JP2003338744A - 定電流スイッチング回路 - Google Patents
定電流スイッチング回路Info
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- JP2003338744A JP2003338744A JP2002146475A JP2002146475A JP2003338744A JP 2003338744 A JP2003338744 A JP 2003338744A JP 2002146475 A JP2002146475 A JP 2002146475A JP 2002146475 A JP2002146475 A JP 2002146475A JP 2003338744 A JP2003338744 A JP 2003338744A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 定電流スイッチング回路の直線性と高速性を
実現する。 【解決手段】 定電流源４が接続される基準側のＰＭＯ
ＳトランジスタＱ１と負荷が接続される出力側のＰＭＯ
ＳトランジスタＱ２からカレントミラー回路を構成す
る。ＰＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２のゲート間にＰＭ
ＯＳトランジスタＱ３を接続し、ＰＭＯＳトランジスタ
Ｑ２のソース・ゲート間にＰＭＯＳトランジスタＱ４を
接続する。入力する制御信号の差動信号によりＰＭＯＳ
トランジスタＱ３，Ｑ４を差動的に駆動する。
実現する。 【解決手段】 定電流源４が接続される基準側のＰＭＯ
ＳトランジスタＱ１と負荷が接続される出力側のＰＭＯ
ＳトランジスタＱ２からカレントミラー回路を構成す
る。ＰＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２のゲート間にＰＭ
ＯＳトランジスタＱ３を接続し、ＰＭＯＳトランジスタ
Ｑ２のソース・ゲート間にＰＭＯＳトランジスタＱ４を
接続する。入力する制御信号の差動信号によりＰＭＯＳ
トランジスタＱ３，Ｑ４を差動的に駆動する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＥＤ（発光素子）
やＬＤ（レーザダイオード）等の負荷を定電流で駆動す
る定電流スイッチング回路に関し、特に直線性および高
速性が良好なスイッチング動作を行う技術に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】図４に、従来の定電流スイッチング回路
を示す。図４において、１は制御信号パルスを発生する
制御信号源、２はその制御信号源１から制御信号パルス
が入力する入力端子、３はその制御信号パルスの差動信
号を出力する制御部、４は基準電流Ｉrefが設定される
定電流源、５は出力端子、６は出力端子５に接続される
ＬＥＤ、ＬＤ等の負荷である。 【０００３】制御信号パルスが入力端子２より制御部３
に入力されると、その制御部３の差動出力はＮＰＮトラ
ンジスタＱ５，Ｑ６及び定電流源４で構成される差動増
幅器に入力される。そして、トランジスタＱ６のコレク
タ電流は、ＰＮＰトランジスタＱ７、Ｑ８で構成される
カレントミラー回路により、出力端子５から負荷６へ定
電流を供給する。 【０００４】ここで、定電流源４は負荷に応じた任意の
基準電流Ｉrefに設定され、制御部３に入力した制御信
号パルスは、トランジスタＱ５，Ｑ６が交互に完全にＯ
Ｎ／ＯＦＦするような電圧に変換される。この動作によ
り、スイッチングされた電流ＩrefがトランジスタＱ６
のコレクタに流れ、これがトランジスタＱ７，Ｑ８で構
成されるカレントミラー回路によりトランジスタＱ８側
に転移され、出力端子５から出力電流Ｉoutとして負荷
６ヘ供給される。カレントミラー回路の比率をＮとすれ
ば、理想的にはＩout＝Ｎ・Ｉrefとなる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
回路構成では、トランジスタＱ６、Ｑ７、Ｑ８のベース
電流により出力電流Ｉoutに誤差が発生し、この結果、
基準電流Ｉrefに対する出力電流Ｉoutの直線性が低下す
るという問題があった。 【０００６】ここで、ＮＰＮトランジスタの電流増幅率
をβｎ、ＰＮＰトランジスタの電流増幅率をβｐとすれ
ば、出力電流値Ｉoutは、 Ｉout＝Ｎ・｛（βｎ／（１＋βｎ）｝｛βｐ／（１＋
Ｎ＋βｐ）｝・Ｉref で表すことができる。 【０００７】この式から分かるように、出力電流Ｉout
は電流増幅率βｎ，βｐの誤差を含むことになる。ま
た、通常、電流増幅率βｎ，βｐは電流の増加と共に低
下するため、大電流領域においてこの誤差は顕著とな
り、基準電流Ｉrefに対する直線性が損なわれることに
なる。 【０００８】図５に上記回路によるＩref−Ｉoutの特性
を示す。実線で示す実際の特性は波線で示す理想特性に
対して基準電流Ｉrefが大きくなるほど大きな誤差が生
じている。また図６にスイッチング動作の波形を示す。
上記回路ではスイッチングの立ち上がり時間Ｔｒ、立ち
下がりＴｆは短く、共に良好である。このように、図４
に示す従来回路では、スイッチング時間は良好である
が、電流増幅率βｎ，βｐの誤差により直線性が低下す
るという問題があった。 【０００９】図７に別の従来の回路図を示す。この回路
は、電流増幅率βｎ，βｐによる誤差を低減するため
に、バイポーラトランジスタに代えて、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ
７、Ｑ８としてＰＭＯＳトランジスタを使用したもので
ある。図８はこの図７に示す回路によるＩref−Ｉoutの
特性を示す図であり、前記した図５の特性と比較して誤
差が低減されている。 【００１０】しかしながら、図７の回路においては、ト
ランジスタＱ７，Ｑ８をＯＮさせるにはゲート容量を充
電する必要がある。スイッチング動作を考えると、トラ
ンジスタＱ６がＯＦＦ→ＯＮに遷移したとき、トランジ
スタＱ７，Ｑ８のゲートは基準電流Ｉrefにより充電が
開始され、この基準電流Ｉrefとゲート容量により決定
される充電時間が経過するまで、出力電流は設定した値
まで達しない。また、トランジスタＱ６がＯＮ→ＯＦＦ
に遷移したときトランジスタＱ７，Ｑ８のゲートはトラ
ンジスタＱ７のドレインより自然放電されるが、これら
の充放電の時間はトランジスタＱ７，Ｑ８のサイズによ
り決まり、図４に示す回路と同等な電流能力を得ようと
すると、充放電時間が大きくなる。 【００１１】この結果、入力する制御信号パルスにトラ
ンジスタＱ７，Ｑ８が追従できなくなり、スイッチング
の立ち上がり時間Ｔｒ、立ち下がり時間Ｔｆが遅くなる
という問題がある。図９にこのスイッチング動作の波形
を示した。図４に示す回路の動作波形である図５の波形
と比較して、その時間Ｔｒ、Ｔｆが長くなっている。 【００１２】本発明は以上のような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、直線性および高速性の両者が良好
なスイッチング特性を満足した定電流スイッチング回路
を提供することである。 【００１３】 【課題を解決するための手段】請求項１にかかる発明
は、定電流源が接続される基準側の第１のＭＯＳトラン
ジスタと負荷が接続される出力側の第２のＭＯＳトラン
ジスタからカレントミラー回路を構成し、該第１，第２
のＭＯＳトランジスタのゲート間に第３のＭＯＳトラン
ジスタを接続し、前記第２のＭＯＳトランジスタのソー
ス・ゲート間に第４のＭＯＳトランジスタを接続し、前
記第１乃至第４のＭＯＳトランジスタを同じ導電型と
し、入力する制御信号の差動信号により前記第３，第４
のＭＯＳトランジスタを差動的に駆動し、前記第２のＭ
ＯＳトランジスタをスイッチングすることを特徴とする
定電流スイッチング回路とした。 【００１４】 【発明の実施の形態】図１は本発明の１つの実施形態の
定電流スイッチング回路を示す図であり、図４と同じも
のには同じ符号を付けた。Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４はＰ
ＭＯＳトランジスタである。そのうちのトランジスタＱ
１は基準電流Ｉrefの電流源４に直列接続され、トラン
ジスタＱ２は負荷６と直列接続され、これらトランジス
タＱ１，Ｑ２はトランジスタＱ３を介してカレントミラ
ー接続されている。すなわち、トランジスタＱ３はトラ
ンジスタＱ１，Ｑ２のゲート間を導通／遮断するよう接
続されている。また、トランジスタＱ４はトランジスタ
Ｑ２のゲート・ソース間に接続されている。そして、ト
ランジスタＱ３，Ｑ４のゲートは、制御部３の差動出力
に接続されている。 【００１５】次に、動作を説明する。電流源４の基準電
流Ｉrefは負荷６のドライブレベルに応じて任意の値に
設定されている。この基準電流Ｉrefは常にトランジス
タＱ１に流れており、トランジスタＱ１には基準電流Ｉ
refに対するゲート・ソース間電圧Ｖgsが発生してい
る。制御信号パルスが入力端子２に印加され、制御部３
を介してトランジスタＱ３，Ｑ４のゲートに差動のパル
スが伝送されると、そのトランジスタＱ３，Ｑ４の一方
がＯＮ、他方がＯＦＦとなる。ここで制御部３の出力電
圧は、トランジスタＱ３，Ｑ４が非飽和領域での動作と
なるような電圧に設定されている。 【００１６】トランジスタＱ３のゲートが「Ｌ」（低電
圧）、トランジスタＱ４のゲートが「Ｈ」（高電圧）に
なっているときは、トランジスタＱ３がＯＮ、トランジ
スタＱ４がＯＦＦし、この結果トランジスタＱ１，Ｑ２
で完全なカレントミラー回路が構成され、トランジスタ
Ｑ２のドレインに基準電流ＩrefのＮ倍（Ｎはカレント
ミラーの比率）に対応したドレイン電流が流れ、出力端
子５より負荷に供給される。 【００１７】逆に、トランジスタＱ３のゲートが
「Ｈ」、トランジスタＱ４のゲートが「Ｌ」のときは、
トランジスタＱ３がＯＦＦ、トランジスタＱ４がＯＮ
し、トランジスタＱ２はそのゲートが電源電位
（「Ｈ」）となりＯＦＦする。 【００１８】本実施形態ではこのような構造・動作にな
っているから、トランジスタＱ３のゲートに印加する制
御信号が「Ｈ」→「Ｌ」に遷移する過渡期に、トランジ
スタＱ３のゲート・ドレイン間容量により、トランジス
タＱ２のゲートを充電する働きをする。また、トランジ
スタＱ４は前記制御信号が「Ｌ」→「Ｈ」に遷移する過
渡期に、トランジスタＱ２のゲート電位を強制的に電源
電位としゲートの電荷を放電する。これらにより、トラ
ンジスタＱ２のゲート容量への充放電時間を短縮され
る。図２はこの回路のＩref−Ｉoutの特性図であり、小
さな誤差となっている。また図３はこの回路のスイッチ
ング波形であり、立ち上がり時間Ｔｒ、立ち下がり時間
Ｔｆが高速化されている。 【００１９】なお、上記説明では、ＰＭＯＳトランジス
タで定電流スイッチング回路を構成する場合について説
明したが、本発明はＮＭＯＳトランジスタで同様に定電
流スイッチング回路を構成した場合においても、誤差の
低減および高速化を実現できることは言うまでもない。 【００２０】 【発明の効果】本発明ではＭＯＳトランジスタを使用す
るので、バイポーラトランジスタのベース電流によるよ
うな誤差がなくなり直性性が良好となり、また出力トラ
ンジスタのゲートの充放電時間が短縮されるので、スイ
ッチングの立ち上がり時間、立ち下がり時間が高速化さ
れた出力電流を得ることができるという利点がある。
やＬＤ（レーザダイオード）等の負荷を定電流で駆動す
る定電流スイッチング回路に関し、特に直線性および高
速性が良好なスイッチング動作を行う技術に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】図４に、従来の定電流スイッチング回路
を示す。図４において、１は制御信号パルスを発生する
制御信号源、２はその制御信号源１から制御信号パルス
が入力する入力端子、３はその制御信号パルスの差動信
号を出力する制御部、４は基準電流Ｉrefが設定される
定電流源、５は出力端子、６は出力端子５に接続される
ＬＥＤ、ＬＤ等の負荷である。 【０００３】制御信号パルスが入力端子２より制御部３
に入力されると、その制御部３の差動出力はＮＰＮトラ
ンジスタＱ５，Ｑ６及び定電流源４で構成される差動増
幅器に入力される。そして、トランジスタＱ６のコレク
タ電流は、ＰＮＰトランジスタＱ７、Ｑ８で構成される
カレントミラー回路により、出力端子５から負荷６へ定
電流を供給する。 【０００４】ここで、定電流源４は負荷に応じた任意の
基準電流Ｉrefに設定され、制御部３に入力した制御信
号パルスは、トランジスタＱ５，Ｑ６が交互に完全にＯ
Ｎ／ＯＦＦするような電圧に変換される。この動作によ
り、スイッチングされた電流ＩrefがトランジスタＱ６
のコレクタに流れ、これがトランジスタＱ７，Ｑ８で構
成されるカレントミラー回路によりトランジスタＱ８側
に転移され、出力端子５から出力電流Ｉoutとして負荷
６ヘ供給される。カレントミラー回路の比率をＮとすれ
ば、理想的にはＩout＝Ｎ・Ｉrefとなる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
回路構成では、トランジスタＱ６、Ｑ７、Ｑ８のベース
電流により出力電流Ｉoutに誤差が発生し、この結果、
基準電流Ｉrefに対する出力電流Ｉoutの直線性が低下す
るという問題があった。 【０００６】ここで、ＮＰＮトランジスタの電流増幅率
をβｎ、ＰＮＰトランジスタの電流増幅率をβｐとすれ
ば、出力電流値Ｉoutは、 Ｉout＝Ｎ・｛（βｎ／（１＋βｎ）｝｛βｐ／（１＋
Ｎ＋βｐ）｝・Ｉref で表すことができる。 【０００７】この式から分かるように、出力電流Ｉout
は電流増幅率βｎ，βｐの誤差を含むことになる。ま
た、通常、電流増幅率βｎ，βｐは電流の増加と共に低
下するため、大電流領域においてこの誤差は顕著とな
り、基準電流Ｉrefに対する直線性が損なわれることに
なる。 【０００８】図５に上記回路によるＩref−Ｉoutの特性
を示す。実線で示す実際の特性は波線で示す理想特性に
対して基準電流Ｉrefが大きくなるほど大きな誤差が生
じている。また図６にスイッチング動作の波形を示す。
上記回路ではスイッチングの立ち上がり時間Ｔｒ、立ち
下がりＴｆは短く、共に良好である。このように、図４
に示す従来回路では、スイッチング時間は良好である
が、電流増幅率βｎ，βｐの誤差により直線性が低下す
るという問題があった。 【０００９】図７に別の従来の回路図を示す。この回路
は、電流増幅率βｎ，βｐによる誤差を低減するため
に、バイポーラトランジスタに代えて、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ
７、Ｑ８としてＰＭＯＳトランジスタを使用したもので
ある。図８はこの図７に示す回路によるＩref−Ｉoutの
特性を示す図であり、前記した図５の特性と比較して誤
差が低減されている。 【００１０】しかしながら、図７の回路においては、ト
ランジスタＱ７，Ｑ８をＯＮさせるにはゲート容量を充
電する必要がある。スイッチング動作を考えると、トラ
ンジスタＱ６がＯＦＦ→ＯＮに遷移したとき、トランジ
スタＱ７，Ｑ８のゲートは基準電流Ｉrefにより充電が
開始され、この基準電流Ｉrefとゲート容量により決定
される充電時間が経過するまで、出力電流は設定した値
まで達しない。また、トランジスタＱ６がＯＮ→ＯＦＦ
に遷移したときトランジスタＱ７，Ｑ８のゲートはトラ
ンジスタＱ７のドレインより自然放電されるが、これら
の充放電の時間はトランジスタＱ７，Ｑ８のサイズによ
り決まり、図４に示す回路と同等な電流能力を得ようと
すると、充放電時間が大きくなる。 【００１１】この結果、入力する制御信号パルスにトラ
ンジスタＱ７，Ｑ８が追従できなくなり、スイッチング
の立ち上がり時間Ｔｒ、立ち下がり時間Ｔｆが遅くなる
という問題がある。図９にこのスイッチング動作の波形
を示した。図４に示す回路の動作波形である図５の波形
と比較して、その時間Ｔｒ、Ｔｆが長くなっている。 【００１２】本発明は以上のような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、直線性および高速性の両者が良好
なスイッチング特性を満足した定電流スイッチング回路
を提供することである。 【００１３】 【課題を解決するための手段】請求項１にかかる発明
は、定電流源が接続される基準側の第１のＭＯＳトラン
ジスタと負荷が接続される出力側の第２のＭＯＳトラン
ジスタからカレントミラー回路を構成し、該第１，第２
のＭＯＳトランジスタのゲート間に第３のＭＯＳトラン
ジスタを接続し、前記第２のＭＯＳトランジスタのソー
ス・ゲート間に第４のＭＯＳトランジスタを接続し、前
記第１乃至第４のＭＯＳトランジスタを同じ導電型と
し、入力する制御信号の差動信号により前記第３，第４
のＭＯＳトランジスタを差動的に駆動し、前記第２のＭ
ＯＳトランジスタをスイッチングすることを特徴とする
定電流スイッチング回路とした。 【００１４】 【発明の実施の形態】図１は本発明の１つの実施形態の
定電流スイッチング回路を示す図であり、図４と同じも
のには同じ符号を付けた。Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４はＰ
ＭＯＳトランジスタである。そのうちのトランジスタＱ
１は基準電流Ｉrefの電流源４に直列接続され、トラン
ジスタＱ２は負荷６と直列接続され、これらトランジス
タＱ１，Ｑ２はトランジスタＱ３を介してカレントミラ
ー接続されている。すなわち、トランジスタＱ３はトラ
ンジスタＱ１，Ｑ２のゲート間を導通／遮断するよう接
続されている。また、トランジスタＱ４はトランジスタ
Ｑ２のゲート・ソース間に接続されている。そして、ト
ランジスタＱ３，Ｑ４のゲートは、制御部３の差動出力
に接続されている。 【００１５】次に、動作を説明する。電流源４の基準電
流Ｉrefは負荷６のドライブレベルに応じて任意の値に
設定されている。この基準電流Ｉrefは常にトランジス
タＱ１に流れており、トランジスタＱ１には基準電流Ｉ
refに対するゲート・ソース間電圧Ｖgsが発生してい
る。制御信号パルスが入力端子２に印加され、制御部３
を介してトランジスタＱ３，Ｑ４のゲートに差動のパル
スが伝送されると、そのトランジスタＱ３，Ｑ４の一方
がＯＮ、他方がＯＦＦとなる。ここで制御部３の出力電
圧は、トランジスタＱ３，Ｑ４が非飽和領域での動作と
なるような電圧に設定されている。 【００１６】トランジスタＱ３のゲートが「Ｌ」（低電
圧）、トランジスタＱ４のゲートが「Ｈ」（高電圧）に
なっているときは、トランジスタＱ３がＯＮ、トランジ
スタＱ４がＯＦＦし、この結果トランジスタＱ１，Ｑ２
で完全なカレントミラー回路が構成され、トランジスタ
Ｑ２のドレインに基準電流ＩrefのＮ倍（Ｎはカレント
ミラーの比率）に対応したドレイン電流が流れ、出力端
子５より負荷に供給される。 【００１７】逆に、トランジスタＱ３のゲートが
「Ｈ」、トランジスタＱ４のゲートが「Ｌ」のときは、
トランジスタＱ３がＯＦＦ、トランジスタＱ４がＯＮ
し、トランジスタＱ２はそのゲートが電源電位
（「Ｈ」）となりＯＦＦする。 【００１８】本実施形態ではこのような構造・動作にな
っているから、トランジスタＱ３のゲートに印加する制
御信号が「Ｈ」→「Ｌ」に遷移する過渡期に、トランジ
スタＱ３のゲート・ドレイン間容量により、トランジス
タＱ２のゲートを充電する働きをする。また、トランジ
スタＱ４は前記制御信号が「Ｌ」→「Ｈ」に遷移する過
渡期に、トランジスタＱ２のゲート電位を強制的に電源
電位としゲートの電荷を放電する。これらにより、トラ
ンジスタＱ２のゲート容量への充放電時間を短縮され
る。図２はこの回路のＩref−Ｉoutの特性図であり、小
さな誤差となっている。また図３はこの回路のスイッチ
ング波形であり、立ち上がり時間Ｔｒ、立ち下がり時間
Ｔｆが高速化されている。 【００１９】なお、上記説明では、ＰＭＯＳトランジス
タで定電流スイッチング回路を構成する場合について説
明したが、本発明はＮＭＯＳトランジスタで同様に定電
流スイッチング回路を構成した場合においても、誤差の
低減および高速化を実現できることは言うまでもない。 【００２０】 【発明の効果】本発明ではＭＯＳトランジスタを使用す
るので、バイポーラトランジスタのベース電流によるよ
うな誤差がなくなり直性性が良好となり、また出力トラ
ンジスタのゲートの充放電時間が短縮されるので、スイ
ッチングの立ち上がり時間、立ち下がり時間が高速化さ
れた出力電流を得ることができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の定電流スイッチング回路の一実施例
示す図である。 【図２】 本発明の一実施例における出力電流と基準電
流の関廃を示す特性例である。 【図３】 本発明の定電流スイッチング回路の動作例を
示す波形図である。 【図４】 従来の定電流スイッチング回路の一実施例を
示す図である。 【図５】 従来の一実施例における出力電流と基準電流
の関係を示す特性例である。 【図６】 従来の定電流スイッチング回路の動作例を示
す波形図である。 【図７】 従来の定電流スイッチング回路の他の一例を
示す図である。 【図８】 従来の他の一実施例における出力電流と基準
電流の関係を示す特性例である。 【図９】 従来の他の定電流スイッチング回路の動作例
を示す波形図である。 【符号の説明】 １：制御信号源、２：入力端子、３：制御部、４：定電
流源、５：出力端子、６：負荷
示す図である。 【図２】 本発明の一実施例における出力電流と基準電
流の関廃を示す特性例である。 【図３】 本発明の定電流スイッチング回路の動作例を
示す波形図である。 【図４】 従来の定電流スイッチング回路の一実施例を
示す図である。 【図５】 従来の一実施例における出力電流と基準電流
の関係を示す特性例である。 【図６】 従来の定電流スイッチング回路の動作例を示
す波形図である。 【図７】 従来の定電流スイッチング回路の他の一例を
示す図である。 【図８】 従来の他の一実施例における出力電流と基準
電流の関係を示す特性例である。 【図９】 従来の他の定電流スイッチング回路の動作例
を示す波形図である。 【符号の説明】 １：制御信号源、２：入力端子、３：制御部、４：定電
流源、５：出力端子、６：負荷
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Ｆターム(参考） 5H420 BB13 CC02 DD02 EA12 EA18
EA23 EA24 EA39 EA42 EB01
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GX01 GX06
