TWI523282B - 發光二極體裝置及顯示裝置及電子設備 - Google Patents

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TWI523282B
TWI523282B TW103107837A TW103107837A TWI523282B TW I523282 B TWI523282 B TW I523282B TW 103107837 A TW103107837 A TW 103107837A TW 103107837 A TW103107837 A TW 103107837A TW I523282 B TWI523282 B TW I523282B
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李祐銘
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Description

發光二極體裝置及顯示裝置及電子設備
本發明係關於一種發光二極體裝置以及具有該發光二極體裝置之顯示設備及電子設備，特別係關於一種改善散熱效能之發光二極體裝置以及具有該發光二極體裝置之顯示設備及電子設備。
發光二極體晶片是一種半導體光電元件，當施加電壓時將發出光線。由於體積小、使用壽命長、有效率的能源消耗以及高品質等有利的特性，利用發光二極體晶片作為發光源的電子裝置已逐漸趨於普遍。然而，隨著發光二極體晶片輸入功率的提高，更多的熱將伴隨產生。若無法提升發光二極體晶片的散熱性，累積在元件中的熱對元件的特性、壽命及可靠度都會產生不良的影響，進而造成可靠度大幅降低。
參照第1圖，其顯示習知之一發光模組500。發光模組500包括一發光二極體裝置510及一電路板550。發光二極體裝置510包括一本體511，其中一杯形凹槽513位於本體511上。發光二極體晶片520透過固晶膠530固定於凹槽513當中，並且受封裝體515所覆蓋。在傳統製成中，多個發光二極體裝置510將依序地藉 由錫膏540打件於電路板550上，以提供發光二極體晶片520所需之電力。因此，由發光二極體晶片520所產生的熱，將依序經過固晶膠530、金屬電極(圖未示)、錫膏540以及電路板550並傳遞至電路板550之背面以進行驅散，發光模組500的散熱效率將上述各元件的熱阻抗累積而降低。另一方面，上述電路板550必須於其自身之導電層與導熱層之間夾設一絕緣層，以保護電路層內的運作不因高溫而損壞。絕緣層的設置將進一步降低電路板550的散熱係數，不利發光模組500整體散熱效能提升。
除了考量上述散熱的問題以外，發光二極體裝置的打件平整度、LED封裝結構的成本控制、以及色溫、演色係數、螢光體等光學設計變因的調控亦是封裝程序中需要加以考量的。是以，一種能夠解決上述問題的技術一直被高度需求。
有鑑於此，本發明提供一種發光二極體裝置，發光晶片係直接設置於一用於散熱之基板上，使其具有良好之散熱功效。
本發明所提供之一實施例中，發光二極體裝置包括：一發光晶片、一基板、一第一導電元件、一第二導電元件、複數個導線及一支撐元件。發光晶片具有一正極端及一負極端且設於基板上。基板具有一第一底面，第一導電元件具有一第二底面，且第二導電元件具有一第三底面，其中第一底面、第二底面及第三底面彼此分離，且第一底面、第二底面及第三底面係直接接觸支撐元件之表面。該等導線之一者係電性連結於該第一導電元件與該正極端，且該等導線之另一者係電性連結於該第二導電 元件與該負極端。
在上述較佳實施例中，該基板、該第一導電元件以及該第二導電元件係由相同材料所製成。
在上述較佳實施例中，發光二極體裝置更包括一螢光體層，其中該基板上包括一凹槽，該發光晶片設置於該凹槽中，且該螢光體層覆蓋該凹槽之上。
在上述較佳實施例中，發光二極體裝置更包括一封裝體，覆蓋該發光晶片、該基板、該第一導電元件以及該第二導電元件之上。
在上述較佳實施例中，發光二極體裝置，其中該支撐元件可以是一種散熱元件或背框。
在上述較佳實施例中，發光二極體裝置包括複數個發光元件，其中每一發光元件各自藉由二個導線連結於該第一導電元件以及該第二導電元件。
在另一實施例中，發光二極體裝置包括：複數個彼此電性連結之發光晶片、一基板、一第一導電元件、一第二導電元件、一支撐元件及複數個導線。發光晶片設於該基板。基板與該第一導電元件、該第二導電元件彼此分離，且該基板之底面、該第一導電元件之底面以及該第二導電元件之底面皆直接接觸於該支撐元件表面上。導線之一者係直接電性連結於該第一導電元件與該等發光晶片之一者之間，且該等導線之另一者係直接電性連結於該第二導電元件與該等發光晶片之另一者之間，以形成電性導通。
本發明更提供一顯示裝置，其包括：一基板；二導 電元件，分別與基板相隔一間距；一發光晶片，設置於基板並電性連結二個導電元件；以及一板狀封裝體覆蓋於基板、二導電元件及發光晶片，使基板之底面、及二個導電元件之底面係暴露於封裝體之外，藉此配置來自發光晶片之光線傳遞於封裝體內並經由出光面提供一面光源。在部分實施例中，上述板狀封裝體中具有一螢光粉。
本發明亦提供一電子設備，其包括一顯示裝置。上述顯示裝置包括一背框、一顯示面板、一支撐元件、及上述任一發光二極體裝置，以作為顯示面板之背光單元。顯示面板設置於背框上，且支撐元件設置於背框內。發光二極體裝置之基板之底面、第一導電元件之底面、及第二導電元件之底面係直接接觸支撐元件之上表面。在部分實施例中，發光二極體裝置更包括一板狀封裝體。板狀封裝體至少覆蓋發光二極體裝置之發光晶片，且板狀封裝體中具有一螢光粉。
上述發光二極體裝置將發光晶片直接設置於一基板上，使來自發光晶片之熱能直接藉由基板驅散自發光二極體裝置之外部，藉此提高發光二極體裝置的散熱功效。另外，上述發光二極體裝置改變習知技術中，一發光二極體裝置僅具有一發光晶片之結構特徵，將多個發光晶片設置於一單一個體封裝體中，以減少光學設計上的控制變因，藉此改善光學特性。
1、1’、1b、1b’‧‧‧電子設備
10、10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h‧‧‧發光二極體裝置
20、20’、20b、20b’‧‧‧背框
21‧‧‧表面
25、25b’‧‧‧導光板
30、30’‧‧‧液晶面板
100、100b、100c、100d、100e‧‧‧發光組件
110、110a、110b‧‧‧發光晶片
111、111a、111b‧‧‧正極端
113、113a、113b‧‧‧負極端
120d、120e‧‧‧螢光體層
130、130d、130e‧‧‧基板
131、133‧‧‧側邊
135d、135e‧‧‧凹槽
136、137‧‧‧側邊
138‧‧‧底面(第一底面)
150‧‧‧第一導電元件
151‧‧‧底面(第二底面)
170‧‧‧第二導電元件
171‧‧‧底面(第三底面)
190‧‧‧導線
200、200a、200f、200g、200h‧‧‧支撐元件(散熱元件)
201、201a‧‧‧表面
201f‧‧‧上表面
203f‧‧‧下表面
300、300d、300e、300g、300h‧‧‧封裝體
302‧‧‧螢光粉
301h、301g‧‧‧出光面
303h、303g‧‧‧下表面
305h、305g‧‧‧側表面
400‧‧‧反射元件
500‧‧‧發光模組
510‧‧‧發光二極體裝置結構
511‧‧‧本體
513‧‧‧凹槽
515‧‧‧封裝體
520‧‧‧發光二極體晶片
530‧‧‧固晶膠
540‧‧‧錫膏
550‧‧‧電路板
G1、G2‧‧‧間距
L1、L2‧‧‧參考線
S‧‧‧光學參數
X‧‧‧既定方向
第1圖顯示習知之一發光模組之示意圖。
第2圖顯示本發明之一實施例之一發光二極體裝置之上視圖。
第3圖顯示沿第2圖之A-A’截線所視之剖面示意圖。
第4圖顯示沿第2圖之發光組件設置於彎曲之支撐元件之剖面示意圖。
第5圖顯示本發明之另一實施例之一發光二極體裝置之上視圖。
第6圖顯示沿第5圖之B-B’截線所視之剖面示意圖。
第7圖顯示本發明之另一實施例之一發光二極體裝置之上視圖。
第8圖顯示本發明之另一實施例之發光二極體裝置之剖面示意圖。
第9圖顯示本發明之另一實施例之發光二極體裝置之剖面示意圖。
第10圖顯示本發明之多個實施例之一電子設備之正向式發光示意圖，其中包括多個發光二極體裝置設置於其中。
第11圖顯示本發明之多個實施例之一電子設備之側入式發光示意圖，其中包括多個發光二極體裝置設置於其中。
第12圖顯示本發明部分實施例之電子設備之上視圖。
第13圖顯示沿第12圖C-C’截線所視之剖面圖。
第14圖顯示本發明部分實施例之電子設備之上視圖。
第15圖顯示沿第14圖D-D’截線所視之剖面圖。
第16圖為CIE1931彩度圖之一部分，其顯示應用本發明之發光二極體裝置之電子設備係具有一致的光學特性。
為了讓本發明之目的、特徵、及優點能更明顯易懂， 下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式第2圖至第16圖，做詳細之說明。本發明說明書提供不同的實施例來說明本發明不同實施方式的技術特徵。其中，實施例中的各元件之配置係為說明之用，並非用以限制本發明。且實施例中圖式標號之部分重複，係為了簡化說明，並非意指不同實施例之間的關聯性。
參照第2、3圖，本發明之一實施例之發光二極體裝置10包括一發光組件100以及一用於支撐發光組件100之支撐元件200(第3圖)及一封裝體300。發光組件100包括複數個發光晶片110、一基板130、二個導電元件(例如：第一導電元件150、第二導電元件170)、及複數條導線190。在此實施例中，複數個發光晶片110分別為一LED(發光二極體)晶片。發光晶片110彼此相鄰排列於基板130之上，並藉由適當的手段固定於基板130上。
第一、二導電元件150、170相對基板130之相對二側邊131、133設置，其中第一、二導電元件150、170與基板130之相對二側邊131、133之間分別具有一間距G1、G2，彼此並未相連。間距G1係相同或相異於間距G2，視應用而定。整體觀之，第一導電元件150、基板130與第二導電元件170係依序排列沿一既定方向X排列且彼此分離，但並不限定於此。在另一實施例中，二個導電元件分別相對基板130之相鄰二側邊設置且自基板130分離。在一些實施例中，發光組件100於製造時，基板130、第一導電元件150、第二導電元件170係共同由一具良好導熱、導電性質的板件(例如：鋁)所沖壓而成。因此，基板130、第一導電元件150、第二導電元件170係由相同之材料所製成，但並不限定於此。
複數條導線190分別電性連結於第一導電元件150與 每一發光晶片110之間以及第二導電元件170與每一發光晶片110之間。更詳細而言，複數條導線190係分別直接電性連結於第一導電元件150與每一發光晶片110之間以及第二導電元件170與每一發光晶片110之間，以形成電性導通，藉此直接傳送來自第一導電元件150或第二導電元件170之電力至每一發光晶片110。可以理解的是，為了使發光晶片110形成電性導通，第一導電元件150與第二導電元件170之電性係相異的。舉例而言，在一些實施例中，第一導電元件150係帶正電之電極，且第二導電元件170係帶負電之電極，是以連結第一導電元件150之導線190係電性連結至發光晶片110之正極端111，且連結第二導電元件170之導線190係電性連結至發光晶片110之負極端113。
為保護上述元件免受光、熱及水份等外來物質侵蝕，一封裝體300於是配置用以封裝發光晶片110、基板130、第一導電元件150、第二導電元件170及複數條導線190。在一些實施例中，封裝體300更包括螢光粉302，配置用以轉換發光晶片110發出之光波長。螢光粉302可例如為：市售之YAG(yttriumaluminum garnet,Y3Al5O12：Ce)螢光粉或TAG(terbium aluminum garnet)螢光粉。在一實施例中，發光晶片110本身所發出之藍光(波長：450~470nm)可與YAG螢光粉受到激發時產生的黃光(波長550~560nm)混合而產生白光。另外，雖然本實施例之封裝體300具有一平坦表面，但並不限定於此。在一些實施例中，封裝體300可具有不同的結構型態(例如：半球形表面、凸形表面)，以最佳化發光晶片110發出之光線之光形。
