WO2016015417A1 - 柔性显示基板及其制备方法与显示装置 - Google Patents

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substrate
layer
blocking layer
display substrate
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任庆荣
郭炜
马凯葓
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京东方科技集团股份有限公司
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    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to a flexible display substrate, a method of fabricating the same, and a display device.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • EPDs flexible electronic paper displays
  • a substrate coated with a polyimide film is used as a substrate.
  • a flexible display substrate comprising a flexible material layer and a display unit, further comprising: a laser blocking layer disposed between the flexible material layer and the display unit.
  • the material of the laser blocking layer is indium gallium zinc oxide.
  • the thickness of the laser blocking layer is .
  • the layer of flexible material is a polyimide film.
  • the flexible display substrate is a flexible array substrate; the display unit comprises a low temperature polysilicon thin film transistor.
  • a method of fabricating a flexible display substrate comprising:
  • the flexible material layer is separated from the substrate by laser lift-off to obtain a flexible display substrate.
  • the material of the laser blocking layer is indium gallium zinc oxide.
  • the laser blocking layer is formed by magnetron sputtering deposition.
  • the substrate is a glass substrate.
  • the prepared flexible display substrate is a flexible array substrate
  • the display unit Includes low temperature polysilicon thin film transistors.
  • the forming the display unit on the laser blocking layer comprises:
  • the amorphous silicon layer is converted into a polysilicon layer by laser annealing.
  • a display device including the above-described flexible display substrate is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a flexible display substrate of the present invention
  • 1 substrate; 2: flexible material layer; 3: laser blocking layer; 4: display unit.
  • the flexible display substrate includes a substrate 1 , a flexible material layer 2 , a laser blocking layer 3 , and a display unit 4 .
  • the substrate 1 is a glass substrate;
  • the flexible material layer 2 is a polyimide film (PI film);
  • the laser blocking layer is an indium gallium zinc oxide (IGZO) film; and the thickness of the laser blocking layer 3 is, for example, about .
  • the embodiment further provides a method for preparing the flexible substrate, which comprises:
  • Step 1 forming a flexible material layer 2 on the substrate 1;
  • Step 2 forming a laser blocking layer 3 on the flexible material layer 2 by magnetron sputtering deposition
  • Step 3 forming a display unit 4 on the laser blocking layer 3;
  • Step 4 Separating the flexible material layer 2 from the substrate 1 by laser lift-off to obtain a flexible display substrate.
  • step 3 includes first forming an amorphous silicon layer on the laser blocking layer 3; then converting the amorphous silicon layer into a polysilicon layer by laser annealing.
  • the laser is ultraviolet light having a wavelength of 308 nm.
  • Indium gallium zinc oxide has strong absorption capacity for ultraviolet light of 308 nm wavelength, can effectively absorb laser energy during crystallization of amorphous silicon, and can reduce the risk of local carbonization of flexible material layer; at the same time, indium gallium zinc oxide has visible light
  • the larger transmittance can be etched without a separate mask, which improves production efficiency and reduces production costs.
  • the flexible display substrate film provided in the embodiment can reduce the process defects caused by local carbonization of the flexible material layer caused by crystallization, and overcome the problem that the transmittance of the double amorphous silicon layer is reduced, and the integrated circuit cannot be aligned. The problem.
  • the difference between this embodiment and the first embodiment is that the thickness of the laser blocking layer 3 is .
  • the difference between this embodiment and the first embodiment is that the thickness of the laser blocking layer 3 is .

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
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Abstract

提供一种柔性显示基板及其制备方法与显示装置。该柔性显示基板包括柔性材料层（2）和显示单元（4），以及设于所述柔性材料层（2）和所述显示单元（4）之间的激光阻挡层（3）。该柔性显示基板可避免激光对柔性材料层造成局部碳化。

Description

柔性显示基板及其制备方法与显示装置 技术领域
本发明实施例涉及一种柔性显示基板及其制备方法与显示装置。
背景技术
在通过广大研究者及工程师的开发下，柔性显示(Flexible Display)技术迅速发展。目前研究较多的是柔性有机发光二极管(OLED)、柔性电子纸显示(EPD)等。
已知在柔性显示面板中，采用涂覆聚酰亚胺薄膜(PI膜)的基板作为衬底。
发明内容
根据本发明一方面，提供一种柔性显示基板，包括柔性材料层和显示单元，还包括：设于所述柔性材料层和所述显示单元之间的激光阻挡层。
在一个示例中，所述激光阻挡层的材料为铟镓锌氧化物。
在一个示例中，所述激光阻挡层的厚度为。
在一个示例中，所述柔性材料层为聚酰亚胺薄膜。
在一个示例中，所述柔性显示基板为柔性阵列基板；所述显示单元包括低温多晶硅薄膜晶体管。
根据本发明另一方面，提供一种柔性显示基板的制备方法，包括：
在基板上形成柔性材料层；
在柔性材料层上形成激光阻挡层；
在激光阻挡层上形成显示单元；
通过激光剥离的方式使柔性材料层与基板分离，得到柔性显示基板。
在一个示例中，所述激光阻挡层的材料为铟镓锌氧化物。
在一个示例中，所述激光阻挡层通过磁控溅射沉积形成。
在一个示例中，所述基板为玻璃基板。
在一个示例中，所制备的柔性显示基板为柔性阵列基板，所述显示单元 包括低温多晶硅薄膜晶体管。
在一个示例中，所述在激光阻挡层上形成显示单元包括：
在激光阻挡层上形成非晶硅层；
通过激光退火将非晶硅层转变为多晶硅层。
根据本发明再一方面，提供一种显示装置，包括上述的柔性显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为本发明柔性显示基板的切面示意图；
1：基板；2：柔性材料层；3：激光阻挡层；4：显示单元。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1所示，本实施例所述的柔性显示基板包括基板1、柔性材料层2、激光阻挡层3、显示单元4。
例如，基板1为玻璃基板；柔性材料层2为聚酰亚胺薄膜(PI膜)；激光阻挡层为铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜；激光阻挡层3的厚度例如约为
Figure PCTCN2014092064-appb-000002
。
本实施例还提供一种上述柔性基板的制备方法，包括：
步骤1：在基板1上形成柔性材料层2；
步骤2：在柔性材料层2上通过磁控溅射沉积形成激光阻挡层3；
步骤3：在激光阻挡层3上形成显示单元4；
步骤4：通过激光剥离的方式使柔性材料层2与基板1分离，得到柔性显示基板。
在一个示例中，步骤3包括：先在激光阻挡层3上形成非晶硅层；然后通过激光退火将非晶硅层转变为多晶硅层。
在一个示例中，所述激光为波长308nm的紫外光。
铟镓锌氧化物对308nm波长的紫外光具有较强的吸收能力，能够有效吸收非晶硅晶化时的激光能量，可以降低柔性材料层局部碳化的风险；同时铟镓锌氧化物对可见光有较大的透过率，可以不需要单独加一道掩模进行刻蚀，提高了生产效率，降低了生产成本。本实施例所提供的柔性显示基板膜既能降低晶化造成的柔性材料层局部碳化导致的工艺不良，又克服了因双非晶硅层透过率降低，造成集成电路压焊时无法对位的问题。
实施例2
本实施例与实施例1相比，区别点仅在于：激光阻挡层3的厚度为
Figure PCTCN2014092064-appb-000003
。
实施例3
本实施例与实施例1相比，区别点仅在于：激光阻挡层3的厚度为
Figure PCTCN2014092064-appb-000004
。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
本申请基于并且要求于2014年7月28日递交的中国专利申请第201410363651.7号的优先权，在此全文引用上述中国专利申请公开的内容。

Claims (12)

  1. 一种柔性显示基板，包括柔性材料层和显示单元，还包括：设于所述柔性材料层和所述显示单元之间的激光阻挡层。
  2. 根据权利要求1所述的柔性显示基板，其中所述激光阻挡层的材料为铟镓锌氧化物。
  3. 根据权利要求1所述的柔性显示基板，其中所述激光阻挡层的厚度为
    Figure PCTCN2014092064-appb-100001
  4. 根据权利要求1所述的柔性显示基板，其中所述柔性材料层为聚酰亚胺薄膜。
  5. 根据权利要求1-4任一项所述的柔性显示基板，其中所述柔性显示基板为柔性阵列基板；所述显示单元包括低温多晶硅薄膜晶体管。
  6. 一种柔性显示基板的制备方法，包括：
    在基板上形成柔性材料层；
    在柔性材料层上形成激光阻挡层；
    在激光阻挡层上形成显示单元；
    通过激光剥离的方式使柔性材料层与基板分离，得到柔性显示基板。
  7. 根据权利要求6所述的制备方法，其中所述激光阻挡层的材料为铟镓锌氧化物。
  8. 根据权利要求6所述的制备方法，其中所述激光阻挡层通过磁控溅射沉积形成。
  9. 根据权利要求6所述的制备方法，其中所述基板为玻璃基板。
  10. 根据权利要求6所述的制备方法，其中所制备的柔性显示基板为柔性阵列基板，所述显示单元包括低温多晶硅薄膜晶体管。
  11. 根据权利要求6所述的制备方法，其中所述在激光阻挡层上形成显示单元包括：
    在激光阻挡层上形成非晶硅层；
    通过激光退火将非晶硅层转变为多晶硅层。
  12. 一种显示装置，包括权利要求1-5任意一项所述的柔性显示基板。
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