WO2015007079A1 - 一种用于显示面板的检测电路 - Google Patents

一种用于显示面板的检测电路 Download PDF

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WO2015007079A1
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Inventor
杜鹏
许哲豪
施明宏
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深圳市华星光电技术有限公司
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, and in particular to a detection circuit for a display panel. Background technique
  • a test section such as a lighting test is usually used to monitor the yield of the liquid crystal panel.
  • the connection of the test circuit to the line on the display area can be removed or laser out.
  • this removal or disconnection is not very convenient.
  • the test circuit is retained, there will be leakage current between the components of the test circuit, such as the source and drain of the TFT switch, causing interference on the data line and the drain line of the display area.
  • their channel lengths (channe! length) can be made large, for example, about 10 ⁇ m.
  • this is very disadvantageous for the narrow bezel design.
  • One of the technical problems to be solved by the present invention is to provide a panel detecting circuit capable of effectively preventing the test line from being disturbed when the display panel is used.
  • the present invention provides a detecting circuit for a display panel, the circuit comprising: a shorting bar on which a connecting line for introducing a test signal or a control signal is disposed;
  • a transistor array having a gate connected to the connection line of the control signal, and the connection line for introducing the test signal and the source through the source and the drain of the transistor under the control signal
  • the data line or the scan line of the display panel is connected, wherein
  • An element is disposed between the gate of the transistor array and the shorting bar, and when the control signal is a signal for turning off the transistor array, the component is used to further reduce the voltage on the drain, The transistor array is reliably turned off.
  • the transistor array is a TFT thin film field effect transistor array or a MOSFET tube array.
  • the component is a diode, wherein a cathode of the diode is coupled to a gate of the transistor display, and an anode of the diode is coupled to the connection line that introduces a control signal.
  • the element is another transistor, wherein the gate of the other transistor is connected to its source, thereby being commonly connected to the connection line of the incoming control signal, the other The drain of the transistor is coupled to the gate of the transistor array.
  • the element is another transistor, wherein the gate of the other transistor is connected to its source to be commonly connected to the connection line into which the test signal is introduced, the other transistor The drain is connected to the gate of the transistor array.
  • the transistor is a TFT thin film field effect transistor or a MOSFET transistor.
  • the TFT thin film field effect transistor has a channel length of 3-5 microns.
  • the present invention brings about a beneficial effect of T: U) By setting a component between the pole of the transistor array and the shorting bar to further reduce the gate voltage, the transistor can be controlled by applying a low level signal. When the array is fully-reliably cut off, the leakage current is reduced; (2) The control connection line is shared with the test connection line, which prevents the display panel from being affected when the display panel is normally used; (3) The traceback circuit of the present invention can further reduce the channel length of the TFT thin film field effect transistor, which is advantageous for the narrow bezel design.
  • ⁇ is a schematic diagram of a detection circuit in accordance with the present invention.
  • Figure 2 shows a schematic diagram of leakage current between two digital switches
  • FIG. 3 is a schematic diagram of an equivalent circuit modified in accordance with the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a detection circuit in accordance with one embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is another schematic diagram of an equivalent circuit improved in accordance with the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a detection circuit in accordance with another embodiment of the present invention. detailed description
  • each of the measuring points 1-7 passes through a trace (or a connecting line) on a shorting bar and is connected to the display panel through a set of digital gate arrays (such as a TFT array).
  • Line and scan line This is not limited to TFT arrays, and other controllable digital switch arrays such as transistor arrays can achieve the same purpose. In the field of LCD technology, a TFT switch is preferred.
  • the connecting line on the shorting bar includes a control connecting line connected to the measuring point 1 and the measuring point 5, and a test connecting line connected to the measuring point 2-4 and the measuring points 6 and 7. .
  • the measuring point i and the measuring point 5 are connected to the gate of the TFT switch through the control connection line, and the measuring point 2 to the measuring point 4 and the measuring point 6 and the measuring point 7 are connected to the drain of the TFT switch through the test connecting line, and
  • the source of the TFT switch is connected to a data line or a scan line disposed on the display area.
  • Different numbers of TFT switches and measuring points can be assigned to the data line or scan line for lighting test according to actual conditions. For example, it can be connected to the data line by measuring 6 points to 4, through 6 TFT switches, and measuring points 6 and 7 are connected to the Gate line through 4 TFT switches.
