JPH11284264A - 集積化パッシブモ―ドロックファイバレ―ザとその製法 - Google Patents
集積化パッシブモ―ドロックファイバレ―ザとその製法Info
- Publication number
- JPH11284264A JPH11284264A JP11033440A JP3344099A JPH11284264A JP H11284264 A JPH11284264 A JP H11284264A JP 11033440 A JP11033440 A JP 11033440A JP 3344099 A JP3344099 A JP 3344099A JP H11284264 A JPH11284264 A JP H11284264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fiber
- laser
- mode
- gain medium
- locked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims abstract description 312
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 165
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 16
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 21
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 101100459896 Caenorhabditis elegans ncl-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 238000010009 beating Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1112—Passive mode locking
- H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
- H01S3/1118—Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
も使用しないで、短光パルスを広く発生する超小型モー
ドロックファイバレーザの安定な動作が、レーザ共振器
として働く高複屈折性ファイバの一終端に結合された可
飽和吸収体を使うことで、行われる。レーザが高複屈折
性ファイバの一つの偏光軸でモードロックされると偏光
軸の縮退は除去され、他の偏光軸に沿うcw発振も防止
される。共振器内に偏光依存損失が無いとモードロック
偏光軸は未定である、すなわち、モードロッキングはど
ちらの偏光軸でも起こることができる。 【解決手段】 しかしながら、ほんの少しの偏光依存損
失の導入は、低損失軸だけでのモードロッキングの確か
な開始を確実にするのに十分である。そのような僅かの
偏光依存損失は、高速軸に沿ってより高い損失を発生す
る高複屈折性ファイバの固い巻き付けによって導入さ
れ、低速軸に沿う確実なモードロック動作が行われる。
あるいは、単一偏光動作が、偏光依存損失を備えた可飽
和吸収体を使用するかレーザ共振器外に偏光操作素子を
導入することで、行われる。
Description
ドロックファイバレーザと集積化パッシブモードロック
ファイバレーザの製法に関する。特に、本発明は非ファ
イバ型の内部偏光操作素子なしで製作された低コスト高
信頼性パッシブモードロックファイバレーザに関する。
発生する技術は多年間知られていたし、多くの応用に使
われてきた。一般に、ファイバレーザ中の短パルスはつ
ぎの技術の一つを使って発生される:Carruthers et a
l., Optics Letters, Vol.21, p.1927(1996)で記述され
たようなアクティブモードロッキング、Ober, et al.,
Optics Letters Vol.18, p.1532(1993)で記述されたよ
うな可飽和吸収体を使うパッシブモードロッキング、Ho
fer, et al., Optics Letters, Vol.16, p.502(1991)で
記述されたようなカータイプの非線形性を当てにするパ
ッシブモードロッキング、あるいはそれら三つの技術の
組み合わせ。
ングは、最も単純なアプローチであり、短パルスファイ
バレーザをOEM(オリジナル機器製造)タイプの多数
の用途に使うとき必要になるような超小型デバイスの製
造を可能にする。
ングにおいては、できるだけ少ない光学部品の超低コス
ト高信頼性ファイバレーザが高度に必要とされる。超低
コストファイバレーザ(Zirngibl et al., Electronics
Letters, Vol.27, p.1734(1991); Lin et al., U.S. P
atent No.5,436,925(1995); Barnett et al., OpticsLe
tters, Vol.20, p.471(1995); Hofer et al., Optical
Society of AmericaConf. on Optical Fiber Communica
tion, OFC 1996 paper TuB3(1996); Loh etal., IEEE P
hotonics Technology Letters, Vol.5, No.1(1993); Cu
nningham etal., U.S.Patent No.5,701,327; Minden,
U.S.Patent No.5,488,620; Tsuda etal., Conf. on Las
ers and Electro-Optics, paper CFD2, p.494(1996)で
記述されたような)、同様に高信頼性ファイバレーザ
(DeSouza et al., Electronics Letters, Vol.29, p.4
47(1993); Fermann et al., Optics Letters, Vol.19,
p.43(1994); Fermann et al., U.S.Patent 5,627,848で
記述されているような)も実際に製造されているが、こ
れら二つの特徴を結合したファイバレーザのデザインは
これまで開発されたことがない。
Zirngibl等とLin等の上掲の論文に記述されているよう
に、ファイバリング共振器の中に可飽和吸収体を使うこ
とで作られる。これら二つの文献は共振器を形成するた
めに低複屈折性ファイバを使用しており、共振器内に偏
光ドリフトによる固有の安定化問題をもたらす。
ett等、Hofer等、Tsuda等、Loh等、Cunningham等、Mind
en、による上掲の著作とSharp等による米国特許5,6
66,373に記述されているように、ファブリ−ペロ
ー型共振器の終端ミラーとして可飽和吸収体を使うこと
で、作られる。ファブリ−ペロー共振器は、上述した二
つのリング共振器のような同じ安定性問題をもつ低複屈
折性ファイバで作られるので、すべて全く類似してい
る。Minden等の著作の中でだけその安定性問題が論じら
れていない。そこでの目的が擬ランダムパルス列を発生
することであるからである。対称的に、モードロックパ
ルスの大部分の応用は、低複屈折性共振器内ファイバの
使用に固有の偏光出力状態の時間依存(あるいは長期
間)変化の全然ない非常に安定なパルス列を必要とす
る。この分野における初期の著作はLoh等によって19
93年に公表され、それは集積化パッシブモードロック
ファイバレーザの基本素子を記載している。Fermann等
の特許’848はバルク偏光子あるいは外輪偏光制御器
を備えているのもかかわらず、低コスト共振器のデザイ
ンを暗示もしている。特にFermann等の’848はクラ
ッディング−ポンプファイバの使用と、出力取り出しに
部分反射可飽和吸収体を使用することを暗示している。
Sharp等とCunningham等による付加物は、可飽和吸収体
の正確なデザインに明確に関連するだけである。Sharp
等による付加物は、低反射ミラーとして完全に形成され
た可飽和吸収体に、より明確に関連する。たとえはっき
りとTmドープファイバのためでなくても、この可能性
はFermann等の’848でも論じられた。同様に、半導
体プロセス技術もミラー構造に直接形成(あるいは成
長)されない低反射可飽和吸収体を可能にする。上記文
献のどれも低複屈折性ファイバの使用がそのようなレー
ザに固有の偏光安定性問題をもたらす事実を扱っていな
い。
グ共振器中の共振器内偏光状態は、ファイバ外輪偏光制
御器の使用で制御される。しかしながら、そのような偏
光制御器は元々不安定でもあり、避けるべきである。偏
光依存損失の存在で、偏光制御器は、共振器内損失を可
飽和吸収体によるモードロックが安定であるレベルに調
節する。相互ファブリ−ペローレーザ光の偏光状態は共
振器の各終端で直線であるが、偏光方向の向きは決まら
ず、共振器内偏光器で制御される。
偏光制御器に対する微細な要求は、ファイバ共振器内の
二つの偏光固有状態に沿って伝搬する光の間の内部往復
位相遅れが固有偏光状態で安定なモードロックを行うた
めにほぼ2πに調節される必要がある、と言う事実であ
る。もし位相遅れがほぼ2πでなければ、二つの共振器
内偏光方向に沿う光は、共振器内でうなり(ビート)を
生じ、大変不必要な時間的に変動する元々雑音性の偏光
