WO2015100880A1 - 掩膜板及其制作方法 - Google Patents

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陈俊生
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Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B05B12/20—Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/3007—Imagewise removal using liquid means combined with electrical means, e.g. force fields
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to the field of manufacturing organic electroluminescent devices, and more particularly to a mask and a method of fabricating the same.
  • AMOLED Active Matrix/Organic Light Emitting Diode
  • AMOLED products are prepared by using the fine metal mask process during the evaporation process.
  • the metal mask has been continually improved to make it thinner and thinner.
  • the material of the metal mask is mostly an invar (mvar) alloy with a very low coefficient of thermal expansion
  • the thickness is usually only 40 m, which is 3 ⁇ 4 after thinning
  • the inventors found that, as shown in Fig. 1, After the thinned metal mask is attached to the metal frame by a stretching technique), during the evaporation, the metal mask has a normal crack as shown in FIG. 1a, in the subsequent heating process, along the crack direction. It is easy to cause crack deformation as shown in Figure ib, which directly affects the quality of the pattern formed by the AMOLED product during the evaporation process.
  • Embodiments of the present invention provide a mask and a method of fabricating the same to improve the quality of the graphics formed during the evaporation process.
  • a mask comprising a pattern area and an auxiliary area around the pattern area, and at least a portion of the auxiliary area has a thickness greater than a thickness of the pattern area. Further, the pattern of at least a portion of the auxiliary regions having a large thickness is closed or semi-closed.
  • the pattern area is a square, and at least a part of the semi-closed auxiliary areas are located outside the four corners of the pattern area, and have an "L type", a " ⁇ type” or a "cross type” One or several graphics.
  • the metal mask used by the combination of the plurality of metal masks forms an "L-shaped" pattern with different directions at one corner position, and different directions are formed at positions adjacent to the two corners.
  • ⁇ Type "Graphics, a "cross-shaped” pattern is formed at positions adjacent to the four corners.
  • the pattern area is a square, and at least a part of the enclosed auxiliary area is located outside the pattern area and has a “square” pattern.
  • a method of fabricating a reticle provided by any of the above technical solutions, comprising:
  • forming the pattern area on the first sheet and the auxiliary area on the periphery of the pattern area include:
  • the mask is a metal mask
  • the auxiliary region is processed such that a thickness of at least a portion of the auxiliary region is greater than a thickness of the pattern region, including:
  • auxiliary region coated with the photoresist using a first mask to form a photoresist removal region of the photoresist and a photoresist retention region, wherein the photoresist removal region corresponds to the thickness At least a portion of the auxiliary region, the photoresist retention region corresponding to a remaining region of the auxiliary region and a pattern region;
  • the photoresist of the photoresist remaining region is removed.
  • the electroformed metal material is Invar or iron.
  • the required thickness is 10-50 m.
  • the patterning portion is an area on the first sheet on which a mask pattern is to be formed.
  • All of the pattern regions are thinned such that the thickness of the auxiliary regions is greater than the thickness of the pattern regions.
  • thinning all of the pattern regions and a portion of the auxiliary regions, such that a thickness of at least a portion of the auxiliary regions is greater than a thickness of the pattern regions includes:
  • Etching and thinning the photoresist removal region to at least a portion of the auxiliary region The thickness of the domain is greater than the thickness of the pattern region;
  • the photoresist in the photoresist retention area is removed.
  • the thinning of all the pattern regions, such that the thickness in the auxiliary region is greater than the thickness of the pattern region comprises:
  • the second sheet has a thickness of about 50-00 ⁇ m.
  • the embodiment of the present invention provides a mask and a manufacturing method thereof.
  • the mask provided by the embodiment of the present invention thickens the auxiliary area outside the pattern area, so that At least a portion of the auxiliary regions has a thickness greater than a thickness of the pattern region. Thickening the auxiliary region allows the formed mask to be bonded to the metal frame by a stretching technique.
  • the crack in the mask is effectively prevented from occurring along the crack direction in subsequent heating. The deformation, the plexus can improve the quality of the graphics formed during the evaporation process.
  • FIG. 1 is a schematic view of a mask in the prior art
  • FIG. 2 is a schematic view of a mask provided by an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart of a method for fabricating a mask according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a flow chart of another method for fabricating a mask according to an embodiment of the present invention.
  • An embodiment of the present invention provides a mask, as shown in FIG. 2, the mask includes a pattern area A and an auxiliary area B around the periphery of the pattern area A, and at least a part of the area C of the auxiliary area B has a thickness greater than The thickness of the pattern area A.
  • Embodiments of the present invention provide a mask panel.
  • the mask provided by the embodiment of the present invention thickens the auxiliary region outside the pattern region, so that the auxiliary region is At least a portion of the thickness is greater than the thickness of the pattern region. Thickening the auxiliary region allows the formed mask to be welded to the metal frame by the stretching technique for vapor deposition, effectively preventing the crack in the mask from being deformed along the crack direction in the subsequent heating. It can improve the quality of the graphics formed during the evaporation process.
