CN112234070B - 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 - Google Patents

显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112234070B
CN112234070B CN201910568861.2A CN201910568861A CN112234070B CN 112234070 B CN112234070 B CN 112234070B CN 201910568861 A CN201910568861 A CN 201910568861A CN 112234070 B CN112234070 B CN 112234070B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
display panel
semiconductor layer
layer
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910568861.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112234070A (zh
Inventor
李静静
樊腾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd filed Critical Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201910568861.2A priority Critical patent/CN112234070B/zh
Publication of CN112234070A publication Critical patent/CN112234070A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112234070B publication Critical patent/CN112234070B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。该显示面板包括：驱动背板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的驱动电路；发光层，设置于驱动背板，发光层包括呈阵列分布的多个微发光二极管芯片，微发光二极管芯片包括由驱动背板远离驱动背板的方向依次层叠设置的第一电极、与第一电极电连接的第一半导体层、光产生层、第二半导体层、以及与第二半导体层电连接的第二电极，其中，第二半导体层的背向光产生层的表面形成有向第二半导体层内部凹陷的像素槽，像素槽内形成有光转换单元，且对应每个像素槽形成有一种颜色的光转换单元，以使各光产生层产生的光线在各光转换单元转换色彩出射。采用本发明实施例能够减小显示面板的厚度。

Description

显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。
背景技术
微发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)显示技术是指在背板上以高密度集成的微小发光二极管阵列为像素实现发光显示的技术。目前，Micro-LED彩色化显示方案多采用单一蓝色光源和量子点颜色转换层结合的方案，不仅需要高精度的对位贴合设备，而且制备工艺步骤繁琐，所制备的显示面板有一定厚度，不利于显示面板的超薄化设计。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，能够减小显示面板的厚度。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括：
驱动背板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的驱动电路；
发光层，设置于驱动背板，发光层包括呈阵列分布的多个微发光二极管芯片，多个微发光二极管芯片由驱动电路控制，微发光二极管芯片包括由远离驱动背板的方向依次层叠设置的第一电极、与所述第一电极电连接的第一半导体层、光产生层、第二半导体层、以及与第二半导体层电连接的第二电极，其中，第二半导体层的背向光产生层的表面形成有向第二半导体层内部凹陷的像素槽，像素槽内形成有光转换单元，且对应每个像素槽形成有一种颜色的光转换单元，以使各光产生层产生的光线在各光转换单元转换色彩出射。
在第一方面的一种可能的实施方式中，像素槽的底面为粗糙化表面，底面形成有均向像素槽的中空空间突出的多个凸柱；优选地，凸柱在像素槽进深方向上的横截面为等腰三角形或半圆形。
在第一方面的一种可能的实施方式中，像素槽的侧壁表面设置有光阻挡层；优选地，像素槽的侧壁与像素槽的底面的夹角大于90度。
在第一方面的一种可能的实施方式中，光转换单元的出光面对应设置有滤光单元，且滤光单元的色彩与光转换单元的色彩一一对应设置。
在第一方面的一种可能的实施方式中，发光层的多个微发光二极管芯片之间形成有导热绝缘部，导热绝缘部的一端延伸至与第二半导体层的背向光产生层的表面齐平，另一端延伸至驱动背板的面向发光层的表面。
在第一方面的一种可能的实施方式中，第二电极设置于第二半导体层背向光产生层的表面以及导热绝缘部背向驱动背板的表面。
在第一方面的一种可能的实施方式中，显示面板还包括位于发光层的远离驱动背板一侧的封装层，以封装发光层。
在第一方面的一种可能的实施方式中，微发光二极管芯片为蓝光微发光二极管芯片，光转换单元包括红色单元、绿色单元及透明单元；或者，微发光二极管芯片为紫外光微发光二极管芯片，光转换单元包括红色单元、绿色单元及蓝色单元。
第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置包括：如权利要求1-8任一项的显示面板。
第三方面，本发明实施例提供一种显示面板制备方法，该显示面板制备方法包括：
在驱动背板上形成呈阵列分布的多个微发光二极管芯片；
针对每个微发光二极管芯片的背向驱动背板的半导体层上形成像素槽；
在每个像素槽内形成光转换单元，且对应每个像素槽形成有一种颜色的光转换单元，以使各光产生层产生的光线在各光转换单元转换色彩出射。
根据本发明实施例的显示面板，在微发光二极管芯片的第二半导体层的表面形成有向第二半导体层内部凹陷的像素槽，并在像素槽内形成有光转换单元，这样，在显示面板的厚度方向，光转换单元将不再位于微发光二极管芯片的上方，高出微发光二极管所在层，而是位于微发光二极管芯片内部，与微发光二极管芯片所在层重合，从而能够减小显示面板的厚度，有利于实现显示面板的超薄化设计。
此外，由于本发明实施例是先在微发光二极管芯片的第二半导体层的表面形成向第二半导体层内部凹陷的像素槽，然后在像素槽内形成光转换单元，省略了微发光二极管芯片和光转换单元的对位贴合步骤，从而不需要高精度的对位贴合设备，制备工艺简单，十分易于推广使用。
附图说明
从下面结合附图对本发明的具体实施方式的描述中可以更好地理解本发明其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。
图1为本发明第一实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本发明第二实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的凸柱结构的立体图；
图4为本发明第三实施例提供的显示面板的结构示意图；
图5为本发明第四实施例提供的显示面板的结构示意图；
图6为本发明第五实施例提供的显示面板的结构示意图；
图7为本发明第六实施例提供的显示面板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的第二电极的俯视图；
图9为本发明第七实施例提供的显示面板的结构示意图；
图10为本发明一个实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图；
图11a-图11h为本发明另一实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图。
附图标记说明：
10-驱动背板；201-微发光二极管芯片；2011-第一电极；
2012-第一半导体层；2013-光产生层；2014-第二半导体层；
2015-第二电极；202-光转换单元；2021-红色单元；
2022-绿色单元；2023-透明单元(蓝色单元)；203-凸柱；
204-光阻挡层；205-滤光单元(滤光层)；206-导热绝缘部；
207-封装层，208-像素槽。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。
图1为本发明第一实施例提供的显示面板的结构示意图。
如图1所示，显示面板包括驱动背板10和发光层。
驱动背板10包括衬底基板以及设置于衬底基板上的驱动电路，驱动电路由薄膜晶体管等器件组成，驱动背板10也称为阵列基板。
发光层设置于驱动背板10，发光层包括呈阵列分布的多个微发光二极管芯片201，多个微发光二极管芯片201由驱动电路控制。微发光二极管芯片201包括远离驱动背板10的方向依次层叠设置的第一电极2011、与第一电极2011电连接的第一半导体层2012、光产生层2013、第二半导体层2014、以及与第二半导体层2014电连接的第二电极2015。
在一些实施例中，微发光二极管芯片201为垂直芯片结构，微发光二极管芯片201包括远离驱动背板10的方向依次层叠设置的P-电极、P-GaN、多量子阱(MQWs)、N-GaN和n-电极。
在一些实施例中，微发光二极管芯片阵列可以为蓝光微发光二极管芯片，蓝光微发光二极管芯片中的光产生层2013能够产生蓝光。
在一些实施例中，微发光二极管芯片阵列也可以为紫外光微发光二极管芯片，紫外光微发光二极管芯片中的光产生层2013能够产生紫外光。
其中，第二半导体层2014的背向光产生层2013的表面形成有向第二半导体层2014内部凹陷的像素槽，像素槽内形成有光转换单元202，且对应每个像素槽形成有一种颜色的光转换单元202，以使各光产生层2013产生的光线在各光转换单元202转换色彩出射。
根据本发明实施例的显示面板，在微发光二极管芯片201的第二半导体层2014的表面形成有向第二半导体层2014内部凹陷的像素槽，并在像素槽内形成有光转换单元202，这样，在显示面板的厚度方向，光转换单元202将不再位于微发光二极管芯片的上方，高出微发光二极管所在层，而是位于微发光二极管芯片201内部，与微发光二极管芯片201所在层重合，从而能够减小显示面板的厚度，有利于实现显示面板的超薄化设计。
此外，由于本发明实施例是先在微发光二极管芯片201的第二半导体层2014的表面形成向第二半导体层2014内部凹陷的像素槽，然后在像素槽内形成光转换单元202，省略了微发光二极管芯片201和光转换单元202的对位贴合步骤，从而不需要高精度的对位贴合设备，制备工艺简单，十分易于推广使用。
以微发光二极管芯片为蓝光微发光二极管芯片为例，光转换单元202可以包括红色单元2021、绿色单元2022及透明单元2023。
其中，红色单元2021包括用于产生红光的光致发光材料，例如，红色量子点与光刻胶混合形成的材料或者红色有机光致发光材料与光刻胶混合形成的材料。绿色单元2022包括用于产生绿光的光致发光材料，例如，绿色量子点与光刻胶混合形成的材料或者绿色有机光致发光材料光刻胶混合形成的材料。其中，光刻胶为负性胶，量子点成分可以为ZnS、ZnO、CdS、InP等无机纳米颗粒。透明单元2023包括透明材料，例如，透明光刻胶、透明聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯(poly methyl meth acrylate，PMMA))等。
应当理解的是，透明单元2023无需将蓝光微发光二极管出射的蓝光进行转化，而是用于将蓝光微发光二极管出射的蓝光直接透过。
以微发光二极管芯片为紫外光微发光二极管芯片为例，光转换单元202包括红色单元2021、绿色单元2022及蓝色单元2023。
其中，红色单元2021包括用于产生红光的光致发光材料，例如，红色量子点与光刻胶混合形成的材料或者红色有机光致发光材料与光刻胶混合形成的材料。绿色单元2022包括用于产生绿光的光致发光材料，例如，绿色量子点与光刻胶混合形成的材料或者绿色有机光致发光材料光刻胶混合形成的材料。其中，光刻胶为负性胶，量子点成分可以为ZnS、ZnO、CdS、InP等无机纳米颗粒。蓝色单元2023包括用于产生蓝光的光致发光材料，例如，蓝色量子点与光刻胶混合形成的材料或者蓝色有机光致发光材料光刻胶混合形成的材料。
图2为本发明第二实施例提供的显示面板的结构示意图。
图2中示出的像素槽的底面为粗糙化表面，底面形成有均向像素槽的中空空间突出的多个凸柱203。
通过对像素槽的底面做粗糙化处理，可以增大像素槽的底面积，使得微发光二极管芯片201产生的多角度光线在进入光转换单元202之前，先经过多次反射和折射，从而扩大光转换单元202的光线入射角度，提高光转换单元202的光取出率。
在一些实施例中，凸柱203在像素槽进深方向上的横截面为等腰三角形，截面为等腰三角形的凸柱结构也称为棱镜结构。如图3所示，具有固定棱镜顶角和设定间距的棱镜规律地排成一排，使得微发光二极管芯片201产生的光线能够在相邻棱镜间进行反射和折射，从而使光线按照预定角度范围出射，起到聚光作用。
棱镜结构的关键参数是两个棱镜的间距d及棱镜顶点的角度β，不同的棱镜间距和顶点角度会出现不同的出射光角度。50um的棱镜间距和90度的顶点角度是常用的规格参数，这个规格参数使只有出射角在水平面的法线方向的±35°内的光线才能被折射导出，超过此角度范围外的光线经反射得以重复利用，直至以理想角度(±35°内)导出。本领域技术人员也可以通过调整棱镜间距和顶点角度使光线垂直出射，通过减小光线的出射角度，防止相邻像素间的颜色串扰，此处不做限定。
具体实施时，棱镜结构的折射率n1需大于对应的光转换单元202的折射率n2，从而减小由棱镜结构进入光转换单元202的光线入射角度，棱镜结构的折射率n1与对应的光转换单元202的折射率n2的差一般控制在1～3。
在一些实施例中，凸柱203在像素槽进深方向上的横截面也可以为半圆形，通将半圆形的凸柱203规律地排成一排，同样能够使微发光二极管芯片201产生的光线在相邻棱镜间进行反射和折射，从而使更多的光线按照预定角度范围出射，起到聚光作用，防止相邻像素间的串扰。
图4为本发明第三实施例提供的显示面板的结构示意图。
图4中示出的像素槽的侧壁表面设置有光阻挡层204。光阻挡层204材料可以为反射性金属材料(比如，Al、Ag等)或遮光有机材料，以防止相邻像素间的颜色串扰。
在一些实施例中，像素槽的侧壁与像素槽底面的夹角大于90度，使得像素槽呈现为倒梯形结构，如此设置，光线出射路径呈现由窄到宽的变化，能够在一定程度上提高光转换单元202的光线出射角度，进而提高显示面板的亮度。
图5为本发明第四实施例提供的显示面板的结构示意图。
图5中示出的光转换单元202的出光面对应设置有滤光单元205，且滤光单元205的色彩与光转换单元202的色彩一一对应设置。
比如，对应于红色单元2021和绿色单元2022的滤光单元205可以为高低折射率材料相间构成的布拉格反射层，能够将微发光二极管芯片201产生的光线(比如蓝光)反射回去，仅允许对应的红光或者绿光透射，达到避免蓝光漏出的效果。
或者，对应于红色单元2021和绿色单元2022的滤光单元205也可以为染料构成的滤色器，能够将微发光二极管芯片201产生的光线(比如蓝光)吸收，仅允许对应的红光或者绿光透射，达到避免蓝光漏出的效果。
图6为本发明第五实施例提供的显示面板的结构示意图。
图6与图5的不同之处在于，图5中示出的滤光单元205刚好覆盖对应的光转换单元202的出光面，而图6中示出的滤光单元205延伸至对应的光转换单元202周侧的第二电极2015的上方，该实施例能够通过扩大滤光单元205的面积提高滤光效果。
图7为本发明第六实施例提供的显示面板的结构示意图。
图7中示出的发光层的多个微发光二极管芯片201之间形成有导热绝缘部206，导热绝缘部206的一端延伸至与第二半导体层2014的背向光产生层2013的表面齐平，另一端延伸至驱动背板10的面向发光层的表面。
具体实施时，导热绝缘部206的材料可以是金属氧化物Al2O3、MgO、ZnO、NiO，也可以是金属氮化物AlN、Si3N4、BN，以及SiC陶瓷等。
通过设置导热绝缘部206，一方面能够解决微发光二极管芯片201的散热问题，提升微发光二极管芯片201或者显示面板的寿命；另一方面能够为形成于微发光二极管芯片201的上方的第二电极2015和滤光单元205提供支撑。如图7所示，为起到支撑作用，可以将第二电极2015设置于第二半导体层2014背向光产生层2013的表面以及导热绝缘部206背向驱动背板10的表面。
此处，第二电极2015也可以理解为公共电极(参见图8)，公共电极可以选用导电性材料，如Ti/Au、Cr/Pt/Au、Ag或ITO等。
图9为本发明第七实施例提供的显示面板的结构示意图。
图9中示出的显示面板还包括位于发光层的远离驱动背板10一侧的封装层207，以封装发光层。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板，该显示装置可以应用于虚拟现实设备、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、可穿戴手表、物联网节点等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
图10为本发明提供的显示面板的制备方法的流程示意图。如图10所示，该显示面板的制备方法包括步骤101至步骤103。
在步骤101中，在驱动背板10上形成呈阵列分布的多个微发光二极管芯片201。
在步骤102中，针对每个微发光二极管芯片201的背向驱动背板10的半导体层上形成像素槽。
在步骤103中，在每个像素槽内形成光转换单元202，且对应每个像素槽形成有一种颜色的光转换单元202，以使各光产生层2013产生的光线在各光转换单元(2021-2023)转换色彩出射。
根据本发明实施例的显示面板的制备方法，针对每二个微发光二极管芯片201的背向驱动背板10的半导体层上形成像素槽，并在像素槽内形成光转换单元202，这样，在显示面板的厚度方向，光转换单元202将不再位于微发光二极管芯片的上方，高出微发光二极管所在层，而是位于微发光二极管芯片201内部，与微发光二极管芯片201所在层重合，从而能够减小显示面板的厚度，有利于实现显示面板的超薄化设计。
请参阅图11a-图11h，具体实施时，本发明实施例中的显示面板的制备方法可以包括S1至S8。
S1、在驱动背板10上形成呈阵列分布的多个微发光二极管芯片201；
S2、在微发光二极管芯片201之间填充导热绝缘材料，形成导热绝缘部206。
S3、通过蚀刻工艺对微发光二极管芯片201的背向驱动背板10的半导体层(比如，N-GaN层)进行图案化处理，蚀刻出两侧含有GaN柱、底部为棱镜结构的量子点沟槽(即像素槽208)；
S4、在量子点沟槽两侧的GaN柱表面沉积光阻挡层204；
S5、以蓝色微发光二极管芯片201为例，通过喷墨打印技术在红、绿、蓝量子点沟槽分别填充红色量子点光刻胶、绿色量子点光刻胶以及蓝色透射层光刻胶，形成颜色转换层(即光转换单元202)，包括红色单元2021、绿色单元2022和透明单元2023；
S6、在微发光二极管芯片201的N-GaN柱肩上制备像素化的N-公共电极(即第二电极2015)；
S7、在红色单元2021和绿色单元2022上方制备像素化的滤光层205，将对应区域的蓝光反射回去或者吸收，仅允许相应的红绿光透射。
S8、在滤光层205上方制备透明封装层207。
需要明确的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同或相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。对于装置实施例而言，相关之处可以参见方法实施例的说明部分。本发明实施例并不局限于上文所描述并在图中示出的特定步骤和结构。本领域的技术人员可以在领会本发明实施例的精神之后，作出各种改变、修改和添加，或者改变步骤之间的顺序。并且，为了简明起见，这里省略对已知方法技术的详细描述。
以上所述的结构框图中所示的功能块可以实现为硬件、软件、固件或者它们的组合。当以硬件方式实现时，其可以例如是电子电路、专用集成电路(ASIC)、适当的固件、插件、功能卡等等。当以软件方式实现时，本发明实施例的元素是被用于执行所需任务的程序或者代码段。程序或者代码段可以存储在机器可读介质中，或者通过载波中携带的数据信号在传输介质或者通信链路上传送。“机器可读介质”可以包括能够存储或传输信息的任何介质。机器可读介质的例子包括电子电路、半导体存储器设备、ROM、闪存、可擦除ROM(EROM)、软盘、CD-ROM、光盘、硬盘、光纤介质、射频(RF)链路，等等。代码段可以经由诸如因特网、内联网等的计算机网络被下载。
本发明实施例可以以其他的具体形式实现，而不脱离其精神和本质特征。例如，特定实施例中所描述的算法可以被修改，而系统体系结构并不脱离本发明实施例的基本精神。因此，当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本发明实施例的范围由所附权利要求而非上述描述定义，并且，落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明实施例的范围之中。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
驱动背板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的驱动电路；
发光层，设置于所述驱动背板，所述发光层包括呈阵列分布的多个微发光二极管芯片，多个所述微发光二极管芯片由所述驱动电路控制，所述微发光二极管芯片包括由所述驱动背板远离所述驱动背板的方向依次层叠设置的第一电极、与所述第一电极电连接的第一半导体层、光产生层、第二半导体层、以及与所述第二半导体层电连接的第二电极，其中，所述第二半导体层的背向所述光产生层的表面形成有向所述第二半导体层内部凹陷的像素槽，所述像素槽内形成有光转换单元，且对应每个像素槽形成有一种颜色的光转换单元，以使各所述光产生层产生的光线在各所述光转换单元转换色彩出射；所述发光层的多个微发光二极管芯片之间形成有导热绝缘部，所述导热绝缘部的一端延伸至与所述第二半导体层的背向所述光产生层的表面齐平，另一端延伸至所述驱动背板的面向所述发光层的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述像素槽的底面为粗糙化表面，所述底面形成有均向所述像素槽的中空空间突出的多个凸柱。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述凸柱在所述像素槽进深方向上的横截面为等腰三角形或半圆形。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述像素槽的侧壁表面设置有光阻挡层。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述像素槽的侧壁与像素槽的底面的夹角大于90度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述光转换单元的出光面对应设置有滤光单元，且所述滤光单元的色彩与所述光转换单元的色彩一一对应设置。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极设置于所述第二半导体层背向所述光产生层的表面以及所述导热绝缘部背向所述驱动背板的表面。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述发光层的远离所述驱动背板一侧的封装层，以封装所述发光层。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述微发光二极管芯片为蓝光微发光二极管芯片，所述光转换单元包括红色单元、绿色单元及透明单元；
或者，
所述微发光二极管芯片为紫外光微发光二极管芯片，所述光转换单元包括红色单元、绿色单元及蓝色单元。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板，所述制备方法包括：
在驱动背板上形成呈阵列分布的多个微发光二极管芯片；
针对每个微发光二极管芯片的背向所述驱动背板的半导体层上形成像素槽；
在每个像素槽内形成光转换单元，且对应每个像素槽形成有一种颜色的光转换单元，以使各所述光产生层产生的光线在各所述光转换单元转换色彩出射。
CN201910568861.2A 2019-06-27 2019-06-27 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 Active CN112234070B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910568861.2A CN112234070B (zh) 2019-06-27 2019-06-27 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910568861.2A CN112234070B (zh) 2019-06-27 2019-06-27 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112234070A CN112234070A (zh) 2021-01-15
CN112234070B true CN112234070B (zh) 2022-12-13

Family

ID=74110895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910568861.2A Active CN112234070B (zh) 2019-06-27 2019-06-27 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112234070B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113284918B (zh) * 2021-04-29 2024-01-26 无锡唐古半导体有限公司 微显示器件及其制备方法
WO2023010344A1 (zh) * 2021-08-04 2023-02-09 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led芯片、显示面板及制备方法、电子设备
CN114038875B (zh) * 2021-08-04 2023-03-24 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种led芯片、显示面板及电子设备
CN113675313B (zh) * 2021-08-19 2023-03-17 业成科技（成都）有限公司 显示画素结构
CN113964148B (zh) * 2021-10-25 2022-10-04 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
US20230335693A1 (en) * 2022-04-19 2023-10-19 Applied Materials, Inc. Micro-led structures and photoluminescent materials having uv light filters
CN114864759B (zh) * 2022-07-06 2022-09-20 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种微发光二极管显示基板及其制造方法
CN114899291B (zh) * 2022-07-12 2022-10-25 诺视科技(苏州)有限公司 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏
CN114899286B (zh) * 2022-07-12 2022-10-25 诺视科技(苏州)有限公司 一种像素级分立器件及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW595019B (en) * 2003-04-24 2004-06-21 Graphic Techno Japan Co Ltd Semiconductor light-emitting device
CN108257949A (zh) * 2018-01-24 2018-07-06 福州大学 可实现光效提取和色彩转换微米级led显示装置及制造方法
CN108281456A (zh) * 2018-01-19 2018-07-13 福州大学 Micro-LED器件结构及制作方法
CN109256455A (zh) * 2018-09-19 2019-01-22 福州大学 一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法
CN109920813A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 三星电子株式会社 制造发光器件封装的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
TWI588984B (zh) * 2016-03-14 2017-06-21 群創光電股份有限公司 顯示裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW595019B (en) * 2003-04-24 2004-06-21 Graphic Techno Japan Co Ltd Semiconductor light-emitting device
CN109920813A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 三星电子株式会社 制造发光器件封装的方法
CN108281456A (zh) * 2018-01-19 2018-07-13 福州大学 Micro-LED器件结构及制作方法
CN108257949A (zh) * 2018-01-24 2018-07-06 福州大学 可实现光效提取和色彩转换微米级led显示装置及制造方法
CN109256455A (zh) * 2018-09-19 2019-01-22 福州大学 一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112234070A (zh) 2021-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112234070B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
KR102626353B1 (ko) 표시 패널, 표시 장치 및 표시 패널의 제조 방법
CN110050511B (zh) 使用半导体发光二极管的显示装置
KR102132220B1 (ko) 양자점 광학 소자의 제조 방법 및 양자점 광학 소자를 포함한 백라이트 유닛
CN112133811B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112151567A (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN102537780B (zh) 发光器件模块和包括发光器件模块的背光单元
WO2020258864A1 (zh) 色彩转化组件及其制作方法、显示面板
KR20190071152A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US20210407977A1 (en) Display panel and method for manufacturing the same, display device
KR20110063682A (ko) 뒷면에 광학적으로 연결된 ｌｅｄ들을 갖는 얇은 에지 백라이트
CN105425469B (zh) 一种背光模组及其制作方法、显示装置
CN113725249B (zh) 一种芯片结构、制作方法和显示装置
WO2020153191A1 (ja) 発光デバイスおよび画像表示装置
JP4282344B2 (ja) 発光ダイオード
CN112216219A (zh) 像素排布结构、显示面板和显示装置
US20210088844A1 (en) Light-emitting module
WO2024082488A1 (zh) 封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法
CN106959550B (zh) 一种光学调制器、背光源模组及显示装置
CN113451483A (zh) 一种颜色转换装置及其制备方法、显示背板
JP2004259607A (ja) 表示パネルおよび表示装置
CN112307951B (zh) 显示装置
US11508706B2 (en) Light-emitting module
WO2023010344A1 (zh) Led芯片、显示面板及制备方法、电子设备
CN110376796B (zh) 一种显示装置、其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant