TWI445158B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI445158B TW100108494A TW100108494A TWI445158B TW I445158 B TWI445158 B TW I445158B TW 100108494 A TW100108494 A TW 100108494A TW 100108494 A TW100108494 A TW 100108494A TW I445158 B TWI445158 B TW I445158B
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Description

發光裝置
本發明係有關於一種發光裝置，尤其是一種基板上具有至少一發光二極體模組，且發光二極體模組係由多個發光二極體所組成之發光裝置。
隨著科技的日漸沿革，各類電子產品之發展亦日新月異。其中電子產品，尤以照明裝置等背光模組為最，皆大量地使用到發光二極體(Light Emitting Diode，LED)，以作為其照明之光源。
由於發光二極體具有耐用、輕巧、使用壽命長且低耗電的優點，因此發光二極體逐漸成為照明產業與半導體產業之主流。一般而言，發光二極體可被用於照明裝置、液晶顯示器之背光模組或是指示燈之光源。然而，於實務層面上而言，目前的發光二極體光源存在有僅能以直流電源操作的問題。也就是說，在使用市電或是其他交流電源的情況之下，發光二極體光源將無法使用，於此造成發光二極體應用上的受限。
有鑒於此，目前業界遂發展出適於交流電源可使用之交流發光二極體(Alternating Current LED，AC LED)，其透過橋式整流的架構進行設計，令交流發光二極體可直接使用市電所提供的交流電源。一般而言，當交流電源各自形成正、負週期時，發光二極體中將有部分被導通，而未被導通之發光二極體則必須承受逆向 偏壓；在此情況之下，發光二極體係交替承受逆向偏壓，而當逆向偏壓過大時，便會產生高逆向偏壓的漏電流(leakage current)，導致發光二極體晶粒的擊穿現象，或影響到整體發光二極體之發光壽命，降低其可靠度(reliability)。
其次，承以前例而言，由於經橋式整流所驅動之該些發光二極體並無法同時地被點亮，也就是說，僅有1/2之發光二極體區段可被點亮，於此，將使得發光二極體之有效載荷(payload)大幅下降，影響發光效益。
是以，如何解決習知交流發光二極體耐壓受限的問題，並且提供一種可用以承受高壓輸入市電，並具有較高有效載荷之發光裝置，實為相關領域者目前迫切需要解決的問題。
鑒於以上，本發明在於提供一種發光裝置，藉以解決習知技術所存在的問題。
本發明係有關於一種發光裝置，包括：一基板、多個整流二極體與至少一發光二極體模組。其中，基板具有一表面，且基板於該表面上開設有第一凹槽、第二凹槽與第三凹槽。整流二極體係設置於第一凹槽與第三凹槽中。發光二極體模組係設置於第二凹槽中，且發光二極體模組包括多個發光二極體。
根據本發明之一實施例，其中發光二極體模組中之該些發光二極體可選擇性地以串聯或並聯方式連接。
根據本發明之一實施例，其中整流二極體可平均地設置於第一凹槽與第三凹槽之中。
根據本發明之一實施例，其中第一凹槽與第三凹槽其中之一更包括多個次凹槽，每一次凹槽係用以容置每一整流二極體。每一次凹槽之間可以一突出埠間隔之，且連接每一整流二極體之導電走線係貫穿突出埠。
根據本發明之一實施例，其中每一次凹槽之間可以二隔離部間隔之，且連接每一整流二極體之導電走線係跨越該隔離部。
根據本發明之一實施例，發光裝置可包括多個該發光二極體模組，其中每一發光二極體模組皆包括該些發光二極體，且該些發光二極體模組係以陣列式設置於第二凹槽中。
根據本發明之一實施例，其中該些整流二極體包括一第一整流二極體、一第二整流二極體、一第三整流二極體與一第四整流二極體，第一整流二極體係串聯第二整流二極體，第三整流二極體係串聯第四整流二極體，第一整流二極體與第二整流二極體之間具有一第一交流節點，第三整流二極體與第四整流二極體之間具有一第二交流節點，第一交流節點與第二交流節點係承接一交流電源，交流電源經過該些整流二極體之整流後輸出一直流電源，以驅動發光二極體模組發光。
根據本發明之一實施例，其中該些發光二極體模組包括一第一發光二極體模組、一第二發光二極體模組、一第三發光二極體 模組與一第四發光二極體模組，第一發光二極體模組係電性連接第三發光二極體模組，第二發光二極體模組係電性連接第四發光二極體模組、第二整流二極體與第四整流二極體，第三發光二極體模組係電性連接第一發光二極體模組、第一整流二極體與第三整流二極體。
根據本發明之一實施例，其中基板之底部與凹槽之間另具有至少一底層導電走線、至少一頂層導電走線與至少一中層導電走線。中層導電走線係夾置於底層導電走線與頂層導電走線之間。頂層導電走線包括一頂層第一導電走線、一頂層第二導電走線、一頂層第三導電走線與一頂層第四導電走線。中層導電走線包括一中層第一導電走線與一中層第二導電走線。第二整流二極體與第三整流二極體係各自藉由底層導電走線連接交流電源，第一發光二極體模組與第二發光二極體模組係各自藉由頂層第一導電走線與頂層第四導電走線而電性連接於第三發光二極體模組與第四發光二極體模組。第一整流二極體與第三整流二極體係各自藉由中層第一導電走線與中層第二導電走線而電性連接於第二整流二極體與第四整流二極體，其中第二發光二極體模組與第三發光二極體模組另各自藉由頂層第二導電走線與頂層第三導電走線而電性連接於第二整流二極體與第四整流二極體、以及第一整流二極體與第三整流二極體。
根據本發明之一實施例，其中該些整流二極體與發光二極體 模組可同時配置於基板上之同一凹槽中，抑或是直接配置於基板之上。
根據本發明之一實施例，其中基板之材質可以是低溫共燒陶瓷(Low-Temperature Cofired Ceramics，LTCC)。
根據本發明之一實施例，其中發光二極體可經由打線接合(wire bonding)或倒裝晶片安裝(flip chip bonding)於基板。
綜上所述，根據本發明提出之發光裝置，其係藉由整流二極體將交流電源整流之後輸出直流電源，令該直流電源驅動發光二極體模組發光。
其次，根據本發明提出之發光裝置，發光二極體模組更可選擇性地由多個相互串聯或並聯的發光二極體所組成，藉此提高發光裝置之耐壓，並且相較於習知之發光裝置，可具有較佳的有效載荷。
以上有關於本發明的內容說明，與以下的實施方式係用以示範與解釋本發明的精神與原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何 熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。
「第1A圖」係為根據本發明實施例之發光裝置之等效電路示意圖，「第1B圖」係為根據「第1A圖」之發光裝置之結構示意圖，其中，發光裝置(Light Emitting Device)10可適於一交流電源，並且由整流後之交流電源(即直流電源)所驅動而發光。在「第1B圖」中為了簡化圖式起見，係省略了一些元件走線的特徵，詳細的連接以及有關本發明提出的發光裝置10之特徵，請配合參見「第2A圖」至「第2C圖」，茲詳細說明如下。
發光裝置10包括一基板102，基板102之材質可以是低溫共燒陶瓷(Low-Temperature Cofired Ceramics，LTCC)、矽基板(Silicon)、氧化鋁(HTCC Al2 O3 )、或其他具有可靠絕緣材料之金屬材質。基板102於其表面上開設有多個凹槽，包括：第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203。其中第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203係各自分離，且第二凹槽202係形成於第一凹槽201與第三凹槽203之間。在本實施例中，第一凹槽201與第三凹槽203係定義為一第一配置區，第二凹槽202係定義為一第二配置區，使得第一配置區用以容置整流二極體，而第二配置區用以容置發光二極體模組。
第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流二極體104c與第四整流二極體104d係設置於第一凹槽201與第三凹槽203之中。根據本發明之實施例，第一整流二極體104a、第二 整流二極體104b、第三整流二極體104c與第四整流二極體104d可以平均地設置於第一凹槽201與該第三凹槽203之中。換言之，第二整流二極體104b與第四整流二極體104d可位於第一凹槽201中，且第一整流二極體104a與第三整流二極體104c可位於第三凹槽203中。
其中，第一凹槽201中更包括一凸設的突出埠(protruding portion)201c。突出埠201c用以將第一凹槽201區分為兩個次凹槽201a、201b，使得次凹槽201a、201b各自容置第四整流二極體104d與第二整流二極體104b。在本實施例中，第一凹槽201、第二凹槽202、第三凹槽203以及次凹槽201a、201b可藉由在基板102上實施蝕刻製程(etching process)來形成，換言之，突出埠201c係透過次凹槽201a、201b的蝕刻步驟後自然形成，其材質係同於基板102之材料，例如：低溫共燒陶瓷(LTCC)等絕緣材質。在本發明其他的實施例中，上述凹槽亦可藉由在基板102上配置隔離部(或稱隔離牆)來形成，以省卻製程上之複雜度(容後詳述)。導線走線28電性連接第二整流二極體104b與第四整流二極體104d，並且貫穿突出埠201c，以與「第2A圖」至「第2C圖」所示之導電走線相連接。於此，當發光裝置10電性連接一高壓的輸入電源時，突出埠201c可視作一電壓隔絕埠(voltage-resistant portion)，並用以隔絕第二整流二極體104b與第四整流二極體104d，藉此，本發明提出的發光裝置10可具有較高的耐壓能力。
