WO2015019565A1 - 発光デバイスおよび表示装置 - Google Patents

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WO2015019565A1
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electrode
hole
wiring
light emitting
emitting device
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大前　秀樹
日比野　純一
山田　篤志
上田　大助
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • H01L2924/151—Die mounting substrate
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    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
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    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present disclosure relates to a light emitting device, and more particularly, to a flexible or stretchable light emitting device.
  • thin plate-like conductors are arranged in a grid pattern, and light emitting elements are mounted at intersections of the columns and rows, with one of the columns and rows of conductors serving as an anode and the other serving as a cathode.
  • This disclosure reduces the load applied to the connection point between the wiring and the light emitting device, and suppresses breakage of the light emitting device.
  • a light emitting device corresponds to a plurality of LED chips each having a light emitting region, a first electrode and a second electrode electrically connected to the light emitting region, and the plurality of LED chips.
  • the first electrode or the second electrode and the other LED chip adjacent to the one LED chip are electrically connected to each other after passing through the through hole.
  • a light emitting device is provided.
  • the light emitting device According to the light emitting device according to one embodiment of the present disclosure, it is possible to reduce the load applied to the connection point between the wiring and the light emitting device.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of an LED array including a light emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is an electric circuit diagram of the light-emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a top view showing the configuration of the LED chip according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a top view showing the configuration of the LED chip according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the light-emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the light-emitting device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the light-emitting device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of an LED array including a light emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is an electric circuit diagram of the light-emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 8 is a top view showing a manufacturing process of the LED chip according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a top view showing a manufacturing process of the LED chip according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a top view showing a manufacturing process of the LED chip according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a top view showing a manufacturing process of the LED chip according to the first embodiment.
  • 12 is a top view showing the manufacturing process of the LED chip according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 13 is a top view showing the configuration of the LED chip according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a top view showing a configuration of an LED chip having a plurality of through holes having different hole diameters.
  • FIG. 15 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the light-emitting device according to Embodiment 1.
  • 16A and 16B are schematic diagrams illustrating a manufacturing process of the light-emitting device according to Embodiment 1, wherein FIG. 16A is a schematic diagram corresponding to FIG. 15 and FIG. 16B is an enlarged view of a part of FIG. .
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light-emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light-emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light-emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing the configuration of the light-emitting device according to Embodiment 2.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light-emitting device according to Embodiment 3.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light-emitting device according to Embodiment 3.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Embodiment 4.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light-emitting device according to Embodiment 4.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light-emitting device according to Embodiment 3.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light-emit
  • FIG. 26 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 27 is a top view showing a configuration of a light emitting device according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Embodiment 5.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing the configuration of the light-emitting device according to Embodiment 5.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light-emitting device according to Embodiment 5.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to a modification of the fifth embodiment.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device according to a modification of the fifth embodiment.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device
  • a light emitting device corresponds to a plurality of LED chips each having a light emitting region, a first electrode and a second electrode electrically connected to the light emitting region, and the plurality of LED chips.
  • the first electrode or the second electrode and the other LED chip adjacent to the one LED chip are electrically connected to each other after passing through the through hole. .
  • the movable area of the wiring is limited by connecting the wiring to the electrode after passing through the through hole. Therefore, the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode can be suppressed, and a light emitting device with high mechanical strength can be provided.
  • At least a part of the side surface of the wiring may be separated from the inner wall of the through hole in the through hole.
  • At least a part of the side surface of the wiring is separated from the inner wall of the through hole and can be moved in the through hole, so that the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode is suppressed. Can do.
  • the first electrode and the second electrode are formed on the same surface of each of the plurality of substrates, and the first electrode and the second electrode out of both surfaces of the substrate through which the through hole passes.
  • the hole diameter of the through hole on the surface side where the first electrode and the second electrode are formed is smaller than the hole diameter of the through hole on the surface side where the first electrode and the second electrode are not formed. May be.
  • the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode can be more effectively suppressed by limiting the movable range of the wiring.
  • the first electrode and the second electrode are formed on the same surface of each of the plurality of substrates, and the first electrode and the second electrode out of both surfaces of the substrate through which the through hole passes.
  • the hole diameter of the through hole on the surface side where the first electrode and the second electrode are formed is larger than the hole diameter of the through hole on the surface side where the first electrode and the second electrode are not formed. May be.
  • the region where the wiring and the through hole are easily contacted (the side having a small hole diameter) is positioned away from the electrode to which the wiring is connected, and thus the wiring is damaged by being in contact with the through hole. Can be suppressed.
  • one surface on which the first electrode or the second electrode to which the wiring passing through the through hole is connected is located.
  • the inner surface position of the through hole in the second electrode is closer to the first electrode or the second electrode side to which the wiring passing through the through hole is connected than the inner surface position of the other surface facing the one surface. It may be close.
  • the wiring is arranged in the through hole along the deflection with a small mechanical load. Therefore, the wiring passing through the through hole can be easily connected to the electrode.
  • each of the first electrode and the second electrode may be connected to the wiring by a conductive material.
  • the wiring can be fixed to the first electrode and the second electrode, and the wiring and the first electrode and the second electrode can be electrically connected with high accuracy.
  • the substrate may be an insulator.
  • the LED chip can be mounted on the substrate after passing the wiring through the through hole formed in the insulator substrate.
  • the light emitting device further includes an insulating wiring, and the insulating wiring passes through the through hole in one LED chip and is adjacent to the one LED chip.
  • the insulating wiring may be higher in rigidity than the wiring through the through hole of the other LED chip.
  • the mechanical load applied to the wiring when the light emitting device is deformed by bending or the like can be reduced by making the rigidity of the insulating wiring higher than the rigidity of the wiring.
  • the light emitting device is a light emitting device in which a plurality of LED chips are arranged, and each of the plurality of LED chips includes a light emitting region formed in or on the substrate,
  • the light emitting device includes a first electrode and a second electrode electrically connected to the light emitting region, a through hole penetrating at least the substrate, and a wiring composed of a thread-like conductive wire.
  • the wiring includes the first electrode or the second electrode of one LED chip and the first electrode or the first electrode of another LED chip adjacent to the one LED chip.
  • the two electrodes may be conducted after passing through the through holes of the one LED chip and the other LED chip.
  • the wiring penetrates through a through hole formed in the substrate, thereby restricting a movable region of the wiring, The mechanical load applied to the connection point can be suppressed.
  • the first electrode and the second electrode may be directly formed on the substrate.
  • the LED chip is a stacked body in which an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked so as to sandwich the light emitting region, and the first electrode includes the p-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
  • a conducting anode electrode, the second electrode is a cathode electrode conducting with the n-type semiconductor layer, and the through hole penetrates both sides of the substrate at a position where the through hole is formed. Also good.
  • the substrate is an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer is stacked above the substrate, and the first electrode is an anode electrode that is electrically connected to the p-type semiconductor layer.
  • the second electrode may be a cathode electrode that is electrically connected to the n-type semiconductor layer, and the through hole may penetrate both surfaces of the substrate at a position where the through hole is formed.
  • the movable area of the wiring is limited by connecting the wiring to the electrode after passing through the through hole. Therefore, the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode can be suppressed.
  • At least a part of the side surface of the wiring may be separated from the inner wall of the through hole in the through hole.
  • At least a part of the side surface of the wiring is separated from the inner wall of the through hole and can be moved in the through hole, so that the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode is suppressed. Can do.
  • the first electrode and the second electrode are formed on the same surface of each substrate of the plurality of LED chips, and each substrate through which the through hole passes is formed.
  • the surface diameter on which the first electrode and the second electrode are not formed It may be smaller than the hole diameter of the through hole.
  • the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode can be more effectively suppressed by limiting the movable range of the wiring.
  • the first electrode and the second electrode are formed on the same surface of each substrate of the plurality of LED chips, and each substrate through which the through hole passes is formed.
  • the surface diameter where the first electrode and the second electrode are not formed It may be larger than the hole diameter of the through hole.
  • the region where the wiring and the through hole are easily contacted (the side having a small hole diameter) is positioned away from the electrode to which the wiring is connected, and thus the wiring is damaged by being in contact with the through hole. Can be suppressed.
  • one surface on which the first electrode or the second electrode to which the wiring passing through the through hole is connected is located.
  • the inner surface position of the through hole in the second electrode is closer to the first electrode or the second electrode side to which the wiring passing through the through hole is connected than the inner surface position of the other surface facing the one surface. It may be close.
  • the wiring is arranged in the through hole along the deflection with a small mechanical load. Therefore, the wiring passing through the through hole can be easily connected to the electrode.
  • each of the first electrode and the second electrode may be connected to the wiring by a conductive material.
  • the wiring can be fixed to the first electrode and the second electrode, and the wiring and the first electrode and the second electrode can be electrically connected with high accuracy.
  • the light emitting device includes an insulating wiring, and the insulating wiring passes through the through hole in one LED chip and then is adjacent to the one LED chip.
  • the insulating wiring may be higher in rigidity than the wiring through the through hole of the LED chip.
  • the mechanical load applied to the wiring when the light emitting device is deformed by bending or the like can be reduced by making the rigidity of the insulating wiring higher than the rigidity of the wiring.
  • a display device includes the light-emitting device according to one embodiment described above.
  • the movable area of the wiring is limited by connecting the wiring to the electrode after passing through the through hole. Therefore, even in a display device that uses the wiring board by bending it into a curved surface, it is possible to provide a display device in which the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode is suppressed.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of an LED array including a light emitting device according to the present embodiment.
  • the light-emitting device 1 includes a plurality of LED chips 10 arranged in a matrix, a data line group 20 a composed of a plurality of data lines 20, and an address composed of a plurality of address lines 30. And a line group 30a.
  • the LED chip 10 has a light emitting region 12 and through holes 14a and 14b on a substrate.
  • the data line 20 and the address line 30 penetrate through the through holes 14a and 14b, respectively.
  • the data line 20 passes through the through hole 14b of the LED chip 10
  • the address line 30 passes through the through hole 14a.
  • the data line 20 passes through one through hole 14b in each of the plurality of LED chips 10 in order, and connects the plurality of LED chips 10 in the column direction via electrode pads (see FIG. 10) described later.
  • the address line 30 passes through each other through hole 14a in the plurality of LED chips 10 in order, and connects the plurality of LED chips 10 in the row direction via electrode pads (see FIG. 10) described later.
  • the plurality of LED chips 10 are connected by the data lines 20 and the address lines 30 so as to weave the cloth in the matrix direction.
  • the through holes 14a and 14b at least part of the side surfaces of the address lines 30 and the data lines 20 are separated from the inner walls of the through holes 14a and 14b.
  • FIG. 2 is an electric circuit diagram of the light emitting device 1.
  • the light emitting device 1 has a configuration in which the LED chip 10 is connected between each of the plurality of data lines 20 and each of the plurality of address lines 30.
  • the LED chip 10 emits light according to the signal supplied from the data line 20 at a timing when a signal is applied to the address line 30.
  • FIGS. 3 and 4 are schematic views showing the configuration of the LED chip 10.
  • the LED chip 10 shown in FIGS. 3 and 4 corresponds to one of the LED chips 10 shown in FIG. Further, the LED chip 10 shown in FIG. 4 is obtained by providing an electrode pad in the configuration of FIG.
  • the LED chip 10 has a stacked structure in which an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer are stacked on a conductive or insulating substrate.
  • the light emitting region 12 including the active layer 12b (see FIG. 17) is provided on the sapphire substrate 11 which is an insulating substrate.
  • an n-type electrode 16 and a p-type electrode 17 are formed on the LED chip 10 so as to sandwich the light emitting region 12.
  • an n-type electrode 16 connected to the n-type pad electrode 18a and a p-type electrode 17 connected to the p-type pad electrode 18b are formed.
  • the n-type pad electrode 18a is electrically connected to the n-type electrode 16, and the n-type pad electrode 18a and the light emitting region 12 are insulated via an insulating film 19 (see FIG. 18).
  • the p-type pad electrode 18b is electrically connected to the p-type electrode 17, and the p-type pad electrode 18b and the light emitting region 12 are insulated via an insulating film 19 (see FIG. 17).
  • the light emitting region 12 includes an n type semiconductor layer 12a, an active layer (light emitting layer) 12b, and a p type semiconductor layer 12c.
  • an n-type semiconductor layer 12a, an active layer 12b, and a p-type semiconductor layer 12c are sequentially formed from the bottom to the top on the main surface (not shown) of the sapphire substrate 11.
  • the material of each semiconductor layer can be appropriately selected according to the wavelength of light emitted from the active layer 12b.
  • a GaAs-based or GaN-based compound semiconductor is used as a material for the semiconductor layer.
  • the light emitting region 12 emits light when a voltage is applied between the n-type electrode (cathode electrode) 16 and the p-type electrode (anode electrode) 17 so that a current flows through the light emitting region 12.
  • the p-type electrode 17 and the p-type pad electrode 18b correspond to the first electrode according to the present disclosure.
  • the n-type electrode 16 and the n-type pad electrode 18a correspond to a second electrode according to the present disclosure.
  • the through holes 14a and 14b are disposed so as to penetrate at least the sapphire substrate 11 in the LED chip 10. That is, in the LED chip 10, the through holes 14 a and 14 b are formed so as to penetrate at least the sapphire substrate 11 disposed at a position where the through hole is formed.
  • the data line 20 and the address line 30 are thread-like conductive wires (wires), for example, metal wirings made of metal such as gold (Au), silver (Ag), Cu (copper), and the like.
  • the address line 30 and the data line 20 are copper wires.
  • the diameters of the data line 20 and the address line 30 are, for example, 0.1 mm.
  • the address line 30 and the data line 20 desirably have not only conductivity but also flexibility and stretchability.
  • the material of the address line 30 and the data line 20 graphene such as graphite or carbon nanotube can be used. Thereby, the load of the address line 30 and the data line 20 generated when the light emitting device 1 is bent can be reduced.
  • the data line 20 and the address line 30 may be coated with resin.
  • a plurality of data lines 20 and address lines 30 are provided for each two adjacent LED chips 10. That is, the address lines 30 and the LED chips 10 are alternately provided in the row direction, and the data lines 20 and the LED chips 10 are alternately provided in the column direction.
  • a plurality of address lines 30 connected in the row direction via the LED chip 10 are configured as one scanning line (cathode wiring). Further, the plurality of data lines 20 connected in one column direction via the LED chip 10 are configured as one data line (anode wiring). A plurality of address lines and data lines are provided as an address line group 30a and a data line group 20a, respectively.
  • the cathodes of adjacent LED chips 10 are sequentially connected by the address lines 30 for the plurality of LED chips 10 arranged in the row direction.
  • the anodes of the adjacent LED chips 10 are sequentially connected by the data line 20.
  • the data line group 20a is connected to the data driver 50 (see FIG. 16A).
  • the address line group 30 a is connected to a scanning data driver (source driver) 60.
  • the data driver 50 and the scanning data driver 60 control the voltage or current applied to the data line 20 and the address line 30, respectively. Thereby, the light emission operation of the LED chip 10 is controlled.
  • the data line 20 corresponds to the second wiring according to the present disclosure.
  • the address line 30 corresponds to the first wiring according to the present disclosure.
  • FIG. 5 to FIG. 7 are schematic views showing the manufacturing process of the light emitting device 1.
  • the LED device refers to a state before the LED chip is divided for each chip.
  • a method for forming the LED device (LED chip) 10 will be described in detail later.
  • through holes 14 a and 14 b are formed in the sapphire substrate 11.
  • a plurality of through holes 14a and 14b penetrating both surfaces of the sapphire substrate 11 are formed using a laser.
  • a plurality of through holes 14 a and 14 b are formed around the light emitting region 12 in the LED device (LED chip) 10.
  • the through holes 14 a and 14 b may be provided in the vicinity of the light emitting region 12 of the LED device (LED chip) 10, for example. Further, the through holes 14a and 14b may be provided in a region where an electrode (for example, the n-type pad electrode 18a or the p-type pad electrode 18b) of the LED device (LED chip) 10 is formed.
  • the sapphire substrate 11 is diced, and the LED devices are divided into LED chips 10.
  • a substrate in which a semiconductor layer is laminated on a sapphire substrate 11 is prepared.
  • the semiconductor layer is a layer constituting the light emitting region 12, and in the light emitting region 12, an n-type semiconductor layer 12a, an active layer 12b, and a p-type semiconductor layer 12c are stacked in this order.
  • the stacked structure is etched so that the active layers 12b and 12c are left as shown in FIG. 8, and the n-type semiconductor layer 12a is exposed as shown in FIG. The Thereby, in the LED chip 10, the n-type semiconductor layer 12a is exposed.
  • the semiconductor layer in the region excluding the n-type semiconductor layer 12a is etched so that the sapphire substrate 11 is exposed leaving the n-type semiconductor layer 12a.
  • an insulating film (not shown) for insulating the pn junction so that the p-type semiconductor layer 12c (or the p-type electrode 17) and the n-type semiconductor layer 12a (or the n-type electrode 16) are not short-circuited. Is formed.
  • an n-type electrode 16 is formed on the n-type semiconductor layer 12a.
  • the n-type electrode is formed in an L shape so as to be parallel to two sides of the n-type semiconductor layer 12a.
  • a p-type electrode 17 is formed on the p-type semiconductor layer 12c.
  • the p-type electrode 17 is formed on the p-type semiconductor layer 12c in a shape substantially similar to the shape of the p-type semiconductor layer 12c.
  • through holes 14 a and 14 b are formed in the LED chip 10.
  • the through holes 14a and 14b are formed by laser processing as described above.
  • an n-type pad electrode 18a and a p-type pad electrode 18b are formed for the n-type electrode 16 and the p-type electrode 17, respectively.
  • the n-type pad electrode 18a and the p-type pad electrode 18b are made of copper, for example, and are patterned into a predetermined shape. Thereby, the n-type electrode 16 and the n-type pad electrode 18a are electrically connected, and the p-type electrode 17 and the p-type pad electrode 18b are electrically connected.
  • the LED chip 10 shown in FIG. 13 is completed.
  • the wiring (address line 30 and data line 20) penetrates through holes 14a and 14b and is connected to the electrodes (n-type pad electrode 18a and p-type pad electrode 18b).
  • region of wiring is restrict
  • the mask pattern used for patterning may be another pattern in addition to the pattern shown in the above-mentioned embodiment.
  • the manufacturing process of the light emitting device 1 is not limited to the above-described process, and the order of the processes may be changed or another process may be added.
  • the through holes 14a and 14b may be formed after the n-type pad electrode 18a and the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10 are formed, or the n-type pad electrode 18a and the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10 may be formed. You may carry out before formation of. According to this configuration, the through holes 14a and 14b and the n-type pad electrode 18a and the p-type pad electrode 18b can be easily formed.
  • the through holes 14a and 14b may be formed so as to penetrate not only the sapphire substrate 11, but also a stacked body including the sapphire substrate 11, the p-type semiconductor layer 12c, and the n-type semiconductor layer 12a. Further, the stacked body may be formed so as to penetrate at least one of the n-type semiconductor layer 12a and the p-type semiconductor layer 12c.
  • the wiring constituted by the data line 20 and the address line 30 passes through the through holes 14a and 14b and is connected to the electrode (n-type electrode 16 or p-type electrode 17), the wiring is movable. The area is limited. Thereby, the mechanical load concerning the connection point of wiring and an electrode can be suppressed.
  • the through holes 14a and 14b provided in the LED chip 10 are not limited to two as in the light emitting device 1 described above, and more through holes may be provided. In this case, it is not necessary to unify the hole diameters of the through holes, and a plurality of through holes having different hole diameters may be formed. An example is shown below.
  • FIG. 14 is a top view showing a configuration of the LED chip 10 having a plurality of through holes having different hole diameters.
  • the LED chip 10 may include through holes 14c, 14d, 14e, and 14f in addition to the through holes 14a and 14b of the LED chip 10 of the light emitting device 1 described above.
  • the through holes 14a, 14c and 14e are formed in the n-type pad electrode 18a.
  • the through holes 14b, 14d and 14f are formed inside the p-type pad electrode 18b.
  • the through holes 14a, 14c and 14e formed in the n-type pad electrode 18a have the largest hole diameters of the through holes 14a, followed by the through holes 14c and 14e, and the through holes 14e are formed to be smaller in diameter. The smallest is formed.
  • the through holes 14b, 14d and 14f formed in the p-type pad electrode 18b have the largest through holes 14b, followed by the through holes 14d and 14f, and the through holes 14f and 14f are formed smaller in order. Is formed with the smallest hole diameter.
  • through holes having different hole diameters can be used according to the diameter of the wiring, and the mechanical load received by the wiring can be reduced easily and efficiently. it can.
  • the address line 30 and the data line 20 are passed through the through holes 14a and 14b, respectively.
  • the data line 20 passes through the through holes 14b of the plurality of LED chips 10 in order, and connects the plurality of LED chips 10 in the column direction.
  • the address line 30 passes through the through holes 14a of the plurality of LED chips 10 in order, and connects the plurality of LED chips 10 in the row direction.
  • the plurality of LED chips 10 are connected by the data lines 20 and the address lines 30 so that the cloth is woven in the matrix direction. A method for connecting the plurality of LED chips 10 will be described in detail later.
  • the light emitting device 1 in which the plurality of LED chips 10 are connected so as to weave the cloth in the matrix direction is fixed to a film 40 made of a flexible resin material or the like.
  • the light emitting device 1 can be provided on the flexible substrate of the panel.
  • the data line 20 and the address line 30 are connected to the data driver 50 and the scanning data driver 60, respectively. Thereby, the light emission operation of the LED chip 10 can be controlled by the data driver 50 and the scanning data driver 60.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of the light emitting device 1 shown in FIG.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of the light emitting device 1 shown in FIG. Note that the LED chips 10a to 10c in FIGS. 17 and 18 correspond to the LED chips 10a to 10c shown in FIG. 16B.
  • the data line 20 as a wiring is connected to a p-type pad electrode 18b formed on the surface of one LED chip 10a by a conductive material (for example, conductive resin) 18c, and the LED chip 10a.
  • the through hole 14b formed in the through hole penetrates from the front surface to the back surface.
  • the data line 20 penetrates the through hole 14b formed in the other LED chip 10b from the back surface to the front surface, and the p-type pad electrode 18b formed on the surface of the other LED chip 10b is connected to the conductive resin 18c. Connected by.
  • the data line 20 penetrating the through hole 14b of the LED chip 10a is electrically connected to the adjacent LED chip 10b, and the movable area of the data line 20 is limited. Thereby, the mechanical load concerning the connection point of the data line 20 and each p-type pad electrode 18b can be suppressed.
  • the address line 30 as a wiring is connected to an n-type pad electrode 18a formed on the surface of one LED chip 10a by a conductive material (for example, conductive resin) 18d.
  • the through hole 14a formed in the chip 10a penetrates from the front surface to the back surface.
  • the address line 30 penetrates the through hole 14a formed in the other LED chip 10c from the back surface to the front surface, and is connected to the n-type pad electrode 18a formed on the surface of the LED chip 10c by the conductive resin 18c. Is done.
  • the address line 30 penetrating the through hole 14a of the LED chip 10a is electrically connected to the adjacent LED chip 10c, and the movable area of the address line 30 is limited. Thereby, the mechanical load concerning the connection point of the address line 30 and each n-type pad electrode 18a can be suppressed.
  • the light emitting device 1 according to the present embodiment is completed.
  • the wiring (data line 20 and address line 30) penetrates the through hole and is connected to the electrode, so that the movable area of the wiring is limited. Therefore, the mechanical load applied to the connection point between the wiring and the electrode can be suppressed.
  • the mask pattern used for patterning may be another pattern in addition to the pattern shown in the above-mentioned embodiment.
  • the manufacturing process of the light emitting device 1 is not limited to the above-described process, and the order of the processes may be changed or another process may be added.
  • the through holes 14a and 14b may be formed after the n-type pad electrode 18a and the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10 are formed, or the n-type pad electrode 18a and the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10 may be formed. You may carry out before formation of. According to the above configuration, the through hole, the n-type pad electrode, and the p-type pad electrode can be easily formed.
  • the through holes 14a and 14b may be formed so as to penetrate not only the substrate but also the stacked body including the sapphire substrate 11, the p-type semiconductor layer 12c, and the n-type semiconductor layer 12a. Further, in the stacked body, it may be formed so as to penetrate at least one of the n-type semiconductor layer 12a and the p-type semiconductor layer 12c. According to this configuration, since the wiring constituted by the data line 20 and the address line 30 passes through the through holes 14a and 14b and is connected to the electrode (n-type electrode 16 or p-type electrode 17), the wiring is movable. The area is limited. Thereby, the mechanical load concerning the connection point of wiring and an electrode can be suppressed.
  • the substrate is not limited to the sapphire substrate 11 described above, and may be a conductive substrate or an n-type semiconductor layer.
  • the conductive substrate for example, an oxide semiconductor may be used.
  • the n-type semiconductor layer may be GaN, for example.
  • the through holes 14a and 14b only need to be formed so as to penetrate both surfaces of the multilayer structure, that is, the back surface from the front surface of the multilayer structure.
  • the through-hole is formed so as to penetrate both sides of the stacked structure with respect to the n-type semiconductor layer What is necessary is just to form 14a and 14b.
  • the wiring connected to the p-type pad electrode 18b and the n-type pad electrode 18a of one LED chip 10a are the one.
  • the movable area of the wiring is limited. Thereby, the mechanical load concerning the connection point of wiring and an electrode can be suppressed.
  • the substrate constituting the LED chip is a semiconductor substrate, and a through hole is provided in the semiconductor substrate.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing the configuration of the LED chips 100a and 100b.
  • the data line 20 and the address line 30 are collectively shown as a wiring 170.
  • the LED chips 100a and 100b are provided on a substrate 111 with a p-type pad electrode 118b as a first electrode and an n-type pad electrode 118a as a second electrode.
  • a semiconductor substrate is used as the substrate 111.
  • the substrate 111 is a substrate made of an n-type semiconductor layer, for example.
  • the substrate 111 may have a stacked structure including an n-type semiconductor layer, an active layer (light emitting layer), and a p-type semiconductor layer.
  • An insulating film (not shown) is formed between the n-type pad electrode 118 a and the p-type pad electrode 118 b and the wiring 170 penetrating the through hole 114.
  • the insulating film is formed on the inner surface of the through hole 114.
  • the insulating film may be formed not only in the through hole 114 but also in the wiring.
  • the wiring may be configured to be coated with a resin.
  • the wiring 170 is connected to the p-type pad electrode 118b formed on the surface of the LED chip 100a, and penetrates the through hole 114 formed in the LED chip 100a from the front surface to the back surface. Furthermore, the wiring 170 penetrates the through hole 114 formed in the LED chip 100b from the back surface to the front surface, and is connected to the p-type pad electrode 118b formed on the surface of the other LED chip 100b.
  • the wiring 170 is electrically connected between the adjacent LED chips 100a and 100b, and the movable region of the wiring 170 is limited. Therefore, the mechanical load applied to the connection point between the wiring 170 and each p-type pad electrode 118b can be suppressed.
  • FIG. 19 illustrates the light emitting device in which the wiring 170 connects the p-type pad electrodes 118b
  • the wiring 170 only needs to pass through the through hole 114 when connected between the adjacent LED chips 100a and 100b, and may connect the n-type pad electrodes 118a. Further, the n-type pad electrode 118a of the LED chip 100a may be connected to the p-type pad electrode 118b of the LED chip 100b adjacent thereto.
  • the wiring 170 penetrating the through hole 114 is not limited to the data line 20 and the address line 30, and may be an insulating wiring having no conductivity.
  • the insulating wiring is not connected to the n-type pad electrode 118a and the p-type pad electrode 118b, but penetrates through holes 114 of other LED chips in order and mechanically connects the LED chips. Use for.
  • the substrate constituting the LED chips 100a and 100b is a semiconductor substrate, the plurality of LED chips are connected through the through holes 114 of the LED chips 100a and 100b in order. By doing so, the mechanical load concerning the connection point of wiring and an electrode can be suppressed.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device according to the present embodiment.
  • the light emitting device is different from the light emitting device according to Embodiment 1 in that an LED chip is mounted on a substrate provided with a plurality of through holes.
  • substrate which has a through hole may differ from the board
  • the LED chip 10d includes a sapphire substrate 11, an n-type pad electrode 18a that is a cathode electrode, and a p-type pad electrode 18b that is an anode electrode.
  • the light emitting region 12 has a configuration in which an n-type semiconductor layer 12a, an active layer 12b, and a p-type semiconductor layer 12c are stacked on a sapphire substrate 11.
  • the n-type pad electrode 18 a and the p-type pad electrode 18 b extend to the back surface of the sapphire substrate 11 through the side surface of the sapphire substrate 11.
  • the sapphire substrate 11 is mounted on another substrate 120 in which the through holes 124a and 124b are formed.
  • an n-type connection electrode 128a is formed on the substrate surface around the opening of the through hole 124a.
  • a p-type connection electrode 128b is formed on the surface of the substrate around the opening of the through hole 124b.
  • the n-type connection electrode 128a and the p-type connection electrode 128b are electrically connected to the n-type pad electrode 18a and the p-type pad electrode 18b, respectively.
  • the substrate 120 may be a printed circuit board or a glass substrate as an example.
  • the data line 20 is connected to the p-type connection electrode 128b of the LED chip 10d.
  • the data line 20 passes through the through hole 124b of the LED chip 10d, passes through the through hole 124b of the adjacent LED chip 10e, and is connected to the p-type connection electrode 128b of the LED chip 10e.
  • the address line 30 is connected to the n-type connection electrode 128a of the LED chip 10d.
  • the address line 30 passes through the through hole 124a of the LED chip 10d, passes through the through hole 124a of the adjacent LED chip 10e, and is connected to the n-type connection electrode 128a of the LED chip 10e.
  • the data line 20 and the p-type connection electrode 128b of the LED chip 10d, and the data line 20 and the p-type connection electrode 128b of the LED chip 10e are the p-type connection electrode 128b as described in the first embodiment. You may connect by forming the conductive resin 128c on the upper surface.
  • the address line 30 and the n-type connection electrode 128a of the LED chip 10d and the address line 30 and the n-type connection electrode 128a of the LED chip 10e are formed by forming a conductive resin 128d on the upper surface of the n-type connection electrode 128a. You may connect.
  • the sapphire substrate 11 and the substrate 120 are configured to connect the electrodes by surface mounting, but may be connected by wire bonding or the like.
  • the substrate having a plurality of through holes and the plurality of LED chips 10 can be separately prepared. Therefore, the manufacture of the light emitting device is easy.
  • 21 and 22 are cross-sectional views showing the configuration of the light emitting device according to this embodiment.
  • the light emitting device according to this embodiment is different from the light emitting devices shown in Embodiments 1 and 2 in that the inside of the through hole is covered with a conductive material.
  • the inner surface of the through hole 14b provided in the sapphire substrate 11 of the LED chips 10f and 10g is covered with a p-type pad electrode 138b.
  • the inner surface of the through hole 14b is covered with the p-type pad electrode 138b, electrical connection with the data line 20 can be easily performed.
  • the inner surface of the through hole 14a provided in the sapphire substrate 11 of the LED chips 10f and 10h is covered with an n-type pad electrode 138a.
  • the inner surface of the through hole 14a is covered with the n-type pad electrode 138a, electrical connection with the wiring 30 can be easily performed.
  • the wiring that penetrates the through holes 14a and 14b is not limited to the data line 20 and the address line 30, and may be an insulating wiring that does not have conductivity.
  • the insulating wiring is not connected to the n-type pad electrode 138a and the p-type pad electrode 138b, but penetrates through holes of other LED chips in order and mechanically connects the LED chips. It may be. The case of penetrating an insulating wiring having no conductivity through the through hole will be described in detail later.
  • the n-type pad electrode 138a or the p-type pad electrode 138b and the wiring penetrating the through hole are provided. Electrical connection can be facilitated.
  • the above-described light emitting device may have not only conductive wiring but also insulating wiring that does not have conductivity.
  • a light emitting device having an insulating wiring will be described.
  • 23 and 24 are cross-sectional views showing the configuration of the light emitting device according to this embodiment.
  • the light emitting device includes an n-type pad electrode 18a that is a cathode electrode on the surface of the substrate 11 of the LED chip 10i, and the substrate 11 of the LED chip 10j adjacent to the LED chip 10i. Is provided with a p-type pad electrode 18b which is an anode electrode. In addition, through holes 14a, 14b and 144 are formed in the LED chips 10i and 10j, respectively. In addition, conductive wiring 170 (for example, the data line 20 or the address line 30) is connected to the n-type pad electrode 18a of the LED chip 10i by a conductive resin 18c.
  • a conductive resin 18c for example, the data line 20 or the address line 30
  • the wiring 170 passes through the through hole 14a formed in the LED chip 10i, passes through the through hole 14b of another adjacent LED chip 10j, and is connected to the p-type pad electrode 18b by the conductive resin 18c. That is, the n-type pad electrode 18a of the LED chip 10i and the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10j are connected through the through holes 14a and 14b.
  • an insulating wiring 180 having no conductivity passes through the through hole 144 formed in the LED chip 10i.
  • the insulating wiring 180 is made of, for example, a resin material.
  • the insulating wiring 180 may be a metal wiring covered with an insulating material such as a resin material.
  • the insulating wiring 180 also penetrates the through hole 144 of the adjacent LED chip 10j.
  • the insulating wiring 180 further passes through through holes of a plurality of adjacent LED chips (not shown) in order, and a cloth-like light emitting device is formed by the plurality of LED chips.
  • the plurality of LED chips are fixed to each other by the insulating wiring 180, so that a cloth-like light emitting device with high mechanical strength can be obtained.
  • the insulating wiring 180 may be formed of a material having higher rigidity than the wiring 170. By making the rigidity of the insulating wiring 180 higher than the rigidity of the wiring 170, the mechanical load applied to the wiring 170 when the light emitting device is deformed by bending or the like can be further reduced.
  • the wiring 170 is not limited to connecting the n-type pad electrode 18a in the LED chip 10i and the p-type pad electrode 18b in the LED chip 10j, but between the p-type pad electrodes 18b in the adjacent LED chips 10i and 10j or n
  • the mold pad electrodes 18a may be connected to each other.
  • the wiring 170 is connected to the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10i.
  • the wiring 170 passes through the through hole 14b formed in the LED chip 10i and is connected to the p-type pad electrode 18b of the adjacent LED chip 10k. Thereby, the LED chip 10i and the p-type pad electrode 18b of 10k which adjoin by the wiring 170 are connected.
  • the wiring 170 is connected to the n-type pad electrode 18a of the LED chip 10i, passes through the through hole 14a formed in the LED chip 10i, and is connected to the n-type pad electrode 18a of another adjacent LED chip 10k. Also good. Thereby, the n-type pad electrodes 18a of the LED chips 10i and 10k adjacent to each other are connected by the wiring 170.
  • the plurality of LED chips are fixed to each other by using the insulating wiring 180, a cloth-like light emitting device having high mechanical strength can be obtained.
  • 25 and 26 are cross-sectional views showing the configuration of the light-emitting device according to this modification.
  • the light emitting device is different from the light emitting device according to the fourth embodiment in that the substrate constituting the LED chip is a semiconductor substrate, and a through hole is provided in the semiconductor substrate.
  • a semiconductor substrate is a substrate (stacked structure) in which semiconductor layers are stacked.
  • the semiconductor layer is a layer constituting the light emitting region 12 as in each of the above-described embodiments, and the light emitting region 12 includes the n-type semiconductor layer 12a, the active layer 12b, and the p-type semiconductor layer 12c. They are stacked in order.
  • each of the LED chips 100c and 100d includes an n-type pad electrode 118a that is a cathode electrode on the back surface of the substrate (laminated structure) 111, and the substrate ( A laminate structure) 111 is provided with a p-type pad electrode 118b which is an anode electrode.
  • through holes 154a and 154b are formed in the LED chips 100c and 100d, respectively.
  • a conductive wiring 170 (for example, the data line 20 or the address line 30) is connected to the p-type pad electrode 118b of the LED chip 100c.
  • the wiring 170 penetrates the through hole 154a formed in the LED chip 100c and is connected to the n-type pad electrode 118a of the adjacent LED chip 100d. That is, the p-type pad electrode 118b of the LED chip 100c and the n-type pad electrode 118a of the adjacent LED chip 100d are connected through the through hole 154a.
  • an insulating wiring 180 having no conductivity passes through the through hole 154b formed in the LED chip 100c.
  • the insulating wiring 180 is made of, for example, a resin material.
  • the insulating wiring 180 may be a metal wiring covered with an insulating material such as a resin material.
  • the insulating wiring 180 passes through the through hole 154b of the adjacent LED chip 100d.
  • the insulating wiring 180 further passes through through holes 154b of a plurality of adjacent LED chips (not shown) in order, and a cloth-like light emitting device is formed by the plurality of LED chips.
  • the plurality of LED chips are fixed to each other by the insulating wiring 180, so that a cloth-like light emitting device with high mechanical strength can be obtained.
  • the insulating wiring 180 may be formed of a material having higher rigidity than the wiring 170. By making the rigidity of the insulating wiring 180 higher than the rigidity of the wiring 170, the mechanical load applied to the wiring 170 when the light emitting device is deformed by bending or the like can be further reduced.
  • the wiring 170 showed the example which connects the p-type pad electrode 118b in LED chip 100c, and the n-type pad electrode 118a in LED chip 100d in FIG. 25, it is not restricted to this, Adjacent LED chip 100c is shown. And 100d p-type pad electrodes 118b or n-type pad electrodes 118a may be connected.
  • the p-type pad electrode 118b in the LED chip 100c may be connected to the p-type pad electrode 118b in the LED chip 100d.
  • the wiring 170 is connected to the p-type pad electrode 118b of the LED chip 100c.
  • the wiring 170 passes through the through hole 154a formed in the LED chip 100c and is connected to the p-type pad electrode 118b of the adjacent LED chip 100d.
  • the p-type pad electrodes 118b of the adjacent LED chips 100c and 100d are connected by the wiring 170.
  • the wiring 170 is connected to the n-type pad electrode 118a of the LED chip 100c, passes through the through hole 154a formed in the LED chip 100c, and further passes through the through hole 154a of the adjacent LED chip 100d to form the n-type. It may be connected to the pad electrode 118a. Thereby, the n-type pad electrodes 118a of the adjacent LED chips 100c and 100d are connected by the wiring 170.
  • the plurality of LED chips are fixed to each other by the insulating wiring 180 by using the insulating wiring 180, a cloth-like light emitting device having high mechanical strength can be obtained.
  • FIG. 27 is a top view showing a configuration of a light emitting device according to this modification.
  • the LED chips 100c and 100d have a first through hole 154a through which the wiring 170 passes and a second through hole 154b through which the insulating wiring 180 passes. Further, between the adjacent LED chips 100c and 100d, the distance between the second through holes 154b is arranged to be shorter than the distance between the first through holes 154a. In this way, the mechanical strength of the light emitting device is adjusted by changing the distance between the first through holes 154a through which the wiring 170 passes and the distance between the second through holes 154b through which the insulating wiring 180 passes. Can do. Further, by making the distance between the second through holes 154b through which the insulating wiring 180 passes shorter than the distance between the first through holes 154a, the load applied to the wiring and the connection point between the wiring and the electrode are applied. The load can be further reduced.
  • the light emitting device according to this embodiment is different from the light emitting devices shown in Embodiments 1 to 4 in that the hole diameter of the through hole provided in the LED chip is different between the front surface and the back surface of the substrate.
  • 28 to 30 are cross-sectional views showing the configuration of the LED chip of the light emitting device according to this embodiment.
  • the LED chips 10l and 10m include a substrate 11, an n-type pad electrode (not shown) as a cathode electrode, and a p-type pad electrode 18b as an anode electrode.
  • the light emitting region 12 has a configuration in which an n-type semiconductor layer 12a, an active layer 12b, and a p-type semiconductor layer 12c are stacked on a substrate 11.
  • the substrate 11 has through holes 214a and 214b.
  • the data line 20 passes through the through hole 214b of the LED chip 10l and is connected to the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10l by a conductive resin 18c.
  • the data line 20 passes through the through hole 214b of the adjacent LED chip 10m, and is connected to the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10m by the conductive resin 18c.
  • the through hole 214b is formed so that the hole diameter on the surface close to the p-type pad electrode 18b to which the data line 20 is connected, that is, the surface diameter of the substrate 11 is larger than the hole diameter on the back surface of the substrate 11. .
  • the hole diameter on the surface side close to the p-type pad electrode 18b to which the data line 20 is connected is formed larger than the hole diameter on the surface side far from the p-type pad electrode 18b, so that the data line 20 becomes the through hole 214b. Can be prevented from being damaged by contact with.
  • the data line 20 is not limited to the p-type pad electrode 18b but may be connected to the n-type pad electrode 18a.
  • the through hole 214a has a hole diameter on the surface where the n-type pad electrode 18a is formed so as to be larger than the hole diameter on the surface where the n-type pad electrode 18a is not formed (the back surface of the substrate 11 in FIG. 28). It is good to form.
  • the LED chips 10n and 10p shown in FIG. 29 include a substrate 11 similar to the LED chips 10l and 10m shown in FIG. 28, an n-type pad electrode (not shown), and a p-type pad electrode 18b. Yes.
  • the substrate 11 has through holes 215a and 215b.
  • the data line 20 penetrates the through hole 215b of the LED chip 10n, and is connected to the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10n by the conductive resin 18c.
  • the data line 20 passes through the through hole 215b of the adjacent LED chip 10p, and is connected to the p-type pad electrode 18b of the LED chip 10p by the conductive resin 18c.
  • the through hole 215b is formed so that the hole diameter on the surface near the p-type pad electrode 18b to which the data line 20 is connected, that is, the surface of the substrate 11 is smaller than the hole diameter on the back surface of the substrate 11. .
  • the hole diameter on the surface side close to the p-type pad electrode 18b to which the data line 20 is connected is formed smaller than the hole diameter on the surface side far from the p-type pad electrode 18b, so that the movable range of the data line 20 is increased. Is limited. Therefore, the mechanical load applied to the connection point between the data line 20 and the p-type pad electrode 18b can be more effectively suppressed.
  • the data line 20 is not limited to the p-type pad electrode 18b but may be connected to the n-type pad electrode 18a.
  • the through hole 215b has a hole diameter on the surface where the n-type pad electrode 18a is formed so as to be smaller than the hole diameter on the surface where the n-type pad electrode 18a is not formed (the back surface of the substrate 11 in FIG. 29). It is good to form.
  • FIGS. 28 and 29 further modifications of FIGS. 28 and 29 are also conceivable.
  • the inner surfaces of the through holes provided in the LED chips 10q and 10r are on the electrode side (in FIG. 30, the surface side of the substrate 11) to which the wiring passing through the through holes is connected. It is slanted. Since the configuration other than the inclination of the through hole is the same as that described in the description of FIGS. 28 and 29, the description thereof is omitted.
  • the inner surface of the through hole 216b is on the p-type pad electrode 18b side to which the data line 20 passing through the through hole 216b is connected (each of the LED chips 10q and 10r). It is inclined to the center side. More specifically, among the both surfaces of the substrate 11 through which the through hole 216b passes, the through hole 216b on one surface (upper surface) where the p-type pad electrode 18b to which the data line 20 passing through the through hole 216b is connected is located.
  • the inner surface position is closer to the p-type pad electrode 18b side to which the data line 20 passing through the through hole 216b is connected than the inner surface position on the other surface (lower surface) opposite to the one surface described above.
  • the inner surface of the through hole 216b is formed to be inclined toward the p-type pad electrode 18b side (the center side of each of the LED chips 10q and 10r), so that the data line 20 is mechanically loaded along the deflection. It is arranged in the through hole 216b in a state with a small amount. Therefore, the data line 20 passing through the through hole 216b can be easily connected to the p-type pad electrode 18b.
  • the inclination of the inner surface of the through hole 216b is not limited to the inner surface close to the p-type pad electrode 18b, and the entire inner surface of the through hole 216b may be inclined to the p-type pad electrode 18b side.
  • the data line 20 is not limited to the p-type pad electrode 18b, and may be connected to an n-type pad electrode (not shown). In this case, by forming the inner surface of the through hole 216a so as to be inclined toward the n-type pad electrode, the wiring 30 passing through the through-hole 216a can be easily connected to the n-type pad electrode 18a.
  • the hole diameter of the through hole provided in the LED chip is formed to be different between the front surface and the back surface of the substrate.
  • the load can be reduced, and damage to the light emitting device can be effectively suppressed.
  • the wiring is arranged in the through hole along the flexure with less mechanical load. Therefore, the wiring passing through the through hole can be easily connected to the electrode.
  • the light-emitting device according to the present embodiment is different from the light-emitting device shown in Embodiment 5 in that the substrate constituting the LED chip is a semiconductor substrate and a through hole is formed in the semiconductor substrate.
  • 31 to 33 are cross-sectional views showing the configuration of the LED chip of the light emitting device according to this embodiment.
  • the LED chip 100e includes a substrate (laminated structure) 310, an n-type pad electrode 318a that is a cathode electrode, and a p-type pad electrode 318b that is an anode electrode.
  • the substrate (laminated structure) 310 has a structure in which an n-type semiconductor layer 310b, an active layer 310c, and a p-type semiconductor layer 310d are stacked on a conductive substrate 310a.
  • a through hole 314 is formed in the substrate (laminated structure) 310.
  • a wiring 370 (for example, the data line 20 and the address line 30) is connected to the p-type pad electrode 318b.
  • the surface of the wiring 370 is coated with an insulating film.
  • the wiring 370 passes through the through hole 314 and is connected to an electrode of an adjacent LED chip (not shown).
  • the through hole 314 is formed so that the hole diameter on the surface close to the p-type pad electrode 318b to which the wiring 370 is connected, that is, the surface of the substrate (laminated structure) 310 is larger than the hole diameter on the back surface. Yes.
  • the hole diameter on the surface side close to the p-type pad electrode 318b to which the wiring 370 is connected is formed larger than the hole diameter on the surface side far from the p-type pad electrode 318b, so that the wiring 370 contacts the through hole 314. By doing so, it is possible to suppress damage.
  • the wiring 370 may not be coated with an insulating film. In this case, the inner surface of the through hole 314 only needs to be coated with an insulating film.
  • the wiring 370 is not limited to the p-type pad electrode 318b, and may be connected to the n-type pad electrode 318a. In this case, the through hole 314 is preferably formed so that the hole diameter of the surface on which the n-type pad electrode 318a is formed becomes large.
  • the through hole 315 of the LED chip 100f has a hole diameter on the surface close to the p-type pad electrode 318b to which the wiring 370 is connected, that is, on the surface of the substrate (laminated structure) 310. You may form so that it may become smaller than a hole diameter.
  • the hole diameter on the surface side close to the p-type pad electrode 318b to which the wiring 370 is connected is formed smaller than the hole diameter on the surface side far from the p-type pad electrode 318b, so that the movable range of the wiring 370 is reduced. Limited. Therefore, the mechanical load applied to the connection point between the wiring 370 and the p-type pad electrode 318b can be more effectively suppressed.
  • the wiring 370 may not be coated with an insulating film.
  • the inner surface of the through hole 315 may be coated with an insulating film.
  • the wiring 370 is not limited to the p-type pad electrode 318b, and may be connected to the n-type pad electrode 318a.
  • the through hole 315 is preferably formed so that the hole diameter of the surface on which the n-type pad electrode 318a is formed is smaller than the hole diameter on the surface side far from the p-type pad electrode 318b.
  • the load applied to the connection point between the wiring and the LED chip by forming the through holes provided in the LED chip so as to be different between the front surface and the back surface of the substrate.
  • the damage of the light emitting device can be effectively suppressed.
  • the inner surface of the through hole 316 provided in the LED chip 100g may be inclined toward the p-type pad electrode 318b to which the wiring 370 passing through the through hole 316 is connected.
  • the inner surface of the through hole 316 is inclined toward the p-type pad electrode 318b to which the wiring 370 passing through the through hole 316 is connected. More specifically, the inner surface of the through hole 316 on one surface (upper surface) where the p-type pad electrode 318b to which the wiring 370 passing through the through hole 316 is connected is located on both surfaces of the substrate 310 through which the through hole 316 passes. The position is closer to the p-type pad electrode 318b side to which the wiring 370 passing through the through hole 316b is connected than the inner surface position on the other surface (lower surface) opposite to the one surface described above.
  • the wiring 370 is disposed in the through hole 316 along the flexure with little mechanical load. Therefore, the wiring 370 passing through the through hole 316 can be easily connected to the p-type pad electrode 318b.
  • the inclination of the inner surface of the through hole 316 is not limited to the inner surface close to the p-type pad electrode 318b, and the entire inner surface of the through hole 316 may be inclined to the p-type pad electrode 318b side.
  • the wiring 370 is not limited to the p-type pad electrode 318b, and may be connected to the n-type pad electrode 318a. In this case, by forming the inner surface of the through hole 316 inclined toward the n-type pad electrode 318a, the wiring 370 passing through the through-hole 316 can be easily connected to the n-type pad electrode 318a.
  • the hole diameter of the through hole provided in the LED chip is different between the front surface and the back surface of the substrate.
  • the wiring is disposed in the through hole along the bending thereof with a small mechanical load. Therefore, the wiring passing through the through hole can be easily connected to the electrode.
  • the substrate constituting the LED chip may be a conductive substrate, an insulating substrate (insulator), or an n-type semiconductor substrate.
  • the insulating wiring may pass through the same through hole as the wiring (data line and address line).
  • the number of through holes is not limited to the number shown in the above embodiment, but may be other numbers.
  • the size of the hole diameter of the through hole is not limited to that shown in the above embodiment, and may be changed as appropriate.
  • the shape of the through-hole diameter may be any shape, but is preferably a shape that does not apply a mechanical load to the wiring penetrating the through-hole or the insulating wiring.
  • the mask pattern used for patterning is not limited to the pattern shown in the above embodiment, and may be another pattern.
  • the manufacturing process of the light emitting device is not limited to the above-described process, and the order of the processes may be changed or another process may be added.
  • the through hole may be formed after the n-type pad electrode and the p-type pad electrode of the LED chip are formed, or may be performed before the n-type pad electrode and the p-type pad electrode of the LED chip are formed.
  • the wiring that penetrates the through hole may be a conductive wiring or an insulating wiring that does not have conductivity. Further, the method for penetrating the wiring or the insulating wiring into the through hole may be appropriately changed.
  • the circuit that connects the wirings in a matrix shape has been mainly described. Therefore, the configuration in which the anodes (p-type semiconductor layers) and the cathodes (n-type semiconductor layers) of the LED chips are connected is shown. In the case where the LED chips are connected in a straight line, the anode (p-type semiconductor layer) and the cathode (n-type semiconductor layer) are connected as shown in FIGS. 23 and 25 in all the embodiments described above. Good.
  • the light emitting device having the above-described features may be used as a display device.
  • the load concerning the connection point of a conductor and a light-emitting device can be reduced, and the failure
  • the light emitting device according to the present embodiment has been described based on the embodiment, but the present disclosure is not limited to this embodiment. Unless it deviates from the main point of this indication, the form obtained by combining this embodiment with various modifications conceived by those skilled in the art and the combinations obtained in the different embodiments are also included in the scope of this disclosure.
  • the light emitting device according to the present disclosure can be used for a display device or the like that is bent into a curved surface.
  • LED chip LED chip, LED device 11 Sapphire substrate (substrate) 12 light emitting region 12a, 310b n-type semiconductor layer 12b, 310c active layer (light emitting layer) 12c, 310d p-type semiconductor layer 14, 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f, 114, 214a, 214b, 215a, 215b, 216a, 216b, 314, 315, 316 Through hole 16 n-type electrode (second electrode) 17 p-type electrode (first electrode) 18a, 138a, 318a n-type pad electrode (second electrode) 18b, 138b, 318b p-type pad electrode (first electrode) 18c, 18d Conductive material 20 Data line (wiring) 20a Data line group (wiring) 30 Address line (wiring) 30a Address line group (wiring) 40 Film 50 Data Driver 60 Scanning Data Driver 170, 370 Wiring 180 Insulating Wiring 310 Subs

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Abstract

発光デバイスにおいて、発光領域と、発光領域に電気的に接続されたｎ型パッド電極（１８ａ）およびｐ型パッド電極（１８ｂ）とを有する複数のＬＥＤチップ（１０ｄ）および（１０ｅ）と、複数のＬＥＤチップ（１０ｄ）および（１０ｅ）に対応して設けられた複数の基板（１２０）と、少なくとも複数の基板（１２０）をそれぞれ貫通するスルーホール（１２４ａ）および（１２４ｂ）と、糸状の導電性線材で構成されたデータ線（２０）およびアドレス線（３０）と、を備え、データ線（２０）およびアドレス線（３０）は、ＬＥＤチップ（１０ｄ）が有するｎ型パッド電極（１８ａ）またはｐ型パッド電極（１８ｂ）とＬＥＤチップ（１０ｄ）と隣り合うＬＥＤチップ（１０ｅ）が有するｎ型パッド電極（１８ａ）またはｐ型パッド電極（１８ｂ）とを、スルーホール（１２４ａ）または（１２４ｂ）内を通過した上で導通する。

Description

発光デバイスおよび表示装置
　本開示は、発光デバイスに関し、特に、フレキシブルまたはストレッチャブルな発光デバイスに関する。
　多数の発光素子を規則的に並べて装着し、この発光素子を適宜点滅させて所定の文字、図形または記号等を表示するディスプレイ装置が知られている。
　このディスプレイ装置では、薄板状の導体を格子状に配置し、導体の縦列および横列の一方を、アノード、他方をカソードとして、縦列と横列の交点位置に発光素子が装着されている。
特開平８－０５４８４０号公報
　しかしながら、従来のディスプレイ装置では、配線基板を曲面状に撓ませて使用する際には、発光デバイスにおいて配線と接続される電極と、配線との接続点に負荷がかかりやすい。また、配線と電極との接続点に負荷がかかる結果、発光デバイスに設けられた電極が剥がれるという問題も生じていた。
　本開示は、配線と発光デバイスの接続点にかかる負荷を低減して、発光デバイスの破損を抑制する。
　本開示の一態様に係る発光デバイスは、発光領域と、前記発光領域に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極とを有する複数のＬＥＤチップと、前記複数のＬＥＤチップに対応して設けられた複数の基板と、少なくとも前記複数の基板をそれぞれ貫通するスルーホールと、糸状の導電性線材で構成された配線と、を備え、前記配線は、一つの前記ＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極と前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他のＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極とを、前記スルーホール内を通過した上で導通する発光デバイスを提供する。
　本開示の一態様に係る発光デバイスによれば、配線と発光デバイスとの接続点にかかる負荷を低減することができる。
図１は、実施の形態１に係る発光デバイスを備えたＬＥＤアレイの構成を示す概念図である。 図２は、実施の形態１に係る発光デバイスの電気回路図である。 図３は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの構成を示す上面図である。 図４は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの構成を示す上面図である。 図５は、実施の形態１に係る発光デバイスの製造工程を示す概略図である。 図６は、実施の形態１に係る発光デバイスの製造工程を示す概略図である。 図７は、実施の形態１に係る発光デバイスの製造工程を示す概略図である。 図８は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの製造工程を示す上面図である。 図９は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの製造工程を示す上面図である。 図１０は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの製造工程を示す上面図である。 図１１は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの製造工程を示す上面図である。 図１２は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの製造工程を示す上面図である。 図１３は、実施の形態１に係るＬＥＤチップの構成を示す上面図である。 図１４は、孔径の大きさの異なる複数のスルーホールを有するＬＥＤチップの構成を示す上面図である。 図１５は、実施の形態１に係る発光デバイスの製造工程を示す概略図である。 図１６は、実施の形態１に係る発光デバイスの製造工程を示す概略図であり、（ａ）は図１５に対応する概略図、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大した図である。 図１７は、実施の形態１に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図１８は、実施の形態１に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図１９は、実施の形態１の変形例に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２０は、実施の形態２に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２１は、実施の形態３に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２２は、実施の形態３に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２３は、実施の形態４に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２４は、実施の形態４に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２５は、実施の形態４の変形例に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２６は、実施の形態４の変形例に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２７は、実施の形態４の変形例に係る発光デバイスの構成を示す上面図である。 図２８は、実施の形態５に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図２９は、実施の形態５に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図３０は、実施の形態５に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図３１は、実施の形態５の変形例に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図３２は、実施の形態５の変形例に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。 図３３は、実施の形態５の変形例に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。
　以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
　本開示の一態様に係る発光デバイスは、発光領域と、前記発光領域に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極とを有する複数のＬＥＤチップと、前記複数のＬＥＤチップに対応して設けられた複数の基板と、少なくとも前記複数の基板をそれぞれ貫通するスルーホールと、糸状の導電性線材で構成された配線と、を備え、前記配線は、一つの前記ＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極と前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他のＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極とを、前記スルーホール内を通過した上で導通する。
　この構成によれば、配線がスルーホールを貫通した上で電極と接続されることにより、配線の可動領域が制限される。したがって、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制し、機械的強度の高い発光デバイスを提供することができる。
　また、上記した一態様において、前記スルーホール内において、前記配線の側面の少なくとも一部が、前記スルーホールの内壁と離間していてもよい。
　この構成によれば、配線の側面の少なくとも一部がスルーホールの内壁と離間しており、スルーホール内で動かすことができるので、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　また、上記した一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数の基板において各々の同一の面に形成され、前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極および前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも小さくてもよい。
　この構成によれば、配線の可動範囲が制限されることにより、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷をより効果的に抑制できる。
　また、上記した一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数の基板において各々の同一の面に形成され、前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記第１の電極および前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも大きくてもよい。
　この構成によれば、配線とスルーホールが接触しやすい領域（孔径が小さい側）を、配線が接続する電極に対して離れて位置させることで、配線がスルーホールと接触することによりダメージを受けるのを抑制することができる。
　また、上記した一態様において、前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記スルーホール内を通る前記配線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極が位置する一方の面における前記スルーホールの内面位置が、前記一方の面と対向する他方の面における内面位置よりも、前記スルーホール内を通る前記配線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極側に近接していてもよい。
　この構成によれば、配線がその撓みに沿って機械的負荷の少ない状態でスルーホール内に配置される。したがって、スルーホール内を通過する配線を、電極と容易に接続することができる。
　また、上記した一態様において、前記第１の電極および前記第２の電極は、各々、導電性材料によって前記配線と接続されていていてもよい。
　この構成によれば、配線を第１の電極および第２の電極に固定することができると共に、配線と第１の電極および第２の電極とを電気的に精度よく接続することができる。
　また、上記した一態様において、前記基板は、絶縁体であってもよい。
　この構成によれば、絶縁体基板に形成されたスルーホールに配線を通過させた後、基板上にＬＥＤチップを搭載することができる。
　また、上記した一態様において、前記発光デバイスは、さらに、絶縁性配線を備え、前記絶縁性配線は、一つの前記ＬＥＤチップにおける前記スルーホールを通った上で、前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他の前記ＬＥＤチップの前記スルーホールを通り、前記絶縁性配線は、前記配線よりも剛性が高くてもよい。
　この構成によれば、絶縁性配線の剛性を配線の剛性よりも高くすることで、発光デバイスが撓み等により変形された際に配線にかかる機械的負荷を低減することができる。
　また、本開示の一態様に係る発光デバイスは、複数のＬＥＤチップが配列された発光デバイスであって、前記複数のＬＥＤチップのそれぞれは、基板内または前記基板上に形成された発光領域と、を備え、前記発光デバイスは、前記発光領域に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、少なくとも前記基板を貫通するスルーホールと、糸状の導電性線材で構成された配線と、を備え、前記配線は、一つの前記ＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極と、前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他のＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極とを、前記一つのＬＥＤチップおよび前記他のＬＥＤチップが有する前記スルーホール内を通過した上で導通してもよい。
　この構成によれば、基板の上に発光領域が形成されたＬＥＤデバイスであっても、基板に形成されたスルーホールを配線が貫通することで、配線の可動領域を制限し、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　また、上記した一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記基板上に直接形成されていてもよい。
　この構成によれば、ＬＥＤチップの基板が発光領域そのものである場合であっても、スルーホールを配線が貫通することで、配線の可動領域を制限し、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　また、上記した一態様において、前記ＬＥＤチップは、前記発光領域を挟むようにｎ型半導体層及びｐ型半導体層を積層した積層体であり、前記第１の電極は、前記ｐ型半導体層と導通するアノード電極であり、前記第２の電極は、前記ｎ型半導体層と導通するカソード電極であり、前記スルーホールは、前記スルーホールが形成される位置において、前記基板の両面を貫通してもよい。
　また、上記した一態様において、前記基板はｎ型半導体層であり、前記基板の上方にはｐ型半導体層が積層され、前記第１の電極は、前記ｐ型半導体層と導通するアノード電極であり、前記第２の電極は、前記ｎ型半導体層と導通するカソード電極であり、前記スルーホールは、前記スルーホールが形成される位置において、前記基板の両面を貫通してもよい。
　この構成によれば、配線がスルーホールを貫通した上で電極と接続されることにより、配線の可動領域が制限される。したがって、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制できる。
　また、上記した一態様において、前記スルーホール内において、前記配線の側面の少なくとも一部が、前記スルーホールの内壁と離間していてもよい。
　この構成によれば、配線の側面の少なくとも一部がスルーホールの内壁と離間しており、スルーホール内で動かすことができるので、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　また、上記した一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のＬＥＤチップにおけるそれぞれの基板において各々の同一の面に形成され、前記スルーホールが貫通する前記それぞれの基板の両面のうち、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極および前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも小さくてもよい。
　この構成によれば、配線の可動範囲が制限されることにより、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷をより効果的に抑制できる。
　また、上記した一態様において、前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のＬＥＤチップにおけるそれぞれの基板において各々の同一の面に形成され、前記スルーホールが貫通する前記それぞれの基板の両面のうち、前記第１の電極および前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも大きくてもよい。
　この構成によれば、配線とスルーホールが接触しやすい領域（孔径が小さい側）を、配線が接続する電極に対して離れて位置させることで、配線がスルーホールと接触することによりダメージを受けるのを抑制することができる。
　また、上記した一態様において、前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記スルーホール内を通る前記配線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極が位置する一方の面における前記スルーホールの内面位置が、前記一方の面と対向する他方の面における内面位置よりも、前記スルーホール内を通る前記配線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極側に近接していてもよい。
　この構成によれば、配線がその撓みに沿って機械的負荷の少ない状態でスルーホール内に配置される。したがって、スルーホール内を通過する配線を、電極と容易に接続することができる。
　また、上記した一態様において、前記第１の電極および前記第２の電極は、各々、導電性材料によって前記配線と接続されていてもよい。
　この構成によれば、配線を第１の電極および第２の電極に固定することができると共に、配線と第１の電極および第２の電極とを電気的に精度よく接続することができる。
　また、上記した一態様において、前記発光デバイスは、絶縁性配線を備え、前記絶縁性配線は、一つの前記ＬＥＤチップにおける前記スルーホールを通った上で、前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他の前記ＬＥＤチップの前記スルーホールを通り、前記絶縁性配線は、前記配線よりも剛性が高くてもよい。
　この構成によれば、絶縁性配線の剛性を配線の剛性よりも高くすることで、発光デバイスが撓み等により変形された際に配線にかかる機械的負荷を低減することができる。
　また、本開示の一態様に係る表示装置は、（上記した一態様に係る発光デバイスを備える。
　この構成によれば、配線がスルーホールを貫通した上で電極と接続されることにより、配線の可動領域が制限される。したがって、配線基板を曲面状に撓ませて使用するような表示装置であっても、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制した表示装置を提供することができる。
　（実施の形態１）
　次に、実施の形態１について説明する。図１は、本実施の形態に係る発光デバイスを備えたＬＥＤアレイの構成を示す概念図である。
　図１に示すように、発光デバイス１は、マトリクス状に配置された複数のＬＥＤチップ１０と、複数のデータ線２０で構成されるデータ線群２０ａと、複数のアドレス線３０で構成されるアドレス線群３０ａとを備えている。
　ＬＥＤチップ１０は、基板上に発光領域１２と、スルーホール１４ａおよび１４ｂとを有している。
　図１に示すように、データ線２０およびアドレス線３０は、スルーホール１４ａおよび１４ｂにそれぞれ貫通されている。データ線２０は、ＬＥＤチップ１０のスルーホール１４ｂを貫通し、アドレス線３０は、スルーホール１４ａを貫通している。
　また、データ線２０は、複数のＬＥＤチップ１０におけるそれぞれ一つのスルーホール１４ｂを順に貫通し、後述する電極パッド（図１０参照）を介して複数のＬＥＤチップ１０を列方向に接続している。アドレス線３０は、複数のＬＥＤチップ１０におけるそれぞれの他のスルーホール１４ａを順に貫通し、後述する電極パッド（図１０参照）を介して複数のＬＥＤチップ１０を行方向に接続している。これにより、図１に示したように、データ線２０とアドレス線３０とにより、複数のＬＥＤチップ１０は、行列方向に布を織るように接続されている。スルーホール１４ａおよび１４ｂ内において、アドレス線３０およびデータ線２０は、それぞれアドレス線３０およびデータ線２０の側面の少なくとも一部が、スルーホール１４ａおよび１４ｂの内壁と離間している。
　図２は、発光デバイス１の電気回路図である。図２に示すように、発光デバイス１は、複数のデータ線２０のそれぞれと複数のアドレス線３０のそれぞれとの間にＬＥＤチップ１０が接続された構成をしている。発光デバイス１では、アドレス線３０に信号が印加されるタイミングで、データ線２０から供給された信号に応じて、ＬＥＤチップ１０が発光する。
　図３および図４は、ＬＥＤチップ１０の構成を示す概略図である。なお、図３および図４に示すＬＥＤチップ１０は、図１に示したＬＥＤチップ１０の１個に対応している。また、図４に示すＬＥＤチップ１０は、図３の構成に電極パッドを設けたものである。
　ＬＥＤチップ１０には、積層体構造として、導電性または絶縁性の基板上にｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とが積層されている。例えば、絶縁性基板であるサファイア基板１１の上に、活性層１２ｂ（図１７参照）を含む発光領域１２を有している。また、ＬＥＤチップ１０には、発光領域１２を挟むように、ｎ型電極１６と、ｐ型電極１７とが形成されている。
　さらに、図４に示すように、ｎ型パッド電極１８ａと接続されたｎ型電極１６と、ｐ型パッド電極１８ｂと接続されたｐ型電極１７が形成されている。詳細には、ｎ型パッド電極１８ａはｎ型電極１６に電気的に接続され、ｎ型パッド電極１８ａと発光領域１２とは絶縁膜１９（図１８を参照）を介して絶縁されている。また、ｐ型パッド電極１８ｂはｐ型電極１７に電気的に接続され、ｐ型パッド電極１８ｂと発光領域１２とは、絶縁膜１９（図１７を参照）を介して絶縁されている。
　発光領域１２は、ｎ型半導体層１２ａ、活性層（発光層）１２ｂおよびｐ型半導体層１２ｃによって構成される。発光領域１２では、サファイア基板１１の主面（図示せず）に下から上に順次、ｎ型半導体層１２ａ、活性層１２ｂおよびｐ型半導体層１２ｃが形成されている。各半導体層の材料としては、活性層１２ｂで発光させる光の波長に応じて適宜選択することができる。例えば、半導体層の材料として、ＧａＡｓ系やＧａＮ系の化合物半導体が用いられる。
　発光領域１２は、ｎ型電極（カソード電極）１６とｐ型電極（アノード電極）１７との間に電圧が印加されることにより、発光領域１２に電流が流れて発光する。
　なお、ｐ型電極１７とｐ型パッド電極１８ｂとは、本開示に係る第１の電極に相当する。ｎ型電極１６とｎ型パッド電極１８ａとは、本開示に係る第２の電極に相当する。
　スルーホール１４ａおよび１４ｂは、ＬＥＤチップ１０のうち少なくともサファイア基板１１を貫通するように配置されている。すなわち、ＬＥＤチップ１０において、スルーホール１４ａおよび１４ｂは、スルーホールが形成される位置に配置された、少なくともサファイア基板１１を貫通するように形成されている。
　データ線２０およびアドレス線３０は、糸状の導電性線材（ワイヤ）であり、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、Ｃｕ（銅）等の金属で構成される金属配線である。本実施の形態において、アドレス線３０およびデータ線２０は、銅電線である。データ線２０およびアドレス線３０の直径は、例えば０．１ｍｍである。
　なお、アドレス線３０およびデータ線２０は、導電性を有するだけではなく可撓性や伸縮性を有することが望ましい。この場合、アドレス線３０およびデータ線２０の材料としては、グラファイトやカーボンナノチューブ等のグラフェンを用いることができる。これにより、発光デバイス１を撓ませたときに生じるアドレス線３０およびデータ線２０の負荷を緩和させることができる。また、データ線２０およびアドレス線３０は、樹脂によりコーティングされている構成であってもよい。
　データ線２０およびアドレス線３０の各々は、隣り合う２つのＬＥＤチップ１０ごとに複数設けられている。つまり、行方向においてアドレス線３０とＬＥＤチップ１０とが交互に設けられているとともに、列方向においてデータ線２０とＬＥＤチップ１０とが交互に設けられている。
　そして、ＬＥＤチップ１０を介して１つの行方向に接続される複数のアドレス線３０は、１つの走査線（カソード配線）として構成される。また、ＬＥＤチップ１０を介して１つの列方向に接続される複数のデータ線２０は、１つのデータ線（アノード配線）として構成される。アドレス線およびデータ線は、それぞれ、アドレス線群３０ａおよびデータ線群２０ａとして複数設けられている。
　図２に示したように、本実施の形態において、行方向に配列される複数のＬＥＤチップ１０については、隣り合うＬＥＤチップ１０のカソード同士がアドレス線３０によって順次接続される。また、列方向に配列されるＬＥＤチップ１０については、隣り合うＬＥＤチップ１０のアノード同士がデータ線２０によって順次接続される。
　また、データ線群２０ａはデータドライバ５０（図１６の（ａ）参照）に接続されている。また、アドレス線群３０ａは、走査データドライバ（ソースドライバ）６０に接続されている。
　データドライバ５０および走査データドライバ６０は、それぞれデータ線２０およびアドレス線３０に印加される電圧または電流を制御する。これにより、ＬＥＤチップ１０の発光動作が制御される。
　なお、データ線２０は、本開示にかかる第２の配線に相当する。また、アドレス線３０は、本開示にかかる第１の配線に相当する。
　次に、発光デバイス１の製造方法について説明する。
　図５～図７は、発光デバイス１の製造工程を示す概略図である。
　図５に示すように、まず、発光デバイス１を構成するサファイア基板１１の上に複数のＬＥＤデバイスが形成される。ここで、ＬＥＤデバイスとは、ＬＥＤチップがチップ毎に分割される前の状態のことをいう。ＬＥＤデバイス（ＬＥＤチップ）１０の形成方法については後に詳述する。
　次に、図６に示すように、サファイア基板１１にスルーホール１４ａおよび１４ｂが形成される。レーザーを用いて、サファイア基板１１の両面を貫通する複数のスルーホール１４ａおよび１４ｂが形成される。スルーホール１４ａおよび１４ｂは、ＬＥＤデバイス（ＬＥＤチップ）１０における発光領域１２の周辺に複数形成される。詳細については後に説明するが、スルーホール１４ａおよび１４ｂは、例えば、ＬＥＤデバイス（ＬＥＤチップ）１０の発光領域１２の近傍に設けられてもよい。また、スルーホール１４ａおよび１４ｂは、ＬＥＤデバイス（ＬＥＤチップ）１０の電極（例えば、ｎ型パッド電極１８ａまたはｐ型パッド電極１８ｂ）が形成された領域内に設けられてもよい。
　その後、図７に示すように、サファイア基板１１をダイシングし、ＬＥＤデバイスをそれぞれ分割し、ＬＥＤチップ１０とする。
　ここで、ＬＥＤチップ（ＬＥＤデバイス）１０の製造方法について説明する。
　図８～図１４は、ＬＥＤチップ１０の製造工程を示す上面図である。
　はじめに、サファイア基板１１上に半導体層が積層された基板（積層体構造）を用意する。ここで、半導体層とは、発光領域１２を構成する層であり、発光領域１２は、ｎ型半導体層１２ａ、活性層１２ｂおよびｐ型半導体層１２ｃがこの順に積層されている。そして、レジストまたはＳｉＯ２等をマスクにして、図８に示すように活性層１２ｂおよび１２ｃを残し、図１２に示すようにｎ型半導体層１２ａが露出されるように、当該積層体構造がエッチングされる。これにより、ＬＥＤチップ１０において、ｎ型半導体層１２ａが露出される。
　次に、図９に示すように、ｎ型半導体層１２ａを残してサファイア基板１１が露出されるように、ｎ型半導体層１２ａを除く領域の半導体層がエッチングされる。
　さらに、ｐ型半導体層１２ｃ（または、ｐ型電極１７）とｎ型半導体層１２ａ（または、ｎ型電極１６）とが短絡しないように、ｐｎ接合の絶縁のための絶縁膜（図示せず）が形成される。
　続いて、図１０に示すように、ｎ型半導体層１２ａにｎ型電極１６が形成される。ｎ型電極は、例えば、ｎ型半導体層１２ａにおいて、ｎ型半導体層１２ａの２辺に並行するようにＬ字状に形成されている。
　次に、図１１に示すように、ｐ型半導体層１２ｃの上にｐ型電極１７が形成される。ｐ型電極１７は、ｐ型半導体層１２ｃの上に、ｐ型半導体層１２ｃの形状とほぼ同様の形状に形成される。
　また、図１２に示すように、ＬＥＤチップ１０にスルーホール１４ａおよび１４ｂが形成される。スルーホール１４ａおよび１４ｂは、上記したようにレーザー加工により形成される。
　さらに、ｎ型電極１６とｐ型電極１７に対して、それぞれｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂが形成される。ｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂは、例えば銅により構成され、所定の形状にパターニング形成されている。これにより、ｎ型電極１６とｎ型パッド電極１８ａとが電気的に接続され、ｐ型電極１７とｐ型パッド電極１８ｂとが電気的に接続される。
　以上により、図１３に示すＬＥＤチップ１０が完成する。この構成によれば、配線（アドレス線３０およびデータ線２０）がスルーホール１４ａおよび１４ｂを貫通した上で電極（ｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂ）と接続される。これにより、配線の可動領域が制限され、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制できる。
　なお、上記したＬＥＤチップ１０の各構成を形成する場合、パターニングに使用するマスクパターンは、上記した実施の形態に示したパターンに限らず他のパターンであってもよい。また、発光デバイス１の製造工程は、上記した工程に限らず、工程の順を入れ替えたり他の工程を追加したりしてもよい。また、スルーホール１４ａおよび１４ｂの形成は、ＬＥＤチップ１０のｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂの形成後に行ってもよいし、ＬＥＤチップ１０のｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂの形成の前に行ってもよい。この構成によれば、スルーホール１４ａおよび１４ｂと、ｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂとを容易に形成することができる。
　また、スルーホール１４ａおよび１４ｂは、サファイア基板１１だけでなく、サファイア基板１１、ｐ型半導体層１２ｃおよびｎ型半導体層１２ａを有する積層体を貫通するように形成されていてもよい。また、積層体のうち、ｎ型半導体層１２ａおよびｐ型半導体層１２ｃの少なくとも一層を貫通するように形成されていてもよい。
　この構成によれば、データ線２０およびアドレス線３０で構成される配線がスルーホール１４ａおよび１４ｂを貫通した上で電極（ｎ型電極１６またはｐ型電極１７）と接続されるので、配線の可動領域が制限される。これにより、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制できる。
　また、ＬＥＤチップ１０に設けられるスルーホール１４ａおよび１４ｂは、上記した発光デバイス１のように２つに限らず、より多くのスルーホールが設けられてもよい。この場合、各スルーホールの孔径は統一する必要は無く、異なる大きさの孔径を有する複数のスルーホールを形成してもよい。以下にその一例を示す。
　図１４は、孔径の大きさの異なる複数のスルーホールを有するＬＥＤチップ１０の構成を示す上面図である。
　図１４に示すように、ＬＥＤチップ１０は、上記した発光デバイス１のＬＥＤチップ１０のスルーホール１４ａおよび１４ｂに加えて、スルーホール１４ｃ、１４ｄ、１４ｅおよび１４ｆを備えていてもよい。ここで、スルーホール１４ａ、１４ｃおよび１４ｅは、ｎ型パッド電極１８ａの内部に形成されている。また、スルーホール１４ｂ、１４ｄおよび１４ｆは、ｐ型パッド電極１８ｂの内部に形成されている。
　ｎ型パッド電極１８ａに形成されたスルーホール１４ａ、１４ｃ、１４ｅの孔径は、スルーホール１４ａの孔径が最も大きく、続いてスルーホール１４ｃ、１４ｅの順に小さく形成されており、スルーホール１４ｅの孔径が最も小さく形成されている。同様に、ｐ型パッド電極１８ｂに形成されたスルーホール１４ｂ、１４ｄ、１４ｆの孔径は、スルーホール１４ｂの孔径が最も大きく、続いてスルーホール１４ｄ、１４ｆの順に小さく形成されており、スルーホール１４ｆの孔径が最も小さく形成されている。
　このように、孔径の異なる複数のスルーホールを形成することにより、配線の径に応じて孔径の異なるスルーホールを使用することができ、簡便かつ効率よく配線の受ける機械的負荷を低減することができる。
　完成したＬＥＤチップ１０は、スルーホール１４ａおよび１４ｂにそれぞれアドレス線３０およびデータ線２０が貫通される。データ線２０は、複数のＬＥＤチップ１０のスルーホール１４ｂを順に貫通し、列方向に複数のＬＥＤチップ１０を接続する。アドレス線３０は、複数のＬＥＤチップ１０のスルーホール１４ａを順に貫通し、行方向に複数のＬＥＤチップ１０を接続する。このように、発光デバイス１では、複数のＬＥＤチップ１０がデータ線２０とアドレス線３０によって行列方向に布を織るように接続される。複数のＬＥＤチップ１０の接続方法については、後に詳述する。
　さらに、図１５に示すように、複数のＬＥＤチップ１０が行列方向に布を織るように接続された発光デバイス１は、可撓性樹脂材等で構成されるフィルム４０に固定される。これにより、例えば、パネルのフレキシブル基板等に発光デバイス１を設けることができる。
　さらに、図１６の（ａ）に示すように、フィルム４０に固定された発光デバイス１において、データ線２０およびアドレス線３０は、それぞれデータドライバ５０および走査データドライバ６０に接続される。これにより、データドライバ５０および走査データドライバ６０により、ＬＥＤチップ１０の発光動作を制御することができる。
　ここで、データ線２０およびアドレス線３０による複数のＬＥＤチップ１０の接続方法の一例を示す。
　図１７は、図１６の（ｂ）に示した発光デバイス１のＡ－Ａ’線における断面図である。図１８は、図１６の（ｂ）に示した発光デバイス１のＢ－Ｂ’線における断面図である。なお、図１７および図１８におけるＬＥＤチップ１０ａ～１０ｃは、図１６の（ｂ）に示したＬＥＤチップ１０ａ～１０ｃに対応している。
　図１７に示すように、配線であるデータ線２０は、一つのＬＥＤチップ１０ａの表面に形成されたｐ型パッド電極１８ｂに、導電性材料（例えば導電性樹脂）１８ｃによって接続され、ＬＥＤチップ１０ａに形成されたスルーホール１４ｂを表面から裏面へと貫通する。さらに、データ線２０は、他のＬＥＤチップ１０ｂに形成されたスルーホール１４ｂを裏面から表面に貫通し、当該他のＬＥＤチップ１０ｂの表面に形成されたｐ型パッド電極１８ｂに、導電性樹脂１８ｃによって接続される。
　これにより、ＬＥＤチップ１０ａのスルーホール１４ｂを貫通したデータ線２０は、隣り合うＬＥＤチップ１０ｂと電気的に接続され、かつ、データ線２０の可動領域が制限される構成となる。これにより、データ線２０と各ｐ型パッド電極１８ｂとの接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　また、図１８に示すように、配線であるアドレス線３０は、一つのＬＥＤチップ１０ａの表面に形成されたｎ型パッド電極１８ａに、導電性材料（例えば導電性樹脂）１８ｄによって接続され、ＬＥＤチップ１０ａに形成されたスルーホール１４ａを表面から裏面へと貫通する。さらに、アドレス線３０は、他のＬＥＤチップ１０ｃに形成されたスルーホール１４ａを裏面から表面に貫通し、当該ＬＥＤチップ１０ｃの表面に形成されたｎ型パッド電極１８ａに、導電性樹脂１８ｃによって接続される。
　これにより、ＬＥＤチップ１０ａのスルーホール１４ａを貫通したアドレス線３０は、隣り合うＬＥＤチップ１０ｃと電気的に接続され、かつ、アドレス線３０の可動領域が制限される構成となる。これにより、アドレス線３０と各ｎ型パッド電極１８ａとの接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　以上により、本実施の形態に係る発光デバイス１が完成する。
　以上の構成によれば、配線（データ線２０とアドレス線３０）がスルーホールを貫通した上で電極と接続されることにより、配線の可動領域が制限される。したがって、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制できる。
　なお、上記したＬＥＤチップ１０の各構成を形成する場合、パターニングに使用するマスクパターンは、上記した実施の形態に示したパターンに限らず他のパターンであってもよい。また、発光デバイス１の製造工程は、上記した工程に限らず、工程の順を入れ替えたり他の工程を追加したりしてもよい。また、スルーホール１４ａおよび１４ｂの形成は、ＬＥＤチップ１０のｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂの形成後に行ってもよいし、ＬＥＤチップ１０のｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂの形成の前に行ってもよい。以上の構成によれば、スルーホールと、ｎ型パッド電極およびｐ型パッド電極とを容易に形成することができる。
　また、スルーホール１４ａおよび１４ｂは、基板だけでなく、サファイア基板１１、ｐ型半導体層１２ｃおよびｎ型半導体層１２ａを有する積層体を貫通するように形成されていてもよい。また、積層体のうち、ｎ型半導体層１２ａおよびｐ型半導体層１２ｃの少なくとも一層を貫通するように形成されていても良い。この構成によれば、データ線２０およびアドレス線３０で構成される配線がスルーホール１４ａおよび１４ｂを貫通した上で電極（ｎ型電極１６またはｐ型電極１７）と接続されるので、配線の可動領域が制限される。これにより、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制できる。
　また、基板は、上記したサファイア基板１１に限らず、導電性の基板であってもよいし、ｎ型半導体層で構成されていてもよい。導電性の基板としては、例えば酸化物半導体であってもよい。また、ｎ型半導体層としては、例えばＧａＮであってもよい。これにより、発光デバイス１を容易に形成することができる。この場合、スルーホール１４ａおよび１４ｂは、積層体構造の両面、すなわち、積層体構造の表面から裏面を貫通するように形成されていればよい。すなわち、例えばスルーホール１４ａおよび１４ｂを形成する位置における積層体構造がｎ型半導体層のみで構成されている場合は、当該ｎ型半導体層に対し、積層体構造の両面を貫通するようにスルーホール１４ａおよび１４ｂを形成すればよい。
　以上、本実施の形態に係る発光デバイス１によると、一つのＬＥＤチップ１０ａのｐ型パッド電極１８ｂおよびｎ型パッド電極１８ａに接続された配線、すなわち、データ線２０およびアドレス線３０が当該一つのＬＥＤチップ１０ａに形成されたスルーホール１４ｂおよび１４ａをそれぞれ貫通した上で他のＬＥＤチップ１０ｂおよび１０ｃの電極と接続されることにより、配線の可動領域が制限される。これにより、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　（実施の形態１の変形例）
　次に、実施の形態１の変形例について説明する。本変形例に係る発光デバイスは、ＬＥＤチップを構成する基板が半導体基板であり、この半導体基板にスルーホールが設けられているものである。
　図１９は、ＬＥＤチップ１００ａおよび１００ｂの構成を示す断面図である。なお、図１９において、データ線２０およびアドレス線３０を合わせて配線１７０と示している。
　図１９に示すように、ＬＥＤチップ１００ａおよび１００ｂは、基板１１１上に、第１の電極であるｐ型パッド電極１１８ｂと第２の電極であるｎ型パッド電極１１８ａとを備えている。ここで、基板１１１には、半導体基板が用いられている。基板１１１は、例えば、ｎ型の半導体層からなる基板である。ここで、基板１１１は、その内部に、上述した実施の形態１で述べたように、ｎ型半導体層、活性層（発光層）、ｐ型半導体層からなる積層構造を備えていてもよい。
　ｎ型パッド電極１１８ａおよびｐ型パッド電極１１８ｂと、スルーホール１１４を貫通する配線１７０との間には、絶縁膜（図示せず）が形成されている。例えば、絶縁膜は、スルーホール１１４の内面に形成されている。絶縁膜をスルーホール１１４の内面に形成することにより、ｎ型パッド電極１１８ａおよびｐ型パッド電極１１８ｂと配線との間の絶縁性を確保することができる。なお、絶縁膜は、スルーホール１１４だけでなく配線に形成されていてもよい。例えば、配線は樹脂によりコーティングされている構成であってもよい。
　配線１７０は、ＬＥＤチップ１００ａの表面に形成されたｐ型パッド電極１１８ｂに接続され、ＬＥＤチップ１００ａに形成されたスルーホール１１４を表面から裏面へと貫通する。さらに、配線１７０は、ＬＥＤチップ１００ｂに形成されたスルーホール１１４を裏面から表面に貫通し、他のＬＥＤチップ１００ｂの表面に形成されたｐ型パッド電極１１８ｂに接続される。
　これにより、配線１７０は、隣り合うＬＥＤチップ１００ａおよび１００ｂとの間で電気的に接続され、かつ、配線１７０の可動領域が制限される構成となる。したがって、配線１７０と各ｐ型パッド電極１１８ｂとの接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　なお、図１９では、配線１７０がｐ型パッド電極１１８ｂ同士を接続した発光デバイスについて説明したが、この例に限られない。配線１７０は、隣り合うＬＥＤチップ１００ａおよび１００ｂとの間で接続される際に、スルーホール１１４を通過していればよく、ｎ型パッド電極１１８ａ同士を接続するものであってもよい。また、ＬＥＤチップ１００ａのｎ型パッド電極１１８ａと、これに隣り合うＬＥＤチップ１００ｂのｐ型パッド電極１１８ｂとを接続するものであってもよい。
　なお、スルーホール１１４を貫通する配線１７０は、データ線２０およびアドレス線３０に限らず、導電性を有しない絶縁性配線であってもよい。この場合、絶縁性配線はｎ型パッド電極１１８ａおよびｐ型パッド電極１１８ｂには接続されず、他の複数のＬＥＤチップのスルーホール１１４を順に貫通して、複数のＬＥＤチップを機械的に接続するために用いる。
　以上、本変形例に係る発光デバイスによると、ＬＥＤチップ１００ａおよび１００ｂを構成する基板が半導体基板である場合にも、ＬＥＤチップ１００ａおよび１００ｂのスルーホール１１４を順に貫通して複数のＬＥＤチップを接続することにより、配線と電極との接続点にかかる機械的負荷を抑制することができる。
　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について説明する。
　図２０は、本実施の形態に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。
　本実施の形態に係る発光デバイスが実施の形態１に係る発光デバイスと異なる点は、複数のスルーホールが設けられた基板の上に、ＬＥＤチップが実装されている点である。スルーホールを有する基板は、ＬＥＤの発光領域を形成する基板とは異なっていてもよい。すなわち、スルーホールを有する基板は、導電性の基板でなくてもよい。
　図２０に示すように、ＬＥＤチップ１０ｄは、サファイア基板１１と、カソード電極であるｎ型パッド電極１８ａと、アノード電極であるｐ型パッド電極１８ｂとを備えている。発光領域１２は、サファイア基板１１上にｎ型半導体層１２ａと、活性層１２ｂと、ｐ型半導体層１２ｃとが積層された構成をしている。ｎ型パッド電極１８ａとｐ型パッド電極１８ｂとは、サファイア基板１１の側面を介してサファイア基板１１の裏面にまで伸びている。
　一方、サファイア基板１１は、スルーホール１２４ａおよび１２４ｂが形成された別の基板１２０の上に実装されている。基板１２０には、スルーホール１２４ａの開口の周囲の基板表面上にｎ型接続電極１２８ａが形成されている。また、基板１２０には、スルーホール１２４ｂの開口の周囲の基板表面上にｐ型接続電極１２８ｂが形成されている。ｎ型接続電極１２８ａとｐ型接続電極１２８ｂは、それぞれｎ型パッド電極１８ａおよびｐ型パッド電極１８ｂと電気的に接続されている。なお、基板１２０は、一例としてプリント基板やガラス基板でもよい。
　ＬＥＤチップ１０ｄのｐ型接続電極１２８ｂにはデータ線２０が接続されている。データ線２０は、ＬＥＤチップ１０ｄのスルーホール１２４ｂを貫通し、隣り合うＬＥＤチップ１０ｅのスルーホール１２４ｂを貫通して、ＬＥＤチップ１０ｅのｐ型接続電極１２８ｂと接続される。
　また、ＬＥＤチップ１０ｄのｎ型接続電極１２８ａにはアドレス線３０が接続されている。アドレス線３０は、ＬＥＤチップ１０ｄのスルーホール１２４ａを貫通し、隣り合うＬＥＤチップ１０ｅのスルーホール１２４ａを貫通して、ＬＥＤチップ１０ｅのｎ型接続電極１２８ａと接続される。
　データ線２０とＬＥＤチップ１０ｄのｐ型接続電極１２８ｂ、およびデータ線２０とＬＥＤチップ１０ｅのｐ型接続電極１２８ｂとは、上述した実施の形態１で述べたのと同様に、ｐ型接続電極１２８ｂの上面に導電性樹脂１２８ｃを形成することによって接続してもよい。
　同様に、アドレス線３０とＬＥＤチップ１０ｄのｎ型接続電極１２８ａ、およびアドレス線３０とＬＥＤチップ１０ｅのｎ型接続電極１２８ａとも、ｎ型接続電極１２８ａの上面に導電性樹脂１２８ｄを形成することによって接続してもよい。
　なお、本実施の形態では、サファイア基板１１と基板１２０とは、表面実装により電極間を接続する構成を示したが、ワイヤボンディングなどで接続をとってもよい。
　以上、本実施の形態に係る発光デバイスによると、複数のスルーホールを有する基板と複数のＬＥＤチップ１０とを別々に用意することができる。したがって、発光デバイスの製造が容易である。
　（実施の形態３）
　次に、実施の形態３について説明する。
　図２１および図２２は、本実施の形態に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。
　本実施の形態に係る発光デバイスが実施の形態１および２に示した発光デバイスと異なる点は、スルーホールの内部が導電性の材料で被覆されている点である。
　図２１に示すように、ＬＥＤチップ１０ｆおよび１０ｇのサファイア基板１１に設けられたスルーホール１４ｂの内面は、ｐ型パッド電極１３８ｂで被覆されている。このように、スルーホール１４ｂの内面がｐ型パッド電極１３８ｂで被覆されると、データ線２０との電気的接続が容易に行える。
　同様に、図２２に示すように、ＬＥＤチップ１０ｆおよび１０ｈのサファイア基板１１に設けたスルーホール１４ａの内面は、ｎ型パッド電極１３８ａで被覆されている。このように、スルーホール１４ａの内面がｎ型パッド電極１３８ａで被覆されると、配線３０との電気的接続が容易に行える。
　なお、スルーホール１４ａおよび１４ｂを貫通する配線は、データ線２０およびアドレス線３０に限らず、導電性を有しない絶縁性配線であってもよい。この場合、絶縁性配線はｎ型パッド電極１３８ａおよびｐ型パッド電極１３８ｂには接続されず、他の複数のＬＥＤチップのスルーホールを順に貫通して、複数のＬＥＤチップを機械的に接続するものであってもよい。導電性を有しない絶縁性配線をスルーホールに貫通する場合については、後に詳述する。
　以上、本実施の形態に係る発光デバイスによると、スルーホールの内部が導電性の材料で被覆されているので、ｎ型パッド電極１３８ａまたはｐ型パッド電極１３８ｂと、スルーホールを貫通する配線との電気的接続を容易にすることができる。
　（実施の形態４）
　次に、実施の形態４について説明する。
　上記した発光デバイスは、導電性を有する配線だけでなく、導電性を有しない絶縁性配線を有してもよい。以下、絶縁性配線を有する発光デバイスについて説明する。
　図２３および図２４は、本実施の形態に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。
　図２３に示すように、本実施の形態に係る発光デバイスは、ＬＥＤチップ１０ｉの基板１１の表面にカソード電極であるｎ型パッド電極１８ａを備え、ＬＥＤチップ１０ｉと隣り合うＬＥＤチップ１０ｊの基板１１の表面にアノード電極であるｐ型パッド電極１８ｂを備えている。また、ＬＥＤチップ１０ｉ、１０ｊには、それぞれスルーホール１４ａ、１４ｂおよび１４４が形成されている。また、ＬＥＤチップ１０ｉのｎ型パッド電極１８ａには、導電性を有する配線１７０（例えば、データ線２０またはアドレス線３０）が導電性樹脂１８ｃにより接続されている。
　配線１７０は、ＬＥＤチップ１０ｉに形成されたスルーホール１４ａを貫通し、隣り合う他のＬＥＤチップ１０ｊのスルーホール１４ｂを貫通してｐ型パッド電極１８ｂに導電性樹脂１８ｃにより接続されている。すなわち、スルーホール１４ａおよび１４ｂを介して、ＬＥＤチップ１０ｉのｎ型パッド電極１８ａとＬＥＤチップ１０ｊのｐ型パッド電極１８ｂとが接続されている。
　また、ＬＥＤチップ１０ｉに形成されたスルーホール１４４には、導電性を有しない絶縁性配線１８０が貫通している。絶縁性配線１８０は、例えば、樹脂材料で構成される。また、絶縁性配線１８０は、金属性配線を樹脂材料等の絶縁性物質で被覆したものであってもよい。絶縁性配線１８０は、隣り合うＬＥＤチップ１０ｊのスルーホール１４４も貫通している。絶縁性配線１８０は、さらに、隣り合う複数のＬＥＤチップ（図示せず）のスルーホールを順に貫通し、複数のＬＥＤチップにより、布状の発光デバイスが形成されている。このように、絶縁性配線１８０を用いることにより、複数のＬＥＤチップは絶縁性配線１８０により互いに固定されるため、機械的強度の高い布状の発光デバイスを得ることができる。
　ここで、絶縁性配線１８０は、配線１７０よりも剛性が高い材料により形成されていてもよい。絶縁性配線１８０の剛性を配線１７０の剛性よりも高くすることで、発光デバイスが撓み等により変形された際に配線１７０にかかる機械的負荷をより低減することができる。
　なお、配線１７０は、ＬＥＤチップ１０ｉにおけるｎ型パッド電極１８ａとＬＥＤチップ１０ｊにおけるｐ型パッド電極１８ｂとを接続することに限らず、隣り合うＬＥＤチップ１０ｉおよび１０ｊのｐ型パッド電極１８ｂ同士またはｎ型パッド電極１８ａ同士を接続してもよい。
　例えば、図２４に示すように、配線１７０は、ＬＥＤチップ１０ｉのｐ型パッド電極１８ｂに接続されている。そして、配線１７０は、ＬＥＤチップ１０ｉに形成されたスルーホール１４ｂを貫通し、隣り合うＬＥＤチップ１０ｋのｐ型パッド電極１８ｂに接続されている。これにより、配線１７０により隣り合うＬＥＤチップ１０ｉおよび１０ｋのｐ型パッド電極１８ｂ同士が接続される。
　なお、配線１７０は、ＬＥＤチップ１０ｉのｎ型パッド電極１８ａに接続され、ＬＥＤチップ１０ｉに形成されたスルーホール１４ａを貫通し、隣り合う他のＬＥＤチップ１０ｋのｎ型パッド電極１８ａに接続されてもよい。これにより、配線１７０により隣り合うＬＥＤチップ１０ｉおよび１０ｋのｎ型パッド電極１８ａ同士が接続される。
　このように、絶縁性配線１８０を用いることにより、複数のＬＥＤチップが互いに固定されるため、機械的強度の高い布状の発光デバイスを得ることができる。
　（実施の形態４の変形例）
　次に、実施の形態４の変形例について説明する。
　図２５および図２６は、本変形例に係る発光デバイスの構成を示す断面図である。
　本実施の形態に係る発光デバイスが実施の形態４にかかる発光デバイスと異なる点は、ＬＥＤチップを構成する基板が半導体基板であり、この半導体基板にスルーホールが設けられている点である。半導体基板とは、半導体層が積層された基板（積層体構造）である。ここで、半導体層とは、上述した各実施の形態のように、発光領域１２を構成する層であり、発光領域１２は、ｎ型半導体層１２ａ、活性層１２ｂおよびｐ型半導体層１２ｃがこの順に積層されている。
　図２５に示すように、本変形例に係る発光デバイスにおいて、各ＬＥＤチップ１００ｃおよび１００ｄは、それぞれ、基板（積層体構造）１１１の裏面にカソード電極であるｎ型パッド電極１１８ａを備え、基板（積層体構造）１１１の表面にアノード電極であるｐ型パッド電極１１８ｂを備えている。
　また、ＬＥＤチップ１００ｃおよび１００ｄには、それぞれスルーホール１５４ａおよび１５４ｂが形成されている。また、ＬＥＤチップ１００ｃのｐ型パッド電極１１８ｂには、導電性を有する配線１７０（例えば、データ線２０またはアドレス線３０）が接続されている。
　配線１７０は、ＬＥＤチップ１００ｃに形成されたスルーホール１５４ａを貫通し、隣り合うＬＥＤチップ１００ｄのｎ型パッド電極１１８ａに接続されている。すなわち、スルーホール１５４ａを介して、ＬＥＤチップ１００ｃのｐ型パッド電極１１８ｂと、隣り合うＬＥＤチップ１００ｄのｎ型パッド電極１１８ａとが接続されている。
　また、ＬＥＤチップ１００ｃに形成されたスルーホール１５４ｂには、導電性を有しない絶縁性配線１８０が貫通している。絶縁性配線１８０は、例えば、樹脂材料で構成される。また、絶縁性配線１８０は金属性配線を樹脂材料等の絶縁性物質で被覆したものであってもよい。絶縁性配線１８０は、隣り合うＬＥＤチップ１００ｄのスルーホール１５４ｂを貫通している。絶縁性配線１８０は、さらに、隣り合う複数のＬＥＤチップ（図示せず）のスルーホール１５４ｂを順に貫通し、複数のＬＥＤチップにより、布状の発光デバイスが形成されている。このように、絶縁性配線１８０を用いることにより、複数のＬＥＤチップは絶縁性配線１８０により互いに固定されるため、機械的強度の高い布状の発光デバイスを得ることができる。
　ここで、絶縁性配線１８０は、配線１７０よりも剛性が高い材料により形成されていてもよい。絶縁性配線１８０の剛性を配線１７０の剛性よりも高くすることで、発光デバイスが撓み等により変形された際に配線１７０にかかる機械的負荷をより低減することができる。
　なお、配線１７０は、図２５においては、ＬＥＤチップ１００ｃにおけるｐ型パッド電極１１８ｂとＬＥＤチップ１００ｄにおけるｎ型パッド電極１１８ａとを接続する例を示したが、これに限らず、隣り合うＬＥＤチップ１００ｃおよび１００ｄのｐ型パッド電極１１８ｂ同士またはｎ型パッド電極１１８ａ同士を接続してもよい。
　例えば、図２６に示すように、ＬＥＤチップ１００ｃにおけるｐ型パッド電極１１８ｂとＬＥＤチップ１００ｄにおけるｐ型パッド電極１１８ｂとを接続してもよい。図２６においては、配線１７０は、ＬＥＤチップ１００ｃのｐ型パッド電極１１８ｂに接続されている。そして、配線１７０は、ＬＥＤチップ１００ｃに形成されたスルーホール１５４ａを貫通し、隣り合うＬＥＤチップ１００ｄのｐ型パッド電極１１８ｂに接続されている。
　これにより、隣り合うＬＥＤチップ１００ｃおよび１００ｄのｐ型パッド電極１１８ｂ同士が配線１７０によって接続される。
　なお、配線１７０は、ＬＥＤチップ１００ｃのｎ型パッド電極１１８ａに接続され、ＬＥＤチップ１００ｃに形成されたスルーホール１５４ａを貫通し、さらに、隣り合うＬＥＤチップ１００ｄのスルーホール１５４ａを貫通してｎ型パッド電極１１８ａに接続されてもよい。これにより、隣り合うＬＥＤチップ１００ｃおよび１００ｄのｎ型パッド電極１１８ａ同士が配線１７０によって接続される。
　このように、絶縁性配線１８０を用いることにより、複数のＬＥＤチップは絶縁性配線１８０により互いに固定されるため、機械的強度の高い布状の発光デバイスを得ることができる。
　図２７は、本変形例に係る発光デバイスの構成を示す上面図である。
　図２７に示すように、ＬＥＤチップ１００ｃおよび１００ｄは、配線１７０が通る第１のスルーホール１５４ａと、絶縁性配線１８０が通る第２のスルーホール１５４ｂとを有している。また、隣り合うＬＥＤチップ１００ｃおよび１００ｄとの間で、第２のスルーホール１５４ｂ同士の距離は、第１のスルーホール１５４ａ同士の距離よりも短くなるように配置されている。このように、配線１７０が通る第１のスルーホール１５４ａ同士の距離と、絶縁性配線１８０が通る第２のスルーホール１５４ｂ同士の距離とを変えることにより、発光デバイスの機械的強度を調整することができる。また、絶縁性配線１８０が通る第２のスルーホール１５４ｂ同士の間の距離を第１のスルーホール１５４ａ同士の距離よりも短くすることで、配線にかかる負荷および配線と電極との接続点にかかる負荷をより低減することができる。
　（実施の形態５）
　次に、実施の形態５について説明する。本実施の形態に係る発光デバイスが実施の形態１～４に示した発光デバイスと異なる点は、ＬＥＤチップに設けられたスルーホールの孔径が、基板の表面と裏面とで異なる点である。
　図２８～図３０は、本実施の形態に係る発光デバイスのＬＥＤチップの構成を示す断面図である。
　図２８に示すように、ＬＥＤチップ１０ｌおよび１０ｍは、基板１１と、カソード電極であるｎ型パッド電極（図示せず）と、アノード電極であるｐ型パッド電極１８ｂとを備えている。発光領域１２は、基板１１上にｎ型半導体層１２ａと、活性層１２ｂと、ｐ型半導体層１２ｃとが積層された構成をしている。また、基板１１には、スルーホール２１４ａおよび２１４ｂが形成されている。データ線２０は、ＬＥＤチップ１０ｌのスルーホール２１４ｂを貫通し、ＬＥＤチップ１０ｌのｐ型パッド電極１８ｂに、導電性樹脂１８ｃにより接続されている。このデータ線２０は、隣り合うＬＥＤチップ１０ｍのスルーホール２１４ｂを貫通し、ＬＥＤチップ１０ｍのｐ型パッド電極１８ｂと導電性樹脂１８ｃにより接続されている。
　ここで、スルーホール２１４ｂは、データ線２０が接続されたｐ型パッド電極１８ｂに近い面、すなわち、基板１１の表面の孔径が、基板１１の裏面の孔径よりも大きくなるように形成されている。このように、データ線２０が接続されているｐ型パッド電極１８ｂに近い面側の孔径をｐ型パッド電極１８ｂから遠い面側の孔径よりも大きく形成することで、データ線２０がスルーホール２１４ｂと接触することによりダメージを受けるのを抑制することができる。
　また、データ線２０は、ｐ型パッド電極１８ｂに限らず、ｎ型パッド電極１８ａと接続されてもよい。この場合、ｎ型パッド電極１８ａが形成された面の孔径が、ｎ型パッド電極１８ａが形成されていない面（図２８では、基板１１の裏面）の孔径よりも大きくなるように、スルーホール２１４ａを形成するとよい。
　また、図２９に示すＬＥＤチップ１０ｎおよび１０ｐは、図２８に示したＬＥＤチップ１０ｌおよび１０ｍと同様の基板１１と、ｎ型パッド電極（図示せず）と、ｐ型パッド電極１８ｂとを備えている。また、基板１１には、スルーホール２１５ａおよび２１５ｂが形成されている。さらに、データ線２０は、ＬＥＤチップ１０ｎのスルーホール２１５ｂを貫通し、ＬＥＤチップ１０ｎのｐ型パッド電極１８ｂに、導電性樹脂１８ｃにより接続されている。このデータ線２０は、隣り合うＬＥＤチップ１０ｐのスルーホール２１５ｂを貫通し、ＬＥＤチップ１０ｐのｐ型パッド電極１８ｂと導電性樹脂１８ｃにより接続される。
　ここで、スルーホール２１５ｂは、データ線２０が接続されたｐ型パッド電極１８ｂに近い面、すなわち、基板１１の表面の孔径が、基板１１の裏面の孔径よりも小さくなるように形成されている。このように、データ線２０が接続されているｐ型パッド電極１８ｂに近い面側の孔径がｐ型パッド電極１８ｂから遠い面側の孔径よりも小さく形成されることで、データ線２０の可動範囲が制限される。したがって、データ線２０とｐ型パッド電極１８ｂとの接続点にかかる機械的負荷をより効果的に抑制することができる。
　また、データ線２０は、ｐ型パッド電極１８ｂに限らず、ｎ型パッド電極１８ａと接続されてもよい。この場合、ｎ型パッド電極１８ａが形成された面の孔径が、ｎ型パッド電極１８ａが形成されていない面（図２９では、基板１１の裏面）の孔径よりも小さくなるように、スルーホール２１５ｂを形成するとよい。
　また、図２８、図２９のさらなる変形例も考えられる。図３０に示すＬＥＤチップ１０ｑおよび１０ｒは、ＬＥＤチップ１０ｑおよび１０ｒに設けられたスルーホールの内面が、スルーホール内を通る配線が接続される電極側（図３０では、基板１１の表面側）に傾斜したものである。スルーホールの傾斜以外の構成については、図２８、図２９の説明で述べた内容と同じであるので、説明を省略する。
　図３０に示すように、隣り合うＬＥＤチップ１０ｑおよび１０ｒにおいて、スルーホール２１６ｂの内面は、スルーホール２１６ｂ内を通るデータ線２０が接続されたｐ型パッド電極１８ｂ側（ＬＥＤチップ１０ｑ、１０ｒの各々の中心側）に傾斜している。さらに詳細には、スルーホール２１６ｂが貫通する基板１１の両面のうち、スルーホール２１６ｂ内を通るデータ線２０が接続されるｐ型パッド電極１８ｂが位置する一方の面（上面）におけるスルーホール２１６ｂの内面位置が、上述した一方の面と対向する他方の面（下面）における内面位置よりも、スルーホール２１６ｂ内を通るデータ線２０が接続されるｐ型パッド電極１８ｂ側に近接している。このように、スルーホール２１６ｂの内面を、ｐ型パッド電極１８ｂ側（ＬＥＤチップ１０ｑ、１０ｒの各々の中心側）に傾斜して形成することにより、データ線２０がその撓みに沿って機械的負荷の少ない状態でスルーホール２１６ｂ内に配置される。したがって、スルーホール２１６ｂ内を通過するデータ線２０を、ｐ型パッド電極１８ｂと容易に接続することができる。
　なお、スルーホール２１６ｂの内面の傾斜は、ｐ型パッド電極１８ｂに近い内面のみに限らず、スルーホール２１６ｂの内面全面がｐ型パッド電極１８ｂ側に傾斜していてもよい。
　また、データ線２０は、ｐ型パッド電極１８ｂに限らず、ｎ型パッド電極（図示せず）と接続されてもよい。この場合、スルーホール２１６ａの内面を、ｎ型パッド電極側に傾斜して形成することにより、スルーホール２１６ａ内を通過する配線３０を、ｎ型パッド電極１８ａと容易に接続することができる。
　なお、上記に説明した図２８から図３０に示した接続は、データ線２０に代えて、アドレス線３０についても同様に適用することが可能である。
　以上、本実施の形態に係る発光デバイスによると、ＬＥＤチップに設けられたスルーホールの孔径が基板の表面と裏面とで異なるように形成されているので、配線とＬＥＤチップとの接続点にかかる負荷を低減して、発光デバイスの破損を効果的に抑制することができる。また、ＬＥＤチップに形成されたスルーホールの内面を電極側に傾斜して形成することにより、配線がその撓みに沿って機械的負荷の少ない状態でスルーホール内に配置される。したがって、スルーホール内を通過する配線を、電極と容易に接続することができる。
　（実施の形態５の変形例）
　次に、実施の形態５の変形例について説明する。本実施の形態に係る発光デバイスが実施の形態５に示した発光デバイスと異なる点は、ＬＥＤチップを構成する基板が半導体基板であり、半導体基板内にスルーホールを形成している点である。
　図３１～図３３は、本実施の形態に係る発光デバイスのＬＥＤチップの構成を示す断面図である。
　図３１に示すように、ＬＥＤチップ１００ｅは、基板（積層体構造）３１０と、カソード電極であるｎ型パッド電極３１８ａと、アノード電極であるｐ型パッド電極３１８ｂとを備えている。基板（積層体構造）３１０は、導電基板３１０ａ上にｎ型半導体層３１０ｂと、活性層３１０ｃと、ｐ型半導体層３１０ｄとが積層された構成をしている。また、基板（積層体構造）３１０には、スルーホール３１４が形成されている。さらに、ｐ型パッド電極３１８ｂには、配線３７０（例えば、データ線２０、アドレス線３０）が接続されている。配線３７０の表面は、絶縁膜によりコーティングされている。配線３７０は、スルーホール３１４を貫通し、隣り合うＬＥＤチップ（図示せず）の電極と接続される。
　ここで、スルーホール３１４は、配線３７０が接続されたｐ型パッド電極３１８ｂに近い面、すなわち、基板（積層体構造）３１０の表面の孔径が、裏面の孔径よりも大きくなるように形成されている。このように、配線３７０が接続されているｐ型パッド電極３１８ｂに近い面側の孔径をｐ型パッド電極３１８ｂから遠い面側の孔径よりも大きく形成することで、配線３７０がスルーホール３１４と接触することによりダメージを受けるのを抑制することができる。
　なお、配線３７０は、絶縁膜によりコーティングされていなくてもよい。この場合、スルーホール３１４の内面が絶縁膜によりコーティングされていればよい。また、配線３７０は、ｐ型パッド電極３１８ｂに限らず、ｎ型パッド電極３１８ａと接続されてもよい。この場合、ｎ型パッド電極３１８ａが形成された面の孔径が大きくなるように、スルーホール３１４を形成するとよい。
　また、図３２に示すように、ＬＥＤチップ１００ｆのスルーホール３１５は、配線３７０が接続されたｐ型パッド電極３１８ｂに近い面、すなわち、基板（積層体構造）３１０の表面の孔径が、裏面の孔径よりも小さくなるように形成されていてもよい。このように、配線３７０が接続されているｐ型パッド電極３１８ｂに近い面側の孔径が、ｐ型パッド電極３１８ｂから遠い面側の孔径よりも小さく形成されることで、配線３７０の可動範囲が制限される。したがって、配線３７０とｐ型パッド電極３１８ｂとの接続点にかかる機械的負荷をより効果的に抑制することができる。
　なお、図３２の構成においても、配線３７０は、絶縁膜によりコーティングされていなくてもよい。この場合、スルーホール３１５の内面が絶縁膜によりコーティングされていればよい。また、配線３７０は、ｐ型パッド電極３１８ｂに限らず、ｎ型パッド電極３１８ａと接続されてもよい。この場合、ｎ型パッド電極３１８ａが形成された面の孔径がｐ型パッド電極３１８ｂから遠い面側の孔径よりも小さくなるように、スルーホール３１５を形成するとよい。
　図３１および図３２に示した発光デバイスによると、ＬＥＤチップに設けられたスルーホールの孔径が基板の表面と裏面とで異なるように形成することで、配線とＬＥＤチップとの接続点にかかる負荷を低減して、発光デバイスの破損を効果的に抑制することができる。
　また、図３３に示すように、ＬＥＤチップ１００ｇに設けられたスルーホール３１６の内面は、スルーホール３１６内を通る配線３７０が接続されるｐ型パッド電極３１８ｂ側に傾斜していてもよい。
　ここで、スルーホール３１６の内面は、スルーホール３１６内を通る配線３７０が接続されたｐ型パッド電極３１８ｂ側に傾斜している。さらに詳細には、スルーホール３１６が貫通する基板３１０の両面のうち、スルーホール３１６内を通る配線３７０が接続されるｐ型パッド電極３１８ｂが位置する一方の面（上面）におけるスルーホール３１６の内面位置が、上述した一方の面と対向する他方の面（下面）における内面位置よりも、スルーホール３１６ｂ内を通る配線３７０が接続されるｐ型パッド電極３１８ｂ側に近接している。このように、スルーホール３１６の内面を、ｐ型パッド電極３１８ｂ側に傾斜して形成することにより、配線３７０がその撓みに沿って機械的負荷の少ない状態でスルーホール３１６内に配置される。したがって、スルーホール３１６内を通過する配線３７０を、ｐ型パッド電極３１８ｂと容易に接続することができる。
　なお、スルーホール３１６の内面の傾斜は、ｐ型パッド電極３１８ｂに近い内面のみに限らず、スルーホール３１６の内面全面がｐ型パッド電極３１８ｂ側に傾斜していてもよい。
　また、配線３７０は、ｐ型パッド電極３１８ｂに限らず、ｎ型パッド電極３１８ａと接続されてもよい。この場合、スルーホール３１６の内面を、ｎ型パッド電極３１８ａ側に傾斜して形成することにより、スルーホール３１６内を通過する配線３７０を、ｎ型パッド電極３１８ａと容易に接続することができる。
　以上、本実施の形態に係る発光デバイスによると、ＬＥＤチップを構成する基板が半導体基板である場合であっても、ＬＥＤチップに設けられたスルーホールの孔径が基板の表面と裏面とで異なるように形成することで、配線とＬＥＤチップとの接続点にかかる負荷を低減して、発光デバイスの破損を効果的に抑制することができる。また、ＬＥＤチップに形成されたスルーホールの内面を電極側傾斜して形成することにより、配線がその撓みに沿って機械的負荷の少ない状態でスルーホール内に配置される。したがって、スルーホール内を通過する配線を、電極と容易に接続することができる。
　なお、上記した実施の形態は一例であり、本開示は上記した実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、ＬＥＤチップを構成する基板は、導電性基板であってもよいし、絶縁性基板（絶縁体）であってもよいし、ｎ型半導体基板であってもよい。
　また、絶縁性配線は配線（データ線およびアドレス線）と同一のスルーホール内を通過するものであってもよい。
　また、スルーホールの数は上記した実施の形態に示した数に限定されず、他の数であってもよい。また、スルーホールの孔径の大きさは、上記した実施の形態に示したものに限定されず、適宜変更してもよい。また、スルーホールの孔径の形状は、どのような形状であってもよいが、スルーホールを貫通する配線または絶縁性配線に機械的負荷がかからない形状であるのが好ましい。
　また、ＬＥＤチップの各構成を形成する際に、パターニングに使用するマスクパターンは、上記した実施の形態に示したパターンに限らず他のパターンであってもよい。
　また、発光デバイスの製造工程は、上記した工程に限らず、工程の順を入れ替えたり他の工程を追加したりしてもよい。
　また、スルーホールの形成は、ＬＥＤチップのｎ型パッド電極およびｐ型パッド電極の形成後に行ってもよいし、ＬＥＤチップのｎ型パッド電極およびｐ型パッド電極の形成前に行ってもよい。
　また、スルーホールを貫通する配線は、導電性を有する配線であってもよいし、導電性を有さない絶縁性配線であってもよい。また、配線または絶縁性配線のスルーホールへの貫通の方法は、適宜変更してもよい。
　また、上述した説明では、配線をマトリクス状に接続する回路を中心に説明したので、ＬＥＤチップのアノード（ｐ型半導体層）同士、カソード（ｎ型半導体層）同士を接続する構成を示したが、ＬＥＤチップを直線状に接続する場合は、上述した全ての実施の形態において、図２３や図２５に示すようにアノード（ｐ型半導体層）とカソード（ｎ型半導体層）を接続してもよい。
　また、上記した特徴を有する発光デバイスは、表示装置として用いてもよい。これにより、配線基板を曲面状に撓ませて使用するような表示装置であっても、導体と発光デバイスの接続点にかかる負荷を低減して、発光デバイスの破損を抑制することができる。
　以上、本実施の形態に係る発光デバイスについて、実施の形態に基づいて説明したが、本開示はこの実施の形態に限定されるものではない。本開示の主旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて得られる形態も本開示の範囲内に含まれる。
　本開示に係る発光デバイスは、曲面状に撓ませて使用するディスプレイ装置等に利用することができる。
　１　発光デバイス
　１０　ＬＥＤチップ、ＬＥＤデバイス
　１１　サファイア基板（基板）
　１２　発光領域
　１２ａ，３１０ｂ　ｎ型半導体層
　１２ｂ，３１０ｃ　活性層（発光層）
　１２ｃ，３１０ｄ　ｐ型半導体層
　１４，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ，１１４，２１４ａ，２１４ｂ，２１５ａ，２１５ｂ，２１６ａ，２１６ｂ，３１４，３１５，３１６　スルーホール
　１６　ｎ型電極（第２の電極）
　１７　ｐ型電極（第１の電極）
　１８ａ，１３８ａ，３１８ａ　ｎ型パッド電極（第２の電極）
　１８ｂ，１３８ｂ，３１８ｂ　ｐ型パッド電極（第１の電極）
　１８ｃ，１８ｄ　導電性材料
　２０　データ線（配線）
　２０ａ　データ線群（配線）
　３０　アドレス線（配線）
　３０ａ　アドレス線群（配線）
　４０　フィルム
　５０　データドライバ
　６０　走査データドライバ
　１７０，３７０　配線
　１８０　絶縁性配線
　３１０　基板（積層体構造）
　３１０ａ　導電基板

Claims (19)

  1. 　発光領域と、前記発光領域に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極とを有する複数のＬＥＤチップと、
    　前記複数のＬＥＤチップに対応して設けられた複数の基板と、
    　少なくとも前記複数の基板をそれぞれ貫通するスルーホールと、
    　糸状の導電性線材で構成された配線と、を備え、
    　前記配線は、一つの前記ＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極と前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他のＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極とを、前記スルーホール内を通過した上で導通する
    　発光デバイス。
  2. 　前記スルーホール内において、前記配線の側面の少なくとも一部が、前記スルーホールの内壁と離間している
    　請求項１に記載の発光デバイス。
  3. 　前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数の基板において各々の同一の面に形成され、
    　前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極および前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも小さい
    　請求項１に記載の発光デバイス。
  4. 　前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数の基板において各々の同一の面に形成され、
    　前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記第１の電極および前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも大きい
    　請求項１に記載の発光デバイス。
  5. 　前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記スルーホール内を通る前記配線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極が位置する一方の面における前記スルーホールの内面位置が、前記一方の面と対向する他方の面における内面位置よりも、前記スルーホール内を通る前記配線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極側に近接している
    　請求項１に記載の発光デバイス。
  6. 　前記第１の電極および前記第２の電極は、各々、導電性材料によって前記配線と接続されている
    　請求項１に記載の発光デバイス。
  7. 　前記基板は、絶縁体である
    　請求項１に記載の発光デバイス。
  8. 　前記発光デバイスは、絶縁性配線を備え、
    　前記絶縁性配線は、一つの前記ＬＥＤチップにおける前記スルーホールを通った上で、前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他の前記ＬＥＤチップの前記スルーホールを通り、
    　前記絶縁性配線は、前記配線よりも剛性が高い
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の発光デバイス。
  9. 　複数のＬＥＤチップが配列された発光デバイスであって、
    　前記複数のＬＥＤチップのそれぞれは、
    　基板内または前記基板上に形成された発光領域と、を備え、
    　前記発光デバイスは、
    　前記発光領域に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、
    　少なくとも前記基板を貫通するスルーホールと、
    　糸状の導電性線材で構成された配線と、を備え、
    　前記配線は、一つの前記ＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極と、前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他のＬＥＤチップが有する前記第１の電極または前記第２の電極とを、前記一つのＬＥＤチップおよび前記他のＬＥＤチップが有する前記スルーホール内を通過した上で導通する
    　発光デバイス。
  10. 　前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記基板上に直接形成されている
    　請求項９に記載の発光デバイス。
  11. 　前記ＬＥＤチップは、前記発光領域を挟むようにｎ型半導体層及びｐ型半導体層を積層した積層体であり、
    　前記第１の電極は、前記ｐ型半導体層と導通するアノード電極であり、
    　前記第２の電極は、前記ｎ型半導体層と導通するカソード電極であり、
    　前記スルーホールは、前記スルーホールが形成される位置において、前記基板の両面を貫通する
    　請求項９に記載の発光デバイス。
  12. 　前記基板はｎ型半導体層であり、前記基板の上方にはｐ型半導体層が積層され、
    　前記第１の電極は、前記ｐ型半導体層と導通するアノード電極であり、
    　前記第２の電極は、前記ｎ型半導体層と導通するカソード電極であり、
    　前記スルーホールは、前記スルーホールが形成される位置において、前記基板の両面を貫通する
    　請求項９に記載の発光デバイス。
  13. 　前記スルーホール内において、前記配線の側面の少なくとも一部が、前記スルーホールの内壁と離間している
    　請求項９～１２のいずれか１項に記載の発光デバイス。
  14. 　前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のＬＥＤチップにおけるそれぞれの基板において各々の同一の面に形成され、
    　前記スルーホールが貫通する前記それぞれの基板の両面のうち、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極および前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも小さい
    　請求項９～１３のいずれか１項に記載の発光デバイス。
  15. 　前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のＬＥＤチップにおけるそれぞれの基板において各々の同一の面に形成され、
    　前記スルーホールが貫通する前記それぞれの基板の両面のうち、前記第１の電極および前記第２の電極が形成された面側の前記スルーホールの孔径が、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成されていない面側の前記スルーホールの孔径よりも大きい
    　請求項９～１３のいずれか１項に記載の発光デバイス。
  16. 　前記スルーホールが貫通する前記基板の両面のうち、前記スルーホール内を通る前記配
    線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極が位置する一方の面における前記スルーホールの内面位置が、前記一方の面と対向する他方の面における内面位置よりも、前記スルーホール内を通る前記配線が接続される前記第１の電極または前記第２の電極側に近接している
    　請求項９～１３のいずれか１項に記載の発光デバイス。
  17. 　前記第１の電極および前記第２の電極は、各々、導電性材料によって前記配線と接続されている
    　請求項９～１６のいずれか１項に記載の発光デバイス。
  18. 　前記発光デバイスは、絶縁性配線を備え、
    　前記絶縁性配線は、一つの前記ＬＥＤチップにおける前記スルーホールを通った上で、前記一つのＬＥＤチップと隣り合う他の前記ＬＥＤチップの前記スルーホールを通り、
    　前記絶縁性配線は、前記配線よりも剛性が高い
    　請求項９～１７のいずれか１項に記載の発光デバイス。
  19. 　請求項１～１８のいずれか１項に記載の発光デバイスを備える表示装置。
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