CN104676324B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104676324B
CN104676324B CN201510068314.XA CN201510068314A CN104676324B CN 104676324 B CN104676324 B CN 104676324B CN 201510068314 A CN201510068314 A CN 201510068314A CN 104676324 B CN104676324 B CN 104676324B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
diode
groove
led
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510068314.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104676324A (zh
Inventor
周锡烟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of CN104676324A publication Critical patent/CN104676324A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104676324B publication Critical patent/CN104676324B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

一种发光装置，包括一基板、多个整流二极管与至少一发光二极管模块。基板上开设有第一凹槽、第二凹槽与第三凹槽。其中，整流二极管分别设置于第一凹槽与第三凹槽中，发光二极管模块设置于第二凹槽中，且发光二极管模块由多个发光二极管所组成。藉此，发光装置不仅可用以整流转换交流电源，以驱动发光二极管发光，相较于现有技术的发光装置，此种发光装置更具有较佳的耐压能力。

Description

发光装置
本发明是中国发明专利申请(申请号：201110071666.2，申请日：2011年3月21日，发明名称：发光装置)的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光装置，尤其是一种基板上具有至少一发光二极管模块，且发光二极管模块由多个发光二极管所组成的发光装置。
背景技术
随着科技的日渐沿革，各类电子产品的发展亦日新月异。其中电子产品，尤以照明装置等背光模块为最，皆大量地使用到发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，以作为其照明的光源。
由于发光二极管具有耐用、轻巧、使用寿命长且低耗电的优点，因此发光二极管逐渐成为照明产业与半导体产业的主流。一般而言，发光二极管可被用于照明装置、液晶显示器的背光模块或是指示灯的光源。然而，于实务层面上而言，目前的发光二极管光源存在有仅能以直流电源操作的问题。也就是说，在使用市电或是其它交流电源的情况下，发光二极管光源将无法使用，因此造成发光二极管应用上的受限。
有鉴于此，目前业界遂发展出适于交流电源可使用的交流发光二极管(Alternating Current LED，AC LED)，其透过桥式整流的架构进行设计，令交流发光二极管可直接使用市电所提供的交流电源。一般而言，当交流电源各自形成正、负周期时，发光二极管中将有部分被导通，而未被导通的发光二极管则必须承受逆向偏压；在此情况下，发光二极管交替承受逆向偏压，而当逆向偏压过大时，便会产生高逆向偏压的漏电流(leakage current)，导致发光二极管晶粒的击穿现象，或影响到整体发光二极管的发光寿命，降低其可靠度(reliability)。
其次，承以前例而言，由于经桥式整流所驱动的该些发光二极管并无法同时地被点亮，也就是说，仅有1/2的发光二极管区段可被点亮，于此，将使得发光二极管的有效载荷(payload)大幅下降，影响发光效益。
因此，如何解决现有技术交流发光二极管耐压受限的问题，并且提供一种可用以承受高压输入市电，并具有较高有效载荷的发光装置，实为相关领域者目前迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种发光装置，以解决现有技术所存在的问题。
为了实现上述目的，本发明提供了一种发光装置，包括：一基板、多个整流二极管与至少一发光二极管模块。其中，基板具有一表面，且基板于该表面上开设有第一凹槽、第二凹槽与第三凹槽。整流二极管设置于第一凹槽与第三凹槽中。发光二极管模块设置于第二凹槽中，且发光二极管模块包括多个发光二极管。
上述的发光装置，其中发光二极管模块中的该些发光二极管可选择性地以串联或并联方式连接。
上述的发光装置，其中整流二极管可平均地设置于第一凹槽与第三凹槽之中。
上述的发光装置，其中第一凹槽与第三凹槽其中之一还包括多个次凹槽，每一次凹槽用以容置每一整流二极管。每一次凹槽之间可以一突出接口间隔，且连接每一整流二极管的导电走线贯穿突出接口。
