WO2016104145A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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duplexer
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小暮武
小野農史
永森啓之
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module that transmits and receives signals in different bands simultaneously and wirelessly.
  • carrier aggregation is known as a communication method for simultaneously transmitting and receiving signals in different bands by radio.
  • a high-frequency module that supports carrier aggregation, an antenna, a receiving circuit, an amplifier circuit that amplifies a transmission signal, and a demultiplexing circuit are required for each band.
  • the isolation characteristics of each band decrease. Specifically, the harmonics of the transmission signal amplified by the low-frequency amplifier circuit are likely to leak to the high-frequency receiver circuit.
  • the high-frequency module described in Patent Document 1 does not connect the matching circuit included in the low-frequency amplifier circuit to the ground pattern inside the substrate, but connects it to the ground terminal on the back surface of the substrate.
  • the harmonics of the transmission signal are prevented from leaking to the high frequency receiving circuit via the pattern.
  • the harmonics of the low-frequency transmission signal may leak to the high-frequency receiving circuit not only through the ground pattern but also through other paths.
  • a path formed by coupling electrostatic coupling and electrostatic coupling generated between elements and between transmission lines. For example, when coupling occurs in the space between the amplifying element of the low-frequency amplifier circuit and the element of the high-frequency demultiplexing circuit, a path is formed between the elements.
  • the inventors of the present application it has been found that when the direction of the element of the high-frequency branching circuit is adjusted, the coupling between the element and the low-frequency circuit element can be suppressed.
  • the RX terminal connected to the receiving circuit is located on the opposite side of the low-frequency amplifier circuit, so that the high-frequency branching circuit If the orientation of the element is adjusted, the above-described coupling can be suppressed.
  • Bonding can be suppressed.
  • an object of the present invention is to provide a high-frequency module that simultaneously transmits and receives signals in different bands wirelessly, and that can prevent the deterioration of the isolation characteristics of each band and can ensure the flexibility of the board layout. There is.
  • the high frequency module is configured to transmit and receive a signal in a first band (for example, a band including 900 MHz) and a signal in a second band (a band including 1,800 MHz) higher than the first band.
  • a second transmitter / receiver configured to transmit and receive are arranged on the substrate.
  • each of the first transceiver unit and the second transceiver unit includes an antenna terminal connected to an antenna, a reception terminal connected to a reception circuit, and an amplification configured to amplify a transmission signal.
  • a circuit and transmission signals in the first and second bands amplified by the amplifier circuit are respectively passed to the antenna terminal, and reception signals in the first and second bands from the antenna terminal are respectively received
  • a branching circuit configured to pass through the terminal.
  • the amplification circuit of the first transmission / reception unit and the amplification circuit of the second transmission / reception unit may each include a matching circuit for impedance matching between the antenna side and the transmission / reception circuit side.
  • the branching circuit of the first transmission / reception unit outputs, for example, a plurality of SAWs (Surface) so that a transmission signal having a center frequency of 900 MHz is output to the antenna terminal, and a reception signal from the antenna terminal having a center frequency of 940 MHz is output to the reception terminal. It consists of an Acoustic Wave filter.
  • the demultiplexing circuit of the second transmission / reception unit is also composed of a plurality of SAW filters so as to demultiplex a signal in a band including 1,800 MHz.
  • the high-frequency module of the present invention further includes a coupling inhibition element.
  • the coupling inhibiting element does not affect signal transmission / reception by the first transmission / reception unit and the second transmission / reception unit.
  • the coupling inhibition element is electrically separated from the first transmission / reception unit and the second transmission / reception unit in the high-frequency module, and thus does not affect signal transmission / reception by the first transmission / reception unit and the second transmission / reception unit.
  • the coupling-inhibiting element of the high-frequency module of the present invention is disposed on the substrate between the position of the demultiplexing circuit of the second transmission / reception unit and the position of the amplification circuit of the first transmission / reception unit.
  • the coupling inhibiting element When the coupling inhibiting element is arranged on the substrate in this way, coupling (electromagnetic coupling and electrostatic coupling) is less likely to occur in the space between the amplification circuit of the first transmission / reception unit and the branching circuit of the second transmission / reception unit. Since the coupling is less likely to occur, even if the harmonic of the transmission signal output from the amplifier circuit of the first transmitter / receiver includes the frequency component of the passband of the demultiplexer of the second transmitter / receiver. The wave is less likely to leak to the receiving terminal via the path formed by the coupling.
  • the first leakage is suppressed even when the RX terminal connected to the reception terminal among the terminals of the element of the branching circuit of the second transmission / reception unit is directed to the amplification circuit side of the first transmission / reception unit.
  • the isolation characteristics of the band and the second band are unlikely to deteriorate.
  • the branching circuit of the second transmission / reception unit and the amplification circuit of the first transmission / reception unit are brought close to each other, the above-described leakage is suppressed, so that the isolation characteristics of each band are unlikely to deteriorate.
  • the high-frequency module of the present invention includes the coupling inhibition element, thereby suppressing the harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit of the first transmission / reception unit from leaking to the reception terminal of the second transmission / reception unit. Therefore, it is possible to secure the degree of freedom of the board layout while preventing the isolation characteristics of each band from being lowered.
  • the coupling inhibiting element may be connected to the ground of the substrate through a via conductor extending in the thickness direction of the substrate. As a result, the coupling inhibiting element can further suppress coupling that occurs in the space inside the substrate in the space between the amplification circuit of the first transmission / reception unit and the demultiplexing circuit of the second transmission / reception unit.
  • the ground electrode connected to the coupling inhibiting element only through the via conductor may be electrically separated from the ground of the first transmitting / receiving unit and the ground of the second transmitting / receiving unit on the substrate. .
  • the harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit of the first transmission / reception unit are less likely to leak to the reception terminal of the second transmission / reception unit via the common ground pattern.
  • the coupling inhibition element may be an inductor or a capacitor, but may be a 0 (zero) ohm resistor.
  • the high-frequency module of the present invention can ensure the flexibility of the board layout while preventing the deterioration of the isolation characteristics of each band even when signals of different bands are simultaneously transmitted and received wirelessly.
  • FIG. 1 is an upper surface (element mounting surface) view of the high-frequency module according to the embodiment of the present invention
  • (B) is an AA cross-sectional view. It is sectional drawing of the high frequency module which concerns on the modification 1 of the high frequency module which concerns on embodiment of this invention. It is an upper surface (element mounting surface) figure of the high frequency module which concerns on the modification 2 of the high frequency module which concerns on embodiment of this invention.
  • the high-frequency module 100 transmits and receives signals (for example, signals of 700 MHz to 2,700 MHz) in accordance with the LTE (Long Term Evolution) standard.
  • the high-frequency module 100 performs amplification of the transmission signal, demultiplexing of the transmission signal and the reception signal by frequency division, and switching of the communication band for signal transmission / reception.
  • the high frequency module 100 realizes carrier aggregation. That is, the high-frequency module 100 transmits and receives a plurality of band signals simultaneously and wirelessly.
  • the high-frequency module 100 is output from the low-frequency amplifier circuit by arranging the coupling inhibiting element on the substrate between the position of the low-frequency amplifier circuit and the position of the high-frequency branching circuit. This prevents the harmonics of the transmission signal from leaking to the high-frequency receiving circuit.
  • the coupling inhibition element inhibits coupling (electromagnetic coupling and electrostatic coupling) between elements and between transmission lines.
  • coupling electrostatic coupling
  • a description will be given using a resistance chip having a 0 (zero) ohm resistance as the coupling inhibition element.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a circuit example of the high-frequency module 100.
  • the high-frequency module 100 includes a low-frequency transmission / reception unit 10 and a high-frequency transmission / reception unit 20.
  • the low-frequency transmitting / receiving unit 10 includes an input terminal P10 and a first antenna terminal P17. A low-frequency transmission signal is input to the input terminal P10. The first antenna terminal P17 is connected to the low band antenna ANT1.
  • the high frequency transmitting / receiving unit 20 includes an input terminal P20 and a second antenna terminal P27. A high-frequency transmission signal is input to the input terminal P20 as compared with the low-frequency transmission signal. The second antenna terminal P27 is connected to the high frequency antenna ANT2.
  • a frequency band of 600 MHz to 1,000 MHz that is mainly transmitted and received by the low frequency transmitting / receiving unit 10 is set as the first band, and 1,600 MHz to 2 that is mainly transmitted and received by the high frequency transmitting and receiving unit 20.
  • the description will be made by setting the 700 MHz frequency band as the second band.
  • the low-frequency transmitting / receiving unit 10 includes an amplifier circuit 11, a matching circuit 12, a sub switch 13, a plurality of duplexers 14 and a duplexer 15, and a main switch 16.
  • the amplifying circuit 11 amplifies a low-frequency (600 MHz to 1,000 MHz) transmission signal input to the input terminal P10 and outputs the amplified transmission signal to the matching circuit 12.
  • the matching circuit 12 includes, for example, an inductor and a capacitor, and matches impedance between the first antenna ANT1 side and the amplifier circuit 11 side.
  • the sub switch 13 includes a common terminal P13 and a plurality of individual terminals P134 and P135.
  • the common terminal P13 is connected to the matching circuit 12.
  • the individual terminal P134 is connected to the duplexer 14.
  • the individual terminal P135 is connected to the duplexer 15.
  • the main switch 16 in combination with the sub switch 13, selects the duplexer used for the path between the matching circuit 12 and the first antenna ANT 1 from the duplexer 14 and the duplexer 15.
  • the connection and the connection between the duplexer and the first antenna terminal P17 are switched. However, the switching is based on a control signal output from the control IC 213 (see FIG. 2A).
  • the duplexer 14 demultiplexes the transmission signal and the reception signal by frequency division in the band 19 (800 MHz band) of the LTE standard.
  • the duplexer 14 includes a common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 14 includes a transmission filter St14 and a reception filter Sr14 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception filter Sr14 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 14 is connected to the individual terminal P164 of the main switch 16.
  • a transmission-side filter St14 and an individual terminal P134 of the sub switch 13 are connected to one individual terminal of the duplexer 14.
  • a reception-side filter Sr14 and a reception terminal P14 are connected to the other individual terminal of the duplexer 14.
  • the receiving terminal P14 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission side filter St14 is a SAW (Surface Acoustic Wave) filter, for example, and is a filter having a pass band of 830 MHz to 845 MHz and an attenuation band of other bands.
  • the reception-side filter Sr14 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 875 MHz to 890 MHz and an attenuation band of the other band.
  • a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter can be used.
  • the duplexer 15 demultiplexes the transmission signal and the reception signal by frequency division in the LTE standard band 17 (band of 700 MHz).
  • the duplexer 15 includes a common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 15 includes a transmission filter St15 and a reception filter Sr15 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception side filter Sr15 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 15 is connected to the individual terminal P165 of the main switch 16.
  • One individual terminal of the duplexer 15 is connected to the transmission-side filter St15 and the individual terminal P135 of the sub switch 13.
  • a reception-side filter Sr15 and a reception terminal P15 are connected to the other individual terminal of the duplexer 15.
  • the receiving terminal P15 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission side filter St15 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 704 MHz to 716 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the reception-side filter Sr15 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 734 MHz to 746 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the common terminal P16 of the main switch 16 is connected to the first antenna terminal P17.
  • the first antenna ANT1 has a shape suitable for transmission / reception of low-frequency signals.
  • the high frequency transmission / reception unit 20 has the same configuration as that of the low frequency transmission / reception unit 10 and has different signal bands.
  • the high frequency transmission / reception unit 20 includes an amplifier circuit 21, a matching circuit 22, a sub switch 23, a plurality of duplexers 24 and a duplexer 25, and a main switch 26.
  • the amplifying circuit 21 amplifies a high-frequency (1,600 MHz to 2,700 MHz) transmission signal input to the input terminal P20, and outputs the amplified transmission signal to the matching circuit 22.
  • the matching circuit 22 includes, for example, an inductor and a capacitor, and matches impedance between the second antenna ANT2 side and the amplifier circuit 21 side.
  • the sub switch 23 includes a common terminal P23 and a plurality of individual terminals P234 and P235.
  • the common terminal P23 is connected to the matching circuit 22.
  • the individual terminal P234 is connected to the duplexer 24.
  • the individual terminal P235 is connected to the duplexer 25.
  • the duplexer 24 demultiplexes a transmission signal and a reception signal by frequency division in band 1 (2,100 MHz band) of the LTE standard.
  • the duplexer 24 includes a common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 24 includes a transmission filter St24 and a reception filter Sr24 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception filter Sr24 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 24 is connected to the individual terminal P264 of the main switch 26.
  • a transmission-side filter St24 is connected to one individual terminal of the duplexer 24.
  • a reception-side filter Sr24 and a reception terminal P24 are connected to the other individual terminal of the duplexer 24.
  • the receiving terminal P24 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission side filter St24 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 1,920 MHz to 1,980 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the reception-side filter Sr24 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 2,110 MHz to 2,170 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the duplexer 25 demultiplexes a transmission signal and a reception signal by frequency division in LTE standard band 7 (band of 2,600 MHz).
  • the duplexer 25 includes a common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 25 includes a transmission filter St25 and a reception filter Sr25 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception side filter Sr25 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 25 is connected to the individual terminal P265 of the main switch 26.
  • a transmission-side filter St25 is connected to one individual terminal of the duplexer 25.
  • a reception-side filter Sr25 and a reception terminal P25 are connected to the other individual terminal of the duplexer 25.
  • the receiving terminal P25 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission-side filter St25 is, for example, a SAW filter, and a filter having a pass band of 2500 MHz to 2,570 MHz and an attenuation band of other bands.
  • the reception-side filter Sr25 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 2,620 MHz to 2,690 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the common terminal P26 of the main switch 26 is connected to the second antenna terminal P27.
  • the second antenna ANT2 is formed in a shape suitable for high-frequency signal transmission / reception.
  • the control IC 213 When transmitting / receiving in the band 19 of the LTE standard, the control IC 213 performs control to switch the connection between the sub switch 13 and the main switch 16 in order to output a transmission signal to the first antenna ANT1 via the duplexer 14. Specifically, the control IC 213 outputs a control signal to the sub switch 13 and the main switch 16 so that the common terminal P13 and the individual terminal P134 are connected, and the common terminal P16 and the individual terminal P164 are connected.
  • the transmission signal input to the input terminal P10 is amplified by the amplifier circuit 11, and then sequentially passes through the matching circuit 12, the sub switch 13, and the transmission filter St14 of the duplexer 14, so that frequency components of 704 MHz to 716 MHz are generated. Filtered to be the main frequency component. Thereafter, the transmission signal sequentially passes through the main switch 16 and the first antenna terminal P17, and is output to the first antenna ANT1.
