CN114068792A - 发光模块及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光模块及应用此发光模组的显示装置。此发光模块包含一电路基板，此电路基板包含一第一表面与一与第一表面相对的一第二表面，第一表面具有多个分离的导电通道，且第二表面具有多个分离的导电衬垫；多个发光群组以矩阵方式排列于第一表面上，其中每一发光群组包含一红色发光二极管芯片、一绿色发光二极管芯片、及一蓝色发光二极管芯片；一电子元件位于第一表面上，且未与发光群组矩阵重叠；以及一可透光封装元件，覆盖多个发光群组以及电子元件。

Description

发光模块及显示装置
技术领域
本发明涉及一种发光模块及显示装置，尤其是涉及一种包含特定结构的发光二极管发光模块以及应用具有特定结构的发光二极管发光模块的显示装置。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小、以及反应速度快等特性，因此广泛地被应用于各种需要使用发光元件的领域，例如：车辆、家电、背光模块、照明灯具、以及显示装置等。
以显示装置为例，发光二极管属于一种单色光(monochromatic light)，利用红、绿、蓝三原色的发光二极管芯片相互搭配，可变化颜色作为信息显示的基本单元，组成一全彩色光的发光群组，即可作为显示装置中的像素(pixel)单元。
如何利用封装技术制作紧凑排列并且含有多个适合用以作为信息显示发光群组的发光模块，是本发明的主要目的之一。除此之外，在紧凑排列的发光模块中进一步更可以具备有感应功能并达到与外界互动模式的效果，也是本发明所要达成的重要课题之一。
发明内容
本发明提供一种发光模块。此发光模块包含一电路基板，此电路基板包含一第一表面与一与第一表面相对的一第二表面，第一表面具有多个分离的导电通道，且第二表面具有多个分离的导电衬垫；多个发光群组以矩阵方式排列于第一表面上，其中每一发光群组包含一红色发光二极管芯片、一绿色发光二极管芯片、及一蓝色发光二极管芯片；一电子元件位于第一表面上，且未与前述发光群组矩阵重叠；以及一可透光封装元件，覆盖多个发光群组矩阵以及电子元件。
另一方面，本发明还提供一种显示装置，包含一载板；多个发光模块位于载板上，包含一第一发光模块；以及一第二发光模块；其中，第一发光模块中的电子元件与第二发光模块中的电子元件种类不同。
附图说明
图1A为本发明一实施例所揭露的一发光模块的立体图；
图1B为图1A中发光模块的上视图；
图1C为图1A中发光模块的底视图；
图1D为图1B中发光模块沿A-A’线段的部分剖视图；
图1E为本发明一实施例所揭露的一发光模块的立体图；
图1F为本发明一实施例所揭露的一发光模块的立体图；
图2为图1A中发光模块的电路基板上表面透视图；
图3为图1A中发光模块的等效电路示意图；
图4为本发明一实施例所揭露的一显示装置的上视图；
图5为本发明一实施例所揭露的一显示装置的上视图。
符号说明
100、100’、200、300：发光模块
120：电路基板
120’：绝缘基底
121：第一表面
121’：上导电层
121A～121J：导电通道
121A’1～121A’2、121B’1～121B’2、121C’1～121C’2、121D’1～121D’6、
121E’1、121F’1、121G’1～121G’6、121H’1～121H’2、
121I’1～121I’2、121J’1～121J’2：导电垫
122A～122J：导电衬垫
122：第二表面
130：第一发光群组
140：第二发光群组
150：第三发光群组
160：第四发光群组
170、170’：电子元件
180：可透光封装元件
180’、180”：遮光结构
1801：上表面
400：等效电路示意图
131、141、151、161：红色发光二极管芯片
132、142、152、162：绿色发光二极管芯片
133、143、153、163：蓝色发光二极管芯片
133a、143a：承载基板
133b、143b：半导体外延层
133-1、143-1：阴极接触电极
133-2、143-2：阳极接触电极
1331：第一电连接部
1333：第二电连接部
1332：第一保护部
1334：第二保护部
1000、2000：显示装置
1100：目标载板
d1：距离
g1、g2：间距
A’：线段
θ1、θ2：观看角度
具体实施方式
图1A为根据一实施例所揭露的一发光模块100的立体图，图1B是显示图1A中发光模块100的上视图，以及图1C是显示图1A中发光模块100的底视图。发光模块100包含一电路基板120、一第一发光群组130、一第二发光群组140、一第三发光群组150、一第四发光群组160、一电子元件170、及一可透光封装元件180。
在本实施例中，电路基板120由一绝缘基底120’以及一上导电层121’所构成，上导电层121’具有特定图案。电路基板120具有彼此相对的一第一表面121以及一第二表面122。自图1B观之，第一表面121上具有多个彼此分离且贯穿电路基板120的导电通道121A～121J。第一发光群组130、第二发光群组140、第三发光群组150、以及第四发光群组160以2列×2行矩阵的型态配置在上导电层121’上，并共同形成一发光群组矩阵。其中，每一个发光群组130/140/150/160可以分别包含可以发出不同色光的发光元件，例如，一红色发光二极管芯片131/141/151/161、一绿色发光二极管芯片132/142/152/162、以及一蓝色发光二极管芯片133/143/153/163。电子元件170同样配置于第一表面121上，并且配置于发光群组矩阵(130/140/150/160)之中。例如，电子元件170配置在发光群组矩阵(130/140/150/160)中的行与列之间，不与发光群组矩阵(130/140/150/160)重叠。此外，可透光封装元件180则配置在第一表面121上，覆盖发光群组矩阵(130/140/150/160)以及电子元件170。
参阅图1C，多个彼此分离的导电衬垫122A～122J配置在第二表面122上。其中，虚线的圆圈121A～121J则代表自第一表面121上贯穿电路基板120后穿透至第二表面122的导电通道121A～121J的相对应位置示意图。由图中可以发现，每一个导电衬垫122A～122J分别与每一个导电通道121A～121J相连接。除此之外，在第二表面122上还包含一个三角形的导电衬垫122K。整体而言，发光模块100在第二表面122上具有11个分离的导电衬垫122A～122K。
导电衬垫122K配置于发光模块100底视图的正中央，与前述所有其他的导电衬垫122A～122J分离配置，并且不与任何一个导电通道121A～121J电连接。当发光模块100整体结构在外观上为镜像对称而无法分辨上下方向时，设置具有指向性外观的导电衬垫122K可以使整个发光模块100具有方向辨识的效果。具有指向性的外观并不以三角形为限，还可以例如是奇数多边形、不对称多边形、具有导角的偶数多边形…等等可以显示发光模块100方位的形状或结构。
值得注意的是，导电衬垫122K配置的位置亦不为限制，可以配置于发光模块100外表面的任意适当位置以表示发光模块100的方位。此外，由于导电衬垫122A～122K材料一般是由具有高导热系数的金属，例如：铜、锡、铝、银或金所组成。在本实施例中，当导电衬垫122K的位置配置于第二表面122相对应于电子元件170的正下方时，因为与电子元件170间具有最短的距离，可以提升电子元件170向外的散热效果。
在本实施例中，上导电层121’作为与前述发光二极管芯片131/141/151/161/132/142/152/162/133/143/153/163电连接之用，并通过导电通道121A～121J与导电衬垫122A～122J彼此电连接，导电衬垫122A～122J则用以与发光模块100的外部电连接，因此，导电通道121A～121J贯穿绝缘基底120’。此外，导电通道121A～121J可形成在绝缘基底120’的边缘或是内部区域，并且导电衬垫122A～122J彼此间的距离要以符合相关的安规要求为佳。
绝缘基底120’的材料可以是环氧树脂、BT(Bismaleimide Triazine)树脂、聚酰亚胺(polyimide)树脂、环氧树脂与玻纤的复合材料或BT树脂与玻纤的复合材料。上导电层121’以及构成导电通道121A～121J的材料可以是金属，例如：铜、锡、铝、银、钯、金、前述材料的合金、或前述材料的叠层。在一实施例中，当发光模块100要作为显示装置的像素使用时，电路基板120的第一表面121上方可以另外形成一遮光结构(图未示)，例如，黑色涂层或抗反射层，用以降低上导电层121’的反光、遮掩不同绝缘基底120’之间的色差，如此显示装置的对比度得以被提高。
在本实施例中，发光群组的数目为四(2×2)，但不以此为限。在另一实施例中，发光群组的数目可以是m×n个，以构成一个由多个发光群组以m列×n行的方式组成的发光群组矩阵。此外，每一发光群组130/140/150/160中都包含一红色发光二极管芯片131/141/151/161，可经由电源提供一电力而发出第一光线，第一光线的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peak wavelength)介于600nm至660nm之间；一绿色发光二极管芯片132/142/152/162，可经由电源提供电力而发出第二光线，第二光线的主波长或峰值波长介于515nm至575nm之间；以及一蓝色发光二极管芯片133/143/153/163，可经由电源提供电力而发出第三光线，第三光线的主波长或峰值波长介于430nm至490nm之间。以上波长范围仅为例示，其他得以用于显示器的色光都可在合理的范围内适用本发明中所揭露的技术方案。