值得注意的是，基板130之底面139(以下說明中以第 一底面取代底面139)、第一導電元件150之底面151(以下說明中以第二底面取代底面139)以及第二導電元件170之底面171(以下說明中以第三底面取代底面139)係未受封裝體300所覆蓋並暴露於封裝體300之外部。是以，當發光組件100固定於支撐元件200上時，基板130之第一底面139、第一導電元件150之第二底面151以及第二導電元件170之第三底面171係直接接觸於支撐元件200之表面201。支撐元件200例如為任何可幫助散熱的材料(例如：鋁、錫、銅、銀、金及其組合物等高導熱率之金屬材料，或石墨第三、矽膠、環氧樹脂等高導熱率之非金屬材料)所製成之散熱元件。
在此實施例中，支撐元件200之表面201為一平面，但並不限定於此。當發光組件100之基板130、第一導電元件150以及第二導電元件170係設置於一彎曲之支撐元件時，發光組件100可隨支撐元件之型態進行彎折。舉例而言，如第4圖所示之實施例中，當發光二極體裝置10a之支撐元件200a之表面201a為一曲面，發光組件100之基板130、第一導電元件150以及第二導電元件170可隨支撐元件200a之表面201a的曲率進行彎折。
應當理解的是，發光組件100之發光晶片110與導線190的排列方式不應限定於上述實施例，本領域之技術人士可依需求而改變發光晶片110與導線190的配置型態。
舉例而言，請參照第5、6圖，在此實施例中，發光二極體裝置10b之發光組件100b之發光晶片110、110a、110b彼此相鄰排列於基板130上，其中發光晶片110a與發光晶片110b較其餘發光晶片110靠近基板130之側邊136、137。每一發光晶片110、110a、 110b分別具有一正極端111、111a、111b以及一負極端113、113a、113b，並藉由導線190電性連結。詳而言之，導線190之一係直接連結於第一導電元件150與發光晶片110b之正極端111b之間，且導線190之一係直接連結於第二導電元件170與發光晶片110a之負極端113a之間，以形成通路，藉此傳送來自第一導電元件150或第二導電元件170之電力至發光晶片110、110a、110b。藉由上述配置，可以解決電流分流不均的問題。
又舉例而言，請參照第7圖，在此實施例中，發光二極體裝置10c之發光組件100c包括二組發光晶片110、110a、110b，二組發光晶片110、110a、110b分別沿二個參考線L1、L2排列於基板130上並透過導線190電性連結，其中發光晶片110a較發光晶片110靠近基板130之側邊136，且發光晶片110b較發光晶片110靠近基板130之側邊137。每一發光晶片110、110a、110b分別具有一正極端111、111a、111b以及一負極端113、113a、113b，並藉由導線190電性連結。詳而言之，導線190之一係直接連結於第一導電元件150與發光晶片110b之正極端111b之間，且導線190之一係直接連結於第二導電元件170與發光晶片110a之負極端113a之間，以傳送來自第一導電元件150或第二導電元件170之電力至發光晶片110、110a、110b。藉由上述配置，可以解決電流分流不均的問題並進一步提高發光組件100b的光均勻性。
值得注意的是，上述實施例中，由於多個發光晶片110係直接設置於具有平面型態之基板130上，因此相較於傳統發光晶片設置於杯狀封裝體之發光二極體裝置，發光組件100之光型不會受到限制，可以依照需求達到所要之照射光形。
參照第8圖，其顯示本發明之發光二極體裝置10d之發光組件100d之另一實施例，第8圖中與第2圖所顯示之發光組件100相同或相似之元件將施予相同之標號，且其特徵將不再說明。發光組件100d與發光組件100之差異在於，發光組件100d之基板130d包括複數個矩形之凹槽135d，其中發光晶片110設置於凹槽135d內；並且，複數個螢光體層120d分別覆蓋於每一凹槽135d之上，其中螢光體層120d包含用以轉換發光晶片110發出之光線之波長螢光粉302。另外，封裝體300d係覆蓋於發光組件100d所有元件以及所有螢光體層120d之上方。藉由此配置，有助於螢光體層120d的形成。
