CN112289806A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

阵列基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN112289806A
CN112289806A CN202011108673.0A CN202011108673A CN112289806A CN 112289806 A CN112289806 A CN 112289806A CN 202011108673 A CN202011108673 A CN 202011108673A CN 112289806 A CN112289806 A CN 112289806A
Authority
CN
China
Prior art keywords
buffer layer
flexible substrate
layer
light
structure layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011108673.0A
Other languages
English (en)
Inventor
吴万春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202011108673.0A priority Critical patent/CN112289806A/zh
Publication of CN112289806A publication Critical patent/CN112289806A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

本申请提供一种阵列基板及显示面板，在显示面板中，光调节结构层设置在柔性衬底上，用于将辐射至光调节结构层的光线反射回柔性衬底。本申请通过在柔性衬底上设置光调节结构层，避免了柔性衬底因基板上的杂物颗粒在剥离过程中受损。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及一种显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
柔性基板需要通过激光镭射方式将衬底与基板进行分离。但是基板表面往往会存在杂物颗粒，该杂物颗粒位于基板和衬底之间，其阻碍了激光的辐射，导致杂物颗粒区域的衬底与基板无法分离，剥离后出现衬底破洞现象。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有的显示面板或阵列基板在进行基板的激光剥离，因基板上存在杂物颗粒，而出现柔性衬底破洞的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：
柔性衬底；
光调节结构层，所述光调节结构层设置在所述柔性衬底上，用于将辐射至所述光调节结构层的光线反射回所述柔性衬底；
阻挡层，所述阻挡层设置在所述光调节结构层上；以及
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述阻挡层上。
在本申请实施例所述的阵列基板中，所述光调节结构层包括设置在所述柔性衬底上的缓冲层和掺杂在所述缓冲层内的反射粒子。
在本申请实施例所述的阵列基板中，所述反射粒子的折射率小于所述缓冲层的折射率。
在本申请实施例所述的阵列基板中，所述反射粒子的材料包括二氧化硅、氮化硅、丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯一丙烯酸共聚物树脂、聚乙烯树脂、环氧树脂、有机硅树脂、硅橡胶、聚酰亚胺中的一种或多种。
在本申请实施例所述的阵列基板中，所述光调节结构层包括依次设置在所述柔性衬底上的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层的折射率大于所述第二缓冲层的折射率。
在本申请实施例所述的阵列基板中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的材料相同，所述第二缓冲层中掺杂有多个中空颗粒。
本申请还涉及一种显示面板，所述显示面板包括一阵列基板，所述阵列基板包括：
柔性衬底；
光调节结构层，所述光调节结构层设置在所述柔性衬底上，用于将辐射至所述光调节结构层的光线反射回所述柔性衬底；
阻挡层，所述阻挡层设置在所述光调节结构层上；以及
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述阻挡层上。
在本申请实施例所述的显示面板中，所述光调节结构层包括设置在所述柔性衬底上的缓冲层和掺杂在所述缓冲层内的反射粒子。
在本申请实施例所述的显示面板中，所述反射粒子的折射率小于所述缓冲层的折射率。
在本申请实施例所述的显示面板中，所述光调节结构层包括依次设置在所述柔性衬底上的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层的折射率大于所述第二缓冲层的折射率。
其中本申请实施例的显示面板阵列基板的结构与上述实施例的阵列基板的结构相同或相似。
本申请的阵列基板及显示面板通过在柔性衬底上设置光调节结构层，当阵列基板进行基板的激光剥离时，激光辐射至光调节结构层，至少部分的激光被光调节结构层反射回柔性衬底，辐射至杂物颗粒和柔性衬底的接触面，以完成基板和柔性衬底的剥离，且避免了柔性衬底在剥离过程中受损。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请第一实施例的显示面板的结构示意图；
图2为本申请第一实施例的显示面板进行激光剥离的结构示意图；
图3为本申请第二实施例的显示面板的结构示意图；
图4为本申请第一实施例的阵列基板的结构示意图；
图5为本申请第二实施例的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参照图1和图2，图1为本申请第一实施例的显示面板的结构示意图；图2为本申请第一实施例的显示面板进行激光剥离的结构示意图。
本第一实施例提供一种显示面板100，所述显示面板100可以为液晶显示面板、OLED显示面板或微型发光二极管显示面板。本实施例以OLED显示面板为例进行说明。
具体的，显示面板100包括一阵列基板10和设置在所述阵列基板10上的OLED发光器件层20。阵列基板10包括柔性衬底11、光调节结构层12、阻挡层13和薄膜晶体管结构层14。
其中，柔性衬底11的材料可以为聚酰亚胺，或其他无机材料。
所述光调节结构层12设置在所述柔性衬底11上，用于将辐射至所述光调节结构层12的光线反射回所述柔性衬底11。
所述阻挡层13设置在所述光调节结构层12上。阻挡层13用于防止激光照射薄膜晶体管器件。
所述薄膜晶体管结构层14设置在所述阻挡层13上。薄膜晶体管结构层14包括多个薄膜晶体管器件。
参考图2，本第一实施例的显示面板100通过在柔性衬底11上设置光调节结构层12，当进行基板15的激光剥离时，激光辐射至光调节结构层12，至少部分的激光被光调节结构层12反射回柔性衬底11，辐射至杂物颗粒16和柔性衬底11的接触面，以完成基板15和柔性衬底11的剥离，且避免了柔性衬底11在剥离过程中受损。
在本第一实施例所述的显示面板100中，所述光调节结构层12包括设置在所述柔性衬底11上的缓冲层121和掺杂在所述缓冲层121内的反射粒子122。
可选的，缓冲层121的厚度介于2微米(包含2微米)至4微米(包含4微米)之间。其中，缓冲层121的厚度大于或等于2微米是为了缓冲层121中可以掺杂入足够的反射粒子122，其厚度小于或等于4微米是为了实现显示面板100的薄化。
可选的，所述反射粒子122的材料包括二氧化硅、氮化硅、丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯一丙烯酸共聚物树脂、聚乙烯树脂、环氧树脂、有机硅树脂、硅橡胶、聚酰亚胺中的一种或多种。
在显示面板100的剥离基板15的制程中，激光从基板15侧辐射至光调节结构层12中的反射粒子122，反射粒子122将光线反射回基板15和柔性衬底11的接触面以及杂物颗粒16和柔性衬底11的接触面，以达到激光全辐射柔性衬底11入光侧表面的效果，进而实现基板15和柔性衬底11的无损剥离。
另外，所述反射粒子122的折射率小于所述缓冲层121的折射率。由于反射粒子122的折射率小于缓冲层12的折射率，使得反射粒子122和缓冲层121的界面为全反射界面，从而将入射光线角度达标的光线进行反射，以提高光调节结构层12的光反射率。
其次，光调节结构层12由于掺杂了反射粒子122的缓冲层材料通过CVD制程或其他方式形成在柔性衬底11上。可选的，缓冲层121的材料为无机材料。
进一步的，反射粒子122可以为第二实施例中的中空粒子223。
请参照图3，在本第二实施例所述的显示面板200中，本第二实施例的显示面板200与第一实施例的显示面板100的不同之处在于：
所述光调节结构层22包括依次设置在所述柔性衬底21上的第一缓冲层221和第二缓冲层222，所述第一缓冲层221的折射率大于所述第二缓冲层222的折射率。
由所述第一缓冲层221的折射率大于所述第二缓冲层222的折射率，使得第一缓冲层221和第二缓冲层222之间接触界面形成全反射界面，以使得入射光线角度达标的光线在全反射界面上发生反射，进而将光线反射回柔性衬底21。
在本第二实施例所述的显示面板100中，所述第一缓冲层221和所述第二缓冲层222的材料相同，所述第二缓冲层222中掺杂有多个中空颗粒223。
其中，中空粒子223具有外壳层，被外壳层包围的内部为多孔组织或空气，多孔组织内含有空气，其中空气的折射率为1.0。本第二实施例采用中空颗粒223掺杂入第二缓冲层222以降低第二缓冲层222的折射率。
可选的，中空粒子223的材料可以是无机材料或有机材料。比如，中空粒子223的材料选自金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物及金属卤化物构成的组中的至少一种，以得到高强度的外壳。
在一些实施例中，第一缓冲层221和第二缓冲层222的材料不同。
请参照图4，本申请第一实施例还涉及一阵列基板10，阵列基板10包括柔性衬底11、光调节结构层12、阻挡层13和薄膜晶体管结构层14。
其中，柔性衬底11的材料可以为聚酰亚胺，或其他无机材料。
所述光调节结构层12设置在所述柔性衬底11上，用于将辐射至所述光调节结构层12的光线反射回所述柔性衬底11。
所述阻挡层13设置在所述光调节结构层12上。阻挡层13用于防止激光照射薄膜晶体管器件。
所述薄膜晶体管结构层14设置在所述阻挡层13上。薄膜晶体管结构层14包括多个薄膜晶体管器件。
本第一实施例的阵列基板10通过在柔性衬底11上设置光调节结构层12，当进行基板的激光剥离时，激光辐射至光调节结构层12，至少部分的激光被光调节结构层12反射回柔性衬底11，辐射至杂物颗粒和柔性衬底11的接触面，以完成基板和柔性衬底11的剥离，且避免了柔性衬底11在剥离过程中受损。
在本第一实施例所述的阵列基板10中，所述光调节结构层12包括设置在所述柔性衬底11上的缓冲层121和掺杂在所述缓冲层121内的反射粒子122。
可选的，缓冲层121的厚度介于2微米(包含2微米)至4微米(包含4微米)之间。其中，缓冲层121的厚度大于或等于2微米是为了缓冲层121中可以掺杂入足够的反射粒子122，其厚度小于或等于4微米是为了实现显示面板100的薄化。
可选的，所述反射粒子122的材料包括二氧化硅、氮化硅、丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯一丙烯酸共聚物树脂、聚乙烯树脂、环氧树脂、有机硅树脂、硅橡胶、聚酰亚胺中的一种或多种。
在阵列基板10的剥离基板的制程中，激光从基板侧辐射至光调节结构层12中的反射粒子122，反射粒子122将光线反射回基板和柔性衬底11的接触面以及杂物颗粒和柔性衬底11的接触面，以达到激光全辐射柔性衬底11入光侧表面的效果，进而实现基板和柔性衬底11的无损剥离。
另外，所述反射粒子122的折射率小于所述缓冲层121的折射率。由于反射粒子122的折射率小于缓冲层12的折射率，使得反射粒子122和缓冲层121的界面为全反射界面，从而将入射光线角度达标的光线进行反射，以提高光调节结构层12的光反射率。
其次，光调节结构层12由于掺杂了反射粒子122的缓冲层材料通过CVD制程或其他方式形成在柔性衬底11上。可选的，缓冲层121的材料为无机材料。
进一步的，反射粒子122可以为第二实施例中的中空粒子223。
请参照图5，在本第二实施例所述的阵列基板20中，本第二实施例的阵列基板20与第一实施例的阵列基板10的不同之处在于：
所述光调节结构层22包括依次设置在所述柔性衬底21上的第一缓冲层221和第二缓冲层222，所述第一缓冲层221的折射率大于所述第二缓冲层222的折射率。
由所述第一缓冲层221的折射率大于所述第二缓冲层222的折射率，使得第一缓冲层221和第二缓冲层222之间接触界面形成全反射界面，以使得入射光线角度达标的光线在全反射界面上发生反射，进而将光线反射回柔性衬底21。
在本第二实施例所述的阵列基板10中，所述第一缓冲层221和所述第二缓冲层222的材料相同，所述第二缓冲层222中掺杂有多个中空颗粒223。
其中，中空粒子223具有外壳层，被外壳层包围的内部为多孔组织或空气，多孔组织内含有空气，其中空气的折射率为1.0。本第二实施例采用中空颗粒223掺杂入第二缓冲层222以降低第二缓冲层222的折射率。
可选的，中空粒子223的材料可以是无机材料或有机材料。比如，中空粒子223的材料选自金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物及金属卤化物构成的组中的至少一种，以得到高强度的外壳。
在一些实施例中，第一缓冲层221和第二缓冲层222的材料不同。
本申请的阵列基板及显示面板通过在柔性衬底上设置光调节结构层，当阵列基板进行基板的激光剥离时，激光辐射至光调节结构层，至少部分的激光被光调节结构层反射回柔性衬底，辐射至杂物颗粒和柔性衬底的接触面，以完成基板和柔性衬底的剥离，且避免了柔性衬底在剥离过程中受损。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
柔性衬底；
光调节结构层，所述光调节结构层设置在所述柔性衬底上，用于将辐射至所述光调节结构层的光线反射回所述柔性衬底；
阻挡层，所述阻挡层设置在所述光调节结构层上；以及
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述阻挡层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光调节结构层包括设置在所述柔性衬底上的缓冲层和掺杂在所述缓冲层内的反射粒子。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述反射粒子的折射率小于所述缓冲层的折射率。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述反射粒子的材料包括二氧化硅、氮化硅、丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯一丙烯酸共聚物树脂、聚乙烯树脂、环氧树脂、有机硅树脂、硅橡胶、聚酰亚胺中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光调节结构层包括依次设置在所述柔性衬底上的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层的折射率大于所述第二缓冲层的折射率。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的材料相同，所述第二缓冲层中掺杂有多个中空颗粒。
7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括一阵列基板，所述阵列基板包括：
柔性衬底；
光调节结构层，所述光调节结构层设置在所述柔性衬底上，用于将辐射至所述光调节结构层的光线反射回所述柔性衬底；
阻挡层，所述阻挡层设置在所述光调节结构层上；以及
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述阻挡层上。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述光调节结构层包括设置在所述柔性衬底上的缓冲层和掺杂在所述缓冲层内的反射粒子。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述反射粒子的折射率小于所述缓冲层的折射率。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述光调节结构层包括依次设置在所述柔性衬底上的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层的折射率大于所述第二缓冲层的折射率。
CN202011108673.0A 2020-10-16 2020-10-16 阵列基板及显示面板 Pending CN112289806A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011108673.0A CN112289806A (zh) 2020-10-16 2020-10-16 阵列基板及显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011108673.0A CN112289806A (zh) 2020-10-16 2020-10-16 阵列基板及显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112289806A true CN112289806A (zh) 2021-01-29

Family

ID=74497351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011108673.0A Pending CN112289806A (zh) 2020-10-16 2020-10-16 阵列基板及显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112289806A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013161001A1 (ja) * 2012-04-24 2013-10-31 パイオニア株式会社 有機ｅｌ発光素子
CN104064685A (zh) * 2014-05-19 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置
CN104716081A (zh) * 2015-03-26 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 柔性装置及其制作方法
WO2019017221A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 コニカミノルタ株式会社 光反射成型体
CN111627964A (zh) * 2020-05-25 2020-09-04 福建华佳彩有限公司 一种新型柔性激光剥离面板及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013161001A1 (ja) * 2012-04-24 2013-10-31 パイオニア株式会社 有機ｅｌ発光素子
CN104064685A (zh) * 2014-05-19 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法和柔性显示装置
CN104716081A (zh) * 2015-03-26 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 柔性装置及其制作方法
WO2019017221A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 コニカミノルタ株式会社 光反射成型体
CN111627964A (zh) * 2020-05-25 2020-09-04 福建华佳彩有限公司 一种新型柔性激光剥离面板及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙小菡: "《全国第17次光纤通信 暨第18届集成光学学术会议论文集》", 30 April 2016 *
李江伟等: "《青少年应该知道的物理知识》", 30 June 2010 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209785979U (zh) 一种oled显示装置及电子设备
KR101059992B1 (ko) 발광 소자
CN111668284B (zh) Oled显示装置及制备方法
CN112234070B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN102449513B (zh) 照明装置及其制造方法
US20070257270A1 (en) Led package with wedge-shaped optical element
US20070257271A1 (en) Led package with encapsulated converging optical element
US20190103584A1 (en) Light-Emitting Device and Manufacturing Method Thereof, Electronic Apparatus
CN112289906B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
TW202136873A (zh) 顯示基板及其製備方法、顯示裝置
CN111752045A (zh) 背光模组及显示装置
CN113838991B (zh) 显示面板和显示装置
CN108363235A (zh) 减反膜及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN110515241A (zh) 一种背光模组、显示装置及制作方法
CN109934138A (zh) 显示装置及移动终端
CN110320702B (zh) 基板及其制备方法、显示面板
CN111338126A (zh) 柔性直下式背光装置及显示设备
CN111933626B (zh) 柔性mini-LED背光灯板及其柔性电子设备
CN112289806A (zh) 阵列基板及显示面板
US10782465B2 (en) Light guide plate with array of structures on both major surfaces
CN112236883A (zh) 光提取设备和柔性oled显示器
TW202032181A (zh) 發光裝置與液晶顯示器
CN111667761B (zh) 显示模组和显示装置
JP2003279971A (ja) 液晶表示装置
CN114415421A (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20210129

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication