CN104064685A - 柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 206010020843 Hyperthermia Diseases 0.000 description 3
- 230000036031 hyperthermia Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
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Abstract
本发明公开了一种柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置。该柔性显示基板包括：柔性基底，所述柔性基底的上方形成有薄膜晶体管和发光器件，所述柔性基底与所述薄膜晶体管之间形成有挡光层，所述挡光层用于阻挡从所述柔性基底一侧照射的激光。本发明提供的柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置的技术方案中，柔性基底与薄膜晶体管之间形成有挡光层，该挡光层可阻挡从柔性基底一侧照射的激光，避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，从而避免了薄膜晶体管的阈值电压漂移以及薄膜晶体管特性失效，进而避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置。
背景技术
柔性显示装置具有携带方便以及可弯折卷曲等优点，因此成为目前显示技术中研究和开发的热点。
现有技术中，柔性显示基板的制造方式通常可包括：在承载基板上涂布柔性基底，在柔性基底上制备薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称：TFT)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)以形成柔性显示基板，在制备完成之后再将制作好的柔性显示基板从承载基板上剥离下来。激光剥离是一种常用的柔性显示基板剥离技术，采用激光从承载基板一侧照射，将激光聚焦于承载基板和柔性基底的粘结层，从而在激光的作用下实现承载基板和柔性基底的分离。
但是，在激光剥离过程中，激光会穿过柔性基底照射到薄膜晶体管，对薄膜晶体管造成损伤，这将导致薄膜晶体管的阈值电压漂移以及薄膜晶体管特性失效，从而导致柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。
发明内容
本发明提供一种柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置，用于避免薄膜晶体管的阈值电压漂移以及薄膜晶体管特性失效，从而避免柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种柔性显示基板，包括：柔性基底，所述柔性基底的上方形成有薄膜晶体管和发光器件，所述柔性基底与所述薄膜晶体管之间形成有挡光层，所述挡光层用于阻挡从所述柔性基底一侧照射的激光。
可选地，所述挡光层为反光层，所述反光层用于反射从所述柔性基底一侧照射的激光。
可选地，所述反光层的材料包括铝或银。
可选地，所述挡光层的厚度包括：10nm至100nm。
可选地，还包括：位于所述挡光层与所述薄膜晶体管之间的隔热层，所述隔热层用于隔绝所述激光产生的热量。
可选地，所述隔热层的材料包括氧化锆。
可选地，所述隔热层的厚度包括：10nm至500nm。
为实现上述目的，本发明提供了一种柔性显示装置，包括：上述柔性显示基板。
为实现上述目的，本发明提供了一种柔性显示基板的制造方法，包括：
在承载基板上形成柔性基底；
在所述柔性基底的上方形成挡光层，所述挡光层用于阻挡从所述柔性基底一侧照射的激光；
在所述挡光层的上方形成薄膜晶体管和发光器件；
通过激光剥离工艺将柔性基底和承载基板分离。
可选地，所述在所述挡光层的上方形成薄膜晶体管和发光器件之前还包括：
在所述柔性基底的上方形成隔热层，所述隔热层位于所述挡光层与所述薄膜晶体管之间且所述隔热层用于隔绝所述激光产生的热量。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置的技术方案中，柔性基底与薄膜晶体管之间形成有挡光层，该挡光层可阻挡从柔性基底一侧照射的激光，避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，从而避免了薄膜晶体管的阈值电压漂移以及薄膜晶体管特性失效，进而避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种柔性显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例三提供的一种柔性显示基板的制造方法的流程图；
图3a为实施例三中形成柔性基底的示意图；
图3b为实施例三中形成挡光层的示意图；
图3c为实施例三中形成隔热层的示意图；
图3d为实施例三中形成缓冲层的示意图；
图3e为实施例三中形成薄膜晶体管的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种柔性显示基板的结构示意图，如图1所示，该柔性显示基板包括：柔性基底11，柔性基底11的上方形成有薄膜晶体管12和发光器件，柔性基底11与薄膜晶体管12之间形成有挡光层13，挡光层13用于阻挡从柔性基底11一侧照射的激光。
优选地，柔性基底的材料可包括：聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。本实施例中，优选地，挡光层13为反光层。该反光层用于反射从柔性基底一侧照射的激光，以实现阻挡从柔性基底11一侧照射的激光，从而避免了激光对薄膜晶体管12的照射。
其中，反光层的材料可以为具有良好反射效果的金属，例如：反光层的材料可以包括铝或者银，其中，优选地，反光层的材料为铝，因为铝在很宽的光谱范围内都具有很高的反射率，可以对剥离时使用的激光具有很好的反射效果，而且铝材料使用广泛且价格合理。或者，在实际应用中，反光层的材料还可以为有机反光材料。
优选地，挡光层的厚度为：10nm至100nm，既能够保证该挡光层具有良好的遮挡激光的作用，又能够使得厚度不是太厚，该厚度范围对于本实施例来说是优选的厚度范围。
可选地，该柔性显示基板还包括：位于挡光层13与薄膜晶体管12之间的隔热层14，隔热层14用于隔绝激光产生的热量，从而避免了激光产生的热量对薄膜晶体管12造成损伤。
优选地，隔热层14的材料为氧化锆，氧化锆具有很好的隔热效果。在实际应用中，隔热层14还可以采用其它具备隔热效果的材料，此处不再一一列举。该隔热层14可与挡光层13一起对薄膜晶体管和发光器件起到保护作用。
优选地，隔热层14的厚度包括：10nm至500nm，既能够保证该隔热层具有良好的隔热作用，又能够使得厚度不是太厚，该厚度范围对于本实施例来说是优选的厚度范围。
本实施例中，薄膜晶体管12包括：栅极121、有源层122、源极123和漏极124，有源层122位于栅极121的上方，源极123和漏极124位于有源层122之上。其中，栅极121之上形成有栅绝缘层15，有源层122位于栅绝缘层15之上。优选地，栅绝缘层15的材料为复合结构的氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)。优选地，有源层122的材料为铟镓锌氧化物(IGZO)。优选地，有源层122上还形成有刻蚀阻挡层16，源极123和漏极124部分位于刻蚀阻挡层16之上。优选地，刻蚀阻挡层16的材料为SiOx。进一步地，源极123和漏极124之上还形成有钝化层17，优选地，钝化层17的材料为SiOx。进一步地，该柔性显示基板还包括：像素电极18，该像素电极18位于钝化层17之上，且通过设置于钝化层17上的过孔19与漏极124连接。优选地，像素电极18的材料为铟锡氧化物(ITO)。
本实施例中，可选地，该柔性显示基板还包括：缓冲层20。该缓冲层20形成于挡光层13之上。则栅极121形成于缓冲层20之上。优选地，缓冲层20的材料可以为SiNx。该缓冲层20用于阻挡水氧。
本实施例中，像素电极18为发光器件的一个电极，例如：阳极。且该像素电极18与薄膜晶体管12连接。具体地，该发光器件可以为OLED。
本实施例提供的柔性显示基板的技术方案中，柔性基底与薄膜晶体管之间形成有挡光层，该挡光层可阻挡从柔性基底一侧照射的激光，避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，从而避免了薄膜晶体管的阈值电压漂移以及薄膜晶体管特性失效，进而避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。挡光层与薄膜晶体管之间还可以设置有隔热层，该隔热层可隔绝激光产生的热量，从而有效避免了激光产生的热量对薄膜晶体管和发光器件造成的损伤，进一步避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。当挡光层为反光层时，反光层可反射从柔性基底一侧照射的激光，一方面避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，另一方面还可以将激光产生的热量传导至其他部位，从而有效防止局部高温的产生，进一步避免了激光产生的热量对薄膜晶体管或者发光器件造成的损伤。
本发明实施例二提供了一种柔性显示装置，该柔性显示装置包括：柔性显示基板。该柔性显示基板可采用上述实施例一提供的柔性显示基板，此处不再具体描述。
本实施例提供的柔性显示装置的技术方案中，柔性基底与薄膜晶体管之间形成有挡光层，该挡光层可阻挡从柔性基底一侧照射的激光，避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，从而避免了薄膜晶体管的阈值电压漂移以及薄膜晶体管特性失效，进而避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。挡光层与薄膜晶体管之间还可以设置有隔热层，该隔热层可隔绝激光产生的热量，从而有效避免了激光产生的热量对薄膜晶体管和发光器件造成的损伤，进一步避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。当挡光层为反光层时，反光层可反射从柔性基底一侧照射的激光，一方面避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，另一方面还可以将激光产生的热量传导至其他部位，从而有效防止局部高温的产生，进一步避免了激光产生的热量对薄膜晶体管或者发光器件造成的损伤。
图2为本发明实施例三提供的一种柔性显示基板的制造方法的流程图，如图2所示，该方法包括：
步骤101、在承载基板上形成柔性基底。
其中，承载基板可以采用透明的玻璃或蓝宝石基板，以下以承载基板采用玻璃基板为例来进行说明。图3a为实施例三中形成柔性基底的示意图，如图3a所示，在玻璃基板10上形成柔性基底11。具体地，可通过涂布或者黏贴工艺在玻璃基板10上形成柔性基底11。
步骤102、在柔性基底的上方形成挡光层，挡光层用于阻挡从柔性基底一侧照射的激光。
图3b为实施例三中形成挡光层的示意图，如图3b所示，在柔性基底11上形成挡光层13。具体地，可通过溅射镀膜(Sputter)工艺在柔性基底11上形成挡光层13。优选地，挡光层13为反光层。对挡光层13的具体描述可参见上述实施例一中的描述。
可选地，步骤102之后还包括：在柔性基底的上方形成隔热层，隔热层位于挡光层与薄膜晶体管之间且隔热层用于隔绝激光产生的热量。
图3c为实施例三中形成隔热层的示意图，如图3c所示，在挡光层13之上形成隔热层14。具体地，可通过电子束加热蒸镀工艺、溅射镀膜工艺或者等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)工艺在挡光层13上沉积隔热层14。
可选地，步骤102之后还包括：在隔热层之上形成缓冲层。
图3d为实施例三中形成缓冲层的示意图，如图3d所示，在隔热层14之上形成缓冲层20。具体地，可通过PECVD工艺在隔热层14上沉积缓冲层20。
本实施例中，隔热层14还可以起到隔绝水氧的作用，从而在通过PECVD工艺沉积缓冲层20时可采用较低的工艺温度，进而有效避免了沉积缓冲层20时工艺温度过高而导致的柔性基底变形的问题。
步骤103、在挡光层的上方形成薄膜晶体管和发光器件。
图3e为实施例三中形成薄膜晶体管的示意图，如图3e所示，具体地，步骤103可包括：
步骤1031、在缓冲层20上形成栅极121以及栅线。
具体地，可通过溅射镀膜工艺在缓冲层20上沉积栅金属层，对栅金属层进行构图工艺形成栅极121以及栅线。其中，栅线在图中未具体画出。
步骤1032、在栅极121以及栅线上形成栅绝缘层15。
具体地，可通过PECVD工艺在栅极121以及栅线上沉积栅绝缘层15。
步骤1033、在栅绝缘层15上形成有源层122。
具体地，可通过溅射镀膜工艺在栅绝缘层15上沉积有源层材料，对有源层材料进行构图工艺形成有源层122。
步骤1034、在有源层122上形成刻蚀阻挡层16。
具体地，可通过PECVD工艺在有源层122上沉积刻蚀阻挡层材料，对刻蚀阻挡层材料进行干刻工艺形成刻蚀阻挡层16。
步骤1035、在刻蚀阻挡层16上形成源极123、漏极124以及数据线。
具体地，可通过溅射镀膜工艺在刻蚀阻挡层16上沉积源漏金属层，对源漏金属层进行构图工艺形成源极123、漏极124以及数据线。其中，数据线在图中未具体画出。
步骤1036、在源极123、漏极124以及数据线上形成钝化层17。
具体地，可通过PECVD工艺在源极123、漏极124以及数据线上沉积钝化层17。
步骤1037、在钝化层17上形成过孔19。
具体地，可通过干刻工艺在钝化层17上形成过孔19。
步骤1038、在钝化层17上形成发光器件，该发光器件包括像素电极18，像素电极18通过过孔19与漏极124连接。
具体地，可通过溅射镀膜工艺在钝化层17上形成像素电极材料，对像素电极材料进行构图工艺形成像素电极18。其中，发光器件可以为OLED，发光器件中的其它结构不再具体画出。
步骤104、通过激光剥离工艺将柔性基底和玻璃基板分离。
通过激光剥离工艺将柔性基底11和玻璃基板10分离，从而形成如图1所示的柔性显示基板。
本实施例中，构图工艺可包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
本实施例提供的柔性显示基板的制造方法可用于制造上述实施例一提供的柔性显示基板，对柔性显示基板各结构的具体描述可参见实施例一，此处不再赘述。
本实施例提供的柔性显示基板的制造方法制造出的柔性显示基板的技术方案中，柔性基底与薄膜晶体管之间形成有挡光层，该挡光层可阻挡从柔性基底一侧照射的激光，避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，从而避免了薄膜晶体管的阈值电压漂移以及薄膜晶体管特性失效，进而避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。挡光层与薄膜晶体管之间还可以设置有隔热层，该隔热层可隔绝激光产生的热量，从而有效避免了激光产生的热量对薄膜晶体管和发光器件造成的损伤，进一步避免了柔性显示基板在激光剥离后产生显示效果下降甚至不能正常显示的问题。当挡光层为反光层时，反光层可反射从柔性基底一侧照射的激光，一方面避免了激光对薄膜晶体管造成损伤，另一方面还可以将激光产生的热量传导至其他部位，从而有效防止局部高温的产生，进一步避免了激光产生的热量对薄膜晶体管或者发光器件造成的损伤。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种柔性显示基板，包括：柔性基底，所述柔性基底的上方形成有薄膜晶体管和发光器件，其特征在于，所述柔性基底与所述薄膜晶体管之间形成有挡光层，所述挡光层用于阻挡从所述柔性基底一侧照射的激光。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述挡光层为反光层，所述反光层用于反射从所述柔性基底一侧照射的激光。
3.根据权利要求2所述的柔性显示基板，其特征在于，所述反光层的材料包括铝或银。
4.根据权利要求1至3任一所述的柔性显示基板，其特征在于，所述挡光层的厚度为：10nm至100nm。
5.根据权利要求1至3任一所述的柔性显示基板，其特征在于，还包括：位于所述挡光层与所述薄膜晶体管之间的隔热层，所述隔热层用于隔绝所述激光产生的热量。
6.根据权利要求5所述的柔性显示基板，其特征在于，所述隔热层的材料包括氧化锆。
7.根据权利要求5所述的柔性显示基板，其特征在于，所述隔热层的厚度包括：10nm至500nm。
8.一种柔性显示装置，其特征在于，包括：上述权利要求1至7任一所述的柔性显示基板。
9.一种柔性显示基板的制造方法，其特征在于，包括：
在承载基板上形成柔性基底；
在所述柔性基底的上方形成挡光层，所述挡光层用于阻挡从所述柔性基底一侧照射的激光；
在所述挡光层的上方形成薄膜晶体管和发光器件；
通过激光剥离工艺将柔性基底和承载基板分离。
10.根据权利要求9所述的柔性显示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述挡光层的上方形成薄膜晶体管和发光器件之前还包括：
在所述柔性基底的上方形成隔热层，所述隔热层位于所述挡光层与所述薄膜晶体管之间且所述隔热层用于隔绝所述激光产生的热量。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410211589.XA CN104064685B (zh) | 2014-05-19 | 柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置 | |
| PCT/CN2014/089298 WO2015176487A1 (zh) | 2014-05-19 | 2014-10-23 | 柔性显示基板及其制造方法、和柔性显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410211589.XA CN104064685B (zh) | 2014-05-19 | 柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104064685A true CN104064685A (zh) | 2014-09-24 |
| CN104064685B CN104064685B (zh) | 2016-11-30 |
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|---|---|
| WO2015176487A1 (zh) | 2015-11-26 |
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