出力を生成する(Hofer et al., OFC 1996, paper TuB3
で報告されたように)。たとえば、もしも共振器内の
二つの偏光固有モード間の線形位相遅れが2πであるな
ら、共振器内でオリジナルな偏光状態を再び生成するの
に2往復必要とするので、出力の偏光は各往復における
二つの直交する偏光状態間で切り替わる。偏光がうなる
(ビートする)問題は、フェムト秒体制で特に重要であ
る。なぜなら、パルスが非常に短く、かつ、共振器の二
つの固有モードに沿って伝搬するパルスが非常に早く互
いに分離するからである。ピコ秒体制ではパルスは長い
間一緒に留まり、したがって、偏光がうなることに敏感
でない。
御器を使ってほぼ2πに調節されるとしても、そのよう
な制御があらかじめ決まった仕方(そのようなデバイス
の大量生産に必要とされるような)に容易に組み入れら
れることはない。さらに、どんな温度や圧力変化でも線
形位相遅れと出力偏光の方向に変化をもたらす;したが
って、全てのシステムは連続的で洗練された安定化機構
を必要とする。
n et al.,(1994), DeSouza et al.,Electron Lett., Vo
l.29, p.447(1993), U.S. Patent 5,627,848 で報告さ
れたような高複屈折性ファイバに頼ることで作られた。
これら特殊なシステムでは、単一偏光モードが、バルク
偏光制御器と一緒のバルク偏光素子のようなFermann等
によって公開されたバルク偏光素子、あるいは、DeSouz
a等によって公開された単純な偏光素子、を使うことで
選択される。しかしながら、連続的に制御可能な偏光安
定化の仕組みがこれら共振器デザインに必要でないの
で、バルク光偏光操作素子の使用は、これらシステムの
複雑さと製造コストを非常に増大させる。
の製造コストを最低化するために、バルク偏光制御器あ
るいは外輪ファイバ型偏光制御器は共振器から除去され
る必要がある。
ストかつ高信頼性のパッシブモードロックファイバレー
ザを提供することである。
御素子とバルク光偏光操作素子をパッシブモードロック
ファイバレーザの共振器内に使用することを避けること
である。
沿うモードロックレーザの安定な動作を可能にする共振
器デザインを提供することである。
ザ内の特殊な一つの偏光軸が、バルク光共振器内偏光操
作素子を使用しないでモードロックされることを保証す
ることである。
され、本発明がこの文書に添付された請求項で正確に要
求されない限り、二つあるいはそれ以上の目的が組み合
わされることを要求するように解釈されると言うことを
意図してない。
とえ二つの等しく起こりそうな状態の一方に固定される
偏光を備えているにもかかわらず、これらの目的は、ど
んな偏光操作素子もなしに単一偏光状態で安定に動作で
きるようにする優れた共振器デザインを有するパッシブ
モードロックファイバレーザで達成される。一つの偏光
状態だけが一度にモードロックされることを確実にする
ために、高複屈折性エルビウムドープ光ファイバが可飽
和吸収体と一緒に使われる。一つの偏光軸がモードロッ
クされると、可飽和吸収体はその偏光軸に沿う損失が最
小化されることを確実にし、それによって他の偏光軸に
沿ってのcw発振が抑えられる。両方の軸が同時にモー
ドロックすることは、利得の飽和と可飽和吸収体の長い
キャリア寿命のために避けられる。しかしながら、共振
器内あるいは共振器外素子が他方から一方の軸を特別扱
いしないので、モードロックした偏光軸は前もっては決
められない。
は、パルスの偏光状態に実に敏感であるので、本発明に
係る多数の優れた共振器デザインは、モードロックファ
イバレーザが単一の決定しうる偏光状態で信頼性よく動
作することを、確実にするために使用される。しかしな
がら、低コストシステムを維持するためにバルク共振器
内偏光操作素子の使用は避けられる。一つの偏光軸が、
高複屈折性ファイバを曲げること、一つの偏光軸に沿っ
てファイバを裂くこと、あるいは主共振器の外部に偏光
制御を使用することで、他から特別扱いされる。一つの
実施例によれば、偏光依存フィードバックがこの目的の
ために使われる。また、偏光に敏感な可飽和吸収体が単
一の偏光軸に沿う確実なモードロックを起こさせるため
に使われる。
ックファイバレーザが高複屈折性エルビウムドープファ
イバから作られる。本発明のモードロックレーザは繰り
返し周期50Hzで、平均出力300μW、300fs
ec近バンド幅限界パルスを達成することができる。
利点は以下に記載されたそれらについての明確な実施例
の検討で明らかになるだろう。特に、いろいろな図中の
引用数字が部品を指示するするために使われている添付
図面と共に理解するとき明らかになるだろう。
パッシブモードロックファイバレーザシステム10の概
観図である。図1に示すように、そのシステム10は高
複屈折性光ファイバ12、すなわち、1.0×10−5
以上の複屈折性をもつ光ファイバを含んでいる。ほんの
一例として、高複屈折性ファイバ12は、1.55μm
の波長でビート長〜4mmを起こす〜4×10−4の複
屈折性(低速軸と高速軸の間の屈折率差)をもつ長さ2
mの高複屈折性Er3+ドープ光ファイバである。Er
ドーピング濃度はたとえば、約0.018重量%であ
る。この例ではファイバ12はカットオフ波長1300
nm、開口数NA=0.20、分散〜−10.000f
sec2/mをもつ。ファイバのモードフィールド径は
〜7μmである。
に巻かれる。上述の模範的な2mファイバの場合、約
1.5mのErドープファイバは好ましくは約12.5
mmと10cmの間の直径をもつドラムに巻かれる(曲
げ半径≦5cm)。
ナル波長(1.55−1.60μm)で反射率70%、
980nmのポンプ波長で透過率>80%をもつダイク
ロイックミラー14で直接コートされる。ファイバ12
は、環状スプライス20によってピッグテール18がフ
ァイバ12に結合されるピッグテール・シングルモード
・レーザダイオード16でポンプされる。環状スプライ
ス20は、ファイバレーザのシグナル光出力を結合する
のにも役立ち、そこでは、980/1550nm用外部
波長分割多重(WDM)結合器22が、シグナル波長か
らポンプを分離するのに使用される。すなわち、図1に
示すように、WDM結合器22はレーザダイオード16
と環状スプライス20の間のピッグテール18に配列さ
れ、ファイバ12からダイクロイックミラー14を通し
てピッグテール18に入射するシグナル光は、WDM結
合器22でポンプから分離され、出力部に向けられる。
あるいは、ピッグテール18は接着されたスプライスま
たは融着されたスプライスによってファイバ12に結合
される。
テール18が偏光を保持しない;したがって、外部偏光
制御器(示されてない)が前もって決められた偏光状態
でシグナル光を取り出すために使用されなければならな
い。しかしながら、ピッグテール18は非常に短くでき
るので、ピッグテール18内のどのような偏光ドリフト
も最小である。あるいは、すべてのピッグテール18が
偏光保持ファイバで作られ、付随するWDM結合器22
も偏光を保持する。
可飽和吸収体ミラー24がある。ファイバは(紫外線硬
化型屈折率マッチエポキシを使って)半導体可飽和吸収
体ミラー24に突き合わされて接着される。可飽和吸収
体ミラー24は、>80%の低パワー反射率と10ps
ecのキャリア寿命をもつことができる。あるいは、E
r−ファイバ12の終端がAR(無反射)コートされ、
ガラス毛細管(示されていない)の中に接着される。つ
ぎに、ガラス毛細管が可飽和吸収体ミラー24に接着さ
れ、小さなギャップがファイバ終端と可飽和吸収体ミラ
ー24の間に残る。ギャップは好ましくは1mm未満で
ある。半導体表面は非常に破損し易いので、吸収の寿命
を最小にするため、ファイバ終端と可飽和吸収体24の
間のどのような直接コンタクトも避けることが好まし
い。半導体はたとえば、1.56μmのバンドエッジを
もつInGaAsPである。好ましくは、可飽和吸収体
ミラーは出力信号エネルギの波長の±100nm以内の
バンドエッジをもつ。
オフ技術を使ってファイバ12に取り付けられる。
た実験で、大きい曲げ半径(>2cm)の場合、cw
(連続)発振がレーザ閾値近くでファイバ12の両軸に
沿って起こり、両軸のパワーが等しいことが観測され
た。しかしながら、ポンプパワーが約20mWで、レー
ザが一方の偏光軸(以下ではML(モードロック)軸と
する)のみに沿って自然にモードロックし始め、他方の
偏光軸に沿うcw発振が停止した。モードロックされな
い軸(以下ではDW(伝搬波)軸とする)に沿って伝搬
波の形成が観測された。重要なことであるが、ML軸は
前もっては決まらない、すなわち、ポンプレーザが数回
スイッチオンされたとき、二つの偏光軸のどちらか一方
に沿うモードロック動作が、2軸間のランダム分布を伴
って、観測される。
ファイバ長で決まる)をもち、0.5mWの最大平均出
力パワーが得られることが観測された。ML軸に沿って
得られたパルスの典型的な自己相関が図2に示されてい
る。300fsecの典型的なFWHM(半値全幅)パ
ルス幅(sech2パルス形状を仮定した)が発生され
た。ML軸に沿う相当するパルススペクトルが図3に示
されている。FWHMスペクトル幅は典型的には7.5
nmで、これはsech2型パルスの場合0.31の時
間−バンド幅限界に近く、発生したパルスがソリトンに
非常に近似していることを示す0.27のバンド幅積を
与える。
くスペクトルも図3に示されている。DW軸に沿っての
全パワーはML軸に沿っての全パワーより非常に低いこ
とが図3に明確に示されている。DW軸に沿うスペクト
ルは1.580μmにピークをもつ増幅された自然放出
(ASE)部分と、ソリトンとコヒーレントに結合する
DW軸に沿う伝搬波に由来する多数のシャープで均等に
離れた共鳴部分と、からなる。これら共鳴の間隔の条件
は、ソリトンと直交伝搬波との間のエネルギ移動のため
の位相整合条件を考えることで簡単に得られる。エネル
ギ移動を起こすためには、Liou et al., Optical Lette
rs 20, 1286(1995)に記載されているように、ソリトン
と伝搬波の間の往復位相遅れが2πの倍数でなければな
らない。ML軸とDW軸に沿う位相を一次周波数に対し
て拡げることで、共鳴の周波数間隔δνのための条件が
の複屈折性、Lは往復共振器長、cは光速である。複屈
折性δn〜4×10−4で、周波数間隔δν=190G
Hzが得られ、これは観測された周波数間隔δν=16
0GHzによく対応する。ML軸に沿う伝搬波の伝搬波
結合と関係づけられる二つの小さな共鳴も図3に見られ
ることに注意する必要がある。
ロックする理由は、利得飽和と可飽和吸収体の長いキャ
リア寿命から起こる二つのファイバ軸間の競合とから説
明され、ファイバレーザのDW軸に沿うパルスの形成を
抑制する。しかしながら、ひとたびレーザが一つの軸に
沿ってモードロックされると、その軸に沿う損失がより
低下する;したがって、避けられないASEの共存とソ
リトンに関係のある直交偏光状態にある伝搬波成分とを
除いて、DW軸に沿うcw発振は抑圧される。
ト長をもつファイバの場合、一つの偏光軸だけに沿って
始まることが実験的に見い出された。10cmのビート
長とそれより長いビート長で、ファイバ中の二つの偏光
固有モードは非線形的に結合することができる、すなわ
ち、ベクトルソリトンが形成され、複雑で再生産できな
いレーザの動作特性をもたらす。
では、モードロックが特別の優先権なしにファイバのど
ちらか一方の偏光軸で起こされる。レーザの偏光状態が
きわどいシステムの場合、この不確実性は、ファイバの
固有軸に対して45゜傾いた偏光子を共振器の外に使用
することで簡単に避けられる。この配置では、偏光子の
偏光軸内のシグナル光の50%が、レーザの偏光状態と
独立に透過される。しかしながら、レーザの繰り返し周
期はまだ二つの可能な値の一つにすぎない。
に、幾つかの付加的方法が使われなければならない。最
も簡単な解は、小さなドラムに高複屈折性ファイバを巻
くことである。そうすることは、二つの偏光軸に沿う損
失差分をもたらす。なぜなら、Varnham et al., Electr
onics Letters, Vol.19,p.679(1983)で記述されたよう
に、高複屈折性ファイバの低速軸がより高い屈折率をも
ち、したがってより強く支配されるからである。これは
非常に魅力的な方法であることを忘れてはいけない、な
ぜなら、偏光軸がファイバ軸と自己整列するからであ
る。レーザを一つの偏光方向にだけ開始させるのに必要
な損失差分が非常に小さいので、この技術は何ら特別の
ファイバデザインと巻き付ける直径の制御を必要とせ
ず、したがって、非常に容易に実証される。事実、1
2.5mmの巻き付け直径を使用すると、一定の偏光軸
でのモードロックの開始が100%確実に達成されるこ
とが明らかにされた。この場合の二つの偏光固有モード
間の損失差分は注意深く1dBと測定され、これはコイ
ル巻きされた高複屈折性ファイバ偏光子に使用された3
0dBまでの消衰値よりはるかに低い(かつ、より容易
に達成できる)。
と、偏光依存性曲げ損失は小さい。これは、弱くガイド
するファイバ、すなわち、MarcatiliによってThe Bell
SystemTechnical Journal, p.2103(Sept. 1969)に報告
されたような、コアの屈折率ncoとクラッドの屈折率
nclの差が小さくnco/ncl−1《1であるか、
それどころかファイバコアが楕円(あるいは矩形)であ
る、ファイバの場合、特に正しい。このように、幾分か
の偏光依存性損失が、Varnham等によって上掲の論文に
記述されたような大きな内部応力を有するファイバを使
うことでむしろ導入される。
ンは例としてだけ記述された;類似の性能が、任意のそ
の他希土類元素をドープした高複屈折性ファイバと、適
当に選択されたキャリア寿命、飽和エネルギ、バンドエ
ッジをもつ可飽和吸収体を結合することで、得られる。
そのようなファイバはEr、Yb、Er/Yb、Nd、
Pr、HoあるいはTmをドープしたものを含む。
ザインをもつパッシブモードロックファイバレーザシス
テム28を示す。図4に示すように、部分的に反射する
可飽和吸収体30が共振器の一終端に配置され、ファイ
バ出力が可飽和吸収体の終端で取り出され、その終端に
は別の環状スプライスが、出力取り出し用のファイバピ
ッグテール32を接続するために、使われている。ファ
イバピッグテール32は偏光保持可能で、共振器内ファ
イバの偏光軸とピッグテールは、ピッグテール32の終
端で前もって決められた直線偏光出力を得るために、整
列される。ポンプレーザ16用の任意のアイソレータ3
4が、ポンプレーザ16への望ましくないフィードバッ
クによるノイズを防ぐために使用される。そのようなア
イソレータはここに記述のどんな共振器デザインにも使
用される。
ー構造の上に直接形成された吸収体であるか、あるい
は、吸収体とミラーが別々に作られる。たとえば、可飽
和吸収体は、リフト−オフ技術で誘電体ミラーあるいは
ファイバ終端面に取り付けられる。あるいは、ウエハー
ボンディング技術が、一つが吸収体に相当し一つがミラ
ーに相当する分離したウエハーを融着するために、応用
される。
コヒーレント曲げで、すなわち、曲げに関するファイバ
軸の向きを制御することで、最適化されることが示され
た(たとえば、Varnham等による上掲の参考文献に)。
この場合、特有の偏光機能をcmオーダのビート長をも
つファイバで得ることもできる。コヒーレント曲げはD
−形状あるいは矩形のファイバに対して特に真っ直ぐで
ある。偏光依存損失を増すためにファイバ内に大きな内
部応力を導入することは有利でもある。そのような内部
応力は、たとえば、上掲の参考文献中でVarnhamによっ
て議論されたように、異なる熱膨張係数をもつガラスを
ファイバの中に組み込むことで導入される。しかしなが
ら、D−形状ファイバの非対称構造のために、いくらか
の内部応力は別個の応力生成ガラスの組み込みがなくて
も、存在する。ファイバを曲げる必要性は、Varnham等
によってElectronics Letters, Vol.19, p.246(1983)に
記述されたように、一つの偏光状態のみをガイドするフ
ァイバを使うことで、取り除かれる。
デザインを有する別のレーザシステム38を示す。図5
に示すように、広い面積のダイオードレーザ40による
ポンピングを容易にするため、複屈折性2重クラッドフ
ァイバ42が使用されている。図1に示すファイバ12
のように、そのような2重クラッドファイバもダイクロ
イックポンプミラー14を通してポンプされる;しかし
ながら、ファイバレーザの出力は部分透過可飽和吸収体
を通して非常に容易に取り出される。しかしながら、ポ
ンプ光を入れるピッグテール44も2重クラッドである
ことに注意する必要がある。この場合、出力も図1に示
す方法に類似の方法で取り出される。WDMは、しかし
ながら、2重クラッドピッグテールポンプファイバ44
のシングルモード部で動作するようにデザインされなけ
ればならず、カップラータイプのマルチモード部にとっ
て少なくとも約50%の損失を典型的にもたらす。広い
面積のダイオードレーザのさらなる利点は、それらがフ
ィードバックに敏感でなく、一般にポンプ光用のアイソ
レータを必要としないことである。
ザインを有する別のレーザシステム39を示す。図6に
示すように、特に真っ直ぐなデザインは、側方ポンピン
グ機構50でポンプされる側方ポンプ2重クラッドファ
イバの組み込みから生じる。この場合、全反射可飽和吸
収体ミラー46が使用され、出力はファイバ共振器の他
端、環状スプライスの部分反射ミラー48から取り出さ
れる。側方ポンピングは、Goldberg, et al., Conf. on
Laser and Electro-Optics, paper Ctu U1, p.208(199
6)で記述されたようなV−溝技術を用いるか、あるい
は、Snizer et al., in U. S. Patent No.4,815,079(19
89)で記述されたようなプリズムを単純に使用すること
で、特に魅力的である。しかしながら、2重クラッドフ
ァイバに側方ポンピングするどんな方法も受け入れられ
る。ある状況では、付加的な弱い偏光素子を側方ポンピ
ング配列に使うシステムの中に導入することが望ましい
かも知れない。
は、もちろん、特にファイバ内に大きな内部応力が存在
する場合、ファイバをしっかり曲げることで除去され
る。
て、単一の偏光軸が、集積化偏光子付き半導体可飽和吸
収体を使用することで、集積化システムの中に選定され
る。図7は本発明の第5実施例に関するそのような集積
化偏光子を用いるレーザシステム52を示す。図7に示
すように、偏光子は、半導体表面にワイヤグリッドを堆
積させることで半導体可飽和吸収体ミラー54に集積化
される。偏光固有モード間で小さい損失差だけが必要で
あるので、相対的に大きなグリッド間隔が選ばれる。グ
リッド偏光子を備えた半導体が、Domuki et al., Conf.
on Lasers andElectro-Optics, 23, paper CME7(1997)
で記述されている。システムの最適性能は、可飽和吸収
体54のグリッド偏光子を共振器ファイバの偏光軸の一
つに整列させることで、得られる。グリッド偏光子を備
えた半導体吸収体は、もちろん、ここに記述されている
どんな集積化パッシブモードロックレーザにも使われ
る。偏光損失における1dBの違いが偏光差を得るのに
十分であるので、グリッド偏光子は高性能を必要としな
い。
バーニングを使うことでも廃止される。ポンプ光の偏光
は、Greer et al., Electronics Letters, Vol.30, p.4
6(1994)で記述されているように、偏光ホールバーニン
グによって偏光依存利得を作るために、利得ファイバの
偏光軸の一つに整列される。レーザの構成は図4に示す
ものに似ている。図4ではポンプ光を入れるピッグテー
ルの偏光が共振器ファイバの偏光軸の一つに整列されて
いる。
モードロックファイバレーザ60の概観図である。レー
ザシステム60は単一偏光動作を達成するための別の代
替手段を示しており、その中では、小さな偏光依存フィ
ードバックがレーザ共振器の外部に組み込まれている。
特に、ファイバグレーティング62が少量のフィードバ
ックを作るために使用され、そこではしっかり巻かれた
高複屈折性ファイバ(あるいはピッグテール)が集積化
偏光子として働く。しかしながら、どんな他のタイプの
外部偏光子や他の反射面をファイバグレーティングの代
わりに使うことも等しく許容される。
イルに取り付けられ、そのコイルはレーザの開始を簡単
にするために変調され、適当な電子フィードバック回路
でレーザの共振器長を制御するために使われる。
モードロックファイバレーザシステム70の概観図であ
る。レーザシステム70は図5に示すレーザシステム3
8に似ている。しかしながら、単一利得ファイバを使用
するよりむしろ、いくつかの異なるファイバがそれらの
整列された偏光軸と共にスプライスされる。たとえば、
図9に示すように、共振器は2重クラッドファイバ42
と高複屈折性分散補償ファイバ72を含むことができ
る。ファイバ軸の縮退はこれらファイバのどれか一つを
曲げることで廃止される。特に、異なる量の分散をもつ
ファイバを使用することで、ゼロに近い分散の共振器あ
るいは大きな量の正あるいは負分散をもつ共振器が、レ
ーザのパルス幅、パルスエネルギ、繰り返し周期を制御
するために作られる。さらに、可飽和吸収体上のレーザ
モードのスポットサイズを制御するために、適当に選定
されたモードフィールド径をもつ高複屈折性ファイバ
が、可飽和吸収体の前に使われる。あるいは、共振器の
一終端でのファイバは、可飽和吸収体の損傷しきい値を
最大化するために大きなモードフィールド径を作るよう
にテーパ化される。共振器内ファイバのテーパ端と可飽
和吸収体ミラー間の距離は、10cm以下が好ましい。
ブモードロックファイバレーザシステム76を示す。図
10に示すように、直列配置の二つのレンズL1とL2
が、ファイバ77からのシグナル光の可飽和吸収体78
上でのスポットサイズを制御するために、使われる。3
番目のレンズL3は、可飽和吸収体78を透過するシグ
ナル光を出力端に結合させる。この配置では、どのよう
な偏光依存損失も、ファイバ77に反射防止コートした
ファイバ端を使用することで、避けられる。共振器の自
由空間部に偏光操作手段を全然必要としないので、非常
にコンパクトなデザインがやはり得られることに注意す
る必要がある。
め、ファイバ77のファイバ端はARコーティングなし
にされ、大きな角度に裂かれ、その分裂角はファイバの
二つの偏光軸の一方と整列される。そのような共振器デ
ザインは側方ポンピングと共に使うこともでき、出力結
合器が可飽和吸収体から取り除かれるように追加オプシ
ョンを空けたままし、大きなデザインの自由度を与え
る。出力端と、隔てられた共振器の可飽和吸収体端で、
誘電体ミラーがファイバの終端に直接形成され、出力結
合器として使用された。
ブモードロックファイバレーザシステム90を示す。図
11に示すように、一旦いくつかの異なるファイバが使
用されると、オールファイバ型ピッグテール偏光子92
が共振器にスプライスされる(整列された偏光軸を備え
て)。たとえば、D−ファイバがコア近くまで研ぎ下ろ
され、金属膜が偏光依存損失を増大させるために堆積さ
れる。特に、そのようなオールファイバ型偏光子92が
図11に示すように、2重クラッドファイバにもスプラ
イスされる。共振器のどちらかの終端に出力結合を使用
することに加えて、偏光保持ファイバ結合器94が図1
1に示すように、出力結合を与えるために共振器のどこ
かにスプライスされる(整列された偏光軸を備えて)。
復時間よりおおよそ1桁短いキャリア寿命をもつ可飽和
吸収体を使用し、ポンプパワーを増大させることで、こ
れらの共振器内で得ることができる。共振器内のソリト
ンパワーは自己制限するので、ポンプパワーを増大する
ことは共振器内に複数パルスの発生を導き、その複数パ
ルスは、Gray et al., Optics Letters, Vol.21, p.207
(1996)で記述されたように、誘起された長く続くソリト
ン反発作用力により、たとえば、可飽和吸収体中での位
相変調で自己安定する。本質的に、ここに記述されたど
んな共振器デザインもパッシブ調和モードロッキングの
ために使うことができる。
シブモードロックファイバレーザシステム96を示す。
図12に示すように、チャープしたあるいはチャープし
ないファイバグレーティング98が、共振器の分散制御
のためと、ポンプパワー結合とシグナル出力結合を容易
にするため、高複屈折性ファイバ12に直接書き込まれ
る。また、共振器ミラーとしてのファイバグレーティン
グは、ここに記述されたどんな共振器デザインにも使う
ことができる。共振器内の分散を制御するために、分散
量の異なるファイバが共振器にスプライスされる。低繰
り返し周期で動作するファイバレーザを作るために、こ
れら分散調節ファイバは何百mという長さをもつべきで
ある。ファイバグレーティングは偏光依存損失を作るた
めと、一つのよく定められた偏光軸に沿ってのパルスの
生成を確実にするために、偏光に感じやすく設計され
る。
ーザの優先実施例が記述されたが、他の修正、変更、変
化が、ここに発表された技術を考慮してそれら熟練した
技術に提案されるだろう。したがって、そのような全て
の変更、修正、変化は添えられた請求項で定義される本
発明の目的内にあると信じられることが理解されるべき
である。
は、ここにことごとく参考文献として編入されてある。
ックファイバレーザシステムの概観図である。
軸に沿って得られたパルスの典型的な自己相関を示すグ
ラフである。
軸と分散波軸に沿うパルススペクトルを示すグラフであ
る。
収体を使用する共振器デザインを有するパッシブモード
ロックファイバレーザシステムの概観図である。
ァイバを使用する共振器デザインを有するパッシブモー
ドロックファイバレーザシステムの概観図である。
ラッドファイバ形態を有するパッシブモードロックファ
イバレーザシステムの概観図である。
用するパッシブモードロックファイバレーザシステムの
概観図である。
にファイバグレーティングを使用するパッシブモードロ
ックファイバレーザシステムの概観図である。
多数の異なるファイバを有するパッシブモードロックフ
ァイバレーザシステムの概観図である。
の光スポットサイズを制御するためのレンズを使用する
パッシブモードロックファイバレーザシステムの概観図
である。
にオールファイバ型偏光子を有するパッシブモードロッ
クファイバレーザシステムの概観図である。
の一終端にファイバグレーティングをもつパッシブモー
ドロックファイバレーザシステムの概観図である。
Claims (63)
- 【請求項1】 ポンプ波長でレーザエネルギを発生する
ためのポンプレーザと、 第1と第2偏光軸をもちシグナル波長でレーザエネルギ
を増幅するためのレーザ共振器の第1と第2終端をそれ
ぞれ定める第1と第2終端をもつ高複屈折性ファイバ利
得媒質と、 レーザエネルギを前記高複屈折性ファイバ利得媒質を通
して反射するための前記レーザ共振器の第1終端に結合
された反射器と、 任意の非ファイバ共振器内偏光操作素子なしで前記高複
屈折性ファイバ利得媒質の前記第1と第2偏光軸のどち
らかに沿って前記ファイバレーザのモードロックを誘導
するための前記レーザ共振器の第2終端に結合された可
飽和吸収体と、 前記レーザ共振器内で増幅されたレーザエネルギを出力
するための出力部と、 からなるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項2】前記高複屈折性ファイバ利得媒質が希土類
元素ドープファイバを含む請求項1によるモードロック
ファイバレーザ。 - 【請求項3】前記希土類元素ドープファイバがEr、Y
b、Er/Yb、Nd、Pr、Ho、Tmのうちの少な
くとも一つを含む請求項2によるモードロックファイバ
レーザ。 - 【請求項4】前記高複屈折性ファイバ利得媒質が1.0
×10−5より大きな複屈折性をもつ請求項1によるモ
ードロックファイバレーザ。 - 【請求項5】前記高複屈折性ファイバ利得媒質が前記高
複屈折性ファイバ利得媒質内の内部応力に主としてよる
複屈折をもつ請求項1によるモードロックファイバレー
ザ。 - 【請求項6】モードロッキングが沿って起こる前記高複
屈折性ファイバ利得媒質の偏光軸が、前記ポンプレーザ
からのレーザエネルギの適用以前には不確定である請求
項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項7】前記高複屈折性ファイバ利得媒質は、前記
第1と第2偏光軸間に損失差が存在するように曲げら
れ、その損失差が前記第1と第2偏光軸のうちの前もっ
て決められた一つに沿ってモードロッキングが起こるよ
うにする請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項8】前記高複屈折性ファイバ利得媒質の一部
が、おおよそ5mmと10cmの間、好ましくは12.
5mmと10cmの間の巻き付け径で巻き付けられる請
求項7によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項9】前記高複屈折性ファイバ利得媒質が、第1
と第2偏光軸の向きが前記高複屈折性ファイバ利得媒質
の曲げに関して制御されるように、コヒーレントに曲げ
られる請求項7によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項10】前記高複屈折性ファイバ利得媒質がD−
形状の断面あるいは矩形断面をもつ請求項1によるモー
ドロックファイバレーザ。 - 【請求項11】前記反射器が前記ポンプレーザに結合さ
れたダイクロイックミラーからなり、前記ダイクロイッ
クミラーが、前記ポンプレーザからのレーザエネルギが
前記レーザ共振器に透過されるように、ポンプ波長を少
なくとも部分的に透過する請求項1によるモードロック
ファイバレーザ。 - 【請求項12】さらに前記ポンプレーザを前記ダイクロ
イックミラーに接続するピッグテールファイバを含む請
求項11によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項13】前記出力部が前記ダイクロイックミラー
に結合され、前記ダイクロイックミラーが、増幅された
レーザエネルギが前記レーザ共振器から前記出力部へ透
過するように、シグナル波長を部分的に透過する請求項
12によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項14】前記ピッグテールファイバが前記ポンプ
レーザからポンプ波長でレーザエネルギを受取り、かつ
前記ダイクロイックミラーを通して前記レーザ共振器か
らシグナル波長で増幅レーザエネルギを受取り、さら
に、シグナル波長の増幅レーザエネルギをポンプ波長の
レーザエネルギから分離するためと、シグナル波長の増
幅レーザエネルギを前記出力ファイバに向かわせるため
に、前記ピッグテールファイバと前記出力部に結合され
た波長分割多重(WDM)結合器を含む請求項13によ
るモードロックファイバレーザ。 - 【請求項15】前記ピッグテールファイバと前記WDM
結合器が偏光保持である請求項14によるモードロック
ファイバレーザ。 - 【請求項16】前記ピッグテールファイバの偏光軸が、
モードロックレーザの出力が第1と第2偏光軸のうちの
一つに沿って得られるように、前記高複屈折性ファイバ
利得媒質の第1と第2偏光軸に整列される請求項15に
よるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項17】前記ピッグテールファイバが前記ダイク
ロイックミラーに環状スプライスによって結合される請
求項12によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項18】前記ピッグテールファイバが前記ダイク
ロイックミラーに接着スプライスあるいは融着スプライ
スによって結合される請求項12によるモードロックフ
ァイバレーザ。 - 【請求項19】前記ポンプレーザがシングルモードレー
ザダイオードである請求項1によるモードロックファイ
バレーザ。 - 【請求項20】前記可飽和吸収体が前記シグナル波長の
100nm以内のバンドエッジをもつ請求項1によるモ
ードロックファイバレーザ。 - 【請求項21】前記可飽和吸収体がInGaAsPで作
られた半導体可飽和吸収体ミラーである請求項1による
モードロックファイバレーザ。 - 【請求項22】前記高複屈折性ファイバ利得媒質の第2
終端が前記可飽和吸収体ミラーに接着される請求項1に
よるモードロックファイバレーザ - 【請求項23】前記高複屈折性ファイバ利得媒質の第2
終端が前記可飽和吸収体からギャップによって隔てられ
る請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項24】前記高複屈折性ファイバ利得媒質の第2
終端がARコートされ、さらに前記高複屈折性ファイバ
利得媒質のARコートされた第2終端に接着された第1
終端と前記可飽和吸収体に接着された第2終端をもつガ
ラス毛細管を含む請求項23によるモードロックファイ
バレーザ。 - 【請求項25】前記高複屈折性ファイバ利得媒質の第2
終端が前記可飽和吸収体にリフト−オフ技術を使って取
り付けられる請求項1によるモードロックファイバレー
ザ。 - 【請求項26】前記可飽和吸収体が量子井戸である請求
項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項27】さらに、前記ポンプレーザをフィードバ
ックから分離するために前記ポンプレーザに結合された
アイソレータを含む請求項1によるモードロックファイ
バレーザ。 - 【請求項28】前記出力ファイバが前記可飽和吸収体に
結合され、前記可飽和吸収体が、増幅レーザエネルギ用
の前記出力部を構成するために、シグナル波長を部分的
に透過する可飽和吸収体ミラーを含む請求項1によるモ
ードロックファイバレーザ。 - 【請求項29】前記高複屈折性ファイバ利得媒質が高複
屈折性2重クラッドファイバで、前記ポンプレーザが広
エリアダイオードレーザとダイオードアレイの一つであ
る請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項30】さらに、前記ポンプレーザを前記反射器
に接続する2重クラッドピッグテールファイバを含み、
前記反射器は前記ポンプレーザからのレーザエネルギが
前記レーザ共振器に伝導されるように少なくともポンプ
波長を部分的に伝導するダイクロイックミラーからな
り、前記ダイクロイックミラーは増幅レーザエネルギが
前記レーザ共振器から前記2重クラッドピッグテールフ
ァイバに伝導されるようにシグナル波長を部分的に伝導
し、 さらに、シグナル波長の増幅レーザエネルギをポンプ波
長のレーザエネルギから分離するための前記2重クラッ
ドピッグテールファイバと前記出力ファイバに結合され
た波長分割多重(WDM)結合器を含み、前記WDM結
合器が前記2重クラッドピッグテールファイバのシング
ルモード部分で動作する請求項29によるモードロック
ファイバレーザ。 - 【請求項31】前記高複屈折性ファイバ利得媒質が側方
ポンピング機構によって前記ポンプレーザに結合される
請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項32】前記可飽和吸収体が集積化偏光子を含む
請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項33】前記集積化偏光子が前記可飽和吸収体に
形成されたワイヤグリッドで、前記ワイヤグリッドは、
モードロッキングが前記高複屈折性ファイバ利得媒質の
前記第1と第2偏光軸のうちの前もって決められた一つ
に沿って誘起されるように前記高複屈折性ファイバ利得
媒質の前記第1と第2偏光軸のうちの一つに整列される
請求項32によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項34】前記レーザポンプで発生されたレーザエ
ネルギの偏光が、第1と第2偏光軸に沿う微分利得を生
成するために前記高複屈折性ファイバ利得媒質の前記第
1と第2偏光軸のうちの一つに整列され、その微分利得
がモードロッキングを前記第1と第2偏光軸のうちの前
もって決められた一つに沿って起こるようにする請求項
1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項35】前記第1と第2偏光軸のうちの前もって
決められた一つに沿ってモードロッキングを誘起する偏
光依存フィードバックを起こすために、前記レーザ共振
器外に偏光依存フィードバックデバイスをさらに有する
請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項36】前記偏光依存フィードバックデバイスが
反射面と接続して、ファイバグレーティングと外部偏光
子のうちの一つである請求項35によるモードロックフ
ァイバレーザ。 - 【請求項37】さらに、前記高複屈折性ファイバ利得媒
質が取り付けられるピエゾ電子コイルを含み、前記ピエ
ゾ電子コイルが前記レーザ共振器の有効長を制御するた
めと前記高複屈折性ファイバ利得媒質の第1と第2偏光
軸のうちの前もって決められた一つに沿うモードロッキ
ングを誘起するために変調される請求項1によるモード
ロックファイバレーザ。 - 【請求項38】前記高複屈折性ファイバ利得媒質が第1
光ファイバと第2光ファイバからなり、前記第1光ファ
イバと第2光ファイバが前記第1と第2光ファイバの偏
光軸が整列されるように一緒にスプライスされる請求項
1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項39】前記第1光ファイバが2重クラッドファ
イバで、前記第2光ファイバが高複屈折性分散補償ファ
イバである請求項38によるモードロックファイバレー
ザ。 - 【請求項40】前記高複屈折性ファイバ利得媒質の第2
終端が、前記高複屈折性ファイバ利得媒質のモードフィ
ールド径を増大させてそれによって前記可飽和吸収体ミ
ラーの損傷閾値を増大させるために、テーパ化される請
求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項41】前記高複屈折性ファイバ利得媒質の第2
終端が前記可飽和吸収体ミラーから10cm以下の距離
だけ分離される請求項1によるモードロックファイバレ
ーザ。 - 【請求項42】前記高複屈折性ファイバ利得媒質からの
増幅レーザエネルギの前記可飽和吸収体ミラー上でのス
ポットサイズを制御するために、前記高複屈折性ファイ
バ利得媒質と前記可飽和吸収体ミラーの間に配置された
レンズ組立部品をさらに含む請求項1によるモードロッ
クファイバレーザ。 - 【請求項43】選択された偏光軸に沿ってのモードロッ
キングを確実にするために、偏光依存損失を誘起すべく
形成された共振器内ファイバ終端をさらに含む請求項1
によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項44】さらにオールファイバ共振器内偏光子を
含む請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項45】前記オールファイバ共振器内偏光子が、
その上に堆積された金属膜をもつ研磨されたファイバか
らなる請求項44によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項46】前記出力部が偏光保持ファイバピッグテ
ールに結合される請求項1によるモードロックファイバ
レーザ。 - 【請求項47】前記出力部がファイバピッグテールに結
合される請求項1によるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項48】前記ファイバグレーティングが前記高複
屈折性ファイバ利得媒質に書き込まれる請求項1による
モードロックファイバレーザ。 - 【請求項49】前記ポンプレーザで発生されるレーザエ
ネルギのパワーが、前記レーザ共振器内でのパッシブ調
和モードロッキングと多数の同時パルス発生を誘起する
ために、変えられる請求項1によるモードロックファイ
バレーザ。 - 【請求項50】第1と第2偏光軸をもち、かつレーザ共
振器の第1と第2終端をそれぞれ定義する第1と第2終
端をもつ高複屈折性ファイバ利得媒質からレーザ共振器
を形成するステップ;レーザ共振器中にレーザエネルギ
をポンプ波長でポンピングするステップ;どんな非ファ
イバ共振器内偏光操作素子もなしに、レーザ共振器の第
1終端に反射器を結合させ、レーザ共振器の第2終端に
可飽和吸収体を結合させることで、高複屈折性ファイバ
利得媒質の第1と第2偏光軸のうちの一方に沿ってレー
ザ共振器内にモードロッキングを誘起するステップ;レ
ーザ共振器からレーザエネルギをシグナル波長で出力さ
せるステップ;とからなるファイバレーザのパッシブモ
ードロッキング法。 - 【請求項51】それに沿ってモードロッキングが誘起さ
れる高複屈折性ファイバ利得媒質の偏光軸が、レーザエ
ネルギをレーザ共振器内へポンピングするのに先立って
不確定である請求項50による方法。 - 【請求項52】さらに、損失差分が第1と第2偏光軸間
に存在するように高複屈折性ファイバ利得媒質を曲げる
ステップを含み、その損失差分が第1と第2偏光軸のう
ちの前もって決められた一方に沿ってモードロッキング
を起こさせる請求項50による方法。 - 【請求項53】前記曲げるステップが、高複屈折性ファ
イバ利得媒質の一部を大略5mmと10cmの間、好ま
しくは12.5mmと10cmの間の巻き付け径で巻き
付けることを含む請求項52による方法。 - 【請求項54】前記曲げるステップが、第1と第2偏光
軸の向きが高複屈折性ファイバ利得媒質の曲げに関して
制御されように、高複屈折性ファイバ利得媒質をコヒー
レントに曲げることを含む請求項52による方法。 - 【請求項55】モードロッキングが第1と第2偏光軸の
うちの前もって決められた一方に沿って誘起されるよう
に、さらにポンプ波長のレーザエネルギの偏光軸を高複
屈折性ファイバ利得媒質の第1と第2偏光軸のうちの一
方に整列させるステップを含む請求項50による方法。 - 【請求項56】モードロッキングが第1と第2偏光軸の
うちの前もって決められた一方に沿って誘起されるよう
に、高複屈折性ファイバ利得媒質の第1と第2偏光軸に
関して整列させられる偏光子を可飽和吸収体ミラーに集
積化するステップをさらに含む請求項50による方法。 - 【請求項57】高複屈折性ファイバ利得媒質の第1と第
2偏光軸のうちの前もって決められた一方に沿ってモー
ドロッキングを誘起する偏光依存フィードバックを共振
器外で発生させるステップをさらに含む請求項50によ
る方法。 - 【請求項58】ピエゾ電子コイルに高複屈折性ファイバ
利得媒質を取り付けるステップと、 高複屈折性ファイバ利得媒質の第1と第2偏光軸のうち
の前もって決められた一方に沿ってモードロッキングを
誘起するためにピエゾ電子コイルを変調するステップ
と、 をさらに含む請求項50による方法。 - 【請求項59】高複屈折性ファイバ利得媒質の第1と第
2偏光軸のうちの前もって決められた一方に沿ってモー
ドロッキングを誘起するためにオールファイバ偏光子を
レーザ共振器内に形成するステップをさらに含む請求項
50による方法。 - 【請求項60】レーザエネルギをポンプ波長で発生する
ためのポンプレーザと、 レーザエネルギをシグナル波長で増幅するための第1と
第2偏光軸をもつ高複屈折性ファイバ利得媒質と、 前記高複屈折性ファイバ利得媒質を通してレーザエネル
ギを反射するための反射器と、 任意の非ファイバ共振器内偏光操作素子なしで、前記高
複屈折性ファイバ利得媒質の第1と第2偏光軸のどちら
か一方に沿うファイバレーザのモードロッキングを誘起
するための可飽和吸収体と、 レーザエネルギを出力するための出力部と、 からなるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項61】レーザエネルギをポンプ波長で発生する
ためのポンプレーザと、 レーザエネルギをシグナル波長で増幅するための第1と
第2偏光軸をもつ高複屈折性ファイバ利得媒質と、 前記高複屈折性ファイバ利得媒質を通してレーザエネル
ギを反射するための反射器と、 前記高複屈折性ファイバ利得媒質の前記第1と第2偏光
軸のどちらか一方に沿うファイバレーザのモードロッキ
ングを誘起するための可飽和吸収体と、 レーザエネルギを出力するための出力部と、 からなるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項62】レーザエネルギをポンプ波長で発生する
ためのポンプレーザと、 レーザエネルギをシグナル波長で増幅するための第1と
第2偏光軸をもつ高複屈折性2重クラッドファイバ利得
媒質と、 前記ポンプレーザを前記高複屈折性2重クラッドファイ
バ利得媒質に結合するための側方ポンピングデバイス
と、 前記高複屈折性ファイバ利得媒質を通してレーザエネル
ギを反射するための反射器と、 前記高複屈折性2重クラッドファイバ利得媒質の前記第
1と第2偏光軸のどちらか一方に沿うファイバレーザの
モードロッキングを誘起するための可飽和吸収体と、 レーザエネルギを出力するための出力部と、 からなるモードロックファイバレーザ。 - 【請求項63】レーザエネルギをポンプ波長で発生する
ためのポンプレーザと、 第1と第2偏光軸をもちレーザエネルギをシグナル波長
で増幅するためのレーザ共振器の第1と第2終端を定義
する第1と第2終端をもつ高複屈折性ファイバ利得媒質
と、 前記高複屈折性ファイバ利得媒質を通してレーザエネル
ギを反射するための前記レーザ共振器の第1終端に結合
された反射器と、 前記高複屈折性ファイバ利得媒質の前記第1と第2偏光
軸のどちらか一方に沿うファイバレーザのモードロッキ
ングを誘起するための可飽和吸収体と、 前記レーザ共振器内で増幅されたレーザエネルギを出力
するための出力部と、 からなるモードロックファイバレーザ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/021,863 US6072811A (en) | 1998-02-11 | 1998-02-11 | Integrated passively modelocked fiber lasers and method for constructing the same |
US09/021863 | 1998-02-11 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008204282A Division JP4486688B2 (ja) | 1998-02-11 | 2008-08-07 | 集積化パッシブモードロックファイバレーザとその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11284264A true JPH11284264A (ja) | 1999-10-15 |
JP4436474B2 JP4436474B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=21806564
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03344099A Expired - Fee Related JP4436474B2 (ja) | 1998-02-11 | 1999-02-10 | 集積化パッシブモードロックファイバレーザとその製法 |
JP2008204282A Expired - Fee Related JP4486688B2 (ja) | 1998-02-11 | 2008-08-07 | 集積化パッシブモードロックファイバレーザとその製法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008204282A Expired - Fee Related JP4486688B2 (ja) | 1998-02-11 | 2008-08-07 | 集積化パッシブモードロックファイバレーザとその製法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6072811A (ja) |
JP (2) | JP4436474B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118315A (ja) * | 2000-05-23 | 2002-04-19 | Imra America Inc | モジュール式、高エネルギ、広波長可変性、超高速、ファイバ光源 |
JP2002368313A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 受動型モードロック・ファイバーレーザー |
JP2006222352A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fujikura Ltd | 光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器 |
JP2007042798A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Aisin Seiki Co Ltd | パルスレーザーの共振器モニタ装置 |
JP2007041310A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | ファイバレーザ装置 |
JP2008060317A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | モードロックレーザ装置 |
JP2008270344A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 固体レーザ装置 |
WO2010044486A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | 株式会社アドバンテスト | ファイバレーザ |
WO2011125358A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルスファイバレーザ装置 |
JP2012060186A (ja) * | 2006-01-26 | 2012-03-22 | Advantest Corp | レーザ発振器 |
JP2012519879A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | デュアルパルスレーザシステムによる光走査及び撮像システム |
JP2014057063A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Northrop Grumman Guidance & Electronics Co Inc | 安定化ポンプレーザー出力システムおよび方法 |
CN103944045A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-23 | 北京工业大学 | 一种可调谐大模场面积光子晶体光纤sesam锁模激光器 |
Families Citing this family (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2315177A (en) * | 1996-07-06 | 1998-01-21 | Northern Telecom Ltd | Dispersion compensating waveguide for optical transmission systems |
US7656578B2 (en) * | 1997-03-21 | 2010-02-02 | Imra America, Inc. | Microchip-Yb fiber hybrid optical amplifier for micro-machining and marking |
FR2784202B1 (fr) * | 1998-10-05 | 2003-07-04 | Cit Alcatel | Dispositif de regeneration d'un signal multiplexe en longueurs d'onde comprenant un absorbant saturable |
US6275512B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-08-14 | Imra America, Inc. | Mode-locked multimode fiber laser pulse source |
US6259719B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-07-10 | Lucent Technologies | Saturable bragg reflectors for use in mode-locking lasers |
US7838794B2 (en) | 1999-12-28 | 2010-11-23 | Gsi Group Corporation | Laser-based method and system for removing one or more target link structures |
US20040134894A1 (en) * | 1999-12-28 | 2004-07-15 | Bo Gu | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers |
US6281471B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-08-28 | Gsi Lumonics, Inc. | Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material |
US7723642B2 (en) * | 1999-12-28 | 2010-05-25 | Gsi Group Corporation | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers |
US7671295B2 (en) * | 2000-01-10 | 2010-03-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Processing a memory link with a set of at least two laser pulses |
US20030222324A1 (en) * | 2000-01-10 | 2003-12-04 | Yunlong Sun | Laser systems for passivation or link processing with a set of laser pulses |
US20060141681A1 (en) * | 2000-01-10 | 2006-06-29 | Yunlong Sun | Processing a memory link with a set of at least two laser pulses |
US7190705B2 (en) | 2000-05-23 | 2007-03-13 | Imra America. Inc. | Pulsed laser sources |
US7088756B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-08-08 | Imra America, Inc. | Polarization maintaining dispersion controlled fiber laser source of ultrashort pulses |
US6663297B1 (en) * | 2000-07-27 | 2003-12-16 | Quantum Group Inc. | Photon welding optical fiber with ultra violet (UV) and visible source |
US6608951B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-08-19 | Lew Goldberg | Optical fiber amplifiers and lasers and optical pumping device therefor |
US6724528B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-04-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Polarization-maintaining optical fiber amplifier employing externally applied stress-induced birefringence |
US6954575B2 (en) | 2001-03-16 | 2005-10-11 | Imra America, Inc. | Single-polarization high power fiber lasers and amplifiers |
US6777645B2 (en) | 2001-03-29 | 2004-08-17 | Gsi Lumonics Corporation | High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field |
US7006537B2 (en) * | 2001-08-07 | 2006-02-28 | Hrl Laboratories, Llc | Single polarization fiber laser |
WO2003028177A1 (en) | 2001-09-24 | 2003-04-03 | Giga Tera Ag | Pulse-generating laser |
JP2003283016A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Aisin Seiki Co Ltd | 受動型モードロック・ファイバーレーザー |
US6937782B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Polarization-stabilized all-optical switch |
US6904219B1 (en) | 2002-07-26 | 2005-06-07 | Boston Laser, Inc. | Ultra high-power continuous wave planar waveguide amplifiers and lasers |
US7103076B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ultrashort pulsed laser and optical head using the same |
JP4226482B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2009-02-18 | 富士フイルム株式会社 | レーザ光合波装置 |
US7361171B2 (en) | 2003-05-20 | 2008-04-22 | Raydiance, Inc. | Man-portable optical ablation system |
US7257302B2 (en) * | 2003-06-03 | 2007-08-14 | Imra America, Inc. | In-line, high energy fiber chirped pulse amplification system |
US7414780B2 (en) | 2003-06-30 | 2008-08-19 | Imra America, Inc. | All-fiber chirped pulse amplification systems |
US7143769B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-12-05 | Richard Stoltz | Controlling pulse energy of an optical amplifier by controlling pump diode current |
US8173929B1 (en) | 2003-08-11 | 2012-05-08 | Raydiance, Inc. | Methods and systems for trimming circuits |
US8921733B2 (en) | 2003-08-11 | 2014-12-30 | Raydiance, Inc. | Methods and systems for trimming circuits |
US20050065502A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-03-24 | Richard Stoltz | Enabling or blocking the emission of an ablation beam based on color of target |
US7115514B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-10-03 | Raydiance, Inc. | Semiconductor manufacturing using optical ablation |
US20050038487A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Richard Stoltz | Controlling pulse energy of an optical amplifier by controlling pump diode current |
US9022037B2 (en) | 2003-08-11 | 2015-05-05 | Raydiance, Inc. | Laser ablation method and apparatus having a feedback loop and control unit |
US7367969B2 (en) * | 2003-08-11 | 2008-05-06 | Raydiance, Inc. | Ablative material removal with a preset removal rate or volume or depth |
US7280730B2 (en) | 2004-01-16 | 2007-10-09 | Imra America, Inc. | Large core holey fibers |
EP1733460A4 (en) | 2004-01-30 | 2009-04-15 | Nufern | METHOD AND APPARATUS FOR OBTAINING LIGHT HAVING POLARIZATION SELECTED WITH OPTICAL FIBER |
US7724422B2 (en) * | 2004-01-30 | 2010-05-25 | Nufern | Method and apparatus for providing light having a selected polarization with an optical fiber |
US7413847B2 (en) * | 2004-02-09 | 2008-08-19 | Raydiance, Inc. | Semiconductor-type processing for solid-state lasers |
US7804864B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-09-28 | Imra America, Inc. | High power short pulse fiber laser |
US7486705B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-02-03 | Imra America, Inc. | Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback |
US7505196B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-03-17 | Imra America, Inc. | Method and apparatus for controlling and protecting pulsed high power fiber amplifier systems |
US7349452B2 (en) * | 2004-12-13 | 2008-03-25 | Raydiance, Inc. | Bragg fibers in systems for the generation of high peak power light |
WO2006072025A2 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Imra America, Inc. | Photonic bandgap fibers |
US20060171426A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-03 | Andrei Starodoumov | Fiber-laser with intracavity polarization maintaining coupler providing plane polarized output |
US7787729B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-08-31 | Imra America, Inc. | Single mode propagation in fibers and rods with large leakage channels |
US8135050B1 (en) | 2005-07-19 | 2012-03-13 | Raydiance, Inc. | Automated polarization correction |
US7245419B2 (en) * | 2005-09-22 | 2007-07-17 | Raydiance, Inc. | Wavelength-stabilized pump diodes for pumping gain media in an ultrashort pulsed laser system |
US7809222B2 (en) | 2005-10-17 | 2010-10-05 | Imra America, Inc. | Laser based frequency standards and their applications |
US20070098023A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Quantronix Corporation | Fiber laser and methods manufacture and use |
US7308171B2 (en) | 2005-11-16 | 2007-12-11 | Raydiance, Inc. | Method and apparatus for optical isolation in high power fiber-optic systems |
US7436866B2 (en) | 2005-11-30 | 2008-10-14 | Raydiance, Inc. | Combination optical isolator and pulse compressor |
US8189971B1 (en) | 2006-01-23 | 2012-05-29 | Raydiance, Inc. | Dispersion compensation in a chirped pulse amplification system |
US8232687B2 (en) | 2006-04-26 | 2012-07-31 | Raydiance, Inc. | Intelligent laser interlock system |
US7444049B1 (en) | 2006-01-23 | 2008-10-28 | Raydiance, Inc. | Pulse stretcher and compressor including a multi-pass Bragg grating |
CA2535472C (en) * | 2006-02-07 | 2014-04-22 | Itf Technologies Optiques Inc./Itf Optical Technologies Inc. | Multimode fiber outer cladding coupler for multi-clad fibers |
US7822347B1 (en) | 2006-03-28 | 2010-10-26 | Raydiance, Inc. | Active tuning of temporal dispersion in an ultrashort pulse laser system |
JPWO2007116563A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2009-08-20 | 古河電気工業株式会社 | 光源 |
US7450813B2 (en) | 2006-09-20 | 2008-11-11 | Imra America, Inc. | Rare earth doped and large effective area optical fibers for fiber lasers and amplifiers |
US7496260B2 (en) | 2007-03-27 | 2009-02-24 | Imra America, Inc. | Ultra high numerical aperture optical fibers |
US20080285557A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Method, System and Relay Device for Transmitting Packet |
US7983312B2 (en) | 2007-08-09 | 2011-07-19 | Raytheon Company | Method and apparatus for generation and amplification of light in a semi-guiding high aspect ratio core fiber |
WO2009042347A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Imra America, Inc. | Glass large-core optical fibers |
US8213077B2 (en) * | 2008-04-22 | 2012-07-03 | Imra America, Inc. | Multi-clad optical fibers |
WO2010008693A2 (en) * | 2008-06-11 | 2010-01-21 | Massachusetts Institute Of Technology | High-repetition-rate guided-mode femtosecond laser |
US8125704B2 (en) | 2008-08-18 | 2012-02-28 | Raydiance, Inc. | Systems and methods for controlling a pulsed laser by combining laser signals |
WO2010065788A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | Imra America, Inc. | Highly rare-earth-doped optical fibers for fiber lasers and amplifiers |
JP5764566B2 (ja) | 2009-10-02 | 2015-08-19 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | モード同期レーザによる光信号処理 |
US8554037B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-10-08 | Raydiance, Inc. | Hybrid waveguide device in powerful laser systems |
US8787410B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-07-22 | Imra America, Inc. | Compact, coherent, high brightness light sources for the mid and far IR |
RU2560750C2 (ru) * | 2013-11-18 | 2015-08-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) | Способ пассивной синхронизации мод излучения в лазере сверхкоротких импульсов с цельноволоконным оптическим резонатором |
US9557625B2 (en) | 2014-05-20 | 2017-01-31 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce | Fiber frequency comb article |
US9728932B2 (en) * | 2015-03-18 | 2017-08-08 | Advanced Optowave Corporation | Fiber coupled modular laser system |
US9966723B2 (en) * | 2015-05-14 | 2018-05-08 | Jgm Associates, Inc. | High pulse energy and high beam quality mini laser |
US10944233B2 (en) * | 2017-07-10 | 2021-03-09 | Coherent, Inc. | Polarized fiber-laser |
CN108493749B (zh) * | 2018-04-24 | 2023-09-08 | 南京邮电大学 | 一种基于高双折射微纳光纤的可调谐多波长光纤激光器 |
CN113594836B (zh) * | 2021-07-27 | 2022-08-12 | 长春理工大学 | 一种高稳定性的被动锁模光纤激光器及其工作方法 |
CN114188804B (zh) * | 2021-11-02 | 2023-12-05 | 长春理工大学 | 一种矢量孤子光纤激光器、控制方法及其应用 |
CN114268008B (zh) * | 2021-12-23 | 2023-10-17 | 中国地质大学(武汉) | 一种矢量孤子激光器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5448579A (en) * | 1993-12-09 | 1995-09-05 | Hewlett-Packard Company | Polarization independent picosecond fiber laser |
US5436925A (en) * | 1994-03-01 | 1995-07-25 | Hewlett-Packard Company | Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber |
US5469454A (en) * | 1994-05-02 | 1995-11-21 | University Of Central Florida | Mode locked laser diode in a high power solid state regenerative amplifier and mount mechanism |
US5488620A (en) * | 1995-01-05 | 1996-01-30 | Hughes Aircraft Company | Passively mode locked-laser and method for generating a pseudo random optical pulse train |
US5627848A (en) * | 1995-09-05 | 1997-05-06 | Imra America, Inc. | Apparatus for producing femtosecond and picosecond pulses from modelocked fiber lasers cladding pumped with broad area diode laser arrays |
US5666373A (en) * | 1996-02-06 | 1997-09-09 | Raytheon Company | Laser having a passive pulse modulator and method of making same |
US5701327A (en) * | 1996-04-30 | 1997-12-23 | Lucent Technologies Inc. | Saturable Bragg reflector structure and process for fabricating the same |
KR100199031B1 (ko) * | 1996-09-23 | 1999-06-15 | 정선종 | 수동형 모드록킹 광섬유 레이저 구조 |
-
1998
- 1998-02-11 US US09/021,863 patent/US6072811A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-10 JP JP03344099A patent/JP4436474B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-07 JP JP2008204282A patent/JP4486688B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118315A (ja) * | 2000-05-23 | 2002-04-19 | Imra America Inc | モジュール式、高エネルギ、広波長可変性、超高速、ファイバ光源 |
US9819142B2 (en) | 2000-05-23 | 2017-11-14 | Imra America, Inc. | Modular, high energy, widely-tunable ultrafast fiber source |
JP2013239738A (ja) * | 2000-05-23 | 2013-11-28 | Imra America Inc | モジュール式、高エネルギ、広波長可変性、超高速、ファイバ光源 |
JP2002368313A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 受動型モードロック・ファイバーレーザー |
JP2006222352A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fujikura Ltd | 光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器 |
JP2007042798A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Aisin Seiki Co Ltd | パルスレーザーの共振器モニタ装置 |
JP2007041310A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | ファイバレーザ装置 |
JP2012060186A (ja) * | 2006-01-26 | 2012-03-22 | Advantest Corp | レーザ発振器 |
JP2008060317A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | モードロックレーザ装置 |
JP2008270344A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 固体レーザ装置 |
WO2010044486A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | 株式会社アドバンテスト | ファイバレーザ |
JPWO2010044486A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2012-03-15 | 株式会社アドバンテスト | ファイバレーザ |
JP2012519879A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | デュアルパルスレーザシステムによる光走査及び撮像システム |
JP2011222764A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Hamamatsu Photonics Kk | パルスファイバレーザ装置 |
US8724673B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Pulse fiber laser device |
WO2011125358A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルスファイバレーザ装置 |
JP2014057063A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Northrop Grumman Guidance & Electronics Co Inc | 安定化ポンプレーザー出力システムおよび方法 |
CN103944045A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-23 | 北京工业大学 | 一种可调谐大模场面积光子晶体光纤sesam锁模激光器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4486688B2 (ja) | 2010-06-23 |
JP4436474B2 (ja) | 2010-03-24 |
JP2008294471A (ja) | 2008-12-04 |
US6072811A (en) | 2000-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4436474B2 (ja) | 集積化パッシブモードロックファイバレーザとその製法 | |
US5627848A (en) | Apparatus for producing femtosecond and picosecond pulses from modelocked fiber lasers cladding pumped with broad area diode laser arrays | |
US9450371B2 (en) | Mode-locked multi-mode fiber laser pulse source | |
US9590386B2 (en) | Yb: and Nd: mode-locked oscillators and fiber systems incorporated in solid-state short pulse laser systems | |
JP4994415B2 (ja) | 受動モードロックファイバレーザ | |
US5701319A (en) | Method and apparatus for generating ultrashort pulses with adjustable repetition rates from passively modelocked fiber lasers | |
EP2082461B1 (en) | Passively modelocked figure eight fiber laser | |
US6034975A (en) | High power, passively modelocked fiber laser, and method of construction | |
EP1608048A2 (en) | Pulsed laser apparatus and method | |
WO2015073257A1 (en) | Compact fiber short pulse laser sources | |
Hsu et al. | Efficient and tunable Er/Yb fiber grating lasers | |
Lit | Recent advances in fiber lasers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080220 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080220 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080507 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080807 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090520 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |