WO2016121075A1 - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016121075A1
WO2016121075A1 PCT/JP2015/052609 JP2015052609W WO2016121075A1 WO 2016121075 A1 WO2016121075 A1 WO 2016121075A1 JP 2015052609 W JP2015052609 W JP 2015052609W WO 2016121075 A1 WO2016121075 A1 WO 2016121075A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
air
valve
vacuum processing
gas
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/052609
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
芳文 小川
角谷　匡規
真一 磯崎
暢英 布村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to CN201580001457.7A priority Critical patent/CN106029214B/zh
Priority to JP2015562608A priority patent/JP6047672B1/ja
Priority to PCT/JP2015/052609 priority patent/WO2016121075A1/ja
Priority to US14/908,452 priority patent/US10121686B2/en
Priority to KR1020167002543A priority patent/KR101842527B1/ko
Priority to TW106102173A priority patent/TWI626084B/zh
Priority to TW104143367A priority patent/TWI592212B/zh
Publication of WO2016121075A1 publication Critical patent/WO2016121075A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/02—Feed or outlet devices therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
    • F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B20/00—Safety arrangements for fluid actuator systems; Applications of safety devices in fluid actuator systems; Emergency measures for fluid actuator systems
    • F15B20/008—Valve failure
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/12—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid
    • F16K31/122—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston
    • F16K31/124—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston servo actuated
    • F16K31/1245—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston servo actuated with more than one valve
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/12—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid
    • F16K31/126—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a diaphragm, bellows, or the like
    • F16K31/128—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a diaphragm, bellows, or the like servo actuated

Definitions

  • the present invention relates to a vacuum processing apparatus that performs processing such as etching, Chemical Vapor Deposition (hereinafter referred to as CVD), ashing, surface modification, etc., on a workpiece using a process gas.
  • processing such as etching, Chemical Vapor Deposition (hereinafter referred to as CVD), ashing, surface modification, etc.
  • process gases are now lacking in the manufacture of semiconductor devices and the production of electrical devices such as liquid crystals and solar cells. It is an important industrial machine that cannot be used.
  • Control of these process gases is performed by opening and closing valves called stop valves and gas valves provided downstream of the mass flow controller via a flow controller such as the mass flow controller according to the process recipe step information. It is realized by controlling.
  • the process gas introduced into the processing chamber or reaction reactor is turned into plasma or reacted at a high temperature to process the material to be processed, such as etching, CVD, ashing, surface modification, diffusion, etc. Apply.
  • a process gas of several cubic centimeters / minute to several liters / minute is flowed through the stop valves and gas valves that constitute these gas supply systems, and they are opened and closed according to a complicated recipe step structure, so that durability and reliability are further improved. Cleanliness is required to suppress adhesion of foreign matter to the workpiece.
  • the valve has a cylinder that is operated by applying air pressure of about 0.3 MPa to 0.65 MPa to open the valve. Normally closed valves are used that close when the air supply is stopped and the air pressure in the cylinder is released. The valve is closed by the pressing force of the spring. Diaphragms and bellows are used as movable parts in the gas contact part to prevent leakage of process gas to the outside. When the device energization is turned off for safety, a normally closed type valve that closes the valve to stop the gas supply is frequently used in the gas supply system.
  • An electromagnetic valve (solenoid valve) is used to supply an air signal for opening these valves.
  • An air signal is generated according to the electrical signal On / Off.
  • process gases that are subject to control include gases that are flammable and flammable, as well as toxic and corrosive. Various interlock functions are available to safely use, mix, and react these gases. It is designed so that it can be safely processed and processed by holding the device.
  • Patent Document 1 As an example of providing an interlock function in a circuit for controlling air pressure for controlling valve opening / closing, there is a means disclosed in Patent Document 1.
  • Double interlocking hardware is usually required as a foolproof function for interlocks that prevent malfunctions.
  • the opening and closing operation of these process gas valves using an electrical relay circuit, etc., according to the pressure signal and the circuit studied in advance, the mutual opening and closing operation between different valves is controlled, abnormal reaction, It is devised to prevent gas leakage and gas source contamination (mixing with other gases).
  • the software that controls the device is also designed to avoid dangerous operations that have been entered incorrectly or intentionally based on the interlock concept, but in many cases the soft interlock has a foolproof function. As insufficient. For this reason, in addition to an electrical interlock, yet another device is required.
  • One of the methods is to immediately stop the gas supply when an abnormality occurs or when an abnormal operation is instructed.
  • the process gas valve When the gas leak sensor provided in the room detects gas, for example, the process gas valve is closed by electrically cutting off the supply to the above-described electromagnetic valve so that no air signal is generated. At the same time, by having the function of cutting off the supply of air to the solenoid valve as energy, we try to eliminate the energy itself for opening the valve from the pipe. Thus, the supply of process gas can be stopped electrically and mechanically.
  • the signal of this vacuum gauge is used for electrical interlocking of the combustible gas valve opening and the combustion supporting gas valve opening. Furthermore, in an apparatus using a corrosive gas (for example, an etching apparatus), in order to reduce the process gas piping exposed to the atmosphere for maintenance as much as possible and suppress the generation of foreign matter such as rust, a processing chamber or a reaction reactor ( A final stage valve is provided near the chamber.
  • a corrosive gas for example, an etching apparatus
  • a final stage valve is provided near the chamber.
  • the gas from the nitrogen gas source with low reaction rate is used to fill the piping with safe gas.
  • An N2 purge line is provided upstream of the mass flow controller.
  • a check valve is usually provided to prevent the process gas from flowing back into the piping of the N2 purge line, and the N2 purge pressure is set higher than the pressure of the process gas to prevent backflow.
  • an interlock is required to prevent the purge N2 gas supply valve and the process gas supply source valve from opening simultaneously.
  • a highly reliable valve is used so that the probability that the two valves fail simultaneously is extremely low. Therefore, as a foolproof function, it is necessary to separately provide an interlock that prevents the two valves from being opened simultaneously, in addition to an electrical interlock that is not opened unless a vacuum is applied.
  • the gas is supplied to the downstream side of the normal gas line and the exhaust gas flowing through the final stage valve so as to come into contact with the object to be processed in the processing chamber or reaction reactor (chamber) for processing.
  • Some devices have a line to throw away.
  • the gas piping is connected before and after the compressible turbomolecular pump. For example, if the valve for the final stage and the piping for discarding the gas are simultaneously opened, the compression downstream of the turbomolecular pump is performed. The gas thus made flows back through the gas pipe from the final stage valve into the processing chamber or reaction reactor (chamber).
  • the present invention provides a vacuum processing apparatus including a gas supply means having a hard interlock of a pair of gas valves.
  • the present invention relates to a vacuum processing apparatus including a gas supply unit that supplies a gas for performing vacuum processing to a processing chamber in which the vacuum processing is performed using a normally closed type air-driven valve.
  • An air circuit that has an interlock function that closes the other of the pair of valves when one of the air-driven valves is open, and that controls air for driving the air-driven bubble;
  • the circuit is configured using an electromagnetic valve having a solenoid coil corresponding to each of the pair of air drive valves.
  • the present invention also provides a gas for controlling the air for driving the air-driven bubble by supplying a gas for performing the vacuum processing to the processing chamber where the vacuum processing is performed using a normally closed type air-driven valve.
  • the air circuit includes a logic air circuit unit that constitutes an OR or AND of a logic circuit serving as an opening / closing condition of the air drive valve.
  • a hard interlock of a pair of gas valves can be configured.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a vacuum processing apparatus using a process gas according to the present invention. It is a control system diagram of an air signal concerning the present invention. It is a control system diagram of the air signal which comprises a logic circuit. It is a control system diagram of an air signal concerning the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a vacuum processing apparatus using a process gas according to the present invention.
  • a range surrounded by AA indicates a gas supply system (mass flow controller unit: hereinafter referred to as MFC).
  • MFC mass flow controller unit
  • Process gases other than those shown in the figure, a pressure detector, a gas regulator for adjusting the supply pressure, and the like may be configured inside.
  • a range surrounded by BB is a gas exhaust system, and a dry pump, an exhaust gas treatment device and the like (not shown) are provided downstream from this.
  • a wafer or the like (not shown) that is an object to be processed is placed inside the processing chamber 1.
  • the main valve 2 is provided for the purpose of protecting the exhaust system from oxygen and moisture in the atmosphere when the processing chamber 1 is exposed to the atmosphere for maintenance or the like.
  • the pressure regulating valve 3 is for obtaining a desired pressure in the processing chamber 1 by changing the conductance inside thereof.
  • the turbomolecular pump 4 is disposed for the purpose of exhausting the process gas supplied to the processing chamber 1 with high compression.
  • An angle valve 5 is used downstream of the turbo molecular pump 4 to keep the turbo molecular pump 4 in a vacuum when the exhaust system is stopped.
  • the pressure gauge 6 is a processing chamber pressure gauge
  • the pressure gauge 7 is an exhaust line pressure gauge.
  • the process gas in the gas supply system AA is controlled in flow rate by each MFC during use and mixed in the process gas collecting pipe 8. This mixed gas is guided to the processing chamber 1 through the gas supply pipe 9 to the processing chamber 1 and the final stage valve V0 at some times. In some cases, the waste gas is discarded to the exhaust system BB via the exhaust gas exhaust pipe 10 and the discarded gas valve V00.
  • the valve V1 is a valve at the outlet (downstream) of the flammable gas MFC
  • the valve V2 is a valve at the outlet (downstream) of the flammable gas MFC.
  • the valve V11 is a process gas supply (upstream) valve for combustible gas
  • the valve V21 is a process gas supply (upstream) valve for combustible gas.
  • Downstream of each MFC is an N2 purge valve V12 for supplying a combustible gas purge N2 and an N2 purge valve V22 for supplying a combustion-supporting gas purge N2, respectively. It is connected with the process gas supply (upstream) valve.
  • valve V11 which is a process gas supply (upstream) valve for combustible gas
  • N12 purge valve V12 the combination of valve V21, which is a process gas supply (upstream) valve for combustion-supporting gas, and valve V22 for N2 purge It is.
  • process gas supply (upstream) valves V11 and V21 do not generate gas turbidity due to the gas flowing downstream, so that either the final stage valve V0 or the waste gas valve V00 is used. It must be possible to open it only in the open state.
  • FIG. 2 is a control system diagram of the air signal of the vacuum processing apparatus shown in FIG.
  • the air supply line 15 is supplied with pressurized air from an air source.
  • the air discharge line 16 discharges air in the cylinder after driving the valve from this line.
  • the solenoid coil excitation elements S0 to S22 are solenoid coil excitation elements for generating air for opening the process gas valves.
  • each solenoid coil (indicated by the same number) is excited and pressurized by an air signal (air supply) to be opened.
  • the 3-position spring return center exhaust type 5-port solenoid valve 21, 24, and 25 is not supplied with air and is in a state of air bleeding through the air discharge line 16.
  • the 2-position spring return type solenoid valves 22 and 23 are a combustible gas MFC outlet (downstream) valve V1 and a combustion-supporting gas MFC outlet (downstream), respectively, according to an opening command for exciting the solenoid coil excitation elements S1 and S2.
  • Air for opening the valve V2, which is a valve, is generated.
  • the pilot valve P1 is an air signal forming pilot valve, and forms a pilot air signal line 17. Pilot valves P2 to P5 driven by the pilot air signal line 17 are pilot valves.
  • Excitation elements S0 and S00 for solenoid coil are arranged at both ends of the 3-position spring return center exhaust type 5-port solenoid valve 21, so an air signal is always formed only on the excited side, and the final stage bubble V0 and waste gas It is possible to prevent both valves V00 from being opened simultaneously.
  • the 3-position spring return center exhaust type 5-port solenoid valve 24 prevents both the valve V11 and the N2 purge valve V12 from opening simultaneously
  • the 3-position spring return center exhaust type 5-port solenoid valve 25 prevents the valve from opening. Both V21 and N2 purge valve V22 are prevented from opening simultaneously.
  • the final stage valve V0 opens.
  • the pilot valve P1 which is an air signal forming pilot valve, is driven to generate an air signal in the pilot air signal line 17, and the pilot valves P2 to P5 are driven so that the inside of the pilot valve can pass.
  • the operation of each valve when the solenoid coil excitation element S0 is turned off is also omitted because each valve operates in the same manner as when the solenoid coil excitation element S00 is turned off.
  • an air circuit that can open the valves V1, V2, V11, and V21 can be formed only when either the final stage valve V0 or the waste gas valve V00 is open.
  • N2 purge valves V12 and V22 which are nitrogen purge lines, need to be purged during replacement of AA gas supply system, such as valves and mass flow controllers, and maintenance work. Therefore, even if neither the final stage valve V0 nor the waste gas valve V00 is open, it will be open and N2 purge must be possible, so the N2 purge directly without going through the pilot valve using the pilot air signal line 17
  • the valves V12 and V22 can be opened directly by turning on the solenoid coil excitation elements S12 and S22.
  • an interlock that cannot be opened at the same time as the object of the present invention, or an interlock that cannot be opened unless one is opened, can be formed by the present air circuit.
  • an example of control by an OR (or) logic circuit on condition that one of the valves is open is shown, but a configuration in which a plurality of valves are arranged in series on the downstream side. It goes without saying that an air circuit of an AND logic circuit is formed.
  • valve D is a valve that must not be opened unless all of valve A, valve B, and valve C arranged in series on the downstream side are in an open state. That is, the air circuit of FIG. 3A, which is an example of one-valve drive control, can have an AND logic circuit interlock function.
  • FIG. 3B which is an example of two-valve drive control
  • both the valve D and the valve E are valves that should not be opened unless all of the above valves A, B and C are open.
  • the means of FIG. 3 (b) for forming a control pilot signal (air pressure) has the advantage that the total number of pilot valves and control elements can be reduced. In this way, an air circuit may be assembled with an AND logic circuit.
  • FIG. 4 Another embodiment will be described with reference to FIG. The difference from the configuration of FIG. 2 is that the air pressure of the pilot air signal line 17 is directly used as driving air for opening the valves V1 and V2.
  • the air pressure is supplied to the pilot air signal line 17, that is, when either the final stage valve V0 or the waste gas valve V00 is open, the solenoid coil excitation element S1 and the solenoid S2 are turned on, respectively.
  • V1 and V2 can be open.
  • the configuration of FIG. 4 has an advantage that the 3-position spring return center exhaust type 5-port solenoid valves 21, 24, 25 can be arranged in a manifold type with a good spatial arrangement.
  • the air signal itself opened by the downstream valve is supplied via a pilot valve that uses the pilot signal as a pilot signal. Therefore, when the downstream valve is closed first, the upstream supply valve is also automatically closed, so that it is possible to prevent the process gases from continuing to be mixed in the pipe.
  • these mechanical interlocks and a relay circuit that does not flow unless electrically in vacuum can be applied to the excitation of the solenoid to form a double interlock.
  • the present invention may be provided on the hardware interlock in a software manner.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Fluid-Pressure Circuits (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Fluid-Driven Valves (AREA)

Abstract

　本発明は、一対のガスバルブのハードインターロックを有するガス供給手段を備える真空処理装置を提供する。　本発明は、ノーマルクローズ型のエアー駆動バルブを用いて真空処理を行うためのガスを前記真空処理が行われる処理室に供給するガス供給部を備える真空処理装置において、前記ガス供給部は、一対の前記エアー駆動バルブの一方が開の場合、前記一対のバルブの他方が閉となるインターロック機能を有し、前記エアー駆動バブルを駆動するためのエアーを制御するエアー回路を具備し、前記エアー回路は、前記一対のエアー駆動バルブの各々に対応するソレノイドコイルを有する電磁弁を用いて構成されていることを特徴とする。

Description

真空処理装置
　本発明は、プロセスガスを用いてエッチング、Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ(以下、ＣＶＤと称する)、アッシング、表面改質等の処理を被処理物に行う真空処理装置に関する。
　例えば、半導体素子製造や、液晶、太陽電池といった電気素子の製作に、プロセスガスと呼ばれる高純度なさまざまな性質のガスを用いて、ウエハ等の被処理材料に処理を施す製造装置は今や欠くことのできない重要な産業機械である。これらプロセスガスの制御は、処理のレシピのステップの情報に従って、マス・フロー・コントローラなどの流量制御器を介してマス・フロー・コントローラの下流側に設けたストップバルブやガスバルブなどと呼ばれるバルブを開閉制御することで実現される。
　実際の処理は、処理室や反応リアクタ（チャンバー）に導入されたプロセスガスをプラズマ化したり、高温で反応させたりして、被処理材料にエッチング、ＣＶＤ、アッシング、表面改質、拡散等の処理を施す。これらガス供給系を構成するストップバルブやガスバルブなどには、数立方ｃｍ／分から数リットル／分のプロセスガスが流され、複雑なレシピのステップ構成に従い開閉するので、耐久性や信頼性、更に被加工物への異物の付着を抑制するための清浄性が要求される。
　バルブにはシリンダがあり、０．３ＭＰａ～０．６５ＭＰａ程度のエアー圧をかけることで動作させ、バルブを開ける。エアーの供給を止め、シリンダ内のエアー圧を逃がすと閉動作となる通常ノーマルクローズ型のバルブが用いられる。バネの押し付け力でバルブは閉まる。接ガス部にダイヤフラムやベローズを可動部として用いていて外部へのプロセスガスの漏洩を防止している。安全のため装置通電がＯｆｆした場合、ガス供給を停止させるためにバルブを閉とするノーマルクローズ型バルブがガス供給系で多用される。
　これらバルブに開動作をさせるためのエアー信号の供給には、電磁弁(ソレノイドバルブ)が用いられる。電気信号のＯｎ／Ｏｆｆに従ってエアー信号を発生させる。一方、制御の対象であるプロセスガスには、可燃性や支燃性、さらには毒性や腐食性を持つガスがあり、これらを安全に使用、混合、反応させるためにはさまざまなインタ-ロック機能を装置に持たせて、安全に処理、加工できるように配慮されている。
　また、バルブ開閉を制御するエアー圧をコントロールする回路で、インターロック機能を持たせた例としては、特許文献１に開示された手段がある。
特開平５－７７６３号公報
　通常誤動作を防止するインターロックにはフールプルーフ機能としてハードの2重の仕掛けが要求される。これらプロセスガスのバルブの開閉動作においては、電気的なリレー回路等を用いて、圧力信号や事前に検討された回路に従い、異なるバルブ間の相互の開閉動作を制御して、異常な反応や、ガスの漏洩、ガス源の汚染（他のガスとの混合）が発生しないように工夫される。
　もちろん装置を制御するソフトウエアにも、間違って、または故意に入力された危険な操作を回避するための制御がインターロック思想で構築されてはいるが、多くの場合ソフトインターロックはフールプルーフ機能としては不十分とされる。このため、電気的なインターロックに加えてさらにもうひとつの別の仕掛けが要求される。そのひとつの方法は、異常が発生した場合、または異常操作が指示された場合に、直ちにガスの供給を停止させることがある。
　室内に設けたガス漏洩センサーがガスを検知した場合には、例えば、上述の電磁弁への供給を電気的に断つことで全てのエアー信号が発生しないようにして、プロセスガスのバルブを閉じる。同時にエネルギーとしての電磁弁へのエアーの供給を断つ機能を持つことで、バルブを開けるエネルギーそのものを配管内から無くすことを試みる。これで、電気的及びメカニカル的に2重でプロセスガスの供給を停止できる。
　ところで、上述のようにガス漏洩に対する全停止のインターロックのみでなく、実際のプロセスガスを用いているときのインターロックも必要である。通常は、ガスが流される下流側の処理室や反応リアクタ（チャンバー）側で一定圧力（例えば500Pa）以下を真空計が検知した場合、可燃性ガスと支燃性ガスを混合して流して、たとえ急激に反応が起こっても問題ないように装置が作られている。
　この装置に対しては、この真空計の信号を可燃性ガスバルブ開と支燃性ガスバルブ開の電気的なインターロックに用いる。更に腐食性のガスを用いる装置（例えばエッチング装置）においては、メンテナンス等で大気下に暴露されるプロセスガス配管を極力減らして、錆等の異物発生を抑制するために、処理室や反応リアクタ（チャンバー）の間近に最終段のバルブが設けられる。
　真空でないと開しない（流せない）という上述の信号だけでなく、この最終段のバルブが開いているときにだけ可燃性や支燃性のガスの出口バルブが開けられるようにしないといけない。そうでないと、配管を通じて供給圧の高い方のガスが低い方のガスへ流れて可燃性ガスと支燃性ガスとは混合して高圧となり、非常に危険な状態になる。
　また、マス・フロー・コントローラやこれらガスバルブをメンテナンスで交換する場合には、毒性や腐食性のガスを追い出したりする目的で配管内を安全なガスで満たすために反応生の低い窒素ガス源からのN2パージラインがマス・フロー・コントローラの上流側に設けてある。プロセスガスがN2パージラインの配管内に逆流しないように通常、逆止弁が設けてあり、N2パージ圧は、プロセスガスの圧力より高く設定して逆流を防止している。
　それだけでなく、このパージN2のガス供給のためのバルブと、プロセスガスの供給元バルブが同時に開かないようにするインターロックが必要である。通常、この二つのバルブが同時に故障する確率は極めて低くなるように信頼性を高めたバルブが使用される。従ってフールプルーフ機能として、真空で無いと開とさせない電気的なインターロック以外にこの２つのバルブが同時に開とならないようなインターロックを別に設ける必要がある。
　更に、ガス供給系においては、処理するために処理室や反応リアクタ（チャンバー）内の被処理物に接触するように最終段のバルブを介して流す通常のガスラインと排気の下流側にガスを捨てるためのラインを設けている装置もある。この場合、圧縮性のターボモレキュラーポンプの前後にガス配管が接続されていることになるが、例えば、最終段のバルブとガスを捨てる配管のバルブが同時に開となると、ターボモレキュラーポンプの下流の圧縮されたガスがガス配管を介して最終段バルブから処理室や反応リアクタ（チャンバー）内に気体を逆流することになる。安全上は問題が無い場合があるかもしれないが、処理室や反応リアクタ（チャンバー）内には下流の汚染された雰囲気や成分、異物が供給されて、処理自体ができなくなってしまう。
　以上のような課題を鑑みて本発明は、一対のガスバルブのハードインターロックを有するガス供給手段を備える真空処理装置を提供する。
　本発明は、ノーマルクローズ型のエアー駆動バルブを用いて真空処理を行うためのガスを前記真空処理が行われる処理室に供給するガス供給部を備える真空処理装置において、前記ガス供給部は、一対の前記エアー駆動バルブの一方が開の場合、前記一対のバルブの他方が閉となるインターロック機能を有し、前記エアー駆動バブルを駆動するためのエアーを制御するエアー回路を具備し、前記エアー回路は、前記一対のエアー駆動バルブの各々に対応するソレノイドコイルを有する電磁弁を用いて構成されていることを特徴とする。
　また、本発明は、ノーマルクローズ型のエアー駆動バルブを用いて真空処理を行うためのガスを前記真空処理が行われる処理室に供給し、前記エアー駆動バブルを駆動するためのエアーを制御するエアー回路を具備するガス供給部を備える真空処理装置において、前記エアー回路は、前記エアー駆動バルブの開閉条件となる論理回路のＯＲまたはＡＮＤを構成する論理エアー回路部を具備することを特徴とする。
本発明により、一対のガスバルブのハードインターロックを構成できる。
本発明に係るプロセスガスを用いる真空処理装置の構成概略図である。 本発明に係るエアー信号の制御系統図である。 論理回路を構成するエアー信号の制御系統図である。 本発明に係るエアー信号の制御系統図である。
以下、本発明の各実施形態を図１ないし図４を用いて説明する。
　本発明に係るプロセスガスを用いる真空処理装置について説明する。図１は、本発明に係るプロセスガスを用いる真空処理装置の構成概略図である。AAで囲われた範囲は、ガス供給系（マス・フロー・コントローラユニット：以下、MFCと称する）を示す。図示以外のプロセスガスや、圧力検知部や供給圧を調整するガスレギュレータ等が内部に構成されていても良い。BBで囲われた範囲は、ガス排気系で、これより下流にドライポンプや排ガス処理装置等（図示せず）を具備している。
　処理室１の内部に被処理体であるウエハ等（図示せず）が載置される。メインバルブ２は、メンテナンス等で処理室1を大気に暴露する際、排気系を大気中の酸素や水分から保護する目的で設けてある。圧力調整弁３は、その内部のコンダクタンスを変化させることにより処理室1に所望の圧力を得るためのものである。ターボモレキュラーポンプ４は、処理室1に供給されたプロセスガスを高圧縮させて排気する目的で配置されている。ターボモレキュラーポンプ４の下流には、排気系停止時にターボモレキュラーポンプ4を真空に保つためのアングルバルブ５が用いられている。
　圧力計６は処理室用圧力計で、圧力計７は排気ライン用圧力計である。ガス供給系AA内のプロセスガスは、使用時それぞれのMFCで流量制御されて、プロセスガスの集合配管８で混合される。この混合ガスは、ある時は処理室１へのガス供給配管９を経て最終段バルブＶ０を介して処理室1に導かれる。また、ある時は、排気系のガス排気管１０を経て捨てガス用バルブＶ００を介して排気系BBへと捨てられる。
　バルブV1は、可燃性ガスのMFCの出口（下流）のバルブであり、バルブV2は、支燃性ガスのMFCの出口（下流）のバルブである。また、バルブV11は、可燃性ガスのプロセスガス供給（上流）用バルブであり、バルブV21は、支燃性ガスのプロセスガス供給（上流）用バルブである。それぞれのMFCの下流には可燃性ガス用パージN2を供給するためのN2パージ用バルブV12と支燃性ガス用パージN2を供給するためのN2パージ用バルブV22がそれぞれ、バルブV11、バルブV21のプロセスガス供給（上流）バルブと共に配管接続されている。
　本真空処理装置において、同時に開くことのできないプロセスガスバルブの組み合わせは、まず最終段バルブV0と捨てガス用バルブV00である。この２つのバルブが同時に開くと、処理室１にアングルバルブ5の下流のより高い圧力（ターボモレキュラーポンプ4により圧縮されている）が処理室1に逆流する。次に可燃性ガスのプロセスガス供給（上流）バルブであるバルブV11とN2パージ用バルブV12の組み合わせおよび支燃性ガスのプロセスガス供給（上流）バルブであるバルブV21とN2パージ用バルブV22の組み合わせである。
　さらにプロセスガス供給（上流）バルブであるバルブV11とバルブV21は、ガスが下流側へ流れていくことによるガスの混濁を発生させないために最終段バルブV0と捨てガス用バルブV00とのどちらかが開状態でないと開くことができないようにする必要がある。
　図2は、図1に示した真空処理装置のエアー信号の制御系統図である。エアー供給ライン15は、エアー源から加圧空気が供給されている。エアー排出ライン16は、バルブ駆動後のシリンダ内のエアーがこのラインから排出される。ソレノイドコイル用励起素子S0～S22は、それぞれのプロセスガスバルブの開駆動用のエアーを発生させるためのソレノイドコイル用励起素子である。
　システム制御系では、それぞれのガスバルブの開の指令に従って、(同じ番号で表記された）それぞれのソレノイドコイルを励起してエアー信号（エアー供給）で加圧され、開状態になる。3位置バネ復帰センター排気型5ポート電磁弁21、24及び25は、ソレノイドコイルが励起されない場合、エアーが供給されず、エアー排出ライン16でエアー抜きの状態になっている。
　2位置バネ復帰型電磁弁22及び23は、ソレノイドコイル用励起素子S1とS2を励起する開指令に従ってそれぞれ可燃性ガスMFC出口（下流）バルブであるバルブV1と支燃性ガスMFC出口（下流）バルブであるバルブV2の開駆動用のエアーを発生させる。パイロット弁P1は、エアー信号形成用パイロット弁であり、パイロットエアー信号ライン17を形成する。パイロットエアー信号ライン17によって駆動するパイロット弁P2～P5はパイロット弁である。
　3位置バネ復帰センター排気型5ポート電磁弁21の両端にソレノイドコイル用励起素子S0とS00が配置されているため、必ず励起された側だけエアー信号が形成され、最終段バブルV0と捨てガス用バルブV00の両方が同時に開となることを防止できる。同様に、3位置バネ復帰センター排気型5ポート電磁弁24によりバルブV11とN2パージ用バルブV12の両方が同時に開となることを防止し、3位置バネ復帰センター排気型5ポート電磁弁25によりバルブV21とN2パージ用バルブV22の両方が同時に開となることを防止している。
　図２において、ソレノイドコイル用励起素子S00が励起されると、捨てガス用バルブV00が開くと同時に、エアー信号形成用パイロット弁であるパイロット弁P1を通過して、パイロットエアー信号ライン17を形成する。このため、パイロット弁P2～P5が駆動されてパイロット弁内部が通過可能になる。この時ソレノイドコイル用励起素子S1、S2、S11、S21が励起されていれば、それぞれの対応したバルブ、バルブV1、V2、V11、V21が開となる。次にソレノイドコイル用励起素子S00がOffすると、捨てガス用バルブV00が閉じ、パイロットエアー信号ライン17のエアーも抜けるため、例えば、ソレノイドコイル用励起素子S1、S2、S11、S21が励起されてエアーを供給されていてもそれぞれのパイロット弁P2～P5によって遮断され、バルブV1、V2、V11、V21のそれぞれは閉じる。
　また、ソレノイドコイル用励起素子S0が励起されると、最終段バルブV0が開く。同時に、エアー信号形成用パイロット弁であるパイロット弁P1が駆動して、パイロットエアー信号ライン17にエアー信号を発生させ、パイロット弁P2～P5が駆動されてパイロット弁内部が通過可能になる。ソレノイドコイル用励起素子S0がOffされた時の各バルブの動作もソレノイドコイル用励起素子S00がOFFした場合と同様に各バルブが動作するので省略する。このように最終段バルブV0または捨てガス用バルブV00のどちらかが開いている状態でしか、バルブV1、V2、V11、V21を開けることのできないエアー回路が形成できている。
　窒素のパージラインであるN2パージ用バルブV12とV22については、AAのガス供給系内のバルブやマス・フロー・コントローラ等の機器の交換、メンテナンス作業時にN2パージを実施する必要がある。このため、最終段バルブV0または捨てガス用バルブV00のどちらも開いて無い状態でも開となり、N2パージができないといけないため、パイロットエアー信号ライン17を用いたパイロット弁を介さず、直接、N2パージ用バルブV12、V22がソレノイドコイル用励起素子S12、S22のONでそれぞれ直接、開けられるようになっている。
　上述のように本発明が目的とする同時に開としてはならないインターロック、どちらかが開いてないと開けることができないインターロックが本エアー回路で形成できている。
尚、本実施例においては、どちらかのバルブが開いていることを条件としたOR(オア)の論理回路による制御例を示したが、下流側に複数のバルブがシリーズに配置されている構成ではAND(アンド)の論理回路のエアー回路を形成することは言うまでもない。
　例えば、図3(a)に示したのは、バルブDは、下流側にシリーズに配置されたバルブA、バルブB、バルブCの全てが開状態でないと開いてはいけないバルブである。すなわち、１バルブ駆動制御例である図３（a）のエアー回路によりANDの論理回路のインターロック機能を持たすことができる。また、2バルブ駆動制御例である図３（b）では、バルブDとバルブEの双方が上記のバルブA、バルブB、バルブCの全てが開状態でないと開いてはいけないバルブの場合であり、制御用パイロット信号（エアー圧）を形成する図３(b)の手段の方がトータルのパイロットバルブの数、制御要素を減らせるメリットがある。このようにAND(アンド)の論理回路でエアー回路を組んでも良い。
　他の実施例について図4を用いて説明する。図2の構成との違いは、パイロットエアー信号ライン17のエアー圧を直接、バルブV1とV2の開動作をさせる駆動用エアーとして用いたことである。パイロットエアー信号ライン17にエアー圧が供給された状態、すなわち、最終段バルブV0または捨てガス用バルブV00のいずれかが開の状態の時にソレノイドコイル用励起素子S1およびソレノイドS2がONすると、それぞれバルブV1およびV2が開の状態にできる。さらに図4の構成では、3位置バネ復帰センター排気型5ポート電磁弁21、24、25をマニホールドタイプで空間配置良く並べることができる利点もある。
　本発明は、以上のような構成を有するため、以下のような効果を奏することができる。
　先ず、同時に双方のバルブを開とすることができないバルブ対については、同時開にできないバルブ対のエアー供給を同一電磁弁の左右のソレノイドの励起に割り当てることによりバルブ対が同時に開となることを物理的に防止できる。
　また、本発明は、下流側に設けたバルブが開いた状態でしか開くことのできないバルブについては、下流側バルブが開けているエアー信号自体をパイロット信号として用いたパイロットバルブを介して供給することにしているため、先に下流側バルブが閉じた場合には、自動的に上流側の供給バルブも閉じるので、配管内でプロセスガス同志が混合しつづけることを防止できる。
　さらに本発明は、これらのメカニカルなインターロックと電気的に真空で無いと流れないリレー回路をソレノイドの励起に施して２重のインターロックとしても良い。さらに本発明は、ソフトウエア的にもこれらハードインターロックに重ねて設けても良い。
　以上、本発明により、電気的なインターロックに併せてメカニカルなエアー信号のインターロックを併設して２重に設けることが可能となり、フールプルーフ機能を持たせることができる。このため、真空処理装置の信頼性、安全性を確保できる。
１　処理室
２　メインバルブ
３　圧力調整弁
４　ターボモレキュラーポンプ
５　アングルバルブ
６　圧力計
７　圧力計
８　集合配管
９　ガス供給配管
10　ガス排気管
V0　最終段バルブ
V00　捨てガス用バルブ
V1、V2、V11、V21　バルブ
V12、V22　N2パージ用バルブ
15　エアー供給ライン
16　エアー排出ライン
17　パイロットエアー信号ライン
21、24、25　3位置バネ復帰センター排気型5ポート電磁弁
22、23　2位置バネ復帰型電磁弁
S0、S00、S1、S2、S11、S12、S21、S22　ソレノイドコイル用励起素子
P1、P2、P3、P4、P5　パイロット弁

Claims (7)

  1. ノーマルクローズ型のエアー駆動バルブを用いて真空処理を行うためのガスを前記真空処理が行われる処理室に供給するガス供給部を備える真空処理装置において、
    前記ガス供給部は、一対の前記エアー駆動バルブの一方が開の場合、前記一対のバルブの他方が閉となるインターロック機能を有し、前記エアー駆動バブルを駆動するためのエアーを制御するエアー回路を具備し、
    前記エアー回路は、前記一対のエアー駆動バルブの各々に対応するソレノイドコイルを有する電磁弁を用いて構成されていることを特徴とする真空処理装置。
  2. 請求項１に記載の真空処理装置において、
    前記電磁弁は３位置バネ復帰センター排気型５ポート電磁弁であることを特徴とする真空処理装置。
  3. 請求項１に記載の真空処理装置において、
    前記一対のエアー駆動バルブの一方は可燃性ガスの供給に用いられ、
    前記一対のエアー駆動バルブの他方は支燃性ガスの供給に用いられることを特徴とする真空処理装置。
  4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の真空処理装置において、
    前記ガス供給部は、電気回路によるインターロック機能をさらに有することを特徴とする真空処理装置。
  5. ノーマルクローズ型のエアー駆動バルブを用いて真空処理を行うためのガスを前記真空処理が行われる処理室に供給し、前記エアー駆動バブルを駆動するためのエアーを制御するエアー回路を具備するガス供給部を備える真空処理装置において、
    前記エアー回路は、前記エアー駆動バルブの開閉条件となる論理回路のＯＲまたはＡＮＤを構成する論理エアー回路部を具備することを特徴とする真空処理装置。
  6. 請求項５に記載の真空処理装置において、
    前記ガス供給部は、前記論理エアー回路部から供給されたエアーを信号とするパイロット弁を介して前記エアー駆動バルブを開閉することを特徴とする真空処理装置。
  7. 請求項５に記載の真空処理装置において、
    前記ガス供給部は、前記論理エアー回路部から供給されたエアーを前記エアー駆動バルブを駆動するためのエアーとして前記エアー駆動バルブを開閉することを特徴とする真空処理装置。
PCT/JP2015/052609 2015-01-30 2015-01-30 真空処理装置 Ceased WO2016121075A1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580001457.7A CN106029214B (zh) 2015-01-30 2015-01-30 真空处理装置
JP2015562608A JP6047672B1 (ja) 2015-01-30 2015-01-30 真空処理装置
PCT/JP2015/052609 WO2016121075A1 (ja) 2015-01-30 2015-01-30 真空処理装置
US14/908,452 US10121686B2 (en) 2015-01-30 2015-01-30 Vacuum processing apparatus
KR1020167002543A KR101842527B1 (ko) 2015-01-30 2015-01-30 진공 처리 장치
TW106102173A TWI626084B (zh) 2015-01-30 2015-12-23 Vacuum processing unit
TW104143367A TWI592212B (zh) 2015-01-30 2015-12-23 Vacuum processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/052609 WO2016121075A1 (ja) 2015-01-30 2015-01-30 真空処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016121075A1 true WO2016121075A1 (ja) 2016-08-04

Family

ID=56542726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/052609 Ceased WO2016121075A1 (ja) 2015-01-30 2015-01-30 真空処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10121686B2 (ja)
JP (1) JP6047672B1 (ja)
KR (1) KR101842527B1 (ja)
CN (1) CN106029214B (ja)
TW (2) TWI626084B (ja)
WO (1) WO2016121075A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190074221A (ko) 2017-12-19 2019-06-27 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치
CN110373657A (zh) * 2019-08-26 2019-10-25 湖南红太阳光电科技有限公司 一种管式pecvd设备压力控制装置
KR20220136985A (ko) 2021-03-29 2022-10-11 주식회사 히타치하이테크 가스 공급 제어 장치
JP2023026368A (ja) * 2021-08-12 2023-02-24 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
US11776792B2 (en) 2020-04-03 2023-10-03 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20240084445A1 (en) * 2022-09-09 2024-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Semiconductor wafer processing tool with improved leak check
US12444582B2 (en) 2020-04-21 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
US12442455B2 (en) 2021-02-08 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Gas supply apparatus, vacuum processing apparatus, and gas supply method
US12451364B2 (en) 2022-04-26 2025-10-21 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method
US12581881B2 (en) 2022-03-07 2026-03-17 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019065047A1 (ja) * 2017-09-30 2020-11-05 株式会社フジキン 流体供給ライン及び動作解析システム
SG11202003902XA (en) * 2017-11-29 2020-05-28 Fujikin Kk Abnormality diagnosis method of fluid supply line
CN108486543A (zh) * 2018-03-02 2018-09-04 惠科股份有限公司 基板成膜机台及使用方法
JP7151420B2 (ja) * 2018-11-27 2022-10-12 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及びガス供給方法
CN111916328B (zh) * 2019-05-10 2024-02-27 北京北方华创微电子装备有限公司 流路互锁结构、进气装置及半导体加工设备
CN114788418A (zh) * 2019-12-23 2022-07-22 株式会社日立高新技术 等离子处理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH057763A (ja) * 1991-07-03 1993-01-19 Tel Varian Ltd 給排ガスの切替システム
JP2000306884A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2001085342A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Sony Corp ガスライン自動パージシステム
JP2001319882A (ja) * 2000-05-02 2001-11-16 Canon Inc 真空処理装置および真空処理方法
US20030212507A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Real time mass flow control system with interlock

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2981287A (en) * 1958-11-14 1961-04-25 American Brake Shoe Co Pilot operated valve mechanism
US3452781A (en) * 1966-08-29 1969-07-01 Pellegrino E Napolitano Fluid control system with zero leakage
GB1357411A (en) * 1971-02-01 1974-06-19 Fluid Devices Ltd Multiway directional fluid flow control valve arrangement
US4638837A (en) * 1984-11-13 1987-01-27 Allied Corporation Electro/pneumatic proportional valve
JPS6253693A (ja) * 1985-08-30 1987-03-09 佐藤精器株式会社 自動縫製機におけるクランプの移動機構
US6082406A (en) * 1997-08-11 2000-07-04 Master Pneumatic - Detroit, Inc. Pneumatic pilot-operated control valve assembly
JP3959565B2 (ja) * 1997-12-16 2007-08-15 Ｓｍｃ株式会社 電磁パイロット式３位置切換弁
JP3727464B2 (ja) * 1998-01-05 2005-12-14 株式会社テージーケー 四方向切換弁
US6192937B1 (en) * 1999-04-26 2001-02-27 Mac Valves, Inc. Pilot operated pneumatic valve
JP3686389B2 (ja) 2002-04-15 2005-08-24 三菱重工業株式会社 抄紙機
JP4921093B2 (ja) * 2006-01-16 2012-04-18 Ｊｕｋｉ株式会社 ミシン
JP5528374B2 (ja) * 2011-03-03 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 ガス減圧供給装置、これを備えるシリンダキャビネット、バルブボックス、及び基板処理装置
JP5505843B2 (ja) * 2011-04-07 2014-05-28 Ｓｍｃ株式会社 パイロット式３位置切換弁
US9488285B2 (en) * 2011-10-24 2016-11-08 Eaton Corporation Line pressure valve to selectively control distribution of pressurized fluid
CN203256187U (zh) * 2012-12-28 2013-10-30 中海石油华岳化工有限公司 一种聚丙烯紧急停车系统的安全联锁控制装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH057763A (ja) * 1991-07-03 1993-01-19 Tel Varian Ltd 給排ガスの切替システム
JP2000306884A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2001085342A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Sony Corp ガスライン自動パージシステム
JP2001319882A (ja) * 2000-05-02 2001-11-16 Canon Inc 真空処理装置および真空処理方法
US20030212507A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Real time mass flow control system with interlock

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190074221A (ko) 2017-12-19 2019-06-27 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치
JP2019110215A (ja) * 2017-12-19 2019-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US11355319B2 (en) 2017-12-19 2022-06-07 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
CN110373657A (zh) * 2019-08-26 2019-10-25 湖南红太阳光电科技有限公司 一种管式pecvd设备压力控制装置
CN110373657B (zh) * 2019-08-26 2021-05-14 湖南红太阳光电科技有限公司 一种管式pecvd设备压力控制装置
US11776792B2 (en) 2020-04-03 2023-10-03 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US12444582B2 (en) 2020-04-21 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
US12442455B2 (en) 2021-02-08 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Gas supply apparatus, vacuum processing apparatus, and gas supply method
CN115413309A (zh) * 2021-03-29 2022-11-29 株式会社日立高新技术 气体供给控制装置
KR20220136985A (ko) 2021-03-29 2022-10-11 주식회사 히타치하이테크 가스 공급 제어 장치
US12449825B2 (en) 2021-03-29 2025-10-21 Hitachi High-Tech Corporation Gas supply control device
JP2023026368A (ja) * 2021-08-12 2023-02-24 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP7406601B2 (ja) 2021-08-12 2023-12-27 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
US12083551B2 (en) 2021-08-12 2024-09-10 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
US12581881B2 (en) 2022-03-07 2026-03-17 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method
US12451364B2 (en) 2022-04-26 2025-10-21 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method
US20240084445A1 (en) * 2022-09-09 2024-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Semiconductor wafer processing tool with improved leak check

Also Published As

Publication number Publication date
US10121686B2 (en) 2018-11-06
TWI592212B (zh) 2017-07-21
JP6047672B1 (ja) 2016-12-21
CN106029214A (zh) 2016-10-12
TWI626084B (zh) 2018-06-11
TW201718081A (zh) 2017-06-01
JPWO2016121075A1 (ja) 2017-04-27
KR101842527B1 (ko) 2018-03-27
CN106029214B (zh) 2018-01-30
KR20160106545A (ko) 2016-09-12
TW201637711A (zh) 2016-11-01
US20160379857A1 (en) 2016-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6047672B1 (ja) 真空処理装置
CN100378397C (zh) 对压力不敏感的质量流量控制器
KR101451189B1 (ko) 공압 밸브를 연속적으로 작동시키기 위한 솔레노이드 바이패스 시스템
KR100694666B1 (ko) 원자층 증착 챔버의 에어 밸브 장치
TWI830157B (zh) 氣體供給控制裝置
TWI811992B (zh) 氣體供給裝置、真空處理裝置及氣體供給方法
TW201905621A (zh) 氣體供應系統
US8528581B2 (en) Solenoid bypass for continuous operation of pneumatic valve
KR100560772B1 (ko) 가스 공급 장치를 구비하는 반응 챔버 시스템
KR102511756B1 (ko) 플라스마 처리 장치의 검사 방법
KR100962547B1 (ko) 역류 방지 시스템
JPH09306851A (ja) 減圧排気システムおよび減圧気相処理装置
CN221171823U (zh) 一种蚀刻设备
KR101415323B1 (ko) 저압 화학 기상증착설비
KR20000007652A (ko) 반도체 제조공정 설비의 가스공급 제어장치
KR20020036202A (ko) 반도체 제조 설비
KR20060024294A (ko) 반도체 제조 설비의 역압 차단 장치

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015562608

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167002543

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14908452

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15879972

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15879972

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1