WO2015147266A1

WO2015147266A1 - 有機半導体膜形成用組成物

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Publication number: WO2015147266A1
Application number: PCT/JP2015/059638
Authority: WO
Inventors: 佑一早田; 俊博仮屋; 友樹平井
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2014-03-28
Filing date: 2015-03-27
Publication date: 2015-10-01
Also published as: JP6240544B2; JP2015192116A; EP3125321A4; EP3125321B1; EP3125321A1; TW201536792A

Abstract

　本発明は、優れた移動度を示すと共に、サンプル間での移動度のバラツキが小さい有機半導体膜を製造することができる有機半導体膜形成用組成物を提供する。本発明の有機半導体膜形成用組成物は、分子内に、２つ以上のチオフェン環を含み、チオフェン環を含む少なくとも４つ以上の環数の縮環構造からなる母核、および、母核に結合する置換基Ｘを有する第１有機半導体化合物と、第１有機半導体化合物と同じ母核を有し、かつ、所定の要件を満たす、第２有機半導体化合物と、有機溶媒と、を少なくとも含有する。

Description

有機半導体膜形成用組成物

　本発明は、有機半導体膜形成用組成物に関する。

　軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。
　有機半導体膜の作製方法としては、種々の方法が提案されている。例えば、特許文献１では、所定の有機溶媒を含む組成物を使用して有機層を製造する方法が開示されている。

特表２０１２－５１７６７３号公報

　近年、有機トランジスタなどの電子デバイスの性能向上の点では、有機半導体膜の移動度のより一層の向上が求められる。また、電子デバイスの品質を向上する上では、サンプル間（ロット間）における有機半導体膜の移動度のバラツキが少ないことが求められる。つまり、有機半導体膜においては、優れた移動度、および、移動度のバラツキが少ないことが求められる。
　本発明者らは、特許文献１に記載の溶媒を用いて有機半導体膜を作製してその移動度および移動度のバラツキを評価したところ、必ずしも昨今の要求を満たしておらず、さらなる改良が必要であった。

　本発明は、上記実情に鑑みて、優れた移動度を示すと共に、サンプル間での移動度のバラツキが小さい有機半導体膜を製造することができる有機半導体膜形成用組成物を提供することを目的とする。

　本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、特定の有機半導体材料を選択することにより所望の効果が得られることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

（１）　分子内に、２つ以上のチオフェン環を含み、上記チオフェン環を含む少なくとも４つ以上の環数の縮環構造からなる母核、および、母核に結合する置換基Ｘを有する第１有機半導体化合物と、
　第１有機半導体化合物と同じ母核を有し、かつ、後述する要件１～要件３からなる群から選択されるいずれか１つの要件を満たす、第２有機半導体化合物と、
　有機溶媒と、を少なくとも含有する有機半導体膜形成用組成物。
（２）　母核が、少なくとも３つ以上のチオフェン環を含む、（１）に記載の有機半導体膜形成用組成物。
（３）　母核が、３つまたは４つのチオフェン環を含む、（１）または（２）に記載の有機半導体膜形成用組成物。
（４）　母核が、３つのチオフェン環を含む、（１）～（３）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（５）　母核の環数が５つである、（１）～（４）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（６）　置換基Ｘ、および、置換基Ｙが、炭素数１～１６のアルキル基を含む置換基である、（１）～（５）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（７）　アルキル基が、直鎖状アルキル基である、（６）に記載の有機半導体膜形成用組成物。
（８）　第２有機半導体化合物が要件１または要件２を満たし、
　要件１を満たす場合は、第１有機半導体化合物中に置換基Ｘが２つ含まれ、かつ、第２有機半導体化合物中に置換基Ｙが２つ含まれ、
　要件２を満たす場合は、第１有機半導体化合物中に置換基Ｘが２つ含まれ、かつ、第２有機半導体化合物中に置換基Ｘが２つ含まれる、（１）～（７）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（９）　第２有機半導体化合物が要件１を満たし、
　第１有機半導体化合物中の母核に対する置換基Ｘの結合位置と、第２有機半導体化合物中の母核に対する置換基Ｙの結合位置とが同じである、（１）～（７）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（１０）　第２有機半導体化合物が要件１を満たし、
　置換基Ｘおよび置換基Ｙが、炭素数１～１６のアルキル基を含む置換基であり、置換基Ｘ中の炭素数と置換基Ｙ中の炭素数との差が４以内である、（１）～（７）および（９）のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
（１１）　第２有機半導体化合物が要件１を満たし、
　置換基Ｘおよび置換基Ｙが、炭素数１～１６の直鎖状アルキル基である、（１）～（１０）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（１２）　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物の合計量が、組成物全質量に対して、０．４～１０．０質量％である、（１）～（１１）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（１３）　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物の合計量が、組成物全質量に対して、０．６～８．０質量％である、（１）～（１２）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。
（１４）　第１有機半導体化合物の質量と、第２有機半導体化合物の質量との比が０．３～３．０である、（１）～（１３）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。なお、比は、第１有機半導体化合物の質量／第２有機半導体化合物の質量を示す。
（１５）　第１有機半導体化合物の質量と、第２有機半導体化合物の質量との比が０．５～２．０である、（１）～（１４）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。なお、比は、第１有機半導体化合物の質量／第２有機半導体の質量を示す。
（１６）　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物が、それぞれ、一般式（１）～（１５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（１）～（１５）のいずれかに記載の有機半導体膜形成用組成物。

（一般式（１）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁸の少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
一般式（Ｗ）　　－Ｌ－Ｒ
　一般式（Ｗ）中、Ｌは下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、または、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。

　一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）中、＊はＲとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。なお、Ｌが一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表す場合、一方の連結基の＊が、他方の連結基の波線部分と結合する。一般式（Ｌ－１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１４）および（Ｌ－１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ－１６）～（Ｌ－２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ－２２）におけるｍは６を表し、
　一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－６）および（Ｌ－１３）～（Ｌ－２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
　一般式（２）中、ＸはＳ原子を表し、Ａはそれぞれ独立にＣＲ⁸またはＮ原子を表す。Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（３）中、ＸはＳ原子を表し、ｐおよびｑはそれぞれ独立に０～２の整数を表し、Ｒ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、ただし、Ｒ⁵とＲ⁶のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合はＲ⁵とＲ⁶が表す一般式（Ｗ）においてＬは一般式（Ｌ－２）または（Ｌ－３）で表される２価の連結基である。
　一般式（４）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（５）中、Ｘ¹～Ｘ⁴はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（６）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（７）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（８）中、ＸはＳ原子を表し、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁷～Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁵、およびＲ⁶はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（９）中、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。
　一般式（１０）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ¹²はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（１１）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ¹²はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（１２）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ¹²はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（１３）中、Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（１４）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、およびＸ⁴はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　一般式（１５）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、およびＸ⁴はＳ原子を表す。Ｒ¹～Ｒは、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
（１７）　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物が、それぞれ、一般式（５）で表される化合物、および、一般式（１３）～（１５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（１６）に記載の有機半導体膜形成用組成物。

　本発明によれば、優れた移動度を示すと共に、サンプル間での移動度のバラツキが小さい有機半導体膜を製造することができる有機半導体膜形成用組成物を提供することができる。

本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。実施例で使用したメタルマスクの平面図である。

　以下に、本発明の有機半導体膜形成用組成物（以後、単に「組成物」とも称する）の好適態様について説明する。なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