参阅图1D，图1D是显示图1B中发光模块100沿着A-A’线段切割的部分剖视图。在本实施例中，两个蓝色发光二极管芯片133/143分别包含一承载基板133a/143a(亦可以选择性地被移除或被省略)、一半导体外延层133b/143b、一阴极接触电极133-1/143-1、以及一阳极接触电极133-2/143-2。其中，半导体外延层133b/143b的一侧朝向承载基板133a/143a，另一侧朝向接触电极133-1/143-1/133-2/143-2。承载基板133a/143a可用以承载或支撑半导体外延层133b/143b。此外，承载基板133a/143a远离半导体外延层133b/143b的一面，也就是蓝色发光二极管芯片133/143的上表面，即为蓝色发光二极管芯片133/143的出光面。若无承载基板133a/143a，蓝色发光二极管芯片133/143的出光面即为半导体外延层133b/143b的最上表面。
在本实施例中，承载基板133a/143a为蓝宝石基板(sapphire)，亦即半导体外延层133b/143b外延成长时的直接成长基板(growth substrate)。在一实施例中，承载基板133a/143a也可以是透光的二次基板(非成长基板)，二次基板的材料例如氧化铝陶瓷、玻璃、蓝宝石、类碳钻、石英，通过一透光的结合层(bonding layer，图未示)与半导体外延层133b/143b连结。
如图中所示，蓝色发光二极管芯片133/143的阴极接触电极133-1/143-1以及阳极接触电极133-2/143-2分别通过一第一电连接部1331以及一第二电连接部1333与上导电层121’电连接，而第一电连接部1331以及第二电连接部1333的外围更分别由一第一保护部1332以及一第二保护部1334所围绕。第一电连接部1331以及第二电连接部1333的轮廓可以是平滑的表面或是有凹凸起伏的表面。在本实施例中，第一电连接部1331以及第二电连接部1333具有颈部的轮廓。换言之，第一电连接部1331在阳极接触电极133-1/143-1以及上导电层121’之间有一宽度小于与第一电连接部1331与上导电层121’的界面的宽度；同样的，第二电连接部1333在阴极接触电极133-2/143-2以及上导电层121’之间有一宽度小于与第二电连接部1333与上导电层121’的界面的宽度。在本实施例中，第一电连接部1331以及第二电连接部1333大部分是导电材料所组成，第一电连接部1331以及第二电连接部1333可以分别含有为或多或少的孔洞(图未示)，孔洞中可以存在空气、保护部1332/1334的材料、制作工艺中的材料残留、及/或环境中的污染物。在另一实施例中，第一电连接部1331以及第二电连接部1333可以全部都是导电材料所组成。在另一实施例中，第一保护部1332可位于第一电连接部1331以及第二电连接部1333之间，并同时包覆围绕第一电连接部1331及第二电连接部1333，且与电路基板120的第一表面121相连接。
第一保护部1332不仅可保护第一电连接部1331以及第二电连接部1333，避免外部环境介质对导电材料的氧化，还可避免第一电连接部1331及第二电连接部1333在高温的环境下因材料软化或熔化造成短路的问题。此外，第一保护部1332可增加电路基板120与蓝色发光二极管芯片133/143间的接合强度。在一实施例中，第一保护部1332以及/或第二保护部1334主要为树脂所组成，还可包含少量的导电材料(例如，电连接部1331/1333的材料)。值得注意的是，第一保护部1332内的导电材料是以不连续地形式存在于第一保护部1332。在另一实施例中，第一保护部1332以及/或第二保护部1334主要为树脂所组成，但不包含导电材料。
第一电连接部1331、第二电连接部1333以及第一保护部1332、第二保护部1334所含有的导电材料可以是相同或不同，例如：金、银、铜、锡、铟、铋、或其合金。在一实施例中，导电材料是低熔点的金属或低液化熔点(liquidus melting point)的合金。在一实施例中，低熔点的金属或低液化熔点的合金的熔点或液化温度低于210℃。在另一实施例中，低熔点的金属或低液化熔点的合金的熔点或液化温度低于170℃。低液化熔点的合金的材料可以是锡铟合金或锡铋合金。
第一电连接部1331、第二电连接部1333以及第一保护部1332、第二保护部1334所含有的树脂可以是相同或不同，例如可以是热固性树脂。在一实施例中，树脂是热固性环氧树脂。在一实施例中，树脂具有玻璃转化温度(Glass Transition Temperature；Tg)，且Tg大于50℃。在另一实施例中，树脂的Tg大于120℃。
在本实施例中，可透光封装元件180覆盖发光群组130～160及电子元件170，并与上导电层121’及第一表面121直接接触。如图1D所示，可透光封装元件180的侧壁与电路基板120的侧壁可以共平面，但在另一实施例中，可透光封装元件180的侧壁与电路基板120的侧壁也可以不共平面。可透光封装元件180可保护发光群组矩阵(130/140/150/160)及电子元件170。此外，可透光封装元件180具有一上表面1801可作为发光模块100的主出光面，发光群组130～160射出的光可经由上表面1801透出可透光封装元件180。在一实施例中，可透光封装元件180对波长在440nm至470nm、510nm至540nm以及/或610nm至640nm的所有波段的穿透度大于80％。在ㄧ实施例中，可透光封装元件180的折射率在1.30至2.0之间，通过变化可透光封装元件180的折射率大小，可用以调整发光模块100的出光角度大小。亦即，可透光封装元件180的出光面，例如上表面1801，与外界环境，例如空气，之间材料的折射率相差越小，出光的角度越大。在另一实施例中，可透光封装元件180的折射率在1.35至1.70之间。此外，可透光封装元件180还可减少上导电层121’遭受外界环境的氧化及/或发光群组130～160中发光元件于使用过程中脱落。
可透光封装元件180的材料可为树脂、陶瓷、玻璃、或上述的组合。在一实施例中，可透光封装元件180的材料为热固化树脂，热固化树脂可为环氧树脂或硅氧树脂。在一实施例中，可透光封装元件180为硅氧树脂，硅氧树脂的组成可根据所需的物理性质或光学性质的需求做调整。在一实施例中，可透光封装元件180含有脂肪族的硅氧树脂，例如，甲基硅氧烷化合物，因此具有较大的延展性，较可以承受发光群组130～160产生的热应力。在另一实施例中，可透光封装元件180含有芳香族的硅氧树脂，例如，苯基硅氧烷化合物，因此具有较大的折射率。由此，可以减少可透光封装元件180与发光群组130～160之间的折射率差来提高发光群组130～160的光萃取(light extraction)效率。也就是说，当发光群组130～160的折射率与发光群组130/140/150/160出光面相邻物质的材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取的效率可更加提升。在一实施例中，发光群组130～160出光面的材料为蓝宝石(sapphire)，其折射率约为1.77，可透光封装元件180的材料为含有芳香族的硅树脂，其折射率则大于1.50。
在本实施例中，可透光封装元件180使用对红光波长600nm至660nm、绿光波长515nm至575nm、以及蓝光波长430nm至490nm而言为可穿透的材料。在一实施例中，可透光封装元件180以前述同样的透明材料为基底，并于其中掺混有碳黑，当发光模块100要作为显示装置的像素使用时，掺混有碳黑的可透光封装元件180可用以增加对比度。然而，碳黑具有吸光的特性，当光的波长越短，碳黑的吸收越大。在一个优选的实施例中，可透光封装元件180包含大于等于0.005wt％且小于1wt％的碳黑。在又一实施例中，可透光封装元件180以前述同样的透明材料为基底，并于其中均匀掺混有无机颗粒填料。无机颗粒填料例如为融熔硅颗粒、二氧化硅(SiO2)颗粒、或金属颗粒。无机颗粒填料可以具有100μm或更小的平均颗粒粒径。根据所添加的无机颗粒填料的折射率及反射率特性不同，可改变可透光封装元件180的光散射能力以及发光模块100整体的出光特性；根据所添加的无机颗粒填料的硬度特性不同，可以增加可透光封装元件180以及发光模块100整体的元件强度。在一个优选的实施例中，为了减少发光模块100整体的光透射率因为光散射而劣化，可透光封装元件180包含小于50wt％的无机颗粒填料。
图1E为根据一实施例所揭露的另一发光模块200的立体图。在本实施例中，电路基板120、发光群组130～160、电子元件170、可透光封装元件180的配置、结构与发光模块100大致相同。其差异在于发光模块100还包含一层遮光结构180’。遮光结构180’位于第一表面121之上并覆盖发光群组130～160之间的上导电层121’以及导电通道121A～121J。遮光结构180’的结构例如为黑色涂层或抗反射层，用以降低上导电层121’的反光、遮掩不同绝缘基底120’之间的色差，如此发光模块200及应用发光模块200的显示装置的对比度得以被提高。
图1F为根据一实施例所揭露的另一发光模块300的立体图。在本实施例中，电路基板120、发光群组130～160、电子元件170、可透光封装元件180的配置、结构与发光模块200大致相同。其差异在于发光模块300所包含的遮光结构180”完全覆盖发光群组130～160及电子元件170之外所有的上导电层以及导电通道。遮光结构180”的结构例如为黑色涂层或抗反射层，这样的设计可更用以更佳地降低上导电层121’的反光、遮掩不同绝缘基底120’之间的色差，如此发光模块300及应用发光模块300的显示装置的对比度得以被提高。值得一提的是，在本实施例中的遮光结构180”高度略低于发光群组130～160及电子元件170，但实际上设计并不以此为限，依据电子元件170的不同实施态样，遮光结构180”的材料及高度也需要进行适当的调整，将于后续实施例中分别描述。
图2为发光模块100中将发光群组130～160以及电子元件170以虚线表示后的电路基板上表面透视图。如图中所示，上导电层121’分别具有与导电通道121A～121J电连接且彼此分离的导电线路121A’～121J’，且每一个导电线路121A’～121J’末端还各自具有用以与前述发光二极管芯片131/141/151/161/132/142/152/162/133/143/153/163电连接的导电垫121A’1及121A’2～121J’1及121J’2，其细部结构详述如下。
如图2中所示，导电线路121A’、121B’、121C’、121H’、121I’、121J’的线路两末端分别各有一个膨大的导电垫121A’1及121A’2、121B’1及121B’2、121C’1及121C’2、121H’1及121H’2、121I’1及121I’2、以及121J’1及121J’2；导电线路121D’及121G’的线路两末端分别各有一个膨大的梳状导电垫121D’1～121D’6以及121G’1～121G’6；导电线路121E’及121F’的线路一个末端分别有一个膨大的导电垫121E’1以及121F’1。在一个优选的实施例中，导电垫的宽度会比相对应的导电线路的宽度来得宽，用以使前述发光二极管芯片以及电子元件的各接触电极通过前述的电连接部材料与其独立地进行电连接。
一并参考图1B及图1D，以A-A’线段的剖视图为例。由剖视图中可以看到，两个蓝色发光二极管芯片133、143分别具有一阴极接触电极133-1、143-1以及一阳极接触电极133-2、143-2。蓝色发光二极管芯片133的阴极接触电极133-1通过第一电连接部1331与导电线路121D’的导电垫121D’1电连接、蓝色发光二极管芯片133的阳极接触电极133-2通过第二电连接部1333与导电线路121A’的导电垫121A’1电连接、蓝色发光二极管芯片143的阴极接触电极143-1通过第一电连接部1331与导电线路121G’的导电垫121G’1电连接、以及蓝色发光二极管芯片143的阳极接触电极143-2通过第二电连接部1333与导电线路121A’的导电垫121A’2电连接。如前所述，每一个导电垫121D’1、121A’1、121G’1、121A’2再分别与各个相对应的导电通道121D、121A、121G、121A电连接，继而再通过导电通道121D、121A、121G、121A分别电连接至第二表面122相对应的导电衬垫122D、122A、122G、122A后，进而与外部电源电连接。
以此类推，在发光模块100中，每一发光群组130/140/150/160中的红色发光二极管芯片131/141/151/161、绿色发光二极管芯片132/142/152/162、以及蓝色发光二极管芯片133/143/153/163分别具有一阴极接触电极及一阳极接触电极(以图1D为例示)，而每一个独立的阴极接触电极与阳极接触电极各自与第二表面122相对应的导电衬垫122A～122J电连接。
在本发明中，发光模块100还包含一电子元件170。电子元件被配置于发光模块100中央区域，且未与发光群组矩阵(130/140/150/160)重叠。在一实施例中，电子元件170为一个单一光侦检器，可用以检测红色发光二极管芯片131/141/151/161、绿色发光二极管芯片132/142/152/162、或蓝色发光二极管芯片133/143/153/163的发光强度。当光侦检器配置在发光模块100的中央区域时，与发光模块100中四个发光群组130～160接近等距，因此可以无偏差地接收发光模块100中不同发光群组所发出的光量并将接收到的光量大小转换为电子信号，并传输给后方的处理单元(图未示)，后续还可用以作为光量回馈控制调整的依据，而这部分的控制机制将在后面显示装置的应用段落进行详细说明。
图3为发光模块100的等效电路示意图400。在图3中，代表发光二极管芯片的电路符号的位置相应于发光模块100中发光二极管芯片131～163的配置。在发光模块100中，该些发光群组130～160的每一个发光二极管芯片131～163分别包含有一阳极接触电极(图未示)以及一阴极接触电极(图未示)。
进一步就发光群组阵列(130/140/150/160)的连接关系来看，在同一直行中，所有发光二极管芯片的阴极接触电极均电连接至同一个导电衬垫。例如：发光二极管芯片131～133及161～163的阴极接触电极均电连接至导电衬垫122D、发光二极管芯片141～143及151～153的阴极接触电极均电连接至导电衬垫122G；在同一横列中，同色的发光二极管芯片的阳极接触电极均电连接至同一个导电衬垫。例如：蓝色发光二极管芯片133及143的阳极接触电极均电连接至导电衬垫122A、绿色发光二极管芯片132及142的阳极接触电极均电连接至导电衬垫122B、红色发光二极管芯片131及141的阳极接触电极均电连接至导电衬垫122C、蓝色发光二极管芯片163及153的阳极接触电极均电连接至导电衬垫122H、绿色发光二极管芯片162及152的阳极接触电极均电连接至导电衬垫122I、红色发光二极管芯片161及151的阳极接触电极均电连接至导电衬垫122J。通过这样的设计，当通过导电衬垫122D及122G给予所有发光二极管芯片相同的阳极电压电位后，可以通过对不同的导电衬垫122A～C及122H～J施加不同的电压电位及/或开关电压时间，使发光模块100中不同颜色的发光二极管芯片达到可以独立控制发光亮度及/或开关时序的效果。此外，第二表面122上的导电衬垫数量也得以减少。在另一个实施例中，也可以将所有的发光二极管芯片的阳极接触电极均电连接至具有相同电压电位的一个电极衬垫上，再通过将不同色的发光二极管芯片分别连接至不同的阴极导垫衬垫后，可以通过对不同色的阴极导电衬垫施加不同的电压电位及/或开关电压时间，使发光模块100中不同颜色的发光二极管芯片达到可以独立控制发光亮度及/或开关时序的效果。
在一实施例中，电子元件170代表一整合式光侦检器或数个独立的光侦检器，电子元件170可以检测数个不同波段的光线，例如，红色发光波长600nm至660nm、绿色发光波长515nm至575nm、以及蓝色发光波长430nm至490nm。电子元件170的两个电极(图未示)分别与导电垫121F’1与121E’1电连接，后续再分别通过导电通道121F及121E电连接至导电衬垫122F与122E，并通过导电衬垫122F与122E与外部电连接。
当发光模块中的电子元件为一单一光侦检器、一整合式光侦检器、或数个独立的光侦检器时，参考图1E、图1F…等发光模块200、300的结构设计。由于电子元件170为收光元件，当电子元件170以侧面收光，且选择相对于电子元件170的吸收波长呈现透明的材料作为遮光结构180’及180”时，除可以如图1E及图1F所示高度略低于发光群组130～160及电子元件170外，遮光结构180’及180”也可以与发光群组130～160及电子元件170等高或者高于发光群组130～160及电子元件170至覆盖住发光群组130～160及电子元件170的整个上表面。当电子元件170以上表面收光，且选择相对于电子元件170的吸收波长呈现透明的材料作为遮光结构180’及180”时，遮光结构180’及180”也可以与发光群组130～160及电子元件170等高或者略高于发光群组130～160及电子元件170至覆盖住发光群组130～160及电子元件170的整个上表面。当电子元件170以上表面收光，且选择相对于电子元件170的吸收波长呈现不透明的材料作为遮光结构180’及180”时，遮光结构180’及180”可以与发光群组130～160及电子元件170等高但不适合高至覆盖住电子元件170的整个上表面，以避免影响电子元件170的收光。唯在前述所有的设计之中，遮光结构180’及180”的厚度仍需使得发光群组130～160得以透光，以达到发光模块100～300本身的功效。
在一实施例中，电子元件170为一或多个发光二极管元件，其可发出与发光群组阵列(130/140/150/160)不同波长的一或多种光线。例如：琥珀色(Amber)、冷白色(CoolWhite)、暖白色(Warm White)、荧光等。电子元件170的阴阳电极(图未示)分别与导电垫121F’1与121E’1电连接，后续再分别通过导电通道121F及121E电连接至导电衬垫122F与122E，并通过导电衬垫122F与122E与外部电连接。通过加入不同发光波段及/或不同色温的电子元件170，可以使发光模块100具有多工的效果。例如：当应用在汽车中，发光模块100中的发光群组阵列(130/140/150/160)可作为互动式尾灯，以(荧光转换型)琥珀色发光二极管元件作为电子元件170时，电子元件170则可具有指向灯的功效。
当发光模块中的电子元件为一或多个发光二极管元件时，参考图1E、图1F…等发光模块200、300的结构设计。由于电子元件170为放光元件，除可以如图1E及图1F所示高度略低于发光群组130～160及电子元件170外，遮光结构180’及180”也可以与发光群组130～160及电子元件170等高或者高于发光群组130～160及电子元件170至覆盖住发光群组130～160及电子元件170的整个上表面，在此设计之中，遮光结构180’及180”的厚度仍需使得发光群组130～160及电子元件170得以透光，以达到发光模块本身的功效。
在一实施例中，电子元件170为非收放光元件，例如是用以驱动整个发光模块的集成电路(驱动IC)或者是压敏电阻…等，通过接收外部非光信号(驱动IC接受外部电信号；压敏电阻接受外部压力信号)来调整发光模块整体的放光强度或效果。电子元件170的阴阳电极(图未示)分别与导电垫121F’1与121E’1电连接，后续再分别通过导电通道121F及121E电连接至导电衬垫122F与122E，并通过导电衬垫122F与122E与外部电连接。
当电子元件170为非收放光元件时，参考图1E、图1F…等发光模块200、300的结构设计。由于电子元件170的操作并不受光所影响，除可以如图1E及图1F所示高度略低于发光群组130～160及电子元件170外，遮光结构180’及180”也可以与发光群组130～160及电子元件170等高或者高于发光群组130～160及电子元件170至覆盖住发光群组130～160及电子元件170的整个上表面，在此设计之中，遮光结构180’及180”的厚度需使得发光群组130～160得以透光，以达到发光模块100～300本身的功效。
在另一实施例中，遮光结构180’/180”也可以仅单独将电子元件170完全包覆但仍露出发光群组130～160，但电子元件170并不因被包覆而影响其正常运作，例如：散热、接收压力等。遮光结构180’/180”于发光模块中具有均一的高度(亦即，遮光结构180’/180”在单一发光模块中具有一平坦的最上表面)，但本发明不限于此。在另一个实施例中，遮光结构180’/180”在电子元件170及发光群组130～160上方及/或周围有不同高度，亦即遮光结构180’/180”在巨观上具有一不平坦的最上表面。不论遮光结构180’/180”的表面型态，发光群组130～160的出光都应不受影响。
图4为一实施例，显示应用前述发光模块100组成的一显示装置1000的上视图。显示装置1000包含一目标载板1100及多个发光模块100以阵列型态固定在目标载板1100上。在显示装置1000中，每一个发光模块100包含4组可发红光、蓝光、及绿光的发光群组130、140、150、及160，而每一个发光群组130、140、150、及160可为显示装置1000中的一个像素。多个发光模块100排放固定在目标载板1100的方式包含一颗接一颗(one by one)或多个发光模块100一次排放固定在目标载板1100上。在X轴上(横向)，相邻的两个发光模块100中相应的发光群组130～160里的两颗红色发光二极管芯片131～161、两颗绿色发光二极管芯片132～162、及两颗蓝色发光二极管芯片133～163之间的距离都为d1(此处的距离以两颗同色发光二极管芯片的X轴长度中心点为起始位置进行测量)；在Y轴上(纵向)，相同地，相邻的两个发光模块100中相应的发光群组130～160里的两颗红色发光二极管芯片131～161、两颗绿色发光二极管芯片132～162、及两颗蓝色发光二极管芯片133～163之间的距离亦都为d1(此处的距离以两颗同色发光二极管芯片的Y轴长度中心点为起始位置进行测量)。距离d1是根据目标载板1100的尺寸以及显示装置1000的分辨率而决定。
在X轴上，相邻两个的发光模块100之间具有一间距g1，在Y轴上，相邻两颗的发光模块100之间具有一间距g2。在一实施例中，间距g1及间距g2介于5μm到1000μm。较大的间距方便进行后续更换故障发光模块100的程序。在一般的使用状况下，显示装置1000的观看者通常在X轴上(水平方向)改变观看的位置，而较少在Y轴上(垂直方向)改变观看的位置，因此显示装置1000的X轴上(水平方向)上可观看的视角θ1要大，也就是发光群组130/140/150/160在X轴上(水平方向)的发光角度要大且光强度分布要平均。为了确保显示装置1000在X轴的观看角度θ1范围内，色彩差异减到最小，如图4所示，发光群组130/140/150/160沿着X轴方向的发光强度分布差异必须减少，或者发光强度分布一致。
在一实施例中，由于每一个发光模块100包含4组发光群组，当制作具有相同分辨率的显示装置时，将发光模块100排放固定在目标载板1100上的步骤数量为固定单一个发光群组将到目标载板1100上的1/4，可以大幅减少制作工艺时间。
除此之外，在一实施例中，电子元件170为光侦检器。如前所述，当光侦检器170配置在每一个发光模块100的中央区域时，与发光模块100中四个发光群组130～160都大约等距，电子元件170较可以自不同的发光群组130～160接收到相同的发光强度。在本实施例中，显示装置1000还包含有一信号接收单元(图未示)、一比较单元(图未示)、以及一回馈控制单元(图未示)，当显示装置1000上的每一个电子元件170接收到特定色光后，会将其转换为电子信号，并传输至信号接收单元。电子信号被信号接收单元接收后，经由比较单元进行比较，可以比较出每一个发光模块100是否达到适当的亮度范围。比较后，当其中某些发光模块100的发光强度不在适当的范围内时，回馈控制单元会提供相对应的回馈控制信号给该些发光模块100，使该些发光模块100相对应地调整亮度至适当的亮度范围。在另一个实施例中，显示装置1000可另包含有一环境感测单元(图未示)，环境感测单元能检测显示装置1000周围环境的亮度，通过回馈控制单元提供相对应的回馈控制信号给显示装置1000中的发光模块100，使该些发光模块100根据环境亮度相对应地调整亮度至适当的亮度范围。
图5为又一实施例所揭露的另一显示装置2000的上视图。在本实施例中，同一个显示装置1000上由两种以上的发光模块100及100’所组成。发光模块100与发光模块100’所包含的电子元件170与170’不相同。在发光模块100中，电子元件170是可发出第四光线的一红外光发光二极管；在发光模块100’中，电子元件170’是可以吸收红外光的一红外光光电二极管。如图中所示，发光模块100及发光模块100’成组交错地排列在显示装置1000上，通过红外光光电二极管170’检测外界物体反射红外光发光二极管170的光量及时间，可以达成对外界物体进行测距的功能。进一步，在整个显示装置1000中，可以通过电子元件170及170’的组合，藉以确认移动/手势检测其相对位置，达到互动式屏幕的效果。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在于使熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，不能以的限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光模块，其特征在于，包含：
电路基板，包含第一表面、与该第一表面相对的第二表面，且该第一表面具有多个分离的导电通道，该第二表面具有多个分离的导电衬垫；
多个发光群组，以矩阵方式排列于该第一表面上，每一发光群组包含红色发光二极管芯片、绿色发光二极管芯片、及蓝色发光二极管芯片；
电子元件，位于该第一表面上，并未与该发光群组矩阵重叠；以及
可透光封装元件，覆盖该多个发光群组矩阵以及该电子元件。
2.如权利要求1所述的发光模块，其中，每一该红色发光二极管芯片、该绿色发光二极管芯片、及该蓝色发光二极管芯片分别包含阳极接触电极及阴极接触电极，该多个发光群组矩阵中位于同一直行的所有发光二极管芯片的阴极接触电极都与该多个分离的导电衬垫其中之一电连接。
3.如权利要求2所述的发光模块，其中，该多个发光群组矩阵中位于同一横列的同色发光二极管芯片的阳极接触电极都与该多个分离的导电衬垫其中之一电连接。
4.如权利要求1所述的发光模块，其中，该发光群组矩阵以m列×n行的方式组成，m＝2,n＝2，且该发光模块于该第二表面具有11个分离的导电衬垫。
5.如权利要求1所述的发光模块，还包含多个分离的导电线路位于该第一表面上，其中，该可透光封装元件包含碳黑。
6.如权利要求1所述的发光模块，还包含多个分离的导电线路位于该第一表面上，其中，该可透光封装元件包含无机颗粒填料。
7.一种显示装置，其特征在于，包含：
载板；
多个权利要求1所述的发光模块位于该载板上，包含：
第一发光模块；以及
第二发光模块；以及
信号接收单元，用以接收该第一发光模块及该第二发光模块所发出的电子信号。
8.如权利要求7所述的显示装置，还包含回馈控制单元，电连接该第一发光模块及该第二发光模块；其中，该回馈控制单元可以回馈控制该第一发光模块及该第二发光模块的亮度。
9.如权利要求7所述的显示装置，其中，该第一发光模块中的该电子元件与该第二发光模块中的该电子元件为不同的电子元件。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，该第一发光模块中的该电子元件为红外光发光二极管，而该第二发光模块中的该电子元件为红外光光电二极管。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102297348B1 (ko) * 2020-12-21 2021-09-03 (주)유니젯 표시장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5932381B2 (ja) * 2011-04-12 2016-06-08 キヤノン株式会社 画像表示装置及びその制御方法
US8970131B2 (en) * 2013-02-15 2015-03-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses and related methods
TWM511681U (zh) 2015-08-05 2015-11-01 Harvatek Corp 顯示裝置及其發光陣列模組
US10468397B2 (en) * 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
US10256218B2 (en) * 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package

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