WO2015089918A1 - 柔性oled面板的制作方法 - Google Patents

柔性oled面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015089918A1
WO2015089918A1 PCT/CN2014/070122 CN2014070122W WO2015089918A1 WO 2015089918 A1 WO2015089918 A1 WO 2015089918A1 CN 2014070122 W CN2014070122 W CN 2014070122W WO 2015089918 A1 WO2015089918 A1 WO 2015089918A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
flexible
substrate
flexible substrate
metal layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/CN2014/070122
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
曾维静
刘至哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to JP2016533562A priority Critical patent/JP6117998B2/ja
Priority to GB1607191.2A priority patent/GB2535064B/en
Priority to KR1020167013144A priority patent/KR101831086B1/ko
Priority to US14/241,072 priority patent/US20150171376A1/en
Publication of WO2015089918A1 publication Critical patent/WO2015089918A1/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to the field of flat display, and more particularly to a method for fabricating a flexible OLED panel.
  • the flat display device has many advantages such as thin body, power saving, no radiation, and has been widely used.
  • the existing flat display devices mainly include a liquid crystal display (liquid crystal Disp), and an organic electroluminescence device (OELD), which is also called an organic light emitting diode (OLED).
  • OELD organic electroluminescence device
  • the conventional liquid crystal display is generally a backlight type liquid crystal display, and includes: a casing, a liquid crystal display panel disposed in the casing, and a backlight module (Backlight Module) disposed in the casing.
  • the working principle of the liquid crystal display panel is to place liquid crystal molecules in two parallel glass substrates, and apply driving voltages on the two glass substrates to control the rotation of the liquid crystal molecules, thereby turning the light of the backlight module.
  • a conventional liquid crystal display panel generally includes a Thin Film Transistor (TFT) substrate 302, a color filter (CF) substrate 304 disposed opposite to the thin film transistor substrate 302, and The liquid crystal layer 306 is disposed between the thin film transistor substrate 302 and the color filter substrate 304, and the thin film transistor substrate 302 drives the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 306 to turn to display corresponding images.
  • TFT Thin Film Transistor
  • CF color filter
  • organic light-emitting displays Compared with liquid crystal displays, organic light-emitting displays have all-solid-state, active illumination, high brightness, high contrast, ultra-thin, low cost, low power consumption, fast response, wide viewing angle, and wide operating temperature range. Easy to flex display and many other advantages.
  • the structure of the organic light emitting display generally comprises: a substrate, an anode, a cathode and an organic functional layer.
  • the principle of light emission is a very thin multilayer organic material vapor-deposited between the anode and the cathode, and is injected into the organic semiconductor film by a positive carrier.
  • the hair is generally composed of three functional layers, respectively
  • the functional layer may be one layer or more, such as a hole transport functional layer, sometimes subdivided into a hole injection layer and a hole transport layer; an electron transport functional layer, which may be subdivided into an electron transport layer and an electron injection layer.
  • a hole transport functional layer and an electron transport functional layer the production method of the full-color organic light-emitting display is mainly composed of red, green and blue (RGB) three-color parallel independent illumination method, white light plus color filter method and color conversion method, among which red, green and blue three colors are juxtaposed independently.
  • RGB red, green and blue
  • the method has the most potential and is the most practical application.
  • the production method is that the red, green and blue light materials of different subjects and objects are selected.
  • the object of the present invention is to provide a method for manufacturing a flexible OLED panel, which has a simple manufacturing process, does not damage OLED components, and can realize automation and improve production efficiency.
  • the present invention provides a method for fabricating a flexible OLED panel, comprising the following steps:
  • Step 1 providing a rigid substrate and a flexible substrate
  • Step 2 forming a metal layer on the periphery of the rigid substrate
  • Step 3 forming a support layer on the rigid base 1 ⁇ 4_ on the inner side of the metal layer;
  • Step 4 placing the flexible substrate on the rigid substrate
  • Step 5 applying a voltage to the metal layer to heat the flexible substrate, so that the material of the flexible substrate contacting the metal layer reaches a melting point, and then stopping heating to bond the flexible substrate and the rigid substrate together;
  • Step 6 Form an OLED element on the flexible substrate, and seal the OLED element.
  • Step 7 Apply a voltage to the metal layer to heat the flexible substrate. After the material of the flexible substrate in contact with the metal layer reaches a melting point, the flexible substrate and the rigid substrate are separated to obtain a flexible OLED panel.
  • the rigid substrate is a glass substrate.
  • the upper surface of the support layer is flush with the upper surface of the metal layer.
  • the genus layer is formed of a large resistivity metal.
  • the metal layer is formed of iron, zinc or chromium.
  • the support layer is formed of silicon oxide or silicon nitride.
  • the flexible substrate is lapped and vacuum-adsorbed on the rigid substrate by a roller under vacuum.
  • the OLED element includes an anode formed on a flexible substrate, an organic functional layer formed on the anode, and a cathode formed on the organic functional layer.
  • the organic functional layer includes a hole transport layer formed on the anode, an organic light-emitting layer formed on the hole transport layer, and an electron transport layer formed on the organic light-emitting layer.
  • the step 7 adsorbs the flexible substrate by vacuum and mechanically lifts it to achieve separation of the flexible substrate from the rigid substrate.
  • the present invention also provides a method for fabricating a flexible OLED panel, comprising the following steps: Step 1. providing a rigid substrate and a flexible substrate;
  • Step 2 forming a metal layer on the periphery of the rigid substrate
  • Step 3 forming a support layer on the rigid substrate inside the metal layer;
  • Step 4 placing the flexible substrate on the rigid substrate