　本発明の組成物の特徴点としては、所定の有機半導体化合物を２種併用している点が挙げられる。まず、本発明者らは、所定の２種の有機半導体化合物を使用することにより、１種の有機半導体化合物を使用するよりも、有機溶媒中での溶解度が向上することを知見している。有機溶媒中での有機半導体化合物の濃度が向上することにより、所定の厚みの有機半導体膜を製造する際の塗布量を減らすことができる。なお、有機半導体膜中での結晶成長は、塗膜中に含まれる有機溶媒の量によっても影響を受ける。そのため、サンプル間（ロット間）で塗膜中の有機溶媒の量が異なると、形成される結晶の大きさが変わり、形成される有機半導体膜の移動度のバラツキが生じやすい。一方、本発明の組成物においては、上述したように、有機半導体化合物の濃度がより高濃度にすることができる。その結果、塗膜中での有機溶媒の量を低減させることができ、結果としてサンプル間での有機溶媒の量のバラツキが低減される。そのため、有機溶媒の乾燥起因で生じる結晶性のバラツキが抑制され、サンプル間での移動度のバラツキが低減される。
　また、組成物中での有機半導体化合物の濃度がより高くなることで、結晶形成プロセスにおいて、有機溶媒が乾燥して結晶核が形成した後、いわゆる過飽和濃度状態を維持しやすくなるため、少ない結晶核から一気に結晶化が進行しやすく、結果として粒界の少ない均一な結晶が得られやすい。そのため、形成される有機半導体膜の移動度がより向上しやすい。
　以下では、まず、組成物に含まれる成分について詳述する。

＜第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物＞
　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物は、分子内に同じ母核を有する。この母核は、２つ以上のチオフェン環を含み、上記チオフェン環を含む少なくとも４つ以上の環数の縮環構造（縮合多環構造）を有する。言い換えれば、母核がこの縮環構造からなる（構成される）。なお、本組成物では、第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物以外の、他の有機半導体化合物が含まれていてもよい。
　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物に含まれる母核（縮環構造）中には、２つ以上のチオフェン環（チオフェン環構造）が含まれ、なかでも形成される有機半導体膜の移動度がより優れる、および／または、サンプル間での移動度のバラツキがより小さい点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）から、チオフェン環の数は３つ以上が好ましく、３～５つがより好ましく、３～４つがさらに好ましく、３つが特に好ましい。チオフェン環の数が上記好適範囲であれば、組成物中での第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物の高い溶解度を維持しつつ、結晶状態での母核同士の重なりが大きくなる結果、高移動度で、サンプル間での移動度のバラツキがより抑制される。

　縮環構造は、上記２つ以上のチオフェン環を含むと共に、その環数（総環数）が４つ以上である。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、環数は４～６つが好ましく、５～６つがより好ましく、５つがさらに好ましい。
　なお、縮環構造（縮合多環構造）とは、芳香族環が複数縮合して得られる構造である。芳香族環としては、芳香族炭化水素環および芳香族複素環が挙げられる。芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環が挙げられる。なお、縮環構造にナフタレン環が含まれる場合、２つのベンゼン環が含まれると判断する。
　また、芳香族複素環としては、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、ジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環などが挙げられる。

　上述した縮環構造（母核）の好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、３つのチオフェン環を含み、かつ、環数が５つである縮環構造が挙げられる。なかでも、２つのベンゼン環と３つのチオフェン環とを含み、かつ、環数が５つである縮環構造が最も好ましい。
　また、縮環構造（母核）の他の好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、チオフェン環とベンゼン環とが交互に縮合した構造が挙げられる。

　なお、第２有機半導体化合物は、上述したように母核を有し、かつ、以下の要件１～３のいずれか一つを満たす化合物である。
要件１：第２有機半導体化合物中の母核に結合し、第１有機半導体化合物中の置換基Ｘとは異なる置換基Ｙを第２有機半導体化合物が有する。
要件２：第２有機半導体化合物が母核に結合する置換基Ｘを有し、第１有機半導体化合物中の母核に対する置換基Ｘの結合位置と、第２有機半導体化合物中の母核に対する置換基Ｘの結合位置とが異なる。
要件３：第２有機半導体化合物が置換基を有さない。
　言い換えれば、第２有機半導体化合物は、「第１有機半導体化合物と同じ母核を有し、かつ、第１有機半導体化合物中の置換基Ｘとは異なる（置換基Ｘとは種類が異なる）、母核に結合する置換基Ｙを有する有機半導体化合物」（化合物１）、「第１有機半導体化合物と同じ母核を有し、かつ、母核に結合する置換基Ｘ（第１有機半導体化合物の置換基Ｘと同一の基）を有し、かつ、第１有機半導体化合物中の母核に対する置換基Ｘの結合位置と異なる結合位置で置換基Ｘが母核に結合してなる有機半導体化合物」（化合物２）、または、「第１有機半導体化合物と同じ母核を有し、かつ、置換基を有さない有機半導体化合物」（化合物３）である。
　より詳細には、化合物１が組成物中に含まれる場合、母核は同じだが、置換基の種類が異なる２種の有機半導体化合物が組成物中に含まれることになる。また、化合物２が組成物中に含まれる場合、同じ母核および同じ置換基を有するが、置換基の母核に対する結合位置が異なる２種の有機半導体化合物が組成物に含まれることになる。さらに、化合物３が組成物に含まれる場合は、置換基を有する有機半導体化合物と、置換基を有さない有機半導体化合物が組成物中に含まれることになる。なお、化合物３は置換基を含まないが、置換基の種類としては、例えば、後述する置換基Ｗが挙げられる。
　なかでも、本発明の効果がより優れる点で、要件１を満たすことが好ましい。

　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物に含まれる置換基（置換基Ｘおよび置換基Ｙ）の種類は特に制限されず、公知の置換基であればよい。例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（－Ｂ(ＯＨ)₂）、ホスファト基（－ＯＰＯ(ＯＨ)₂）、スルファト基（－ＯＳＯ₃Ｈ）などが挙げられる。
　なかでも、本発明の効果がより優れる点で、炭素数１～１６のアルキル基を含む置換基が好ましく、炭素数１～１６のアルキル基がより好ましい。上記炭素数としては、化合物の有機溶媒への溶解性がより優れ、本発明の効果がより優れる点で、１～１２が好ましく、２～８がより好ましい。
　上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれもよいが、直鎖状であることが好ましい。
　また、第２有機半導体化合物が上記要件１を満たし（化合物１である場合）、かつ、置換基Ｘおよび置換基Ｙが炭素数１～１６のアルキル基を含む置換基である場合、本発明の効果がより優れる点で、置換基Ｘ中の炭素数と置換基Ｙ中の炭素数との差は４以内が好ましく、２以内がより好ましく、１以内であることがさらに好ましい。

　第２有機半導体化合物が上記要件１を満たす場合、第１有機半導体化合物に含まれる置換基Ｘ（または、第２有機半導体化合物に含まれる置換基Ｙ）の数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、２つ以上が好ましく、２～４つがより好ましく、２つがさらに好ましい。
　第２有機半導体化合物が上記要件２を満たす場合、第１有機半導体化合物に含まれる置換基Ｘ（または、第２有機半導体化合物に含まれる置換基Ｘ）の数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、２つ以上が好ましく、２～４つがより好ましく、２つがさらに好ましい。

　第２有機半導体化合物が上記要件１を満たす場合、置換基Ｘおよび置換基Ｙの母核に対する結合位置（置換位置）は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第１有機半導体化合物中の母核に対する置換基Ｘの結合位置と、第２有機半導体化合物中の母核に対する置換基Ｙの結合位置が同じであることが好ましい。

　第２有機半導体化合物が上記要件１を満たす場合、第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物は、上述したように母核に置換基が結合した構造を有する。第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物は、以下の式（Ｘ）および式（Ｙ）として表すこともできる。

　式（Ｘ）および式（Ｙ）中、Ａは母核（縮環構造）を表し、Ｂ_１は置換基Ｘを表し、Ｂ_２は置換基Ｙを表す。ｎおよびｍは、１以上の整数を表す。
　上述したように、Ｂ_１およびＢ_２は、異なる置換基を表す。
　ｎおよびｍは、本発明の効果がより優れる点で、２以上が好ましく、２～４がより好ましく、２がさらに好ましい。
　なお、本明細書において、母核とは第１有機半導体化合物（または第２有機半導体化合物）中において主骨格をなす部分を意図する。なお、主骨格とは、第１有機半導体化合物（または第２有機半導体化合物）中の全分子量に対して、母核の分子量が５０質量％以上であることを意図する。

　第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物の好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式（１）～（１５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
　なお、一般式（１）～（１５）中のＲ^１～Ｒ^１０で表される基が結合する部分（構造）が、母核に該当する。

　以下では、まず、一般式（１）～（１５）で表される化合物で使用されてもよい、一般式（Ｗ）で表される置換基について詳述し、その後、各化合物中に含まれる基について詳述する。

　まず、一般式（Ｗ）で表される置換基について説明する。
　一般式（Ｗ）　　　－Ｌ－Ｒ
　一般式（Ｗ）中、Ｌは下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、

　一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）中、＊はＲとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。より具体的には、後述する一般式（１）で表される化合物に一般式（Ｗ）で表される置換基が含まれる場合、波線部分は一般式（１）で表される骨格を形成する環と結合する。なお、後述するように、一般式（Ｗ）が他の化合物に含まれる場合、波線部分は各化合物の骨格を形成する環と結合する。
　なお、Ｌが一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表す場合、一方の連結基の＊が、他方の連結基の波線部分と結合する。
　一般式（Ｌ－１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１４）および（Ｌ－１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ－１６）～（Ｌ－２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ－２２）におけるｍは６を表す。
　一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－６）および（Ｌ－１３）～（Ｌ－２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^Nは水素原子または置換基を表す。Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
　一般式（Ｌ－１）および（Ｌ－２）中のＲ’はそれぞれＬに隣接するＲと結合して縮合環を形成してもよい。

　この中でも、一般式（Ｌ－１７）～（Ｌ－２１）、（Ｌ－２３）および（Ｌ－２４）で表される２価の連結基は、下記一般式（Ｌ－１７Ａ）～（Ｌ－２１Ａ）、（Ｌ－２３Ａ）および（Ｌ－２４Ａ）で表される２価の連結基であることがより好ましい。

　ここで、置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、一般式（Ｗ）における－Ｒ単独と解釈することもでき、一般式（Ｗ）における－Ｌ－Ｒと解釈することもできる。
　本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換または無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で一般式（Ｗ）における－Ｌ－Ｒと解釈することとし、具体的には「一般式（Ｗ）におけるＬに相当する（Ｌ－１）１個」と「一般式（Ｗ）におけるＲに相当する主鎖が炭素数Ｎ－１個の置換または無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ－オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である（Ｌ－１）１個と、炭素数７のｎ－ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
　一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、一般式（Ｗ）におけるＲ単独と解釈する。例えば、－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）－ＯＣＨ₃基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが３のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。

　Ｌが一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した連結基を形成する場合、一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基の結合数は２～４であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。

　一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－６）および（Ｌ－１３）～（Ｌ－２４）中の置換基Ｒ’としては、後述する一般式（１）のＲ¹～Ｒ⁸が採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも一般式（Ｌ－６）中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、（Ｌ－６）中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基の炭素数は１～９であることが好ましく、４～９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５～９であることがさらに好ましい。（Ｌ－６）中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基は直鎖アルキル基であることが、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
　Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、Ｒ^Nとしては、後述する一般式（１）のＲ¹～Ｒ⁸が採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でもＲ^Nとしては水素原子またはメチル基が好ましい。
　Ｒ^siは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒ^siがとり得るアルキル基としては特に制限はないが、Ｒ^siがとり得るアルキル基の好ましい範囲は、Ｒがトリアルキルシリル基である場合にトリアルキルシリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒ^siがとり得るアルケニル基としては特に制限はないが、置換または無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は２～３であることが好ましい。Ｒ^siがとり得るアルキニル基としては特に制限はないが、置換または無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は２～３であることが好ましい。

　Ｌは一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－５）、（Ｌ－１３）、（Ｌ－１７）もしくは（Ｌ－１８）のいずれかで表される２価の連結基または一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－５）、（Ｌ－１３）、（Ｌ－１７）もしくは（Ｌ－１８）のいずれかで表される２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましく、一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）もしくは（Ｌ－１８）のいずれかで表される２価の連結基または一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）もしくは（Ｌ－１８）で表される２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることがより好ましく、（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）もしくは（Ｌ－１８）で表される２価の連結基または一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）もしくは（Ｌ－１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であることが特に好ましい。一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）または（Ｌ－１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基は、一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基がＲ側に結合することが好ましい。化学的安定性、キャリア輸送性の観点から一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基を含む２価の連結基であることが特に好ましく、一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基であることがより特に好ましく、Ｌが一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基であり、Ｒが置換または無置換のアルキル基であることが最も好ましい。

　一般式（Ｗ）において、Ｒは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
　一般式（Ｗ）において、Ｒに隣接するＬが一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基である場合は、Ｒは置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　一般式（Ｗ）において、Ｒに隣接するＬが一般式（Ｌ－２）および（Ｌ－４）～（Ｌ－２５）で表される２価の連結基である場合は、Ｒは置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　一般式（Ｗ）において、Ｒに隣接するＬが一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合は、Ｒは置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましい。

　Ｒが置換または無置換のアルキル基の場合、炭素数は４～１７であることが好ましく、６～１４であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６～１２であることがさらに好ましい。Ｒが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
　Ｒがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
　これらの中でも、一般式（Ｗ）におけるＲとＬの組み合わせとしては、一般式（１）中、Ｌが一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基であり、かつ、Ｒが直鎖の炭素数７～１７のアルキル基であるか、あるいは、Ｌが一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）または（Ｌ－１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であり、かつ、Ｒが直鎖のアルキル基であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
　Ｌが一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基であり、かつ、Ｒが直鎖の炭素数７～１７のアルキル基である場合、Ｒが直鎖の炭素数７～１４のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数７～１２のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｌが一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）または（Ｌ－１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であり、かつ、Ｒが直鎖のアルキル基である場合、Ｒが直鎖の炭素数４～１７のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６～１４のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数６～１２のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点から特に好ましい。
　一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、Ｒが分枝アルキル基であることが好ましい。
　Ｒが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、Ｒは無置換のアルキル基であることが好ましい。

　Ｒがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）_vＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは水素原子または置換基を表す）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２～４であることが好ましく、２～３であることがより好ましい。オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１～３のアルキル基で封止されること、すなわちＹが炭素数１～３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基やエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

　Ｒが、シロキサン基、または、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２～４であることが好ましく、２～３であることがさらに好ましい。また、ケイ素原子（Ｓｉ原子）には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。ケイ素原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１～３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基または水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。

　Ｒに隣接するＬが一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合、Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基であることも好ましい。Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基である場合はその中でも、シリル基の置換基としては置換または無置換のアルキル基であれば特に制限はないが、分枝アルキル基であることがより好ましい。Ｓｉ原子に結合するアルキル基の炭素数は１～３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒがアルキル基上にさらに置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の置換基としては、特に制限はない。

　一般式（Ｗ）において、ＬおよびＲに含まれる炭素数の合計は５～１８であることが好ましい。ＬおよびＲに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、キャリア移動度が高くなり、駆動電圧を低くなる。ＬおよびＲに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、有機溶媒に対する溶解性が高くなる。
　ＬおよびＲに含まれる炭素数の合計は５～１４であることが好ましく、６～１４であることがより好ましく、６～１２であることが特に好ましく、８～１２であることが最も好ましい。

（一般式（１）で表される化合物）

　一般式（１）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。
　一般式（１）中、Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表し、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ａ¹がＣＲ⁷であるか、Ａ²がＣＲ⁸であることが好ましく、Ａ¹がＣＲ⁷かつＡ²がＣＲ⁸であることがより好ましい。Ａ¹およびＡ²は、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。
　一般式（１）において、Ｒ⁵とＲ⁷は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
　一般式（１）において、Ｒ⁶とＲ⁸は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

　一般式（１）中、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁸の少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸がそれぞれ独立にとりうる置換基としては、以下に説明する置換基Ｗが挙げられる。置換基Ｗとしては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよびヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）₂）、ホスファト基（－ＯＰＯ（ＯＨ）₂）、スルファト基(－ＯＳＯ₃Ｈ)、その他の公知の置換基が挙げられる。なお、本明細書においては、「置換基」としては、上記置換基Ｗが好ましく挙げられる。
　Ｒ¹～Ｒ⁸がそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、一般式（Ｗ）で表される置換基が好ましく、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数１～１１のアルコキシ基、炭素数５～１２の複素環基、炭素数１～１２のアルキルチオ基、一般式（Ｗ）で表される置換基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基および一般式（Ｗ）で表される置換基が特に好ましく、一般式（Ｗ）で表される置換基がより特に好ましい。

　一般式（１）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基は１～４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の位置に特に制限はないが、Ｒ⁵またはＲ⁶であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。

　Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることがさらに好ましい。
　ここで、連結基鎖長とはＣ（炭素原子）－Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６－３１Ｇ＊、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。

　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１Ａ）または（１Ｂ）で表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは一般式（１Ａ）で表される化合物であることが特に好ましい。

　一般式（１Ａ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁵、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ⁵は－Ｌ^a－Ｒ^aで表される基ではなく、Ｌ^aは上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^aは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
　Ｒ¹～Ｒ⁵、Ｒ⁷およびＲ⁸で表される置換基としては、上記置換基Ｗが挙げられる。

　一般式（１Ｂ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁴、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｌ^bおよびＬ^cはそれぞれ独立に上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^bおよびＲ^cはそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
　Ｒ¹～Ｒ⁴、Ｒ⁷およびＲ⁸で表される置換基としては、上記置換基Ｗが挙げられる。

（一般式（２）で表される化合物）

　一般式（２）において、Ｒ¹～Ｒ⁶並びに後述するＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁶およびＲ⁸のうち少なくとも１つは、一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶およびＲ⁸で表される置換基としては、上記置換基Ｗが挙げられる。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。
　Ｒ¹～Ｒ⁶およびＲ⁸がそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、一般式（Ｗ）で表される置換基が好ましく、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数１～１１のアルコキシ基、炭素数５～１２の複素環基、炭素数１～１２のアルキルチオ基、一般式（Ｗ）で表される置換基がより好ましい。

　一般式（２）において、ＸはＳ原子を表す。
　一般式（２）において、Ａはそれぞれ独立にＣＲ⁸またはＮ原子を表し、ＣＲ⁸を表すことが好ましい。一般式（２）において、２つ含まれるＡは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。
　Ｒ⁸は連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ⁸は水素原子、炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、水素原子、炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
　Ｒ⁸が炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。Ｒ⁸が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ⁸が炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ⁸が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ⁸が炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ⁸が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ⁸が炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。Ｒ⁸が表す炭素数２以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　一般式（２）で表される化合物が、一般式（２Ａ）または（２Ｂ）で表される化合物であることが好ましく、高溶解性の観点からは一般式（２Ａ）で表される化合物であることが特に好ましく、一方で高移動度の観点からは一般式（２Ｂ）で表される化合物であることが特に好ましい。

　一般式（２Ａ）において、ＸはＳ原子を表し、Ａはそれぞれ独立にＣＲ⁸またはＮ原子を表す。Ｒ¹～Ｒ⁵、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ⁵は－Ｌ^a－Ｒ^aで表される基ではない。
　Ｌ^aはそれぞれ独立に上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^aはそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。

　一般式（２Ｂ）において、ＸはＳ原子を表し、Ａはそれぞれ独立にＣＲ⁸またはＮ原子を表す。Ｒ¹～Ｒ⁴、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｌ^bおよびＬ^cはそれぞれ独立に上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^bおよびＲ^cはそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。

（一般式（３）で表される化合物）

　一般式（３）中、ＸはＳ原子を表す。
　一般式（３）中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に０～２の整数を表す。ｐおよびｑがそれぞれ独立に０または１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、ｐ＝ｑ＝０またはｐ＝ｑ＝１であることがより好ましい。

　一般式（３）中、Ｒ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。ただし、Ｒ⁵とＲ⁶のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合はＲ⁵とＲ⁶が表す一般式（Ｗ）においてＬは上記一般式（Ｌ－２）または（Ｌ－３）で表される２価の連結基である。なお、Ｒ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bのうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　Ｒ⁵とＲ⁶のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合は、すなわちＲ⁵とＲ⁶のうちいずれか一方でも水素原子でもなくハロゲン原子でもない場合に相当する。
　Ｒ⁵とＲ⁶のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合、Ｒ⁵とＲ⁶が表す一般式（Ｗ）においてＬは上記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基であることが好ましい。
　Ｒ⁵とＲ⁶のうち少なくとも一方が一般式（Ｗ）で表される置換基である場合、Ｒ⁵とＲ⁶はいずれも一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
　なお、Ｒ⁵とＲ⁶がともに水素原子またはハロゲン原子の場合、Ｒ¹～Ｒ⁴、Ｒ⁷～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、Ｒ¹～Ｒ⁴、Ｒ⁷～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bのうち少なくとも１つ以上は一般式（Ｗ）で表される置換基となる。

　一般式（３）中、Ｒ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子または臭素原子であることが好ましく、フッ素原子または塩素原子であることがより好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。

　一般式（３）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bのうち、ハロゲン原子は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

　一般式（３）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bのうち、一般式（Ｗ）で表される置換基は１～４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bのうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、一般式（４）中、Ｒ¹、Ｒ⁴～Ｒ⁷、Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁸およびＲ⁹がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁸およびＲ⁹のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
　本発明では、Ｒ¹、Ｒ³～Ｒ⁸およびＲ¹⁰がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｒ²およびＲ⁹がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基であることがより好ましい。
　本発明では、Ｒ²とＲ⁹がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ³とＲ⁸がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、Ｒ³とＲ⁸がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ²とＲ⁹がともに水素原子またはハロゲン原子であることが特に好ましい。
　本発明では、Ｒ²とＲ⁹がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ³とＲ⁸がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、Ｒ³とＲ⁸がともに一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつＲ²とＲ⁹がともに水素原子またはハロゲン原子であることがより特に好ましい。
　一般式（３）において、２以上のＲ¹～Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

　一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３Ａ）または（３Ｂ）で表される化合物であることが好ましく、高キャリア移動度と高溶解性を両立する観点からは一般式（３Ａ）で表される化合物であることが特に好ましい。

　一般式（３Ａ）中、ＸはＳ原子を表し、Ｒ¹、Ｒ³～Ｒ⁸およびＲ¹⁰がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｒ²およびＲ⁹がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基であり、かつ、少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基であり、ただし、一般式（Ｗ）で表される置換基がアルキル基である場合は一般式（Ｗ）で表される置換基は炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基または炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る。
　一般式（３Ｂ）中、ＸはＳ原子を表し、Ｒ¹、Ｒ⁴～Ｒ⁷、Ｒ¹⁰、Ｒ^aおよびＲ^bがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁸およびＲ⁹がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、かつ、少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。

（一般式（４）で表される化合物）

　一般式（４）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。
　一般式（４）中、Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表し、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ａ¹がＣＲ⁷であるか、Ａ²がＣＲ⁸であることが好ましく、Ａ¹がＣＲ⁷かつＡ²がＣＲ⁸であることがより好ましい。Ａ¹およびＡ²は、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。

　一般式（４）において、Ｒ⁵とＲ⁷は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
　一般式（４）において、Ｒ⁶とＲ⁸は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

　一般式（４）中、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つが一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸で表される置換基としては、置換基Ｗが挙げられる。また、一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　一般式（４）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基は１～４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の位置に特に制限はないが、Ｒ⁵またはＲ⁶であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。
　一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　一般式（４）で表される化合物は、下記一般式（４Ａ）または（４Ｂ）で表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは一般式（４Ａ）で表される化合物であることが特に好ましい。

　一般式（４Ａ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表す。一般式（４Ａ）中のＡ¹、Ａ²、Ｒ⁷およびＲ⁸は、一般式（４）中のＡ¹、Ａ²、Ｒ⁷およびＲ⁸とそれぞれ同義である。
　一般式（４Ａ）中、Ｒ¹～Ｒ⁵、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ⁵は－Ｌ^a－Ｒ^aで表される基ではない。
　一般式（４Ａ）中のＲ¹～Ｒ⁵、Ｒ⁷およびＲ⁸が置換基を表す場合、この置換基の好ましい範囲は、一般式（４）中のＲ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の好ましい範囲と同様である。
　一般式（４Ａ）中、Ｌ^aは上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^aは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。

　一般式（４Ｂ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。Ａ¹はＣＲ⁷またはＮ原子を表し、Ａ²はＣＲ⁸またはＮ原子を表す。一般式（４Ｂ）中のＡ¹、Ａ²、Ｒ⁷およびＲ⁸は、一般式（４）中のＡ¹、Ａ²、Ｒ⁷およびＲ⁸とそれぞれ同義である。
　一般式（４Ｂ）中、Ｒ¹～Ｒ⁴、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。一般式（４Ｂ）中のＲ¹～Ｒ⁴、Ｒ⁷およびＲ⁸が置換基を表す場合、この置換基の好ましい範囲は、一般式（４）中のＲ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の好ましい範囲と同様である。
　一般式（４Ｂ）中、Ｌ^bおよびＬ^cはそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^bおよびＲ^cはそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。

（一般式（５）で表される化合物）

　一般式（５）中、Ｘ¹～Ｘ⁴はＳ原子を表す。
　一般式（５）中、Ｒ¹～Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁶の少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶で表される置換基としては、置換基Ｗが挙げられる。また、一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。
　これらの中でも、Ｒ¹～Ｒ⁶がそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、一般式（Ｗ）で表される置換基が好ましく、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数１～１１のアルコキシ基、炭素数５～１２の複素環基、炭素数１～１２のアルキルチオ基、一般式（Ｗ）で表される置換基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基および一般式（Ｗ）で表される置換基が特に好ましく、一般式（Ｗ）で表される置換基がより特に好ましい。

　一般式（５）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ⁶のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基は１～４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の位置に特に制限はないが、Ｒ³～Ｒ⁶であることが好ましく、Ｒ⁵またはＲ⁶であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。

　Ｒ¹～Ｒ⁶のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ¹～Ｒ⁶が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁶が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５Ａ）または（５Ｂ）で表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは一般式（５Ａ）で表される化合物であることが特に好ましい。

　一般式（５Ａ）中、Ｘ¹～Ｘ⁴はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ³、Ｒ^4AおよびＲ⁵はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ¹～Ｒ³、Ｒ^4AおよびＲ⁵は、－Ｌ^a－Ｒ^aで表される基ではなく、Ｒ^aは炭素数５～１９のアルキル基を表し、Ｌ^aは上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。
　一般式（５Ｂ）中、Ｘ¹～Ｘ⁴はＳ原子を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^3CおよびＲ^4Bはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^bおよびＲ^cはそれぞれ独立に炭素数５～１９のアルキル基を表し、Ｌ^bおよびＬ^cはそれぞれ独立に上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。
　なお、上記置換基としては、置換基Ｗが挙げられる。

（一般式（６）で表される化合物）

　一般式（６）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。
　一般式（６）中、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つが一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸で表される置換基としては、置換基Ｗが挙げられる。また、一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　一般式（６）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基は１～４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の位置に特に制限はないが、Ｒ⁴またはＲ⁸であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ⁴およびＲ⁸がより好ましい。
　一般式（６）のＲ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、それぞれ独立に炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　一般式（６）で表される化合物は、下記一般式（６Ａ）または（６Ｂ）で表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは一般式（６Ｂ）で表される化合物であることが特に好ましい。

　一般式（６Ａ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ただし、Ｒ⁴は－Ｌ^a－Ｒ^aで表される基ではなく、Ｌ^aは上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^aは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
　一般式（６Ｂ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ³、およびＲ⁵～Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｌ^bおよびＬ^cはそれぞれ独立に上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^bおよびＲ^cはそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。

（一般式（７）で表される化合物）

　一般式（７）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。
　一般式（７）中、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つが一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸で表される置換基としては、置換基Ｗが挙げられる。また、一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　一般式（７）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基は１～４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の位置に特に制限はないが、Ｒ³またはＲ⁷であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ³およびＲ⁷がより好ましい。
　また、一般式（７）のＲ¹～Ｒ⁸のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、それぞれ独立に炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数２以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸が一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　一般式（７）で表される化合物は、下記一般式（７Ａ）または（７Ｂ）で表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは一般式（７Ｂ）で表される化合物であることが特に好ましい。

　一般式（７Ａ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹⁰～Ｒ¹⁵およびＲ¹⁷はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ただし、Ｒ¹²は－Ｌ^a－Ｒ^aで表される基ではなく、Ｌ^aは上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^aは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
　一般式（７Ｂ）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹³～Ｒ¹⁵およびＲ¹⁷はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｌ^bおよびＬ^cはそれぞれ独立に上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の上記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒ^bおよびＲ^cはそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。

（一般式（８）で表される化合物）

　一般式（８）中、ＸはＳ原子を表す。
　Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁷～Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または一般式（Ｗ）で表される置換基を表す。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁵、およびＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁵、およびＲ⁶で表される置換基としては、置換基Ｗが挙げられる。
　なお、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁷～Ｒ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、または一般式（Ｗ）で表される置換基（但し、Ｌは（Ｌ－３）、（Ｌ－５）、（Ｌ－７）～（Ｌ－９）、（Ｌ－１２）～（Ｌ－２４）のいずれか）を表すことが好ましい。なかでも、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁷～Ｒ¹⁰は、水素原子がより好ましい。
　なお、Ｌとしては、（Ｌ－３）、（Ｌ－５）、（Ｌ－１３）、（Ｌ－１７）、または（Ｌ－１８）が好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ¹⁰のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。

　一般式（８）で表される化合物中、Ｒ¹～Ｒ¹⁰のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基は１～４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１または２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ¹⁰のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の位置に特に制限はないが、Ｒ²またはＲ⁶であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ²およびＲ⁶がより好ましい。
　また、一般式（８）のＲ¹～Ｒ¹⁰のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

（一般式（９）で表される化合物）

　Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。Ｒ¹～Ｒ⁸で表される置換基としては、置換基Ｗが挙げられる。また、一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。
　なかでも、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、または置換基を表し、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
　一般式（９）のＲ¹～Ｒ⁸は、Ｒ²およびＲ⁶のうち少なくとも１つが、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアリールチオ基、または、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基である。更に好ましくは、Ｒ²およびＲ⁶のいずれもが、置換もしくは無置換のアリールチオ基、または、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基である。特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニルチオ基または下記群（Ａ）から選ばれるヘテロアリールチオ基である。より特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニルチオ基または下記一般式（Ａ－１７）、（Ａ－１８）、（Ａ－２０）で表されるヘテロアリールチオ基である。

　アリールチオ基としては、炭素数６～２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基、フェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
　ヘテロアリールチオ基としては、３～１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５または６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群（Ａ）が特に好ましい。

　一般式（Ａ－１４）および（Ａ－１５）におけるｍは４を表し、一般式（Ａ－１６）～（Ａ－１８）および（Ａ－２０）におけるｍは３を表し、一般式（Ａ－２１）、（Ａ－２３）、（Ａ－２４）、（Ａ－２６）および（Ａ－２７）におけるｍは２を表し、
　群（Ａ）中、Ｒ’およびＲ^Nはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
　群（Ａ）中、Ｒ’は水素原子または一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　群（Ａ）中、Ｒ^Nは置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が特に好ましく、炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素数１～４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基がより特に好ましい。

　アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１～２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は２～１５がより好ましく、５～１０が特に好ましい。

　アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６～２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６～１５がより好ましく、８～１２が特に好ましい。

　アルキルアミノ基としては、炭素数１～２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２～１５がより好ましく、５～１０が特に好ましい。
　Ｒ¹～Ｒ⁸のうち、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう）は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０または１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

　Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表す。

（一般式（１０）で表される化合物）

　一般式（１０）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ¹²はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ¹²のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　置換基としては、上述した置換基Ｗが挙げられる。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　一般式（１０）のＲ¹～Ｒ¹²は、Ｒ³およびＲ⁹のうち少なくとも１つが、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアルキル基である。更に好ましくは、Ｒ³およびＲ⁹のいずれもが、置換もしくは無置換のアルキル基である。

（一般式（１１）で表される化合物）

　一般式（１１）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ¹²はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ¹²のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　置換基としては、上述した置換基Ｗが挙げられる。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　一般式（１１）のＲ¹～Ｒ¹²は、Ｒ³およびＲ⁹のうち少なくとも１つが、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアルキル基である。更に好ましくは、Ｒ³およびＲ⁹のいずれもが、置換もしくは無置換のアルキル基である。

（一般式（１２）で表される化合物）

　一般式（１２）中、Ｘ¹およびＸ²はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ¹²はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ¹²のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　置換基としては、上述した置換基Ｗが挙げられる。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　一般式（１２）のＲ¹～Ｒ¹²は、Ｒ³およびＲ⁹のうち少なくとも１つが、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアルキル基である。更に好ましくは、Ｒ³およびＲ⁹のいずれもが、置換もしくは無置換のアルキル基である。

（一般式（１３）で表される化合物）

　一般式（１３）中、Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁸のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　置換基としては、上述した置換基Ｗが挙げられる。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。
　なお、Ｒ¹～Ｒ⁸の少なくとも１つが一般式（Ｗ）で表される置換基であり、Ｒがアルキル基である場合には、Ｌは（Ｌ－２）～（Ｌ－２５）であることが好ましい。

　Ｒがアルキル基である場合のＬとしては、（Ｌ－２）～（Ｌ－５）、（Ｌ－１３）、（Ｌ－１７）、（Ｌ－１８）が好ましく、（Ｌ－３）、（Ｌ－１３）、（Ｌ－１８）がより好ましい。
　一般式（１３）のＲ¹～Ｒ⁸は、Ｒ³およびＲ⁶のうち少なくとも１つが、一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ³およびＲ⁶のいずれもが、一般式（Ｗ）で表される置換基である。

（一般式（１４）で表される化合物）

　一般式（１４）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、およびＸ⁴はＳ原子を表し、Ｒ¹～Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁶のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　置換基としては、上述した置換基Ｗが挙げられる。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

　一般式（１４）のＲ¹～Ｒ⁶は、Ｒ²およびＲ⁵のうち少なくとも１つが、一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ²およびＲ⁵のいずれもが、一般式（Ｗ）で表される置換基である。

（一般式（１５）で表される化合物）

　一般式（１５）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、およびＸ⁴はＳ原子を表す。Ｒ¹～Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ¹～Ｒ⁶のうち少なくとも１つは一般式（Ｗ）で表される置換基を表すことが好ましい。
　置換基としては、上述した置換基Ｗが挙げられる。一般式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。
　なお、Ｒ³およびＲ⁶は水素原子、ハロゲン原子、または一般式（Ｗ）で表される置換基（但し、Ｌは（Ｌ－３）、（Ｌ－５）、（Ｌ－７）～（Ｌ－９）、（Ｌ－１２）～（Ｌ－２４）のいずれか）であることが好ましい。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、およびＲ¹³はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すことが好ましい。
　なお、Ｌは（Ｌ－３）、（Ｌ－５）、（Ｌ－７）～（Ｌ－９）、（Ｌ－１２）～（Ｌ－２４）のいずれかであり、Ｒ³およびＲ⁶が一般式（Ｗ）で表される置換基の場合、（Ｌ－３）、（Ｌ－５）、（Ｌ－１３）、（Ｌ－１７）、（Ｌ－１８）が好ましい。

　一般式（１５）のＲ¹～Ｒ⁶は、Ｒ¹およびＲ⁴のうち少なくとも１つが、一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ¹およびＲ⁴のいずれもが、一般式（Ｗ）で表される置換基である。
　また、Ｒ³およびＲ⁶は水素原子であることが好ましい。

　上述した第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物（一般式（１）～（１５）で表される化合物）の分子量は特に制限されないが、分子量が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができるため好ましい。
　一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることがさらに好ましい。

　上述した第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物（一般式（１）～（１５）で表される化合物）の合成方法は特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，　１１６，　９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，　２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２－５１３４５９号公報、特開２０１１－４６６８７号公報、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＲｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１－６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２－３６８６（１９９１）、ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１－２８０３（２００４）、ＥＰ２２５１３４２Ａ１号公報、ＥＰ２３０１９２６Ａ１号公報、ＥＰ２３０１９２１Ａ１号公報、ＫＲ１０－２０１２－０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４－６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２０１２，１３４，１６５４８－１６５５０などが挙げられる。

　なお、本発明の効果がより優れる点で、第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物は、一般式（５）、および、一般式（１３）～（１５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を少なくとも含むことが好ましい。

＜有機溶媒＞
　有機溶媒の種類は、上述した第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物を溶解しる溶媒であれば特に制限されず、公知の有機溶媒が使用できる。
　有機溶媒の具体例としては、例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、１－メチルナフタレンなどの炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、１－メチル－２－ピロリドン、１－メチル－２－イミダゾリジノン等のアミド・イミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒などが挙げられる。
　なかでも、本発明の効果がより優れる点で、炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジクロロベンゼンまたはアニソールがより好ましく、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールが特に好ましい。

（その他成分）
　本発明の組成物には、第１有機半導体化合物、第２有機半導体化合物、および、有機溶媒以外の他の成分が含まれていてもよい。
　例えば、高分子化合物が含まれていてもよい。高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が挙げられる。高分子化合物の好適態様としては、ベンゼン環を有する高分子化合物（ベンゼン環基を有する繰り返し単位を有する高分子）が好ましい。ベンゼン環基を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、全繰り返し単位中、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％が挙げられる。
　上記高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α‐メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４－ビニルフェニル）またはポリ（４－メチルスチレン）などが挙げられる。
　なお、高分子化合物の重量平均分子量は特に制限されないが、１万～２００万が好ましく、２万～６０万がより好ましい。

＜組成物＞
　組成物中には、少なくとも第１有機半導体化合物、第２有機半導体化合物、および、有機溶媒が含まれる。
　組成物中における第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物の合計量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物全質量に対して、０．４～１０．０質量％が好ましく、０．６～８．０質量％がより好ましく、０．８～５．０質量％がさらに好ましい。
　組成物中における第１有機半導体化合物の質量と第２有機半導体化合物の質量との比（第１有機半導体化合物の質量／第２有機半導体化合物の質量）は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、０．２～５．０が好ましく、０．３～３．０がより好ましく、０．５～２．０がさらに好ましい。

　有機溶媒中における、第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物の混合物の飽和溶解度は特に制限されないが、０．４質量％以上が好ましく、０．６質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、取り扱い性の点で、５質量％以下が好ましい。
　組成物中における有機溶媒の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物全質量に対して、９０～９９．６質量％が好ましく、９５～９９．０質量％がより好ましい。
　組成物中に高分子化合物が含まれる場合、本発明の効果がより優れる点で、その含有量は組成物全質量に対して、０．４～８．０質量％が好ましく、０．７～５．０質量％がより好ましく、１．０～４．０質量％がさらに好ましく、１．５～３．０質量％が特に好ましい。

　組成物の粘度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れると共に、塗布性がより優れる点で、３～１００ｍＰａ・ｓが好ましく、５～５０ｍＰａ・ｓがより好ましく、９～４０ｍＰａ・ｓがさらに好ましい。
　なお、粘度は２５℃での粘度を意図する。

　組成物の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、有機溶媒中に所定量の第１有機半導体化合物および第２有機半導体化合物を添加して、適宜撹拌処理を施すことにより、所望の組成物を得ることができる。

＜有機半導体膜および有機トランジスタ＞
　本発明の組成物は、有機半導体膜を形成する用途に好適に使用できる。
　上記組成物を用いて有機半導体膜を製造する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、組成物を所定の基材上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施して、有機半導体膜を製造する方法が挙げられる。
　基材上に組成物を付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、例えば、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法などが挙げられ、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。
　なお、フレキソ印刷法としては、フレキソ印刷版として感光性樹脂版を用いる態様が好適に挙げられる。態様によって、組成物を基板上に印刷して、パターンを容易に形成することができる。

　乾燥処理は、必要に応じて実施される処理であり、使用される有機半導体化合物および有機溶媒の種類により適宜最適な条件が選択される。なかでも、本発明の効果がより優れ、生産性に優れる点で、加熱温度としては３０～１００℃が好ましく、４０～８０℃がより好ましく、加熱時間としては１０～３００分が好ましく、３０～１８０分がより好ましい。

　形成される有機半導体膜の膜厚は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０～５００ｎｍが好ましく、３０～２００ｎｍがより好ましい。

　上述した組成物より製造される有機半導体膜は、優れた移動度を示すと共に、サンプル間での移動度のバラツキが小さい（つまり、ロット間での移動度のバラツキが小さい）。
　上記有機半導体膜は、有機トランジスタ（有機薄膜トランジスタ）に好適に使用することができる。
　本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
　図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０側とは反対側の表面に接するソース電極４０およびドレイン電極４２と、ソース電極４０とドレイン電極４２との間のゲート絶縁膜３０の表面を覆う有機半導体膜５０と、各部材を覆う封止層６０とを備える。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムゲート－ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
　なお、図１においては、有機半導体膜５０が、上述した組成物より形成される膜に該当する。
　以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜および封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。

＜基板＞
　基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
　基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
　プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ、ＰＥＮ）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
　セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
　ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。

＜ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極＞
　ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、タンタル、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ₂、ＳｎＯ₂、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
　ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の厚みは特に制限されないが、２０～２００ｎｍであることが好ましい。

　ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。

＜ゲート絶縁膜＞
　ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
　ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
　ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００～１０００ｎｍであることが好ましい。

　ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
　ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜有機半導体膜＞
　有機半導体膜は、上述した組成物より形成される膜である。
　有機半導体膜の形成方法は特に制限されず、上述した組成物を、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート絶縁膜上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施すことにより、所望の有機半導体膜を形成することができる。

＜封止層＞
　本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
　封止層の厚みは特に制限されないが、０．２～１０μｍであることが好ましい。

　封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体膜とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

　また、図２は、本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
　図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０上に配置された有機半導体膜５０と、有機半導体膜５０上に配置されたソース電極４０およびドレイン電極４２と、各部材を覆う封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０およびドレイン電極４２は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
　基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜および封止層については上述のとおりである。

　上記では図１および２において、ボトムゲート－ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、ボトムゲート－トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの態様について詳述したが、本発明の組成物はトップゲート－ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、トップゲート－トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにも適用できる。
　なお、上述した有機薄膜トランジスタは、電子ペーパー、ディスプレイデバイスなどに好適に使用できる。

　以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例および比較例：組成物の調製）
　表１に示す所定比率（組成物全質量に対する質量％）の有機半導体化合物、有機溶媒としてアニソール、および、高分子化合物としてポリ（α－メチルスチレン）（分子量４０万、アルドリッチ社製）（０．３ｇ）の混合液（総量２０ｇ）を５０ｍｌ硝子バイヤルに秤量し、ミックスローター（アズワン製）で１０分間攪拌混合した。０．５μｍメンブレンフィルターでろ過することで、組成物を得た。

（実施例および比較例：有機トランジスタの製造）
　以下の要領で、ボトムゲート－ボトムコンタクト型の有機トランジスタを形成した。
（ゲート電極形成）
　無アルカリ硝子基板上（５ｃｍ×５ｃｍ）に、銀ナノインク（Ｈ－１　三菱マテリアル社製）をＤＭＰ２８３１（１ピコリットルヘッド）を用いたインクジェット印刷により、幅１００μｍ、膜厚１００ｎｍの配線パターンを形成し、その後、２００℃、９０分間、ホットプレート上、大気下で焼成することで、ゲート電極配線を形成した。

（ゲート絶縁膜形成）
　ポリビニルフェノール（Ｍｗ２５０００、アルドリッチ社製）５質量部、および、メラミン５質量部、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート９０質量部を攪拌混合し、０．２μｍメンブレンフィルターでろ過することで、溶液を作製した。得られた溶液を、ゲート電極を作製した硝子基板上に滴下し、スピンコート（１０００ｒｐｍ，１２０秒）により、コートし、１５０℃にて３０分加熱することで、ゲート絶縁膜を形成した。

（ソース電極およびドレイン電極形成）
　上記絶縁膜コートされた基板中央上に、図３に示すパターンを複数個有するメタルマスクを載せ、ＵＶオゾン３０分照射することで、マスク開口部が親水処理表面に改質した。なお、図３中、メタルマスク５１には、光を遮断するマスク部５２と、開口部５３および５４がある。改質部分周辺にＤＭＰ２８３１（１ピコリットルヘッド）を用いたインクジェット印刷により、チャネル長５０μｍ、チャネル幅３２０μｍのソース電極・ドレイン電極パターンを形成した。得られた基板をＮ_２雰囲気下（グローブボックス中、酸素濃度２０ｐｐｍ以下の環境）にて、ホットプレート上２００℃で９０分焼成することで、膜厚２００ｎｍのソース電極およびドレイン電極が形成された。

（有機半導体膜：フレキソ印刷法）
　上記で作製した組成物（表１の組成物）をソース電極およびドレイン電極を形成した基板上に、フレキソ印刷法によりコートした。印刷装置として、フレキソ適性試験機Ｆ１（アイジーティ・テスティングシステムズ社製）を用い、フレキソ樹脂版として、ＡＦＰ　ＤＳＨ１．７０％（旭化成社製）/ベタ画像を用いた。版と基板間の圧は、６０Ｎ、搬送速度０．４ｍ/秒で印刷を行った後、そのまま、４０℃下室温で２時間乾燥することで、ソース電極およびドレイン電極間に有機半導体膜（膜厚：５０ｎｍ）を作製し、有機トランジスタを製造した。

　上記で製造した有機トランジスタ（有機トランジスタ素子）について、以下の評価を行った。

（移動度測定）
　上記要領で５つの有機トランジスタを製造して、それぞれについて半導体特性評価装置Ｂ２９００Ａ（アジレント社製）を用い、キャリア移動度を測定した。得られた５つの移動度を算術平均し、得られた移動度の値に応じて、１～５のスコア付けを行った。
５：０．２ｃｍ²/Ｖｓ以上
４：０．１ｃｍ²/Ｖｓ以上、０．２ｃｍ²/Ｖｓ未満
３：０．０２ｃｍ²/Ｖｓ以上、０．１ｃｍ²/Ｖｓ未満
２：０．００２ｃｍ²/Ｖｓ以上、０．０２ｃｍ²/Ｖｓ未満
１：０．００２ｃｍ²/Ｖｓ未満

（移動度バラツキ）
　上記要領で５つの有機トランジスタを製造して、それぞれについて上記（移動度）の評価を行い、平均値に対するバラツキσを評価した。バラツキσの測定方法としては、まず、５つの有機トランジスタの移動度を求めて、次に、それらを算術平均して平均値Ｘを求め、その後、平均値Ｘと各サンプルの移動度の値との「差」を算出して、その「差」の平均値Ｙを算出して、（平均値Ｙ／平均値Ｘ）×１００にて、バラツキσを求めた。
５：バラツキが２０％未満
４：バラツキが２０％以上３０％未満
３：バラツキが３０％以上５０％未満
２：バラツキが５０％以上１００％未満
１：バラツキが１００％以上

　上記実施例および比較例にて使用した有機半導体化合物は、公知文献（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２００８，１５４８－１５５０、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００７，９，４４９９、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　ａｎｄ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５８，ｖｏｌ．１７　Ｂ，ｐ．２６０－２６５、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　ａｎｄ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５５，ｖｏｌ．１４　Ｂ，ｐ．１１、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２０１２，１３４，１６５４８－１６５５０、ＷＯ２００５－０８７７８０号、特開２００９－１９０９９９号公報、特表２０１２－２０６９５３号公報）
を参考にして合成した。

　上記表に示すように、本発明の組成物を用いることにより、所望の効果を示す有機半導体膜が製造された。
　実施例１～９の比較から分かるように、母核としてチオフェン環を３～４つ有する態様がより優れた効果を示すことが確認され、特にチオフェン環が３つの場合が最も優れることが確認された。
　また、実施例８と１０～１２との比較から分かるように、第１有機半導体化合物の質量と、第２有機半導体化合物の質量との比（第１有機半導体化合物の質量／第２有機半導体化合物の質量）が０．３～３．０である場合、より優れた効果が得られることが確認された。
　また、実施例１２と１３との比較より、置換基Ｘと置換基Ｙとが共にアルキル基である場合、より優れた効果が得られることが確認された。
　また、実施例７と１４～１７との比較より、置換基Ｘ中の炭素数と置換基Ｙ中の炭素数との差が４以内の場合、より優れた効果が得られることが確認された。

　一方、１種の有機半導体化合物しかを使用していない比較例１～２、および、母核が異なる有機半導体化合物を２種使用した比較例４では、所望の効果は得られなかった。
　また、１種の有機半導体化合物しかを使用していない比較例３では、均一な膜を作製することができず、各種評価を実施することができなかった。

　１０：基板
　２０：ゲート電極
　３０：ゲート絶縁膜
　４０：ソース電極
　４２：ドレイン電極
　５０：有機半導体膜
　５１：メタルマスク
　５２：マスク部
　５３，５４：開口部
　６０：封止層
　１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims

　分子内に、２つ以上のチオフェン環を含み、前記チオフェン環を含む少なくとも４つ以上の環数の縮環構造からなる母核、および、前記母核に結合する置換基Ｘを有する第１有機半導体化合物と、
　前記第１有機半導体化合物と同じ母核を有し、かつ、以下の要件１～要件３からなる群から選択されるいずれか１つの要件を満たす、第２有機半導体化合物と、
　有機溶媒と、を少なくとも含有する有機半導体膜形成用組成物。
要件１：前記第２有機半導体化合物中の前記母核に結合し、前記第１有機半導体化合物中の置換基Ｘとは異なる置換基Ｙを前記第２有機半導体化合物が有する。
要件２：前記第２有機半導体化合物が前記母核に結合する前記置換基Ｘを有し、前記第１有機半導体化合物中の前記母核に対する置換基Ｘの結合位置と、前記第２有機半導体化合物中の前記母核に対する置換基Ｘの結合位置とが異なる。
要件３：前記第２有機半導体化合物が置換基を有さない。
　前記母核が、少なくとも３つ以上のチオフェン環を含む、請求項１に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記母核が、３つまたは４つのチオフェン環を含む、請求項１または２に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記母核が、３つのチオフェン環を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記母核の環数が５つである、請求項１～４のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記置換基Ｘ、および、前記置換基Ｙが、炭素数１～１６のアルキル基を含む置換基である、請求項１～５のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記アルキル基が、直鎖状アルキル基である、請求項６に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記第２有機半導体化合物が要件１または要件２を満たし、
　要件１を満たす場合は、前記第１有機半導体化合物中に前記置換基Ｘが２つ含まれ、かつ、前記第２有機半導体化合物中に前記置換基Ｙが２つ含まれ、
　要件２を満たす場合は、前記第１有機半導体化合物中に前記置換基Ｘが２つ含まれ、かつ、前記第２有機半導体化合物中に前記置換基Ｘが２つ含まれる、請求項１～７のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記第２有機半導体化合物が要件１を満たし、
　前記第１有機半導体化合物中の前記母核に対する前記置換基Ｘの結合位置と、前記第２有機半導体化合物中の前記母核に対する前記置換基Ｙの結合位置とが同じである、請求項１～７のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記第２有機半導体化合物が要件１を満たし、
　前記置換基Ｘおよび前記置換基Ｙが、炭素数１～１６のアルキル基を含む置換基であり、前記置換基Ｘ中の炭素数と前記置換基Ｙ中の炭素数との差が４以内である、請求項１～７および９のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記第２有機半導体化合物が要件１を満たし、
　前記置換基Ｘおよび前記置換基Ｙが、炭素数１～１６の直鎖状アルキル基である、請求項１～７および９～１０のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記第１有機半導体化合物および前記第２有機半導体化合物の合計量が、組成物全質量に対して、０．４～１０．０質量％である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記第１有機半導体化合物および前記第２有機半導体化合物の合計量が、組成物全質量に対して、０．６～８．０質量％である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記第１有機半導体化合物の質量と、前記第２有機半導体化合物の質量との比が０．３～３．０である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。なお、前記比は、前記第１有機半導体化合物の質量／前記第２有機半導体化合物の質量を示す。
　前記第１有機半導体化合物の質量と、前記第２有機半導体化合物の質量との比が０．５～２．０である、請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。なお、前記比は、前記第１有機半導体化合物の質量／前記第２有機半導体化合物の質量を示す。