CN108054186A - 柔性阵列基板及制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了柔性阵列基板及其制备方法和显示装置。柔性阵列基板包括：第一柔性基板，第一柔性基板具有第一表面；薄膜晶体管，薄膜晶体管位于第一表面上；遮光层，遮光层位于第一柔性基板与薄膜晶体管之间，其中，遮光层在第一柔性基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板上的正投影。由此，可以解决高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题，提高产品良率和量率。

Description

柔性阵列基板及制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及技术显示领域，特别的，涉及柔性阵列基板及制备方法和显示装置。
背景技术
柔性有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻薄等优点，成为了未来显示技术的最好选择。然而，在制备AMOLED产品，利用激光工艺剥离柔性AMOLED基板(LLO)时，参照图1，为防止出现因低灰阶显示和亮度不均匀而导致各种痕迹的现象(Mura)，或LLO激光不稳而直接导致沟道出现线性Mura，以及整体不均匀Mura，会在衬底基板上设置一层遮光层LS，用于防止LLO激光对沟道的影响，改善显示效果。但目前该技术仍存在许多其他问题。
发明内容
在本发明的一个方面，本发明提供了一种柔性阵列基板。根据本发明的实施例，所述柔性阵列基板包括：第一柔性基板，所述第一柔性基板具有第一表面；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一表面上；遮光层；所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间；其中，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。
根据本发明的实施例，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述第一柔性基板上的正投影。
根据本发明的实施例，该柔性阵列基板包括缓冲层，所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间。
根据本发明的实施例，柔性阵列基板包括第一阻隔层，所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间，或所述第一柔性基板与所述遮光层之间。
根据本发明的实施例，所述柔性阵列基板还包括：第二柔性基板，所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧；第二阻隔层，所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧。
根据本发明的实施例，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/ 或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。
根据本发明的实施例，所述第一阻隔层包括：第一子阻隔层，所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧；第二子阻隔层，所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧，其中，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间，和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。
根据本发明的实施例，形成所述遮光层的材料包括钼。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示装置。
根据本发明的实施例，该显示装置包前述的柔性阵列基板。由此，该显示装置显示和亮度均匀，视觉缺陷低，显示画面优质。
在本发明的又一方面，本发明提供一种制备柔性阵列基板的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：形成刚性基板，所述刚性基板具有第二表面；形成第一柔性基板，所述第一柔性基板位于所述第二表面上；形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧；形成遮光层，所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间；其中，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。
根据本发明的实施例，所述方法包括形成缓冲层的步骤，所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间。
根据本发明的实施例，所述方法包括形成第一阻隔层的步骤，所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间，或者所述第一柔性基板与所述遮光层之间。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括形成第二柔性基板和第二阻隔层的步骤：其中，所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层远离所述刚性基板的一侧；所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板远离所述刚性基板的一侧。
根据本发明的实施例，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/ 或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。
根据本发明的实施例，所述第一阻隔层包括：第一子阻隔层，所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧；第二子阻隔层，所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层远离所述刚性基板的一侧，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间，和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。
根据本发明的实施例，上述方法还包括利用激光剥离去除所述刚性基板的步骤。
附图说明
图1是现有技术中LLO激光导致的显示屏Mrua。
图2是本发明一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图3是本发明又一个实施例中遮光层与沟道区位置关系的结构示意图。
图4现有技术中由LLO激光与ELA激光相互干涉导致的显示屏Mrua。
图5是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图6是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图7是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图8是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图9是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图10是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图11是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图12是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图13是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图14是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图15是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图16是本发明又一个实施例中柔性阵列基板的结构示意图。
图17是本发明有一个实施例中显示装置的结构示意图。
图18是本发明又一个实施例中制备柔性阵列基板的流程示意图。
图19是本发明又一个实施例中制备柔性阵列基板的流程示意图。
图20是本发明又一个实施例中制备柔性阵列基板的流程示意图。
图21是本发明又一个实施例中制备柔性阵列基板的流程示意图。
附图标记：10：刚性基板；20：第一柔性基板；21：第一表面；30：第一阻隔层；31：第一子阻隔层；32：第二子阻隔层；40：缓冲层；50：沟道区；60：遮光层；70：第二柔性基板；80：第二阻隔层；90：发光组件；100：薄膜封装层；110：顶保护膜；120：平坦层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在发明人所知的技术中，利用激光剥离工艺LLO剥离柔性OLED基板时，为防止出现低灰阶LLO Mura，或LLO激光不稳直接影响到沟道而产生线性Mura，以及整体不均匀 Mura，会在刚性基板上直接设置一层遮光层，用于防止LLO激光对沟道的影响，改善显示效果，但是，由于遮光层(金属材料)直接位于刚性基板(为了支撑柔性阵列基板，一般会在刚性基板上形成柔性基板、薄膜晶体管等一系列结构和部件，在柔性阵列基板制作完成后再通过LLO将柔性阵列基板从刚性基板剥离)上，在刚性基板剥离时，LLO所用的大功率紫外激光扫描过整个刚性基板背面，刚性基板上的温度非常高，瞬间可达上千度，在高温下刚性基板软化，会使得遮光层被污染、融化或脱落，最终直接造成产品废弃，严重影响产品的良率和量率。
发明人研究发现，在柔性阵列基板的制备过程中，将遮光层位于柔性基板和缓冲层之间，采用LLO通过激光对刚性基板扫描时，所有激光的全部能量会由柔性基板快速吸收，而且形成该柔性基板的材料中的化学键还可以通过吸收激光热量而发生断裂，从而使柔性基板从刚性基板上脱离开，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在刚性基板上，由此柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种柔性阵列基板。根据本发明的至少一个实施例，参照图2，该柔性阵列基板包括：第一柔性基板20，第一柔性基板20具有第一表面21；薄膜晶体管50，薄膜晶体管50位于第一表面21上；遮光层60；遮光层 60位于第一柔性基板20与薄膜晶体管50之间；其中，遮光层60在第一柔性基板20 上的正投影覆盖薄膜晶体管50的沟道区51在第一柔性基板20上的正投影。
根据本发明的实施例，遮光层的数量不受到限制，其可以包括一层遮光层，也可以包括多层遮光层。可以将多层遮光层彼此相叠加作为一层遮光层，也可以将多层遮光层中的至少部分层分布在柔性阵列基板的不同的结构层之间。
由此，相比于直接将遮光层设置于刚性基板(通常为了支撑柔性阵列基板，一般会在刚性基板上形成柔性基板、薄膜晶体管等一系列结构和部件，在柔性阵列基板制作完成后再采用LLO激光将柔性阵列基板从刚性基板剥离)与第一柔性基板之间，将遮光层设置于第一柔性基板和薄膜晶体管之间，采用LLO激光对刚性基板扫描剥离时，激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在刚性基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，从而至少部分地避免了了高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。
此外，该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了 LLOMura所导致的显示Mura视觉缺陷，从而解决LLO激光引发的Mura问题，可适用于高分辨率、高品质要求的产品，而且可以保证遮光层的金属离子不会扩散至沟道区，以防降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，为了更好的阻挡LLO激光照射到沟道，进一步提高TFT特性，遮光层在第一柔性基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的有源层在第一柔性基板上的正投影。由此，可以提高TFT特性，更好地解决LLO激光引发的Mura问题。
根据本发明的实施例，遮光层的具体图形和尺寸设计没有限制要求，只要使遮光层在第一柔性基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的有源层或沟道区在第一柔性基板上的正投影即可。在本发明的一些实施例中，参照图3，图3中的A代表遮光层60的图形，图3中的B代表有源层，包括沟道区51，图3中的C表示遮光层60与有源层和沟道区的位置关系(俯视图)，由图3中的C可以看出，遮光层60覆盖沟道区51，也就是说沟道区的尺寸小于遮光层的尺寸，例如当沟道区分别在X和Y方向上的宽度W1 和W2的尺寸为4微米时，遮光层分别在X和Y方向上的宽度W3和W4的尺寸为8 微米、6微米或4微米。由此，遮光层的设计方案灵活，局限性小。
根据本发明的实施例，相邻遮光层之间的间距大于所采用的LLO的激光波长，例如不低于激光波长的两倍。例如，遮光层60阵列设置，相邻遮光层之间的间距为微米级，LLO的激光波长为308纳米，即相邻遮光层之间的间距远大于激光的波长，因此遮光层的阵列设置不会引发衍射现象的发生。
根据本发明的实施例，形成遮光层的材料和方法没有限制，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在本发明的一些实施例中，形成遮光层的材料为金属或合金，例如为金属钼(Mo)。由此，使用性能较佳，对LLO激光的遮挡效果较佳。
在本发明的一些实施例中，形成遮光层的方法包括但不限于化学气相沉积或物理气相沉积，比如磁控溅射等方法。
根据本发明的实施例，形成第一柔性基板的材料没有限制，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在本发明的实施例中，形成第一柔性基板的材料包括但不限于聚酰亚胺、聚醚醚酮或聚酯。由此，材料来源广泛，成本低，使用效果佳。
根据本发明的实施例，TFT的具体结构没有限制，比如TFT可以为顶栅结构的TFT、底栅结构的TFT、背沟道刻蚀型(BCE)结构的TFT以及刻蚀阻挡层(ESL)结构的 TFT。由此，上述遮光层的设置方式适用于各种结构构型的TFT。
根据本发明的实施例，形成沟道区和有源层的材料没有限制，本领域技术人员可以选择本领域中任何一种可以制备有源层的材料。在本发明的实施例中，各种氧化物、硅材料以及有机物材料均可作为形成有源层的材料，具体的，形成有源层的材料包括但不限于非结晶氧化铟镓锌(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、铟锌锡氧化物(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩或聚噻吩。由此，材料来源广泛，成本低，使用效果佳。
本领域技术人员熟知，当形成沟道区的材料为多晶硅时，在背板技术中制作多晶硅层，主要采用准分子激光退火(ELA)来完成，而且最终会采用激光剥离柔性基板，使之从刚性基板上分离，最后完成显示面板的切割，以及后端模组。但是在制作柔性阵列基板时，多晶硅采用ELA线性激光正面形成，背面LLO线性激光剥离柔性背板，ELA激光与LLO激光会相互影响，最终导致ELA激光与LLO激光相互干涉，出现周期性固定间距Mura，参照图4，显示的画面(朝向用户的一面)具有固定间距的横条纹(图4中的A)，该条纹还可能存在向上略微倾斜(图4中的B)或向下略微倾斜 (图4中的C)，上述横条纹在低亮度下可见，低灰阶下较为明显，严重影响显示面板的显示效果。根据本发明的实施例，将遮光层位于第一柔性基板与缓冲层之间，不仅可以防止ELA激光与LLO激光发生相互干涉，进而避免显示屏出现周期性固定间距Mura，而且还可以解决高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。
根据本发明的实施例，产生LLO激光和ELA激光的具体设备没有限制要求，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在本发明的一些实施例中，采用氯化氙(XeCl) 准分子激光器(波长308nm)或固态激光对柔性阵列基板进行激光剥离，采用氯化氙 (XeCl)准分子激光器(波长308nm)或固态激光对非晶硅(a-Si)进行退火得到多晶硅。由此，使用效果佳，成本低。
根据本发明的实施例，为了防止遮光层的金属离子扩散至沟道区，以免降低缺陷中心和减少漏电流的产生，该柔性阵列基板还可以进一步包括缓冲层40，参照图5，缓冲层40位于遮光层60与薄膜晶体管50之间。由此，可以有效防止遮光层的金属离子扩散至沟道区，以免降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，形成缓冲层的材料和方法没有限制，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在本发明的一些实施例中，形成缓冲层的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或各种有机绝缘材料，比如，聚硅氧烷系材料、亚克力系材料或聚酰亚胺系材料。由此，材料来源广泛，成本低，使用效果佳。
在本发明的一些实施例中，形成缓冲层的方法包括但不限于化学气相沉积(比如PECVD)或物理气相沉积。由此工艺成熟，易于工业化生产。
根据本发明的实施例，缓冲层的结构没有限制，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在本发明的一些实施例中，缓冲层的结构包括但不限于单层结构或双层结构。在本发明的另一些实施例中，缓冲层的结构为双层结构，比如SiNx/SiO2，即先沉积一氮化硅层，再沉积一氧化硅层。由此，可以有效防止遮光层的金属离子扩散至沟道区，以免降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，缓冲层的厚度没有限制，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在本发明的一些实施例中，缓冲层为双层结构，以SiNx/SiO2为例，氮化硅层的厚度为50～150纳米，氧化硅层的厚度为100～350纳米。由此，可以有效防止遮光层的金属离子扩散至沟道区，以免降低缺陷中心和减少漏电流的产生，还不会使得整体柔性阵列基板的厚度偏厚。
根据本发明的实施例，为了进一步提高柔性阵列基板的使用性能，柔性阵列基板还可以进一步包括第一阻隔层30，在本发明的实施例中，第一阻隔层的设置位置没有限制，只要位于第一柔性基板与缓冲层之间即可。在本发明的一些实施例中，参照图6，第一阻隔层30位于遮光层60与缓冲层40之间；在本发明的另一些实施例中，参照图 7，第一阻隔层30位于第一柔性基板20与遮光层60之间。由此，可以很好地提高柔性阵列基板的使用性能。
根据本发明的实施例，形成第一阻隔层的材料和方法没有限制，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在本发明的一些实施例中，形成第一阻隔层的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或各种有机绝缘材料，比如，聚硅氧烷系材料、亚克力系材料或聚酰亚胺系材料。由此，材料来源广泛，成本低，使用效果佳。
在本发明的一些实施例中，形成第一阻隔层的方法包括但不限于化学气相沉积(比如PECVD)或物理气相沉积。由此工艺成熟，易于工业化生产。
根据本发明的实施例，参照图6-图9(图8和图9分别是图6和图7中单个沟道区所对应的截面图，即图6中的矩形框1部分)，遮光层60位于第一柔性基板20和缓冲层40之间，具体的，遮光层60位于第一柔性基板20与第一阻隔层30之间(图6 和图8)，和/或第一阻隔层30和缓冲层40之间(图7和图9)。由此，相比于直接将遮光层设置于刚性基板上，本发明将遮光层设置于第一柔性基板和缓冲层之间，在柔性阵列基板的制造过程中，采用LLO激光对刚性基板扫描时，激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在玻璃基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，即至少部分解决了高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。同时该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了LLO Mura所导致的显示Mura视觉缺陷，可适用于高分辨率、高品质要求的产品，而且可以保证遮光层的金属离子不会扩散至沟道区，以防降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，为了进一步提高TFT的电学特性，柔性阵列基板还可以进一步包括：第二柔性基板70，第二柔性基板70位于第一阻隔层30面向薄膜晶体管50 (即面向沟道区51)的一侧；第二阻隔层80，第二阻隔层80位于第二柔性基板70面向薄膜晶体管50(即面向沟道区51)的一侧。而此时，在本发明的实施例中，参照图 10-图12，遮光层60位于第一柔性基板20与缓冲层40之间，即遮光层60位于第一柔性基板20和第一阻隔层30之间(图10)，和/或第一阻隔层30和第二柔性基板70之间(图11)，和/或第二柔性基板70和第二阻隔层80之间(图12)。由此，相比于直接将遮光层设置于刚性基板上，本发明将遮光层设置于第一柔性基板和缓冲层之间，采用LLO激光对刚性基板扫描时，激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在玻璃基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，即解决了高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。同时该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了LLO Mura所导致的显示Mura 视觉缺陷，可适用于高分辨率、高品质要求的产品，而且可以保证遮光层的金属离子不会扩散至沟道区，以防降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，形成第二阻隔层的材料与形成第一阻隔层的材料要求一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，形成第二柔性基板的材料与形成第一柔性基板的材料要求一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，尽管上述只描述了两层柔性基板的情形，本领域技术人员容易理解，参照上述结构，叠加更多层的柔性基板、阻隔层等结构并相应设置遮光层是可以实现的。
根据本发明的实施例，为了增加第一阻隔层与第二柔性基板之间粘附力，提高柔性阵列基板的使用性能，参照图13-图16，第一阻隔层30包括：第一子阻隔层31，第一子阻隔层31位于第一柔性基板20面向薄膜晶体管50(即面向沟道区51)的一侧；第二子阻隔层32，第二子阻隔层32位于第一子阻隔层31面向薄膜晶体管50(即面向沟道区51)的一侧，其中，遮光层60位于第一柔性基板20和第一阻隔层30之间(图 13)，和/或第一阻隔层30和第二柔性基板70之间(图14)，和/或第二柔性基板70 和第二阻隔层80之间(图15)，和/或第一子阻隔层31和第二子阻隔层32之间(图 16)。由此，可以提高柔性阵列基板的使用性能，且相比于直接将遮光层设置于刚性基板上，本发明将遮光层设置于第一柔性基板和缓冲层之间，采用LLO激光对刚性基板扫描剥离时，激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在玻璃基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，即解决了高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。同时该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了LLO Mura所导致的显示Mura视觉缺陷，可适用于高分辨率、高品质要求的产品，而且可以保证遮光层的金属离子不会扩散至沟道区，以防降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，形成第一子阻隔层的材料与形成第二阻隔层的材料要求一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，形成第二子阻隔层的材料没有限制要求，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在本发明的实施例中，形成第二子阻隔层的材料为非晶硅。由此，粘结效果佳。
根据本发明的实施例，利用上述柔性阵列基板制作的柔性显示屏在后端应用集成中，例如各种手机后期集成传感器，接收器，发散器等器件，该遮光层还可以用于遮挡紫外光、红外光或可见光等光源，防止上述光源对于柔性显示屏的影响。
在本发明的另一个方面，本发明能够提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包前面所述的柔性阵列基板。由此，该显示装置显示和亮度均匀，视觉缺陷低，显示画面优质。且本领域技术人员可以理解，该显示装置具备前面所述的柔性阵列基板的所有特征和优点，在此不再过多赘述。
根据本发明的一些实施例，参照图17，除了前面所述的柔性阵列基板，该显示装置进一步包括位于薄膜晶体管远离第一柔性基板20一侧的平坦层120，位于平坦层120 远离第一柔性基板20一侧的发光组件90、位于发光组件90远离第一柔性基板20一侧的薄膜封装层100，位于薄膜封装层100远离第一柔性基板20一侧的顶保护膜110。由此，实现显示装置的显示功能。
根据本发明的一些实施例，该显示装置可以是柔性显示装置，实现曲面或可弯曲的显示；也可以是非柔性显示装置，采用前述的柔性阵列基板提高产品在跌落等情况下的使用寿命。
根据本发明的实施例，发光组件90例如可以是有机发光二极管OLED、量子点发光二极管QLED等。
根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类没有特别限制，可以为本领域任何具有显示功能的装置、设备，例如包括但不限于手机、平板电脑、计算机显示器、游戏机、电视机、显示屏幕、可穿戴设备及其他具有显示功能的生活电器或家用电器等。
当然，本领域技术人员可以理解，除了前面所述的柔性阵列基板，本发明所述的显示装置还可以包括常规显示装置所具有的必要的结构和部件，以手机为例进行说明，除了具有本发明的柔性阵列基板外，其还可以具有触控屏、外壳、CPU、照相模组、指纹识别模组、声音处理系统等等常规手机所具有的结构和部件，在此不再过多赘述。
在本发明的又一方面，本发明提供一种制备柔性阵列基板的方法。根据本发明的实施例，参照图18，所述方法包括：
S100：形成刚性基板，刚性基板具有第二表面。
根据本发明的实施例，为了提高产品良率，需要对刚性基板进行预清洗，清洗的方法没有限制，只要清洗后刚性基板的清洁度达到使用要求即可。
根据本发明的实施例，刚性基板的具体种类没有限制，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在本发明的一些实施例中，形成刚性衬底的种类包括但不限于玻璃衬底。由此，来源广泛，成本低，使用效果佳。
S200：形成第一柔性基板，第一柔性基板位于第二表面上。
根据本发明的实施例，形成第一柔性基板的方法没有限制，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在本发明的实施例中，形成第一柔性基板的方法包括但不限于化学气相沉积或物理气相沉积。由此，方法简单成熟，易于工业化生产。
根据本发明的实施例，为了便于后续各层薄膜的形成，在形成第一柔性基板后需对第一柔性基板的表面进行清洗，清洗方法没有限制，只要能将第一柔性基板清洗洁净且不会使之受到损伤即可，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。
S300：形成薄膜晶体管，薄膜晶体管位于第一柔性基板远离刚性基板的一侧。
根据本发明的实施例，本领域技术人员根据TFT的具体结构进行选择形成方法即可，在此不对形成TFT的具体方法作限制要球。
S400：形成遮光层，遮光层位于第一柔性基板与薄膜晶体管之间，其中，遮光层在第一柔性基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板上的正投影。
根据本发明的实施例，形成遮光层的方法没有限制，本领域技术人员根据实际需求灵活选择即可。在本发明的实施例中，形成遮光层的方法包括但不限于化学气相沉积、物理气相沉积、涂覆或印刷等。由此，方法简单成熟，易于工业化生产。在本发明的一些实施例中，形成遮光层的具体方法为：形成一整层的初级遮光层，再根据对遮光层图案的要求，例如沟道区的图案，对初级遮光层进行刻蚀，以便得到图案化的遮光层。
根据本发明的实施例，上述制备柔性阵列基板的方法简单快捷，工艺成熟，易于工业化生产。且相比于直接将遮光层设置于刚性基板上，本发明将遮光层设置于第一柔性基板和缓冲层之间，采用LLO激光对刚性基板扫描剥离时，所有激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在玻璃基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，从而至少部分解决高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。同时该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了LLO Mura所导致的显示Mura视觉缺陷，可适用于高分辨率、高品质要求的产品，而且可以保证遮光层的金属离子不会扩散至沟道区，以防降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，参照图19，上述方法可以进一步包括形成缓冲层的步骤S500：缓冲层位于遮光层与薄膜晶体管之间，也就是说，薄膜晶体管位于缓冲层远离刚性基板的一侧。
根据本发明的实施例，上述方法还可以进一步包括形成第一阻隔层的步骤S600：第一阻隔层位于遮光层与缓冲层之间，即位于遮光层远离刚性基板的一侧，其具体操作步骤参照图20，或者第一阻隔层位于第一柔性基板与遮光层之间，即位于第一柔性基板远离刚性基板的一侧，其具体操作步骤参照图21。
根据本发明的实施例，形成缓冲层和第一阻隔层的方法没有限制，本领域技术人员根据实际需求灵活选择即可。在本发明的实施例中，形成缓冲层和第一阻隔层的方法包括但不限于化学气相沉积、物理气相沉积。由此，方法简单成熟，易于工业化生产。
根据本发明的实施例，上述步骤S100、S200、S300、S400、S500及S600并非是对制备过程工艺顺序的限制，本领域技术人员可以根据实际情况选择制备工艺的步骤顺序，比如，根据上述的描述，遮光层可以位于第一柔性基板与第一阻隔层之间，即遮光层位于第一柔性基板远离刚性基板的一侧，第一阻隔层位于遮光层远离刚性基板的一侧，流程示意图参照图20，结构示意图参照图6和图8；和/或遮光层位于第一阻隔层和缓冲层之间，即遮光层位于第一阻隔层远离刚性基板的一侧，缓冲层位于遮光层远离刚性基板的一侧，流程示意图参照图21，结构示意图参照图7和图9。
根据本发明的实施例，为了更好的阻挡LLO激光照射到沟道，进一步提高TFT特性，遮光层在第一柔性基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的有源层在第一柔性基板上的正投影。由此，可以提高TFT特性，更好地解决LLO引发的Mura问题。
根据本发明的实施例，为了进一步提高TFT的电学特性，上述方法还可以进一步包括：形成第二柔性基板70和第二阻隔层80的步骤(图中未示出)，其中，第二柔性基板70位于第一阻隔层30远离刚性基板10的一侧；第二阻隔层80位于第二柔性基板70远离刚性基板10的一侧。而此时，在本发明的实施例中，参照图10-图12，遮光层60位于第一柔性基板20与缓冲层40之间，即遮光层60位于第一柔性基板20和第一阻隔层30之间(图10)，和/或第一阻隔层30和第二柔性基板70之间(图11)，和/或第二柔性基板70和第二阻隔层80之间(图12)。由此，相比于直接将遮光层设置于刚性基板上，本发明将遮光层设置于第一柔性基板和缓冲层之间，采用LLO激光对刚性基板扫描时，激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在玻璃基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，即解决了高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。同时该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了LLO Mura所导致的显示Mura视觉缺陷，可适用于高分辨率、高品质要求的产品，而且可以保证遮光层的金属离子不会扩散至沟道区，以防降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，形成第二柔性基板的方法与前面所述的形成第一柔性基板的方法要求一致，形成第二阻隔层的方法与前面所述的形成第一阻隔层的方法要求一致，在此不再过多描述。
根据本发明的实施例，为了增加第一阻隔层与第二柔性基板之间粘附力，提高柔性阵列基板的使用性能，参照图13-图16，第一阻隔层30包括：第一子阻隔层31，第一子阻隔层31位于第一柔性基板20远离刚性基板10的一侧；第二子阻隔层32，第二子阻隔层32位于第一子阻隔层31远离刚性基板10的一侧，其中，遮光层60位于第一柔性基板20和第一阻隔层30之间(图13)，和/或第一阻隔层30和第二柔性基板 70之间(图14)，和/或第二柔性基板70和第二阻隔层80之间(图15)，和/或第一子阻隔层31和第二子阻隔层32之间(图16)。由此，可以提高柔性阵列基板的使用性能，且相比于直接将遮光层设置于刚性基板上，本发明将遮光层设置于第一柔性基板和缓冲层之间，采用LLO激光对刚性基板扫描时，所有激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在玻璃基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，从而至少部分地解决高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。同时该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了LLO Mura所导致的显示Mura视觉缺陷，可适用于高分辨率、高品质要求的产品，而且可以保证遮光层的金属离子不会扩散至沟道区，以防降低缺陷中心和减少漏电流的产生。
根据本发明的实施例，上述方法可以用来制备前面所述的柔性阵列基板，且形成刚性衬底、第一柔性基板、第一阻隔层、缓冲层、遮光层、沟道区、第二阻隔层、第二柔性基板、第一子阻隔层或第二子阻隔层的材料或方法与前面所述的一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，当形成沟道区的材料为多晶硅时，其形成多晶硅的具体工艺没有限制要求，本领域技术人员根据实际需求灵活选择即可。在本发明的一些实施例中，形成多晶硅的工艺为：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积30～60nm非晶硅层，再于400℃～450℃的温度下，对非晶硅层进行加热处理0.5～3小时，最后进行准分子激光退火(ELA)工艺，得到多晶硅。由此，方法成熟简单，易操作，易于工业化生产。
根据本发明的实施例，多晶硅制作完成后，制作显示背板的后续工艺采用常规技术工艺和流程即可。在本发明的实施例中，多晶硅制作完成后，再一次进行接着再进行有源层制作(Active pattern)、沟道离子注入调整制作(Vth doping)、氢氟酸清洗(HF Clean)、绝缘层制作(GI)、源漏极掺杂(SD Doping)、平坦层制作(ILD、CNT)、氢化(Hydrogenation)、源漏极制作(SD)、有机平坦层制作(PLN)、阳极制作(ITO)、有机覆盖层制作(PDL)、隔离层制作(PS)，至此整个柔性基板蒸镀及薄膜封装层制作完毕。
根据本发明的实施例，在形成整个柔性基板蒸镀及薄膜封装层之后，上述制备柔性阵列装置的方法还进一步包括采用LLO激光剥离的方法去除刚性基板的步骤，最后完成整个柔性阵列基板的制作。根据前面所述，在采用LLO激光剥离的方法去除刚性基板时，由于遮光层位于第一柔性基板与缓冲层之间，所有激光的大部分甚至全部能量被第一柔性基板快速吸收，形成第一柔性基板的材料中的化学键通过吸收激光热量而断裂，且与刚性基板直接连接的柔性基板材料分子会留在刚性基板上，从而第一柔性基板不会因刚性基板高温软化而受到污染，进而提高产品良率和量率，即解决了高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题。同时该柔性阵列基板可以保证LLO激光引发的Mura减小到最低程度，减少了LLO Mura所导致的显示Mura视觉缺陷。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (16)

1.一种柔性阵列基板，其特征在于，包括：
第一柔性基板，所述第一柔性基板具有第一表面；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一表面；
遮光层，所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间；
其中，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述第一柔性基板上的正投影。
3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，包括：
缓冲层，所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间。
4.根据权利要求3所述的柔性阵列基板，其特征在于，包括第一阻隔层，所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间，或者所述第一柔性基板与所述遮光层之间。
5.根据权利要求4所述的柔性阵列基板，其特征在于，包括：
第二柔性基板，所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧；
第二阻隔层，所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧。
6.根据权利要求5所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。
7.根据权利要求5所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述第一阻隔层包括：
第一子阻隔层，所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧；
第二子阻隔层，所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧，
其中，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间，和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。
8.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，形成所述遮光层的材料为钼。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的柔性阵列基板。
10.一种制备柔性阵列基板的方法，其特征在于，包括：
形成刚性基板，所述刚性基板具有第二表面；
形成第一柔性基板，所述第一柔性基板位于所述第二表面上；
形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧；
形成遮光层，所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，包括形成缓冲层的步骤，所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，包括形成第一阻隔层的步骤，所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间，或所述第一柔性基板与所述遮光层之间。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，包括形成第二柔性基板和第二阻隔层的步骤：
其中，所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层远离所述刚性基板的一侧；
所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板远离所述刚性基板的一侧。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一阻隔层包括：
第一子阻隔层，所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧；
第二子阻隔层，所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层远离所述刚性基板的一侧，
所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间，和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。
16.根据权利要求10-15任一项所述的方法，其特征在于，还包括利用激光剥离去除所述刚性基板的步骤。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109238652A (zh) * 2018-07-25 2019-01-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种遮光板
WO2019114399A1 (zh) * 2017-12-14 2019-06-20 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及制备方法和显示装置
CN111402730A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种盖板及其制备方法、显示装置
CN114823543A (zh) * 2022-07-01 2022-07-29 惠科股份有限公司 显示面板制备方法及显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112002733B (zh) * 2020-08-06 2023-12-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置及制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070004308A1 (en) * 2003-10-30 2007-01-04 Jung-Fang Chang Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display
CN103474583A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN103500745A (zh) * 2013-09-25 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN104064685A (zh) * 2014-05-19 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置
CN107195643A (zh) * 2017-07-12 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置
CN107256872A (zh) * 2017-07-10 2017-10-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100491143B1 (ko) * 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
KR100793357B1 (ko) * 2005-03-18 2008-01-11 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터와 평판표시장치 및 그의 제조 방법
CN1842232A (zh) 2005-03-29 2006-10-04 中华映管股份有限公司 有机电致发光显示面板及其制造方法
KR102206412B1 (ko) * 2012-12-27 2021-01-22 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치
CN105572991B (zh) 2015-12-22 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板中tft器件的启动方法
KR102550694B1 (ko) * 2016-07-12 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180033385A (ko) * 2016-09-23 2018-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN108054186B (zh) 2017-12-14 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及制备方法和显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070004308A1 (en) * 2003-10-30 2007-01-04 Jung-Fang Chang Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display
CN103474583A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN103500745A (zh) * 2013-09-25 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN104064685A (zh) * 2014-05-19 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置
CN107256872A (zh) * 2017-07-10 2017-10-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN107195643A (zh) * 2017-07-12 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019114399A1 (zh) * 2017-12-14 2019-06-20 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及制备方法和显示装置
US11664392B2 (en) 2017-12-14 2023-05-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible array substrate, manufacturing method thereof and display device
US11830886B2 (en) 2017-12-14 2023-11-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible array substrate, manufacturing method thereof and display device
CN109238652A (zh) * 2018-07-25 2019-01-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种遮光板
CN109238652B (zh) * 2018-07-25 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种遮光板
CN111402730A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种盖板及其制备方法、显示装置
CN114823543A (zh) * 2022-07-01 2022-07-29 惠科股份有限公司 显示面板制备方法及显示面板

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US11830886B2 (en) 2023-11-28
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