CN109920813A - 制造发光器件封装的方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造发光器件封装的方法，包括：形成单元阵列，该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域，该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层，该单元阵列具有与衬底接触的第一表面；通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面；在分离区域中的第一表面上形成晶种层；在发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层；通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，该分隔结构分离发光器；通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口，使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来；以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。

Description

制造发光器件封装的方法
相关申请的交叉引用
将2017年12月12日在韩国知识产权局递交的题为“制造发光器件封装的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0170188的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
实施例涉及一种制造发光器件封装的方法。
背景技术
诸如半导体发光二极管(LED)器件的发光器件已被用作各种电子产品的光源以及用于照明设备的光源。例如，发光器件可以用作各种类型的显示设备(诸如电视机、移动电话、个人计算机(PC)、膝上型PC和个人数字助理(PDA))的光源。
发明内容
可以通过提供一种制造发光器件封装的方法来实现实施例，所述方法包括：
形成单元阵列，所述单元阵列包括多个半导体发光器以及分离区域，所述多个半导体发光器中的每个半导体发光器包括堆叠在用于生长的衬底上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述单元阵列具有与所述用于生长的衬底接触的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；通过去除所述用于生长的衬底来暴露出所述分离区域的所述第一表面；在所述第一表面上形成晶种层，使得所述晶种层位于所述分离区域中；在所述多个半导体发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得所述光致抗蚀剂图案暴露出所述晶种层；通过镀覆由所述光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，所述分隔结构分离所述多个半导体发光器；通过去除所述光致抗蚀剂图案来形成所述分隔结构的多个发光窗口，使得所述多个半导体发光器在所述多个发光窗口的相应下端处暴露出来；以及通过用波长转换材料填充所述多个发光窗口来形成多个波长转换器。
可以通过提供一种制造发光器件封装的方法来实现实施例，所述方法包括：通过在用于生长的衬底上堆叠第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层以及通过蚀刻所述第一导电型半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层的区域来形成多个半导体发光器，所述多个半导体发光器在它们之间具有分离区域，所述分离区域暴露出所述用于生长的衬底；通过去除所述用于生长的衬底，暴露出所述多个半导体发光器中的每个半导体发光器的所述第一导电型半导体层；在所述分离区域中形成晶种层；在所述多个半导体发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得所述光致抗蚀剂图案暴露出所述晶种层；通过镀覆由所述光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，所述分隔结构分离所述多个半导体发光器；通过去除所述光致抗蚀剂图案来形成所述分隔结构的多个发光窗口，使得所述多个半导体发光器在所述多个发光窗口的相应下端处暴露出来；以及通过用波长转换材料填充所述多个发光窗口来形成多个波长转换器。
可以通过提供一种制造发光器件封装的方法来实现实施例，所述方法包括：在用于生长的衬底上设置多个半导体发光器，使得所述多个半导体发光器中的每个半导体发光器包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，并通过分离区域将所述多个半导体发光器分离；通过从所述多个半导体发光器中去除所述用于生长的衬底来暴露出所述第一导电型半导体层；形成晶种层使得所述晶种层位于所述分离区域中；在所述多个半导体发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得所述光致抗蚀剂图案具有沟槽，并且所述晶种层在所述沟槽的底部暴露出来；通过在所述沟槽中进行镀覆，形成具有多个发光窗口的分隔结构，所述多个发光窗口分别覆盖所述多个半导体发光器；通过去除所述光致抗蚀剂图案来暴露出所述多个发光窗口；以及通过用波长转换材料填充所述多个发光窗口来形成多个波长转换器。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：
图1示出了根据示例实施例的具有发光器件封装的显示设备的示意性透视图；
图2是图1的部分“A”的放大平面图；
图3示出了根据示例实施例的发光器件封装的示意性平面图；
图4示出了图3的发光器件封装的示意性后视图；
图5示出了沿图3的线I-I’截取的发光器件封装的截面图；
图6示出了沿图3的线II-II’截取的发光器件封装的截面图；
图7示出了根据示例实施例的发光器件封装的示意性截面图；
图8至图14示出了针对图6的发光器件封装的制造工艺中的阶段的视图；以及
图15至图21示出了针对图7的发光器件封装的制造工艺中的阶段的示意性截面图。
具体实施方式
图1示出了根据示例实施例的具有发光器件封装的显示设备的示意性透视图。图2是图1的部分“A”的放大平面图。
参考图1，显示设备1可以包括电路板3和设置在电路板3上的显示面板2。
根据示例实施例，显示面板2可以包括多个发光器件封装10，其可以发射红色、绿色和蓝色(RGB)光的混合。发光器件封装10中的每个发光器件封装可以构成显示面板2的单个像素，并且可以设置在电路板3上以形成行和列。在实施方式中，发光器件封装10可以例示为被布置成15×15矩阵。在实施方式中，可以根据期望的分辨率(例如，1024×768或1920×1080)布置更多数量的发光器件封装。
各个发光器件封装10可以包括与RGB光源相对应的多个子像素，并且单个发光器件封装10的多个子像素可以彼此相邻地设置。将参考图3至图6对该配置进行更详细的描述。在实施方式中，青色、黄色、品红色或黑色(CYMK)光源也可以用作子像素。在实施方式中，单个像素可以包括分别对应于RGB光源的三个子像素。在实施方式中，单个像素可以包括四个或更多个子像素。
电路板3可以包括被配置为向显示面板2的各发光器件封装10供电的驱动器，以及控制驱动部件的控制器。电路板3可以包括被配置为独立地操作每个像素的子像素的电路。例如，电路板3可以包括具有薄膜晶体管(TFT)的TFT衬底。
参考图2，显示面板2还可以包括第一分隔结构4，该第一分隔结构4限定可以设置发光器件封装10的区域。此外，各个发光器件封装10可以被第二分隔结构5围绕。第二分隔结构5可以将各个发光器件封装10彼此电学分离，并且因此每个发光器件封装10可以作为单个像素被独立地驱动。此外，第二分隔结构5可以将发光器件封装10牢固地固定到电路板3。在实施方式中，可以省略第一分隔结构4和/或第二分隔结构5。
第一分隔结构4和第二分隔结构5可以包括黑矩阵。例如，黑矩阵可以设置在电路板3周围，以用作限定发光器件封装10的安装区域的引导线。在实施方式中，矩阵的颜色可以不是黑色。在实施方式中，根据产品的目的或用途，可以将白色或绿色矩阵用作黑矩阵，并且还可以使用由透明材料形成的矩阵。白色矩阵还可以包括反射性材料或光散射材料。在实施方式中，黑矩阵可以包括例如聚合物，其包括树脂、陶瓷、半导体和金属。
图3示出了根据示例实施例的发光器件封装的示意性平面图。图4示出了图3的发光器件封装的示意性后视图。图5示出了沿着图3的线I-I’截取的横截面图。图6示出了沿着图3的线II-II’截取的横截面图。
参考图6，根据示例实施例的发光器件封装10可以包括：具有第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的单元阵列CA；设置在单元阵列CA的一个表面上的第一波长转换器51至第三波长转换器53，使得第一波长转换器51至第三波长转换器53可以分别对应于第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3(例如，可以上覆于或以其他方式位于由发光器发射的光的路径中)；以及将第一波长转换器51至第三波长转换器53分开的分隔结构45。
在实施方式中，发光器件封装10可以包括分别对应于单个像素的RGB光源的第一子像素SP1至第三子像素SP3。第一子像素SP1至第三子像素SP3可以分别包括第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3以及第一波长转换器51至第三波长转换器53。因此，从第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3发射的光可以经由第一波长转换器51至第三波长转换器53被转换为具有与发射光的波长不同的波长的光，并且可以被发射。当从上方观察时(参考图3)，第一子像素SP1至第三子像素SP3可以以相同的面积彼此平行地设置，并且分隔结构45可以将第一子像素SP1至第三子像素SP3分离。
如图5和图6所示，第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3中的每个半导体发光器可以包括外延层，例如第一导电型半导体层13、有源层15和第二导电型半导体层17。可以通过相同的工艺从单个晶片生长这种外延层。第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的有源层15可以发射相同的光。在实施方式中，有源层15可以发射蓝光(例如，波长为440nm至460nm的光)或紫外光(例如，波长为380nm至440nm的光)。在实施方式中，可以在第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3中的每个半导体发光器的第一导电型半导体层13的表面上形成不均匀图案R，从而提高光提取效率。
单元阵列CA可以包括分别围绕第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的绝缘体21。绝缘体21可以将第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3彼此电隔离。在实施方式中，如图6所示，绝缘体21可以与第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3共面(例如，绝缘体21的表面可以与第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的表面共面)。
绝缘体21可以包括具有电绝缘特性的材料。例如，绝缘体21可以包括氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。在实施方式中，绝缘体21可以附加地包括具有较低光吸收率或反射率的材料、或反射性结构。绝缘体21可以有助于阻挡第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3之间的光学干涉，从而有助于确保第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的独立驱动。在实施方式中，绝缘部21可以具有分布式布拉格反射器(DBR)结构，其中交替地堆叠具有不同折射率的多个绝缘膜。
绝缘体21和分隔结构45可以彼此连接。如上所述，绝缘体21和分隔结构45可以从第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3之间的空间延伸到第一波长转换器51至第三波长转换器53之间的空间，从而有效地阻挡在整个光路上的子像素之间的光学干涉。
发光器件封装10可以包括设置在单元阵列CA的另一表面上并且电连接到第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的电极。电极可以被配置为使得第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3被选择性地驱动。
在实施方式中，如图4所示，电极可以包括分别连接到三个半导体发光器C1至C3的三个第一电极焊盘31a至31c、以及共同连接到三个半导体发光器C1至C3的第二电极焊盘32。
三个第一电极焊盘31a至31c可以通过三个第一连接电极27独立地连接到第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3中的每个的第一导电型半导体层13。第二电极焊盘32可以通过单个第二连接电极28共同连接到第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3中的每个的第二导电型半导体层17。第一连接电极27和第二连接电极28可以通过形成在绝缘体21中的第一通孔H1和第二通孔H2分别连接到第一导电型半导体层13和第二导电型半导体层17。示例实施例中采用的电极还可以包括第一接触电极23和第二接触电极24。第一通孔H1和第二通孔H2可以暴露第一接触电极23和第二接触电极24的一部分，以便与第一连接电极27和第二连接电极28相连。尽管第一连接电极27单独地形成在三个第一通孔H1中，第二连接电极28可以形成为使得其形成在三个第二通孔H2中的部分可以彼此连接。这种电极可以根据单元和电极焊盘的布置而变化。
发光器件封装10可以包括包封单元阵列CA并暴露出第一电极焊盘31a至31c和第二电极焊盘的模制件34。模制件34可以具有较高的杨氏模量，以便强有力地支撑发光器件封装10。在实施方式中，模制件34可以包含具有较高等级的热导率的材料，以便有效地发射或消散由第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3产生的热量。例如，模制件34可以包括环氧树脂或硅树脂。在实施方式中，模制件34可以包括用于反射光的光反射颗粒。在实施方式中，光反射颗粒可以包括例如二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O2)颗粒。
分隔结构45可以设置在单元阵列CA上与第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3上的半导体发光器分离区域SR1和器件分离区域SR2的位置相对应的位置处。分隔结构45可以具有第一发光窗口W1至第三发光窗口W3(例如，其间的空间或开口)，从而允许分别发射来自第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的光束。分隔结构45可以包括设置在与单元阵列CA接触的区域中的晶种层45a以及通过镀覆工艺从晶种层45a生长的镀覆层45b。晶种层45a可以形成为单个金属层或多个金属层。当晶种层45a形成为多个层时，与镀覆层45b的材料相同的材料可以设置在这些层中的最上层中。
分隔结构45的第一发光窗口W1至第三发光窗口W3可以被分别设置为用于形成第一波长转换器51至第三波长转换器53的空间(例如，可以在最终制备的发光器件封装中用第一波长转换器51至第三波长转换器53填充第一发光窗口W1至第三发光窗口W3)。分隔结构45可以由具有较高等级的反射率的金属形成，使得穿过第一波长转换器51至第三波长转换器53的光束不会彼此干涉。例如，可以通过镀覆包括作为高反射金属的铝(Al)、钌(Ru)、铑(Rh)、金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、镍(Ni)、铬(Cr)或铜(Cu)的材料来形成分隔结构45。在实施方式中，可以通过镀覆这些材料的合金(例如，Ag-Sn合金)来形成分隔结构45。如图6中所示，分隔结构45的上表面(例如，绝缘体21的远侧表面)可以与第一波长转换器51至第三波长转换器53的上表面形成共面表面SP。
可以在显示面板的各个像素中包括的子像素之间采用有效阻挡光的分隔结构，以免从子像素发射的光束彼此干涉。可以通过蚀刻用于生长的衬底来形成具有光阻挡效果的分隔结构，其中可以从所述用于生长的衬底生长半导体发光器，或者可以由散布有光反射材料的树脂形成具有光阻挡效果的分隔结构。随着显示面板的分辨率大幅增加，各个像素可以具有更紧凑的尺寸，并且可以减小分隔结构的厚度以产生紧凑的像素。由这种材料形成的分隔结构可以在具有一定厚度或较小厚度时允许光透射，因此可能无法充分地用作分隔件。因此，即使在像素具有紧凑的尺寸的情况下，也可能需要减小子像素的尺寸，同时保持分隔件的厚度。结果，显示面板的分辨率可以大幅增加，而从各个像素发射的光量可能会减小，因此从整个显示面板发射的光量可能会降低。
根据示例实施例，发光器件封装10可以具有由高反射金属形成的分隔结构，使得可以进一步减小分隔结构的厚度。因此，通过显著地增加子像素的尺寸，同时显著地减小子像素之间的距离，发光器件封装10可以具有更紧凑的尺寸。
第一波长转换器51至第三波长转换器53可以将由第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3发射的光的波长分别调节或转换为具有不同颜色的光的波长。在实施方式中，第一波长转换器51至第三波长转换器53可以分别发射绿光、蓝光和红光。第一波长转换器51至第三波长转换器53的上表面可以是平坦的，并且可以彼此共享共面表面SP。在实施方式中，第一波长转换器51至第三波长转换器53的上表面可以与分隔结构45的上表面共享共面表面SP。
第一波长转换器51至第三波长转换器53可以通过将波长转换材料(例如，磷光体或量子点(QD))散布在诸如硅树脂的树脂中来形成。
可以通过用这种波长转换材料填充第一发光窗口W1至第三发光窗口W3然后固化波长转换材料来形成第一波长转换器51至第三波长转换器53。例如，可以通过将磷光体或QD与诸如硅树脂的材料混合、以喷墨方式将混合物分配或打印在第一发光窗口W1至第三发光窗口W3中，并使混合物热固化，来形成第一波长转换器51至第三波长转换器53。
在实施方式中，还可以将滤光层61和62或DBR层设置在第一波长转换器51和第三波长转换器53的上表面上，以选择性地阻挡具有特定波长的光。在实施方式中，具有特定波长的光可以是从第一半导体发光器C1和第三半导体发光器C3发射的蓝光，并且可以设置滤光层61和62以及DBR层以选择性地阻挡蓝光。因此，使用滤光层61和62或DBR层可以允许第一发光窗口W1和第三发光窗口W3发射从中去除蓝光的光。
可以通过分配未与磷光体混合的透光液体树脂来形成第二波长转换器52。在实施方式中，第二波长转换器52可以包括用于调节蓝光的色坐标的蓝色或蓝绿色磷光体，例如发射波长为480nm至520nm的光的磷光体。可以采用这种磷光体来调节由第二波长转换器52提供的蓝光的色坐标，从而以比在用于将光的颜色转换成其他颜色的第一波长转换器51和第三波长转换器53中混合的磷光体的量少的量来进行混合。在实施方式中，第二波长转换器52可以用不与磷光体混合的透明树脂层来代替。
第一波长转换器51至第三波长转换器53可以具有设置在其上表面上的包封部70，以帮助防止波长转换材料的劣化。包封部70可以接触第一波长转换器51至第三波长转换器53以及分隔结构45，以用作用于传输从第一波长转换器51至第三波长转换器53发射的光的光波导。
图7是根据示例实施例的示意性地示出发光器件封装100的截面图。本示例实施例与上述示例实施例的不同之处在于，第一半导体发光器C11至第三半导体发光器C13可以从绝缘层121的上部突出(例如，高于绝缘层121的上部)，并且折射率匹配层116还可以形成在第一半导体发光器C11至第三半导体发光器C13的表面上，以帮助减小第一半导体发光器C11至第三半导体发光器C13与第一波长转换器151至第三波长转换器153之间的折射率差。折射率匹配层116可以由透光绝缘材料形成，该透光绝缘材料的折射率低于第一半导体发光器C11至第三半导体发光器C13的折射率并且高于第一波长转换器151至第三波长转换器153的折射率。其他配置与上述示例实施例中的配置相同，并且可以省略其详细描述。
参考图8至图17，将描述根据示例实施例的制造发光器件封装的方法。图8至图17示出了示意性地示出针对图6的发光器件封装的主要制造工艺中的阶段的视图。图9示出了沿着图8的线III-III′截取的横截面图。
例如，制造发光器件封装的方法涉及制造晶片级芯片尺寸封装的方法。芯片尺寸封装可以具有与半导体发光器件封装基本相同的尺寸。因此，当芯片尺寸封装用于显示面板时，可以通过减小芯片尺寸封装的像素尺寸和像素间距来制造高分辨率显示面板。此外，制造晶片级芯片尺寸封装的方法的所有工艺都可以在晶片级执行，该方法可以适合于大规模生产，并且可以实现与半导体发光器一体地形成光学结构，例如包含磷光体的波长转换器或滤光器。
如图8和图9所示，可以在用于生长的衬底S(例如，或简称为衬底)(例如，晶片)上制备单元阵列CA。单元阵列CA可以包括第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3，每个半导体发光器具有第一导电型半导体层13、有源层15、第二导电型半导体层17、分别围绕第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3的绝缘体21、第二连接电极28和模制件34。第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3可以彼此间隔，其中半导体发光器分离区域SR1介于其间，并且器件分离区域SR2可以设置在分离每个个体半导体发光器件的每个区域中。
随后，如图10所示，用于生长的衬底S可以与单元阵列CA分离，以暴露出单元阵列CA的第一导电型半导体层13。在实施方式中，可以在第一导电型半导体层13的暴露表面上形成不均匀图案R，从而进一步提高光提取效率。可以通过湿法蚀刻第一导电型半导体层13的暴露表面或使用等离子体干法蚀刻该暴露表面来获得这种不均匀图案R.在实施方式中，在分离用于生长的衬底S时，用于支撑单元阵列CA的临时衬底可以附接到单元阵列CA。
随后，如图11中所示，晶种层45a可以形成在半导体发光器分离区域SR1和器件分离区域SR2中，并且光致抗蚀剂图案PR可以形成为具有沟槽T，使得晶种层45a在其底部暴露出来。晶种层45a可以允许半导体发光器分离区域SR1和器件分离区域SR2形成在光致抗蚀剂图案PR上。光致抗蚀剂图案PR可以具有比要形成的分隔结构更大的厚度。例如，当要通过例如镀覆工艺的后续工艺形成的分隔结构具有10μm的厚度时，光致抗蚀剂图案PR可以具有12μm或更大的厚度。例如，沟槽T可以形成为具有比要形成的分隔结构的厚度或高度更大的厚度或深度，这可以有助于防止分隔结构的上端部分以球形形状在沟槽T上突出或突出沟槽T之外。在实施方式中，沟槽T的宽度可以在1μm至20μm的范围内。在实施方式中，分隔结构45可以具有大于或等于10μm的高度。
晶种层45a可以由单层或多层结构形成，该单层或多层结构由包括铝(Al)、钌(Ru)、铑(Rh)、金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、镍(Ni)、铬(Cr)或铜(Cu)的材料形成，或者可以由这些材料的合金形成。晶种层45a可以通过例如溅射或物理气相沉积(PVD)工艺形成。
随后，如图12中所示，可以通过生长晶种层45a(在沟槽T的底部)提供分隔结构45，以便形成填充沟槽T的镀覆层45b。镀覆层45b可以通过镀覆与晶种层45a相同的金属材料形成，例如铝(Al)、钌(Ru)、铑(Rh)、金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、镍(Ni)、铬(Cr)或铜(Cu)。镀覆层45b可以生长为其厚度或高度比光致抗蚀剂图案PR的厚度或高度小特定间隙G，这可以有助于防止分隔结构45的上端部分不需要地以球形形状在沟槽T上突出。可以通过镀覆通过光刻工艺形成的沟槽T来形成镀覆层45b，以具有非常窄的宽度。因此，与其他分隔结构相比，可以形成具有进一步减小的厚度的分隔结构45。
随后，如图13中所示，可以去除光致抗蚀剂图案PR以暴露出分隔结构45的第一发光窗口W1至第三发光窗口W3。
随后，如图14中所示，可以将与波长转换材料(例如，绿色磷光体P1、蓝色磷光体P2和红色磷光体P3)混合的透光液体树脂分配到第一发光窗口W1至第三发光窗口W3中以形成第一波长转换器51至第三波长转换器53。在实施方式中，可以在器件分离区域SR2中涂覆黑矩阵，以帮助提高半导体发光器件的对比度。
随后，滤光层61和62可以分别设置在第一发光窗口W1至第三发光窗口W3上，可以在滤光层61和62上形成包封部70，然后可以将所得到的结构切割成单独半导体发光器件，从而得到图6所示的发光器件封装10。
将描述根据另一示例实施例的制造发光器件封装的方法。图15至图21示出了用于图7的发光器件封装的主要制造工艺中的阶段的截面图。
如图15中所示，包括第一导电型半导体层113、有源层115和第二导电型半导体层117的发光结构可以形成在用于生长的衬底S上。可以蚀刻发光结构的区域以形成分离第一半导体发光器C11至第三半导体发光器C13的半导体发光器分离区域SR11。在实施方式中，可以形成器件分离区域SR12，其可以是被分成单独器件的区域。绝缘体21可以形成为分别围绕第一半导体发光器C1至第三半导体发光器C3，并且可以形成连接电极128和模制件134，以提供单元阵列CA′。与上述示例实施例不同，根据示例实施例的第一半导体发光器C11至第三半导体发光器C13可以共享第一导电型半导体层113。
随后，如图16所示，用于生长的衬底S可以与单元阵列CA’分离，以暴露出单元阵列CA’的第一导电型半导体层113。在实施方式中，可以在第一导电型半导体层113的暴露表面上形成不均匀图案R，并且在分离用于生长的衬底S时，用于支撑单元阵列CA’的临时衬底可以附接到单元阵列CA’。
随后，如图17中所示，可以通过涂覆光致抗蚀剂图案PR并蚀刻其中未形成光致抗蚀剂图案PR的区域，在半导体发光器分离区域SR11和器件分离区域SR12中形成分离第一半导体发光器C11至第三半导体发光器C13的沟槽T。
随后，如图18中所示，折射率匹配层116和晶种层145a可以形成在沟槽T内，并且如图19所示，可以形成其中晶种层145a在沟槽T的底部暴露出来的光致抗蚀剂图案PR。
随后，如图20中所示，可以通过在沟槽T的底部生长晶种层145a来设置分隔结构145，以便形成填充沟槽T的镀层145b。
随后，如图21中所示，可以去除光致抗蚀剂图案PR以暴露出分隔结构145的第一发光窗口W1至第三发光窗口W3。
后续工艺可以与根据上述示例实施例的图14和图15的工艺相同，并且可以省略其描述。
通过总结和回顾，一些显示设备包括例如液晶显示(LCD)面板的显示面板以及背光单元。近年来，已经研究通过使用LED器件作为单个像素而不需要附加背光单元的显示设备。这种显示设备可以具有紧凑的尺寸，并且与LCD相比可以实现为具有提高的光效率的高亮度显示器。显示设备还可以允许自由地改变显示图像的纵横比，并且可以实现为大型显示设备，从而提供各种形式的大型显示器。
实施例可以提供制造可以促进紧凑性的发光器件封装的方法。
本文已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅用于且将被解释为一般的描述性意义，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如提交本申请的本领域普通技术人员应认识到，除非另有明确说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与其他实施例描述的特征、特性和/或元件相结合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的前提下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种制造发光器件封装的方法，所述方法包括：
形成单元阵列，所述单元阵列包括：
多个半导体发光器，所述多个半导体发光器中的每个半导体发光器包括堆叠在用于生长的衬底上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，以及
分离区域，所述单元阵列具有与所述用于生长的衬底接触的第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面；
通过去除所述用于生长的衬底来暴露出所述分离区域的所述第一表面；
在所述第一表面上形成晶种层，使得所述晶种层位于所述分离区域中；
在所述多个半导体发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得所述光致抗蚀剂图案暴露出所述晶种层；
通过镀覆由所述光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，所述分隔结构分离所述多个半导体发光器；
通过去除所述光致抗蚀剂图案来形成所述分隔结构的多个发光窗口，使得所述多个半导体发光器在所述多个发光窗口的相应下端处暴露出来；以及
通过用波长转换材料填充所述多个发光窗口来形成多个波长转换器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成分隔结构包括生长所述晶种层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶种层由包括铝Al、钌Ru、铑Rh、金Au、银Ag、铂Pt、镍Ni、铬Cr或铜Cu的材料形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分隔结构设置在比所述光致抗蚀剂图案的水平高度低的水平高度上。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分隔结构的宽度在1μm至20μm的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分隔结构的高度大于或等于10μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述单元阵列还包括形成覆盖所述多个半导体发光器的绝缘层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述绝缘层设置在所述分离区域中。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述光致抗蚀剂图案之前在所述单元阵列的暴露出的第一表面上形成不均匀图案。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分离区域暴露出所述用于生长的衬底。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分离区域暴露出所述第一导电型半导体层。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括在去除所述用于生长的衬底之后，蚀刻并去除所述第一导电型半导体层的覆盖所述分离区域的部分。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括在蚀刻和去除所述第一导电型半导体层的覆盖所述分离区域的部分之后在所述多个半导体发光器的表面上形成折射率匹配层，使得所述折射率匹配层包括透光绝缘材料。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述折射率匹配层由折射率低于所述多个半导体发光器的折射率并且高于所述多个波长转换器的折射率的材料形成。
15.一种制造发光器件封装的方法，所述方法包括：
通过在用于生长的衬底上堆叠第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层以及通过蚀刻所述第一导电型半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层的区域来形成多个半导体发光器，所述多个半导体发光器在它们之间具有分离区域，所述分离区域暴露出所述用于生长的衬底；
通过去除所述用于生长的衬底，暴露出所述多个半导体发光器中的每个半导体发光器的所述第一导电型半导体层；
在所述分离区域中形成晶种层；
在所述多个半导体发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得所述光致抗蚀剂图案暴露出所述晶种层；
通过镀覆由所述光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，所述分隔结构分离所述多个半导体发光器；
通过去除所述光致抗蚀剂图案来形成所述分隔结构的多个发光窗口，使得所述多个半导体发光器在所述多个发光窗口的相应下端处暴露出来；以及
通过用波长转换材料填充所述多个发光窗口来形成多个波长转换器。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括在形成所述多个波长转换器之后对所述多个波长转换器的表面进行平坦化。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，对所述多个波长转换器的表面进行平坦化包括研磨、抛光或化学机械抛光。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在形成所述多个波长转换器之后，在所述多个波长转换器中的每个波长转换器上设置滤光层；以及
在所述多个波长转换器中的每个波长转换器上形成包封部，以覆盖所述滤光层。
19.一种制造发光器件封装的方法，所述方法包括：
在用于生长的衬底上设置多个半导体发光器，使得所述多个半导体发光器中的每个半导体发光器包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，并通过分离区域将所述多个半导体发光器分离；
通过从所述多个半导体发光器中去除所述用于生长的衬底来暴露出所述第一导电型半导体层；
形成晶种层使得所述晶种层位于所述分离区域中；
在所述多个半导体发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得所述光致抗蚀剂图案具有沟槽，并且所述晶种层在所述沟槽的底部暴露出来；
通过在所述沟槽中进行镀覆，形成具有多个发光窗口的分隔结构，所述多个发光窗口分别覆盖所述多个半导体发光器；
通过去除所述光致抗蚀剂图案来暴露出所述多个发光窗口；以及
通过用波长转换材料填充所述多个发光窗口来形成多个波长转换器。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成分隔结构包括沿着所述沟槽生长所述晶种层。
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