  • Step 5 applying a voltage to the metal layer to heat the flexible substrate, so that the material of the flexible substrate contacting the metal layer reaches a melting point, and then stopping heating, so that the flexible substrate and the rigid substrate are bonded together;
  • Step 6 Form an OLED element on the flexible substrate, and seal the OLED element:
  • Step 7 Apply a voltage to the metal layer to heat the flexible substrate, and after the material of the flexible substrate contacting the metal layer reaches a melting point, separate the flexible substrate from the rigid substrate to obtain a flexible OLED panel;
  • the rigid substrate is a glass substrate
  • the upper surface of the support layer is flush with the upper surface of the metal layer
  • the metal layer is formed of a large resistivity metal
  • the metal layer is formed of iron, zinc or chromium
  • the support layer is formed of silicon oxide or silicon nitride.
  • the flexible substrate is lapped and vacuum-adsorbed on the rigid substrate by a roller under vacuum.
  • the OLED element includes an anode formed on a flexible substrate, an organic functional layer formed on the anode, and a cathode formed on the organic functional layer.
  • the organic functional layer includes a hole transport layer formed on the anode, an organic light-emitting layer formed on the hole transport layer, and an electron transport layer formed on the organic light-emitting layer.
  • the step 7 adsorbs the flexible substrate by vacuum and mechanically lifts it to achieve separation of the flexible substrate and the rigid JM: reverse.
  • the method for fabricating a flexible OLED panel of the present invention comprises: forming a metal layer having a large resistivity around a rigid substrate, and a support layer having no adhesiveness in the middle, and the flexible substrate and the rigid substrate are generated by applying a voltage to the surrounding metal layer. Heat, and bond to obtain a flat and operable flexible substrate, complete the TFT, OLED film formation and packaging process, then the flexible substrate The portion bonded to the rigid substrate is energized, and the flexible substrate and the rigid substrate are separated by mechanical force.
  • Figure i is a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal display panel
  • FIG. 2 is a flow chart of a method for fabricating a flexible OLED panel of the present invention
  • 3 to 7 are process diagrams of a method for fabricating a flexible OLED panel of the present invention. Specific travel mode
  • the present invention provides a method for fabricating a flexible OLED panel, including the following steps:
  • Step 1 A rigid substrate 20 and a flexible substrate 40 are provided. Step 2. Form a metal layer on the rigid substrate 20 weeks 22:
  • a metal layer 22 is formed on the periphery of the rigid substrate 20.
  • the metal layer 22 is formed of a large resistivity metal.
  • the large resistivity metal can be metallic iron (Fe), zinc (Zn) or chromium (Cr).
  • Step 3 A support layer 24 is formed on the rigid substrate 20 inside the metal layer 22.
  • a support layer 24 is formed on the rigid substrate 20, and the support layer 24 is located inside the metal layer 22.
  • the support layer 24 is formed of silicon oxide (SiO) or silicon nitride (SiN), and the support layer 24 is formed thereon. The surface is flush with the upper surface of the metal layer 22 to ensure the flatness of the flexible substrate 40 that is tiled over the support layer 24 and the metal layer 22.
  • Step 4 The flexible substrate 40 is placed on the rigid substrate 20. Referring to FIG. 5, under vacuum conditions, the flexible substrate 40 is tiling and vacuum-adsorbed onto the rigid substrate 20. through a roller (not shown).
  • Step 5 Apply a voltage to the metal layer 22 to heat the flexible substrate 40, the material of the flexible substrate 40 in contact with the metal layer 22 reaches a melting point, and then stop heating, so that the flexible substrate 40 and the step 6 are on the flexible substrate 40.
  • the OLED element 42 is formed, and the OLED element 42 is shown in FIG. 6.
  • the OLED element 42 includes an anode 422 formed on the flexible board 40, an organic functional layer 424 formed on the anode 422, and formed on the organic functional layer 424. Cathode 426.
  • the organic functional layer 424 includes a hole transport layer 442 formed on the anode 422, an organic light-emitting layer 444 formed on the hole transport layer 442, and an electron transport layer 446 formed on the organic light-emitting layer 444.
  • a package cover 60 When encapsulating, a package cover 60 is provided, and the package cover 60 is bonded to the flexible substrate 40 by UV glue or glass glue to seal the OLED element between the package cover 60 and the flexible substrate 40.
  • Step 7 Apply a voltage to the metal layer 22 to heat the flexible substrate 40. After the material of the flexible substrate 40 in contact with the metal layer 22 reaches a melting point, the flexible substrate 40 and the rigid substrate 20 are separated to obtain a flexible OLED panel.
  • the metal layer 22 is energized, the metal layer 22 is heated, and the flexible substrate 40 is partially melted in contact with the metal frame 22. Then, the flexible board 40 is vacuum-adsorbed and mechanically lifted to realize the flexible substrate 40 and the rigid substrate. Separation of 20, which in turn produces a flexible OLED panel.
  • a thin film transistor can be formed on the flexible substrate 20, and an OLED element 40 is formed on the thin film transistor to form an active-matrix organic light emitting diode (Active-matrix organic light emitting diode).
  • AMOLED active-matrix organic light emitting diode
  • the flexible OLED panel of the present invention is formed by forming a metal layer having a large resistivity around the rigid substrate and a support layer having no adhesiveness therebetween.
  • the flexible substrate and the rigid substrate generate heat by applying a voltage to the surrounding metal layer.
  • bonding to obtain a flat and operable flexible substrate, after completing the TFT, OLED film formation and packaging process, and then energizing the portion where the flexible substrate and the rigid substrate are bonded, and separating the flexible substrate from the rigid substrate by mechanical force
  • the process is simple, can effectively protect the OLED components from being damaged, and can realize automatic production, effectively improve production efficiency and reduce production cost.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种柔性OLED面板的制作方法，包括：步骤1、提供刚性基板（20）与柔性基板（40）；步骤2、在刚性基板（20）周缘形成金属层（22）；步骤3、在金属层（22）内侧形成支撑层（24）；步骤4、将柔性基板（40）放置于刚性基板（20）上；步骤5、对金属层（22）施加电压对柔性基板（40）进行加热，使与金属层（22）接触的柔性基板（40）的材料达到熔点，使柔性基板（40）与刚性基板（20）粘合在一起；步骤6、在柔性基板（40）上形成OLED元件（42），并对该OLED元件（42）进行封装；步骤7、对金属层（22）施加电压对柔性基板（40）进行加热，在与金属层（22）接触的柔性基板（40）的材料达到熔点后，分离柔性基板（40）与刚性基板（20）。

