WO2015098609A1 - ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法 - Google Patents

ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015098609A1
WO2015098609A1 PCT/JP2014/083209 JP2014083209W WO2015098609A1 WO 2015098609 A1 WO2015098609 A1 WO 2015098609A1 JP 2014083209 W JP2014083209 W JP 2014083209W WO 2015098609 A1 WO2015098609 A1 WO 2015098609A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
handle
semiconductor
alumina
donor
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/083209
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
杉夫 宮澤
康範 岩崎
達朗 高垣
井出　晃啓
中西　宏和
Original Assignee
日本碍子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本碍子株式会社 filed Critical 日本碍子株式会社
Priority to CN201480019693.7A priority Critical patent/CN105074870B/zh
Priority to KR1020157021527A priority patent/KR101570958B1/ko
Priority to EP14873693.7A priority patent/EP2978009B1/en
Priority to JP2015518488A priority patent/JP5781254B1/ja
Publication of WO2015098609A1 publication Critical patent/WO2015098609A1/ja
Priority to US14/853,011 priority patent/US9425083B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00—Compounds of aluminium
    • C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C04B35/115—Translucent or transparent products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/001—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating directly with other burned ceramic articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

半導体用複合基板のハンドル基板２Ａが多結晶透光性アルミナからなり、多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が９９．９％以上であり、多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が６０％以上であり、多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１５％以下である。

Description

ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法
　本発明は、ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法に関するものである。
　従来、Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｑｕａｒｔｚ（ＳＯＱ）、Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ（ＳＯＧ）、Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ （ＳＯＳ）と呼ばれる、ハンドル基板を透明・絶縁基板で構成したＳＯＩや、ＧａＮ、ＺｎＯ、ダイアモンド、ＡｌＮ等の透明ワイドギャップ半導体をシリコン等のドナー基板に接合することで得られた貼り合わせウェーハが知られている。ＳＯＱ、ＳＯＧ、ＳＯＳなどは、ハンドル基板の絶縁性・透明性などからプロジェクター、高周波デバイスなどへの応用が期待されている。またワイドギャップ半導体の薄膜をハンドル基板に複合化した貼り合わせウェーハは、高性能レーザーやパワーデバイスなどへの応用が期待される。
　こうした半導体用の複合基板は、ハンドル基板とドナー基板とからなっており、一般的にハンドル基板やドナー基板は単結晶材料からなる。従来は、ベース基板上にシリコン層をエピタキシャル成長により形成する方法が主流であったが、近年直接接合により形成する方法が開発され、半導体デバイスの性能改善に寄与している。（特許文献１、２、３）。すなわち、こうしたハンドル基板とドナー基板とは、接合層や接着層を介して接合されるか、あるいは直接接合される。
　しかし、サファイアは高価であることから、コストダウンのためには、サファイア以外の材料の基板をハンドル基板として用いることが望まれる。上述した接合技術の進歩に伴い、石英、ガラス、アルミナといったサファイア以外の材質からなるハンドル基板も各種提案されている（特許文献４、５、６、７）。
　このような半導体デバイスは、搭載させる機器の高機能化や小型化に伴い、低背化が必須となっており、貼り合せによって形成された複合基板の半導体デバイスが構成された側の主面（回路側の主面）の反対側の主面（対向面）を研削、研磨、エッチング等の加工をすることで、薄肉化する。複合基板の厚さが薄くなると、基板の反りが発生し易くなり、ハンドリングに支障をきたす。このたため、複合基板の回路側の主面に別体の支持基板を接着することによって、ハンドリングを可能とする方法が知られている（特許文献８）。
特開平08-512432 特開2003-224042 特開2010-278341 WO　2010/128666　A1 特開平05-160240 特開平05-160240 特開2008-288556 特開2005-191550 PCT/JP2013/069284 特開２０１０－２５８３４１
　複合基板の回路側の主面に別体の支持基板を接着する際、後から複合基板を支持基板から剥離させることを考慮し、紫外線硬化により粘着性を失うもの、熱硬化により粘着性を失うもの、または、特定の溶剤に溶解可能といった特徴を持つ接着剤が提案されている。しかし、熱や溶剤によってデバイスに与えられるダメージを考慮すると、紫外線硬化接着剤が、熱や溶剤によるダメージなく支持基板をはがすことができるため、望ましい。
　複合基板と別体の支持基板との間に紫外線硬化型樹脂を介在させた状態で、紫外線を紫外線硬化型樹脂に対して照射する際には、紫外線を支持基板側から照射してもよく、複合基板側から照射してもよいはずである。
　しかし、支持基板側から紫外線を照射する場合、支持基板の材質は紫外線を透過する材料でなければならない。支持基板には、接着後の裏面加工プロセスに応じ、機械的強度、耐薬品性、接着する基板との熱膨張マッチングといった特性が必須であるため、更に紫外線に対する透過性まで必要となった場合、材質の選択の幅が狭まるため、生産性の観点から好ましくない。この観点からは、複合基板側から紫外線を照射することが好ましいと言える。
　しかし、本発明者の検討によると、複合基板に対して支持基板を紫外線硬化型樹脂で接着し、ハンドル基板側から紫外線を照射して樹脂を硬化させると、この後に複合基板を支持基板から剥離させるときに、複合基板の割れや剥離不良が生じ、歩留りが低下することがあった。
　本発明の課題は、ハンドル基板側から紫外線を照射して紫外線硬化型樹脂を硬化させ、次いで複合基板を支持基板から剥離させるときに、複合基板の割れや剥離不良を抑制することである。
　本発明は、半導体用複合基板のハンドル基板であって、
　ハンドル基板が多結晶透光性アルミナからなり、多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が９９．９％以上であり、多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が６０％以上であり、多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１５％以下であることを特徴とする。
　また、本発明は、前記ハンドル基板、およびハンドル基板の接合面に対して接合されているドナー基板を有することを特徴とする、半導体用複合基板に係るものである。
　また、本発明は、前記半導体用複合基板、および前記ドナー基板上に設けられている回路を有することを特徴とする、半導体回路基板に係るものである。
　また、本発明は、ハンドル基板、ハンドル基板の接合面に対して接合されているドナー基板、およびドナー基板上に設けられている回路を有する半導体回路基板を製造する方法であって、
　多結晶透光性アルミナからなり、接合面と対向面とを有する基材、この基材の接合面に対して接合されているドナー基板、および前記ドナー基板上に設けられている回路を有する部品を得る工程であって、前記多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が９９．９％以上であり、前記多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が６０％以上であり、前記多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１５％以下である工程；
　前記基材を前記対向面側から加工し、前記基材の厚さを小さくすることによって前記ハンドル基板を形成する工程；および
　前記ドナー基板と支持基板との間に紫外線硬化型接着剤を介在させた状態で、２００～４００ｎｍの波長範囲の紫外線を前記ハンドル基板側から前記紫外線硬化型樹脂へと照射することによって紫外線硬化型樹脂を硬化させることを特徴とする。
　本発明によれば、ハンドル基板側から紫外線を照射して紫外線硬化型樹脂を硬化させ、次いで複合基板を支持基板から剥離させるときに、複合基板の割れや剥離不良を抑制することができる。
（ａ）は、ハンドル基板の基材２、ドナー基板３、紫外線硬化型樹脂５および支持基板６からなる部品１を示す模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の基材２を薄くした状態を示す模式図である。 （ａ）は、図1（ｂ）の部品に対してダイシング溝９を形成した状態を示す模式図であり、（ｂ）は、切断後の半導体回路基板１０を示す模式図である。 （ａ）は、本発明における紫外線の照射状態を示す模式図であり、（ｂ）は、比較例における紫外線の照射状態を示す模式図である。 前方全光線透過率の測定法を説明するための模式図である。 直線透過率の測定法を説明するための模式図である。 結晶粒径の測定方法を説明するための模式図である。
　以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。
　図１（ａ）に示すように、多結晶透光性アルミナからなる基材２を準備する。基材２の一対の主面のうち一方は接合面２ａであり、他方は対向面２ｂである。基材２の接合面２ａにドナー基板３を接合し、ドナー基板３上に回路４を形成する。次いで、ドナー基板３と別体の支持基板６との間に紫外線硬化型樹脂５を介在させることで、両者を粘着させ、部品１を作製する。
　次いで、図１（ｂ）に示すように、基材２を加工して薄板化し、ハンドル基板２Ａを得る。これによって照射前の部品１Ａが作製される。なお、図１（ｂ）において、破線の領域８は、基材２から除去された領域を示し、２ｃは、薄板化加工後の対向面を示す。
　次いで、図２（ａ）に示すように、部品１Ａにダイシング溝９を形成し、大寸法の複合基板７Ａを多数の複合基板７Ｂに分割する。ここで、ダイシング溝９は、複合基板７Ｂを分離するが、更に紫外線硬化型樹脂５まで分割することが好ましい。
　次いで、図３（ａ）に示すように、ハンドル基板２Ａの対向面２ｃ側から紫外線を矢印Ａのように照射する。紫外線は、ハンドル基板２Ａ、ドナー基板３を透過し、紫外線硬化型樹脂５に照射され、樹脂５を硬化させる。
　ここで、従来は、図３（ｂ）に示すように、ハンドル基板１２を透過した紫外線は、回路４の隙間１６を矢印Ｂのように直進し、紫外線硬化型樹脂５を硬化させる。一方、回路に対して矢印Ａのように入射した紫外線は回路を透過できず、回路の上方には影の領域１７が生ずる。この結果、領域１７では紫外線硬化型樹脂の硬化が進まず、粘着性が維持される一方、隙間１６上の領域では樹脂の硬化が進み、粘着性が喪失する。この状態で複合基板を支持基板から剥離させると、隙間１６上の領域では剥離が簡単に生ずるが、影の領域１７では粘着性が残っているので、剥離時の応力が複合基板に均等に加わらない。この結果、複合基板を支持基板から剥離させるときに、複合基板の割れや剥離不良が生じやすいものと考えられる。
　これに対して、本発明では、ハンドル基板を構成する多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値を６０％以上とすることで、紫外線を効率的に樹脂５へと矢印Ｂのように照射しつつ、同時にその直線透過率を１５％以下と低くすることで、矢印Ｃのように紫外線をハンドル基板内で散乱させる。ドナー基板３は薄いので、ハンドル基板で散乱した紫外線は、回路４の上方にも効率的に照射され、影が生じにくくなる。この結果、紫外線照射後の樹脂５が均等に硬化するので、複合基板を支持基板から剥離させるときに、複合基板の割れや剥離不良が抑制される。
　以下、本発明の各構成要素について更に述べる。
（半導体用複合基板）
　本発明の複合基板は、プロジェクター用発光素子、高周波デバイス、高性能レーザー、パワーデバイス、ロジックＩＣなどに利用できる。
（ドナー基板）
　複合基板は、本発明のハンドル基板と、ドナー基板とを含む。
　ドナー基板の材質は、特に限定されないが、好ましくは、シリコン、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、酸化亜鉛及びダイアモンドからなる群から選択される。ドナー基板の厚さは、特に限定されないが、通常のＳＥＭＩ／ＪＥＩＴＡ規格近傍のものがハンドリングの関係から扱いやすい。
　ドナー基板は、上述の材質を有し、表面に酸化膜を有していてもよい。酸化膜を通してイオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られるからである。酸化膜は、好ましくは５０～５００ｎｍの厚さを有する。酸化膜を有するドナー基板もドナー基板に含まれ、特に区別しない限り、ドナー基板と称する。
（ハンドル基板）
　ハンドル基板の厚さは、特に限定されないが、通常のＳＥＭＩ／ＪＥＩＴＡ規格近傍のものがハンドリングの関係から扱いやすい。具体的には、ハンドル基板の厚さは、直径が１００mmのウェハの場合は５２５μｍ、直径１５０ｍｍの場合は６２５μｍ、直径２００ｍｍの場合は７２５μｍ、直径３００ｍｍの場合は７７５μｍとすることが好ましい。また、ハンドル基板にはキャビティを設けることもできる。
　ハンドル基板の材質は、上述の多結晶透光性アルミナであり、多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が６０％以上である。これによって紫外線硬化型樹脂への照射光量を増大させることができる。この観点からは、多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が６５％以上であることが更に好ましい。
　また、ハンドル基板を構成する多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１５％以下である。これによって、ハンドル基板を透過する光を散乱して紫外線硬化型樹脂の硬化を均一にすることができる。この観点からは、前記多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１０％以下であることが更に好ましい。
　前記前方全光線透過率は、図４の測定装置４０によって得られた測定値に基づいて算出する。図４の測定装置は、積分球４１の開口部を試料Ｓ（厚さ１ｍｍ）で塞ぎ、穴４４（直径φ３ｍｍ）を有するプレート４２を試料Ｓの上面に載置し、その状態で光源４６からの光を穴４４を通して試料Ｓへ照射し、積分球４１を用いて試料Ｓを通過してきた光を集め、その光の強度を検出器４８により測定するものである。前方全光線透過率は、以下の式により求める。
 
　前方全光線透過率＝１００×（測定した光の強度）／（光源の強度）
 
　前記直線透過率は以下のようにして求めた値である。
　基本的には前方全光線透過率と同様に測定する。ただし、図５に示すように、試料Ｓと積分球４１の距離を８０ｍｍと離し、積分球４１の開口部の寸法をφ１０ｍｍとし、試料Ｓから直線方向に開口部を通過した光のみを集め、その光強度を測定する。
　また、本明細書における紫外線は、波長２００以上、４００ｎｍ以下の光線を意味する。
　前記多結晶透光性アルミナのアルミナ純度は９９．９％以上である。
　また、前記多結晶透光性アルミナの相対密度は、半導体の後処理に対する耐久性および汚染防止の観点から、９８％以上とすることが好ましく、９９％以上とすることが更に好ましい。
　前記多結晶透光性アルミナの平均結晶粒径は、５～６０μｍとすることが好ましく、これにより、接合面の平滑性を確保しやすい。この観点からは、前記多結晶透光性アルミナの平均結晶粒径は、１０～５０μｍとすることが更に好ましい。
　なお、結晶粒子の平均粒径は以下のようにして測定するものである。
（１）　焼結体の断面を鏡面研磨、サーマルエッチングして粒界を際立たせた後、顕微鏡写真（１００～２００倍）を撮影し、単位長さの直線が横切る粒子の数を数える。これを異なる３箇所について実施する。なお、単位長さは５００μｍ～１０００μｍの範囲とする。
（２）　実施した３箇所の粒子の個数の平均をとる。
（３）　下記の式により、平均粒径を算出する。
　［算出式］
　　　　Ｄ＝（４／π）×（Ｌ／ｎ）
　　　［Ｄ：平均粒径、Ｌ：直線の単位長さ、ｎ：３箇所の粒子の個数の平均］
　平均粒径の算出例を図６に示す。異なる３箇所の位置において、それぞれ単位長さ（例えば５００μｍ）の直線が横切る粒子の個数が２２、２３、１９としたとき、平均粒径Ｄは、上記算出式により、
Ｄ＝（４／π）×［５００／｛（２２＋２３＋１９）／３｝］＝２９．９μｍ
となる。
　ハンドル基板の成形方法は特に限定されず、ドクターブレード法、押し出し法、ゲルキャスト法など任意の方法であってよい。特に好ましくは、基板をドクターブレード法を用いて製造する。好適な実施形態においては、セラミック粉末、分散媒および結合剤を含むスラリーをドクターブレード法によりテープ成形し、このテープを所定の形状に切り出した後、複数枚重ね加圧積層させることによって成形体を得、この成形体を焼結させる。
　好ましくは純度９９．９％以上（好ましくは９９．９５％以上）の高純度アルミナ粉末に対して、１００ｐｐｍ以上、３００ｐｐｍ以下の酸化マグネシウム粉末を添加する。このような高純度アルミナ粉末としては、大明化学工業株式会社製の高純度アルミナ粉体を例示できる。また、この酸化マグネシウム粉末の純度は９９．９％以上が好ましく、平均粒径は０．３μｍ以下が好ましい。
　原料粉末の平均粒径（一次粒子径）は特に限定されないが、低温焼結での緻密化という観点からは、０．６μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以下が更に好ましい。一層好ましくは、原料粉末の平均粒子径は０．３μｍ以下である。この平均粒径の下限は特に限定されない。原料粉末の平均粒子径は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）による原料粉末の直接観察によって決定できる。
　なお、ここでいう平均粒径とはＳＥＭ写真(倍率：Ｘ３００００。任意の２視野)上における２次凝集粒子を除く１次粒子の（最長軸長＋最短軸長）／２の値のｎ＝５００平均値のことである。
　ドクターブレード法は、以下の方法を例示できる。
（１）　セラミック粉体とともに、結合剤となるポリビニルブチラール樹脂（ＰＶＢ樹脂）、または、アクリル樹脂を、可塑剤、分散剤と共に分散媒中に分散してスラリーを調製し、ドクターブレード法にて、テープ状に成形した後、分散媒を乾燥させてスラリーを固化させる。
（２）　得られたテープを複数枚積み重ね、プレス積層またはＣＩＰ積層することで所望の厚みの基板形状の成形体を得る。
　本発明のハンドル基板を得るには、焼結温度は、焼結体の緻密化という観点から、１７００～１９００℃が好ましく、１７５０～１８５０℃が更に好ましい。さらに１４００～１６００℃の昇温速度を５０～１５０℃／ｈｒにすることが好ましい。
　また、焼成時に十分に緻密な焼結体を生成させた後に、更に追加で焼成温度でアニール処理を実施することで達成される。このアニール温度は、変形や異常粒成長発生を防止しつつ、マグネシアの排出を促進するといった観点から焼成時の最高温度±１００℃以内であることが好ましく、最高温度が１９００℃以下であることが更に好ましい。また、アニール時間は、１～６時間であることが好ましい。
　更に、アニール温度は焼成時の最高温度+０～１００℃の範囲であることが好ましい。
　上記のように成形、焼結を行い、アルミナ焼結体からなるブランク基板を得る。
　ブランク基板を精密研磨加工することによって、各結晶粒子の表面の微視的な中心線平均表面粗さＲａを小さくする。こうした研磨加工としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工が一般的であり。これに使われる研磨スラリーとして、アルカリまたは中性の溶液に３０ｎｍ～２００ｎｍの粒径を持つ砥粒を分散させたものが使われる。砥粒材質としては、シリカ、アルミナ、ダイヤ、ジルコニア、セリアを例示でき、これらを単独または組み合わせて使用する。また、研磨パッドには、硬質ウレタンパッド、不織布パッド、スエードパッドを例示できる。
　また、最終的な精密研磨加工を実施する前の粗研磨加工を実施した後にアニール処理を行うことが望ましい。アニール処理の雰囲気ガスは大気、水素、窒素、アルゴン、真空を例示できる。アニール温度は１２００～１６００℃、アニール時間は２～１２時間であることが好ましい。これにより、表面の平滑を損ねることなく、マグネシアの排出を促進することができる。
　好適な実施形態においては、ハンドル基板の表面の微視的な中心線平均表面粗さＲａが５ｎｍ以下である。これが大きいと、分子間力によって、ドナー基板の接合強度を低減させる。これは、３ｎｍ以下が更に好ましく、１ｎｍ以下が最も好ましい。なお、これは、表面に表れる各結晶粒子の露出面について原子間力電子顕微鏡によって撮像し、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に従い算出する数値のことである。
　各結晶粒表面の面粗さを微視的に観察する場合には、AFM（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）による10um視野範囲での表面形状観察が用いられる。
（接合形態）
　ハンドル基板とドナー基板との接合に用いられる技術としては、特に限定される訳ではないが、例えば表面活性化による直接接合や、接着層を用いた基板接合技術が用いられる。
　直接接合には界面活性化による低温接合技術が好適に用いられる。１０－６Ｐａ程度の真空状態にてArガスによる表面活性化を実施後、常温にてＳｉ等の単結晶材料がＳｉＯ２等の接着層を介して多結晶材料と接合されることができる。
　接着層の例としては、樹脂による接着の他に、SiO2、Al2O3、SiNが用いられる。
（回路）
　ドナー基板上の回路は、通常のフォトリソグラフィー法などによって形成することができる。また、回路は、貴金属の細線の他、はんだバンプや印刷電極などの各種電子素子を含む。
（支持基板）
　支持基板６の材質はシリコン、ガラス、石英、またはアルミナ、ＳｉＣ、ジルコニア、窒化アルミ等の各種セラミックとすることができるが、平滑加工のし易さ、熱膨張マッチング、コストの観点からシリコン、ガラスが好ましい。
　また、支持基板には、厚み方向に多数の貫通穴を設けても良い。これによって、紫外線硬化型樹脂の一部が貫通穴に入り込み、接合が強固になるとともに、剥離の際に貫通穴から剥離液を供給することができる。
（紫外線硬化型樹脂）
　紫外線硬化型樹脂としては、具体的には、（ｉ）アクリル系粘着剤、飽和コポリエステルなどの粘着剤（高分子弾性体）、（ii）紫外線硬化性成分、（iii）光重合開始剤、及び必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、可塑剤、充填剤、老化防止剤、着色剤などの慣用の添加剤を含む組成物が挙げられる。
　前記（ｉ）粘着剤のうち、アクリル系粘着剤としては、通常、（メタ）アクリル酸エステルの単独重合体又は共重合性コモノマーとの共重合体が用いられる。これらの重合体を構成するモノマー又はコモノマーとして、例えば、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、オクチルエステルなど）、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシプロピルエステルなど）、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）アクリル酸Ｎ－ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ－ブチルアミノエチルメタクリレートなど）、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどが挙げられる。主モノマーとしては、通常、ホモポリマーのガラス転移点が－５０℃以下のアクリル酸アルキルエステルが使用される。
　前記飽和コポリエステルとしては、多価アルコールと２種以上の多価カルボン酸との飽和コポリエステルが例示できる。多価アルコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４－ブタンジオールなどのグリコール類などが挙げられる。多価カルボン酸には、テレフタル酸、イソフタル酸などの芳香族ジカルボン酸；アジピン酸、セバシン酸などの脂肪族ジカルボン酸などが含まれる。多価カルボン酸として、芳香族ジカルボン酸と脂肪族ジカルボン酸とを併用する場合が多い。
　（ii）紫外線硬化性成分としては、分子中に炭素－炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー、ポリマーなどであればよく、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル；エステルアクリレートオリゴマー；２－プロペニル ジ－３－ブテニルシアヌレート、２－ヒドロキシエチル ビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレートなどのシアヌレート又はイソシアヌレート化合物などが挙げられる。
　（iii）光重合開始剤としては、その重合反応の引金となり得る適当な波長の紫外線を照射することにより開裂しラジカルを生成する物質であればよく、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどのベンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどの芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタールなどの芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン類などが挙げられる。
　前記架橋剤には、例えば、ポリイソシアネート化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、酸無水物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどが含まれる。
　さらに、こういった接着成分をフィルムに塗布した市販のダイシングシートを用いると接着作業を簡便に行うことができる（例えば、特開２０１０－２５８３４１に開示）。
（実施例１）
　以下の成分を混合したスラリーを調製した。
（原料粉末）
　・比表面積３．５～４．５ｍ２／ｇ、平均一次粒子径０．３５～０．４５μｍのα－アルミナ粉末
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００重量部
　・ＭｇＯ（マグネシア）　　　　　　２５０ｐｐｐｍ
　・ＺｒＯ２（ジルコニア）　　　　　　４００ｐｐｍ
　・Ｙ２Ｏ３（イットリア）　　　　　　　１５ｐｐｍ
（分散媒）
　・２-エチルヘキサノール　　　　　　　　　４５重量部
（結合剤）
　・ＰＶＢ樹脂　　　　　　　　　　　　　　　４重量部
（分散剤）
　・高分子界面活性剤　　　　　　　　　　　　３重量部
（可塑剤）
　・ＤＯＰ　　　　　　　　　　　　　　　０．１重量部
　このスラリーを、ドクターブレード法を用いて焼成後の厚さに換算して０．２５ｍｍとなるようテープ状に成形した。これを４層重ねプレス積層し、焼成後の厚さが１ｍｍとなる基板状の粉末成形体を得た。
　得られた粉末成形体を、大気中１１００℃で仮焼（予備焼成）の後、基板をモリブデン製の板に載せ、粒界気孔の十分な排出を行うことを目的に、上側に０．１～０．５ｍｍのすき間をあけた状態で、水素３：窒素１の雰囲気中で１４００℃から１６００℃での昇温速度を５０℃/ｈとして、１７５０℃の温度で焼成を行った。その後、基板をモリブデン製の板に載せ、基板の上にもモリブデン製のおもりを載せた状態で１７５０℃で３時間アニール処理を行った。出来上がった基板は、外径がφ４インチ、板厚が１ｍｍ、表面の平均粒径が２０μｍ、断面観察による気孔率は０．１％以下であった。焼成時に上側にすき間をあけることで、添加物（主にマグネシア等）の排出を行うとともに、重りを載せ（荷重を掛け）焼成と同等温度でアニールすることで、気孔の排出を促進することができる。
　得られた透光性アルミナ基板の、波長２００～４００ｎｍの前方全光線透過率の平均値を測定したところ、６０％であり、直線透過率の平均値は１５％であった。ハンドル基板を構成する多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が９９．９％であった。
　続いて、この基板をＧＣ（グリーンカーボン）砥粒、ダイヤモンド砥粒、ＣＭＰリキッドを順に用いて０．６ｍｍ厚に研磨し、基材２を得た。
　次に、直径φ４インチ、厚み２５０μｍの単結晶Ｓｉ基板を用意した。そして、単結晶Ｓｉ基板と上述の基材２とを、プラズマ活性化による直接接合により貼り合わせた。接合に用いた両基板は、窒素にてプラズマ処理を実施し、その後水洗処理により表面のパーティクルを除去した。両基板を、端部を押圧して密着させることにより、その押圧した部分が接合されると共に、その接合が全面へと伝播していった。この現象は、両基板がお互いに引きつけ合う力（表面間引力）により自動的に接合が進行していくものであり、非常に平滑に表面が研磨されている場合に観察される。
　両基板の接合が終了した後、単結晶Ｓｉ基板側をグラインダーで厚みが２０μｍになるまで研削し、次に、１μｍのダイヤモンド砥粒と錫定盤を用いて厚みが３μｍになるまでラップ加工した。次にコロイダルシリカとウレタンパッドを用いてポリッシュし、厚みを０．２μｍとした。このようにＳｉ基板を薄くした後、３００℃にてアニール処理を実施し、基材２とドナー基板３との複合基板を得た。
　このようにして得られた複合基板のドナー基板３上に、露光機を用いて細線パターン４を形成した。すなわち、まず、ドナー基板板上へレジストを塗布し、線幅０．４μｍのパターンが形成されたマスクを用いて露光した後、現像した。露光には、ＫｒＦレーザ（λ＝２４８ｎｍ）を用いた。
　こうして得られた半導体回路基板の回路４側の主面に、単結晶Ｓｉ基板を支持基板６として紫外線硬化型樹脂で接着した。半導体回路基板の裏面２ｂ側をグラインダーで、半導体回路基板の厚みが１２０μｍになるまで研削した。その後、形成した回路４に応じ、１ｍｍ×１ｍｍの大きさとなるように、ダイシング溝９を形成した。
　次いで、ハンドル基板２Ａ側から中心波長３６５ｎｍの紫外線を３００ｍJ／ｃｍ２照射し、紫外線硬化型樹脂５を硬化させた。次いで、支持基板６から、各半導体回路基板１０の個片を１００個剥離させたところ、１個について基板１０の割れや剥離不良が見られた。
（実施例２）
　実施例１と同様にして複合基板を作製した。ただし、得られた透光性アルミナ基板の波長２００～４００ｎｍの前方全光線透過率の平均値を測定したところ、６５％であり、直線透過率の平均値は１０％であった。ハンドル基板を構成する多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が９９．９％であった。ただし、前方全光線透過率、直線透過率を変えるために、焼成温度を１７１０℃とし、アニール温度および時間を１７１０℃×１２ｈｒに変更した。
　ここで、ハンドル基板２Ａ側から中心波長３６５ｎｍの紫外線を３００ｍJ／ｃｍ２照射し、紫外線硬化型樹脂５を硬化させた。次いで、支持基板６から、各半導体回路基板１０の個片を１００個剥離させたところ、基板１０の割れや剥離不良は観察されなかった。
（比較例１）
　実施例１と同様にして半導体回路基板と支持基板とを紫外線硬化型樹脂によって接着し、紫外線硬化型樹脂を硬化させて支持基板から半導体回路基板１０を１００個剥離させた。ただし、本例においては、ハンドル基板は単結晶サファイアであり、２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が８５％であり、２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が８０％である。
　そして、ハンドル基板２Ａ側から中心波長３６５ｎｍの紫外線を３００ｍJ／ｃｍ２照射し、紫外線硬化型樹脂５を硬化させ、支持基板６から、切断された各半導体回路基板１０の個片を１００個剥離させたところ、９個について基板１０の割れや剥離不良の発生が見られた。
（比較例２）
　実施例１と同様にして半導体回路基板と支持基板とを紫外線硬化型樹脂によって接着し、紫外線硬化型樹脂を硬化させて支持基板から半導体回路基板１０を１００個剥離させた。ただし、本例においては、ハンドル基板はアルミナ（９９．５％純度）であり、２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が５０％であり、２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１％以下である。
　そして、ハンドル基板２Ａ側から中心波長３６５ｎｍの紫外線を３００ｍJ／ｃｍ２照射したが、紫外線硬化型樹脂５は硬化せず支持基板６から、切断された各半導体回路基板１０の個片を剥離することができなかった。
（比較例３）
　比較例２において、紫外線の照射時間を延ばした。すなわち、ハンドル基板２Ａ側から中心波長３６５ｎｍの紫外線を９００ｍJ／ｃｍ２照射したが、紫外線硬化型樹脂５は硬化せず支持基板６から、切断された各半導体回路基板１０の個片を剥離することができなかった。上記の結果を表１にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (7)

  1. 　半導体用複合基板のハンドル基板であって、
    　前記ハンドル基板が多結晶透光性アルミナからなり、前記多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が９９．９％以上であり、前記多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が６０％以上であり、前記多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１５％以下であることを特徴とする、ハンドル基板。
  2. 　請求項１記載のハンドル基板、および前記ハンドル基板の接合面に対して接合されているドナー基板を有することを特徴とする、半導体用複合基板。
  3. 　前記ドナー基板が単結晶シリコンからなることを特徴とする、請求項２記載の複合基板。
  4. 　請求項２または３記載の半導体用複合基板、および前記ドナー基板上に設けられている回路を有することを特徴とする、半導体回路基板。
  5. 　ハンドル基板、前記ハンドル基板の接合面に対して接合されているドナー基板、および前記ドナー基板上に設けられている回路を有する半導体回路基板を製造する方法であって、
    　多結晶透光性アルミナからなり、接合面と対向面とを有する基材、この基材の接合面に対して接合されているドナー基板、および前記ドナー基板上に設けられている回路を有する部品を得る工程であって、前記多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が９９．９％以上であり、前記多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が６０％以上であり、前記多結晶透光性アルミナの２００～４００ｎｍの波長範囲における直線透過率の平均値が１５％以下である工程；
    　前記基材を前記対向面側から加工し、前記基材の厚さを小さくすることによって前記ハンドル基板を形成する工程；および
    　前記ドナー基板と支持基板との間に紫外線硬化型樹脂を介在させた状態で、２００～４００ｎｍの波長範囲の紫外線を前記ハンドル基板側から前記紫外線硬化型樹脂へと照射することによって前記紫外線硬化型樹脂を硬化させることを特徴とする、半導体回路基板の製造方法。
  6. 　前記紫外線硬化型樹脂を硬化させた後、前記支持基板を前記半導体回路基板から剥離させる剥離工程を有することを特徴とする、請求項５記載の方法。
  7. 　前記ドナー基板が単結晶シリコンからなることを特徴とする、請求項５または６記載の方法。
PCT/JP2014/083209 2013-12-25 2014-12-16 ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法 WO2015098609A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201480019693.7A CN105074870B (zh) 2013-12-25 2014-12-16 操作基板、半导体用复合基板、半导体电路基板及其制造方法
KR1020157021527A KR101570958B1 (ko) 2013-12-25 2014-12-16 핸들 기판, 반도체용 복합 기판, 반도체 회로 기판 및 그 제조 방법
EP14873693.7A EP2978009B1 (en) 2013-12-25 2014-12-16 Handle substrate, composite substrate for semiconductor, and semiconductor circuit board and method for manufacturing same
JP2015518488A JP5781254B1 (ja) 2013-12-25 2014-12-16 ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法
US14/853,011 US9425083B2 (en) 2013-12-25 2015-09-14 Handle substrate, composite substrate for semiconductor, and semiconductor circuit board and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-267455 2013-12-25
JP2013267455 2013-12-25

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/853,011 Continuation US9425083B2 (en) 2013-12-25 2015-09-14 Handle substrate, composite substrate for semiconductor, and semiconductor circuit board and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015098609A1 true WO2015098609A1 (ja) 2015-07-02

Family

ID=53478473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/083209 WO2015098609A1 (ja) 2013-12-25 2014-12-16 ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9425083B2 (ja)
EP (1) EP2978009B1 (ja)
JP (1) JP5781254B1 (ja)
KR (1) KR101570958B1 (ja)
CN (1) CN105074870B (ja)
TW (1) TWI514441B (ja)
WO (1) WO2015098609A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3113211A4 (en) * 2014-02-26 2017-10-11 NGK Insulators, Ltd. Handle substrate of composite substrate for semiconductor
JP2017535967A (ja) * 2015-07-14 2017-11-30 ゴルテック．インク フリップダイの組立方法、製造方法、装置及び電子機器

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6326412B2 (ja) * 2013-06-12 2018-05-16 日本碍子株式会社 紫外線発光素子用窓材及びその製造方法
US10446442B2 (en) 2016-12-21 2019-10-15 Globalfoundries Inc. Integrated circuit chip with molding compound handler substrate and method
JP6980421B2 (ja) * 2017-06-16 2021-12-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7430704B2 (ja) * 2019-03-22 2024-02-13 日本碍子株式会社 仮固定基板、複合基板および電子部品の剥離方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160240A (ja) 1991-12-03 1993-06-25 Toshiba Ceramics Co Ltd ダミーウェーハ
JPH08512432A (ja) 1993-07-12 1996-12-24 ペレグリン・セミコンダクター・コーポレイション 単一の超薄膜シリコン・オン・サファイアチップ上の高周波ワイヤレス通信システム
JP2003224042A (ja) 2001-12-21 2003-08-08 Soi Tec Silicon On Insulator Technologies 半導体薄層の移し換え方法とそれに使用するドナーウエハの製造方法
JP2005159155A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Three M Innovative Properties Co 半導体チップの製造方法
JP2005191550A (ja) 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
JP2008288556A (ja) 2007-04-18 2008-11-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 貼り合わせ基板の製造方法
WO2010128666A1 (ja) 2009-05-07 2010-11-11 信越化学工業株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2010258341A (ja) 2009-04-28 2010-11-11 Mitsubishi Plastics Inc ダイシング用粘着シート
JP2010278341A (ja) 2009-05-29 2010-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 貼り合わせｓｏｓ基板
WO2013187410A1 (ja) * 2012-06-13 2013-12-19 日本碍子株式会社 複合基板
WO2014013980A1 (ja) 2012-07-18 2014-01-23 日本碍子株式会社 複合ウェハー及びその製法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0567095B1 (en) * 1992-04-22 1996-07-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Translucent polycrystalline alumina and process for producing the same
US5864162A (en) 1993-07-12 1999-01-26 Peregrine Seimconductor Corporation Apparatus and method of making a self-aligned integrated resistor load on ultrathin silicon on sapphire
US5587346A (en) * 1995-06-16 1996-12-24 Osram Sylvania, Inc. Translucent polycrystalline alumina
JP3783445B2 (ja) * 1999-01-29 2006-06-07 住友化学株式会社 透光性アルミナ焼結体の製造方法およびその用途
CA2308933C (en) * 1999-05-19 2008-07-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Translucent polycrystalline ceramic and method for making same
US6878456B2 (en) * 2001-12-28 2005-04-12 3M Innovative Properties Co. Polycrystalline translucent alumina-based ceramic material, uses, and methods
CN100420651C (zh) * 2005-11-03 2008-09-24 韩敏芳 具有高线性透光率的亚微米晶粒透明氧化铝陶瓷
US8088670B2 (en) 2007-04-18 2012-01-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing bonded substrate with sandblast treatment
CN102992739A (zh) * 2012-12-17 2013-03-27 江苏大学 一种多功能透明氧化铝陶瓷的制备方法
TWI629753B (zh) * 2013-04-26 2018-07-11 日本碍子股份有限公司 半導體用複合基板之操作基板
KR101534460B1 (ko) * 2013-07-18 2015-07-07 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체용 복합 기판의 핸들 기판
JP5755390B1 (ja) * 2014-01-06 2015-07-29 日本碍子株式会社 ハンドル基板および半導体用複合ウエハー
CN105190839B (zh) * 2014-02-26 2019-12-06 日本碍子株式会社 半导体用复合基板的处理基板

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160240A (ja) 1991-12-03 1993-06-25 Toshiba Ceramics Co Ltd ダミーウェーハ
JPH08512432A (ja) 1993-07-12 1996-12-24 ペレグリン・セミコンダクター・コーポレイション 単一の超薄膜シリコン・オン・サファイアチップ上の高周波ワイヤレス通信システム
JP2003224042A (ja) 2001-12-21 2003-08-08 Soi Tec Silicon On Insulator Technologies 半導体薄層の移し換え方法とそれに使用するドナーウエハの製造方法
JP2005159155A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Three M Innovative Properties Co 半導体チップの製造方法
JP2005191550A (ja) 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
JP2008288556A (ja) 2007-04-18 2008-11-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 貼り合わせ基板の製造方法
JP2010258341A (ja) 2009-04-28 2010-11-11 Mitsubishi Plastics Inc ダイシング用粘着シート
WO2010128666A1 (ja) 2009-05-07 2010-11-11 信越化学工業株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2010278341A (ja) 2009-05-29 2010-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 貼り合わせｓｏｓ基板
WO2013187410A1 (ja) * 2012-06-13 2013-12-19 日本碍子株式会社 複合基板
WO2014013980A1 (ja) 2012-07-18 2014-01-23 日本碍子株式会社 複合ウェハー及びその製法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2978009A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3113211A4 (en) * 2014-02-26 2017-10-11 NGK Insulators, Ltd. Handle substrate of composite substrate for semiconductor
JP2017535967A (ja) * 2015-07-14 2017-11-30 ゴルテック．インク フリップダイの組立方法、製造方法、装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150097812A (ko) 2015-08-26
TW201537617A (zh) 2015-10-01
TWI514441B (zh) 2015-12-21
KR101570958B1 (ko) 2015-11-20
US9425083B2 (en) 2016-08-23
EP2978009B1 (en) 2018-03-21
JP5781254B1 (ja) 2015-09-16
US20160005643A1 (en) 2016-01-07
EP2978009A4 (en) 2016-12-28
JPWO2015098609A1 (ja) 2017-03-23
EP2978009A1 (en) 2016-01-27
CN105074870A (zh) 2015-11-18
CN105074870B (zh) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5781254B1 (ja) ハンドル基板、半導体用複合基板、半導体回路基板およびその製造方法
KR102222089B1 (ko) 복합 기판, 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 제법
KR101142000B1 (ko) 정전척
JP6076486B2 (ja) 半導体用複合基板のハンドル基板
JP5697813B1 (ja) 半導体用複合基板のハンドル基板
WO2014174946A1 (ja) 半導体用複合基板のハンドル基板
JP5755390B1 (ja) ハンドル基板および半導体用複合ウエハー
US20110290415A1 (en) Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers
JP2006303180A (ja) 基板の固定方法
KR102588785B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR101642671B1 (ko) 반도체용 복합 기판의 핸들 기판 및 반도체용 복합 기판
KR20160124650A (ko) 관통 구멍을 갖는 절연 기판
TWI814872B (zh) 暫時固定基板、暫時固定方法及電子構件的製造方法
WO2020195932A1 (ja) 仮固定基板、複合基板および電子部品の剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201480019693.7

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015518488

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157021527

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14873693

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2014873693

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE