CN109244064B - 发光装置封装件 - Google Patents

发光装置封装件 Download PDF

Info

Publication number
CN109244064B
CN109244064B CN201810722265.0A CN201810722265A CN109244064B CN 109244064 B CN109244064 B CN 109244064B CN 201810722265 A CN201810722265 A CN 201810722265A CN 109244064 B CN109244064 B CN 109244064B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
device package
emitting device
chips
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810722265.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109244064A (zh
Inventor
金炅俊
权容旻
高建宇
金东浩
崔繁在
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020180016246A external-priority patent/KR102585406B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN109244064A publication Critical patent/CN109244064A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109244064B publication Critical patent/CN109244064B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光装置封装件包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个芯片包括位于所述芯片的底部处的电极，以形成倒装芯片结构；多条布线，所述多条布线分别直接连接到所述芯片的电极；多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述芯片下方并分别直接连接到所述布线；以及模制构件，所述模制构件以单层结构一体形成以覆盖所述芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的半透明材料，其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。

Description

发光装置封装件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月11日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0087557号韩国专利申请和于2018年2月9日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0016246号韩国专利申请的优先权，通过引用将上述申请的全部公开内容包含于此。
技术领域
与本发明构思的示例实施例一致的设备和方法涉及发光装置封装件。
背景技术
半导体发光二极管(LED)器件已经被用作各种电子产品的光源以及照明装置的光源。具体地说，半导体LED被广泛用作各种类型的显示装置(例如，电视、移动电话、个人计算机(PC)、膝上型PC和个人数字助理(PDA))的光源。
常规的显示装置包括显示面板(通常是液晶显示器(LCD)面板)以及背光单元。然而，近来，正在开发通过使用LED作为单个像素的不需要附加背光的显示装置。这样的显示装置可以被制成紧凑的，并且可以实现为与相关领域的LCD相比具有改善的光学效率的高亮度显示器。这样的显示装置还可以允许自由地改变显示图像的纵横比，并且可以实现为大型显示装置，由此提供各种形式的大型显示。
发明内容
本发明构思的示例实施例可以提供一种紧凑的易于安装的发光装置封装件。
根据示例实施例的一方面，提供了一种发光装置封装件，其可以包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个发光芯片包括位于所述发光芯片的底部处的第一电极和第二电极，以形成倒装芯片结构；多条布线，所述多条布线分别连接到所述发光芯片的所述第一电极和第二电极；多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述发光芯片下方并分别连接到所述布线；以及模制构件，所述模制构件以单层结构一体地形成以覆盖所述发光芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的半透明材料，其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。
根据本发明构思的一方面，提供了一种发光装置封装件，其可以包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个发光芯片包括位于所述发光芯片的底部处的电极；多条布线，所述多条布线分别连接到所述发光芯片的电极；多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述发光芯片下方并分别连接到所述布线；模制构件，所述模制构件以单层结构一体地形成以覆盖所述发光芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的材料；以及设置在所述模制构件上方的金属层、设置在所述模制构件下方的有色下层和围绕所述发光芯片的隔离结构中的至少一种。
根据示例实施例的一方面，提供了一种包括多个像素组的发光装置封装件，至少一个所述像素组可以包括第一像素区域、第二像素区域和模制构件。所述第一像素区域可以包括：多个第一发光芯片，所述多个第一发光芯片被配置为发射各自波长的光；多条第一布线，所述多条第一布线分别连接到所述第一发光芯片，并且包括公共地连接到所述第一发光芯片的第一公共布线；以及多个第一电极焊盘，所述多个第一电极焊盘设置在所述第一发光芯片下方并分别连接到所述第一布线。与所述第一像素区域相邻的所述第二像素区域可以包括：多个第二发光芯片，所述多个第二发光芯片被配置为发射各自波长的光；多条第二布线，所述多条第二布线分别连接到所述第二发光芯片，并且包括公共地连接到所述第二发光芯片的第二公共布线；以及多个第二电极焊盘，所述多个第二电极焊盘设置在所述第二发光芯片下方，并且连接到所述第二布线。所述模制构件可以设置在所述第一像素区域和所述第二像素区域上方，并且包括半透明材料。这里，所述第一像素区域可以与所述第二像素区域共享所述第一像素区域中包括的所述第一电极焊盘中的至少一个，使得所述第二像素区域中包括的所述第二布线中的至少一个与所述第一像素区域中的被共享的电极焊盘连接。
根据示例实施例的一方面，提供了一种制造发光装置封装件的方法。所述方法可以包括：在第一胶带上布置多个发光芯片；在所述发光芯片上形成包括半透明材料的模制构件，以完全覆盖所述发光芯片；在第二胶带上布置被所述模制构件覆盖的所述发光芯片，使得所述模制构件的上表面附着到所述第二胶带；去除所述第一胶带；在去除了所述第一胶带的所述发光芯片的底部处形成多条布线和多个电极焊盘；以及切割所述模制构件，以获得包括多个像素的发光装置封装件，其中，每个所述像素包括至少三个所述发光芯片。
附图说明
根据下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的以上和其他方面、特征及优点，在附图中：
图1是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的透视图；
图2A和图2B分别是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图和仰视图；
图3A至图3C分别是根据示例实施例的沿图2A的I-I′线、II-II′线和III-III′线截取的剖视图；
图4是示出了根据示例实施例的模制构件的透射率和厚度之间的关系的曲线图；
图5和图6是示出了根据示例实施例的在发光装置封装件中采用的发光装置的剖视图；
图7A至图7H是示出了根据示例实施例的制造发光装置封装件的方法的剖视图；
图8是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的投影透视图；
图9是根据示例实施例的图8的剖视图；
图10是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的投影透视图；
图11是根据示例实施例的图10的剖视图；
图12是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的投影透视图；
图13A和图13B分别是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图和仰视图；
图14A至图14C分别是根据示例实施例的沿图13A的I-I′线、II-II′线和III-III′线截取的剖视图；
图15是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图；
图16是根据示例实施例的沿图15的IV-IV′线截取的剖视图；
图17是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图；
图18是根据示例实施例的沿图17的V-V′线截取的剖视图；
图19A和图19B分别是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图和仰视图；
图20是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图；
图21示出了根据示例实施例的发光装置封装件的像素组的电路图；
图22示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图；
图23示出了根据示例实施例的发光装置封装件的像素组的电路图；
图24是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图；
图25示出了根据示例实施例的发光装置封装件的像素组的电路图；
图26是示出了根据示例实施例的发光装置封装件的俯视图；
图27示出了根据示例实施例的发光装置封装件的像素组的电路图；
图28A至图28D是示出了根据示例实施例的制造多个发光装置封装件的方法的剖视图；
图29是示出了根据示例实施例的包括发光装置封装件的显示面板的示意性透视图；以及
图30是示出了根据示例实施例的显示装置的构造的框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述本发明构思的各个示例实施例。然而，本发明构思可以用许多不同形式来体现，并且不应当被解释为限于在此提出的示例实施例。确切地讲，提供这些示例实施例使得本描述将是彻底的和完整的，并且将把本发明构思的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可能会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
将理解的是，当元件或层被称作位于另一元件或层“之上”、“上方”、“上”或者“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接位于其他元件或层之上、上方、上或者直接连接到或结合到其他元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“之上”、“上方”、“上”或者“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相同的附图标记始终表示相同的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语第一、第二、第三、第四等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语只是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述，这里可以使用空间相对术语诸如“之下”、“下方”、“下”、“之上”、“上方”、“上”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含：除了在附图中描绘的方位之外，装置在使用或操作时的各种不同方位。例如，如果在附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为在其他元件或特征的“上方”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方这两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或者在其他方位)，并且可以相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语只是为了描述特定示例实施例的目的，而不意图限制本发明构思。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里，参照作为理想化示例实施例(和中间结构)的示意性示图的剖面示图来描述示例实施例。如此，将预计出现由于例如制造技术和/或公差导致的示图的形状变化。因此，示例实施例不应当解释为限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘具有倒圆或曲线的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区域可以导致在掩埋区域与发生注入的表面之间的区域中出现一定程度的注入。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并非意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图限制本发明构思的范围。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应当被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而不是将以理想的或过于形式化的意思来解释。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明构思的示例实施例。
图1是示出了根据示例实施例的发光装置封装件1的透视图。图2A和图2B分别是示出了根据示例实施例的发光装置封装件1的俯视图和仰视图。图3A至图3C分别是沿图2A的I-I′线、II-II′线和III-III′线截取的剖视图。
参照图1至图3C，发光装置封装件1可以包括第一发光芯片C1至第三发光芯片C3、模制构件41、第一单独布线21至第三单独布线23、公共布线24、第一电极焊盘31至第四电极焊盘34以及绝缘层43。
第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以发射不同波长的光，并且可以彼此间隔开。
第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以分别发射红光、绿光和蓝光。第一发光芯片C1可以是红色发光芯片，第二发光芯片C2可以是绿色发光芯片，第三发光芯片C3可以是蓝色发光芯片。第一发光芯片C1可以包括发射红光的半导体堆叠件，第二发光芯片C2可以包括发射绿光的半导体堆叠件，第三发光芯片C3可以包括发射蓝光的半导体堆叠件。在示例实施例中，第一发光芯片C1至第三发光芯片C3中的每个可以包括发射蓝光或紫外(UV)光的半导体堆叠件，第一发光芯片C1可以包括发射红光的波长转换层，第二发光芯片C2可以包括发射绿光的波长转换层，第三发光芯片C3可以包括发射蓝光的波长转换层。
第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以在一个方向上排列成行。参照图3A，第一发光芯片C1和第二发光芯片C2之间的芯片间隔d1以及第二发光芯片C2和第三发光芯片C3之间的间隔中的每一个可以为10μm或更大或者50μm或更大。根据一个示例实施例，该间隔可以为50μm或更大。第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以以倒装芯片的形式设置。第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以设置为使得第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的上表面(即，主发光表面)可以面向上并且使得第一发光芯片C1至第三发光芯片C3中的每一个的第一电极和第二电极可以面向下。第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第一电极可以分别连接到第一单独布线21至第三单独布线23，第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第二电极可以共同连接到公共布线24。当第一发光芯片C1至第三发光芯片C3以倒装芯片的形式设置时，第一发光芯片C1至第三发光芯片C3中的每一个可以具有160°或更大的波束角。
模制构件41可以覆盖第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的上表面和侧表面。模制构件41可以保护并支撑第一发光芯片C1至第三发光芯片C3。模制构件41可以具有例如2.0GPa或更大的弹性模量。模制构件41在低于或等于玻璃化转变温度Tg时可以具有例如40ppm/℃或更小的热膨胀系数。
当使用发光装置封装件1作为显示面板的像素时，模制构件41可以由半透明树脂形成，以获得高对比度。在模制构件41具有大约50μm的厚度的情况下，模制构件41相对于波长为460nm至480nm的光可以具有大于或等于30％且小于或等于89％的透射率。或者，在相同的厚度下，模制构件41相对于波长为530nm的光可以具有大于或等于30％且小于或等于89％的透射率。模制构件41可以具有小于100的亮度，并且优选地但非必须地具有小于40的亮度。因此，当安装在亮度为20的黑色印刷电路板(PCB)上的发光装置封装件1被关断时，具有模制构件41的发光装置封装件1的亮度与黑色PCB的亮度之间的差异会是看不到的。
模制构件41可以包括透明材料，例如环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯或它们的组合，但是不限于此。此外，模制构件41可以包括大于或等于0.005wt％且小于或等于1wt％的炭黑，以获得如上描述的期望的透射率和亮度。炭黑具有吸收光的特性。光的波长越短，炭黑的吸收越大。优选地但非必须地，模制构件41可以包括例如大于或等于0.005wt％且小于或等于0.3wt％的炭黑。模制构件41还可以包括无机填料，以获得期望的热膨胀系数或弹性模量。无机填料可以包括熔凝硅石颗粒或二氧化硅(SiO2)颗粒。无机填料可以具有例如100μm或更小的分级粒度(最大颗粒尺寸)。当模制构件41包括50wt％或更多的无机填料时，模制构件41的透射率由于光散射而劣化。
模制构件41的内含物可以根据树脂的类型和其中包括的无机填料的量而改变。在使用硅树脂和50wt％的无机填料来形成模制构件41的情况下，模制构件41可以包括大于或等于0.04wt％且小于或等于0.3wt％的炭黑，优选地但非必须地，包括大于或等于0.06wt％且小于或等于0.2wt％的炭黑。在使用环氧树脂和50wt％的无机填料来形成模制构件41的情况下，模制构件41可以包括大于或等于0.04wt％且小于或等于0.2wt％的炭黑，优选地但非必须地，包括大于或等于0.06wt％且小于或等于0.12wt％的炭黑。
图4是示出了模制构件例如模制构件41的透射率和厚度之间的关系的曲线图。具体地，图4示出了模制构件的透射率根据其中包括的炭黑的量的变化。此外，图4中，用于测量透射率的模制构件包括具有50wt％的熔凝硅石的硅树脂。这里，针对520nm的波长来测量透射率。如图4所示，随着包括在模制构件中的炭黑的量增加，透射率减小。还示出了，随着模制构件的厚度增加，透射率锐减。例如，当厚度为50μm时，具有0.15wt％的炭黑的模制构件具有59.1％的透射率，当厚度为200μm时，其具有12.6％的透射率。
下面的表1示出了当在亮度为20的黑色PCB上安装发光装置封装件1时能够在发光装置封装件1中使用的不同类型的模制构件的各种特性。在表1中，模制构件的类型通过树脂类型、无机填料的量、炭黑的量和模制构件的厚度来限定。
表1
在上面的表1中，通过在不同类型的模制构件上照射白光以获得图像来获得图像中的诸如色调、饱和度、亮度和RGB坐标的数据，并通过在不同类型的模制构件上透射470nm的光、530nm的光和620nm的光来测量透射率。上面的表1中的模制构件的类型如下：
-类型1：环氧树脂，硅石50wt％，碳0.08wt％，厚度为200μm
-类型2：环氧树脂，硅石50wt％，碳0.04wt％，厚度为200μm
-类型3：环氧树脂或硅树脂，硅石50wt％，碳1wt％或更多，厚度为200μm
-类型4：硅树脂，硅石50wt％，碳0.08wt％，厚度为200μm
-类型5：硅树脂，硅石50wt％，碳0.04wt％，厚度为300μm
-类型6：硅树脂，硅石50wt％，碳0.04wt％，厚度为200μm
-类型7：硅树脂，硅石50wt％，碳0.02wt％，厚度为300μm
-类型8：硅树脂，硅石50wt％，碳0.02wt％，厚度为200μm
-类型9：环氧树脂，硅石87wt％，碳0.3wt％，厚度为200μm
在示例实施例中，模制构件41可以不包括炭黑，而可以包括无机填料。换言之，模制构件41可以包括炭黑和无机填料中的至少一种。
模制构件41可以是例如覆盖多个芯片即第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的六面体形状。参照图3A，模制构件41可以具有500μm或更小的厚度c，并且完全地覆盖第一发光芯片C1至第三发光芯片C3。根据示例实施例，模制构件41整体地形成为单个构件或层，以覆盖第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的上表面和侧表面。优选地但非必须地，模制构件41的厚度c可以大于或等于20μm且小于或等于300μm，从每个发光芯片的上表面到模制构件41的上表面测得的上侧厚度b可以为大于或等于10μm且小于或等于200μm。当每个发光芯片具有10μm的厚度a时，模制构件41的厚度c可以为大于或等于20μm且小于或等于130μm，在这种情况下，模制构件41的上侧厚度b为大于或等于10μm且小于或等于120μm。当每个发光芯片具有100μm的厚度a时，模制构件41的厚度c可以为大于或等于110μm且小于或等于220μm，在这种情况下，模制构件41的上侧厚度b为大于或等于10μm且小于或等于120μm。
通过将模制构件41的上侧厚度b减小到20μm至120μm，还可以减少从第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的上表面发出的光的损耗。相比之下，因为模制构件41在每个发光芯片的侧面比其上部分更厚，所以从每个发光芯片的侧表面发出的光的透射率相对较小。因此，模制构件41的围绕每个发光芯片的侧表面的侧部分比模制构件41的上部分暗，因此，可以提高发光装置1的对比度。另外，当使用发光装置1作为显示面板的像素时，还可以防止多个发光装置(即像素)之间的串扰。
模制构件41的上表面可以包括最大粗糙度(Rmax)为2μm或更大的不平坦结构。模制构件41的下部分可以包括其上布置有第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第一区域和围绕第一区域的第二区域。第一区域可以具有四边形形状。第二区域可以具有四边形的环形形状。
第一单独布线21至第三单独布线23可以设置在模制构件41的下表面上，可以分别连接到第一区域中的第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第一电极，优选地但非必须地可以分别直接连接到第一区域中的第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第一电极，并且可以从第一区域延伸到第二区域。公共布线24可以设置在模制构件41的下表面上，可以公共地连接到第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第二电极，优选地但非必须地可以公共地直接连接到第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第二电极，并且可以从第一区域延伸到第二区域。第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24中的每一个可以由金属材料形成。金属材料可以包括例如金、银、铜或铝。
第一电极焊盘31至第四电极焊盘34可以设置在包括在模制构件41的下表面中的第二区域中。第一电极焊盘31至第四电极焊盘34可以设置为与模制构件41的下表面的角顶点相邻。参照图2A，当在发光装置封装件1的俯视图(例如，图2A)中观看时，电极焊盘31至34中的至少一者的边缘与模制构件41的侧表面之间的封装间隔d3为500μm或更小，优选地但非必须地为220μm或更小。第一电极焊盘31至第四电极焊盘34可以分别连接到第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24。详细地，第一电极焊盘31可以与第一单独布线21接触，优选地但非必须地与第一单独布线21直接接触，第二电极焊盘32可以与第二单独布线22接触，优选地但非必须地与第二单独布线22直接接触，第三电极焊盘33可以与第三单独布线23接触，优选地但非必须地与第三单独布线23直接接触。第四电极焊盘34可以与公共布线24接触，优选地但非必须地与公共布线24直接接触。第四电极焊盘34可以被称作公共焊盘。
再次参照图2A，第一电极焊盘31至第四电极焊盘34可以在至少一个方向上在它们之间具有50μm或更大的焊盘间隔d2。第一电极焊盘31至第四电极焊盘34中的每一个可以具有例如50μm×50μm或更大的焊盘尺寸PDS。第一电极焊盘31至第四电极焊盘34中的每一个可以由金属材料形成。金属材料可以包括例如金、银、铜或铝。
第一电极焊盘31至第四电极焊盘34中的每一个可以由磁性金属材料形成。磁性金属材料可以包括铁、镍或钴中的至少一种。例如，磁性金属材料可以由Fe合金、Ne-Fe-Mo、Fe-Si-Al等中的至少一种形成，但不限于此。第一电极焊盘31至第四电极焊盘34中的每一个可以具有涂覆有不具有磁性的金属材料但在该金属材料的至少一部分的表面上涂覆有磁性金属材料的堆叠结构。因为第一电极焊盘31至第四电极焊盘34包括磁性金属材料，所以发光装置封装件1可以容易地附到PCB模块上或从PCB模块上脱离。因此，也可以容易地执行在PCB模块上安装发光装置封装件1和从PCB模块上移除发光装置封装件1的工艺。这里，PCB模块可以包括具有磁性的金属焊盘，电极焊盘31至34安装在所述金属焊盘上。
绝缘层43可以设置在模制构件41的下表面上，可以覆盖第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24，并且可以使这些布线彼此绝缘，并且可以具有开口区域，其中，第一电极焊盘31至第四电极焊盘34可以通过开口区域分别与第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24接触。第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24中的每一个可以具有接触区域，绝缘层43可以设置在模制构件41的下表面上，这样，第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24的接触区域可以是裸露的。
根据以上示例实施例的发光装置封装件1被构造为不使用PCB和引线框架，因此，发光装置封装件1的厚度远远小于发光芯片安装在PCB和引线框架上的相关领域的发光装置的厚度。根据示例实施例，发光装置封装件1的厚度可以为30μm至500μm或者100μm至300μm。根据示例实施例，发光装置封装件1的封装长度PKS可以为大约700μm。
图5和图6是示出了根据示例实施例的可在发光装置封装件中采用的发光芯片的剖视图。
图5中所示的发光芯片120可以包括透光基底121和设置在透光基底121上的半导体堆叠件125。
透光基底121可以是诸如蓝宝石的绝缘基底，但是不限于此。除了绝缘基底之外，透光基底121可以是可确保光透射性质的导电基底或半导体基底。透光基底121的上表面可以是主发光表面。不平坦图案D可以形成在透光基底121的上表面上。不平坦图案D可以提高光提取效率并改善在透光基底121上生长的单晶的品质。
半导体堆叠件125可以包括顺序地堆叠在透光基底121上的第一导电型半导体层125a、有源层125b和第二导电型半导体层125c。可以在透光基底121和第一导电型半导体层125a之间设置缓冲层122。
缓冲层122可以为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)。例如，缓冲层122可以包括GaN、AlN、AlGaN或InGaN。缓冲层122还可以通过组合多个层或逐渐地改变其成分来形成。
第一导电型半导体层125a可以为满足n-型InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)的氮化物半导体层，n-型杂质可以为Si。例如，第一导电型半导体层125a可以包括n-型GaN。第二导电型半导体层125c可以为满足p-型InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)的氮化物半导体层，p-型杂质可以为Mg。例如，第二导电型半导体层125c可以具有单层结构，并且还可以具有包含不同成分的多层结构。有源层125b可以具有量子阱层和量子阻挡层交替堆叠在彼此上的多量子阱(MQW)结构。例如，量子阱层和量子阻挡层可以分别包括不同成分的InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。在示例实施例中，量子阱层可以包括InxGa1-xN(0<x≤1)的成分，量子阻挡层可以包括GaN或AlGaN。有源层125b可以具有单量子阱(SQW)结构。然而，本发明构思不限于此。
尽管半导体堆叠件125被描述为由InAlGaN基氮化物半导体材料形成，但本发明构思不限于此。
第一电极127和第二电极128可以分别设置在第一导电型半导体层125a的平台蚀刻区域上以及第二导电型半导体层125c上，从而第一电极127和第二电极128可以设置在同一侧(第一表面)上。例如，第一电极127可以包括Al、Au、Cr、Ni、Ti和Sn中的至少一种。第二电极128可以由反射金属形成。例如，第二电极128可以包括诸如Au、Ni、Al、Cr、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt或Au的材料，并且可以用作具有单个层或者两个或更多个层的结构。
当半导体堆叠件125发射蓝光或UV光时，可以在透光基底121上进一步设置包括磷光体或量子点的波长转换层。
图6中示出的发光芯片130可以包括设置在透光基底131上的半导体堆叠件135。半导体堆叠件135可以包括第一导电型半导体层135a、有源层135b和第二导电型半导体层135c。发光芯片130可以包括分别连接到第一导电型半导体层135a和第二导电型半导体层135c的第一电极137和第二电极138。第一电极137可以包括穿过第二导电型半导体层135c和有源层135b以连接到第一导电型半导体层135a的连接电极137a(例如，导电通孔)以及连接到连接电极137a的第一电极焊盘137b。
连接电极137a可以被绝缘体133围绕，以与有源层135b和第二导电型半导体层135c电隔离。连接电极137a可以设置在半导体堆叠件135被蚀刻的区域中。连接电极137a可以在数量、形状、节距或与第一导电型半导体层135a的接触面积等方面进行适当地设计，从而可以减小接触电阻。连接电极137a还可以布置为在半导体堆叠件135上形成行和列，由此改善电流流动。第二电极138可以包括设置在第二导电型半导体层135c上的欧姆接触层138a和第二电极焊盘138b。
连接电极137a和欧姆接触层138a可以包括由与第一导电型半导体层135a和第二导电型半导体层135c具有欧姆特性的导电材料形成的单层或多层结构。例如，连接电极137a和欧姆接触层138a可以使用沉积或溅射一种或更多种材料(例如，Ag、Al、Ni、Cr、透明导电氧化物(TCO)等)的工艺来形成。第一电极焊盘137b和第二电极焊盘138b可以分别连接到连接电极137a和欧姆接触层138a，从而用作发光芯片130的外部端子。例如，第一电极焊盘137b和第二电极焊盘138b中的每一个可以包括Au、Ag、Al、Ti、W、Cu、Sn、Ni、Pt、Cr、NiSn、TiW、AuSn或它们的共熔金属。绝缘体133可以包括例如硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、SiOxNy或SixNy。绝缘体133可以通过在透光材料中分散反光填料或者引入分布式布拉格反射器(DBR)结构来形成，以确保较高的反射率。
当半导体堆叠件135发射蓝光或UV光时，可以进一步在透光基底131上设置包括磷光体或量子点的波长转换层。
图7A至图7H是示出了根据示例实施例的制造发光装置封装件1的方法的剖视图。可以以晶圆级来执行该制造方法，并且将参照图7A至图7H主要描述单个发光装置封装件。
参照图7A，可以将胶带12附着到载体晶圆11，并且可以以期望的间隔布置第一发光芯片C1至第三发光芯片C3。第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以发射不同波长的光。胶带12可以为例如热剥离带。当载体晶圆11具有UV光透射性质时，胶带12可以是UV剥离带。胶带12的类型不限于此。
参照图7B，模制构件41可以一体地形成为单个构件或层，以完全覆盖第一发光芯片C1至第三发光芯片C3。可以使用例如涂覆工艺和固化工艺来形成模制构件41。
参照图7C，可以使用胶带13将载体晶圆14附着到模制构件41的上表面。例如，载体晶圆14可以是透射UV光的玻璃基底，胶带13可以是UV剥离带。此外，胶带13可以是热剥离带。
参照图7D，可以去除载体晶圆11。例如，当胶带12是热剥离带时，可以通过加热胶带12来去除载体晶圆11。因此，第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第一电极和第二电极可以暴露于模制构件41的一个表面。
参照图7E，可以形成分别连接到第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第一电极的第一单独布线21至第三单独布线23以及公共地连接到第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第二电极的公共布线24。可以形成绝缘层43以覆盖第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24。绝缘层43可以具有暴露第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24的接触区域的开口区域。第一电极焊盘31至第四电极焊盘34可以形成为与接触区域接触。可以在载体晶圆14上形成多个发光装置封装件。
参照图7F，为了去除载体晶圆14，可以附着胶带15，以覆盖发光装置封装件的第一电极焊盘31至第四电极焊盘34。
参照图7G，可以去除载体晶圆14。例如，当胶带13为UV剥离带时，可以通过向胶带13辐射UV光来去除载体晶圆14。
参照图7H，可以将发光装置封装件转移到切割带16，并切割成期望的尺寸，例如，包括一个或更多个组的三个发光芯片C1至C3的尺寸，以制造具有期望组数的三个发光芯片C1至C3的单个发光装置封装件。
图8是示出了根据示例实施例的发光装置封装件1A的投影透视图。图9是图8的剖视图。图9对应于沿图3A的I-I′线截取的剖视图。
参照图8和图9，与发光装置封装件1相比，发光装置封装件1A还可以包括设置在模制构件41a的上表面上方的金属层51。
金属层51可以包括以下一种：钛、铬或它们的组合。金属层51可以是形成为具有减小的厚度的薄膜，在该厚度下，从第一发光芯片C1至第三发光芯片C3发射的光的至少一部分可以穿过该薄膜。金属层51可以使用物理气相沉积(PVD)工艺或化学气相沉积(CVD)工艺来形成。在本示例实施例中，模制构件41a可以仅由透明材料(例如环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯等中的至少一种)形成。通过在模制构件41a的上表面上形成金属层51，当使用发光装置封装件1A作为显示面板的像素时，可以获得高对比度。根据示例实施例，即使在模制构件41a上设置金属层51，模制构件41a仍可以由半透明材料形成，以获得高对比度。
图10是示出了根据示例实施例的发光装置封装件1B的投影透视图。图11是图10的剖视图。图11对应于沿图3A的I-I′线截取的剖视图。
参照图10和图11，与发光装置封装件1相比，发光装置封装件1B还可以包括设置在模制构件41a的下表面下方的下层53。
下层53可以由例如黑色树脂(例如包括铬或黑色颜料的黑色基质等)形成。然而，本发明构思不限于此。下层53可以包括可吸收可见光的适当材料。下层53可以暴露第一电极焊盘31至第四电极焊盘34，并且可以覆盖绝缘层43。
在本示例实施例中，模制构件41a可以仅由透明材料(例如，环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯等中的至少一种)形成。通过在模制构件41a的下表面(或底表面)下方形成下层53，当使用发光装置封装件1B作为显示面板的像素时，可以获得高对比度。根据示例实施例，即使在模制构件41a下方设置下层53，模制构件41a仍可以由半透明材料形成，以获得高对比度。
图12是示出了根据示例实施例的发光装置封装件1C的投影透视图。图13A和图13B分别是示出了根据示例实施例的发光装置封装件1C的俯视图和仰视图。图14A至图14C分别是沿图13A的I-I′线、II-II′线和III-III′线截取的剖视图。
参照图12至图14C，与发光装置封装件1相比，发光装置封装件1C还可以包括围绕第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的隔离结构55。隔离结构55可以由黑色树脂(例如黑色基质等)形成。此外，隔离结构55可以是表面涂覆有钛、铬或它们的组合的金属结构。金属结构可以由例如铜、铝或它们的组合等形成。隔离结构55可以由诸如玻璃料的陶瓷材料形成。由于隔离结构55，发光装置封装件1C可以比发光装置封装件1具有更大的弹性模量(例如，2.0GPa或更大)和更小的热膨胀系数(例如，30ppm/℃)。因此，当在热膨胀系数为10ppm/℃至20ppm/℃的PCB上安装发光装置封装件1C时，可以防止热膨胀系数的不匹配。
另外，发光装置封装件1C可以比发光装置封装件1具有更大的刚度。形成模制构件41的树脂可以具有30ppm/℃至100ppm/℃的热膨胀系数。在隔离结构55为金属结构的情况下，隔离结构55可以具有2.0GPa或更大的弹性模量和10ppm/℃至30ppm/℃的热膨胀系数，以用作散热器。在隔离结构55由玻璃料形成的情况下，隔离结构55可以具有2.0GPa或更大的弹性模量和20ppm/℃或更小的热膨胀系数。
与图12至图14C中示出的不同，隔离结构55可以具有倾斜的侧壁。隔离结构55的高度PT可以大于第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的高度。例如，隔离结构55的高度PT可以为80μm或更大，隔离结构55的顶表面可以低于模制构件41的顶表面。隔离结构55的高度越小，相对于发光芯片C1至C3中的每一个的上表面实现的光束发散角越大。另外，隔离结构55的高度越大，光束发散角和色角(COA)越小。模制构件41可以覆盖隔离结构55。
图15是示出了根据示例实施例的发光装置封装件2的俯视图。图16是沿图15的IV-IV′线截取的剖视图。
发光装置封装件2可以包括以m×n矩阵布置的多个像素区域PX。这里，m和n是大于1的整数。每个像素区域PX可以被称为像素。与上面参照图1至图3C描述的发光装置封装件1相对应的结构可以布置在像素区域PX中。例如，发光装置封装件2可以包括以3×4矩阵布置的多个像素区域PX。
为了便于描述，除了发光装置封装件1的组件中的模制构件41和绝缘层43之外的其余组件(第一发光芯片C1至第三发光芯片C3、第一单独布线21至第三单独布线23、公共布线24以及第一电极焊盘31至第四电极焊盘34)可以被称为发光装置单元LU。
发光装置单元LU可以设置在像素区域PX中，模制构件241可以一体地形成为单个构件或层以覆盖发光装置单元LU。绝缘层243也可以一体地形成并设置在模制构件241的下表面上，并且可以覆盖第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24。
每个像素区域PX可以包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，其中，第一区域具有布置在该第一区域中的第一发光芯片C1至第三发光芯片C3。
发光装置单元LU可以包括：布置在被包括在像素区域PX中的第一区域中的第一发光芯片C1至第三发光芯片C3，分别连接到第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的三条单独布线21至23，公共地连接到第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的公共布线24以及设置在被包括在像素区域PX中的第二区域中的第一电极焊盘31至第四电极焊盘34。第一电极焊盘31至第四电极焊盘34可以设置为与像素区域PX的角顶点相邻。三条单独布线21至23以及公共布线24可以设置在模制构件241的下表面上。
第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以分别是例如红色发光芯片、绿色发光芯片和蓝色发光芯片。
继在图7A至图7G中示出的工艺之后，如在图7H示出的工艺中，可以将发光装置封装件转移到切割带16，然后切割成期望的尺寸，例如，包括以3×4矩阵设置的发光装置单元LU的尺寸，从而制造单独的发光装置封装件2。
图17是示出了根据示例实施例的发光装置封装件2A的俯视图。图18是沿图17中的V-V′线截取的剖视图。
参照图17和图18，与发光装置封装件2相比，发光装置封装件2A还可以包括隔离结构255。
隔离结构255可以设置在多个发光装置单元LU之间。隔离结构255可以由诸如黑色基质等的黑色树脂形成。此外，隔离结构255可以是表面涂覆有钛、铬或它们的组合的金属结构。金属结构可以由例如铜、铝或它们的组合等形成。
与图17和图18中示出的不同，隔离结构255可以具有倾斜的侧壁。隔离结构255的高度PT可以大于第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的高度。例如，隔离结构255的高度PT可以为80μm或更大，隔离结构255的顶表面可以小于模制构件241的顶表面。隔离结构255的宽度PW可以为50μm或更大，并且小于由公式“发光装置封装件2A的封装件长度PKS–(发光芯片长度CS×3+芯片间隔d1×2+50μm)”得到的值。隔离结构255的高度越小，相对于发光芯片C1至C3中的每一个的上表面实现的光束发散角越大。另外，隔离结构255的高度越大，光束发散角和色角(COA)越小。模制构件241可以覆盖隔离结构255。
图19A和图19B分别是示出了根据示例实施例的发光装置封装件3的俯视图和仰视图。
参照图19A和图19B，发光装置封装件3的第一发光芯片C1至第三发光芯片C3阵列可以不同于包括在发光装置封装件1中的第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的阵列。为了最小化，第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以以三角形的形式而不是以行的形式设置。发光装置封装件3的尺寸可以小于发光装置封装件1的尺寸。例如，发光装置封装件1可以具有700μm×700μm的尺寸，而发光装置封装件3可以具有500μm×500μm的尺寸。由于多个发光装置封装件之间的细小节距，发光装置封装件3可以用于实现高清晰度的显示，例如4K超高清晰度(UHD)、8K UHD等。
因为调整了第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的阵列，所以可以改变第一单独布线21至第三单独布线23的形状，并且可以减小它们的长度。此外，可以调整公共布线24的形状和长度。此外，可以减小第一电极焊盘31至第四电极焊盘34中的每一个的尺寸。例如，与图2A和图2B的发光装置封装件1不同，第一单独布线21至第三单独布线23以及公共布线24可以设置在模制构件41的下表面的布置了第一发光芯片C1至第三发光芯片C3的第一区域中。
根据示例实施例，第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以以“Y”的形式布置。
图20是示出了根据示例实施例的发光装置封装件4的俯视图。图21示出了根据示例实施例的由发光装置封装件4的两个像素区域PX1和PX2形成的像素组PS的电路图。
参照图20和图21，发光装置封装件4可以包括以m×m矩阵布置的多个像素区域PX1和PX2。这里，m是大于1的整数。例如，发光装置封装件4可以采用4×4矩阵的形式。发光装置封装件4可以以无源矩阵方案来驱动。
两个像素区域PX1和PX2中的每一个可以包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，其中，第一区域具有布置在该第一区域中的三个发光芯片C1至C3。在发光装置封装件4中，两个像素区域PX1和PX2的像素组PS在行方向和列方向上重复布置。发光芯片C1至C3可以在像素区域PX1和PX2的每一个中以“－11”的形式布置，这样，一个芯片例如C1相对于其他芯片例如C2和C3旋转90°。
第一像素区域PX1可以包括：设置在第一区域中的三个发光芯片C1至C3，分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21a、22a和23a，公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24a以及分别连接到单独布线21a、22a、23a和公共布线24a且设置在第二区域中的电极焊盘31a、32a、33a和34a。电极焊盘31a、32a、33a和34a可以设置为与第一像素区域PX1的角顶点相邻。三条单独布线21a、22a、23a和公共布线24a可以设置在模制构件341的下表面上。
第二像素区域PX2可以包括：设置在第一区域中的发光芯片C1至C3，分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21b、22b和23b，公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24b以及分别连接到单独布线22b和公共布线24b且设置在第二区域中的电极焊盘32b和34b。三条单独布线21b、22b、23b和公共布线24b可以设置在模制构件341的下表面上。
第一像素区域PX1可以与相邻于该第一像素区域PX1的第二像素区域PX2共享两个电极焊盘。连接到第二像素区域PX2中的发光芯片C1的单独布线21b可以连接到第一像素区域PX1中的电极焊盘31a。连接到第二像素区域PX2中的发光芯片C3的单独布线23b可以连接到第一像素区域PX1中的电极焊盘33a。电极焊盘31a可以公共地连接到第一像素区域PX1中的发光芯片C1和第二像素区域PX2中的发光芯片C1。电极焊盘33a可以公共地连接到第一像素区域PX1中的发光芯片C3和第二像素区域PX2中的发光芯片C3。
模制构件341可以一体地形成为单个构件或层以覆盖发光装置封装件4中的所有发光芯片C1至C3的上表面和侧表面。模制构件341可以与上面描述的模制构件41相同。
包括在两个像素区域PX1和PX2中的每一个中的发光芯片C1至C3可以分别是红色发光芯片、绿色发光芯片和蓝色发光芯片，但不限于此。
与图15中示出的发光装置封装件2相比，相邻的像素区域共享两个电极焊盘的发光装置封装件4的结构具有数量更少的电极焊盘，因此，减小了由电极焊盘占据的面积。因此，这种结构可以被使用在实现具有更小尺寸的像素区域的发光装置封装件中。发光装置封装件4还可以至少在两个像素区域PX1和PX2之间实现高清晰度显示例如4K超高清晰度(UHD)、8K UHD等所需的细小节距。
根据示例实施例，与图20不同，一个发光装置封装件可以仅由一个像素组PS形成。
图22是示出了根据示例实施例的发光装置封装件4A的俯视图。图23示出了根据示例实施例的由发光装置封装件4A的四个像素区域PX1至PX4形成的像素组PS′的电路图。
参照图22和图23，发光装置封装件4A可以包括以m×m矩阵布置的多个像素区域PX1、PX2、PX3和PX4。这里，m是大于1的整数。例如，发光装置封装件4A可以采用4×4矩阵的形式。发光装置封装件4A可以以无源矩阵方案来驱动。
四个像素区域PX1、PX2、PX3和PX4中的每一个可以包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，其中，第一区域具有布置在该第一区域中的三个发光芯片C1至C3。在发光装置封装件4A中，包括四个像素区域PX1、PX2、PX3和PX4的像素组PS′在行方向和列方向上重复布置。发光芯片C1至C3可以在像素区域PX1至PX4的每一个中以“－11”的形式布置，这样，一个芯片例如C1相对于其他芯片例如C2和C3旋转90°。
第一像素区域PX1可以包括：设置在第一区域中的三个发光芯片C1至C3，分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21a、22a和23a，公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24a以及分别连接到单独布线21a、22a、23a和公共布线24a且设置在第二区域中的电极焊盘31a、32a、33a和34a。电极焊盘31a、32a、33a和34a可以设置为与第一像素区域PX1的角顶点相邻。三条单独布线21a、22a、23a和公共布线24a可以设置在模制构件341的下表面上。
第二像素区域PX2可以包括：设置在第一区域中的发光芯片C1至C3，分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21b、22b和23b，公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24b以及分别连接到单独布线22b和公共布线24b且设置在第二区域中的电极焊盘32b和34b。三条单独布线21b、22b、23b以及公共布线24b可以设置在模制构件341的下表面上。
第一像素区域PX1可以与相邻于该第一像素区域PX1的第二像素区域PX2共享两个电极焊盘。连接到第二像素区域PX2中的发光芯片C1的单独布线21b可以连接到第一像素区域PX1中的电极焊盘31a。连接到第二像素区域PX2中的发光芯片C3的单独布线23b可以连接到第一像素区域PX1中的电极焊盘33a。电极焊盘31a可以公共地连接到第一像素区域PX1中的发光芯片C1和第二像素区域PX2中的发光芯片C1。电极焊盘33a可以公共地连接到第一像素区域PX1中的发光芯片C3和第二像素区域PX2中的发光芯片C3。
第三像素区域PX3可以包括：设置在第一区域中的三个发光芯片C1至C3，分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21c、22c和23c，公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24c以及分别连接到单独布线21c、22c、23c和公共布线24c且设置在第二区域中的电极焊盘31c、32c、33c和34c。电极焊盘31c、32c、33c和34c可以设置为与第三像素区域PX3的角顶点相邻。三条单独布线21c、22c、23c以及公共布线24c可以设置在模制构件341的下表面上。
第四像素区域PX4可以包括：设置在第一区域中的发光芯片C1至C3，分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21d、22d和23d，公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24d以及连接到单独布线22d且设置在第二区域中的电极焊盘32d。三条单独布线21d、22d、23d以及公共布线24d可以设置在模制构件341的下表面上。
第三像素区域PX3可以与相邻于该第三像素区域PX3的第四像素区域PX4共享两个电极焊盘。连接到第四像素区域PX4中的发光芯片C1的单独布线21d可以连接到第三像素区域PX3中的电极焊盘31c。连接到第四像素区域PX4中的发光芯片C3的单独布线23d可以连接到第三像素区域PX3中的电极焊盘33c。电极焊盘31c可以公共地连接到第三像素区域PX3中的发光芯片C1和第四像素区域PX4中的发光芯片C1。电极焊盘33c可以公共地连接到第三像素区域PX3中的发光芯片C3和第四像素区域PX4中的发光芯片C3。
第二像素区域PX2可以与相邻于该第二像素区域PX2的第四像素区域PX4共享一个电极焊盘。连接到第四像素区域PX4中的发光芯片C1至C3的公共布线24d可以连接到第二像素区域PX2中的电极焊盘34b。电极焊盘34b公共地连接到第二像素区域PX2中的发光芯片C1至C3和第四像素区域PX4中的发光芯片C1至C3。
模制构件341可以一体地形成为单个构件或层以覆盖发光装置封装件4A中的所有发光芯片C1至C3的上表面和侧表面。模制构件341可以与上面描述的模制构件41相同。
包括在四个像素区域PX1、PX2、PX3和PX4中的每一个中的发光芯片C1至C3可以分别是红色发光芯片、绿色发光芯片和蓝色发光芯片，但不限于此。
与图15中示出的发光装置封装件2相比，相邻的像素区域共享两个电极焊盘的发光装置封装件4A的结构具有数量更少的电极焊盘，因此，减小了由电极焊盘占据的面积。因此，这种结构可以被使用在实现具有更小尺寸的像素区域的发光装置封装件中。发光装置封装件4A还可以至少在四个像素区域PX1、PX2、PX3和PX4之间实现高清晰度显示例如4K超高清晰度(UHD)、8K UHD等所需的细小节距。
根据示例实施例，与图22不同，发光装置封装件可以仅由一个像素组PS′形成。
图24是示出了根据示例实施例的发光装置封装件4B的俯视图。图25示出了根据示例实施例的由发光装置封装件4B的两个像素区域PX1′和PX2′形成的像素组PS″的电路图。
在图24和图25中，与图20的发光装置封装件4相比，发光装置封装件4B在两个像素区域PX1′和PX2′中具有不同的电极焊盘结构。在下文中，将描述发光装置封装件4B的不同之处，并且将省略冗余的描述。
每个像素组PS″可以包括两个像素区域PX1′和PX2′。
第一像素区域PX1′可以包括分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21a、22a和23a、公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24a以及分别连接到单独布线22a、23a和公共布线24a的三个电极焊盘32a、33a和34a。电极焊盘34a设置在两个像素区域PX1′和PX2′的边界上，这样，电极焊盘34a的一部分设置在第二像素区域PX2′中。
第二像素区域PX2′可以包括分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21b、22b和23b、公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24b以及分别连接到单独布线21b、22b和公共布线24b的三个电极焊盘31b、32b和34b。电极焊盘32b设置在两个像素区域PX1′和PX2′的边界上，这样，电极焊盘32b的一部分设置在第一像素区域PX1′中。
第一像素区域PX1′可以与相邻于该第一像素区域PX1′的第二像素区域PX2′共享两个电极焊盘。连接到第一像素区域PX1′中的发光芯片C1的单独布线21a可以连接到第二像素区域PX2′中的电极焊盘31b。连接到第二像素区域PX2′中的发光芯片C3的单独布线23b可以连接到第一像素区域PX1′中的电极焊盘33a。电极焊盘31b可以公共地连接到第一像素区域PX1′中的发光芯片C1和第二像素区域PX2′中的发光芯片C1。电极焊盘33a可以公共地连接到第一像素区域PX1′中的发光芯片C3和第二像素区域PX2′中的发光芯片C3。
与图15中示出的发光装置封装件2相比，相邻的像素区域共享多个电极焊盘的发光装置封装件4B的结构具有数量更少的电极焊盘，因此，减小了由电极焊盘占据的面积。因此，这种结构可以被使用在实现具有更小尺寸的像素区域的发光装置封装件中。发光装置封装件4B还可以至少在两个像素区域PX1′和PX2′之间实现高清晰度显示例如4K超高清晰度(UHD)、8K UHD等所需的细小节距。
根据示例实施例，与图24不同，一个发光装置封装件可以仅由一个像素组PS″形成。
图26是示出了根据示例实施例的发光装置封装件4C的俯视图。图27示出了根据示例实施例的由发光装置封装件4C的四个像素区域PX1′至PX4′形成的像素组PS″′的电路图。
在图26和图27中，与图22的发光装置封装件4A相比，发光装置封装件4C在四个像素区域PX1′至PX4′中具有不同的电极焊盘结构。在下文中，将描述发光装置封装件4C的不同之处，并且将省略冗余的描述。
每个像素组PS″′可以包括四个像素区域PX1′至PX4′。
第一像素区域PX1′可以包括分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21a、22a和23a、公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24a以及分别连接到单独布线22a、23a和公共布线24a的电极焊盘32a、33a和34a。电极焊盘34a设置在两个像素区域PX1′和PX2′的边界上，这样，电极焊盘34a的一部分设置在第二像素区域PX2′中。
第二像素区域PX2′可以包括分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21b、22b和23b、公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24b以及分别连接到单独布线21b、22b和公共布线24b的电极焊盘31b、32b和34b。电极焊盘32b设置在两个像素区域PX1′和PX2′的边界上，这样，电极焊盘32b的一部分设置在第一像素区域PX1′中。
第一像素区域PX1′可以与相邻于该第一像素区域PX1′的第二像素区域PX2′共享两个电极焊盘。连接到第一像素区域PX1′中的发光芯片C1的单独布线21a可以连接到第二像素区域PX2中的电极焊盘31b。连接到第二像素区域PX2′中的发光芯片C3的单独布线23b可以连接到第一像素区域PX1′中的电极焊盘33a。电极焊盘31b可以公共地连接到第一像素区域PX1′中的发光芯片C1和第二像素区域PX2′中的发光芯片C1。电极焊盘33a可以公共地连接到第一像素区域PX1′中的发光芯片C3和第二像素区域PX2′中的发光芯片C3。
第三像素区域PX3′可以包括分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21c、22c和23c、公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24c以及分别连接到单独布线22c、23c和公共布线24c的电极焊盘32c、33c和34c。电极焊盘34c设置在两个像素区域PX3′和PX4′的边界上，这样，电极焊盘34c的一部分设置在第四像素区域PX4′中。
第四像素区域PX4′可以包括分别连接到发光芯片C1至C3的三条单独布线21d、22d和23d、公共地连接到发光芯片C1至C3的公共布线24d以及分别连接到单独布线21d和22d的两个电极焊盘31d和32d。电极焊盘32d设置在两个像素区域PX3′和PX4′的边界上，这样，电极焊盘32d的一部分设置在第三像素区域PX3′中。
第三像素区域PX3′可以与相邻于该第三像素区域PX3′的第四像素区域PX4′共享两个电极焊盘。连接到第三像素区域PX3′中的发光芯片C1的单独布线21c可以连接到第四像素区域PX4′中的电极焊盘31d。连接到第四像素区域PX4′中的发光芯片C3的单独布线23d可以连接到第三像素区域PX3′中的电极焊盘33c。电极焊盘31d可以公共地连接到第三像素区域PX3′中的发光芯片C1和第四像素区域PX4′中的发光芯片C1。电极焊盘33c可以公共地连接到第三像素区域PX3′中的发光芯片C3和第四像素区域PX4′中的发光芯片C3。
第二像素区域PX2′可以与相邻于该第二像素区域PX2′的第四像素区域PX4′共享一个电极焊盘。连接到第四像素区域PX4′中的发光芯片C1至C3的公共布线24d可以连接到第二像素区域PX2′中的电极焊盘34b。电极焊盘34b公共地连接到第二像素区域PX2′中的发光芯片C1至C3和第四像素区域PX4′中的发光芯片C1至C3。
与图15中示出的发光装置封装件2相比，相邻的像素区域共享多个电极焊盘的发光装置封装件4C的结构具有数量更少的电极焊盘，因此，减小了由电极焊盘占据的面积。因此，这种结构可以被使用在实现具有更小尺寸的像素区域的发光装置封装件中。发光装置封装件4C可以至少在四个像素区域PX1′、PX2′、PX3′和PX4′之间实现高清晰度显示例如4K超高清晰度(UHD)、8K UHD等所需的细小节距。
根据示例实施例，与图26不同，一个发光装置封装件可以仅由一个像素组PS″′形成。
图28A至图28D是示出了根据示例实施例的制造多个发光装置封装件的方法的剖视图。然而，为了便于理解，可以相对于一个发光装置封装件来描述该制造方法。
参照图28A，可以将发光芯片C1至C3以期望的顺序和期望的间隔附着到第一胶带112。发光芯片C1至C3可以发射不同波长的光。第一胶带112可以为例如热剥离带或紫外(UV)剥离带，但不限于此。
参照图28B，可以将模制构件41一体地形成为单个构件或层以完全覆盖发光芯片C1至C3。模制构件41可以使用例如涂覆工艺和固化工艺来形成，并可以包括预定量的炭黑。
参照图28C，可以将第二胶带113附着到模制构件41的上表面，并且可以去除第一胶带112。第二胶带113的黏附强度可以大于第一胶带112的黏附强度。第二胶带113可以为例如热剥离带或紫外(UV)剥离带，但不限于此。在去除第一胶带112之后，发光芯片C1至C3中的每一个的第一电极和第二电极可以通过模制构件41的表面而暴露。
可以通过使用印刷技术在去除了第一胶带112的发光芯片C1至C3的底部处，优选地但非必须地以同时的方式形成单独布线21至23、公共布线24和电极焊盘31至34。可以用绝缘材料填充单独布线21至23、公共布线24和电极焊盘31至34之间的选择性空间。
参照图28D，通过使用刀片或激光，可以获得例如在图15、图17、图20或图21中示出的发光装置封装件。
图29是示出了根据示例实施例的包括发光装置封装件的显示面板1000的示意性透视图。
参照图29，显示面板1000可以包括电路板1200和以矩阵形式安装在电路板1200上的多个像素1100。图29示出了以9×16矩阵布置的像素1100，但这仅是示例。可以根据显示面板1000的分辨率和尺寸来调整所安装的像素1100的数量。根据以上示例实施例的发光装置封装件1、1A、1B、1C、2、2A、3、4、4A、4B或4C可以形成像素1100。当在示例实施例中采用发光装置封装件1、1A、1B、1C、2、2A、3、4、4A、4B或4C时，可以减少制造显示面板1000所使用的表面组装技术(SMT)工艺的次数，并且可以缩短SMT工艺所需的时间。包括在发光装置封装件1、1A、1B、1C、2、2A、3、4、4A、4B或4C中的第一发光芯片C1至第三发光芯片C3可以形成显示面板1000的子像素。
电路板1200可以包括被配置为独立地驱动显示面板1000的子像素(例如，红色、绿色和蓝色(RGB)子像素)的驱动电路(薄膜晶体管(TFT)阵列等)。
显示面板1000还可以包括保护像素1100免受外部影响的保护层。显示面板1000还可以包括偏振层，该偏振层调节从像素1100发射的光的取向，以显示清楚的和生动的图像。
图30是示出了根据示例实施例的显示装置的配置的框图。
参照图30，在图29中示出的显示面板1000可以与面板驱动单元1020和控制单元1050一起形成显示装置。显示装置可以实现为诸如电子显示板、电视墙、电视、电子黑板、电子平板、大型显示器(LFD)、智能电话、平板个人计算机(PC)、台式PC和膝上型PC之类的各种电子装置的显示器。
面板驱动单元1020可以驱动显示面板1000，控制单元1050可以控制面板驱动单元1020。由控制单元1050控制的面板驱动单元1020可以被配置为独立地导通/关断每个RGB子像素。
例如，面板驱动单元1020可以将具有特定驱动频率的时钟信号传输到每个RGB子像素，以导通/关断每个RGB子像素。控制单元1050可以控制面板驱动单元1020，使得RGB子像素可以响应于输入的图像信号在设定的组单元中被导通，从而在显示面板1000上显示期望的图像。
如上所述，根据本发明构思的示例实施例，可以提供紧凑的易于安装的发光装置封装件，可以使用这种发光装置封装件实现各种颜色的光。
尽管上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离如所附权利要求限定的本发明构思的范围的情况下，可以做出修改和改变。

Claims (25)