  • the display panel can be tested by adding the signals required for the detection from the measuring point 2 to the tracking point 4 and the measuring point 6 and the measuring point 7, respectively.
  • Such a design does not require laser cutting after the display panel unit is detected, that is, the connection of the shorting bar and the data line and the scanning line is cut off, thereby saving production time.
  • the TFT switch is in a negative bias state for a long time, and there is no test signal at the measuring point 2 to the measuring point 4 and the measuring point 6 and the measuring point 7, so that the drain side of the TFT switch is always in a floating state.
  • This floating state generates a certain voltage fluctuation in some cases, which may cause the source and drain of the TFT switch to form a leakage path in the reverse cut-off state, thereby generating a leakage current.
  • a situation of leakage current is indicated by the bold lines in Figure 2. Since the leakage current indirectly causes the external signal to interfere with the data line or the scan line through the shorting bar, the display quality of the panel is affected.
  • the channel length (chaiMd length) can be made very large, such as about 10 microns.
  • the channel length (chaiMd length) can be made very large, such as about 10 microns.
  • the present invention further provides a circuit for testing a display panel including a shorting bar and a transistor array.
  • the shorting bar is provided with a connecting line for introducing a test signal or a control signal.
  • the transistor array is driven by the control signal through the source and the drain of the transistor to introduce the connection line of the trace signal and the data line or scan of the display panel. The lines are connected.
  • an element is also provided between the gate of the transistor array and the shorting bar.
  • the control signal is a signal that causes the transistor to be turned off
  • the component is used to further reduce or higher the voltage across the gate, allowing the transistor array to be reliably turned off.
  • the transistor array can be a TFT gate array, a diode or an enhanced MOS transistor array.
  • the control signal is a low-level signal, and for a diode or an enhanced MOS transistor, it is a corresponding current and voltage signal that causes its gate to be turned off.
  • the component can be a diode or another transistor.
  • the cathode of the diode is connected to the gate of the transistor array, and the anode of the diode is connected to the measuring point where the control signal is introduced.
  • the gate of the other transistor is connected to its source to be commonly connected to the connection line that introduces the control signal, and the drain of the other transistor is connected to the gate of the transistor array.
  • FIG. 3 it is a schematic diagram of an equivalent circuit which is modified in the above manner to prevent leakage current of the transistor array.
  • another TFT switch is added between the digitally-switched drain indicated by the mark TFT2 as shown in Fig. 3 and the measuring point 1, which is represented by TFT2.
  • the other transistor and transistor array can each be a thin film field effect transistor TFT or MOSFET.
  • FIG. 4 shows a schematic diagram of the detection circuit applying the above improvements to the display area circuit.
  • another digital gate TFT 2 is added between the gate line of the gate array TFT1 and the trace of the shorting bar.
  • the digital gates of the TFT2 are connected together, and the drain is connected to the gate of the TFT2 for controlling the TFT2 to be reliably turned off.
  • the detection circuit shown in Fig. 4 can effectively avoid the leakage current between the source and the drain of the gate array TFT1.
  • Fig. 5 there is also an equivalent circuit case.
  • the gate of the digital switch transistor TFT1 is connected to its source to be connected to the measurement point at which the test signal is introduced, and the drain of the other transistor is connected to the gate of the transistor array.
  • the control line does not have to be specially laid on the shorting bar, and no special control signal is required.
  • the voltage on the test line is sufficient to turn on TFTi and TFT2, and at the same time, the test signals are respectively introduced to the data lines and scan lines in the display panel through the source and drain electrodes.
  • a low-level signal is applied to all the measuring points, and the state in which some lines are suspended is avoided, so that the switching array TFT2 can be effectively cut off without generating leakage current.
  • the channel length of the switching TFT can be designed to be relatively small (3 to 5 micrometers), while the conventionally designed switching TFT channel length is usually about 10 micrometers.
  • the new design saves space and is very beneficial for the popular narrow border design.

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Abstract

本发明公开了一种用于显示面板的检测电路，其包括：短路棒，其上布设有用于引入测试信号或控制信号的连接线；晶体管阵列，其栅极连接在引入控制信号的连接线上，在控制信号的作用下通过晶体管的源极、漏极将引入测试信号的连接线与显示面板的数据线或扫描线相连通，其中，在晶体管阵列的極极与短路棒之间设置一元件，在控制信号为使晶体管阵列截止的信号时，该元件用于进一歩降低極极上的电压，使得晶体管阵列可靠截止。采本发明可防止晶体管阵列如TFT开关阵列的漏电流情况出现。另外，省略了控制连接线，可避免显示面板正常使用时，其他测试连接线悬空的情况。本发明的电路也特别有利于窄框的显示面板设计，因为TFT开关的沟道可以设计的很短。

Description

技术领域
本发明涉及显示技术领域， 具体说， 涉及一种用于显示面板的检测电路。 背景技术
在薄膜晶体管 （TFT-LCD) 液晶面板的生产过程中， 具体说在阵列制程段和成盒段 中通常会采 ^如点灯测试等测试环节来监控液晶面板的良品率。测试完毕之后可将测试电 路与显示区上线路的连接移出或用激光断开 （laser out) 。 但在有些情况下， 这种移出或 者断开并不是很方便。 如果保留测试电路的话， 该测试电路中的元器件如 TFT开关的源 漏极之间会存在漏电流， 从而对显示区的数据线和樋极线上产生干扰。在一种情况下， 为 了防止 TFT幵关出现截止状态下的漏电流， 可以将它们的沟道长度 （channe! length) 做 的很大， 如 10微米左右。 但这样一来， 针对窄边框设计又非常不利。
因此，需要一种能够有效防止在显示面板使用时测试线路对其产生干扰的面板检测电 路。
本发明所要解决的技术问题之一是需要提供一种能够有效防止在显示面板使用时测 试线路对其产生千扰的面板检测电路。
为了解决上述技术问题， 本发明提供了一种用于显示面板的检测电路， 该电路包括； 短路棒， 其上布设有 ]¾于引入测试信号或控制信号的连接线；
晶体管阵列，其栅极连接在所述弓 i入控制信号的连接线上，在所述控制信号的作用下 通过所述晶体管的源极、漏极将所述引入测试信号的连接线与所述显示面板的数据线或扫 描线相连通， 其中，
在所述晶体管阵列的栅极与所述短路棒之间设置一元件，在所述控制信号为使所述晶 体管阵列截止的信号时，所述元件用于进一步降低所述樋极上的电压，使得所述晶体管阵 列可靠截止。
在本发明的一个实施例中，所述晶体管阵列为 TFT薄膜场效应管阵列或 MOSFET管 阵列。 在本发明的一个实施例中，所述元件为二极管，其中所述二极管的阴极连接所述晶体 管陈列的栅极， 所述二极管的阳极连接到所述引入控制信号的连接线上。
在本发明的一个实施例中，所述元件为另一晶体管，其中所述另一晶体管的栅极与其 源极连接， .从而共同连接到所述引入控制信号的连接线上，所述另一晶体管的漏极与所述 晶体管阵列的栅极相连。
在本发明的一个实施例中，所述元件为另一晶体管，其中所述另一晶体管的栅极与其 源极连接，从而共同连接到所述引入测试信号的连接线上，所述另一晶体管的漏极与所述 晶体管阵列的栅极相连。
在本发明的一个实施例中， 所述晶体管为 TFT薄膜场效应管或 MOSFET管。
在本发明的一个实施例中， 所述 TFT薄膜场效应管的沟道长度为 3-5微米。
与现有技术相比， 本发明带来以 T有益效果： U ) 通过在晶体管阵列的極极与短路 棒之间设置 ^于进一步降低栅极电压的元件,可以在施加低电平信号控制晶体管阵列时使 其全部—可靠截止， 减少了漏电流的出现； （2) 控制连接线与测试连接线共用， 可防止正 常使用显示面板的时候， 检测线路的悬空对显示面板带来影响； （3 ) 本发明的检溯电路 可以进一步减小 TFT薄膜场效应管的沟道长度， 对窄边框设计有利。
本发明的其它特征和优点将在隨后的说明书中阐述，并且，部分地认说明书中变得显 而易见， 或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要 求书以及 i 图中所特别指出的结构来实现和获得。 j图说明
图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例 共同用于解释本发明， 并不构成对本发明的限制。 在附图中：
图： ί是根据本发明的一种检测电路示意图；
图 2显示了在两个数字开关之间出现漏电流的示意图；
图 3是一种根据本发明改迸了的等效电路示意图；
图 4是根据本发明一个实施例的检测电路示意图；
图 5是另一种根据本发明改进了的等效电路示意图；
图 6是根据本发明另一个实施例的检测电路示意图。 具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术 手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是, 只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施 ^中的各个特征可以相互结合，所形 成的技术方案均在本发明的保护范围之内》
如图 〗 所示， 其中显示了一种检测电路示意图。 在图 1 中， 各测点 1-7经过短路棒 ( shorting bar) 上的走线 （或者说连接线） 并通过一组数字幵关阵列 （例如 TFT幵关阵 列） 而连接到显示面板的数据线和扫描线上。 这里并不限于 TFT幵关阵列， 其他可控的 数字开关阵列例如晶体管阵列均可以实现相同目的。在 LCD技术领域中， 优选 TFT开关 此外， 短路棒上的连接线包括与测点 1和测点 5连接的控制连接线， 以及与测点 2-4 和测点 6和 7连接的测试连接线。 测点 i和测点 5经过控制连接线而连接到 TFT开关的 栅极上，测点 2到测点 4以及测点 6和测点 7通过测试连接线而连接到 TFT开关的漏极， 而 TFT开关的源极与显示区上布置的数据线或扫描线连接。 可根据实际情况给数据线或 扫描线上分配不同数量的 TFT开关和测点进行点灯測试。 例如， 可以采用测点 2到测点 4通过 6个 TFT开关来连接到数据线（Data line)上， 而测点 6和 7通过 4个 TFT开关来 连接到扫描线 （Gate line) 上。
在检测时， 向测点 1和测点 5输入高电平信号， A认而控刺 TFT开关导通。 因此， 在 测点 2到溯点 4以及测点 6和测点 7分别加上检测需要的信号就可以对显示面板进行测试。
在完成显示面板的生产后进行使用时， 向劉点 1和测点 5输入低电平信号，使得 TFT 开关截止，进而断开短路棒 shorting bar与数据线 Data line或扫描线 Gate line之间的连接。
这样的设计在显示面板单元检测后不需要进行激光切割， 即切断短路棒和数据线、扫 描线的连接， 从而节省了生产时间。 但在显示面板工作时， TFT开关长期处于负偏压状 态， 而测点 2到测点 4以及测点 6和测点 7上无测试信号， 因此导致 TFT开关漏极侧一 直处于悬空状态。 这种悬空状态在某些情况下会产生一定的电压波动， 可能会使 TFT开 关的源极和漏极在反向截止的情况下形成漏电通道，从而产生漏电流。漏电流的一种情况 如图 2中加粗的线条所指示。由于漏电流在一定程度上会间接导致外部信号通过短路棒对 数据线或扫描线的干扰， 迸而影响面板的显示品质。
为了防止 TFT开关出现截止状态下的漏电流, -可以将它们的沟道长度 ( chaiMd length) 做的很大， 如 10微米左右。 但这样一来， 对于生产窄边框设计的产品又很难以实现。
因此,本发明又提供一种用于测试显示面板的电路，该电路包括短路棒和晶体管阵列》 如上所示，该短路棒上布设有用于引入测试信号或控制信号的连接线。晶体管阵列在控制 信号的作用下通过晶体管的源极、漏极将引入溯试信号的连接线与显示面板的数据线或扫 描线相连通。
根据本发明，在晶体管阵列的栅极与短路棒之间还设置了一个元件。在控制信号为使 晶体管陈列截止的信号时，该元件用于进一步降低或 高栅极上的电压，使得晶体管阵列 可靠截止。
如前所述， 晶体管阵列可以为 TFT幵关阵列、 ≡极管或增强型 MOS管阵列。 当晶体 管阵列为 TFT 幵关阵列时， 该控制信号为低电平信号， 而对于≡极管或者增强型 MOS 管， 则是使它 ί门截止的相应的电流和电压信号。
在实际应用中， 该元件可以为二极管， 也可以为另一晶体管。在二极管的情况下， 二 极管的阴极连接晶体管阵列的栅极，二极管的阳极连接到引入控制信号的测点上。而在晶 体管的情况下， 另一晶体管的栅极与其源极连接，从而共同连接到引入控制信号的连接线 上， 另一晶体管的漏极与晶体管阵列的櫥极相连。
如图 3所示，它是一种按照上述方式实现防止晶体管阵列漏电流的情况而改迸了的等 效电路示意图。在该图中， 在如图 3中的标记 TFT2所指示的数字幵关的檝极与测点 1之 间增加另一 TFT开关， 用 TFT2表示。
也就是说，在一种优选方式中，该另一晶体管和晶体管阵列均可以为薄膜场效应晶体 管 TFT或 MOSFET管。
图 4显示了将上述改进应用到显示区电路中的检测电路示意图。与图 1不同的是，在 幵关阵列 TFT1 的櫥极线与短路棒的走线之间增加了另一数字幵关 TFT2。 该数字幵关 TFT2的源栅极连接在一起， 漏极与 TFT2的栅极连接， 用于控制 TFT2可靠截止。
采 ]¾如图 4所示的检测电路，可以有效地避免幵关阵列 TFT1的源漏极之间的漏电流 现象发生。
如图 5所示， 还有一种等效电路的情况。 其中， 数字开关管 TFT1的栅极与其源极连 接，从而共同连接到引入测试信号的测点上，另一晶体管的漏极与晶体管阵列的栅极相连。 在这种情况下， 短路棒上不必专门布设控制线， 同时也不需要专门的控制信号。
如图 6所示， 当测试时， 测试线路上的电压足以使 TFTi和 TFT2导通， 并同时通过 源漏极将测试信号分别引入到显示面板中的数据线和扫描线上。当不測试时，给所有的测 点均施加低电平信号， 而避免了部分线路悬空的状态， 因此可以有效地使开关阵列 TFT2 可靠地截止， 而不会产生漏电流。
采用这种设计， 开关 TFT的沟道长度可以设计得比较小 （3〜5微米） , 而传统设计 的开关 TFT沟道长度通常为 10微米左右。 新的设计可以节省空间， 对现在流行的窄边框 设计非常有利。 虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的 实施方式， 并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员， 在不脱离本发 明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但 本发明的专利保护范围， 仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims

权利要求书
1、 一种用于显示面板的检劉电路， 其中， 包括：
短路棒， 其上布设有用于引入测试信号或控制信号的连接线：
晶体管阵列，其栅极连接在所述引入控制信号的连接线上，在所述控制信号的作用下 通过所述晶体管的源极、漏极将所述引入测试信号的连接线与所述显示面板的数据线或扫 描线相连通， 其中，
在所述晶体管阵列的栅极与所述短路棒之间设置一元件,在所述控制信号为使所述晶 体管阵列截止的信号日 所述元件用于进一步降低或升高所述栅极上的电压或电流，使得 所述晶体管阵列可靠截止。
2、 如权利要求 i 所述的电路， 其中， 所述晶体管阵列为 TFT薄膜场效应管阵列或 MOSFET管阵列。
3、 如权利要求 1所述的电路， 其中， 所述元件为二极管， 其中所述二极管的阴极连 接所述晶体管阵列的櫥极， 所述二极管的阳极连接到所述引入控制信号的连接线上。
4、 如权利要求 1所述的电路， 其中， 所述元件为另一晶体管， 其中所述另一晶体管 的櫥极与其源极连接，从而共同连接到所述引入控制信号的连接线上，所述另一晶体管的 漏极与所述晶体管阵列的櫥极相连。
5、 如权利要求 1所述的电路， 其中， 所述元件为另一晶体管， 其中所述另一晶体管 的栅极与其源极连接，从而共同连接到所述引入测试信号的连接线上，所述另一晶体管的 漏极与所述晶体管阵列的栅极相连。
6、如权利要求 5所述的的电路， 其中， 所述晶体管为 TFT薄膜场效应管或 MOSFET 管。
7、如权利要求 6所述的电路，其中，所述 TFT薄膜场效应管的沟道长度为 3- 5微米。
8、 如权利要求 2所述的电路， 其中， 所述元件为二极管， 其中所述二极管的阴极连 接所述晶体管阵列的 »极， 所述二极管的阳极连接到所述引入控制信号的连接线上。
9、 如权利要求 2所述的电路， 其中， 所述元件为另一晶体管， 其中所述另一晶体管 的櫥极与其源极连接，从而共同连接到所述引入控制信号的连接线上，所述另一晶体管的 漏极与所述晶体管阵列的櫥极相连。
10、 如权利要求 2所述的电路， 其中， 所述元件为另一晶体管， 其中所述另一晶体管 的栅极与其源极连接，从而共同连接到所述引入测试信号的连接线上，所述另一晶体管的 漏极与所述晶体管阵列的栅极相连。
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