Description

本发明涉及平面显示领域， 尤其涉及一种柔性 OLED 面板的制作方 法。
平面显示装置具有机身薄、 省电、 无辐射等众多优点， 得到了广泛的 应用。 现有的平面显示装置主要包括液晶显示器 （ Liquid Crystal Disp】ay， LCD )及有机发光显示器 ( Organic Electroluminescence Device , OELD ) , 也称为有机发光二极管 （Organic Light Emitting Diode, OLED ) 。
现有的液晶显示器一般为背光型液晶显示器， 其包括： 壳体、 设于壳 体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组 （ Backlight Module ) 。 液晶 显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子， 并在两 玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转， 从而将背光模组的光线
4,十-射出来产生画面。
请参阅图 1， 现有的液晶显示面板一般包括： 薄膜晶体管 （Thin Film Transistor, TFT )基板 302, 与薄膜晶体管基板 302 相对贴合设置的彩色 滤光片 （Coior Filter, CF )基板 304, 以及设于薄膜晶体管基板 302与彩 色滤光片基板 304之间的液晶层 306， 薄膜晶体管基板 302 驱动液晶层 306内的液晶分子转 '动， 以显示相应的画面。
与液晶显示器相比， 有机发光显示器具有全固态、 主动发光、 高亮 度、 高对比度、 超薄、 低成本， 低功耗、 快速响应、 宽视角、 工作温度范 围宽。 易于柔性显示等诸多优点。 有机发光显示器的结构一般包括： 基 板、 阳极、 阴极和有机功能层， 其发光原理是通过阳极和阴极间蒸镀的非 常薄的多层有机材料， 由正负载流子注入有机半导体薄膜后复合产生发 一般由三个功能层构成， 分别为
Figure imgf000003_0001
功能层可以是一层， 或者一层以上， 例如空穴传输功能层， 有时可以细分 为空穴注入层和空穴传输层; 电子传输功能层， 可以细分为电子传输层和 电子注入层， 但其功能相近， 故统称为空穴传输功能层， 电子传输功能 层。 目前， 全彩有机发光显示器的制作方法以红绿蓝 （RGB )三色并列独 立发光法、 白光加彩色滤光片法、 色转换法三种方式为主， 其中红绿蓝三 色并列独立发光法最有潜力， 实际应用最多， 其制作方法是红绿蓝选用不 同主体和客体的发光材料。
随着有机发光二极管技术的发展， 使柔性有机发光二极管的显示技术 成为面板行业的新秀。 但是柔性基板由于易产生形变， 在生产过程中难以 操作， 尤其是在对位、 薄膜晶体管 （TFT )或 OLED成膜过.程中。 发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性 OLED面板的制作方法， 制程简单， 不会破坏 OLED元件， 且可实现自动化， 提高生产效率。
为实现上述目的， 本发明提供一种柔性 OLED面板的制作方法， 包括 以下步骤：
步骤 1、 提供刚性基板与柔性基板；
步骤 2、 在刚性基板周缘形成金属层；
步骤 3、 在金属层内侧的刚性基 ¼_上形成支撑层；
步糠 4、 将柔性基板放置于刚性基板上；
步骤 5、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热， 使与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点， 然后停止加热， 使柔性基板与刚性基板粘合在 一起；
步骤 6、 在柔性基板上形成 OLED元件， 并对该 OLED 元件进行封 衣，
步骤 7、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热， 在与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点后， 分离柔性基板与刚性基板， 以制得柔性 OLED面板。
所述刚性基板为玻璃基板。
所述支撑层的上表面与金属层的上表面平齐。
所述 属层由大电阻率金属形成。
所述金属层由铁、 锌或铬形成。
所述支撑层由氧化硅或氮化硅形成。
所述步骤 4 中： 在真空条件下， 柔性基板通过滚轴， 平铺并真空吸附 于刚性基板上。
所述 OLED元件包括形成于柔性基板上的阳极、 形成于阳极上的有机 功能层及形成于有机功能层上的阴极。 所述有机功能层包括形成于阳极上的空穴传输层、 形成于空穴传输层 上的有机发光层、 形成于有机发光层上的电子传输层。
所述步骤 7通过真空吸附柔性基板并机械抬升， 以实现柔性基板与刚 性基板的分离。
本发明还提供一种柔性 OLED面板的制作方法， 包括以下步骤： 步骤 1、 提供刚性基板与柔性基板；
步骤 2、 在刚性基板周缘形成金属层；
步骤 3、 在金属层内侧的刚性基板上形成支撑层；
步骤 4、 将柔性基板放置于刚性基板上；
步骤 5、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热， 使与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点， 然后停止加热， 使柔性基板与刚性基板粘合在 '―起；
步骤 6、 在柔性基板上形成 OLED元件， 并对该 OLED 元件进行封 ：，
步骤 7、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热 , 在与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点后， 分离柔性基板与刚性基板， 以制得柔性 OLED面板；
其中， 所述刚性基板为玻璃基板；
其中， 所述支撑层的上表面与金属层的上表面平齐；
其中， 所 金属层由大电阻率金属形成；
其中， 所述金属层由铁、 锌或铬形成；
其中， 所述支撑层由氧化硅或氮化硅形成。
所述步骤 4 中： 在真空条件下， 柔性基板通过滚轴， 平铺并真空吸附 于刚性基板上。
所述 OLED元件包括形成于柔性基^!上的阳极、 形成于阳极上的有机 功能层及形成于有机功能层上的阴极。
所述有机功能层包括形成于阳极上的空穴传输层、 形成于空穴传输层 上的有机发光层、 形成于有机发光层上的电子传输层。
所述步骤 7通过真空吸附柔性基板并机械抬升， 以实现柔性基板与刚 性 JM:反的分离。
本发明的有益效果： 本发明的柔性 OLED面板的制作方法， 通过在刚 性基板四周形成大电阻率的金属层， 以及中间无粘性的支撑层， 柔性基板 与刚性基板通过给四周金属层加电压产生热， 而进行粘合， 以得到平坦可 操作的柔性基板， 完成 TFT、 OLED 成膜以及封装制程后， 再对柔性基板 与刚性基板粘合的部分通电 , 通过机械力使柔性基板与刚性基板得到分 产，
Figure imgf000006_0001
关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显, 易见。
附图中，
图 i为现有的液晶显示面板的剖面结构示意图；
图 2为本发明柔性 OLED面板的制作方法流程图；
图 3至图 7为本发明柔性 OLED面板的制作方法制程图。 具体实旅方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详 ·细描述.0
请参阅图 2， 本发明提供一种柔性 OLED面板的制作方法， 包括以下 步骤：
步骤 1、 提供刚性基板 20与柔性基板 40。 步骤 2、 在刚性基板 20周 形成金属层 22:
请参阅图 3， 在刚性基板 20周缘形成金属层 22 , 所述金属层 22由大 电阻率金属形成， 在宽度、 厚度及长度一致的情况下， 金属的电阻率越 大， 則电阻越大， 而电阻越大， 在通电时， 所产生的热量也就越多， 能有 效缩短加热时间， 所述大电阻率金属可为金属铁（Fe ) 、 锌 （Zn ) 或铬 ( Cr ) 。
步糠 3、 在金属层 22内侧的刚性基板 20上形成支撑层 24。
请参阅图 4， 在刚性基板 20上形成支撑层 24, 该支撑层 24位于金属 层 22内侧， 该支撑层 24由氧化硅 ( SiO )或氮化硅（SiN )形成， 该支撑 层 24的上表面与金属层 22的上表面平齐， 以保证平铺于支撑层 24与金 属层 22上的柔性基板 40的平整性。
步骤 4、 将柔性基板 40放置于刚性基板 20上。 请参阅图 5 , 在真空条件下， 柔性基板 40通过滚轴（未图示） ， 平铺 并真空吸附于刚性基板. 20上。
步骤 5、 对金属层 22施加电压对柔性基.板 40进行加热， 使与金属层 22接触的柔性基板 40的材料达到熔点， 然后停止加热， 使柔性基板 40与 步骤 6、 在柔性基板 40上形成 OLED元件 42, 并对该 OLED元件 42 请参阅图 6， 所述 OLED 元件 42 包括形成于柔性板 40 上的阳极 422、 形成于阳极 422上的有机功能层 424及形成于有机功能层 424上的 阴极 426。 进一步地， 所述有机功能层 424包括形成于阳极 422上的空穴 传输层 442、 形成于空穴传输层 442 上的有机发光层 444、 形成于有机发 光层 444上的电子传输层 446。
封装时， 提供封装盖板 60， 并将封装盖板 60通过 UV胶或玻璃胶与 柔性基板 40贴合， 以将 OLED元件密封于封装盖板 60与柔性基板 40之 间。
步骤 7、 对金属层 22施加电压对柔性基板 40进行加热， 在与金属层 22接触的柔性基板 40 的材料达到熔点后， 分离柔性基板 40 与刚性基板 20, 以制得柔性 OLED面板。
请参阅图 7， 具体地， 给金属层 22通电， 金属层 22发热， 使柔性基 板 40与金属边框 22接触部分熔融， 然后， 真空吸附柔性板 40并机械抬 升， 以实现柔性基板 40与剛性基板 20 的分离， 进而制得柔性 OLED 面 板。
值得一提的是， 还可以在柔性基板 20上先形成薄膜晶体管 （TFT ) , 再在薄膜晶体管上形成 OLED 元件 40， 以制得有源矩阵式有机发光显示 装置 ( Active-matrix organic light emitting diode , AMOLED ) ， 其中薄膜晶 体管的制作方法可通过现有技术实现， 在此不作贅述。
综上所述， 本发明的柔性 OLED面板的制作方法， 通过在刚性基板四 周形成大电阻率的金属层， 以及中间无粘性的支撑层， 柔性基板与刚性基 板通过给四周金属层加电压产生热， 而进行粘合， 以得到平坦可操作的柔 性基板， 完成 TFT、 OLED成膜以及封装制程后， 再对柔性基板与刚性基 板粘合的部分通电， 通过机械力使柔性基板与刚性基板得到分离， 制程简 单， 能有效保护 OLED元件不被破坏, 且能实现自动化生产， 有效提高生 产效率， 降低生产成本。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

一种柔性 OLED面板的制作方法， 包括
步骤 1、 提,供刚性基板与柔性基板；
步骤 2、 在刚性基板周缘形成金属层；
步骤 3、 在金属层内侧的刚性基板上形成支撑层；
步骤 4、 将柔性基板放置于刚性基板上；
步骤 5、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热， 使与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点， 然后停止加热， 使柔性基板与刚性基板粘合在 一起
步骤 6、 在柔性基板上形成 OLED 元件， 并对该 OLED 元件进行封 步骤 7、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热， 在与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点后， 分离柔性基板与刚性基板， 以制得柔性 OLED面板。
2、 如权利要求 〗 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述刚 性基板为玻璃基板.。
3、 如权利要求 1 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述支 撑层的上表面与金属层的上表面平齐。
4、 如权利要求 1 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述金 属层由大电阻率金属形成。
5、 如权利要求 4所述的柔性 OLED面板的制作方法， 其中， 所述金 属层由铁、 锌或铬形成。
6、 如权利要求 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述支 撑层由氧化娃或氮化娃形成。
7、 如权利要求 1 所述的柔性 OLED面板的制作方法， 其中， 所述步 骤 4 中： 在真空条件下， 柔性基板通过滚轴， 平铺并真空吸附于刚性基板 上。
8、 如权利要求 1 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述 OLED 元件包括形成于柔性基板上的阳极、 形成于阳极上的有机功能层及 形成于有机功能层上的阴极。
9、 如权利要求 8所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述有 机功能层包括形成于阳极上的空穴传输层、 -输层上的有机发 光层、 形成于有机发光层上的电子传输层。
10, 如权利要求 1所述的柔性 OLED面板的制作方法, 其中， 所述步 骤 7通过真空吸 柔性基板并机械抬升， 以实现柔性基板与刚性基板的分
11、 一种柔性 OLED面板的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供刚性基板与柔性基板；
步骤 2、 在刚性基板周缘形成金属层；
步骤 3、 在金属层内侧的刚性基板上形成支撑层；
步骤 4、 将柔性基板放置于刚性基板上；
步骤 5、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热， 使与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点， 然后停止加热， 使柔性基板与刚性基板粘合在 '―起；
步骤 6、 在柔性基板上形成 OLED元件， 并对该 OLED 元件进行封 ：，
步骤 7、 对金属层施加电压对柔性基板进行加热 , 在与金属层接触的 柔性基板的材料达到熔点后， 分离柔性基板与刚性基板， 以制得柔性
OLED面板；
其中， 所述刚性基板为玻璃.基板；
其中， 所述支撑层的上表面与金属层的上表面平齐
其中， 所述 属层由大电阻率金属形成；
其中， 所述金属层由铁、 锌或铬形成；
其中， 所述支撑层由氧化硅或氮化硅形成。
12、 -女权利要求 11 所述的柔性 OLED 面板的制 f
步骤 4 中： 在真空条件下， 柔性基板通过滚轴， 平铺并真空吸附于刚性基 板上。
13 , 如权利^ ~求 11 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述 OLED 元件包括形成于柔性基板上的阳极、 形成于阳极上的有机功能层及 形成于有机功能层上的阴极。
14 , 如权利要求 13 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述 有机功能层包括形成于阳极上的空穴传输层、 形成于空穴传输层上的有机 发光层。 形成于有机发光层上的电子传输层。
15 , 如权利要求 11 所述的柔性 OLED 面板的制作方法， 其中， 所述
PCT/CN2014/070122 2013-12-16 2014-01-03 柔性oled面板的制作方法 Ceased WO2015089918A1 (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016533562A JP6117998B2 (ja) 2013-12-16 2014-01-03 フレキシブルｏｌｅｄパネルの製造方法
GB1607191.2A GB2535064B (en) 2013-12-16 2014-01-03 Method for manufacturing flexible OLED (organic light emitting diode) panel
KR1020167013144A KR101831086B1 (ko) 2013-12-16 2014-01-03 플렉시블 oled 패널의 제조방법
US14/241,072 US20150171376A1 (en) 2013-12-16 2014-01-03 Method for manufacturing flexible oled (organic light emitting diode) panel

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310694937.9 2013-12-16
CN201310694937.9A CN103682177B (zh) 2013-12-16 2013-12-16 柔性oled面板的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015089918A1 true WO2015089918A1 (zh) 2015-06-25

Family

ID=50319034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2014/070122 Ceased WO2015089918A1 (zh) 2013-12-16 2014-01-03 柔性oled面板的制作方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20150171376A1 (zh)
JP (1) JP6117998B2 (zh)
KR (1) KR101831086B1 (zh)
CN (1) CN103682177B (zh)
GB (1) GB2535064B (zh)
WO (1) WO2015089918A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103682177B (zh) * 2013-12-16 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled面板的制作方法
CN103855171B (zh) 2014-02-28 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法
CN105024018B (zh) * 2014-04-29 2018-05-08 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
CN105098088B (zh) * 2014-05-05 2017-06-06 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器及其薄膜封装方法
CN104505467B (zh) * 2014-12-05 2017-09-19 上海天马微电子有限公司 一种复合基板、柔性显示器的制造方法以及柔性显示器
CN105137634A (zh) 2015-08-05 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 柔性显示面板的制作方法以及用于其制作的基板组件
CN106328683B (zh) * 2016-10-11 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 柔性oled显示器及其制作方法
CN108346612B (zh) * 2017-01-25 2022-01-25 元太科技工业股份有限公司 柔性电子器件的制造方法
CN107195792B (zh) * 2017-05-08 2018-11-27 武汉华星光电技术有限公司 曲面显示面板的制造装置及方法
CN107623089B (zh) * 2017-09-29 2019-07-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示器的分离方法及柔性oled显示器
CN110072336B (zh) * 2018-01-23 2020-11-06 北京华碳科技有限责任公司 分离柔性基板与刚性导电载体的方法
CN109545999B (zh) * 2018-11-21 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 初始显示装置和柔性显示面板的制造方法
CN109860431A (zh) * 2018-12-12 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管(oled)面板及制作方法
CN115000329B (zh) * 2022-06-29 2024-11-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及移动终端

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1885111A (zh) * 2005-06-25 2006-12-27 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于转移基板的方法和使用该方法制造柔性显示器的方法
US20070059854A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Chin-Jen Huang Flexible pixel array substrate and method for fabricating the same
CN101908555A (zh) * 2009-06-04 2010-12-08 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN102148330A (zh) * 2010-12-24 2011-08-10 福建钧石能源有限公司 柔性光电器件的制造方法
CN103325731A (zh) * 2013-05-20 2013-09-25 Tcl集团股份有限公司 柔性显示装置的制造方法
CN103337478A (zh) * 2013-06-26 2013-10-02 青岛海信电器股份有限公司 柔性有机电致发光二极管显示器的制作方法

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512254A (en) * 1965-08-10 1970-05-19 Corning Glass Works Method of making an electrical device
WO1992006123A1 (fr) * 1990-10-05 1992-04-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Procede de production de polymere de cycloolefine et de copolymere de cycloolefine et composition et moulage prepares a partir de ces composes
US5468655A (en) * 1994-10-31 1995-11-21 Motorola, Inc. Method for forming a temporary attachment between a semiconductor die and a substrate using a metal paste comprising spherical modules
US5756577A (en) * 1995-03-27 1998-05-26 Grupo Cydsa, S.A. De C.V. Styrene butadiene copolymer and polyolefin resins based shrink films
US6426484B1 (en) * 1996-09-10 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Circuit and method for heating an adhesive to package or rework a semiconductor die
JPH11236457A (ja) * 1998-02-24 1999-08-31 Dainippon Ink & Chem Inc シュリンクフィルム及びその製造方法
US20080196828A1 (en) * 1999-07-14 2008-08-21 Gilbert Michael D Electrically Disbonding Adhesive Compositions and Related Methods
DE19943909A1 (de) * 1999-09-14 2001-03-15 Wolff Walsrode Ag Mehrschichtig coextrudierte biaxial gereckte Hochbarriere-Kunststoffhülle mit verminderter Haftung zum Füllgut sowie deren Verwendung als Nahrungsmittelhülle
AU2001282271A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-25 Anthony John Cooper Double glazing
KR100442830B1 (ko) * 2001-12-04 2004-08-02 삼성전자주식회사 저온의 산화방지 허메틱 실링 방법
US7832177B2 (en) * 2002-03-22 2010-11-16 Electronics Packaging Solutions, Inc. Insulated glazing units
US20040187437A1 (en) * 2003-03-27 2004-09-30 Stark David H. Laminated strength-reinforced window assemblies
US20040232535A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Terry Tarn Microelectromechanical device packages with integral heaters
DE10337009A1 (de) * 2003-08-12 2005-03-24 Case Tech Gmbh & Co.Kg Mehrschichtig coextrudierte biaxial gereckte faserveredelte nahtlose Schlauchhülle sowie deren Verwendung als Nahrungsmittelhülle
US20050269943A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP2007251080A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法
EP1840648A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-03 Sony Deutschland Gmbh A method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate
KR100820170B1 (ko) * 2006-08-30 2008-04-10 한국전자통신연구원 플렉시블 기판의 적층 방법
KR100841376B1 (ko) * 2007-06-12 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR100889625B1 (ko) * 2007-07-19 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
TWI420722B (zh) * 2008-01-30 2013-12-21 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 具有封裝單元之裝置
US7960247B2 (en) * 2008-04-04 2011-06-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Die thinning processes and structures
TWI354854B (en) * 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
TWI410329B (zh) * 2009-03-09 2013-10-01 財團法人工業技術研究院 可撓式裝置的取下設備及其取下方法
DE102009027283A1 (de) * 2009-04-03 2010-10-07 Tesa Se Klebefolie zum Verschließen von Gefäßen und Kanälen, Herstellung und Verwendung dieser
US8110419B2 (en) * 2009-08-20 2012-02-07 Integrated Photovoltaic, Inc. Process of manufacturing photovoltaic device
KR101149433B1 (ko) * 2009-08-28 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011113654A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法
KR101173105B1 (ko) * 2010-05-24 2012-08-14 한국과학기술원 유기발광소자
TWI457614B (zh) * 2010-10-05 2014-10-21 E Ink Holdings Inc 可撓性彩色濾光基板的製造方法
TWI486259B (zh) * 2010-12-27 2015-06-01 Au Optronics Corp 可撓式基板結構及其製作方法
US8816977B2 (en) * 2011-03-21 2014-08-26 Apple Inc. Electronic devices with flexible displays
US8934228B2 (en) * 2011-03-21 2015-01-13 Apple Inc. Display-based speaker structures for electronic devices
EP2693509A4 (en) * 2011-03-30 2015-03-25 Oceans King Lighting Science SUBSTRATE, PREPARATION METHOD AND ORGANO ELECTROLUMINESCENT COMPOSITE THEREWITH
KR20120138168A (ko) * 2011-06-14 2012-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
EP2551895B1 (en) * 2011-07-27 2013-11-27 STMicroelectronics Srl Method of manufacturing an electronic device having a plastic substrate
US20130050227A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Glass as a substrate material and a final package for mems and ic devices
WO2013035298A1 (ja) * 2011-09-08 2013-03-14 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
US8723824B2 (en) * 2011-09-27 2014-05-13 Apple Inc. Electronic devices with sidewall displays
US9125301B2 (en) * 2011-10-18 2015-09-01 Integrated Microwave Corporation Integral heater assembly and method for carrier or host board of electronic package assembly
CN102636898B (zh) * 2012-03-14 2014-03-12 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置的制备方法
KR101474949B1 (ko) * 2012-11-01 2014-12-22 성균관대학교산학협력단 롤투롤 공정을 이용한 유기 발광 장치 제조 방법
US20140150244A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 General Electric Company Adhesive-free carrier assemblies for glass substrates
JP5784088B2 (ja) * 2012-11-30 2015-09-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法
CN103035490A (zh) * 2012-12-11 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器件的制备方法
US8912018B2 (en) * 2012-12-17 2014-12-16 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
TWI505460B (zh) * 2013-02-18 2015-10-21 Innolux Corp 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法
KR102133433B1 (ko) * 2013-05-24 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103384447B (zh) * 2013-06-26 2016-06-29 友达光电股份有限公司 软性电子装置
CN104347449A (zh) * 2013-07-24 2015-02-11 上海和辉光电有限公司 一种剥离装置及剥离方法
TWI537139B (zh) * 2013-08-30 2016-06-11 群創光電股份有限公司 元件基板、顯示裝置及元件基板之製造方法
CN103682177B (zh) * 2013-12-16 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled面板的制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1885111A (zh) * 2005-06-25 2006-12-27 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于转移基板的方法和使用该方法制造柔性显示器的方法
US20070059854A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Chin-Jen Huang Flexible pixel array substrate and method for fabricating the same
CN101908555A (zh) * 2009-06-04 2010-12-08 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN102148330A (zh) * 2010-12-24 2011-08-10 福建钧石能源有限公司 柔性光电器件的制造方法
CN103325731A (zh) * 2013-05-20 2013-09-25 Tcl集团股份有限公司 柔性显示装置的制造方法
CN103337478A (zh) * 2013-06-26 2013-10-02 青岛海信电器股份有限公司 柔性有机电致发光二极管显示器的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6117998B2 (ja) 2017-04-19
KR101831086B1 (ko) 2018-02-21
GB2535064B (en) 2019-12-04
CN103682177A (zh) 2014-03-26
GB2535064A (en) 2016-08-10
KR20160074593A (ko) 2016-06-28
JP2016537788A (ja) 2016-12-01
CN103682177B (zh) 2015-03-25
US20150171376A1 (en) 2015-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015089918A1 (zh) 柔性oled面板的制作方法
CN105514302B (zh) 量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置
CN103515410B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20160343791A1 (en) Double side oled display device and manufacture method thereof
CN103887239B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN107545848A (zh) 柔性盖板及其制作方法、柔性oled显示装置
JP2010080341A (ja) 表示装置
TWI570899B (zh) 薄膜電晶體基板
JP2011227205A (ja) 表示装置
EP4044236A1 (en) µLED LIGHT-EMITTING AND DISPLAY DEVICE WITHOUT ELECTRICAL CONTACT, EXTERNAL CARRIER INJECTION OR MASS TRANSFER, AND METHOD FOR PREPARING SAME
CN110582850A (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法、有机发光二极管对置基板
CN101409964B (zh) 显示装置及其制造方法
WO2015039481A1 (zh) 电致发光装置及其制备方法
TWI629781B (zh) 製造有機發光二極體顯示器之方法以及製造觸控面板之方法
WO2020199272A1 (zh) 量子点柔性oled显示装置及制备方法
WO2015027532A1 (zh) 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法
US7714502B2 (en) Flat panel display device
CN100521849C (zh) 双面显示装置及其制作方法
US20160181574A1 (en) Method for manufacturing flexible oled (organic light emitting diode) panel
CN203456514U (zh) 电致发光装置
CN204179081U (zh) 薄膜晶体管基板
CN111540755B (zh) 阵列基板、显示面板及制备方法
US20190165005A1 (en) Method of Manufacturing a Display Substrate, Method of Manufacturing a Display Device and Display Substrate
JP2003257626A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2008197244A (ja) バックライト内蔵型液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14241072

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14872155

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 201607191

Country of ref document: GB

Kind code of ref document: A

Free format text: PCT FILING DATE = 20140103

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167013144

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016533562

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14872155

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1