なお、第１発光層１２４及び第２発光層１２３には、蛍光発光材料および燐光発光材料のいずれを用いてもよい。ただし、内部量子効率向上の観点では、燐光発光材料を用いるのが好ましい。この場合、燐光発光材料としては、イリジウム、白金、オスミウム、レニウム、金、タングステン、ルテニウム、ハフニウム、ユウロビウム、テルビウム、ロジウム、パラジウム、または銀等から選択される、原子量が１００以上２００以下である重原子を一種または二種以上含む、燐光性有機金属錯体等が用いられる。
　次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の第１面１０２に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、基板１００の第１面１０２に、絶縁層１５０となる樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。
　次いで、第１電極１１０のうち第１絶縁層１５０で囲まれた領域に、有機層１２０を形成する。次いで、第２電極１３０を形成する。その後、封止部１６０を設ける。
　次いで、図６に示すように、基板１００の第２面１０４側から、基板１００及び第１電極１１０を介して、有機層１２０のうち第１発光領域１４０ａとなる領域に位置する部分に、有機層１２０を加熱するための光を照射する。この光には、例えば近赤外域又は赤外域の光が含まれている。また、光の強度は例えば１Ｗ以上１００００Ｗ以下であり、光の照射時間は例えば１秒以上３６０００秒以下である。これにより、有機層１２０のうち第１発光領域１４０ａとなる領域に位置する部分は加熱され、その結果、有機層１２０のうち第１発光領域１４０ａに位置する部分（有機層１２０ａ）の発光出力スペクトルのピーク強度比（すなわち「第２ピークの強度」／「第１ピークの強度」）は、有機層１２０のうち光が照射されていない部分、すなわち第２発光領域１４０ｂに位置する部分（有機層１２０ｂ）の発光出力スペクトルのピーク強度比と異なる。
　なお、有機層１２０ａのピーク強度比が有機層１２０ｂのピーク強度比と異なるのは、有機層１２０に光が照射されることによって第２発光層１２３及び第１発光層１２４の少なくとも一方のキャリアバランスが変化し、正孔と電子の結合量が最も多い部分（結合サイト）が移動するため、と考えられる。また、発光装置１０が前述したトップエミッション型である場合は、封止部１６０に透過性を有する材料を選択すると、封止部１６０側（基板１００の第１面１０２面側）から有機層１２０へ上記した加熱用の光を照射することができる。
　図７は、第１発光領域１４０ａの発光出力スペクトルと第２発光領域１４０ｂの発光出力スペクトルの一例を示す図である。本図に示す例において、２つの発光出力スペクトルは複数のピークを有しており、かつこれら複数のピークの位置、すなわちピーク波長は互いに同じである。そして、第１ピークは青色の波長域に位置しており、第２ピークは第１ピークよりも長波長側、具体的には赤色の波長域に位置している。なお、本図に示す例では、２つの発光出力スペクトルは、緑色の波長域に第３のピークを有している。このため、第１発光領域１４０ａの発光色及び第２発光領域１４０ｂの発光色は、白色である。なお、第１のピークが強くなると青っぽい白色（すなわち高い色温度）になり、第２のピークが強くなると赤っぽい白色（すなわち低い色温度）になる。
　図８は、図７に示した発光出力スペクトルを、第１ピークで規格化したものである。本図に示す第２ピークの高さは、上記したピーク強度比（第２ピーク／第１ピーク）を示している。そしてこの図から、第１発光領域１４０ａのピーク強度比は第２発光領域１４０ｂのピーク強度比と異なることがわかる。本図に示す例では、第２発光領域１４０ｂのピーク強度比は第１発光領域１４０ａのピーク強度比よりも高い。これは、第２発光領域１４０ｂの色温度は第１発光領域１４０ａの色温度よりも低いことを意味している。
　図９は、第１発光領域１４０ａの発光出力スペクトルが電流の大きさ（電流密度）でどのように変化するかを示す図である。図１０は、図９に示した発光出力スペクトルを第１ピークで規格化したものである。図１０における第２ピークの高さは、上記したピーク強度比を示している。第１発光領域１４０ａ（すなわち図６のうち光が照射された領域）において、図９に示すように、電流密度が上がると光は強くなっている。そして、図１０に示すように、第１発光領域１４０ａにおいて、第１の電流（例えば電流密度が５ｍＡ／ｃｍ２以下）が流れているとき、第１ピークは第２ピークよりも高い。また、第１の電流よりも大きい第２の電流（例えば電流密度が６ｍＡ／ｃｍ２以上）が流れているときも、第１ピークは第２ピークよりも高い。ただし、図１０に示すように、第１ピークと第２ピークの差は小さくなっている。このため、第１の電流を流したときのピーク強度比は、第２の電流を流したときのピーク強度比と異なっている。なお、第２の電流の電流密度は、例えば第１の電流の電流密度の１０１％以上である。
　図１１は、第２発光領域１４０ｂの発光出力スペクトルが電流の大きさ（電流密度）でどのように変化するかを示す図である。図１２は、図１１に示した発光出力スペクトルを第１ピークで規格化したものである。図１２における第２ピークの高さは、上記したピーク強度比を示している。図１１に示すように、第２発光領域１４０ｂ（すなわち光が照射されていない領域）において、電流が増えると発光強度は大きくなる。そして、図１２に示すように、第１発光領域１４０ａ（すなわち光が照射された領域）において、第１の電流（本図に示す例では電流密度が２．５ｍＡ／ｃｍ２）が流れているとき、第１ピークは第２ピークよりも高い。一方、電流密度を上げて第２の電流（図に示す例では電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２）が流れているとき、第１ピークは第２ピークよりも低くなる。
　なお、図１０と図１２を比較すると、第１の電流を流したときの第１発光領域１４０ａのピーク強度比と第２発光領域１４０ｂのピーク強度比の差は、第２の電流を流したときの第１発光領域１４０ａのピーク強度比と第２発光領域１４０ｂのピーク強度比の差よりも小さいことがわかる。これは、電流密度が小さい時は、第１発光領域１４０ａの発光色と第２発光領域１４０ｂの発光色は異なっているが、この差は電流密度を上げていくにつれて小さくなることを示している。
　なお、発光部１４０の全体が第１発光領域１４０ａになったとき、発光部１４０の発光出力スペクトルは、図９及び図１０に示した特性を示す。
　図１３は、発光部１４０に第１の電流が流れている発光装置１０を、基板１００の第２面１０４側（発光部１４０とは逆側の面）から見た図である。この状態の第１発光領域１４０ａのピーク強度比は、第２発光領域１４０ｂのピーク強度比と異なっている。このため、第１発光領域１４０ａの発光色は第２発光領域１４０ｂの発光色と異なる。従って、人は、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂを区別できる。なお、図１３では第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂが縞状に形成されているが、これら発光領域の形状は適宜選択され、例えば文字、記号、絵、又はこれらの組み合わせなどであってもよい。
　図１４は、発光部１４０に第２の電流が流れている発光装置１０を、基板１００の第２面１０４側から見た図である。この状態の第１発光領域１４０ａのピーク強度比と、第２発光領域１４０ｂのピーク強度比の差は、第１の電流を流している場合と比較して小さい。このため、第１発光領域１４０ａの発光色と第２発光領域１４０ｂの発光色の差は、図１３に示した場合と比較して小さくなり、条件によってはほぼ同じになる。このため、人は、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂを区別できず、発光部１４０を一つの発光領域として認識する。
　このように、本実施形態の発光装置１０によれば、電流密度を変化させることによって、発光部１４０に第１発光領域１４０ａに相当する領域を浮かび上がらせたり消したりすることができる。なお、第１発光領域１４０ａと、第１発光領域１４０ａ及び第２発光領域１４０ｂの発光色の違いにより表現できる表示とは、文字、記号、又は絵であってもよい。第１発光領域１４０ａの形状は、発光部１４０のうち光を照射する領域を調整することにより、自在に設定される。このようにすることにより、消灯モードと、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂとの発光色の違いを利用した表示を行う表示モードと、表示を消して発光のみを行う発光モードと、を電流値のレベル違いで設けることができる。そのため、表示のために素子の構成を設計したり、印加電流を細かく調整したりする必要が無い。
　以上、本実施形態によれば、有機層１２０のうち第１発光領域１４０ａに位置する部分（有機層１２０ａ）は加熱されているため、発光部１４０の第１発光領域１４０ａの発光出力スペクトルのピーク強度比は、第２発光領域１４０ｂの発光出力スペクトルのピーク強度比と異なる。このため、第１発光領域１４０ａの発光色を第２発光領域１４０ｂの発光色と異ならせることができる。また、有機層１２０ａへの光の照射量は少なく、有機層１２０ａの有機色素は劣化していない。従って、発光装置１０の寿命が低下することを抑制できる。
　また、有機層１２０ａへの光の照射は、封止部１６０を用いて発光部１４０を封止した後に行われている。このため、有機層１２０ａへ光を照射する工程を、真空装置の外部で行うことができる。従って、発光装置１０の製造コストが増加することを抑制できる。
（変形例１）
　図１５は、変形例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施形態の図１に対応している。図１６は、図１５から第２電極１３０を取り除いた図である。図１７は、図１６から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
　まず、絶縁層１５０は、第１電極１１０と重なる領域に、複数の開口部１５２を有している。有機層１２０は、複数の開口部１５２のそれぞれの中に位置している。言い換えると、発光部１４０は複数の発光領域に分割されている。本図に示す例では、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂは交互に配置されている。ただし、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂの配置は本図に示す例に限定されない。
　そして、第２電極１３０は、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂのそれぞれに対して個別に設けられている。ただし、複数の第２電極１３０は共通の第２端子１３２に接続していてもよい。また、複数の第２電極１３０をそれぞれ別の第２端子１３２と接続させてもよい。このようにすることで、複数の第２電極１３０、つまり、第１発光領域１４０ａへの印加電流と第２発光領域１４０ｂへの印加電流を個別に制御することができる。個別に印加電流を制御することで、発光装置１０としての発光色を調整することができる。このような制御は後述する制御部２００が行う。本変形例において、第２電極１３０は、例えばマスクを用いて形成される。なお、第２電極１３０は、エッチングにより所定のパターンに形成されてもよい。
　また、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂの間に位置する絶縁層１５０は、光制限層１５４となっている。光制限層１５４は、第２発光領域１４０ｂの有機層１２０に光を照射するときに、第２発光領域１４０ｂに入射した光が反射や散乱などによって第１発光領域１４０ａに入射することを抑制するために設けられている。光制限層１５４は、例えば近赤外域又は赤外域の光の透過率が５０％以下となっていてもよく、また、光制限層１５４と他の部分との赤外線透過率の差が１０％以上となっていてもよい。このようにするためには、光制限層１５４は、光制限層１５４を構成する樹脂材料に、この樹脂材料よりも光（例えば近赤外域又は赤外域の光）の透過率が低い低透過率材料を添加することにより、形成される。この場合、絶縁層１５０のうち光制限層１５４以外の部分にも、低透過率材料が添加される。低透過率材料は、例えばカーボンであるが、他の材料であってよい。
　なお、絶縁層１５０の光制限層１５４を、絶縁層１５０の他の部分と別の工程で形成してもよい。この場合、光制限層１５４にのみ低透過率材料を添加することができる。
　また、光制限層１５４は、光を反射する粒子又は層（例えばＡｌなどの金属粒子または金属層）を含んでいてもよい。金属層を設ける場合、光制限層１５４の樹脂材料は、金属層を覆うことになる。
　本変形例によっても、実施形態と同様に、第１発光領域１４０ａの発光色を第２発光領域１４０ｂの発光色と異ならせることができる。また、発光装置１０の寿命が低下することを抑制できる。
　また、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂの間には光制限層１５４が形成されている。光制限層１５４は、第２発光領域１４０ｂの有機層１２０に光を照射するときに、第２発光領域１４０ｂに入射した光が反射や散乱などによって第１発光領域１４０ａに入射することを抑制する。従って、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂの境界を明確にすることができ、かつ、第１発光領域１４０ａの幅が設計値より広くなることを抑制できる。
（変形例２）
　図１８は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、変形例１の図１６に対応している。図１９は、図１８から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。図２０は、図１８のＢ－Ｂ断面図である。なお、図２０において封止部１６０の図示は省略されており、また、説明のため第２電極１３０は図示されている。
　本変形例に係る発光装置１０は、第１電極１１０が複数に分割されている点を除いて変形例１に係る発光装置１０と同様の構成である。具体的には、第１電極１１０は、一つの第１発光領域１４０ａに対して一組の第１電極１１０及び第１端子１１２が設けられており、一つの第２発光領域１４０ｂに対して一組の第１電極１１０及び第１端子１１２が設けられている。このため、第１発光領域１４０ａの第１電極１１０は、第２発光領域１４０ｂの第１電極１１０から分離していることになる。そして光制限層１５４は、隣り合う第１電極１１０の間に位置している。
　本実施例において、第１発光領域１４０ａの有機層１２０ａに熱を加える方法には、有機層１２０ａに光を照射する方法の他に、第１発光領域１４０ａにのみ電流を流して有機層１２０を発熱させる方法がある。この場合、光制限層１５４を設ける必要はなく、その代わりに隣り合う第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂの間に低透過率材料を含まない絶縁層１５０を設ければよい。
　なお、本変形例において、図２１に示すように、第２電極１３０は互いに繋がっていてもよい。
　本変形例によっても、変形例１と同様に、第１発光領域１４０ａの発光色を第２発光領域１４０ｂの発光色と異ならせることができる。また、発光装置１０の寿命が低下することを抑制できる。また、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂの境界を明確にすることができ、かつ、第１発光領域１４０ａの幅が設計値より広くなることを抑制できる。
　また、第１電極１１０が複数の第１発光領域１４０ａ及び複数の第２発光領域１４０ｂのそれぞれに対して個別に設けられている。従って、図１８に示すように、発光部１４０への電流供給量を制御する制御部２００を設け、制御部２００を用いて、第１発光領域１４０ａへの電流供給量と、第２発光領域１４０ｂへの電流供給量とを個別に制御することができる。この場合、制御部２００は、第１発光領域１４０ａの発光色と第２発光領域１４０ｂの発光色とを互いに異ならせたり、一致させたりすることができる。また、制御部２００は、発光部１４０の色を微妙に変えることができる。例えば発光部１４０の発光色を青っぽい白色にしたり、赤っぽい色にしたりすることができる。制御部２００による発光装置１０の発光色の調整は、２段のみならず多段にすることができる。
（変形例３）
　図２２は、変形例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、変形例２の図２０に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第１発光領域１４０ａが有する第１電極１１０と、その隣の第２発光領域１４０ｂが有する第１電極１１０とが互いに繋がっている点、及び、第１発光領域１４０ａが有する第２電極１３０と、その隣の第２発光領域１４０ｂが有する第２電極１３０とが互いに繋がっている点を除いて、変形例２に係る発光装置１０と同様の構成である。言い換えると、本変形例は、実施形態に示した発光装置１０に、変形例１に示した光制限層１５４を設けたものである。
　本変形例によっても、第１発光領域１４０ａの発光色を第２発光領域１４０ｂの発光色と異ならせることができる。また、発光装置１０の寿命が低下することを抑制できる。また、第１発光領域１４０ａと第２発光領域１４０ｂの境界を明確にすることができ、かつ、第１発光領域１４０ａの幅が設計値より広くなることを抑制できる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (8)

  1. 　基板と、
    　前記基板に形成された発光部と、
    を備え、
    　前記発光部は、第１発光領域及び第２発光領域を有し、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域は、互いに隣り合っており、かつ、いずれも、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有しており、
    　前記基板に形成され、前記第１発光領域と前記第２発光領域の間に位置し、前記第２発光領域に入射した光が前記第１発光領域に入射することを抑制する光制限層と、
    を備える発光装置。
  2. 　基板と、
    　前記基板に形成され、互いに隣り合う第１発光領域及び第２発光領域と、
    　前記基板に形成され、前記第１発光領域と前記第２発光領域の間に位置する光制限層と、
    を備え、
    　前記光制限層は、前記光制限層を構成する材料よりも光の透過率が低い低透過率材料を含んでいる発光装置。
  3. 　請求項２に記載の発光装置において、
    　前記低透過率材料はカーボンである発光装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１発光領域の発光スペクトルである第１発光スペクトル、及び前記第２発光領域の発光スペクトルである第２発光スペクトルは、いずれも第１ピーク及び第２ピークを有しており、かつ、前記第１ピークに対する前記第２ピークの強度比が互いに異なる発光装置。
  5. 　請求項４に記載の発光装置において、
    　前記有機層は第１発光層及び第２発光層を有している発光装置。
  6. 　請求項５に記載の発光装置において、
    　前記第１発光層の発光スペクトルは前記第１ピークを有しており、
    　前記第２発光層の発光スペクトルは前記第２ピークを有している発光装置。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１発光領域の前記第１電極は、前記第２発光領域の前記第１電極から分離している発光装置。
  8. 　請求項７に記載の発光装置において、
    　前記光制限層は、前記第１発光領域の前記第１電極と、前記第２発光領域の前記第１電極との間に位置している発光装置。
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