WO2015163410A1

WO2015163410A1 - 接点接続構造

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Publication number: WO2015163410A1
Application number: PCT/JP2015/062378
Authority: WO
Inventors: 準弥篠原
Original assignee: 矢崎総業株式会社
Priority date: 2014-04-24
Filing date: 2015-04-23
Publication date: 2015-10-29

Abstract

インデント部（４）が突設された弾性撓み部（３）と、タブ部（１１）とを有し、端子挿入過程では、インデント部（４）がタブ部（１１）の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、インデント部（４）がタブ部（１１）に接触する接点接続構造であって、弾性撓み部（３）の接触面側には、タブ部（１１）がインデント部（４）よりも先に摺動する位置に、酸化膜除去部（５）が設けられている。

Description

接点接続構造

　本発明は、端子の電気的接続を行う接点接続構造に関する。

　図１－７には、従来例の接点接続構造を適用したメス端子とオス端子が示されている（類似技術として特許文献１参照）。

　図１－３に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２を有する。この箱部５２内には、この箱部５２に一体に設けられた弾性撓み部５３が配置されている。

　弾性撓み部５３には、底面側に向かって突出するインデント部５４が設けられている。

　インデント部５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。

　メス端子５１の外面には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐金環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。

　オス端子６０は、平板状のタブ部６１を有する。オス端子６０の外面には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐金環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキ層が形成されている。

　オス端子６０のタブ部６１をメス端子５１の箱部５２に挿入すると、弾性撓み部５３が撓み変形してタブ部６１の挿入が許容される。

　タブ部６１の挿入過程では、タブ部６１が弾性撓み部５３のインデント部５４上を摺動し、端子挿入完了位置では、図２，５に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４とタブ部６１の面が接触する。

　端子挿入完了位置では、弾性撓み部５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子５１のインデント部５４とオス端子６０のタブ部６１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子５１とオス端子６０間が通電する。

　箱部５２とタブ部６１等の外面には、全域に亘って錫メッキ処理されている。錫メッキし、その後にリフロー処理を行うと、次のような構造となる。

　すなわち、図６に示すように、銅合金材の母材層５２ａ，６１ａの外面側に銅／錫合金層５２ｂ，６１ｂ、錫メッキ層５２ｃ，６１ｃが形成されると共に錫メッキ層５２ｃ，６１ｃの外面に酸化膜５２ｄ，６１ｄが形成される。

　酸化膜５２ｄ，６１ｄは、錫や銅に較べて電気比抵抗が非常に高い。そのため、接触抵抗の低減を図るために、酸化膜５２ｄ，６１ｄを破壊して錫メッキ層５２ｃ，６１ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作る必要がある。

特開２００７－２８０８２５号公報(JP 2007-280825 A)

　しかしながら、従来例の構造では、酸化膜５２ｄ，６１ｄの破壊を促進させるためには、接点部間の接点圧力を大きくすることが考えられるが、端子５１，６０が大型化したり、複雑化したりするという問題があった。

　そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる接点接続構造を提供することを目的とする。

　上記の課題を解決するために、本発明の態様では、インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを備え、端子挿入過程では、第１接点部のインデント部が第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、インデント部が第２接点部に接触する接点接続構造であって、第１接点部の接触面側には、第２接点部がインデント部よりも先に摺動する位置に、酸化膜除去部が設けられている。

　このような構成により、端子摺動過程で、第１接点部の接触面側の酸化膜除去部が第２接点部の接触面側に生成された酸化膜を除去するため、酸化膜の破壊が促進され、メッキ面との接触が得られる。また、接触面が酸化膜の削除によって分断され、複数の接触面ができる。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　酸化膜除去部は、突部であってもよい。

　このような構成により、端子摺動過程で、第１接点部の接触面側の酸化膜除去部としての突部が第２接点部の接触面側に生成された酸化膜を削るため、酸化膜の破壊が促進され、メッキ面との接触が得られる。また、接触面が酸化膜の削除によって分断され、複数の接触面ができる。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　インデント部は、端子挿入方向の直交方向に延びる頂部を有してもよく、酸化膜除去部は、端子挿入方向の直交方向に間隔を置いて複数設けられた部分を有してもよい。

　このような構成でも、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　酸化膜除去部は、端子挿入方向の直交方向の第１接点部の両端部にわたって連続して設けられた部分を有してもよい。

　このような構成により、酸化膜除去部の第１接点部の両端部にわたって連続して設けられた部分により、第１接点部の接触面の全域で第２接点部に生成された酸化膜を除去することができ、インデント部と第２接点部との接触抵抗をさらに低減できる。

　酸化膜除去部は、第１接点部の接触面と反対側に凹まされた凹部の角部を有してもよい。

　このような構成により、第１接点部の接触面と反対側に凹まされた凹部の角部を酸化膜除去部とするので、容易に酸化膜除去部を設けることができ、複雑化を抑制することができる。

　酸化膜除去部は、第１接点部の接触面側に向けて折り曲げられた折曲部の端部を有してもよい。

　このような構成により、第１接点部の接触面側に折り曲げられた折曲部の端部を酸化膜除去部とするので、容易に酸化膜除去部を設けることができ、複雑化を抑制することができる。

図１は、従来例を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図２は、従来例を示し、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。図３（ａ）は従来例のメス端子の弾性撓み部の要部側面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ矢視図である。図４（ａ）は従来例のオス端子のタブ部の要部側面図、図４（ｂ）は従来例のオス端子のタブ部の要部平面図である。図５は、従来例を示し、接点部の要部側面図である。図６は、従来例を示し、箱部やタブ部のメッキ層の構成図である。図７は、第１実施形態を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図８は、第１実施形態を示し、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。図９は、第１実施形態を示し、弾性撓み部の斜視図である。は、図１０（ａ）は第１実施形態における端子接続前の弾性撓み部とタブ部の側面図、図１０（ｂ）は第１実施形態における端子摺動過程における弾性撓み部とタブ部の側面図、図１０（ｃ）は第１実施形態における端子接続状態の弾性撓み部とタブ部の側面図である。は、図１１（ａ）は第１実施形態におけるタブ部の要部平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ－Ａ線に沿う断面図である。図１２（ａ）は第２実施形態における弾性撓み部の平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＢ－Ｂ線に沿う断面図、図１２（ｃ）は第２実施形態における弾性撓み部の斜視図である。図１３（ａ）は第３実施形態における弾性撓み部の斜視図、図１３（ｂ）は第３実施形態における酸化膜除去部の断面図である。図１４（ａ）は第４実施形態におけるメス端子の断面図、図１４（ｂ）は第４実施形態における酸化膜除去部の断面図である。図１５は、第５実施形態を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図（錫メッキ層は不図示）である。図１６（ａ）は第５実施形態における端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図（錫メッキ層は不図示）、図１６（ｂ）は第５実施形態における接点接続箇所の要部断面図である。図１７（ａ）は第５実施形態におけるメス端子の弾性撓み部の要部断面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＡ矢視図である。図１８は、第５実施形態を示し、オス端子のタブ部の要部断面図である。図１９は、第６実施形態を示し、接続状態のメス端子とオス端子の要部断面図である。図２０は、第６実施形態を示し、オス端子のタブ部の要部斜視図である。図２１は、第７実施形態を示し、オス端子のタブ部の要部斜視図である。

　以下、実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。

　（第１実施形態）
　図７－１１を用いて第１実施形態に係る接点接続構造について説明する。

　メス端子１は、メス側コネクタハウジング（不図示）内の端子収容室に配置されている。

　メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されており、第１接点部である箱部２を有する。

　箱部２は、前方が開口された方形状である。箱部２内には、箱部２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部３が配置されている。

　弾性撓み部３には、底面側に向かって突出するインデント部４が設けられている。

　インデント部４は、端子挿入方向の直交方向に延びる頂部４ａを有し、半円筒形状に形成されている。インデント部４は、弾性撓み部３の撓み変形によって上方に変移できる。

　弾性撓み部３と固定面部である箱部２の底面部２ａは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａの間に、オス端子１０が挿入される。

　弾性撓み部３の接触面側には、タブ部１１がインデント部４よりも先に摺動する位置に、四角錐状の突部５が設けられている。突部５は、端子挿入方向の直交方向に間隔を置いて複数、例えば３つ設けられている。

　この突部５は、タブ部１１がインデント部４と摺動する前に、タブ部１１と摺動し、タブ部１１の接触面に生成された酸化膜１３を除去する酸化膜除去部となっている。以下では、酸化膜除去部を突部５として説明する。

　また、メス端子１の外面には、導電性金属のメッキ層（不図示）が形成されている。メッキ層（不図示）の外面には酸化膜（不図示）が形成される。

　オス端子１０は、オス側コネクタハウジング（不図示）内の端子収容室に配置されている。オス端子１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されており、第２接点部であるタブ部１１を有する。

　タブ部１１は、フラットな板形状である。また、オス端子１０の外面には、導電性金属のメッキ層１２が形成されている。メッキ層１２の外面には酸化膜１３が形成される。

　次に、タブ部１１のメッキ層１２について説明する。メッキ層１２は、図１１（ｂ）に示すように、銅合金の母材層１２ａの上に形成されている。

　銅合金材の母材層１２ａの外面側には、メッキ層１２としての銅／錫合金層１２ｂ及び錫メッキ層１２ｃが形成されると共には、錫メッキ層１２ｃの外面に酸化膜１３が形成される。また、メス端子１のメッキ層（不図示）も同様に構成されている。

　上記構成において、メス側コネクタハウジング（不図示）とオス側コネクタハウジング（不図示）間を嵌合すると、その嵌合過程ではオス端子１０のタブ部１１がメス端子１の箱部２に挿入される。

　すると、先ず図１０（ａ）に示すように、タブ部１１の先端が弾性撓み部３に接近する。その後、図１０（ｂ）に示すように、タブ部１１の先端が弾性撓み部３に当接し、タブ部１１の接触面上に弾性撓み部３の接触面側の突部５が摺動することにより、タブ部１１の接触面側に生成された酸化膜１３が削られて、オス端子１０の挿入方向に沿うＶ字溝１４が形成されると共に、メッキ層１２の錫メッキ層１２ｃが露出する。

　次いで、この当接箇所より更にタブ部１１の挿入が進むと、図１０（ｃ）に示すように、タブ部１１の接触面上にインデント部４の頂部４ａが摺動し、弾性撓み部３が撓み変形してタブ部１１の挿入が許容される。

　タブ部１１の挿入過程では、インデント部４がタブ部１１の接触部１１Ａに接触し、端子挿入完了位置に達する。

　以上説明したように、第１実施形態に係る接点接続構造では、突部５が酸化膜除去部として機能することにより、端子摺動過程において、弾性撓み部３の接触面側の突部５がタブ部１１の表面に生成された酸化膜１３を削るため、図１１（ａ），１１（ｂ）に示すように、酸化膜１３の破壊が促進され、メッキ層１２の錫メッキ層１２ｃとの接触が得られる。

　また、接触面が酸化膜１３の削除によって分断され、複数の接触面ができる。以上より、メス端子１やオス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　第１実施形態では、端子挿入方向の直交方向に間隔を置いて複数設けられた突部５で、タブ部１１の表面の酸化膜１３を削ることにより、複数の箇所で接触面が分断されるため、多くの接触面を確実に得ることができる。

　（第２実施形態）
　次に、図１２（ａ）－１２（ｃ）を用いて第２実施形態を示す。なお、第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。第２実施形態では、突部９が酸化膜除去部として機能する。

　図１２（ａ）－１２（ｃ）に示すように、第２実施形態に係る接点接続構造は、弾性撓み部３の接触面側には、インデント部８が形成されると共に、タブ部１１がインデント部８よりも先に摺動する位置に、突部９が設けられている点において、第１実施形態と相違している。

　インデント部８は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。

　突部９は、半円柱形状に形成され、頂点が最下方に位置している。なお、突部９の外径は、インデント部８の外径より小さく設定されている。

　第２実施形態でも、第１実施形態と同様に、端子摺動過程において、弾性撓み部３の接触面側の突部９が酸化膜除去部として機能することにより、タブ部１１の表面に生成された酸化膜１３を削るため、酸化膜１３の破壊が促進され、メッキ層１２の錫メッキ層１２ｃとの接触が得られる。

　（第３実施形態）
　図１３（ａ）、１３（ｂ）を用いて第３実施形態を示す。なお、第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。第３実施形態では、突部１５が酸化膜除去部として機能する。

　第３実施形態に係る接点接続構造は、突部１５が、端子挿入方向の直交方向の第１接点部である箱部２の弾性撓み部３の両端部にわたって連続して設けられている。

　また、突部１５は、弾性撓み部３の接触面と反対側に凹まされた凹部１７の角部１９を有する。

　図１３（ａ）、１３（ｂ）に示すように、突部１５は、タブ部１１の挿入方向と直交する弾性撓み部３の幅方向の両端部にわたって連続して設けられている。

　この突部１５は、弾性撓み部３の接触面と反対側、すなわちインデント部４の頂部４ａの突出方向と反対側に向けて凹まされた凹部１７の角部１９となっている。

　このような突部１５では、タブ部１１が箱部２内に挿入される端子挿入過程では、凹部１７の角部１９がタブ部１１の接触面上を摺動し、タブ部１１の接触面側に生成された酸化膜１３が削られて、メッキ面１２の錫メッキ層１２ｃが露出する。

　このとき、突部１５（凹部１７の角部１９）は、弾性撓み部３の幅方向にわたって設けられているので、タブ部１１の接触面において、弾性撓み部３の幅方向全域分の生成された酸化膜１３が削られる。

　このため、インデント部がどのような形状（例えば、第１実施形態に示すインデント部４や第２実施形態に示すインデント部８など）であっても、インデント部は、メッキ面１２の錫メッキ層１２ｃが露出したタブ部１１の接触面に接触することができる。

　第３実施形態でも、第１，２実施形態と同様に、端子摺動過程において、弾性撓み部３の接触面側の突部１５が酸化膜除去部として機能することにより、タブ部１１の表面に生成された酸化膜１３を削るため、酸化膜１３の破壊が促進され、メッキ層１２の錫メッキ層１２ｃとの接触が得られる。

　また、突部１５は、端子挿入方向の直交方向の弾性撓み部３の両端部にわたって連続して設けられているので、弾性撓み部３の接触面の全域でタブ部１１に生成された酸化膜１３を削ることができ、インデント部４とタブ部１１との接触抵抗をさらに低減できる。

　さらに、突部１５は、タブ部１１の接触面と反対側に凹まされた凹部１７の角部１９であるので、容易に突部１５を設けることができ、複雑化を抑制することができる。以上より、メス端子１やオス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　（第４実施形態）
　図１４（ａ）、１４（ｂ）を用いて第４実施形態を示す。なお、第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。第４実施形態では、突部２１が酸化膜除去部として機能する。

　第４実施形態に係る接点接続構造は、突部２１が、第１接点部である箱部２の弾性撓み部２３の接触面側に向けて折り曲げられた折曲部２５の端部２７を有する。

　第４実施形態に係る接点接続構造では、弾性撓み部２３が、箱部２の底壁が上壁側に向けて切り起こされて形成されている。

　この弾性撓み部２３の接触面である上面側には、上面側に向けて突出するインデント部２９が設けられている。なお、インデント部２９の形状は、半円筒状や半球状など、どのような形状であってもよい。

　このインデント部２９は、箱部２の上壁と弾性撓み部２３の接触面との間にタブ部１１が挿入されると、弾性撓み部２３の撓み変形によって下方へ変移する。

　このようなインデント部２９が設けられた弾性撓み部２３には、タブ部１１がインデント部２９よりも先に摺動する位置に、突部２１が設けられている。

　突部２１は、弾性撓み部２３の自由端が接触面側、すなわちインデント部２９の突出方向と同一方向に向けて折り曲げられた折曲部２５の端部２７となっている。

　突部２１は、タブ部１１の挿入方向と直交する弾性撓み部２３の幅方向の両端部にわたって連続して設けられている。

　突部２１では、タブ部１１が箱部２内に挿入される端子挿入過程では、折曲部２５の端部２７がタブ部１１の接触面上を摺動し、タブ部１１の接触面側に生成された酸化膜１３が削られて、メッキ面１２の錫メッキ層１２ｃが露出する。

　第４実施形態でも、第１－３実施形態と同様に、端子摺動過程において、弾性撓み部３の接触面側の突部２１が酸化膜除去部として機能することにより、タブ部１１の表面に生成された酸化膜１３を削るため、酸化膜１３の破壊が促進され、メッキ層１２の錫メッキ層１２ｃとの接触が得られる。

　また、突部２１は、弾性撓み部２３の自由端側を接触面側に向けて折り曲げられた折曲部２５の端部２７であるので、容易に突部２１を設けることができ、複雑化を抑制することができる。以上より、メス端子１やオス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　なお、第１実施形態では四角錐状の突部５を設けて、第２実施形態では半円柱状の突部９を設けたが、本発明はこれに限定されず、突部をインデント部より外径が小さく設定された形状であればよい。

　また、突部の表面に細かな凹凸部を設けて摩擦係数の向上を図ることもできる。これによって、突部でメッキ層の酸化膜を強く擦ることができるので、酸化膜をより確実に破壊することができる。

　さらに、第３，４実施形態では、突部が端子挿入方向の直交方向の第１接点部の両端部にわたって連続して設けられているが、本発明はこれに限定されず、凹部の角部や折曲部の端部を端子挿入方向の直交方向に間隔を置いて複数設けてもよい。

　また、酸化膜除去部としての突部は、第１実施形態では端子挿入方向の直交方向に間隔を置いて複数設けられたのみ、第２－４実施形態では端子挿入方向の直交方向の第１接点部の両端部にわたって連続して設けられたのみであるが、本発明はこれに限定されるものではない。

　例えば、第１接点部の接触面側の第２接点部がインデント部よりも先に摺動する位置において、まず、端子挿入方向の直交方向に間隔を置いて複数設けられた酸化膜除去部を１列設け、次に、端子挿入方向の直交方向の第１接点部の両端部にわたって連続して設けられた酸化膜除去部を１列設けるなど、端子挿入方向の直交方向に沿った酸化膜除去部を端子挿入方向に複数列配置させ、全体として酸化膜除去部としてもよい。

　さらに、酸化膜除去部として機能する突部は、四角錐状の突部のみ、半円柱形状の突部のみ、凹部の角部のみ、折曲部の端部のみで構成されなくともよく、第１接点部の接触面側において、第２接点部がインデント部よりも先に摺動する位置であれば、例えば、四角錐状の突部と折曲部の端部とで突部を構成するなど、複数の組み合わせで突部を構成してもよい。

　また、酸化膜除去部は、突部となっているが、これに限らず、例えば、第１接点部のメッキ層内に、第２接点部のメッキ層に混入させた金属と同種の金属を混入させ、金属間結合の結合力によって酸化膜を除去するような部分としてもよく、酸化膜を除去できる構成であればどのようなものであってもよい。

　（第５実施形態）
　図１５－１８は第５実施形態を示す。第１端子であるメス端子と第２端子であるオス端子間に本発明に係る接点接続構造が適用されている。

　メス端子１は、メス側コネクタハウジング（不図示）内の端子収容室に配置されている。メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子１は、第１接点部である箱部２を有する。箱部２は、前方が開口された方形状である。箱部２内には、箱部２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部３が配置されている。弾性撓み部３には、底面側に向かって突出するインデント部４が設けられている。インデント部４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。インデント部４は、撓み変形部３の撓み変形によって上方に変移できる。弾性撓み部３と固定面部である箱部２の底面部２ａは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａの間に、オス端子１０が挿入される。

　メス端子１には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施される。従って、弾性撓み部３（インデント部４の箇所を含む）には、図１６（ｂ）、１７（ａ）に詳しく示すように、銅合金材の母材層３ａの外面に錫メッキ層３ｂが形成されている（図１５、１６（ａ）は、錫メッキ層３ｂを図示せず）。錫メッキ層３ｂの表面には、リフロー処理後等に酸化膜（不図示）が生成される。

　オス端子１０は、オス側コネクタハウジング（不図示）内の端子収容室に配置されている。オス端子１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子１０は、第２接点部であるタブ部１１を有する。タブ部１１は、外形が偏平板形状である。オス端子１０には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施される。従って、タブ部１１には、図１６（ｂ）、図１８に詳しく示すように、銅合金材の母材層１１ａの外面に錫メッキ層１１ｂが形成されている（図１５、１６（ａ）は、錫メッキ層１１ｂを図示せず）。錫メッキ層１１ｂの表面には、リフロー処理後等に酸化膜（不図示）が生成される。

　インデント部４が摺動するタブ部１１の面には、インデント部４の端子挿入完了位置より手前位置（直前位置）に突部３２が設けられている。突部３２は、タブ部１１の先端側の面がテーパ面（タブ部１１の端子挿入方向の下流側の面）３２ａに、タブ部１１の基端側の面が垂直面（タブ部１１の端子挿入方向の上流側の面）３２ｂに形成されている。テーパ面３２ａは、先端側より徐々に高さを高くする面である。つまり、端子挿入過程では、インデント部４がテーパ面３２ａを摺動し、その後、インデント部４が垂直面３２ｂを超える。

　上記構成において、メス側コネクタハウジング（不図示）とオス側コネクタハウジング（不図示）間を嵌合すると、その嵌合過程ではオス端子１０のタブ部１１がメス端子１の箱部２に挿入される。すると、先ずタブ部１１の先端が弾性撓み部３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部３が撓み変形してタブ部１１の挿入が許容される。タブ部１１の挿入過程（端子挿入過程）では、インデント部４がタブ部１１の接触面を摺動する（図１６（ｂ）の仮想線参照）。端子挿入完了位置の手前位置ではインデント部４が突部３２を乗り越え、乗り越えたインデント部４がタブ部１１の接触面に着地し、端子挿入完了位置に達する（図１６（ａ）、１６（ｂ）の位置）。

　この接点接続構造では、インデント部４が摺動するタブ部１１の面には、インデント部４の端子挿入完了位置より手前位置に突部３２が設けられている。従って、オス端子挿入過程にあって、インデント部４が端子挿入完了位置に着地する際に、インデント部４及びタブ部１１の接触面に衝撃荷重が作用し、この衝撃荷重によってインデント部４及びタブ部１１の接触面側の酸化膜の破壊が促進され、酸化膜の破壊箇所から錫が表面ににじみ出て錫メッキ同士の接触点（オーミック点）が増加する。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　端子挿入完了位置の手前位置では端子挿入力が一時大きくなるが、それ以外の端子挿入過程では端子挿入力が大きくならないため、端子挿入性の低下を極力防止できる。つまり、従来例の構造では、弾性撓み部５３の撓み復帰力を大きくすると酸化膜の破壊を促進することができるが、端子挿入力がそれに比例して増大するため、端子挿入性が悪くなる。以上より、第５実施形態では、端子挿入性の低下を極力防止しつつ、接触抵抗の低減を図ることができる。

　突部３２は、タブ部１１の先端側の面がテーパ面（タブ部１１の端子挿入方向の下流側の面）３２ａに、タブ部１１の基端側の面が垂直面（タブ部１１の端子挿入方向の上流側の面）３２ｂに形成されている。従って、インデント部４がスムーズに突部３２に乗り上げることができ、インデント部４が突部３２を乗り越えた後は、インデント部４がタブ部１１の接触面に落下するようにして着地するため、大きな衝撃荷重が作用する。これにより、インデント部４及びタブ部１１の接触面側の酸化膜の破壊を有効に促進できる。

　第５実施形態においては、突部３２が、インデント部４をタブ部１１の接触面に着地させる酸化膜除去部３３となっている。

　酸化膜除去部３３は、インデント部４が摺動するタブ部１１の接触面において、インデント部４の端子挿入完了位置より手前位置（直前位置）に設けられている。

　このため、酸化膜除去部３３は、端子挿入完了位置の手前位置において、インデント部４が酸化膜除去部３３に達したときに、インデント部４をタブ部１１の接触面と衝突するようにタブ部１１の接触面に着地させる。

　このとき、インデント部４とタブ部１１との接触面には、大きな衝撃荷重が作用し、インデント部４とタブ部１１との接触面に生成された酸化膜の破壊が促進される。

　このような酸化膜除去部３３が設けられた接点接続構造では、端子挿入過程にあって、インデント部４がタブ部１１の接触面を摺動するが、端子挿入完了位置の手前位置ではインデント部４が酸化膜除去部３３によってタブ部１１の接触面に着地し、端子挿入完了位置に達する。

　この端子挿入完了位置へのインデント部４の着地の際に、インデント部４及びタブ部１１の接触面に衝撃荷重が作用し、この衝撃荷重によってインデント部４及びタブ部１１の接触面側の酸化膜の破壊が促進され、メッキ同士の接触点が増える。

　従って、このような接点接続構造では、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　（第６実施形態）
　図１９，２０を用いて第６実施形態について説明する。なお、第５実施形態と同様の構成には、同様の符号を付して説明を省略する。

　第６実施形態に係る接点接続構造は、酸化膜除去部３３が、段差部３５となっている。

　タブ部１１のインデント部４と接触する接触面には、インデント部４の端子挿入完了位置より手前位置に、インデント部４をタブ部１１の接触面に着地させる酸化膜除去部３３が設けられている。この酸化膜除去部３３は、段差部３５となっている。

　段差部３５は、タブ部１１の接触面において、インデント部４の端子挿入完了位置側の接触面１１ｃ（図２０の左側に示す接触面）が、インデント部４の端子挿入完了位置より手前位置側の接触面１１ｄ（図２０の右側に示す接触面）より低くなるように、ほぼ垂直に折り曲げられた連結面３７を介して設けられている。

　なお、連結面３７は、例えば、段差部３５の断面形状がＺ字状となるように、接触面１１ｃ，１１ｄと連結面３７とで成す角度が鋭角となるように設定してもよい。

　段差部３５は、端子挿入過程において、タブ部１１の接触面１１ｄを弾性撓み部３の付勢力を受けながら摺動するインデント部４が段差部３５に達したときに、接触面１１ｄより低い位置に配置された接触面１１ｃに向けて弾性撓み部３の付勢力を解放するように、インデント部４を落下させる。

　この段差部３５によって落下されたインデント部４は、端子挿入完了位置に達するときに、これまで摺動した接触面１１ｄより低い位置に配置されたタブ部１１の接触面１１ｃと衝突する。

　この段差部３５によるインデント部４とタブ部１１の接触面１１ｃとの衝突により、インデント部４とタブ部１１との接触面には、大きな衝撃荷重が作用し、インデント部４とタブ部１１との接触面に生成された酸化膜の破壊が促進される。

　このような接点接続構造では、酸化膜除去部３３が、段差部３５となっているので、インデント部４が端子挿入完了位置に位置するときに、インデント部４が段差部３５から落下し、タブ部１１の接触面１１ｃに着地する。

　このインデント部４が端子挿入完了位置に着地する際に、インデント部４及びタブ部１１の接触面に衝撃荷重が作用し、この衝撃荷重によってインデント部４及びタブ部１１の接触面側の酸化膜の破壊が促進され、酸化膜の破壊箇所から錫が表面ににじみ出て錫メッキ同士の接触点（オーミック点）が増加する。

　（第７実施形態）
　図２１を用いて第７実施形態について説明する。なお、第５，６実施形態と同様の構成には、同様の符号を付して説明を省略する。

　第７実施形態に係る接点接続構造は、段差部３５が、凹部３９の第２接点部としてのタブ部１１の先端側に位置されている。

　段差部３５は、タブ部１１のインデント部４との接触面に設けられた凹部３９のタブ部１１の先端側（ここでは図２１に示す右側）の角部を構成する部分となっている。

　凹部３９は、タブ部１１のインデント部４との接触面において、インデント部４の端子挿入完了位置に設けられている。

　このため、凹部３９の角部を構成する段差部３５は、タブ部１１のインデント部４との接触面において、インデント部４の端子挿入完了位置より手前位置に位置することになる。

　この凹部３９の角部を構成する段差部３５は、端子挿入過程において、タブ部１１の接触面１１ｄを弾性撓み部３の付勢力を受けながら摺動するインデント部４が段差部３５に達したときに、接触面１１ｄより低い位置に配置された凹部３９内の接触面１１ｃに向けて弾性撓み部３の付勢力を解放するように、インデント部４を落下させる。

　この段差部３５によって落下されたインデント部４は、端子挿入完了位置に達するときに、これまで摺動した接触面１１ｄより低い位置に配置された凹部３９内のタブ部１１の接触面１１ｃと衝突する。

　この段差部３５によるインデント部４と凹部３９内のタブ部１１の接触面１１ｃとの衝突により、インデント部４とタブ部１１との接触面には、大きな衝撃荷重が作用し、インデント部４とタブ部１１との接触面に生成された酸化膜の破壊が促進される。つまり、第７実施形態においては、段差部３５が酸化膜除去部として機能する。

　このインデント部４が端子挿入完了位置に達したときには、インデント部４が凹部３９内に収容された状態となる。

　このようにインデント部４を凹部３９内に収容させることにより、インデント部４とタブ部１１との接触状態を保持することができる。

　このような接点接続構造では、段差部３５が、凹部３９のタブ部１１の先端側に位置されているので、インデント部４が端子挿入完了位置に位置するときに、インデント部４が段差部３５から落下し、凹部３９内のタブ部１１の接触面１１ｃに着地する。

　また、インデント部４は、凹部３９内のタブ部１１の接触面１１ｃに着地するので、インデント部４を凹部３９内に収容させることができ、インデント部４とタブ部１１との接触状態を保持することができる。

　なお、第５－７実施形態に係る接点接続構造では、弾性撓み部３とタブ部１１の外面に錫メッキ層３ｂ、１１ｂが形成されているが、錫以外であっても酸化膜が形成されるメッキ層であれば同様の効果が得られる。

　また、酸化膜除去部は、突部のみ、段差部のみから構成されているが、これに限らず、突部と段差部とで酸化膜除去部を構成するなど、第２接点部の接触面において、インデント部の端子挿入完了位置より手前位置あれば、酸化膜除去部を複数の組み合わせで構成してもよい。

Claims

　インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを備え、
　端子挿入過程では、前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、
　端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する接点接続構造であって、
　前記第１接点部の接触面側には、前記第２接点部が前記インデント部よりも先に摺動する位置に、酸化膜除去部が設けられている
ことを特徴とする接点接続構造。
　請求項１記載の接点接続構造であって、
　前記酸化膜除去部は、突部であることを特徴とする接点接続構造。
　請求項１又は２に記載の接点接続構造であって、
　前記インデント部は、端子挿入方向の直交方向に延びる頂部を有し、
　前記酸化膜除去部は、端子挿入方向の直交方向に間隔を置いて複数設けられた部分を有する
ことを特徴とする接点接続構造。
　請求項１―３のいずれか１項に記載の接点接続構造であって、
　前記酸化膜除去部は、端子挿入方向の直交方向の前記第１接点部の両端部にわたって連続して設けられた部分を有する
ことを特徴とする接点接続構造。
　請求項１―４のいずれか１項に記載の接点接続構造であって、
　前記酸化膜除去部は、前記第１接点部の接触面と反対側に凹まされた凹部の角部を有することを特徴とする接点接続構造。
　請求項１―５のいずれか１項に記載の接点接続構造であって、
　前記酸化膜除去部は、前記第１接点部の接触面側に向けて折り曲げられた折曲部の端部を有することを特徴とする接点接続構造。