WO2016125753A1 - 弾性表面波装置集合体 - Google Patents

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surface acoustic
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徹 竹下
誠二 甲斐
崇 中
基嗣 津田
比良　光善
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave device assembly according to a surface acoustic wave device.
  • Patent Document 1 a surface acoustic wave device having a WLP structure is disclosed.
  • an under bump metal is connected to each wiring on the piezoelectric substrate. All the under bump metals are formed by an electrolytic plating method. That is, all the above wirings are connected to a power supply wiring for electrolytic plating when forming the under bump metal.
  • the surface acoustic wave device assembly in a wide aspect, is provided on a collective substrate made of a piezoelectric body, the IDT electrode, and the first electrode connected to the IDT electrode.
  • a plurality of first circuit portions each having a hot terminal and a first ground terminal, a functional electrode, a second hot terminal connected to the functional electrode, and a second circuit provided on the aggregate substrate
  • a second circuit unit having two ground terminals, and a power supply wiring provided on the collective substrate so as to surround the plurality of first circuit units and the second circuit unit,
  • Each of the first circuit portions constitutes a surface acoustic wave device that is a band-pass filter
  • the second circuit portion constitutes a band-pass filter, and includes a plurality of the first ground portions.
  • a terminal and a plurality of said first Each of the elastic surfaces is connected to the power supply wiring, the second ground terminal is connected to the power supply wiring, and the second hot terminal is not connected to the power supply wiring.
  • the pass band of the wave device and the pass band of the band-pass filter formed by the second circuit unit are the same.
  • a first substrate connected to the IDT electrode and the IDT electrode is provided on the aggregate substrate made of a piezoelectric body and the aggregate substrate.
  • a plurality of first circuit portions each having a hot terminal and a first ground terminal, a functional electrode, a second hot terminal connected to the functional electrode, and a second circuit provided on the aggregate substrate
  • a second circuit unit having two ground terminals, and a power supply wiring provided on the collective substrate so as to surround the plurality of first circuit units and the second circuit unit,
  • Each of the first circuit portions constitutes a surface acoustic wave device, and a plurality of the first ground terminals and a plurality of the first hot terminals are connected to the power supply wiring, and the second The ground terminal
  • An electrical circuit configuration of the plurality of first circuit units and an electrical circuit of the second circuit unit are connected to the wiring, and the second hot terminal is not connected to the power supply wiring. The configuration is the same.
  • a plurality of first supports each provided with a first opening provided on the aggregate substrate and facing each of the first circuit portions.
  • a member, a second support member provided on the collective substrate and having a second opening facing the second circuit portion, a plurality of the first openings and the second openings A lid member provided on the plurality of first support members and the second support member, the plurality of first support members in plan view,
  • the plurality of first hot terminals and the plurality of first ground terminals are provided so as to overlap with each other, and the second support member overlaps with the second hot terminal and the second ground terminal.
  • a plurality of first through holes and a plurality of second through holes are provided so as to penetrate the material and expose the plurality of first hot terminals and the plurality of first ground terminals;
  • a third through hole and a fourth through hole are provided so as to penetrate the second support member and the lid member and expose the second hot terminal and the second ground terminal.
  • the first under bump metal layer provided in each of the plurality of first through holes and the plurality of second through holes are provided.
  • a second under bump metal layer provided respectively, and a fourth under bump metal layer provided in the fourth through hole are further provided.
  • bumps can be provided on the first, second and fourth under bump metal layers. Thereby, it can be mounted on a mounting substrate or the like via bumps.
  • an under bump metal layer is not provided in the third through hole.
  • bumps cannot be provided in the third through hole.
  • bumps can be provided on the first, second, and fourth under bump metal layers provided in the first, second, and fourth through holes.
  • the surface acoustic wave device assembly further includes a third under bump metal layer provided in the third through hole.
  • the thickness is larger than the thickness of the third under bump metal layer.
  • a plurality of first bumps provided on each of the first under bump metal layers, and each of the second under bump metals.
  • a diameter of an inscribed circle inscribed in each of the first bumps is larger than a diameter of the inscribed circle inscribed in the third bump in a plan view.
  • the planar shape of each of the first openings of each of the first support members, and the second of the second support members is the same. In this case, the manufacturing process of the surface acoustic wave device assembly can be simplified.
  • more second ground terminals are arranged than the second hot terminals.
  • the flatness of the individual piezoelectric substrates into which the aggregate substrate is divided can be effectively increased, and variations in the thickness of each piezoelectric substrate can be effectively reduced.
  • the functional electrode of the second circuit unit has the same configuration as the IDT electrode of the plurality of first circuit units.
  • the electrical circuit configuration and the physical configuration of the plurality of first circuit units and the second circuit unit are the same.
  • the manufacturing process of the surface acoustic wave device assembly can be simplified.
  • by inspecting the second circuit portion it is possible to sort out non-defective products and defective products according to desired characteristics.
  • a surface acoustic wave device assembly capable of selecting a good product and a defective product before being divided into individual surface acoustic wave devices.
  • FIG. 1 is a partial front view of a surface acoustic wave device assembly according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial plan sectional view of the surface acoustic wave device assembly according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a front sectional view of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a front sectional view of the evaluation element in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view of an evaluation element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a front cross-sectional view of an evaluation element in a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a partial plan sectional view of the surface acoustic wave device assembly according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view of an evaluation element according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 shows a state in which the surface acoustic wave device assembly is fixed with a tape in the back grinding process of the aggregate substrate used in the surface acoustic wave device assembly according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 shows a state in which the surface acoustic wave device assembly is fixed with a tape in the back grinding process of the aggregate substrate used in the surface acoustic wave device assembly according to the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 12 (a) to 12 (e) are views for explaining a method of manufacturing a surface acoustic wave device assembly as a third embodiment of the present invention.
  • FIGS. 13 (a) to 13 (d) are views for explaining a method of manufacturing a surface acoustic wave device assembly as a third embodiment of the present invention.
  • FIGS. 14 (a) to 14 (c) are views for explaining a method of manufacturing a surface acoustic wave device assembly as a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a partial front view of a surface acoustic wave device assembly according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial plan sectional view of the surface acoustic wave device assembly according to the first embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave device assembly 1 has a collective substrate 2.
  • the collective substrate 2 is a LiTaO 3 substrate having a cut angle of 42 °.
  • the collective substrate 2 is not limited to the above-described piezoelectric body, and may be made of another piezoelectric single crystal such as LiNbO 3 or an appropriate piezoelectric ceramic.
  • the surface acoustic wave device assembly 1 includes a plurality of first circuit portions 3 ⁇ / b> A configured on a collective substrate 2. Each first circuit unit 3A constitutes a surface acoustic wave device 3 that is a band-pass filter.
  • the surface acoustic wave device assembly 1 also includes a second circuit unit 4A configured on the collective substrate 2.
  • the second circuit unit 4A constitutes an evaluation element 4 that is a band-pass filter. In the present embodiment, the evaluation element 4 is also a surface acoustic wave device.
  • each of the first circuit unit 3A and the second circuit unit 4A are the same. That is, the arrangement and material of each element and wiring constituting each surface acoustic wave device 3 are the same as the arrangement and material of each element and wiring constituting the evaluation element 4. Therefore, the pass band of each surface acoustic wave device 3 and the pass band of the evaluation element 4 are the same.
  • a power supply wiring 13 is provided on the collective substrate 2 so as to surround each surface acoustic wave device 3 and the evaluation element 4.
  • the power supply wiring 13 is provided along a dicing line that is divided into individual surface acoustic wave devices.
  • the power supply wiring 13 is a wiring for forming an under bump metal layer described later by an electrolytic plating method.
  • Each surface acoustic wave device 3 has a first support member 8a provided on the collective substrate 2 so as to surround the first circuit portion 3A.