  • the material of the above-mentioned mask can be variously selected, for example, metal, stainless steel, glass, or the like.
  • the metal mask is taken as an example for explanation.
  • the pattern of at least a portion of the auxiliary regions in the auxiliary region B having a large thickness is closed or semi-closed.
  • the pattern of the auxiliary area B outside the pattern area A may be selected according to the actual needs of the production, and may be closed or semi-closed, wherein the semi-closed type It may also be thickened on the outside of the four corners of the pattern area, which is preferably semi-closed in the embodiment of the present invention, because it is good if it is thickened in the auxiliary area outside the four corners of the pattern area. It is ensured that the cracks in the pattern region are not deformed during the heating process of the vapor deposition.
  • the pattern area is a square, and at least a part of the auxiliary area of the semi-closed type is located outside the four corners of the pattern area, and has an "L type", a "T type” or a "cross type” One or several graphics.
  • a semi-closed type is selected and thickened in an auxiliary area outside the four corners of the pattern area, a plurality of metal mask combinations allow the metal mask of the ⁇ to form a different direction at an angular position.
  • “Graph, different sides can be formed at two adjacent corners
  • a "cross-shaped” pattern can be formed at positions adjacent to the four corners.
  • the shape of the pattern region may be a square shape, of course, according to the shape of the product formed by evaporation.
  • the formation of the pattern area may also be other shapes, such as a polygon, a circle or a trapezoid, etc., which are not limited by the present invention.
  • the at least a portion of the enclosed area is located outside the pattern area and has a "square" pattern. Since the shape of the pattern area is a square shape, when the auxiliary area outside the pattern area is thickened as a whole, the auxiliary area of the pattern area also has a "square" pattern.
  • an embodiment of the present invention provides a method for fabricating a mask provided by an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the method includes:
  • Step 31 Provide the first village
  • Step 32 forming a pattern area and an auxiliary area around the pattern area on the first sheet;
  • Step 33 processing the auxiliary area such that a thickness of at least a portion of the auxiliary area is greater than a thickness of the pattern area.
  • Embodiments of the present invention provide a method of fabricating a mask by processing an auxiliary region other than a pattern region of a metal mask such that at least a portion of the auxiliary region has a thickness greater than that of the pattern region thickness.
  • step 32 forming the pattern area ⁇ on the first sheet and the auxiliary area B on the periphery of the pattern area A include:
  • the patterning portion refers to a region on the metal sheet that is to be patterned.
  • the patterning portion is preset to form a mask on the first sheet.
  • the first sheet has A plurality of patterning portions corresponding to the respective pands, correspondingly, after patterning the first sheet, a plurality of the patterning portions are formed to form pattern regions corresponding to the respective pands on the mask. That is, the patterning portion and the pattern area correspond to the same area, the patterning portion refers to the corresponding portion on the first sheet, and the pattern is not formed yet, and the pattern area refers to the corresponding portion on the mask sheet, and is formed with pattern. As shown in FIG. 2, the pattern area A of the mask is generally located at a central portion corresponding to each panel area, and the auxiliary area B of the mask is generally located at a peripheral portion corresponding to each of the pand areas.
  • a pattern region and an auxiliary region other than the pattern region are formed on the first sheet by a patterning process, that is, the first sheet is sequentially coated with photoresist, exposed, developed, and An etching process is performed, and the remaining photoresist is removed after etching to form a pattern area A at a patterned portion of the first sheet, and at the same time, an auxiliary area other than the pattern area is formed.
  • the mask is a metal mask
  • the auxiliary region is processed such that a thickness of at least a portion of the auxiliary region is greater than a thickness of the pattern region, including:
  • auxiliary region coated with the photoresist using a first mask to form a photoresist removal region of the photoresist and a photoresist retention region, wherein the photoresist removal region corresponds to the thickness At least a portion of the auxiliary region, the photoresist retention region corresponding to a remaining region of the auxiliary region and a pattern region;
  • the photoresist of the photoresist remaining region is removed.
  • the auxiliary region is thickened by a method of electroforming, in order to obtain a metal mask having a thickness of at least a portion of the auxiliary region greater than a thickness of the pattern region, firstly obtaining a first electroformed substrate matching the pattern, that is, applying the photoresist to the auxiliary region and Exposing using the first mask, forming a first electroformed substrate identical to the pattern of the first mask after removing the photoresist in the photoresist removal region, and then removing the light from the first electroformed substrate
  • the portion of the engraving is grown by a method of electroforming to form a pattern in which at least a portion of the auxiliary region has a thickness greater than a thickness of the pattern region.
  • the photoresist removal region in this step corresponds to an exposure region
  • the photoresist The remaining area corresponds to the unexposed area; otherwise, when the photoresist coated in the auxiliary area and the pattern area is a negative photoresist, the photoresist removal area in this step corresponds to The unexposed area, the photoresist retention area corresponds to an exposure area.
  • the first mask is not a mask provided by the embodiment of the present invention, but needs to be used in the middle process to prepare the mask provided by the embodiment of the present invention. board.
  • the portion of the first electroformed substrate from which the photoresist is removed is grown by electroforming using the principle of electroforming, wherein the principle of electroforming is to be prepared in advance according to a desired shape.
  • the first electroformed substrate serves as a cathode, and the electroforming material is used as an anode, and the two are placed together in the same electroforming metal material solution as the anode material, and the direct current is applied.
  • electrolysis a surface of the first electroformed substrate is gradually deposited with a metal layer, and the desired thickness is removed from the plexus solution, and the metal layer is separated from the first electroformed substrate to obtain An electroformed substrate having oppositely shaped metal members.
  • the electroformed metal material is the same as the anode material, that is, the material of the first electroformed substrate.
  • the electroformed metal material is Invar or iron.
  • the metal material is an Invar alloy having a low expansion coefficient, but the strength and hardness thereof are insufficient. Therefore, the embodiment of the present invention provides a mask for forming at least a portion of the region in the auxiliary region to have a thickness greater than the thickness of the pattern region. It is especially important to prevent deformation caused by cracks along the direction of the crack.
  • the method removes a thickness of a portion of the metal layer grown by the photoresist on the first electroformed substrate.
  • the desired thickness is 10-50 ⁇ m, preferably 25-30 ⁇ m.
  • the metal mask plate made of the metal layer in the thickness range has a thin thickness, and the display screen can have a higher degree of fineness during the evaporation process.
  • the embodiment of the present invention further provides another method for fabricating the mask provided by any of the above embodiments.
  • the method includes:
  • Step 41 Provide a second piece ;
  • Step 42 forming a pattern area and an auxiliary area around the pattern area on the second piece.
  • Step 43 thinning all of the pattern area and a part of the auxiliary area to make at least a part of the auxiliary area The thickness of the region is greater than the thickness of the pattern region.
  • all of the pattern regions may be thinned such that the thickness of the auxiliary region is larger than the thickness of the pattern region. That is, the thickness of the entire area of the auxiliary area is larger than the thickness of the pattern area.
  • An embodiment of the present invention further provides a method for fabricating a mask, which is thickened by thickening an auxiliary region other than a pattern region of the mask to make a thickness of at least a portion of the auxiliary region. Greater than the thickness of the pattern area.
  • step 43 all of the pattern regions and a portion of the auxiliary regions are thinned such that a thickness of at least a portion of the auxiliary regions is greater than a thickness of the pattern region, including:
  • the photoresist removal region is etched and thinned such that a thickness of at least a portion of the auxiliary regions is greater than a thickness of the pattern region.
  • the step is specifically:
  • the photoresist in the photoresist retention area is removed.
  • the pattern region and the auxiliary region are simultaneously coated with a photoresist and exposed using a second mask to form the pattern region corresponding to the photoresist removal region and the auxiliary region.
  • the remaining regions in the region continue to be etched and thinned to form a pattern in which at least a portion of the auxiliary regions have a thickness greater than the thickness of the pattern regions.
  • the thickness of the second sheet should be relatively thick, and optionally, the second The thickness of the sheet is about 50-100 um to facilitate two etching thinnings in the second sheet to produce a pattern of the desired thickness range.
  • the photoresist when the photoresist is applied as a positive photoresist or a negative photoresist in the pattern region and the auxiliary region, the photoresist removal region and the photoresist retention region and exposure The correspondence between the area and the unexposed area has been described above, and will not be described again here.
  • the second mask is not a mask provided by the embodiment of the present invention, but a mask used in the intermediate process for preparing the mask provided by the embodiment of the present invention.

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Abstract

一种掩膜板及其制作方法，掩模板包括图案区域（A）以及图案区域（A）外围的辅助区域（B），并且辅助区域（B）中的至少一部分区域的厚度大于图案区域（A）的厚度。该发明可用于有机电致发光器件的制造中，以提高蒸鍍过程中形成的图形质量。

Description

本发明的实施例涉及有机电致发光器件制造领域， 尤其涉及一种掩膜板 及其制作方法。
AMOLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode ) 为有源矩 有机 发光二极体面板。 相比传统的液晶面板， AMOLED凭借其反应速度快、 对比 度高、 视角宽度广等优点被认定为下一代最具潜力的显示面板。
为了让 AMOLED产品的 PPI (Pixels per inch, 每英寸像素） 能够突破现 有水平，使其显示画面可以拥有更高的细腻度， AMOLED产品在蒸镀过程中， 对采用精细金属掩模工艺制备使用的金属掩膜板进行了不断地改良， 使其变 得越来越薄。
但由于金属掩膜板的材料多为热膨胀系数极低的因瓦 （mvar) 合金， 厚 度通常只有 40 m， 将其在变薄之后使) ¾时， 发明人发现， 如图 1所示， 将 变薄之后的金属掩膜板在通过拉伸技术悍接在金属框上) ¾于蒸鍍时， 金属掩 膜板中如图 la所示的正常裂隙， 在后续的加热过程中、 沿裂隙方向极易导致 如图 ib所示的裂隙变形， 这直接影响着 AMOLED产品在蒸鍍过程中形成的 图形质量。
所以， 现在亟需一种用于蒸镀时蒸镀效果较好的掩模板， 使其避免发生 变形， 从而影响 AMOLED产品的蒸镀效果。
本发明的实施例提供了一种掩膜板及其制作方法， 以提高蒸镀过程中形 成的图形质量。
为达到上述目的， 本发明的实施例采用如下技术方案：
一种掩模板， 包括图案区域以及所述图案区域外围的辅助区域， 并且所 述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度。 进一步的， 厚度大的所述辅助区域中的至少一部分区域的图形为封闭式 的或半封闭式的。
可选的， 所述图案区域为方形， 半封闭式的所述辅助区域中的至少一部 分区域位于所述图案区域四角的外部， 并具有 "L型"、 "Τ型"或 "十字型" 中的一种或几种图形。
可选的， 由多张金属掩膜板组合使用的金属掩膜板在一个角的位置处形 成有不同方向的 "L型"图形， 在两个角相邻的位置处形成有不同方向的 "Τ 型" 图形， 在四个角相邻的位置处形成有 "十字型" 图形。
可选的， 所述图案区域为方形， 封闭式的所述辅助区域中的至少一部分 区域位于所述图案区域的外部， 并具有 "方形" 图形。
一种制作上述任一项技术方案所提供的掩模板的方法， 包括：
提供第一片材；
在所述第一片材上形成图案区域和所述图案区域外围的辅助区域； 对所述辅助区域进行加工， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度 大于所述图案区域的厚度。
其中， 在所述第一片材上形成图案区域和所述图案区域外围的辅助区域 包括：
对所述第一片材的构图部分进行构图， 以在所述第一片材上的构图部分 形成图案区域、 并在所述第一片材上除构图部分外的其余部分形成所述图案 区域外围的辅助区域。
进一步的， 所述掩膜板为金属掩膜板， 对所述辅助区域进行加工， 使所 述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度包括：
在所述辅助区域和所述图案区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述辅助区域使用第一掩模板进行曝光， 形成光刻胶 的光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶去除区域对应所述厚度大 的辅助区域中的至少一部分区域， 所述光刻胶保留区域对应所述辅助区域中 的其余区域以及图案区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶， 以形成与所述第一掩模板的图形相同的 第一电祷基板； 对所述第一电铸基板进行电铸加工， 以在光刻胶去除区域电祷生长形成 金属层， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚 度；
除去所述光刻胶保留区域的光刻胶。
其中， 对所述第一电铸基板进行电铸加工， 以在光刻胶去除区域电祷生 长形成金属层包括：
将所述第一电铸基板放入具有电铸溶液的电祷橹中；
对所述电祷槽通电， 使电铸溶液中的电铸金属材料以所述第一电铸基板 为生长基进行电铸生长， 并使所述第一电铸基板上生长的金属层达到所需厚 可选的， 所述电铸金属 料为因瓦合金或铁。
可选的， 所述所需厚度为 10- 50 m。
可选的， 所述构图部分为第一片材上预设要形成掩膜板图案的区域。 一种制作上述任一项技术方案所提供的掩模板的方法， 包括；
提供第二片材；
在所述第二片材上形成图案区域和所述图案区域外围的辅助区域； 对全部所述图案区域以及部分所述辅助区域进行减薄， 使所述辅助区域 中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度； 或者，
对全部所述图案区域进行减薄， 使所述辅助区域的厚度大于所述图案区 域的厚度。
进一步的， 对全部所述图案区域以及部分所述辅助区域进行减薄， 使所 述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度包括：
在所述图案区域和所述辅助区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述图案区域和所述辅助区域使 第二掩模板进行曝 光， 形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶保留区域对应所述 辅助区域中的至少一部分区域， 所述光刻胶去除区域对应所述图案区域以及 所述辅助区域中的其余区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶；
对光刻胶去除区域进行刻蚀减薄， 以使所述辅助区域中的至少一部分区 域的厚度大于所述图案区域的厚度；
除去光刻胶保留区域的光刻胶。
进一步的， 所述对全部所述图案区域进行减薄， 使所述辅助区域中的厚 度大于所述图案区域的厚度包括：
在所述图案区域和所述辅助区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述图案区域和所述辅助区域使 ffi第二掩模板进行曝 光， 形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶保留区域对应所述 辅助区域， 所述光刻胶去除区域对应所述图案区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶；
对光刻胶去除区域进行刻蚀减薄， 以使所述辅助区域的厚度大于所述图 案区域的厚度；
除去光刻胶保留区域的光刻胶。可选的，所述第二片材的厚度约为 50- 00 μ m。
本发明的实施例提供了一种掩膜板及其制作方法，与现有的掩膜板相比， 本发明的实施例提供的掩膜板对图案区域以外的辅助区域进行了加厚， 使得 所述辅助区域中的至少一部分的厚度大于所述图案区域的厚度。 对所述辅助 区域进行加厚可使形成的掩膜板在通过拉伸技术悍接在金属框上) ¾于蒸镀 时， 有效地防止掩膜板中的裂隙在后续加热中发生沿裂隙方向的变形， 丛而 可以提高蒸镀过程中形成的图形质量。
图 1为现有技术中掩膜板的示意图；
图 2为本发明的实施例提供的掩膜板的示意图；
图 3为本发明的实施例提供的一种制作掩膜板的方法的流程图； 图 4为本发明的实施例提供的另一种制作掩膜板的方法的流程图。
下面将结合本发明的实施例中的附图， 对本发明的实施例中的技术方案 进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施 例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在 没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的 范围。
下面结合 f†图对本发明的实施例提供的一种掩膜板及其制作方法进行详 细描述。
本发明的实施例提供了一种掩模板， 如图 2所示， 所述掩膜板包括图案 区域 A以及图案区域 A外围的辅助区域 B，并且辅助区域 B中的至少一部分 区域 C的厚度大于图案区域 A的厚度。
本发明的实施例提供了一种掩膜板， 与现有的掩膜板相比， 本发明的实 施例提供的掩膜板对图案区域以外的辅助区域进行了加厚， 使得辅助区域中 的至少一部分的厚度大于图案区域的厚度。 对辅助区域进行加厚可使形成的 掩膜板在通过拉伸技术銲接在金属框上用于蒸镀时， 有效地防止掩膜板中的 裂隙在后续加热中发生沿裂隙方向的变形， 丛而可以提高蒸镀过程中形成的 图形质量。
上述的掩膜板的.材质可有多种选择， 例如可为金属、 不锈钢、 玻璃等。 下面以金属掩膜板为例进行说明。
本实施例中， 所述辅助区域 B中厚度大的所述辅助区域中的至少一部分 区域 C的图形为封闭式的或半封闭式的。为了对图案区域 A进行更好的加固， 在图案区域 A外部的辅助区域 B的图形可根据生产的实际需要进行选择， 可 以是封闭式的， 也可为半封闭式的， 其中， 半封闭式的还可以是在图案区域 四角的外部进行加厚， 本发明的实施例中优选为半封闭式的， 因为只要在所 述图案区域四角外部的所述辅助区域中进行加厚， 就可以很好地保证所述图 案区域中的裂隙在蒸鍍的加热过程中不发生变形。
可选的， 所述图案区域为方形， 半封闭式的所述辅助区域中的至少一部 分区域位于所述图案区域四角的外部， 并具有 "L型"、 "T型"或 "十字型" 中的一种或几种图形。 当选择半封闭式且在所述图案区域四角外部的辅助区 域进行加厚时， 多张金属掩膜板组合使 ^的金属掩膜板在一个角的位置处 可形成有不同方向的 "L 型" 图形， 在两个角相邻的位置处可形成有不同方 向的 "T 型" 图形， 在四个角相邻的位置处可形成有 "十字型" 图形。 在选 择半封闭式的图形进行加厚时， 不仅可以选择在所述图案区域四角外部的辅 助区域进行加厚，还可以选择在图案区域四角以外的外部辅助区域进行加厚， 其目的是为了让金属掩膜板在蒸镀的加热过程中避免发生裂隙沿裂隙方向的 变形。 需要说明的是， 为了在蒸镀过程中可以使蒸镀得到的产品的形状具有 规则的图像， 在本实施例中， 所述图案区域的形状可为方形， 当然根据蒸镀 形成的产品形状的不同， 所述图案区域的形成还可以为其他形状， 如多边形、 圆形或者梯形等， 这些本发明不做限制。
可选的， 封闭式的所述至少一部分区域位于所述图案区域的外部， 并具 有 "方形" 图形。 由于所述图案区域的形状为方形， 所以在对所述图案区域 外部的辅助区域进行整体加厚时， 所述图案区域的辅助区域也具有 "方形" 的图形。
相应的， 本发明的实施例提供了一种制作本发明实施例提供的掩模板的 方法， 如图 3所示， 包括：
步骤 31 : 提供第一片村；
步骤 32: 在所述第一片材上形成图案区域和所述图案区域外围的辅助区 域；
步骤 33 : 对所述辅助区域进行加工， 使所述辅助区域中的至少一部分区 域的厚度大于所述图案区域的厚度。
本发明的实施例提供了一种掩膜板的制作方法， 该方法通过对金属掩膜 板图案区域以外的辅助区域进行加工， 使得所述辅助区域中的至少一部分的 厚度大于所述图案区域的厚度。 由该方法制作得到的掩膜板在通过拉伸技术 悍接在金属框上用于蒸镀时， 可有效地防止掩膜板中的裂隙在后续加热中发 生沿裂隙方向的变形， 从而可以提高蒸镀过程中形成的图形质量。
其中， 在步骤 32中， 在所述第一片材上形成图案区域 Α和图案区域 A 外围的辅助区域 B包括：
对所述第一片材的构图部分进行构图， 以在所述第一片材上的构图部分 形成图案区域 A、 并在所述第一片材上除构图部分外的其余部分形成图案区 其中， 所述构图部分是指金属片材上预设要形成图案的区域， 如制作显 示面板所用的掩膜板的制作方法中， 所述构图部分为第一片材上预设要形成 掩膜板图案的区域， 对于用于在母板基板上构图的掩膜板来说， 由于同一次 掩膜工艺要形成多个显示面板（单个 pand ) 的图案， 因此， 所述第一片材上 具有多个对应各个 pand的构图部分， 相应的， 通过对第一片材的构图之后， 多个上述的构图部分形成掩膜板上对应各个 pand的图案区域。即所述构图部 分和图案区域都是对应同样的区域，构图部分指的是第一片材上的相应部分， 还未形成有图案， 图案区域指的是掩膜板上的相应部分， 形成有图案。 如图 2所示，掩膜板的图案区域 A—般位于对应各个 panel区域的中央部分，掩膜 板的辅助区域 B—般位于对应各个 pand区域的四周部分。
在本步骤中， 先利用构图工艺在所述第一片材上形成图案区域以及所述 图案区域以外的辅助区域， 即对所述第一片材依次进行涂覆光刻胶、 曝光、 显影及刻蚀工序， 并在刻蚀后移除剩余的光刻胶， 以在所述第一片材的构图 部分形成图案区域 A， 并同时形成所述图案区域以外的辅助区域。
进一歩的， 在步骤 33中， 所述掩膜板为金属掩膜板， 对所述辅助区域进 行加工， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚 度包括：
在所述辅助区域和所述图案区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述辅助区域使用第一掩模板进行曝光， 形成光刻胶 的光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶去除区域对应所述厚度大 的辅助区域中的至少一部分区域， 所述光刻胶保留区域对应所述辅助区域中 的其余区域以及图案区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶， 以形成与所述第一掩模板的图形相同的 第一电铸基板；
对所述第一电铸基板进行电铸加工， 以在光刻胶去除区域电铸生长形成 金属层， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚 度；
除去所述光刻胶保留区域的光刻胶。
在本步骤中， 利用电铸加工的方法对所述辅助区域进行加厚， 为了得到 所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度的金属掩 膜板， 首先需得到匹配该图形的第一电铸基板， 即对所述辅助区域进行涂覆 光刻胶及使用第一掩模板进行曝光， 在除去光刻胶去除区域的光刻胶后形成 与所述第一掩模板的图形相同的第一电铸基板， 然后将所述第一电铸基板中 除去光刻胶的部分利^电铸加工的方法进行生长， 以形成所述辅助区域中的 至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度的图形。 其中， 当在所述辅 助区域和所述图案区域中涂覆的光刻胶为正性光刻胶时， 本步骤中的所述光 刻胶去除区域对应的是曝光区域，所述光刻胶保留区域对应的是未曝光区域; 反之， 在所述辅助区域和所述图案区域中涂覆的光刻胶为负性光刻胶时， 本 步骤中的所述光刻胶去除区域对应的是未曝光区域， 所述光刻胶保留区域对 应的是曝光区域。 需要说明的是， 所述第一掩膜板并非本发明的实施例提供 的掩膜板， 而是为了制备本发明实施例提供的掩膜板而在中间过程中需要使 )¾到的掩膜板。
其中， 对所述第一电铸基板进行电铸加工， 以在光刻胶去除区域电祷生 长形成金属层包括：
将所述第一电铸基板放入具有电铸溶液的电铸槽中；
对所述电祷槽通电， 使电铸溶液中的电铸金属材料以所述第一电铸基板 为生长基进行电铸生长， 并使所述第一电铸基板上生长的金属层达到所需厚 f存
乂。
在本步骤中， 利用电铸的原理使所述第一电铸基板中除去光刻胶的部分 利用电铸加工的方法得以生长， 其中， 电铸的原理为将预先按所需形状制成 的所述第一电铸基板作为阴极， 将电铸材料作为阳极， 二者一同放入与阳极 材料相同的电铸金属材料溶液中， 通以直流电。 在电解作用下， 所述第一电 铸基板表面逐渐沉积出金属层， 达到所需的厚度后丛溶液中取出， 将金属层 与所述第一电铸基板进行分离， 以获得与所述第一电铸基板形状相反的金属 件。
其中， 所述电铸金属材料应与阳极材料， 即与所述第一电铸基板的^料 相同， 可选的， 所述电铸金属材料为因瓦合金或铁。 为了在蒸镀过程中能够 制备得到显示画面可以拥有更高的细腻度， 通常在制作金属掩模板时所选用 的金属材料为膨胀系数低的因瓦合金， 但由于其强度和硬度均不够， 所以本 发明的实施例提供的在所述辅助区域中形成至少一部分区域的厚度大于所述 图案区域厚度的掩模板对防止裂隙沿裂隙方向导致的变形显得尤为重要。
为了得到所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的 厚度的图形， 其中， 所述辅助区域中的至少一部分区域大于所述图案区域的 这部分厚度即为利用电铸加工的方法在所述第一电铸基板上除去光刻胶的部 分生长出的金属层的厚度，可选的，所述所需厚度为 10-50 μ m，优选的为 25-30 μ ιτη。 由该厚度范围内的金属层制得的金属掩模板， 厚度较薄， 应^在蒸镀 过程中时， 可以使显示画面拥有更高的细腻度。
相应的， 本发明的实施例还提供了另外一种制作上述任一实施例所提供 的掩模板的方法， 如图 4所示， 包括：
步骤 41 : 提供第二片 ；
步骤 42: 在所述第二片村上形成图案区域和所述图案区域外围的辅助区 步骤 43 : 对全部所述图案区域以及部分所述辅助区域进行减薄， 使所述 辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度。
在上述步骤 43中， 还可以对全部所述图案区域进行减薄， 使所述辅助区 域的厚度大于所述图案区域的厚度。 即所述辅助区域的全部区域的厚度都大 于所述图案区域的厚度。
本发明的实施例还提供了另外一种掩膜板的制作方法， 该方法利 减薄 的方法对掩膜板的图案区域以外的辅助区域进行了加厚， 使得辅助区域中的 至少一部分的厚度大于图案区域的厚度。 由该方法制作得到的掩膜板在通过 拉伸技术銲接在金属框上用于蒸镀时， 可有效地防止掩膜板中的裂隙在后续 加热中发生沿裂隙方向的变形， 丛而可以提高蒸镀过程中形成的图形质量。
进一歩的， 在上述步骤 43中， 对全部所述图案区域以及部分所述辅助区 域进行减薄， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域 的厚度包括：
在所述图案区域和所述辅助区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述图案区域和所述辅助区域使] ¾第二掩模板进行曝 光， 形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶保留区域对应所述 辅助区域中的至少一部分区域， 所述光刻胶去除区域对应所述图案区域以及 所述辅助区域中的其余区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶；
对光刻胶去除区域进行刻蚀减薄， 以使所述辅助区域中的至少一部分区 域的厚度大于所述图案区域的厚度。
相应的， 如果在上述步骤 43中， 对全部所述图案区域进行减薄， 使所述 辅助区域的厚度大于所述图案区域的厚度， 则该步骤具体为：
在所述图案区域和所述辅助区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述图案区域和所述辅助区域使 ffi第二掩模板进行曝 光， 形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶保留区域对应所述 辅助区域， 所述光刻胶去除区域对应所述图案区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶；
对光刻胶去除区域进行刻蚀减薄， 以使所述辅助区域的厚度大于所述图 案区域的厚度；
除去光刻胶保留区域的光刻胶。
在本步骤中， 先同时对所述图案区域和所述辅助区域进行涂覆光刻胶以 及使用第二掩模板进行曝光， 以形成对应光刻胶去除区域的所述图案区域以 及所述辅助区域中的其余区域， 并继续对这些区域进行刻蚀减薄， 以形成所 述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度的图形。 在 本步骤中， 由于是利) ¾刻蚀减薄的方法对所述第二片材进行加工， 所以， 所 述第二片材的厚度应相对较厚一些，可选的，所述第二片材的厚度约为 50-100 u m, 以便于在所述第二片材中进行两次刻蚀减薄， 从而制作得到所需厚度 范围的图形。 其中， 当在所述图案区域和所述辅助区域中涂覆光刻胶为正性 光刻胶或负性光刻胶时， 所述光刻胶去除区域和所述光刻胶保留区域与曝光 区域和未曝光区域的对应情况在上述已进行说明， 这里不再贅述。 需要说明 的是， 所述第二掩膜板并非本发明实施例提供的掩膜板， 而是为了制备本发 明的实施例提供的掩膜板而在中间过程中需要使用到的掩膜板。
显然， 上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例， 而并非对实施方式 的限定。 对于所属领域的普通技术人员来说， 在上述说明的基础上还可以做 出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。 而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围。

Claims

1 . 一种掩模板，其中，包括图案区域以及所述图案区域外围的辅助区域， 并 所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度。
2. 根据权利要求 1所述的掩模板， 其中， 厚度大于所述图案区域的厚度 的所述辅助区域中的至少一部分区域的图形为封闭式的或半封闭式的。
3. 根据权利要求 2所述的掩模板， 其中， 所述图案区域为方形， 半封闭 式的所述辅助区域中的至少一部分区域位于所述图案区域四角的外部， 并具 有 "L型"、 "Τ型"或 "十字型" 中的一种或几种图形。
4. 根据权利要求 3所述的掩模板， 其中， 由多张金属掩膜板组合使用的 金属掩膜板在一个角的位置处形成有不同方向的 "L 型" 图形， 在两个角相 邻的位置处形成有不同方向的 "Τ 型" 图形， 在四个角相邻的位置处形成有
"十字型" 图形。
5. 根据权利要求 2所述的掩模板， 其中， 所述图案区域为方形， 封闭式 的所述辅助区域中的至少一部分区域位于所述图案区域的外部， 并具有 "方 形" 图形。
6. —种制作权利要求 1-5中任一项所述的掩模板的方法， 包括： 提供第一片材；
在所述第一片材上形成图案区域和所述图案区域外围的辅助区域； 对所述辅助区域进行加工， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度 大于所述图案区域的厚度。
7. 根据权利要求 6所述的制作方法， 其中， 在所述第一片材上形成图案 区域和所述图案区域外围的辅助区域包括：
对所述第一片材的构图部分进行构图， 以在所述第一片材上的构图部分 形成图案区域、 并在所述第一片材上除构图部分外的其余部分形成所述图案 区域外围的辅助区域。
8. 根据权利要求 6或 7所述的制作方法， 其中， 所述掩膜板为金属掩膜 板， 对所述辅助区域进行加工， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度 大于所述图案区域的厚度包括： 在所述辅助区域和所述图案区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述辅助区域使用第一掩模板进行曝光， 形成光刻胶 的光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶去除区域对应所述厚度大 的辅助区域中的至少一部分区域， 所述光刻胶保留区域对应所述辅助区域中 的其余区域以及图案区域；
除去所述光刻胶去除区域的光刻胶， 以形成与所述第一掩模板的图形相 同的第一电祷基板；
对所述第一电铸基板进行电铸加工， 以在光刻胶去除区域电祷生长形成 金属层， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚 除去所述光刻胶保留区域的光刻胶。
9. 根据权利要求 8所述的制作方法， 其中， 对所述第一电铸基板进行电 铸加工， 以在光刻胶去除区域电铸生长形成金属层包括：
将所述第一电铸基板放入具有电铸溶液的电铸槽中；
对所述电祷槽通电， 使电铸溶液中的电铸金属材料以所述第一电铸基板 为生长基进行电铸生长， 并使所述第一电铸基板上生长的金属层达到所需厚 f存
10. 根据权利要求 9所述的制作方法， 其中， 所述电铸金属材料为因瓦 合金或铁。
11 .根据权利要求 9或 10所述的制作方法，其中，所述所需厚度为 10 50 μ m
12. 根据权利要求 7- 10中任一项所述的制作方法， 其中， 所述构图部分 为第一片材上预设要形成掩膜板图案的区域。
13. 一种制作权利要求 1-5中任一项所述的掩模板的方法， 包括： 提供第二片材；
在所述第二片材上形成图案区域和所述图案区域外围的辅助区域； 对全部所述图案区域以及部分所述辅助区域进行减薄， 使所述辅助区域 中的至少一部分区域的厚度大于所述图案区域的厚度； 或者，
对全部所述图案区域进行减薄， 使所述辅助区域的厚度大于所述图案区 域的厚度。
14. 根据权利要求】3所述的制作方法， 其中， 对全部所述图案区域以及 部分所述辅助区域进行减薄， 使所述辅助区域中的至少一部分区域的厚度大 于所述图案区域的厚度包括：
在所述图案区域和所述辅助区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述图案区域和所述辅助区域使 ffi第二掩模板进行曝 光， 形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶保留区域对应所述 辅助区域中的至少一部分区域， 所述光刻胶去除区域对应所述图案区域以及 所述辅助区域中的其余区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶；
对光刻胶去除区域进行刻蚀减薄， 以使所述辅助区域中的至少一部分区 域的厚度大于所述图案区域的厚度；
除去光刻胶保留区域的光刻胶。
15. 根据权利要求 13所述的制作方法， 其中， 所述对全部所述图案区域 进行减薄， 使所述辅助区域中的厚度大于所述图案区域的厚度包括：
在所述图案区域和所述辅助区域中涂覆光刻胶；
对涂覆有光刻胶的所述图案区域和所述辅助区域使) ¾第二掩模板进行曝 光， 形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域， 所述光刻胶保留区域对应所述 辅助区域， 所述光刻胶去除区域对应所述图案区域；
除去光刻胶去除区域的光刻胶；
对光刻胶去除区域进行刻蚀减薄， 以使所述辅助区域的厚度大于所述图 案区域的厚度；
除去光刻胶保留区域的光刻胶。
16. 根据权利要求 13-15 中的任一项所述的制作方法， 其特征在于， 所 述第二片材的厚度约为 50- 100 μ m。
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