第二凹槽202中具有第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d。其中，第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d皆由多個發光二極體所組成。其中，發光二極體可經由打線接合(wire bonding)或倒裝晶片安裝(flip chip bonding)於基板102之上。藉此，本發明提出之發光裝置10，於後續的封裝程序中，可經由封裝體(例如：環氧樹脂(Epoxy resin))填充於第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203中，完成整流二極體與發光二極體之整體封裝結構。
在另一實施例中，第二凹槽202更可形成複數個子凹槽，以分別容設前述之發光二極體模組。在此實施例中，將會形成有四個凹槽、五個凹槽或者更多凹槽之結構。
值得注意的是，本發明提出之發光裝置10係以第二凹槽202中具有四個發光二極體模組(包括第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d)，且該些發光二極體模組係以陣列(matrix)排列於第二凹槽202中，作為一實施例之說明。其中，發光二極體模組的數量可以是但不限於四個，設計者當可根據實際發光裝置的耐壓規格而設計之，發光二極體模組之數目並非用以限定本發明之發明範圍。
其次，在一實施例中，為簡化突出埠201c的製程複雜度，「第1C圖」係為根據「第1A圖」之發光裝置的另一種實施態樣。如「第1C圖」所示，為取代突出埠201c，發光裝置10可包括至少一隔離部108用以隔絕整流二極體與電性接點110。在此結構下，導線走線28係藉由隔離部108之隔絕，而跨越隔離部108之頂端連接電性接點110至第二整流二極體104b與第四整流二極體104d。同樣地，第一整流二極體104a與第三整流二極體104c亦透過隔離部108之隔絕而電性連接於電性接點110。隔離部108的材質可以但非限定是二氧化矽玻璃組成。因此，在此實施例中，發光裝置10係透過額外配置的隔離部108取代「第1B圖」中的突出埠201c，進一步達到發光裝置兼具耐壓效果與省卻製程複雜度之目的。
「第2A圖」至「第2C圖」係分別為根據本發明「第1B圖」之發光裝置，其各層之導電走線(wire)的佈局示意圖。其中，「第2A圖」至「第2C圖」所示之導電走線皆位在基板102之底部與其凹槽之間的區塊，換言之，該些導電走線係埋置於基板102的本體中。詳細而言，「第2A圖」所示之走線係位於基板102之本體中的底層(bottom layer)，「第2C圖」所示之走線係位於基板102之本體中的頂層(top layer)，而「第2B圖」所示之走線則位於基板102之本體中的中層(middle layer)，即底層與頂層之間。第一貫穿孔(via)30a、第二貫穿孔30b、第三貫穿孔30c與第四貫穿孔30d 係貫穿底層、中層與頂層，以使得基板102之本體中的各層走線可相互電性導通，其中第一貫穿孔30a係用以電性連接第二整流二極體104b與第四整流二極體104d，第二貫穿孔30b係用以電性連接第一發光二極體模組106a與第四發光二極體模組106d，第三貫穿孔30c與第四貫穿孔30d係分別用以電性連接第三整流二極體104c與第一整流二極體104a。
請配合參閱「第3A圖」與「第3B圖」，第一整流二極體104a與第二整流二極體104b之間具有一第一交流節點20，第三整流二極體104c與第四整流二極體104d之間具有一第二交流節點22，第一交流節點20與第二交流節點22係用以承接一交流電源(即「第3A圖」與「第3B圖」所示之AC1、AC2)。其中，交流電源可以是但不限於110伏特或220伏特(V)。當交流電源形成一正半週期時，第一整流二極體104a、第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c、第四發光二極體模組106d與第四整流二極體104d形成一第一導通路徑。當交流電源形成一負半週期時，第二整流二極體104b、第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c、第四發光二極體模組106d與第三整流二極體104c形成一第二導通路徑。
