WO2014199818A1 - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Abstract
Description
スイッチング素子のゲートに一定電流を供給して該スイッチング素子をオン駆動する出力トランジスタと、
PチャネルMOS-FETとnチャネルMOS-FETとからなり、ゲート制御信号を入力して前記出力トランジスタをオン・オフ駆動するCMOS構成のプリドライバと、
定電流用トランジスタのゲート電圧を制御して該定電流用トランジスタに流れる電流を一定化する基準電流源と、
前記定電流用トランジスタのゲート電圧を前記プリドライバの動作基準電圧として印加するバッファアンプと
を備えたことを特徴としている。
11a 出力トランジスタ(pチャネル型MOS-FET;PM2)
11b 出力トランジスタ(nチャネル型MOS-FET;NM2)
12,12' プリドライバ
12a,12a' pチャネル型MOS-FET
12b,12b' nチャネル型MOS-FET
13 基準電流源
13a 定電流用トランジスタ(pチャネル型MOS-FET;PM3)
13b 電圧制御用トランジスタ(nチャネル型MOS-FET;NM3)
13c 誤差増幅器
14 バッファアンプ
15 ターンオフ回路
20,20a,20b,20c ゲート駆動回路(ローサイド側)
Q1,Q2 スイッチング素子
Ra 基準抵抗
Rb 負荷抵抗
SW1,SW2,SW3 スイッチ素子(nチャネル型MOS-FET)
C コンデンサ
Claims (10)
- スイッチング素子のゲートに一定電流を供給して該スイッチング素子をオン駆動する出力トランジスタと、
PチャネルMOS-FETとnチャネルMOS-FETとからなり、ゲート制御信号を入力して前記出力トランジスタをオン・オフ駆動するCMOS構成のプリドライバと、
定電流用トランジスタのゲート電圧を制御して該定電流用トランジスタに流れる電流を一定化する基準電流源と、
前記定電流用トランジスタのゲート電圧を前記プリドライバの動作基準電圧として印加するバッファアンプと
を具備したことを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記基準電流源は、前記定電流用トランジスタに流れる電流により基準抵抗に生起される電圧と、予め設定された基準電圧との電圧差を求める誤差増幅器を備え、この誤差増幅器の出力に応じて前記定電流用トランジスタのゲート電圧をフィードバック制御して該定電流用トランジスタに流れる電流を一定化するものである請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 前記基準抵抗は、温度依存性を無視し得る抵抗体からなる請求項2に記載のゲート駆動回路。
- 前記出力トランジスタおよび前記定電流用トランジスタは、それぞれMOS-FETからなる請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 前記バッファアンプを介して動作基準電圧が設定される前記プリドライバは、前記ゲート制御信号を入力して前記出力トランジスタをオン駆動した際、該出力トランジスタに前記定電流用トランジスタに流れる電流に比例した電流を流すものである請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 前記出力トランジスタが複数個並列に接続して設けられるとき、これらの各出力トランジスタのそれぞれに対応して前記プリドライバが複数個設けられる請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 前記複数のプリドライバは、個別にゲート制御信号を入力して前記各出力トランジスタをオン・オフ駆動するものである請求項6に記載のゲート駆動回路。
- 請求項1~7のいずれかに記載のゲート駆動回路において、
更に前記定電流用トランジスタのゲート電圧をスイッチ素子を介して選択的に保持し、保持した前記ゲート電圧を前記バッファアンプに印加するコンデンサを備えることを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記スイッチ素子は、前記プリドライバに入力される前記ゲート制御信号を受けて前記出力トランジスタのオフ動作時に前記定電流用トランジスタのゲート電圧をコンデンサに保持するものである請求項8に記載のゲート駆動回路。
- 前記基準電流源は、前記スイッチ素子と共にオン・オフ駆動される請求項8に記載のゲート駆動回路。
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