  • the reception signal received by the first antenna ANT1 passes through the first antenna terminal P17 and the main switch 16 in order, and is input to the duplexer 14.
  • the frequency component of 875 MHz to 890 MHz is output to the reception terminal P14 by the reception side filter Sr14.
  • the high-frequency module 100 simultaneously transmits and receives signals wirelessly even in bands other than the LTE standard band 19 in order to realize carrier aggregation.
  • the band that transmits and receives signals simultaneously with the band 19 of the LTE standard will be described as band1.
  • the control IC 213 performs control to switch the connection between the sub switch 23 and the main switch 26 in order to output the transmission signal to the second antenna ANT2 via the duplexer 24. Specifically, the control IC 213 outputs a control signal to the sub switch 23 and the main switch 26 so that the common terminal P23 and the individual terminal P234 are connected, and the common terminal P26 and the individual terminal P264 are connected.
  • the transmission signal input to the input terminal P20 is amplified by the amplifier circuit 21, and then sequentially passes through the matching circuit 22, the sub switch 23, and the transmission side filter St24 of the duplexer 24, so that 1,920 MHz to 1,980 MHz. Are filtered so that their frequency components become the main frequency components. Thereafter, the transmission signal sequentially passes through the individual terminal P264, the common terminal P26, and the second antenna terminal P27 of the main switch 26, and is output to the second antenna ANT2.
  • a reception signal received by the second antenna ANT2 passes through the second antenna terminal P27 and the main switch 26 in this order, and is input to the duplexer 24.
  • the frequency component of 2,110 MHz to 2,170 MHz is output to the receiving terminal P24 by the receiving side filter Sr24.
  • the high-frequency module 100 transmits and receives signals wirelessly simultaneously in band 19 (low band) and band 1 (high band) of the LTE standard.
  • the high frequency module 100 wirelessly transmits and receives signals simultaneously in the band 17 and the band 7.
  • the high-frequency module 100 is not limited to two bands, and may be three or more bands having different passband frequencies, and signals may be simultaneously transmitted in two low bands and one high band. It may be a mode of transmitting and receiving.
  • a total of three pass bands may be defined as a low band, a middle band, and a high band.
  • any one of the low band and the high band may be set to include a plurality of different pass bands.
  • the high frequency module 100 includes a resistor 24R and a resistor 24R in order to prevent the harmonics of the low-frequency transmission signal output from the amplifier circuit 11 from leaking to the reception terminals P24 and P25 of the high-frequency transmission / reception unit 20. And a resistor 25R.
  • Each of the resistor 24R and the resistor 25R is a resistor chip having a 0 (zero) ohm resistance.
  • the high frequency module 100 may include other elements such as an inductor and a capacitor instead of the resistors 24R and 25R.
  • the resistor 24R and the resistor 25R are connected in series between the input terminal P30 and the output terminal P31 of the high-frequency module 100.
  • the resistor 24R and the resistor 25R are electrically separated from the low frequency transmitting / receiving unit 10 and the high frequency transmitting / receiving unit 20. That is, the resistor 24R and the resistor 25R do not affect signal transmission / reception by the low-frequency transceiver 10 and the high-frequency transceiver 20.
  • FIG. 2A is an upper surface (element mounting surface) view of the high-frequency module 100.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view along the line AA.
  • the high-frequency module 100 includes a substrate 200 on which a plurality of elements that realize the circuit example shown in FIG.
  • the substrate 200 includes an IC 211, a control IC 213, a plurality of chip elements (any of resistors, capacitors, inductors, etc.) 212, duplexers 14, 15, 24, 25, sub-switch 13, A switch IC 217 including the main switch 16, and a switch IC 219 including the main switches 16 and 26.
  • an amplifier element 214 and a plurality of chip elements 215 are arranged at the corners of the substrate 200 on the ⁇ X side and the + Y side.
  • the amplifier element 214 and the plurality of chip elements 215 are elements that realize the amplifier circuit 11 of the low-frequency transmission / reception unit 10.
  • the duplexer 24 and the duplexer 25 are arranged on the + X side of the substrate 200.
  • the actual high frequency module 100 includes the duplexer DUP in addition to the duplexers 14, 15, 24, and 25, more duplexers are shown in FIG.
  • the duplexer 24 includes a TX terminal 241 connected to the sub switch 23 and an RX terminal 242 connected to the reception terminal P24.
  • the duplexer 25 includes a TX terminal 251 connected to the sub switch 23 and an RX terminal 252 connected to the reception terminal P25.
  • the RX terminal 242 is arranged on the ⁇ X side of the duplexer 24 in the plan view of the substrate 200.
  • the TX terminal 241 is disposed on the + X side of the duplexer 24 in the plan view of the substrate 200.
  • the duplexer 24 is oriented so that the RX terminal 242 connected to the receiving circuit via the receiving terminal P24 is closer to the amplifier circuit 11 than the TX terminal 241.
  • the RX terminal 252 is disposed on the ⁇ X side of the duplexer 25 in the plan view of the substrate 200.
  • the TX terminal 251 is disposed on the + X side of the duplexer 25 in the plan view of the substrate 200.
  • the duplexer 25 is oriented such that the RX terminal 252 connected to the receiving circuit via the receiving terminal P25 is closer to the amplifier circuit 11 than the TX terminal 251.
  • the amplifier circuit and the path from the RX terminal to the receiver circuit There may be coupling in the space between the two. Due to this coupling, harmonics of the transmission signal output from the low-frequency amplifier circuit and including the frequency components of the passband of the high-frequency demultiplexing circuit leak to the high-frequency receiving circuit. May end up.
  • the harmonics of the low-frequency transmission signal can be obtained.
  • the wave is prevented from leaking to the receiving terminals P24 and P25.
  • the resistor 24 ⁇ / b> R is disposed between the position of the duplexer 24 and the position of the amplifier circuit 11. That is, in the substrate 200, the resistor 24 ⁇ / b> R is disposed between the position of the duplexer 24 and each position of the amplifier element 214 and the plurality of chip elements 215.
  • the amplifier circuit 11 and the path H1 from the main switch 26 to the reception terminal P24 via the duplexer 24 spatially pass through the resistor 24R.
  • coupling is less likely to occur in the space between the amplifier element 214 that realizes the amplifier circuit 11 and the duplexer 24 included in the path H1.
  • the high frequency module 100 prevents the harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit 11 from leaking to the reception terminal P24 via the path formed by the coupling.
  • the resistor 25R is disposed between the position of the duplexer 25 and the position of the amplifier circuit 11. That is, in the substrate 200, the resistor 25 ⁇ / b> R is disposed between the position of the duplexer 25 and each position of the amplifier element 214 and the plurality of chip elements 215.
  • the high frequency module 100 prevents the harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit 11 from leaking to the reception terminal P25 through the path formed by the coupling.
  • the resistor 24R and the resistor 25R suppress the coupling generated in the space between the amplifier circuit 11 and the paths H1 and H2.
  • the coupling generated in the space between the amplifier element 214 that realizes the amplifier circuit 11 and the duplexer 24 and the duplexer 25 included in the paths H1 and H2 is suppressed.
  • the high-frequency module 100 has a low-frequency transmission signal even if the RX terminals 242 and 252 of the duplexers 24 and 25 are directed toward the amplifier circuit 11 or the duplexers 24 and 25 and the amplifier circuit 11 are close to each other. Can be prevented from leaking to the receiving terminals P24 and P25. That is, the high-frequency module 100 according to the present embodiment can set the position and orientation of each element including the duplexers 24 and 25 and the amplifier element 214 on the substrate 200 while preventing a decrease in isolation characteristics of each band of the LTE standard. A degree of freedom (hereinafter referred to as a substrate layout) can be ensured.
  • a substrate layout A degree of freedom
  • the resistor 24R and the resistor 25R are each a three-dimensional chip element, and when mounted on the substrate 200, the resistor 24R and the resistor 25R have a shape protruding in the normal direction of the upper surface of the substrate 200.
  • the high-frequency module 100 may include a coupling inhibition element having a larger amount of the protrusion. That is, the high-frequency module 100 may include a coupling inhibition element having a higher shape in the normal direction of the upper surface of the substrate 200. If the binding-inhibiting element has a higher shape, the effect of inhibiting the above-described binding becomes higher.
  • the resistor 24R is arranged between the position of the RX terminal 242 in the duplexer 24 and the position of the amplifier element 214 in the substrate 200.
  • the resistor 24R is disposed on the RX terminal 242 side in the interval.
  • the resistor 24 ⁇ / b> R is arranged closer to the position of the RX terminal 242 in the substrate 200, thereby coupling generated in the space between the amplifier circuit 11 and the path from the RX terminal 242 to the reception terminal P ⁇ b> 24. Further suppression can be achieved.
  • the resistor 25R is disposed on the substrate 200 between the position of the RX terminal 252 and the position of the amplifier element 214 in the duplexer 25.
  • the resistor 25R is disposed on the RX terminal 252 side in the interval.
  • the resistor 25 ⁇ / b> R is disposed at a position closer to the position of the RX terminal 252 in the substrate 200, thereby coupling generated in the space between the amplifier circuit 11 and the path from the RX terminal 252 to the reception terminal P ⁇ b> 25. It can suppress more effectively.
  • the resistor 25R is connected to the ground electrode 261 via a via conductor 266 extending in the thickness direction (Z direction) of the substrate 200 and the internal wiring 265.
  • the ground electrode 261 is disposed on the lower surface facing the mounting surface (upper surface) of the substrate 200 on which the amplifier element 214, the duplexers 24 and 25, and the resistors 24R and 25R are mounted.
  • Each terminal of the duplexer 25 and DUP is connected to the electrode 262 and the ground electrode 261 via the internal wiring 264 and the via conductor 263.
  • the resistor 24R is also connected to the ground electrode via the via conductor and the internal wiring.
  • the high-frequency module 100 is connected to the via conductors 266 whose resistances 24R and 25R are connected to the ground, coupling also occurs in the substrate 200 in the space between the amplifier circuit 11 and the paths H1 and H2. This can be suppressed.
  • the resistor 24R and the resistor 25R may be connected to via conductors that are not connected to the ground. Further, the resistor 24R and the resistor 25R may be mounted on the upper surface of the substrate 200 and not connected to the wiring pattern of the substrate 200.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a high-frequency module 100A according to Modification 1 of the high-frequency module 100.
  • the resistor 25R is connected to the ground electrode 261A through only the via conductor 266A.
  • the high-frequency module 100A can enhance the effect of suppressing the above-described coupling by connecting the via conductor 266A and the resistor 25R without using the internal wiring.
  • the ground electrode 261A connected to the resistor 25R through the via conductor 266A alone is connected to the ground to which the components of the low-frequency transmitting / receiving unit 10 such as the duplexer DUP and the high-frequency transmitting / receiving unit 20 are connected. Different from the electrode 261. Thereby, the harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit 11 are less likely to leak to the receiving terminals P24 and P25 via the common internal wiring and the common ground electrode.
  • the resistance as a binding inhibiting element is provided for each duplexer, but more resistance may be provided as follows.
  • FIG. 4 is an upper surface (element mounting surface) view of the high-frequency module 100B according to the second modification of the high-frequency module 100.
  • the high frequency module 100 ⁇ / b> B is different from the high frequency module 100 in that a plurality of resistors 20 ⁇ / b> R are arranged so as to partition each duplexer of the high frequency transmitting / receiving unit 20 including the duplexers 24 and 25 and the amplifier circuit 11.
  • the plurality of resistors 20R are arranged along the Y direction. As a result, the coupling between the amplifier circuit 11 and the paths H1 and H2 from the main switch 26 to the receiving terminals P24 and P25 via the duplexers 24 and 25 is less likely to occur.

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Abstract

　基板（２００）において、抵抗（２４Ｒ）は、増幅回路（１１）の位置とデュプレクサ（２４）の位置との間に配置されるので、増幅回路（１１）と、デュプレクサ（２４）を介したメインスイッチ（２６）から受信端子（Ｐ２４）への経路との間の空間に結合が生じることを抑制する。高周波モジュール（１００）は、デュプレクサ（２４）のＲＸ端子（２４２）が増幅回路（１１）側に向いても、上述の結合を抑制するので、当該結合によって形成される経路を介して低域の送信信号の高調波が受信端子（Ｐ２４）へ漏洩することを防止することができる。すなわち、高周波モジュール（１００）は、低域及び高域のアイソレーション特性の低下を防止しつつ、基板レイアウトの自由度を確保することができる。

Description

高周波モジュール
　本発明は、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する高周波モジュールに関する。
　近年、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する通信方法として、例えばキャリアアグリゲーションが知られている。キャリアアグリゲーションに対応する高周波モジュールとしては、アンテナと、受信回路と、送信信号を増幅する増幅回路と、分波回路とを帯域毎に必要とする。
　キャリアアグリゲーションを実現する高周波モジュールを小型化すると、各帯域のアイソレーション特性が低下する。具体的には、低域用の増幅回路で増幅された送信信号の高調波が、高域用の受信回路へ漏洩しやすくなる。
　そこで、特許文献１に記載された高周波モジュールは、低域用の増幅回路に含まれる整合回路を基板内部のグランドパターンに接続せず、基板裏面のグランド端子に接続することにより、基板内部のグランドパターンを介して送信信号の高調波が高域用の受信回路へ漏洩することを抑制している。
　低域の送信信号の高調波は、グランドパターンに限らず、他の経路を介することでも、高域用の受信回路へ漏洩することがある。他の経路としては、素子間及び伝送線路間に生じる結合（電磁界結合及び静電結合）によって形成されるものが存在する。例えば、低域用の増幅回路の増幅素子と、高域用の分波回路の素子との間の空間に結合が生じると、当該素子間に経路が形成される。
特開２００７－１２４２０２号公報
　本願発明者らによれば、高域用の分波回路の素子の向きを調整すると、当該素子と低域用の回路素子との間の結合を抑制できることが分かった。具体的には、高域用の分波回路の素子の各端子のうち受信回路に接続されるＲＸ端子が、低域用の増幅回路と反対側に位置するように高域用の分波回路の素子の向きを調整すれば、上述の結合を抑制できる。また、高域用の分波回路の素子の向きに限らず、高域用の分波回路の素子と、低域用の回路素子とを互いに遠ざけるように各素子を配置しても、上述の結合を抑制できる。
　しかしながら、そのような各素子の配置は、基板レイアウトの自由度を制約する。
　そこで、本発明の目的は、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する高周波モジュールであって、各帯域のアイソレーション特性の低下を防止しつつ、基板レイアウトの自由度を確保できる高周波モジュールを提供することにある。
　高周波モジュールは、第１帯域（例えば９００ＭＨｚを含む帯域）内の信号を送受信するように構成された第１送受信部と、第１帯域より高い第２帯域（１，８００ＭＨｚを含む帯域）内の信号を送受信するように構成された第２送受信部とが基板に配置されたものである。
　具体的には、前記第１送受信部及び前記第２送受信部は、それぞれ、アンテナに接続されるアンテナ端子と、受信回路に接続される受信端子と、送信信号を増幅するように構成された増幅回路と、前記増幅回路が増幅した前記第１及び第２帯域内の送信信号をそれぞれ前記アンテナ端子へ通過させ、かつ前記アンテナ端子からの前記第１及び第２帯域内の受信信号をそれぞれ前記受信端子へ通過させるように構成された分波回路とを有す。
　第１送受信部の増幅回路及び第２送受信部の増幅回路は、アンテナ側と送受信回路側とのインピーダンス整合のために、それぞれ整合回路を含んでもよい。
　第１送受信部の分波回路は、中心周波数が９００ＭＨｚの送信信号をアンテナ端子へ出力し、中心周波数が９４０ＭＨｚのアンテナ端子からの受信信号を受信端子へ出力するように、例えば複数のＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）フィルタで構成される。同様に、第２送受信部の分波回路も、１，８００ＭＨｚを含む帯域で信号を分波するように、複数のＳＡＷフィルタで構成される。
　本発明の高周波モジュールは、さらに結合阻害素子を備える。結合阻害素子は、前記第１送受信部及び第２送受信部による信号の送受信に影響を与えないものである。例えば、結合阻害素子は、高周波モジュールにおいて、第１送受信部及び第２送受信部と電気的に分離されることで、第１送受信部及び第２送受信部による信号の送受信に影響を与えない。
　本発明の高周波モジュールの結合阻害素子は、前記基板において、前記第２送受信部の分波回路の位置と、前記第１送受信部の増幅回路の位置との間に配置される。
　このように結合阻害素子を基板に配置すると、第１送受信部の増幅回路と、第２送受信部の分波回路との間の空間に結合（電磁界結合及び静電結合）が生じにくくなる。当該結合が生じにくくなるので、第１送受信部の増幅回路から出力された送信信号の高調波が、第２送受信部の分波回路の通過帯域の周波数成分を含む場合であっても、当該高調波は、当該結合によって形成される経路を介して受信端子へ漏洩しにくくなる。
　例えば、第２送受信部の分波回路の素子の各端子のうち受信端子に接続されるＲＸ端子を第１送受信部の増幅回路側に向けても、上述の漏洩が抑制されるので、第１帯域及び第２帯域のアイソレーション特性は低下しにくくなる。また、第２送受信部の分波回路と第１送受信部の増幅回路とを互いに近づけても、上述の漏洩が抑制されるので、各帯域のアイソレーション特性は低下しにくくなる。
　以上のように、本発明の高周波モジュールは、結合阻害素子を備えることで、第１送受信部の増幅回路から出力された送信信号の高調波が第２送受信部の受信端子へ漏洩することを抑制するので、各帯域のアイソレーション特性の低下を防止しつつ、基板レイアウトの自由度を確保できる。
　また、前記結合阻害素子は、前記基板の厚み方向に延伸するビア導体を介して前記基板のグランドに接続されてもよい。これにより、結合阻害素子は、第１送受信部の増幅回路と第２送受信部の分波回路との間の空間のうち、基板内部の空間に生じる結合をさらに抑制することができる。
　さらに、前記ビア導体のみを介して前記結合阻害素子に接続される前記グランド電極は、前記基板において、前記第１送受信部のグランド及び前記第２送受信部のグランドと電気的に分離されてもよい。これにより、第１送受信部の増幅回路から出力された送信信号の高調波は、共通のグランドパターンを介して、第２送受信部の受信端子へ漏洩しにくくなる。
　また、前記結合阻害素子は、インダクタ及びキャパシタであってもよいが、０（ゼロ）オーム抵抗であってもよい。
　この発明の高周波モジュールは、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信しても、各帯域のアイソレーション特性の低下を防止しつつ、基板レイアウトの自由度を確保できる。
本発明の実施形態に係る高周波モジュールの回路例を示す図である。 （Ａ）は、本発明の実施形態に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図であり、（Ｂ）は、Ａ－Ａ断面図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの変形例２に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図である。
　本発明の実施形態に係る高周波モジュール１００の概要について、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格で信号（例えば７００ＭＨｚ～２，７００ＭＨｚの信号）を送受信するものである。高周波モジュール１００は、信号の送受信のために、送信信号の増幅、周波数分割による送信信号と受信信号との分波、及び通信の帯域切替を行う。高周波モジュール１００は、キャリアアグリゲーションを実現する。すなわち、高周波モジュール１００は、複数の帯域の信号を同時に無線で送受信する。
　高周波モジュール１００は、低域用の増幅回路の位置と、高域用の分波回路の位置との間に、結合阻害素子を基板に配置することで、低域用の増幅回路から出力された送信信号の高調波が高域用の受信回路へ漏洩することを抑制するものである。
　結合阻害素子とは、素子間及び伝送線路間の結合（電磁界結合及び静電結合）を阻害するものである。本実施形態では、結合阻害素子として０（ゼロ）オーム抵抗の抵抗チップを用いて説明する。
　次に、高周波モジュール１００の詳細について、図１を用いて説明する。図１は、高周波モジュール１００の回路例を示す図である。
　図１に示すように、高周波モジュール１００は、低域送受信部１０と、高域送受信部２０とを備える。
　低域送受信部１０は、入力端子Ｐ１０と、第１アンテナ端子Ｐ１７とを備える。入力端子Ｐ１０には、低域の送信信号が入力される。第１アンテナ端子Ｐ１７は、低域用のアンテナＡＮＴ１に接続される。高域送受信部２０は、入力端子Ｐ２０と、第２アンテナ端子Ｐ２７とを備える。入力端子Ｐ２０には、前記低域の送信信号に比べて高域の送信信号が入力される。第２アンテナ端子Ｐ２７は、高域用のアンテナＡＮＴ２に接続される。
　本実施形態では、一例として、低域送受信部１０が主に送受信する６００ＭＨｚ～１，０００ＭＨｚの周波数帯域を第１帯域と設定し、高域送受信部２０が主に送受信する１，６００ＭＨｚ～２，７００ＭＨｚの周波数帯域を第２帯域と設定して説明する。
　低域送受信部１０は、増幅回路１１と、整合回路１２と、サブスイッチ１３と、複数のデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５と、メインスイッチ１６と、を備える。
　増幅回路１１は、入力端子Ｐ１０に入力された低域（６００ＭＨｚ～１，０００ＭＨｚ）の送信信号を増幅し、増幅後の送信信号を整合回路１２へ出力する。整合回路１２は、例えばインダクタ及びキャパシタを備え、第１アンテナＡＮＴ１側と、増幅回路１１側との間でインピーダンスを整合する。
　サブスイッチ１３は、共通端子Ｐ１３と、複数の個別端子Ｐ１３４，Ｐ１３５とを備える。共通端子Ｐ１３は、整合回路１２に接続される。個別端子Ｐ１３４は、デュプレクサ１４に接続される。個別端子Ｐ１３５は、デュプレクサ１５に接続される。
　メインスイッチ１６は、サブスイッチ１３との組により、整合回路１２と第１アンテナＡＮＴ１との経路に用いられるデュプレクサをデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５から選択するために、整合回路１２といずれかのデュプレクサとの接続と、該デュプレクサと第１アンテナ端子Ｐ１７との接続と、を切り替える。ただし、切替は、制御ＩＣ２１３（図２（Ａ）を参照）から出力される制御信号に基づく。
　デュプレクサ１４は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９（８００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ１４は、共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ１４は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ１４と、受信側フィルタＳｒ１４と、を備える。受信側フィルタＳｒ１４は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ１４の共通端子は、メインスイッチ１６の個別端子Ｐ１６４に接続される。デュプレクサ１４の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ１４と、サブスイッチ１３の個別端子Ｐ１３４とが接続される。デュプレクサ１４の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ１４と、受信端子Ｐ１４とが接続される。受信端子Ｐ１４は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ１４は、例えばＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）フィルタであり、８３０ＭＨｚ～８４５ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ１４は、例えばＳＡＷフィルタであり、８７５ＭＨｚ～８９０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。なお、ＳＡＷフィルタに代えて、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）フィルタを用いることができる。
　デュプレクサ１５は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１７（７００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ１５は、共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ１５は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ１５と、受信側フィルタＳｒ１５と、を備える。受信側フィルタＳｒ１５は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ１５の共通端子は、メインスイッチ１６の個別端子Ｐ１６５に接続される。デュプレクサ１５の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ１５と、サブスイッチ１３の個別端子Ｐ１３５とが接続される。デュプレクサ１５の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ１５と、受信端子Ｐ１５とが接続される。受信端子Ｐ１５は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ１５は、例えばＳＡＷフィルタであり、７０４ＭＨｚ～７１６ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ１５は、例えばＳＡＷフィルタであり、７３４ＭＨｚ～７４６ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
　メインスイッチ１６の共通端子Ｐ１６は、第１アンテナ端子Ｐ１７に接続される。第１アンテナＡＮＴ１は、低域の信号の送受信に適した形状である。
　高域送受信部２０は、低域送受信部１０と同様の構成を備え、送受信する信号の帯域が異なる。高域送受信部２０は、増幅回路２１と、整合回路２２と、サブスイッチ２３と、複数のデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５と、メインスイッチ２６と、を備える。
　増幅回路２１は、入力端子Ｐ２０に入力された高域（１，６００ＭＨｚ～２，７００ＭＨｚ）の送信信号を増幅し、増幅後の送信信号を整合回路２２へ出力する。整合回路２２は、例えばインダクタ及びキャパシタを備え、第２アンテナＡＮＴ２側と、増幅回路２１側との間でインピーダンスを整合する。
　サブスイッチ２３は、共通端子Ｐ２３と、複数の個別端子Ｐ２３４，Ｐ２３５とを備える。共通端子Ｐ２３は、整合回路２２に接続される。個別端子Ｐ２３４は、デュプレクサ２４に接続される。個別端子Ｐ２３５は、デュプレクサ２５に接続される。
　メインスイッチ２６は、サブスイッチ２３との組により、整合回路２２と第２アンテナＡＮＴ２との接続経路に用いられるデュプレクサをデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５から選択するために、整合回路２２といずれかのデュプレクサとの接続と、該デュプレクサと第２アンテナ端子Ｐ２７との接続と、を切り替える。ただし、切替は、制御ＩＣ２１３から出力される制御信号に基づく。
　デュプレクサ２４は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１（２，１００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ２４は、共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ２４は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ２４と、受信側フィルタＳｒ２４と、を備える。受信側フィルタＳｒ２４は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ２４の共通端子は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６４に接続される。デュプレクサ２４の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ２４が接続される。デュプレクサ２４の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ２４と、受信端子Ｐ２４とが接続される。受信端子Ｐ２４は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ２４は、例えばＳＡＷフィルタであり、１，９２０ＭＨｚ～１，９８０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ２４は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，１１０ＭＨｚ～２，１７０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
　デュプレクサ２５は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ７（２，６００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ２５は、共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ２５は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ２５と、受信側フィルタＳｒ２５と、を備える。受信側フィルタＳｒ２５は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ２５の共通端子は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６５に接続される。デュプレクサ２５の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ２５が接続される。デュプレクサ２５の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ２５と、受信端子Ｐ２５とが接続される。受信端子Ｐ２５は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ２５は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，５００ＭＨｚ～２，５７０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ２５は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，６２０ＭＨｚ～２，６９０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
　メインスイッチ２６の共通端子Ｐ２６は、第２アンテナ端子Ｐ２７に接続される。第２アンテナＡＮＴ２は、高域の信号の送受信に適した形状で形成される。
　高周波モジュール１００の動作について、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９で送受信する例で説明する。ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９で送受信する場合、制御ＩＣ２１３は、デュプレクサ１４を介して送信信号を第１アンテナＡＮＴ１へ出力するために、サブスイッチ１３及びメインスイッチ１６の接続を切り替える制御を行う。具体的には、制御ＩＣ２１３は、共通端子Ｐ１３と個別端子Ｐ１３４とが接続され、共通端子Ｐ１６と個別端子Ｐ１６４とが接続されるように、制御信号をサブスイッチ１３及びメインスイッチ１６へ出力する。
　入力端子Ｐ１０に入力された送信信号は、増幅回路１１で増幅された後、整合回路１２、サブスイッチ１３、及びデュプレクサ１４の送信側フィルタＳｔ１４を順に通過することで、７０４ＭＨｚ～７１６ＭＨｚの周波数成分が主な周波数成分となるように濾波される。その後、送信信号は、メインスイッチ１６、及び第１アンテナ端子Ｐ１７を順に通過し、第１アンテナＡＮＴ１へ出力される。
　ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９の受信について、第１アンテナＡＮＴ１が受信した受信信号は、第１アンテナ端子Ｐ１７、及びメインスイッチ１６を順に通過し、デュプレクサ１４に入力される。受信信号は、受信側フィルタＳｒ１４によって、８７５ＭＨｚ～８９０ＭＨｚの周波数成分が受信端子Ｐ１４へ出力される。
　高周波モジュール１００は、キャリアアグリゲーションを実現するため、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９以外のｂａｎｄでも同時に信号を無線で送受信する。以下、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９と同時に信号を送受信するｂａｎｄをｂａｎｄ１として説明する。ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１で信号を送受信する場合、制御ＩＣ２１３は、デュプレクサ２４を介して送信信号を第２アンテナＡＮＴ２へ出力するために、サブスイッチ２３及びメインスイッチ２６の接続を切り替える制御を行う。具体的には、制御ＩＣ２１３は、共通端子Ｐ２３と個別端子Ｐ２３４とが接続され、共通端子Ｐ２６と個別端子Ｐ２６４とが接続されるように、制御信号をサブスイッチ２３及びメインスイッチ２６へ出力する。
　入力端子Ｐ２０に入力された送信信号は、増幅回路２１で増幅された後、整合回路２２、サブスイッチ２３、及びデュプレクサ２４の送信側フィルタＳｔ２４を順に通過することで、１，９２０ＭＨｚ～１，９８０ＭＨｚの周波数成分が主な周波数成分となるように濾波される。その後、送信信号は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６４、共通端子Ｐ２６、及び第２アンテナ端子Ｐ２７を順に通過し、第２アンテナＡＮＴ２へ出力される。
　ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１の受信について、第２アンテナＡＮＴ２が受信した受信信号は、第２アンテナ端子Ｐ２７、メインスイッチ２６を順に通過し、デュプレクサ２４に入力される。受信信号は、受信側フィルタＳｒ２４によって、２，１１０ＭＨｚ～２，１７０ＭＨｚの周波数成分が受信端子Ｐ２４へ出力される。
　以上のように、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９（低域）とｂａｎｄ１（高域）とにおいて同時に信号を無線で送受信する。高周波モジュール１００は、ｂａｎｄ１７とｂａｎｄ７とにおいて同時に信号を無線で送受信する。なお、高周波モジュール１００は、２つの帯域に限らず、互いに通過帯域の周波数が異なる３つ以上の帯域であってもよく、２つの低域、及び１つの高域の複数の帯域で同時に信号を送受信する態様であっても構わない。高周波モジュール１００が、２つの低域と１つの高域の３つの通過帯域で同時に信号を送受信するとき、合計３つの通過帯域を低域、中域、及び高域と定めてもよい。３つ以上の通過帯域の内、低域、高域のいずれかを互いに異なる複数の通過帯域を含むように設定してもよい。
　本実施形態に係る高周波モジュール１００は、増幅回路１１から出力された低域の送信信号の高調波が高域送受信部２０の受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩することを抑制するために、抵抗２４Ｒと、抵抗２５Ｒとを備える。抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、それぞれ０（ゼロ）オーム抵抗の抵抗チップである。ただし、高周波モジュール１００は、抵抗２４Ｒ及び２５Ｒに代えて、インダクタ及びキャパシタ等の他の素子を備えてもよい。
　図１に示すように、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、高周波モジュール１００の入力端子Ｐ３０と、出力端子Ｐ３１との間でシリーズ接続される。抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、低域送受信部１０及び高域送受信部２０と電気的に分離される。すなわち、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、低域送受信部１０及び高域送受信部２０による信号の送受信に影響を与えない。
　以下、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒを含む高周波モジュール１００の回路素子の基板への配置について、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を用いて説明する。図２（Ａ）は、高周波モジュール１００の上面（素子実装面）図である。図２（Ｂ）は、Ａ－Ａ断面図である。
　図２（Ａ）に示すように、高周波モジュール１００は、図１に示す回路例を実現する複数の素子が基板２００に配置されてなる。具体的には、基板２００には、ＩＣ２１１と、制御ＩＣ２１３と、複数のチップ素子（抵抗、キャパシタ、及びインダクタ等のいずれか）２１２と、デュプレクサ１４，１５，２４，２５と、サブスイッチ１３，２３を含むスイッチＩＣ２１７，メインスイッチ１６，２６を含むスイッチＩＣ２１９とが配置される。
　基板２００の平面視において、－Ｘ側かつ＋Ｙ側の基板２００の隅には、アンプ素子２１４と、複数のチップ素子２１５とが配置される。これらアンプ素子２１４と、複数のチップ素子２１５は、低域送受信部１０の増幅回路１１を実現する素子である。
　基板２００の平面視において、基板２００の＋Ｘ側にはデュプレクサ２４とデュプレクサ２５とが配置される。ただし、実際の高周波モジュール１００は、デュプレクサ１４，１５，２４，２５以外にもデュプレクサＤＵＰを備えるため、より多くのデュプレクサが図２では示されている。
　ここで、デュプレクサ２４は、サブスイッチ２３に接続されるＴＸ端子２４１と、受信端子Ｐ２４に接続されるＲＸ端子２４２とを備える。デュプレクサ２５は、サブスイッチ２３に接続されるＴＸ端子２５１と、受信端子Ｐ２５に接続されるＲＸ端子２５２とを備える。
　図２に示すように、ＲＸ端子２４２は、基板２００の平面視において、デュプレクサ２４の－Ｘ側に配置される。ＴＸ端子２４１は、基板２００の平面視において、デュプレクサ２４の＋Ｘ側に配置される。換言すれば、デュプレクサ２４は、受信端子Ｐ２４を介して受信回路に接続されるＲＸ端子２４２が、ＴＸ端子２４１より増幅回路１１側となるような向きである。ＲＸ端子２５２は、基板２００の平面視において、デュプレクサ２５の－Ｘ側に配置される。ＴＸ端子２５１は、基板２００の平面視において、デュプレクサ２５の＋Ｘ側に配置される。換言すれば、デュプレクサ２５は、受信端子Ｐ２５を介して受信回路に接続されるＲＸ端子２５２が、ＴＸ端子２５１より増幅回路１１側となるような向きである。
　ここで、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒを備えない、従来技術の高周波モジュールにおいて、高域用のデュプレクサのＲＸ端子が増幅回路側に向くと、当該増幅回路と、当該ＲＸ端子から受信回路への経路との間の空間に結合が生じることがある。当該結合により、低域用の増幅回路から出力された送信信号の高調波であって、高域用の分波回路の通過帯域の周波数成分を含む高調波が、高域用の受信回路へ漏洩してしまうことがある。
　そこで、本実施形態に係る高周波モジュール１００では、基板２００においてデュプレクサ２４，２５の各位置と増幅回路１１の位置との間に抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒを配置することで、低域の送信信号の高調波が受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩することを防止する。
　具体的には、図２に示すように、基板２００において、抵抗２４Ｒは、デュプレクサ２４の位置と、増幅回路１１の位置との間に配置される。すなわち、基板２００において、抵抗２４Ｒは、デュプレクサ２４の位置と、アンプ素子２１４及び複数のチップ素子２１５の各位置と、の間に配置される。
　このように抵抗２４Ｒを配置することで、増幅回路１１と、デュプレクサ２４を介したメインスイッチ２６から受信端子Ｐ２４への経路Ｈ１とが、抵抗２４Ｒを空間的に介すようになる。これにより、増幅回路１１と経路Ｈ１との間の空間には電磁界結合及び静電結合（以下、単に結合と称す。）が生じにくくなる。例えば、増幅回路１１を実現するアンプ素子２１４と、経路Ｈ１に含まれるデュプレクサ２４との間の空間に結合が生じにくくなる。その結果、高周波モジュール１００は、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波が、当該結合によって形成される経路を介して受信端子Ｐ２４へ漏洩することを抑制する。
　同様に、基板２００において、抵抗２５Ｒは、デュプレクサ２５の位置と、増幅回路１１の位置との間に配置される。すなわち、基板２００において、抵抗２５Ｒは、デュプレクサ２５の位置と、アンプ素子２１４及び複数のチップ素子２１５の各位置と、の間に配置される。
　このように抵抗２５Ｒを配置することで、増幅回路１１と、デュプレクサ２５を介したメインスイッチ２６から受信端子Ｐ２５への経路Ｈ２とが、抵抗２５Ｒを空間的に介すようになる。これにより、増幅回路１１と経路Ｈ２との間の空間には結合が生じにくくなる。その結果、高周波モジュール１００は、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波が、当該結合によって形成される経路を介して受信端子Ｐ２５へ漏洩することを抑制する。
　また、デュプレクサ２４及びデュプレクサ２５と、増幅回路１１とを互いに近づけて配置したとしても、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、増幅回路１１と、経路Ｈ１，Ｈ２との間の空間に生じる結合を抑制するので、増幅回路１１を実現するアンプ素子２１４と、経路Ｈ１，Ｈ２に含まれるデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５との間の空間に生じる結合を抑制する。
　以上のように、高周波モジュール１００は、デュプレクサ２４，２５のＲＸ端子２４２，２５２が増幅回路１１側に向いたり、デュプレクサ２４，２５及び増幅回路１１が互いに近づいたりしても、低域の送信信号の高調波が受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩することを防止することができる。すなわち、本実施形態に係る高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格の各帯域のアイソレーション特性の低下を防止しつつ、基板２００におけるデュプレクサ２４，２５及びアンプ素子２１４を含む各素子の位置及び向きの設定の自由度（以下、基板レイアウトと称す。）を確保することができる。
　なお、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、それぞれ立体形状のチップ素子であり、基板２００に実装されると、基板２００の上面の法線方向に凸となる形状である。高周波モジュール１００は、当該凸の量がより多い結合阻害素子を備えてもよい。すなわち、高周波モジュール１００は、基板２００の上面の法線方向により高い形状の結合阻害素子を備えてもよい。結合阻害素子は、より高い形状であれば上述の結合を阻害する効果がより高くなる。
　また、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒの詳細な配置について、抵抗２４Ｒは、基板２００において、デュプレクサ２４のうちＲＸ端子２４２の位置と、アンプ素子２１４の位置と、の間に配置される。抵抗２４Ｒは、当該間のうち、ＲＸ端子２４２側に配置される。高周波モジュール１００は、基板２００において、抵抗２４Ｒを、ＲＸ端子２４２の位置により近い位置に配置することで、増幅回路１１とＲＸ端子２４２から受信端子Ｐ２４への経路との間の空間に生じる結合をさらに抑制することができる。
　同様に、抵抗２５Ｒは、基板２００において、デュプレクサ２５のうちＲＸ端子２５２の位置と、アンプ素子２１４の位置と、の間に配置される。抵抗２５Ｒは、当該間のうち、ＲＸ端子２５２側に配置される。高周波モジュール１００は、基板２００において、抵抗２５Ｒを、ＲＸ端子２５２の位置により近い位置に配置することで、増幅回路１１とＲＸ端子２５２から受信端子Ｐ２５への経路との間の空間に生じる結合をより効果的に抑制することができる。
　また、図２（Ｂ）の断面図に示すように、抵抗２５Ｒは、基板２００の厚み方向（Ｚ方向）に延伸するビア導体２６６と内部配線２６５とを介してグランド電極２６１に接続される。グランド電極２６１は、アンプ素子２１４、デュプレクサ２４，２５、及び抵抗２４Ｒ，２５Ｒが実装される基板２００の実装面（上面）と対向する下面に配置される。デュプレクサ２５，ＤＵＰは、各端子が内部配線２６４及びビア導体２６３を介して電極２６２及びグランド電極２６１に接続される。図示は、省略するが、抵抗２４Ｒも、ビア導体と内部配線とを介してグランド電極に接続される。
　高周波モジュール１００は、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒがそれぞれグランドに接続されるビア導体２６６に接続されるので、増幅回路１１と経路Ｈ１，Ｈ２との間の空間のうち基板２００の内部においても結合が生じることを抑制することができる。ただし、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、それぞれグランドに接続されないビア導体に接続される態様であってもよい。また、抵抗２４Ｒ及び抵抗２５Ｒは、基板２００の上面に実装されるのみで、基板２００の配線パターンに接続されない態様であっても構わない。
　次に、図３は、高周波モジュール１００の変形例１に係る高周波モジュール１００Ａの断面図である。変形例１に係る高周波モジュール１００Ａでは、抵抗２５Ｒは、ビア導体２６６Ａのみを介してグランド電極２６１Ａに接続される。
　このように、高周波モジュール１００Ａは、内部配線を介さずにビア導体２６６Ａと抵抗２５Ｒとを接続することにより、上述の結合を抑制する効果を高めることができる。
　さらに、図３に示すように、ビア導体２６６Ａのみを介して抵抗２５Ｒに接続されるグランド電極２６１Ａは、デュプレクサＤＵＰ等の低域送受信部１０及び高域送受信部２０の各構成が接続されるグランド電極２６１と異なる。これにより、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波は、共通の内部配線及び共通のグランド電極を介して受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩しにくくなる。
　上述の例では、結合阻害素子としての抵抗は、デュプレクサ毎に設けられていたが、以下のように、より多くの抵抗を設けてもよい。
　図４は、高周波モジュール１００の変形例２に係る高周波モジュール１００Ｂの上面（素子実装面）図である。高周波モジュール１００Ｂは、デュプレクサ２４，２５を含む高域送受信部２０の各デュプレクサと、増幅回路１１とを区画するように、複数の抵抗２０Ｒが配置される点において高周波モジュール１００と相違する。
　図４に示すように、複数の抵抗２０Ｒは、Ｙ方向に沿って配列される。これにより、増幅回路１１と、デュプレクサ２４，２５を介したメインスイッチ２６から受信端子Ｐ２４，Ｐ２５への経路Ｈ１，Ｈ２と間の空間に結合がさらに生じにくくなる。
１０…低域送受信部
１１…増幅回路
１２…整合回路
１３…サブスイッチ
１４，１５…デュプレクサ
１６…メインスイッチ
２０…高域送受信部
２０Ｒ…抵抗
２１…増幅回路
２２…整合回路
２３…サブスイッチ
２４，２５…デュプレクサ
２４Ｒ，２５Ｒ…抵抗
２６…メインスイッチ
１００，１００Ａ，１００Ｂ…高周波モジュール
２００…基板
２１１…ＩＣ
２１３…制御ＩＣ
２１４…アンプ素子
２１２，２１５…チップ素子
２１７，２１９…スイッチＩＣ
２４１，２５１…ＴＸ端子
２４２，２５２…ＲＸ端子
２６１，２６１Ａ…グランド電極
２６２…電極
２６３，２６６，２６６Ａ…ビア導体
２６４，２６５…内部配線

Claims (5)

  1. 　第１帯域内の信号を送受信するように構成された第１送受信部と、
    　前記第１帯域より高い第２帯域内の信号を送受信するように構成された第２送受信部と、
    　が基板に配置された高周波モジュールであって、
    　前記第１送受信部及び前記第２送受信部は、それぞれ、アンテナに接続されるアンテナ端子と、受信回路に接続される受信端子と、送信信号を増幅するように構成された増幅回路と、前記増幅回路が増幅した前記第１及び第２帯域内の送信信号をそれぞれ前記アンテナ端子へ通過させ、かつ前記アンテナ端子からの前記第１及び第２帯域内の受信信号をそれぞれ前記受信端子へ通過させるように構成された分波回路とを有し、
    　前記基板において、前記第２送受信部の分波回路の位置と、前記第１送受信部の増幅回路の位置との間に配置される結合阻害素子であって、前記第１送受信部及び第２送受信部による信号の送受信に影響を与えない結合阻害素子をさらに備える、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記結合阻害素子は、前記基板の厚み方向に延伸するビア導体を介して前記基板のグランドに接続される、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記基板は、前記結合阻害素子が実装される第１面と、前記第１面に対向する第２面とを有し、
    　前記基板は、前記第２面に複数のグランド電極をさらに備え、
    　前記結合阻害素子は、前記ビア導体のみを介して前記グランド電極に接続される、
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記ビア導体のみを介して前記結合阻害素子に接続される前記グランド電極は、前記基板において、前記第１送受信部のグランド及び前記第２送受信部のグランドと電気的に分離される、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記結合阻害素子は、ゼロオーム抵抗である、
    　請求項１～４のいずれかに記載の高周波モジュール。
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