1.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个发光芯片包括位于所述发光芯片的底部处的第一电极和第二电极，以形成倒装芯片结构；
多条布线，所述多条布线分别连接到所述发光芯片的所述第一电极和第二电极；
多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述发光芯片下方并分别连接到所述布线；和
模制构件，所述模制构件以单层结构一体地形成以覆盖所述发光芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的半透明材料，
其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。
2.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述发光芯片中，相邻的两个发光芯片间隔50μm或更大，并且
其中，所述电极焊盘设置为与所述模制构件的下表面的角顶点相邻，并且与所述模制构件的侧表面间隔220μm或更小。
3.根据权利要求2所述的发光装置封装件，其中，所述布线包括：
多条单独布线，所述多条单独布线分别连接到所述发光芯片的第一电极；以及
公共布线，所述公共布线公共地连接到所述发光芯片的第二电极。
4.根据权利要求3所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括层叠在所述模制构件的下表面上以覆盖所述布线的绝缘层，
其中，所述绝缘层具有开口，所述电极焊盘分别通过所述开口直接连接到所述布线。
5.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件对于不同波长的光具有不同的透射率。
6.根据权利要求5所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件相对于波长为530nm的光具有大于或等于30％且小于或等于89％的透射率。
7.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件包括大于或等于0.04wt％且小于或等于0.2wt％的炭黑。
8.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件包括炭黑和无机填料，并且
其中，所述无机填料包括熔凝硅石材料和二氧化硅材料中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件的上表面具有不平坦结构。
10.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件具有从所述发光芯片的相应上表面测得的大于或等于10μm且小于或等于120μm的上侧厚度。
11.根据权利要求10所述的发光装置封装件，其中，每个所述发光芯片具有160°或更大的波束角。
12.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个发光芯片包括位于所述发光芯片的底部处的电极；
多条布线，所述多条布线分别连接到所述发光芯片的电极；
多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述发光芯片下方并分别连接到所述布线；
模制构件，所述模制构件以单层结构一体地形成以覆盖所述发光芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的材料，其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方；以及
以下项中的至少一者：设置在所述模制构件上方的金属层、设置在所述模制构件下方的有色下层、以及围绕所述发光芯片的隔离结构。
13.根据权利要求12所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件是透明的。
14.根据权利要求12所述的发光装置封装件，其中，所述发光装置封装件包括所述金属层，并且
其中，所述金属层设置在所述模制构件上方，并且包括钛和铬中的至少一种。
15.根据权利要求12所述的发光装置封装件，其中，所述发光装置封装件包括所述有色下层，并且
其中，所述有色下层设置在所述模制构件下方，并且包括黑色树脂。
16.根据权利要求12所述的发光装置封装件，其中，所述发光装置封装件包括所述隔离结构，并且
其中，所述隔离结构设置为围绕所述发光芯片，并且包括金属、有色材料和陶瓷材料中的至少一种。
17.根据权利要求16所述的发光装置封装件，其中，所述金属包括铜和铝中的至少一种，
其中，所述有色材料包括黑色树脂，
其中，所述陶瓷材料包括玻璃料。
18.根据权利要求17所述的发光装置封装件，其中，所述隔离结构的高度大于每个所述发光芯片的高度，并且小于所述模制构件的高度。
19.根据权利要求18所述的发光装置封装件，其中，所述隔离结构具有2.0GPa或更大的弹性模量和10ppm/℃至30ppm/℃的热膨胀系数。
20.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括多个像素组，其中，至少一个所述像素组包括：
第一像素区域，所述第一像素区域包括：
多个第一发光芯片，所述多个第一发光芯片被配置为发射各自波长的光；
多条第一布线，所述多条第一布线分别连接到所述第一发光芯片，并且包括公共地连接到所述第一发光芯片的第一公共布线；和
多个第一电极焊盘，所述多个第一电极焊盘设置在所述第一发光芯片下方并且分别连接到所述第一布线；
第二像素区域，所述第二像素区域与所述第一像素区域相邻，并且包括：
多个第二发光芯片，所述多个第二发光芯片被配置为发射各自波长的光；
多条第二布线，所述多条第二布线分别连接到所述第二发光芯片，并且包括公共地连接到所述第二发光芯片的第二公共布线；和
多个第二电极焊盘，所述多个第二电极焊盘设置在所述第二发光芯片下方，并且连接到所述第二布线；以及
模制构件，所述模制构件设置在所述第一像素区域和所述第二像素区域上方，并且包括半透明材料，
其中，所述第一像素区域与所述第二像素区域共享所述第一像素区域中包括的至少一个所述第一电极焊盘，使得所述第二像素区域中包括的至少一条所述第二布线与所述第一像素区域中的被共享的电极焊盘连接。
21.根据权利要求20所述的发光装置封装件，其中，与所述第一像素区域中的被共享的电极焊盘连接的所述的至少一条所述第二布线不是所述第二公共布线。
22.根据权利要求20所述的发光装置封装件，其中，所述的至少一个所述像素组在所述发光装置封装件中重复地设置。
23.根据权利要求22所述的发光装置封装件，其中，所述模制构件以单层结构一体地形成以覆盖包括在所述像素组中的所有芯片的上表面和侧表面，
其中，所述所有芯片包括所述第一像素区域中包括的所述第一发光芯片和所述第二像素区域中包括的所述第二发光芯片。
24.根据权利要求20所述的发光装置封装件，其中，所述的至少一个所述像素组在所述发光装置封装件中在列方向上和在行方向上重复地设置。
25.根据权利要求20所述的发光装置封装件，其中，所述第二电极焊盘的数量少于所述第一电极焊盘的数量。
CN201810722265.0A 2017-07-11 2018-06-29 发光装置封装件 Active CN109244064B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170087557 2017-07-11
KR10-2017-0087557 2017-07-11
KR1020180016246A KR102585406B1 (ko) 2017-07-11 2018-02-09 발광소자 패키지
KR10-2018-0016246 2018-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109244064A CN109244064A (zh) 2019-01-18
CN109244064B true CN109244064B (zh) 2024-03-12

Family

ID=64999161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810722265.0A Active CN109244064B (zh) 2017-07-11 2018-06-29 发光装置封装件

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10256218B2 (zh)
CN (1) CN109244064B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10811396B2 (en) * 2019-01-20 2020-10-20 Lextar Electronics Corporation Display device
DE102019104436A1 (de) * 2019-02-21 2020-08-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
US11355686B2 (en) * 2019-03-29 2022-06-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Unit pixel having light emitting device, pixel module and displaying apparatus
WO2021027406A1 (zh) * 2019-08-13 2021-02-18 泉州三安半导体科技有限公司 发光封装组件、发光模组以及显示屏
KR20210028784A (ko) * 2019-09-04 2021-03-15 삼성전자주식회사 발광 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 소자
CN114068792A (zh) 2020-08-07 2022-02-18 晶元光电股份有限公司 发光模块及显示装置
KR20220028524A (ko) * 2020-08-28 2022-03-08 삼성전자주식회사 마이크로 led 패키지 및 이를 구비한 디스플레이 모듈
JPWO2022176906A1 (zh) * 2021-02-18 2022-08-25
KR20240004985A (ko) * 2021-12-30 2024-01-11 후베이 산안 옵토일렉트로닉스 컴퍼니 리미티드 발광 모듈, 발광 모듈의 제조 방법 및 디스플레이 장치
CN117751459A (zh) * 2022-07-22 2024-03-22 京东方科技集团股份有限公司 无机发光二极管、发光面板和背光模组
CN117239043B (zh) * 2023-11-16 2024-02-27 江西鸿利光电有限公司 一种发光器件及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812498B1 (en) * 2003-06-26 2004-11-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multi-color light emitting diode package
