JP2006222352A - 光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 励起光源がダメージを受けることのない光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器の提供。
【解決手段】 少なくとも利得媒質である希土類添加光ファイバと、該希土類添加光ファイバを光励起する励起光源と、光カプラとを備え、励起光源から発せられる励起光を光カプラを介して希土類添加光ファイバに入射してレーザ発振を行う光ファイバレーザにおいて、励起光源の出射端に希土類添加光ファイバから光カプラを介して励起光源に入射される光を遮断するための光遮断手段を少なくとも一つ設けたことを特徴とする光ファイバレーザ。
【選択図】 図3
【解決手段】 少なくとも利得媒質である希土類添加光ファイバと、該希土類添加光ファイバを光励起する励起光源と、光カプラとを備え、励起光源から発せられる励起光を光カプラを介して希土類添加光ファイバに入射してレーザ発振を行う光ファイバレーザにおいて、励起光源の出射端に希土類添加光ファイバから光カプラを介して励起光源に入射される光を遮断するための光遮断手段を少なくとも一つ設けたことを特徴とする光ファイバレーザ。
【選択図】 図3
Description
本発明は、励起光源へのレーザ光の入射を防止して励起光源のダメージを減らした光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器に関する。
レーザ光は、加工機や医療機器、測定器など様々な分野で利用されている。加工機の分野では、レーザ光が集光性に優れ、パワー密度の高い非常に小さなビームスポットが得られるため精密加工が可能なこと、また、レーザ加工が非接触加工であること、さらにレーザ光の吸収可能な高硬度の物質の加工も可能であることなどから、急速に用途が拡大している。
このような分野において、連続光レーザは出力パワーが数kW以上のものがあり、またパルスレーザも尖頭値が数kW以上のものがあり、加工性能のよさなどからパルスレーザが利用されることが多い。使用レーザ光としては、従来より、炭酸ガスレーザや固体レーザ(Nd:YAGレーザなど)が使用されており、加工の種類(溶接、切断、マーキング、穴あけなど)や加工対象の材質などによって適当な出力を有するレーザが選択されている。
このような分野において、連続光レーザは出力パワーが数kW以上のものがあり、またパルスレーザも尖頭値が数kW以上のものがあり、加工性能のよさなどからパルスレーザが利用されることが多い。使用レーザ光としては、従来より、炭酸ガスレーザや固体レーザ(Nd:YAGレーザなど)が使用されており、加工の種類(溶接、切断、マーキング、穴あけなど)や加工対象の材質などによって適当な出力を有するレーザが選択されている。
近年、特に性能の向上が著しいのが固体レーザである。図1に代表的な固体レーザ(Nd:YAGレーザ)の構成を示す。
図1において、符号1はレーザ発振器であり、このレーザ発振器1は、励起用レーザダイオード(以下、LDと略記する)2、集光レンズ3、リヤミラー4、Nd:YAG結晶5、Qスイッチ(AO)素子6及び出力ミラー7の基本部品から構成されている。このレーザ発振器1は、励起用LD2からの励起光8が集光レンズ3によってNd:YAG結晶5の端面に集光される端面励起方式の場合の構成を示しており、出力ミラー7とリヤミラー4間で共振器が形成される。
図1において、符号1はレーザ発振器であり、このレーザ発振器1は、励起用レーザダイオード(以下、LDと略記する)2、集光レンズ3、リヤミラー4、Nd:YAG結晶5、Qスイッチ(AO)素子6及び出力ミラー7の基本部品から構成されている。このレーザ発振器1は、励起用LD2からの励起光8が集光レンズ3によってNd:YAG結晶5の端面に集光される端面励起方式の場合の構成を示しており、出力ミラー7とリヤミラー4間で共振器が形成される。