上述的发光装置，其中每一次凹槽之间可以二隔离部间隔，且连接每一整流二极管的导电走线跨越该隔离部。
上述的发光装置，发光装置可包括多个该发光二极管模块，其中每一发光二极管模块皆包括该些发光二极管，且该些发光二极管模块以数组式设置于第二凹槽中。
上述的发光装置，其中该些整流二极管包括一第一整流二极管、一第二整流二极管、一第三整流二极管与一第四整流二极管，第一整流二极管串联第二整流二极管，第三整流二极管串联第四整流二极管，第一整流二极管与第二整流二极管之间具有一第一交流节点，第三整流二极管与第四整流二极管之间具有一第二交流节点，第一交流节点与第二交流节点承接一交流电源，交流电源经过该些整流二极管的整流后输出一直流电源，以驱动发光二极管模块发光。
上述的发光装置，其中该些发光二极管模块包括一第一发光二极管模块、一第二发光二极管模块、一第三发光二极管模块与一第四发光二极管模块，第一发光二极管模块电性连接第三发光二极管模块，第二发光二极管模块电性连接第四发光二极管模块、第二整流二极管与第四整流二极管，第三发光二极管模块电性连接第一发光二极管模块、第一整流二极管与第三整流二极管。
上述的发光装置，其中基板的底部与凹槽之间另具有至少一底层导电走线、至少一顶层导电走线与至少一中层导电走线。中层导电走线夹置于底层导电走线与顶层导电走线之间。顶层导电走线包括一顶层第一导电走线、一顶层第二导电走线、一顶层第三导电走线与一顶层第四导电走线。中层导电走线包括一中层第一导电走线与一中层第二导电走线。第二整流二极管与第三整流二极管各自通过底层导电走线连接交流电源，第一发光二极管模块与第二发光二极管模块各自通过顶层第一导电走线与顶层第四导电走线而电性连接于第三发光二极管模块与第四发光二极管模块。第一整流二极管与第三整流二极管各自通过中层第一导电走线与中层第二导电走线而电性连接于第二整流二极管与第四整流二极管，其中第二发光二极管模块与第三发光二极管模块另各自通过顶层第二导电走线与顶层第三导电走线而电性连接于第二整流二极管与第四整流二极管、以及第一整流二极管与第三整流二极管。
上述的发光装置，其中该些整流二极管与发光二极管模块可同时配置于基板上的同一凹槽中，抑或是直接配置于基板上。
上述的发光装置，其中基板的材质可以是低温共烧陶瓷(Low-TemperatureCofired Ceramics，LTCC)。
上述的发光装置，其中发光二极管可经由打线接合(wire bonding)或倒装芯片安装(flip chip bonding)于基板。
本发明的技术效果在于：本发明的发光装置，其通过整流二极管将交流电源整流之后输出直流电源，令该直流电源驱动发光二极管模块发光。
其次，本发明的发光装置，发光二极管模块还可选择性地由多个相互串联或并联的发光二极管所组成，藉此提高发光装置的耐压，并且相较于现有技术的发光装置，可具有较佳的有效载荷。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本发明一实施例的发光装置的等效电路示意图；
图1B为图1A的发光装置的结构示意图；
图1C为图1A的发光装置的结构示意图；
图2A为图1B的发光装置的底层导电走线的布局示意图；
图2B为图1B的发光装置的中层导电走线的布局示意图；
图2C为图1B的发光装置的顶层导电走线的布局示意图；
图3A为图1B的发光装置具有串联发光二极管的等效电路示意图；
图3B为图1B的发光装置具有并联发光二极管的等效电路示意图；
图4A为本发明又一实施例的发光装置的结构示意图；
图4B为本发明又一实施例的发光装置的结构示意图；
图5A为图4A的发光装置的底层导电走线的布局示意图；
图5B为图4A的发光装置的中层导电走线的布局示意图；
图5C为图4A的发光装置的顶层导电走线的布局示意图；
图6A为本发明又一实施例的发光装置的结构示意图；
图6B为本发明又一实施例的发光装置的结构示意图。
其中，附图标记
10 发光装置 10 发光装置
20 第一交流节点 22 第二交流节点
24a 中层第一导线走线 24b 中层第二导线走线
26a 顶层第一导电走线 26b 顶层第二导电走线
26c 顶层第三导电走线 26d 顶层第四导电走线
28 导线走线 30a 第一贯穿孔
30b 第二贯穿孔 30c 第三贯穿孔
30d 第四贯穿孔 102 基板
104a 第一整流二极管 104b 第二整流二极管
104c 第三整流二极管 104d 第四整流二极管
106a 第一发光二极管模块 106b 第二发光二极管模块
106c 第三发光二极管模块 106d 第四发光二极管模块
108 隔离部 110 电性接点
201 第一凹槽 201a,201b 次凹槽
201c 突出接口 202 第二凹槽
203 第三凹槽 204 凹槽
204a 第一子凹槽 204b 第二子凹槽
301 发光二极管
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使本领域技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且本说明书所揭露的内容、申请专利范围及附图，任何本领域技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。
