JP6628366B2 - 有機ケイ素化合物、硬化性シリコーン組成物、および半導体装置 - Google Patents
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Description
で表される。
で表される。
(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン 100質量部、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン{(A)成分と(C)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、0.1〜10.0モルのケイ素原子結合水素原子を提供する量}、
(C)上記の有機ケイ素化合物からなる接着促進剤 0.01〜50質量部、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進するに十分な量)
から少なくともなるものである。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、上記の有機ケイ素化合物を接着促進剤として配合することを特徴とする。このような硬化性シリコーン組成物の硬化機構は限定されず、ヒドロシリル化反応、縮合反応、ラジカル反応が例示され、好ましくは、ヒドロシリル化反応である。このヒドロシリル化反応で硬化する硬化性シリコーン組成物として、具体的には、
(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン 100質量部、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン{(A)成分と(C)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、0.1〜10.0モルのケイ素原子結合水素原子を提供する量}、
(C)上記の有機ケイ素化合物からなる接着促進剤 0.01〜50質量部、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなるものが好ましい。
ViMe2SiO(Me2SiO)xSiMe2Vi
ViPhMeSiO(Me2SiO)xSiMePhVi
ViPh2SiO(Me2SiO)xSiPh2Vi
ViMe2SiO(Me2SiO)x(Ph2SiO)x'SiMe2Vi
ViPhMeSiO(Me2SiO)x(Ph2SiO)x'SiPhMeVi
ViPh2SiO(Me2SiO)x(Ph2SiO)x'SiPh2Vi
ViMe2SiO(MePhSiO)xSiMe2Vi
MePhViSiO(MePhSiO)xSiMePhVi
Ph2ViSiO(MePhSiO)xSiPh2Vi
ViMe2SiO(Ph2SiO)x(PhMeSiO)x'SiMe2Vi
ViPhMeSiO(Ph2SiO)x(PhMeSiO)x'SiPhMeVi
ViPh2SiO(Ph2SiO)x(PhMeSiO)x'SiPh2Vi
HMe2SiO(Ph2SiO)ySiMe2H
HMePhSiO(Ph2SiO)ySiMePhH
HMeNaphSiO(Ph2SiO)ySiMeNaphH
HMePhSiO(Ph2SiO)y(MePhSiO)y'SiMePhH
HMePhSiO(Ph2SiO)y(Me2SiO)y'SiMePhH
(HMe2SiO1/2)c(PhSiO3/2)d
(HMePhSiO1/2)c(PhSiO3/2)d
(HMePhSiO1/2)c(NaphSiO3/2)d
(HMe2SiO1/2)c(NaphSiO3/2)d
(HMePhSiO1/2)c(HMe2SiO1/2)d(PhSiO3/2)e
(HMe2SiO1/2)c(Ph2SiO2/2)d(PhSiO3/2)e
(HMePhSiO1/2)c(Ph2SiO2/2)d(PhSiO3/2)e
(HMe2SiO1/2)c(Ph2SiO2/2)d(NaphSiO3/2)e
(HMePhSiO1/2)c(Ph2SiO2/2)d(NaphSiO3/2)e
(HMePhSiO1/2)c(HMe2SiO1/2)d(NaphSiO3/2)e
(HMePhSiO1/2)c(HMe2SiO1/2)d(Ph2SiO2/2)e(NaphSiO3/2)f
(HMePhSiO1/2)c(HMe2SiO1/2)d(Ph2SiO2/2)e(PhSiO3/2)f
本発明の半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする。このような本発明の半導体装置としては、発光ダイオード(LED)、フォトカプラー、CCDが例示される。また、半導体素子としては、発光ダイオード(LED)チップ、固体撮像素子が例示される。
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン 400g(2.02mol)および1,3−ジビニル−1,3−ジフェニルジメチルジシロキサン 93.5g(0.30mol)を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 1.74g(11.6mmol)を投入し、撹拌下、水 110g(6.1mol)を投入し、2時間加熱還流を行った。その後、85℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン 89gおよび水酸化カリウム 1.18g(21.1mmol)を投入し、反応温度が120℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で6時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 0.68g(11.4mmol)を投入し、中和した。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去して、平均単位式:
(MePhViSiO1/2)0.23(PhSiO3/2)0.77
で表されるオルガノポリシロキサンレジン 347g(収率:98%)を調製した。
反応容器に、環状メチルビニルシロキサン 30g、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液 0.011gを加え、100℃に加熱した。次に、式:
反応容器に、環状メチルビニルシロキサン 20g、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液 0.013gを加え、100℃に加熱した。次に、式:
反応容器に、環状メチルビニルシロキサン 15g、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液 0.01gを加え、100℃に加熱した。次に、式:
反応容器に、テトラキスビニルジメチルシロキシシラン 30g、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液 0.01gを加え、80℃に加熱した。次に、式:
環状メチルハイドロジェンシロキサン 50g(0.835mol)、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液 9.8マイクロリットルの混合溶液に、アリルグリシジルエーテル 47.7g(0.418mol)を70℃で滴下した。滴下終了後、2時間加熱して、ガスクロマトグラフィーにより反応混合物中にアリルグリシジルエーテルがないことを確認した。その後、減圧下、低沸分を除去し、透明液体を得た。この液体は、29Si−NMR分析の結果、−32.9ppm、−17.7〜−16.2ppm付近にシグナルが見られることから、平均式:
下記の成分を用いて、表1に示した組成の硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、表1中、(D)成分の含有量は、質量単位における、硬化性シリコーン組成物に対する白金金属の含有量(ppm)で示した。また、表1中のH/Viは、(A)成分と(C)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対する、(B)成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数を示す。
(A−1)成分: 平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.2(PhSiO3/2)0.8
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=4.1質量%)
(A−2)成分: 平均単位式:
(MePhViSiO1/2)0.23(PhSiO3/2)0.77
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=4.59質量%)
(A−3)成分: 25℃における粘度が3,000mPa・sである、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン(ビニル基の含有量=1.8質量%)
(B−1)成分: 式:
HMe2SiOPh2SiOSiMe2H
で表されるオルガノトリシロキサン
(C−1)成分: 実施例1で調製した接着促進剤
(C−2)成分: 実施例2で調製した接着促進剤
(C−3)成分: 実施例3で調製した接着促進剤
(C−4)成分: 実施例4で調製した接着促進剤
(C−5)成分: 25℃における粘度が30mPa・sである分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの縮合反応物からなる接着付与剤(ビニル基の含有量=5.6質量%)
(C−6)成分: 平均式:
(C−7)成分: 参考例1で調製した接着促進剤
(D−1)成分: 白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサンの溶液(白金として0.1質量%含有する溶液)
2枚のアルミニウム板、銀板、ポリフタルアミド板(幅25mm、長さ75mm、厚さ1mm)間にポリテトラフルオロエチレン樹脂製スペーサ(幅10mm、長さ20mm、厚さ1mm)を挟み込み、その隙間に硬化性シリコーン組成物を充填し、クリップで留め、150℃の熱風循環式オーブン中に1時間保持して硬化させた。室温に冷却後、クリップとスペーサを外して引張試験機により該アルミニウム板を水平反対方向に引っ張って、破壊時の応力を測定した。
底部が塞がった円筒状のポリフタルアミド(PPA)樹脂製枠材5(内径2.0mm、深さ1.0mm)の内底部の中心部に向かってリードフレーム2、3が側壁から延出しており、リードフレーム2の中央部上にLEDチップ1が載置されており、LEDチップ1とリードフレーム3はボンディングワイヤ4により電気的に接続している未封止の半導体装置内に、硬化性シリコーン組成物を脱泡してディスペンサーを用いて注入した。その後、1次硬化温度(70℃)で1時間、次いで、2次硬化温度(150℃)で1時間保持することにより硬化性シリコーン組成物を硬化させ、図1に示す表面実装型の発光ダイオード(LED)を作製した。
上記の方法で作製した16個の発光ダイオードを、市販の赤インクに浸漬し、50℃で24時間放置した。放置後、顕微鏡で赤インクのLED内への浸漬を調査し、次のように評価した。
◎: インクの浸漬が確認された発光ダイオードが2個以下である。
△: インクの浸漬が確認された発光ダイオードが3個〜8個である。
×: インクの浸漬が確認された発光ダイオードが9個以上である。
上記の方法で作製した16個の発光ダイオードを、1時間で−40℃⇔125℃の温度で1000サイクル放置し、通電してLEDの点灯を調査し、次のように評価した。
◎: 点灯が確認された発光ダイオードが14個以上である。
○: 点灯が確認された発光ダイオードが8個〜13個である。
△: 点灯が確認された発光ダイオードが7個以下である。
次の成分を表2に示す組成で均一に混合して実施例10〜11及び比較例6の硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、表2中、(D)成分の含有量は、質量単位における、硬化性シリコーン組成物に対する白金金属の含有量(ppm)で示した。また、表2中のH/Viは、(A)成分と(C)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対する、(B)成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数を示す。
(A−4)成分: 25℃における粘度が10,000mPa・sである、平均式:
Me2ViSiO(Me2SiO)500SiMe2Vi
で表されるオルガノポリシロキサン〔ビニル基の含有量0.15wt%)〕
(A−5)成分: 25℃において白色固体状で、トルエン可溶性である、平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.40(SiO4/2)0.50(HO1/2)0.0001
で表される一分子中に2個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサンレジン(ビニル基の含有量=3.39量%)
(A−6)成分: 粘度300mPa・sであり、平均式:
Me2ViSiO(Me2SiO)150SiMe2Vi
で表されるオルガノポリシロキサン〔ビニル基の含有量0.48wt%)〕
(A−7)成分: 25℃において白色固体状で、トルエン可溶性である、平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.06(Me3SiO1/2)0.44(SiO4/2)0.50(HO1/2)0.0001
で表される一分子中に2個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサンレジン(ビニル基の含有量=5.4質量%)
(A−8)成分: 平均式:
Me2ViSiO(Me2SiO)300SiMe2Vi
で表されるオルガノポリシロキサン〔ビニル基の含有量0.24wt%)〕
(B−3)成分: 25℃における粘度が5mPa・sである、平均式:
Me3SiO(MeHSiO)mSiMe3
で表される分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ポリメチルハイドロジェンシロキサン(ケイ素原子結合水素原子含有量=1.4質量%)
(E−1)成分:1−エチニルシクロヘキサノール
2枚のアルミニウム板、銀板、ポリフタルアミド板(幅25mm、長さ75mm、厚さ1mm)間にポリテトラフルオロエチレン樹脂製スペーサ(幅10mm、長さ20mm、厚さ1mm)を挟み込み、その隙間に硬化性シリコーン組成物を充填し、クリップで留め、150℃の熱風循環式オーブン中に1時間保持して硬化させた。室温に冷却後、クリップとスペーサを外して引張試験機により該アルミニウム板を水平反対方向に引っ張って、破壊時の応力を測定した。
2 リードフレーム
3 リードフレーム
4 ボンディングワイヤ
5 枠材
6 硬化性シリコーン組成物の硬化物
Claims (8)
- 請求項1または2に記載の有機ケイ素化合物からなる接着促進剤。
- 請求項1または2に記載の有機ケイ素化合物を接着促進剤として含有する硬化性シリコーン組成物。
- ヒドロシリル化反応で硬化する請求項4に記載の硬化性シリコーン組成物。
- ヒドロシリル化反応で硬化する硬化性シリコーン組成物が、
(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン 100質量部、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン{(A)成分と(C)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、0.1〜10.0モルのケイ素原子結合水素原子を提供する量}、
(C)請求項1または2に記載の有機ケイ素化合物からなる接着促進剤 0.01〜50質量部、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進するに十分な量)
から少なくともなる、請求項5記載の硬化性シリコーン組成物。 - 半導体素子が、請求項4乃至6のいずれか1項に記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物により封止されていることを特徴とする半導体装置。
- 半導体素子が発光素子である、請求項7に記載の半導体装置。
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