JP6702194B2 - 感光性接着剤組成物および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、感光性接着剤組成物および半導体装置に関する。

半導体装置の集積度は、いわゆるムーアの法則と言われる予測に沿って、これまで年を追うごとに高くなってきた。しかしながら、近年は、半導体素子に形成される構造の微細化が物理的な限界に近づいてきたこともあり、半導体装置の高集積化のペースが鈍化している。そこで、１つの半導体素子について高密度化を図るのではなく、複数の半導体素子を積層することにより、半導体装置の見かけの集積度を高める方法が提案されている。

複数の半導体素子の積層は、例えば、フィルム状接着剤を介して半導体素子（シリコン片）同士を接着することにより行われている（例えば、特許文献１参照）。

また、最近では、例えばモバイル機器の普及により、半導体装置の高集積化に加え、半導体装置の小型化や薄型化が望まれている。そのため、上記のような複数の半導体素子を積層した構成の半導体装置では、個々の半導体素子の薄肉化が進んでいる。

薄肉な半導体素子は、半導体素子となるウエハーをエッチングして薄肉化することにより形成することができる。そして、このエッチングは、ウエハーの破損を防ぐために、ウエハーにフィルム状接着剤を接着した状態で行われる。

特開２００４−０５１９７０号公報

しかしながら、上記のようにエッチングする際、エッチング時間が長くなると、ウエハーとフィルム状接着剤との界面に気泡（ボイド）が発生するという問題が本発明者によって見出された。このような問題が起きると、ウエハーを個片化した後に、フィルム状接着剤を介して半導体素子同士を接着すると、前記気泡によって半導体素子同士の接着性（密着性）が低下してしまう。その結果、半導体装置の信頼性が低下することがある。

本発明の目的は、半導体素子同士の接着性（密着性）または半導体素子と被接合部材との接着性（密着性）を高めることができる感光性接着剤組成物、かかる感光性接着剤組成物の硬化物により半導体素子同士を接着した積層型半導体素子を備えた信頼性の高い半導体装置、および、半導体素子と被接合部材とを接着した信頼性の高い半導体装置を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（７）の本発明により達成される。
（１） （Ａ）下記式（５）で示されるアルカリ可溶性樹脂と、
（Ｂ）光酸発生剤と、
（Ｃ）下記式（９）で示されるエポキシ化合物と、
（Ｄ）融点が５０〜１５０℃であり、アルキル鎖（−ＣＨ_２−）_ｎを含む置換基（ただし、ｎは１〜６）を有し、下記式（１０）で示されるフェノール化合物、下記式（１５）で示されるフェノール化合物、下記式（１６）で示されるフェノール化合物、および、下記式（１９）で示されるフェノール化合物のうちの少なくとも１種と、
（Ｘ）融点が１５１〜２５０℃であるフェノール化合物と、
を含むことを特徴とする感光性接着剤組成物。
［上記式（５）において、ｌ、ｍ、ｎは、１以上１００以下の整数である。また、ｘは、０以上１０以下の整数であり、ｙは、０以上１０以下の整数であり、ｚは、１以上１０以下の整数である。］

（２） 前記（Ｘ）フェノール化合物は、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含む上記（１）に記載の感光性接着剤組成物。

（３） 前記複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、環状構造を含む置換基であって、少なくとも１つの前記フェノール骨格に結合した置換基を有する上記（２）に記載の感光性接着剤組成物。

（４） 前記（Ｄ）フェノール化合物は、その水酸基当量が１５０〜２５０ｇ／ｅｑである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。

（５） 融点が異なる２種以上の前記（Ｄ）フェノール化合物を含む上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物。

（６） 積層型半導体素子を備える半導体装置であって、
前記積層型半導体素子は、複数の半導体素子と、前記半導体素子同士の間に設けられ、これらを接合する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物の硬化物とを有することを特徴とする半導体装置。
（７） 半導体素子と、
被接合部材と、
前記半導体素子と前記被接合部材との間に設けられ、これらを接合する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の感光性接着剤組成物の硬化物と、
を有することを特徴とする半導体装置。

本発明の感光性接着剤組成物の硬化物を、半導体素子同士または半導体素子と被接合部材とを接着する接着層として用いることで、半導体素子と接着層との界面に気泡（ボイド）が発生することを低減することができ、また、界面に気泡が発生してもその発生した気泡を除去することができる。そのため、半導体素子同士の接着性（密着性）または半導体素子と被接合部材との接着性（密着性）を高めることができる。

また、本発明によれば、半導体素子同士の接着性の高い積層型半導体素子を備えた信頼性の高い半導体装置が得られる。
さらに、本発明によれば、半導体素子と被接合部材との接着性が高く信頼性の高い半導体装置が得られる。

図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。 図２は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。 図３は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。 図４は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。 図５は、図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。

以下、本発明の感光性接着剤組成物および半導体装置について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜半導体装置＞
まず、本発明の半導体装置の一例について説明する。

図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
図１に示す半導体装置１０は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体パッケージを有する一例である。半導体装置１０は、積層された複数の半導体チップ２０（半導体素子）と、半導体チップ２０同士を接着する接着層６０１と、半導体チップ２０を支持するパッケージ基板３０と、半導体チップ２０とパッケージ基板３０とを接着する接着層１０１と、半導体チップ２０を封止するモールド部５０と、パッケージ基板３０の下方に設けられたハンダボール８０と、を有している。以下、各部の構成について順次詳述する。

半導体チップ２０は、いかなる種類の素子であってもよく、例えばＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュメモリー、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）のようなメモリー素子、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）のような集積回路素子等が挙げられる。

半導体チップ２０の構成材料としては、特に限定されないが、例えばシリコン、炭化ケイ素、化合物半導体等の単結晶材料、多結晶材料、アモルファス材料等が挙げられる。

複数の半導体チップ２０は、その面内方向において互いに少しずつずれて積層されており、これによりチップ積層体２００（積層型半導体素子）が構成されている。また、半導体チップ２０同士は接着層６０１を介して接着されている。接着層６０１は、チップ積層体２００の上面にも設けられている。また、接着層６０１は、本発明の感光性接着剤組成物の硬化物（硬化後の感光性接着剤組成物）で構成されている。なお、感光性接着剤組成物については後に詳述する。

図１に示すパッケージ基板３０は、コア基板３１と、絶縁層３２と、ソルダーレジスト層３３と、配線３４と、導通ビア３５と、を備えるビルドアップ基板である。

コア基板３１は、パッケージ基板３０を支持する基板であり、例えばガラスクロスに樹脂材料を充填した複合材料で構成されている。

また、絶縁層３２は、配線３４同士や配線３４と導通ビア３５とを絶縁する層間絶縁層であり、例えば樹脂材料で構成されている。また、ソルダーレジスト層３３は、パッケージ基板３０の最表面に形成された配線を保護する表面保護層であり、例えば樹脂材料で構成されている。

また、配線３４および導通ビア３５は、それぞれ電気信号の伝送路であり、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉの単体または合金といった金属材料で構成されている。

ハンダボール８０は、配線３４と電気的に接続されており、外部の電気回路に融着されることで、配線３４を他の電気回路と接続するための電極として機能する。

複数の半導体チップ２０を積層してなるチップ積層体２００は、パッケージ基板３０の上面に載置されている。チップ積層体２００とパッケージ基板３０とは、接着層１０１により接着されている。

また、パッケージ基板３０の配線３４の一部は、パッケージ基板３０の上面に露出しており露出部を構成している。この露出部と各半導体チップ２０の電極部とが、ボンディングワイヤー７０により接続されている。

図１に示すモールド部５０は、チップ積層体２００の側面および上面を覆うとともに、パッケージ基板３０の上面全体を覆うよう構成されている。これにより、外部環境からチップ積層体２００を保護することができる。このようなモールド部５０は、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂等の各種樹脂材料で構成されている。

＜半導体装置の製造方法＞
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。

図２〜５は、それぞれ図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２〜５の上方を「上」といい、下方を「下」という。

半導体装置１０の製造方法は、感光性接着剤組成物を含む液体をウエハー（半導体基板）上に塗布し、塗膜を得る塗布工程と、得られた塗膜を露光する露光工程と、現像により塗膜をパターニングする現像工程と、塗膜が設けられたウエハーにエッチング処理およびアッシング処理を施す処理工程と、ウエハーの裏面を研削するバックグラインド工程と、ウエハーをダイシングして複数の半導体チップに個片化するダイシング工程と、半導体チップをピックアップしてパッケージ基板上にマウントした後、別の半導体チップをピックアップして先にマウントした半導体チップ（被接合部材）上に圧着するマウント工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。

［１］塗布工程
まず、半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１（図２（ａ）参照）を用意し、その上（一方の面側）に感光性接着剤組成物を含む液体を塗布する。これにより、図２（ｂ）に示すように、ウエハー２０１上に塗膜６０１ａが形成される。なお、ウエハー２０１上には、各半導体チップ２０に対応して、予め半導体回路や電極パッド等が形成されている。すなわち、ウエハー２０１は、半導体製造工程のいわゆる前工程に供されている。したがって、ウエハー２０１を後述する工程にて切断し、個片化することにより、ウエハー２０１から複数の半導体チップ２０を切り出すことができる。

塗布方法は、特に限定されないが、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ロールコーティング法、印刷法等が挙げられる。

必要に応じて、塗布した感光性接着剤組成物を含む液体（液状被膜）を加熱して乾燥させるようにしてもよい。この場合、加熱温度は、７０〜１６０℃であるのが好ましく、８０〜１５０℃であるのがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜設定されるが、５秒〜３０分であるのが好ましく、１０秒〜１５分であるのがより好ましい。

感光性接着剤組成物を含む液体は、本発明の感光性接着剤組成物にこれを溶解可能な溶媒等を適宜添加することにより調製される。また、用いる溶媒は、後述する工程において加熱された際、揮発により除去可能であるのが好ましい。具体的には、かかる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、酢酸エチル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶解性が高く、かつ揮散により除去し易い点より、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトンおよびシクロヘキサノンのいずれかを含む溶媒が特に好ましい。

［２］露光工程
次いで、ウエハー２０１上に形成した塗膜６０１ａに接するようにマスク４を設け、塗膜６０１ａの所望の領域（露光領域）に露光処理を施す（図２（ｃ）参照）。これにより、露光領域の塗膜６０１ａにおいて光反応が生じ、潜在的にパターニングが施される（潜像が形成される）。

露光処理に用いられる光としては、様々な波長の電磁波や粒子線等が用いられ、例えばｉ線のような紫外線、可視光線、レーザー、Ｘ線、電子線等が挙げられる。このうち、波長２００〜７００μｍ程度の紫外線または可視光線が好ましく用いられる。また、露光処理は、例えば空気雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、減圧雰囲気下において行うことができる。

この露光工程では、塗膜６０１ａに接して設けられたマスク４に代えて、塗膜６０１ａから離して設けられたマスクを用いるようにしてもよい。なお、指向性の高いＸ線や電子線を露光処理に用いる場合には、マスクの使用を省略することができる。

