WO2016108257A1 - 磁気記録媒体およびその製造方法、ならびに成膜装置 - Google Patents

磁気記録媒体およびその製造方法、ならびに成膜装置 Download PDF

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magnetic recording
cathode
recording medium
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隆嗣 相澤
淳博 阿部
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    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide

Definitions

  • the present technology relates to a magnetic recording medium including a flexible substrate and a magnetic layer, a manufacturing method thereof, and a film forming apparatus for manufacturing the magnetic recording medium.
  • An object of the present technology is to provide a magnetic recording medium having excellent reliability, a manufacturing method thereof, and a film forming apparatus for manufacturing the magnetic recording medium.
  • a first technique is a first technique that introduces a drum having a peripheral surface, a cathode accommodating portion provided facing the peripheral surface, and a first gas into the cathode accommodating portion.
  • the film forming apparatus includes a gas introduction unit and a second gas introduction unit that introduces a second gas between the peripheral surface and the cathode housing unit.
  • the second technique includes a drum having a peripheral surface, a plurality of cathode accommodating portions provided to face the peripheral surface, a first gas introducing portion for introducing a first gas into the plurality of cathode accommodating portions,
  • the film forming apparatus includes a second gas introduction unit that introduces a second gas between the peripheral surface and at least one of the plurality of cathode accommodating units.
  • the inert gas is introduced into the cathode housing portion facing the circumferential surface of the drum, and the oxidation reactive gas is introduced between the circumferential surface and the cathode housing portion, while being accommodated in the cathode housing portion.
  • the method of manufacturing a magnetic recording medium includes forming a magnetic layer on a substrate that runs along the peripheral surface of the drum by sputtering the target.
  • the fourth technique includes a long flexible base material and a magnetic layer containing Co and Co oxide obtained by sputtering, and the variation in magnetic properties is 100 m in the longitudinal direction of the base material. This is a magnetic recording medium that is within ⁇ 10% over all sections.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a magnetic recording medium according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of the configuration of the film forming apparatus according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the cathode housing portion illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of a film forming apparatus according to a modification of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a magnetic recording medium according to the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a magnetic recording medium according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of the configuration of the film forming apparatus according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-section
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of a film forming apparatus according to the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 7A is a graph showing the dependency of the vertical coercivity Hc on the amount of O 2 gas introduced.
  • FIG. 7B is a graph showing the dependency of the vertical squareness ratio Rs on the amount of O 2 gas introduced.
  • FIG. 8A is a graph showing the displacement of the vertical coercive force Hc with respect to the sputter deposition length.
  • FIG. 8B is a graph showing the displacement of the vertical squareness ratio Rs with respect to the sputter deposition length.
  • FIG. 9A is a graph showing the depth profile (depth analysis) of the Co—CoO layer of Example 1-1.
  • FIG. 9B is a graph showing a depth profile (depth analysis) of the Co—CoO layer of Comparative Example 1-2.
  • FIG. 10A is a graph showing the displacement of the vertical coercive force Hc with respect to the sputter deposition length.
  • FIG. 10B is a graph showing the displacement of the vertical squareness ratio Rs with respect to the sputter deposition length.
  • FIG. 11 is a graph showing the displacement of Ar gas pressure with respect to the gap between the drum and cathode accommodating portion.
  • the second gas introduction unit is configured so that the peripheral surface of the drum and the cathode from the upstream or downstream side of the rotation of the drum (that is, the upstream or downstream side of the traveling substrate) or from the width direction side of the peripheral surface of the drum. It is preferable to introduce the second gas between the housing portion.
  • the film forming apparatus may include two or more second gas introduction units.
  • two second gas introduction portions may be provided, and the second gas may be introduced from both upstream and downstream sides of the drum rotation.
  • the second gas may be introduced from both sides in the width direction of the peripheral surface of the drum.
  • the magnetic recording medium according to the first embodiment of the present technology includes a long base 11 and a magnetic recording layer 12 provided on the surface of the base 11.
  • the magnetic recording medium may further include a protective layer 13 provided on the surface of the magnetic recording layer 12 and a lubricant layer 14 provided on the surface of the protective layer 13 as necessary.
  • the magnetic recording medium is a so-called perpendicular magnetic recording medium.
  • the variation in the magnetic characteristics of the magnetic recording medium is within ⁇ 10% over a 100 m section in the longitudinal direction of the substrate 11.
  • the magnetic characteristic means at least one of the perpendicular coercive force Hc and the perpendicular squareness ratio Rs, preferably both of them.
  • the substrate 11 serving as a support is a long non-magnetic substrate having flexibility, and has a surface having a longitudinal direction (MD direction) and a short direction (TD direction).
  • a non-magnetic substrate it is preferable to use a long film.
  • a flexible polymer resin material used for a normal magnetic recording medium can be used. Specific examples of such a polymer material include polyesters, polyolefins, cellulose derivatives, vinyl resins, polyimides, polyamides, and polycarbonates.
  • the magnetic recording layer 12 which is a magnetic layer is a layer obtained by sputtering, that is, a sputtered layer. Whether or not the magnetic recording layer 12 is a sputtered layer can be confirmed, for example, by analyzing whether or not the magnetic recording layer 12 contains an inert gas.
  • the magnetic recording layer 12 is a so-called perpendicular magnetization film, and contains Co and Co oxide, which are ferromagnetic materials obtained by an oxidation reaction. These Co and Co oxide are in a mixed state in the magnetic recording layer 12.
  • the magnetic recording layer 12 preferably further contains Pt from the viewpoint of improving magnetic characteristics. Specifically, for example, it preferably contains CoPt—O or CoPtCr—O.
  • the magnetic recording layer 12 further contains Pt, the magnetic characteristics (for example, the perpendicular coercive force Hc and the perpendicular squareness ratio Rs) can be greatly improved. Therefore, it is possible to improve the output of recording / reproducing signals as a magnetic recording medium and reduce noise.
  • the magnetic recording layer 12 containing no Pt is advantageous from the viewpoint of cost.
  • the protective layer 13 is for ensuring good running durability and corrosion resistance.
  • the protective layer 13 includes, for example, a carbon material or silicon dioxide (SiO 2 ). From the viewpoint of the film strength of the protective layer 13, the protective layer 13 preferably includes a carbon material. Examples of the carbon material include graphite, diamond-like carbon (DLC), diamond, and the like.
  • the lubricant layer 14 is for improving the running performance.
  • the lubricant layer 14 contains a lubricant.
  • a lubricant for example, a silicone-based lubricant, a hydrocarbon-based lubricant, a fluorinated hydrocarbon-based lubricant, or the like can be used.
  • the variation in magnetic characteristics is within ⁇ 10% over a section of 100 m in the longitudinal direction of the long substrate 11. Thereby, the magnetic characteristics in the longitudinal direction of the magnetic recording medium can be stabilized. That is, a magnetic recording medium having excellent reliability can be provided.
  • the film forming apparatus is a continuous winding type sputtering apparatus, and includes a film forming chamber 21, a drum 22 that is a metal can (rotary body), and a supply.
  • a reel 23, a take-up reel 24, a plurality of guide rolls 25a to 25c, 26a to 26c, a cathode accommodating portion 31, gas introducing portions 41 and 51, and an exhaust portion 61 are provided.
  • This film forming apparatus is, for example, a DC (direct current) magnetron sputtering system, but the sputtering system is not limited to this system.
  • the film forming chamber 21 includes an exhaust pipe 27 and a vacuum pump (not shown) as an exhaust part, and the atmosphere in the film forming chamber 21 is set to a predetermined degree of vacuum by the exhaust part.
  • a drum 22, a supply reel 23, and a take-up reel 24 having a rotatable configuration are disposed.
  • a plurality of guide rolls 25 a to 25 c for guiding the conveyance of the substrate 11 between the supply reel 23 and the drum 22 are provided, and the drum 22 and the take-up reel 24 are provided.
  • a plurality of guide rolls 26a to 26c for guiding the conveyance of the base material 11 between them are provided.
  • the substrate 11 unwound from the supply reel 23 is wound around the take-up reel 24 via the guide rolls 25a to 25c, the drum 22, and the guide rolls 26a to 26c.
  • the drum 22 has a columnar or cylindrical shape, and the long base 11 is conveyed along the columnar or cylindrical surface of the drum 22.
  • the drum 22 is provided with a cooling mechanism (not shown), and is cooled to, for example, about ⁇ 20 ° C. during sputtering.
  • a cathode accommodating portion 31 is disposed so as to face the peripheral surface of the drum 22.
  • the cathode accommodating portion 31 includes a cathode 32 and an accommodating chamber 33.
  • the accommodation chamber 33 accommodates the cathode 32.
  • a target 32T can be attached to the cathode 32.
  • a target containing Co is used as the target 32T.
  • an alloy target containing Co and Pt is used as the target 32T. Examples of such an alloy target include a CoPt alloy target and a CoPtCr alloy target.
  • the accommodating chamber 33 includes a wall portion having a configuration capable of heating and cooling.
  • the wall portion has an opening 34 on the side facing the peripheral surface of the drum 22. During film formation, the sputtered particles sputtered from the target 32T and released into the gas phase reach the base material 11 that travels along the peripheral surface of the drum 22 through the opening 34, and a thin film is formed. .
  • the exhaust part 61 is connected to the wall part of the storage chamber 33.
  • the exhaust unit 61 is for evacuating the interior of the storage chamber 33 independently of the film formation chamber 21.
  • the exhaust unit 61 includes an exhaust pipe 62 and a vacuum pump 63.
  • the storage chamber 33 and the vacuum pump 63 are connected by an exhaust pipe 62.
  • a gas introduction part (first gas introduction part) 41 is connected to the wall part of the storage chamber 33.
  • the gas introduction part 41 is a gas introduction part for an inert gas for introducing an inert gas (first gas) for promoting plasma discharge into the storage chamber 33.
  • the gas introduction part 41 includes a gas introduction pipe 42, a flow rate controller (Mass Flow Controller: MFC) 43, and a gas cylinder 44 as a gas supply part.
  • One end of the gas introduction pipe 42 is connected to the storage chamber 33 through the wall portion of the film formation chamber 21.
  • the other end of the gas introduction pipe 42 is connected to a gas cylinder 44.
  • a flow rate control device 43 is provided in the gas introduction pipe 42.
  • the flow control device 43 controls the flow rate of the inert gas introduced from the gas cylinder 44 into the storage chamber 33.
  • the flow rate control device 43 is preferably for an inert gas.
  • An inert gas is sealed in the gas cylinder 44.
  • Ar gas is used as the inert gas.
  • a gas introduction part (second gas introduction part) 51 is introduced in the film forming chamber 21, a gas introduction part (second gas introduction part) 51 is introduced.
  • the gas introduction part 51 is a gas introduction part for oxidation reactive gas for introducing an oxidation reactive gas (second gas) between the peripheral surface of the drum 22 and the cathode housing part 31.
  • the gas introduction part 51 introduces an oxidation reactive gas between the peripheral surface of the drum 22 and the cathode accommodating part 31 from the downstream side of the rotation of the drum 22, that is, the downstream side of the traveling base material 11.
  • the gas introduction part 51 includes a gas introduction pipe 52, a flow rate control device 53, and a gas cylinder 54 as a gas supply part.
  • One end of the gas introduction pipe 52 is introduced through the wall of the film formation chamber 21 to a position on the downstream side of the rotation of the drum 22 in the periphery of the opening 34 of the storage chamber 33.
  • the other end of the gas introduction pipe 52 is connected to a gas cylinder 54.
  • a large number of holes for blowing out the oxidation reactive gas are provided at one end of the gas introduction pipe 52 introduced around the opening 34 of the storage chamber 33.
  • the gas introduction pipe 52 is provided with a flow rate control device 53.
  • the flow control device 53 controls the flow rate of the oxidation reactive gas introduced from the gas cylinder 54 into the storage chamber 33.
  • the flow control device 53 is preferably for an oxidation reactive gas.
  • the gas cylinder 54 is filled with an oxidation reactive gas.
  • the oxidation reactive gas for example, oxygen or a compound containing oxygen is used.
  • a gap (gap) is provided between the peripheral surface of the drum 22 and the cathode accommodating portion 31.
  • the gap width D G is preferably 0.5 mm or greater and 5.0 mm or less. If the width DG is 0.5 mm, the traveling base material 11 may come into contact with the cathode accommodating portion 31. On the other hand, if the width D G exceeds 5.0 mm, Ar gas discharge diffuses from the cathode container 31 to the outside there is a fear that becomes unstable.
  • the film forming apparatus having the above-described configuration includes a drum 22 having a circumferential surface, a cathode housing portion 31 provided to face the circumferential surface of the drum 22, and a gas introduction for introducing an inert gas into the cathode housing portion 31. And a gas introduction part 51 for introducing an oxidation reactive gas between the peripheral surface of the drum 22 and the cathode housing part 31.
  • the gas introduction unit 41 introduces an inert gas for promoting plasma discharge into the accommodation chamber 33 into the cathode accommodation unit 31.
  • the gas introduction part 51 introduces an oxidation reactive gas between the peripheral surface of the drum 22 and the opening part 34 of the cathode accommodating part 31.
  • the concentration of the oxidation reactive gas between the peripheral surface of the drum 22 and the sputtering surface of the target 32T is lower on the sputtering surface side of the target 32T than on the peripheral surface side of the drum 22, so The density can be made higher on the sputter surface side of the target 32T than on the peripheral surface side of the drum 22. For this reason, the oxidation of the sputtering surface of the target 32T by the oxidation reactive gas can be suppressed. Therefore, the characteristics of the thin film continuously formed on the traveling substrate 11 can be stably maintained for a long time.
  • the base material 11 having a long shape is unwound from the supply reel 23 and is taken up by the take-up reel 24 while traveling along the peripheral surface of the drum 22.
  • the magnetic recording layer 12 can be continuously formed. Therefore, the magnetic recording layer 12 can be continuously formed by the Roll to Roll method.
  • the film forming chamber 21 and the accommodating chamber 33 are evacuated to a predetermined degree of vacuum. More specifically, after the inside of the film forming chamber 21 is evacuated and the inside of the film forming chamber 21 reaches a predetermined degree of vacuum, the inside of the housing chamber 33 is evacuated, and the inside of the housing chamber 33 is evacuated. To the degree. Alternatively, the inside of the film forming chamber 21 and the inside of the storage chamber 33 are evacuated simultaneously, and the inside of the storage chamber 33 is set to a predetermined degree of vacuum.
  • the ultimate vacuum in the storage chamber 33 is preferably 5.0 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less. This is because the magnetic recording layer 12 having good characteristics can be formed.
  • gas such as O 2 or H 2 O remains on the inner wall surface of the storage chamber 33.
  • Heat treatment process Next, it is preferable to heat-treat the wall portion of the storage chamber 33. This is because residual gases such as O 2 and H 2 O can be released from the inner wall surface of the storage chamber 33. From the viewpoint of reducing the residual gas, it is preferable to hold the inner wall surface of the storage chamber 33 at 200 ° C. or higher for 30 minutes or more by heat treatment.
  • the recording layer 12 is continuously formed as follows. That is, an inert gas such as Ar gas is introduced into the film forming chamber 21 by the gas introduction part 41, and O 2 is provided between the peripheral surface of the drum 22 and the opening 34 of the cathode accommodating part 31 by the gas introduction part 51. While introducing an oxidation reactive gas such as a gas, the target 32T set on the cathode 32 is sputtered. As a result, the magnetic recording layer 12 is formed on the surface of the base material 11 that travels along the peripheral surface of the drum 22.
  • an inert gas such as Ar gas
  • O 2 is provided between the peripheral surface of the drum 22 and the opening 34 of the cathode accommodating part 31 by the gas introduction part 51.
  • an oxidation reactive gas such as a gas
  • the magnetic recording layer 12 containing Co—CoO is formed.
  • the target 32T is a target including a CoPt alloy
  • the magnetic recording layer 12 including CoPt—O is formed.
  • the target 32T is a target including a CoPtCr alloy
  • the magnetic recording layer 12 including CoPtCr—O is formed.
  • the temperature of the inner wall surface of the storage chamber 33 is preferably maintained at 90 ° C. or lower during the film forming process.
  • the substrate 11 wound on the take-up reel 24 is transported from the film forming apparatus to another film forming apparatus, and the protective layer 13 is formed on the surface of the magnetic recording layer 12.
  • a method for forming the protective layer 13 for example, a chemical vapor deposition (CVD) method or a physical vapor deposition (PVD) method can be used.
  • the base material 11 is conveyed to a coating apparatus, a lubricant or the like is applied to the surface of the protective layer 13, and the lubricant layer 14 is formed.
  • a method for applying the lubricant for example, various application methods such as gravure coating and dip coating can be used.
  • the magnetic recording medium shown in FIG. 1 is obtained.
  • the concentration of the oxidation reactive gas is lower on the sputtering surface side of the target 32T than on the peripheral surface side of the drum 22, and the concentration of the inert gas is reduced. Can be made higher on the sputter surface side of the target 32T than on the peripheral surface side of the drum 22. For this reason, the oxidation of the sputtering surface of the target 32T by the oxidation reactive gas can be suppressed. That is, it is possible to suppress variations in the magnetic characteristics of the magnetic recording medium over a long section in the longitudinal direction of the long substrate 11. For example, the variation in the magnetic characteristics of the magnetic recording medium can be suppressed within ⁇ 10% over a 100 m section.
  • the gas introduction part 51 is subjected to an oxidation reaction between the peripheral surface of the drum 22 and the cathode accommodating part 31 from the upstream side of the rotation of the drum 22, that is, the upstream side of the traveling base material 11.
  • a sex gas may be introduced.
  • one end of the gas introduction pipe 52 is introduced through the wall of the film formation chamber 21 to a position on the upstream side of the rotation of the drum 22 around the opening 34 of the storage chamber 33.
  • the film forming apparatus includes two gas introduction portions 51, and the oxidation reactive gas is introduced between the peripheral surface of the drum 22 and the cathode housing portion 31 from both upstream and downstream sides of the rotation of the drum 22. Good.
  • the film forming apparatus may be provided with a gas introduction unit that introduces an oxidation reactive gas from four directions or all directions between the peripheral surface of the drum 22 and the cathode housing unit 31.
  • the gas introduction pipe has an annular gas blowing portion at one end, and the annular gas blowing portion may be provided so as to surround the opening 34 of the storage chamber 33.
  • the film forming apparatus may include a gas introduction unit that introduces a nitrogen reactive gas such as nitrogen gas instead of the gas introduction unit 51 that introduces the oxidation reactive gas.
  • a gas introduction unit that introduces a nitrogen reactive gas such as nitrogen gas instead of the gas introduction unit 51 that introduces the oxidation reactive gas.
  • the magnetic recording medium according to the second embodiment of the present technology further includes an underlayer 15 and an intermediate layer (seed layer) 16 provided between the base material 11 and the magnetic recording layer 12. It differs from the magnetic recording medium according to the first embodiment in that it is provided.
  • the underlayer 15 is provided on the surface of the substrate 11, the intermediate layer 16 is provided on the surface of the underlayer 15, and the magnetic recording layer 12 is provided on the surface of the intermediate layer 16.
  • the same parts as those of the magnetic recording medium according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the underlayer 15 preferably contains an alloy containing Ti and Cr and has an amorphous state. This alloy may further contain O (oxygen).
  • the “alloy” means at least one of a solid solution containing Ti and Cr, a eutectic, and an intermetallic compound. “Amorphous state” means that a halo is observed by electron diffraction and the crystal structure cannot be specified.
  • the underlayer 15 containing an alloy containing Ti and Cr and having an amorphous state suppresses the influence of O 2 gas and H 2 O adsorbed on the base material 11 and relaxes the unevenness of the surface of the base material 11.
  • action which forms a metallic smooth surface on the surface of the base material 11.
  • FIG. This action improves the vertical alignment of the intermediate layer 16.
  • the state of the underlayer 15 is changed to a crystalline state, the column shape accompanying crystal growth becomes clear, the unevenness of the surface of the substrate 11 is emphasized, and the crystal orientation of the intermediate layer 16 may be deteriorated.
  • the alloy contained in the underlayer 15 may further contain elements other than Ti and Cr as additive elements.
  • the additive element include one or more elements selected from the group consisting of Nb, Ni, Mo, Al, W, and the like.
  • the underlayer 15 is not limited to a single layer structure, and may have a multilayer structure of two or more layers.
  • the underlayer 15 includes a first underlayer (upper underlayer) and a second underlayer (lower underlayer).
  • the first underlayer is provided on the intermediate layer 16 side
  • the second underlayer is provided on the substrate 11 side.
  • the first underlayer includes a material having a composition different from that of the second underlayer. Specific examples of this material include NiW or Ta. Note that the first underlayer can be regarded as an intermediate layer, not an underlayer.
  • the intermediate layer 16 is intended to make the crystal grains of the magnetic recording layer 12 finer and improve the orientation.
  • the intermediate layer 16 is one or more selected from the group consisting of Co, Cu, Ni, Fe, Zr, Pt, Au, Ta, W, Ag, Al, Mn, Cr, Ti, V, Nb, Mo, Ru, and the like.
  • the magnetic recording medium having the above-described configuration further includes the underlayer 15 and the intermediate layer 16 provided between the base material 11 and the magnetic recording layer 12, the magnetic recording medium according to the first embodiment. Can further improve the magnetic properties.
  • the film forming apparatus according to the second embodiment of the present technology is further provided with cathode accommodating portions 31a and 31b, gas introducing portions 41a and 41b, and exhaust portions 61a and 61b. This is different from the film forming apparatus according to the first embodiment.
  • the same parts as those of the film forming apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • cathode accommodating portions 31 a, 31 b, 31 are disposed so as to face the peripheral surface of the drum 22.
  • the cathode accommodating portions 31a, 31b, and 31 are arranged in the order of rotation of the drum 22 with a predetermined interval in this order.
  • a gas introduction part (first gas introduction part) 41a and an exhaust part 61a are connected to the accommodation chamber 33 of the cathode accommodation part 31a.
  • a target 32Ta can be attached to the cathode 32a.
  • the target 32Ta is set for forming the underlayer 15. Width D G of the gap between the circumferential surface and the cathode housing portion 31a of the drum 22 is preferably 0.5mm or more 5.0mm or less.
  • a gas introduction part (first gas introduction part) 41b and an exhaust part 61b are connected to the accommodation chamber 33 of the cathode accommodation part 31b.
  • a target 32Tb can be attached to the cathode 32b.
  • a target for forming the intermediate layer 16 is set as the target 32Tb.
  • Width D G of the gap between the circumferential surface and the cathode housing portion 31b of the drum 22 is preferably 0.5mm or more 5.0mm or less.
  • the film forming apparatus having the above-described configuration further includes cathode accommodating portions 31 a and 31 b in addition to the cathode accommodating portion 31, and thus a three-layer laminated film composed of the underlayer 15, the intermediate layer 16, the magnetic recording layer 12, and the like. Can be simultaneously formed by one transport of the substrate 11.
  • the film forming apparatus includes an exhaust mechanism that exhausts the inside of the cathode housing portion independently.
  • exhaust portions 61, 61a, 61b are provided for exhausting the cathode accommodating portions 31, 31a, 31b independently of each other.
  • the inside of the film forming chamber 21 and the storage chambers 33 of the cathode storage portions 31, 31a, 31b are evacuated to a predetermined degree of vacuum. More specifically, after the inside of the film forming chamber 21 is evacuated and the inside of the film forming chamber 21 reaches a predetermined degree of vacuum, the inside of the accommodating chamber 33 of each of the cathode accommodating portions 31, 31a, 31b is evacuated. Then, each room is set to a predetermined degree of vacuum.
  • the inside of the film forming chamber 21 and the storage chamber 33 of each of the cathode storage portions 31, 31a, 31b are simultaneously evacuated so that the chambers of the cathode storage portions 31, 31a, 31b have a predetermined degree of vacuum.
  • the ultimate degree of vacuum in the storage chamber 33 of each of the cathode storage portions 31, 31a, 31b is preferably 5.0 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less. This is because the underlayer 15, the intermediate layer 16, and the magnetic recording layer 12 having good characteristics can be formed.
  • the base material 11 having a long shape is unwound from the supply reel 23, and is wound on the long base material 11 that runs along the peripheral surface of the drum 22 while being wound by the take-up reel 24.
  • the base layer 15, the intermediate layer 16, and the magnetic recording layer 12 are continuously formed as follows.
  • the target 32Ta set on the cathode 32a is sputtered while introducing an inert gas such as Ar gas into the accommodating chamber 33 by the gas introducing portion 41a.
  • the base layer 15 is formed on the base material 11 that travels along the peripheral surface of the drum 22.
  • the target 32Tb set on the cathode 32b is sputtered while running along the peripheral surface of the drum 22 while introducing an inert gas such as Ar gas into the accommodating chamber 33 by the gas introducing portion 41b.
  • An intermediate layer 16 is formed on the base layer 15 of the substrate 11 to be formed.
  • the magnetic recording layer 12 is formed on the intermediate layer 16 of the base material 11 that travels along the peripheral surface of the drum 22 in the same manner as in the first embodiment.
  • the film forming process of the protective layer and the lubricant layer is the same as the method for manufacturing the magnetic recording medium according to the first embodiment.
  • the magnetic recording medium has been described with respect to the example in which both the base layer 15 and the intermediate layer 16 are provided between the base material 11 and the magnetic recording layer 12.
  • One of the layers 16 may be provided.
  • the film forming apparatus may include one of the cathode accommodating portion 31a and the cathode accommodating portion 31b. Further, in the method of manufacturing the magnetic recording medium, after forming one of the underlayer 15 and the intermediate layer 16 on the surface of the substrate 11, the magnetic recording layer 12 is formed on the surface of the layer. You can do it.
  • the film forming apparatus includes the three cathode accommodating portions 31, 31a, and 31b has been described.
  • the film forming apparatus includes two or four or more cathode accommodating portions. It may be.
  • a gas introduction part that introduces a reactive gas may be provided between two or more of the cathode accommodation parts and the peripheral surface of the drum 22.
  • Examples 1-1 to 1-4 A magnetic tape was manufactured as follows using the film forming apparatus having the configuration shown in FIGS. First, a Co target was attached to the cathode. Incidentally, the drum circumference - setting the width D G of Gap (gap) between the cathode housing portion to 2.0 mm. Next, the film forming chamber and the cathode accommodating portion were evacuated independently. The ultimate degree of vacuum in the cathode accommodating part was set to 5.0 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less.
  • each of the wall portions of the cathode housing portion was heated, and the temperature of the inner wall surface of the cathode housing portion was maintained at 200 ° C. or higher for 30 minutes or longer.
  • the long polymer film is unwound from the supply reel, and on the polymer film that runs along the peripheral surface of the drum while being wound by the take-up reel, a Co—CoO layer is formed as follows. Was deposited. That is, while introducing Ar gas into the cathode receptacle by Ar gas inlet, while O 2 gas is introduced from the downstream side of the rotation of the drum between the drum periphery and the cathode housing part by O 2 gas inlet The Co target attached to the cathode was sputtered.
  • Examples 2-1 to 2-5 Using the film forming apparatus having the configuration shown in FIG. 4, O 2 gas was introduced from the downstream side of the drum rotation between the drum and the cathode housing portion via the O 2 gas introduction portion. The amount of O 2 gas introduced was adjusted for each sample as shown in Table 1. Except for this, a long magnetic tape was obtained in the same manner as in Examples 1-1 to 1-4.
  • the Ar gas introduction part and the O 2 gas introduction part are both provided at positions that face the back surface of the cathode in the wall part of the cathode accommodating part.
  • the same materials as 1-1 to 1-4 were prepared.
  • Ar gas and O 2 gas were introduced into the cathode accommodating portion by the Ar gas introducing portion and the O 2 gas introducing portion.
  • the amount of O 2 gas introduced was adjusted for each sample as shown in Table 1. Except for this, a long magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1-1.
  • Table 1 shows the amounts of O 2 gas introduced and magnetic properties of the magnetic tapes of Reference Example 1-1, Examples 1-1 to 1-4, Examples 2-1 to 2-5, and Comparative Examples 1-1 to 1-4. The evaluation result of a characteristic is shown.
  • gas introducing method of Example Method of introducing O 2 gas between the drum and the cathode housing portion
  • gas inlet of the comparative example Hc and Rs are greatly improved as compared to “method”.
  • Hc of 1300 Oe or more and Rs of 20% or more can be obtained by adjusting the O 2 gas introduction amount.
  • the O 2 gas introduction amount is reduced. Even if it adjusts, such Hc and Rs cannot be obtained. This is probably because the formation of an oxide film on the surface of the Co target is suppressed in the gas introduction method of the example as compared with the gas introduction method of the comparative example.
  • Example 1-2 Hc and Rs are high immediately after film formation, and variations in Hc and Rs are within ⁇ 10% over a 100 m section in the longitudinal direction of the magnetic tape.
  • Comparative Example 1-2 Hc and Rs are low immediately after film formation, and variations in Hc and Rs are not within ⁇ 10% over a 100 m section in the longitudinal direction of the magnetic tape.
  • Composition analysis Composition analysis in the depth direction of the magnetic recording layer of the magnetic tapes of Example 1-1 and Comparative Example 1-2 was performed using XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). The results are shown in FIGS. 9A and 9B.
  • the Co—CoO layer of Example 1-1 has a high oxygen concentration in the vicinity of a depth of 20 to 40 nm. This is presumably because, during sputtering of the Co—CoO layer, sputtering was performed while introducing O 2 gas between the peripheral surface of the drum and the cathode housing portion, so that oxygen was appropriately taken into the film.
  • the oxygen concentration in the vicinity of the depth of 20 to 40 nm is low, and conversely, the Co concentration is high. This is presumably because oxygen was not successfully taken into the film because sputtering was performed while introducing O 2 gas into the cathode housing portion during the Co-CoO layer sputtering.
  • Example 3-1 A long magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that a CoPtCr alloy target was attached to the cathode and a Co—CoO layer was formed on the polymer film.
  • Example 3-1 in which a CoPtCr—O layer was formed using a CoPtCr target, higher Hc and Rs were obtained than in Example 1-1 in which a Co—CoO layer was formed using a Co target. .
  • Hc and Rs are as high as about 3000 Oe and about 80% at the stage immediately after film formation, respectively, and variations in Hc and Rs are within ⁇ 10% over a 100 m section in the longitudinal direction of the magnetic tape. is there.
  • Ar gas pressure in cathode housing The Ar gas pressure in the cathode housing portion of the prepared film forming apparatuses of Examples 4-1 to 4-11 was measured as follows. First, the film formation chamber of the prepared film formation apparatus and the inside of the cathode housing were evacuated independently. The ultimate degree of vacuum in the cathode accommodating part was set to 5.0 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less. Next, Ar gas in the cathode accommodating portion was introduced by the Ar gas introducing portion, and the Ar gas pressure in the cathode accommodating portion was measured. The result is shown in FIG.
  • the Ar gas pressure in the cathode accommodating part can be set to 7.0 Pa or more. It should be noted that particularly excellent magnetic properties can be obtained when the Ar gas pressure in the cathode housing portion is 7.0 Pa or more.
  • the present technology can also employ the following configurations.
  • a film forming apparatus comprising: a second gas introduction unit configured to introduce a second gas between the peripheral surface and the cathode housing unit.
  • the first gas introduction part is a gas introduction part for an inert gas
  • the second gas introduction part introduces the second gas between the peripheral surface and the cathode accommodating part from the upstream or downstream side of the rotation of the drum.
  • a film forming apparatus according to claim 1. The film-forming apparatus in any one of (1) to (4) whose gap between the said surrounding surface and the said cathode accommodating part is 0.5 mm or more and 5.0 mm or less.
  • the said cathode accommodating part is a film-forming apparatus in any one of (1) to (5) provided with the wall part which has a structure which can be heated and cooled.
  • a method of manufacturing a magnetic recording medium comprising: forming a magnetic layer on a long base material that travels along the peripheral surface of the drum by sputtering. (10) The method for manufacturing a magnetic recording medium according to (9), wherein the target includes Co. (11) The method for manufacturing a magnetic recording medium according to (10), wherein the target further contains Pt. (12) The method for manufacturing a magnetic recording medium according to (9) or (10), wherein the magnetic layer contains Co and Co oxide.

Abstract

　成膜装置は、周面を有するドラムと、周面に対向して設けられたカソード収容部と、カソード収容部内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、周面とカソード収容部との間に第２のガスを導入する第２のガス導入部とを備える。

Description

磁気記録媒体およびその製造方法、ならびに成膜装置
　本技術は、可撓性基材と磁性層とを備える磁気記録媒体およびその製造方法、ならびにその磁気記録媒体を作製するための成膜装置に関する。
　近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展、図書館および公文書館などの電子化、ならびにビジネス文書の長期保管により、データストレージ用磁気テープの高記録密度化の要求が高まっている。
　高記録密度の磁気テープの製造方法としては、長尺状を有する可撓性基材を走行させながら、スパッタリング法や蒸着法などにより、その基材上に積層膜を成膜するものが提案されている（例えば、特許文献１～３参照）。
特開２００６－２８６１１５号公報 特開２００５－３５３１９１号公報 特開平７－１１０９３９号公報
　本技術の目的は、優れた信頼性を有する磁気記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを作製するための成膜装置を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の技術は、周面を有するドラムと、周面に対向して設けられたカソード収容部と、カソード収容部内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、周面とカソード収容部との間に第２のガスを導入する第２のガス導入部とを備える成膜装置である。
　第２の技術は、周面を有するドラムと、周面に対向して設けられた複数のカソード収容部と、複数のカソード収容部内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、周面と複数のカソード収容部のうちの少なくとも一つとの間に第２のガスを導入する第２のガス導入部とを備える成膜装置である。
　第３の技術は、ドラムの周面に対向するカソード収容部内に不活性ガスを導入するとともに、周面とカソード収容部との間に酸化反応性ガスを導入しながら、カソード収容部内に収容されたターゲットをスパッタすることにより、ドラムの周面に沿って走行する基材上に磁性層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法である。
　第４の技術は、長尺状の可撓性基材と、スパッタにより得られた、ＣｏとＣｏ酸化物とを含む磁性層とを備え、磁気特性のばらつきが、基材の長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である磁気記録媒体である。
　以上説明したように、本技術によれば、優れた信頼性を有する磁気記録媒体を得ることができる。
図１は、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を示す断面図である。 図２は、本技術の第１の実施形態に係る成膜装置の構成の一例を示す概略図である。 図３は、図２に示したカソード収容部の構成の一例を示す拡大断面図である。 図４は、本技術の第１の実施形態の変形例に係る成膜装置の構成の一例を示す概略図である。 図５は、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を示す断面図である。 図６は、本技術の第２の実施形態に係る成膜装置の構成の一例を示す概略図である。 図７Ａは、垂直保磁力ＨｃのＯ2ガス導入量依存性を示すグラフである。図７Ｂは、垂直角型比ＲｓのＯ2ガス導入量依存性を示すグラフである。 図８Ａは、スパッタ成膜長に対する垂直保磁力Ｈｃの変位を示すグラフである。図８Ｂは、スパッタ成膜長に対する垂直角型比Ｒｓの変位を示すグラフである。 図９Ａは、実施例１－１のＣｏ－ＣｏＯ層のデプスプロファイル（深さ分析）を示すグラフである。図９Ｂは、比較例１－２のＣｏ－ＣｏＯ層のデプスプロファイル（深さ分析）を示すグラフである。 図１０Ａは、スパッタ成膜長に対する垂直保磁力Ｈｃの変位を示すグラフである。図１０Ｂは、スパッタ成膜長に対する垂直角型比Ｒｓの変位を示すグラフである。 図１１は、ドラム－カソード収容部間のギャップに対するＡｒガス圧力の変位を示すグラフである。
　第２のガス導入部は、ドラムの回転の上流もしくは下流の側（すなわち走行する基材の上流もしくは下流の側）から、またはドラムの周面の幅方向の側から、ドラムの周面とカソード収容部との間に第２のガスを導入することが好ましい。
　成膜装置が、２以上の第２のガス導入部を備えるようにしてもよい。例えば２つの第２のガス導入部を備え、ドラムの回転の上流または下流の両側から第２ガスを導入するようにしてもよい。もしくは、ドラムの周面の幅方向の両側から第２ガスを導入するようにしてもよい。
　本技術の実施形態について、以下の順序で説明する。
１　第１の実施形態
　１．１　磁気記録媒体の構成
　１．２　成膜装置の構成
　１．３　磁気記録媒体の製造方法
　１．４　変形例
２　第２の実施形態
　２．１　磁気記録媒体の構成
　２．２　成膜装置の構成
　２．３　磁気記録媒体の製造方法
　２．４　変形例
＜１　第１の実施形態＞
［１．１　磁気記録媒体の構成］
　図１に示すように、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、長尺状の基材１１と、基材１１の表面に設けられた磁気記録層１２とを備える。磁気記録媒体は、必要に応じて、磁気記録層１２の表面に設けられた保護層１３と、保護層１３の表面に設けられた潤滑剤層１４とをさらに備えるようにしてもよい。磁気記録媒体は、いわゆる垂直磁気記録媒体である。
　磁気記録媒体の磁気特性、具体的には磁気記録層の磁気特性のバラツキが、基材１１の長手方向に１００ｍの区画に渡って±１０％以内である。ここで、磁気特性は、垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓのうちの少なくとも１つの特性、好ましくはそれらの両特性を意味する。
（基材）
　支持体となる基材１１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基材であり、長手方向（ＭＤ方向）および短手方向（ＴＤ方向）を持つ表面を有している。このような非磁性基材としては、長尺状のフィルムを用いることが好ましい。非磁性基材の材料としては、例えば、通常の磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
（磁気記録層）
　磁性層である磁気記録層１２は、スパッタにより得られた層、すなわちスパッタ層である。磁気記録層１２がスパッタ層であるか否かは、例えば磁気記録層１２に不活性ガスが含有されているか否かを分析することにより確認できる。磁気記録層１２は、いわゆる垂直磁化膜であり、酸化反応により得られる強磁性体であるＣｏとＣｏ酸化物とを含んでいる。これらのＣｏとＣｏ酸化物とは、磁気記録層１２中において混在した状態にある。磁気記録層１２は、磁気特性向上の観点から、Ｐｔをさらに含んでいることが好ましい。具体的には例えば、ＣｏＰｔ－ＯまたはＣｏＰｔＣｒ－Ｏを含んでいることが好ましい。磁気記録層１２がＰｔをさらに含むことで、磁気特性（例えば、垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓ）を大きく向上させることができる。したがって、磁気記録媒体としての記録再生信号の出力向上、およびノイズ低減をはかることが可能となる。但し、コストの観点では、Ｐｔを含んでいない磁気記録層１２が有利である。
（保護層）
　保護層１３は、良好な走行耐久性および耐食性を確保するためのものである。保護層１３は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含み、保護層１３の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。
（潤滑剤層）
　潤滑剤層１４は、走行性を良好にするためのものである。潤滑剤層１４は、潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。
（効果）
　上述の構成を有する磁気記録媒体では、磁気特性のばらつきが、長尺状の基材１１の長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である。これにより、磁気記録媒体の長手方向の磁気特性を安定させることができる。すなわち、優れた信頼性を有する磁気記録媒体を提供できる。
［１．２　成膜装置の構成］
　図２に示すように、本技術の第１の実施形態に係る成膜装置は、連続巻取式スパッタ装置であり、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、供給リール２３と、巻き取りリール２４と、複数のガイドロール２５ａ～２５ｃ、２６ａ～２６ｃと、カソード収容部３１と、ガス導入部４１、５１と、排気部６１とを備える。この成膜装置は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
　成膜室２１は、排気部として排気管２７と真空ポンプ（図示せず）とを備え、この排気部により成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１内には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２３および巻き取りリール２４が配置されている。成膜室２１内には、供給リール２３とドラム２２との間における基材１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２５ａ～２５ｃが設けられていると共に、ドラム２２と巻き取りリール２４との間における基材１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２６ａ～２６ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール２３から巻き出された基材１１が、ガイドロール２５ａ～２５ｃ、ドラム２２およびガイドロール２６ａ～２６ｃを介して巻き取りリール２４に巻き取られる。ドラム２２は円柱状または円筒状の形状を有し、長尺状の基材１１はドラム２２の円柱面状または円筒面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば－２０℃程度に冷却される。
　成膜室２１内には、ドラム２２の周面に対向してカソード収容部３１が配置されている。カソード収容部３１は、図３に示すように、カソード３２と、収容室３３とを備える。収容室３３は、カソード３２を収容している。カソード３２にはターゲット３２Ｔを取り付け可能である。ＣｏとＣｏの酸化物を含む磁気記録層１２を成膜する場合には、ターゲット３２Ｔとしては、Ｃｏを含むターゲットが用いられる。Ｐｔをさらに含んでいる磁気記録層１２を成膜する場合には、ターゲット３２Ｔとしては、ＣｏとＰｔとを含む合金ターゲットが用いられる。このような合金ターゲットとしては、例えば、ＣｏＰｔ合金ターゲット、ＣｏＰｔＣｒ合金ターゲットが挙げられる。
　収容室３３は、加熱冷却可能な構成を有する壁部を備える。この壁部は、ドラム２２の周面に対向する側に開口部３４を有する。製膜時には、ターゲット３２Ｔからスパッタリングされ、気相中に放出されたスパッタリング粒子が、開口部３４を介して、ドラム２２の周面に沿って走行する基材１１に到達し、薄膜が形成される。
　収容室３３の壁部には、排気部６１が接続されている。排気部６１は、収容室３３の室内を成膜室２１とは独立に真空排気するためものものである。排気部６１は、排気管６２と、真空ポンプ６３とを備える。収容室３３と真空ポンプ６３とは排気管６２により接続されている。
　収容室３３の壁部には、ガス導入部（第１のガス導入部）４１が接続されている。ガス導入部４１は、プラズマ放電促進用の不活性ガス（第１のガス）を収容室３３内に導入するための不活性ガス用のガス導入部である。
　ガス導入部４１は、ガス導入管４２と、流量制御装置（Mass Flow Controller：ＭＦＣ）４３と、ガス供給部としてのガスボンベ４４とを備える。ガス導入管４２の一端は、成膜室２１の壁部を介して収容室３３に接続されている。一方、ガス導入管４２の他端は、ガスボンベ４４に接続されている。ガス導入管４２には、流量制御装置４３が設けられている。流量制御装置４３は、ガスボンベ４４から収容室３３に導入する不活性ガスの流量を制御する。流量制御装置４３は、不活性ガス用のものであることが好ましい。ガスボンベ４４には、不活性ガスが封入されている。不活性ガスとしては、例えばＡｒガスなどが用いられる。
　成膜室２１内には、ガス導入部（第２のガス導入部）５１に導入されている。ガス導入部５１は、ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間に酸化反応性ガス（第２のガス）を導入するための酸化反応性ガス用のガス導入部である。ガス導入部５１は、ドラム２２の回転の下流の側、すなわち走行する基材１１の下流の側から、ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間に酸化反応性ガスを導入する。
　ガス導入部５１は、ガス導入管５２と、流量制御装置５３と、ガス供給部としてのガスボンベ５４とを備える。ガス導入管５２の一端は、成膜室２１の壁部を介して、収容室３３の開口部３４の周囲うちドラム２２の回転の下流側となる位置に導入されている。一方、ガス導入管５２の他端は、ガスボンベ５４に接続されている。収容室３３の開口部３４の周囲に導入されたガス導入管５２の一端には、酸化反応性ガスを吹き出すための多数の孔部が設けられている。ガス導入管５２には、流量制御装置５３が設けられている。流量制御装置５３は、ガスボンベ５４から収容室３３に導入する酸化反応性ガスの流量を制御する。流量制御装置５３は、酸化反応性ガス用のものであることが好ましい。ガスボンベ５４には、酸化反応性ガスが封入されている。酸化反応性ガスとしては、例えば、酸素または酸素を含む化合物が用いられる。
　ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間には、ギャップ（隙間）が設けられている。このギャップの幅ＤGは、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下であることが好ましい。幅ＤGが０．５ｍｍであると、走行する基材１１にカソード収容部３１に接触する虞がある。一方、幅ＤGが５．０ｍｍを超えると、Ａｒガスがカソード収容部３１から外に拡散して放電が安定しなくなる虞がある。
（効果）
　上述の構成を有する成膜装置は、周面を有するドラム２２と、ドラム２２の周面に対向して設けられたカソード収容部３１と、カソード収容部３１内に不活性ガスを導入するガス導入部４１と、ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間に酸化反応性ガスを導入するガス導入部５１とを備える。製膜時には、ガス導入部４１がカソード収容部３１内にプラズマ放電促進用の不活性ガスを収容室３３内に導入する。また、ガス導入部５１がドラム２２の周面とカソード収容部３１の開口部３４との間に酸化反応性のガスを導入する。これにより、ドラム２２の周面とターゲット３２Ｔのスパッタ面との間において、酸化反応性ガスの濃度をドラム２２の周面側に比してターゲット３２Ｔのスパッタ面側で低くし、不活性ガスの濃度をドラム２２の周面側に比してターゲット３２Ｔのスパッタ面側で高くできる。このため、酸化反応性ガスによるターゲット３２Ｔのスパッタ面の酸化を抑制できる。したがって、走行する基材１１に連続成膜される薄膜の特性を、長時間に渡って安定に保持することができる。
　上述の構成を有する成膜装置では、長尺状を有する基材１１を供給リール２３から巻き出すとともに、巻き取りリール２４により巻取りながら、ドラム２２の周面に沿って走行する基材１１上に磁気記録層１２を連続成膜できる。したがって、磁気記録層１２をＲｏｌｌ　ｔｏ　Ｒｏｌｌ法により連続成膜することができる。
［１．３　磁気記録媒体の製造方法］
　以下、図２を参照して、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。
（真空排気の工程）
　まず、成膜室２１内および収容室３３内を真空排気して、所定の真空度にする。より具体的には、成膜室２１内を真空引きして、成膜室２１内が所定の真空度に到達した後、収容室３３内を真空引きして、収容室３３内を所定の真空度にする。もしくは、成膜室２１内および収容室３３内を同時に真空排気して、収容室３３内を所定の真空度にする。収容室３３の到達真空度は、５．０×１０-5Ｐａ以下であることが好ましい。良好な特性を有する磁気記録層１２を成膜できるからである。上述のように収容室３３内を真空引きした状態では、一般的に収容室３３の内壁面にＯ2やＨ2Ｏなどのガスが残留している。
（加熱処理の工程）
　次に、収容室３３の壁部を加熱処理することが好ましい。これにより、収容室３３の内壁面からのＯ2やＨ2Ｏなどの残留ガスを放出できるからである。残留ガスの低減の観点からすると、加熱処理により、収容室３３の内壁面を２００℃以上に、３０分以上保持することが好ましい。
（磁気記録層の成膜工程）
　次に、長尺状を有する基材１１を供給リール２３から巻き出すとともに、巻き取りリール２４により巻取りながら、ドラム２２の周面に沿って走行する長尺状の基材１１上に、磁気記録層１２を以下のようにして連続成膜する。すなわち、ガス導入部４１により成膜室２１内にＡｒガスなどの不活性ガスを導入するとともに、ガス導入部５１によりドラム２２の周面とカソード収容部３１の開口部３４との間にＯ2ガスなどの酸化反応性ガスを導入しながら、カソード３２にセットされたターゲット３２Ｔをスパッタする。これにより、ドラム２２の周面に沿いながら走行する基材１１の表面に磁気記録層１２が成膜される。
　ターゲット３２ＴがＣｏを含むターゲットである場合には、Ｃｏ－ＣｏＯを含む磁気記録層１２が成膜される。ターゲット３２ＴがＣｏＰｔ合金を含むターゲットである場合には、ＣｏＰｔ－Ｏを含む磁気記録層１２が成膜される。ターゲット３２ＴがＣｏＰｔＣｒ合金を含むターゲットである場合には、ＣｏＰｔＣｒ－Ｏを含む磁気記録層１２が成膜される。
　上述の成膜工程中、収容室３３の壁部を冷却処理することが好ましい。これにより、収容室３３の内壁面に残存するＯ2やＨ2Ｏなどの残留ガスの放出を抑制できるからである。残留ガスの放出抑制の観点からすると、収容室３３の内壁面の温度を、成膜工程中９０℃以下に保持することが好ましい。
（保護層の成膜工程）
　次に、例えば巻き取りリール２４に巻き取った基材１１を成膜装置から他の成膜装置に搬送して、磁気記録層１２の表面に保護層１３を成膜する。保護層１３の成膜方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。
（潤滑剤層の成膜工程）
　次に、例えば基材１１を塗布装置に搬送し、潤滑剤などを保護層１３の表面に塗布し、潤滑剤層１４を成膜する。潤滑剤の塗布方法はとしては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。以上により、図１に示した磁気記録媒体が得られる。
（効果）
　上述の工程を有する磁気記録媒体の製造方法では、ドラム２２の周面に対向するカソード収容部３１内に不活性ガスを導入するとともに、ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間に酸化反応性ガスを導入しながら、カソード収容部３１内に収容されたターゲット３２Ｔをスパッタする。これにより、ドラム２２の周面に沿って走行する長尺状の基材１１上に磁気記録層１２が形成される。したがって、ドラム２２の周面とターゲット３２Ｔのスパッタ面との間において、酸化反応性ガスの濃度をドラム２２の周面側に比してターゲット３２Ｔのスパッタ面側で低くし、不活性ガスの濃度をドラム２２の周面側に比してターゲット３２Ｔのスパッタ面側で高くできる。このため、酸化反応性ガスによるターゲット３２Ｔのスパッタ面の酸化を抑制できる。すなわち、長尺状の基材１１の長手方向に長区間に渡って、磁気記録媒体の磁気特性のばらつきを抑えることができる。例えば、１００ｍの区画にわたって、磁気記録媒体の磁気特性のばらつきを±１０％以内に抑えることができる。
［１．４　変形例］
　図４に示すように、ガス導入部５１は、ドラム２２の回転の上流の側、すなわち走行する基材１１の上流の側から、ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間に酸化反応性ガスを導入するようにしてもよい。この場合、ガス導入管５２の一端は、成膜室２１の壁部を介して、収容室３３の開口部３４の周囲うちドラム２２の回転の上流側となる位置に導入されている。
　成膜装置が２つのガス導入部５１を備え、ドラム２２の回転の上流および下流の両側から、ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間に酸化反応性ガスを導入するようにしてもよい。
　成膜装置が、ドラム２２の周面とカソード収容部３１との間に酸化反応性ガスを四方または全方位から導入するガス導入部を備えるようにしてもよい。この場合、ガス導入管がその一端に環状のガス吹き出し部を有し、その環状のガス吹き出し部が収容室３３の開口部３４を囲むように設けられるようにすればよい。
　成膜装置が、酸化反応性ガスを導入するガス導入部５１に代えて、窒素ガスなどの窒素反応性ガスを導入するガス導入部を備えるようにしてもよい。このようなガス導入部を備えることで、窒素を含有する薄膜を長尺状の基材上に成膜することができる。
＜２　第２の実施形態＞
［２．１　磁気記録媒体の構成］
　図５に示すように、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体は、基材１１と磁気記録層１２との間に設けられた下地層１５および中間層（シード層）１６をさらに備える点において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。下地層１５が基材１１の表面に設けられ、中間層１６が下地層１５の表面に設けられ、磁気記録層１２が中間層１６の表面に設けられている。第２の実施形態に係る磁気記録媒体において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
（下地層）
　下地層１５は、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有していることが好ましい。この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。ここで、「合金」とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。
　ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有する下地層１５には、基材１１に吸着したＯ2ガスやＨ2Ｏの影響を抑制するとともに、基材１１の表面の凹凸を緩和して基材１１の表面に金属性の平滑面を形成する作用がある。この作用により、中間層１６の垂直配向性が向上する。なお、下地層１５の状態を結晶状態にすると、結晶成長に伴うカラム形状が明瞭となり、基材１１の表面の凹凸が強調され、中間層１６の結晶配向が悪化する虞がある。
　下地層１５に含まれる合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＷなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
　なお、下地層１５は単層構造に限定されるものではなく、２層以上の多層構造であってもよい。例えば下地層１５が２層構造を有する場合、下地層１５は、第１の下地層（上側下地層）および第２の下地層（下側下地層）を備える。第１の下地層が中間層１６の側に設けられ、第２の下地層が基材１１の側に設けられる。第２の下地層は、上述の下地層１５と同様のものを用いることができる。第１の下地層は、例えば第２の下地層とは異なる組成の材料を含んでいる。この材料の具体例としては、ＮｉＷまたはＴａなどが挙げられる。なお、第１の下地層は、下地層ではなく、中間層と見なすことも可能である。
（中間層）
　中間層１６は、磁気記録層１２の結晶粒子の微細化と配向性向上を目的とするものである。中間層１６は、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、ＭｏおよびＲｕなどからなる群より選ばれる１種以上の金属材料を含んでいる。これらの任意の２種類以上を組み合わせた合金、またはこれらの金属材料と酸素や窒素との化合物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＩＴＯ（indium tin oxide）、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ等の化合物、カーボン、ダイヤモンドライクカーボンなどを含んでいてもよい。合金としては、例えばＮｉＷなどのＮｉ合金が挙げられる。
（効果）
　上述の構成を有する磁気記録媒体は、基材１１と磁気記録層１２との間に設けられた下地層１５および中間層１６をさらに備えているので、第１の実施形態に係る磁気記録媒体よりも更に磁気特性を改善することができる。
［２．２　成膜装置の構成］
　図６に示すように、本技術の第２の実施形態に係る成膜装置は、カソード収容部３１ａ、３１ｂと、ガス導入部４１ａ、４１ｂと、排気部６１ａ、６１ｂとをさらに備える点において、第１の実施形態に係る成膜装置とは異なっている。第２の実施形態に係る成膜装置において、第１の実施形態に係る成膜装置と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　成膜室２１内には、ドラム２２の周面に対向してカソード収容部３１ａ、３１ｂ、３１が配置されている。カソード収容部３１ａ、３１ｂ、３１は、ドラム２２の回転の方向にこの順序で所定間隔離して配置されている。
　カソード収容部３１ａの収容室３３には、ガス導入部（第１のガス導入部）４１ａおよび排気部６１ａが接続されている。カソード３２ａにはターゲット３２Ｔａを取り付け可能である。上述の構成を有する磁気記録媒体を製造する場合には、ターゲット３２Ｔａとしては、下地層１５を成膜するためのものがセットされる。ドラム２２の周面とカソード収容部３１ａとの間のギャップの幅ＤGは、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下であることが好ましい。
　カソード収容部３１ｂの収容室３３には、ガス導入部（第１のガス導入部）４１ｂおよび排気部６１ｂが接続されている。カソード３２ｂにはターゲット３２Ｔｂを取り付け可能である。上述の構成を有する磁気記録媒体を製造する場合には、ターゲット３２Ｔｂとしては、中間層１６を成膜するためのものがセットされる。ドラム２２の周面とカソード収容部３１ｂとの間のギャップの幅ＤGは、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下であることが好ましい。
（効果）
　上述の構成を有する成膜装置は、カソード収容部３１に加えてカソード収容部３１ａ、３１ｂをさらに備えるので、下地層１５、中間層１６および磁気記録層１２などにより構成される３層の積層膜を、基材１１の１回の搬送で同時に成膜することができる。
　成膜装置は、カソード収容部内を独立に排気する排気機構を備えている。具体的には、カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂをそれぞれ独立に排気する排気部６１、６１ａ、６１ｂを備えている。これにより、カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂにより成膜されるそれぞれの薄膜に求められる特性に応じて、カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂ内の真空度をそれぞれ調整できる。
［２．３　磁気記録媒体の製造方法］
　以下、図６を参照して、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。
（真空排気の工程）
　まず、成膜室２１内およびカソード収容部３１、３１ａ、３１ｂそれぞれの収容室３３内を真空排気して、所定の真空度にする。より具体的には、成膜室２１内を真空引きして、成膜室２１内が所定の真空度に到達した後、カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂそれぞれの収容室３３内を真空引きして、それぞれの室内を所定の真空度にする。もしくは、成膜室２１内およびカソード収容部３１、３１ａ、３１ｂそれぞれの収容室３３内を同時に真空排気して、カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂそれぞれの室内を所定の真空度にする。カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂそれぞれの収容室３３の到達真空度は、５．０×１０-5Ｐａ以下であることが好ましい。良好な特性を有する下地層１５、中間層１６および磁気記録層１２を成膜できるからである。
（加熱処理の工程）
　次に、カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂそれぞれの収容室３３の壁部を加熱処理することが好ましい。
（下地層、中間層および磁気記録層の成膜工程）
　次に、長尺状を有する基材１１を供給リール２３から巻き出すとともに、巻き取りリール２４により巻取りながら、ドラム２２の周面に沿って走行する長尺状の基材１１上に、下地層１５、中間層１６および磁気記録層１２を以下のようにして連続成膜する。
　カソード収容部３１ａでは、ガス導入部４１ａにより収容室３３内にＡｒガスなどの不活性ガスを導入しながら、カソード３２ａにセットされたターゲット３２Ｔａをスパッタする。これにより、ドラム２２の周面に沿いながら走行する基材１１上に下地層１５が成膜される。
　カソード収容部３１ｂでは、ガス導入部４１ｂにより収容室３３内にＡｒガスなどの不活性ガスを導入しながら、カソード３２ｂにセットされたターゲット３２Ｔｂをスパッタして、ドラム２２の周面に沿いながら走行する基材１１の下地層１５上に中間層１６が成膜される。
　カソード収容部３１では、上述の第１の実施形態と同様にして、ドラム２２の周面に沿いながら走行する基材１１の中間層１６上に磁気記録層１２が成膜される。
　上述の成膜工程中、カソード収容部３１、３１ａ、３１ｂそれぞれの収容室３３の壁部を冷却処理することが好ましい。
（保護層および潤滑剤層の成膜工程）
　保護層および潤滑剤層の成膜工程は、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法と同様である。
（効果）
　上述の工程を有する磁気媒体の製造方法では、長尺状の基材１１の長手方向に長区間に渡って磁気特性のばらつきを抑えつつ、下地層１５、中間層１６および磁気記録層１２を備える磁気記録媒体を作製することができる。
［２．４　変形例］
　上述の第２の実施形態では、磁気記録媒体が、基材１１と磁気記録層１２との間に下地層１５および中間層１６の両方が設けられた例について説明したが、下地層１５および中間層１６のうちの一方を備えるようにしてもよい。この場合、成膜装置は、カソード収容部３１ａおよびカソード収容部３１ｂのうちの一方を備えるようにすればよい。また、磁気記録媒体の製造方法は、基材１１の表面に下地層１５および中間層１６のうちの一方の層を成膜したのちに、その層の表面に磁気記録層１２を成膜するようにすればよい。
　上述の第２の実施形態では、成膜装置が、３つのカソード収容部３１、３１ａ、３１ｂを備える例について説明したが、成膜装置が、２つまたは４つ以上のカソード収容部を備えるようにしてもよい。
　上述の第２の実施形態では、複数のカソード収容部のうち１つの収容部とドラム２２の周面との間に、反応性ガスを導入するガス導入部を備える例について説明したが、複数のカソード収容部のうち２つ以上の収容部とドラム２２の周面との間に、反応性ガスを導入するガス導入部を備えるようにしてもよい。
　第２の実施形態において、上述の第１の実施形態の変形例の構成を採用するようにしてもよい。
　以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
　本技術の実施例について以下の順序で説明する。
ｉ　Ｏ2ガス導入位置と磁気特性との関係
ii　ＣｏＰｔＣｒ－Ｏ記録層の磁気特性
iii　ドラム－カソード収容部間のギャップとガス圧力との関係
＜ｉ　Ｏ2ガス導入位置と磁気特性との関係＞
（実施例１－１～１－４）
　図２、図３に示した構成を有する成膜装置を用いて、以下のようにして磁気テープを作製した。まず、カソードにＣｏターゲットを取り付けた。なお、ドラム周面－カソード収容部間のギャプ（隙間）の幅ＤGを２．０ｍｍに設定した。次に、成膜室内およびカソード収容部内を独立に真空引きした。カソード収容部内の到達真空度は、５．０×１０-5Ｐａ以下とした。
　次に、カソード収容部の壁部をそれぞれ加熱し、カソード収容部の内壁面の温度を２００℃以上に、３０分以上保持した。次に、長尺状の高分子フィルムを供給リールから巻き出すとともに、巻き取りリールにより巻取りながら、ドラムの周面に沿って走行する高分子フィルム上に、以下のようにしてＣｏ－ＣｏＯ層を成膜した。すなわち、Ａｒガス導入部によりカソード収容部内にＡｒガスを導入するとともに、Ｏ2ガス導入部によりドラム周面とカソード収容部との間にドラムの回転の下流の側からＯ2ガスを導入しながら、カソードに取り付けられたＣｏターゲットをスパッタした。これにより、ドラムの周面に沿って走行する長尺状の高分子フィルム上にＣｏ－ＣｏＯ層が成膜された。なお、Ｏ2ガスの導入量を表１に示すようにサンプル毎に調整した。また、成膜中にカソード収容部の壁部を冷却し、９０℃以下に保持する温度制御を行った。以上により、長尺状の磁気テープが得られた。
（参考例１－１）
　Ｏ2ガス導入部によりＯ2ガスを導入せずにＣｏターゲットをスパッタして、ドラムの周面に沿って走行する長尺状の高分子フィルム上にＣｏ層を成膜したこと以外は、実施例１－１と同様にして長尺状の磁気テープを得た。
（実施例２－１～２－５）
　図４に示した構成を有する成膜装置を用いて、Ｏ2ガス導入部を介してドラムとカソード収容部との間に、ドラムの回転の下流の側からＯ2ガスを導入した。また、Ｏ2ガスの導入量を表１に示すようにサンプル毎に調整した。これ以外のことは実施例１－１～１－４と同様にして、長尺状の磁気テープを得た。
（比較例１－１～１－３）
　成膜装置として、Ａｒガス導入部およびＯ2ガス導入部が共に、カソード収容部の壁部うちカソードの裏面に対向する位置に設けられている以外のことは、参考例１－１、実施例１－１～１－４と同様のものを準備した。この成膜装置を用いて、Ａｒガス導入部、Ｏ2ガス導入部によりカソード収容部内にＡｒガス、Ｏ2ガスを導入した。また、Ｏ2ガスの導入量を表１に示すようにサンプル毎に調整した。これ以外のことは実施例１－１と同様にして、長尺状の磁気テープを得た。
（比較例１－４）
　Ｏ2ガス導入部によりＯ2ガスを導入せずにＣｏターゲットをスパッタして、ドラムの周面に沿って走行する長尺状の高分子フィルム上にＣｏ層を成膜したこと以外は、比較例１－１と同様にして長尺状の磁気テープを得た。
（評価）
　上述のようにして得られた磁気テープについて、以下の評価を行った。
（磁気特性）
　参考例１－１、実施例１－１～１－４、実施例２－１～２－５、比較例１－１～１－４の磁気テープの成膜開始直後における垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓを振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定した。その結果を表１、図７Ａ、図７Ｂに示す。
　表１は、参考例１－１、実施例１－１～１－４、実施例２－１～２－５、比較例１－１～１－４の磁気テープのＯ2ガス導入量および磁気特性の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　ドラムとカソード収容部との間にＯ2ガスを導入する方法（以下「実施例のガス導入方法」という。）では、カソード収容部内にＯ2ガスを導入する方法（以下「比較例のガス導入方法」という。）に比してＨｃ、Ｒｓが大きく向上する。実施例のガス導入方法では、Ｏ2ガス導入量を調整することで、１３００Ｏｅ以上のＨｃ、２０％以上のＲｓを得ることができるが、比較例のガス導入方法では、Ｏ2ガス導入量を調整してもこのようなＨｃ、Ｒｓを得ることができない。これは、実施例のガス導入方法では、比較例のガス導入方法に比してＣｏターゲットの表面に対する酸化膜の形成が抑制されているためと考えられる。
（磁気特性のばらつき）
　実施例１－１、比較例１－２の磁気テープの成膜開始直後から所定の成膜長毎の垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓを、ＶＳＭを用いて測定した。その結果を図８Ａ、図８Ｂに示す。なお、比較例１－２では、成膜直後の段階で磁気特性が悪いため、成膜直後および成膜長１０ｍの磁気特性のみを示す。但し、比較例１－２では、成膜長の増加に伴って、磁気特性がさらに低下する傾向が見えられた。
　実施例１－２では、Ｈｃ、Ｒｓが成膜直後の段階で高く、かつ、Ｈｃ、Ｒｓのばらつきが磁気テープの長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である。一方、比較例１－２では、Ｈｃ、Ｒｓが成膜直後の段階で低く、かつ、Ｈｃ、Ｒｓのばらつきが磁気テープの長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内とはならない。
（組成分析）
　実施例１－１、比較例１－２の磁気テープの磁気記録層の深さ方向の組成分析をＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）を用いて行った。その結果を図９Ａ、図９Ｂに示す。
　実施例１－１のＣｏ－ＣｏＯ層では、深さ２０～４０ｎｍ付近の酸素濃度が高いことがわかる。これは、Ｃｏ－ＣｏＯ層のスパッタ成膜時に、Ｏ2ガスをドラムの周面とカソード収容部との間に導入しながらスパッタリングしたため、膜中に酸素が適度に取り込まれたためと推測される。一方、比較例１－２のＣｏ－ＣｏＯ層では、深さ２０～４０ｎｍ付近の酸素濃度が低く、逆にＣｏ濃度が高いことがわかる。これは、Ｃｏ－ＣｏＯ層のスパッタ成膜時に、Ｏ2ガスをカソード収容部に導入しながらスパッタリングしたため、膜中に酸素がうまく取り込まれなかったためと推測される。
＜ii　ＣｏＰｔＣｒ－Ｏ記録層の磁気特性＞
（実施例３－１）
　カソードにＣｏＰｔＣｒ合金ターゲットを取り付け、高分子フィルム上にＣｏ－ＣｏＯ層を成膜したこと以外は実施例１－１と同様にして、長尺状の磁気テープを得た。
（磁気特性のばらつき）
　実施例３－１の磁気テープの成膜開始直後から所定の成膜長毎の垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓを、ＶＳＭを用いて測定した。その結果を図１０Ａ、図１０Ｂに示す。
　ＣｏＰｔＣｒターゲットを用いてＣｏＰｔＣｒ－Ｏ層を成膜した実施例３－１では、Ｃｏターゲットを用いてＣｏ－ＣｏＯ層を成膜した実施例１－１に比して高いＨｃ、Ｒｓが得られた。実施例３－１では、成膜直後の段階でＨｃ、Ｒｓがそれぞれ３０００Ｏｅ程度、８０％程度と高く、かつ、Ｈｃ、Ｒｓのばらつきが磁気テープの長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である。
＜iii　ドラム－カソード収容部間のギャップとガス圧力との関係＞
（実施例４－１～４－１１）
　図２に示した構成を有するとともに、ドラム－カソード収容部間のギャプの幅ＤGを０．５ｍｍ～１０ｍｍの範囲で調整した成膜装置を準備した。
（カソード収容部のＡｒガス圧力）
　準備した実施例４－１～４－１１の成膜装置のカソード収容部のＡｒガス圧力を以下のようにして測定した。まず、準備した成膜装置の成膜室内およびカソード収容部内を独立に真空引きした。カソード収容部内の到達真空度は、５．０×１０-5Ｐａ以下とした。次に、Ａｒガス導入部によりカソード収容部のＡｒガスを導入し、カソード収容部のＡｒガス圧力を測定した。その結果を図１１に示す。
　ドラム－カソード収容部間のギャプを０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の範囲に設定することで、カソード収容部のＡｒガス圧力を７．０Ｐａ以上にすることができる。なお、カソード収容部のＡｒガス圧力が７．０Ｐａ以上であると、特に優れた磁気特性が得られる。
　以上、本技術の実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　周面を有するドラムと、
　上記周面に対向して設けられたカソード収容部と、
　上記カソード収容部内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、
　上記周面と上記カソード収容部との間に第２のガスを導入する第２のガス導入部と
　を備える成膜装置。
（２）
　上記第１のガス導入部は、不活性ガス用のガス導入部であり、
　上記第２のガス導入部は、酸化反応性ガス用のガス導入部である（１）に記載の成膜装置。
（３）
　上記カソード収容部内を排気する排気部をさらに備える（１）または（２）に記載の成膜装置。
（４）
　上記第２のガス導入部は、上記ドラムの回転の上流または下流の側から、上記周面と上記カソード収容部との間に上記第２のガスを導入する（１）から（３）のいずれかに記載の成膜装置。
（５）
　上記周面と上記カソード収容部との間のギャップは、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載の成膜装置。
（６）
　上記カソード収容部は、加熱冷却可能な構成を有する壁部を備える（１）から（５）のいずれかに記載の成膜装置。
（７）
　周面を有するドラムと、
　上記周面に対向して設けられた複数のカソード収容部と、
　上記複数のカソード収容部内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、
　上記周面と上記複数のカソード収容部のうちの少なくとも一つとの間に第２のガスを導入する第２のガス導入部と
　を備える成膜装置。
（８）
　上記複数のカソード収容部内を独立に排気する排気部をさらに備える（７）に記載の成膜装置。
（９）
　ドラムの周面に対向するカソード収容部内に不活性ガスを導入するとともに、上記周面と上記カソード収容部との間に酸化反応性ガスを導入しながら、上記カソード収容部内に収容されたターゲットをスパッタすることにより、上記ドラムの周面に沿って走行する長尺状の基材上に磁性層を形成すること
　を含む磁気記録媒体の製造方法。
（１０）
　上記ターゲットは、Ｃｏを含んでいる（９）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１１）
　上記ターゲットは、Ｐｔをさらに含んでいる（１０）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１２）
　上記磁性層は、ＣｏとＣｏ酸化物とを含んでいる（９）または（１０）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１３）
　磁気特性のばらつきが、上記基材の長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である（９）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１４）
　上記スパッタ前に、上記カソード収容部を真空引きすることをさらに含み、
　上記真空引きによる上記カソード収容部内の到達真空度は、５．０×１０-5Ｐａ以下である（９）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１５）
　上記スパッタ前に、上記カソード収容部を加熱することをさらに含んでいる（９）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１６）
　上記スパッタ時に、上記カソード収容部を冷却することをさらに含んでいる（９）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１７）
　長尺状の可撓性基材と、
　スパッタにより得られた、ＣｏとＣｏ酸化物とを含む磁性層と
　を備え、
　磁気特性のばらつきが、上記基材の長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である磁気記録媒体。
　１１　　基材
　１２　　磁気記録層
　１３　　保護層
　１４　　潤滑剤層
　１５　　下地層
　１６　　中間層
　２１　　成膜室
　２２　　ドラム
　３１、３１ａ、３１ｂ　　カソード収容部
　３２、３２ａ、３２ｂ　　カソード
　３２Ｔ、３２Ｔａ、３２Ｔｂ　　ターゲット
　４１、４１ａ、４１ｂ、５１　　ガス導入部
　６１、６１ａ、６１ｂ　　排気部

Claims (17)

  1. 　周面を有するドラムと、
    　上記周面に対向して設けられたカソード収容部と、
    　上記カソード収容部内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、
    　上記周面と上記カソード収容部との間に第２のガスを導入する第２のガス導入部と
    　を備える成膜装置。
  2. 　上記第１のガス導入部は、不活性ガス用のガス導入部であり、
    　上記第２のガス導入部は、酸化反応性ガス用のガス導入部である請求項１に記載の成膜装置。
  3. 　上記カソード収容部内を排気する排気部をさらに備える請求項１に記載の成膜装置。
  4. 　上記第２のガス導入部は、上記ドラムの回転の上流または下流の側から、上記周面と上記カソード収容部との間に上記第２のガスを導入する請求項１に記載の成膜装置。
  5. 　上記周面と上記カソード収容部との間のギャップは、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である請求項１に記載の成膜装置。
  6. 　上記カソード収容部は、加熱冷却可能な構成を有する壁部を備える請求項１に記載の成膜装置。
  7. 　周面を有するドラムと、
    　上記周面に対向して設けられた複数のカソード収容部と、
    　上記複数のカソード収容部内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、
    　上記周面と上記複数のカソード収容部のうちの少なくとも一つとの間に第２のガスを導入する第２のガス導入部と
    　を備える成膜装置。
  8. 　上記複数のカソード収容部内を独立に排気する排気部をさらに備える請求項７に記載の成膜装置。
  9. 　ドラムの周面に対向するカソード収容部内に不活性ガスを導入するとともに、上記周面と上記カソード収容部との間に酸化反応性ガスを導入しながら、上記カソード収容部内に収容されたターゲットをスパッタすることにより、上記ドラムの周面に沿って走行する長尺状の基材上に磁性層を形成すること
    　を含む磁気記録媒体の製造方法。
  10. 　上記ターゲットは、Ｃｏを含んでいる請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
  11. 　上記ターゲットは、Ｐｔをさらに含んでいる請求項１０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
  12. 　上記磁性層は、ＣｏとＣｏ酸化物とを含んでいる請求項１０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
  13. 　磁気特性のばらつきが、上記基材の長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
  14. 　上記スパッタ前に、上記カソード収容部を真空引きすることをさらに含み、
    　上記真空引きによる上記カソード収容部内の到達真空度は、５．０×１０-5Ｐａ以下である請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
  15. 　上記スパッタ前に、上記カソード収容部を加熱することをさらに含んでいる請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
  16. 　上記スパッタ時に、上記カソード収容部を冷却することをさらに含んでいる請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
  17. 　長尺状の可撓性基材と、
    　スパッタにより得られた、ＣｏとＣｏ酸化物とを含む磁性層と
    　を備え、
    　磁気特性のばらつきが、上記基材の長手方向に１００ｍの区画にわたって±１０％以内である磁気記録媒体。
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