接著，如「第2B圖」與「第2C圖」所示，位於中層之中層第一導電走線24a係藉由第四貫穿孔30d連接第一整流二極體 104a與第二整流二極體104b，中層第二導電走線24b則藉由第三貫穿孔30c連接第三整流二極體104c與第四整流二極體104d。
位於頂層之頂層第一導電走線26a、頂層第二導電走線26b、頂層第三導電走線26c與頂層第四導電走線26d則用以連接各個發光二極體模組。詳細來說，頂層第一導電走線26a係連接第一發光二極體模組106a與第三發光二極體模組106c，頂層第二導電走線26b係連接第二發光二極體模組106b、第二整流二極體104b與第四整流二極體104d，頂層第三導電走線26c係連接第三發光二極體模組106c、第一整流二極體104a與第三整流二極體104c，頂層第四導電走線26d係連接第二發光二極體模組106b與第四發光二極體模組106d。
根據本發明之實施例，第一整流二極體104a係串聯第二整流二極體104b，第三整流二極體104c係串聯第四整流二極體104d。因此，「第3A圖」與「第3B圖」係為根據「第1B圖」之發光裝置之等效電路示意圖，其中，第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流二極體104c與第四整流二極體104d係用以整流交流電源為直流電源，以驅動第一整流二極體104a與第四整流二極體104d，以及第二整流二極體104b與第三整流二極體104c之間的發光二極體模組發光。其中，每一發光二極體模組(第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d)皆包括多個發光二極體 301，且該些發光二極體301可選擇性地以串聯(如「第3A圖」)或並聯(如「第3B圖」)的方式相互連接。
其中，第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d所包含之發光二極體301，並不以連續串聯或連續並聯之電性連接方式為限。根據本發明之一實施例，該些發光二極體301亦可以部分並聯，搭配部分串聯的結構形成，以利發光裝置在製作上具有彈性(flexibility)之優點。其次，當每一發光二極體模組皆包含有20至30個發光二極體301，且每一個發光二極體301可用以承受3伏特以上之逆向偏壓時，本發明提出之發光裝置10之耐壓即可有效地被提升至90伏特以上。是以，本發明提出之發光裝置10相較於習知之照明裝置更具有較高的有效載荷(payload)，在無形中亦降低了發光裝置電路的製作成本。
「第4A圖」係為根據本發明又一實施例之發光裝置之結構示意圖，發光裝置10’包括有基板102、第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流二極體104c、第四整流二極體104d、第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d。其中，該些整流二極體(第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流二極體104c與第四整流二極體104d)以及該些發光二極體模組(第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體 模組106c與第四發光二極體模組106d)之間的導電走線與電性連接關係，請一併參閱「第5A圖」至「第5C圖」所示，其如同本發明前一實施例「第2A圖」至「第2C圖」所言，故不再贅述；唯不同的是，本發明又一實施例提出之發光裝置10’，其整流二極體與發光二極體模組係共同配置於基板102上的一凹槽204中，而僅以隔離部108相間隔之。藉此，發光裝置10’係透過第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流二極體104c與第四整流二極體104d整流交流電源為直流電源，以驅動第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d發光，同樣可用來實施本發明之發明目的。
其次，該些整流二極體與發光二極體模組亦不以設置於基板102上之同一凹槽中為限。根據本發明之一實施例，如「第4B圖」所示，凹槽204可被區分為一第一子凹槽204a與一第二子凹槽204b，以分別容置整流二極體與發光二極體模組。換言之，在此一實施例中，第一子凹槽204a係定義為第一配置區，以用來容置第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流二極體104c與第四整流二極體104d。第二子凹槽204b係定義為第二配置區，以用來容置第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d。藉此配置，第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流 二極體104c與第四整流二極體104d可用以整流交流電源為直流電源，以驅動第一發光二極體模組106a、第二發光二極體模組106b、第三發光二極體模組106c與第四發光二極體模組106d發光。
以上關於「第4A圖」與「第4B圖」所示之發光裝置10’，皆具有可以隔離部108隔絕第一整流二極體104a、第二整流二極體104b、第三整流二極體104c與第四整流二極體104d於電性接點110的實施態樣，其連接方式可配合參閱「第1C圖」所示。在一實施例中，此一隔離部108之材質例如可以是二氧化矽(SiO2 )。由於在基板102上進行氧化製程，係為本領域具通常知識者所熟知的技術，藉此，不僅可簡化發光裝置10，的製程步驟，亦可進一步地降低其製作成本。
同樣地，「第1B圖」至「第1C圖」所示之發光裝置10亦可以利用製程步驟較容易的隔離部108來取代在基板102上形成凹槽的蝕刻步驟，其示意圖請配合參閱「第6A圖」與「第6B圖」。在「第6A圖」與「第6B圖」所示的實施例中，整流二極體與發光二極體模組之間僅以多個隔離部108相間隔之，而省去了前述形成凹槽的蝕刻步驟，亦可用以實現本發明之發明目的。
除此之外，由於一般而言，經整流二極體整流後所輸出的直流電，尚非恆定的直流電壓。因此，為了將交流電源整流產生穩定的直流電，本發明任一實施例所揭露之發光裝置，另可配置一 個或一個以上的濾波電路，以降低交流電源的漣波，使得輸出電壓平滑化。在一實施例中，濾波電路可選擇性地在整流二極體的輸出端加上一個能儲存電能的電容器，通常稱為濾波電容或平滑電容(smoothing capacitor)，以穩壓整流後之輸出電壓。
綜上所述，本發明提出的發光裝置，不僅可藉由整流二極體整流交流電源為直流電源，以驅動發光二極體發光。本發明提出的發光裝置，更可藉由整流二極體與發光二極體分別設置於基板上不同的凹槽中，以提高整體發光裝置的耐壓程度。
其次，本發明提出的發光裝置，其中發光二極體更不限於以串聯或並聯的方式連接，藉此，每一發光二極體模組皆可包括多個發光二極體，使得發光裝置之耐壓亦隨之有效提升。
根據本發明所揭露之發光裝置，在實際應用層面上，設計者可選擇性地省卻凹槽的製作步驟，而直接將上述整流二極體、發光二極體模組等設置於基板上，僅以隔離牆間隔之。此種做法亦可用以實現本發明之發明目的，唯在此種實施例中，當發光裝置進入後端封裝階段時，仍需要其他特殊製程步驟來完成封裝體之封裝。
雖然本發明以前述的較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神與範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧發光裝置
10’‧‧‧發光裝置
20‧‧‧第一交流節點
22‧‧‧第二交流節點
24a‧‧‧中層第一導線走線
24b‧‧‧中層第二導線走線
26a‧‧‧頂層第一導電走線
26b‧‧‧頂層第二導電走線
26c‧‧‧頂層第三導電走線
26d‧‧‧頂層第四導電走線
28‧‧‧導線走線
30a‧‧‧第一貫穿孔
30b‧‧‧第二貫穿孔
30c‧‧‧第三貫穿孔
30d‧‧‧第四貫穿孔
102‧‧‧基板
104a‧‧‧第一整流二極體
104b‧‧‧第二整流二極體
104c‧‧‧第三整流二極體
104d‧‧‧第四整流二極體
106a‧‧‧第一發光二極體模組
106b‧‧‧第二發光二極體模組
106c‧‧‧第三發光二極體模組
106d‧‧‧第四發光二極體模組
108‧‧‧隔離部
110‧‧‧電性接點
201‧‧‧第一凹槽
201a,201b‧‧‧次凹槽
201c‧‧‧突出埠
202‧‧‧第二凹槽
203‧‧‧第三凹槽
204‧‧‧凹槽
204a‧‧‧第一子凹槽
204b‧‧‧第二子凹槽
301‧‧‧發光二極體
第1A圖係為根據本發明實施例之發光裝置之等效電路示意圖。
第1B圖係為根據「第1A圖」之發光裝置之結構示意圖。
第1C圖係為根據「第1A圖」之發光裝置之結構示意圖。
第2A圖係為根據「第1B圖」之發光裝置之底層導電走線的佈局示意圖。
第2B圖係為根據「第1B圖」之發光裝置之中層導電走線的佈局示意圖。
第2C圖係為根據「第1B圖」之發光裝置之頂層導電走線的佈局示意圖。
第3A圖係為根據「第1B圖」之發光裝置具有串聯發光二極體之等效電路示意圖。
第3B圖係為根據「第1B圖」之發光裝置具有並聯發光二極體之等效電路示意圖。
第4A圖係為根據本發明又一實施例之發光裝置之結構示意圖。
第4B圖係為根據本發明又一實施例之發光裝置之結構示意圖。
第5A圖係為根據「第4A圖」之發光裝置之底層導電走線的佈局示意圖。
第5B圖係為根據「第4A圖」之發光裝置之中層導電走線的佈局示意圖。
第5C圖係為根據「第4A圖」之發光裝置之頂層導電走線的佈局示意圖。
第6A圖係為根據本發明又一實施例之發光裝置之結構示意圖。
第6B圖係為根據本發明又一實施例之發光裝置之結構示意圖。
10‧‧‧發光裝置
28‧‧‧導線走線
102‧‧‧基板
104a‧‧‧第一整流二極體
104b‧‧‧第二整流二極體
104c‧‧‧第三整流二極體
104d‧‧‧第四整流二極體
106a‧‧‧第一發光二極體模組
106b‧‧‧第二發光二極體模組
106c‧‧‧第三發光二極體模組
106d‧‧‧第四發光二極體模組
201‧‧‧第一凹槽
201a,201b‧‧‧次凹槽
201c‧‧‧突出埠
202‧‧‧第二凹槽
203‧‧‧第三凹槽

Claims (19)

  1. 一種發光裝置，包括：一基板，具有一上表面，以及一第一凹槽、一第二凹槽與一第三凹槽位於該上表面；一貫穿孔，位於該第二凹槽中；多個整流二極體，分別設置於該第一凹槽與該第三凹槽中；以及一發光二極體模組，設置於該第二凹槽中並包括多個發光二極體。
  2. 如請求項1所述之發光裝置，更包括：一下表面；一頂層導電走線位於該上表面；一底層導電走線位於該頂層導電走線與該下表面之間；以及一中層導電走線位於該頂層導電走線與該底層導電走線之間。
  3. 如請求項2所述之發光裝置，其中該貫穿孔貫穿該頂層導電走線與該底層導電走線。
  4. 如請求項1所述之發光裝置，更包括多個次凹槽位於該第一凹槽或該第三凹槽中以容置該多個整流二極體。
  5. 如請求項4所述之發光裝置，更包括一突出埠或一隔離部隔離 位於該多個次凹槽之間。
  6. 如請求項5所述之發光裝置，其中該隔離部之材質係為二氧化矽。
  7. 如請求項1所述之發光裝置，更包括一封裝體填充於該第一凹槽、該第二凹槽與該第三凹槽。
  8. 如請求項1所述之發光裝置，其中該基板之材質係為低溫共燒陶瓷(Low-Temperature Cofired Ceramics，LTCC)。
  9. 如請求項1所述之發光裝置，其中該多個整流二極體包括一第一整流二極體、一第二整流二極體、一第三整流二極體與一第四整流二極體，該第一整流二極體係串聯該第二整流二極體，該第三整流二極體係串聯該第四整流二極體。
  10. 如請求項1所述之發光裝置，其中該至少一發光二極體模組包括一第一發光二極體模組、一第二發光二極體模組、一第三發光二極體模組與一第四發光二極體模組，該第一發光二極體模組電性連接該第三發光二極體模組，該第二發光二極體模組電性連接該第四發光二極體模組、該第二整流二極體與該第四整流二極體，該第三發光二極體模組電性連接該第一發光二極體模組、該第一整流二極體與該第三整流二極體。
  11. 如請求項10所述之發光裝置，更包括一底層導電走線、一頂層導電走線與一中層導電走線位於該基板內，該中層導電走線係夾置於該底層導電走線與該頂層導電走線之間，並且該底層導電 走線、該頂層導電走線與該中層導電走線電性連接該多個整流二極體與該發光二極體組。
  12. 一種發光裝置，包括：一基板，具有一表面與複數個凹槽位於該表面上；複數個導電走線位於該基板之內；一貫穿孔，貫穿該複數個導電走線；複數個整流二極體位於該表面上；以及一發光二極體模組，位於該表面上並包括多個發光二極體。
  13. 如請求項12所述之發光裝置，其中該複數個整流二極體電性連接該發光二極體模組。
  14. 如請求項12所述之發光裝置，更包含一電壓隔絕埠位於該表面。
  15. 如請求項12所述之發光裝置，其中該複數個凹槽包括一第一凹槽容置該複數個整流二極體，以及一第二凹槽容置該發光二極體模組。
  16. 如請求項15所述之發光裝置，更包含一第一貫穿孔位於該第一凹槽以及一第二貫穿孔位於該第二凹槽。
  17. 如請求項12所述之發光裝置，其中該複數個整流二極體彼此以並聯、串聯或串並聯混合的方式互相連結。
  18. 如請求項12所述之發光裝置，更包含一導線，具有一端與該 貫穿孔物理性連結。
  19. 如請求項12所述之發光裝置，其中該複數個導電走線具有不同的佈局。
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