露光処理における露光量は、塗膜６０１ａの厚さや感光性接着剤組成物の感度等に応じて適宜設定されるが、一例として３０〜３０００ｍＪ／ｃｍ^２程度であるのが好ましい。

［３］現像工程
次いで、露光処理を施した塗膜６０１ａに対し、現像処理を施す。これにより、露光部（塗膜６０１ａの露光領域）が除去され、図２（ｄ）に示すように、所望のパターニングが施される。このような現像処理により、例えば半導体チップ２０にボンディングワイヤー７０を接続するための電極パッドを露出させることができる。また、後述するダイシング工程において切断しろとなるダイシングライン上の塗膜６０１ａを除去することができる。

現像処理では、露光処理を施した塗膜６０１ａに対して現像液を接触させる。これにより、露光部の塗膜６０１ａが現像液に溶解し、除去される。これにより、塗膜６０１ａに開口部６０１ｂが形成される。現像液としては、例えば、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の水酸化物、テトラアンモニウムヒドロキシドのようなアルカリ現像液、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのような有機系現像液等が挙げられる。これらの中でも現像液としては、アルカリ現像液が特に好ましく用いられる。なお、アルカリ現像液は、環境に対する負荷が小さく、残渣が発生し難いという特徴を有する。

また、現像液の供給方法としては、例えば、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が挙げられる。

なお、本実施形態では、塗膜６０１ａがいわゆるポジ型の感光性を有しているが、塗膜６０１ａはいわゆるネガ型の感光性を有していてもよい。

［４］処理工程
次いで、塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１に対し、エッチング処理を施す。この時、開口部６０１ｂを備える塗膜６０１ａがエッチングマスクとして機能する。これにより、開口部６０１ｂに対応する領域のウエハー２０１の表面（上面）に対して選択的にエッチング処理が施される。その結果、ウエハー２０１の表面にパッシベーション膜が形成されている場合、それを除去し、ボンディングワイヤー７０を接続するための電極パッドを露出させることができる。

エッチング処理としては、例えば、図３（ｆ）に示すようにプラズマのウエハー２０１への供給によるプラズマエッチング処理（ドライエッチング処理）、各種ウエットエッチング処理等が挙げられる。プラズマエッチング処理は、一般的に知られた条件で行うことができるが、例えば、処理ガスとしてフッ素化合物ガス（ＣＦ_４、ＣＨＦ_３）、フッ素化合物ガス（ＣＦ_４、ＣＨＦ_３）と酸素ガス（Ｏ_２）との混合物ガス、またはフッ素化合物ガス（ＣＦ_４、ＣＨＦ_３）とアルゴンガス（Ａｒ）との混合物ガスを用い、出力は２００〜２０００Ｗ、時間は０．２〜１５分、ガス流量は５０〜１０００ｓｃｃｍの条件で行うことができる。

その後、必要に応じて塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１にアッシング処理を施す。これにより、エッチング処理によって発生した処理残渣等を除去し、塗膜６０１ａ表面や電極パッド表面を清浄することができる。その結果、後述する接着層６０１の接着力を高めたり、電極パッドに対するボンディングワイヤー７０の接合力を高めたりすることができる。

アッシング処理としては、例えば、プラズマ処理、薬剤を用いたウェット処理等が挙げられる。プラズマ処理は、例えば、処理ガスとして酸素ガス（Ｏ_２）、酸素ガス（Ｏ_２）とアルゴンガス（Ａｒ）との混合物ガス等を用い、出力は２００〜２０００Ｗ、処理時間は０．２〜１５分、ガス流量は５０〜１０００ｓｃｃｍといった条件で行うことができる。

［５］バックグラインド工程
次いで、図３（ｇ）に示すように、塗膜６０１ａ上にバックグラインドフィルム９０を貼り付ける。バックグラインドフィルム９０は、バックグラインド処理の際にウエハー２０１を支持し、ウエハー２０１に欠けや割れ等の不具合が発生するのを抑制する。

次いで、ウエハー２０１の裏面（他方の面側）を研削する（バックグラインド処理）。これにより、図３（ｈ）の破線部分が除去され、ウエハー２０１の厚さを薄くすることができる。バックグラインド処理により、ウエハー２０１の厚さを、元のウエハー２０１の厚さによって異なるが、２０〜１００μｍ程度にまで薄くできる。
バックグラインド処理には、例えばバックグラインディングホイールと呼ばれる装置が用いられる。

なお、本発明の感光性接着剤組成物から得られた塗膜６０１ａを切断することにより、半導体チップ２０との間で十分な接着力を発現する接着層６０１を切り出すことができる。それに加えて、本発明の感光性接着剤組成物から得られた塗膜６０１ａは、バックグラインドフィルム９０に対しても十分な接着力を発現する。したがって、塗膜６０１ａ上にバックグラインドフィルム９０を貼り付けることにより、バックグラインドフィルム９０は、塗膜６０１ａおよびウエハー２０１を確実に支持することができる。これにより、バックグラインド処理時にバックグラインドフィルム９０に対するウエハー２０１の位置ずれが生じないため、高精度なバックグラインド処理をウエハー２０１に対して行うことができる。このため、ウエハー２０１の厚さのバラツキを抑制することができる。その結果、積層したときに傾き等が発生し難い半導体チップ２０を得ることができる。

また、本実施形態の場合、バックグラインド工程に供されるウエハー２０１に対して塗膜６０１ａを成膜し、その状態でバックグラインド処理を行っている。前述したように、塗膜６０１ａは、半導体チップ２０同士を確実に接着し得る機械的特性を備えている。したがって、塗膜６０１ａは、ウエハー２０１とバックグラインドフィルム９０との間に介在して、ウエハー２０１を機械的に支持する機能も併せ持つ。また、塗膜６０１ａは、液相状態でウエハー２０１に成膜された後、若干硬化されているため、ウエハー２０１との密着性が良好である。よって、塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１にバックグラインド処理を施すことにより、より均一な処理が可能になる。

バックグラインドフィルム９０には、ＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルムを用いることができる。このようなバックグラインドフィルム９０を用いることにより、バックグラインド処理後に塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす際、バックグラインドフィルム９０を介して塗膜６０１ａにＵＶ照射処理を施すだけで、バックグラインドフィルム９０と塗膜６０１ａとの間の接着力を大幅に低減することができる。その結果、塗膜６０１ａに大きな負担を及ぼすことなく、バックグラインドフィルム９０を塗膜６０１ａから円滑に剥がすことができる。

［６］ダイシング工程
次いで、ウエハー２０１にダイシング処理を施す。これにより、ウエハー２０１が複数の半導体チップ２０に個片化される（切り分けられる）。

ダイシング処理は、ウエハー２０１をダイシング・ダイアタッチフィルムあるいはダイシングフィルムに貼り付けた状態で行う。このダイシング・ダイアタッチフィルムあるいはダイシングフィルムは、ダイシング処理の際にウエハー２０１を固定するために用いられる。

図３（ｉ１）および図３（ｉ２）は、それぞれバックグラインド工程において研削されたウエハー２０１の裏面側にダイシングフィルム１００ａを貼り付けた例を示す図である。なお、図３（ｉ１）は、チップ積層体２００の最下層（パッケージ基板３０に最も近い層）に用いられる半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１等を図示している。一方、図３（ｉ２）は、チップ積層体２００の最下層以外の層に用いられる半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１等を図示している。

図３（ｉ１）では、ダイシングフィルム１００ａとダイアタッチフィルム１００ｂとの積層体であるダイシング・ダイアタッチフィルム１００がウエハー２０１の裏面に貼り付けられている。一方、図３（ｉ２）では、ウエハー２０１の裏面にダイシングフィルム１００ａが貼り付けられている。

次いで、図４（ｊ１）および図４（ｊ２）に示すように、塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす。

次いで、塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１に対してダイシング処理を施す。ダイシング処理は、図４（ｋ１）および図４（ｋ２）に示すように、ダイシングブレード１１０がダイシングフィルム１００ａに達するように行う。その結果、塗膜６０１ａ、ウエハー２０１およびダイアタッチフィルム１００ｂがそれぞれ個片化され、図４（ｋ１）に示すように、接着層６０１、半導体チップ２０（第１半導体素子）および接着層１０１が積層してなる個片２１が切り出される。同様に、塗膜６０１ａおよびウエハー２０１がそれぞれ個片化され、図４（ｋ２）に示すように、接着層６０１および半導体チップ２０（第２半導体素子）が積層してなる個片２２が切り出される。

なお、本実施形態では、１枚のウエハー２０１（複数の半導体チップ２０の接合体）にダイシング処理を施して複数の半導体チップ２０を切り出している。しかしながら、本発明はこれに限定されず、例えば、あらかじめ個片化されている複数の半導体チップ２０を用いてもよい。この場合、ダイシング工程を省略することができる。また、ウエハー２０１や半導体チップ２０が当初から薄い場合には、バックグラインド工程を省略することができる。

また、バックグラインド工程とダイシング工程の工程順序は、上述した順序に限定されず、それらの順序を入れ替えてもよい。すなわち、ウエハー２０１にダイシング処理を施した後、バックグラインド処理を施すようにしてもよい。

［７］マウント工程
図４（Ｌ１）および図４（Ｌ２）は、それぞれ切り出された個片２１および個片２２をボンディング装置１２０のコレット１２１でピックアップする例を示す図である。

まず、個片２１をボンディング装置１２０のコレット１２１でピックアップし、図５（ａ）に示すように、パッケージ基板３０上に圧着（マウント）する。この際、半導体チップ２０の裏面とパッケージ基板３０とは、接着層１０１を介して接着される。なお、この接着層１０１は、ダイアタッチフィルム１００ｂを個片化して形成される。ただし、接着層１０１は、例えば本発明の感光性接着剤組成物の未硬化物または半硬化物（完全硬化に至っていない感光性接着剤組成物）で形成されてもよい。この場合、パッケージ基板３０も半導体素子２０に接合される非接合部材に相当する。すなわち、本発明の感光性接着剤組成物は、半導体素子２０と半導体素子（被接合部材）２０との接合だけでなく、半導体素子２０とパッケージ基板（被接合部材）３０との接合にも用いることができる。なお、被接合部材はこれらに限定されない。

続いて、先にマウントした個片２１上に、個片２２を圧着する。これにより、図５（ｂ）に示すように、接着層６０１を介して２枚の半導体チップ２０を積層することができる。その後、この工程を繰り返すことにより、図５（ｃ）に示すように、多数の半導体チップ２０を積層してなるチップ積層体２００が得られる。このとき、半導体チップ２０の位置を相互にずらしながら積層することで、半導体チップ２０においてボンディングワイヤー７０を接続する領域（塗膜６０１ａの開口部６０１ｂに対応する領域）を確保することができる。すなわち、半導体チップ２０の位置を相互にずらしながら積層することで、半導体チップ２０の電極部を露出させることができる。

また、半導体チップ２０をマウントする際には、接着層６０１を加熱しながら行うようにする。これにより、接着層６０１が十分な接着力を発現し、半導体チップ２０同士を強固に接着することができる。この場合の加熱温度は、３０〜１５０℃程度であるのが好ましい。また、マウント時の圧着荷重は０．１〜１００Ｎ程度、圧着時間は０．１〜１０秒程度であるのが好ましい。

その後、各半導体チップ２０の電極部とパッケージ基板３０の配線３４の露出部とを、図５（ｄ）に示すように、ボンディングワイヤー７０により接続する。

そして、チップ積層体２００およびパッケージ基板３０を覆うようにモールド部５０を成形することによって、図１に示す半導体装置１０が得られる。

モールド部５０の成形は、例えばトランスファー成形機を用い、封止材料を成形型内に注入することにより行うことができる。その場合、成形型の温度を１３０〜２５０℃程度、注入圧力を３〜１０ＭＰａ程度、注入後の保持時間を１０秒〜１０分程度とすることが好ましい。

離型後、必要に応じて成形体を加熱することにより、モールド部５０および接着層６０１を最終硬化（完全硬化）させることができる。その場合の加熱温度は１３０〜２５０℃程度であるのが好ましく、加熱時間は１０分〜１０時間程度であるのが好ましい。

なお、本発明の半導体装置の製造方法は、上記［３］現像工程と［４］処理工程との間に加熱工程を有していてもよい。この加熱工程では、現像処理が施された塗膜６０１ａを、加熱する（図２（e）参照）。これにより、塗膜６０１ａを構成する感光性接着剤組成物において所定の硬化反応（熱硬化反応）が生じる。その結果、感光性接着剤組成物が若干硬化（半硬化）して、塗膜６０１ａの接着性が増大する。

塗膜６０１ａの加熱温度は、特に限定されないが、８０〜１７０℃であるのが好ましく、１２０〜１６０℃であるのがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜設定されるが、３５〜１２０分であるのが好ましく、４０〜１００分であるのがより好ましい。これにより、塗膜６０１ａの弾性率等の機械的特性が最適化されるとともに、塗膜６０１ａにエッチング処理やアッシング処理に対する十分な耐性が付与される。

また、塗膜６０１ａは、本発明の感光性接着剤組成物で形成されており、このような塗膜６０１ａから形成された接着層６０１は、有機溶剤に対して比較的高い溶解性を示す。このため、例えばウエハー２０１に塗膜６０１ａを成膜した後、この塗膜６０１ａを除去する必要が生じた場合でも、残渣（残留物）の発生を抑制しつつ、塗膜６０１ａを効率よく溶解させ、除去することができる。このため、ウエハー２０１を無駄にすることなく、改めて接着プロセスに供する（リワークする）ことができる。その結果、半導体装置１０の工程歩留まりの改善を図ることができる。

なお、半導体装置の製造方法は、加熱工程に加えて、または加熱工程に代えて、塗膜の全面に光を照射する工程（光照射工程）を有していてもよい。

＜感光性接着剤組成物＞
次に、接着層６０１を構成する感光性接着剤組成物（本発明の感光性接着剤組成物）について説明する。

≪組成≫
感光性接着剤組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）エポキシ化合物と、（Ｄ）フェノール化合物とを含む。

以下、感光性接着剤組成物を構成する各材料について詳細に説明する。
＜（Ａ）アルカリ可溶性樹脂＞
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、接着層６０１の基材となる材料である。また、感光性接着剤組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力（密着力）を高めることができる。そのため、接着層６０１によりは半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる。さらに、感光性接着剤組成物が（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を含むことにより、塗膜６０１ａにアルカリ現像液に対する可溶性を付与することができる。このため、環境負荷が小さいアルカリ現像液を用いることができ、現像工程における環境負荷の低減を図ることができる。

（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としては、具体的には、例えば、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリビニルフェノール系樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としては、環状オレフィン系樹脂であることが特に好ましい。環状オレフィン系樹脂としては、例えば、ノルボルネン系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等が挙げられる。これらの中でも環状オレフィン系樹脂としては、ノルボルネン系樹脂が好ましい。環状オレフィン系樹脂を含む感光性接着剤組成物を用いることで、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。特に、ノルボルネン系樹脂を含む感光性接着剤組成物を用いることにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力をさらに高めることができる。また、ノルボルネン系樹脂は、高い疎水性を有するため、ノルボルネン系樹脂を含む感光性接着剤組成物を用いることで吸水による寸法変化等を生じ難い接着層６０１を形成することができる。

以下、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が環状オレフィン系樹脂である場合を代表に説明する。環状オレフィン系樹脂は、酸性基（酸性を示す置換基）を有することが好ましい。具体的に、環状オレフィン系樹脂は酸性基を有する繰り返し単位（第１の繰り返し単位）を少なくとも１つ有することが好ましい。

第１の繰り返し単位は、主骨格としての環状オレフィン（環状オレフィンモノマー）に由来する構造と、この構造に結合し、酸性基を有する置換基とを備える。

環状オレフィンに由来する構造としては、シクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体などに由来する構造が挙げられる。これらの中でも環状オレフィンに由来する構造としては、ノルボルネンに由来する構造であるのが特に好ましい。ノルボルネンに由来する構造は、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力の向上に寄与する。また、ノルボルネンに由来する構造は、感光性接着剤組成物の耐熱性、および硬化後の感光性接着剤組成物の柔軟性の向上にも寄与する。

酸性基を有する置換基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ_３）_２、−Ｎ（Ｈ）−Ｓ（Ｏ）_２−ＣＦ_３等を有する置換基が挙げられ、これらの中でも、カルボキシル基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ_３）_２のいずれかを有する置換基であるのが特に好ましい。環状オレフィン系樹脂が、このような酸性基を有する置換基を含むことにより、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を高めることができる。そのため、半導体装置の製造において、現像後の感光性接着剤組成物の溶け残りを低減することができ、現像時のパターンニング性をより高めることができる。

このようなことから、第１の繰り返し単位は、特に、下記式（２）および下記式（３）のうちの少なくとも１種であるのが好ましい。環状オレフィン系樹脂がこのような第１の繰り返し単位を含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着性、および感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性をより向上させることができる。

上記式（２）および上記式（３）において、ｘ、ｙは、それぞれ、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、１以上５以下の整数であることがより好ましい。これにより、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる接着層６０１を得ることができる。

環状オレフィン系樹脂は、少なくとも１種の第１の繰り返し単位を有すればよいが、異なる２種以上の第１の繰り返し単位を有することが好ましく、上記式（２）および上記式（３）の双方の第１の繰り返し単位を有することがより好ましい。これにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着性、および感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性をさらに向上させることができる。

環状オレフィン系樹脂中における第１の繰り返し単位の含有率は、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する溶解性を考慮して最適値を決定することができるが、例えば、１０〜８０ｍｏｌ％であるのが好ましく、２０〜７０ｍｏｌ％であるのがより好ましい。第１の繰り返し単位の含有率が前記下限値未満であると、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を十分に発現させることが困難になる場合がある。また、第１の繰り返し単位の含有率が前記上限値を超えると、第１の繰り返し単位の種類によっては、環状オレフィン系樹脂のうちの第１の繰り返し単位以外の構成が備える特性を十分に発現できないおそれがある。

環状オレフィン系樹脂中における酸性基は、ポリマー１ｇあたり０．００１〜０．０１モルであるのが好ましい。０．００１５〜０．００６モルであるのがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を特に高めることができる。

さらに、環状オレフィン系樹脂は、前述した第１の繰り返し単位とは異なる第２の繰り返し単位も有するのが好ましい。

第２の繰り返し単位は、主骨格としての環状オレフィンに由来する構造と、この構造に結合し、前記第１の繰り返し単位が有する置換基とは異なる置換基とを備える。

第２の繰り返し単位の主骨格としては、前述した第１の繰り返し単位で挙げた構造を用いることができる。これらの中でも第２の繰り返し単位の主骨格としては、感光性接着剤組成物の耐熱性や、硬化後の感光性接着剤組成物の柔軟性等の観点から、ノルボルネンに由来する構造であるのが特に好ましい。また、第１および第２の繰り返し単位の主骨格は、それぞれ互いに異なっていてもよいが、同じであるのが好ましい。特に、第１および第２の繰り返し単位の主骨格は、ともにノルボルネンに由来する構造であることが好ましい。これにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力をより高めることができるとともに、接着層６０１の弾性率を適度に下げることができる。そのため、接着層６０１によって、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができるとともに、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることで半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を緩和することができる。

第２の繰り返し単位が有する置換基は、炭素数が２〜３０であるのが好ましく、炭素数が４〜１５であるのがさらに好ましい。炭素数が前記範囲内であると、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率が低下し、接着層６０１の柔軟性を高めることができる。これにより、半導体チップ２０同士の接合界面での応力集中に伴う半導体チップ２０や接着層６０１に生じるクラックや、半導体チップ２０と接着層６０１との剥離をさらに抑制することができる。また、外部からの衝撃による半導体チップ２０や接着層６０１の破損等の発生を抑制することができる。

また、第２の繰り返し単位が有する置換基は、環状構造、分岐状構造等であってもよいが、直鎖状構造であるのが好ましい。これにより、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率をより下げることができ、接着層６０１の柔軟性をより高めることができる。

炭素数が２〜３０の直鎖状の置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルキルエーテル構造を有する基などが挙げられる。これらの中でも炭素数が２〜３０の直鎖状の置換基としては、アルキルエーテル構造を有する基であるのが特に好ましい。これにより、硬化後の感光性接着剤組成物が、優れた柔軟性を有することができる。

アルキルエーテル構造を有する基としては、特に、下記式（１）で表される基であるのが好ましい。これにより、接着層６０１の柔軟性をより高めることができる。

上記式（１）において、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましく、２以上６以下の整数であることがより好ましい。これにより、さらに好適な柔軟性を有する接着層６０１が得られる。

このようなことから、第２の繰り返し単位は、特に、下記式（４）であるのが好ましい。（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が、前述した第１の繰り返し単位に加え、下記式（４）に示す第２の繰り返し単位を有することにより、第１の繰り返し単位によるアルカリ現像液に対する感光性接着剤組成物の溶解性を十分に高めることができるという機能と、第２の繰り返し単位による硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率を適度な値とする機能とを好適に両立させることができる。

特に、上記式（４）において、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましく、２以上５以下の整数であることがより好ましい。これにより、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率をより好適な値とすることができる。

また、環状オレフィン系樹脂が第２の繰り返し単位を含む場合、環状オレフィン系樹脂中における第２の繰り返し単位の含有率は、例えば、２０〜６０ｍｏｌ％であるのが好ましく、２５〜５０ｍｏｌ％であるのがより好ましい。第２の繰り返し単位の含有率が前記下限値未満であると、第２の繰り返し単位の種類によっては、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率を所望の値に調整することが困難な場合がある。また、第２の繰り返し単位の含有率が前記上限値を超えると、第２の繰り返し単位の種類によっては、環状オレフィン系樹脂のうちの第２の繰り返し単位以外の構成が備える特性を十分に発現できないおそれがある。

以上のようなことから、以下の式（５）で表される環状オレフィン系樹脂が好適に用いられる。感光性接着剤組成物は、式（５）で表される環状オレフィン系樹脂を含むことにより、接着層６０１に必要な機械的強度と、より適度な柔軟性（応力緩和性）とを付与することができる。さらに、感光性接着剤組成物は、アルカリ現像液に対する特に優れた溶解性を発揮することができる。加えて、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。

上記式（５）においてｌ、ｍ、ｎは、１以上１００以下の整数である。なお、前述したように、ｘは、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、ｙは、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましい。

式（５）において、第１の繰り返し単位の重合度に対する、第２の繰り返し単位の重合度（すなわち、ｎ／（ｌ＋ｍ））としては、０．３〜２．０であるのが好ましく、０．４〜１．５であるのがより好ましい。これにより、半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を特に緩和することができるとともに、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる接着層６０１を得ることができる。

また、環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は５，０００〜５００，０００であるのが好ましく、７，０００〜２００，０００であるのがより好ましく、８，０００〜１００，０００であるのがさらに好ましい。これにより、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。

なお、環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＡＳＴＭＤＳ３５３６−９１に準拠して、標準とする環状オレフィン系樹脂を用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。

また、環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度は、１００〜２５０℃であることが好ましい。このようなガラス転移温度の環状オレフィン系樹脂を用いることにより、感光性接着剤組成物の耐熱性がより高くなり、高温下での半導体装置１０の信頼性をより高めることができる。

環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度は、例えば示差走査熱量測定法により、常温から昇温速度５℃／分で昇温させたとき、発熱反応が生じる温度として求めることができる。
なお、環状オレフィン系樹脂以外の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂も、環状オレフィン系樹脂で説明したのと同様の条件を満足するように合成することにより、上記と同様の効果が得られる。

＜（Ｂ）光酸発生剤＞
（Ｂ）光酸発生剤は、エネルギー線照射による露光時の光反応で酸を生成し、露光部のアルカリ現像液に対する感光性接着剤組成物の溶解性を増加させることができるポジ型の光酸発生剤としての機能を有する。これにより、半導体装置の製造において、感光性接着剤組成物（塗膜６０１ａ）のうちの露光された部分である露光部において、現像後の溶け残りが生じることをより低減することができる。このため、現像時のパターンニング性を向上させることができる。なお、感光性接着剤組成物は、（Ｂ）光酸発生剤を含むことにより、半導体装置の製造において、エネルギー線照射によって後述する（Ｃ）エポキシ化合物による（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を架橋させる反応を促進することができるネガ型の光酸発生剤としての機能を有していてもよい。

（Ｂ）光酸発生剤としては、具体的には、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、α，α−ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニル−ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ｂ）光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物を用いることが特に好ましい。キノンジアジド化合物としては、例えば、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物等が挙げられる。より具体的には、（Ｂ）光酸発生剤は、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸あるいは１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸とフェノール化合物とのエステル化合物を含むことが好ましい。これらは、エネルギー線照射（特に、放射線照射）による露光時の光反応でカルボキシル基を生成するため、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性をより増加させることができる。このため、感光性接着剤組成物は、特に小さい露光量でもアルカリ現像液に対するより高い溶解性を発揮することができる。その結果、現像時のパターンニング性をより向上させることができる。

（Ｂ）光酸発生剤の含有量は、特に限定されないが、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、１〜５０質量部であるのが好ましく、５〜３０質量部であるのがより好ましい。（Ｂ）光酸発生剤の含有量が前記下限値未満であると、（Ｂ）光酸発生剤の種類等によっては、感光性接着剤組成物の露光、現像特性が低下する可能性がある。また、（Ｂ）光酸発生剤の含有量が前記上限値を超えても、それ以上の効果の増大は見込めず、（Ｂ）光酸発生剤の種類によっては、感光性接着剤組成物中における（Ｂ）光酸発生剤以外の材料が備える特性を十分に発現できないおそれがある。

＜（Ｃ）エポキシ化合物＞
（Ｃ）エポキシ化合物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂（特に、環状オレフィン系樹脂）を架橋する機能を有する。

（Ｃ）エポキシ化合物としては、分子中に芳香環を含む芳香族エポキシ化合物や、分子中に芳香環を含まない脂肪族エポキシ化合物のいずれであってもよい。ただし、（Ｃ）エポキシ化合物としては、脂肪族エポキシ化合物であるのがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度な値とすることができるとともに、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることができる。

また、（Ｃ）エポキシ化合物は、分枝状構造または直鎖状構造であるのが好ましく、分枝状構造であるのがより好ましい。感光性接着剤組成物が分枝状構造をなす（Ｃ）エポキシ化合物を含むことで、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度な値とすることができるとともに、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることができる。これにより、必要な機械的強度を備えつつ、半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を緩和する応力緩和性により優れた接着層６０１が得られる。

また、（Ｃ）エポキシ化合物は、分子内に２つ以上のグリシジル基を含有することが好ましく、分子内に３つ以上９つ以下のグリシジル基を含有することがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度な値とすることができ、必要な機械的強度を備えつつ応力緩和性により優れた接着層６０１を得ることができる。

このような（Ｃ）エポキシ化合物としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ、ＥＸＡ−８３０ＶＬＰ、ＥＸＡ−８３５ＬＶ、ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０−Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０−Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ−８５０−Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ−８５０−ＣＲＰ、ＥＰＩＣＬＯＮ−８５０−ＬＣ、ＨＰ−７２００、ＨＰ−７２００Ｌ、ＨＰ−７２００Ｈ（ＤＩＣ株式会社製)、ＹＨ−３００、ＹＨ−３０１、ＹＤ−８１２５Ｇ、ＹＤＦ−８１７０Ｇ、ＹＤ−８２５ＧＳ、ＹＤ−８２５ＧＳＨ、ＹＤ−８７０ＧＳ、ＺＸ−１０５９、ＺＸ−１５４２、ＰＧ−２０７ＧＳ、ＺＸ−１６５８ＧＳ（新日鉄住金化学株式会社製）、ＹＬ９８０、ＹＬ９８３Ｕ、ＹＬ６８１０、ＹＬ７４１０、ＹＸ７７００、ＹＸ８０００、ＹＸ８０３４、ＹＥＤ２１６Ｄ、ｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５７Ｓ７０、ｊＥＲ１０３２Ｈ６０（三菱化学株式会社製）、ＥＰ−３３００Ｓ、ＥＰ−３９５０Ｌ、ＥＰ−４０００Ｌ、ＥＰ−４０１０Ｌ、ＥＰ−４０８８Ｌ（株式会社ＡＤＥＫＡ）、セロキサイド２０２１Ｐ，セロキサイド２０８１（株式会社ダイセル）、ＥＰＰＮ−２０１−Ｌ、ＥＰＰＮ−５０１Ｈ、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ、ＥＰＰＮ−５０２Ｈ、ＸＤ−１０００（日本化薬）、ＬＸ−０１（ダイソー株式会社）、ＰＧ−１００、ＥＧ−２００、ＥＧ−２８０、ＣＧ−４００、ＣＧ−５００（大阪ガスケミカル株式会社）、ＥＸ−２１１Ｌ、ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ、ＥＸ−９４６Ｌ（ナガセケムテック株式会社）、ＶＧ３１０１Ｌ（株式会社プリンテック）、ＳＲ−１４ＢＪ、ＳＲ−１６Ｈ、ＳＲ−ＴＭＰＬ、ＳＲ−ＰＧ、ＳＲ−ＰＴＭＧ、ＳＲ−８ＥＧＳ（阪本薬品工業株式会社）、シクロヘキセンオキシド型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ｃ）エポキシ化合物としては、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテルであるのが特に好ましい。これにより、感光性接着剤組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋反応を促進することができ、応力緩和性により優れた接着層６０１をより容易かつより確実に得ることができる。

（Ｃ）エポキシ化合物の含有量は、特に限定されないが、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、１〜１００質量部であるのが好ましく、５〜５０質量部であるのがより好ましい。（Ｃ）エポキシ化合物の含有量が前記下限値未満であると、（Ｃ）エポキシ化合物の種類等によっては、接着層６０１の応力緩和性が低下する可能性がある。一方、（Ｃ）エポキシ化合物の含有量が前記上限値を超えると、感光性接着剤組成物の粘度が必要以上に高くなりすぎる場合がある。

＜（Ｄ）融点が５０〜１５０℃であるフェノール化合物＞
感光性接着剤組成物は、（Ｄ）融点が５０〜１５０℃であるフェノール化合物（以下、単に「（Ｄ）フェノール化合物」ということもある。）を含むことにより、例えば、塗膜６０１ａを備えたウエハー２０１をエッチングする際や、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を圧着する際に、接着層６０１と半導体チップ２０との間に気泡が発生するのを抑制することができる。また、接着層６０１と半導体チップ２０との間に気泡が発生した場合でも、その発生した気泡を除去することができる。このように接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が取り残され難くなることで、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力を高めることができ、よって、半導体チップ２０同士を強固に接着することができる。したがって、最終的に、信頼性の高いチップ積層体２００を得ることができる。

さらに、（Ｄ）フェノール化合物を含む感光性接着剤組成物を用いることにより、有機溶剤に対して比較的高い溶解性を示す接着層６０１が得られる。このため、例えばウエハー２０１に感光性接着剤組成物を塗布して得られた塗膜６０１ａを除去する必要が生じた場合でも、残渣（残留物）の発生を抑制しつつ、塗膜６０１ａを効率よく溶解させ、除去することができる。これにより、ウエハー２０１を無駄にすることなく、改めて接着プロセスに供する（リワークする）ことができる。よって、半導体装置１０の工程歩留まりの改善を図ることができる。

また、（Ｄ）フェノール化合物は、融点が５０〜１５０℃であるが、融点が６０〜１３０℃であるのが好ましく、融点が７０〜１２０℃であるのがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物が（Ｄ）フェノール化合物を含むことによる前述した効果をより顕著に発揮することができる。このような（Ｄ）フェノール化合物は、脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物および複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物の少なくとも一方を含むことが好ましい。

また、（Ｄ）フェノール化合物（特に、脂肪族炭化水素基を含む置換基を有するフェノール化合物）は、水酸基当量が１５０〜２５０ｇ／ｅｑであることが好ましく、水酸基当量が１６０〜２４０ｇ／ｅｑであるのがより好ましく、水酸基当量が１８０〜２２０ｇ／ｅｑであるのがさらに好ましい。水酸基当量が前記範囲内であると、アルカリ現像液に対する溶解性がより最適な感光性接着剤組成物が得られる。これに対して、水酸基当量が前記下限値未満であると、（Ｄ）フェノール化合物の種類や添加量等によっては、感光性接着剤組成物の吸水率が高くなり、その信頼性が低下する可能性がある。また水酸基当量が前記上限値を超えると、感光性接着剤組成物のアルカリ現像液への溶解性が著しく低下し、現像後に感光性接着剤組成物の溶け残りが生じてしまうおそれがある。

なお、（Ｄ）フェノール化合物の水酸基当量は、標準アルカリ溶液中に（Ｄ）フェノール化合物を混合した溶液を滴定する方法により測定することができる。

（Ｄ）フェノール化合物が、脂肪族炭化水素基を含む置換基（アルキル鎖（−ＣＨ_２−）ｎを有する置換基）を有するフェノール化合物を含む場合、接着層６０１の有機溶剤に対する溶解性をより高めることができる。このため、塗膜６０１ａを除去する必要が生じた場合でも、塗膜６０１ａをより効率よく溶解させて除去することができるので、リワーク性を高めることができる。

アルキル鎖（−ＣＨ_２−）ｎは、ｎの値が１〜６が好ましく、２〜４がさらに好ましい。これにより、接着層６０１の有機溶剤に対する溶解性をさらに高めることができる。

このような脂肪族炭化水素基を含む置換基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、ブチル基、２，２−ジメチルブチル基などが挙げられる。

また、（Ｄ）フェノール化合物は、安息香酸に由来する構造を有することが好ましい。具体的には、安息香酸、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸等のモノヒドロキシ安息香酸、２，４−ヒドロキシ安息香酸等のジヒドロキシ安息香酸等に由来する構造を有することが好ましい。

このような（Ｄ）フェノール化合物としては、具体的には、例えば、４−（１，１−ジメチルプロピル）フェノール、４−シクロヘキシルフェノール、４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール、４−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブタノン、４’−ヒドロキシブチロフェノン、４’−ヒドロキシバレロフェノン、４’−ヒドロキシヘキサノフェノン、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−ヒドロキシ安息香酸メチル、３−ヒドロキシ安息香酸エチル、４−ヒドロキシ安息香酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸エチル、４−ヒドロキシ安息香酸プロピル、４−ヒドロキシ安息香酸イソプロピル、４−ヒドロキシ安息香酸ブチル、４−ヒドロキシ安息香酸イソブチル、４−ヒドロキシ安息香酸ヘキシル、４−ヒドロキシ安息香酸ベンジル、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、ＢｉｓＰ−ＤＥＤ（本州化学工業株式会社製）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも（Ｄ）フェノール化合物としては、４−ヒドロキシ安息香酸プロピル、４−ヒドロキシ安息香酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸ブチル、４−ヒドロキシ安息香酸ヘキシルであるのが特に好ましい。これにより、半導体チップ２０に対する接着力が特に高く、有機溶剤に対する溶解性がより優れた接着層６０１を得ることができる。

また、（Ｄ）フェノール化合物が、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含む場合、その水酸基当量が５０〜１５０ｇ／ｅｑであることが好ましく、７０〜１３０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、９０〜１１０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。また、複数のフェノール骨格は、フェノール骨格同士が単結合で連結し、互いに直接結合していない連結型の多環構造、またはフェノール骨格同士が単結合を介さず、互いに直接結合した縮合型（融合型）の多環構造のいずれでもよいが、連結型の多環構造であることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に対する接着力が特に高く、有機溶剤に対する溶解性がより優れた接着層６０１を得ることができる。

（Ｄ）フェノール化合物の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．５〜３０質量部であるのが好ましく、１〜２０質量部であるのがより好ましい。（Ｄ）フェノール化合物の含有量が前記下限値未満であると、（Ｄ）フェノール化合物の種類等によっては、感光性接着剤組成物の有機溶剤に対する溶解性が低下する可能性がある。（Ｄ）フェノール化合物の含有量が前記上限値を超えても、それ以上の効果の増大は見込めない。また、この場合、（Ｄ）フェノール化合物の種類によっては、感光性接着剤組成物中における（Ｄ）フェノール化合物以外の材料が備える特性が十分に発現されないおそれがある。

また、感光性接着剤組成物は、上記のような（Ｄ）フェノール化合物を２種以上含むことが好ましい。具体的には、互いに異なる融点である（Ｄ）フェノール化合物を２種以上含むことが好ましく、互いに異なる融点である（Ｄ）フェノール化合物を２種含むことがより好ましい。これにより、感光性接着剤組成物（接着層６０１）の接着性、応力緩和性、および、有機溶剤に対する溶解性をより高めることができる。

なお、（Ｄ）フェノール化合物を２種以上含む場合、それらの合計含有量は、上述した範囲内であるのが好ましい。

以上のような（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）エポキシ化合物と、（Ｄ）フェノール化合物とを感光性接着剤組成物が含むことにより、半導体装置の製造において、例えば、塗膜６０１ａを備えたウエハー２０１をエッチングする際や、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を圧着する際に、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が取り残され難くなる。このため、接着層６０１により半導体チップ２０同士を強固に接着することができ、よって、信頼性の高いチップ積層体２００を得ることができる。また、接着層６０１は、１層構造であるにもかかわらず、十分な接着性に加え、応力緩和性を備えている。このため、半導体チップ２０同士の間に、接着性に優れた層と、応力緩和性に優れた層との２層を設ける必要がなく、よって、チップ積層体２００の全体の厚さが著しく厚くなるのを防止することができる。その結果、低背で、かつ、接着性および応力緩和性に優れた信頼性の高い半導体装置１０を得ることができる。このような半導体装置１０は、例えばモバイル機器のように内容積が極めて小さく、かつ、持ち運びながら使用される電子機器において特に有用である。すなわち、このような半導体装置１０は、電子機器の小型化、薄型化、軽量化に寄与するとともに、電子機器を落としたり振り回したりした場合でも、半導体装置１０の機能が損なわれ難いという点で有用である。

また、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）エポキシ化合物と、（Ｄ）フェノール化合物とを含む感光性接着剤組成物の硬化物は、有機溶剤に対する溶解性、およびリワーク性に優れている。

また、このような感光性接着剤組成物は、（Ｄ）フェノール化合物より融点の高い（Ｘ）フェノール化合物をさらに含むことが好ましい。これにより、接着層６０１の接着性を特に向上させることができる。なお、（Ｘ）フェノール化合物の融点は、１５１〜２５０℃であることが好ましく、１８１〜２３０℃であることがより好ましい。また、（Ｘ）フェノール化合物は、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含むことが好ましい。かかる複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、環状構造を含む置換基であって、少なくとも１つの前記フェノール骨格に結合した置換基を有することが好ましい。これにより、上記効果をより顕著に発揮することができる。

また、（Ｘ）フェノール化合物の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．２〜２０質量部であるのが好ましく、０．５〜１０質量部であるのがより好ましい。（Ｘ）フェノール化合物の含有量が上記範囲内であることにより、上述した効果をより顕著に発揮することができる。

また、感光性接着剤組成物は、（Ｄ）フェノール化合物を２種含み、さらに、（Ｘ）フェノール化合物を含むことが特に好ましい。これにより、接着性、応力緩和性、および、有機溶剤に対する溶解性に特に優れた接着層６０１を得ることができる。

また、感光性接着剤組成物は、必要に応じて、（Ｄ）フェノール化合物および（Ｘ）フェノール化合物以外のフェノール化合物、レベリング剤、難燃剤、可塑剤、硬化促進剤、酸化防止剤、密着助剤等をさらに含んでいてもよい。

酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤およびチオエーテル系酸化防止剤が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。ただし、これらの中でも酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤とアミン系酸化防止剤とを組み合わせて用いることが好ましい。

このような酸化防止剤を含むことにより、感光性接着剤組成物の硬化の際の酸化、およびその後のプロセス等における感光性接着剤組成物（塗膜６０１ａ）の酸化を抑えることができる。

フェノール系酸化防止剤としては、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、３，９−ビス｛２−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル｝２，４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，６−ヘキサンジオール−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジフェニル−４−オクタデシロキシフェノール、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール、ステアリル（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ジステアリル（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ホスホネート、チオジエチレングリコールビス〔（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２−オクチルチオ−４，６−ジ（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−ｓ−トリアジン、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチル−６−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、ビス〔３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド〕グリコールエステル、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−エチリデンビス（４−ｓ−ブチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ビス〔２−ｔ−ブチル−４−メチル−６−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルベンジル）フェニル〕テレフタレート、１．３．５−トリス（２，６−ジメチル−３−ヒドロキシ−４−ｔ−ブチルベンジル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリス〔（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシエチル〕イソシアヌレート、テトラキス〔メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、２−ｔ−ブチル−４−メチル−６−（２−アクリロイルオキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルベンジル）フェノール、３，９−ビス（１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル）−２，４−８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン−ビス〔β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコールビス〔β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート〕、１，１’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２’−メチレンビス（４−メチルー６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−エチルー６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（６−（１−メチルシクロヘキシル）−４−メチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチルー６−ｔ−ブチルフェノール）、３，９−ビス（２−（３−ｔ−ブチルー４−ヒドロキシー５−メチルフェニルプロピオニロキシ）１，１−ジメチルエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、４，４'−チオビス（３−メチルー６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ビス（３，５−ジーｔ−ブチルー４−ヒドロキシベンジル）サルファイド、４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチルー２−メチルフェノール）、２，５−ジーｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ジーｔ−アミルヒドロキノン、２−ｔ−ブチルー６−（３−ｔ−ブチルー２−ヒドロキシー５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，４−ジメチルー６−（１−メチルシクロヘキシル、スチレネイティッドフェノール、２，４−ビス（（オクチルチオ）メチル）−５−メチルフェノール、などが挙げられる。これらの中でも、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール等のフェノール系酸化防止剤が好ましい。

アミン系酸化防止剤としては、Ｎ，Ｎ’−ジ−sec−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジメトキシジフェニルアミン、４−イソポロキシジフェニルアミン、Ｎ−イソプロピル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチル）−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジ（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミンなどが挙げられる。これらの中でもアミン系酸化防止剤としては、４，４’−ジメトキシジフェニルアミン、４−イソポロキシジフェニルアミン、４，４’−ジ（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン等のジフェニルアミン系化合物が好ましい。

リン系酸化防止剤としては、ビス−（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルホスファイト）、テトラキス（２，４−ジーｔ−ブチルー５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホネート−ジエチルエステル、ビス−（２，６−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、トリス（ミックスドモノａｎｄジ−ノニルフェニルホスファイト）、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシカルボニルエチル−フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−オクタデシルオキシカルボニルエチル−フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。これらの中でもリン系酸化防止剤としては、ホスファイトおよびホスフェートが好ましい。

チオエーテル系酸化防止剤としては、ジラウリル３，３’−チオジプロピオネート、ビス（２−メチルー４−（３−ｎ−ドデシル）チオプロピオニルオキシ）−５−ｔ−ブチルフェニル）スルフィド、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリル）チオプロピオネートなどが挙げられる。

感光性接着剤組成物が酸化防止剤を含む場合、酸化防止剤の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．１〜５０質量部であるのが好ましく、０．５〜３０質量部であるのがより好ましい。

また、密着助剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、５，６−エポキシヘキシルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］テトラスルフィド、ビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］ジスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ベンソイロキシプロピルトリメトキシシラン、ベンソイロキシプロピルトリエトキシシラン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ノルボルネニルトリメトキシシラン、ノルボルネニルトリエトキシシラン、３−（トリエトキシシリル）プロピルスクシン酸無水物、６−アジドスルフォニルヘキシルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、［２−（３−シクロヘキセニル）エチル］トリメトキシシラン、［２−（３−シクロヘキセニル）エチル］トリエトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリエトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリメトキシシリル）オクタン、ビス（トリエトキシシリル）オクタン、ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、ビス［（３−メチルジメトキシシリル）プロピル］ポリプロピレンオキサイド、ポリメタクリル酸トリメトキシシリルエステル、ポリメタクリル酸トリエトキシシリルエステル、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、１，３−ジメチルテトラメトキシジシロキサンなどを挙げることができる。ただし、密着助剤は何らこれらに限定されない。これらは単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。このような密着助剤を感光性接着剤組成物に含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力（密着力）をより高めることができる。

感光性接着剤組成物が密着助剤を含む場合、密着助剤の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．１〜３０質量部であるのが好ましく、０．２〜２０質量部であるのがより好ましい。

≪物性≫
次に、感光性接着剤組成物の物性（接着層６０１の物性）について詳細に説明する。

硬化後の感光性接着剤組成物、すなわち接着層６０１の２５℃での弾性率は、２．０〜３．５ＧＰａであるのが好ましい。また、硬化前の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率は、硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率の７０〜１２０％であるのが好ましい。また、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する２５℃での接着力は、２０．０〜２００．０Ｎであるのが好ましい。換言すると、感光性接着剤組成物を用いて、平面視でのサイズが４ｍｍ×４ｍｍの半導体チップ２０上に膜を形成し、膜を硬化（完全硬化）させることなく、未硬化あるいは半硬化状態の膜（硬化前の感光性接着剤組成物）を備える半導体チップ２０にエッチング処理およびアッシング処理を施したとき、膜の半導体チップ２０に対する２５℃での接着力が、２０．０〜２００．０Ｎであることが好ましい。この粘着力を半導体チップ２０の平面視でのサイズの単位面積あたりに換算すると、１．２５〜１２．５ＭＰａ（Ｎ／ｍｍ^２）となる。

このような硬化前の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率が硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率に対して所定の範囲内であることにより、例えば硬化前の感光性接着剤組成物が著しく変形したり、ウエハー２０１から流れ出したりするおそれが小さくなる。このため、半導体チップ２０を積層する際の位置合わせの精度を高めることができる。さらに、硬化前後での弾性率の変化量が比較的小さいことから、感光に伴う収縮量も小さくすることができる。その結果、硬化収縮に伴って接着層６０１と半導体チップ２０との界面に発生する応力を低減することができる。かかる観点からも、チップ積層体２００の信頼性向上に寄与する。

その一方、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物は、半導体チップ２０に対して、ダイボンディングにおいて必要とされる十分な密着力を有する。このため、接着層６０１は、半導体チップ２０同士をより強固に固定し、チップ積層体２００の信頼性向上に寄与している。

以上のような条件を満たす感光性接着剤組成物を用いることにより、十分な接着性と応力緩和性とを両立した接着層６０１を容易に得ることができる。換言すれば、接着層６０１は、それ１層でもってバッファーコート膜の素子保護機能（バッファーコート機能）とダイボンディングフィルムの接着機能（ダイボンディング機能）とを兼ね備えている。このため、チップ積層体２００の信頼性を低下させることなくチップ積層体２００を形成可能にするとともに、２層を用いていた従来に比べてチップ積層体２００を薄くすることができる。また、チップ積層体２００の薄型化に伴い、モールド部５０の体積を減らしたり、ボンディングワイヤー７０の短縮化を図ったりすることができるため、それによる軽量化、低コスト化にも寄与する。

また、硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率は、より好ましくは２．２〜３．２ＧＰａとされ、さらに好ましくは２．４〜３．０ＧＰａとされる。なお、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率が前記下限値を下回ると、感光性接着剤組成物の組成によっては、接着層６０１の接着力が若干低下するおそれがある。また、モールド部５０中にフィラーが含まれている場合にはそのフィラーが接着層６０１を貫通して半導体チップ２０に悪影響を及ぼしたりするおそれもある。一方、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率が前記上限値を上回ると、感光性接着剤組成物の組成によっては、接着層６０１の柔軟性が低下するため、応力緩和性が低下する。このため、例えば半導体チップ２０の積層に伴って生じた残留応力や半導体チップ２０と接着層６０１との熱膨張差に伴う熱応力の局所集中を緩和することができず、半導体チップ２０にクラックを生じさせるおそれがある。

なお、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率は、例えば、超微小硬度計ＥＮＴ−１０００（株式会社エリオニクス製）を用いて、測定温度２５℃、荷重２ｍＮ、保持時間１秒とし、バーコヴィッチ圧子（三角錐、対稜角１１５°）を用いて、ＩＳＯ１４５７７に準拠して測定することにより求めることができる。

また、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率は、マウント工程後の塗膜６０１ａの弾性率として求めることができる。

また、硬化前の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率は、より好ましくは硬化後の感光性接着剤組成物の２５℃での弾性率に対して、７５〜１１５％とされ、さらに好ましくは８０〜１１０％とされる。なお、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率が前記下限値を下回る場合、感光性接着剤組成物の粘着性が大きくなるが、感光性接着剤組成物の被膜が変形し易くなる。その結果、例えばこの被膜を介して半導体チップ２０を仮配置した際に、その位置がずれ易くなったり、あるいは感光性接着剤組成物がウエハー２０１から流れ出したりするおそれがある。一方、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率が前記上限値を上回る場合、粘着性が低下し、半導体チップ２０を仮配置し難くなるおそれがある。
なお、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率も、硬化後の感光性接着剤組成物の弾性率と同様に測定することができる。

また、硬化前の感光性接着剤組成物の弾性率は、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの弾性率として求めることができる。

一方、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する２５℃での接着力は、より好ましくは３０〜１８０Ｎ（１．８７５〜１１．２５ＭＰａ）とされ、さらに好ましくは４０〜１６０Ｎ（２．５〜１０ＭＰａ）とされる。なお、接着力が前記下限値を下回る場合、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が入り込み易くなるおそれがある。一方、接着力が前記上限値を上回る場合、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が入り込んでしまった場合、それが抜け難くなるおそれがある。

なお、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する接着力は、次のようにして測定することができる。まず、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の本発明の感光性接着剤組成物を介して半導体チップ２０同士を接着し、半導体チップ接着体を得る。その後、万能型ボンドテスターＤａｇｅ４０００（デイジ・ジャパン株式会社製）を用い、その半導体チップ接着体のダイシェア強度を半導体チップ２０に対する接着力として求める。ダイシェア強度は、半導体チップ接着体の横（側面）からシェアツールで一方の半導体チップ２０を水平方向（半導体チップ２０の面内方向）に押し、半導体チップ２０間の接合面が破断されたときの強度として求められる。

また、エッチング処理およびアッシング処理に供された硬化前の感光性接着剤組成物の半導体チップ２０に対する接着力は、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの半導体チップ２０に対する接着力として求めることができる。

なお、上記エッチング処理とは、例えば、半導体チップ２０の表面のパッシベーション膜を除去し、ボンディングワイヤー７０を接続するための電極パッドを露出させる処理である。具体的には、ガスとしてフッ素化合物ガス（ＣＦ_４）とアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）の混合ガスを用い、出力は２５００Ｗ、時間は６分、ＣＦ_４流量／Ａｒ流量／Ｏ_２流量は２００ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍとする条件で行うエッチング処理が挙げられる。

また、上記アッシング処理とは、例えば、エッチング処理によって発生した処理残渣等を除去し、接着層６０１表面や電極パッド表面を清浄化する処理である。具体的には、酸素ガス（Ｏ_２）を用い、出力は６００Ｗ、時間は１２分、Ｏ_２流量は２００ｓｃｃｍとする条件で行うプラズマ処理が挙げられる。

なお、このようなエッチング処理およびアッシング処理は、有機材料の劣化を促進させることがある。このため、エッチング耐性およびアッシング耐性が低い塗膜（接着層）である場合、半導体チップ２０同士を十分に接着することができないおそれがある。これに対し、感光性接着剤組成物を用いて形成された塗膜６０１ａ（接着層６０１）は、十分なエッチング耐性およびアッシング耐性を有している。このため、このようなエッチング処理とアッシング処理とを経た後であっても、塗膜６０１ａの接着力の低下が抑えられ、その結果、前述したような接着力を発現する。したがって、このような感光性接着剤組成物は、接着プロセスでの各種処理において接着性の低下を考慮しなくても済むため、半導体装置１０の製造工程の簡略化、低コスト化を容易に図ることができるという点で有用である。

また、感光性接着剤組成物の弾性率の処理工程の前後での変化率は、一定の範囲内であることが好ましい。そのため、この変化率が一定の範囲内になるように、処理工程に対する耐性（エッチング耐性およびアッシング耐性）に影響を及ぼすと考えられる加熱工程における加熱条件を適宜設定することが好ましい。

具体的には、感光性接着剤組成物の加熱工程後でかつ処理工程前における２５℃での弾性率をＸ［ＧＰａ］とし、処理工程後における２５℃での弾性率をＹ［ＧＰａ］としたとき、ＸとＹとが、０．７≦Ｘ／Ｙ≦１．５なる関係を満足するのが好ましく、０．８≦Ｘ／Ｙ≦１．３なる関係を満足するのがより好ましい。処理工程前後での弾性率の変化率が前記関係を満足することで、感光性接着剤組成物で構成された塗膜６０１ａは、パターニングされた形状を保持するのに十分な機械的特性を有するとともに、半導体チップ２０同士を接着するのに十分な接着性を有する。すなわち、エッチング処理およびアッシング処理が行われる処理工程では、塗膜６０１ａの劣化が促進されるが、処理工程の前後における弾性率の変化率が前記関係を満足する場合には、その塗膜６０１ａは、パターニングされた形状を十分に保持しつつ、マウント工程においては接着層６０１として十分に機能する。このため、処理工程の前後における弾性率の変化率が前記関係を満足するとき、そのような感光性接着剤組成物で構成された塗膜６０１ａは、エッチングマスクとしての機能と接着層６０１としての機能とを両立し得る。

なお、上記処理工程では、前述した処理条件を満足するエッチング処理とアッシング処理とが行われる。

また、硬化前の感光性接着剤組成物の１００〜２００℃での最小溶融粘度は、２０〜５００Ｐａ・ｓであるのが好ましい。このような感光性接着剤組成物は、半導体チップ２０に対する濡れ性に優れているため、接着層６０１にボイド等が発生し難くなる。したがって、物性のバラツキが少ない均質な接着層６０１を形成することができる。その結果、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を接着した際、応力の局所集中を招き難く、半導体チップ２０におけるクラックの発生や、半導体チップ２０と接着層６０１との間の剥離の発生等をさらに抑制することができる。なお、硬化前の感光性接着剤組成物の最小溶融粘度は、レオメーターにより測定することができ、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの最小溶融粘度として求めることができる。

なお、硬化前の感光性接着剤組成物の最小溶融粘度は、より好ましくは２５〜４００Ｐａ・ｓとされ、さらに好ましくは３０〜３００Ｐａ・ｓとされる。

また、硬化前の感光性接着剤組成物は、一定の粘着性を有している一方、それに対してＵＶ照射処理を施すことにより、その粘着性を低減させることができる。したがって、ＵＶ照射処理の有無によって、硬化前の感光性接着剤組成物の粘着性（粘着力）を制御することができる。

具体的に、硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する粘着力について説明する。まず、感光性接着剤組成物を用いて、ウエハー２０１上に塗膜６０１ａを形成する。次に、塗膜６０１ａを硬化（完全硬化）させることなく、未硬化または半硬化状態の塗膜６０１ａ（硬化前の感光性接着剤組成物）を備えるウエハー２０１に前述したエッチング処理およびアッシング処理を施す。その後、塗膜６０１ａ上にＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０を貼着し、バックグラインドフィルム９０の塗膜６０１ａに対する２５℃での粘着力を測定する。かかる粘着力は、好ましくは３．０Ｎ／２５ｍｍ以上である。このような感光性接着剤組成物は、エッチング処理やアッシング処理といった有機材料の劣化を促進させるような処理に供された後でも、バックグラインドフィルム９０に対して十分な粘着力を発現し得る。このため、例えば感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａが形成されたウエハー２０１にバックグラインド処理を施すとき、ウエハー２０１を確実に固定することができ、バックグラインド処理の精度をより高めることができる。

なお、上記粘着力は、より好ましくは３．５Ｎ／２５ｍｍ以上１０．０Ｎ／２５ｍｍ以下とされる。

また、前記粘着力は、次のようにして測定することができる。まず、感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａに対して粘着面が接するようにＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０（幅２５ｍｍ、長さ７５ｍｍ）を貼り合わせる。次に、測定温度を２５℃とし、引き剥がし速度を１０．０±０．２ｍｍ／ｓと設定して、剥離角が１８０°になるようにバックグラインドフィルム９０の長手方向の一端を引っ張って、感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を引き剥がす。このときの引き剥がしに要した荷重の平均値（１８０°引き剥がし粘着力、単位：Ｎ／２５ｍｍ、ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）を測定することにより前記粘着力を求めることができる。

一方、ＵＶ照射処理に供された後の硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する５０℃での粘着力は、好ましくは０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。これにより、ＵＶ照射処理に供された後の硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する粘着力を十分に小さくすることができる。そのため、例えば、バックグラインド処理後、感光性接着剤組成物の塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす際、塗膜６０１ａに大きな負荷を及ぼすことなくバックグラインドフィルム９０を円滑に剥がすことができる。加えて、塗膜６０１ａと半導体チップ２０との密着性を損なうことなく、バックグラインドフィルム９０を剥がすことができる。その結果、例えばダイシング処理後、個片２１、２２をピックアップする際に、半導体チップ２０の欠け等の不具合が発生するのを防止することができる。

また、ＵＶ照射処理後の上記粘着力を小さくすることにより、例えばダイシング工程において感光性接着剤組成物がダイシングブレード１１０に付着したり、マウント工程において感光性接着剤組成物がコレット１２１に付着したりするのを抑制することができる。その結果、ダイシング不良やピックアップ不良が発生するのを抑えることができる。

なお、ＵＶ照射処理後の上記粘着力は、より好ましくは０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上０．４０Ｎ／２５ｍｍ以下とされる。

また、ＵＶ照射処理では、波長が３６５ｎｍの光を、積算光量が６００ｍＪ／ｃｍ^２となるようにバックグラインドフィルム９０を介して塗膜６０１ａに照射する。

また、上記ＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０は、アクリル系樹脂製である。

なお、ＵＶ照射処理後の上記粘着力の測定は、エッチング処理およびアッシング処理に供された後の硬化前の感光性接着剤組成物のバックグラインドフィルム９０に対する２５℃での粘着力の前述した測定方法と同様の方法で行うことができる。

以上、本発明について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、感光性接着剤組成物には任意の成分が添加されていてもよい。また、半導体装置には任意の構造体が付加されていてもよい。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
［１］（Ａ）アルカリ可溶性樹脂（環状オレフィン系樹脂Ａ−１）の合成
複数のガラス機器を用意し、これらを６０℃、０．１トル（Ｔｏｒｒ）下で１８時間乾燥した。その後、全てのガラス機器をグローブボックス内に備え付けた。

次に、１つのガラス機器（ガラス機器Ｘ）にトルエン（９９２ｇ）、ジメトキシエタン（１１６ｇ）、１，１−ビストリフルオロメチル−２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−５−イル）エチルアルコール（以下、ＨＦＡＮＢ）（１４８ｇ、０．５４ｍｏｌ）、エチル ３−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−２−イル）プロパネート（以下、ＥＰＥｓＮＢ）（２０．７ｇ、０．１０７ｍｏｌ）、５−（（２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ）メチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（以下、ＮＢＴＯＮ）（６１．９ｇ、０．２７４ｍｏｌ）を仕込み、各モノマーを含む混合物を得た。その後、この混合物を４５℃で加熱しながら３０分間窒素を流すことによりパージ（窒素パージ）を行った。

また、別のガラス機器（ガラス機器Ｙ）で、ＥＰＥｓＮＢ（１４．２ｇ、０．０７３ｍｏｌ）とＮＢＴＯＮ（４６．７ｇ、０．１５９ｍｏｌ）とを混合し、窒素パージを行った。完全に窒素パージが終わった後、６０．５ｍｌのトルエンに溶解させたビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル（５．８２ｇ、０．０１２ｍｏｌ）をガラス機器Ｙ内に投入した。同時に、前述したガラス機器Ｘ内の混合物を、重合反応が一定のレベルで進行するような速度で、３時間かけて、ガラス機器Ｙ内に添加し、反応溶液を得た。

次に、反応溶液を約１Ｌのメタノール／テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（＝４モル／５モル）溶液に溶解させることにより、反応溶液中の未反応モノマーを取り除いた。次に、６０℃で４時間、水酸化ナトリウム／酢酸ナトリウム（＝４．８モル／１モル）の水酸化ナトリウム溶液によって反応溶液中のエステルを加水分解し、溶液Ａを得た。その後、メタノール（４０５ｇ）、ＴＨＦ（８７ｇ）、酢酸（６７ｇ）、ギ酸（６７ｇ）、脱イオン水（２１ｇ）を溶液Ａに加えて、５０℃、１５分間攪拌した。攪拌を止めると溶液Ａ
は水層と有機層に分離するため、上の層の水層を取り除き、有機層を６０℃、１５分間、メタノール／脱イオン水（＝３９０ｇ／２３７６ｇ）溶液で３回洗浄した。そして、得られたポリマーをプロピレングリコールメチルエーテルアセタート中に希釈し、ポリマーの濃度が４０％となるように溶媒置換した。このようにして、式（７）で示す、溶液状態のポリマー（環状オレフィン系樹脂Ａ−１）を得た。

環状オレフィン系樹脂Ａ−１の収率は９３．１％であった。環状オレフィン系樹脂Ａ−１の重量平均分子量（Ｍｗ）は８５，９００であった。環状オレフィン系樹脂Ａ−１の分子量分散（ＰＤ）は２．５２であった。

また、環状オレフィン系樹脂Ａ−１の組成は、^１Ｈ−ＮＭＲにおいて、ＨＦＡＮＢが４５．０モル％、２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−５−イル）プロピオン酸（以下、ＥＰＥＮＢ）が１５．０モル％、ＮＢＴＯＮが４０．０モル％であった。

（式（７）中、ｌ：ｍ：ｎ＝４５：１５：４０である。）

［２］感光性接着剤組成物の作製
前記［１］にて得られた（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としての環状オレフィン系樹脂Ａ−１（固形分として２２．０質量部）と、（Ｂ）光酸発生剤としての光酸発生剤Ｂ−１（４．０質量部）と、（Ｃ）エポキシ化合物としてのエポキシ化合物Ｃ−１（５．０質量部）と、（Ｄ）フェノール化合物としてのフェノール化合物Ｄ−１（３．０質量部）と、酸化防止剤Ｅ−１（２．０質量部）と、酸化防止剤Ｅ−２（３．０質量部）と、溶媒（溶剤）としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセタート（環状オレフィン系樹脂Ａ−１の溶液に含まれているプロピレングリコールメチルエーテルアセタートも含めて６１．０質量部）とを混合し、均一な感光性接着剤組成物を得た。
この実施例１の感光性接着剤組成物で用いた材料を以下に示す。

〈光酸発生剤Ｂ−１〉
光酸発生剤Ｂ−１として、下記式（８）で表される化合物を用意した。

〈エポキシ化合物Ｃ−１〉
エポキシ化合物Ｃ−１として、下記式（９）で表される化合物を用意した。

〈フェノール化合物Ｄ−１〉
フェノール化合物Ｄ−１として、下記式（１０）で表される化合物（４−ヒドロキシ安息香酸ブチル）を用意した。

フェノール化合物Ｄ−１の融点は、７０℃であった。フェノール化合物Ｄ−１の重量平均分子量（Ｍｗ）は１９４であった。フェノール化合物Ｄ−１の水酸基当量は１９４ｇ／ｅｑであった。

〈酸化防止剤Ｅ−１〉
酸化防止剤Ｅ−１として、下記式（１１）で表される化合物（４，４’−ジ（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン）を用意した。

〈酸化防止剤Ｅ−２〉
酸化防止剤Ｅ−２として、下記式（１２）で表される化合物（２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール）を用意した。

（実施例２〜１８、比較例１〜４）
感光性接着剤組成物を構成する材料を表１および表２に示すように変更し、その各材料の含有量を表１および表２に示すように設定した以外は、実施例１と同様にして感光性接着剤組成物を得た。
なお、各実施例および各比較例の感光性接着剤組成物で用いた材料を以下に示す。

〈環状オレフィン系樹脂Ａ−２〉
環状オレフィン系樹脂Ａ−２（（Ａ）アルカリ可溶性樹脂）として、下記式（１３）で表される化合物を用意した。

（式（１３）中、ｌ：ｍ：ｎ＝２５：１５：６０である。）

〈環状オレフィン系樹脂Ａ−３〉
環状オレフィン系樹脂Ａ−３（（Ａ）アルカリ可溶性樹脂）として、下記式（１４）で表される化合物を用意した。

（式（１４）中、ｌ：ｍ：ｎ＝２５：３５：４０である。）

〈フェノール化合物Ｄ−２〉
フェノール化合物Ｄ−２（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１５）で表される化合物（４−ヒドロキシ安息香酸ヘキシル）を用意した。

フェノール化合物Ｄ−２の融点は、５３℃であった。フェノール化合物Ｄ−２の重量平均分子量（Ｍｗ）は２２２であった。フェノール化合物Ｄ−２の水酸基当量は２２２ｇ／ｅｑであった。

〈フェノール化合物Ｄ−３〉
フェノール化合物Ｄ−３（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１６）で表される化合物（４−ヒドロキシ安息香酸メチル）を用意した。

フェノール化合物Ｄ−３の融点は、１２７℃であった。フェノール化合物Ｄ−３の重量平均分子量（Ｍｗ）は１５２であった。フェノール化合物Ｄ−３の水酸基当量は１５２ｇ／ｅｑであった。

〈フェノール化合物Ｄ−４〉
フェノール化合物Ｄ−４（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１７）で表される化合物（２−ドデシルフェノール）を用意した。

フェノール化合物Ｄ−４の融点は、４２℃であった。フェノール化合物Ｄ−４の重量平均分子量（Ｍｗ）は２６２であった。フェノール化合物Ｄ−４の水酸基当量は２６２ｇ／ｅｑであった。

〈フェノール化合物Ｄ−５〉
フェノール化合物Ｄ−５（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１８）で表される化合物（１，８，９−トリヒドロキシアントラセン）を用意した。

フェノール化合物Ｄ−５の融点は、１８１℃であった。フェノール化合物Ｄ−５の重量平均分子量（Ｍｗ）は２２６であった。フェノール化合物Ｄ−５の水酸基当量は１１３ｇ／ｅｑであった。

〈フェノール化合物Ｄ−６〉
フェノール化合物Ｄ−６（（Ｄ）フェノール化合物）として、下記式（１９）で表される化合物（２，２’−ジヒドロキシジフェニルメタン）を用意した。

フェノール化合物Ｄ−６の融点は、１２０℃であった。フェノール化合物Ｄ−６の重量平均分子量（Ｍｗ）は２００であった。フェノール化合物Ｄ−６の水酸基当量は１００ｇ／ｅｑであった。

〈フェノール化合物Ｘ−１〉
フェノール化合物Ｘ−１（（Ｘ）フェノール化合物）として、下記式（２０）で表される化合物（４，４’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール］）を用意した。

フェノール化合物Ｘ−１の融点は、２２２℃であった。フェノール化合物Ｘ−１の重量平均分子量（Ｍｗ）は４８４であった。フェノール化合物Ｘ−１の水酸基当量は１６１ｇ／ｅｑであった。

〈エポキシ化合物Ｃ−２〉
エポキシ化合物Ｃ−２として、下記式（２１）で表される芳香族エポキシ化合物を用意した。

［３］評価用テストピースの作製
まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、塗膜を得た。

次いで、得られた塗膜に対し、１５０℃、４０分間の加熱処理を行って、半硬化（硬化前）の塗膜を得た。
次いで、塗膜を備える半導体チップに対し、エッチング処理およびアッシング処理を順次施した。エッチング処理は、フッ素化合物ガス（ＣＦ_４）とアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）の混合ガスを用い、出力は２５００Ｗ、時間は６分、ＣＦ_４流量／Ａｒ流量／Ｏ_２流量は２００ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍの条件で行った。また、アッシング処理は、Ｏ_２とＡｒの混合ガスを用い、出力は６００Ｗ、時間は１２分、Ｏ_２流量は２００ｓｃｃｍの条件で行った。

次いで、塗膜上に別の半導体チップを重ね、温度１５０℃で加熱しつつ、５秒間、荷重１０Ｎで圧着した。

このようにして、２つの半導体チップが接着層を介して接着された評価用テストピースを作製した。

［４］感光性接着剤組成物および評価用テストピースの評価
［４．１］接着性の評価
［４．１．１］現像時密着性の評価
まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、厚さ１０μｍの塗膜を得た。

次いで、得られた塗膜に対し、幅１００μｍのライン・アンド・スペースパターンのマスクを介して、露光処理を施した。この露光処理は、波長が３６５ｎｍで光強度が５ｍＷ／ｃｍ^２である光を、１枚の塗膜内の部分ごとに異なる時間で空気中で照射することにより行った。

次いで、露光処理を施した塗膜に対し、アルカリ現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で、２３℃、４０秒現像した後、純水で２０秒リンスした。現像後の幅１００μｍの開口部が形成された塗膜（接着層）を光学顕微鏡にて観察し、塗膜が半導体チップから剥がれた程度（パターン剥がれの有無）を下記評価基準に基づいて評価した。

＜評価基準＞
Ａ ：塗膜の全体が、半導体チップから剥がれなかった。
Ｂ ：塗膜の３０％未満が、半導体チップから剥がれた。
Ｃ ：塗膜の３０％以上５０％未満が、半導体チップから剥がれた。
Ｄ ：塗膜の５０％以上が、半導体チップから剥がれた。

なお、比較例１、２、４については、幅１００μｍのパターンを開口する事ができなかったため、現像時密着性の評価を行うことができなかった。また、比較例３についても、塗膜の５０％以上が半導体チップから剥がれており、所望のパターンを開口する事ができなかった。

［４．１．２］接着強度の評価
得られた評価用テストピースについて、Ｄａｇｅ４０００（デイジ・ジャパン株式会社製）を用い、半導体チップの横（側面）からシェアツールで、一方の半導体チップを水平方向に押し、チップ間の接合面が破断されたときのチップあたりのダイシェア強度を測定した。チップサイズは４ｍｍ×４ｍｍであった。
そして、測定したダイシェア強度を、以下の評価基準に基づいて評価した。

＜評価基準＞
Ａ ：ダイシェア強度が非常に高い。
Ｂ ：ダイシェア強度が高い。
Ｃ ：ダイシェア強度が低い。
Ｄ ：ダイシェア強度が非常に低い。

なお、比較例４については、塗膜（接着層）が半導体チップから剥離してしまい、接着強度の評価を行うことができなかった。

［４．２］リワーク性の評価
まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、塗膜を得た。

次いで、得られた塗膜に対し、１５０℃、４０分間の加熱処理を行った。
次いで、加熱処理後の塗膜が形成された半導体チップを、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセタート中に浸漬し、２０時間放置した。

次いで、半導体チップをプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセタート中から取り出し、塗膜の残渣の有無を目視にて観察し、以下の評価基準に基づいてリワーク性を評価した。

＜評価基準＞
Ａ ：塗膜の残渣が全く認められない。
Ｂ ：塗膜の残渣がわずかに認められる。
Ｃ ：塗膜の残渣が多く認められる。
Ｄ ：塗膜がほとんど除去されていない。

［４．３］感光性接着剤組成物の感光性の評価
まず、各実施例および各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、厚さ１０μｍの塗膜を得た。

次いで、得られた塗膜に対し、幅１００μｍのライン・アンド・スペースパターンのマスクを介して、露光処理を施した。この露光処理は、波長が３６５ｎｍで光強度が５ｍＷ／ｃｍ^２である光を、塗膜ごとに時間を変えながら空気中で照射することにより行った。

次いで、露光処理を施した塗膜に対し、現像処理を施した。そして、以下のようにして定義される未露光部の残膜率が９０％以上であって、かつ、露光部の残膜率が０％となるときの最小の露光量（単位：ｍＪ／ｃｍ^２）を求めた。
未露光部の残膜率＝１００×未露光部の現像後の膜厚／プリベーク後の膜厚
露光部の残膜率＝１００×露光部の現像後の膜厚／プリベーク後の膜厚
求めた露光量を表１に示す。

なお、各比較例の塗膜は、露光の際に光反応せず、現像処理によって塗膜を除去することができなかった。そのため、各比較例の塗膜については、感光性の評価（露光量の測定）を行うことができなかった。

［４．５］感光性接着剤組成物の残膜率（残存率）の評価
まず、［４．４］と同様にして、各実施例および各比較例について露光処理を施した塗膜を用意した。次いで、露光処理を施した塗膜に対して現像処理を行った後、１５０℃、４０分間の加熱処理を行った。そして、以下のようにして定義される未露光部の残膜率を求めた。

残膜率＝１００×未露光部の現像後の膜厚／プリベーク後の膜厚
求めた残膜率を表１に示す。

なお、各比較例の塗膜は、露光の際に光反応せず、現像処理によって塗膜を除去することができなかった。そのため、各比較例の塗膜については、残膜率の評価を行うことができなかった。

表１および表２から明らかなように、各実施例の感光性接着剤組成物および評価用テストピースでは、半導体チップとの界面に気泡が残存するのを抑制しつつ、半導体チップと接着層との間に十分な接着力（密着力）があることが認められた。また、所定の加熱処理後の各実施例で用いた塗膜（接着層）は、有機溶剤に対する十分な溶解性を有しており、いわゆるリワーク性が良好であった。さらに、各実施例の評価用テストピースは、未露光部の残存率が高いことが認められた。なお、各実施例の感光性接着剤組成物の硬化物により半導体素子同士を接着した積層型半導体素子を備えた半導体装置は、高い信頼性を有していた。一方、各比較例の感光性接着剤組成物を用いて形成された塗膜は、上記［４．３］で述べたように、現像処理によって塗膜を除去することができなかった。そのため、積層型半導体素子を備えた半導体装置を得ることができなかった。

本発明の感光性接着剤組成物の硬化物を、半導素子同士を接着する接着層として用いることで、半導体素子と接着層との界面に気泡（ボイド）が発生することを低減することができ、また、界面に気泡が発生してもその発生した気泡を除去することができる。その結果、半導体素子同士の接着性（密着性）を高めることができる。したがって、本発明は産業上の利用可能性を有する。

Claims (7)

1. （Ａ）下記式（５）で示されるアルカリ可溶性樹脂と、
   （Ｂ）光酸発生剤と、
   （Ｃ）下記式（９）で示されるエポキシ化合物と、
   （Ｄ）融点が５０〜１５０℃であり、アルキル鎖（−ＣＨ_２−）_ｎを含む置換基（ただし、ｎは１〜６）を有し、下記式（１０）で示されるフェノール化合物、下記式（１５）で示されるフェノール化合物、下記式（１６）で示されるフェノール化合物、および、下記式（１９）で示されるフェノール化合物のうちの少なくとも１種と、
   （Ｘ）融点が１５１〜２５０℃であるフェノール化合物と、
   を含むことを特徴とする感光性接着剤組成物。
   ［上記式（５）において、ｌ、ｍ、ｎは、１以上１００以下の整数である。また、ｘは、０以上１０以下の整数であり、ｙは、０以上１０以下の整数であり、ｚは、１以上１０以下の整数である。］
   
2. 前記（Ｘ）フェノール化合物は、複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物を含む請求項１に記載の感光性接着剤組成物。
3. 前記複数のフェノール骨格を有するフェノール化合物は、環状構造を含む置換基であって、少なくとも１つの前記フェノール骨格に結合した置換基を有する請求項２に記載の感光性接着剤組成物。
4. 前記（Ｄ）フェノール化合物は、その水酸基当量が１５０〜２５０ｇ／ｅｑである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
5. 融点が異なる２種以上の前記（Ｄ）フェノール化合物を含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物。
6. 積層型半導体素子を備える半導体装置であって、
   前記積層型半導体素子は、複数の半導体素子と、前記半導体素子同士の間に設けられ、これらを接合する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物の硬化物とを有することを特徴とする半導体装置。
7. 半導体素子と、
   被接合部材と、
   前記半導体素子と前記被接合部材との間に設けられ、これらを接合する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の感光性接着剤組成物の硬化物と、
   を有することを特徴とする半導体装置。