WO2016063909A1 - 感光性接着剤組成物および半導体装置 - Google Patents

感光性接着剤組成物および半導体装置 Download PDF

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phenol
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誠 堀井
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Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive adhesive composition and a semiconductor device.
  • the lamination of a plurality of semiconductor elements is performed, for example, by adhering semiconductor elements (silicon pieces) to each other via a film adhesive (for example, see Patent Document 1).
  • a thin semiconductor element can be formed by etching a wafer to be a semiconductor element to reduce the thickness. This etching is performed in a state where a film adhesive is adhered to the wafer in order to prevent damage to the wafer.
  • the present inventors have found a problem that when etching is performed as described above, bubbles are generated at the interface between the wafer and the film adhesive when the etching time is long.
  • the adhesiveness (adhesion) between the semiconductor elements is reduced by the bubbles. As a result, the reliability of the semiconductor device may be reduced.
  • An object of the present invention is to provide a photosensitive adhesive composition capable of enhancing the adhesion (adhesion) between semiconductor elements, and a laminated semiconductor in which semiconductor elements are bonded to each other by a cured product of the photosensitive adhesive composition.
  • An object is to provide a highly reliable semiconductor device including an element.
  • a photosensitive adhesive composition comprising:
  • z is an integer of 1 or more and 10 or less.
  • a semiconductor device comprising a stacked semiconductor element, The laminated semiconductor element is a cured product of the photosensitive adhesive composition according to any one of the above (1) to (17), which is provided between a plurality of semiconductor elements and the semiconductor elements and joins the semiconductor elements.
  • a semiconductor device comprising:
  • the cured product of the photosensitive adhesive composition of the present invention as an adhesive layer for bonding semiconductor elements to each other, it is possible to reduce the occurrence of bubbles at the interface between the semiconductor element and the adhesive layer. In addition, even if bubbles are generated at the interface, the generated bubbles can be removed. Therefore, the adhesiveness (adhesion) between semiconductor elements can be improved.
  • a highly reliable semiconductor device including a stacked semiconductor element having high adhesion between semiconductor elements can be obtained.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device of the present invention.
  • a semiconductor device 10 shown in FIG. 1 is an example having a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor package.
  • the semiconductor device 10 includes a plurality of stacked semiconductor chips 20 (semiconductor elements), an adhesive layer 601 that bonds the semiconductor chips 20 to each other, a package substrate 30 that supports the semiconductor chips 20, a semiconductor chip 20 and a package substrate 30.
  • An adhesive layer 101 for bonding the semiconductor chip 20, a mold part 50 for sealing the semiconductor chip 20, and a solder ball 80 provided below the package substrate 30.
  • the configuration of each unit will be described in detail.
  • the semiconductor chip 20 may be any kind of element, for example, a memory element such as a NAND (NotDRAMAND) flash memory, a DRAM (Dynamic ⁇ Random Access Memory), an IC (Integrated Circuit), or an LSI (Large Scale Integration). Such an integrated circuit element is mentioned.
  • a memory element such as a NAND (NotDRAMAND) flash memory, a DRAM (Dynamic ⁇ Random Access Memory), an IC (Integrated Circuit), or an LSI (Large Scale Integration).
  • a memory element such as a NAND (NotDRAMAND) flash memory, a DRAM (Dynamic ⁇ Random Access Memory), an IC (Integrated Circuit), or an LSI (Large Scale Integration).
  • the constituent material of the semiconductor chip 20 is not particularly limited, and examples thereof include single crystal materials such as silicon, silicon carbide, and compound semiconductors, polycrystalline materials, and amorphous materials.
  • the plurality of semiconductor chips 20 are stacked slightly shifted from each other in the in-plane direction, thereby forming a chip stack 200 (laminated semiconductor element).
  • the semiconductor chips 20 are bonded to each other through an adhesive layer 601.
  • the adhesive layer 601 is also provided on the upper surface of the chip stack 200.
  • the adhesive layer 601 is composed of a cured product (photocured adhesive composition after curing) of the photosensitive adhesive composition of the present invention. The photosensitive adhesive composition will be described in detail later.
  • a package substrate 30 shown in FIG. 1 is a build-up substrate including a core substrate 31, an insulating layer 32, a solder resist layer 33, wirings 34, and conductive vias 35.
  • the core substrate 31 is a substrate that supports the package substrate 30 and is made of, for example, a composite material in which a glass cloth is filled with a resin material.
  • the insulating layer 32 is an interlayer insulating layer that insulates the wirings 34 from each other and the wirings 34 and the conductive vias 35, and is made of, for example, a resin material.
  • the solder resist layer 33 is a surface protective layer that protects the wiring formed on the outermost surface of the package substrate 30, and is made of, for example, a resin material.
  • the wiring 34 and the conductive via 35 are each an electric signal transmission path, and are made of, for example, a metal material such as Au, Ag, Cu, Al, Ni alone or an alloy.
  • the solder ball 80 is electrically connected to the wiring 34, and functions as an electrode for connecting the wiring 34 to another electric circuit by being fused to an external electric circuit.
  • a chip stack 200 formed by stacking a plurality of semiconductor chips 20 is placed on the upper surface of the package substrate 30.
  • the chip stack 200 and the package substrate 30 are bonded together by an adhesive layer 101.
  • a part of the wiring 34 of the package substrate 30 is exposed on the upper surface of the package substrate 30 to constitute an exposed portion.
  • the exposed portion and the electrode portion of each semiconductor chip 20 are connected by a bonding wire 70.
  • Such a mold part 50 is comprised with various resin materials, such as an epoxy resin and a phenol resin, for example.
  • FIGS. 2 to 5 are diagrams for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • the upper part of FIGS. 2 to 5 is referred to as “upper” and the lower part is referred to as “lower”.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 includes a coating step of applying a liquid containing a photosensitive adhesive composition on a wafer (semiconductor substrate) to obtain a coating film, an exposure step of exposing the obtained coating film, and development.
  • each process will be described sequentially.
  • a wafer 201 (see FIG. 2A) for cutting out the semiconductor chip 20 is prepared, and a liquid containing the photosensitive adhesive composition is applied thereon (one surface side). Thereby, as shown in FIG. 2B, a coating film 601 a is formed on the wafer 201.
  • a semiconductor circuit, an electrode pad, and the like are formed in advance corresponding to each semiconductor chip 20. That is, the wafer 201 is used for a so-called pre-process of the semiconductor manufacturing process. Therefore, a plurality of semiconductor chips 20 can be cut out from the wafer 201 by cutting the wafer 201 in steps described later and separating the wafer 201 into individual pieces.
  • the coating method is not particularly limited, and examples thereof include a spin coating method, a spray coating method, an ink jet method, a roll coating method, and a printing method.
  • a liquid (liquid film) containing the applied photosensitive adhesive composition may be heated and dried.
  • the heating temperature is preferably 70 to 160 ° C., more preferably 80 to 150 ° C.
  • the heating time is appropriately set according to the heating temperature, but is preferably 5 seconds to 30 minutes, and more preferably 10 seconds to 15 minutes.
  • the liquid containing the photosensitive adhesive composition is prepared by appropriately adding a solvent or the like that can dissolve the liquid to the photosensitive adhesive composition of the present invention. Moreover, it is preferable that the solvent to be used can be removed by volatilization when heated in the process described later.
  • solvents include toluene, xylene, benzene, dimethylformamide, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl acetate, N-methyl-2-pyrrolidone, ⁇ -butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol.
  • a solvent containing any of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ⁇ -butyrolactone, and cyclohexanone is particularly preferable because of its high solubility and easy removal by volatilization.
  • electromagnetic waves and particle beams having various wavelengths are used, and examples thereof include ultraviolet rays such as i-rays, visible rays, lasers, X-rays, and electron beams. Of these, ultraviolet rays or visible rays having a wavelength of about 200 to 700 ⁇ m are preferably used.
  • the exposure process can be performed in, for example, an air atmosphere, an inert gas atmosphere, or a reduced pressure atmosphere.
  • a mask provided apart from the coating film 601a may be used instead of the mask 4 provided in contact with the coating film 601a. Note that the use of a mask can be omitted when highly directional X-rays or electron beams are used for the exposure process.
  • the exposure amount in the exposure process is appropriately set according to the thickness of the coating film 601a, the sensitivity of the photosensitive adhesive composition, and the like, but it is preferably about 30 to 3000 mJ / cm 2 as an example.
  • the coating film 601a subjected to the exposure processing is subjected to development processing.
  • the exposed portion is removed, and desired patterning is performed as shown in FIG.
  • desired patterning for example, an electrode pad for connecting the bonding wire 70 to the semiconductor chip 20 can be exposed.
  • the coating film 601a on the dicing line that is to be cut in the dicing process described later can be removed.
  • a developer is brought into contact with the coating film 601a subjected to the exposure process. Thereby, the coating film 601a in the exposed portion is dissolved in the developer and removed. Thereby, the opening part 601b is formed in the coating film 601a.
  • the developer include alkali metal carbonates, alkali metal hydroxides, alkali developers such as tetraammonium hydroxide, organic developers such as dimethylformamide and N-methyl-2-pyrrolidone, and the like. Can be mentioned.
  • an alkaline developer is particularly preferably used as the developer. Note that the alkaline developer has a feature that a load on the environment is small and a residue is hardly generated.
  • examples of the developer supply method include spraying, paddle, dipping, and ultrasonic methods.
  • the coating film 601a has a so-called positive photosensitivity, but the coating film 601a may have a so-called negative photosensitivity.
  • an etching process is performed on the wafer 201 provided with the coating film 601a.
  • the coating film 601a including the opening 601b functions as an etching mask.
  • an etching process is selectively performed on the surface (upper surface) of the wafer 201 in the region corresponding to the opening 601b.
  • a passivation film is formed on the surface of the wafer 201, it can be removed and an electrode pad for connecting the bonding wire 70 can be exposed.
  • Examples of the etching process include a plasma etching process (dry etching process) by supplying plasma to the wafer 201 and various wet etching processes as shown in FIG.
  • the plasma etching process can be performed under generally known conditions.
  • a fluorine compound gas CF 4 , CHF 3
  • a fluorine compound gas CF 4 , CHF 3
  • an oxygen gas O 2
  • the output is 200 to 2000 W
  • the time is 0.2 to 15 minutes
  • the gas flow rate is 50 It can be performed under conditions of up to 1000 sccm.
  • Examples of the ashing treatment include plasma treatment and wet treatment using a chemical.
  • oxygen gas (O 2 ), a mixture gas of oxygen gas (O 2 ) and argon gas (Ar), or the like is used as the treatment gas, the output is 200 to 2000 W, and the treatment time is 0.2 to 15
  • the gas flow rate can be set to 50 to 1000 sccm.
  • a back grind film 90 is pasted on the coating film 601a.
  • the back grind film 90 supports the wafer 201 during the back grind process, and suppresses occurrence of defects such as chipping and cracking in the wafer 201.
  • the back surface (the other surface side) of the wafer 201 is ground (back grinding process). Thereby, the broken line portion in FIG. 3H is removed, and the thickness of the wafer 201 can be reduced.
  • the thickness of the wafer 201 can be reduced to about 20 to 100 ⁇ m although it varies depending on the thickness of the original wafer 201.
  • an apparatus called a back grinding wheel is used for the back grinding process.
  • the adhesive layer 601 which expresses sufficient adhesive force between the semiconductor chips 20 can be cut out by cutting the coating film 601a obtained from the photosensitive adhesive composition of the present invention.
  • the coating film 601a obtained from the photosensitive adhesive composition of the present invention also exhibits sufficient adhesive force to the back grind film 90. Therefore, by sticking the back grind film 90 on the coating film 601a, the back grind film 90 can reliably support the coating film 601a and the wafer 201. Thereby, since the position shift of the wafer 201 with respect to the back grind film 90 does not occur at the time of the back grind process, the highly accurate back grind process can be performed on the wafer 201. For this reason, the variation in the thickness of the wafer 201 can be suppressed. As a result, it is possible to obtain the semiconductor chip 20 in which inclination or the like hardly occurs when stacked.
  • the coating film 601a is formed on the wafer 201 subjected to the back grinding process, and the back grinding process is performed in that state.
  • the coating film 601a has mechanical characteristics that can reliably bond the semiconductor chips 20 to each other. Therefore, the coating film 601 a is interposed between the wafer 201 and the back grind film 90 and also has a function of mechanically supporting the wafer 201. Further, since the coating film 601a is slightly cured after being formed on the wafer 201 in a liquid phase state, the adhesion with the wafer 201 is good. Therefore, a more uniform process can be performed by performing the back grinding process on the wafer 201 provided with the coating film 601a.
  • a UV peeling type back grind film can be used as the back grind film 90.
  • the back grind film 90 is simply subjected to UV irradiation treatment through the back grind film 90.
  • the adhesive force between 90 and the coating film 601a can be greatly reduced.
  • the back grind film 90 can be smoothly peeled off from the coating film 601a without imposing a large burden on the coating film 601a.
  • the dicing process is performed in a state where the wafer 201 is attached to a dicing die attach film or a dicing film.
  • This dicing die attach film or dicing film is used for fixing the wafer 201 during the dicing process.
  • FIGS. 3 (i1) and 3 (i2) are diagrams showing examples in which a dicing film 100a is attached to the back side of the wafer 201 ground in the back grinding process.
  • FIG. 3I1 illustrates a wafer 201 and the like for cutting out the semiconductor chip 20 used for the lowermost layer (the layer closest to the package substrate 30) of the chip stack 200.
  • FIG. 3 (i 2) illustrates a wafer 201 or the like for cutting out the semiconductor chip 20 used for a layer other than the lowermost layer of the chip stack 200.
  • a dicing die attach film 100 which is a laminate of a dicing film 100a and a die attach film 100b, is attached to the back surface of the wafer 201.
  • a dicing film 100 a is attached to the back surface of the wafer 201.
  • the back grind film 90 is peeled from the coating film 601a.
  • a dicing process is performed on the wafer 201 provided with the coating film 601a.
  • the dicing process is performed so that the dicing blade 110 reaches the dicing film 100a as shown in FIGS. 4 (k1) and 4 (k2).
  • the coating film 601a, the wafer 201, and the die attach film 100b are separated into individual pieces, and the adhesive layer 601, the semiconductor chip 20 (first semiconductor element), and the adhesive layer 101 are laminated as shown in FIG. 4 (k1).
  • An individual piece 21 is cut out.
  • the coating film 601a and the wafer 201 are separated into individual pieces, and as shown in FIG. 4 (k2), the individual piece 22 formed by laminating the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 (second semiconductor element) is cut out. .
  • a plurality of semiconductor chips 20 are cut out by performing a dicing process on one wafer 201 (a joined body of a plurality of semiconductor chips 20).
  • the present invention is not limited to this, and for example, a plurality of semiconductor chips 20 that have been separated into pieces may be used.
  • the dicing process can be omitted.
  • the back grinding process can be omitted.
  • the process order of the back grinding process and the dicing process is not limited to the order described above, and the order may be changed. That is, the back grinding process may be performed after the wafer 201 is subjected to the dicing process.
  • FIG. 4 (L1) and FIG. 4 (L2) are diagrams illustrating an example in which the cut piece 21 and the piece 22 are picked up by the collet 121 of the bonding apparatus 120, respectively.
  • the individual piece 21 is picked up by the collet 121 of the bonding apparatus 120 and is crimped (mounted) on the package substrate 30 as shown in FIG.
  • the back surface of the semiconductor chip 20 and the package substrate 30 are bonded via the adhesive layer 101.
  • the adhesive layer 101 is formed by separating the die attach film 100b.
  • the adhesive layer 101 may be formed of, for example, an uncured product or a semi-cured product (photosensitive adhesive composition that has not been completely cured) of the photosensitive adhesive composition of the present invention.
  • the package substrate 30 also corresponds to a non-joining member that is joined to the semiconductor element 20.
  • the photosensitive adhesive composition of the present invention is used not only for bonding the semiconductor element 20 and the semiconductor element (bonded member) 20 but also for bonding the semiconductor element 20 and the package substrate (bonded member) 30. be able to.
  • a to-be-joined member is not limited to these.
  • the piece 22 is pressure-bonded onto the piece 21 previously mounted.
  • two semiconductor chips 20 can be stacked via the adhesive layer 601.
  • a chip stack 200 in which a large number of semiconductor chips 20 are stacked is obtained.
  • the electrode portions of the semiconductor chip 20 can be exposed by laminating the semiconductor chips 20 while shifting the positions thereof.
  • the adhesive layer 601 is heated. Thereby, the adhesive layer 601 exhibits a sufficient adhesive force, and the semiconductor chips 20 can be firmly bonded to each other.
  • the heating temperature is preferably about 30 to 150 ° C.
  • the crimping load at the time of mounting is about 0.1 to 100 N, and the crimping time is about 0.1 to 10 seconds.
  • each semiconductor chip 20 and the exposed portion of the wiring 34 of the package substrate 30 are connected by a bonding wire 70 as shown in FIG.
  • the semiconductor device 10 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the molding of the mold part 50 can be performed by, for example, using a transfer molding machine and injecting a sealing material into the mold.
  • a transfer molding machine it is preferable that the temperature of the mold is about 130 to 250 ° C., the injection pressure is about 3 to 10 MPa, and the holding time after injection is about 10 seconds to 10 minutes.
  • the molded part 50 and the adhesive layer 601 can be finally cured (completely cured) by heating the molded body as necessary.
  • the heating temperature is preferably about 130 to 250 ° C.
  • the heating time is preferably about 10 minutes to 10 hours.
  • the manufacturing method of the semiconductor device of this invention may have a heating process between the said [3] image development process and a [4] processing process.
  • this heating step the coating film 601a subjected to the development process is heated (see FIG. 2 (e)).
  • a predetermined curing reaction thermalsetting reaction
  • the photosensitive adhesive composition is slightly cured (semi-cured), and the adhesiveness of the coating film 601a is increased.
  • the heating temperature of the coating film 601a is not particularly limited, but is preferably 80 to 170 ° C, and more preferably 120 to 160 ° C.
  • the heating time is appropriately set according to the heating temperature, but is preferably 35 to 120 minutes, and more preferably 40 to 100 minutes. Thereby, mechanical properties such as the elastic modulus of the coating film 601a are optimized, and sufficient resistance to the etching process and the ashing process is imparted to the coating film 601a.
  • the coating film 601a is formed of the photosensitive adhesive composition of the present invention, and the adhesive layer 601 formed from such a coating film 601a exhibits a relatively high solubility in an organic solvent. For this reason, for example, even when it is necessary to remove the coating film 601a after forming the coating film 601a on the wafer 201, the coating film 601a is efficiently dissolved while suppressing the generation of residues (residues). Can be removed. For this reason, the wafer 201 can be used again (reworked) without being wasted. As a result, the process yield of the semiconductor device 10 can be improved.
  • the manufacturing method of the semiconductor device may include a step of irradiating light on the entire surface of the coating film (light irradiation step) in addition to the heating step or instead of the heating step.
  • the photosensitive adhesive composition contains (A) an alkali-soluble resin, (B) a photoacid generator, (C) an epoxy compound, and (D) a phenol compound.
  • the alkali-soluble resin is a material that becomes a base material of the adhesive layer 601.
  • the photosensitive adhesive composition can enhance the adhesive force (adhesive force) of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 by including (A) an alkali-soluble resin. Therefore, the semiconductor chips 20 can be more firmly bonded to each other depending on the adhesive layer 601.
  • the photosensitive adhesive composition contains (A) an alkali-soluble resin, the coating film 601a can be provided with solubility in an alkali developer. For this reason, an alkaline developer having a small environmental load can be used, and the environmental load in the development process can be reduced.
  • the alkali-soluble resin examples include phenolic resins, acrylic resins, cyclic olefin resins, polyamide resins, polyimide resins, polyvinylphenol resins, etc. Species or a combination of two or more can be used. Among these, (A) the alkali-soluble resin is particularly preferably a cyclic olefin resin.
  • cyclic olefin resins include norbornene resins and benzocyclobutene resins. Among these, as the cyclic olefin resin, a norbornene resin is preferable.
  • an adhesive layer 601 that is particularly excellent in adhesive strength to the semiconductor chip 20 can be obtained.
  • the adhesive force of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 can be further increased by using a photosensitive adhesive composition containing a norbornene-based resin.
  • norbornene-type resin has high hydrophobicity, the adhesive layer 601 which cannot produce the dimensional change by water absorption etc. easily can be formed by using the photosensitive adhesive composition containing norbornene-type resin.
  • the alkali-soluble resin is a cyclic olefin resin
  • cyclic olefin resin has an acidic group (substituent which shows acidity).
  • the cyclic olefin resin preferably has at least one repeating unit having an acidic group (first repeating unit).
  • the first repeating unit has a structure derived from a cyclic olefin (cyclic olefin monomer) as a main skeleton and a substituent having an acidic group bonded to this structure.
  • cyclic olefins monocyclic compounds such as cyclohexene and cyclooctene, norbornene, norbornadiene, dicyclopentadiene, dihydrodicyclopentadiene, tetracyclododecene, tricyclopentadiene, dihydrotricyclopentadiene, tetracyclopentadiene, Examples include structures derived from polycyclic compounds such as dihydrotetracyclopentadiene. Among these, the structure derived from a cyclic olefin is particularly preferably a structure derived from norbornene.
  • the structure derived from norbornene contributes to an improvement in the adhesive force of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20. Moreover, the structure derived from norbornene also contributes to the improvement of the heat resistance of the photosensitive adhesive composition and the flexibility of the photosensitive adhesive composition after curing.
  • substituent having an acidic group examples include a substituent having a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, —C (OH) — (CF 3 ) 2 , —N (H) —S (O) 2 —CF 3, and the like.
  • a substituent having either a carboxyl group or —C (OH) — (CF 3 ) 2 is particularly preferable.
  • cyclic olefin resin contains the substituent which has such an acidic group, the solubility with respect to the alkaline developing solution of the photosensitive adhesive composition can be improved. Therefore, in the manufacture of a semiconductor device, the undissolved residue of the photosensitive adhesive composition after development can be reduced, and the patterning property during development can be further improved.
  • the first repeating unit is particularly preferably at least one of the following formula (2) and the following formula (3).
  • the cyclic olefin-based resin contains such a first repeating unit, the adhesiveness of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 and the solubility of the photosensitive adhesive composition in an alkaline developer can be further improved.
  • x and y are each preferably an integer of 0 or more and 10 or less, and more preferably an integer of 1 or more and 5 or less.
  • the cyclic olefin-based resin only needs to have at least one first repeating unit, but preferably has two or more different first repeating units, and the above-mentioned formulas (2) and (3) It is more preferable to have both first repeating units. Thereby, the adhesiveness with respect to the semiconductor chip 20 of the contact bonding layer 601 and the solubility with respect to the alkaline developing solution of a photosensitive adhesive composition can further be improved.
  • the content of the first repeating unit in the cyclic olefin-based resin can be determined optimally in consideration of the solubility of the photosensitive adhesive composition in an alkaline developer, and is, for example, 10 to 80 mol%. It is preferable that it is 20 to 70 mol%. If the content of the first repeating unit is less than the lower limit, it may be difficult to sufficiently develop the solubility of the photosensitive adhesive composition in an alkaline developer. Moreover, when the content rate of a 1st repeating unit exceeds the said upper limit, depending on the kind of 1st repeating unit, the characteristic with which structures other than the 1st repeating unit of cyclic olefin resin are equipped is fully expressed. It may not be possible.
  • the acidic group in the cyclic olefin resin is preferably 0.001 to 0.01 mol per 1 g of the polymer.
  • the amount is more preferably 0.0015 to 0.006 mol.
  • the cyclic olefin-based resin also has a second repeating unit different from the first repeating unit described above.
  • the second repeating unit includes a structure derived from a cyclic olefin as a main skeleton and a substituent that is bonded to the structure and is different from the substituent of the first repeating unit.
  • the main skeleton of the second repeating unit As the main skeleton of the second repeating unit, the structure exemplified in the first repeating unit described above can be used.
  • the main skeleton of the second repeating unit is a structure derived from norbornene from the viewpoint of heat resistance of the photosensitive adhesive composition and flexibility of the photosensitive adhesive composition after curing. Is particularly preferred.
  • the main skeletons of the first and second repeating units may be different from each other, but are preferably the same.
  • the main skeletons of the first and second repeating units are preferably structures derived from norbornene.
  • the semiconductor chip 20 of the contact bonding layer 601 can be more firmly bonded to each other by the adhesive layer 601, and the stress concentration generated at the bonding interface between the semiconductor chips 20 can be reduced by appropriately increasing the flexibility of the adhesive layer 601. Can do.
  • the substituent of the second repeating unit preferably has 2 to 30 carbon atoms, and more preferably 4 to 15 carbon atoms.
  • the carbon number is within the above range, the elastic modulus of the cured photosensitive adhesive composition is lowered, and the flexibility of the adhesive layer 601 can be increased. Thereby, the crack which arises in the semiconductor chip 20 and the contact bonding layer 601 accompanying the stress concentration in the joining interface of the semiconductor chips 20 and peeling with the semiconductor chip 20 and the contact bonding layer 601 can further be suppressed. In addition, it is possible to suppress the occurrence of damage to the semiconductor chip 20 and the adhesive layer 601 due to external impact.
  • the substituent of the second repeating unit may be a cyclic structure, a branched structure, or the like, but is preferably a linear structure.
  • linear substituent having 2 to 30 carbon atoms examples include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a group having an alkyl ether structure.
  • the linear substituent having 2 to 30 carbon atoms is particularly preferably a group having an alkyl ether structure.
  • the group having an alkyl ether structure is particularly preferably a group represented by the following formula (1). Thereby, the softness
  • z is preferably an integer of 1 or more and 10 or less, and more preferably an integer of 2 or more and 6 or less.
  • the second repeating unit is particularly preferably the following formula (4).
  • the alkali-soluble resin has a second repeating unit represented by the following formula (4), whereby a photosensitive adhesive composition for an alkaline developer by the first repeating unit.
  • the function of sufficiently increasing the solubility of the product and the function of setting the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after curing by the second repeating unit to an appropriate value can be preferably achieved.
  • z is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 2 to 5.
  • the content of the second repeating unit in the cyclic olefin-based resin is preferably, for example, 20 to 60 mol%, and preferably 25 to 50 mol%. Is more preferable.
  • the content rate of the second repeating unit is less than the lower limit, it is difficult to adjust the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition after curing to a desired value depending on the type of the second repeating unit. There is a case.
  • the content rate of a 2nd repeating unit exceeds the said upper limit, depending on the kind of 2nd repeating unit, the characteristic with which structures other than a 2nd repeating unit of cyclic olefin resin are equipped fully is expressed. It may not be possible.
  • a cyclic olefin resin represented by the following formula (5) is preferably used.
  • the photosensitive adhesive composition imparts mechanical strength necessary for the adhesive layer 601 and more appropriate flexibility (stress relaxation). be able to.
  • the photosensitive adhesive composition can exhibit particularly excellent solubility in an alkali developer.
  • l, m, and n are integers of 1 to 100.
  • x is preferably an integer of 0 or more and 10 or less
  • y is preferably an integer of 0 or more and 10 or less
  • z is an integer of 1 or more and 10 or less. preferable.
  • the degree of polymerization of the second repeating unit relative to the degree of polymerization of the first repeating unit is preferably 0.3 to 2.0, 0 More preferably, it is 4 to 1.5.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the cyclic olefin resin is preferably 5,000 to 500,000, more preferably 7,000 to 200,000, and 8,000 to 100,000. Is more preferable. Thereby, it is possible to obtain the adhesive layer 601 that is particularly excellent in the adhesive force to the semiconductor chip 20.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the cyclic olefin resin can be measured by gel permeation chromatography (GPC) using a standard cyclic olefin resin according to ASTM D3536-91. .
  • the glass transition temperature of the cyclic olefin resin is preferably 100 to 250 ° C.
  • the glass transition temperature of the cyclic olefin-based resin can be determined as a temperature at which an exothermic reaction occurs when the temperature is raised from room temperature at a rate of temperature rise of 5 ° C./min, for example, by differential scanning calorimetry.
  • the (A) alkali-soluble resin other than the cyclic olefin resin is also synthesized so as to satisfy the same conditions as described for the cyclic olefin resin, thereby obtaining the same effect as described above.
  • the photo acid generator is a positive type light that can generate acid by photoreaction during exposure by energy beam irradiation and increase the solubility of the photosensitive adhesive composition in the alkali developer in the exposed area. It functions as an acid generator. Thereby, in manufacture of a semiconductor device, it can further reduce that the melt
  • the photosensitive adhesive composition contains (B) a photoacid generator, so that, in the manufacture of a semiconductor device, (C) a reaction that crosslinks (A) an alkali-soluble resin with an epoxy compound described later by irradiation with energy rays. It may have a function as a negative photoacid generator capable of promoting the above.
  • (B) photoacid generators include onium salts, halogenated organic compounds, quinonediazide compounds, ⁇ , ⁇ -bis (sulfonyl) diazomethane compounds, ⁇ -carbonyl- ⁇ -sulfonyl-diazomethane compounds. , Sulfone compounds, organic acid ester compounds, organic acid amide compounds, organic acid imide compounds, and the like, and one or more of these can be used in combination.
  • a quinonediazide compound examples include compounds having a 1,2-benzoquinonediazide or 1,2-naphthoquinonediazide structure.
  • the photoacid generator is an ester of 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid and a phenol compound. It is preferable to include a compound. Since these generate a carboxyl group by a photoreaction at the time of exposure by energy ray irradiation (particularly, radiation irradiation), it is possible to further increase the solubility of an exposed portion in an alkaline developer. For this reason, the photosensitive adhesive composition can exhibit higher solubility in an alkali developer even at a small exposure amount. As a result, the patterning property during development can be further improved.
  • the content of the (B) photoacid generator is not particularly limited, but it is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 5 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) alkali-soluble resin. preferable.
  • the content of the photoacid generator is less than the lower limit, depending on the type of the (B) photoacid generator, the exposure and development characteristics of the photosensitive adhesive composition may be deteriorated. . Further, even if the content of (B) the photoacid generator exceeds the above upper limit, no further increase in effect can be expected, and depending on the type of (B) photoacid generator, in the photosensitive adhesive composition In (B), the characteristics of materials other than the photoacid generator may not be sufficiently exhibited.
  • Epoxy compound has a function which bridge
  • alkali-soluble resin especially cyclic olefin resin.
  • the epoxy compound may be either an aromatic epoxy compound having an aromatic ring in the molecule or an aliphatic epoxy compound having no aromatic ring in the molecule.
  • the (C) epoxy compound is more preferably an aliphatic epoxy compound.
  • the (C) epoxy compound preferably has a branched structure or a linear structure, and more preferably has a branched structure.
  • the crosslinking density of the (A) alkali-soluble resin in the photosensitive adhesive composition can be set to an appropriate value.
  • the flexibility of the adhesive layer 601 can be increased moderately. As a result, an adhesive layer 601 that has the necessary mechanical strength and is superior in stress relaxation property that relieves stress concentration generated at the bonding interface between the semiconductor chips 20 can be obtained.
  • the (C) epoxy compound preferably contains two or more glycidyl groups in the molecule, and more preferably contains 3 or more and 9 or less glycidyl groups in the molecule.
  • the crosslink density of the (A) alkali-soluble resin in the photosensitive adhesive composition can be set to an appropriate value, and an adhesive layer 601 that has the necessary mechanical strength and is excellent in stress relaxation properties can be obtained. Can do.
  • Examples of such (C) epoxy compounds include ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, trimethylolethane triglycidyl ether.
  • (C) epoxy compounds include trimethylolpropane triglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polytetramethylene glycol diglycidyl ether, hydrogenated Bisphenol A diglycidyl ether is particularly preferred.
  • the crosslinking reaction of the (A) alkali-soluble resin in the photosensitive adhesive composition can be promoted, and the adhesive layer 601 superior in stress relaxation can be obtained more easily and more reliably.
  • the content of the epoxy compound is not particularly limited, but it is preferably 1 to 100 parts by mass, more preferably 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) the alkali-soluble resin.
  • the content of the (C) epoxy compound is less than the lower limit, the stress relaxation property of the adhesive layer 601 may be lowered depending on the type of the (C) epoxy compound.
  • the content of the epoxy compound (C) exceeds the upper limit, the viscosity of the photosensitive adhesive composition may be unnecessarily high.
  • the photosensitive adhesive composition includes, for example, a coating film 601a by including (D) a phenol compound having a melting point of 50 to 150 ° C. (hereinafter, also simply referred to as “(D) phenol compound”). It is possible to suppress the generation of bubbles between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 when the wafer 201 is etched or when the semiconductor chips 20 are pressure-bonded via the adhesive layer 601. Further, even when bubbles are generated between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20, the generated bubbles can be removed.
  • the adhesive force of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 can be increased, and thus the semiconductor chips 20 are firmly bonded to each other. be able to. Therefore, finally, a highly reliable chip stack 200 can be obtained.
  • an adhesive layer 601 showing relatively high solubility in an organic solvent can be obtained. For this reason, for example, even when it becomes necessary to remove the coating film 601a obtained by applying the photosensitive adhesive composition to the wafer 201, the coating film 601a is made efficient while suppressing the generation of residues (residues). It can be dissolved and removed well. Thereby, the wafer 201 can be used again (reworked) without wasting it. Therefore, the process yield of the semiconductor device 10 can be improved.
  • the (D) phenol compound has a melting point of 50 to 150 ° C., preferably a melting point of 60 to 130 ° C., more preferably 70 to 120 ° C. Thereby, the effect mentioned above by the photosensitive adhesive composition containing (D) phenolic compound can be exhibited more notably.
  • Such (D) phenol compound preferably contains at least one of a phenol compound having a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group and a phenol compound having a plurality of phenol skeletons.
  • the (D) phenol compound (particularly a phenol compound having a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group) preferably has a hydroxyl group equivalent of 150 to 250 g / eq, and a hydroxyl group equivalent of 160 to 240 g / eq. More preferably, the hydroxyl equivalent is 180 to 220 g / eq.
  • the hydroxyl equivalent is within the above range, a photosensitive adhesive composition having more optimal solubility in an alkali developer can be obtained.
  • the hydroxyl group equivalent is less than the lower limit, depending on the type and amount of the (D) phenol compound, the water absorption rate of the photosensitive adhesive composition is increased, and the reliability may be reduced. There is sex.
  • the hydroxyl equivalent exceeds the upper limit, the solubility of the photosensitive adhesive composition in an alkaline developer is remarkably lowered, and the photosensitive adhesive composition may remain undissolved after development.
  • the hydroxyl equivalent of (D) phenolic compound can be measured by a method of titrating a solution obtained by mixing (D) phenolic compound in standard alkaline solution.
  • the adhesive layer 601 has more solubility in an organic solvent. Can be increased. For this reason, even when it is necessary to remove the coating film 601a, the coating film 601a can be dissolved and removed more efficiently, so that the reworkability can be improved.
  • n is preferably 1 to 6, and more preferably 2 to 4.
  • Examples of such a substituent containing an aliphatic hydrocarbon group include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a butyl group, and a 2,2-dimethylbutyl group.
  • the phenol compound preferably has a structure derived from benzoic acid. Specifically, it preferably has a structure derived from monohydroxybenzoic acid such as benzoic acid, 2-hydroxybenzoic acid and 3-hydroxybenzoic acid, and dihydroxybenzoic acid such as 2,4-hydroxybenzoic acid.
  • phenolic compounds include 4- (1,1-dimethylpropyl) phenol, 4-cyclohexylphenol, 4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl).
  • the hydroxyl equivalent is preferably 50 to 150 g / eq, more preferably 70 to 130 g / eq, and more preferably 90 to Particularly preferred is 110 g / eq.
  • multiple phenol skeletons are linked polycyclic structures in which the phenol skeletons are linked by single bonds and are not directly bonded to each other, or condensed types in which the phenol skeletons are directly bonded to each other without a single bond (fusion) Type) polycyclic structures may be used, but a linked polycyclic structure is preferred.
  • an adhesive layer 601 that has particularly high adhesion to the semiconductor chip 20 and is more soluble in organic solvents.
  • the content of the phenolic compound is preferably 0.5 to 30 parts by mass and more preferably 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) alkali-soluble resin. If the content of the (D) phenol compound is less than the lower limit, the solubility of the photosensitive adhesive composition in the organic solvent may be reduced depending on the type of the (D) phenol compound. (D) Even if content of a phenol compound exceeds the said upper limit, the increase of the effect beyond it cannot be anticipated. In this case, depending on the type of the (D) phenol compound, the characteristics of materials other than the (D) phenol compound in the photosensitive adhesive composition may not be sufficiently exhibited.
  • the photosensitive adhesive composition contains two or more (D) phenol compounds as described above. Specifically, it is preferable to include two or more types of (D) phenol compounds having different melting points, and more preferably to include two types of (D) phenol compounds having different melting points. Thereby, the adhesiveness of the photosensitive adhesive composition (adhesive layer 601), stress relaxation property, and the solubility with respect to the organic solvent can be improved more.
  • the photosensitive adhesive composition contains (A) an alkali-soluble resin, (B) a photoacid generator, (C) an epoxy compound, and (D) a phenol compound as described above, thereby manufacturing a semiconductor device.
  • A an alkali-soluble resin
  • B a photoacid generator
  • C an epoxy compound
  • D a phenol compound as described above
  • Such a semiconductor device 10 has a very small internal volume, such as a mobile device, and is particularly useful in an electronic device that is used while being carried. That is, such a semiconductor device 10 is useful in that it contributes to the reduction in size, thickness, and weight of the electronic device and that the function of the semiconductor device 10 is hardly impaired even when the electronic device is dropped or swung. It is.
  • the cured product of the photosensitive adhesive composition containing (A) an alkali-soluble resin, (B) a photoacid generator, (C) an epoxy compound, and (D) a phenol compound is soluble in an organic solvent. Excellent reworkability.
  • such a photosensitive adhesive composition further includes (X) a phenol compound having a higher melting point than (D) the phenol compound.
  • the melting point of the (X) phenol compound is preferably 151 to 250 ° C, and more preferably 181 to 230 ° C.
  • the (X) phenol compound preferably includes a phenol compound having a plurality of phenol skeletons.
  • Such a phenol compound having a plurality of phenol skeletons preferably has a substituent containing a cyclic structure and has at least one substituent bonded to the phenol skeleton. Thereby, the said effect can be exhibited more notably.
  • the content of the (X) phenol compound is preferably 0.2 to 20 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) alkali-soluble resin. . (X) When content of a phenol compound exists in the said range, the effect mentioned above can be exhibited more notably.
  • the photosensitive adhesive composition contains (D) two types of phenolic compounds and further contains (X) a phenolic compound. Thereby, it is possible to obtain an adhesive layer 601 that is particularly excellent in adhesiveness, stress relaxation, and solubility in an organic solvent.
  • the photosensitive adhesive composition may contain (D) a phenol compound and (X) a phenol compound other than the phenol compound, a leveling agent, a flame retardant, a plasticizer, a curing accelerator, an antioxidant, an adhesion assistant, if necessary.
  • An agent or the like may be further included.
  • the antioxidant examples include a phenolic antioxidant, an amine antioxidant, a phosphorus antioxidant, and a thioether antioxidant, and one or a combination of two or more of these may be used. it can. However, among these, it is preferable to use a combination of a phenolic antioxidant and an amine antioxidant as the antioxidant.
  • phenolic antioxidants include pentaerythrityl-tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 3,9-bis ⁇ 2- [3- (3-t -Butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1,1-dimethylethyl ⁇ 2,4,8,10-tetraoxaspiro [5,5] undecane, octadecyl-3- (3,5- Di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 1,6-hexanediol-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-trimethyl -2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,6-di t-butyl-4-
  • amine antioxidants include N, N′-di-sec-butyl-p-phenylenediamine, 4,4′-dimethoxydiphenylamine, 4-isopoloxydiphenylamine, and N-isopropyl-N′-phenyl-p-phenylene.
  • examples thereof include diamine, N- (1,3-dimethylbutyl) -N′-phenyl-p-phenylenediamine, and 4,4′-di ( ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl) diphenylamine.
  • the amine antioxidant is preferably a diphenylamine compound such as 4,4'-dimethoxydiphenylamine, 4-isopoloxydiphenylamine, or 4,4'-di ( ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl) diphenylamine.
  • Phosphorus antioxidants include bis- (2,6-di-t-butyl-4-methylphenyl) pentapentaerythritol diphosphite, tris (2,4-di-t-butylphenylphosphite), tetrakis (2,4-di-t-butyl-5-methylphenyl) -4,4′-biphenylenediphosphonite, 3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzylphosphonate-diethyl ester, bis- (2,6 -Dicumylphenyl) pentaerythritol diphosphite, 2,2-methylenebis (4,6-di-t-butylphenyl) octyl phosphite, Tris (mixed mono and di-nonylphenyl phosphite), bis (2, 4-di-t-butylphenyl) pentapentaerythritol-di-
  • Thioether antioxidants include dilauryl 3,3′-thiodipropionate, bis (2-methyl-4- (3-n-dodecyl) thiopropionyloxy) -5-t-butylphenyl) sulfide, distearyl- 3,3′-thiodipropionate, pentaerythritol-tetrakis (3-lauryl) thiopropionate, and the like.
  • the content of the antioxidant is preferably 0.1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) alkali-soluble resin, 0.5 More preferred is 30 parts by mass.
  • adhesion assistants include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 5 , 6-epoxyhexyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltri Ethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, bis [3- (triethoxysilyl) propyl] tetrasulfide, bis [3- (triethoxysilyl) propyl] disulfide, 3-isocyanate propi Triethoxysilane, phenyltri
  • the adhesion assistant is not limited to these. These may be used alone or in admixture of two or more. By including such an adhesion assistant in the photosensitive adhesive composition, the adhesive force (adhesion force) of the adhesive layer 601 to the semiconductor chip 20 can be further increased.
  • the content of the adhesion assistant is preferably 0.1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) alkali-soluble resin, 0.2 More preferred is 20 parts by mass.
  • the elastic modulus at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition after curing is preferably 2.0 to 3.5 GPa.
  • the elastic modulus at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition before curing is preferably 70 to 120% of the elastic modulus at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition after curing.
  • the adhesive strength of the photosensitive adhesive composition before being subjected to etching treatment and ashing treatment to the semiconductor chip 20 at 25 ° C. is preferably 20.0 to 200.0 N.
  • a film is formed on the semiconductor chip 20 having a size of 4 mm ⁇ 4 mm in plan view, and the film is not cured (completely cured) without being cured or semi-cured.
  • the adhesion strength of the film to the semiconductor chip 20 at 25 ° C. is 20.0 to 200.0 N It is preferable that When this adhesive force is converted per unit area of the size of the semiconductor chip 20 in plan view, it is 1.25 to 12.5 MPa (N / mm 2 ).
  • the elastic modulus at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition before curing is within a predetermined range with respect to the elastic modulus at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition after curing, for example, curing
  • the risk of the previous photosensitive adhesive composition being significantly deformed or flowing out of the wafer 201 is reduced. For this reason, it is possible to improve the alignment accuracy when the semiconductor chips 20 are stacked.
  • the amount of change in elastic modulus before and after curing is relatively small, the amount of shrinkage associated with exposure can also be reduced. As a result, it is possible to reduce stress generated at the interface between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20 along with curing shrinkage. From this viewpoint, it contributes to improving the reliability of the chip stack 200.
  • the pre-curing photosensitive adhesive composition that has been subjected to the etching process and the ashing process has sufficient adhesion to the semiconductor chip 20 required for die bonding.
  • the adhesive layer 601 more firmly fixes the semiconductor chips 20 to each other and contributes to improving the reliability of the chip stack 200.
  • the adhesive layer 601 combines the element protection function (buffer coating function) of the buffer coating film and the bonding function (die bonding function) of the die bonding film with one layer. For this reason, it is possible to form the chip stacked body 200 without reducing the reliability of the chip stacked body 200, and it is possible to make the chip stacked body 200 thinner than the conventional case where two layers are used. Further, as the chip stack 200 is made thinner, the volume of the mold part 50 can be reduced and the bonding wire 70 can be shortened, thereby contributing to weight reduction and cost reduction.
  • the elastic modulus at 25 ° C. of the cured photosensitive adhesive composition is more preferably 2.2 to 3.2 GPa, and further preferably 2.4 to 3.0 GPa.
  • the elasticity modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening is less than the said lower limit, there exists a possibility that the adhesive force of the contact bonding layer 601 may fall a little depending on the composition of the photosensitive adhesive composition.
  • the filler may penetrate the adhesive layer 601 and adversely affect the semiconductor chip 20.
  • the elastic modulus of the cured photosensitive adhesive composition exceeds the upper limit, depending on the composition of the photosensitive adhesive composition, the flexibility of the adhesive layer 601 is reduced, so that the stress relaxation property is reduced. .
  • the residual stress caused by the stacking of the semiconductor chips 20 and the local concentration of the thermal stress due to the thermal expansion difference between the semiconductor chip 20 and the adhesive layer 601 cannot be reduced, and the semiconductor chip 20 is cracked. May cause it.
  • the elastic modulus of the cured photosensitive adhesive composition is, for example, using an ultra-micro hardness meter ENT-1000 (manufactured by Elionix Co., Ltd.), measuring temperature 25 ° C., load 2 mN, holding time 1 second, It can be determined by measuring in accordance with ISO14577 using a Berkovich indenter (triangular pyramid, opposite ridge angle 115 °).
  • the elastic modulus of the cured photosensitive adhesive composition can be obtained as the elastic modulus of the coating film 601a after the mounting process.
  • the elastic modulus at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition before curing is more preferably 75 to 115% with respect to the elastic modulus at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition after curing. More preferably, it is 80 to 110%.
  • the elasticity modulus of the photosensitive adhesive composition before hardening is less than the said lower limit, the adhesiveness of the photosensitive adhesive composition increases, but the film of the photosensitive adhesive composition is easily deformed. As a result, for example, when the semiconductor chip 20 is temporarily arranged through this film, the position may be easily shifted, or the photosensitive adhesive composition may flow out of the wafer 201.
  • the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition before curing exceeds the upper limit value, the tackiness is lowered, and it may be difficult to temporarily arrange the semiconductor chip 20.
  • the elasticity modulus of the photosensitive adhesive composition before hardening can also be measured similarly to the elasticity modulus of the photosensitive adhesive composition after hardening.
  • the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition before curing can be obtained as the elastic modulus of the coating film 601a after the processing step and before the mounting step.
  • the adhesive strength at 25 ° C. of the photosensitive adhesive composition before being subjected to the etching treatment and the ashing treatment to the semiconductor chip 20 is more preferably 30 to 180 N (1.875 to 11.25 MPa). More preferably, the pressure is 40 to 160 N (2.5 to 10 MPa). Note that when the adhesive force is lower than the lower limit, bubbles may easily enter the interface between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20. On the other hand, if the adhesive force exceeds the upper limit, if bubbles enter the interface between the adhesive layer 601 and the semiconductor chip 20, it may be difficult to remove.
  • the adhesive force with respect to the semiconductor chip 20 of the photosensitive adhesive composition before being subjected to the etching treatment and the ashing treatment can be measured as follows. First, the semiconductor chips 20 are bonded to each other through the photosensitive adhesive composition of the present invention before being subjected to etching treatment and ashing treatment to obtain a semiconductor chip bonded body. Thereafter, the universal bond tester Dage4000 (manufactured by Daisy Japan Co., Ltd.) is used to determine the die shear strength of the bonded semiconductor chip as the adhesive strength to the semiconductor chip 20.
  • the die shear strength is obtained when one semiconductor chip 20 is pushed in the horizontal direction (in-plane direction of the semiconductor chip 20) with a shear tool from the side (side surface) of the semiconductor chip bonded body, and the joint surface between the semiconductor chips 20 is broken. Required as strength.
  • the adhesive force with respect to the semiconductor chip 20 of the photosensitive adhesive composition before being subjected to the etching process and the ashing process is obtained as an adhesive force with respect to the semiconductor chip 20 of the coating film 601a after the processing step and before the mounting step. be able to.
  • the said etching process is a process which removes the passivation film on the surface of the semiconductor chip 20, and exposes the electrode pad for connecting the bonding wire 70, for example.
  • a mixed gas of fluorine compound gas (CF 4 ), argon gas (Ar), and oxygen gas (O 2 ) is used as the gas, the output is 2500 W, the time is 6 minutes, and the CF 4 flow rate / Ar flow rate / O.
  • the etching process performed on the conditions which 2 flow volume is 200 sccm / 200 sccm / 50 sccm is mentioned.
  • the ashing process is a process for removing, for example, processing residues generated by the etching process and cleaning the surface of the adhesive layer 601 and the electrode pad surface.
  • plasma treatment is performed using oxygen gas (O 2 ), an output of 600 W, a time of 12 minutes, and an O 2 flow rate of 200 sccm.
  • etching treatment and ashing treatment may promote deterioration of the organic material. For this reason, when it is a coating film (adhesion layer) with low etching resistance and ashing resistance, there exists a possibility that the semiconductor chips 20 cannot fully be adhere
  • the coating film 601a (adhesive layer 601) formed using the photosensitive adhesive composition has sufficient etching resistance and ashing resistance. For this reason, even after passing through such etching treatment and ashing treatment, a decrease in the adhesive strength of the coating film 601a is suppressed, and as a result, the adhesive strength as described above is exhibited. Therefore, such a photosensitive adhesive composition does not need to consider a decrease in adhesiveness in various treatments in the bonding process, and thus simplifies the manufacturing process and the cost reduction of the semiconductor device 10. It is useful in that it can.
  • the rate of change of the elastic modulus of the photosensitive adhesive composition before and after the treatment step is preferably within a certain range. Therefore, it is preferable to appropriately set the heating conditions in the heating step that is considered to affect the resistance to the processing step (etching resistance and ashing resistance) so that the rate of change is within a certain range.
  • the elastic modulus at 25 ° C. after the heating step and before the processing step of the photosensitive adhesive composition is X [GPa]
  • the elastic modulus at 25 ° C. after the processing step is Y [GPa].
  • X and Y preferably satisfy the relationship of 0.7 ⁇ X / Y ⁇ 1.5, and more preferably satisfy the relationship of 0.8 ⁇ X / Y ⁇ 1.3. Since the rate of change in elastic modulus before and after the treatment process satisfies the above relationship, the coating film 601a formed of the photosensitive adhesive composition has sufficient mechanical characteristics to maintain the patterned shape. At the same time, it has sufficient adhesiveness to bond the semiconductor chips 20 together.
  • the coating film 601a in the processing step in which the etching process and the ashing process are performed, the deterioration of the coating film 601a is promoted, but when the rate of change in elastic modulus before and after the processing process satisfies the above relationship, the coating film 601a is In addition, the adhesive layer 601 functions sufficiently in the mounting process while sufficiently retaining the patterned shape. For this reason, when the change rate of the elastic modulus before and after the treatment process satisfies the above relationship, the coating film 601a composed of such a photosensitive adhesive composition has a function as an etching mask and an adhesive layer 601. Both functions can be achieved.
  • the minimum melt viscosity at 100 to 200 ° C. of the photosensitive adhesive composition before curing is preferably 20 to 500 Pa ⁇ s. Since such a photosensitive adhesive composition is excellent in wettability with respect to the semiconductor chip 20, voids and the like hardly occur in the adhesive layer 601. Therefore, a uniform adhesive layer 601 with little variation in physical properties can be formed. As a result, when the semiconductor chips 20 are bonded to each other via the adhesive layer 601, local concentration of stress is less likely to occur, generation of cracks in the semiconductor chip 20, occurrence of peeling between the semiconductor chip 20 and the adhesive layer 601, and the like. Can be further suppressed. In addition, the minimum melt viscosity of the photosensitive adhesive composition before curing can be measured with a rheometer, and can be obtained as the minimum melt viscosity of the coating film 601a after the processing step and before the mounting step.
  • the minimum melt viscosity of the photosensitive adhesive composition before curing is more preferably 25 to 400 Pa ⁇ s, and further preferably 30 to 300 Pa ⁇ s.
  • the tackiness can be reduced by subjecting it to UV irradiation treatment. Therefore, the tackiness (adhesive strength) of the photosensitive adhesive composition before curing can be controlled by the presence or absence of UV irradiation treatment.
  • the adhesive strength of the photosensitive adhesive composition before curing to the back grind film 90 will be described.
  • the coating film 601a is formed on the wafer 201 using the photosensitive adhesive composition.
  • the etching process and the ashing process described above are performed on the wafer 201 including the uncured or semi-cured coating film 601a (photosensitive adhesive composition before curing) without curing (completely curing) the coating film 601a.
  • a UV peeling type back grind film 90 is stuck on the coating film 601a, and the adhesive strength of the back grind film 90 to the coating film 601a at 25 ° C. is measured.
  • Such adhesive strength is preferably 3.0 N / 25 mm or more.
  • Such a photosensitive adhesive composition can exhibit a sufficient adhesive force to the back grind film 90 even after being subjected to a treatment that promotes deterioration of the organic material such as an etching treatment or an ashing treatment. For this reason, for example, when the back grinding process is performed on the wafer 201 on which the coating film 601a of the photosensitive adhesive composition is formed, the wafer 201 can be securely fixed, and the accuracy of the back grinding process can be further increased. .
  • the adhesive strength is more preferably 3.5 N / 25 mm or more and 10.0 N / 25 mm or less.
  • the adhesive strength can be measured as follows. First, a UV peeling type back grind film 90 (width 25 mm, length 75 mm) is bonded so that the adhesive surface is in contact with the coating film 601 a of the photosensitive adhesive composition. Next, the measurement temperature is set to 25 ° C., the peeling speed is set to 10.0 ⁇ 0.2 mm / s, and one end in the longitudinal direction of the back grind film 90 is pulled so that the peeling angle is 180 °, The back grind film 90 is peeled off from the coating film 601a of the photosensitive adhesive composition. The adhesive force can be determined by measuring the average value of the load required for peeling at this time (180 ° peeling adhesive strength, unit: N / 25 mm, JIS Z 0237 compliant).
  • the adhesive strength at 50 ° C. with respect to the back grind film 90 of the photosensitive adhesive composition before being cured after being subjected to the UV irradiation treatment is preferably 0.5 N / 25 mm or less.
  • the adhesive force with respect to the back grind film 90 of the photosensitive adhesive composition before hardening after being provided with UV irradiation processing can be made small enough. Therefore, for example, when the back grind film 90 is peeled from the coating film 601a of the photosensitive adhesive composition after the back grinding treatment, the back grind film 90 can be smoothly peeled without exerting a large load on the coating film 601a.
  • the back grind film 90 can be peeled without impairing the adhesion between the coating film 601a and the semiconductor chip 20. As a result, it is possible to prevent problems such as chipping of the semiconductor chip 20 when picking up the pieces 21 and 22 after the dicing process, for example.
  • the photosensitive adhesive composition adheres to the dicing blade 110 in the dicing process, or the photosensitive adhesive composition adheres to the collet 121 in the mounting process. Can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the occurrence of dicing failure and pickup failure.
  • the adhesive strength after the UV irradiation treatment is more preferably 0.05 N / 25 mm or more and 0.40 N / 25 mm or less.
  • the coating film 601a is irradiated with light having a wavelength of 365 nm through the back grind film 90 so that the integrated light amount is 600 mJ / cm 2 .
  • the UV peeling type back grind film 90 is made of an acrylic resin.
  • the measurement of the said adhesive force after UV irradiation process is the measurement mentioned above of the adhesive force in 25 degreeC with respect to the back grind film 90 of the photosensitive adhesive composition before hardening after being used for an etching process and an ashing process. It can be performed in the same manner as the method.
  • the present invention is not limited to this.
  • arbitrary components may be added to the photosensitive adhesive composition.
  • an arbitrary structure may be added to the semiconductor device.
  • Example 1 (A) Synthesis of Alkali-Soluble Resin (Cyclic Olefin Resin A-1) A plurality of glass devices were prepared, and these were dried at 60 ° C. and 0.1 Torr for 18 hours. Then, all the glass equipment was installed in the glove box.
  • the yield of cyclic olefin resin A-1 was 93.1%.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the cyclic olefin resin A-1 was 85,900.
  • the molecular weight dispersion (PD) of the cyclic olefin resin A-1 was 2.52.
  • composition of the cyclic olefin-based resin A-1 is as follows: 1 H-NMR: 45.0 mol% of HFANB, 2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) propionic acid (Hereinafter, EPENB) was 15.0 mol%, and NBTON was 40.0 mol%.
  • Photoacid generator B-1 As the photoacid generator B-1, a compound represented by the following formula (8) was prepared.
  • epoxy compound C-1 a compound represented by the following formula (9) was prepared.
  • the melting point of phenol compound D-1 was 70 ° C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the phenol compound D-1 was 194.
  • the hydroxyl equivalent of the phenol compound D-1 was 194 g / eq.
  • antioxidant E-1 a compound represented by the following formula (11) (4,4′-di ( ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl) diphenylamine) was prepared.
  • antioxidant E-2 a compound represented by the following formula (12) (2,6-bis [(2-hydroxy-5-methylphenyl) methyl] -4-methylphenol) was prepared.
  • Examples 2 to 18, Comparative Examples 1 to 4 The materials constituting the photosensitive adhesive composition were changed as shown in Tables 1 and 2, and the contents of the respective materials were set as shown in Tables 1 and 2 in the same manner as in Example 1. Thus, a photosensitive adhesive composition was obtained.
  • the material used with the photosensitive adhesive composition of each Example and each comparative example is shown below.
  • the melting point of phenol compound D-2 was 53 ° C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the phenol compound D-2 was 222.
  • the hydroxyl equivalent of phenol compound D-2 was 222 g / eq.
  • the melting point of phenol compound D-3 was 127 ° C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the phenol compound D-3 was 152.
  • the hydroxyl equivalent of phenol compound D-3 was 152 g / eq.
  • the melting point of phenol compound D-4 was 42 ° C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the phenol compound D-4 was 262.
  • the hydroxyl equivalent of phenol compound D-4 was 262 g / eq.
  • the melting point of phenol compound D-5 was 181 ° C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the phenol compound D-5 was 226.
  • the hydroxyl equivalent of the phenol compound D-5 was 113 g / eq.
  • the melting point of phenol compound D-6 was 120 ° C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the phenol compound D-6 was 200.
  • the hydroxyl equivalent of the phenol compound D-6 was 100 g / eq.
  • the melting point of phenol compound X-1 was 222 ° C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the phenol compound X-1 was 484.
  • the hydroxyl equivalent of phenol compound X-1 was 161 g / eq.
  • the etching process uses a mixed gas of fluorine compound gas (CF 4 ), argon gas (Ar) and oxygen gas (O 2 ), the output is 2500 W, the time is 6 minutes, and the CF 4 flow rate / Ar flow rate / O 2 flow rate is The measurement was performed at 200 sccm / 200 sccm / 50 sccm.
  • the ashing process was performed using a mixed gas of O 2 and Ar, an output of 600 W, a time of 12 minutes, and an O 2 flow rate of 200 sccm.
  • the obtained coating film was subjected to an exposure treatment through a line and space pattern mask having a width of 100 ⁇ m.
  • This exposure process was performed by irradiating light having a wavelength of 365 nm and a light intensity of 5 mW / cm 2 in the air at different times for each portion in one coating film.
  • the exposed coating film was developed with an alkali developer (2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) at 23 ° C. for 40 seconds and rinsed with pure water for 20 seconds.
  • the coated film (adhesive layer) having an opening with a width of 100 ⁇ m after development was observed with an optical microscope, and the degree to which the coated film was peeled from the semiconductor chip (presence of pattern peeling) was evaluated based on the following evaluation criteria. .
  • Comparative Examples 1, 2, and 4 the pattern having a width of 100 ⁇ m could not be opened, and thus the adhesion during development could not be evaluated. Moreover, also about the comparative example 3, 50% or more of the coating films were peeled off from the semiconductor chip, and a desired pattern could not be opened.
  • the obtained coating film was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 40 minutes.
  • the semiconductor chip on which the heat-treated coating film was formed was immersed in propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate and left for 20 hours.
  • the semiconductor chip was taken out from propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate, and the presence or absence of a coating film residue was visually observed, and the reworkability was evaluated based on the following evaluation criteria.
  • the obtained coating film was subjected to an exposure treatment through a line and space pattern mask having a width of 100 ⁇ m.
  • This exposure treatment was performed by irradiating light having a wavelength of 365 nm and a light intensity of 5 mW / cm 2 in the air while changing the time for each coating film.
  • the coating film of each comparative example did not photoreact at the time of exposure, and the coating film could not be removed by development processing. Therefore, regarding the coating film of each comparative example, photosensitivity evaluation (measurement of exposure amount) could not be performed.
  • Residual film ratio 100 ⁇ film thickness after development of unexposed area / film thickness after pre-baking Table 1 shows the obtained residual film ratio.
  • the coating film of each comparative example did not photoreact at the time of exposure, and the coating film could not be removed by development processing. Therefore, the remaining film rate could not be evaluated for the coating films of the comparative examples.
  • the present invention By using the cured product of the photosensitive adhesive composition of the present invention as an adhesive layer for bonding semiconductor elements to each other, it is possible to reduce the occurrence of bubbles at the interface between the semiconductor element and the adhesive layer. In addition, even if bubbles are generated at the interface, the generated bubbles can be removed. As a result, the adhesion (adhesion) between the semiconductor elements can be improved. Therefore, the present invention has industrial applicability.

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Abstract

　本発明の感光性接着剤組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）エポキシ化合物と、（Ｄ）融点が５０～１５０℃であるフェノール化合物と、を含むことを特徴とする。本発明の感光性接着剤組成物の硬化物を、半導素子同士を接着する接着層として用いることで、半導体素子と接着層との界面に気泡（ボイド）が発生することを低減することができ、また、界面に気泡が発生してもその発生した気泡を除去することができる。その結果、半導体素子同士の接着性（密着性）を高めることができる。

Description

感光性接着剤組成物および半導体装置
　本発明は、感光性接着剤組成物および半導体装置に関する。
　半導体装置の集積度は、いわゆるムーアの法則と言われる予測に沿って、これまで年を追うごとに高くなってきた。しかしながら、近年は、半導体素子に形成される構造の微細化が物理的な限界に近づいてきたこともあり、半導体装置の高集積化のペースが鈍化している。そこで、１つの半導体素子について高密度化を図るのではなく、複数の半導体素子を積層することにより、半導体装置の見かけの集積度を高める方法が提案されている。
　複数の半導体素子の積層は、例えば、フィルム状接着剤を介して半導体素子（シリコン片）同士を接着することにより行われている（例えば、特許文献１参照）。
　また、最近では、例えばモバイル機器の普及により、半導体装置の高集積化に加え、半導体装置の小型化や薄型化が望まれている。そのため、上記のような複数の半導体素子を積層した構成の半導体装置では、個々の半導体素子の薄肉化が進んでいる。
　薄肉な半導体素子は、半導体素子となるウエハーをエッチングして薄肉化することにより形成することができる。そして、このエッチングは、ウエハーの破損を防ぐために、ウエハーにフィルム状接着剤を接着した状態で行われる。
特開２００４－０５１９７０号公報
　しかしながら、上記のようにエッチングする際、エッチング時間が長くなると、ウエハーとフィルム状接着剤との界面に気泡（ボイド）が発生するという問題が本発明者によって見出された。このような問題が起きると、ウエハーを個片化した後に、フィルム状接着剤を介して半導体素子同士を接着すると、前記気泡によって半導体素子同士の接着性（密着性）が低下してしまう。その結果、半導体装置の信頼性が低下することがある。
　本発明の目的は、半導体素子同士の接着性（密着性）を高めることができる感光性接着剤組成物、および、かかる感光性接着剤組成物の硬化物により半導体素子同士を接着した積層型半導体素子を備えた信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
　このような目的は、下記（１）～（１８）の本発明により達成される。
　（１）　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、
　（Ｂ）光酸発生剤と、
　（Ｃ）エポキシ化合物と、
　（Ｄ）融点が５０～１５０℃であるフェノール化合物と、
を含むことを特徴とする感光性接着剤組成物。
　（２）　前記（Ｄ）フェノール化合物より融点が高い（Ｘ）フェノール化合物を、さらに含む上記（１）に記載の感光性接着剤組成物。
　（３）　前記（Ｘ）フェノール化合物は、その融点が１５１～２５０℃である上記（２）に記載の感光性接着剤組成物。
　（４）　前記（Ｘ）フェノール化合物は、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含む上記（２）または（３）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。
　（５）　前記複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、環状構造を含む置換基であって、少なくとも１つの前記フェノール骨格に結合した置換基を有する上記（４）に記載の感光性接着剤組成物。
　（６）　前記（Ｄ）フェノール化合物は、脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物および複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物のうちの少なくとも一方を含む上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。
　（７）　前記脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物は、その水酸基当量が１５０～２５０ｇ／ｅｑである上記（６）に記載の感光性接着剤組成物。
　（８）　前記（Ｄ）フェノール化合物の前記複数のフェノール骨格は、連結型の多環構造を形成している上記（６）または（７）に記載の感光性接着剤組成物。
　（９）　前記複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、その水酸基当量が５０～１５０ｇ／ｅｑである上記（６）ないし（８）に記載の感光性接着剤組成物。
　（１０）　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、環状オレフィン系樹脂を含む上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。
　（１１）　前記環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系樹脂を含む上記（１０）に記載の感光性接着剤組成物。
　（１２）　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、酸性基を有する上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。
　（１３）　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、炭素数が２～３０の直鎖状の置換基を有する上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。
　（１４）　前記直鎖状の置換基は、アルキルエーテル構造を含む上記（１３）に記載の感光性接着剤組成物。
　（１５）　前記直鎖状の置換基は、下記式（１）で示される基である上記（１３）または（１４）に記載の感光性接着剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式（１）中、ｚは、１以上１０以下の整数である。）
　（１６）　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、前記直鎖状の置換基を有する繰り返し単位を２０～６０ｍｏｌ％で含む上記（１３）ないし（１５）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。
　（１７）　前記（Ｃ）エポキシ化合物は、２つ以上のグリシジル基を有する上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。
　（１８）　積層型半導体素子を備える半導体装置であって、
　前記積層型半導体素子は、複数の半導体素子と、前記半導体素子同士の間に設けられ、これらを接合する上記（１）ないし（１７）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物の硬化物とを有することを特徴とする半導体装置。
　本発明の感光性接着剤組成物の硬化物を、半導素子同士を接着する接着層として用いることで、半導体素子と接着層との界面に気泡（ボイド）が発生することを低減することができ、また、界面に気泡が発生してもその発生した気泡を除去することができる。そのため、半導体素子同士の接着性（密着性）を高めることができる。
　また、本発明によれば、半導体素子同士の接着性の高い積層型半導体素子を備えた信頼性の高い半導体装置が得られる。
図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。 図２は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。 図３は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。 図４は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。 図５は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。
　以下、本発明の感光性接着剤組成物および半導体装置について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
　＜半導体装置＞
　まず、本発明の半導体装置の一例について説明する。
　図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
　図１に示す半導体装置１０は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体パッケージを有する一例である。半導体装置１０は、積層された複数の半導体チップ２０（半導体素子）と、半導体チップ２０同士を接着する接着層６０１と、半導体チップ２０を支持するパッケージ基板３０と、半導体チップ２０とパッケージ基板３０とを接着する接着層１０１と、半導体チップ２０を封止するモールド部５０と、パッケージ基板３０の下方に設けられたハンダボール８０と、を有している。以下、各部の構成について順次詳述する。
　半導体チップ２０は、いかなる種類の素子であってもよく、例えばＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュメモリー、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）のようなメモリー素子、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）のような集積回路素子等が挙げられる。
　半導体チップ２０の構成材料としては、特に限定されないが、例えばシリコン、炭化ケイ素、化合物半導体等の単結晶材料、多結晶材料、アモルファス材料等が挙げられる。
　複数の半導体チップ２０は、その面内方向において互いに少しずつずれて積層されており、これによりチップ積層体２００（積層型半導体素子）が構成されている。また、半導体チップ２０同士は接着層６０１を介して接着されている。接着層６０１は、チップ積層体２００の上面にも設けられている。また、接着層６０１は、本発明の感光性接着剤組成物の硬化物（硬化後の感光性接着剤組成物）で構成されている。なお、感光性接着剤組成物については後に詳述する。
　図１に示すパッケージ基板３０は、コア基板３１と、絶縁層３２と、ソルダーレジスト層３３と、配線３４と、導通ビア３５と、を備えるビルドアップ基板である。
　コア基板３１は、パッケージ基板３０を支持する基板であり、例えばガラスクロスに樹脂材料を充填した複合材料で構成されている。
　また、絶縁層３２は、配線３４同士や配線３４と導通ビア３５とを絶縁する層間絶縁層であり、例えば樹脂材料で構成されている。また、ソルダーレジスト層３３は、パッケージ基板３０の最表面に形成された配線を保護する表面保護層であり、例えば樹脂材料で構成されている。
　また、配線３４および導通ビア３５は、それぞれ電気信号の伝送路であり、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉの単体または合金といった金属材料で構成されている。
　ハンダボール８０は、配線３４と電気的に接続されており、外部の電気回路に融着されることで、配線３４を他の電気回路と接続するための電極として機能する。
　複数の半導体チップ２０を積層してなるチップ積層体２００は、パッケージ基板３０の上面に載置されている。チップ積層体２００とパッケージ基板３０とは、接着層１０１により接着されている。
　また、パッケージ基板３０の配線３４の一部は、パッケージ基板３０の上面に露出しており露出部を構成している。この露出部と各半導体チップ２０の電極部とが、ボンディングワイヤー７０により接続されている。
　図１に示すモールド部５０は、チップ積層体２００の側面および上面を覆うとともに、パッケージ基板３０の上面全体を覆うよう構成されている。これにより、外部環境からチップ積層体２００を保護することができる。このようなモールド部５０は、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂等の各種樹脂材料で構成されている。
　＜半導体装置の製造方法＞
　次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。
　図２～５は、それぞれ図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～５の上方を「上」といい、下方を「下」という。
　半導体装置１０の製造方法は、感光性接着剤組成物を含む液体をウエハー（半導体基板）上に塗布し、塗膜を得る塗布工程と、得られた塗膜を露光する露光工程と、現像により塗膜をパターニングする現像工程と、塗膜が設けられたウエハーにエッチング処理およびアッシング処理を施す処理工程と、ウエハーの裏面を研削するバックグラインド工程と、ウエハーをダイシングして複数の半導体チップに個片化するダイシング工程と、半導体チップをピックアップしてパッケージ基板上にマウントした後、別の半導体チップをピックアップして先にマウントした半導体チップ（被接合部材）上に圧着するマウント工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
　［１］塗布工程
　まず、半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１（図２（ａ）参照）を用意し、その上（一方の面側）に感光性接着剤組成物を含む液体を塗布する。これにより、図２（ｂ）に示すように、ウエハー２０１上に塗膜６０１ａが形成される。なお、ウエハー２０１上には、各半導体チップ２０に対応して、予め半導体回路や電極パッド等が形成されている。すなわち、ウエハー２０１は、半導体製造工程のいわゆる前工程に供されている。したがって、ウエハー２０１を後述する工程にて切断し、個片化することにより、ウエハー２０１から複数の半導体チップ２０を切り出すことができる。
　塗布方法は、特に限定されないが、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ロールコーティング法、印刷法等が挙げられる。
　必要に応じて、塗布した感光性接着剤組成物を含む液体（液状被膜）を加熱して乾燥させるようにしてもよい。この場合、加熱温度は、７０～１６０℃であるのが好ましく、８０～１５０℃であるのがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜設定されるが、５秒～３０分であるのが好ましく、１０秒～１５分であるのがより好ましい。
　感光性接着剤組成物を含む液体は、本発明の感光性接着剤組成物にこれを溶解可能な溶媒等を適宜添加することにより調製される。また、用いる溶媒は、後述する工程において加熱された際、揮発により除去可能であるのが好ましい。具体的には、かかる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、酢酸エチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、γ－ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、メチル－１，３－ブチレングリコールアセテート、１，３－ブチレングリコール－３－モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル－３－メトキシプロピオネート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶解性が高く、かつ揮散により除去し易い点より、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトンおよびシクロヘキサノンのいずれかを含む溶媒が特に好ましい。
　［２］露光工程
　次いで、ウエハー２０１上に形成した塗膜６０１ａに接するようにマスク４を設け、塗膜６０１ａの所望の領域（露光領域）に露光処理を施す（図２（ｃ）参照）。これにより、露光領域の塗膜６０１ａにおいて光反応が生じ、潜在的にパターニングが施される（潜像が形成される）。
　露光処理に用いられる光としては、様々な波長の電磁波や粒子線等が用いられ、例えばｉ線のような紫外線、可視光線、レーザー、Ｘ線、電子線等が挙げられる。このうち、波長２００～７００μｍ程度の紫外線または可視光線が好ましく用いられる。また、露光処理は、例えば空気雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、減圧雰囲気下において行うことができる。
　この露光工程では、塗膜６０１ａに接して設けられたマスク４に代えて、塗膜６０１ａから離して設けられたマスクを用いるようにしてもよい。なお、指向性の高いＸ線や電子線を露光処理に用いる場合には、マスクの使用を省略することができる。
　露光処理における露光量は、塗膜６０１ａの厚さや感光性接着剤組成物の感度等に応じて適宜設定されるが、一例として３０～３０００ｍＪ／ｃｍ２程度であるのが好ましい。
　［３］現像工程
　次いで、露光処理を施した塗膜６０１ａに対し、現像処理を施す。これにより、露光部（塗膜６０１ａの露光領域）が除去され、図２（ｄ）に示すように、所望のパターニングが施される。このような現像処理により、例えば半導体チップ２０にボンディングワイヤー７０を接続するための電極パッドを露出させることができる。また、後述するダイシング工程において切断しろとなるダイシングライン上の塗膜６０１ａを除去することができる。
　現像処理では、露光処理を施した塗膜６０１ａに対して現像液を接触させる。これにより、露光部の塗膜６０１ａが現像液に溶解し、除去される。これにより、塗膜６０１ａに開口部６０１ｂが形成される。現像液としては、例えば、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の水酸化物、テトラアンモニウムヒドロキシドのようなアルカリ現像液、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンのような有機系現像液等が挙げられる。これらの中でも現像液としては、アルカリ現像液が特に好ましく用いられる。なお、アルカリ現像液は、環境に対する負荷が小さく、残渣が発生し難いという特徴を有する。
　また、現像液の供給方法としては、例えば、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が挙げられる。
　なお、本実施形態では、塗膜６０１ａがいわゆるポジ型の感光性を有しているが、塗膜６０１ａはいわゆるネガ型の感光性を有していてもよい。
　［４］処理工程
　次いで、塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１に対し、エッチング処理を施す。この時、開口部６０１ｂを備える塗膜６０１ａがエッチングマスクとして機能する。これにより、開口部６０１ｂに対応する領域のウエハー２０１の表面（上面）に対して選択的にエッチング処理が施される。その結果、ウエハー２０１の表面にパッシベーション膜が形成されている場合、それを除去し、ボンディングワイヤー７０を接続するための電極パッドを露出させることができる。
　エッチング処理としては、例えば、図３（ｆ）に示すようにプラズマのウエハー２０１への供給によるプラズマエッチング処理（ドライエッチング処理）、各種ウエットエッチング処理等が挙げられる。プラズマエッチング処理は、一般的に知られた条件で行うことができるが、例えば、処理ガスとしてフッ素化合物ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３）、フッ素化合物ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３）と酸素ガス（Ｏ２）との混合物ガス、またはフッ素化合物ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３）とアルゴンガス（Ａｒ）との混合物ガスを用い、出力は２００～２０００Ｗ、時間は０．２～１５分、ガス流量は５０～１０００ｓｃｃｍの条件で行うことができる。
　その後、必要に応じて塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１にアッシング処理を施す。これにより、エッチング処理によって発生した処理残渣等を除去し、塗膜６０１ａ表面や電極パッド表面を清浄することができる。その結果、後述する接着層６０１の接着力を高めたり、電極パッドに対するボンディングワイヤー７０の接合力を高めたりすることができる。
　アッシング処理としては、例えば、プラズマ処理、薬剤を用いたウェット処理等が挙げられる。プラズマ処理は、例えば、処理ガスとして酸素ガス（Ｏ２）、酸素ガス（Ｏ２）とアルゴンガス（Ａｒ）との混合物ガス等を用い、出力は２００～２０００Ｗ、処理時間は０．２～１５分、ガス流量は５０～１０００ｓｃｃｍといった条件で行うことができる。
　［５］バックグラインド工程
　次いで、図３（ｇ）に示すように、塗膜６０１ａ上にバックグラインドフィルム９０を貼り付ける。バックグラインドフィルム９０は、バックグラインド処理の際にウエハー２０１を支持し、ウエハー２０１に欠けや割れ等の不具合が発生するのを抑制する。
　次いで、ウエハー２０１の裏面（他方の面側）を研削する（バックグラインド処理）。これにより、図３（ｈ）の破線部分が除去され、ウエハー２０１の厚さを薄くすることができる。バックグラインド処理により、ウエハー２０１の厚さを、元のウエハー２０１の厚さによって異なるが、２０～１００μｍ程度にまで薄くできる。
　バックグラインド処理には、例えばバックグラインディングホイールと呼ばれる装置が用いられる。
　なお、本発明の感光性接着剤組成物から得られた塗膜６０１ａを切断することにより、半導体チップ２０との間で十分な接着力を発現する接着層６０１を切り出すことができる。それに加えて、本発明の感光性接着剤組成物から得られた塗膜６０１ａは、バックグラインドフィルム９０に対しても十分な接着力を発現する。したがって、塗膜６０１ａ上にバックグラインドフィルム９０を貼り付けることにより、バックグラインドフィルム９０は、塗膜６０１ａおよびウエハー２０１を確実に支持することができる。これにより、バックグラインド処理時にバックグラインドフィルム９０に対するウエハー２０１の位置ずれが生じないため、高精度なバックグラインド処理をウエハー２０１に対して行うことができる。このため、ウエハー２０１の厚さのバラツキを抑制することができる。その結果、積層したときに傾き等が発生し難い半導体チップ２０を得ることができる。
　また、本実施形態の場合、バックグラインド工程に供されるウエハー２０１に対して塗膜６０１ａを成膜し、その状態でバックグラインド処理を行っている。前述したように、塗膜６０１ａは、半導体チップ２０同士を確実に接着し得る機械的特性を備えている。したがって、塗膜６０１ａは、ウエハー２０１とバックグラインドフィルム９０との間に介在して、ウエハー２０１を機械的に支持する機能も併せ持つ。また、塗膜６０１ａは、液相状態でウエハー２０１に成膜された後、若干硬化されているため、ウエハー２０１との密着性が良好である。よって、塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１にバックグラインド処理を施すことにより、より均一な処理が可能になる。
　バックグラインドフィルム９０には、ＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルムを用いることができる。このようなバックグラインドフィルム９０を用いることにより、バックグラインド処理後に塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす際、バックグラインドフィルム９０を介して塗膜６０１ａにＵＶ照射処理を施すだけで、バックグラインドフィルム９０と塗膜６０１ａとの間の接着力を大幅に低減することができる。その結果、塗膜６０１ａに大きな負担を及ぼすことなく、バックグラインドフィルム９０を塗膜６０１ａから円滑に剥がすことができる。
　［６］ダイシング工程
　次いで、ウエハー２０１にダイシング処理を施す。これにより、ウエハー２０１が複数の半導体チップ２０に個片化される（切り分けられる）。
　ダイシング処理は、ウエハー２０１をダイシング・ダイアタッチフィルムあるいはダイシングフィルムに貼り付けた状態で行う。このダイシング・ダイアタッチフィルムあるいはダイシングフィルムは、ダイシング処理の際にウエハー２０１を固定するために用いられる。
　図３（ｉ１）および図３（ｉ２）は、それぞれバックグラインド工程において研削されたウエハー２０１の裏面側にダイシングフィルム１００ａを貼り付けた例を示す図である。なお、図３（ｉ１）は、チップ積層体２００の最下層（パッケージ基板３０に最も近い層）に用いられる半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１等を図示している。一方、図３（ｉ２）は、チップ積層体２００の最下層以外の層に用いられる半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１等を図示している。
　図３（ｉ１）では、ダイシングフィルム１００ａとダイアタッチフィルム１００ｂとの積層体であるダイシング・ダイアタッチフィルム１００がウエハー２０１の裏面に貼り付けられている。一方、図３（ｉ２）では、ウエハー２０１の裏面にダイシングフィルム１００ａが貼り付けられている。
　次いで、図４（ｊ１）および図４（ｊ２）に示すように、塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす。
　次いで、塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１に対してダイシング処理を施す。ダイシング処理は、図４（ｋ１）および図４（ｋ２）に示すように、ダイシングブレード１１０がダイシングフィルム１００ａに達するように行う。その結果、塗膜６０１ａ、ウエハー２０１およびダイアタッチフィルム１００ｂがそれぞれ個片化され、図４（ｋ１）に示すように、接着層６０１、半導体チップ２０（第１半導体素子）および接着層１０１が積層してなる個片２１が切り出される。同様に、塗膜６０１ａおよびウエハー２０１がそれぞれ個片化され、図４（ｋ２）に示すように、接着層６０１および半導体チップ２０（第２半導体素子）が積層してなる個片２２が切り出される。
　なお、本実施形態では、１枚のウエハー２０１（複数の半導体チップ２０の接合体）にダイシング処理を施して複数の半導体チップ２０を切り出している。しかしながら、本発明はこれに限定されず、例えば、あらかじめ個片化されている複数の半導体チップ２０を用いてもよい。この場合、ダイシング工程を省略することができる。また、ウエハー２０１や半導体チップ２０が当初から薄い場合には、バックグラインド工程を省略することができる。
　また、バックグラインド工程とダイシング工程の工程順序は、上述した順序に限定されず、それらの順序を入れ替えてもよい。すなわち、ウエハー２０１にダイシング処理を施した後、バックグラインド処理を施すようにしてもよい。
　［７］マウント工程
　図４（Ｌ１）および図４（Ｌ２）は、それぞれ切り出された個片２１および個片２２をボンディング装置１２０のコレット１２１でピックアップする例を示す図である。
　まず、個片２１をボンディング装置１２０のコレット１２１でピックアップし、図５（ａ）に示すように、パッケージ基板３０上に圧着（マウント）する。この際、半導体チップ２０の裏面とパッケージ基板３０とは、接着層１０１を介して接着される。なお、この接着層１０１は、ダイアタッチフィルム１００ｂを個片化して形成される。ただし、接着層１０１は、例えば本発明の感光性接着剤組成物の未硬化物または半硬化物（完全硬化に至っていない感光性接着剤組成物）で形成されてもよい。この場合、パッケージ基板３０も半導体素子２０に接合される非接合部材に相当する。すなわち、本発明の感光性接着剤組成物は、半導体素子２０と半導体素子（被接合部材）２０との接合だけでなく、半導体素子２０とパッケージ基板（被接合部材）３０との接合にも用いることができる。なお、被接合部材はこれらに限定されない。
　続いて、先にマウントした個片２１上に、個片２２を圧着する。これにより、図５（ｂ）に示すように、接着層６０１を介して２枚の半導体チップ２０を積層することができる。その後、この工程を繰り返すことにより、図５（ｃ）に示すように、多数の半導体チップ２０を積層してなるチップ積層体２００が得られる。このとき、半導体チップ２０の位置を相互にずらしながら積層することで、半導体チップ２０においてボンディングワイヤー７０を接続する領域（塗膜６０１ａの開口部６０１ｂに対応する領域）を確保することができる。すなわち、半導体チップ２０の位置を相互にずらしながら積層することで、半導体チップ２０の電極部を露出させることができる。
　また、半導体チップ２０をマウントする際には、接着層６０１を加熱しながら行うようにする。これにより、接着層６０１が十分な接着力を発現し、半導体チップ２０同士を強固に接着することができる。この場合の加熱温度は、３０～１５０℃程度であるのが好ましい。また、マウント時の圧着荷重は０．１～１００Ｎ程度、圧着時間は０．１～１０秒程度であるのが好ましい。
　その後、各半導体チップ２０の電極部とパッケージ基板３０の配線３４の露出部とを、図５（ｄ）に示すように、ボンディングワイヤー７０により接続する。
　そして、チップ積層体２００およびパッケージ基板３０を覆うようにモールド部５０を成形することによって、図１に示す半導体装置１０が得られる。
　モールド部５０の成形は、例えばトランスファー成形機を用い、封止材料を成形型内に注入することにより行うことができる。その場合、成形型の温度を１３０～２５０℃程度、注入圧力を３～１０ＭＰａ程度、注入後の保持時間を１０秒～１０分程度とすることが好ましい。
　離型後、必要に応じて成形体を加熱することにより、モールド部５０および接着層６０１を最終硬化（完全硬化）させることができる。その場合の加熱温度は１３０～２５０℃程度であるのが好ましく、加熱時間は１０分～１０時間程度であるのが好ましい。
　なお、本発明の半導体装置の製造方法は、上記［３］現像工程と［４］処理工程との間に加熱工程を有していてもよい。この加熱工程では、現像処理が施された塗膜６０１ａを、加熱する（図２（e）参照）。これにより、塗膜６０１ａを構成する感光性接着剤組成物において所定の硬化反応（熱硬化反応）が生じる。その結果、感光性接着剤組成物が若干硬化（半硬化）して、塗膜６０１ａの接着性が増大する。
　塗膜６０１ａの加熱温度は、特に限定されないが、８０～１７０℃であるのが好ましく、１２０～１６０℃であるのがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜設定されるが、３５～１２０分であるのが好ましく、４０～１００分であるのがより好ましい。これにより、塗膜６０１ａの弾性率等の機械的特性が最適化されるとともに、塗膜６０１ａにエッチング処理やアッシング処理に対する十分な耐性が付与される。
　また、塗膜６０１ａは、本発明の感光性接着剤組成物で形成されており、このような塗膜６０１ａから形成された接着層６０１は、有機溶剤に対して比較的高い溶解性を示す。このため、例えばウエハー２０１に塗膜６０１ａを成膜した後、この塗膜６０１ａを除去する必要が生じた場合でも、残渣（残留物）の発生を抑制しつつ、塗膜６０１ａを効率よく溶解させ、除去することができる。このため、ウエハー２０１を無駄にすることなく、改めて接着プロセスに供する（リワークする）ことができる。その結果、半導体装置１０の工程歩留まりの改善を図ることができる。
　なお、半導体装置の製造方法は、加熱工程に加えて、または加熱工程に代えて、塗膜の全面に光を照射する工程（光照射工程）を有していてもよい。
　＜感光性接着剤組成物＞
　次に、接着層６０１を構成する感光性接着剤組成物（本発明の感光性接着剤組成物）について説明する。
　≪組成≫
　感光性接着剤組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）エポキシ化合物と、（Ｄ）フェノール化合物とを含む。
　以下、感光性接着剤組成物を構成する各材料について詳細に説明する。
　＜（Ａ）アルカリ可溶性樹脂＞
　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、接着層６０１の基材となる材料である。また、感光性接着剤組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力（密着力）を高めることができる。そのため、接着層６０１によりは半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる。さらに、感光性接着剤組成物が（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を含むことにより、塗膜６０１ａにアルカリ現像液に対する可溶性を付与することができる。このため、環境負荷が小さいアルカリ現像液を用いることができ、現像工程における環境負荷の低減を図ることができる。
　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としては、具体的には、例えば、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリビニルフェノール系樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としては、環状オレフィン系樹脂であることが特に好ましい。環状オレフィン系樹脂としては、例えば、ノルボルネン系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等が挙げられる。これらの中でも環状オレフィン系樹脂としては、ノルボルネン系樹脂が好ましい。環状オレフィン系樹脂を含む感光性接着剤組成物を用いることで、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。特に、ノルボルネン系樹脂を含む感光性接着剤組成物を用いることにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力をさらに高めることができる。また、ノルボルネン系樹脂は、高い疎水性を有するため、ノルボルネン系樹脂を含む感光性接着剤組成物を用いることで吸水による寸法変化等を生じ難い接着層６０１を形成することができる。
　以下、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が環状オレフィン系樹脂である場合を代表に説明する。環状オレフィン系樹脂は、酸性基（酸性を示す置換基）を有することが好ましい。具体的に、環状オレフィン系樹脂は酸性基を有する繰り返し単位（第１の繰り返し単位）を少なくとも１つ有することが好ましい。
　第１の繰り返し単位は、主骨格としての環状オレフィン（環状オレフィンモノマー）に由来する構造と、この構造に結合し、酸性基を有する置換基とを備える。
　環状オレフィンに由来する構造としては、シクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体などに由来する構造が挙げられる。これらの中でも環状オレフィンに由来する構造としては、ノルボルネンに由来する構造であるのが特に好ましい。ノルボルネンに由来する構造は、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力の向上に寄与する。また、ノルボルネンに由来する構造は、感光性接着剤組成物の耐熱性、および硬化後の感光性接着剤組成物の柔軟性の向上にも寄与する。
　酸性基を有する置換基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、－Ｃ（ＯＨ）－（ＣＦ３）２、－Ｎ（Ｈ）－Ｓ（Ｏ）２－ＣＦ３等を有する置換基が挙げられ、これらの中でも、カルボキシル基、－Ｃ（ＯＨ）－（ＣＦ３）２のいずれかを有する置換基であるのが特に好ましい。環状オレフィン系樹脂が、このような酸性基を有する置換基を含むことにより、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を高めることができる。そのため、半導体装置の製造において、現像後の感光性接着剤組成物の溶け残りを低減することができ、現像時のパターンニング性をより高めることができる。
　このようなことから、第１の繰り返し単位は、特に、下記式（２）および下記式（３）のうちの少なくとも１種であるのが好ましい。環状オレフィン系樹脂がこのような第１の繰り返し単位を含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着性、および感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性をより向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　上記式（２）および上記式（３）において、ｘ、ｙは、それぞれ、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、１以上５以下の整数であることがより好ましい。これにより、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる接着層６０１を得ることができる。
　環状オレフィン系樹脂は、少なくとも１種の第１の繰り返し単位を有すればよいが、異なる２種以上の第１の繰り返し単位を有することが好ましく、上記式（２）および上記式（３）の双方の第１の繰り返し単位を有することがより好ましい。これにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着性、および感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性をさらに向上させることができる。
　環状オレフィン系樹脂中における第１の繰り返し単位の含有率は、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する溶解性を考慮して最適値を決定することができるが、例えば、１０～８０ｍｏｌ％であるのが好ましく、２０～７０ｍｏｌ％であるのがより好ましい。第１の繰り返し単位の含有率が前記下限値未満であると、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を十分に発現させることが困難になる場合がある。また、第１の繰り返し単位の含有率が前記上限値を超えると、第１の繰り返し単位の種類によっては、環状オレフィン系樹脂のうちの第１の繰り返し単位以外の構成が備える特性を十分に発現できないおそれがある。
　環状オレフィン系樹脂中における酸性基は、ポリマー１ｇあたり０．００１～０．０１モルであるのが好ましい。０．００１５～０．００６モルであるのがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を特に高めることができる。
　さらに、環状オレフィン系樹脂は、前述した第１の繰り返し単位とは異なる第２の繰り返し単位も有するのが好ましい。
　第２の繰り返し単位は、主骨格としての環状オレフィンに由来する構造と、この構造に結合し、前記第１の繰り返し単位が有する置換基とは異なる置換基とを備える。
　第２の繰り返し単位の主骨格としては、前述した第１の繰り返し単位で挙げた構造を用いることができる。これらの中でも第２の繰り返し単位の主骨格としては、感光性接着剤組成物の耐熱性や、硬化後の感光性接着剤組成物の柔軟性等の観点から、ノルボルネンに由来する構造であるのが特に好ましい。また、第１および第２の繰り返し単位の主骨格は、それぞれ互いに異なっていてもよいが、同じであるのが好ましい。特に、第１および第２の繰り返し単位の主骨格は、ともにノルボルネンに由来する構造であることが好ましい。これにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力をより高めることができるとともに、接着層６０１の弾性率を適度に下げることができる。そのため、接着層６０１によって、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができるとともに、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることで半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を緩和することができる。
　第２の繰り返し単位が有する置換基は、炭素数が２～３０であるのが好ましく、炭素数が４～１５であるのがさらに好ましい。炭素数が前記範囲内であると、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率が低下し、接着層６０１の柔軟性を高めることができる。これにより、半導体チップ２０同士の接合界面での応力集中に伴う半導体チップ２０や接着層６０１に生じるクラックや、半導体チップ２０と接着層６０１との剥離をさらに抑制することができる。また、外部からの衝撃による半導体チップ２０や接着層６０１の破損等の発生を抑制することができる。
　また、第２の繰り返し単位が有する置換基は、環状構造、分岐状構造等であってもよいが、直鎖状構造であるのが好ましい。これにより、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率をより下げることができ、接着層６０１の柔軟性をより高めることができる。
　炭素数が２～３０の直鎖状の置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルキルエーテル構造を有する基などが挙げられる。これらの中でも炭素数が２～３０の直鎖状の置換基としては、アルキルエーテル構造を有する基であるのが特に好ましい。これにより、硬化後の感光性接着剤組成物が、優れた柔軟性を有することができる。
　アルキルエーテル構造を有する基としては、特に、下記式（１）で表される基であるのが好ましい。これにより、接着層６０１の柔軟性をより高めることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　上記式（１）において、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましく、２以上６以下の整数であることがより好ましい。これにより、さらに好適な柔軟性を有する接着層６０１が得られる。
　このようなことから、第２の繰り返し単位は、特に、下記式（４）であるのが好ましい。（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が、前述した第１の繰り返し単位に加え、下記式（４）に示す第２の繰り返し単位を有することにより、第１の繰り返し単位によるアルカリ現像液に対する感光性接着剤組成物の溶解性を十分に高めることができるという機能と、第２の繰り返し単位による硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率を適度な値とする機能とを好適に両立させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　特に、上記式（４）において、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましく、２以上５以下の整数であることがより好ましい。これにより、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率をより好適な値とすることができる。
　また、環状オレフィン系樹脂が第２の繰り返し単位を含む場合、環状オレフィン系樹脂中における第２の繰り返し単位の含有率は、例えば、２０～６０ｍｏｌ％であるのが好ましく、２５～５０ｍｏｌ％であるのがより好ましい。第２の繰り返し単位の含有率が前記下限値未満であると、第２の繰り返し単位の種類によっては、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率を所望の値に調整することが困難な場合がある。また、第２の繰り返し単位の含有率が前記上限値を超えると、第２の繰り返し単位の種類によっては、環状オレフィン系樹脂のうちの第２の繰り返し単位以外の構成が備える特性を十分に発現できないおそれがある。
　以上のようなことから、以下の式（５）で表される環状オレフィン系樹脂が好適に用いられる。感光性接着剤組成物は、式（５）で表される環状オレフィン系樹脂を含むことにより、接着層６０１に必要な機械的強度と、より適度な柔軟性（応力緩和性）とを付与することができる。さらに、感光性接着剤組成物は、アルカリ現像液に対する特に優れた溶解性を発揮することができる。加えて、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記式（５）においてｌ、ｍ、ｎは、１以上１００以下の整数である。なお、前述したように、ｘは、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、ｙは、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましい。
　式（５）において、第１の繰り返し単位の重合度に対する、第２の繰り返し単位の重合度（すなわち、ｎ／（ｌ＋ｍ））としては、０．３～２．０であるのが好ましく、０．４～１．５であるのがより好ましい。これにより、半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を特に緩和することができるとともに、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる接着層６０１を得ることができる。
　また、環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は５，０００～５００，０００であるのが好ましく、７，０００～２００，０００であるのがより好ましく、８，０００～１００，０００であるのがさらに好ましい。これにより、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。
　なお、環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＡＳＴＭＤＳ３５３６－９１に準拠して、標準とする環状オレフィン系樹脂を用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。
　また、環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度は、１００～２５０℃であることが好ましい。このようなガラス転移温度の環状オレフィン系樹脂を用いることにより、感光性接着剤組成物の耐熱性がより高くなり、高温下での半導体装置１０の信頼性をより高めることができる。
　環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度は、例えば示差走査熱量測定法により、常温から昇温速度５℃／分で昇温させたとき、発熱反応が生じる温度として求めることができる。
　なお、環状オレフィン系樹脂以外の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂も、環状オレフィン系樹脂で説明したのと同様の条件を満足するように合成することにより、上記と同様の効果が得られる。
　＜（Ｂ）光酸発生剤＞
　（Ｂ）光酸発生剤は、エネルギー線照射による露光時の光反応で酸を生成し、露光部のアルカリ現像液に対する感光性接着剤組成物の溶解性を増加させることができるポジ型の光酸発生剤としての機能を有する。これにより、半導体装置の製造において、感光性接着剤組成物（塗膜６０１ａ）のうちの露光された部分である露光部において、現像後の溶け残りが生じることをより低減することができる。このため、現像時のパターンニング性を向上させることができる。なお、感光性接着剤組成物は、（Ｂ）光酸発生剤を含むことにより、半導体装置の製造において、エネルギー線照射によって後述する（Ｃ）エポキシ化合物による（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を架橋させる反応を促進することができるネガ型の光酸発生剤としての機能を有していてもよい。
　（Ｂ）光酸発生剤としては、具体的には、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、α，α－ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、α－カルボニル－α－スルホニル－ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ｂ）光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物を用いることが特に好ましい。キノンジアジド化合物としては、例えば、１，２－ベンゾキノンジアジドあるいは１，２－ナフトキノンジアジド構造を有する化合物等が挙げられる。より具体的には、（Ｂ）光酸発生剤は、１，２－ナフトキノン－２－ジアジド－５－スルホン酸あるいは１，２－ナフトキノン－２－ジアジド－４－スルホン酸とフェノール化合物とのエステル化合物を含むことが好ましい。これらは、エネルギー線照射（特に、放射線照射）による露光時の光反応でカルボキシル基を生成するため、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性をより増加させることができる。このため、感光性接着剤組成物は、特に小さい露光量でもアルカリ現像液に対するより高い溶解性を発揮することができる。その結果、現像時のパターンニング性をより向上させることができる。
　（Ｂ）光酸発生剤の含有量は、特に限定されないが、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、１～５０質量部であるのが好ましく、５～３０質量部であるのがより好ましい。（Ｂ）光酸発生剤の含有量が前記下限値未満であると、（Ｂ）光酸発生剤の種類等によっては、感光性接着剤組成物の露光、現像特性が低下する可能性がある。また、（Ｂ）光酸発生剤の含有量が前記上限値を超えても、それ以上の効果の増大は見込めず、（Ｂ）光酸発生剤の種類によっては、感光性接着剤組成物中における（Ｂ）光酸発生剤以外の材料が備える特性を十分に発現できないおそれがある。
　＜（Ｃ）エポキシ化合物＞
　（Ｃ）エポキシ化合物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂（特に、環状オレフィン系樹脂）を架橋する機能を有する。
　（Ｃ）エポキシ化合物としては、分子中に芳香環を含む芳香族エポキシ化合物や、分子中に芳香環を含まない脂肪族エポキシ化合物のいずれであってもよい。ただし、（Ｃ）エポキシ化合物としては、脂肪族エポキシ化合物であるのがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度な値とすることができるとともに、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることができる。
　また、（Ｃ）エポキシ化合物は、分枝状構造または直鎖状構造であるのが好ましく、分枝状構造であるのがより好ましい。感光性接着剤組成物が分枝状構造をなす（Ｃ）エポキシ化合物を含むことで、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度な値とすることができるとともに、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることができる。これにより、必要な機械的強度を備えつつ、半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を緩和する応力緩和性により優れた接着層６０１が得られる。
　また、（Ｃ）エポキシ化合物は、分子内に２つ以上のグリシジル基を含有することが好ましく、分子内に３つ以上９つ以下のグリシジル基を含有することがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度な値とすることができ、必要な機械的強度を備えつつ応力緩和性により優れた接着層６０１を得ることができる。
　このような（Ｃ）エポキシ化合物としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ、ＥＸＡ－８３０ＶＬＰ、ＥＸＡ－８３５ＬＶ、ＥＸＡ－８５０ＣＲＰ、ＥＰＩＣＬＯＮ－８３０－Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ－８４０－Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ－８５０－Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ－８５０－ＣＲＰ、ＥＰＩＣＬＯＮ－８５０－ＬＣ、ＨＰ－７２００、ＨＰ－７２００Ｌ、ＨＰ－７２００Ｈ（ＤＩＣ株式会社製)、ＹＨ－３００、ＹＨ－３０１、ＹＤ－８１２５Ｇ、ＹＤＦ－８１７０Ｇ、ＹＤ－８２５ＧＳ、ＹＤ－８２５ＧＳＨ、ＹＤ－８７０ＧＳ、ＺＸ－１０５９、ＺＸ－１５４２、ＰＧ－２０７ＧＳ、ＺＸ－１６５８ＧＳ（新日鉄住金化学株式会社製）、ＹＬ９８０、ＹＬ９８３Ｕ、ＹＬ６８１０、ＹＬ７４１０、ＹＸ７７００、ＹＸ８０００、ＹＸ８０３４、ＹＥＤ２１６Ｄ、ｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５７Ｓ７０、ｊＥＲ１０３２Ｈ６０（三菱化学株式会社製）、ＥＰ－３３００Ｓ、ＥＰ－３９５０Ｌ、ＥＰ－４０００Ｌ、ＥＰ－４０１０Ｌ、ＥＰ－４０８８Ｌ（株式会社ＡＤＥＫＡ）、セロキサイド２０２１Ｐ，セロキサイド２０８１（株式会社ダイセル）、ＥＰＰＮ－２０１－Ｌ、ＥＰＰＮ－５０１Ｈ、ＥＰＰＮ－５０１ＨＹ、ＥＰＰＮ－５０２Ｈ、ＸＤ－１０００（日本化薬）、ＬＸ－０１（ダイソー株式会社）、ＰＧ－１００、ＥＧ－２００、ＥＧ－２８０、ＣＧ－４００、ＣＧ－５００（大阪ガスケミカル株式会社）、ＥＸ－２１１Ｌ、ＥＸ－２１２Ｌ、ＥＸ－２１４Ｌ、ＥＸ－２１６Ｌ、ＥＸ－３２１Ｌ、ＥＸ－８５０Ｌ、ＥＸ－９４６Ｌ（ナガセケムテック株式会社）、ＶＧ３１０１Ｌ（株式会社プリンテック）、ＳＲ－１４ＢＪ、ＳＲ－１６Ｈ、ＳＲ－ＴＭＰＬ、ＳＲ－ＰＧ、ＳＲ－ＰＴＭＧ、ＳＲ－８ＥＧＳ（阪本薬品工業株式会社）、シクロヘキセンオキシド型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ｃ）エポキシ化合物としては、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテルであるのが特に好ましい。これにより、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋反応を促進することができ、応力緩和性により優れた接着層６０１をより容易かつより確実に得ることができる。
　（Ｃ）エポキシ化合物の含有量は、特に限定されないが、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、１～１００質量部であるのが好ましく、５～５０質量部であるのがより好ましい。（Ｃ）エポキシ化合物の含有量が前記下限値未満であると、（Ｃ）エポキシ化合物の種類等によっては、接着層６０１の応力緩和性が低下する可能性がある。一方、（Ｃ）エポキシ化合物の含有量が前記上限値を超えると、感光性接着剤組成物の粘度が必要以上に高くなりすぎる場合がある。
　＜（Ｄ）融点が５０～１５０℃であるフェノール化合物＞
　感光性接着剤組成物は、（Ｄ）融点が５０～１５０℃であるフェノール化合物（以下、単に「（Ｄ）フェノール化合物」ということもある。）を含むことにより、例えば、塗膜６０１ａを備えたウエハー２０１をエッチングする際や、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を圧着する際に、接着層６０１と半導体チップ２０との間に気泡が発生するのを抑制することができる。また、接着層６０１と半導体チップ２０との間に気泡が発生した場合でも、その発生した気泡を除去することができる。このように接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が取り残され難くなることで、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力を高めることができ、よって、半導体チップ２０同士を強固に接着することができる。したがって、最終的に、信頼性の高いチップ積層体２００を得ることができる。
　さらに、（Ｄ）フェノール化合物を含む感光性接着剤組成物を用いることにより、有機溶剤に対して比較的高い溶解性を示す接着層６０１が得られる。このため、例えばウエハー２０１に感光性接着剤組成物を塗布して得られた塗膜６０１ａを除去する必要が生じた場合でも、残渣（残留物）の発生を抑制しつつ、塗膜６０１ａを効率よく溶解させ、除去することができる。これにより、ウエハー２０１を無駄にすることなく、改めて接着プロセスに供する（リワークする）ことができる。よって、半導体装置１０の工程歩留まりの改善を図ることができる。
　また、（Ｄ）フェノール化合物は、融点が５０～１５０℃であるが、融点が６０～１３０℃であるのが好ましく、融点が７０～１２０℃であるのがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物が（Ｄ）フェノール化合物を含むことによる前述した効果をより顕著に発揮することができる。このような（Ｄ）フェノール化合物は、脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物および複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物の少なくとも一方を含むことが好ましい。
　また、（Ｄ）フェノール化合物（特に、脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物）は、水酸基当量が１５０～２５０ｇ／ｅｑであることが好ましく、水酸基当量が１６０～２４０ｇ／ｅｑであるのがより好ましく、水酸基当量が１８０～２２０ｇ／ｅｑであるのがさらに好ましい。水酸基当量が前記範囲内であると、アルカリ現像液に対する溶解性がより最適な感光性接着剤組成物が得られる。これに対して、水酸基当量が前記下限値未満であると、（Ｄ）フェノール化合物の種類や添加量等によっては、感光性接着剤組成物の吸水率が高くなり、その信頼性が低下する可能性がある。また水酸基当量が前記上限値を超えると、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液への溶解性が著しく低下し、現像後に感光性接着剤組成物の溶け残りが生じてしまうおそれがある。
　なお、（Ｄ）フェノール化合物の水酸基当量は、標準アルカリ溶液中に（Ｄ）フェノール化合物を混合した溶液を滴定する方法により測定することができる。
　（Ｄ）フェノール化合物が、脂肪族炭化水素基を含む置換基（アルキル鎖（－ＣＨ２－）ｎを有する置換基）を有するフェノール化合物を含む場合、接着層６０１の有機溶剤に対する溶解性をより高めることができる。このため、塗膜６０１ａを除去する必要が生じた場合でも、塗膜６０１ａをより効率よく溶解させて除去することができるので、リワーク性を高めることができる。
　アルキル鎖（－ＣＨ２－）ｎは、ｎの値が１～６が好ましく、２～４がさらに好ましい。これにより、接着層６０１の有機溶剤に対する溶解性をさらに高めることができる。
　このような脂肪族炭化水素基を含む置換基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、ブチル基、２，２－ジメチルブチル基などが挙げられる。
　また、（Ｄ）フェノール化合物は、安息香酸に由来する構造を有することが好ましい。具体的には、安息香酸、２－ヒドロキシ安息香酸、３－ヒドロキシ安息香酸等のモノヒドロキシ安息香酸、２，４－ヒドロキシ安息香酸等のジヒドロキシ安息香酸等に由来する構造を有することが好ましい。
　このような（Ｄ）フェノール化合物としては、具体的には、例えば、４－（１，１－ジメチルプロピル）フェノール、４－シクロヘキシルフェノール、４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール、４－（４－ヒドロキシフェニル）－２－ブタノン、４’－ヒドロキシブチロフェノン、４’－ヒドロキシバレロフェノン、４’－ヒドロキシヘキサノフェノン、３－（４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３－ヒドロキシ安息香酸メチル、３－ヒドロキシ安息香酸エチル、４－ヒドロキシ安息香酸メチル、４－ヒドロキシ安息香酸エチル、４－ヒドロキシ安息香酸プロピル、４－ヒドロキシ安息香酸イソプロピル、４－ヒドロキシ安息香酸ブチル、４－ヒドロキシ安息香酸イソブチル、４－ヒドロキシ安息香酸ヘキシル、４－ヒドロキシ安息香酸ベンジル、１，３－ビス［２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン、ＢｉｓＰ－ＤＥＤ（本州化学工業株式会社製）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ｄ）フェノール化合物としては、４－ヒドロキシ安息香酸プロピル、４－ヒドロキシ安息香酸メチル、４－ヒドロキシ安息香酸ブチル、４－ヒドロキシ安息香酸ヘキシルであるのが特に好ましい。これにより、半導体チップ２０に対する接着力が特に高く、有機溶剤に対する溶解性がより優れた接着層６０１を得ることができる。
　また、（Ｄ）フェノール化合物が、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含む場合、その水酸基当量が５０～１５０ｇ／ｅｑであることが好ましく、７０～１３０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、９０～１１０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。また、複数のフェノール骨格は、フェノール骨格同士が単結合で連結し、互いに直接結合していない連結型の多環構造、またはフェノール骨格同士が単結合を介さず、互いに直接結合した縮合型（融合型）の多環構造のいずれでもよいが、連結型の多環構造であることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に対する接着力が特に高く、有機溶剤に対する溶解性がより優れた接着層６０１を得ることができる。
　（Ｄ）フェノール化合物の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．５～３０質量部であるのが好ましく、１～２０質量部であるのがより好ましい。（Ｄ）フェノール化合物の含有量が前記下限値未満であると、（Ｄ）フェノール化合物の種類等によっては、感光性接着剤組成物の有機溶剤に対する溶解性が低下する可能性がある。（Ｄ）フェノール化合物の含有量が前記上限値を超えても、それ以上の効果の増大は見込めない。また、この場合、（Ｄ）フェノール化合物の種類によっては、感光性接着剤組成物中における（Ｄ）フェノール化合物以外の材料が備える特性が十分に発現されないおそれがある。
　また、感光性接着剤組成物は、上記のような（Ｄ）フェノール化合物を２種以上含むことが好ましい。具体的には、互いに異なる融点である（Ｄ）フェノール化合物を２種以上含むことが好ましく、互いに異なる融点である（Ｄ）フェノール化合物を２種含むことがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物（接着層６０１）の接着性、応力緩和性、および、有機溶剤に対する溶解性をより高めることができる。
　なお、（Ｄ）フェノール化合物を２種以上含む場合、それらの合計含有量は、上述した範囲内であるのが好ましい。
　以上のような（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）エポキシ化合物と、（Ｄ）フェノール化合物とを感光性接着剤組成物が含むことにより、半導体装置の製造において、例えば、塗膜６０１ａを備えたウエハー２０１をエッチングする際や、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を圧着する際に、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が取り残され難くなる。このため、接着層６０１により半導体チップ２０同士を強固に接着することができ、よって、信頼性の高いチップ積層体２００を得ることができる。また、接着層６０１は、１層構造であるにもかかわらず、十分な接着性に加え、応力緩和性を備えている。このため、半導体チップ２０同士の間に、接着性に優れた層と、応力緩和性に優れた層との２層を設ける必要がなく、よって、チップ積層体２００の全体の厚さが著しく厚くなるのを防止することができる。その結果、低背で、かつ、接着性および応力緩和性に優れた信頼性の高い半導体装置１０を得ることができる。このような半導体装置１０は、例えばモバイル機器のように内容積が極めて小さく、かつ、持ち運びながら使用される電子機器において特に有用である。すなわち、このような半導体装置１０は、電子機器の小型化、薄型化、軽量化に寄与するとともに、電子機器を落としたり振り回したりした場合でも、半導体装置１０の機能が損なわれ難いという点で有用である。
　また、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）エポキシ化合物と、（Ｄ）フェノール化合物とを含む感光性接着剤組成物の硬化物は、有機溶剤に対する溶解性、およびリワーク性に優れている。
　また、このような感光性接着剤組成物は、（Ｄ）フェノール化合物より融点の高い（Ｘ）フェノール化合物をさらに含むことが好ましい。これにより、接着層６０１の接着性を特に向上させることができる。なお、（Ｘ）フェノール化合物の融点は、１５１～２５０℃であることが好ましく、１８１～２３０℃であることがより好ましい。また、（Ｘ）フェノール化合物は、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含むことが好ましい。かかる複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、環状構造を含む置換基であって、少なくとも１つの前記フェノール骨格に結合した置換基を有することが好ましい。これにより、上記効果をより顕著に発揮することができる。
　また、（Ｘ）フェノール化合物の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．２～２０質量部であるのが好ましく、０．５～１０質量部であるのがより好ましい。（Ｘ）フェノール化合物の含有量が上記範囲内であることにより、上述した効果をより顕著に発揮することができる。
　また、感光性接着剤組成物は、（Ｄ）フェノール化合物を２種含み、さらに、（Ｘ）フェノール化合物を含むことが特に好ましい。これにより、接着性、応力緩和性、および、有機溶剤に対する溶解性に特に優れた接着層６０１を得ることができる。
　また、感光性接着剤組成物は、必要に応じて、（Ｄ）フェノール化合物および（Ｘ）フェノール化合物以外のフェノール化合物、レベリング剤、難燃剤、可塑剤、硬化促進剤、酸化防止剤、密着助剤等をさらに含んでいてもよい。
　酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤およびチオエーテル系酸化防止剤が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。ただし、これらの中でも酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤とアミン系酸化防止剤とを組み合わせて用いることが好ましい。
　このような酸化防止剤を含むことにより、感光性接着剤組成物の硬化の際の酸化、およびその後のプロセス等における感光性接着剤組成物（塗膜６０１ａ）の酸化を抑えることができる。
　フェノール系酸化防止剤としては、ペンタエリスリチル－テトラキス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、３，９－ビス｛２－〔３－（３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕－１，１－ジメチルエチル｝２，４，８，１０－テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，６－ヘキサンジオール－ビス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－エチルフェノール、２，６－ジフェニル－４－オクタデシロキシフェノール、２，６－ビス［（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノール、ステアリル（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ジステアリル（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ホスホネート、チオジエチレングリコールビス〔（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、４，４’－チオビス（６－ｔ－ブチル－ｍ－クレゾール）、２－オクチルチオ－４，６－ジ（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェノキシ）－ｓ－トリアジン、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔ－ブチル－６－ブチルフェノール）、２，２’－メチレンビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、ビス〔３，３－ビス（４－ヒドロキシ－３－ｔ－ブチルフェニル）ブチリックアシッド〕グリコールエステル、４，４’－ブチリデンビス（６－ｔ－ブチル－ｍ－クレゾール）、２，２’－エチリデンビス（４，６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－エチリデンビス（４－ｓ－ブチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、１，１，３－トリス（２－メチル－４－ヒドロキシ－５－ｔ－ブチルフェニル）ブタン、ビス〔２－ｔ－ブチル－４－メチル－６－（２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブチル－５－メチルベンジル）フェニル〕テレフタレート、１．３．５－トリス（２，６－ジメチル－３－ヒドロキシ－４－ｔ－ブチルベンジル）イソシアヌレート、１，３，５－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－２，４，６－トリメチルベンゼン、１，３，５－トリス〔（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシエチル〕イソシアヌレート、テトラキス〔メチレン－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、２－ｔ－ブチル－４－メチル－６－（２－アクリロイルオキシ－３－ｔ－ブチル－５－メチルベンジル）フェノール、３，９－ビス（１，１－ジメチル－２－ヒドロキシエチル）－２，４－８，１０－テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン－ビス〔β－（３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコールビス〔β－（３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオネート〕、１，１’－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２’－メチレンビス（４－メチルー６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレンビス（４－エチルー６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレンビス（６－（１－メチルシクロヘキシル）－４－メチルフェノール）、４，４’－ブチリデンビス（３－メチルー６－ｔ－ブチルフェノール）、３，９－ビス（２－（３－ｔ－ブチルー４－ヒドロキシー５－メチルフェニルプロピオニロキシ）１，１－ジメチルエチル）－２，４，８，１０－テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、４，４'－チオビス（３－メチルー６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ビス（３，５－ジーｔ－ブチルー４－ヒドロキシベンジル）サルファイド、４，４’－チオビス（６－ｔ－ブチルー２－メチルフェノール）、２，５－ジーｔ－ブチルヒドロキノン、２，５－ジーｔ－アミルヒドロキノン、２－ｔ－ブチルー６－（３－ｔ－ブチルー２－ヒドロキシー５－メチルベンジル）－４－メチルフェニルアクリレート、２，４－ジメチルー６－（１－メチルシクロヘキシル、スチレネイティッドフェノール、２，４－ビス（（オクチルチオ）メチル）－５－メチルフェノール、などが挙げられる。これらの中でも、２，６－ビス［（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノール等のフェノール系酸化防止剤が好ましい。
　アミン系酸化防止剤としては、Ｎ，Ｎ’－ジ－sec－ブチル－ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－ジメトキシジフェニルアミン、４－イソポロキシジフェニルアミン、Ｎ－イソプロピル－Ｎ’－フェニル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ－（１，３－ジメチルブチル）－Ｎ’－フェニル－ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－ジ（α，α－ジメチルベンジル）ジフェニルアミンなどが挙げられる。これらの中でもアミン系酸化防止剤としては、４，４’－ジメトキシジフェニルアミン、４－イソポロキシジフェニルアミン、４，４’－ジ（α，α－ジメチルベンジル）ジフェニルアミン等のジフェニルアミン系化合物が好ましい。
　リン系酸化防止剤としては、ビス－（２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェニル）ペンタペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニルホスファイト）、テトラキス（２，４－ジーｔ－ブチルー５－メチルフェニル）－４，４’－ビフェニレンジホスホナイト、３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジルホスホネート－ジエチルエステル、ビス－（２，６－ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２－メチレンビス（４，６－ジ－ｔ－ブチルフェニル）オクチルホスファイト、トリス（ミックスドモノａｎｄジ－ノニルフェニルホスファイト）、ビス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニル）ペンタペンタエリスリトール－ジ－ホスファイト、ビス（２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メトキシカルボニルエチル－フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－オクタデシルオキシカルボニルエチル－フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。これらの中でもリン系酸化防止剤としては、ホスファイトおよびホスフェートが好ましい。
　チオエーテル系酸化防止剤としては、ジラウリル３，３’－チオジプロピオネート、ビス（２－メチルー４－（３－ｎ－ドデシル）チオプロピオニルオキシ）－５－ｔ－ブチルフェニル）スルフィド、ジステアリル－３，３’－チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール－テトラキス（３－ラウリル）チオプロピオネートなどが挙げられる。
　感光性接着剤組成物が酸化防止剤を含む場合、酸化防止剤の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．１～５０質量部であるのが好ましく、０．５～３０質量部であるのがより好ましい。
　また、密着助剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、５，６－エポキシヘキシルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］テトラスルフィド、ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］ジスルフィド、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ベンソイロキシプロピルトリメトキシシラン、ベンソイロキシプロピルトリエトキシシラン、１，６－ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ノルボルネニルトリメトキシシラン、ノルボルネニルトリエトキシシラン、３－（トリエトキシシリル）プロピルスクシン酸無水物、６－アジドスルフォニルヘキシルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、トリス（３－トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、［２－（３－シクロヘキセニル）エチル］トリメトキシシラン、［２－（３－シクロヘキセニル）エチル］トリエトキシシラン、（３－シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ－オクチルトリメトキシシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリエトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリメトキシシリル）オクタン、ビス（トリエトキシシリル）オクタン、ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、ビス［（３－メチルジメトキシシリル）プロピル］ポリプロピレンオキサイド、ポリメタクリル酸トリメトキシシリルエステル、ポリメタクリル酸トリエトキシシリルエステル、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、１，３－ジメチルテトラメトキシジシロキサンなどを挙げることができる。ただし、密着助剤は何らこれらに限定されない。これらは単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。このような密着助剤を感光性接着剤組成物に含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力（密着力）をより高めることができる。
　感光性接着剤組成物が密着助剤を含む場合、密着助剤の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．１～３０質量部であるのが好ましく、０．２～２０質量部であるのがより好ましい。
　≪物性≫
　次に、感光性接着剤組成物の物性（接着層６０１の物性）について詳細に説明する。
　硬化後の感光性接着剤組成物、すなわち接着層６０１の２５℃での弾性率は、２．０～３．５ＧＰａであるのが好ましい。また、硬化前の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率は、硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率の７０～１２０％であるのが好ましい。また、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する２５℃での接着力は、２０．０～２００．０Ｎであるのが好ましい。換言すると、感光性接着剤組成物を用いて、平面視でのサイズが４ｍｍ×４ｍｍの半導体チップ２０上に膜を形成し、膜を硬化（完全硬化）させることなく、未硬化あるいは半硬化状態の膜（硬化前の感光性接着剤組成物）を備える半導体チップ２０にエッチング処理およびアッシング処理を施したとき、膜の半導体チップ２０に対する２５℃での接着力が、２０．０～２００．０Ｎであることが好ましい。この粘着力を半導体チップ２０の平面視でのサイズの単位面積あたりに換算すると、１．２５～１２．５ＭＰａ（Ｎ／ｍｍ２）となる。
　このような硬化前の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率が硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率に対して所定の範囲内であることにより、例えば硬化前の感光性接着剤組成物が著しく変形したり、ウエハー２０１から流れ出したりするおそれが小さくなる。このため、半導体チップ２０を積層する際の位置合わせの精度を高めることができる。さらに、硬化前後での弾性率の変化量が比較的小さいことから、感光に伴う収縮量も小さくすることができる。その結果、硬化収縮に伴って接着層６０１と半導体チップ２０との界面に発生する応力を低減することができる。かかる観点からも、チップ積層体２００の信頼性向上に寄与する。
　その一方、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物は、半導体チップ２０に対して、ダイボンディングにおいて必要とされる十分な密着力を有する。このため、接着層６０１は、半導体チップ２０同士をより強固に固定し、チップ積層体２００の信頼性向上に寄与している。
　以上のような条件を満たす感光性接着剤組成物を用いることにより、十分な接着性と応力緩和性とを両立した接着層６０１を容易に得ることができる。換言すれば、接着層６０１は、それ１層でもってバッファーコート膜の素子保護機能（バッファーコート機能）とダイボンディングフィルムの接着機能（ダイボンディング機能）とを兼ね備えている。このため、チップ積層体２００の信頼性を低下させることなくチップ積層体２００を形成可能にするとともに、２層を用いていた従来に比べてチップ積層体２００を薄くすることができる。また、チップ積層体２００の薄型化に伴い、モールド部５０の体積を減らしたり、ボンディングワイヤー７０の短縮化を図ったりすることができるため、それによる軽量化、低コスト化にも寄与する。
　また、硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率は、より好ましくは２．２～３．２ＧＰａとされ、さらに好ましくは２．４～３．０ＧＰａとされる。なお、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率が前記下限値を下回ると、感光性接着剤組成物の組成によっては、接着層６０１の接着力が若干低下するおそれがある。また、モールド部５０中にフィラーが含まれている場合にはそのフィラーが接着層６０１を貫通して半導体チップ２０に悪影響を及ぼしたりするおそれもある。一方、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率が前記上限値を上回ると、感光性接着剤組成物の組成によっては、接着層６０１の柔軟性が低下するため、応力緩和性が低下する。このため、例えば半導体チップ２０の積層に伴って生じた残留応力や半導体チップ２０と接着層６０１との熱膨張差に伴う熱応力の局所集中を緩和することができず、半導体チップ２０にクラックを生じさせるおそれがある。
　なお、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率は、例えば、超微小硬度計ＥＮＴ－１０００（株式会社エリオニクス製）を用いて、測定温度２５℃、荷重２ｍＮ、保持時間１秒とし、バーコヴィッチ圧子（三角錐、対稜角１１５°）を用いて、ＩＳＯ１４５７７に準拠して測定することにより求めることができる。
　また、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率は、マウント工程後の塗膜６０１ａの弾性率として求めることができる。
　また、硬化前の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率は、より好ましくは硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率に対して、７５～１１５％とされ、さらに好ましくは８０～１１０％とされる。なお、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率が前記下限値を下回る場合、感光性接着剤組成物の粘着性が大きくなるが、感光性接着剤組成物の被膜が変形し易くなる。その結果、例えばこの被膜を介して半導体チップ２０を仮配置した際に、その位置がずれ易くなったり、あるいは感光性接着剤組成物がウエハー２０１から流れ出したりするおそれがある。一方、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率が前記上限値を上回る場合、粘着性が低下し、半導体チップ２０を仮配置し難くなるおそれがある。
　なお、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率も、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率と同様に測定することができる。
　また、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率は、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの弾性率として求めることができる。
　一方、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する２５℃での接着力は、より好ましくは３０～１８０Ｎ（１．８７５～１１．２５ＭＰａ）とされ、さらに好ましくは４０～１６０Ｎ（２．５～１０ＭＰａ）とされる。なお、接着力が前記下限値を下回る場合、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が入り込み易くなるおそれがある。一方、接着力が前記上限値を上回る場合、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が入り込んでしまった場合、それが抜け難くなるおそれがある。
　なお、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する接着力は、次のようにして測定することができる。まず、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の本発明の感光性接着剤組成物を介して半導体チップ２０同士を接着し、半導体チップ接着体を得る。その後、万能型ボンドテスターＤａｇｅ４０００（デイジ・ジャパン株式会社製）を用い、その半導体チップ接着体のダイシェア強度を半導体チップ２０に対する接着力として求める。ダイシェア強度は、半導体チップ接着体の横（側面）からシェアツールで一方の半導体チップ２０を水平方向（半導体チップ２０の面内方向）に押し、半導体チップ２０間の接合面が破断されたときの強度として求められる。
　また、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する接着力は、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの半導体チップ２０に対する接着力として求めることができる。
　なお、上記エッチング処理とは、例えば、半導体チップ２０の表面のパッシベーション膜を除去し、ボンディングワイヤー７０を接続するための電極パッドを露出させる処理である。具体的には、ガスとしてフッ素化合物ガス（ＣＦ４）とアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ２）の混合ガスを用い、出力は２５００Ｗ、時間は６分、ＣＦ４流量／Ａｒ流量／Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍとする条件で行うエッチング処理が挙げられる。
　また、上記アッシング処理とは、例えば、エッチング処理によって発生した処理残渣等を除去し、接着層６０１表面や電極パッド表面を清浄化する処理である。具体的には、酸素ガス（Ｏ２）を用い、出力は６００Ｗ、時間は１２分、Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍとする条件で行うプラズマ処理が挙げられる。
　なお、このようなエッチング処理およびアッシング処理は、有機材料の劣化を促進させることがある。このため、エッチング耐性およびアッシング耐性が低い塗膜（接着層）である場合、半導体チップ２０同士を十分に接着することができないおそれがある。これに対し、感光性接着剤組成物を用いて形成された塗膜６０１ａ（接着層６０１）は、十分なエッチング耐性およびアッシング耐性を有している。このため、このようなエッチング処理とアッシング処理とを経た後であっても、塗膜６０１ａの接着力の低下が抑えられ、その結果、前述したような接着力を発現する。したがって、このような感光性接着剤組成物は、接着プロセスでの各種処理において接着性の低下を考慮しなくても済むため、半導体装置１０の製造工程の簡略化、低コスト化を容易に図ることができるという点で有用である。
　また、感光性接着剤組成物の弾性率の処理工程の前後での変化率は、一定の範囲内であることが好ましい。そのため、この変化率が一定の範囲内になるように、処理工程に対する耐性（エッチング耐性およびアッシング耐性）に影響を及ぼすと考えられる加熱工程における加熱条件を適宜設定することが好ましい。
　具体的には、感光性接着剤組成物の加熱工程後でかつ処理工程前における２５℃での弾性率をＸ［ＧＰａ］とし、処理工程後における２５℃での弾性率をＹ［ＧＰａ］としたとき、ＸとＹとが、０．７≦Ｘ／Ｙ≦１．５なる関係を満足するのが好ましく、０．８≦Ｘ／Ｙ≦１．３なる関係を満足するのがより好ましい。処理工程前後での弾性率の変化率が前記関係を満足することで、感光性接着剤組成物で構成された塗膜６０１ａは、パターニングされた形状を保持するのに十分な機械的特性を有するとともに、半導体チップ２０同士を接着するのに十分な接着性を有する。すなわち、エッチング処理およびアッシング処理が行われる処理工程では、塗膜６０１ａの劣化が促進されるが、処理工程の前後における弾性率の変化率が前記関係を満足する場合には、その塗膜６０１ａは、パターニングされた形状を十分に保持しつつ、マウント工程においては接着層６０１として十分に機能する。このため、処理工程の前後における弾性率の変化率が前記関係を満足するとき、そのような感光性接着剤組成物で構成された塗膜６０１ａは、エッチングマスクとしての機能と接着層６０１としての機能とを両立し得る。
　なお、上記処理工程では、前述した処理条件を満足するエッチング処理とアッシング処理とが行われる。
　また、硬化前の感光性接着剤組成物の１００～２００℃での最小溶融粘度は、２０～５００Ｐａ・ｓであるのが好ましい。このような感光性接着剤組成物は、半導体チップ２０に対する濡れ性に優れているため、接着層６０１にボイド等が発生し難くなる。したがって、物性のバラツキが少ない均質な接着層６０１を形成することができる。その結果、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を接着した際、応力の局所集中を招き難く、半導体チップ２０におけるクラックの発生や、半導体チップ２０と接着層６０１との間の剥離の発生等をさらに抑制することができる。なお、硬化前の感光性接着剤組成物の最小溶融粘度は、レオメーターにより測定することができ、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの最小溶融粘度として求めることができる。
　なお、硬化前の感光性接着剤組成物の最小溶融粘度は、より好ましくは２５～４００Ｐａ・ｓとされ、さらに好ましくは３０～３００Ｐａ・ｓとされる。
　また、硬化前の感光性接着剤組成物は、一定の粘着性を有している一方、それに対してＵＶ照射処理を施すことにより、その粘着性を低減させることができる。したがって、ＵＶ照射処理の有無によって、硬化前の感光性接着剤組成物の粘着性（粘着力）を制御することができる。
　具体的に、硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する粘着力について説明する。まず、感光性接着剤組成物を用いて、ウエハー２０１上に塗膜６０１ａを形成する。次に、塗膜６０１ａを硬化（完全硬化）させることなく、未硬化または半硬化状態の塗膜６０１ａ（硬化前の感光性接着剤組成物）を備えるウエハー２０１に前述したエッチング処理およびアッシング処理を施す。その後、塗膜６０１ａ上にＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０を貼着し、バックグラインドフィルム９０の塗膜６０１ａに対する２５℃での粘着力を測定する。かかる粘着力は、好ましくは３．０Ｎ／２５ｍｍ以上である。このような感光性接着剤組成物は、エッチング処理やアッシング処理といった有機材料の劣化を促進させるような処理に供された後でも、バックグラインドフィルム９０に対して十分な粘着力を発現し得る。このため、例えば感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａが形成されたウエハー２０１にバックグラインド処理を施すとき、ウエハー２０１を確実に固定することができ、バックグラインド処理の精度をより高めることができる。
　なお、上記粘着力は、より好ましくは３．５Ｎ／２５ｍｍ以上１０．０Ｎ／２５ｍｍ以下とされる。
　また、前記粘着力は、次のようにして測定することができる。まず、感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａに対して粘着面が接するようにＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０（幅２５ｍｍ、長さ７５ｍｍ）を貼り合わせる。次に、測定温度を２５℃とし、引き剥がし速度を１０．０±０．２ｍｍ／ｓと設定して、剥離角が１８０°になるようにバックグラインドフィルム９０の長手方向の一端を引っ張って、感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を引き剥がす。このときの引き剥がしに要した荷重の平均値（１８０°引き剥がし粘着力、単位：Ｎ／２５ｍｍ、ＪＩＳ　Ｚ　０２３７準拠）を測定することにより前記粘着力を求めることができる。
　一方、ＵＶ照射処理に供された後の硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する５０℃での粘着力は、好ましくは０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。これにより、ＵＶ照射処理に供された後の硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する粘着力を十分に小さくすることができる。そのため、例えば、バックグラインド処理後、感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす際、塗膜６０１ａに大きな負荷を及ぼすことなくバックグラインドフィルム９０を円滑に剥がすことができる。加えて、塗膜６０１ａと半導体チップ２０との密着性を損なうことなく、バックグラインドフィルム９０を剥がすことができる。その結果、例えばダイシング処理後、個片２１、２２をピックアップする際に、半導体チップ２０の欠け等の不具合が発生するのを防止することができる。
　また、ＵＶ照射処理後の上記粘着力を小さくすることにより、例えばダイシング工程において感光性接着剤組成物がダイシングブレード１１０に付着したり、マウント工程において感光性接着剤組成物がコレット１２１に付着したりするのを抑制することができる。その結果、ダイシング不良やピックアップ不良が発生するのを抑えることができる。
　なお、ＵＶ照射処理後の上記粘着力は、より好ましくは０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上０．４０Ｎ／２５ｍｍ以下とされる。
　また、ＵＶ照射処理では、波長が３６５ｎｍの光を、積算光量が６００ｍＪ／ｃｍ２となるようにバックグラインドフィルム９０を介して塗膜６０１ａに照射する。
　また、上記ＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０は、アクリル系樹脂製である。
　なお、ＵＶ照射処理後の上記粘着力の測定は、エッチング処理およびアッシング処理に供された後の硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する２５℃での粘着力の前述した測定方法と同様の方法で行うことができる。
　以上、本発明について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、感光性接着剤組成物には任意の成分が添加されていてもよい。また、半導体装置には任意の構造体が付加されていてもよい。
　次に、本発明の具体的実施例について説明する。
　（実施例１）
［１］（Ａ）アルカリ可溶性樹脂（環状オレフィン系樹脂Ａ－１）の合成
　複数のガラス機器を用意し、これらを６０℃、０．１トル（Ｔｏｒｒ）下で１８時間乾燥した。その後、全てのガラス機器をグローブボックス内に備え付けた。
　次に、１つのガラス機器（ガラス機器Ｘ）にトルエン（９９２ｇ）、ジメトキシエタン（１１６ｇ）、１，１－ビストリフルオロメチル－２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－５－イル）エチルアルコール（以下、ＨＦＡＮＢ）（１４８ｇ、０．５４ｍｏｌ）、エチル　３－（ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－２－イル）プロパネート（以下、ＥＰＥｓＮＢ）（２０．７ｇ、０．１０７ｍｏｌ）、５－（（２－（２－メトキシエトキシ）エトキシ）メチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（以下、ＮＢＴＯＮ）（６１．９ｇ、０．２７４ｍｏｌ）を仕込み、各モノマーを含む混合物を得た。その後、この混合物を４５℃で加熱しながら３０分間窒素を流すことによりパージ（窒素パージ）を行った。
　また、別のガラス機器（ガラス機器Ｙ）で、ＥＰＥｓＮＢ（１４．２ｇ、０．０７３ｍｏｌ）とＮＢＴＯＮ（４６．７ｇ、０．１５９ｍｏｌ）とを混合し、窒素パージを行った。完全に窒素パージが終わった後、６０．５ｍｌのトルエンに溶解させたビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル（５．８２ｇ、０．０１２ｍｏｌ）をガラス機器Ｙ内に投入した。同時に、前述したガラス機器Ｘ内の混合物を、重合反応が一定のレベルで進行するような速度で、３時間かけて、ガラス機器Ｙ内に添加し、反応溶液を得た。
　次に、反応溶液を約１Ｌのメタノール／テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（＝４モル／５モル）溶液に溶解させることにより、反応溶液中の未反応モノマーを取り除いた。次に、６０℃で４時間、水酸化ナトリウム／酢酸ナトリウム（＝４．８モル／１モル）の水酸化ナトリウム溶液によって反応溶液中のエステルを加水分解し、溶液Ａを得た。その後、メタノール（４０５ｇ）、ＴＨＦ（８７ｇ）、酢酸（６７ｇ）、ギ酸（６７ｇ）、脱イオン水（２１ｇ）を溶液Ａに加えて、５０℃、１５分間攪拌した。攪拌を止めると溶液Ａ
は水層と有機層に分離するため、上の層の水層を取り除き、有機層を６０℃、１５分間、メタノール／脱イオン水（＝３９０ｇ／２３７６ｇ）溶液で３回洗浄した。そして、得られたポリマーをプロピレングリコールメチルエーテルアセタート中に希釈し、ポリマーの濃度が４０％となるように溶媒置換した。このようにして、式（７）で示す、溶液状態のポリマー（環状オレフィン系樹脂Ａ－１）を得た。
　環状オレフィン系樹脂Ａ－１の収率は９３．１％であった。環状オレフィン系樹脂Ａ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）は８５，９００であった。環状オレフィン系樹脂Ａ－１の分子量分散（ＰＤ）は２．５２であった。
　また、環状オレフィン系樹脂Ａ－１の組成は、１Ｈ－ＮＭＲにおいて、ＨＦＡＮＢが４５．０モル％、２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－５－イル）プロピオン酸（以下、ＥＰＥＮＢ）が１５．０モル％、ＮＢＴＯＮが４０．０モル％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式（７）中、ｌ：ｍ：ｎ＝４５：１５：４０である。）
［２］感光性接着剤組成物の作製
　前記［１］にて得られた（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としての環状オレフィン系樹脂Ａ－１（固形分として２２．０質量部）と、（Ｂ）光酸発生剤としての光酸発生剤Ｂ－１（４．０質量部）と、（Ｃ）エポキシ化合物としてのエポキシ化合物Ｃ－１（５．０質量部）と、（Ｄ）フェノール化合物としてのフェノール化合物Ｄ－１（３．０質量部）と、酸化防止剤Ｅ－１（２．０質量部）と、酸化防止剤Ｅ－２（３．０質量部）と、溶媒（溶剤）としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセタート（環状オレフィン系樹脂Ａ－１の溶液に含まれているプロピレングリコールメチルエーテルアセタートも含めて６１．０質量部）とを混合し、均一な感光性接着剤組成物を得た。
　この実施例１の感光性接着剤組成物で用いた材料を以下に示す。
　〈光酸発生剤Ｂ－１〉
　光酸発生剤Ｂ－１として、下記式（８）で表される化合物を用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　〈エポキシ化合物Ｃ－１〉
　エポキシ化合物Ｃ－１として、下記式（９）で表される化合物を用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　〈フェノール化合物Ｄ－１〉
　フェノール化合物Ｄ－１として、下記式（１０）で表される化合物（４－ヒドロキシ安息香酸ブチル）を用意した。
　フェノール化合物Ｄ－１の融点は、７０℃であった。フェノール化合物Ｄ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）は１９４であった。フェノール化合物Ｄ－１の水酸基当量は１９４ｇ／ｅｑであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　〈酸化防止剤Ｅ－１〉
　酸化防止剤Ｅ－１として、下記式（１１）で表される化合物（４，４’－ジ（α，α－ジメチルベンジル）ジフェニルアミン）を用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　〈酸化防止剤Ｅ－２〉
　酸化防止剤Ｅ－２として、下記式（１２）で表される化合物（２，６－ビス［（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノール）を用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　（実施例２～１８、比較例１～４）
　感光性接着剤組成物を構成する材料を表１および表２に示すように変更し、その各材料の含有量を表１および表２に示すように設定した以外は、実施例１と同様にして感光性接着剤組成物を得た。
　なお、各実施例および各比較例の感光性接着剤組成物で用いた材料を以下に示す。
　〈環状オレフィン系樹脂Ａ－２〉
　環状オレフィン系樹脂Ａ－２（（Ａ）アルカリ可溶性樹脂）として、下記式（１３）で表される化合物を用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式（１３）中、ｌ：ｍ：ｎ＝２５：１５：６０である。）
　〈環状オレフィン系樹脂Ａ－３〉
　環状オレフィン系樹脂Ａ－３（（Ａ）アルカリ可溶性樹脂）として、下記式（１４）で表される化合物を用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （式（１４）中、ｌ：ｍ：ｎ＝２５：３５：４０である。）
　〈フェノール化合物Ｄ－２〉
　フェノール化合物Ｄ－２（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１５）で表される化合物（４－ヒドロキシ安息香酸ヘキシル）を用意した。
　フェノール化合物Ｄ－２の融点は、５３℃であった。フェノール化合物Ｄ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）は２２２であった。フェノール化合物Ｄ－２の水酸基当量は２２２ｇ／ｅｑであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
〈フェノール化合物Ｄ－３〉
　フェノール化合物Ｄ－３（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１６）で表される化合物（４－ヒドロキシ安息香酸メチル）を用意した。
　フェノール化合物Ｄ－３の融点は、１２７℃であった。フェノール化合物Ｄ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）は１５２であった。フェノール化合物Ｄ－３の水酸基当量は１５２ｇ／ｅｑであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
〈フェノール化合物Ｄ－４〉
　フェノール化合物Ｄ－４（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１７）で表される化合物（２－ドデシルフェノール）を用意した。
　フェノール化合物Ｄ－４の融点は、４２℃であった。フェノール化合物Ｄ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）は２６２であった。フェノール化合物Ｄ－４の水酸基当量は２６２ｇ／ｅｑであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
〈フェノール化合物Ｄ－５〉
　フェノール化合物Ｄ－５（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１８）で表される化合物（１，８，９－トリヒドロキシアントラセン）を用意した。
　フェノール化合物Ｄ－５の融点は、１８１℃であった。フェノール化合物Ｄ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）は２２６であった。フェノール化合物Ｄ－５の水酸基当量は１１３ｇ／ｅｑであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　〈フェノール化合物Ｄ－６〉
　フェノール化合物Ｄ－６（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１９）で表される化合物（２，２’－ジヒドロキシジフェニルメタン）を用意した。
　フェノール化合物Ｄ－６の融点は、１２０℃であった。フェノール化合物Ｄ－６の重量平均分子量（Ｍｗ）は２００であった。フェノール化合物Ｄ－６の水酸基当量は１００ｇ／ｅｑであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　〈フェノール化合物Ｘ－１〉
　フェノール化合物Ｘ－１（（Ｘ）フェノール化合物）として、下記式（２０）で表される化合物（４，４’－［（２－ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２－シクロヘキシル－５－メチルフェノール］）を用意した。
　フェノール化合物Ｘ－１の融点は、２２２℃であった。フェノール化合物Ｘ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）は４８４であった。フェノール化合物Ｘ－１の水酸基当量は１６１ｇ／ｅｑであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　〈エポキシ化合物Ｃ－２〉
　エポキシ化合物Ｃ－２として、下記式（２１）で表される芳香族エポキシ化合物を用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000022
［３］評価用テストピースの作製
　まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、塗膜を得た。
　次いで、得られた塗膜に対し、１５０℃、４０分間の加熱処理を行って、半硬化（硬化前）の塗膜を得た。
　次いで、塗膜を備える半導体チップに対し、エッチング処理およびアッシング処理を順次施した。エッチング処理は、フッ素化合物ガス（ＣＦ４）とアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ２）の混合ガスを用い、出力は２５００Ｗ、時間は６分、ＣＦ４流量／Ａｒ流量／Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍの条件で行った。また、アッシング処理は、Ｏ２とＡｒの混合ガスを用い、出力は６００Ｗ、時間は１２分、Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍの条件で行った。
　次いで、塗膜上に別の半導体チップを重ね、温度１５０℃で加熱しつつ、５秒間、荷重１０Ｎで圧着した。
　このようにして、２つの半導体チップが接着層を介して接着された評価用テストピースを作製した。
［４］感光性接着剤組成物および評価用テストピースの評価
［４．１］接着性の評価
［４．１．１］現像時密着性の評価
　まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、厚さ１０μｍの塗膜を得た。
　次いで、得られた塗膜に対し、幅１００μｍのライン・アンド・スペースパターンのマスクを介して、露光処理を施した。この露光処理は、波長が３６５ｎｍで光強度が５ｍＷ／ｃｍ２である光を、１枚の塗膜内の部分ごとに異なる時間で空気中で照射することにより行った。
　次いで、露光処理を施した塗膜に対し、アルカリ現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で、２３℃、４０秒現像した後、純水で２０秒リンスした。現像後の幅１００μｍの開口部が形成された塗膜（接着層）を光学顕微鏡にて観察し、塗膜が半導体チップから剥がれた程度（パターン剥がれの有無）を下記評価基準に基づいて評価した。
　＜評価基準＞
　Ａ　　：塗膜の全体が、半導体チップから剥がれなかった。
　Ｂ　　：塗膜の３０％未満が、半導体チップから剥がれた。
　Ｃ　　：塗膜の３０％以上５０％未満が、半導体チップから剥がれた。
　Ｄ　　：塗膜の５０％以上が、半導体チップから剥がれた。
　なお、比較例１、２、４については、幅１００μｍのパターンを開口する事ができなかったため、現像時密着性の評価を行うことができなかった。また、比較例３についても、塗膜の５０％以上が半導体チップから剥がれており、所望のパターンを開口する事ができなかった。
［４．１．２］接着強度の評価
　得られた評価用テストピースについて、Ｄａｇｅ４０００（デイジ・ジャパン株式会社製）を用い、半導体チップの横（側面）からシェアツールで、一方の半導体チップを水平方向に押し、チップ間の接合面が破断されたときのチップあたりのダイシェア強度を測定した。チップサイズは４ｍｍ×４ｍｍであった。
　そして、測定したダイシェア強度を、以下の評価基準に基づいて評価した。
　＜評価基準＞
　Ａ　　：ダイシェア強度が非常に高い。
　Ｂ　　：ダイシェア強度が高い。
　Ｃ　　：ダイシェア強度が低い。
　Ｄ　　：ダイシェア強度が非常に低い。
　なお、比較例４については、塗膜（接着層）が半導体チップから剥離してしまい、接着強度の評価を行うことができなかった。
［４．２］リワーク性の評価
　まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、塗膜を得た。
　次いで、得られた塗膜に対し、１５０℃、４０分間の加熱処理を行った。
　次いで、加熱処理後の塗膜が形成された半導体チップを、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセタート中に浸漬し、２０時間放置した。
　次いで、半導体チップをプロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセタート中から取り出し、塗膜の残渣の有無を目視にて観察し、以下の評価基準に基づいてリワーク性を評価した。
　＜評価基準＞
　Ａ　　：塗膜の残渣が全く認められない。
　Ｂ　　：塗膜の残渣がわずかに認められる。
　Ｃ　　：塗膜の残渣が多く認められる。
　Ｄ　　：塗膜がほとんど除去されていない。
［４．３］感光性接着剤組成物の感光性の評価
　まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、厚さ１０μｍの塗膜を得た。
　次いで、得られた塗膜に対し、幅１００μｍのライン・アンド・スペースパターンのマスクを介して、露光処理を施した。この露光処理は、波長が３６５ｎｍで光強度が５ｍＷ／ｃｍ２である光を、塗膜ごとに時間を変えながら空気中で照射することにより行った。
　次いで、露光処理を施した塗膜に対し、現像処理を施した。そして、以下のようにして定義される未露光部の残膜率が９０％以上であって、かつ、露光部の残膜率が０％となるときの最小の露光量（単位：ｍＪ／ｃｍ２）を求めた。
　未露光部の残膜率＝１００×未露光部の現像後の膜厚／プリベーク後の膜厚
　露光部の残膜率＝１００×露光部の現像後の膜厚／プリベーク後の膜厚
　求めた露光量を表１に示す。
　なお、各比較例の塗膜は、露光の際に光反応せず、現像処理によって塗膜を除去することができなかった。そのため、各比較例の塗膜については、感光性の評価（露光量の測定）を行うことができなかった。
［４．５］感光性接着剤組成物の残膜率（残存率）の評価
　まず、［４．４］と同様にして、各実施例および各比較例について露光処理を施した塗膜を用意した。次いで、露光処理を施した塗膜に対して現像処理を行った後、１５０℃、４０分間の加熱処理を行った。そして、以下のようにして定義される未露光部の残膜率を求めた。
　残膜率＝１００×未露光部の現像後の膜厚／プリベーク後の膜厚
　求めた残膜率を表１に示す。
　なお、各比較例の塗膜は、露光の際に光反応せず、現像処理によって塗膜を除去することができなかった。そのため、各比較例の塗膜については、残膜率の評価を行うことができなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024

　表１および表２から明らかなように、各実施例の感光性接着剤組成物および評価用テストピースでは、半導体チップとの界面に気泡が残存するのを抑制しつつ、半導体チップと接着層との間に十分な接着力（密着力）があることが認められた。また、所定の加熱処理後の各実施例で用いた塗膜（接着層）は、有機溶剤に対する十分な溶解性を有しており、いわゆるリワーク性が良好であった。さらに、各実施例の評価用テストピースは、未露光部の残存率が高いことが認められた。なお、各実施例の感光性接着剤組成物の硬化物により半導体素子同士を接着した積層型半導体素子を備えた半導体装置は、高い信頼性を有していた。一方、各比較例の感光性接着剤組成物を用いて形成された塗膜は、上記［４．３］で述べたように、現像処理によって塗膜を除去することができなかった。そのため、積層型半導体素子を備えた半導体装置を得ることができなかった。
　本発明の感光性接着剤組成物の硬化物を、半導素子同士を接着する接着層として用いることで、半導体素子と接着層との界面に気泡（ボイド）が発生することを低減することができ、また、界面に気泡が発生してもその発生した気泡を除去することができる。その結果、半導体素子同士の接着性（密着性）を高めることができる。したがって、本発明は産業上の利用可能性を有する。

Claims (18)

  1. 　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、
    　（Ｂ）光酸発生剤と、
    　（Ｃ）エポキシ化合物と、
    　（Ｄ）融点が５０～１５０℃であるフェノール化合物と、
    を含むことを特徴とする感光性接着剤組成物。
  2. 　前記（Ｄ）フェノール化合物より融点が高い（Ｘ）フェノール化合物を、さらに含む請求項１に記載の感光性接着剤組成物。
  3. 　前記（Ｘ）フェノール化合物は、その融点が１５１～２５０℃である請求項２に記載の感光性接着剤組成物。
  4. 　前記（Ｘ）フェノール化合物は、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含む請求項２または３のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  5. 　前記複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、環状構造を含む置換基であって、少なくとも１つの前記フェノール骨格に結合した置換基を有する請求項４に記載の感光性接着剤組成物。
  6. 　前記（Ｄ）フェノール化合物は、脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物および複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物のうちの少なくとも一方を含む請求項１ないし５のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  7. 　前記脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物は、その水酸基当量が１５０～２５０ｇ／ｅｑである請求項６に記載の感光性接着剤組成物。
  8. 　前記（Ｄ）フェノール化合物の前記複数のフェノール骨格は、連結型の多環構造を形成している請求項６または７に記載の感光性接着剤組成物。
  9. 　前記複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、その水酸基当量が５０～１５０ｇ／ｅｑである請求項６ないし８のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  10. 　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、環状オレフィン系樹脂を含む請求項１ないし９のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  11. 　前記環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系樹脂を含む請求項１０に記載の感光性接着剤組成物。
  12. 　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、酸性基を有する請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  13. 　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、炭素数が２～３０の直鎖状の置換基を有する請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  14. 　前記直鎖状の置換基は、アルキルエーテル構造を含む請求項１３に記載の感光性接着剤組成物。
  15. 　前記直鎖状の置換基は、下記式（１）で示される基である請求項１３または１４に記載の感光性接着剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）中、ｚは、１以上１０以下の整数である。）
  16. 　前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、前記直鎖状の置換基を有する繰り返し単位を２０～６０ｍｏｌ％で含む請求項１３ないし１５のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  17. 　前記（Ｃ）エポキシ化合物は、２つ以上のグリシジル基を有する請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
  18. 　積層型半導体素子を備える半導体装置であって、
    　前記積層型半導体素子は、複数の半導体素子と、前記半導体素子同士の間に設けられ、これらを接合する請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物の硬化物とを有することを特徴とする半導体装置。
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