WO2015182887A1 - 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2015182887A1
WO2015182887A1 PCT/KR2015/004248 KR2015004248W WO2015182887A1 WO 2015182887 A1 WO2015182887 A1 WO 2015182887A1 KR 2015004248 W KR2015004248 W KR 2015004248W WO 2015182887 A1 WO2015182887 A1 WO 2015182887A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
formula
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2015/004248
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2015182887A9 (ko
Inventor
김훈
김창우
유은선
정성현
정호국
강기욱
강의수
김윤환
류동완
박재한
정우석
조평석
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150059142A external-priority patent/KR101878398B1/ko
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Priority to CN201580020568.2A priority Critical patent/CN106232768B/zh
Publication of WO2015182887A1 publication Critical patent/WO2015182887A1/ko
Publication of WO2015182887A9 publication Critical patent/WO2015182887A9/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/06—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers

Definitions

  • An organic optoelectronic device and a display device An organic optoelectronic device and a display device.
  • Organic optoelectronic diodes (organic optoelectrk diode) is a device that can switch between electrical energy and light energy.
  • Organic photovoltaic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is an optoelectronic device in which an exciton formed by light energy is separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to other electrodes, respectively, to generate electrical energy.
  • It is a light emitting device that generates light energy from electrical energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photo conductor drum.
  • organic light emitting diodes (OLEDs) have attracted much attention recently as demand for flat panel displays increases.
  • the organic light emitting device converts electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting device has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode. .
  • One embodiment provides an organic optoelectronic device capable of simultaneously implementing high efficiency and long life characteristics.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 divalent heterocyclic group, these Or a fused ring of combinations thereof,
  • Ar 1 to Ar 3 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocyclic group, a combination thereof or a fusion ring thereof
  • At least one of Ar 1 to Ar 3 is one of a group represented by the following formula (A), a group represented by the combination of the following formula B and the formula (C) or a combination of the following formula B and the formula (D),
  • X and Z are 0, S or CR a R b ,
  • R 1 to R 4 , R a to! are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, a substituted or Unsubstituted CI to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C3 to C20
  • Cycloalkoxy group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthio group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group, Substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthio group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted
  • R 1 and R 2 are each independently present or form a fused ring with each other,
  • R 3 and R 4 are each independently present or form a fused ring with each other,
  • Y 1 , Y la and Y lb are each independently a single bond, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 divalent heterocyclic group, a combination thereof or a fused ring of a combination thereof,
  • Ar 4 , Ar 4a and Ar 4b are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 avalur substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • Two adjacent * of Formula 3 are fused with two * of Formula 4, two unfused * of Formula 3 are CR 5 , CR 6 , respectively,
  • R 5 to R 10 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 ⁇ C50 heterocyclic group, or a combination thereof ego,
  • R 5 and R 6 are each independently present or connected to each other to form a ring
  • R 7 and R 8 are each independently present or connected to each other to form a ring
  • R 9 and R 10 are each independently present or connected to each other to form a ring
  • At least one includes a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, or a substituted or unsubstituted carbazolyl group,
  • At least one of R 5 to R 10 , Ar 4a and Ar 4b of Formula 3 or 4 includes a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, or a substituted or unsubstituted carbazolyl group .
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic optoelectronic device according to an embodiment. [Best form for implementation of the invention]
  • substituted means that at least one hydrogen in a substituent or compound is a deuterium, halogen group, hydroxy group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C6 to C30 heterocyclic group, C1 to C20 alkoxy group Mean substituted by a C1 to C10 trifluoroalkyl group or a cyano group, such as a, fluoro group, and trifluoromethyl group.
  • C1 to C10 trifluoroalkyl groups such as heterocycloalkyl groups, C6 to C30 aryl groups, C6 to C30 heterocyclic groups, C1 to C20 alkoxy groups, fluoro groups, and trifluoromethyl groups
  • two adjacent substituents of the cyano group may be fused to form a ring.
  • the substituted C6 to C30 aryl group may be fused to another adjacent substituted C6 to C30 aryl group to form a substituted or unsubstituted fluorene ring.
  • hetero means at least one hetero atom selected from the group consisting of ⁇ , ⁇ , S, P, and Si in one functional group, and the remainder is carbon unless otherwise defined.
  • aryl group refers to a group having one or more hydrocarbon aromatic moieties and is broadly a form in which hydrocarbon aromatic moieties are connected in a single bond and non-aromatic in which the hydrocarbon aromatic moieties are fused directly or indirectly. Also included are fused rings. Aryl groups are monocyclic, polycyclic or fused
  • heterocyclic group is a concept comprising a heteroaryl group, in addition to carbon (C) in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof. It means containing at least one hetero atom selected from N, 0, S, P and Si.
  • the heterocyclic group may include one or more heteroatoms for all or each ring.
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl group, substituted or unsubstituted
  • Phenanthryl group substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted or unsubstituted m-terphenyl group, substituted Or an unsubstituted chrysenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group, a substituted or unsubstituted indenyl group, a substituted or unsubstituted furanyl group, a substituted or unsubstituted thiophenyl group , Substituted or unsubstituted pyryl group, substituted or unsubstituted pyrazolyl group, substituted or unsubstituted imidazolyl group, substituted or un
  • Benzoxazineyl group substituted or unsubstituted benzthiazinyl group, substituted or unsubstituted acridinyl group, substituted or unsubstituted phenazineyl group, substituted or unsubstituted phenothiazineyl group substituted or unsubstituted phenoxazineyl group , Substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, a combination thereof, or a combination thereof It may be, but is not limited thereto.
  • a substituted or unsubstituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group or a substituted or unsubstituted divalent heterocyclic group is a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group as defined above.
  • linking groups for example, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalene group, a substituted or unsubstituted anthracenylene group, a substituted or unsubstituted phenanthrylene group, a substitution Or an unsubstituted naphthaceneylene group, a substituted or unsubstituted pyrenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted quarterphenylene group, a substituted or unsubstituted CREE Senylene group, substituted or unsubstituted triphenylenylene group, substituted or unsubstituted perenylene group, substituted or unsubstituted indenylene group, substituted or unsubstituted A substituted furany
  • Oxadiazolylene group substituted or unsubstituted thiadiazolylene group, substituted or unsubstituted pyridinylene group, substituted or unsubstituted pyrimidinylene group, substituted or unsubstituted
  • Benzofuranylene group substituted or unsubstituted benzothiophenylene group, substituted or unsubstituted benzimidazolylene group, substituted or unsubstituted indolylene group, substituted or unsubstituted quinolinylene group, substituted or unsubstituted Isoquinolinyl group, substituted or unsubstituted quinazolinyl group, substituted or unsubstituted quinoxalinylene group, substituted or unsubstituted Naphthyridinylene group, substituted or unsubstituted benzoxazinylene group, substituted or unsubstituted benzthiazinylene group, substituted or unsubstituted acridinylene group, substituted or unsubstituted phenazineylene group, substituted or unsubstituted Phenothiazineylene groups, substituted or unsubstituted
  • Phenoxazineylene groups substituted or unsubstituted fluorenylene groups, substituted or unsubstituted
  • a dibenzofuranylene group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group, a substituted or unsubstituted carbazolene group, a combination thereof, or a combination thereof may be in a fused form, but is not limited thereto.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and injecting holes formed at the anode into the light emitting layer having conductive properties along the HOMO level, and emitting layer. It refers to a property that facilitates the movement of the hole formed in the anode and movement in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic that can receive electrons when an electric field is applied, and has a conductivity characteristic along the LUMO level, and injects electrons formed in the cathode into the light emitting layer, moves electrons formed in the light emitting layer to the cathode, and It means a property that facilitates movement.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as the device can switch electrical energy and light energy, and examples thereof include organic photoelectric devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photosensitive drums.
  • an organic light emitting device as an example of an organic optoelectronic device will be described as an example, but the present invention is not limited thereto and may be similarly applied to other organic optoelectronic devices.
  • organic light emitting diodes 300 face each other.
  • the anode 110 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 1 10 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); Combinations of oxides with metals such as ZnO and A1 or Sn0 2 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene) (polyehtylenedioxythiophene: PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like. It is not.
  • the cathode 120 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the cathode 120 is, for example, a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or an alloy thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al, Li0 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer 130 is positioned between the anode 110 and the cathode 120, and includes at least one kind of host and at least one kind of dopant.
  • the dopant is a substance that is lightly mixed with the host to cause light emission.
  • the dopant may be, for example, an inorganic, organic, or inorganic compound, and may be included in one kind or two or more kinds.
  • Examples of the dopant include an organometallic compound including Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, or a combination thereof.
  • the dopant may be, for example, a compound represented by Chemical Formula z, but is not limited thereto.
  • ⁇ is a metal
  • L and X are the same or different from each other and a ligand to form a complex with M.
  • M may be, for example, Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, R, Pd or a combination thereof, wherein L and X are for example bidentate It may be a ligand.
  • the hole transport layer 141 is located between the anode 1 10 and the light emitting layer 130,
  • the hole transport layer 141 may include a material having a HOMO energy level between the work function of the conductor constituting the anode 1 10 and the HOMO energy level of the material constituting the light emitting layer 130. .
  • the hole transport auxiliary layer 142 may be positioned between the hole transport layer 141 and the light emitting layer 130 and particularly in contact with the light emitting layer 130.
  • the hole transport auxiliary layer 142 may be positioned in contact with the light emitting layer 130 to precisely control the mobility of holes at the interface between the light emitting layer 130 and the hole transport layer 141.
  • the hole transport auxiliary layer 142 may include a plurality of layers.
  • the hole transport auxiliary layer 142 may include a plurality of compounds having different energy levels.
  • the hole transport auxiliary layer 142 may include a plurality of compounds having different HOMO energy levels associated with hole mobility.
  • one of the plurality of compounds may be a compound having a relatively high HOMO energy level and the other compound may be a compound having a relatively low HOMO energy level.
  • the high HOMO energy level means that the absolute value is large with a vacuum level of OeV 'and the low HOMO energy level means that the absolute value is small with a vacuum level of OeV'.
  • a compound having a relatively high HOMO energy level and a compound having a relatively low HOMO energy level are a relative concept and have a HOMO energy with a material forming the hole transport layer 141 among materials having a higher HOMO energy level than a material forming the hole transport layer 141.
  • a material having a relatively high level difference corresponds to an electron, that is, a compound having a relatively high HOMO energy level, and a material having a relatively small difference in HOMO energy level from a material forming the hole transport layer 141 is the latter, that is, a HOMO energy level. May correspond to relatively low compounds.
  • a compound having a relatively high HOMO energy level and a relatively low HOMO energy level are included.
  • the benefits of the compounds can be used to improve efficiency and lifetime at the same time.
  • an organic optoelectronic device using a plurality of compounds having different HOMO energy levels together increases hole mobility by reducing the difference in HOMO energy levels between the hole transport layer 141 and the light emitting layer 130, thereby increasing the hole transport layer 141 and the hole.
  • Holes can be prevented from accumulating at the interface between the transport auxiliary layer 142 or the hole transport auxiliary layer 142 and the light emitting layer 130. Accordingly, holes and axtones are combined and extinguished at the interface of each layer. The quenching can be reduced. Accordingly, the device can be stabilized by preventing or preventing deterioration of the device, and the initial efficiency reduction can be greatly reduced compared to a device without the hole transport supplement 142, thereby improving efficiency and lifetime.
  • the hole transport auxiliary layer 142 may include a plurality of compounds having different energy levels mixed in one layer, and may include, for example, a first compound and a second compound having different HOMO energy levels. .
  • the first compound and the second compound may have a uniform mixing ratio along the thickness direction of the hole transport auxiliary layer.
  • HOMO energy level of the first compound and the second compound is
  • Equation 1 £ is the HOMO energy level of the first compound, E H p2 is the HOMO energy level of the second compound.
  • One of the first compound and the second compound may be a compound having a relatively high HOMO energy level, and the other of the first compound and the second compound may be a compound having a relatively low HOMO energy level. have.
  • HOMO energy level of the C1 compound and the second compound may be, for example, about O.OleV or more, for example about 0.02eV or more, for example about 03eV or more, for example about 0.05eV or more.
  • HOMO energy levels of the first compound and the crab compound 2 may be represented by at least one of the following relations la to Id.
  • the difference between the HOMO energy levels of the first compound and the crab compound 2 may be about 0.5 eV or less within the above range. By having the above range, substantial hole injection from the anode 1 10 to the light emitting layer 130 can be facilitated.
  • the difference in HOMO energy levels of the first compound and the crab 2 compound within the range may be, for example, about 0.4 eV or less, for example, about 0.3 eV or less.
  • the HOMO energy levels of the first compound and the second compound may be represented by at least one of the following relations 2a to 2c.
  • the HOMO energy level of the first compound and the first compound may be represented by at least one of the following relations 3a to 5e.
  • the hole transport auxiliary layer 142 may include a plurality of layers.
  • the Crab 1 compound and the Crab 2 compound may be included in a layer in contact with the light emitting layer 130 of the plurality of hole transport auxiliary layers 142. Can be.
  • the first compound and the second compound may each have a HOMO energy level of, for example, about ⁇ 5.45 eV to ⁇ 5.80 eV, and may satisfy the relations within the above range.
  • the hole transport supplement 142 may be located between the light emitting layer 130 and the hole transport layer 141 to block electrons from moving from the light emitting layer 130 to the hole transport layer 141. Accordingly, by effectively trapping electrons in the light emitting layer 130, it is possible to increase axtone generation in the light emitting layer 130 and to prevent excitons from being generated at the interface between the light emitting layer 130 and the hole transport layer 141. As a result, the efficiency can be increased.
  • the hole transport auxiliary layer 142 includes the compound 11 and the compound 2, the LUMO energy level of the compound 1 and the compound 2 may further satisfy the following relations 6 to 9. .
  • £ ⁇ is the LUMO energy level of the Crab 1 compound
  • E L p2 is the LUMO energy level of the Crab 2 compound
  • E L h0St is the LUMO energy level of the host of the light emitting layer
  • E L dopant is the LUMO energy level of the dopant of the light emitting layer.
  • the hole transport auxiliary layer 142 may increase efficiency by effectively blocking the movement of electrons from the light emitting layer 130 by including the first compound and the second compound satisfying the above relations 6 to 9.
  • the first compound and the second compound may each have a LUMO energy level of, for example, about ⁇ 2.10 eV to ⁇ 2.50 eV, and may satisfy the relations within the above range.
  • the hole transport auxiliary layer 142 is located between the light emitting layer 130 and the hole transport layer 141 may block the movement of the axtone from the light emitting layer 130 to the hole transport layer 141 side. Accordingly, to increase the luminous efficiency in the light emitting layer 130 by effectively confining axial tonol the light emitting layer 130, and can reduce the loss of axial tone. As a result, the efficiency can be increased.
  • the triplet energy level of the U compound and the 12 compound may further satisfy, for example, the following relations 10 to 13. have. [Relationship 10]
  • ⁇ ⁇ ⁇ 1 is to a triplet energy level of the first compound ⁇ ⁇ ⁇ 2 is the second compound triplet energy level and the E T h0St is a triplet energy level of the emissive layer host E T dopant is a triplet of the light-emitting layer dopyeon root of Energy level
  • the hole transport auxiliary layer 142 may include the first compound and the second compound satisfying the above relations 10 to 13 to effectively block the movement of the axtone from the light emitting layer 130 to increase efficiency.
  • the first compound and the second compound may each have a triplet energy level of, for example, about 2.35 eV to 2.80 eV, and satisfy the relations within the above range.
  • the first compound and the crab compound 2 may be selected from a compound satisfying the above-described energy level, for example, the crab compound 1 may be a compound represented by the following formula (1) and the crab compound 2 is represented by the formula (2) Or a compound represented by a combination of the following Chemical Formulas 3 and 4.
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 internal C30 An arylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 divalent heterocyclic group, a combination thereof or a fused ring of a combination thereof,
  • Ar 1 to Ar 3 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocyclic group, a combination thereof or a fused ring thereof,
  • At least one of Ar 1 to Ar 3 is one of a group represented by the following formula A, a group represented by the following formula B, or a combination of the following formula B and the following formula D,
  • X and Z are 0, S or CR a R b ,
  • R 1 to R 4 , R a to R c are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group , Substituted or unsubstituted C3 to C20
  • Cycloalkoxy group a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or non "substituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group , Substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthio group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 amino group, substituted or unsubstituted C3 to C30 silyl group, halogen, cyano group A nitro group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a combination thereof, a fused ring of a combination thereof, or a connection point with at least one of L 1 to L 3 of Formula 1,
  • R 1 and R 2 are each independently present or form a fused ring with each other,
  • R 3 and R 4 are each independently present or form a fused ring with each other, [Formula 2] [Formula 3] [Formula 4]
  • ⁇ 1 , ⁇ 3 and y lb are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted ci to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or Unsubstituted C2 to C30 divalent heterocyclic group, a combination thereof or a fused ring of a combination thereof,
  • Ar 4 , Ar 4a and Ar 4b are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • Two adjacent * of Formula 3 are fused with two * of Formula 4, two unfused * of Formula 3 are CR 5 , CR 6 , respectively,
  • R 5 to R 10 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 ⁇ C50 heterocyclic group, or a combination thereof ego,
  • R 5 and R 6 are each independently present or connected to each other to form a ring
  • R 7 and R 8 are each independently present or connected to each other to form a ring
  • R 9 and R 10 are each independently present or connected to each other to form a ring
  • R 5 to R 8 and Ar 4 of Formula 2 At least one includes a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, or a substituted or unsubstituted carbazolyl group,
  • At least one of R 5 to R 10 , Ar 4a and Ar 4b of 4 includes a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, or a substituted or unsubstituted carbazolyl group.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 is an amine compound substituted with a fused ring, and may satisfy the above-described energy level.
  • Ar 1 to Ar 3 may be the same as or different from each other, at least one of Ar 1 to Ar 3 is a group represented by the formula A, a group consisting of a combination of the formula B and the formula c and the It may be one selected from the group consisting of a combination of formula (B) and formula (D), for example, a group represented by the formula (A) in the formula (1), a group consisting of a combination of the formula B and the formula C and / or the formula B and One group consisting of a combination of the formula (D) may be included in one to three.
  • the group represented by the formula (A), the group represented by the combination of the formula B and the formula C and / or the group represented by the combination of the formula B and the formula (D) is one to three, at least One X may be O or S.
  • Ar 1 to Ar 3 of Chemical Formula 1 each other except for a group represented by the combination of Chemical Formula A, Chemical Formula B and Chemical Formula C and / or a group represented by the chemical formula B and Chemical Formula D, Or a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocyclic group, a combination thereof, or a fused ring thereof.
  • each of the groups may be independently It may be one of the groups listed in 1, but is not limited thereto.
  • R 75 to R 117 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C5 to C30 arylthio group, substituted or unsubstituted C1 to C30
  • Formula 1 may be represented by, for example, the following Formula 1-1 to the number and type of groups represented by the combination of Formula A, Formula B and Formula C and / or groups represented by the combination of Formula B and Formula D. It may be a compound represented by any one of 1-VIII. [Formula ii] [1- ⁇ ]
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30
  • a cycloalkylene group a substituted or unsubstituted C2 to C30 divalent heterocyclic group, a combination thereof or a fused ring of a combination thereof,
  • Ar 2 and Ar 3 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocyclic group, a combination thereof or a fusion ring thereof,
  • X a to ⁇ are each independently 0, S or CR a R b ,
  • R lb , R 2a to R 2c , R 3a to R 3c , R 4a to R 4c , R a and R b are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 To C20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthio group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aralkyl group , Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthio group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic
  • At least one of X a to X c may be each independently 0 or S.
  • the Crab 2 compound is a compound capable of satisfying the above-described energy level in relation to the first compound, and is a carbazole compound substituted with an aryl group, triphenylene group, or carbazole group.
  • the compound represented by Chemical Formula 2 may be, for example, one of the compounds represented by any one of the following Chemical Formulas 2-1 to 2-IV.
  • Y 1 to Y 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a divalent substitution or Unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, a combination thereof or a fused ring of a combination thereof,
  • Ar 4 and Ar 5 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group or a combination thereof,
  • Ar 4a is each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group
  • R 5 to R 20 are each independently hydrogen, hydrogen, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C50 heterocyclic group, or Combination of these.
  • the compound represented by the combination of Chemical Formulas 3 and 4 may be, for example, one of the compounds represented by any one of the following Chemical Formulas 3-1 to 3-VII.
  • Y la and Y lb are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 divalent heterocyclic group, a combination thereof or a fused ring of a combination thereof,
  • Ar 4a and Ar 4b are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • R 5 to R 10 , R d and R e are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C50 heterocycle Groups or a combination thereof, R 5 and R 6 are each independently present or connected to each other to form a ring, R 7 and R 8 are each independently present or connected to each other to form a ring, R 9 and R 10 are each independently present or each other Connected to form a ring, R d and R e are each independently present or connected to each other to form a ring, and at least one of R 5 to R 10 , Ar 4a and Ar 4b is substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl Groups, substituted or unsubstituted triphenylene groups, or substituted or unsubstituted carbazolyl groups.
  • the first compound may be, for example, one of compounds represented by Formulas F-1 to F-184, G-1 to G-184, H-1 to H-204, and I-1 to 1-65, but It is not limited.
  • the second compound may be, for example, one of compounds represented by B-10 to B-132, C-10 to C-33, or D-10 to D-31, but is not limited thereto.
  • An example of this is as follows.
  • the hole transport layer 141 is not particularly limited, but may include, for example, a compound represented by the following Chemical Formula 3. [Chemistry 3]
  • R 1 18 to R 121 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof Is,
  • R 1 18 and R 1 19 are each independently present or form a fused ring with each other
  • R 120 and R 121 are each independently present or form a fused ring with each other
  • Ar 6 to Ar 8 are each independently substituted or unsubstituted A substituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group
  • L 4 to L 7 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkynylene group, a substituted or unsubstituted A substituted C6 to C30 arylene group, a divalent substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof.
  • Ar 6 of Formula 3 may be a substituted or unsubstituted phenyl group, or a substituted or unsubstituted biphenyl group
  • Ar 7 and Ar 8 of Formula 3 may each independently be a substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or Unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted fluorene group, substituted or unsubstituted bisfluorene group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or unsubstituted anthracene group, substituted or unsubstituted terphenyl group, It may be either a substituted or unsubstituted dibenzofuran group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group.
  • the compound represented by Chemical Formula 3 may be, for example one of the compounds represented by the following J-1 to J-144, but is not limited thereto.
  • the organic layer 105 includes a hole injection layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and / or in addition to the above-described light emitting insect 130, the hole transport auxiliary layer 142, and the air transport layer Ml. It may further include a hole blocking layer.
  • the organic light emitting element 300 forms an anode or a cathode on a substrate
  • the organic layer After forming the organic layer by a dry film method such as evaporation, sputtering, plasma plating and ion plating or a solution process such as inkjet printing, spin coating, slit coating, bar coating and / or dip coating, It can be produced by forming a cathode or an anode thereon.
  • a dry film method such as evaporation, sputtering, plasma plating and ion plating or a solution process such as inkjet printing, spin coating, slit coating, bar coating and / or dip coating
  • the organic light emitting diode described above may be applied to an organic light emitting diode display.
  • Biphenykarbazolyl bromide 13. lg (32.89 mmol), 13.14 g (36.18 mmol) m-biphenylcarbazolylboronic acid and 13.64 g (98.676 mmol) potassium tetracarbonate in a round bottom flask Kiss- (triphenylphosphine) palm (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ) L14 g (0.99 mmmol) to 130 ml of toluene, It was suspended in 55 ml of distilled water and stirred under reflux for 12 hours. next
  • HOMO energy level is diluted to a concentration of lxl (T 5 M) of each compound in CHC1 3 , using a Shimadzu UV-350 Spectrometer (Shimadzu UV-350 Spectrometer), after measuring the UV absorption spectrum at room temperature, the absorption Calculations were made using the optical band gap (Eg) from the edge of the spectrum (e dg e ).
  • LUMO energy level is Cyclic voltammetry (CV) (electrolyte: 0.1 M BU 4 NCIO4 I solvent: CH 2 C1 2 I electrode: 3 electrode system (working electrode: GC, reference electrode: Ag / AgCl, auxiliary electrode: Pt))
  • CV Cyclic voltammetry
  • the T1 energy level is a mixture of MTHF and each compound (dissolved 1 mg of each compound in 3 cc of MTHF) in a quartz cell, followed by liquid nitrogen (77K) and a photoluminescence measuring instrument. Photoluminescence spectra were measured and compared with normal room temperature photoluminescence spectra to calculate only peaks observed only at low temperatures.
  • Indium tin oxide (A) 1500 A thin glass substrate coated with a thin film was washed with distilled water ultrasonically. After the washing using distilled water was transferred to the substrate with isopropyl alcohol or acetone, and then after the ultrasonic cleaning of the methane in a solvent such as dried was transferred to a plasma cleaner by using the following oxygen plasma cleaning the substrate 5 minutes vacuum, deposition .
  • N-([l, l'-biphenyl] -4-yl) -9,9-dimethyl-N- (4- (9-phenyl-9H-carbazol) was prepared on the ⁇ substrate using the prepared ⁇ transparent electrode as an anode.
  • Example 2 Of 8- (4- (4, 6- di (naphthalen-2-yl) -l, 3,5-triazin-2-yl) phenyl) quinoline in the emission layer by vacuum deposition to form an electron transport layer of 250A thickness .
  • the organic light emitting device was manufactured by sequentially depositing LiF lOA and A1 1000A on the electron transport layer to form a cathode.
  • Example 2
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that 1-61 obtained in Synthesis Example 1 and C-10 obtained in Synthesis Example 2 were used at a ratio of 3: 7 (wt / wt).
  • Example 3
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the ratio of 1-61 obtained in Synthesis Example 1 and 7: 3 (wt / wt) of C-10ol obtained in Synthesis Example 2.
  • Example 4
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using B-1 17 obtained in Synthesis Example 8 instead of C-10 obtained in Synthesis Example 2.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using B-1 15 obtained in Synthesis Example 6 instead of C-10 obtained in Synthesis Example 2.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using H-204 obtained in Synthesis Example 13 instead of 1-61 obtained in Synthesis Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using 1-64 obtained in Synthesis Example 16 instead of 1-61 obtained in Synthesis Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using D-30 obtained in Synthesis Example 11 instead of C-10 obtained in Synthesis Example 2.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using B-43 obtained in Synthesis Example 4 instead of C-10 obtained in Synthesis Example 2.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using D-31 obtained in Synthesis Example 12 instead of C-10 obtained in Synthesis Example 2.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using B-1 14 obtained in Synthesis Example 5 instead of C-10 obtained in Synthesis Example 2.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using 1-62 obtained in Synthesis Example 14 instead of 1-61 obtained in Synthesis Example 1 and B-1 16 obtained in Synthesis Example 7 instead of C-10. It was.
  • An organic light emitting device was manufactured.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using B-1 18 obtained in Synthesis Example 9 instead of C-10 obtained in 2.
  • Example 3 In the same manner as in Example 1 except that it was used in a ratio of l (wt / wt)
  • An organic light emitting device was manufactured.
  • Synthesis Example 1-64 obtained in Synthesis Example 16 was used instead of 1-61 in Synthesis Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using C-23 obtained in Synthesis Example 10 instead of C-10 obtained in 2.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the hole transport auxiliary layer was not formed.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the hole transport auxiliary layer was formed of 610,000.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the hole transport auxiliary layer was formed using only C-10 obtained in Synthesis Example 2 instead of 1-61 obtained in Synthesis Example 1 and C-10 obtained in Synthesis Example 2. .
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 4, except that the hole transport auxiliary layer was formed using only B-1 17 obtained in Synthesis Example 8 instead of B-1 17 obtained in Synthesis Example 1 and B-1 17 obtained in Synthesis Example 8. Prepared.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 12, except that the hole transport auxiliary layer was formed using only 1-62 obtained in Synthesis Example 14 instead of 1-62 obtained in Synthesis Example 14 and B-1 16 obtained in Synthesis Example 7. It was.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 6 except for forming a hole transport auxiliary layer using only H-204 obtained in Synthesis Example 13 instead of H-204 obtained in Synthesis Example 13 and C-10 obtained in Synthesis Example 2. .
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 14, except that the hole transport auxiliary layer was formed using only 1-63 obtained in Synthesis Example 15 instead of 1-63 obtained in Synthesis Example 15 and B-1 18 obtained in Synthesis Example 9. It was.
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 7, except that the hole transport auxiliary layer was formed using only 1-64 obtained in Synthesis Example 16 instead of 1-64 obtained in Synthesis Example 16 and C-10 obtained in Synthesis Example 2. .
  • the voltage was measured at the same luminance (750 cd / m 2) by using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0V to 10V.
  • the current value flowing through the unit device was measured by using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0V to 10V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
  • the resulting organic light emitting device was measured using a luminance meter (Minolta Cs-1000 A) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • the current efficiency (cd / A) of the same current density (10 mA / cm 2) was calculated using the brightness, current density, and voltage measured from (2) and (3).
  • the life characteristics were evaluated from the measurement by keeping the luminance (cd / m 2) at 6000 cd / m 2 and decreasing the current efficiency (cd / A) to 97%.
  • Comparative Example 8 B-1 18 42 Referring to Table 3, it can be seen that the organic light emitting diode according to the embodiments has a greatly improved lifespan characteristics compared to the organic light emitting diode according to each of the comparative examples including a single compound. .
  • the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various forms, and a person skilled in the art to which the present invention pertains has another specific form without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that the present invention may be practiced as. Therefore, the embodiments described above are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

서로 마주하는 애노드와 캐소드, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층， 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 수송층, 그리고 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송보조층을 포함하고， 상기 정공수송보조층은 화학식 1로 표현되는 게 1 화합물과 화학식 2 또는 3으로 표현되는 제 2 화합물을 포함하는 유기광전자소자 및 표시 장치에 관한 것이다. 화학식 1 내지 3에 대한 설명은 명세서에 기재한 바와 같다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자 소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectrk diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전차 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 액시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서， 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. .
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
일 구현예는 고효율 및 장수명 특성을 동시에 구현할 수 있는 유기 광전자 소자를 제공한다.
다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면, 서로 마주하는 애노드와 캐소드, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층， 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 수송층, 그리고 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송보조층을 포함하고, 상기 정공수송보조층은 하기 화학식 1로 표현되는 게 1 화합물과 하기 화학식 2로 표현되거나 하기 화학식 3과 4의 조합으로 표현되는 제 2 화합물을 포함하는 유기광전자소자를 제공한다.
[화학식 1]
/
Figure imgf000004_0001
\
L2
\
Ar2
상기 화학식 1에서,
L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 해테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합고리이고,
Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 하기 화학식 A로 표현되는 기, 하기 화학식 B 와 하기 화학식 C의 조합으로 표현되는 기 또는 하기 화학식 B와 하기 화학식 D의 조합으로 표현되는 기 중 하나이고,
[
Figure imgf000004_0002
상기 화학식 A 내지 D에서,
X 및 Z는 0, S 또는 CRaRb 이고,
화학식 B의 인접한 두 개의 *는 화학식 C 또는 화학식 D의 인접한 두 개의 *와 융합되고,
화학식 B와 화학식 C의 융합되지 않은 *는 각각 CR^l고,
R1 내지 R4, Ra 내지 ！ 는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 CI 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20
사이클로알콕시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된
C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 할로겐, 시아노기 니트로기， 히드록실기, 카르복실기, 이들의 조합, 이들의 조합의 융합고리 또는 상기 화학식 1의 L1 내지 L3 중 적어도 하나와의 연결 지점이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고,
[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4]
Figure imgf000005_0001
상기 화학식 2 내지 4에서,
Y1, Yl a 및 Ylb는 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar4, Ar4a및 Ar4b는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아월기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
화학식 3의 인접한 두 개의 *는 화학식 4의 두 개의 *와 융합되고, 화학식 3의 융합되지 않은 두 개의 *는 각각 CR5, CR6이고,
R5 내지 R10은 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내^ C50 해테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R5와 R6은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R7과 R8은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고， R9와 R10은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, 화학식 2의 R5 내지 Rs 및 Ar4 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함하고,
화학식 3 또는 4의 R5 내지 R10, Ar4a 및 Ar4b 증 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함한다.
다른 구현예에 따르면, 상기 유기광전자소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【유리한 효과】
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1은 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로， 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 헤테로고리기， C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기 , C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기， C3 내지 C30
헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 헤테로고리기， C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또 다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한， 하나의 작용기 내에 Ν, Ο, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴기 (aryl group)"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 의미하며 넓게는 탄화수소 방향족 모이어티들이 단일 결합으로 연결된 형태 및 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리 또한 포함한다. 아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합된
폴리시클릭 (즉， 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다. 본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 개념이며， 이에 추가하여 아릴기， 사이클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에서 탄소 (C) 대신에 N, 0, S, P 및 Si에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 해테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
보다 구체적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된
페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m- 터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피를릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 밴즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된
퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된
벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기， 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나， 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 해테로아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기는 위에서 정의한 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기에서 연결기가 2개 있는 것을 의미하는 것이며, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프탈렌기 , 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기， 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기， 치환 또는 비치환된 크리세닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기， 치환 또는 비치환된 페릴레닐렌기, 치환 또는 비치환된 인데닐렌기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐렌기， 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기， 치환 또는 비치환된 피를릴렌기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴렌기， 치환 또는 비치환된 이미다졸일렌기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일렌기， 치환 또는 비치환된 옥사졸일렌기, 치환 또는 비치환된 티아졸일렌기, 치환 또는 비치환된
옥사디아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일렌기， 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된
피라지닐렌기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기, 치환 또는 비치환된
벤조퓨라닐렌기, 치환또는 비치환된 벤조티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일렌기, 치환 또는 비치환된 인돌일렌기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐렌기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐렌기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐렌기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일렌기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 페나진일렌기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일렌기， 치환 또는 비치환된
페녹사진일렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환또는 비치환된
디벤조퓨란일렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸렌기, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자에 대하여 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자， 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다ᅳ
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 예시적으로 설명하지만, 이에 한정되지 않고 다른 유기 광전자 소자에도 동일하게 적용될 수 있다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때， 이는 다른 부분 "바로 위에' ' 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다ᅳ
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자 (300)는 서로 마주하는 애노드 (110)와 캐소드 (120), 그리고 애노드 (1 10)와 캐소드 (120) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함하고， 유기층 (105)은 발광층 (130), 정공수송보조층 (142) 및 정공 수송층 (141)을 포함한다.
애노드 (110)는 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 애노드 (1 10)는 예컨대 니켈， 백금, 바나듐， 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물， 인듐산화물， 인듐주석산화물 (ITO),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1,2- 디옥시)티오펜 )(polyehtylenedioxythiophene: PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
캐소드 (120)는 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 캐소드 (120)는 예컨대 마그네슘， 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄， 인듐, 이트륨, 리튬， 가돌리늄, 알루미늄, 은， 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층 (130)은 애노드 (110)와 캐소드 (120) 사이에 위처하며, 적어도 한 종류의 호스트 (host)와 적어도 한 종류의 도펀트 (dopant)를 포함한다.
상기 도편트는 상기 호스트에 미량 흔합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 일중항 여기자에 의한 형광 발광을 나타내는 유기 화합물이나 A1 등의 금속 착체 (metal complex) 또는 바닥상태로 삼중항 상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 상기 도펀트는 예컨대 무기， 유기, 유무기 화합물일 수 있으며 , 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.
상기 도펀트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 상기 도편트는 예컨대 하기 화학식 z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L2MX 상기 화학식 Z에서 , Μ은 금속이고, L 및 X는 서로 같거나 다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 M은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, R , Pd 또는 이들의 조합일 수 있고, 상기 L 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 정공 수송층 (141)은 애노드 (1 10)와 발광층 (130) 사이에 위치하며,
애노드 (110)로부터 발광층 (130)으로 정공 수송을 용이하게 할 수 있다. 일 예로, 정공 수송층 (141)은 애노드 (1 10)를 이루는 도전체의 일 함수 (work function)와 발광층 (130)을 이루는 물질의 HOMO 에너지 레벨 사이의 HOMO 에너지 레벨을 가지는 물질을 포함할 수 있다.
정공수송보조층 (142)은 정공 수송층 (141)과 발광층 (130)사이에 위치하고 특히 발광층 (130)에 접하여 위치할 수 있다. 정공수송보조층 (142)은 발광층 (130)에 접하여 위치함으로써 발광층 (130)과 정공 수송층 (141)의 계면에서 정공의 이동도를 세밀하게 제어할 수 있다. 정공수송보조층 (142)은 복수 층을 포함할 있다.
정공수송보조층 (142)은 에너지 레벨이 상이한 복수의 화합물을 포함할 수 있으며， 예컨대 정공의 이동도와 관련되는 HOMO 에너지 레벨이 상이한 복수의 화합물을 포함할 수 있다.
일 예로, 복수의 화합물 중 하나는 HOMO 에너지 레벨이 비교적 높은 화합물이고 복수의 화합물 증 다른 하나는 HOMO 에너지 레벨이 비교적 낮은 화합물일 수 있다. 여기서 HOMO 에너지 레벨이 높다는 것은 진공 레벨 (vacuum leve)을 OeV'로 하여 절대값이 큰 것을 의미하고 HOMO 에너지 레벨이 낮다는 것은 진공 레벨을 OeV'로 하여 절대값이 작은 것을 의미한다.
또한 HOMO 에너지 레벨이 비교적 높은 화합물과 HOMO 에너지 레벨이 비교적 낮은 화합물은 상대적인 개념이며, 정공 수송층 (141)을 이루는 물질보다 높은 HOMO 에너지 레벨을 가지는 물질 중에서 정공 수송층 (141)을 이루는 물질과의 HOMO 에너지 레벨의 차이가 상대적으로 큰 물질은 전자, 즉 HOMO 에너지 레벨이 비교적 높은 화합물에 해당하고 정공 수송층 (141)올 이루는 물질과의 HOMO 에너지 레벨의 차이가 상대적으로 작은 물질은 후자, 즉 HOMO 에너지 레벨이 비교적 낮은 화합물에 해당할 수 있다.
이와 같이 HOMO 에너지 레벨이 상이한 복수의 화합물을 함께 포함함으로써 HOMO 에너지 레벨이 비교적 높은 화합물과 HOMO 에너지 레벨이 비교적 낮은 화합물의 이점을 이용하여 효율 및 수명을 동시에 개선할 수 있다.
일 예로, HOMO 에너지 레벨이 상이한 복수의 화합물을 함께 적용한 유기 광전자 소자는 정공 수송층 (141)과 발광층 (130) 사이의 HOMO 에너지 레벨 차이를 줄임으로써 정공의 이동도를 높여 정공수송층 (141)과 정공수송보조층 (142) 또는 정공수송보조층 (142)과 발광층 (130)의 계면에 정공이 축적되는 것을 방지할 수 있고 이에 따라 각각의 층의 계면에서 정공들과 액시톤이 결합하여 소멸되는 소광 현상 (quenching)을 줄일 수 있다. 이에 따라 소자의 열화를 즐이거나 방지하여 소자를 안정화시킬 수 있고 초기 효율 감소폭도 정공수송보조충 (142)을 적용하지 않은 소자에 비해 크게 줄일 수 있어서 효율 및 수명을 동시에 개선할 수 있다. 전술한 바와 같이, 정공수송보조층 (142)은 에너지 레벨이 상이한 복수의 화합물을 하나의 층에 흔합되어 포함할 수 있으며, 예컨대 HOMO 에너지 레벨이 상이한 제 1 화합물과 제 2 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 상기 정공수송보조층의 두께 방향을 따라 균일한 흔합 비율을 가질 수 있다.
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨은 하기 관계식
1로 표현될 수 있다. ~ [관계식 1]
Figure imgf000012_0001
상기 관계식 1에서 , £ 은 제 1 화합물의 HOMO 에너지 레벨이고 , EH p2는 제 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨이다.
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물 중 어느 하나는 전술한 HOMO 에너지 레벨이 비교적 높은 화합물일 수 있고, 상기 게 1 화합물과 상기 제 2 화합물 중 다른 하나는 전술한 HOMO 에너지 레벨이 비교적 낮은 화합물일 수 있다.
상기 게 1 화합물과 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨의 차이는 예컨대 약 O.OleV 이상일 수 있고, 예컨대 약 0.02eV 이상일 수 있고, 예컨대 약 03eV 이상일 수 있고, 예컨대 약 0.05eV 이상일 수 있다. 이 경우 상기 제 1 화합물과 상기 게 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨은 하기 관계식 la 내지 Id 중 적어도 하나로 표현될 수 있다ᅳ
[관계식 la]
|EH pl- EH p2| > 0.01 eV [관계식 lb]
|EH pl- EH p2| > 0.02 eV
[관계식 lc]
|EH pl- EH p2| > 0.03 eV
[관계식 Id]
|EH pl- EH p2| > 0.05 eV
상기 제 1 화합물과 상기 게 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨의 차이는 상기 범위 내에서 약 0.5eV 이하일 수 있다. 상기 범위를 가짐으로써 애노드 (1 10)로부터 발광층 (130)까지의 실질적인 정공 주입을 용이하게 할 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 제 1 화합물과 상기 게 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨의 차이는 예컨대 약 0.4eV 이하일 수 있고， 예컨대 약 0.3eV 이하일 수 있다.
이 경우 상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨은 하기 관계식 2a 내지 2c 중 적어도 하나로 표현될 수 있다.
[관계식 2a]
|EH pl- EH p2| < 0.5 eV
[관계식 2b]
|EH pl- EH p2| < 0.4 eV
[관계식 2c]
|EH pl- EH p2| < 0.3 eV
일 예로, 상기 제 1 화합물과 상기 제 1 화합물의 HOMO 에너지 레벨은 하기 관계식 3a 내지 5e 중 적어도 하나로 표현될 수 있다.
[관계식 3a]
0 eV < |EHp,- EH p2| < 0.5 eV
[관계식 3b]
0.01 eV < |EH pi- EH p2| 0.5 eV
[관계식 3c] ' 0.02 eV < |EH pi- EH p2| < 0.5 eV
[관계식 3d]
0.03 eV < |EH pl- EH p2| < 0.5 eV
[관계식 3e]
0.05 eV < |EH pl- EH p2| < 0.5 eV [관계식 4a]
0eV< |E EH p2| < 0.4 eV
[관계식 4b]
0.01 eV < |EH pl- EH p2| < 0.4 eV
[관계식 4c]
0.02 eV<|EH p,-EH p2|<0.4 eV
[관계식 4d]
0.03 eV<|EH pl-EH p2|≤0.4 eV
[관계식 4e]
0.05 eV < |EH pl- EH p2| < 0.4 eV
[관계식 5a]
OeV< |EH pl- EH p2| < 0.3 eV
[관계식 5b]
0.01 eV < |EH pl- EH p2| < 0.3 eV
[관계식 5c]
0.02 eV<|EHp,-EH p2|<0.3 eV
[관계식 5d]
0.03 eV<|EH pl-EH p2|≤0.3 eV
[관계식 5e]
0.05 eV<|EHp,-EH p2|<0.3 eV
정공수송보조층 (142)은 복수 층을 포함할 수 있고, 이 경우 상기 게 1 화합물과 상기 게 2 화합물은 상기 복수 층의 정공수송보조층 (142) 중 발광층 (130)에 접해있는 층에 포함될 수 있다.
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 각각 예컨대 약 -5.45 eV 내지 -5.80 eV의 HOMO 에너지 레벨을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 상기 관계식들을 만족할 수 있다.
한편, 정공수송보조충 (142)은 발광층 (130)과 정공수송층 (141) 사이에 위치하여 발광층 (130)으로부터 정공수송층 (141) 측으로 전자가 이동되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 발광층 (130)에 전자를 효과적으로 가둠으로써 발광층 (130)에서 액시톤 생성을 높일 수 있고 발광층 (130)과 정공수송층 (141)의 계면에서 엑시톤이 생성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 효율을 높일 수 있다. 일 예로, 정공수송보조층 (142)이 상기 거 11 화합물과 상기 게 2 화합물을 포함할 때， 상기 게 1 화합물과 상기 게 2 화합물의 LUMO 에너지 레벨은 예컨대 하기 관계식 6 내지 9를 더욱 만족할 수 있다.
[관계식 6]
|EL pi | < |E hostl
[관계식 7]
|EL pi| < |EL dopant|
[관계식 8]
|EL p2| < |E hostl
[관계식 9]
|EL p2| < |ELdopant|
상기 관계식 6 내지 9에서，
£^은 게 1 화합물의 LUMO 에너지레벨이고 EL p2는 게 2 화합물의 LUMO 에너지레벨이고 EL h0St는 발광층의 호스트의 LUMO 에너지레벨이고 EL dopant는 발광층의 도편트의 LUMO 에너지레벨이다.
정공수송보조층 (142)은 상기 관계식 6 내지 9를 만족하는 제 1 화합물과 제 2 화합물을 포함함으로써 발광층 (130)으로부터의 전자의 이동을 효과적으로 차단하여 효율을 높일 수 있다.
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 각각 예컨대 약 -2.10 eV 내지 -2.50 eV의 LUMO 에너지 레벨을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 상기 관계식들을 만족할 수 있다.
한편, 정공수송보조층 (142)은 발광층 (130)과 정공수송층 (141) 사이에 위치하여 발광층 (130)으로부터 정공수송층 (141) 측으로 액시톤이 이동되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 발광층 (130)에 액시톤올 효과적으로 가둠으로써 발광층 (130)에서 발광 효율을 높일 수 있고 액시톤의 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라 효율올 높일 수 있다.
일 예로, 정공수송보조층 (142)이 상기 게 1 화합물과 상기 제 2 화합물을 포함할 때， 상기 거 U 화합물과 상기 거 12 화합물의 삼중항 에너지 레벨은 예컨대 하기 관계식 10 내지 13을 더욱 만족할 수 있다. [관계식 10]
|EThost| < |ET i |
[관계식 1 1]
|EThost| < |ET p2|
[관계식 12]
|ETdopant| < |ΕΤ ρι|
[관계식 13]
|ETdopant| < |ET p2|
상기 관계식 10 내지 13에서，
Ετ ρ1은 게 1 화합물의 삼중항 에너지 레벨이고 Ετ ρ2는 제 2 화합물의 삼중항 에너지 레벨이고 ET h0St는 발광층의 호스트의 삼중항 에너지 레벨이고 ET dopant는 발광층의 도편트의 삼중항 에너지 레벨이다ᅳ
정공수송보조층 (142)은 상기 관계식 10 내지 13을 만족하는 제 1 화합물과 제 2 화합물을 포함함으로써 발광층 (130)으로부터의 액시톤의 이동을 효과적으로 차단하여 효율을 높일 수 있다.
상기 계 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 각각 예컨대 약 2.35 eV 내지 2.80 eV의 삼중항 에너지 레벨을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 상기 관계식들을 만족할 수 있다.
상기 제 1 화합물과 상기 게 2 화합물은 전술한 에너지 레벨을 만족하는 화합물에서 선택될 수 있으며, 예컨대 상기 게 1 화합물은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물일 수 있고 상기 게 2 화합물은 하기 화학식 2로 표현되거나 하기 화학식 3과 4의 조합으로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
ΑΓ1
ArS ^ 。
〜 L3 /
\
I—2
\
Ar2
상기 화학식 1에서,
L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내자 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합고리이고,
Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 하기 화학식 A로 표현되는 기， 하기 화학식 B 하기 화학식 c의 조합으로 표현되는 기 또는 하기 화학식 B와 하기 화학식 D의 조합으로 표현되는 기 중 하나이고，
[화학식 A] [화학식 B] [화학식 C] [화학식 D]
Figure imgf000017_0001
상기 화학식 A 내지 D에서,
X 및 Z는 0, S 또는 CRaRb 이고，
화학식 B의 인접한 두 개의 *는 화학식 C 또는 화학식 D의 인접한 두 개의 *와 융합되고,
화학식 B와 화학식 C의 융합되지 않은 *는 각각 CRC이고，
R1 내지 R4, Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20
사이클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비'치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 할로겐， 시아노기 니트로기, 히드록실기， 카르복실기, 이들의 조합, 이들의 조합의 융합고리 또는 상기 화학식 1의 L1 내지 L3 중 적어도 하나와의 연결 지점이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고，
R3 및 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고, [화학식 2] [화학식 3] [화학식 4]
Figure imgf000018_0001
상기 화학식 2 내지 4에서,
γ1, γΐ3 및 ylb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 ci 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar4, Ar4a및 Ar4b는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
화학식 3의 인접한 두 개의 *는 화학식 4의 두 개의 *와 융합되고, 화학식 3의 융합되지 않은 두 개의 *는 각각 CR5, CR6이고,
R5 내지 R10은 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내^ C50 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R5와 R6은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고，
R7과 R8은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R9와 R10은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, 화학식 2의 R5 내지 R8 및 Ar4 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함하고，
화학식 3 또는. 4의 R5 내지 R10, Ar4a 및 Ar4b 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함한다.
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 융합고리로 치환된 아민 화합물로, 전술한 에너지 레벨을 만족할 수 있다. 상기 화학식 1에서， Ar1 내지 Ar3 는 서로 같거나 다를 수 있으며, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 상기 화학식 A로 표현되는 기, 상기 화학식 B 와 상기 · 화학식 c의 조합으로 이루어진 기 및 상기 화학식 B와 상기 화학식 D의 조합으로 이루어진 기에서 선택된 하나일 수 있고, 예컨대 상기 화학식 1에서 상기 화학식 A로 표현되는 기, 상기 화학식 B 와 상기 화학식 C의 조합으로 이루어진 기 및 /또는 상기 화학식 B와 상기 화학식 D의 조합으로 이루어진 기는 1개 내지 3개 포함될 수 있다.
일 예로， 상기 화학식 A로 표현되는 기， 상기 화학식 B 와 상기 화학식 C의 조합으로 표현되는 기 및 /또는 상기 화학식 B와 상기 화학식 D의 조합으로 표현되는 기가 1개 내지 3개일 때， 이 중 적어도 하나의 X는 O 또는 S일 수 있다. 상기 화학식 1의 Ar1 내지 Ar3에서， 상기 화학식 A, 상기 화학식 B 와 상기 화학식 C의 조합으로 표현되는 기 및 /또는 상기 화학식 B와 상기 화학식 D의 조합으로 표현되는 기를 제외한 나머지는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기， 이들의 조합, 이들의 조합의 융합 고리일 수 있다.
일 예로， Ar1 내지 Ar3에서 상기 화학식 A, 상기 화학식 B 와 상기 화학식 C의 조합으로 표현되는 기 및 /또는 상기 화학식 B와 상기 화학식 D의 조합으로 표현되는 기를 제외한 나머지는 각각 독립적으로 하기 그룹 1에 나열된 기 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그룹 i]
Figure imgf000020_0001
상기 그룹 1에서,
R75 내지 R117은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30
알콕시카르보닐기, 카르복실기, 할로겐, 시아노기, 니트로기, 히드록시기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 1은 상기 화학식 A, 상기 화학식 B 와 상기 화학식 C의 조합으로 표현되는 기 및 /또는 상기 화학식 B와 상기 화학식 D의 조합으로 표현되는 기의 개수 및 종류에 따라 예컨대 하기 화학식 1-1 내지 1-VIII 중 어느 하나로 표현되는 화합물일 수 있다. [화학식 i-i] [ 1-Π]
R2a
Figure imgf000021_0001
L1 내지 L3는 각각 독립적으로 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30
사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합고리이고, 、
Xa내지 ^는 각각 독립적으로 0, S 또는 CRaRb 이고，
Rlb, R2a내지 R2c, R3a내지 R3c, R4a내지 R4c, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 할로겐, 시아노기, 니트로기 , 히드록실기, 카르복실기, 이들의 조합， 이들의 조합의 융합고리이다.
일 예로， 상기 화학식 1-1 내지 1-VIII에서, Xa내지 Xc중 적어도 하나는 각각 독립적으로 0 또는 S일 수 있다.
상기 게 2 화합물은 상기 제 1 화합물과 관계되어 전술한 에너지 레벨을 만족할 수 있는 화합물로, 아릴기, 트리페닐렌기 또는 카바졸기로 치환된 카바졸 화합물이다.
상기 화학식 2로 표현되는 화합물은 예컨대 하기 화학식 2-1 내지 2-IV 중 어느 하나로 표현되는 화합물 중 하나일 수 있다.
[화학식 2-1] [화학식 2-Π]
Figure imgf000022_0001
[화학식 2-ΙΠ] [화학식 2-IV]
Figure imgf000023_0001
상기 화학식 2-1 내지 2-IV에서,
Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 2가의 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar4및 Ar5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Ar4a는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고，
R5 내지 R20은각각 독립적으로 각각 독립적으로 수소, 증수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 3과 4의 조합으로 표현되는 화합물은 예컨대 하기 화학식 3-1 내지 3-VII 중 어느 하나로 표현되는 화합물 중 하나일 수 있다.
[화학식 3-1] [화학식 3-Π]
Figure imgf000023_0002
[화학식 3-m] [화학식 3-IV]
Figure imgf000024_0001
상기 화학식 3-1 내지 3-VII에서,
Yl a 및 Ylb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar4a및 Ar4b는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R10, Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고， R5와 R6은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R7과 R8은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R9와 R10은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고， Rd와 Re는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R5 내지 R10, Ar4a 및 Ar4b 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함한다.
상기 제 1 화합물은 예컨대 하기 화학식 F-1 내지 F-184, G-1 내지 G-184, H-1 내지 H-204, I-1 내지 1-65로 표현되는 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000026_0001
im-d] ίος-d] [617-J] [에
Figure imgf000026_0002
Figure imgf000026_0003
.88Z8l/ST0Z OAV
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000027_0002
.88Z8l/ST0Z OAV
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
Figure imgf000029_0002
Figure imgf000030_0001
82巴9,127-
Figure imgf000031_0001
Ln
Figure imgf000032_0001
9】【£【寸0〕【〕【930- - 0〕【0〕쮹3】 【0 -
Figure imgf000033_0001
Figure imgf000033_0002
0〕【{寸：〕：寸寸 00】 【9寸 -- -
Figure imgf000034_0001
Figure imgf000035_0001
066500-
Figure imgf000036_0001
-Ό] [ΙΠ-Ο] [ΟΠ [6Π-0]
Figure imgf000036_0002
[90Ϊ-Ο] [SOI [WH-O] [eoi
Figure imgf000036_0003
.88Z8l/ST0Z OAV
Figure imgf000037_0001
Figure imgf000037_0002
[ΟΠ-0] [631-9] [821-0] [LZ\
Figure imgf000037_0003
/// O 8iss2Ml><i-88slsszA
Figure imgf000038_0001
00/.106901--
Figure imgf000039_0001
[8Ϊ-Η] [Ll-U] [91-Η] [Π-Η]
Figure imgf000039_0002
/ΐ-Η] [π-Η] [ζι-¥ [ΠΉ]
Figure imgf000039_0003
-Η] [6-Η] [8-Η] ίί-ΐ [9Ή]
Figure imgf000039_0004
-H] [17-Η] [e-H] [ζ-Η] [1-Η]
Figure imgf000039_0005
[9/.1-0] [SZ.1-9] [Ρί\-Ό] [£Ll
Figure imgf000039_0006
.88Z8l/ST0Z OAV
Figure imgf000040_0001
Figure imgf000040_0002
8ε
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000042_0001
Figure imgf000042_0002
Figure imgf000043_0001
[ π-ΐ [en-H] [zu
Figure imgf000043_0002
LOI-H] -Η] [SOl-H] [SOI
Figure imgf000043_0003
[96-H] [S6-H] [ 6-R] [ -H] [ζ6Ή]
.88Z8l/ST0Z OAV
Figure imgf000044_0001
-H] [t^ei-HJ Leei-H] [in
Figure imgf000044_0002
[ΙΠ-Η] [ΟΠ-Η] [6Π-Η] [831 -H]
Figure imgf000044_0003
[LZ\-U] [9S1-H] [S31-H] im
Figure imgf000044_0004
[επ-Η] [zz\-n] [\Z\-H\ [on
Figure imgf000044_0005
[6Π.Η] [8Π-Η] [λΐΐ-Η] [911 -Hi
Figure imgf000044_0006
.88Z8l/ST0Z OAV
O 88ssAV
Figure imgf000045_0001
Figure imgf000045_0002
£8l6- -
Figure imgf000046_0001
//:/ Oss2Ml>d-88slsszAV
έπ ί9JH£ tέε (〕≤ 【6-
¾18一【8έ Ε68ιJH¾:06 _ί ίί6
Figure imgf000047_0001
o έ§ ίέ Εε6ί〔寸RI t-
Figure imgf000048_0001
Figure imgf000049_0001
Figure imgf000049_0002
LV .88Z8l/ST0Z OAV
Figure imgf000050_0001
o
[1-57]
Figure imgf000051_0001
상기 제 2 화합물은 예컨대 하기 B-10 내지 B-132, C-10 내지 C-33 또는 D-10 내지 D-31로 표현되는 화합물 중 하나일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 이에 대한 예는 다음과 같다.
Figure imgf000051_0002
B-.K3 Β-11 Ε4ᅳ夏
Figure imgf000051_0003
B-13 B-i.4 B-!B
Figure imgf000052_0001
Figure imgf000053_0001
1-31 B-32 B-33
Figure imgf000053_0002
B-34 B-35 B-37
Figure imgf000053_0003
Figure imgf000054_0001
Figure imgf000054_0002
.88Z8l/ST0Z OAV
Figure imgf000055_0001
Figure imgf000056_0001
B-1 3 B-1D B 05
Figure imgf000057_0001
Figure imgf000058_0001
B-130 B-131
Figure imgf000058_0002
C-14 G-15 G-16
Figure imgf000059_0001
Figure imgf000060_0001
Figure imgf000060_0002
정공수송층 (141)은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다. [화학 3]
Figure imgf000061_0001
상기 화학식 3에서,
R1 18 내지 R121은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이며,
R1 18 및 R1 19는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고, R120 및 R121은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고， Ar6 내지 Ar8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
L4 내지 L7은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
일 예로 상기 화학식 3의 Ar6은 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기일 수 있고, 상기 화학식 3의 Ar7 및 Ar8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 치환 또는 비치환된 비스플루오렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기 중 어느 하나일 수 있다. 상기 화학식 3으로 표현되는 화합물은 예컨대 하기 J-1 내지 J-144로 표현되는 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000062_0001
[9 -ri [ζ£-Π [ -Γ]
[££-[] Z£-[] [ie-r]
-r] [6Ζ-Π [83-r]
[띠]
Figure imgf000063_0001
-n [쉐]
Figure imgf000063_0002
Figure imgf000063_0003
Figure imgf000064_0001
i6£-[] [8Ε-Γ] [Li-[]
Figure imgf000064_0002
Ζ9 .88Z8l/ST0Z OAV } /
^一: L세 、
Figure imgf000065_0001
-Γ] -f] [L9-[]
Figure imgf000065_0002
-f] [ 9-Γ] r]
Figure imgf000065_0003
£9- -Π 9-f]
Figure imgf000065_0004
[09-Π 6s-r -r
Figure imgf000065_0005
Figure imgf000065_0006
£9 .88Z8l/ST0Z OAV [J-73] [J-74] [J-75]
Figure imgf000066_0001
O 88ssAV
Figure imgf000067_0001
921§1--.. [8Π-Γ]
Figure imgf000068_0001
Figure imgf000068_0002
Figure imgf000068_0003
[601-f]
[in-r] [on-r]
Figure imgf000068_0004
99 [J- 127] [J- 128] [J- 129]
Figure imgf000069_0001
[J- 130] [J-131] [J- 132]
Figure imgf000069_0002
[J- 142] [J-143] [J- 144]
Figure imgf000069_0003
도 1에서, 유기층 (105)은 전술한 발광충 (130), 정공수송보조층 (142) 및 공수송층 (Ml) 외에 정공 주입층, 전자 차단층, 전자 수송층, 전자주입층 및 /또는 정공 차단층을 더 포함할 수 있다.
유기 발광 소자 (300)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후，
진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 또는 잉크젯 인쇄법, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 바 코팅 및 /또는 딥 코팅과 같은 용액 공정으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만， 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
중간체의 합성
중간체 M-1의 합성
[반웅식 1]
Figure imgf000070_0001
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조퓨란보론산 20 g (94.3 mmol), 1-브로모 -4- 아이오도벤젠 26.7 g (94.3 mmol)을 넣고 를루엔 313 ml을 가하여 용해시킨 후 탄산칼륨 19.5 g (141.5 mmol)을 녹인 수용액 117 ml를 첨가시키고 교반하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09 g (0.94 mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압
농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9: l v/v)로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 흰색 고체인 중간체 M-1 27 g (수율 89 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 322.00 g/mol, 측정치: M+ = 322.09 g/mol, M+2 = 324.04 g/mol)
중간체 M-2의 합성 반웅식 2]
Figure imgf000071_0001
등근 바닥 플라스크에 N,4-다이페닐아닐린 38 g (154.90 mmol)을 넣고 디클로로메탄 620 ml 을 가하여 용해시킨 후 N-브로모석신이미드 41.5 g (232.35 mmol)을 상온에서 천천히 첨가시키고 질소분위기 하에서 4 시간 동안 상온 교반하였다. 반웅 종료 후 디클로로메탄으로 묽힌 후 실리카 겔 필터로 거른 뒤 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 v/v)로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 M-2 31.1 g (수율 62 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 323.03 g/mol, 측정치 : M+ = 323.12 g/mol, M+2 = 325.1 1 g/mol) 중간체 M-3의 합성
반웅식 3]
Figure imgf000071_0002
등근 바닥 플라스크에 중간체 Μ-2 31 g (95.62 mmol), 나프탈렌 -1-일 보론산 24.7 g (143.43 mmol)을 넣고 를루엔 400ml 을 가하여 용해시킨 후 탄산칼륨 39.65 g (286.85 mmol)을 녹인 수용액 250 ml 를 첨가시키고 교반하였다. 여기에
테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 2.21 g (1.91 mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반웅 종료 후 디클로로메탄과 증류수로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다.
생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 v/v)로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 M-3 31.3 g (수율 88 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 371.17 g/mol, 측정치: M+ = 371.1 1 g/mol)
중간체 K-1의 합성 [반웅식 4]
Figure imgf000072_0001
K-1 둥근바닥플라스크에 4-디벤조퓨란 보론산 53.15g (250.61 mmol), 2-브로모 -5- 클로로-벤즈알데하이드 50g (22그83 mmol), 탄산칼륨 62.98g (455.66 mmol) 및 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (Pd(PPh3)4) 7.89g (6.84 mmol)을 넣은 후 를루엔 1000ml 및 증류수 500ml에 현탁시킨 후 질소분위기 하에서 12시간 동안
환류교반하였다ᅳ 반응 종료 후 를루엔으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조하고 실리카 겔로 필터하여 여액을 감압 하에서 농축하였다. 상기 농축액에 메탄올 300ml를 첨가하여 생성된 고체를 1시간 교반 후 필터하여 중간체 K-1 64.64g (수율 93%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 306.74g/mol, 측정치 : M+ = 306.79g/mol)
중간체 K-2의 합성
[반웅식 5]
Figure imgf000072_0002
등근바닥플라스크에 중간체 K-1 64.64g (210/73 mmol),
(메록시메틸)트리페닐포스포늄 클로라이드 79.46g (231.80 mmol)을
테트라하이드로퓨란 600ml에 현탁시킨 후 0°C로 유지시킨다. 이어서 0 °C 하에서 포타슴 t-부톡사이드 28.38g (252.87 mmol)을 천천히 넣어준 후 12시간 동안 상온에서 교반한다. 반웅 종료 후 증류수 600ml를 넣어준 후 추출하고 추출액을 농축하고 메틸렌클로라이드 500ml에 현탁시킨 후 마그네슘 설페이트로 건조시킨 후 실리카 겔로 필터한 후 다시 농축한다. 상기 농축된 반웅액을 메틸렌클로라이드 400ml에 용해시킨 후 메탄설폰산 20g을 천천히 넣어준 후 12시간 상온에서 교반한다. 반응 종료 후 생성된 고체를 필터하고 증류수 200ml 및 메탄올 200ml로 세척한 후 건조하여 중간체 K-2 48.4g (수율 76%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 302.75g/mol, 측정치 : M+ = 303.84g/mol)
중간체 K-3 의 합성
[반 6]
Figure imgf000073_0001
등근바닥플라스크에 중간체 K-2 11 g (36.33 mmol)과 Pd(dba)2 1.25 g (2.18 mmol), KOAc 10.7 g (109.00 mmol), P(Cy)3 2.45 g (8.72 mmol), Bis(pinacolato)diboron 11.07 g (43.60 mmol)을 DMF 150 ml 에 현탁 시킨 후 12 시간동안 환류 교반한다. 반응 종료 후 상온으로 냉각 시키고 증류수 300 ml를 첨가 시켜 1시간 동안 교반한다. 교반 중 생성된 고체를 필터하고 메탄올로 세척한 후 를루엔 300 ml에 가열 용해 하여 실리카겔 필터 하고 여액올 농축 하고 를루엔으로 재결정 하여 중간체 K-3 9.05 g (수율 63%)을 얻었다.
중간체 K-4의 합성
[ 7]
Figure imgf000073_0002
등근바닥플라스크에 4-디벤조티오펜 보론산 15.0 g (65.77 mmol), 1-브로모 -3- 아이오도벤젠 20.47 g (72.35 mmol)을 넣고 를루엔 300ml을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.1 g (138.12 mmol)을 녹인 수용액 95ml를 첨가시키고 교반하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (Pd(PPh3)4) 0.76 g (0.66 mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 흰색 고체인 중간체 K-4 20.3 g (수율 91%)을 얻었다.
중간체 K-5의 합성
[반웅 8]
Figure imgf000074_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 M-1 21 g (64.7 mmol)과 아세트아미드 1.74 g (29.4 mmol), 탄산칼륨 17.3 g (1 17. mmol)을 넣고 자일렌 130ml을 가하여 용해 시켰다.
여기에 요오드화구리 (I) 1.12 g (5.88 mmol)과 Ν,Ν-디메틸에틸렌디아민 1.04 g (1 1.8 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 48시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /에틸아세테이트 (5:5 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 K-5 15 g (수율 94%)을 얻었다.
중간체 K-5-1의 합성
[ 9]
Figure imgf000074_0002
둥근바닥플라스크에 중간체 K-5 13.7 g (25.2 mmol)과 수산화칼륨 4.2 g (75.6 mmol)을 넣고 테트라하이드로퓨란 (THF) 80ml와 에탄올 80mL올 가하여 용해 시켰다. 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 반웅액을 감압 농축한 후 디클로로메탄과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 K-5-1 1 1.4 g (수율 90%)을 얻었다. 중간체 K-6의 합성 [ 10]
Figure imgf000075_0001
K-6 등근바닥플라스크에 N-(4-Bromophenyl)-N,N-bis(l,r-biphenyl-4-yl)arnine 20 g(476.41 mmol)과 Pd(dppf)C12 1.03 g (1.26 mmol), Bis(pinacolato)diboron 12.8 g (50.38 mmol), Potassium Acetate 12.36 g (125.94 mmol)을 를루엔 210 ml에 현탁 시킨 후 12 시간 동안 환류 교반 한다. 반웅 종료 후 상온으로 냉각 시킨 후 필터 하고, 여액을 실리카겔 필터 하여 농축 한다. 아세톤으로 재결정 하여 중간체 K-6 17 g (수율 77%)을 얻었다.
중간체 K-7의 합성
[ U]
Figure imgf000075_0002
K-7 등근바닥플라스크에 N-(4-bromophenyl)-N-phenylbiphenyl-4-amine 20g (49.96 mmol), Pd(dppf)C12 1.22 g (1.50 mmol), Bis(pinacolato)diboron 15.22 g (59.95 mmol),
Potassium Acetate 14.71 g (149.88 mmol)을 를루엔 250 ml에 현탁 시킨 후 12 시간 동안 환류 교반 한다. 반웅 종료 후 상온으로 넁각 시킨 후 필터 하고, 여액올 실리카겔 필터 하여 농축 한다. 아세톤으로 재결정 하여 중간체 K-7 18 g (수율 81%)를 얻었다. 중간체 K-8 의 합성 [반웅식 12]
Figure imgf000076_0001
Κ-8 등근바닥플라스크에 N-(biphenyl-3-yl)biphenyl-4-amine 22.96 g (71 ·43 mmol) 과 Pd(dba)2 1.23 g (2.14 mmol), P(t-Bu)3 0.43 g (2.14 mmol), NaO(t-Bu) 10.29 g (107.15 mmol)을 를루엔 500 ml에 현탁 시킨 후 60 °C 에서 12시간 동안 교반한다. 반응 종료 후 증류수를 첨가하여 30분간 교반하고 추출하여 유기층만 실리카겔 컬럼
(핵산 /디클로로메탄 = 9 : l (v/v)) 으로 컬럼하여 중간체 K-8 24 g (수율 78%)을 얻었다. 중간 K-9 의 합성
Figure imgf000076_0002
둥근바닥플라스크에 트리페닐렌 보론산 14.5g (40.94 mmol), 3-브로모 -9H- 카바졸 1 1.08g (45.03 mmol) 및 탄산칼륨 1 1.32g (81.88 mmol), 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듬 (0)(Pd(PPh3)4) 1.42 g (1.23 mmmol)을
테트라하이드로퓨란 (THF) 180 ml, 증류수 75 ml에 현탁시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 중간체 K-9 14.66g (수율 91%)을 얻었다.
중간체 K-10 의 합성
Figure imgf000077_0001
등근바닥플라스크에 페닐카바졸릴 브로마이드 (phenylcarbazolyl bromide) 16.0 g (49.66 mmol), 카바졸릴 보론산 (carbazolylboronic acid) 11.53 g ( .62 mmol) 및 탄산칼륨 20.59g (148.98 mmol), 테트라키스- (트라이페닐포스핀)팔라듐 (0) (Pd(PPh3)4) 1.72 g (1.49 mmol)을 를루엔 150 ml, 증류수 65 ml에 현탁시킨 후 12시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔에 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 중간체 K-1018.26g (수율 90%)을 얻었다.
중간체 K-11 의 합성
[
Figure imgf000077_0002
K-11 등근바닥플라스크에 3,6-다이브로모 -9H-카바졸 19.2g(59.08mmol), [U'- biphenyrH-ylboronicacidSS S g(129.97mmol) 및 탄산칼륨 20.41 g (147.69 mmol), 테트라키스^트라이페닐포스핀；！팔라듐^^^！^！！ ^^^？！^ ^을 를루엔 300ml, 증류수 100 ml에 현탁시킨 후 12시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔에 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 중간체 K-1122.29g (수율 80%)을 얻었다.
중간체 K-12 의 합성 [
Figure imgf000078_0001
Κ-12 등근바닥플라스크에 3,6-다이브로모ᅳ 9Η-카바졸 19.2 g (59.08 mmol), [Ι,Γ- biphenyl]-3-yl boronic acid 25.73 g (129.97 mmol) 및 탄산칼륨 20.41 g (147.69 mmol), 테트라키스- (트라이페닐포스핀)팔라듐 (0)(Pd(PPh3)4) 2.05 g (1.77 mmol)을 를루엔 300 ml 증류수 100 ml에 현탁시킨 후 12시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔에 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 중간체 K-12 21.73 g (수율 78%)을 얻었다.
최종 화합물의 합성
합성예 1: 화합물 1-61 합성
17]
Figure imgf000078_0002
1-61
등근 바닥 플라스크에 중간체 M-1 15 g (46.4 mmol)과 9,9-다이메틸 -PH풀루오렌 -2-아민 4.9 g (23.2 mmol), 소디움 t-부톡사이드 (NaOt-Bu) 6.7 g (69.6 mmol)을 넣고 를루엔 160 ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.85 g (0.928 mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 (P(t-Bu)3) 0.45 g (1.86 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반시켰다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 I-61 27.4 g (수율 85 %)을 수득하였다. LC-Mass (이론치： 693.27 g/mol, 측정치 : M+ = 693.51 g/mol)
합성예 2: 화합물 C-10 합성
18]
Figure imgf000079_0001
등근 바닥 플라스크에 페닐카바졸릴 보론산 10 g (34.83 mmol), 2- 브로모트리페닐렌 1 1.77 g (38.31 mmol)을 넣고 를루엔 140 ml을 가하여 용해시킨 후 탄산칼륨 14.44 g (104.49 mmol)을 녹인 수용액 87 ml를 첨가시키고 교반하였다.
여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (Pd(PPh3)4) 0.80 g (0.7 mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반웅 종료 후 디클로로메탄과 증류수로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (7:3 부피비)로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-10 14.4 g (수율 88 %)올 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 469.18 g/mol, 측정치: M+ = 469.10 g/mol)
합성예 3: 화합물 1-57 합성
Figure imgf000079_0002
Γ-57 등근 바닥 플라스크에 화합물 A 20.9 g (73.42 mmol)과 중간체 M-3 30 g (80.76 mmol), 소디움 t-부록사이드 l().58 g (110.13 mmol)을 넣고 를루엔 700 ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.67 g (0.734 mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.45 g (2.20 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4 시간 동안 환류 교반시켰다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1-57 39.4 g (수율 82 %)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 653.27 g/mol, 측정치: M+ = 653.33 g/mol)
합성예 4: 화합물 B-43 합성
[반웅식 20]
Figure imgf000080_0001
등근바닥플라스크에 바이페닐카바졸릴 브로마이드 (biphenylcarbazolyl bromide) 12.33g (30.95 mmol), 바이페닐카바졸릴 보론산 (biphenylcarbazolylboronic acid) 12.37g (34.05 mmol) 및 탄산칼륨 12.83g (92.86 mmol), 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0)(Pd(PPh3)4) 1.07 g (0.93 mmmol)을 를루엔 120 ml, 증류수 50 ml에 현탁 시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 B-43 18.7g (수율 92%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 636.26 g/mol, 측정치 : M+ = 636 g/mol)
합성예 5: 화합물 B-114 합성
Figure imgf000081_0001
α-테트라론 80 g (547.23 mmol), 페닐하이드라진 하이드로클로라이드 129.46 g (895.30 mmol)을 소량의 아세트산을 넣고 에탄올 1800ml에 24시간 동안 질소기류 하에서 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후 상온으로 넁각시킨 후 형성된 생성물을 여과하고 소량의 NaHC03 수용액으로 염기성화한 뒤 에탄올로 재결정하여 증간체 A 73.0 g (수율 : 60%)을 수득하였다.
이어서 중간체 A 74.0 g (337.47 mmol)과 테트라클로로 1,4-벤조퀴논 116.17 g (427.46mmol)을 자일렌 1200mL에 4시간 동안 질소기류 하에서 환류 교반하였다. 반웅 종료 후， NaOH(10%) 수용액을 넣고, 디클로로메탄으로 추출하여 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 핵산 ： 디클로로메탄 = 7 : 3 (v/v) 으로 실리카겔 칼럼 한 뒤, 생성물 고체를 디클로로메탄과 핵산으로 재결정하여 중간체 B 31.0 g (수율 : 42%)을 수득하였다.
이어서 중간체 B 31.0 g (142.68 mmol) 과 브로모벤젠 33.60 g (214.02 mmol) NaO(t-Bu) 285.36 g (27.42 mmol), Pd2(dba)3 7.84 g (8.56 mmmol) 을 톨루엔 500 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 41.54 mL (85.61 mmol) 를 넣고 질소기류 하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 ： 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 생성물 고체를 디클로로메탄과 노말핵산으로 재결정하여 중간체 C 39.0 g (수율 ： 95%)을 수득하였다.
이어서 중간체 C 39.0 g (132.94 mmol) 과 NBS 26.03 g (146.24 mmol)을
클로로포름 460 mL에 현탁시킨 후 4 시간 동안 질소기류 하에서 환류 교반 하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한 뒤, 유기 용액을 제거하고 디클로로메탄과 에탄올로 재결정하여 중간체 D 45.51 g (수율 : 92%)을 수득하였다.
이어서 중간체 D 22.5 g (60.44 mmol)과 비스피나코라토다이보론 19.95 g (78.57 mmol), PdCl2(dppf) (0.99 g, 1.20 mmol), OAc (17.79 g, 181.32 mmol)을 를루엔 210ml에 현탁 시킨 후 질소기류 하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 핵산 ： 디클로로메탄 = 7 : 3(Wv) 으로 실리카겔 칼럼한 뒤 생성물 고체를 디클로로메탄과 노말핵산으로 재결정하여 중간체 E 17.0 g (수율 : 67%)를 수득하였다.
중간체 E 10.7 g (25.52 mmol), 2-브로모니트로벤젠 6.19 g (30.62 mmol) 및 K2C03 7.05 g (51.04 mmol), Pd(PPh3)4 0.59 g (0.51 mmmol) 을 를루엔 150 ml, 증류수 75 ml에 현탁 시킨 후 질소기류 하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 상기 반웅액을 디클로로메탄으로 추출 하고 실리카겔로 필터 한 후 감압 증류 하고, 핵산 ： 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카컬럼한 뒤, 디클로로메탄과
노말핵산으로 재결정하여 중간체 F 8.1 g (수율 : 77 %)를 수득하였다.
이어서 중간체 F 8.1 g (19.54 mmol) 과 트리에틸 포스파이트 17.0 mL (97.72 mmol) 를 질소 기류 하에서 4 시간 동안 환류 교반하였다. 반웅 종료 후 반웅 용매를 제거하고, 핵산 ： 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카컬럼하여 중간체 G 6.2 g (수율 : 83 %) 를 수득하였다.
이어서 중간체 G 6.2 g (16.21 mmol) 와 브로모 -3,5-터페닐 6.01 g (19.45 mmol) NaO(t-Bu) 4.67 g (48.63 mmol), Pd2(dba)3 0.59 g (0.65 mmmol) 을 를루엔 500 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.39 mL (1.62 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 핵산 ： 디클로로메탄 = 7 : 3(Wv) 으로 실리카겔 컬럼하여 생성물 고체를 디클로로메탄과 노말핵산으로 재결정하여 화합물 B-114 8.6 g (수율 : 87 %)을 수득하였다. LC-Mass (이론치 : 61으 74g/mol, 측정치: M+l = 61 1g/mol)
합성예 6: 화합물 B-115 합성
[반웅식 22] .
Figure imgf000083_0001
등근바닥플라스크에 바이페닐카바졸릴 브로마이드 (biphenylcarbazolyl bromide) 15.5g (38.92 mmol), 페닐카바졸릴 보론산 (biphenylcarbazolylboronic acid) 12.29g (42.81 mmol) 및 탄산칼륨 16.14g (1 16.75 mmol), 테트라키스-
(트라이페닐포스핀)팔라듐 (0)(Pd(PPh3)4) L35 g (1.17 mmmol) 올 를루엔 150 ml, 증류수 70 ml에 현탁 시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서
디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 B- 1 15 19.42g (수율 89%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 560.69 g/mol, 측정치 : M+ = 560.22 g/mol)
합성예 7: 화합물 B-116 합성
[반웅식 23]
Figure imgf000083_0002
둥근바닥플라스크에 바이페닐카바졸릴 브로마이드 (biphenykarbazolyl bromide) 13. lg (32.89 mmol), m-바이페닐카바졸릴 보론산 (biphenylcarbazolylboronic acid) 13.14g (36.18 mmol) 및 탄산칼륨 13.64g (98.676 mmol), 테트라키스- (트라이페닐포스핀)팔라듬 (0)(Pd(PPh3)4) L14 g (0.99 mmmol) 을 를루엔 130 ml, 증류수 55 ml에 현탁 시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서
디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 B- 1 16 19.27g (수율 92%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 636.26 g/mol, 측정치 : M+ = 636.11 g/mol)
합성예 8: 화합물 B-117 합성
Figure imgf000084_0001
등근바닥플라스크에 중간체 K-10 11.2 g (27.42 mmol) 과 중간체 M-1 8.86 g (27.42 mmol), Pd2(dba)3 0.25 g (0.274 mmol), P(t-Bu)3 0.133 g (0.274 mmol), NaO(t-Bu) 3.95 g (41.13 mmol)을 를루엔 300 ml에 현탁 시킨 후 60 °C 에서 12시간 동안 교반 한다. 반웅 종료 후 증류수를 첨가 하여 30분간 교반하고 추출하여 유기층만 실리카겔 컬럼 (핵산 /디클로로메탄 = 9 : l (v/v)) 으로 컬럼 하여 화합물 B-117 19.5 g (수율 88%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 650.76 g/mol, 측정치： M+ = 650.71 g/mol)
합성예 9: 화합물 B-118 합성
Figure imgf000084_0002
등근바닥플라스크에 중간체 K-10 12.0 g (29.38 mmol) 과 중간체 K-4 9.97 g (29.38 mmol), Pd2(dba)3 0.27 g (0.294 mmol), P(t-Bu)3 0.143 g (0.588 mmol), NaO(t-Bu) 4.24 g (44.06 mmol)을 를루엔 310 ml에 현탁 시킨 후 60 °C 에서 12시간 동안 교반 한다. 반웅 종료 후 증류수를 첨가하여 30분간 교반하고 추출하여 유기층만 실리카겔 컬럼 (핵산 /디클로로메탄 = 9 : l (v/v)) 으로 컬럼 하여 화합물 B-118 17.63 g (수율 90%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 666.83 g/mol, 측정치: M+ = 666.7 g/mol)
합성예 10: 화합물 C-23 합성
반응식 26]
Figure imgf000085_0001
C-23
둥근바닥플라스크에 중간체 K-9 14.6 g (37.1 mmol) 과 5'-bromo-l,l':3',l"- terphenyl 12.62 g (40.82 mmol), Pd2(dba)3 1.70 g (1.86 mmol), P(t-Bu)3 3.53 g (7.42 mmol), NaO(t-Bu) 7.132 g (74.21 mmol)을 를루엔 280 ml에 현탁 시킨 후 6( C 에서 12시간 동안 교반 한다. 반웅 종료 후 증류수를 첨가하여 30분간 교반하고 추출하여 유기층만 실리카겔 컬럼 (핵산 /디클로로메탄 = 9 : l (v/v)) 으로 컬럼 하여 화합물 C- 23 16.15 g (수율 70%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 621.77 g/mol, 측정치: M+ = 62L71 g/mol)
합성예 11: 화합물 D-30 합성
Figure imgf000085_0002
D-30
등근바닥플라스크에 중간체 -11 20.0 g (42.41 mmol) 과 4-iodo-l,l'- biphenyl(Aldrich 구입) 11.88 g (42.41 mmol), Pd2(dba)3 0.388 g (0.424 mmol), P(t-Bu)3 0.206 g (0.848 mmol), NaO(t-Bu) 6.11 g (63.61 mmol)을 를루엔 420 ml에 현탁 시킨 후 60 °C 에서 12시간 동안 교반 한다. 반웅 종료 후 증류수를 첨가 하여 30분간 교반하고 추출하며 유기층만 실리카겔 컬럼 (핵산 /디클로로메탄 = 9 : l (v/v)) 으로 컬럼 하여 화합물 D-30 23.02 g (수율 87%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치 : 623.78 g/mol, 측정치： M+ = 623.25 g/mol)
합성예 12: 화합물 D-31 합성
Figure imgf000086_0001
D-31
둥근바닥플라스크에 중간체 K-12 20.0 g (42.41 mmol) 과 4-iodo-l,l'- biphenyl(Aldrich 구입) 11.88 g (42.41 mmol), Pd2(dba)3 0.388 g (0.424 mmol), P(t-Bu)3 0.206 g (0.848 mmol), NaO(t-Bu) 6.11 g (63.61 mmol)을 를루엔 420 ml에 현탁 시킨 후 60 °C 에서 12시간 동안.교반 한다. 반웅 종료 후 증류수를 첨가 하여 30분간 교반하고 추출하여 유기층만 실리카겔 컬럼 (핵산 /디클로로메탄 = 9 : l (v/v)) 으로 컬럼 하여 화합물 D-31 22.49 g (수율 85%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 623.78 g/mol, 측정치 : M+ = 623.21 g/mol)
합성예 13: 화합물 H-204합성
Figure imgf000086_0002
H-204
등근바닥플라스크에 1-(4-브로모페닐)나프탈렌 17.9 g (63.07 mmol)과 2-아미노- 9,9-디메틸 -9H-플루오렌 6.0 g (28.67 mmol), 소디움 t-부톡사이드 8.3 g (86.01 mmol)올 넣고 를루엔 200ml을 가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.165 g (0.287 mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 (P(t-Bu)3) 0.145 g (0.72 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 연한 베이지색 고체인 화합물 H-204 15.3 g (수율 87%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 613.28g/mol, 측정치: M+ = 613.16g/mol)
합성예 14: 화합물 1-62 합성
Figure imgf000087_0001
등근바닥플라스크에 4-브로모터페닐 9.6 g (30.9 mmol), 중간체 K-5-1 15.4 g (30.8 mmol) 및 소디움 t-부톡사이드 5.35 g (55.6 mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178 g (0.31 mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 (P(t-Bu)3) 0.125 g (0.62 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 흰색 고체인 화합물 1-62 20.5 g (수율 91%)을 얻었다.
LC-Mass (이론치： 729.27g/mol, 측정치 : M+ = 729.12g/mol)
합성예 15: 화합물 1-63 합성
Figure imgf000087_0002
등근바닥플라스크에 중간체 Κ-2 15 g (49.55 mmol), 중간체 K-6 27.2 g(52.02 mmol) 및 탄산세슘 (Cs2C03) 32.3 g (99.09 mmol)을 넣고 1,4-다이옥산 250 ml을 첨가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.85 g (1.49 mmol)과 트리 -t-부틸포스핀 (P(t-Bu)3) 0.7 g(3.47 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 상은으로 냉각시킨 후 증류수를 첨가하여 30분간 교반 하고 생성된 고체를 필터하고 증류수 및 메탄올 각 200ml로 세척하였다. 상기 고체를 디클로로벤젠 (DCB) 300ml에 가열 용해 후 실리카 겔로 필터하고 메탄을 300ml를 첨가하여 1시간 교반하였다. 생성된 고체를 필터하고 아세톤 200ml로 세척하여 화합물 1-63 17.2g (수율 52%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 663.8 g/mol, 측정치 : M+ = 663.4 g/mol)
합성예 16: 화합물 1-64 합성
Figure imgf000088_0001
등근바닥플라스크에 중간체 Κ-2 10 g (33.03 mmol), 중간체 K-7 14.77 g (33.03 mmol) 및 탄산세슘 (C¾C03) 21.52 g (66.06 mmol)올 넣고 1,4-다이옥산 200 ml을 첨가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.57 g (으99 mmol)과 트리 -t-부틸포스핀 (P(t-Bu)3) 0.4 g (1.98 mmol)을 .차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 상온으로 냉각시킨 후 증류수를 첨가 하여 30분간 교반 하고 생성된 고체를 필터하고 증류수 및 메탄올 각 200ml로 세척하였다. 상기 고체를 를루엔 (DCB) 300ml에 가열 용해 후 실리카 겔로 필터하고 아세톤으로 재결정 하여 화합물 1-64 10.9 g (수율 56%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 587.7 g/mol, 측정치： M+ = 587.4 g/mol)
합성예 17: 화합물 1-65 합성
Figure imgf000089_0001
등근바닥플라스크에 중간체 K-3 9.27 g (23.51 mmol), 중간체 K-8 10.16 g (23.51 mmol) 및 탄산세슘 (Cs2C03) 15.32 g (47.02 mmol)을 넣고 1,4-다이옥산 150 ml을 첨가하여 용해시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.41 g (0.71 mmol)과 트리 -t-부틸포스핀 (P(t-Bu)3) 0.33 g (1.65 mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 상온으로 넁각시킨 후 증류수를 첨가하여 30분간 교반하고 생성된 고체를 필터하고 증류수 및 메탄을 각 200ml로 세척하였다. 상기 고체를 틀루엔 (DCB) 300ml에 가열 용해 후 실리카 겔로 흡착 컬럼하여 화합물 1-65 8.1 g (수율 52%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 663.8 g/mol, 측정치： M+ = 663.2 g/mol) 평가 1
합성예에서 얻은 주요 화합물들의 에너지 레벨을 측정하였다.
HOMO 에너지 레벨은 각 화합물을 CHC13에 lxl(T5 M의 농도로 희석시켜, 시마즈 유브이 -350 스펙트로메터 (Shimadzu UV-350 Spectrometer)를 이용하여, 상온에서 UV 흡수 스펙트럼을 측정한 후， 상기 흡수 스펙트럼의 에지 (edge)로부터의 광학 밴드갭 (optical band gap)(Eg)를 이용하여 계산하였다.
LUMO 에너지 레벨은 Cyclic voltammetry (CV) (전해질: 0.1 M BU4NCIO4 I 용매: CH2C12을 I 전극: 3전극 시스템 (작업전극: GC, 기준전극: Ag/AgCl, 보조전극: Pt))를 이용하여 각 화합물의 전위 (V)-전류 (A) 그래프를 얻은 후, 상기 그래프의 환원 온셋 (reduction onset)으로부터 각 화합물의 LUMO 에너지 레벨을 계산하였다.
T1 에너지 레벨은 MTHF과 각 화합물의 흔합물 (MTHF 3cc에 각 화합물 lmg을 녹임)을 석영 셀에 넣은 후 액체 질소 (77K)에 넣고 포토루미네센스 측정기기를 이용하여 포토루미네센스 스펙트럼을 측정하고 이를 일반 상온 포토루미네센스 스펙트럼과 비교하여 저온에서만 관측되는 피크만을 분석하여 계산하였다.
그 결과는 표 1과 같다.
[표 1]
Figure imgf000090_0001
유기 발광소자의 제조
실시예 1
ΠΌ (Indium tin oxide) 1500 A의 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올， 아세톤, 메탄을 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공,증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ 기판 상부에 N-([l,l'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2- amine 을 진공 증착하여 1400A 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 상기 정공 수송층 상부에 합성예 1에서 얻은 1-61과 합성예 2에서 얻은 C-10을 1 :1의 비율로 동시에 증착하여 50A 두께의 정공수송보조층을 형성하였다. 상기 정공수송보조층 상부에 SFC사의 BH1 13을 호스트로 사용하고 도판트로 SFC사의 BD370을 5wt%로 도핑하여 진공 증착으로 250 A 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상부에 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline을 진공 증착하여 250A 두께의 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF lOA과 A1 1000A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 2
합성예 1에서 얻은 1-61과 합성예 2에서 얻은 C-10을 3:7(wt/wt)의 비율로 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 3
합성예 1에서 얻은 1-61과 합성예 2에서 얻은 C-10올 7:3(wt/wt)의 비율로 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 4
합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 8에서 얻은 B-1 17을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 5
. 합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 6에서 얻은 B-1 15를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 6
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 13에서 얻은 H-204를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 7
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 16에서 얻은 1-64를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 8
합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 11에서 얻은 D-30을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 9
합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 4에서 얻은 B-43을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 10
합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 12에서 얻은 D-31을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 11
합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 5에서 얻은 B-1 14를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 12
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 14에서 얻은 1-62를 사용하고 C-10 대신 합성예 7에서 얻은 B-1 16을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 13
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 14에서 얻은 1-62를 사용하고 합성예
2에서 얻은 C-10 대신 합성예 7에서 얻은 B-1 16을 사용하고 1-62와 B-1 16을
7:3(wt/wt)의 비율로 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로
유기발광소자를 제조하였다.
실시예 14
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 15에서 얻은 1-63을 사용하고 합성예
2에서 얻은 C-10 대신 합성예 9에서 얻은 B-1 18을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 15
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 15에서 얻은 1-63을 사용하고 합성예
2에서 얻은 C-10 대신 합성예 9에서 얻은 B-1 18을 사용하고 1-63과 B-1 18을
3 : l(wt/wt)의 비율로 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로
유기발광소자를 제조하였다.
실시예 16
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 16에서 얻은 1-64를 사용하고 합성예
2에서 얻은 C-10 대신 합성예 10에서 얻은 C-23을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 17
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 16에서 얻은 1-64를 사용하고 합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 7에서 얻은 B-1 16을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 18
합성예 1에서 얻은 1-61 대신 합성예 17에서 얻은 1-65를 사용하고 합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 4에서 얻은 B-43을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 비교예 1
정공수송보조층을 형성하지 않은 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 2
합성예 1에서 얻은 1-61과 합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 1에서 얻은 I-
61만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다ᅳ
비교예 3
합성예 1에서 얻은 1-61과 합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 2에서 얻은 C-10만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 4
합성예 1에서 얻은 1-61과 합성예 8에서 얻은 B-1 17 대신 합성예 8에서 얻은 B-1 17 만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 4와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 5
합성예 14에서 얻은 1-62와 합성예 7에서 얻은 B-1 16 대신 합성예 14에서 얻은 1-62 만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 12과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 6
합성예 13에서 얻은 H-204와 합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 13에서 얻은 H-204 만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 6과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 7
합성예 15에서 얻은 1-63과 합성예 9에서 얻은 B-1 18 대신 합성예 15에서 얻은 1-63 만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 14와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 8
합성예 15에서 얻은 1-63과 합성예 9에서 얻은 B-1 18 대신 합성예 9에서 얻은 B-1 18 만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 14와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 9
합성예 16에서 얻은 1-64와 합성예 2에서 얻은 C-10 대신 합성예 16에서 얻은 1-64 만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 7과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 10
합성예 17에서 얻은 1-65와 합성예 4에서 얻은 B-43 대신 합성예 17에서 얻은 1-65 만으로 정공수송보조층을 형성한 것을 제외하고 실시예 18와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 평가 2
실시예들과 그에 대응되는 비교예들에 따른 유기 발광 소자의 구동 전압 및 효율 특성을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 2와 같다.
(1) 구동전압의 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 동일 휘도 (750cd/m2)에서의 전압을 측정하여 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따론 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(3) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs- 1000 A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(4) 발광효율 측정
상기 (2) 및 (3)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
Figure imgf000095_0001
[3 표]
Figure imgf000095_0002
£6 .88Z8l/ST0Z OAV 표 2를 참고하면, 실시예들에 따른 유기발광소자는 정공수송보조층을 사용하지 않은 비교예 1에 따른 유기발광소자 및 단일 화합물을 포함하는 각 비교예들에 따른 유기발광소자와 비교하여 구동 전압 및 효율 특성이 크게 개선된 것을 확인할 수 있다. 평가 3
실시예들과 그에 대응되는 비교예들에 따른 유기 발광 소자의 수명 특성을 평가하였다.
수명 특성은 휘도 (cd/m2)를 6000cd/m2 로 유지하고 전류 효율 (cd/A)이 97%로 감소하는 시간을 측정으로부터 평가하였다.
그 결과는 표 3과 같다.
[표 3]
수명 (T97,
(wt/wt) h)
실시예 1 I-61:C-10(5:5) 50
실시예 2 1-61 :C-10 (3:7) 49
실시예 3 I-61:C-10(7:3) 48
실시예 4 I-61:B-117(5:5) 62
실시예 5 I-61:B-115 (5:5) 60
실시예 6 H-204:C-10(5:5) 71
실시예 7 I-64:C-10(5:5) 64
실시예 8 I-61:D-30 (5:5) 78
실시예 9 I-61:B-43 (5:5) 65
실시예 10 I-61:D-31 (5:5) 69
실시예 12 I-62:B-116(5:5) 58
실시예 14 I-63:B-118 (5:5) 60
비교예 2 1-61 38
비교예 3 C-10 1 비교예 4 B-1 17 10
비교예 5 1-62 50
비교예 6 H-204 43
비교예 8 B-1 18 42 표 3을 참고하면, 실시예들에 따른 유기발광소자는 단일 화합물을 포함하는 각 비교예들에 따른 유기발광소자와 비교하여 수명 특성이 크게 개선된 것을 확인할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 '예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
【부호의 설명】
300: 유기 발광 소자
1 10: 애노드
120: 캐소드
130: 발광층
141 : 정공 수송층
142: 정공수송보조층

Claims

【청구의 범위】
【청구항 1】
서로 마주하는 애노드와 캐소드，
상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층,
상기 애노드와 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 수송층, 그리고
상기 정공 수송층과상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송보조층
을 포함하고，
상기 정공수송보조층은
하기 화학식 1로 표현되는 제 1 화합물, 그리고
하기 화학식 2로 표현되거나 하기 화학식 3과 4의 조합으로 표현되는 제 2 화합물
올 포함하는 유기광전자소자.
[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4]
Figure imgf000099_0002
상기 화학식 2 내지 4에서,
Y1, Yla 및 Ylb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된
C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기， 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고,
Ar4, Ar4a및 Ar4b는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
화학식 3의 인접한 두 개의 *는 화학식 4의 두 개의 *와 융합되고, 화학식 3의 융합되지 않은 두 개의 *는 각각 CR5, CR6이고,
R5 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내
C50 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R5와 R6은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R7과 R8은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R9와 R10은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고， 화학식 2의 R5 내지 R8 및 Ar4 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함하고,
화학식 3 또는 4의 R5 내지 R10, Ar4a 및 Ar4b 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함한다.
【청구항 3】
제 1항에서,
상기 게 1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-VIII 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자소자:
Figure imgf000102_0001
Figure imgf000102_0002
Figure imgf000102_0003
Figure imgf000102_0004
L1 내지 L3는 각각 독립적으로 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30
사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고，
Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합고리이고,
Xa내지 ^는 각각 독립적으로 0, S 또는 CRaRb 이고,
Rlb, R2a내지 R2c, R3a내지 R3c, R4a내지 R4c, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티오기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아미노기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 실릴기, 할로겐, 시아노기, 니트로기 , 히드록실기, 카르복실기, 이들의 조합, 이들의 조합의 융합고리이다.
【청구항 4】
제 3항에서，
Xa내지 Xc 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 0 또는 S인 유기광전자소자.
【청구항 5】
저) 1항에서,
상기 제 2 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 2-IV 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자소자:
[화학식 2-1] [화학식 2-Π]
Figure imgf000103_0001
[화학식 2-ΙΠ] [화학식 2-IV]
Figure imgf000104_0001
상기 화학식 2-1 내지 2-IV에서,
Υ1 내지 Υ3은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고，
Ar4및 Ar5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
Ar4a는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
R5 내지 R20은각각 독립적으로 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환.또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 6]
제 1항에서，
상기 제 2 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 3-VII 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자소자:
[화학식 3-1] [화학식 3-II]
Figure imgf000104_0002
[화학식 3-m] [화학식
Figure imgf000105_0001
상기 화학식 3-1 내지 3-VII에서,
Yl a 및 Ylb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기, 이들의 조합 또는 이들의 조합의 융합 고리이고，
Ar4a및 Ar4b는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R10, Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소, 증수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고， R5와 R6은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R7과 R8은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R9와 R10은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, Rd와 Re는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고, R5 내지 R10, Ar4a 및 Ar4b 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기를 포함한다.
【청구항 7]
거 11항에서，
상기 제 1 화합물은 하기 그룹 2에 나열된 화합물 중 하나인 유기광전자소자. [그룹 2]
-3] [F-5] [F-6] [F-10] [F-12]
Figure imgf000106_0001
Figure imgf000107_0001
【【寸£【卜一-
Figure imgf000108_0001
[1-61] [1-62] [1- [1-64]
Figure imgf000109_0001
-65]
Figure imgf000109_0002
【청구항 8】
제 1항에서,
상기 제 2 화합물은 하기 그룹 3에 나열된 화합물 중 하나인 유기 광전자 소자.
【청구항 9]
제 1항에서,
상기 정공수송보조층은 상기 발광층에 접해 있는 유기광전자소자.
【청구항 10]
거) 1항에서,
상기 정공수송보조층은 복수 층을 포함하고，
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 상기 복수 층의 정공수송보조층 중 상기 발광층에 접해 있는 층에 포함되어 있는 유기광전자소자.
【청구항 11】
게 1항에서,
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 레벨의 차이는 O.OleV 내지 0.5eV 인 유기 광전자 소자.
【청구항 12]
제 1항에서,
상기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함하고,
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 하기 관계식 6 내지 9를 만족하는 유기광전자소자:
[관계식 13]
|ETdopant| < |ET p2|
상기 관계식 10 내지 13에서，
ET pl은 제 1 화합물의 삼중항 에너지레벨이고 Ετ ρ2는 제 2 화합물의 삼중항 에너지레벨이고 E T h0St는 발광층의 호스트의 삼중항 에너지레벨이고 ^^^는 발광층의 도편트의 삼중항 에너지레벨이다.
【청구항 14】
제 1항에서,
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 상기 정공수송보조층의 두께 방향을 따라 균일한 흔합 비율을 가지는 유기광전자소자ᅳ
【청구항 15】
제 1항에서,
상기 정공 수송층은 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함하는 유기광전자소자： [화학식 3]
Figure imgf000114_0001
상기 화학식 3에서,
R1 18 내지 R121은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이며，
R1 18 및 R1 19는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고, R120 및 R121은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고, Ar6 내지 Ar8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
L4 내지 L7은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C 10 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 2가의 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 16]
제 15항에서,
상기 화학식 3의 Ar6은 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이고，
상기 화학식 3의 Ar7 및 Ar8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 치환 또는 비치환된 비스플루오렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기 중 어느 하나인 유기광전자소자.
【청구항 17] 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 따른 유기광전자소자를 포함하
PCT/KR2015/004248 2014-05-30 2015-04-28 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Ceased WO2015182887A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580020568.2A CN106232768B (zh) 2014-05-30 2015-04-28 有机光电元件及显示元件

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140066505 2014-05-30
KR10-2014-0066505 2014-05-30
KR1020150059142A KR101878398B1 (ko) 2014-05-30 2015-04-27 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR10-2015-0059142 2015-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2015182887A1 true WO2015182887A1 (ko) 2015-12-03
WO2015182887A9 WO2015182887A9 (ko) 2016-09-22

Family

ID=54699172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/004248 Ceased WO2015182887A1 (ko) 2014-05-30 2015-04-28 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2015182887A1 (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017103732A1 (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置、照明システムおよび誘導システム
CN106960912A (zh) * 2016-01-11 2017-07-18 德山新勒克斯有限公司 有机发光元件、有机发光显示装置及其化合物
CN107226799A (zh) * 2016-03-23 2017-10-03 三星Sdi株式会社 有机化合物及有机光电装置及显示装置
KR101785153B1 (ko) 2014-09-05 2017-10-17 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2018534238A (ja) * 2016-02-23 2018-11-22 エルジー・ケム・リミテッド ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
EP3742513A1 (en) * 2019-05-21 2020-11-25 Novaled GmbH Organic light emitting diode
CN114464759A (zh) * 2020-11-09 2022-05-10 三星Sdi株式会社 有机光电子装置和显示装置
CN114464748A (zh) * 2020-11-10 2022-05-10 三星Sdi株式会社 有机光电装置及显示装置
JPWO2022131123A1 (ko) * 2020-12-18 2022-06-23

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009145016A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011021520A1 (ja) * 2009-08-19 2011-02-24 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120022859A (ko) * 2009-04-01 2012-03-12 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자
KR20130028673A (ko) * 2011-09-09 2013-03-19 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20130038218A (ko) * 2010-03-06 2013-04-17 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009145016A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120022859A (ko) * 2009-04-01 2012-03-12 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자
WO2011021520A1 (ja) * 2009-08-19 2011-02-24 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20130038218A (ko) * 2010-03-06 2013-04-17 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스
KR20130028673A (ko) * 2011-09-09 2013-03-19 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101785153B1 (ko) 2014-09-05 2017-10-17 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US10930855B2 (en) 2015-12-17 2021-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, lighting system, and guidance system
CN108369996A (zh) * 2015-12-17 2018-08-03 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备、照明装置、照明系统及引导系统
JPWO2017103732A1 (ja) * 2015-12-17 2018-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置、照明システムおよび誘導システム
WO2017103732A1 (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置、照明システムおよび誘導システム
CN106960912A (zh) * 2016-01-11 2017-07-18 德山新勒克斯有限公司 有机发光元件、有机发光显示装置及其化合物
CN106960912B (zh) * 2016-01-11 2019-12-03 德山新勒克斯有限公司 有机发光元件、有机发光显示装置及其化合物
US11968897B2 (en) 2016-02-23 2024-04-23 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting diode containing same
JP2018534238A (ja) * 2016-02-23 2018-11-22 エルジー・ケム・リミテッド ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
US10700286B2 (en) 2016-03-23 2020-06-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic compound and organic optoelectric device and display device
CN107226799B (zh) * 2016-03-23 2021-04-30 三星Sdi株式会社 有机化合物及有机光电装置及显示装置
CN107226799A (zh) * 2016-03-23 2017-10-03 三星Sdi株式会社 有机化合物及有机光电装置及显示装置
EP3742513A1 (en) * 2019-05-21 2020-11-25 Novaled GmbH Organic light emitting diode
CN114464759A (zh) * 2020-11-09 2022-05-10 三星Sdi株式会社 有机光电子装置和显示装置
CN114464759B (zh) * 2020-11-09 2025-02-14 三星Sdi株式会社 有机光电子装置和显示装置
CN114464748A (zh) * 2020-11-10 2022-05-10 三星Sdi株式会社 有机光电装置及显示装置
CN114464748B (zh) * 2020-11-10 2024-12-13 三星Sdi株式会社 有机光电装置及显示装置
JPWO2022131123A1 (ko) * 2020-12-18 2022-06-23
WO2022131123A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015182887A9 (ko) 2016-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112789740B (zh) 用于有机光电子元件的组合物、有机光电子元件及显示装置
CN106232768B (zh) 有机光电元件及显示元件
KR101984244B1 (ko) 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101773363B1 (ko) 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101829745B1 (ko) 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
TWI613197B (zh) 有機光電元件用組成物、有機光電元件及顯示元件
WO2015182887A9 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101972802B1 (ko) 유기 화합물, 조성물 및 유기 광전자 소자
WO2015111848A1 (ko) 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN110003127B (zh) 组合物、有机光电子装置及显示装置
KR101897039B1 (ko) 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN115745980A (zh) 一种杂环类化合物及其有机电致发光器件
CN117003716A (zh) 一种基于芴并杂环的三芳胺类衍生物及其有机电致发光器件
KR101976017B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN110021707A (zh) 有机光电装置和显示装置
CN110832656B (zh) 有机光电二极管用组合物、有机光电二极管和显示器件
TW201336809A (zh) 芳香族胺衍生物、有機電致發光元件及電子機器
KR101926022B1 (ko) 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN112802969A (zh) 有机光电子器件及显示器件
KR102146791B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN113437228B (zh) 用于有机光电装置的组合物、有机光电装置和显示装置
CN114716443A (zh) 有机化合物以及使用其的有机电致发光器件和电子装置
KR102044946B1 (ko) 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102044945B1 (ko) 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN113889585B (zh) 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15799688

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15799688

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1