  • Each first circuit portion 3A faces the first opening 8a1 of each first support member 8a.
  • the evaluation element 4 includes a second support member 8b provided on the collective substrate 2 so as to surround the second circuit portion 4A.
  • the second circuit portion 4A faces the second opening 8b1 of the second support member 8b.
  • the plurality of first support members 8a and second support members 8b are made of resin or the like.
  • Each surface acoustic wave device 3 has a plurality of first hot terminals 6a and a plurality of first ground terminals 7a provided on the collective substrate 2.
  • the first hot terminal 6 a and the first ground terminal 7 a are connected to the power supply wiring 13.
  • the evaluation element 4 includes a plurality of second hot terminals 6b and a plurality of second ground terminals 7b provided on the collective substrate 2.
  • the second ground terminal 7 b is connected to the power supply wiring 13.
  • the second hot terminal 6 b is not connected to the power supply wiring 13.
  • each first hot terminal 6a in each surface acoustic wave device 3 and the position of the second hot terminal 6b in the evaluation element 4 are the same.
  • the position of each first ground terminal 7a in each surface acoustic wave device 3 and the position of the second ground terminal 7b in evaluation element 4 are the same.
  • FIG. 3 is a front sectional view of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave device 3 has an IDT electrode 5 provided on the collective substrate 2.
  • the first circuit portion 3A shown in FIG. 2 is composed of a plurality of IDT electrodes.
  • the IDT electrode 5 is connected to the first hot terminal 6a and the first ground terminal 7a.
  • the first support member 8a is provided on the collective substrate 2 so as to cover the first hot terminal 6a and the first ground terminal 7a.
  • a lid member 9 is provided so as to seal the first opening 8a1 of the first support member 8a.
  • the lid member 9 is made of resin or the like.
  • First and second through holes 10a and 10b are provided so as to penetrate the lid member 9 and the first support member 8a.
  • One end of the first through hole 10a reaches the first hot terminal 6a.
  • One end of the second through hole 10b reaches the first ground terminal 7a.
  • a first under bump metal layer 11a is provided in the first through hole 10a.
  • a second under bump metal layer 11b is provided in the second through hole 10b.
  • a first bump 12a is provided on the first under bump metal layer 11a.
  • a second bump 12b is provided on the second under bump metal layer 11b.
  • the first under bump metal layer 11a connects the first hot terminal 6a and the first bump 12a.
  • the second under bump metal layer 11b connects the first ground terminal 7a and the second bump 12b.
  • the first and second bumps 12a and 12b are made of an appropriate brazing filler metal such as solder.
  • first through holes and first under bump metal layers are provided so as to be connected to a plurality of first hot terminals, respectively.
  • a plurality of second through holes and second under bump metal layers are provided so as to be connected to the plurality of first ground terminals, respectively.
  • FIG. 4 is a front sectional view of the evaluation element according to the first embodiment of the present invention.
  • the evaluation element 4 has a functional electrode 14 provided on the collective substrate 2.
  • the second circuit unit 4A illustrated in FIG. In the present embodiment, the evaluation element 4 has the same electrical circuit configuration as the surface acoustic wave device 3.
  • the functional electrode 14 is an IDT electrode similar to the IDT electrode 5 of the surface acoustic wave device 3 shown in FIG.
  • the functional electrode 14 is connected to the second hot terminal 6b and the second ground terminal 7b.
  • the second support member 8b is provided on the collective substrate 2 so as to cover the second hot terminal 6b and the second ground terminal 7b.
  • a lid member 9 is provided so as to seal the second opening 8b1 of the second support member 8b.
  • the third and fourth through holes 10c and 10d are provided so as to penetrate the lid member 9 and the second support member 8b.
  • One end of the third through hole 10c reaches the second hot terminal 6b.
  • One end of the fourth through hole 10d reaches the second ground terminal 7b.
  • the arrangement of the first through hole 10a and the second through hole 10b in the first support member 8a shown in FIG. 3, and the third through hole 10c and the fourth through hole 10d in the second support member 8b are shown. The arrangement is the same.
  • a third under bump metal layer 11c is provided in the third through hole 10c.
  • a fourth under bump metal layer 11d is provided in the fourth through hole 10d.
  • the thickness of the fourth under bump metal layer 11d is larger than the thickness of the third under bump metal layer 11c.
  • the thicknesses of the first and second under bump metal layers 11a and 11b shown in FIG. 3 are also larger than the thickness of the third under bump metal layer 11c. Note that the third under bump metal layer 11c may not be provided.
  • the third bump 12c is provided on the third under bump metal layer 11c.
  • a fourth bump 12d is provided on the fourth under bump metal layer 11d.
  • the third under bump metal layer 11c connects the second hot terminal 6b and the third bump 12c.
  • the fourth under bump metal layer 11d connects the second ground terminal 7b and the fourth bump 12d.
  • the third and fourth bumps 12c and 12d are made of an appropriate brazing filler metal such as solder.
  • the third bump 12c only needs to be provided at a position overlapping the third through hole 10c in plan view.
  • the third bump 12c and the third under bump metal layer 11c may not be connected.
  • a plurality of third through holes and third under bump metal layers are provided so as to be connected to a plurality of second hot terminals, respectively.
  • a plurality of fourth through holes and fourth under bump metal layers are provided so as to be connected to a plurality of second ground terminals, respectively.
  • the feature of the present embodiment is that the surface acoustic wave device assembly 1 has the evaluation element 4 and the second hot terminal 6 b of the evaluation element 4 is not connected to the power supply wiring 13. According to this embodiment, a good product and a defective product can be selected before being divided into individual surface acoustic wave devices. This will be described below.
  • the electrical circuit configuration and physical configuration of the first circuit unit 3A of the plurality of surface acoustic wave devices 3 and the second circuit unit 4A of the evaluation element 4 are the same. Therefore, the plurality of surface acoustic wave devices 3 on the same collective substrate 2 have substantially the same electrical characteristics as the evaluation element 4 on the same collective substrate 2. Therefore, if the electrical characteristics such as the filter characteristics of the evaluation element 4 are inspected and it is determined that the performance as a non-defective product is not satisfied, the plurality of surface acoustic wave devices 3 on the same collective substrate 2 are also regarded as non-defective products. It can be determined that the performance is not satisfied.
  • the electrical circuit configuration and physical configuration of the evaluation element 4 and the plurality of surface acoustic wave devices 3 are preferably the same as in this embodiment. As a result, the non-defective product can be more reliably selected.
  • the evaluation element 4 may be inspected for electrical characteristics, for example, after the second circuit portion 4A is provided and before the second support member 8b is provided. Thereby, it is possible to select a good product and a defective product before being divided into individual surface acoustic wave devices 3. Therefore, since only the plurality of surface acoustic wave devices 3 determined as non-defective products can be put into the subsequent process, the cost can be reduced.
  • the second hot terminal 6 b of the evaluation element 4 is not connected to the power supply wiring 13. Therefore, when the first to fourth under bump metal layers 11a to 11d shown in FIGS. 3 and 4 are formed by the electrolytic plating method, the third under bump metal layer 11c is not sufficiently formed. Therefore, the thickness of the third under bump metal layer 11c is smaller than the thickness of the first, second, and fourth under bump metal layers 11a, 11b, and 11d.
  • the first, second, and fourth bumps 12a, 12b, and 12d are provided on the first, second, and fourth under bump metal layers 11a, 11b, and 11d having a large thickness.
  • the first, second, and fourth bumps 12a, 12b, and 12d do not greatly enter the first, second, and fourth through holes 10a, 10b, and 10d.
  • the third bumps 12c provided on the third under bump metal layer 11c having a small thickness greatly enter the third through hole 10c.
  • FIG. 5 is a plan view of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view of the evaluation element in the first embodiment.
  • Inscribed circles inscribed in the first to fourth bumps 12a to 12d are inscribed circles A to D. Since only the third bump 12c has entered the third through hole 10c, the diameter R2 of the inscribed circle C is smaller than the diameter R1 of the inscribed circles A, B, and D. Thus, from the difference between the diameter R2 of the inscribed circle C and the diameter R1 of the inscribed circles A, B, D, whether the surface acoustic wave device 3 is a plurality of surface acoustic wave devices 3 or the evaluation element 4 in plan view. Can be easily identified. Therefore, only the evaluation element 4 can be easily removed after being divided into the individual surface acoustic wave devices 3.
  • each first circuit unit 3A and the second circuit unit 4A may be the same, and the physical configuration may be different. Even in this case, if there is a correlation between the electrical characteristics of each surface acoustic wave device 3 and the electrical characteristics of the evaluation element 4, it is possible to select a non-defective product and a defective product of the plurality of surface acoustic wave devices 3. it can.
  • the electrical circuit configuration and physical configuration of the first circuit unit 3A and the second circuit unit 4A are the same. If the pass band of each surface acoustic wave device 3 and the pass band of the evaluation element 4 are the same, the electrical circuit configuration and physical properties of each of the first circuit unit 3A and the second circuit unit 4A The general configuration may be different.
  • the electrical circuit configuration of the first circuit unit 3A and the second circuit unit 4A And the physical configuration may be different.
  • each surface acoustic wave device 3 and the evaluation element 4 are band-pass filters. Therefore, when selecting the non-defective product of the surface acoustic wave device 3, the filter characteristics and the like are inspected.
  • Each surface acoustic wave device 3 and the evaluation element 4 are not limited to band-pass filters, and may be resonators, for example. In this case, for example, impedance characteristics and the like may be inspected.
  • the functional electrode 14 of the evaluation element 4 is an IDT electrode, but if there is a correlation between the electrical characteristics of the evaluation element 4 and the electrical characteristics of each surface acoustic wave device 3, the functional electrode 14 is It may not be an IDT electrode. That is, the evaluation element 4 is not necessarily a surface acoustic wave device.
  • the evaluation element 54 may not be provided with the third under bump metal layer. Since the evaluation element 54 is not provided with the third under bump metal layer, the third bump is not provided. Also in this case, it is possible to select a non-defective product and a defective product of the plurality of surface acoustic wave devices by inspecting the electrical characteristics of the evaluation element 54, and the plurality of surface acoustic wave devices in a plan view. Or the evaluation element 54 can be easily identified. The same effect as that of the first embodiment can be obtained even in the configuration in which the third under bump metal layer is provided in the third through hole and the third bump is not provided.
  • FIG. 8 is a partial plan sectional view of the surface acoustic wave device assembly according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view of the surface acoustic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a plan view of an evaluation element according to the second embodiment.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that more ground terminals are arranged than hot terminals. More specifically, the second ground terminals 7b of the evaluation element 24 in the surface acoustic wave device assembly 21 are arranged more than the second hot terminals 6b. Therefore, the fourth bumps 12d that are electrically connected to the second ground terminal 7b are arranged more than the third bumps 12c that are electrically connected to the second hot terminal 6b.
  • the first ground terminals 7a of the plurality of surface acoustic wave devices 23 are arranged more than the first hot terminals 6a. Therefore, the second bumps 12b that are electrically connected to the first ground terminal 7a are arranged more than the first bumps 12a that are electrically connected to the first hot terminal 6a.
  • the third bump 12 c greatly enters the third through hole 10 c. Therefore, the thickness of the third bump 12c in the direction toward the outside of the third through hole 10c with reference to the main surface of the lid member 9 opposite to the second support member 8b side is the fourth bump 12d. Is less than the above thickness.
  • the 1st, 2nd bump 12a in the direction which goes outside the 1st through-hole 10a on the basis of the main surface on the opposite side to the 1st support member 8a side of the cover member 9 shown in FIG. , 12b and the thickness of the fourth bump 12d are approximately the same.
  • FIG. 11 shows a state in which the surface acoustic wave device assembly is fixed with a tape in the back grinding process of the aggregate substrate used in the surface acoustic wave device assembly according to the second embodiment of the present invention.
  • the aggregate substrate 2 is provided with, for example, first and second ground terminals 7a and 7b and first and second hot terminals 6a and 6b after first to fourth bumps 12a to 12d are provided. It is half-cut from the main surface. Thereafter, the aggregate substrate 2 is divided into individual piezoelectric substrates by grinding the main surface opposite to the main surface. Thereby, the surface acoustic wave device assembly 21 is divided into individual surface acoustic wave devices 23. As described above, in this embodiment, the posture when grinding the collective substrate 2 can be stabilized. Therefore, the flatness of the divided piezoelectric substrate can be effectively increased, and the variation in thickness of each piezoelectric substrate can be effectively reduced.
  • FIGS. 14 (a) to 14 (c) are views for explaining a method of manufacturing a surface acoustic wave device assembly as a third embodiment of the present invention.
  • 12 (a) to 12 (e) and FIGS. 13 (a) to 13 (d) one surface acoustic wave device among a plurality of surface acoustic wave devices in the surface acoustic wave device assembly and The manufacturing method of the element for evaluation is shown.
  • a collective substrate 2 is prepared.
  • the IDT electrode 5, the functional electrode 14, the first and second hot terminals 6 a and 6 b, the first and second ground terminals 7 a and 7 b, and the power supply wiring 13 are provided on the collective substrate 2.
  • the first hot terminal 6 a and the first ground terminal 7 a are provided so as to be connected to the IDT electrode 5.
  • the second hot terminal 6 b and the second ground terminal 7 b are provided so as to be connected to the functional electrode 14.
  • the first and second hot terminals 6a and 6b are provided so that the position of the first hot terminal 6a in the surface acoustic wave device 43 and the position of the second hot terminal 6b in the evaluation element 44 are the same.
  • the first and second ground terminals 7a and 7b are provided so that the position of the first ground terminal 7a in the surface acoustic wave device 43 and the position of the second ground terminal 7b in the evaluation element 44 are the same. Thereby, the manufacturing process can be simplified.
  • the power supply wiring 13 is provided along the dicing line I that divides the collective substrate in a later process.
  • the power supply wiring 13 is provided so as to be connected to the first hot terminal 6a and the first and second ground terminals 7a and 7b but not to the second hot terminal 6b.
  • the IDT electrode 5, the functional electrode 14, the first and second hot terminals 6a and 6b, the first and second ground terminals 7a and 7b, and the power supply wiring 13 can be formed by, for example, a CVD method or a sputtering method. it can.
  • wirings 46 and 47 as second layer electrodes are formed on the first and second hot terminals 6a and 6b and on the first and second ground terminals 7a and 7b.
  • the wirings 46 and 47 can be formed by, for example, a CVD method or a sputtering method. Note that the wirings 46 and 47 are not necessarily formed. However, by forming the wirings 46 and 47, the electrical resistances of the first and second hot terminals 6a and 6b and the first and second ground terminals 7a and 7b can be reduced. Therefore, it is preferable to form the wirings 46 and 47.
  • a protective film 45 is provided on the collective substrate 2 so as to cover the IDT electrode 5 and the functional electrode 14.
  • Protective film 45 is made of a dielectric material such as SiO 2.
  • the protective film 45 can be formed by, for example, a CVD method. Note that the protective film 45 is not necessarily provided. However, providing the protective film 45 can make it difficult to damage the IDT electrode 5 and the functional electrode 14. Therefore, it is preferable to provide the protective film 45.
  • the electrical characteristics of the evaluation element 44 are inspected.
  • a part of the protective film 45 is removed so that at least the first and second hot terminals 6a and 6b and the first and second ground terminals 7a and 7b have exposed portions.
  • Inspection is performed by bringing the probe X and probe Y of the inspection apparatus into contact with the wiring 46 on the second hot terminal 6b and the wiring 47 on the second ground terminal 7b at the exposed portion.
  • the non-defective product and the defective product of the plurality of surface acoustic wave devices 43 can be selected. Since only the plurality of surface acoustic wave devices 43 on the aggregate substrate 2 on which the evaluation element 44 determined to satisfy the desired characteristics by the inspection can be put into the subsequent process, the cost is reduced. be able to.
  • the first support member 8 a is provided on the collective substrate 2 so as to cover the first hot terminal 6 a and the first ground terminal 7 a and surround the IDT electrode 5.
  • a second support member 8b is provided on the collective substrate 2 so as to cover the second hot terminal 6b and the second ground terminal 7b and surround the functional electrode 14.
  • the planar shape of the first opening 8a1 of the first support member 8a facing the IDT electrode 5 and the planar shape of the second opening 8b1 of the second supporting member 8b facing the functional electrode 14 are the same.
  • the first and second support members 8a and 8b are provided. Thereby, the manufacturing process can be simplified. Note that the planar shape of the first opening 8a1 and the planar shape of the second opening 8b1 may not be the same.
  • the first and second support members 8a and 8b can be provided by, for example, a photolithography method.
  • the lid member 9 is sealed so as to seal the first opening 8a1 of the first support member 8a and the second opening 8b1 of the second support member 8b. Is provided.
  • the first through hole 10a is provided so as to penetrate the lid member 9 and the first support member 8a and reach the wiring 46 on the first hot terminal 6a.
  • a second through hole 10b is provided so as to penetrate the lid member 9 and the first support member 8a and reach the wiring 47 on the first ground terminal 7a.
  • a third through hole 10c is provided so as to penetrate the lid member 9 and the second support member 8b and reach the wiring 46 on the second hot terminal 6b.
  • a fourth through hole 10d is provided so as to penetrate the lid member 9 and the second support member 8b and reach the wiring 47 on the second ground terminal 7b.
  • the first and second hot terminals 6a are arranged so that the position of the first hot terminal 6a in the surface acoustic wave device 43 and the position of the second hot terminal 6b in the evaluation element 44 are the same.
  • 6b are provided. Therefore, the first and third through holes 10a are arranged so that the arrangement of the first through holes 10a in the first support member 8a and the arrangement of the third through holes 10c in the second support member 8b are the same. , 10c.
  • the first and second ground terminals 7a and 7b are provided so that the position of the first ground terminal 7a in the first circuit portion and the position of the second ground terminal 7b in the second circuit portion are the same. It has been.
  • the second and fourth through holes 10b are arranged so that the arrangement of the second through holes 10b in the first support member 8a is the same as the arrangement of the fourth through holes 10d in the second support member 8b. , 10d. Thereby, the manufacturing process can be simplified.
  • first to fourth under bump metal layers 11a to 11d are provided in the first to fourth through holes 10a to 10d.
  • the first, second, and fourth under bump metal layers 11a, 11b, and 11d are electrolyzed using a power supply wiring 13 connected to the first hot terminal 6a and the first and second ground terminals 7a and 7b. It can be formed by a plating method.
  • the second hot terminal 6 b is not connected to the power supply wiring 13. Therefore, the third under bump metal layer 11c is not formed by the electrolytic plating method using the power supply wiring 13 directly.
  • the wiring 46 on the second hot terminal 6b exposed through the third through hole 10c is electroplated to form the third under bump metal layer 11c.
  • the third under bump metal layer 11c need not be provided. Therefore, a structure or manufacturing method in which the leakage current is less likely to occur may be used.
  • the first to fourth bumps 12a to 12d are provided on the first to fourth under bump metal layers 11a to 11d.
  • the third bump 12c may not be provided.
  • the amount of brazing filler metal used for bumps can be reduced.
  • the manufacturing process can be simplified by providing the first to fourth bumps under the same conditions as in this embodiment.
  • a dicing line I is formed from the main surface on the side where the first and second ground terminals 7a and 7b and the first and second hot terminals 6a and 6b are provided. A half cut is performed at.
  • the surface acoustic wave device assembly is fixed to the tape 35. More specifically, the first, second, and fourth bumps 12a, 12b, and 12d are attached to the tape 35.
  • the main surface opposite to the main surface of the collective substrate 2 is ground. Accordingly, as shown in FIG. 14C, the collective substrate 2 shown in FIG. 14B is divided into individual piezoelectric substrates 42, and is divided into individual surface acoustic wave devices 43 and evaluation elements 44.
  • the portion supporting the tape 35 can be increased. Thereby, the posture of grinding the collective substrate 2 can be effectively stabilized. Therefore, the flatness of each piezoelectric substrate 42 can be effectively increased, and thickness variations can be effectively reduced.
  • a full cut is made from the main surface on the side where the first and second ground terminals 7a and 7b and the first and second hot terminals 6a and 6b are provided. You may go.

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Abstract

　個々の弾性表面波装置に分割する前に良品と不良品とを選別し得る弾性表面波装置集合体を提供する。　弾性表面波装置集合体１は、集合基板２と、集合基板２上に設けられており、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａとを有する複数の第１の回路部３Ａと、集合基板２上に設けられており、第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂとを有する第２の回路部４Ａと、複数の第１の回路部３Ａ及び第２の回路部４Ａの周囲を囲むように集合基板２上に設けられている給電配線１３とを備える。各第１の回路部３Ａは、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置３を構成している。第２の回路部４Ａは帯域通過型フィルタを構成している。複数の第１のグラウンド端子７ａ及び第１のホット端子６ａ並びに第２のグラウンド端子７ｂが給電配線１３に接続されており、第２のホット端子６ｂが給電配線１３に接続されておらず、各弾性表面波装置３の通過帯域と、第２の回路部４Ａにより構成されている帯域通過型フィルタの通過帯域とが同一である。

Description

弾性表面波装置集合体
　本発明は弾性表面波装置に係る弾性表面波装置集合体に関する。
　従来、ＷＬＰ構造を有する弾性表面波装置が携帯電話機などに広く用いられている。
　例えば、下記の特許文献１では、ＷＬＰ構造を有する弾性表面波装置が開示されている。特許文献１の弾性表面波装置においては、圧電基板上のそれぞれの配線にアンダーバンプメタルが接続されている。全てのアンダーバンプメタルは、電解めっき法により形成されている。すなわち、全ての上記配線は、アンダーバンプメタルを形成するに際しては、電解めっき法のための給電配線に接続されている。
国際公開第２０１２／０５００１６号
　しかしながら、特許文献１の弾性表面波装置では、全ての上記配線が給電配線に接続されている。そのため、グラウンド端子とホット端子とが電気的に短絡されている。よって、ダイシングにより個々の弾性表面波装置に分割するまでは、弾性表面波装置の電気的な特性の検査をできず、良品と不良品との選別をすることはできなかった。
　本発明の目的は、個々の弾性表面波装置に分割する前に良品と不良品とを選別し得る弾性表面波装置集合体を提供することにある。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体は、ある広い局面では、圧電体からなる集合基板と、前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線とを備え、各前記第１の回路部は、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、前記第２の回路部は帯域通過型フィルタを構成しており、複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、各前記弾性表面波装置の通過帯域と、前記第２の回路部により構成されている帯域通過型フィルタの通過帯域とが同一である。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体の他の広い局面では、圧電体からなる集合基板と、前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線とを備え、各前記第１の回路部は、弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、前記複数の第１の回路部の電気的な回路構成と前記第２の回路部の電気的な回路構成とが同一である。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体のある特定の局面では、前記集合基板上に設けられており、各前記第１の回路部が臨む第１の開口部をそれぞれ有する複数の第１の支持部材と、前記集合基板上に設けられており、前記第２の回路部が臨む第２の開口部を有する第２の支持部材と、複数の前記第１の開口部及び前記第２の開口部を封止するように、前記複数の第１の支持部材上及び前記第２の支持部材上に設けられている蓋部材とをさらに備え、前記複数の第１の支持部材は、平面視において、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子と重なるように設けられており、前記第２の支持部材は、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子と重なるように設けられており、前記第１の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子を露出させるように複数の第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔が設けられており、前記第２の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子が露出するように第３の貫通孔及び第４の貫通孔が設けられている。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体の他の特定の局面では、前記複数の第１の貫通孔にそれぞれ設けられている第１のアンダーバンプメタル層と、前記複数の第２の貫通孔にそれぞれ設けられている第２のアンダーバンプメタル層と、前記第４の貫通孔に設けられている第４のアンダーバンプメタル層と、をさらに備える。この場合、第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層上にバンプを設けることができる。それによって、バンプを介して実装基板などに実装することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに他の特定の局面では、前記第３の貫通孔にアンダーバンプメタル層が設けられていない。この場合、前記第３の貫通孔にはバンプを設けることはできない。これに対して、前記第１，第２，第４の貫通孔に設けられた前記第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層上にはバンプを設けることができる。前記第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層上に前記バンプを設けた場合、平面視において複数の第１の回路部と第２の回路部とを容易に識別することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体の別の特定の局面では、前記第３の貫通孔に設けられている第３のアンダーバンプメタル層をさらに備え、各前記第１のアンダーバンプメタル層の厚みが前記第３のアンダーバンプメタル層の厚みよりも大きい。この場合、第１～第４のアンダーバンプメタル層上にバンプを設けると、第１のアンダーバンプメタル層上に設けられたバンプと第３のアンダーバンプメタル層上に設けられたバンプとの平面形状を異ならせることができる。それによって、平面視において複数の第１の回路部と第２の回路部とを容易に識別することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、各前記第１のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第１のバンプと、各前記第２のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第２のバンプと、平面視において前記第３の貫通孔と重なる位置に設けられている第３のバンプと、前記第４のアンダーバンプメタル層上に設けられている第４のバンプとをさらに備え、平面視において、各前記第１のバンプに内接する内接円の直径が、前記第３のバンプに内接する内接円の直径よりも大きい。この場合、平面視において複数の第１の回路部と第２の回路部とを容易に識別することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、各前記第１の支持部材の各前記第１の開口部の平面形状と、前記第２の支持部材の前記第２の開口部の平面形状とが同一である。この場合、弾性表面波装置集合体の製造工程を単純化することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、前記第２のグラウンド端子が前記第２のホット端子よりも多く配置されている。この場合、個々の弾性表面波装置に分割するために前記集合基板を研削する際の姿勢を安定化させることができる。それによって、前記集合基板が分割された個々の圧電基板の平坦度を効果的に高めることができ、かつ各圧電基板の厚みのばらつきを効果的に低減することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、各前記第１の支持部材における前記第１及び第２の貫通孔の配置と、前記第２の支持部材における前記第３及び第４の貫通孔の配置とが同一である。この場合、弾性表面波装置集合体の製造工程を単純化することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、前記第２の回路部の前記機能電極が前記複数の第１の回路部の前記ＩＤＴ電極と同様の構成を有するＩＤＴ電極であり、前記複数の第１の回路部と前記第２の回路部との電気的な回路構成及び物理的な構成が同一である。この場合、弾性表面波装置集合体の製造工程を単純化することができる。さらに、第２の回路部を検査することにより、所望の特性により良品と不良品とを選別することができる。
　本発明によれば、個々の弾性表面波装置に分割する前に良品と不良品とを選別し得る弾性表面波装置集合体を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分正面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における評価用素子の正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態における評価用素子の平面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の変形例における評価用素子の正面断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態における評価用素子の平面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体に用いられている集合基板を裏面研削する工程において、テープにより弾性表面波装置集合体を固定している状態を示す図である。 図１２（ａ）～図１２（ｅ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。 図１３（ａ）～図１３（ｄ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。 図１４（ａ）～図１４（ｃ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分正面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。
　弾性表面波装置集合体１は、集合基板２を有する。集合基板２は、カット角４２°のＬｉＴａＯ３基板である。なお、集合基板２は上記の圧電体には限定されず、他のＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶や適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。
　弾性表面波装置集合体１は、集合基板２上に構成されている複数の第１の回路部３Ａを有する。各第１の回路部３Ａは、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置３をそれぞれ構成している。弾性表面波装置集合体１は、集合基板２上に構成されている第２の回路部４Ａも有する。第２の回路部４Ａは、帯域通過型フィルタである評価用素子４を構成している。本実施形態では、評価用素子４も弾性表面波装置である。
　本実施形態では、各第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は同一である。すなわち、各弾性表面波装置３をそれぞれ構成する各素子や配線の配置及び材料と、評価用素子４を構成する各素子や配線の配置及び材料とは同一である。よって、各弾性表面波装置３の通過帯域と評価用素子４の通過帯域とは同一である。
　集合基板２上には、各弾性表面波装置３及び評価用素子４を囲むように、給電配線１３が設けられている。給電配線１３は、個々の弾性表面波装置に分割するダイシングラインに沿うように設けられている。なお、給電配線１３は、後述するアンダーバンプメタル層を電解めっき法により形成するための配線である。
　各弾性表面波装置３は、第１の回路部３Ａをそれぞれ囲むように、集合基板２上に設けられている、第１の支持部材８ａを有する。各第１の回路部３Ａは、各第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１に臨んでいる。評価用素子４は、第２の回路部４Ａを囲むように、集合基板２上に設けられている第２の支持部材８ｂを有する。第２の回路部４Ａは、第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１に臨んでいる。複数の第１の支持部材８ａ及び第２の支持部材８ｂは、樹脂などからなる。
　各弾性表面波装置３は、集合基板２上に設けられている複数の第１のホット端子６ａ及び複数の第１のグラウンド端子７ａを有する。第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａは、給電配線１３に接続されている。評価用素子４は、集合基板２上に設けられている複数の第２のホット端子６ｂ及び複数の第２のグラウンド端子７ｂを有する。第２のグラウンド端子７ｂは給電配線１３に接続されている。他方、第２のホット端子６ｂは給電配線１３に接続されていない。
　各第１のホット端子６ａの各弾性表面波装置３における位置と第２のホット端子６ｂの評価用素子４における位置とは同一である。各第１のグラウンド端子７ａの各弾性表面波装置３における位置と第２のグラウンド端子７ｂの評価用素子４における位置とは同一である。
　図３は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の正面断面図である。
　弾性表面波装置３は、集合基板２上に設けられたＩＤＴ電極５を有する。図２に示した第１の回路部３Ａは、複数のＩＤＴ電極により構成されている。図示されていないが、ＩＤＴ電極５は、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａに接続されている。第１の支持部材８ａは、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａを覆うように、集合基板２上に設けられている。第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１を封止するように、蓋部材９が設けられている。蓋部材９は、樹脂などからなる。
　蓋部材９及び第１の支持部材８ａを貫通するように、第１，第２の貫通孔１０ａ，１０ｂが設けられている。第１の貫通孔１０ａの一端は、第１のホット端子６ａに至っている。第２の貫通孔１０ｂの一端は、第１のグラウンド端子７ａに至っている。第１の貫通孔１０ａには、第１のアンダーバンプメタル層１１ａが設けられている。第２の貫通孔１０ｂには、第２のアンダーバンプメタル層１１ｂが設けられている。第１のアンダーバンプメタル層１１ａ上には、第１のバンプ１２ａが設けられている。第２のアンダーバンプメタル層１１ｂ上には、第２のバンプ１２ｂが設けられている。第１のアンダーバンプメタル層１１ａは、第１のホット端子６ａと第１のバンプ１２ａとを接続している。第２のアンダーバンプメタル層１１ｂは、第１のグラウンド端子７ａと第２のバンプ１２ｂとを接続している。第１，第２のバンプ１２ａ，１２ｂは、はんだなどの適宜のろう材金属からなる。
　なお、図示されていないが、第１の貫通孔及び第１のアンダーバンプメタル層は、複数の第１のホット端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。第２の貫通孔及び第２のアンダーバンプメタル層は、複数の第１のグラウンド端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。
　図４は、本発明の第１の実施形態における評価用素子の正面断面図である。
　評価用素子４は、集合基板２上に設けられた機能電極１４を有する。図２に示した第２の回路部４Ａは、機能電極１４を有する。本実施形態では、評価用素子４は弾性表面波装置３と同一の電気的な回路構成を有する。機能電極１４は、図３に示した弾性表面波装置３のＩＤＴ電極５と同様のＩＤＴ電極である。
　図示されていないが、機能電極１４は、第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂに接続されている。第２の支持部材８ｂは、第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂを覆うように、集合基板２上に設けられている。第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１を封止するように、蓋部材９が設けられている。
　蓋部材９及び第２の支持部材８ｂを貫通するように、第３，第４の貫通孔１０ｃ，１０ｄが設けられている。第３の貫通孔１０ｃの一端は、第２のホット端子６ｂに至っている。第４の貫通孔１０ｄの一端は、第２のグラウンド端子７ｂに至っている。図３に示した第１の支持部材８ａにおける第１の貫通孔１０ａ及び第２の貫通孔１０ｂの配置と、第２の支持部材８ｂにおける第３の貫通孔１０ｃ及び第４の貫通孔１０ｄの配置とは同一である。
　第３の貫通孔１０ｃには、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃが設けられている。第４の貫通孔１０ｄには、第４のアンダーバンプメタル層１１ｄが設けられている。第４のアンダーバンプメタル層１１ｄの厚みは、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃの厚みよりも大きい。図３に示した第１，第２のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂの厚みも、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃの厚みよりも大きい。なお、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは、設けられていなくともよい。
　第３のアンダーバンプメタル層１１ｃ上には、第３のバンプ１２ｃが設けられている。第４のアンダーバンプメタル層１１ｄ上には、第４のバンプ１２ｄが設けられている。第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは、第２のホット端子６ｂと第３のバンプ１２ｃとを接続している。第４のアンダーバンプメタル層１１ｄは、第２のグラウンド端子７ｂと第４のバンプ１２ｄとを接続している。第３，第４のバンプ１２ｃ及び１２ｄは、はんだなどの適宜のろう材金属からなる。
　なお、第３のバンプ１２ｃは、平面視において、第３の貫通孔１０ｃと重なる位置に設けられていればよい。第３のバンプ１２ｃと第３のアンダーバンプメタル層１１ｃとは接続されていなくともよい。
　図示されていないが、第３の貫通孔及び第３のアンダーバンプメタル層は、複数の第２のホット端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。第４の貫通孔及び第４のアンダーバンプメタル層は、複数の第２のグラウンド端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。
　本実施形態の特徴は、弾性表面波装置集合体１が評価用素子４を有し、かつ評価用素子４の第２のホット端子６ｂが給電配線１３に接続されていないことにある。本実施形態によれば、個々の弾性表面波装置に分割される前に良品と不良品とを選別することができる。これを、以下において説明する。
　本実施形態では、複数の弾性表面波装置３の第１の回路部３Ａと、評価用素子４の第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成が同一である。よって、同じ集合基板２上の複数の弾性表面波装置３は、同じ集合基板２上の評価用素子４とほぼ同一の電気的な特性を有する。従って、評価用素子４のフィルタ特性などの電気的な特性を検査して、良品としての性能を満たさないと判定されれば、同じ集合基板２上の複数の弾性表面波装置３も良品としての性能を満たさないと判断することができる。
　評価用素子４と複数の弾性表面波装置３との電気的な回路構成及び物理的な構成は、本実施形態のように同一であることが好ましい。それによって、良品選別をより確実に行うことができる。
　評価用素子４は、例えば、第２の回路部４Ａが設けられた後であり、かつ第２の支持部材８ｂが設けられる前に、電気的な特性を検査すればよい。それによって、個々の弾性表面波装置３に分割される前に、良品と不良品とを選別することができる。よって、良品と判定された複数の弾性表面波装置３のみを後の工程に投入することができるため、コストを低減することができる。
　図４に示すように、評価用素子４の第２のホット端子６ｂは、給電配線１３に接続されていない。そのため、図３及び図４に示した第１～第４のアンダーバンプメタル層１１ａ～１１ｄを電解めっき法により形成するに際し、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは充分に形成されない。よって、第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄの厚みよりも第３のアンダーバンプメタル層１１ｃの厚みは小さい。第１，第２，第４のバンプ１２ａ，１２ｂ，１２ｄは、厚みが大きい第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄ上に設けられている。そのため、第１，第２，第４のバンプ１２ａ，１２ｂ，１２ｄは、第１，第２，第４の貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｄには大きく入り込んでいない。これに対して、厚みが小さい第３アンダーバンプメタル層１１ｃ上に設けられた第３のバンプ１２ｃは、第３の貫通孔１０ｃに大きく入り込んでいる。
　図５は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。図６は、第１の実施形態における評価用素子の平面図である。
　各第１～第４のバンプ１２ａ～１２ｄに内接する内接円を内接円Ａ～Ｄとする。第３のバンプ１２ｃのみ第３の貫通孔１０ｃに大きく入り込んでいるため、内接円Ａ，Ｂ，Ｄの直径Ｒ１よりも、内接円Ｃの直径Ｒ２は小さい。このように、内接円Ｃの直径Ｒ２と内接円Ａ，Ｂ，Ｄの直径Ｒ１の違いから、平面視において、複数の弾性表面波装置３であるか、あるいは評価用素子４であるかを容易に識別することができる。よって、個々の弾性表面波装置３に分割した後に、評価用素子４のみを容易に除去することができる。より具体的には、例えば、個々の弾性表面波装置３を搬送する工程において、搬送装置の画像認識機能により、弾性表面波装置３であるか、あるいは評価用素子４であるかを識別した後に、各弾性表面波装置３のみを搬送することができる。
　なお、各第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成が同一であり、物理的な構成が異なっていてもよい。この場合でも、各弾性表面波装置３の電気的な特性と評価用素子４の電気的な特性とに相関があれば、複数の弾性表面波装置３の良品と不良品とを選別することができる。
　また、本実施形態では、第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は同一であった。なお、各弾性表面波装置３の通過帯域と、評価用素子４の通過帯域とが同一であれば、各第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は異なっていてもよい。
　あるいは、各弾性表面波装置３の電気的な特性と評価用素子４の電気的な特性とに相関があれば、第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は異なっていてもよい。
　本実施形態では、上述したように、各弾性表面波装置３及び評価用素子４は、帯域通過型フィルタである。よって、弾性表面波装置３の良品選別を行うに際しては、フィルタ特性などの検査を行う。なお、各弾性表面波装置３及び評価用素子４は、帯域通過型フィルタには限られず、例えば、共振子などであってもよい。この場合には、例えば、インピーダンス特性などを検査すればよい。
　本実施形態では、評価用素子４の機能電極１４はＩＤＴ電極だが、評価用素子４の電気的な特性と各弾性表面波装置３の電気的な特性とに相関があれば、機能電極１４はＩＤＴ電極ではなくてもよい。すなわち、評価用素子４は、必ずしも弾性表面波装置ではなくてもよい。
　図７に示す変形例のように、評価用素子５４には、第３のアンダーバンプメタル層が設けられていなくてもよい。評価用素子５４には、第３のアンダーバンプメタル層が設けられていないため、第３のバンプも設けられていない。この場合にも、評価用素子５４の電気的な特性の検査を行うことにより、複数の弾性表面波装置の良品と不良品とを選別することができ、かつ平面視において複数の弾性表面波装置であるか、評価用素子５４であるかを容易に識別することができる。なお、第３のアンダーバンプメタル層を第３の貫通孔に設け、第３のバンプを設けない構成においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。図９は、第２の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。図１０は、第２の実施形態における評価用素子の平面図である。
　本実施形態は、グラウンド端子がホット端子よりも多く配置されている点で、第１の実施形態と異なる。より具体的には、弾性表面波装置集合体２１における評価用素子２４の第２のグラウンド端子７ｂは、第２のホット端子６ｂよりも多く配置されている。そのため、第２のグラウンド端子７ｂに電気的に接続されている第４のバンプ１２ｄは、第２のホット端子６ｂに電気的に接続されている第３のバンプ１２ｃよりも多く配置されている。複数の弾性表面波装置２３の第１のグランド端子７ａは、第１のホット端子６ａよりも多く配置されている。そのため、第１のグラウンド端子７ａに電気的に接続されている第２のバンプ１２ｂは、第１のホット端子６ａに電気的に接続されている第１のバンプ１２ａよりも多く配置されている。
　図４で示したように、第３のバンプ１２ｃは、第３の貫通孔１０ｃに大きく入り込んでいる。そのため、蓋部材９の第２の支持部材８ｂ側とは反対側の主面を基準とした第３の貫通孔１０ｃの外側へ向かう方向における第３のバンプ１２ｃの厚みは、第４のバンプ１２ｄの上記厚みよりも小さい。なお、図３で示した、蓋部材９の第１の支持部材８ａ側とは反対側の主面を基準とした第１の貫通孔１０ａの外側へ向かう方向における第１，第２のバンプ１２ａ，１２ｂの厚みと第４のバンプ１２ｄの上記厚みとは同程度である。
　図１１は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体に用いられている集合基板を裏面研削する工程において、テープにより弾性表面波装置集合体を固定している状態を示す図である。
　第２，第４のバンプ１２ｂ，１２ｄ及び図示しない第１のバンプがテープ３５に貼り付けられている。それによって、弾性表面波装置集合体２１が固定されている。本実施形態では、第１のバンプ及び第２のバンプ１２ｂの上記厚みと同程度の上記厚みである第４のバンプ１２ｄが第３のバンプよりも多く配置されている。そのため、同じ高さにおいてテープ３５に貼り付けられている部分を多くすることができる。よって、集合基板２を研削する際の姿勢を効果的に安定化させることができる。
　集合基板２は、例えば、第１～第４のバンプ１２ａ～１２ｄが設けられた後に、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面からハーフカットされる。しかる後、集合基板２は、上記主面と対向する主面を研削されることにより、個々の圧電基板に分割される。それによって、弾性表面波装置集合体２１は、個々の弾性表面波装置２３に分割される。上記のように、本実施形態では、集合基板２を研削する際の姿勢を安定化させることができる。従って、分割された圧電基板の平坦度を効果的に高めることができ、かつ各圧電基板の厚みのばらつきを効果的に低減することができる。
　なお、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面からフルカットすることにより、個々の弾性表面波装置２３に分割してもよい。この場合、集合基板２の上記主面と対向する主面から集合基板２を研削する工程を有しないため、分割された各圧電基板の研削による厚みばらつきなどは生じない。
　次に、第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を以下において説明する。
　図１２（ａ）～図１２（ｅ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。図１３（ａ）～図１３（ｄ）は、第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。図１４（ａ）～図１４（ｃ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。なお、図１２（ａ）～図１２（ｅ）及び図１３（ａ）～図１３（ｄ）では、弾性表面波装置集合体における複数の弾性表面波装置のうちの１つの弾性表面波装置及び評価用素子の製造方法を示す。
　図１２（ａ）に示すように、集合基板２を用意する。次に、集合基板２上にＩＤＴ電極５、機能電極１４、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び給電配線１３を設ける。第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａは、ＩＤＴ電極５に接続されるように設ける。第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂは、機能電極１４に接続されるように設ける。
　第１のホット端子６ａの弾性表面波装置４３における位置と第２のホット端子６ｂの評価用素子４４における位置とが同一になるように、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂを設ける。第１のグラウンド端子７ａの弾性表面波装置４３における位置と第２のグラウンド端子７ｂの評価用素子４４における位置とが同一になるように、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂを設ける。それによって、製造工程を単純化することができる。
　給電配線１３は、後の工程において集合基板を分割するダイシングラインＩに沿うように設ける。給電配線１３は、第１のホット端子６ａ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂに接続され、かつ第２のホット端子６ｂには接続されないように設ける。
　ＩＤＴ電極５、機能電極１４、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び給電配線１３は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成することができる。
　次に、図１２（ｂ）のように、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ上及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ上に二層目の電極としての配線４６，４７を設ける。配線４６，４７を形成するに際しては、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成することができる。なお、配線４６，４７は必ずしも形成しなくてもよい。もっとも、配線４６，４７を形成することにより、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂにおける電気抵抗を小さくすることができる。そのため、配線４６，４７を形成することが好ましい。
　次に、図１２（ｃ）のように、ＩＤＴ電極５及び機能電極１４を覆うように、集合基板２上に保護膜４５を設ける。保護膜４５は、ＳｉＯ２などの誘電体からなる。保護膜４５は、例えば、ＣＶＤ法などにより形成することができる。なお、保護膜４５は必ずしも設けなくてもよい。もっとも、保護膜４５を設けることにより、ＩＤＴ電極５及び機能電極１４を破損し難くすることができる。そのため、保護膜４５を設けることが好ましい。
　次に、図１２（ｄ）に示すように、評価用素子４４の電気的な特性の検査を行う。少なくとも第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂの一部が露出する露出部を有するように保護膜４５の一部を除去する。検査装置のプローブＸ及びプローブＹを第２のホット端子６ｂ上の配線４６及び第２のグラウンド端子７ｂ上の配線４７に露出部で接触させ、検査を行う。それによって、個々の弾性表面波装置４３に分割する前に、複数の弾性表面波装置４３の良品と不良品とを選別することができる。上記検査により所望の特性を満たすと判定された評価用素子４４が構成されている集合基板２上の複数の弾性表面波装置４３のみを後の工程に投入することができるため、コストを低減することができる。
　次に、図１２（ｅ）に示すように、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａを覆い、かつＩＤＴ電極５を囲むように、集合基板２上に第１の支持部材８ａを設ける。第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂを覆い、かつ機能電極１４を囲むように、集合基板２上に第２の支持部材８ｂを設ける。ＩＤＴ電極５が臨む第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１の平面形状と、機能電極１４が臨む第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１の平面形状とが同一になるように、第１，第２の支持部材８ａ，８ｂを設ける。それによって、製造工程を単純化することができる。なお、第１の開口部８ａ１の平面形状と第２の開口部８ｂ１の平面形状とは同一ではなくてもよい。
　第１，第２の支持部材８ａ，８ｂは、例えば、フォトリソグラフィー法により設けることができる。
　次に、図１３（ａ）に示すように、第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１及び第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１を封止するように、蓋部材９を設ける。
　次に、図１３（ｂ）に示すように、蓋部材９及び第１の支持部材８ａを貫通し、かつ第１のホット端子６ａ上の配線４６に至るように第１の貫通孔１０ａを設ける。蓋部材９及び第１の支持部材８ａを貫通し、かつ第１のグラウンド端子７ａ上の配線４７に至るように第２の貫通孔１０ｂを設ける。蓋部材９及び第２の支持部材８ｂを貫通し、かつ第２のホット端子６ｂ上の配線４６に至るように第３の貫通孔１０ｃを設ける。蓋部材９及び第２の支持部材８ｂを貫通し、かつ第２のグラウンド端子７ｂ上の配線４７に至るように第４の貫通孔１０ｄを設ける。
　上述したように、第１のホット端子６ａの弾性表面波装置４３における位置と第２のホット端子６ｂの評価用素子４４における位置とが同一になるように、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂは設けられている。そのため、第１の支持部材８ａにおける第１の貫通孔１０ａの配置と第２の支持部材８ｂにおける第３の貫通孔１０ｃの配置とが同一になるように、第１，第３の貫通孔１０ａ，１０ｃを設ける。第１のグラウンド端子７ａの第１の回路部における位置と第２のグラウンド端子７ｂの第２の回路部における位置とが同一になるように、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂは設けられている。そのため、第１の支持部材８ａにおける第２の貫通孔１０ｂの配置と第２の支持部材８ｂにおける第４の貫通孔１０ｄの配置とが同一になるように、第２，第４の貫通孔１０ｂ，１０ｄを設ける。それによって、製造工程を単純化することができる。
　次に、図１３（ｃ）に示すように、第１～第４の貫通孔１０ａ～１０ｄに第１～第４のアンダーバンプメタル層１１ａ～１１ｄを設ける。第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄは、第１のホット端子６ａ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂに接続されている給電配線１３を用いた電解めっき法により形成することができる。他方、第２のホット端子６ｂは、給電配線１３に接続されていない。そのため、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは、給電配線１３を直接用いた電解めっき法によっては形成されない。第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄを形成するに際して、漏洩電流が発生する。該漏洩電流により、第３の貫通孔１０ｃにより露出した第２のホット端子６ｂ上の配線４６に電解めっきされ、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃが形成される。なお、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは設けなくてもよい。よって、上記漏洩電流が発生し難い構造または製造方法を用いてもよい。
　次に、図１３（ｄ）に示すように、第１～第４のアンダーバンプメタル層１１ａ～１１ｄ上に第１～第４のバンプ１２ａ～１２ｄを設ける。なお、第３のバンプ１２ｃは設けなくてもよい。それによって、バンプに用いるろう材金属の使用量を削減することができる。もっとも、本実施形態のように、第１～第４のバンプを同条件で設けることにより、製造工程を単純化することができる。
　次に、図１４（ａ）に示すように、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面から、ダイシングラインＩにおいてハーフカットを行う。次に、図１４（ｂ）に示すように、弾性表面波装置集合体をテープ３５に固定する。より具体的には、第１，第２，第４のバンプ１２ａ，１２ｂ，１２ｄをテープ３５に貼り付ける。
　しかる後、集合基板２の上記主面と対向する主面を研削する。それによって、図１４（ｃ）に示すように、図１４（ｂ）に示した集合基板２は個々の圧電基板４２に分割され、個々の弾性表面波装置４３と評価用素子４４とに分割される。
　第２のグラウンド端子７ｂ、第４のアンダーバンプメタル層１１ｄ及び第４のバンプ１２ｄを第２のホット端子６ｂ、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃ及び第３のバンプ１２ｃよりも多く配置することにより、テープ３５を支持する部分を多くすることができる。それによって、集合基板２を研削する姿勢を効果的に安定化させることができる。従って、個々の圧電基板４２の平坦度を効果的に高めることができ、かつ厚みばらつきを効果的に低減することができる。
　なお、個々の弾性表面波装置４３に分割するに際し、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面からフルカットを行ってもよい。
　１…弾性表面波装置集合体
　２…集合基板
　３…弾性表面波装置
　３Ａ…第１の回路部
　４…評価用素子
　４Ａ…第２の回路部
　５…ＩＤＴ電極
　６ａ，６ｂ…第１，第２のホット端子
　７ａ，７ｂ…第１，第２のグラウンド端子
　８ａ，８ｂ…第１，第２の支持部材
　８ａ１，８ｂ１…第１，第２の開口部
　９…蓋部材
　１０ａ～１０ｄ…第１～第４の貫通孔
　１１ａ～１１ｄ…第１～第４のアンダーバンプメタル層
　１２ａ～１２ｄ…第１～第４のバンプ
　１３…給電配線
　１４…機能電極
　２１…弾性表面波装置集合体
　２３…弾性表面波装置
　２４…評価用素子
　３５…テープ
　４２…圧電基板
　４３…弾性表面波装置
　４４…評価用素子
　４５…保護膜
　４６，４７…配線
　５４…評価用素子
　Ｘ，Ｙ…プローブ

Claims (11)

  1. 　圧電体からなる集合基板と、
    　前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、
    　前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、
    　前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線と、
    を備え、
    　各前記第１の回路部は、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、前記第２の回路部は帯域通過型フィルタを構成しており、
    　複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、
    　各前記弾性表面波装置の通過帯域と、前記第２の回路部により構成されている帯域通過型フィルタの通過帯域とが同一である、弾性表面波装置集合体。
  2. 　圧電体からなる集合基板と、
    　前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、
    　前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、
    　前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線と、
    を備え、
    　各前記第１の回路部は、弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、
    　複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、
    　前記複数の第１の回路部の電気的な回路構成と前記第２の回路部の電気的な回路構成とが同一である、弾性表面波装置集合体。
  3. 　前記集合基板上に設けられており、各前記第１の回路部が臨む第１の開口部をそれぞれ有する複数の第１の支持部材と、
    　前記集合基板上に設けられており、前記第２の回路部が臨む第２の開口部を有する第２の支持部材と、
    　複数の前記第１の開口部及び前記第２の開口部を封止するように、前記複数の第１の支持部材上及び前記第２の支持部材上に設けられている蓋部材と、
    をさらに備え、
    　前記複数の第１の支持部材は、平面視において、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子と重なるように設けられており、前記第２の支持部材は、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子と重なるように設けられており、
    　前記第１の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子を露出させるように複数の第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔が設けられており、前記第２の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子が露出するように第３の貫通孔及び第４の貫通孔が設けられている、請求項１または２に記載の弾性表面波装置集合体。
  4. 　前記複数の第１の貫通孔にそれぞれ設けられている第１のアンダーバンプメタル層と、
    　前記複数の第２の貫通孔にそれぞれ設けられている第２のアンダーバンプメタル層と、
    　前記第４の貫通孔に設けられている第４のアンダーバンプメタル層と、
    をさらに備える、請求項３に記載の弾性表面波装置集合体。
  5. 　前記第３の貫通孔にアンダーバンプメタル層が設けられていない、請求項４に記載の弾性表面波装置集合体。
  6. 　前記第３の貫通孔に設けられている第３のアンダーバンプメタル層をさらに備え、
    　各前記第１のアンダーバンプメタル層の厚みが前記第３のアンダーバンプメタル層の厚みよりも大きい、請求項４に記載の弾性表面波装置集合体。
  7. 　各前記第１のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第１のバンプと、
    　各前記第２のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第２のバンプと、
    　平面視において前記第３の貫通孔と重なる位置に設けられている第３のバンプと、
    　前記第４のアンダーバンプメタル層上に設けられている第４のバンプと、
    をさらに備え、
    　平面視において、各前記第１のバンプに内接する内接円の直径が、前記第３のバンプに内接する内接円の直径よりも大きい、請求項６に記載の弾性表面波装置集合体。
  8. 　各前記第１の支持部材の各前記第１の開口部の平面形状と、前記第２の支持部材の前記第２の開口部の平面形状とが同一である、請求項３～７のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
  9. 　前記第２のグラウンド端子が前記第２のホット端子よりも多く配置されている、請求項３～８のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
  10. 　各前記第１の支持部材における前記第１及び第２の貫通孔の配置と、前記第２の支持部材における前記第３及び第４の貫通孔の配置とが同一である、請求項３～９のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
  11. 　前記第２の回路部の前記機能電極が前記複数の第１の回路部の前記ＩＤＴ電極と同様の構成を有するＩＤＴ電極であり、前記複数の第１の回路部と前記第２の回路部との電気的な回路構成及び物理的な構成が同一である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
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