5J091 AA01 AA43 CA21 CA65 FA20
HA10 HA17 KA05 KA09 MA21
TA02 TA06
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】定電流源が接続される基準側の第１のＭＯ
Ｓトランジスタと負荷が接続される出力側の第２のＭＯ
Ｓトランジスタからカレントミラー回路を構成し、該第
１，第２のＭＯＳトランジスタのゲート間に第３のＭＯ
Ｓトランジスタを接続し、前記第２のＭＯＳトランジス
タのソース・ゲート間に第４のＭＯＳトランジスタを接
続し、前記第１乃至第４のＭＯＳトランジスタを同じ導
電型とし、入力する制御信号の差動信号により前記第
３，第４のＭＯＳトランジスタを差動的に駆動し、前記
第２のＭＯＳトランジスタをスイッチングすることを特
徴とする定電流スイッチング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002146475A JP2003338744A (ja) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | 定電流スイッチング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002146475A JP2003338744A (ja) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | 定電流スイッチング回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338744A true JP2003338744A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=29705449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002146475A Pending JP2003338744A (ja) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | 定電流スイッチング回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003338744A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007226627A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | ボルテージレギュレータ |
| US7362142B2 (en) | 2003-12-11 | 2008-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Current source apparatus, light-emitting-device apparatus and digital-analog converting apparatus |
| JP2009199501A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Instruments Inc | ボルテージレギュレータ |
| DE102008014425A1 (de) * | 2008-03-13 | 2009-10-08 | Atmel Automotive Gmbh | Treiberschaltung, Verfahren zum Betrieb und Verwendung eines Stromspiegels einer Treiberschaltung |
| JP4824755B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2011-11-30 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 低リーク電流源および能動回路 |
| WO2014199818A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | 富士電機株式会社 | ゲート駆動回路 |
-
2002
- 2002-05-21 JP JP2002146475A patent/JP2003338744A/ja active Pending
Cited By (9)
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