EP1482566A2 (en) * 2003-05-28 2004-12-01 Chang Hsiu Hen Light emitting diode electrode structure and full color light emitting diode formed by overlap cascaded die bonding
WO2017026820A1 (ko) * 2015-08-12 2017-02-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 표시 장치

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1143394C (zh) 1996-08-27 2004-03-24 精工爱普生株式会社 剥离方法、溥膜器件的转移方法和薄膜器件
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US6297598B1 (en) * 2001-02-20 2001-10-02 Harvatek Corp. Single-side mounted light emitting diode module
CN1241272C (zh) 2001-08-22 2006-02-08 索尼公司 氮化物半导体器件及其制造方法
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
US20060291203A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Munisamy Anandan Fiber mixed R-G-B white emitting LED package
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100755615B1 (ko) * 2006-04-14 2007-09-06 삼성전기주식회사 발광 다이오드를 이용한 액정 표시 장치의 백라이트
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100764377B1 (ko) 2006-04-17 2007-10-08 삼성전기주식회사 엣지형 백라이트 유닛
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US8110835B2 (en) * 2007-04-19 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Switching device integrated with light emitting device
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8421093B2 (en) * 2007-07-13 2013-04-16 Rohm Co., Ltd. LED module and LED dot matrix display
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US8858032B2 (en) * 2008-10-24 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element
TW201029230A (en) * 2009-01-23 2010-08-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
US8384114B2 (en) * 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
US7893445B2 (en) * 2009-11-09 2011-02-22 Cree, Inc. Solid state emitter package including red and blue emitters
JP5886584B2 (ja) * 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
TWI445158B (zh) * 2011-03-14 2014-07-11 Interlight Optotech Corp 發光裝置
JP6100778B2 (ja) * 2011-08-16 2017-03-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． スロット内に形成される反射壁部を備えるｌｅｄ混合チャンバ
CN104756178B (zh) * 2012-11-05 2018-05-25 索尼半导体解决方案公司 光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置
JP6107510B2 (ja) * 2013-07-25 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2015092529A (ja) * 2013-10-01 2015-05-14 ソニー株式会社 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子
US9601673B2 (en) * 2014-11-21 2017-03-21 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including LED dies that are directly attached to lead frames
CN107408364B (zh) * 2015-03-20 2020-06-30 索尼半导体解决方案公司 显示装置、照明装置、发光元件以及半导体装置
US9853017B2 (en) * 2015-06-05 2017-12-26 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and light emitting device package module
TW201725763A (zh) * 2015-06-26 2017-07-16 億光電子工業股份有限公司 發光裝置及其製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1482566A2 (en) * 2003-05-28 2004-12-01 Chang Hsiu Hen Light emitting diode electrode structure and full color light emitting diode formed by overlap cascaded die bonding
US6812498B1 (en) * 2003-06-26 2004-11-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multi-color light emitting diode package
WO2017026820A1 (ko) * 2015-08-12 2017-02-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US10256218B2 (en) 2019-04-09
US20190019780A1 (en) 2019-01-17
CN109244064A (zh) 2019-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109244064B (zh) 发光装置封装件
US11610870B2 (en) Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device
US10490533B2 (en) Light emitting apparatus, illumination apparatus and display apparatus
US20220130804A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN107316930B (zh) 半导体发光器件
US9224926B2 (en) Light-emitting device and lighting system
US11817435B2 (en) Light emitting device for display and LED display apparatus having the same
US8471242B2 (en) Light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR102585406B1 (ko) 발광소자 패키지
US11695102B2 (en) Active electrical elements with light-emitting diodes
US11837625B2 (en) LED display apparatus
US20190189853A1 (en) Light emitting device package
US20190019779A1 (en) Light emitting device package and display device using the same
US8759853B2 (en) Light emitting device
EP3998644A1 (en) Method for manufacturing image display device and image display device
TWI511334B (zh) 發光裝置
US8405093B2 (en) Light emitting device
KR20170112776A (ko) 발광소자, 어레이 기판, 패널, 및 이를 포함하는 표시장치
KR20130017357A (ko) 발광소자
KR101640813B1 (ko) 백색 광원모듈 및 이를 적용한 액정표시장치
US20230402437A1 (en) Light emitting device for display and led display apparatus having the same
US20230369304A1 (en) Pixel device and display apparatus having the same
KR20130022621A (ko) 발광소자 패키지
KR20130014703A (ko) 발광소자
KR20130036615A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant