JP2008227377A5 - - Google Patents

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Claims (12)

  1. レーザ光を発生させるためのレーザ共振部を含むレーザ制御部と、
    前記レーザ制御部で発生されたレーザ光を後記レーザ出力部に伝達するための励起光伝達媒体と、
    前記励起光伝達媒体で伝達されたレーザ光を走査させるためのレーザ光走査系を含むレーザ出力部と、
    を備えるレーザ加工装置であって、
    前記レーザ出力部が、
    励起光を発生させる一の励起光源と、
    一方向に延長され、2つの端面を有する結晶状の固体レーザ媒質であって、前記励起光源からの励起光を両端面から投入してレーザ発振を生じさせる固体レーザ媒質と、
    前記励起光源から出力される励起光を2つの経路に分岐し、各分岐経路から前記固体レーザ媒質の各端面に励起光の各励起成分を各々入射させるための分岐手段と、
    各端面に対向させて分岐経路上に配置され、励起光を透過し且つレーザ発振光を端面側に反射させるダイクロイックミラーと、
    分岐経路と干渉しない位置であって、レーザ発振光と略直交する方向に配置され、前記ダイクロイックミラーからのレーザ発振光を出力するための出力ミラーと、
    前記ダイクロイックミラーに対向させて分岐経路上に配置され、前記ダイクロイックミラーを透過した励起光が前記固体レーザ媒質の端面に照射される際のスポット径を、前記固体レーザ媒質のTEM00モードよりも小さくするように集光するための集光レンズと、
    を備え、前記固体レーザ媒質の各端面に励起光が各々投入されて固体レーザ媒質が励起されるよう構成されてなることを特徴とするレーザ加工装置。
  2. レーザ光を発生させるためのレーザ共振部を含むレーザ制御部と、
    前記レーザ制御部で発生されたレーザ光を後記レーザ出力部に伝達するための励起光伝達媒体と、
    前記励起光伝達媒体で伝達されたレーザ光を走査させるためのレーザ光走査系を含むレーザ出力部と、
    を備えるレーザ加工装置であって、
    前記レーザ出力部が、
    励起光を発生させる一の励起光源と、
    一方向に延長され、2つの端面を有する結晶状の固体レーザ媒質であって、前記励起光源からの励起光を両端面から投入してレーザ発振を生じさせるものであり、且つ該端面として、
    励起光の入射面を構成する第1端面と、
    前記第1端面の反対側であって、励起光の入射面及び励起光の取り出し面を構成する第2端面と、
    を備える固体レーザ媒質と、
    前記励起光源から出力される励起光を、第1分岐経路及び第2分岐経路の2つの経路に分岐し、第1分岐経路から前記固体レーザ媒質の第1端面に励起光の第1励起成分を、第2分岐経路から第2端面に第2励起成分を、各々入射させるための分岐手段と、
    前記第1端面に対向させて第1分岐経路上に配置され、励起光を透過し且つレーザ発振光を前記第1端面側に反射させる第1ダイクロイックミラーと、
    前記第2端面に対向させて第2分岐経路上に配置され、励起光を透過し且つレーザ発振光を、後記出力ミラーに向かって反射させる第2ダイクロイックミラーと、
    分岐経路と干渉しない位置であって、レーザ発振光と略直交する方向に配置され、前記第2ダイクロイックミラーからの反射光を出力するための出力ミラーと、
    前記第1ダイクロイックミラーに対向させて第1分岐経路上に配置され、前記第1ダイクロイックミラーを透過した励起光の第1励起成分が前記第1端面に照射される際のスポット径を、前記固体レーザ媒質のTEM00モードよりも小さくするように集光するための第1集光レンズと、
    前記第2ダイクロイックミラーに対向させて第2分岐経路上に配置され、前記第2ダイクロイックミラーを透過した励起光の第2励起成分が前記第2端面に照射される際のスポット径を、前記固体レーザ媒質のTEM00モードよりも小さくするように集光するための第2集光レンズと、
    を備え、前記固体レーザ媒質の第1端面に励起光の第1励起成分が、第2端面に第2励起成分が、各々投入されて固体レーザ媒質が励起されるよう構成されてなることを特徴とするレーザ加工装置。
  3. 請求項1又は2に記載のレーザ加工装置であって、
    前記分岐手段が、第1励起成分が第2励起成分よりも多くなるように分岐させることを特徴とするレーザ加工装置。
  4. 請求項3に記載のレーザ加工装置であって、
    前記分岐手段が、入射光を第1励起成分と第2励起成分に分岐させる比率を、略2:1に設定してなることを特徴とするレーザ加工装置。
  5. 請求項1からのいずれか一に記載のレーザ加工装置であって、
    前記固体レーザ媒質がNd:YVO4結晶であることを特徴とするレーザ加工装置。
  6. 請求項1からのいずれか一に記載のレーザ加工装置であって、
    前記出力ミラーの反射率が30%〜70%であることを特徴とするレーザ加工装置。
  7. 請求項1から6のいずれか一に記載のレーザ加工装置であって、
    前記励起光源としての半導体レーザの平均出力が10W以上であることを特徴とするレーザ加工装置。
  8. 請求項1からのいずれか一に記載のレーザ加工装置であって、
    前記出力ミラーと第2ダイクロイックミラーとの間にはQスイッチが設けられていることを特徴とするレーザ加工装置。
  9. 請求項1からのいずれか一に記載のレーザ加工装置であって、
    前記レーザ出力部がさらに、
    前記分岐手段で分岐された第1励起成分又は第2励起成分を、略垂直に反射させる第1反射ミラーと、
    前記第1反射ミラーで反射された反射光又は前記分岐手段で分岐された第2励起成分或いは第1励起成分を、さらに略垂直方向に反射させる第2反射ミラーと、
    前記第2反射ミラーで反射された反射光を、略垂直に反射させる第3反射ミラーと、
    を備え、
    前記第1分岐経路及び第2分岐経路で構成される分岐経路は、前記分岐手段、第1反射ミラー、第2反射ミラー、第3反射ミラーによって矩形状に構成されており、且つ矩形状のいずれかの辺上に前記固体レーザ媒質及び第1、第2ダイクロイックミラーが配置され、尚且つ矩形状のいずれかの頂点であって、該頂点をなす矩形状のいずれかの辺の延長線上に、前記励起光源からの励起光が入射されるよう配置されてなることを特徴とするレーザ加工装置。
  10. 請求項1からのいずれか一に記載のレーザ加工装置であって、さらに、
    前記励起光伝達媒体を前記分岐手段と光学的に結合するための励起光結合手段と、
    前記第2ダイクロイックミラーと出力ミラーとの間に配置され、レーザ発振光を整形するためのアパーチャと、
    を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
  11. 請求項1から10のいずれか一に記載のレーザ加工装置であって、
    前記レーザ出力部のレーザ光走査系が
    入射レンズと出射レンズを備え、前記レーザ共振部から照射されるレーザ光の光軸に前記入射レンズ及び出射レンズの光軸を一致させた状態で、入射レンズと出射レンズ間の相対距離をこれらの光軸に沿って変化させてレーザ光の焦点距離を調整可能なZ軸スキャナと、
    前記Z軸スキャナを透過するレーザ光を、X軸方向又はY軸方向に走査させるためのX軸スキャナ又はY軸スキャナと、
    前記X軸スキャナ又はY軸スキャナで走査されるレーザ光を、Y軸方向又はX軸方向に走査させるためのY軸スキャナ又はX軸スキャナと、
    を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
  12. 励起光を発生させる一の励起光源と、
    一方向に延長され、2つの端面を有する結晶状の固体レーザ媒質であって、前記励起光源からの励起光を両端面から投入してレーザ発振を生じさせる固体レーザ媒質と、
    前記励起光源から出力される励起光を2つの経路に分岐し、各分岐経路から前記固体レーザ媒質の各端面に励起光の各励起成分を各々入射させるための分岐手段と、
    各端面に対向させて分岐経路上に配置され、励起光を透過し且つレーザ発振光を端面側に反射させるダイクロイックミラーと、
    分岐経路と干渉しない位置であって、レーザ発振光と略直交する方向に配置され、前記ダイクロイックミラーからのレーザ発振光を出力するための出力ミラーと、
    前記ダイクロイックミラーに対向させて分岐経路上に配置され、前記ダイクロイックミラーを透過した励起光が前記固体レーザ媒質の端面に照射される際のスポット径を、前記固体レーザ媒質のTEM00モードよりも小さくするように集光するための集光レンズと、
    を備え、前記固体レーザ媒質の各端面に励起光が各々投入されて固体レーザ媒質が励起されるよう構成されてなることを特徴とする固体レーザ共振器。
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