WO2015186322A1 - 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置 - Google Patents

硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2015186322A1
WO2015186322A1 PCT/JP2015/002716 JP2015002716W WO2015186322A1 WO 2015186322 A1 WO2015186322 A1 WO 2015186322A1 JP 2015002716 W JP2015002716 W JP 2015002716W WO 2015186322 A1 WO2015186322 A1 WO 2015186322A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
sio
carbon atoms
silicone composition
curable silicone
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/002716
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
智浩 飯村
能乃 戸田
さわ子 稲垣
晴彦 古川
Original Assignee
東レ・ダウコーニング株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東レ・ダウコーニング株式会社 filed Critical 東レ・ダウコーニング株式会社
Priority to KR1020167036544A priority Critical patent/KR20170016382A/ko
Priority to US15/315,745 priority patent/US10005906B2/en
Priority to EP15803624.4A priority patent/EP3153548A4/en
Priority to CN201580034920.8A priority patent/CN106715591A/zh
Priority to JP2016525683A priority patent/JP6707446B2/ja
Publication of WO2015186322A1 publication Critical patent/WO2015186322A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

　（Ａ）一分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中にケイ素原子結合水素原子を少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）平均単位式で表される接着促進剤、および（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。基材に対する接着性が高く、透明な硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物、およびこの組成物を用いてなる、信頼性が優れる光半導体装置を提供する。

Description

硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置
　本発明は、硬化性シリコーン組成物、およびこの組成物を用いてなる光半導体装置に関する。
　ヒドロシリル化反応により硬化する硬化性シリコーン組成物は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等の光半導体装置における光半導体素子の保護剤あるいはコーティング剤として使用されている。このような組成物の硬化物には、前記素子が発光したり、あるいは受光したりするため、光を吸収したり、散乱しないことが要求され、また、前記素子、リードフレーム、基板、および枠材等に接着することも要求されている。
　例えば、特許文献１には、平均単位式：
[(ＣＨ２＝ＣＨ)(ＣＨ３)２ＳiＯ１／２]２５(Ｃ６Ｈ５ＳiＯ３／２)７５[Ｅp(ＣＨ３)ＳiＯ２／２]４０
で表される有機ケイ素化合物を含有する硬化性シリコーン組成物が記載され、特許文献２には、平均単位式：
[(ＣＨ３)(Ｃ６Ｈ５)ＳiＯ２／２]０.１５[(ＣＨ３)(ＣＨ２＝ＣＨ)ＳiＯ２／２]０.２４(ＥpＳiＯ３／２)０.１９(ＣＨ３Ｏ１／２)０.４２
で表される有機ケイ素化合物を含有する硬化性シリコーン組成物が記載され、特許文献３には、平均単位式：
(Ｃ６Ｈ５ＳiＯ３／２)０.５０(ＥpＳiＯ３／２)０.２５[(ＣＨ２＝ＣＨ)(ＣＨ３)２ＳiＯ１／２]０.２５
で表される有機ケイ素化合物を含有する硬化性シリコーン組成物が記載され、特許文献４には、平均単位式：
(ＥpＳiＯ３／２)０.３[(ＣＨ２＝ＣＨ)(ＣＨ３)ＳiＯ２／２]０.３[(ＣＨ３)２ＳiＯ２／２]０.３(ＣＨ３Ｏ１／２)０.２
で表される有機ケイ素化合物を含有する硬化性シリコーン組成物が記載され、特許文献５には、平均単位式：
[(ＣＨ２＝ＣＨ)(ＣＨ３)ＳiＯ２／２]０.２[(Ｃ６Ｈ５)２ＳiＯ２／２]０.５(ＥpＳiＯ３／２)０.３
で表される有機ケイ素化合物を含有する硬化性シリコーン組成物が記載されている。なお、上式中、Ｅpは３－グリシドキシプロピル基を示す。
　しかし、これらの硬化性シリコーン組成物は、硬化して得られる硬化物の光透過率が低かったり、また、硬化物の基材に対する接着性が乏しかったりするという課題がある。
特開２００７－００８９９６号公報 特開２００７－３２７０１９号公報 特開２０１０－００１３３５号公報 特開２０１０－００１３３６号公報 特開２０１２－０５２０４５号公報
　本発明は、基材に対する接着性が高く、透明な硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物、およびこの組成物を用いてなる、信頼性が優れる光半導体装置を提供することを目的とする。
　本発明の硬化性シリコーン組成物は、
（Ａ）一分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン　１００質量部、
（Ｂ）一分子中にケイ素原子結合水素原子を少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン｛（Ａ）成分と（Ｃ）成分に含まれるアルケニル基の合計１モルに対して、０.１～１０.０モルのケイ素原子結合水素原子を提供する量｝、
（Ｃ）平均単位式：
(Ｒ１Ｒ２ＳiＯ２/２)ａ(Ｒ２Ｒ３ＳiＯ２/２)ｂ(Ｒ４ＳiＯ３/２)ｃ
（式中、Ｒ１は炭素数２～１２のアルケニル基であり、Ｒ２は同じかまたは異なる、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、もしくは炭素数７～２０のアラルキル基であり、Ｒ３はエポキシ基含有有機基であり、Ｒ４は炭素数６～２０のアリール基または炭素数７～２０のアラルキル基であり、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ、０.１≦ａ≦０.６、０.１≦ｂ≦０.５、０.３≦ｃ＜０.８、０.１５≦ａ／ｃ≦１.５、０.１５≦ｂ／ｃ≦１.８、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数である。）
で表される接着促進剤　０.１～５０質量部、および
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
から少なくともなることを特徴とする。
　本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。
　本発明の硬化性シリコーン組成物は、基材に対する接着性が高く、透明な硬化物を形成するという特徴があり、また、本発明の光半導体装置は、光半導体素子が上記組成物の硬化物により封止されているので、信頼性が優れるという特徴がある。
本発明の光半導体装置の一例であるＬＥＤの断面図である。
　はじめに、本発明の硬化性シリコーン組成物について詳細に説明する。
　（Ａ）成分は本組成物の主剤である、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。（Ａ）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等の炭素数が２～１２個のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、（Ａ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数が１～１２個のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数が６～２０個のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等の炭素数が７～２０個のアラルキル基；これらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。なお、（Ａ）成分中のケイ素原子には、本発明の目的を損なわない範囲で、少量の水酸基やメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基を有していてもよい。
　（Ａ）成分の分子構造は特に限定されず、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、および三次元網状構造が例示される。（Ａ）成分は、これらの分子構造を有する１種のオルガノポリシロキサン、あるいはこれらの分子構造を有する２種以上のオルガノポリシロキサン混合物であってもよい。
　（Ａ）成分の２５℃における性状は特に限定されず、例えば、液状または固体状である。（Ａ）成分が２５℃で液状である場合、その２５℃の粘度は１～１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１０～１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。なお、この粘度は、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　７１１７－１に準拠したＢ型粘度計を用いた測定により求めることができる。
　このような（Ａ）成分は、平均単位式：
(Ｒ１Ｒ５ ２ＳiＯ１/２)ｄ(Ｒ５ ２ＳiＯ２/２)ｅ(Ｒ４ＳiＯ３/２)ｆ
で表され、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンレジンを含むことが好ましい。
　式中、Ｒ１は炭素数２～１２のアルケニル基である。具体的には、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基が例示される。
　式中、Ｒ４は炭素数６～２０のアリール基または炭素数７～２０のアラルキル基である。具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基等のアリール基；ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基等のアラルキル基；およびこれらのアリール基またはアラルキル基の水素原子の一部または全部をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。
　式中、Ｒ５は同じかまたは異なる、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数６～２０のアリール基、もしくは炭素数７～２０のアラルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基等のアリール基；ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基等のアラルキル基；およびこれらのアリール基またはアラルキル基の水素原子の一部または全部をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。
　式中、ｄ、ｅ、およびｆは、それぞれ、０.０１≦ｄ≦０.５、０≦ｅ≦０.７、０.１≦ｆ＜０.９、かつｄ＋ｅ＋ｆ＝１を満たす数であり、好ましくは、０.１≦ｄ≦０.４、０≦ｅ≦０.５、０.４≦ｆ＜０.９、かつｄ＋ｅ＋ｆ＝１を満たす数である。これは、ｄが上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の硬化性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の強度が向上するからである。また、ｅが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の可撓性が向上するからである。また、ｆが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の透明性が向上し、一方、上記範囲の上限以下であると、本成分の取扱作業性が向上するからである。
　さらに、（Ａ）成分は、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンを含むことが好ましい。
　このような（Ａ）成分としては、次のようなオルガノポリシロキサンが例示される。なお、式中、Ｍe、Ｖi、Ｐhはそれぞれメチル基、ビニル基、フェニル基を示し、ｘ、ｘ’はそれぞれ１～１００の整数である。
ＶiＰhＭeＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)ｘＳiＭeＰhＶi
ＶiＰh２ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)ｘＳiＰh２Ｖi
ＶiＭe２ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)ｘ(Ｐh２ＳiＯ)ｘ'ＳiＭe２Ｖi
ＶiＰhＭeＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)ｘ(Ｐh２ＳiＯ)ｘ'ＳiＰhＭeＶi
ＶiＰh２ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)ｘ(Ｐh２ＳiＯ)ｘ'ＳiＰh２Ｖi
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)ｘＳiＭe２Ｖi
ＭeＰhＶiＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)ｘＳiＭeＰhＶi
Ｐh２ＶiＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)ｘＳiＰh２Ｖi
ＶiＭe２ＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)ｘ(ＰhＭeＳｉＯ)ｘ'ＳiＭe２Ｖi
ＶiＰhＭeＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)ｘ(ＰhＭeＳｉＯ)ｘ'ＳiＰhＭeＶi
ＶiＰh２ＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)ｘ(ＰhＭeＳｉＯ)ｘ'ＳiＰh２Ｖi
　（Ｂ）成分は本組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。（Ｂ）成分の分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、樹枝状が挙げられ、好ましくは、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、樹枝状である。（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子の結合位置は限定されず、例えば、分子鎖の末端および／または側鎖が挙げられる。また、（Ｂ）成分中の水素原子以外のケイ素原子結合の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３－クロロプロピル基、３,３,３－トリフロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。また、（Ｂ）成分の粘度は限定されないが、２５℃における粘度が１～１０,０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１～１,０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。
　このような（Ｂ）成分としては、１,１,３,３－テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)メチルシラン、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)フェニルシラン、１－グリシドキシプロピル－１,３,５,７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、１,５－グリシドキシプロピル－１,３,５,７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、１－グリシドキシプロピル－５－トリメトキシシリルエチル－１,３,５,７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、トリメトキシシランの加水分解縮合物、(ＣＨ３)２ＨＳiＯ１/２単位とＳiＯ４/２単位とからなる共重合体、および(ＣＨ３)２ＨＳiＯ１/２単位とＳiＯ４/２単位と(Ｃ６Ｈ５)ＳiＯ３/２単位とからなる共重合体の他、次のようなオルガノシロキサンが例示される。なお、式中、Ｍe、Ｖi、Ｐh、Ｎaphはそれぞれメチル基、ビニル基、フェニル基、ナフチル基を示し、ｙ、ｙ’はそれぞれ１～１００の整数であり、ｇ、ｈ、ｉ、ｊはそれぞれ正の数であり、ただし、ｇ、ｈ、ｉ、ｊの合計は１である。
ＨＭe２ＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)yＳiＭe２Ｈ
ＨＭeＰhＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)yＳiＭeＰhＨ
ＨＭeＮaphＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)yＳiＭeＮaphＨ
ＨＭeＰhＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)y(ＭeＰhＳiＯ)y'ＳiＭeＰhＨ
ＨＭeＰhＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)y(Ｍe２ＳiＯ)y'ＳiＭeＰhＨ
(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｇ(ＰhＳiＯ３/２)ｈ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(ＰhＳiＯ３/２)ｈ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(ＮaphＳiＯ３/２)ｈ
(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｇ(ＮaphＳiＯ３/２)ｈ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｈ(ＰhＳiＯ３/２)ｉ
(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｇ(Ｐh２ＳiＯ２/２)ｈ(ＰhＳiＯ３/２)ｉ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(Ｐh２ＳiＯ２/２)ｈ(ＰhＳiＯ３/２)ｉ
(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｇ(Ｐh２ＳiＯ２/２)ｈ(ＮaphＳiＯ３/２)ｉ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(Ｐh２ＳiＯ２/２)ｈ(ＮaphＳiＯ３/２)ｉ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｈ(ＮaphＳiＯ３/２)ｉ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｈ(Ｐh２ＳiＯ２/２)ｉ(ＮaphＳiＯ３/２)ｊ
(ＨＭeＰhＳiＯ１/２)ｇ(ＨＭe２ＳiＯ１/２)ｈ(Ｐh２ＳiＯ２/２)ｉ(ＰhＳiＯ３/２)ｊ
　（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分および（Ｃ）成分に含まれるアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１～１０.０モルの範囲内となる量であり、好ましくは、０.１～５モルの範囲内となる量であり、さらに好ましくは、０.５～２モルの範囲内となる量である。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物が十分に硬化し、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の耐熱性が向上し、ひいては、本組成物を用いて作製した光半導体装置の信頼性が向上するからである。
　（Ｃ）成分は本組成物に接着性を付与するための接着促進剤であり、平均単位式：
(Ｒ１Ｒ２ＳiＯ２/２)ａ(Ｒ２Ｒ３ＳiＯ２/２)ｂ(Ｒ４ＳiＯ３/２)ｃ
で表される。
　式中、Ｒ１は炭素数２～１２のアルケニル基である。具体的には、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。
　式中、Ｒ２は同じかまたは異なる、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、もしくは炭素数７～２０のアラルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基等のアリール基；ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基等のアラルキル基；およびこれらのアリール基またはアラルキル基の水素原子の一部または全部をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示され、好ましくは、メチル基、ビニル基、フェニル基である。
　式中、Ｒ３はエポキシ基含有有機基である。具体的には、２－グリシドキシエチル基、３－グリシドキシプロピル基、４－グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２－(３,４－エポキシシクロヘキシル)－エチル基、３－(３,４－エポキシシクロヘキシル)－プロピル基等のエポキシシクロアルキルアルキル基；３,４－エポキシブチル基、７,８－エポキシオクチル基等のエポキシアルキル基が例示され、好ましくは、グリシドキシアルキル基であり、特に好ましくは、３－グリシドキシプロピル基である。
　式中、Ｒ４は、炭素数６～２０のアリール基または炭素数７～２０のアラルキル基であり、前記Ｒ２と同様の基が例示される。
　式中、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ、０.１≦ａ≦０.６、０.１≦ｂ≦０.５、０.３≦ｃ＜０.８、０.１５≦ａ／ｃ≦１.５、０.１５≦ｂ／ｃ≦１.８、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数であり、好ましくは、０.２≦ａ≦０.６、０.１≦ｂ≦０.４５、０.３≦ｃ＜０.７、０.１５≦ａ／ｃ≦１.５、０.１５≦ｂ／ｃ≦１.８、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数であり、更に好ましくは、０.２≦ａ≦０.５、０.１≦ｂ≦０.４、０.３≦ｃ＜０.６５、０.１５≦ａ／ｃ≦１.５、０.１５≦ｂ／ｃ≦１.８、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数である。これは、ａが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物がべたつき難くなり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからである。また、ｂが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の接着性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の耐熱性が向上するからである。また、ｃが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の屈折率が良好であるからである。さらに、ａ／ｃの値が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の接着性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の硬化性が良好であるからである。また、ｂ／ｃの値が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の接着性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の耐熱性が良好であるからである。
　（Ｃ）成分は、上記の平均単位式で表されるが、本発明の目的を損なわない範囲で、式：Ｒ５ ３ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ６ＳiＯ３/２で表されるシロキサン単位、または式：ＳiＯ４/２で表されるシロキサン単位を有してもよい。式中、Ｒ５は同じかまたは異なる、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、もしくは炭素数７～２０のアラルキル基である。Ｒ５のアルキル基、アリール基、およびアラルキル基としては、前記Ｒ２と同様のアルキル基、アリール基、およびアラルキル基が例示される。式中、Ｒ６は炭素数１～１２のアルキル基または炭素数２～１２のアルケニル基である。Ｒ６のアルキル基としては、前記Ｒ２と同様のアルキル基が例示される。Ｒ６のアルケニル基としては、前記Ｒ１と同様のアルケニル基が例示される。さらに、（Ｃ）成分には、本発明の目的を損なわない範囲で、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のケイ素原子結合アルコキシ基、あるいはケイ素原子結合水酸基を有していてもよい。
　このような（Ｃ）成分を調製する方法は特に限定されず、例えば、一般式（Ｉ-１）：
Ｒ１Ｒ２ＳiＸ２
で表されるシラン化合物もしくは一般式（Ｉ-２）：
（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ
で表される環状シリコーン化合物、一般式（II）：
Ｒ２Ｒ３ＳiＸ２
で表されるシラン化合物、および一般式（III）：
Ｒ４ＳiＸ３
で表されるシラン化合物を、酸もしくはアルカリの存在下、加水分解・縮合反応させる方法が挙げられる。
　一般式（Ｉ-１）で表されるシラン化合物は、（Ｃ）成分に、式：Ｒ１Ｒ２ＳiＯ２/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ１は炭素数２～１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。Ｒ２は同じかまたは異なる、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、もしくは炭素数７～２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。式中、Ｘは同じかまたは異なる、アルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン原子、もしくは水酸基である。Ｘのアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が例示される。また、Ｘのアシロキシ基としては、アセトキシ基が例示される。また、Ｘのハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子が例示される。
　このようなシラン化合物としては、ビニルメチルジメトキシシラン、フェニルビニルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン等のアルコキシシラン；ビニルメチルジアセトキシシラン、フェニルビニルジアセトキシラン、等のアシロキシシラン；ビニルメチルジクロロシラン、フェニルビニルジクロロシラン等のハロシラン；ビニルメチルジヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。
　一般式（Ｉ-２）で表される環状シリコーン化合物は、（Ｃ）成分に、式：Ｒ１Ｒ２ＳiＯ２/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ１は炭素数２～１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。式中、Ｒ２は炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、または炭素数７～２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。
　このような環状シリコーン化合物としては、ビニルメチルシクロシロキサン、フェニルビニルシクロシロキサンが例示される。
　一般式（II）で表されるシラン化合物は、（Ｃ）成分に、式：Ｒ２Ｒ３ＳiＯ２/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ２は炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、または炭素数７～２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、式中、Ｒ３はエポキシ基含有有機基であり、前記と同様の基が例示される。
　このようなシラン化合物としては、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、４－グリシドキシブチルメチルジメトトキシラン、２－(３,４－エポキシシクロヘキシル)－エチルジメトキシシラン、３－(３,４－エポキシシクロヘキシル)－プロピルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、４－グリシドキシブチルメチルジエトトキシラン、２－(３,４－エポキシシクロヘキシル)－エチルジエトキシシラン、３－(３,４－エポキシシクロヘキシル)－プロピルジエトキシシランが例示される。
　一般式（III）で表されるシラン化合物は、（Ｃ）成分に、式：Ｒ４ＳiＯ３/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ４は炭素数６～２０のアリール基、または炭素数７～２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、フェニル基である。
このようなシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、ナフチルトリメトキシシラン、アントラセニルトリメトキシシラン、フェナントリルトリメトキシシラン、ピレニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ナフチルトリエトキシシラン、アントラセニルトリエトキシシラン、フェナントリルトリエトキシシラン、ピレニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン；フェニルトリアセトキシシラン、ナフチルトリアセトキシシラン、アントラセニルトリアセトキシシラン、フェナントリルトリアセトキシシラン、ピレニルトリアセトキシシラン等のアシロキシシラン；フェニルトリクロロシラン、ナフチルトリクロロシラン、アントラセニルトリクロロシラン、フェナントリルトリクロロシラン、ピレニルトリクロロシラン等のハロシラン；フェニルトリヒドロキシシラン、ナフチルトリヒドロキシシラン、アントラセニルトリヒドロキシシラン、フェナントリルトリヒドロキシシラン、ピレニルトリヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。
　上記の調製方法では、シラン化合物（Ｉ－１）または環状シリコーン化合物（Ｉ－２）、シラン化合物（II）、およびシラン化合物（III）を、酸もしくはアルカリの存在下、加水分解・縮合反応させることを特徴とする。
　上記の酸としては、塩酸、酢酸、蟻酸、硝酸、シュウ酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、多価カルボン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、イオン交換樹脂が例示される。また、上記のアルカリとしては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機アルカリ；トリエチルアミン、ジエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、アミノ基を有するアルコキシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン等の有機塩基化合物が例示される。
　また、上記の調製方法において、有機溶剤を使用することができる。使用できる有機溶剤としては、エーテル類、ケトン類、アセテート類、芳香族あるいは脂肪族炭化水素、γ－ブチロラクトン、およびこれらの２種以上の混合物が例示される。好ましい有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ－ｔ－ブチルエーテル、γ－ブチロラクトン、トルエン、キシレンが例示される。
　上記の調製方法では、上記各成分の加水分解・縮合反応を促進するため、水、あるいは水とアルコールの混合液を添加することが好ましい。このアルコールとしては、メタノール、エタノールが好ましい。この反応は、加熱により促進され、有機溶媒を使用する場合には、その還流温度で反応を行うことが好ましい。
　（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０.１～５０質量部の範囲内であり、好ましくは、０.１～２０質量部の範囲内である。これは、（Ｃ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物に十分な接着性を付与でき、一方、上記範囲の下限以下であると、得られる組成物の硬化性を阻害しにくく、また、得られる硬化物の着色等を抑制できるからである。
　（Ｄ）成分は、本組成物の硬化を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示される。特に、本組成物の硬化を著しく促進できることから、（Ｄ）成分は白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金－アルケニルシロキサン錯体、白金－オレフィン錯体、白金－カルボニル錯体が例示され、好ましくは、白金－アルケニルシロキサン錯体である。
　（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化を促進するために有効な量である。具体的には、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化反応を十分に促進できることから、本組成物に対して、質量単位で、（Ｄ）成分中の触媒金属が０.０１～５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.０１～１００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.０１～５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。
　また、本組成物には、その他任意の成分として、２－メチル－３－ブチン－２－オール、３,５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、２－フェニル－３－ブチン－２－オール等のアルキンアルコール；３－メチル－３－ペンテン－１－イン、３,５－ジメチル－３－ヘキセン－１－イン等のエンイン化合物；１,３,５,７－テトラメチル－１,３,５,７－テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７－テトラメチル－１,３,５,７－テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。本組成物において、この反応抑制剤の含有量は限定されないが、上記（Ａ）成分～（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、０.０００１～５質量部の範囲内であることが好ましい。
　さらに、本組成物には、硬化途上で接触している基材に対する硬化物の接着性を向上させるため、（Ｃ）成分以外の接着促進剤を含有してもよい。この接着促進剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物が好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３－グリシドキシプロピル基、４－グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２－(３,４－エポキシシクロヘキシル)エチル基、３－(３,４－エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基；３,４－エポキシブチル基、７,８－エポキシオクチル基等のエポキシアルキル基；３－メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。この有機ケイ素化合物はケイ素原子結合アルケニル基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。また、各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン化合物、オルガノシロキサンオリゴマー、アルキルシリケートが例示される。このオルガノシロキサンオリゴマーあるいはアルキルシリケートの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－(３,４－エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物；一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物との混合物、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート、エポキシ基含有エチルポリシリケートが例示される。
　さらに、本組成物には、本組成の硬化物で封止もしくは被覆してなる発光素子から放出される光の波長を変換して、所望の波長の光を得るための蛍光体を含有してもよい。このような蛍光体としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）に広く利用されている、酸化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、酸硫化物系蛍光体等からなる黄色、赤色、緑色、青色発光蛍光体が例示される。酸化物系蛍光体としては、セリウムイオンを包含するイットリウム、アルミニウム、ガーネット系のＹＡＧ系緑色～黄色発光蛍光体、セリウムイオンを包含するテルビウム、アルミニウム、ガーネット系のＴＡＧ系黄色発光蛍光体、および、セリウムやユーロピウムイオンを包含するシリケート系緑色～黄色発光蛍光体が例示される。酸窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するケイ素、アルミニウム、酸素、窒素系のサイアロン系赤色～緑色発光蛍光体が例示される。窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するカルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、ケイ素、窒素系のカズン系赤色発光蛍光体が例示される。硫化物系蛍光体としては、銅イオンやアルミニウムイオンを包含するＺｎＳ系緑色発色蛍光体が例示される。酸硫化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するＹ２Ｏ２Ｓ系赤色発光蛍光体が例示される。これらの蛍光体は、１種もしくは２種以上の混合物を用いてもよい。本組成物において、蛍光体の含有量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量に対して、０.１～７０質量％の範囲内であり、好ましくは、１～２０質量％の範囲内である。
　また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化亜鉛等の無機質充填剤；ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末；耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。
　任意成分として添加する成分のうち、空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制するためにＡl、Ａg、Ｃu、Ｆe、Ｓb、Ｓi、Ｓn、Ｔi、Ｚr、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を表面被覆した酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物で表面処理した酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群より選ばれる、平均粒子径が０.１ｎｍ～５μｍである少なくとも一種の微粉末を添加することもできる。
　酸化物を表面被覆した酸化亜鉛微粉末において、希土類元素としては、イットリウム、セリウム、ユーロピウムが例示される。酸化亜鉛微粉末の表面の酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、およびこれらの酸化物の２種以上の混合物が例示される。
　有機ケイ素化合物で表面処理した酸化亜鉛微粉末において、この有機ケイ素化合物はアルケニル基を有さないものであり、オルガノシラン、オルガノシラザン、ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、およびオルガノシロキサンオリゴマーが例示され、具体的には、トリメチルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、メチルトリクロロシラン等のオルガノクロロシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のオルガノトリアルコキシシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のジオルガノジアルコキシシラン；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のトリオルガノアルコキシシラン；これらのオルガノアルコキシシランの部分縮合物；ヘキサメチルジシラザン等のオルガノシラザン；ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、シラノール基もしくはアルコキシ基を有するオルガノシロキサンオリゴマー、Ｒ６ＳiＯ３/２単位（式中、Ｒ６は、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；フェニル基等のアリール基で例示されるアルケニル基を除く一価炭化水素基である。）やＳiＯ４/２単位からなり、シラノール基またはアルコキシ基を有するレジン状オルガノポリシロキサンが例示される。
　また、本組成物には、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色をさらに抑制することができることから、任意の成分として、トリアゾール系化合物を含有してもよい。このような成分としては、１Ｈ－１,２,３－トリアゾール、２Ｈ－１,２,３－トリアゾール、１Ｈ－１,２,４－トリアゾール、４Ｈ－１,２,４－トリアゾール、２－(２'－ヒドロキシ－５'－メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、１Ｈ－１,２,３－トリアゾール、２Ｈ－１,２,３－トリアゾール、１Ｈ－１,２,４－トリアゾール、４Ｈ－１,２,４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール－５－カルボン酸メチル、３－アミノ－１,２,４－トリアゾール、４－アミノ－１,２,４－トリアゾール、５－アミノ－１,２,４－トリアゾール、３－メルカプト－１,２,４－トリアゾール、クロロベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、アミノベンゾトリアゾール、シクロヘキサノ［１,２－ｄ］トリアゾール、４,５,６,７－テトラヒドロキシトリルトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、エチルベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、１－Ｎ,Ｎ－ビス(２－エチルヘキシル)－[(１,２,４－トリアゾール－１－イル)メチル]アミン、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(２－エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(２－エチルヘキシル)アミノメチル]トリルトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(２－エチルヘキシル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(２－ヒドロキシエチル)－アミノメチル]ベンゾトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(２－ヒドロキシエチル)－アミノメチル]トリルトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(２－ヒドロキシエチル)－アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(２－ヒドロキシプロピル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(１－ブチル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１－[Ｎ,Ｎ－ビス(１－オクチル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、１－(２',３'－ジ－ヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、１－(２',３'－ジ－カルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、２－(２'－ヒドロキシ－３',５'－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２－(２'－ヒドロキシ－３',５'－アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２－(２'－ヒドロキシ－４'－オクトキシフェニル)ベンゾトリアゾール、２－(２'－ヒドロキシ－５'－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール－６－カルボン酸、１－オレオイルベンゾトリアゾール、１,２,４－トリアゾール－３－オール、５－アミノ－３－メルカプト－１,２,４－トリアゾール、５－アミノ－１,２,４－トリアゾール－３－カルボン酸、１,２,４－トリアゾール－３－カルボキシアミド、４－アミノウラゾール、および１,２,４－トリアゾール－５－オンが例示される。このベンゾトリアゾール化合物の含有量は特に限定されないが、本組成物中に質量単位で０.０１ｐｐｍ～３％の範囲内となる量であり、好ましくは、０.１ｐｐｍ～１％の範囲内となる量である。
　本組成物は室温もしくは加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。この加熱温度としては、５０～２００℃の範囲内であることが好ましい。
　次に、本発明の光半導体装置について詳細に説明する。
　本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。このような本発明の光半導体装置としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトカプラー、ＣＣＤが例示される。また、光半導体素子としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ、固体撮像素子が例示される。
　本発明の光半導体装置の一例である単体の表面実装型ＬＥＤの断面図を図１に示した。図１で示されるＬＥＤは、発光素子（ＬＥＤチップ）１がリードフレーム２上にダイボンドされ、この発光素子（ＬＥＤチップ）１とリードフレーム３とがボンディングワイヤ４によりワイヤボンディングされている。この発光素子（ＬＥＤチップ）１の周囲には枠材５が設けられており、この枠材５の内側の発光素子（ＬＥＤチップ）１が、本発明の硬化性シリコーン組成物の硬化物６により封止されている。
　図１で示される表面実装型ＬＥＤを製造する方法としては、発光素子（ＬＥＤチップ）１をリードフレーム２にダイボンドし、この発光素子（ＬＥＤチップ）１とリードフレーム３とを金製のボンディングワイヤ４によりワイヤボンドし、次いで、発光素子（ＬＥＤチップ）１の周囲に設けられた枠材５の内側に本発明の硬化性シリコーン組成物を充填した後、５０～２００℃で加熱することにより硬化させる方法が例示される。
　本発明の硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中、粘度は２５℃における値であり、Ｍe、Ｖi、Ｐh、Ｅpはそれぞれメチル基、ビニル基、フェニル基、３－グリシドキシプロピル基を示す。また、硬化性シリコーン組成物の硬化物の特性を次のようにして測定した。
［透過率］
　表１に示した硬化性シリコーン組成物を、長さ１００ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ４ｍｍの金型に流しこみ、１５０℃で１２０分間加熱して硬化させた。作製した硬化物試験体を石英セルに入れ４５０ｎｍの透過率を自動分光光度計で透過スペクトルを測定することにより求めた。
［接着力］
［硬化性シリコーン組成物の硬化物の接着力］
　２枚のアルミニウム板、銀板、ポリフタルアミド板（幅２５ｍｍ、長さ７５ｍｍ、厚さ１ｍｍ）間にポリテトラフルオロエチレン樹脂製スペーサ（幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を挟み込み、その隙間に硬化性シリコーン組成物を充填し、クリップで留め、１５０℃の熱風循環式オーブン中に１時間保持して硬化させることにより試験体を作製した。室温に冷却後、クリップとスペーサを外して引張試験機により、硬化物のせん断接着力を測定した。
［表面実装型の発光ダイオード（ＬＥＤ）の作製］
　底部が塞がった円筒状のポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製枠材５（内径２.０ｍｍ、深さ１.０ｍｍ）の内底部の中心部に向かってリードフレーム２、３が側壁から延出しており、リードフレーム２の中央部上にＬＥＤチップ１が載置されており、ＬＥＤチップ１とリードフレーム３はボンディングワイヤ４により電気的に接続している未封止の光半導体装置内に、硬化性シリコーン組成物を脱泡してディスペンサーを用いて注入した。その後、加熱オーブン中で、１００℃で３０分間、次いで１５０℃で１時間加熱することにより硬化性シリコーン組成物を硬化させ、図１に示す表面実装型の発光ダイオード（ＬＥＤ）を作製した。
［熱衝撃試験］
　上記の方法で作製した１６個の発光ダイオードを、－４０℃に３０分間保持した後、１２０℃に３０分間保持することを１サイクル（－４０℃⇔１２０℃）とする熱衝撃試験を７５０回繰り返し、その後、室温（２５℃）に戻して、点灯試験を行い、通電を確認した。ワイヤーが切断している割合（切断している個数／１６個）を表１に示した。
［参考例１］
　攪拌機、還流冷却管、温度計付きの反応容器に、フェニルトリメトキシシラン　１４８.５ｇ（０.７５ｍｏｌ）、環状ビニルメチルシクロシロキサン　４３.０ｇ（０.５ｍｏｌ）、およびトリフルオロメタンスルホン酸　０.１１ｇを投入し、水　２１ｇを添加した。その後、２時間還流させ、低沸点成分を除去した。次に、反応系を冷却後、トルエン、水酸化カリウム水溶液を添加した。その後、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン　８８.１ｇ（０.４ｍｏｌ）、水　１４.４ｇを添加した。１時間還流後、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。５時間加熱還流した後、トルエン溶液を冷却し、酢酸　１.１ｇで中和した後、３回水洗した。水を除去した後、トルエンを減圧下に留去して、粘度が２５．３Ｐa・ｓである、平均単位式：
(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.３０(ＭeＥpＳiＯ２/２)０.２５
で表される接着促進剤を調製した。
［参考例２］
　攪拌機、還流冷却管、温度計付きの反応容器に、フェニルトリメトキシシラン　１４８.５ｇ（０.７５ｍｏｌ）、環状ビニルメチルシクロシロキサン　６４.５ｇ（０.７５ｍｏｌ）、およびトリフルオロメタンスルホン酸　０.１１ｇを投入し、水　２１.２ｇを添加した。その後、２時間還流させ、低沸点成分を除去した。次に、反応系を冷却後、トルエン、水酸化カリウム水溶液を添加した。その後、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン　８８.１ｇ（０.４ｍｏｌ）、水　１４.４ｇを添加した。１時間還流後、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。５時間加熱還流した後、トルエン溶液を冷却し、酢酸　１.１ｇで中和した後、３回水洗した。水を除去した後、トルエンを減圧下に留去して、粘度が２１.１Ｐa・ｓである、平均単位式：
(ＰhＳiＯ３/２)０.３９(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.４０(ＭeＥpＳiＯ２/２)０.２１
で表される接着促進剤を調製した。
［参考例３］
　攪拌機、還流冷却管、温度計付きの反応容器に、フェニルトリメトキシシラン　１４８.５ｇ（０.７５ｍｏｌ）、環状ビニルメチルシクロシロキサン　２１.５（０.２５ｍｏｌ）、およびトリフルオロメタンスルホン酸　０.１１ｇを投入し、水　２１.２ｇを添加した。その後、２時間還流させ、低沸点成分を除去した。次に、反応系を冷却後、トルエン、水酸化カリウム水溶液を添加した。その後、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン　８８.１ｇ（０.４ｍｏｌ）、水　１４.４ｇを添加した。１時間還流後、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。５時間加熱還流した後、トルエン溶液を冷却し、酢酸　１.１ｇで中和した後、３回水洗した。水を除去した後、トルエンを減圧下に留去して、粘度が２９.１Ｐa・ｓである、平均単位式：
(ＰhＳiＯ３/２)０.５４(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.１８(ＭeＥpＳiＯ２/２)０.２８
で表される接着促進剤を調製した。
［参考例４］
　攪拌機、還流冷却管、温度計付きの四口フラスコに、１,３－ジビニル－１,１,３,３－テトラメチルジシロキサン　８２.２ｇ（０.４４ｍｏｌ）、水　１４３ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸　０.３８ｇ、およびトルエン　５００ｇを投入し、攪拌下、フェニルトリメトキシシラン　５２４.７ｇ（２.６５ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層を分離し、トルエン溶液層を３回水洗した。水洗したトルエン溶液層に３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン　３１４ｇ（１.４２ｍｏｌ）と水　１３０ｇと水酸化カリウム　０.５０ｇとを投入し、１時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。４時間加熱還流した後、トルエン溶液を冷却し、酢酸　０.５５ｇで中和した後、３回水洗した。水を除去した後、トルエンを減圧下に留去して、粘度が８,５００ｍＰa・ｓである、平均単位式：
(ＰhＳiＯ３/２)０.５３(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.１８(ＥpＭeＳiＯ２/２)０.２９
で表される接着促進剤を調製した。
［実施例１～４、比較例１］
　下記の成分を用いて、表１に示した組成の硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、表１中、（Ｄ）成分の含有量は、質量単位における、硬化性シリコーン組成物に対する白金金属の含有量（ｐｐｍ）で示した。また、表１中のＨ／Ｖｉは、（Ａ）成分と（Ｃ）成分に含まれるアルケニル基の合計１モルに対する、（Ｂ）成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数を示す。
　（Ａ）成分として、次の成分を用いた。
（Ａ－１）成分：　平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０
で表されるオルガノポリシロキサン
（Ａ－２）成分：　平均単位式：
(ＭeＰｈＶiＳiＯ１/２)０.２３(ＰhＳiＯ３/２)０.７７
で表されるオルガノポリシロキサン
（Ａ－３）成分：　２５℃における粘度が３,０００ｍＰa・ｓである、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン
　（Ｂ）成分として、次の成分を用いた。
（Ｂ－１）成分：　２５℃における粘度が４ｍＰa・ｓである、式：
ＨＭe２ＳiＯＰh２ＳiＯＳiＭe２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン
　（Ｃ）成分として、次の成分を用いた。
（Ｃ－１）成分：　参考例１で調製した接着促進剤
（Ｃ－２）成分：　参考例２で調製した接着促進剤
（Ｃ－３）成分：　参考例３で調製した接着促進剤
（Ｃ－４）成分：　参考例４で調製した接着促進剤
　（Ｄ）成分として、次の成分を用いた。
（Ｄ－１）成分：　白金－１,３－ジビニル－１,１,３,３－テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７－テトラメチル－１,３,５,７－テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液（白金として０.１質量％含有する溶液）
　（Ｅ）成分として、次の成分を用いた。
（Ｅ－１）成分：　１－エチニルシクロヘキサノール
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本発明の硬化性シリコーン組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護剤、コーティング剤、アンダーフィル剤として使用することができ、特に、高い反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成できるので、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光半導体装置における光半導体素子の封止材あるいは保護コーティング材として好適である。
　１　発光素子
　２　リードフレーム
　３　リードフレーム
　４　ボンディングワイヤ
　５　枠材
　６　硬化性シリコーン組成物の硬化物

Claims (6)

  1. （Ａ）一分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン　１００質量部、
    （Ｂ）一分子中にケイ素原子結合水素原子を少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン｛（Ａ）成分と（Ｃ）成分に含まれるアルケニル基の合計１モルに対して、０.１～１０.０モルのケイ素原子結合水素原子を提供する量｝、
    （Ｃ）平均単位式：
    (Ｒ１Ｒ２ＳiＯ２/２)ａ(Ｒ２Ｒ３ＳiＯ２/２)ｂ(Ｒ４ＳiＯ３/２)ｃ
    （式中、Ｒ１は炭素数２～１２のアルケニル基であり、Ｒ２は同じかまたは異なる、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、もしくは炭素数７～２０のアラルキル基であり、Ｒ３はエポキシ基含有有機基であり、Ｒ４は炭素数６～２０のアリール基または炭素数７～２０のアラルキル基であり、ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ、０.１≦ａ≦０.６、０.１≦ｂ≦０.５、０.３≦ｃ＜０.８、０.１５≦ａ／ｃ≦１.５、０.１５≦ｂ／ｃ≦１.８、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす数である。）
    で表される接着促進剤　０.１～５０質量部、および
    （Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
    から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。
  2. 　（Ａ）成分が、平均単位式：
    (Ｒ１Ｒ５ ２ＳiＯ１/２)ｄ(Ｒ５ ２ＳiＯ２/２)ｅ(Ｒ４ＳiＯ３/２)ｆ
    （式中、Ｒ１およびＲ４は前記と同様の基であり、Ｒ５は同じかまたは異なる、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数６～２０のアリール基、もしくは炭素数７～２０のアラルキル基であり、ｄ、ｅ、およびｆは、それぞれ、０.０１≦ｄ≦０.５、０≦ｅ≦０.７、０.１≦ｆ＜０.９、かつｄ＋ｅ＋ｆ＝１を満たす数である。）
    で表され、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンレジンを含む、請求項１に記載の硬化性シリコーン組成物。
  3. 　（Ａ）成分が、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンを含む、請求項１または２に記載の硬化性シリコーン組成物。
  4. 　（Ｃ）成分中のＲ３がグリシドキシアルキル基、エポキシシクロヘキシルアルキル基、またはエポキシアルキル基である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物。
  5. 　さらに、（Ｅ）ヒドロシリル化反応抑制剤｛（Ａ）成分～（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０.０１～３質量部｝を含有する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物。
  6. 　請求項１乃至５のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子が封止されている光半導体装置。
PCT/JP2015/002716 2014-06-03 2015-05-29 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置 WO2015186322A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020167036544A KR20170016382A (ko) 2014-06-03 2015-05-29 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 장치
US15/315,745 US10005906B2 (en) 2014-06-03 2015-05-29 Curable silicone composition, and optical semiconductor device
EP15803624.4A EP3153548A4 (en) 2014-06-03 2015-05-29 Curable silicone composition and optical semiconductor device
CN201580034920.8A CN106715591A (zh) 2014-06-03 2015-05-29 可固化有机硅组合物及光半导体装置
JP2016525683A JP6707446B2 (ja) 2014-06-03 2015-05-29 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-114513 2014-06-03
JP2014114513 2014-06-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015186322A1 true WO2015186322A1 (ja) 2015-12-10

Family

ID=54766407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/002716 WO2015186322A1 (ja) 2014-06-03 2015-05-29 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10005906B2 (ja)
EP (1) EP3153548A4 (ja)
JP (1) JP6707446B2 (ja)
KR (1) KR20170016382A (ja)
CN (1) CN106715591A (ja)
TW (1) TWI696664B (ja)
WO (1) WO2015186322A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018177837A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 信越化学工業株式会社 白色熱硬化性エポキシ・シリコーンハイブリッド樹脂組成物及び光半導体装置
JP2019087588A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び発光ダイオード素子

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018030287A1 (ja) 2016-08-08 2018-02-15 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法
JP7100636B2 (ja) 2017-06-19 2022-07-13 ダウ・東レ株式会社 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法
US11345837B2 (en) * 2017-07-06 2022-05-31 Nissan Chemical Corporation Temporary adhesive containing phenyl group-containing polysiloxane
TW202010632A (zh) * 2018-09-10 2020-03-16 美商陶氏有機矽公司 用於生產光學聚矽氧總成之方法、及藉其生產之光學聚矽氧總成
CN109536124A (zh) * 2018-12-07 2019-03-29 烟台德邦科技有限公司 一种零挥发份常温储存的高粘接性led固晶胶
JP2022020215A (ja) * 2020-07-20 2022-02-01 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
CN112251190B (zh) * 2020-09-10 2022-08-19 烟台德邦科技股份有限公司 一种led封装胶组合物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009235265A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2012012434A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
JP2013159670A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013159671A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013221075A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Ｌｅｄのリフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びにこれを用いたｌｅｄ用リフレクター及び光半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1036510A (ja) * 1996-07-26 1998-02-10 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 電気部品およびその製造方法
JP5392805B2 (ja) 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
JP5060074B2 (ja) 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
JP5667740B2 (ja) 2008-06-18 2015-02-12 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP5972512B2 (ja) * 2008-06-18 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP5170471B2 (ja) 2010-09-02 2013-03-27 信越化学工業株式会社 低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
EP2784128B1 (en) * 2011-11-25 2016-05-25 LG Chem, Ltd. Curable composition
CN103342816B (zh) * 2013-06-19 2016-08-17 广州慧谷化学有限公司 一种有机硅树脂及可固化有机聚硅氧烷组合物与应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009235265A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2012012434A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
JP2013159670A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013159671A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013221075A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Ｌｅｄのリフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びにこれを用いたｌｅｄ用リフレクター及び光半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3153548A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018177837A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 信越化学工業株式会社 白色熱硬化性エポキシ・シリコーンハイブリッド樹脂組成物及び光半導体装置
JP2019087588A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び発光ダイオード素子

Also Published As

Publication number Publication date
TWI696664B (zh) 2020-06-21
CN106715591A (zh) 2017-05-24
EP3153548A1 (en) 2017-04-12
JP6707446B2 (ja) 2020-06-10
KR20170016382A (ko) 2017-02-13
US10005906B2 (en) 2018-06-26
EP3153548A4 (en) 2018-01-31
US20170190911A1 (en) 2017-07-06
JPWO2015186322A1 (ja) 2017-04-20
TW201605981A (zh) 2016-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6460534B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
US9909007B2 (en) Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
JP6707446B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置
JP6212122B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
US9944772B2 (en) Organosiloxane, curable silicone composition, and semiconductor device
JP6059010B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP5985981B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6455886B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6628366B2 (ja) 有機ケイ素化合物、硬化性シリコーン組成物、および半導体装置
JP6105966B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
WO2015186323A1 (ja) 接着促進剤、硬化性シリコーン組成物、および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15803624

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016525683

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015803624

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015803624

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167036544

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15315745

Country of ref document: US