WO2015132935A1 - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2015132935A1 WO2015132935A1 PCT/JP2014/055810 JP2014055810W WO2015132935A1 WO 2015132935 A1 WO2015132935 A1 WO 2015132935A1 JP 2014055810 W JP2014055810 W JP 2014055810W WO 2015132935 A1 WO2015132935 A1 WO 2015132935A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- solid
- state laser
- excitation
- light
- excitation light
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
- H01S3/0816—Configuration of resonator having 4 reflectors, e.g. Z-shaped resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094049—Guiding of the pump light
- H01S3/094053—Fibre coupled pump, e.g. delivering pump light using a fibre or a fibre bundle
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1068—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using an acousto-optical device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1611—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
- H01S3/1673—YVO4 [YVO]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
固体レーザ結晶１３は励起光により励起され固体レーザ発振光を生成する。偏光分離素子７は半導体レーザからの励起光を直交する２つの直線偏光成分に分離する。第１伝送経路部は偏光分離素子で分離された２つの励起光の内の第１励起成分を固体レーザ結晶の第１端面に入射させる。第２伝送経路部は２つの励起光の内の第２励起成分を固体レーザ結晶の第１端面と対向する第２端面に入射させる。λ／２波長板８は第１伝送経路部及び第２伝送経路部の一方の光軸上に配置され、励起成分の偏光方向を９０°回転させる。レーザ共振器１８は第１端面に入射された第１励起成分と第２端面に入射された第２励起成分とにより固体レーザ結晶を励起し固体レーザ発振光を生成させる。
Description
本発明は、固体レーザ装置に関し、特に安定したレーザ発振を得ることができる固体レーザ装置に関する。
固体レーザ装置としては、特許文献１に記載されたレーザ加工装置が知られている。このレーザ加工装置は、励起光源、固体レーザ結晶、ビームスプリッタを備える。固体レーザ結晶は、励起光源からの励起光の入射面を構成する第１端面と、励起光の入射面及び励起光の取り出し面を構成する第２端面を備える。
ビームスプリッタは、励起光源からの励起光を、第１分岐経路及び第２分岐経路に分岐し、分岐された２つの励起光のうち、一方の励起光を固体レーザ結晶の第１端面に入射し、他方の励起光を第２端面に入射する。これにより、レーザ装置の高出力化に伴う励起光の高出力化により生ずる熱レンズの発生を抑制することができる。
しかし、固体レーザ装置の高出力化に伴って、半導体レーザも高出力となり、半導体レーザの発熱を処理するための冷却機構が必要となる。このため、固体レーザ装置が大型化する。
特許文献２のレーザ装置は、半導体レーザを含む励起光源と、固体レーザ光を発生させるレーザ出力部とを分離し、励起光源からの励起光を光ファイバによりレーザ出力部に伝送する。これにより、レーザ出力部を小型化することができる。
光ファイバを通すことにより、励起光は、無偏光化されるが、光ファイバの物理的条件、例えば固定状態などの条件次第では、半導体レーザの直線偏光成分が完全に消えないことがある。また、光ファイバの物理的条件により偏光特性が変動してしまうことがある。このような状態では、固体レーザ結晶を励起しても、安定した固体レーザ発振を得ることができなかった。
この課題に対し、特許文献２のレーザ装置は、偏光解消素子(Depolarization device)を用いて励起光が固体レーザ結晶へ入射される前に励起光を確実に無偏光化している。
固体レーザ結晶として使用されるＮｄ：ＹＶＯ４やＮｄ：ＹＬＦなどの結晶は異方性結晶であり、結晶のｃ軸に平行な方向とｃ軸に垂直な方向とで異なる吸収係数を有している。特許文献３には、励起光の偏光方向を吸収係数の大きい方向と一致させる方が励起効率が高くなることが記載されている。
特許文献１のレーザ装置においては、励起光の偏光特性を制御していないため、励起光源とレーザ出力部を分離して励起光を光ファイバを用いて伝送する構成では、偏光特性の変動により安定したレーザ発振を得ることができなかった。
特許文献２のレーザ装置においては、無偏光の励起光による励起は、高出力化において、励起効率が悪くなっていた。
本発明は、安定したレーザ発振を得ることができ、励起効率を良くすることができる固体レーザ装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明に係る固体レーザ装置は、励起光を出射する半導体レーザを含む励起光源部と、固体レーザ出力部と、前記励起光源部と前記固体レーザ出力部とを接続する光ファイバとを備える。前記固体レーザ出力部は、前記励起光により励起され固体レーザ発振光を生成する固体レーザ結晶と、前記半導体レーザからの励起光を直交する２つの直線偏光成分に分離する偏光分離素子と、前記偏光分離素子で分離された２つの励起光の内の第１励起成分を前記固体レーザ結晶の第１端面に入射させる第１伝送経路部と、前記２つの励起光の内の第２励起成分を前記固体レーザ結晶の第１端面と対向する第２端面に入射させる第２伝送経路部と、前記第１伝送経路部及び第２伝送経路部の一方の光軸上に配置され、励起成分の偏光方向を９０°回転させるλ／２波長板（λは波長）と、前記固体レーザ結晶を含み、前記固体レーザ結晶の第１端面に入射された第１励起成分と前記固体レーザ結晶の第２端面に入射された第２励起成分とにより前記固体レーザ結晶を励起して固体レーザ発振光を生成させるレーザ共振器とを備える。
本発明によれば、光ファイバから出射された励起光は、偏光分離素子により直交する２つの直線偏光成分に分離される。その後、分離された一方の励起光の偏光方向は、λ／２波長板を通して９０°回転される。このため、分離された一方の励起光の偏光方向は、分離された他方の励起光の偏光方向と一致された後、固体レーザ結晶の両端面にそれぞれの励起光が入射され、固体レーザ発振が得られる。
従って、光ファイバの物理的条件が変化し、光ファイバから出射した後の励起光の偏光特性が変動しても、固体レーザ結晶へ入射する際の励起光の偏光特性は、一定に保持される。このため、安定した固体レーザ発振を得ることができる。また、固体レーザ結晶の両端面にそれぞれの励起光が入射されて、固体レーザ発振を得ることで、片側端面から励起する構成と比較して熱レンズの影響も低減することができる。
以下、本発明の実施形態に係る固体レーザ装置が、図面を参照しながら詳細に説明される。
（第1の実施形態）
本発明の実施形態に係る固体レーザ装置は、図１に示すように、励起光を出射するレーザダイオードからなる半導体レーザ２を含む励起光源１（励起光源部）、固体レーザ出力部５と、励起光源１と固体レーザ出力部５とを接続する光ファイバ４とを備えている。励起光源１は、さらに、半導体レーザ２からの励起光を光ファイバ４の光入力部４ａに導くレンズ３を有する。
本発明の実施形態に係る固体レーザ装置は、図１に示すように、励起光を出射するレーザダイオードからなる半導体レーザ２を含む励起光源１（励起光源部）、固体レーザ出力部５と、励起光源１と固体レーザ出力部５とを接続する光ファイバ４とを備えている。励起光源１は、さらに、半導体レーザ２からの励起光を光ファイバ４の光入力部４ａに導くレンズ３を有する。
光ファイバ４は、光入力部４ａ、光出力部４ｂを有し、光入力部４ａから入射された半導体レーザ２からの励起光を伝送して光出力部４ｂから固体レーザ出力部５に出射する。
固体レーザ出力部５は、レンズ６、偏光分離素子７、λ／２波長板（λは波長）８と、レンズ９ａ，９ｂ、ミラー１０，１１ａ，１１ｂ、ダイクロイックミラー１２ａ，１２ｂ，１６、固体レーザ結晶１３、音響光学素子１４、共振器ミラー１５ａ，１５ｂ、波長変換素子１７、ミラー１９、レンズ２０を備える。
固体レーザ結晶１３は、半導体レーザ２からの励起光により励起され固体レーザ発振光を生成する。偏光分離素子７は、レンズ６を介する光ファイバ４からの励起光を直交する２つの直線偏光成分に分離する。
レンズ９ａ、ミラー１１ａ、及びダイクロイックミラー１２ａから構成される第１伝送経路部は、偏光分離素子７で分離された２つの励起光の内の第１励起成分を固体レーザ結晶１３の第１端面に入射させる。
ミラー１０、レンズ９ｂ、ミラー１１ｂ、及びダイクロイックミラー１２ｂから構成される第２伝送経路部は、２つの励起光の内の第２励起成分を固体レーザ結晶１３の第１端面と対向する第２端面に入射させる。
λ／２波長板（λは波長）８は、第１伝送経路部の光軸上で且つ偏光分離素子７とレンズ９ａとの間に配置され、偏光分離素子７からの励起成分の偏光方向を９０°回転させる。
レーザ共振器１８は、固体レーザ結晶１３を含み、固体レーザ結晶１３の第１端面に端面に入射された第１の励起成分と固体レーザ結晶１３の第２端面に端面に入射された第２の励起成分とにより固体レーザ結晶１３を励起して固体レーザ発振光を生成させる。
レーザ共振器１８は、ダイクロイックミラー１２ａ（第１ダイクロイックミラー）、ダイクロイックミラー１２ｂ（第２ダイクロイックミラー）、共振器ミラー１５ａ（第１共振器ミラー）、共振器ミラー１５ｂ（第２共振器ミラー）、音響光学素子１４、波長変換素子１６を備えている。
ダイクロイックミラー１２ａは、第１伝送経路部上で且つミラー１１ａと固体レーザ結晶１３との間に固体レーザ結晶１３の第１端面に対して４５°の角度で配置され、励起光を透過し固体レーザ発振光を共振器ミラー１５ａの方向に反射する。
ダイクロイックミラー１２ｂは、第２伝送経路部上で且つミラー１１ｂと固体レーザ結晶１３との間に固体レーザ結晶１３の第２端面に対して４５°の角度で配置され、励起光を透過し固体レーザ発振光を共振器ミラー１５ｂの方向に反射する。
共振器ミラー１５ａは、ダイクロイックミラー１２ａで反射された固体レーザ発振光と直交して配置され、ダイクロイックミラー１２ａで反射された固体レーザ発振光を反射する。
共振器ミラー１５ｂは、ダイクロイックミラー１２ｂで反射された固体レーザ発振光と直交して配置され、ダイクロイックミラー１２ｂで反射された固体レーザ発振光を反射する。
固体レーザ結晶１３は、異方性結晶からなり、異方性結晶の吸収係数が大きい軸方向と励起光の偏光方向とが一致するように配置されている。
また、ダイクロイックミラー１２ｂと共振器ミラー１５ｂとの間には、固体レーザ発振光をジャイアントパルス化するための音響光学素子１４が配置されている。ダイクロイックミラー１６と共振器ミラー１５ａとの間には、固体レーザ発振光を波長変換するための波長変換素子１７が配置されている。
ダイクロイックミラー１６は、ダイクロイックミラー１２ａと波長変換素子１７との間に配置され、波長変換素子１７で変換された高調波をレーザ共振器１８の外に取り出す。
ダイクロイックミラー１９、レンズ２０は、出射器２１を構成する。ダイクロイックミラー１９は、ダイクロイックミラー１６からの波長変換素子１７で変換された高調波をレンズ２０を介して出射方向やビーム径を調整して、固体レーザ装置の外部に出射する。
このように実施形態に係る固体レーザ装置によれば、半導体レーザ２から励起光がレンズ３を介して光ファイバ４に入射される。そして、光ファイバ４から出射された励起光は、レンズ６を介して偏光分離素子７により直交する２つの直線偏光成分に分離される。
その後、分離された一方の励起光の偏光方向は、λ／２波長板８を通して９０°回転され、レンズ９ａ、ミラー１１ａ、ダイクロイックミラー１２ａを介して固体レーザ結晶１３の第１端面に入射される。
一方、偏光分離素子７により分離された他方の励起光は、ミラー１０、レンズ９ｂ、ミラー１１ｂ、ダイクロイックミラー１２ｂを介して固体レーザ結晶１３の第１端面と対向する第２端面に入射される。
即ち、分離された一方の励起光の偏光方向は、分離された他方の励起光の偏光方向と一致された後、固体レーザ結晶１３の両端面にそれぞれの励起光が入射される。そして、固体レーザ結晶１３に入射された励起光がレーザ共振器１８により増幅されて、固体レーザ発振が得られる。
ここで、光ファイバ４の物理的条件が変化し、光ファイバ４から出射した後の励起光の偏光特性が変動した場合に、偏光分離素子７により直交する２つの直線偏光成分に分離される割合が変動する。
例えば、偏光分離素子７が直交する２つの直線偏光成分を５０％と５０％との割合で分離していても、励起光の偏光特性が変動した場合には、偏光分離素子７が直交する２つの直線偏光成分を５５％と４５％との割合で分離するように変動してしまう。
しかし、実施形態に係る固体レーザ装置では、直交する２つの直線偏光成分の割合が変動しても、一方の励起光と他方の励起光は、同一方向の直線偏光の光として固体レーザ結晶１３の両端面に入射されるので、固体レーザ結晶１３に入射される励起光の吸収量は一定に保持される。このため、安定した固体レーザ発振を得ることができる。
また、固体レーザ結晶１３の両端面にそれぞれの励起光が入射されて、固体レーザ発振を得ることで、片側端面から励起する構成と比較して熱レンズの影響も低減することができる。
図２は本発明の実施形態に係る固体レーザ装置における励起光波長に対するＮｄ：ＹＶＯ４の吸収係数を示す図である。図２において、ｃ軸に平行な方向の吸収係数は、実線で示し、ｃ軸に垂直な方向の吸収係数は、点線で示した。
ＧａＡｓ系半導体レーザの発振波長に相当する８０９ｎｍ付近の波長において、ｃ軸に平行な方向の吸収係数は、ｃ軸に垂直な方向の吸収係数に比較して２倍以上大きい。このため、光ファイバ４内で無偏光化された励起光を再度、偏光分離素子７により直線偏光に変換し、励起光の偏光方向（図１の矢印↑で示す縦方向）をＮｄ：ＹＶＯ４のｃ軸（縦方向）と平行な方向と一致させる。
これにより、より高効率な固体レーザ発振が得られる。このため、励起光源１の低出力化や発熱量減少による冷却機構の簡略化を実現できる。また、固体レーザ装置を小型化できる。
なお、本発明は上述した実施形態に係る固体レーザ装置に限定されるものではない。実施形態に係る固体レーザ装置では、偏光分離素子７とレンズ９ａとの間にλ／２波長板８を設けた。例えば、偏光分離素子７とレンズ９ａとの間にλ／２波長板８を設ける代わりに、偏光分離素子７とミラー１０との間にλ／２波長板８を設けるようにしても良い。
この場合には、偏光分離素子７により直線偏光に変換し、励起光の偏光方向（矢印→で示す横方向）をＮｄ：ＹＶＯ４のｃ軸（横方向）と平行な方向と一致させることで、より高効率な固体レーザ発振が得られる。
安定したレーザ発振を得ることができ、励起効率を良くすることができる固体レーザ装置を提供できる。
Claims (3)
- 励起光を出射する半導体レーザを含む励起光源部と、固体レーザ出力部と、
前記励起光源部と前記固体レーザ出力部とを接続する光ファイバとを備え、
前記固体レーザ出力部は、
前記励起光により励起され固体レーザ発振光を生成する固体レーザ結晶と、
前記半導体レーザからの励起光を直交する２つの直線偏光成分に分離する偏光分離素子と、
前記偏光分離素子で分離された２つの励起光の内の第１励起成分を前記固体レーザ結晶の第１端面に入射させる第１伝送経路部と、
前記２つの励起光の内の第２励起成分を前記固体レーザ結晶の第１端面と対向する第２端面に入射させる第２伝送経路部と、
前記第１伝送経路部及び第２伝送経路部の一方の光軸上に配置され、励起成分の偏光方向を９０°回転させるλ／２波長板（λは波長）と、
前記固体レーザ結晶を含み、前記固体レーザ結晶の第１端面に入射された第１励起成分と前記固体レーザ結晶の第２端面に入射された第２励起成分とにより前記固体レーザ結晶を励起し前記固体レーザ発振光を生成させるレーザ共振器と、
を備える固体レーザ装置。 - 前記固体レーザ結晶は、異方性結晶からなり、前記異方性結晶の吸収係数が大きい軸方向と前記励起光の偏光方向とが一致するように配置されている請求項１記載の固体レーザ装置。
- 前記レーザ共振器は、
前記第１伝送経路部上に配置され、励起光を透過し前記固体レーザ発振光を反射する第１ダイクロイックミラーと、
前記第２伝送経路部上に配置され、励起光を透過し前記固体レーザ発振光を反射する第２ダイクロイックミラーと、
前記第１ダイクロイックミラーで反射された前記固体レーザ発振光を反射する第１共振器ミラーと、
前記第２ダイクロイックミラーで反射された前記固体レーザ発振光を反射する第２共振器ミラーと、
を備える請求項１又は請求項２記載の固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2014/055810 WO2015132935A1 (ja) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2014/055810 WO2015132935A1 (ja) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2015132935A1 true WO2015132935A1 (ja) | 2015-09-11 |
Family
ID=54054770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2014/055810 WO2015132935A1 (ja) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| WO (1) | WO2015132935A1 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070053403A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Laser Quantum Ltd. | Laser cavity pumping configuration |
-
2014
- 2014-03-06 WO PCT/JP2014/055810 patent/WO2015132935A1/ja active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070053403A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Laser Quantum Ltd. | Laser cavity pumping configuration |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Y.MA ET AL.: "Performance improvement in a directly 879 nm dual-end-n-polarized-pumped CW and pulsed GdV04/Nd:GdV04 laser", APPLIED OPTICS, vol. 51, no. 5, pages 600 - 603, XP001573798, DOI: doi:10.1364/AO.51.000600 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10367328B2 (en) | Pulse laser device | |
| JP2013546201A (ja) | ショートパルスファイバーレーザー | |
| TW201728025A (zh) | 雷射系統及雷射輸出方法 | |
| JP2006073962A (ja) | 受動ｑスイッチレーザ装置 | |
| WO2015132935A1 (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JP2008098496A (ja) | チャープパルス増幅器及び増幅方法 | |
| JP2011134735A (ja) | パルスファイバレーザ光源、及び、波長変換レーザ光源 | |
| JP2007227853A (ja) | 円筒対称偏光レーザー共振器 | |
| JP2009290151A (ja) | 固体レーザー装置 | |
| JP2009248136A (ja) | レーザ光分岐装置およびレーザ加工装置 | |
| JP2008227377A5 (ja) | ||
| US11258230B2 (en) | Pump isolation by polarization splitting | |
| JP2004087917A (ja) | 半導体レーザ装置及びレーザ加工機及びレーザ治療機 | |
| JP2001024264A (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
| KR101006255B1 (ko) | 직교된 두 편광 펌프광원을 이용한 오피오 레이저 장치 | |
| JP2010278289A (ja) | レーザ発振装置 | |
| JP2006203117A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| KR101747906B1 (ko) | 레이저 시스템 | |
| US20070201125A1 (en) | Optical Frequency Converter For Non-Polarized Light | |
| JP2019207989A (ja) | レーザ装置 | |
| JP5831896B2 (ja) | 光渦レーザービーム発振装置及び発振方法 | |
| KR102068125B1 (ko) | 파장 선택 장치 | |
| JP5732960B2 (ja) | 波長変換型固体レーザ装置 | |
| JP2006303195A (ja) | レーザモジュール | |
| US8315289B2 (en) | Optical apparatus and method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 14885020 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 14885020 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |