WO2016194924A1 - 高周波フロントエンド回路 - Google Patents

高周波フロントエンド回路 Download PDF

Info

Publication number
WO2016194924A1
WO2016194924A1 PCT/JP2016/066103 JP2016066103W WO2016194924A1 WO 2016194924 A1 WO2016194924 A1 WO 2016194924A1 JP 2016066103 W JP2016066103 W JP 2016066103W WO 2016194924 A1 WO2016194924 A1 WO 2016194924A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
terminal
band
selected terminal
main switch
transmission
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/066103
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
上嶋孝紀
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to KR1020177031581A priority Critical patent/KR101994799B1/ko
Priority to CN201680031326.8A priority patent/CN107615669B/zh
Priority to JP2017521960A priority patent/JP6376291B2/ja
Publication of WO2016194924A1 publication Critical patent/WO2016194924A1/ja
Priority to US15/829,882 priority patent/US10498387B2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching
    • H04B1/48Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/50Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H04B1/525Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/54Circuits using the same frequency for two directions of communication
    • H04B1/56Circuits using the same frequency for two directions of communication with provision for simultaneous communication in two directions

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency front-end circuit having a demultiplexing function connected to an antenna that transmits and receives high-frequency signals of a plurality of communication bands.
  • This apparatus includes a high-frequency front end circuit having a function of demultiplexing a high-frequency signal transmitted and received by an antenna for each communication band.
  • Patent Document 1 As a conventional high-frequency front-end circuit, for example, as shown in Patent Document 1, a high-frequency switch module having a configuration for switching communication bands transmitted and received by a switch has been put into practical use.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a problem in the conventional high-frequency front-end circuit.
  • the conventional high-frequency front-end circuit 10P includes a band switch 20P, duplexers 31, 32, a main switch 40P, and a multiband power amplifier 50.
  • the band switch 20P includes a common terminal PC20 and selected terminals PS21 and PS22.
  • the selected terminals PS21 and PS22 are selectively connected to the common terminal PC20.
  • the common terminal PC20 is connected to the output terminal of the power amplifier 50.
  • the selected terminal PS21 is connected to the duplexer 31, and the selected terminal PS22 is connected to the duplexer 32.
  • the duplexer 31 includes a transmission filter 311 and a reception filter 312.
  • the duplexer 31 includes a transmission terminal PT31, a reception terminal PR31, and an antenna terminal PC31.
  • the transmission filter 311 is connected between the transmission terminal PT31 and the antenna terminal PC31.
  • the reception filter 312 is connected between the reception terminal PR31 and the antenna terminal PC31.
  • the transmission terminal PT31 is connected to the selected terminal PS21 of the band switch 20P.
  • the duplexer 32 includes a transmission filter 321 and a reception filter 322.
  • the duplexer 32 includes a transmission terminal PT32, a reception terminal PR32, and an antenna terminal PC32.
  • the transmission filter 321 is connected between the transmission terminal PT32 and the antenna terminal PC32.
  • the reception filter 322 is connected between the reception terminal PR32 and the antenna terminal PC32.
  • the transmission terminal PT32 is connected to the selected terminal PS22 of the band switch 20P.
  • the main switch 40P includes a common terminal PC40 and selected terminals PS41 and PS42.
  • the selected terminals PS41 and PS42 are selectively connected to the common terminal PC40.
  • the selected terminal PS41 is connected to the antenna terminal PC31 of the duplexer 31.
  • the selected terminal PS42 is connected to the antenna terminal PC32 of the duplexer 32.
  • the high-frequency front end circuit 10P When performing transmission / reception of the first communication band, the high-frequency front end circuit 10P connects the common terminal PC20 of the band switch 20P and the selected terminal PS21, and connects the common terminal PC40 of the main switch 40P and the selected terminal PS41. When performing transmission / reception of the second communication band, the high-frequency front end circuit 10P connects the common terminal PC20 of the band switch 20P and the selected terminal PS22, and connects the common terminal PC40 of the main switch 40P and the selected terminal PS42.
  • the frequency band of the first communication band and the frequency band of the second communication band overlap or are close to each other.
  • the transmission signal Stx2 output from the power amplifier 50 is transmitted to the antenna connection terminal Pant via the band switch 20P, the duplexer 32, and the main switch 40P.
  • the leakage signal Se1 leaks from the selected terminal PS41 to the selected terminal PS42.
  • the leaked signal Se1 leaked to the selected terminal PS42 is transmitted to the antenna terminal PC32 of the duplexer 32.
  • the reception signal 322 of the duplexer 32 cannot sufficiently attenuate the leakage signal Se1. Therefore, the leakage signal Se1 is transmitted to the reception terminal PR32. As a result, the reception sensitivity of the second communication band is degraded.
  • An object of the present invention is to realize a high-frequency front-end circuit that can suppress deterioration of reception sensitivity even in a mode in which a plurality of high-frequency signals that are close to or overlap with each other in communication bands are transmitted and received.
  • the high-frequency front-end circuit of the present invention includes a band switch, a main switch, and first and second duplexers.
  • the band switch includes a band switch common terminal, a first band switch selected terminal, and a second band switch selected terminal. A first band switch selected terminal and a second band switch selected terminal are selectively connected to the band switch common terminal.
  • the main switch includes a main switch common terminal, a first main switch selected terminal, and a second main switch selected terminal. A first main switch selected terminal and a second main switch selected terminal are selectively connected to the main switch common terminal.
  • the first duplexer includes a first transmission filter and a first reception filter, and transmits and receives a high-frequency signal in the first communication band.
  • the second duplexer includes a second transmission filter and a second reception filter, and transmits and receives a high-frequency signal in the second communication band.
  • the frequency band of the first communication band and the frequency band of the second communication band overlap or are close to each other.
  • the first transmission filter is connected between the first band switch selected terminal and the first main switch selected terminal.
  • the second transmission filter is connected between the second band switch selected terminal and the second main switch selected terminal.
  • the band switch includes a third band switch selected terminal between the first band switch selected terminal and the second band switch selected terminal.
  • the main switch includes a third main switch selected terminal between the first main switch selected terminal and the second main switch selected terminal.
  • a load circuit for a transmission signal of the second communication band is connected to the third band switch selected terminal or the third main switch selected terminal provided.
  • leakage of the transmission signal of the second communication band between the first band switch selected terminal and the second band switch selected terminal, or the first main switch selected terminal and the second main switch selected Leakage of the transmission signal of the second communication band with the terminal is suppressed.
  • the leakage signal of the transmission signal of the 2nd communication band transmitted to the receiving terminal of a 2nd duplexer via a band switch, a 1st duplexer, and a main switch is suppressed.
  • the high frequency front end circuit of the present invention preferably has the following configuration.
  • the band switch includes a third band switch selected terminal between the first band switch selected terminal and the second band switch selected terminal.
  • the main switch includes a third main switch selected terminal between the first main switch selected terminal and the second main switch selected terminal.
  • a load circuit is connected to the third band switch selected terminal and the third main switch selected terminal.
  • the load circuit may be a ground connection circuit.
  • the leaked signal can flow to the ground, and transmission of the leaked signal to the receiving terminal can be more effectively suppressed.
  • the load circuit is a third duplexer that transmits and receives a third communication band connected between the third band switch selected terminal and the third main switch selected terminal. Also good.
  • This configuration can transmit and receive a third communication band different from the first and second communication bands, but can suppress transmission of a leakage signal to the receiving terminal.
  • the high frequency front end circuit of the present invention preferably has the following configuration.
  • Each of the first duplexer and the second duplexer is a mountable component and is mounted on a circuit board.
  • the reception terminal of the first reception filter is disposed close to the first side of the circuit board.
  • the reception terminal of the second reception filter is disposed close to the second side of the circuit board.
  • the reception terminal of the first reception filter is closer to the first side than the transmission terminal of the first transmission filter.
  • the reception terminal of the second reception filter is closer to the second side than the transmission terminal of the second transmission filter.
  • the receiving terminal since the receiving terminal is arranged on the outer side of the circuit board relative to the transmitting terminal, the distance between the transmission path of the transmitting signal and the receiving terminal can be separated, and the transmission of the leakage signal to the receiving terminal can be further suppressed.
  • the present invention it is possible to suppress deterioration in reception sensitivity even in a mode in which a plurality of high-frequency signals having communication bands close to each other or overlapping each other are transmitted and received.
  • 1 is a circuit diagram of a high-frequency front end circuit according to a first embodiment of the present invention. It is a circuit diagram for demonstrating the effect of the high frequency front end circuit which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is a top view showing the components composition of the high frequency front end circuit concerning a 1st embodiment of the present invention. It is a circuit diagram of the high frequency front end circuit concerning a 2nd embodiment of the present invention. It is a circuit diagram of the high frequency front end circuit concerning a 3rd embodiment of the present invention. It is a figure for demonstrating the subject in the conventional high frequency front end circuit.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency front-end circuit according to the first embodiment of the present invention.
  • the high-frequency front-end circuit 10 includes a band switch 20, duplexers 31, 32, 33, a main switch 40, and a multiband power amplifier 50.
  • the duplexer 31 corresponds to the first duplexer of the present invention
  • the duplexer 32 corresponds to the second duplexer of the present invention
  • the duplexer 33 corresponds to the third duplexer of the present invention.
  • the band switch 20 is composed of a semiconductor switch, for example.
  • the band switch 20 includes a common terminal PC20 and selected terminals PS21, PS22, and PS23.
  • the band switch 20 selectively connects the selected terminals PS21, PS22, PS23 to the common terminal PC20 in accordance with an external control signal.
  • the common terminal PC20 corresponds to the band switch common terminal of the present invention
  • the selected terminal PS21 corresponds to the first band switch selected terminal of the present invention
  • the selected terminal PS22 corresponds to the second band switch selected terminal of the present invention.
  • the selected terminal PS23 corresponds to the third band switch selected terminal of the present invention.
  • the common terminal PC20 is connected to the output terminal of the power amplifier 50.
  • the selected terminal PS21 is connected to the duplexer 31, and the selected terminal PS22 is connected to the duplexer 32.
  • the selected terminal PS23 is connected to the duplexer 33.
  • the selected terminal PS23 is disposed between the selected terminal PS21 and the selected terminal P22.
  • the duplexer 31 includes a transmission filter 311 and a reception filter 312.
  • the transmission filter 311 corresponds to the first transmission filter of the present invention
  • the reception filter 312 corresponds to the first reception filter of the present invention.
  • the duplexer 31 includes a transmission terminal PT31, a reception terminal PR31, and an antenna terminal PC31.
  • the transmission filter 311 is connected between the transmission terminal PT31 and the antenna terminal PC31.
  • the reception filter 312 is connected between the reception terminal PR31 and the antenna terminal PC31.
  • the transmission terminal PT31 is connected to the selected terminal PS21 of the band switch 20.
  • the transmission filter 311 is a filter that includes the frequency band of the transmission signal of the first communication band in the pass band.
  • the reception filter 312 is a filter that includes the frequency band of the reception signal of the first communication band in the pass band.
  • the duplexer 32 includes a transmission filter 321 and a reception filter 322.
  • the transmission filter 321 corresponds to the second transmission filter of the present invention
  • the reception filter 322 corresponds to the second reception filter of the present invention.
  • the duplexer 32 includes a transmission terminal PT32, a reception terminal PR32, and an antenna terminal PC32.
  • the transmission filter 321 is connected between the transmission terminal PT32 and the antenna terminal PC32.
  • the reception filter 322 is connected between the reception terminal PR32 and the antenna terminal PC32.
  • the transmission terminal PT32 is connected to the selected terminal PS22 of the band switch 20.
  • the transmission filter 321 is a filter including the frequency band of the transmission signal of the second communication band in the pass band.
  • the reception filter 322 is a filter that includes the frequency band of the reception signal of the second communication band in the pass band.
  • the duplexer 33 includes a transmission filter 331 and a reception filter 332.
  • the duplexer 33 includes a transmission terminal PT33, a reception terminal PR33, and an antenna terminal PC33.
  • the transmission filter 331 is connected between the transmission terminal PT33 and the antenna terminal PC33.
  • the reception filter 332 is connected between the reception terminal PR33 and the antenna terminal PC33.
  • the transmission terminal PT33 is connected to the selected terminal PS23 of the band switch 20.
  • the transmission filter 331 is a filter including the frequency band of the transmission signal of the third communication band in the pass band.
  • the reception filter 332 is a filter that includes the frequency band of the reception signal of the third communication band in the pass band.
  • the main switch 40 is composed of a semiconductor switch, for example.
  • the main switch 40 includes a common terminal PC40 and selected terminals PS41, PS42, and PS43.
  • the main switch 40 selectively connects the selected terminals PS41, PS42, PS43 to the common terminal PC40 according to a control signal from the outside.
  • the common terminal PC40 corresponds to the main switch common terminal of the present invention
  • the selected terminal PS41 corresponds to the first main switch selected terminal of the present invention
  • the selected terminal PS42 corresponds to the second main switch selected terminal of the present invention.
  • the selected terminal PS43 corresponds to the third main switch selected terminal of the present invention.
  • the common terminal PC40 is connected to the antenna connection terminal Pant of the high-frequency front end circuit 10.
  • the selected terminal PS41 is connected to the antenna terminal PC31 of the duplexer 31.
  • the selected terminal PS42 is connected to the antenna terminal PC32 of the duplexer 32.
  • the selected terminal PS43 is connected to the antenna terminal PC33 of the duplexer 33.
  • the selected terminal PS43 is disposed between the selected terminal PS41 and the selected terminal PS42.
  • the band switch 20 When transmitting / receiving the first communication band, the band switch 20 connects the common terminal PC20 and the selected terminal PS21. At the same time, in the main switch 40, the common terminal PC40 and the selected terminal PS41 are connected.
  • the band switch 20 When transmitting / receiving the second communication band, the band switch 20 connects the common terminal PC20 and the selected terminal PS22. At the same time, in the main switch 40, the common terminal PC40 and the selected terminal PS42 are connected.
  • the band switch 20 When performing transmission / reception of the third communication band, the band switch 20 connects the common terminal PC20 and the selected terminal PS23. At the same time, in the main switch 40, the common terminal PC40 and the selected terminal PS43 are connected.
  • FIG. 2 is a circuit diagram for explaining the function and effect of the high-frequency front-end circuit according to the first embodiment of the present invention.
  • the selected terminal PS22 is selected in the band switch 20, and the selected terminal PS42 is selected in the main switch 40.
  • the transmission signal Stx2 of the second communication band output from the power amplifier 50 is connected to the antenna connection terminal via the band switch 20, the transmission filter 321 of the duplexer 32, and the main switch 40. Transmitted to Pant.
  • the reception signal of the second communication band input from the antenna connection terminal Pant is transmitted to the reception terminal PR32 via the main switch 40 and the reception filter 322 of the duplexer 32.
  • a transmission path via the duplexer 31 is selected for transmission / reception of the first communication band, and a transmission path via the duplexer 33 is selected for transmission / reception of the third communication band.
  • the high-frequency front-end circuit 10 transmits / receives the first, second, and third communication bands to the common antenna connected to the antenna connection terminal Pant. (Not shown).
  • the frequency band of the first communication band and the frequency band of the second communication band may overlap or be close to each other.
  • the frequency band of the third communication band is set so as to be separated from the frequency band of the first communication band and the frequency band of the second communication band.
  • the frequency band interval between the third communication band and the third communication band and the frequency band interval between the third communication band are larger than the frequency band interval between the first communication band and the second communication band.
  • it is preferable that the frequency bands of the first and second communication bands are included in the stop band of the third communication band.
  • the selected terminal PS23 for the third communication band is disposed between the selected terminal PS22 for the second communication band and the selected terminal PS21 for the first communication band. Yes. Therefore, the leakage of the transmission signal Stx2 from the selected terminal PS22 to the selected terminal PS21 is suppressed by the selected terminal PS23.
  • the selected terminal PS43 for the third communication band is arranged between the selected terminal PS42 for the second communication band and the selected terminal PS41 for the first communication band. Therefore, leakage from the selected terminal PS42 to the selected terminal PS41 is suppressed by the selected terminal PS43.
  • the leakage signal of the transmission signal Stx2 input from the antenna terminal PC32 cannot be sufficiently attenuated by the reception filter 322.
  • the transmission of the leakage signal of the transmission signal Stx2 to the antenna terminal PC32 of the duplexer 32 is suppressed. Therefore, in the high frequency front end circuit 10, there is almost no leakage signal via the duplexer 31 side, and transmission of the leakage signal of the transmission signal Stx2 to the reception terminal PR32 can be suppressed. Thereby, the fall of the receiving sensitivity of a 2nd communication band can be suppressed.
  • transmission loss of the transmission signal can be suppressed by suppressing the leakage of the transmission signal Stx2.
  • the high-frequency front-end circuit 10 having such a configuration is realized by a component configuration as shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view showing the component configuration of the high-frequency front-end circuit according to the first embodiment of the present invention.
  • the high-frequency front-end circuit 10 includes a circuit board 100 having a rectangular shape in plan view.
  • the circuit board 100 is made of a laminated body in which dielectric layers on which conductor patterns for realizing the high-frequency front-end circuit 10 are formed are laminated, for example.
  • the band switch 20, the duplexers 31, 32 and 33, the main switch 40, the high output power amplifier 501 and the low output power amplifier 502 constituting the power amplifier 50, and the control IC 60 are mounted components. Further, at least a part of matching passive elements (inductors, capacitors, resistors, etc.) 70 not shown in FIG. 1 are also mounted components.
  • the band switch 20, duplexers 31, 32, 33, main switch 40, high output power amplifier 501, low output power amplifier 502, control IC 60, and passive element 70 are mounted on the surface of the circuit board 100. .
  • the high output power amplifier 501 and the low output power amplifier 502 are mounted in the vicinity of the side 101 of the circuit board 100.
  • the duplexers 31, 32, and 33 are mounted in a substantially half region on the side 102 side of the circuit board 100.
  • the side 102 is a side facing the side 101.
  • the duplexers 31 and 33 are arranged in a region on the side 103 side of the circuit board 100.
  • the side 103 is a side orthogonal to the sides 101 and 102.
  • the duplexers 31 and 33 are disposed along the side 103, and the duplexer 33 is disposed closer to the side 102 than the duplexer 31.
  • the duplexer 32 is disposed in a region on the side 104 side of the circuit board 100.
  • the side 104 is a side that is orthogonal to the sides 101 and 102 and faces the side 103.
  • the duplexer 32 is disposed along the side 102 together with the duplexer 33. With this configuration, the duplexer 32 and the duplexer 31 are spaced apart. Further, a passive element 70 is disposed between the duplexer 32 and the duplexers 31 and 33. With these configurations, electrical coupling and electromagnetic coupling between the duplexer 32 and the duplexer 31 are suppressed.
  • the reception terminal PR31 of the duplexer 31 is disposed in the vicinity of the side 103 (corresponding to the first side of the present invention), and the transmission terminal PT31 is disposed on the center side of the circuit board 100. In other words, the reception terminal PR31 is disposed on the outer side of the circuit board 100 with respect to the transmission terminal PT31.
  • the reception terminal PR32 of the duplexer 32 is disposed in the vicinity of the side 102 (corresponding to the second side of the present invention), and the transmission terminal PT32 is disposed on the center side of the circuit board 100. In other words, the reception terminal PR32 is disposed on the outer side of the circuit board 100 with respect to the transmission terminal PT32.
  • the reception terminal PR33 of the duplexer 33 is disposed in the vicinity of the side 103, and the transmission terminal PT33 is disposed on the center side of the circuit board 100. In other words, the reception terminal PR33 is disposed on the outer side of the circuit board 100 with respect to the transmission terminal PT33.
  • the transmission path of the transmission signal and the receiving terminals PR31, PR32, PR33 are separated from each other. Thereby, it is possible to suppress the transmission signal from leaking directly to the reception terminal PR32 (the same applies to the reception terminals PR31 and PR33).
  • the transmission terminals PT31, PT32, PT33 are arranged on the band switch 20 side in the duplexers 31, 32, 33. Therefore, the wiring path between the band switch 20 and the duplexers 31, 32, and 33 can be shortened, the coupling with the receiving terminals PR31, PR32, and PR33 can be suppressed, and the transmission signal can be transmitted with low loss.
  • the band switch 20 and the control IC 60 are arranged between the duplexer 31 and the arrangement region of the high output power amplifier 501 and the low output power amplifier 502.
  • the band switch 20 is disposed closer to the side 103 than the control IC 60.
  • the selected terminals PS21, PS22, and PS23 of the band switch 20 are arranged along one side of the band switch 20, as shown in FIG.
  • the selected terminal PS23 is arranged between the selected terminals PS21 and PS22.
  • the common terminal PC20 of the band switch 20 is disposed on the high output power amplifier 501 and low output power amplifier 502 side.
  • the selected terminals PS21, PS22, PS23 of the band switch 20 are arranged on the duplexers 31, 32, 33 side.
  • the main switch 40 is disposed between the control IC 60 and the duplexer 32.
  • the selected terminals PS41, PS42 and PS43 of the main switch 40 are arranged along one side of the main switch 40 as shown in FIG.
  • the selected terminal PS43 is arranged between the selected terminals PS41 and PS42.
  • the selected terminals PS41, PS42, and PS43 of the main switch 40 are arranged on the duplexers 31, 32, and 33 side. With this configuration, each wiring can be shortened and transmission loss can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the coupling between the conductor connecting the antenna terminal PC32 of the duplexer 32 and the selected terminal PS42 of the main switch 40 and the conductor connecting the antenna terminal PC31 of the duplexer 31 and the selected terminal PS41 of the main switch 40. , Transmission of the above-described leakage signal to the reception terminal PR32 can be suppressed. At this time, it is better to form these conductors in different layers in the circuit board 100 so that the circuit boards 100 do not overlap in plan view.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a high-frequency front-end circuit according to the second embodiment of the present invention.
  • the high frequency front end circuit 10A according to the present embodiment differs from the high frequency front end circuit 10 according to the first embodiment in the connection configuration to the selected terminal PS23 and the connection configuration to the selected terminal PS43.
  • the duplexer 33 is omitted.
  • the selected terminal PS23 is connected to the ground GND.
  • the selected terminal PS43 is connected to the ground GND.
  • the selected terminals PS23 and PS43 may be directly connected to the ground GND or may be 50 ⁇ matched and connected to the ground. Even with this configuration, it is possible to suppress the transmission of the leakage signal of the transmission signal Stx2 to the reception terminal PR32 of the duplexer 32 via the duplexer 31 side. Furthermore, in the present embodiment, by not providing the duplexer 33, the high-frequency front end circuit 10A can be made smaller.
  • the ground GND to which the selected terminal PS23 is connected and the ground GND to which the selected terminal PS43 is connected are preferably different ground conductors on the circuit board. Thereby, leakage through the ground GND can be suppressed.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of a high-frequency front-end circuit according to the third embodiment of the present invention.
  • the configuration of the band switch 20B is different from that of the high frequency front end circuit 10A according to the second embodiment.
  • the band switch 20B includes a common terminal PC20 and selected terminals PS21 and PS22. That is, the band switch 20B has a configuration in which the selected terminal PS23 is omitted from the band switch 20.
  • the band switch 20B can be formed smaller than the band switch 20. Thereby, the high-frequency front end circuit 10B can be further reduced in size.
  • a matching circuit is provided between the duplexer 32 and the main switch 40 as necessary.
  • the duplexer 32, and the second communication band matching circuit connected between the duplexer 32 and the main switch 40 are preferably arranged apart from each other. Thereby, transmission of a leak signal due to coupling between matching circuits can be suppressed.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

高周波フロントエンド回路(10)は、バンドスイッチ(20)、デュプレクサ(31,32,33)、およびメインスイッチ(40)を備える。バンドスイッチ(20)は、共通端子(PC20)、被選択端子(PS21,PS22,PS23)を備える。メインスイッチ(40)は、共通端子(PC40)、被選択端子(PS41,PS42,PS43)を備える。デュプレクサ(31,32,33)は、それぞれ被選択端子(PS21,PS41)間、被選択端子(PS22,PS42)間、被選択端子(PS23,PS43)間に接続されている。被選択端子(PS21,PS22)との間には、被選択端子(PS23)が配置され、被選択端子(PS41,PS42)との間には、被選択端子(PS43)が配置されている。互いの周波数帯域が近接又は重なる第1、第2通信バンドはそれぞれデュプレクサ(31,32)を介して送受信される。

Description

高周波フロントエンド回路
 本発明は、複数の通信バンドの高周波信号を送受信するアンテナに接続される分波機能を有する高周波フロントエンド回路に関する。
 従来、複数の通信バンドの高周波信号を、これらに共通のアンテナで送受信する装置が各種考案されている。この装置では、アンテナで送受信する高周波信号を通信バンド毎に分波する機能を有する高周波フロントエンド回路を備える。
 従来の高周波フロントエンド回路としては、例えば、特許文献1に示すように、スイッチによって送受信する通信バンドを切り換える構成を有する高周波スイッチモジュールが実用化されている。
特許第5136532号公報
 しかしながら、上述のようなスイッチを用いた高周波フロントエンド回路では、次に示すような問題が生じてしまうことがある。
 図6は、従来の高周波フロントエンド回路における課題を説明するための図である。図6に示すように、従来の高周波フロントエンド回路10Pは、バンドスイッチ20P、デュプレクサ31,32、メインスイッチ40P、マルチバンド用のパワーアンプ50を備える。
 バンドスイッチ20Pは、共通端子PC20、被選択端子PS21,PS22を備える。被選択端子PS21,PS22は、選択的に共通端子PC20に接続されている。共通端子PC20は、パワーアンプ50の出力端に接続されている。被選択端子PS21は、デュプレクサ31に接続されており、被選択端子PS22は、デュプレクサ32に接続されている。
 デュプレクサ31は、送信フィルタ311、受信フィルタ312を備える。デュプレクサ31は、送信端子PT31、受信端子PR31、アンテナ端子PC31を備える。送信フィルタ311は、送信端子PT31とアンテナ端子PC31との間に接続されている。受信フィルタ312は、受信端子PR31とアンテナ端子PC31との間に接続されている。送信端子PT31は、バンドスイッチ20Pの被選択端子PS21に接続されている。
 デュプレクサ32は、送信フィルタ321、受信フィルタ322を備える。デュプレクサ32は、送信端子PT32、受信端子PR32、アンテナ端子PC32を備える。送信フィルタ321は、送信端子PT32とアンテナ端子PC32との間に接続されている。受信フィルタ322は、受信端子PR32とアンテナ端子PC32との間に接続されている。送信端子PT32は、バンドスイッチ20Pの被選択端子PS22に接続されている。
 メインスイッチ40Pは、共通端子PC40、被選択端子PS41,PS42を備える。被選択端子PS41,PS42は、選択的に共通端子PC40に接続されている。被選択端子PS41は、デュプレクサ31のアンテナ端子PC31に接続されている。被選択端子PS42は、デュプレクサ32のアンテナ端子PC32に接続されている。
 高周波フロントエンド回路10Pは、第1通信バンドの送受信を行う場合、バンドスイッチ20Pの共通端子PC20と被選択端子PS21を接続し、メインスイッチ40Pの共通端子PC40と被選択端子PS41を接続する。高周波フロントエンド回路10Pは、第2通信バンドの送受信を行う場合、バンドスイッチ20Pの共通端子PC20と被選択端子PS22を接続し、メインスイッチ40Pの共通端子PC40と被選択端子PS42を接続する。
 このような構成において、第1通信バンドの周波数帯域と、第2通信バンドの周波数帯域が重なるまたは近接している。第2通信バンドの送信信号を送信する場合、パワーアンプ50から出力された送信信号Stx2は、バンドスイッチ20P、デュプレクサ32、メインスイッチ40Pを介して、アンテナ接続端子Pantに伝送される。
 しかしながら、バンドスイッチ20Pの被選択端子PS21,PS22間の通信バンドBでのアイソレーションが高く確保されていない場合、送信信号Stx2の一部が、被選択端子PS21から被選択端子PS22に漏洩(漏洩信号Se1)する。
 第1通信バンドと第2通信バンドの周波数帯域が重なるまたは近接していることにより、デュプレクサ31の送信フィルタ311とデュプレクサ32の送信フィルタ321との通過帯域は重なるまたは近接する。したがって、漏洩信号Se1は、デュプレクサ31を通過し、メインスイッチ40Pの被選択端子PS41に伝送される。
 さらに、メインスイッチ40Pの被選択端子PS41,PS42間の第2通信バンドでのアイソレーションが高く確保されていない場合、漏洩信号Se1は、被選択端子PS41から被選択端子PS42に漏洩する。被選択端子PS42に漏洩した漏洩信号Se1は、デュプレクサ32のアンテナ端子PC32に伝送される。
 ここで、第2通信バンドの送信周波数と受信周波数が重なるまたは近接していると、デュプレクサ32の受信フィルタ322で漏洩信号Se1を十分に減衰することができない。したがって、漏洩信号Se1は、受信端子PR32に伝送されてしまう。これにより、第2通信バンドの受信感度が劣化してしまう。
 本発明の目的は、通信バンドが近接するまたは重なる複数の高周波信号を送受信する態様においても、受信感度の劣化を抑制できる高周波フロントエンド回路を実現することにある。
 この発明の高周波フロントエンド回路は、バンドスイッチ、メインスイッチ、第1、第2デュプレクサを備える。バンドスイッチは、バンドスイッチ共通端子、第1バンドスイッチ被選択端子、および第2バンドスイッチ被選択端子を備える。バンドスイッチ共通端子には、第1バンドスイッチ被選択端子および第2バンドスイッチ被選択端子が選択的に接続される。メインスイッチは、メインスイッチ共通端子、第1メインスイッチ被選択端子、第2メインスイッチ被選択端子を備える。メインスイッチ共通端子には、第1メインスイッチ被選択端子および第2メインスイッチ被選択端子が選択的に接続される。第1デュプレクサは、第1送信フィルタと第1受信フィルタとを備え、第1通信バンドの高周波信号を送受信する。第2デュプレクサは、第2送信フィルタと第2受信フィルタとを備え、第2通信バンドの高周波信号を送受信する。第1通信バンドの周波数帯域と第2通信バンドの周波数帯域は、重なるまたは近接している。第1送信フィルタは、第1バンドスイッチ被選択端子と第1メインスイッチ被選択端子との間に接続されている。第2送信フィルタは、第2バンドスイッチ被選択端子と第2メインスイッチ被選択端子との間に接続されている。バンドスイッチは、第1バンドスイッチ被選択端子と第2バンドスイッチ被選択端子との間に第3バンドスイッチ被選択端子を備える。または、メインスイッチは、第1メインスイッチ被選択端子と第2メインスイッチ被選択端子との間に第3メインスイッチ被選択端子を備える。備えられた第3バンドスイッチ被選択端子または第3メインスイッチ被選択端子に、第2通信バンドの送信信号に対する負荷回路が接続されている。
 この構成では、第1バンドスイッチ被選択端子と第2バンドスイッチ被選択端子との間での第2通信バンドの送信信号の漏洩、または、第1メインスイッチ被選択端子と第2メインスイッチ被選択端子との間での第2通信バンドの送信信号の漏洩が抑制される。これにより、バンドスイッチ、第1デュプレクサ、およびメインスイッチを介して第2デュプレクサの受信端子に伝送される第2通信バンドの送信信号の漏洩信号が抑制される。
 また、この発明の高周波フロントエンド回路では、次の構成であることが好ましい。バンドスイッチは、第1バンドスイッチ被選択端子と第2バンドスイッチ被選択端子との間に第3バンドスイッチ被選択端子を備える。さらに、メインスイッチは、第1メインスイッチ被選択端子と第2メインスイッチ被選択端子との間に第3メインスイッチ被選択端子を備える。第3バンドスイッチ被選択端子および第3メインスイッチ被選択端子に、負荷回路が接続されている。
 この構成では、バンドスイッチとメインスイッチの両方に、漏洩信号の抑制機能を有するので、漏洩信号がさらに効果的に抑制される。
 また、この発明の高周波フロントエンド回路では、負荷回路は、グランド接続回路であってもよい。
 この構成では、漏洩信号をグランドに流すことができ、受信端子への漏洩信号の伝送をさらに効果的に抑制できる。
 また、この発明の高周波フロントエンド回路では、負荷回路は、第3バンドスイッチ被選択端子と第3メインスイッチ被選択端子との間に接続された第3通信バンドを送受信する第3デュプレクサであってもよい。
 この構成では、第1、第2通信バンドと異なる第3通信バンドの送受信も可能な構成でありなが、受信端子への漏洩信号の伝送を抑制できる。
 また、この発明の高周波フロントエンド回路では、次の構成であることが好ましい。第1デュプレクサおよび第2デュプレクサは、それぞれ実装型部品であり、回路基板上に実装されている。第1受信フィルタの受信端子は、回路基板の第1辺に近接して配置されている。第2受信フィルタの受信端子は、回路基板の第2辺に近接して配置されている。第1受信フィルタの受信端子は、第1送信フィルタの送信端子よりも第1辺側である。第2受信フィルタの受信端子は、第2送信フィルタの送信端子よりも第2辺側である。
 この構成では、受信端子が送信端子よりも回路基板の外辺側に配置されるので、送信信号の伝送経路と受信端子の距離を離間でき、受信端子への漏洩信号の伝送をさらに抑制できる。
 この発明によれば、通信バンドが近接するまたは重なる複数の高周波信号を送受信する態様においても、受信感度の劣化を抑制できる。
本発明の第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。 本発明の第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の作用効果を説明するための回路図である。 本発明の第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の部品構成を表す平面図である。 本発明の第2の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。 本発明の第3の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。 従来の高周波フロントエンド回路における課題を説明するための図である。
 本発明の第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路について、図を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。
 図1に示すように、高周波フロントエンド回路10は、バンドスイッチ20、デュプレクサ31,32,33、メインスイッチ40、および、マルチバンド用のパワーアンプ50を備える。デュプレクサ31が本発明の第1デュプレクサに相当し、デュプレクサ32が本発明の第2デュプレクサに相当し、デュプレクサ33が本発明の第3デュプレクサに相当する。
 バンドスイッチ20は、例えば、半導体スイッチからなる。バンドスイッチ20は、共通端子PC20、被選択端子PS21,PS22,PS23を備える。バンドスイッチ20は、外部からの制御信号に応じて、被選択端子PS21,PS22,PS23を選択的に共通端子PC20に接続する。共通端子PC20が本発明のバンドスイッチ共通端子に相当し、被選択端子PS21が本発明の第1バンドスイッチ被選択端子に相当し、被選択端子PS22が本発明の第2バンドスイッチ被選択端子に相当し、被選択端子PS23が本発明の第3バンドスイッチ被選択端子に相当する。
 共通端子PC20は、パワーアンプ50の出力端に接続されている。被選択端子PS21は、デュプレクサ31に接続されており、被選択端子PS22は、デュプレクサ32に接続されている。被選択端子PS23は、デュプレクサ33に接続されている。被選択端子PS23は、被選択端子PS21と被選択端子P22との間に配置されている。
 デュプレクサ31は、送信フィルタ311、受信フィルタ312を備える。送信フィルタ311は、本発明の第1送信フィルタに相当し、受信フィルタ312は、本発明の第1受信フィルタに相当する。デュプレクサ31は、送信端子PT31、受信端子PR31、アンテナ端子PC31を備える。送信フィルタ311は、送信端子PT31とアンテナ端子PC31との間に接続されている。受信フィルタ312は、受信端子PR31とアンテナ端子PC31との間に接続されている。送信端子PT31は、バンドスイッチ20の被選択端子PS21に接続されている。
 送信フィルタ311は、第1通信バンドの送信信号の周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。受信フィルタ312は、第1通信バンドの受信信号の周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。
 デュプレクサ32は、送信フィルタ321、受信フィルタ322を備える。送信フィルタ321は、本発明の第2送信フィルタに相当し、受信フィルタ322は、本発明の第2受信フィルタに相当する。デュプレクサ32は、送信端子PT32、受信端子PR32、アンテナ端子PC32を備える。送信フィルタ321は、送信端子PT32とアンテナ端子PC32との間に接続されている。受信フィルタ322は、受信端子PR32とアンテナ端子PC32との間に接続されている。送信端子PT32は、バンドスイッチ20の被選択端子PS22に接続されている。
 送信フィルタ321は、第2通信バンドの送信信号の周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。受信フィルタ322は、第2通信バンドの受信信号の周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。
 デュプレクサ33は、送信フィルタ331、受信フィルタ332を備える。デュプレクサ33は、送信端子PT33、受信端子PR33、アンテナ端子PC33を備える。送信フィルタ331は、送信端子PT33とアンテナ端子PC33との間に接続されている。受信フィルタ332は、受信端子PR33とアンテナ端子PC33との間に接続されている。送信端子PT33は、バンドスイッチ20の被選択端子PS23に接続されている。
 送信フィルタ331は、第3通信バンドの送信信号の周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。受信フィルタ332は、第3通信バンドの受信信号の周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。
 メインスイッチ40は、例えば、半導体スイッチからなる。メインスイッチ40は、共通端子PC40、被選択端子PS41,PS42,PS43を備える。メインスイッチ40は、外部からの制御信号に応じて、被選択端子PS41,PS42,PS43を選択的に共通端子PC40に接続する。共通端子PC40が本発明のメインスイッチ共通端子に相当し、被選択端子PS41が本発明の第1メインスイッチ被選択端子に相当し、被選択端子PS42が本発明の第2メインスイッチ被選択端子に相当し、被選択端子PS43が本発明の第3メインスイッチ被選択端子に相当する。
 共通端子PC40は、高周波フロントエンド回路10のアンテナ接続端子Pantに接続されている。被選択端子PS41は、デュプレクサ31のアンテナ端子PC31に接続されている。被選択端子PS42は、デュプレクサ32のアンテナ端子PC32に接続されている。被選択端子PS43は、デュプレクサ33のアンテナ端子PC33に接続されている。被選択端子PS43は、被選択端子PS41と被選択端子PS42との間に配置されている。
 第1通信バンドの送受信を行う場合、バンドスイッチ20では共通端子PC20と被選択端子PS21が接続される。同時に、メインスイッチ40では共通端子PC40と被選択端子PS41が接続される。
 第2通信バンドの送受信を行う場合、バンドスイッチ20では共通端子PC20と被選択端子PS22が接続される。同時に、メインスイッチ40では共通端子PC40と被選択端子PS42が接続される。
 第3通信バンドの送受信を行う場合、バンドスイッチ20では共通端子PC20と被選択端子PS23が接続される。同時に、メインスイッチ40では共通端子PC40と被選択端子PS43が接続される。
 図2は、本発明の第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の作用効果を説明するための回路図である。
 第2通信バンドの送受信が選択されると、上述のように、バンドスイッチ20では被選択端子PS22が選択され、メインスイッチ40では被選択端子PS42が選択される。これにより、図2に示すように、パワーアンプ50から出力された第2通信バンドの送信信号Stx2は、バンドスイッチ20、デュプレクサ32の送信フィルタ321、および、メインスイッチ40を介して、アンテナ接続端子Pantに伝送される。また、アンテナ接続端子Pantから入力された第2通信バンドの受信信号は、メインスイッチ40およびデュプレクサ32の受信フィルタ322を介して、受信端子PR32に伝送される。なお、第1通信バンドの送受信ではデュプレクサ31を介する伝送経路が選択され、第3通信バンドの送受信ではデュプレクサ33を介する伝送経路が選択される。このように、バンドスイッチ20、メインスイッチ40を適宜スイッチ制御することによって、高周波フロントエンド回路10は、第1、第2、第3通信バンドの送受信を、アンテナ接続端子Pantに接続された共通アンテナ(図示せず)によって実現することができる。
 このような構成において、第1通信バンドの周波数帯域と、第2通信バンドの周波数帯域が重なるまたは近接している場合がある。この場合、高周波フロントエンド回路10では、第3通信バンドの周波数帯域を、第1通信バンドの周波数帯域および第2通信バンドの周波数帯域から離間するように設定しておく。第1通信バンドと第2通信バンドの周波数帯域の間隔より、第3通信バンドと第1通信バンドの周波数帯域の間隔および第3通信バンドの周波数帯域の間隔の方が大きい。また、第3通信バンドの阻止帯域に、第1および第2通信バンドの周波数帯域が含まれていることが好ましい。
 上述のように、バンドスイッチ20において、第3通信バンド用の被選択端子PS23は、第2通信バンド用の被選択端子PS22と第1通信バンド用の被選択端子PS21との間に配置されている。したがって、被選択端子PS22から被選択端子PS21への送信信号Stx2の漏洩は、被選択端子PS23によって抑制される。
 また、メインスイッチ40において、第3通信バンド用の被選択端子PS43は、第2通信バンド用の被選択端子PS42と第1通信バンド用の被選択端子PS41との間に配置されている。したがって、被選択端子PS42から被選択端子PS41への漏洩は、被選択端子PS43によって抑制される。
 これにより、バンドスイッチ20、デュプレクサ31、およびメインスイッチ40を介する経路によって、デュプレクサ32のアンテナ端子PC32に送信信号Stx2の漏洩信号が伝送することが抑制される。
 ここで、第2通信バンドの送信周波数帯域と受信周波数帯域とが近接していると、アンテナ端子PC32から入力された送信信号Stx2の漏洩信号を受信フィルタ322で十分に減衰することはできない。
 しかしながら、高周波フロントエンド回路10では、上述のように、デュプレクサ32のアンテナ端子PC32に送信信号Stx2の漏洩信号が伝送することが抑制されている。したがって、高周波フロントエンド回路10では、デュプレクサ31側を介する漏洩信号は殆どなく、送信信号Stx2の漏洩信号が受信端子PR32に伝送されることを抑制できる。これにより、第2通信バンドの受信感度の低下を抑制することができる。
 また、送信信号Stx2の漏洩が抑制されることによって、送信信号の伝送損失を抑制することができる。
 このような構成からなる高周波フロントエンド回路10は、図3に示すような部品構成によって実現される。図3は、本発明の第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の部品構成を表す平面図である。
 図3に示すように、高周波フロントエンド回路10は、平面視した形状が矩形の回路基板100を備える。回路基板100は、例えば、高周波フロントエンド回路10を実現するための導体パターンが形成された誘電体層を積層した積層体からなる。
 バンドスイッチ20、デュプレクサ31,32,33、メインスイッチ40、パワーアンプ50を構成する高出力用パワーアンプ501と低出力用パワーアンプ502、制御IC60は、実装部品である。また、図1には示していない整合用等の受動素子(インダクタ、キャパシタ、抵抗等)70の少なくとも一部も実装部品である。
 これらバンドスイッチ20、デュプレクサ31,32,33、メインスイッチ40、高出力用パワーアンプ501、低出力用パワーアンプ502、制御IC60、および、受動素子70は、回路基板100の表面に実装されている。
 高出力用パワーアンプ501および低出力用パワーアンプ502は、回路基板100の辺101の近傍に実装されている。
 デュプレクサ31,32,33は、回路基板100の辺102側の略半分の領域に実装されている。辺102は、辺101と対向する辺である。デュプレクサ31,33は、回路基板100の辺103側の領域に配置されている。辺103は、辺101,102に直交する辺である。デュプレクサ31,33は、辺103に沿って配置されており、デュプレクサ33はデュプレクサ31よりも辺102側に配置されている。デュプレクサ32は、回路基板100の辺104側の領域に配置されている。辺104は、辺101,102に直交し、辺103に対向する辺である。デュプレクサ32は、デュプレクサ33とともに辺102に沿って配置されている。この構成により、デュプレクサ32とデュプレクサ31とが離間して配置されている。さらに、デュプレクサ32とデュプレクサ31,33との間には、受動素子70が配置されている。これらの構成によって、デュプレクサ32とデュプレクサ31との電気的な結合および電磁波的な結合は、抑制される。
 デュプレクサ31の受信端子PR31は、辺103(本発明の第1辺に相当する。)の近傍に配置され、送信端子PT31は回路基板100の中央側に配置されている。言い換えれば、受信端子PR31は、送信端子PT31よりも回路基板100の外辺側に配置されている。
 デュプレクサ32の受信端子PR32は、辺102(本発明の第2辺に相当する。)の近傍に配置され、送信端子PT32は回路基板100の中央側に配置されている。言い換えれば、受信端子PR32は、送信端子PT32よりも回路基板100の外辺側に配置されている。
 デュプレクサ33の受信端子PR33は、辺103の近傍に配置され、送信端子PT33は回路基板100の中央側に配置されている。言い換えれば、受信端子PR33は、送信端子PT33よりも回路基板100の外辺側に配置されている。
 このような構成によって、送信信号の伝送経路と、各受信端子PR31,PR32,PR33とは離間される。これにより、受信端子PR32(受信端子PR31,PR33も同様)に送信信号が直接漏洩することを抑制できる。また、図3の構成では、各送信端子PT31,PT32,PT33が各デュプレクサ31,32,33におけるバンドスイッチ20側に配置される。したがって、バンドスイッチ20と各デュプレクサ31,32,33の配線経路を短くでき、各受信端子PR31,PR32,PR33との結合が抑制され、且つ送信信号を低損失に伝送することができる。
 バンドスイッチ20および制御IC60は、デュプレクサ31と高出力用パワーアンプ501および低出力用パワーアンプ502の配置領域との間に配置されている。バンドスイッチ20は、制御IC60よりも辺103側に配置されている。
 バンドスイッチ20の被選択端子PS21,PS22,PS23は、図3に示すように、バンドスイッチ20の一辺に沿って配置されている。被選択端子PS23は、被選択端子PS21,PS22の間に配置されている。これにより、上述の回路構成が実現され、被選択端子PS22から被選択端子PS21への漏洩を抑制することができる。
 バンドスイッチ20の共通端子PC20は、高出力用パワーアンプ501および低出力用パワーアンプ502側に配置されている。バンドスイッチ20の被選択端子PS21,PS22,PS23は、デュプレクサ31,32,33側に配置されている。この構成により、バンドスイッチ20よりもパワーアンプ50側の配線と、デュプレクサ31,32,33側の配線が近接しない。これにより、パワーアンプ50側からデュプレクサ31に直接漏洩することを抑制できる。したがって、漏洩信号をさらに抑制することができる。また、各配線を短くすることができ、伝送損失を低減することができる。すなわち、バンドスイッチ20の被選択端子PS22とデュプレクサ32の送信端子PT32とを接続する導体と、バンドスイッチ20の被選択端子PS21とデュプレクサ31の送信端子PT31とを接続する導体との結合を抑制でき、上述の漏洩信号の受信端子PR32への伝送を抑制することができる。この際、これらの導体を回路基板100における異なる層に形成し、回路基板100を平面視して重ならないように形成するとよりよい。
 メインスイッチ40は、制御用IC60とデュプレクサ32との間に配置されている。メインスイッチ40の被選択端子PS41,PS42,PS43は、図3に示すように、メインスイッチ40の一辺に沿って配置されている。被選択端子PS43は、被選択端子PS41,PS42の間に配置されている。これにより、上述の回路構成が実現され、被選択端子PS41から被選択端子PS42への漏洩を抑制することができる。
 また、メインスイッチ40の被選択端子PS41,PS42,PS43は、デュプレクサ31,32,33側に配置されている。この構成により、各配線を短くすることができ、伝送損失を低減することができる。したがって、デュプレクサ32のアンテナ端子PC32とメインスイッチ40の被選択端子PS42とを接続する導体と、デュプレクサ31のアンテナ端子PC31とメインスイッチ40の被選択端子PS41とを接続する導体との結合を抑制でき、上述の漏洩信号の受信端子PR32への伝送を抑制することができる。この際、これらの導体を回路基板100における異なる層に形成し、回路基板100を平面視して重ならないように形成するとよりよい。
 次に、本発明の第2の実施形態に係る高周波フロントエンド回路について、図を参照して説明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。
 本実施形態に係る高周波フロントエンド回路10Aでは、第1の実施形態に係る高周波フロントエンド回路10に対して、被選択端子PS23への接続構成、被選択端子PS43への接続構成が異なる。
 高周波フロントエンド回路10Aは、デュプレクサ33は省略されている。被選択端子PS23は、グランドGNDに接続されている。被選択端子PS43は、グランドGNDに接続されている。被選択端子PS23,PS43は、グランドGNDに直接接続されていても、50Ω整合されてグランドに接続されていてもよい。この構成であっても、デュプレクサ31側を介してデュプレクサ32の受信端子PR32に送信信号Stx2の漏洩信号が伝送することを抑制できる。さらに、本実施形態では、デュプレクサ33を備えないことによって、高周波フロントエンド回路10Aをより小型に形成することができる。
 なお、被選択端子PS23が接続されるグランドGNDと、被選択端子PS43が接続されるグランドGNDは、回路基板における異なるグランド導体であることが好ましい。これにより、グランドGNDを介した漏洩を抑制できる。
 次に、本発明の第3の実施形態に係る高周波フロントエンド回路について、図を参照して説明する。図5は、本発明の第3の実施形態に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。
 本実施形態に係る高周波フロントエンド回路10Bでは、第2の実施形態に係る高周波フロントエンド回路10Aに対して、バンドスイッチ20Bの構成が異なる。
 バンドスイッチ20Bは、共通端子PC20、および、被選択端子PS21,PS22を備える。すなわち、バンドスイッチ20Bは、バンドスイッチ20に対して被選択端子PS23が省略された構成である。
 このような構成であっても、メインスイッチ40において、被選択端子PS41と被選択端子PS42間での漏洩信号の伝送が抑制されているので、第2の実施形態に係る高周波フロントエンド回路10Aと同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態では、バンドスイッチ20Bをバンドスイッチ20よりも小型に形成できる。これにより、高周波フロントエンド回路10Bをさらに小型に形成することができる。
 なお、上述の説明では、具体的な構成を示していないが、バンドスイッチ20,20Bとデュプレクサ31との間、デュプレクサ31とメインスイッチ40との間、バンドスイッチ20,20Bとデュプレクサ32との間、および、デュプレクサ32とメインスイッチ40との間には、必要に応じて整合回路を備える。このような整合回路を備える態様では、バンドスイッチ20,20Bとデュプレクサ31との間、デュプレクサ31とメインスイッチ40との間に接続される第1通信バンド用の整合回路と、バンドスイッチ20,20Bとデュプレクサ32との間、デュプレクサ32とメインスイッチ40との間に接続される第2通信バンド用の整合回路とは、離間して配置することが好ましい。これにより、整合回路間での結合による漏洩信号の伝送を抑制することができる。
10,10A,10B:高周波フロントエンド回路
20,20B:バンドスイッチ
31,32,33:デュプレクサ
40:メインスイッチ
50:パワーアンプ
60:制御IC
70:受動素子
100:回路基板
101,102,103,104:辺
311,321,331:送信フィルタ
312,322,332:受信フィルタ
501:高出力用パワーアンプ
502:低出力用パワーアンプ
PC20:共通端子
PS21,PS22,PS23:被選択端子
PC40:共通端子
PS41,PS42,PS43:被選択端子
PT31,PT32,PT33:送信端子
PR31,PR32,PR33:受信端子
PC31,PC32,PC33:アンテナ端子
Pant:アンテナ接続端子

Claims (5)

  1.  バンドスイッチ共通端子、第1バンドスイッチ被選択端子、および第2バンドスイッチ被選択端子を備え、前記バンドスイッチ共通端子に前記第1バンドスイッチ被選択端子および前記第2バンドスイッチ被選択端子を選択的に接続するバンドスイッチと、
     メインスイッチ共通端子、第1メインスイッチ被選択端子、第2メインスイッチ被選択端子を備え、前記メインスイッチ共通端子に前記第1メインスイッチ被選択端子および前記第2メインスイッチ被選択端子を選択的に接続するメインスイッチと、
     第1送信フィルタと第1受信フィルタとを備え、第1通信バンドの高周波信号を送受信する第1デュプレクサと、
     第2送信フィルタと第2受信フィルタとを備え、第2通信バンドの高周波信号を送受信する第2デュプレクサと、を備え、
     前記第1通信バンドの周波数帯域と前記第2通信バンドの周波数帯域は、重なるまたは近接しており、
     前記第1送信フィルタは、前記第1バンドスイッチ被選択端子と前記第1メインスイッチ被選択端子との間に接続されており、
     前記第2送信フィルタは、前記第2バンドスイッチ被選択端子と前記第2メインスイッチ被選択端子との間に接続されており、
     前記バンドスイッチは、前記第1バンドスイッチ被選択端子と前記第2バンドスイッチ被選択端子との間に第3バンドスイッチ被選択端子を備え、または、前記メインスイッチは、前記第1メインスイッチ被選択端子と前記第2メインスイッチ被選択端子との間に第3メインスイッチ被選択端子を備え、
     備えられた前記第3バンドスイッチ被選択端子または前記第3メインスイッチ被選択端子に、前記第2通信バンドの送信信号に対する負荷回路が接続されている、
     高周波フロントエンド回路。
  2.  前記バンドスイッチは、前記第1バンドスイッチ被選択端子と前記第2バンドスイッチ被選択端子との間に第3バンドスイッチ被選択端子を備え、
     且つ、前記メインスイッチは、前記第1メインスイッチ被選択端子と前記第2メインスイッチ被選択端子との間に第3メインスイッチ被選択端子を備え、
     前記第3バンドスイッチ被選択端子および前記第3メインスイッチ被選択端子に、前記負荷回路が接続されている、
     請求項1に記載の高周波フロントエンド回路。
  3.  前記負荷回路は、グランド接続回路である、
     請求項1または請求項2に記載の高周波フロントエンド回路。
  4.  前記負荷回路は、前記第3バンドスイッチ被選択端子と前記第3メインスイッチ被選択端子との間に接続された第3通信バンドを送受信する第3デュプレクサである、
     請求項2に記載の高周波フロントエンド回路。
  5.  前記第1デュプレクサおよび前記第2デュプレクサは、それぞれ実装型部品であり、回路基板上に実装されており、
     前記第1受信フィルタの受信端子は、前記回路基板の第1辺に近接して配置され、
     前記第2受信フィルタの受信端子は、前記回路基板の第2辺に近接して配置されており、
     前記第1受信フィルタの受信端子は、前記第1送信フィルタの送信端子よりも前記第1辺側であり、
     前記第2受信フィルタの受信端子は、前記第2送信フィルタの送信端子よりも前記第2辺側である、
     請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の高周波フロントエンド回路。
PCT/JP2016/066103 2015-06-03 2016-06-01 高周波フロントエンド回路 WO2016194924A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177031581A KR101994799B1 (ko) 2015-06-03 2016-06-01 고주파 프론트 엔드 회로
CN201680031326.8A CN107615669B (zh) 2015-06-03 2016-06-01 高频前置电路
JP2017521960A JP6376291B2 (ja) 2015-06-03 2016-06-01 高周波フロントエンド回路
US15/829,882 US10498387B2 (en) 2015-06-03 2017-12-02 High-frequency front-end circuit

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015112817 2015-06-03
JP2015-112817 2015-06-03

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/829,882 Continuation US10498387B2 (en) 2015-06-03 2017-12-02 High-frequency front-end circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016194924A1 true WO2016194924A1 (ja) 2016-12-08

Family

ID=57440228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/066103 WO2016194924A1 (ja) 2015-06-03 2016-06-01 高周波フロントエンド回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10498387B2 (ja)
JP (1) JP6376291B2 (ja)
KR (1) KR101994799B1 (ja)
CN (1) CN107615669B (ja)
WO (1) WO2016194924A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019065311A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 半導体素子、高周波回路および通信装置
WO2022024641A1 (ja) * 2020-07-28 2022-02-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101945798B1 (ko) * 2015-06-16 2019-02-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 프런트엔드 회로
CN111684727B (zh) * 2018-02-05 2022-08-09 株式会社村田制作所 高频前端模块以及通信装置
WO2020003996A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020043872A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Hach Lange Gmbh Antenna network matching
US10979087B1 (en) 2019-09-20 2021-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device
JP2021082860A (ja) * 2019-11-14 2021-05-27 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US11245426B2 (en) * 2020-06-04 2022-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Band switching balun

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012044290A (ja) * 2010-08-16 2012-03-01 Murata Mfg Co Ltd 高周波モジュール
US20130241666A1 (en) * 2011-10-13 2013-09-19 Rf Micro Devices, Inc. Band switch with switchable notch for receive carrier aggregation
JP2014017764A (ja) * 2012-07-11 2014-01-30 Sony Corp 無線通信装置、無線通信方法及びプログラム

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136532A (ja) 1974-09-25 1976-03-27 Hitachi Ltd Henryuki
JP2003008470A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Kyocera Corp 高周波モジュール
US6995630B2 (en) * 2001-10-24 2006-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency compound switch module and communication terminal using it
JP2005260877A (ja) 2004-03-15 2005-09-22 Kyocera Corp 高周波モジュール及び無線通信装置
JP4521602B2 (ja) 2005-06-06 2010-08-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マルチモード高周波回路
US7561854B2 (en) 2006-12-01 2009-07-14 Harris Corporation Lossless transmit path antenna switch circuit
DE102007004911A1 (de) * 2007-01-26 2008-08-07 Funkwerk Dabendorf Gmbh Mehrteilige Schaltungsanordnung zur Dämpfungskompensation
JP4688043B2 (ja) 2008-09-02 2011-05-25 日立金属株式会社 高周波モジュール及びこれを用いた通信機
CN201374693Y (zh) * 2008-12-24 2009-12-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 无线通信装置
JP5257719B2 (ja) 2009-07-02 2013-08-07 株式会社村田製作所 無線通信用高周波回路及び無線通信機
JP5136532B2 (ja) 2009-09-29 2013-02-06 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
KR20120027588A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 삼성전자주식회사 다중대역을 지원하는 알에프 전단 장치
JP5582400B2 (ja) 2010-09-30 2014-09-03 日立金属株式会社 高周波回路部品、及び通信装置
CN103283152B (zh) 2011-01-06 2015-06-24 株式会社村田制作所 高频模块
JP5293762B2 (ja) 2011-03-04 2013-09-18 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
WO2012176401A1 (ja) * 2011-06-21 2012-12-27 株式会社村田製作所 回路モジュール
CN103178791A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 深圳富泰宏精密工业有限公司 功率放大电路及具有该功率放大电路的无线通信装置
JP5859399B2 (ja) * 2012-08-10 2016-02-10 太陽誘電株式会社 高周波回路および通信装置。
JP5630493B2 (ja) * 2012-11-07 2014-11-26 株式会社村田製作所 フロントエンドデバイス
US20150236798A1 (en) * 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Methods for Increasing RF Throughput Via Usage of Tunable Filters

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012044290A (ja) * 2010-08-16 2012-03-01 Murata Mfg Co Ltd 高周波モジュール
US20130241666A1 (en) * 2011-10-13 2013-09-19 Rf Micro Devices, Inc. Band switch with switchable notch for receive carrier aggregation
JP2014017764A (ja) * 2012-07-11 2014-01-30 Sony Corp 無線通信装置、無線通信方法及びプログラム

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019065311A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 半導体素子、高周波回路および通信装置
KR20200018624A (ko) * 2017-09-29 2020-02-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 반도체 소자, 고주파 회로, 및 통신 장치
US11121733B2 (en) 2017-09-29 2021-09-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device, radio-frequency circuit, and communication apparatus
KR102375498B1 (ko) 2017-09-29 2022-03-17 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 반도체 소자, 고주파 회로, 및 통신 장치
WO2022024641A1 (ja) * 2020-07-28 2022-02-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107615669B (zh) 2020-04-07
US10498387B2 (en) 2019-12-03
JP6376291B2 (ja) 2018-08-22
US20180091187A1 (en) 2018-03-29
JPWO2016194924A1 (ja) 2018-03-15
KR101994799B1 (ko) 2019-07-01
CN107615669A (zh) 2018-01-19
KR20170132308A (ko) 2017-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6376291B2 (ja) 高周波フロントエンド回路
US9985681B2 (en) Front end circuit, module, and communication device
US11265028B2 (en) Radio frequency module and communication device
US9001710B2 (en) High-frequency module
JP6636074B2 (ja) モジュール
KR101945798B1 (ko) 고주파 프런트엔드 회로
WO2016125719A1 (ja) 高周波スイッチモジュール
US9112473B2 (en) Branching circuit and RF circuit module
JP2018196037A (ja) 方向性結合器、高周波フロントエンドモジュール、および、通信機器
US10320364B2 (en) Radio-frequency module
CN109997311B (zh) 布线基板、耦合器模块以及通信装置
WO2018225590A1 (ja) 高周波モジュール
JP6365795B2 (ja) 高周波モジュール
JP6465210B2 (ja) 分波回路
WO2016104145A1 (ja) 高周波モジュール
JP6477731B2 (ja) 高周波スイッチモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16803358

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20177031581

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017521960

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16803358

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1