參照第9圖，其顯示本發明之發光二極體裝置10e之發光組件100e之另一實施例，第9圖中與第2圖所顯示之發光組件100相同或相似之元件將施予相同之標號，且其特徵將不再說明。發光組件100e與發光組件100之差異在於，發光組件100e之基板130e包括複數個杯形之凹槽135e，其中發光晶片110設置於凹槽135e內；並且，複數個螢光體層120e分別覆蓋於每一凹槽135e之上，其中螢光體層120e包含用以轉換發光晶片110發出之光線之波長螢光粉302。另外，封裝體300e係覆蓋於發光組件100e所有元件以及所有螢光體層120e之上方。藉由此配置，有助於螢光體層120e的形成。
參照第10圖，其顯示一電子設備1之示意圖。電子設備1，例如電子顯示設備，包括一顯示裝置，該顯示裝置包括一背框20、一液晶面板30、複數個發光組件(例如：發光組件100)、一支撐元件200f、及複數個封裝體(例如：封裝體300)。背框20 具有一開口，液晶面板30設置於背框20之開口處。支撐元件200f包括一上表面201f及一下表面203f。複數個發光組件100分別為一封裝體300所封裝，但共同設置於單一支撐元件200f上，其中發光組件100之基板130之第一底面139、第一導電元件150之第二底面151以及第二導電元件170之第三底面171係直接接觸於支撐元件200f之上表面201f，支撐元件200f之下表面203f係直接接觸於背框20之表面21，是以發光組件100所散發之熱能可快速藉由基板130傳遞至支撐元件200f以及背框20。
在另一實施例中，當電子設備規格改變時，例如：電子設備1’之顯示裝置中的背框20’、液晶面板30’及支撐元件200f’尺寸加大時，僅需增加發光組件100之數量即可靈活地滿足電子裝置1’的需求。在另一實施例中，支撐元件200f加以省略，發光組件100直接設置於背框20。亦即，發光組件100之基板130之第一底面139、第一導電元件150之第二底面151以及第二導電元件170之第三底面171係直接接觸於背框20之表面21。
參照第11圖，其顯示一電子設備1b之示意圖。電子設備1b(例如電子顯示設備或燈箱)包括一顯示裝置，該顯示裝置包括一背框20、一導光板25、複數個發光組件(例如：發光組件100)、及複數個封裝體(例如：封裝體300)。導光板25設置於背框20。發光組件100分別為一封裝體300所封裝，並設置於背框20b之側邊。來自發光組件100之光線由導光板25之入光面251進入導光板25中，並自導光板25之出光面253射出，以提供一面光源。當電子裝置規格改變時，例如：電子設備1b’之背框20b’以及導光板25b’尺寸加大時，僅需增加發光組件100之數量即可靈活地滿足電 子裝置1b’的需求。
在部分實施例中，如第11圖所示，由於封裝體300之發光面與導光板25之間產生間隙S，而使發光組件100所發射的光會因間隙S損耗於空氣中。此外，當組裝導光板25時，會因實際組裝而使導光板25與發光組件100兩者的對位不佳，而造成光能量損耗。
有鑑於上述觀察結果，另一實施例於是提出。參照第12及13圖，第12圖顯示本發明部分實施例之發光二極體裝置10g之上視圖，第13圖顯示沿第12圖C-C’截線所視之剖面圖。發光二極體裝置10g包括一或多個發光組件(例如：發光組件100)、一支撐元件200g、及一封裝體300g。
在部分實施例中，如第13圖所示般，封裝體300g具有一板狀結構，且包括一出光面301g、一下表面303g、及一連結出光面301g與下表面303g之側表面305g。封裝體300g係配置用於封裝發光組件100，以保護發光組件100免受光、熱及水份等外來物質侵蝕。在部分實施例中，發光組件100之基板130、第一導電元件150及第二導電元件171之底面係暴露於側表面305g之外並直接接觸支撐元件200g之表面。支撐元件200g抵靠於側表面305g，且未受封裝體300h所封裝。部分來自發光組件100之光線經由封裝體300g之下表面303g反射並自封裝體300g之出光面301g射出外部，以形成面光源。於此實施例中，螢光粉302可直接均勻的添加於封裝體300g形成之板狀結構中，此時的封裝體300g之板狀結構即可取代第11圖之發光組件100與導光板25之功能，可改善第11圖中發光組件100與導光板25間因具有間隙而產生之問題。於此實施例 中，發光組件100直接於封裝體300g介質中發出之光線並進行傳導，藉此激發封裝體300g中螢光粉302，使封裝體300g最後發出之光線波長已轉換成所需之光線波段。於另一實施例中，螢光粉可選擇性添加於靠近發光組件100之區域，或是可依靠近發光組件100之遠近選擇性的改變螢光粉的添加濃度，端視設計之需求。
在部分實施例中，封裝體300g之出光面301g或下表面303g具有圖樣化之表面，或者封裝體300g之下表面303g具有網點以提升光均勻度。在部分實施例中，封裝體300g之下表面303g之長度L與其側表面305g之厚度T之比值介於約180至約315之間。在部分實施例中，封裝體300g係以射出成形或模造之方式以一體成型的方式封裝發光組件100。於其他實施例中，第8圖之發光二極體裝置10d之封裝體300d係以封裝體300g取代，或者第9圖之發光二極體裝置10e之封裝體300e係以封裝體300g取代，以形成類似雙料射出結構之板狀結構的發光二極體裝置。參照第14及15圖，第14圖顯示本發明部分實施例之發光二極體裝置10h之上視圖，第15圖顯示沿第14圖D-D’截線所視之剖面圖。發光二極體裝置10h包括一或多個發光組件(例如：發光組件100)、一支撐元件200h、一封裝體300h及一反射元件400。
如第15圖所示般，封裝體300h具有一板狀結構，且包括一出光面301h、一下表面303h、及一連結出光面301h與下表面303h之側表面305h。封裝體300h係配置用於封裝發光組件100，以保護發光組件100免受光、熱及水份等外來物質侵蝕。在部分實施例中，發光組件100設置於側表面305h之鄰近處。發光組件100之基板130、第一導電元件150及第二導電元件171(未標示於第15圖 中)之底面係暴露於下表面303h之外並直接接觸支撐元件200h之表面。支撐元件200h抵靠於下表面303h，且未受封裝體300h所封裝。部分來自發光組件100之光線經由封裝體300h之下表面303h反射並自封裝體300h之出光面301h射出外部。於此實施例中，螢光粉302可直接均勻的添加於封裝體300h形成之板狀結構中，此時的封裝體300h之板狀結構即可取代第11圖之發光組件100與導光板25之功能，可改善第11圖中發光組件100與導光板25間因具有間隙而產生之問題。於此實施例中，發光組件100直接於封裝體300h介質中發出之光線並進行傳導，藉此激發封裝體300h中螢光粉302，使封裝體300h最後發出之光線波長已轉換成所需之光線波段。於另一實施例中，螢光粉可選擇性添加於靠近發光組件100之區域，或是可依靠近發光組件100之遠近選擇性的改變螢光粉的添加濃度，端視設計之需求。於其他實施例中，第8圖之發光二極體裝置10d之封裝體300d係以封裝體300h取代，或者第9圖之發光二極體裝置10e之封裝體300e係以封裝體300h取代，以形成類似雙料射出結構之板狀結構的發光二極體裝置。
在上述揭露中，由於單一發光二極體裝置即包括多個發光晶片，因此可減少打印發光二極體裝置之成本及作業時間，同時亦可減少打印製程中所產生之不確定變因；例如：發光二極體裝置設置角度、高度之不一致、發光二極體裝置因高溫烘烤所發之翹曲現象、及打印發光二極體裝置時所產生之側向剪力，或是個別發光二極體裝置間發光波長變異之問題。此外，隨著發光二極體裝置數量減少，應用發光二極體裝置之電子設備的光學特性亦較容易控制，藉此產生一致的光學參數S，如第16圖所 示，希望使最後的出光的色度可較為集中於某一區塊中，以降低因原先使用不同的發光二極體封裝而產生的光學差異問題。
雖然本揭露已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此項技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧發光二極體裝置
100‧‧‧發光組件
110‧‧‧發光晶片
130‧‧‧基板
138‧‧‧底面(第一底面)
150‧‧‧第一導電元件
151‧‧‧底面(第二底面)
170‧‧‧第二導電元件
171‧‧‧底面(第三底面)
190‧‧‧導線
200‧‧‧支撐元件(散熱元件)
201‧‧‧表面
300‧‧‧封裝體

Claims (10)

  1. 一種發光二極體裝置，包括：一發光晶片，具有一正極端及一負極端；一基板，該發光晶片設於該基板上，該基板具有一第一底面；一第一導電元件，該第一導電元件具有一第二底面；一第二導電元件，該第二導電元件具有一第三底面；一支撐元件，該支撐元件具有一表面，其中該第一底面、該第二底面及該第三底面彼此分離，且該第一底面、該第二底面及該第三底面係直接接觸該支撐元件之表面；以及複數個導線，該等導線之一者係電性連結於該第一導電元件與該正極端，且該等導線之另一者係電性連結於該第二導電元件與該負極端；其中，該基板、該第一導電元件、及該第二導電元件係共同由一具導熱及導電特性的板件所沖壓而成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包括一螢光體層，其中該基板上包括一凹槽，該發光晶片設置於該凹槽中，且該螢光體層覆蓋該凹槽之上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，更包括一封裝體，覆蓋該發光晶片、該基板、該第一導電元件以及該第二導電元件之上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體裝置，其中該 封裝體具有一發光面、一下表面及一連結於該發光面與該下表面之側表面，該第一底面、該第二底面及該第三底面係暴露於該側表面之外並直接接觸該支撐元件之表面。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體裝置，更包括一反射元件，其中該封裝體具有一發光面、一下表面及一連結於該發光面與該下表面之側表面，該第一底面、該第二底面及該第三底面係暴露於該發光面或該下表面之外，且該反射元件面向該發光晶片並配置用於反射部分來自該發光晶片之光線。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包括複數個發光晶片，其中該等發光晶片以並聯方式或串聯方式電性連結該第一導電元件與該第二導電元件。
  7. 一種顯示裝置，包括：一基板；二導電元件，分別與該基板相隔一間距；一發光晶片，設置於該基板並電性連結該二個導電元件；以及一板狀封裝體，覆蓋該基板、該二導電元件及該發光晶片，使該基板之底面暴露於該板狀封裝體之外，來自該發光晶片之光線沿該板狀封裝體的一長度方向上傳遞並經由在該板狀封裝體之該長度方向上延伸之出光面提供一面光源；其中，該板狀封裝體之一下表面具有長度L且該板狀封裝 體之一側表面具有厚度T，該長度L與該厚度T之比值介於約180至約315之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該板狀封裝體中具有一螢光粉。
  9. 一種電子設備，包括：一顯示裝置，包括：一背框；一顯示面板，設置於該背框上；一支撐元件，設置於該背框內，且具有一上表面及一相對該上表面之下表面；一發光二極體裝置，係作為該顯示面板之一背光單元，其中該發光二極體裝置包括：一發光晶片，具有一正極端及一負極端；一基板，該發光晶片設於該基板上，該基板具有一第一底面；一第一導電元件，該第一導電元件具有一第二底面；一第二導電元件，該第二導電元件具有一第三底面，其中該第一底面、該第二底面及該第三底面彼此分離，且該第一底面、該第二底面及該第三底面係直接接觸該支撐元件之上表面；以及 複數個導線，該等導線之一者係電性連結於該第一導電元件與該正極端，且該等導線之另一者係電性連結於該第二導電元件與該負極端；以及一板狀封裝體，覆蓋該基板、該第一導電元件、該第二導電元件、及該發光晶片，使該基板之底面暴露於該板狀封裝體之外，來自該發光晶片之光線沿該板狀封裝體的一長度方向上傳遞並經由在該板狀封裝體之該長度方向上延伸之出光面提供一面光源；其中，該板狀封裝體之一下表面具有長度L且該板狀封裝體之一側表面具有厚度T，該長度L與該厚度T之比值介於約180至約315之間源。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電子設備，其中該板狀封裝體中具有一螢光粉。
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