JP5105739B2 - 有機el表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基板SUB上には、図2に示すように、アンダーコート層UCとして、例えば、SiNx層とSiOx層とが順次積層されている。
まず、絶縁基板SUB上に、アンダーコート層UCと、隔壁絶縁層PIと、それらの間に介在した構成要素とを形成する。
(例1)
本例では、以下の方法により、図1に示す有機EL表示装置を製造した。
本例では、第1有機物層HTL1を省略すると共に第2有機物層HTL2の厚さd2を160nmとしたこと以外は例1で説明したのと同様の方法により有機EL表示装置を製造した。
本例では、例1で形成した有機物層HTL1及びHTL2の正孔移動度μ1及びμ2を以下の方法により調べた。
本例では、例1で形成した有機物層HTL1及びHTL2の構造を以下の方法により調べた。
本例では、厚さd1及びd2をそれぞれ50nm及び120nmとすると共に熱処理の温度及び/又は時間を変更したこと以外は例1で説明したのと同様の方法により複数の有機EL表示装置を製造した。これら有機EL表示装置の各々について、有機EL素子OLEDの電流密度を10mA/cm2としたときの輝度を測定した。また、各々の有機EL表示装置が含む有機物層HTL1の正孔移動度μ1を、例2で説明したのと同様の方法により調べた。その結果を図4に示す。
本例では、熱処理の温度及び/又は時間を変更するとともに比d2/d1を変更したこと以外は例1で説明したのと同様の方法により複数の有機EL表示装置を製造した。なお、全ての有機EL表示装置において、厚さd1と厚さd2との和は160nmとした。
Claims (9)
- 基板とその上に配置された有機EL素子とを具備し、
前記有機EL素子は、陰極と、前記基板と前記陰極との間に介在した陽極と、前記陽極と前記陰極との間に介在した有機物からなる発光層と、前記発光層と前記陰極との間に介在した電子輸送層と、前記発光層と前記陽極との間に介在した有機物からなる正孔輸送層とを具備し、
前記正孔輸送層は、第1有機物層と、前記第1有機物層と前記発光層との間に介在した第2有機物層とを含み、前記第1及び第2有機物層は組成が互いに等しく、前記第1有機物層の結晶性は前記第2有機物層の結晶性と比較してより低いことを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記第1有機物層の正孔移動度μ1は、前記第2有機物層の正孔移動度μ2と比較してより小さいことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記正孔移動度μ2と前記正孔移動度μ1との比μ2/μ1は4乃至20の範囲内にあることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1有機物層の厚さd1は、前記第2有機物層の厚さd2と比較してより小さいことを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。
- 前記厚さd2と前記厚さd1との比d2/d1は7以下であることを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置。
- 基板の上方に陽極を形成する工程と、
前記陽極から正孔が供給される第1有機物層を成膜する工程と、
前記第1有機物層の結晶性を低下させる工程と、
結晶性を低下させた前記第1有機物層上に、前記第1有機物層と等しい組成を有し、結晶性を低下させた前記第1有機物層と比較して結晶性がより高い第2有機物層を形成する工程と、
前記第2有機物層から正孔が供給される発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に、前記発光層に電子を供給する電子輸送層を形成する工程と、
前記電子輸送層に電子を供給する陰極を形成する工程と
を含むことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記基板を面内方向に伸縮させることにより、前記第1有機物層の結晶性をより低くすることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記基板を熱処理に供することにより、前記基板を面内方向に伸縮させることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記基板を面内方向に伸縮させて、前記第1有機物層に亀裂を生じさせることを特徴とする請求項7に記載の方法。
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