前記構成において、LD2によってNd:YAG結晶5を励起すると、結晶内のNd3+イオンは励起状態となり、自然放出光を発生する。
このとき、Qスイッチ素子6が低損失状態であればNd:YAG結晶5から放出された自然放出光はNd:YAG結晶5内で増幅されながらリヤミラー4と出力ミラー7間を往復することでレーザ発振し、その一部が連続光のレーザ光9として外部に取り出されることになる。
一方、Qスイッチ素子6が周期的に低損失状態と高損失状態を繰り返すように駆動させた場合、Qスイッチ素子6が高損失状態の時には自然放出光を発生するのみでレーザ発振はせず、励起エネルギーがNd:YAG結晶5内に蓄積された状態となる。この状態でQスイッチ素子6を低損失状態にすると、Nd:YAG結晶5内に蓄積されたエネルギーが一気にレーザ出力として放出される。すなわちQスイッチ素子6が高損失状態の時にはレーザ光9が出力されず、Qスイッチ素子6が低損失状態の時にレーザ光が出力され、パルス状の出力が得られる。このパルス出力によって加工などが行われる。
このとき、Qスイッチ素子6が低損失状態であればNd:YAG結晶5から放出された自然放出光はNd:YAG結晶5内で増幅されながらリヤミラー4と出力ミラー7間を往復することでレーザ発振し、その一部が連続光のレーザ光9として外部に取り出されることになる。
一方、Qスイッチ素子6が周期的に低損失状態と高損失状態を繰り返すように駆動させた場合、Qスイッチ素子6が高損失状態の時には自然放出光を発生するのみでレーザ発振はせず、励起エネルギーがNd:YAG結晶5内に蓄積された状態となる。この状態でQスイッチ素子6を低損失状態にすると、Nd:YAG結晶5内に蓄積されたエネルギーが一気にレーザ出力として放出される。すなわちQスイッチ素子6が高損失状態の時にはレーザ光9が出力されず、Qスイッチ素子6が低損失状態の時にレーザ光が出力され、パルス状の出力が得られる。このパルス出力によって加工などが行われる。
前述した固体レーザは、レーザ媒質として結晶を用いるが、レーザ出力を大きくするためには、結晶の両側にミラーを配置し、ミラー間に光を往復させなければならない。また、パルス発振のためにはQスイッチ素子6も必要となる。結晶の両側にこのような光学部品が必要となることは、レーザ発振器が大型化することを意味する。また、安定したパルス出力を得るためには、光学部品の位置及び角度を非常に高精度に調整する必要があるうえ、調整を行ったとしても動作中には結晶内で発生する熱などの影響で微妙に調整が狂ったり、長期間の使用や、装置の移動などによっても調整が狂うため、頻繁にメンテナンスを行わなければならない。
このような固体レーザの問題を解決するものとして、共振器を全て光ファイバで構成した光ファイバリングレーザが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
図2は、代表的な光ファイバリングレーザの構成を例示する構成図である。この光ファイバリングレーザ10は、励起光源11と、励起光とレーザ光を合波するWDMカプラ12と、利得媒質である希土類添加光ファイバ13と、アイソレータ14と、光スイッチ素子17と、出力カプラ15とから構成されている。励起光源11から出射された励起光は、WDMカプラ12を介して希土類添加光ファイバ13へと入射される。希土類添加光ファイバ13に入射した励起光は、希土類添加光ファイバ13のコアに添加された希土類イオンに吸収され、希土類イオンは励起状態となる。励起状態となった希土類イオンは特定の波長の自然放出光を放出し、この自然放出光は増幅されながら希土類添加光ファイバ内を伝搬し、ASE(Amplified Spontaneous Emission)として出力される。一方でWDMカプラ12,希土類添加光ファイバ13、アイソレータ14、出力カプラ15及び光スイッチ素子17は、光ファイバ等の導波路によってリング状に接続されてリング共振器が構成され、ASEはこれらの部材を通過してリング共振器内を周回し、再び希土類添加光ファイバ13で増幅され、やがてはレーザ発振し、その一部が出力カプラ15を介してレーザ光として出力される。また光スイッチ素子17は、常に低損失な状態としておけばCW発振し、レーザ光は連続光として出力される。光スイッチ素子17を低損失な状態と高損失な状態とが周期的に繰り返されるように動作させればパルス発振し、パルス状のレーザ出力が得られる。
特許第2977053号公報
図2は、代表的な光ファイバリングレーザの構成を例示する構成図である。この光ファイバリングレーザ10は、励起光源11と、励起光とレーザ光を合波するWDMカプラ12と、利得媒質である希土類添加光ファイバ13と、アイソレータ14と、光スイッチ素子17と、出力カプラ15とから構成されている。励起光源11から出射された励起光は、WDMカプラ12を介して希土類添加光ファイバ13へと入射される。希土類添加光ファイバ13に入射した励起光は、希土類添加光ファイバ13のコアに添加された希土類イオンに吸収され、希土類イオンは励起状態となる。励起状態となった希土類イオンは特定の波長の自然放出光を放出し、この自然放出光は増幅されながら希土類添加光ファイバ内を伝搬し、ASE(Amplified Spontaneous Emission)として出力される。一方でWDMカプラ12,希土類添加光ファイバ13、アイソレータ14、出力カプラ15及び光スイッチ素子17は、光ファイバ等の導波路によってリング状に接続されてリング共振器が構成され、ASEはこれらの部材を通過してリング共振器内を周回し、再び希土類添加光ファイバ13で増幅され、やがてはレーザ発振し、その一部が出力カプラ15を介してレーザ光として出力される。また光スイッチ素子17は、常に低損失な状態としておけばCW発振し、レーザ光は連続光として出力される。光スイッチ素子17を低損失な状態と高損失な状態とが周期的に繰り返されるように動作させればパルス発振し、パルス状のレーザ出力が得られる。
前述した従来の光ファイバリングレーザにおいて、パルス発振を行う際には、希土類添加光ファイバからパルス状のASEが両方向(希土類添加光ファイバ13からアイソレータ14に向かうASEと、希土類添加光ファイバ13からWDMカプラ12に向かうASE)に出射される。このうち希土類添加光ファイバ13からアイソレータ14に向かって出射されるASEは、リング共振器内を周回して非常に高い尖頭値を有するレーザ光となる。一方、希土類添加光ファイバ13からWDMカプラ12に向かって出射されるASEは、殆どがリング共振器内を伝播し、アイソレータ14で損失を受けることになるが、一部はWDMカプラ12を介して励起光源11に入射し、それによって励起光源11がダメージを受ける問題があった。
さらに、高出力化を図る際には、図2に示したような前方励起の構成に加えて、後方からも励起を行うことが有効である。すなわち希土類添加光ファイバ13とアイソレータ14の間に新たにWDMカプラを設け、このWDMカプラに励起レーザを接続するものである。このような構成ではリング共振器内を周回するレーザ光の一部がWDMカプラを介して入射することになる。レーザ光は非常に高いパワーを有しており、尖頭値は数100Wに及ぶこともある。従ってその一部のパワーでも励起光源に入射すると、瞬時に励起光源がダメージを受けるため、高出力化の妨げとなっていた。
本発明は前記事情に鑑みてなされ、励起光源がダメージを受けることのない光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器の提供を目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、少なくとも利得媒質である希土類添加光ファイバと、該希土類添加光ファイバを光励起する励起光源と、光カプラとを備え、励起光源から発せられる励起光を光カプラを介して希土類添加光ファイバに入射してレーザ発振を行う光ファイバレーザにおいて、励起光源の出射端に希土類添加光ファイバから光カプラを介して励起光源に入射される光を遮断するための光遮断手段を少なくとも一つ設けたことを特徴とする光ファイバレーザを提供する。
本発明において、光ファイバレーザの共振器がリング共振器であることが好ましい。
本発明において、光ファイバレーザの共振器ミラーがファイバグレーティングであることが好ましい。
本発明の光ファイバレーザにおいて、光遮断手段が励起光波長とレーザ光波長とを合波する合波器であることが好ましい。
本発明の光ファイバレーザにおいて、光遮断手段に用いる合波器が光ファイバ型合波器であることが好ましい。
本発明の光ファイバレーザにおいて、光遮断手段に用いる合波器が前記光カプラと同じ光カプラであることが好ましい。
本発明の光ファイバレーザにおいて、光遮断手段が誘電体多層膜であることが好ましい。
本発明の光ファイバレーザにおいて、光遮断手段としての誘電体多層膜が光コネクタ端面上に設けられていることが好ましい。
本発明の光ファイバレーザにおいて、希土類添加光ファイバのコアに添加されている希土類元素がEr,Yb,Ho,Tmからなる群から選択される1種であることが好ましい。
また本発明は、前述した本発明に係る光ファイバレーザを備えていることを特徴とする光ファイバ増幅器を提供する。
本発明の光ファイバレーザは、励起光源の出射端に希土類添加光ファイバから光カプラを介して励起光源に入射される光を遮断するための光遮断手段を設けたものなので、希土類添加光ファイバから出射したASEおよびレーザ光が励起光源に入射されることが無くなり、このASEによって励起光源がダメージを受けることが無くなり、励起光源の長寿命化を図ることができる。
また、励起光源へのASEおよびレーザ光の入射を遮断することで、高出力化を図ることができ、高出力の光ファイバレーザ及びそれを用いた光ファイバ増幅器を提供することができる。
また、励起光源へのASEおよびレーザ光の入射を遮断することで、高出力化を図ることができ、高出力の光ファイバレーザ及びそれを用いた光ファイバ増幅器を提供することができる。
[第1実施形態]
図3は、本発明の第1実施形態である全光ファイバ型の光ファイバリングレーザを示す構成図である。本実施形態の光ファイバリングレーザ20は、半導体レーザなどの励起光源11と、励起光源11からの励起光をリング共振器に入射させるWDMカプラ12(光カプラ)と、リング共振器に接続された希土類添加光ファイバ13と、リング共振器に介在されたアイソレータ14と、リング共振器からレーザ光(ASE)を取り出す出力カプラ15と、リング共振器に介在されたバンドパスフィルタ16及び光スイッチ素子17と、励起光源11とWDMカプラ12の間に設けられた光遮断手段としてのレーザ光遮断カプラ21とを備えて構成されている。前記各構成部材は、光ファイバによってリング状に接続されてリング共振器を構成している。前記レーザ光遮断カプラ21のレーザ光遮断ポート22終端は、無反射終端処理23が施されている。
図3は、本発明の第1実施形態である全光ファイバ型の光ファイバリングレーザを示す構成図である。本実施形態の光ファイバリングレーザ20は、半導体レーザなどの励起光源11と、励起光源11からの励起光をリング共振器に入射させるWDMカプラ12(光カプラ)と、リング共振器に接続された希土類添加光ファイバ13と、リング共振器に介在されたアイソレータ14と、リング共振器からレーザ光(ASE)を取り出す出力カプラ15と、リング共振器に介在されたバンドパスフィルタ16及び光スイッチ素子17と、励起光源11とWDMカプラ12の間に設けられた光遮断手段としてのレーザ光遮断カプラ21とを備えて構成されている。前記各構成部材は、光ファイバによってリング状に接続されてリング共振器を構成している。前記レーザ光遮断カプラ21のレーザ光遮断ポート22終端は、無反射終端処理23が施されている。
本発明において、使用する励起光源11の種類や波長、希土類添加光ファイバ13の添加元素は、適宜選択でき、特に限定されない。一例として本実施形態においては、励起光源11として波長976nmの半導体レーザを使用し、希土類添加光ファイバ13としてYb添加光ファイバを使用している。バンドパスフィルタ16は透過波長が1064nmであり、レーザ発振波長は1064nmに固定した。
前記レーザ光遮断カプラ21は、励起光源11から入射された励起光は低損失で透過してWDMカプラ12へと伝播し、一方、WDMカプラ12を介して励起光源11に入射しようとするレーザ光は低損失でレーザ光遮断ポート22に伝播するような特性を有するカプラである。本実施形態では、波長976nmで励起光の透過損失が最低となり、かつ、波長1064nmで透過損失が最大となるようになっている。
レーザ光遮断ポート22に伝播したレーザ光は、レーザ光遮断ポート22での端面反射などにより、再びリング共振器内へと戻り、レーザ出力を不安定にする可能性がある。このような可能性を無くすために、レーザ光遮断ポート22は無反射終端処理23が施される。無反射終端処理23は、例えば、レーザ光遮断ポート22の終端にコアレスファイバを融着接続することや、コアにレーザ光を吸収する物質を添加した高減衰ファイバを融着することで行うことができる。
レーザ光遮断カプラ21は、挿入損失がほとんど無く、安価なファイバ型のカプラを使用するのが好ましい。また、WDMカプラ12は、逆向きに使用すればレーザ光遮断カプラ21と同様の機能を発揮する。従ってWDMカプラ12と同じカプラをレーザ光遮断カプラ21として用いてもよい。このように構成することで、同じカプラの使用数量が増えるのでコストを削減することができる。
光遮断手段として、励起光のみを透過するようなバンドパスフィルタやレーザ発振波長に対してアイソレーション能力を有するアイソレータなどを使用してもよいが、バルク型の光部品は挿入損失が大きいため、励起光からレーザ光への変換効率が低下してしまう上に、コストも上昇してしまうため好ましくない。
本実施形態の光ファイバリングレーザ20は、励起光源11に通電して励起光を出射させると、この励起光がWDMカプラ12からリング共振器へと入射される。リング共振器に入射された励起光は、希土類添加光ファイバ13に入射され、該ファイバのコアに添加されたYbイオンに吸収され、Ybイオンが励起状態となる。励起されたYbイオンは、波長がおよそ1000nmから1100nmの自然放出光を放出し、この自然放出光は増幅されながら希土類添加光ファイバ13内を伝播し、ASEとして出力される。出力されたASEは、バンドパスフィルタ16において波長1064nm以外の光がカットされる。すなわち、波長1064nmのASEのみがリング共振器内を周回して再び希土類添加光ファイバ13で増幅され、レーザ発振し、その一部が出力カプラ15を介して出力される。
このレーザ発振において、光スイッチ素子17は常に低損失な状態としておけばCW発振し、レーザ光は連続光として出力される。光スイッチ素子17を低損失な状態と高損失な状態とが周期的に繰り返されるように動作させればパルス発振し、パルス状のレーザ出力が得られる。
本実施形態の光ファイバリングレーザ20は、励起光源11の出射端に希土類添加光ファイバ13からWDMカプラ12を介して励起光源11に入射されるASEを遮断するレーザ光遮断カプラ21を設けたものなので、希土類添加光ファイバ13から出射したASEが励起光源11に入射されることが無くなり、このASEによって励起光源11がダメージを受けることが無くなり、励起光源11の長寿命化を図ることができる。
また、励起光源11へのASEの入射を遮断することで、高出力化を図ることができ、高出力の光ファイバレーザ及びそれを用いた光ファイバ増幅器を提供することができる。
また、励起光源11へのASEの入射を遮断することで、高出力化を図ることができ、高出力の光ファイバレーザ及びそれを用いた光ファイバ増幅器を提供することができる。
[第2実施形態]
図4は、本発明の第2実施形態である全光ファイバ型の光ファイバリングレーザを示す構成図である。本実施形態の光ファイバリングレーザ30は、双方向励起を行うために、図3に示す第1実施形態の光ファイバリングレーザ20の構成に加えて、希土類添加光ファイバ13とアイソレータ14の間に第2のWDMカプラ31を設け、第2の励起光源38から出射される励起光がこの第2のWDMカプラ31を介して希土類添加光ファイバ13に入射される構成としている。
図4は、本発明の第2実施形態である全光ファイバ型の光ファイバリングレーザを示す構成図である。本実施形態の光ファイバリングレーザ30は、双方向励起を行うために、図3に示す第1実施形態の光ファイバリングレーザ20の構成に加えて、希土類添加光ファイバ13とアイソレータ14の間に第2のWDMカプラ31を設け、第2の励起光源38から出射される励起光がこの第2のWDMカプラ31を介して希土類添加光ファイバ13に入射される構成としている。
第2の励起光源38と第2のWDMカプラ31との間には、第2,第3のレーザ光遮断カプラ32,35を設け、それぞれのレーザ光遮断カプラ32,35のレーザ光遮断ポート33,36終端には、無反射終端処理34,35が施されている。第2の励起光源38は励起光源11と同じ波長976nmの半導体レーザを使用することが望ましく、第2のWDMカプラ31はWDMカプラ12と同じものを使用することが望ましい。また、第2,第3のレーザ光遮断カプラ32,35は、レーザ光遮断カプラ21と同じカプラを使用することが望ましい。
本実施形態の光ファイバリングレーザ30は、2つの励起光源11,38にそれぞれ通電して励起光を出射させると、これらの励起光がWDMカプラ12,31からリング共振器に入射される。リング共振器に入射された励起光は、希土類添加光ファイバ13に入射され、該ファイバのコアに添加されたYbイオンに吸収され、Ybイオンが励起状態となる。励起されたYbイオンは、波長1064nmの自然放出光を放出し、この自然放出光は増幅されながら希土類添加光ファイバ13内を伝播し、ASEとして出力される。出力されたASEは、リング共振器内を周回して再び希土類添加光ファイバ13で増幅され、レーザ発振し、その一部が出力カプラ15を介してレーザ光として出力される。
リング共振器内を周回しているレーザ光の一部は、第2の励起光源38に入射する。本実施形態において、リング共振器内を周回するレーザ光は、非常にパワーが大きい。仮に図3に示す前方励起と同様の構成で後方励起部分を構成したとすると、第2の励起光源38では遮断能力が不足するおそれがある。そこで、本実施形態では、図4に示すように、レーザ光遮断カプラ32、35をカスケード接続し、第2の励起光源38に入射するレーザ光を遮断している。
本実施形態では、前述した第1実施形態と同様の効果を得ることができ、さらに、希土類添加光ファイバ13を複数の励起光源11,38からの励起光で励起して高パワーのレーザ光を出力させることができる。
[第3実施形態]
図5は、本発明の第3実施形態である全光ファイバ型の光ファイバリングレーザを示す構成図である。本実施形態の光ファイバリングレーザ40は、光遮断手段として2つの光コネクタ41,42の一方に誘電体多層膜43を設けたこと以外は、図3に示す第1実施形態の光ファイバリングレーザ20とほぼ同様の構成要素を備えて構成されている。
図5は、本発明の第3実施形態である全光ファイバ型の光ファイバリングレーザを示す構成図である。本実施形態の光ファイバリングレーザ40は、光遮断手段として2つの光コネクタ41,42の一方に誘電体多層膜43を設けたこと以外は、図3に示す第1実施形態の光ファイバリングレーザ20とほぼ同様の構成要素を備えて構成されている。
一方の光コネクタ41のファイバ端面に設けた誘電体多層膜43は、波長976nmの励起光は透過するが、ASE光は反射する特性を有している。このような構成とすることで、励起光源11から出射した励起光は、誘電体多層膜43を透過してWDMカプラ12からリング共振器に入射される。一方、WDMカプラ12から励起光源11に向かうASEは、誘電体多層膜43を透過できずに反射され、リング共振器に戻される。
本実施形態では、励起光源11とWDMカプラ12との間を光コネクタ41,42で接続するとともに、一方の光コネクタ41の光ファイバ端面に、励起光は透過するがASEは反射する誘電体多層膜43を設けた構成としたので、第1実施形態においてレーザ光遮断カプラ21を使用した場合と同等の効果を得ることができる。
さらに本実施形態では励起光源11とWDMカプラ12の接続を光コネクタ41,42の着脱により行うので、励起光源11を容易に交換できる利点がある。
さらに本実施形態では励起光源11とWDMカプラ12の接続を光コネクタ41,42の着脱により行うので、励起光源11を容易に交換できる利点がある。
なお、誘電体多層膜43は他方の光コネクタ42側に設けてもよいし、より大きな遮断能が必要な場合には両方の光コネクタ41,42に設けてもよい。
本発明の光ファイバレーザにおいて用いている光遮断手段は、光ファイバレーザのみならず、光ファイバ増幅器の励起光源のダメージを回避する際にも利用することができる。
[実施例1]
図2及び図3に示した光ファイバリングレーザ10,20を作製し、励起光源11に入射するASEの平均パワー及びピークパワーを調べた。
両者とも、励起光源11として、波長976nmの半導体レーザを使用し、希土類添加光ファイバ13としてYb添加光ファイバを使用した。レーザ発振波長は1064nmに固定した。
図3の光ファイバリングレーザ30において、レーザ光遮断カプラ21として、WDMカプラ12と同じカプラを逆向きに接続して使用し、そのレーザ光遮断ポート22の終端にコアレスファイバを融着接続して無反射終端処理23を施した。
励起光源11の出力パワーを400mWとし、光スイッチ素子17は0.01秒ごとに3μsの間低損失状態になるように制御した。
図2の光ファイバリングレーザ20の場合には、ASE平均パワーが0.36mW、ピークパワーが42mWであった。
一方、図3の光ファイバリングレーザ30では、ASE平均パワーが4.5μW、ピークパワーが0.53mWであり、図2に示す従来の光ファイバリングレーザに比べ、励起光源11に入射するASEをおよそ100分の1に減らすことができた。
図2及び図3に示した光ファイバリングレーザ10,20を作製し、励起光源11に入射するASEの平均パワー及びピークパワーを調べた。
両者とも、励起光源11として、波長976nmの半導体レーザを使用し、希土類添加光ファイバ13としてYb添加光ファイバを使用した。レーザ発振波長は1064nmに固定した。
図3の光ファイバリングレーザ30において、レーザ光遮断カプラ21として、WDMカプラ12と同じカプラを逆向きに接続して使用し、そのレーザ光遮断ポート22の終端にコアレスファイバを融着接続して無反射終端処理23を施した。
励起光源11の出力パワーを400mWとし、光スイッチ素子17は0.01秒ごとに3μsの間低損失状態になるように制御した。
図2の光ファイバリングレーザ20の場合には、ASE平均パワーが0.36mW、ピークパワーが42mWであった。
一方、図3の光ファイバリングレーザ30では、ASE平均パワーが4.5μW、ピークパワーが0.53mWであり、図2に示す従来の光ファイバリングレーザに比べ、励起光源11に入射するASEをおよそ100分の1に減らすことができた。
[実施例2]
図4に示す光ファイバリングレーザ30を作製し、第2の励起光源38に入射するASEの平均パワー及びピークパワーを調べた。
励起光源11及び第2の励起光源38の出力をそれぞれ200mWずつとし、光スイッチ素子17は0.01秒ごとに3μsの間低損失状態になるように制御すると、レーザ出力として平均パワー140mW、ピークパワー96Wのパルス出力が得られる。出力カプラ15はリング内に周回しているレーザ光のうち70%を取り出すようなカプラを使用していること、アイソレータ14の損失が1.5dBであったことを考慮すると、希土類添加光ファイバ13の出射端でのレーザ光のパワーは平均パワーで280mW、ピークパワーで200Wとなる。仮に前方励起と同様の構成で後方励起部分を構成したとすると、第2の励起光源38には平均で約30μW、ピークパワーで20mWのレーザ光が入射することとなり、遮断能力が十分ではない。従って、図4に示すようにレーザ光遮断カプラ32,35をカスケード接続した。
このような構成とすることで、第2の励起光源38に入射するレーザ光は、平均パワー0.3μW、ピークパワー0.2mWまで低下させることができた。
図4に示す光ファイバリングレーザ30を作製し、第2の励起光源38に入射するASEの平均パワー及びピークパワーを調べた。
励起光源11及び第2の励起光源38の出力をそれぞれ200mWずつとし、光スイッチ素子17は0.01秒ごとに3μsの間低損失状態になるように制御すると、レーザ出力として平均パワー140mW、ピークパワー96Wのパルス出力が得られる。出力カプラ15はリング内に周回しているレーザ光のうち70%を取り出すようなカプラを使用していること、アイソレータ14の損失が1.5dBであったことを考慮すると、希土類添加光ファイバ13の出射端でのレーザ光のパワーは平均パワーで280mW、ピークパワーで200Wとなる。仮に前方励起と同様の構成で後方励起部分を構成したとすると、第2の励起光源38には平均で約30μW、ピークパワーで20mWのレーザ光が入射することとなり、遮断能力が十分ではない。従って、図4に示すようにレーザ光遮断カプラ32,35をカスケード接続した。
このような構成とすることで、第2の励起光源38に入射するレーザ光は、平均パワー0.3μW、ピークパワー0.2mWまで低下させることができた。
1…レーザ発振器、2…LD、3…集光レンズ、4…リヤミラー、5…Nd:YAG結晶5、6…Qスイッチ素子、7…出力ミラー、8…励起光、9…レーザ光、10,20,30,40…光ファイバリングレーザ、11…励起光源、12…WDMカプラ、13…希土類添加光ファイバ、14…アイソレータ、15…出力カプラ、16…バンドパスフィルタ、17…光スイッチ素子、21,32,35…レーザ光遮断カプラ、22,33,36…レーザ光遮断ポート、23,34,37…無反射終端処理、31…第2のWDMカプラ、38…第2の励起光源、41,42…光コネクタ、43…誘電体多層膜。
Claims (10)
- 少なくとも利得媒質である希土類添加光ファイバと、該希土類添加光ファイバを光励起する励起光源と、光カプラとを備え、励起光源から発せられる励起光を光カプラを介して希土類添加光ファイバに入射してレーザ発振を行う光ファイバレーザにおいて、
励起光源の出射端に希土類添加光ファイバから光カプラを介して励起光源に入射される光を遮断するための光遮断手段を少なくとも一つ設けたことを特徴とする光ファイバレーザ。 - 光ファイバレーザの共振器がリング共振器であることを特徴とする請求項1に記載の光ファイバレーザ。
- 光ファイバレーザの共振器ミラーがファイバグレーティングであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光ファイバレーザ。
- 光遮断手段が励起光波長とレーザ光波長とを合波する合波器であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光ファイバレーザ。
- 光遮断手段に用いる合波器が光ファイバ型合波器であることを特徴とする請求項4に記載の光ファイバレーザ。
- 光遮断手段に用いる合波器が前記光カプラと同じ光カプラであることを特徴とする請求項5に記載の光ファイバレーザ。
- 光遮断手段が誘電体多層膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光ファイバレーザ。
- 光遮断手段としての誘電体多層膜が光コネクタ端面上に設けられていることを特徴とする請求項7に記載の光ファイバレーザ。
- 希土類添加光ファイバのコアに添加されている希土類元素がEr,Yb,Ho,Tmからなる群から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の光ファイバレーザ。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の光ファイバレーザを備えていることを特徴とする光ファイバ増幅器。
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