图1A为本发明实施例的发光装置的等效电路示意图，图1B为图1A的发光装置的结构示意图，其中，发光装置(Light Emitting Device)10可适于一交流电源，并且由整流后的交流电源(即直流电源)所驱动而发光。在图1B中为了简化图式起见，省略了一些组件走线的特征，详细的连接以及有关本发明提出的发光装置10的特征，请配合参见图2A至图2C，详细说明如下。
发光装置10包括一基板102，基板102的材质可以是低温共烧陶瓷(Low-Temperature Cofired Ceramics，LTCC)、硅基板(Silicon)、氧化铝(HTCC Al2O3)或其它具有可靠绝缘材料的金属材质。基板102于其表面上开设有多个凹槽，包括：第一凹槽201、第二凹槽202与第三凹槽203。其中第一凹槽201、第二凹槽202与第三凹槽203各自分离，且第二凹槽202形成于第一凹槽201与第三凹槽203之间。在本实施例中，第一凹槽201与第三凹槽203定义为一第一配置区，第二凹槽202定义为一第二配置区，使得第一配置区用以容置整流二极管，而第二配置区用以容置发光二极管模块。
第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d设置于第一凹槽201与第三凹槽203之中。本发明的实施例，第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d可以平均地设置于第一凹槽201与该第三凹槽203之中。换言之，第二整流二极管104b与第四整流二极管104d可位于第一凹槽201中，且第一整流二极管104a与第三整流二极管104c可位于第三凹槽203中。
其中，第一凹槽201中还包括一凸设的突出接口(protruding portion)201c。突出接口201c用以将第一凹槽201区分为两个次凹槽201a、201b，使得次凹槽201a、201b各自容置第四整流二极管104d与第二整流二极管104b。在本实施例中，第一凹槽201、第二凹槽202、第三凹槽203以及次凹槽201a、201b可通过在基板102上实施蚀刻工艺(etchingprocess)来形成，换言之，突出接口201c透过次凹槽201a、201b的蚀刻步骤后自然形成，其材质同于基板102的材料，例如：低温共烧陶瓷(LTCC)等绝缘材质。在本发明其它的实施例中，上述凹槽亦可通过在基板102上配置隔离部(或称隔离墙)来形成，以省却工艺上的复杂度(容后详述)。导线走线28电性连接第二整流二极管104b与第四整流二极管104d，并且贯穿突出接口201c，以与图2A至图2C所示的导电走线相连接。于此，当发光装置10电性连接一高压的输入电源时，突出接口201c可视作一电压隔绝端口(voltage-resistant portion)，并用以隔绝第二整流二极管104b与第四整流二极管104d，藉此，本发明提出的发光装置10可具有较高的耐压能力。
第二凹槽202中具有第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d。其中，第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d皆由多个发光二极管所组成。其中，发光二极管可经由打线接合(wire bonding)或倒装芯片安装(flip chipbonding)于基板102上。藉此，本发明提出的发光装置10，于后续的封装程序中，可经由封装体(例如：环氧树脂(Epoxy resin))填充于第一凹槽201、第二凹槽202与第三凹槽203中，完成整流二极管与发光二极管的整体封装结构。
在另一实施例中，第二凹槽202还可形成多个子凹槽，以分别容设前述的发光二极管模块。在此实施例中，将会形成有四个凹槽、五个凹槽或者更多凹槽的结构。
值得注意的是，本发明提出的发光装置10以第二凹槽202中具有四个发光二极管模块(包括第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d)，且该些发光二极管模块以数组(matrix)排列于第二凹槽202中，作为一实施例的说明。其中，发光二极管模块的数量可以是但不限于四个，设计者当可根据实际发光装置的耐压规格而设计，发光二极管模块的数目并非用以限定本发明的发明范围。
其次，在一实施例中，为简化突出接口201c的工艺复杂度，图1C为图1A的发光装置的另一种实施例。如图1C所示，为取代突出端口201c，发光装置10可包括至少一隔离部108用以隔绝整流二极管与电性接点110。在此结构下，导线走线28通过隔离部108的隔绝，而跨越隔离部108的顶端连接电性接点110至第二整流二极管104b与第四整流二极管104d。同样地，第一整流二极管104a与第三整流二极管104c亦透过隔离部108的隔绝而电性连接于电性接点110。隔离部108的材质可以但非限定是二氧化硅玻璃组成。因此，在此实施例中，发光装置10透过额外配置的隔离部108取代图1B中的突出接口201c，进一步达到发光装置兼具耐压效果与省却工艺复杂度的目的。
图2A至图2C分别为本发明图1B的发光装置，其各层的导电走线(wire)的布局示意图。其中，图2A至图2C所示的导电走线皆位在基板102的底部与其凹槽之间的区块，换言之，该些导电走线埋置于基板102的本体中。详细而言，图2A所示的走线位于基板102的本体中的底层(bottom layer)，图2C所示的走线位于基板102的本体中的顶层(top layer)，而图2B所示的走线则位于基板102的本体中的中层(middle layer)，即底层与顶层之间。第一贯穿孔(via)30a、第二贯穿孔30b、第三贯穿孔30c与第四贯穿孔30d贯穿底层、中层与顶层，以使得基板102的本体中的各层走线可相互电性导通，其中第一贯穿孔30a用以电性连接第二整流二极管104b与第四整流二极管104d，第二贯穿孔30b用以电性连接第一发光二极管模块106a与第四发光二极管模块106d，第三贯穿孔30c与第四贯穿孔30d分别用以电性连接第三整流二极管104c与第一整流二极管104a。
请配合参阅图3A与图3B，第一整流二极管104a与第二整流二极管104b之间具有一第一交流节点20，第三整流二极管104c与第四整流二极管104d之间具有一第二交流节点22，第一交流节点20与第二交流节点22用以承接一交流电源(即图3A与图3B所示的AC1、AC2)。其中，交流电源可以是但不限于110伏特或220伏特(V)。当交流电源形成一正半周期时，第一整流二极管104a、第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c、第四发光二极管模块106d与第四整流二极管104d形成一第一导通路径。当交流电源形成一负半周期时，第二整流二极管104b、第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c、第四发光二极管模块106d与第三整流二极管104c形成一第二导通路径。
接着，如图2B与图2C所示，位于中层的中层第一导电走线24a通过第四贯穿孔30d连接第一整流二极管104a与第二整流二极管104b，中层第二导电走线24b则通过第三贯穿孔30c连接第三整流二极管104c与第四整流二极管104d。
位于顶层的顶层第一导电走线26a、顶层第二导电走线26b、顶层第三导电走线26c与顶层第四导电走线26d则用以连接各个发光二极管模块。详细来说，顶层第一导电走线26a连接第一发光二极管模块106a与第三发光二极管模块106c，顶层第二导电走线26b连接第二发光二极管模块106b、第二整流二极管104b与第四整流二极管104d，顶层第三导电走线26c连接第三发光二极管模块106c、第一整流二极管104a与第三整流二极管104c，顶层第四导电走线26d连接第二发光二极管模块106b与第四发光二极管模块106d。
本实施例，第一整流二极管104a串联第二整流二极管104b，第三整流二极管104c串联第四整流二极管104d。
因此，图3A与图3B为图1B的发光装置的等效电路示意图，其中，第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d用以整流交流电源为直流电源，以驱动第一整流二极管104a与第四整流二极管104d，以及第二整流二极管104b与第三整流二极管104c之间的发光二极管模块发光。其中，每一发光二极管模块(第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d)皆包括多个发光二极管301，且该些发光二极管301可选择性地以串联(如图3A)或并联(如图3B)的方式相互连接。
其中，第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d所包含的发光二极管301，并不以连续串联或连续并联的电性连接方式为限。本发明的一实施例，该些发光二极管301亦可以部分并联，搭配部分串联的结构形成，以利发光装置在制作上具有弹性(flexibility)的优点。其次，当每一发光二极管模块皆包含有20至30个发光二极管301，且每一个发光二极管301可用以承受3伏特以上的逆向偏压时，本发明提出的发光装置10的耐压即可有效地被提升至90伏特以上。因此，本发明提出的发光装置10相较于现有技术的照明装置更具有较高的有效载荷(payload)，在无形中亦降低了发光装置电路的制作成本。
图4A为本发明又一实施例的发光装置的结构示意图，发光装置10’包括有基板102、第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c、第四整流二极管104d、第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d。其中，该些整流二极管(第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d)以及该些发光二极管模块(第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d)之间的导电走线与电性连接关系，请一并参阅图5A至图5C所示，其如同本发明前一实施例图2A至图2C所言，故不再赘述；唯不同的是，本发明又一实施例提出的发光装置10’，其整流二极管与发光二极管模块共同配置于基板102上的一凹槽204中，而仅以隔离部108相间隔。藉此，发光装置10’透过第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d整流交流电源为直流电源，以驱动第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d发光，同样可用来实施本发明的发明目的。
其次，该些整流二极管与发光二极管模块亦不以设置于基板102上的同一凹槽中为限。本发明的一实施例，如图4B所示，凹槽204可被区分为一第一子凹槽204a与一第二子凹槽204b，以分别容置整流二极管与发光二极管模块。换言之，在此一实施例中，第一子凹槽204a定义为第一配置区，以用来容置第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d。第二子凹槽204b定义为第二配置区，以用来容置第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d。藉此配置，第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d可用以整流交流电源为直流电源，以驱动第一发光二极管模块106a、第二发光二极管模块106b、第三发光二极管模块106c与第四发光二极管模块106d发光。
以上关于图4A与图4B所示的发光装置10’，皆具有可以隔离部108隔绝第一整流二极管104a、第二整流二极管104b、第三整流二极管104c与第四整流二极管104d于电性接点110的实施例，其连接方式可配合参阅图1C所示。在一实施例中，此一隔离部108的材质例如可以是二氧化硅(SiO2)。由于在基板102上进行氧化工艺，为本领域技术人员所熟知的技术，藉此，不仅可简化发光装置10’的工艺步骤，亦可进一步地降低其制作成本。
同样地，图1B至图1C所示的发光装置10亦可以利用工艺步骤较容易的隔离部108来取代在基板102上形成凹槽的蚀刻步骤，其示意图请配合参阅图6A与图6B。在图6A与图6B所示的实施例中，整流二极管与发光二极管模块之间仅以多个隔离部108相间隔，而省去了前述形成凹槽的蚀刻步骤，亦可用以实现本发明的发明目的。
除此之外，由于一般而言，经整流二极管整流后所输出的直流电，尚非恒定的直流电压。因此，为了将交流电源整流产生稳定的直流电，本发明任一实施例所揭露的发光装置，另可配置一个或一个以上的滤波电路，以降低交流电源的涟波，使得输出电压平滑化。在一实施例中，滤波电路可选择性地在整流二极管的输出端加上一个能储存电能的电容器，通常称为滤波电容或平滑电容(smoothing capacitor)，以稳压整流后的输出电压。
综上所述，本发明提出的发光装置，不仅可通过整流二极管整流交流电源为直流电源，以驱动发光二极管发光。本发明提出的发光装置，更可通过整流二极管与发光二极管分别设置于基板上不同的凹槽中，以提高整体发光装置的耐压程度。
其次，本发明提出的发光装置，其中发光二极管更不限于以串联或并联的方式连接，藉此，每一发光二极管模块皆可包括多个发光二极管，使得发光装置的耐压亦随之有效提升。
本发明所揭露的发光装置，在实际应用层面上，可选择性地省却凹槽的制作步骤，而直接将上述整流二极管、发光二极管模块等设置于基板上，仅以隔离墙间隔。此种做法亦可用以实现本发明的发明目的，唯在此种实施例中，当发光装置进入后端封装阶段时，仍需要其它特殊工艺步骤来完成封装体的封装。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
基板，包含有一第一凹槽、一第二凹槽、一第三凹槽与一底面；
第一导电走线，位于该基板内，并具有一第一电路分布；
第二导电走线，位于该底面与该第一导电走线之间，并具有一第二电路分布，并且该第二电路分布与该第一电路分布不同；
贯穿孔，贯穿该第一导电走线与该第二导电走线；
第一多个整流二极管，设置于该第一凹槽中；
第二多个整流二极管，设置于该第三凹槽中；以及
发光二极管模块，设置于该第二凹槽中，该发光二极管模块包括多个发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该多个发光二极管可选择性地以串联或并联方式连接。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一凹槽或该第三凹槽包含多个子凹槽以分别设置该第一多个整流二极管或该第二多个整流二极管。
4.如权利要求3所述的发光装置，还包含一隔离部位于该第一多个整流二极管其中之一与该贯穿孔之间或该第二多个整流二极管其中之一与该贯穿孔之间。
5.一种发光装置，包括：
基板，包含一底面、一表面、以及设置于该表面上的一第一凹槽、一第二凹槽与一第三凹槽；
突出接口或一对隔离部，设置于该第一凹槽内；
第一整流二极管与第二整流二极管，设置于该第一凹槽中，且被该突出接口或该对隔离部分隔；
第三整流二极管与第四整流二极管，设置于该第三凹槽内；
以及
发光二极管模块，设置于该第二凹槽内，该发光二极管模块包括多个发光二极管。
6.如权利要求5所述的发光装置，其中该基板具有一高度大于该突出接口或该对隔离部的高度。
7.如权利要求5所述的发光装置，还包含一导电走线，位于该底面与该表面之间。
8.如权利要求7所述的发光装置，还包含一贯穿孔穿过该导电走线。
9.如权利要求5所述的发光装置，还包含
贯穿孔，位于该表面上；以及
导线，位于该表面上，并具有一端与该贯穿孔相连。
10.如权利要求5所述的发光装置，该对隔离部包含硅。
CN201510068314.XA 2011-03-14 2011-03-21 发光装置 Active CN104676324B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100108494A TWI445158B (zh) 2011-03-14 2011-03-14 發光裝置
TW100108494 2011-03-14
CN201110071666.2A CN102679195B (zh) 2011-03-14 2011-03-21 发光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110071666.2A Division CN102679195B (zh) 2011-03-14 2011-03-21 发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104676324A CN104676324A (zh) 2015-06-03
CN104676324B true CN104676324B (zh) 2017-12-05

Family

ID=45346394

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510068314.XA Active CN104676324B (zh) 2011-03-14 2011-03-21 发光装置
CN201110071666.2A Active CN102679195B (zh) 2011-03-14 2011-03-21 发光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110071666.2A Active CN102679195B (zh) 2011-03-14 2011-03-21 发光装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8716742B2 (zh)
EP (2) EP2500636B1 (zh)
JP (1) JP5357237B2 (zh)
KR (2) KR20120104915A (zh)
CN (2) CN104676324B (zh)
TW (1) TWI445158B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI445158B (zh) 2011-03-14 2014-07-11 Interlight Optotech Corp 發光裝置
US20120306392A1 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode network
US9112119B2 (en) * 2012-04-04 2015-08-18 Axlen, Inc. Optically efficient solid-state lighting device packaging
JP5858854B2 (ja) * 2012-04-16 2016-02-10 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
KR102006389B1 (ko) * 2013-03-14 2019-08-02 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 장치
TWI505456B (zh) * 2013-11-22 2015-10-21 Brightek Optoelectronic Shenzhen Co Ltd Ｌｅｄ承載座模組及ｌｅｄ發光裝置
CN103596339A (zh) * 2013-11-25 2014-02-19 深圳市红日光电有限公司 全芯片集成ac led光源
CN104752594B (zh) * 2013-12-25 2017-11-10 宝钢金属有限公司 一种用于ac‑led芯片结构倒装焊金属层的制作方法
CN104752578A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 宝钢金属有限公司 一种用于ac-led芯片结构倒装焊金属层结构
CN103700755A (zh) * 2013-12-26 2014-04-02 四川柏狮光电技术有限公司 一种交流驱动led灯具、引线支架及整体制备方法
CN106104739B (zh) * 2014-03-11 2019-03-08 广东华旵智动行运系统研究院有限公司 一种干簧管继电器
TWI556478B (zh) * 2014-06-30 2016-11-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體裝置
KR102323418B1 (ko) * 2014-09-15 2021-11-08 주식회사 엘엑스세미콘 방열특성이 개선된 발광다이오드 조명장치
USD757664S1 (en) * 2014-09-30 2016-05-31 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD750578S1 (en) * 2014-09-30 2016-03-01 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD757665S1 (en) * 2014-09-30 2016-05-31 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD750579S1 (en) * 2014-09-30 2016-03-01 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
US10757785B2 (en) * 2014-10-24 2020-08-25 Signify Holding B.V. Driver with open output protection
TWI614915B (zh) * 2016-05-16 2018-02-11 Peng Xin Heng 發光二極體光源改良
US10256218B2 (en) * 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
FR3087614B1 (fr) * 2018-10-19 2020-10-09 Sagemcom Energy & Telecom Sas Carte electrique comprenant un pont de redressement
CN109459827B (zh) * 2018-10-29 2021-02-02 西安微电子技术研究所 一种光电模块气密性组装方法
DE102022120594A1 (de) * 2022-08-16 2024-02-22 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201262377Y (zh) * 2008-09-02 2009-06-24 铜陵市毅远电光源有限责任公司 一种显色性好、出光效率高的白光led
TW200952556A (en) * 2008-05-21 2009-12-16 Intematix Technology Ct Corp Alternate current light emitting diode module and light source apparatus using the same and manufacturing method thereof
CN101839403A (zh) * 2009-03-19 2010-09-22 英特明光能股份有限公司 用于交流驱动的发光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3548254A (en) 1967-04-12 1970-12-15 Aerospace Prod Res Display apparatus
US5821695A (en) * 1996-08-06 1998-10-13 Appleton Electric Company Encapsulated explosion-proof pilot light
JP2004119631A (ja) 2002-09-25 2004-04-15 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄモジュール
JP2006332618A (ja) * 2005-04-25 2006-12-07 Naoya Yanase 電子部品実装基板、及びその電子部品実装基板の製造方法
CN101046278A (zh) * 2007-03-10 2007-10-03 鹤山丽得电子实业有限公司 大功率发光二极管灯具
TW200905123A (en) * 2007-07-30 2009-02-01 Topco Technologies Corp Light emitting diode lamp and illumination system
US8461613B2 (en) 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
JP2010080796A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
CN201731340U (zh) * 2010-07-06 2011-02-02 安徽世林照明股份有限公司 Led照明灯泡
TWI442540B (zh) 2010-10-22 2014-06-21 Paragon Sc Lighting Tech Co 直接電性連接於交流電源之多晶封裝結構
TWI445158B (zh) 2011-03-14 2014-07-11 Interlight Optotech Corp 發光裝置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200952556A (en) * 2008-05-21 2009-12-16 Intematix Technology Ct Corp Alternate current light emitting diode module and light source apparatus using the same and manufacturing method thereof
CN201262377Y (zh) * 2008-09-02 2009-06-24 铜陵市毅远电光源有限责任公司 一种显色性好、出光效率高的白光led
CN101839403A (zh) * 2009-03-19 2010-09-22 英特明光能股份有限公司 用于交流驱动的发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104676324A (zh) 2015-06-03
KR101547924B1 (ko) 2015-08-27
US20120235581A1 (en) 2012-09-20
US8716742B2 (en) 2014-05-06
TWI445158B (zh) 2014-07-11
KR20140015616A (ko) 2014-02-06
TW201238029A (en) 2012-09-16
EP2889533B1 (en) 2020-07-01
CN102679195B (zh) 2015-03-18
JP5357237B2 (ja) 2013-12-04
JP2012195558A (ja) 2012-10-11
KR20120104915A (ko) 2012-09-24
EP2500636B1 (en) 2015-01-21
EP2889533A1 (en) 2015-07-01
EP2500636A1 (en) 2012-09-19
CN102679195A (zh) 2012-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104676324B (zh) 发光装置
EP2444715A2 (en) Multichip package structure for directly electrically connecting to an AC power source
EP2753149B1 (en) Light emitting module and lighting unit including the same
US8899789B2 (en) Lamp module
JP2011159495A (ja) 照明装置
KR20100028461A (ko) 교류 발광 장치
CN104425478A (zh) 多芯片封装结构
US20110297976A1 (en) Illumination Module
TWI416993B (zh) 交流電發光二極體模組及其應用之光源裝置與其製造方法
US8876334B2 (en) Light-mixing multichip package structure
KR20150133166A (ko) 발광소자
CN102812293A (zh) Pn结发光元件照明装置
KR101121714B1 (ko) 발광 장치
JP6827195B2 (ja) 発光モジュール及び照明器具
EP2728970B1 (en) Light emitting module
US20120086341A1 (en) Alternating current led illumination apparatus
CN203590530U (zh) 交流电流驱动的无频闪的半导体发光系统
CN215069981U (zh) Led封装结构和照明装置
KR102304644B1 (ko) 발광모듈
TWM421592U (en) Light emitting apparatus
KR100953980B1 (ko) 컨버터가 일체화된 발광 모듈 및 이를 포함하는 발광 시스템
CN105098013A (zh) 一种高压led发光器件
CN112510007A (zh) 一种直流驱动保护电源集成封装芯片
KR200442472Y1 (ko) 사인 광고용 발광다이오드 모듈
KR20120020275A (ko) 엘이디 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20170508

Address after: Hsinchu City, Taiwan, China

Applicant after: Jingyuan Optoelectronics Co., Ltd.

Address before: China Taiwan Taoyuan County

Applicant before: Intematix Technology Ct Corp.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant