WO2014170972A1 - 成膜方法 - Google Patents

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    • C23C18/145—Radiation by charged particles, e.g. electron beams or ion irradiation

Definitions

  • the present invention relates to a film forming method for forming a film on a substrate.
  • a thin film is formed on a substrate by the active species generated in the gas phase adsorbing, diffusing and chemically reacting on the substrate surface.
  • a mist CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like is employed as a method for forming a thin film on a substrate.
  • a mist CVD method a thin film is formed on the substrate by spraying the misted solution onto the substrate in the atmosphere.
  • Patent Document 1 exists.
  • an object of the present invention is to provide a film forming method capable of improving the film density.
  • a film forming method includes (A) a step of forming a film on the substrate by spraying a misted solution on the substrate, and (B And (C) a step of irradiating the substrate with plasma after the step (B).
  • step (A) a step of forming a film on the substrate by spraying a misted solution on the substrate, and (B) interrupting the step (A). And (C) a step of irradiating the substrate with plasma after the step (B).
  • a film having a predetermined film thickness with improved film density is formed on the substrate.
  • the irradiation of plasma promotes stabilization of active species, and the denseness (densification) of the film can be further improved.
  • the present invention can also be applied to a film forming method for forming a film on a substrate by performing a mist CVD method in the atmosphere.
  • a film forming method for forming a film on a substrate by performing a mist CVD method in the atmosphere.
  • FIG. 1C is a cross-sectional view for explaining the film forming method according to the present embodiment.
  • the film forming apparatus for carrying out the present invention has a mist spray nozzle 1 and a plasma irradiation nozzle 2.
  • a film forming method according to the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
  • the substrate 10 to be subjected to the film forming process is placed on the substrate mounting portion (not shown).
  • a heater is disposed in the substrate mounting portion, and the substrate 10 is heated to about 200 ° C. Then, the substrate 10 is positioned below the mist spray nozzle 1 as shown in FIG.
  • the mist spray nozzle 1 sprays a solution that has been misted using an ultrasonic vibrator or the like (the size of the droplets has been reduced to about several ⁇ m).
  • the solution contains a raw material material for a film formed on the substrate 10.
  • the mist solution is rectified and sprayed from the mist spray nozzle 1 onto the substrate 10 under atmospheric pressure (film formation process).
  • the substrate mounting portion is driven in the horizontal direction, and the substrate 10 is moved in the horizontal direction.
  • the mist solution is sprayed on the entire upper surface of the substrate 10. Therefore, the thin film 15 having a small thickness is formed on the entire upper surface of the substrate 10 by the spraying process of the mist solution.
  • the plasma irradiation nozzle 2 is arranged in the non-spray area, and the substrate 10 is positioned below the plasma irradiation nozzle 2 in the non-spray area.
  • Plasma is generated by applying a voltage to the plasma generating gas, and the plasma irradiation nozzle 2 can irradiate the generated plasma to the substrate 10 (the plasma irradiation nozzle 2 is a so-called plasma torch). is there).
  • the plasma irradiation nozzle 2 is used to irradiate the substrate 10 on which the thin film 15 is formed under atmospheric pressure (plasma irradiation treatment).
  • the substrate mounting portion is driven in the horizontal direction, and the substrate 10 is moved in the horizontal direction.
  • plasma irradiation can be performed on the entire upper surface of the substrate 10 (more specifically, the thin film 15) by performing plasma irradiation while moving the substrate 10 in the horizontal direction.
  • the substrate 10 is heated by the heater of the substrate mounting portion.
  • the plasma generation gas for example, a gas containing a rare gas can be used, or a gas containing an oxidizing agent (oxygen, nitrous oxide, etc.) can be used.
  • the oxidation action can be promoted during the plasma irradiation treatment period.
  • the plasma irradiation process is interrupted (plasma irradiation interruption process).
  • the substrate mounting portion is driven in the horizontal direction, and the substrate 10 is not affected by the above-described spray region (and the plasma irradiation nozzle 2 by the plasma irradiation nozzle 2).
  • the mist spray nozzle 1 is arranged in the spray region as in FIG. 1.
  • the substrate 10 is positioned below the mist spray nozzle 1 in the spray region.
  • the mist solution is sprayed in the state shown in FIG. 3 on the substrate 10 on which the thin film 15 has been formed and subjected to the plasma irradiation treatment (re-generation is performed again). It can be grasped as membrane treatment).
  • the substrate 10 is heated by the heater of the substrate mounting portion.
  • a series of steps consisting of (film formation process ⁇ film formation interruption process ⁇ plasma irradiation process ⁇ plasma irradiation interruption process) is taken as one cycle, and the series of steps is repeated at least two cycles or more. That is, an intermittent film formation process is performed on the substrate 10 and a plasma irradiation process is performed during a period when the film formation process is not performed.
  • the film 15 is formed (deposited) on the substrate 10 by intermittently performing the film forming process, and during each film forming process period, A non-film formation period is provided.
  • the thin film 15 thinly deposited on the surface of the substrate 10 can be stabilized during the non-film formation period. Further, during the non-film formation period, the solvent or the like contained in the solution is efficiently vaporized from above the substrate 10. Thereby, the denseness of the thin film 15 is further improved, and as a result, a film having a predetermined film thickness with an improved film density is formed on the substrate 10.
  • the non-film formation period may be a period in which only the substrate 10 is heated without performing plasma irradiation. That is, the film forming process is interrupted, the substrate 10 is left in the atmosphere for a predetermined period, and only the substrate 10 is heated. Also by this, it is possible to improve the density (densification) of the thin film 15.
  • the substrate 10 is irradiated with plasma during the non-film forming period. Thereby, stabilization of the active species is promoted, and the denseness (densification) of the thin film 15 can be further improved.
  • plasma irradiation is not performed during the film formation process period, and plasma irradiation is performed in the air only during the non-film formation period, as described above. It is better to do it. This is because when the plasma irradiation is performed in the atmosphere even during the film formation process period, the reaction in the gas phase becomes dominant rather than the reaction on the surface of the substrate 10 as the film formation target, resulting in film formation. This is because the problem of pulverizing without generating occurs. On the other hand, as described above, the above problem can be prevented from occurring by performing plasma irradiation in the atmosphere only during the non-film formation period.
  • the denseness of the thin film 15 improves as the film thickness of the thin film 15 formed in one film formation process period decreases.
  • FIG. 4 is experimental data showing the relationship between the film thickness and the refractive index of the thin film 15 formed by one film forming process.
  • 4 is the refractive index of the thin film 15 formed
  • the horizontal axis of FIG. 4 is the film thickness (nm / time) of the thin film 15 formed by one film formation process.
  • FIG. 4 also shows experimental data (square marks) when plasma irradiation is performed during the non-film formation period and experimental data (diamond marks) when plasma irradiation is not performed during the non-film formation period. is doing.
  • FIG. 5 is experimental data showing the relationship between the film thickness and resistivity of the thin film 15 formed in one film formation process.
  • 5 is the resistivity ( ⁇ ⁇ cm) of the thin film 15 formed
  • the horizontal axis of FIG. 5 is the film thickness (nm / time) of the thin film 15 formed by one film formation process. ).
  • “A” in FIG. 5 is experimental data when plasma irradiation is not performed during the non-film formation period.
  • “B” in FIG. 5 is experimental data when plasma irradiation is performed during the non-film formation period.
  • the substrate 10 was heated to 200 ° C. during a series of film forming processes (film forming process period and non-film forming period).
  • the thin film 15 to be formed was a zinc oxide film.
  • an increase in the refractive index of a zinc oxide film indicates that the density (densification) of the zinc oxide film is improved.
  • the refractive index increases as the film thickness of the thin film 15 formed by one film forming process is reduced both in the case of performing plasma irradiation and in the case of not performing plasma irradiation. is doing. That is, in both cases where plasma irradiation is performed and plasma irradiation is not performed, as the thickness of the zinc oxide film formed in one film formation process becomes thinner, the density of the zinc oxide film becomes higher (densification). Has been confirmed to improve.
  • the density (density increase) of the zinc oxide film is higher when the plasma irradiation is performed during the non-film formation period than when the plasma irradiation is not performed during the non-film formation period. It can also be confirmed that is improved.
  • the resistivity decreases as the film thickness of the thin film 15 formed by one film forming process is reduced both in the case of performing plasma irradiation and in the case of not performing plasma irradiation. Tend to decrease. As shown in FIG. 3, the tendency is that “the density (densification) of the zinc oxide film is improved as the thickness of the zinc oxide film formed by one film forming process is reduced. It is thought that “to do” is a factor.
  • the density (densification) of the zinc oxide film becomes remarkable when the thickness is at least 0.78 nm or less. It was also confirmed that the denseness (densification) of the zinc oxide film becomes remarkable when the plasma irradiation is performed at least 0.57 nm or less.
  • the thin film 15 is a zinc oxide film.
  • the thin film 15 is formed in one film formation process period. The thinner the film thickness is, the more dense the thin film 15 is. Therefore, the density of the thin film 15 is higher when the plasma irradiation is performed during the non-film formation period than when the plasma irradiation is not performed during the non-film formation period. The property (densification) is further improved.
  • the series of steps may be repeated as one cycle and the series of steps may be repeated at least two cycles. It becomes preferable.
  • the target film thickness of the film finally formed on the substrate 10 is determined, the number of cycles of a series of steps until the target film thickness is reached is increased, so that the film forming process period per time This is because the thickness of the thin film 15 to be formed can be reduced, and the denseness of the entire film finally formed on the substrate 10 can be further improved.
  • the denseness of the thin film 15 improves as the thickness of the thin film 15 formed in one film formation process period decreases. Therefore, the film formation conditions (heating temperature, supply amount of mist solution) during the film formation and the time of the film formation process so that the film thickness of the thin film 15 formed in one film formation process period is reduced. It is important to manage etc. If it is possible to measure the film thickness of the thin film 15 formed in one film formation process period, the film thickness is measured and the film formation process period is set when the desired film thickness is reached. It is desirable to interrupt.
  • the substrate 10 is moved from the spray region where the solution is sprayed to the non-spray region where the solution is not sprayed, thereby achieving the interruption of the film forming process.
  • the film forming process may be interrupted by stopping and starting the spraying of the solution from the mist spray nozzle 1 to the substrate 10 (turning on / off of the solution spray).
  • the substrate 10 is moved from the non-spray area to the spray area (area not affected by the plasma irradiation) to achieve the interruption of the plasma irradiation process.
  • the plasma irradiation process may be interrupted by turning on / off the plasma irradiation from the plasma irradiation nozzle 2.

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Abstract

　本発明は、成膜される膜密度の向上を図ることができる成膜方法を提供する。そこで、本発明に係る成膜方法では、基板（１０）に対してミスト化した溶液を噴霧することにより、基板に対して膜を成膜する。次に、成膜工程を中断する。次に、基板に対してプラズマを照射する。

Description

成膜方法
　本発明は、基板に対して膜を成膜する成膜方法に関するものである。
　気相中で発生した活性種が基板表面において、吸着、拡散および化学反応などをすることにより、基板に薄膜が形成されることが知られている。基板に対して薄膜を成膜する方法として、ミストＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などが採用されている。当該ミストＣＶＤ法では、大気中において、ミスト化された溶液を基板に対して噴霧することにより、当該基板上に薄膜を成膜する。なお、ミストＣＶＤ法について説明している文献として、例えば特許文献１が存在する。
特開２０１０－１９７７２３号公報
　ところで、前述した、吸着、拡散および化学反応などが不十分である場合には、膜中に空孔が発生し、膜中に不純物が混入し、結果として成膜される膜の緻密性が低下する。また、上記ミストＣＶＤ法においても同様に、膜密度の低下は大きな問題である。特にミストＣＶＤ法では、成膜処理で必要とされる反応エネルギーの大部分は、加熱状態の基板から得られる熱エネルギーに依存している。このため、ＣＶＤ法により、２００℃以下に基板を加熱させながら成膜処理を施すと、上述の膜密度の低下が顕著に起こる。
　そこで、本発明は、膜密度の向上を図ることができる成膜方法を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するために、本発明に係る成膜方法は、（Ａ）基板に対してミスト化した溶液を噴霧することにより、前記基板に対して膜を成膜する工程と、（Ｂ）前記工程（Ａ）を中断する工程と、（Ｃ）前記工程（Ｂ）後に、前記基板に対してプラズマを照射する工程と、を備えている。
　本発明に係る成膜方法は、（Ａ）基板に対してミスト化した溶液を噴霧することにより、前記基板に対して膜を成膜する工程と、（Ｂ）前記工程（Ａ）を中断する工程と、（Ｃ）前記工程（Ｂ）後に、前記基板に対してプラズマを照射する工程と、を備えている。
　したがって、結果として膜密度の向上した所定の膜厚の膜が基板上に形成される。また、プラズマを照射により、活性種の安定化が促進され、膜の緻密性（高密度化）をより向上させることが出来る。
　この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
実施の形態に係る成膜方法を説明するための断面図である。 実施の形態に係る成膜方法を説明するための断面図である。 実施の形態に係る成膜方法を説明するための断面図である。 実発明に係る成膜方法の効果を説明する図である。 実発明に係る成膜方法の効果を説明する図である。
　本発明は、大気中においてミストＣＶＤ法を実施することにより、基板に対して膜を成膜する成膜方法にも適用できる。以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
　＜実施の形態＞
　図１－３は、本実施の形態に係る成膜方法を説明するための断面図である。図１－３から分かるように、本発明を実施する成膜装置は、ミスト噴霧ノズル１とプラズマ照射ノズル２とを有している。以下、本実施の形態に係る成膜方法を、図面を用いて詳細に説明する。
　図１－３では図示を省略している基板載置部に、成膜処理施す基板１０を配置させる。ここで、当該基板載置部にはヒータが配設されており、基板１０は２００℃程度に加熱されている。そして、当該基板１０を、図１に示すように、ミスト噴霧ノズル１の下方に位置させる。
　ミスト噴霧ノズル１からは、超音波振動子等を利用してミスト化された（液滴の大きさが数μｍ程度に微細化された）溶液が噴霧される。ここで、当該溶液には、基板１０に成膜される膜の原材材料が含まれている。図１に示す状態において、ミスト噴霧ノズル１から、大気圧下において、基板１０に対して、ミスト化した溶液を整流して噴霧する（成膜処理）。
　なお、ミスト化された溶液の噴霧処理の際に、基板載置部を水平方向に駆動させ、基板１０を水平方向に移動させる。このように、基板１０を水平方向に移動させながら、噴霧処理を施すことにより、基板１０の上面全面に対してミスト化した溶液が噴霧される。よって、当該ミスト化溶液の噴霧処理により、基板１０の上面全面には、膜厚の薄い薄膜１５が成膜される。
　次に、溶液の噴霧処理を中断する（成膜中断処理）。
　たとえば、図２に示すように、基板載置部を水平方向に駆動させ、基板１０を、溶液を噴霧している噴霧領域から、溶液の噴霧が施されない非噴霧領域へと移動させることにより、基板１０に対する溶液の噴霧処理の中断を達成することができる。ここで、図２に示すように、非噴霧領域には、プラズマ照射ノズル２が配置されており、当該非噴霧領域において、基板１０をプラズマ照射ノズル２の下方に位置される。
　プラズマ生成ガスに対して電圧を印加することによりプラズマが生成されるが、プラズマ照射ノズル２は、生成したプラズマを基板１０に対して照射することができる（プラズマ照射ノズル２は、所謂プラズマトーチである）。図２に示す状態において、プラズマ照射ノズル２を用いて、大気圧下において、薄膜１５が成膜されている基板１０に対してプラズマを照射する（プラズマ照射処理）。
　なお、プラズマ照射処理の際に、基板載置部を水平方向に駆動させ、基板１０を水平方向に移動させる。このように、基板１０を水平方向に移動させながら、プラズマ照射を施すことにより、基板１０（より具体的には、薄膜１５）の上面全面に対してプラズマ照射を行うことができる。
　ここで、当該プラズマ照射処理においても、基板１０は、基板載置部のヒータにより加熱されている。なお、プラズマ生成ガスとして、たとえば、希ガスを含むガスを用いることができ、あるいは酸化剤（酸素、亜酸化窒素等）を含むガスなどを用いることもできる。
　ここで、薄膜１５として金属酸化膜等を成膜する場合には、プラズマ生成ガスとして酸化剤を採用することにより、プラズマ照射処理期間において、酸化作用の促進を図ることができる。
　一方、プラズマ生成ガスとして希ガスを採用することにより、プラズマ照射処理期間において、成膜処理により成膜された薄膜１５に対する、プラズマ処理に起因した汚染等を防止できる。
　次に、プラズマ照射処理を中断する（プラズマ照射中断処理）。
　たとえば、図３に示すように、基板載置部を水平方向に駆動させ、基板１０を、上述した非噴霧領域から上述した噴霧領域（かつ、プラズマ照射ノズル２による、プラズマ照射の影響を受けない領域）へと移動させることにより、基板１０に対するプラズマ照射処理の中断を達成することができる。ここで、図３に示すように、図１と同様に、噴霧領域にはミスト噴霧ノズル１が配置されている。図３に示すように、噴霧領域において、基板１０をミスト噴霧ノズル１の下方に位置される。
　その後、図１を用いて説明したように、薄膜１５が成膜され、プラズマ照射処理が施された基板１０に対して、図３に示す状態において、ミスト化した溶液を噴霧する（再度の成膜処理と把握できる）。ここで、当該再度の成膜処理においても、基板１０は、基板載置部のヒータにより加熱されている。
　このように、（成膜処理→成膜中断処理→プラズマ照射処理→プラズマ照射中断処理）から成る一連の工程を１周期として、当該一連の工程を少なくとも２周期以上繰り返し実施する。つまり、基板１０に対して間欠的な成膜処理を実施し、成膜処理が実施されていない期間にプラズマ照射処理を実施する。
　たとえば、上記一連の工程を３周期繰り返す場合とは、成膜処理→成膜中断処理→プラズマ照射処理→プラズマ照射中断処理→成膜処理→成膜中断処理→プラズマ照射処理→プラズマ照射中断処理→成膜処理→成膜中断処理→プラズマ照射処理→プラズマ照射中断処理、である。
　以上のように、本実施の形態に係る成膜方法では、成膜処理を間欠的に実施することにより基板１０上に膜１５を成膜（堆積）し、各成膜処理期間の間に、非成膜期間を設けている。
　したがって、上記非成膜期間において、基板１０表面上に薄く堆積した薄膜１５の安定化が図られる。また、非成膜期間において、溶液に含まれる溶媒等を効率良く基板１０上から気化等される。これにより、当該薄膜１５の緻密性をより向上し、結果として膜密度の向上した所定の膜厚の膜が基板１０上に形成される。
　ここで、上記の説明と異なり、非成膜期間は、プラズマ照射を行わず、基板１０に対する加熱のみを施す期間であっても良い。つまり、成膜処理を中断し、基板１０を大気中で所定の期間放置し、加熱のみを基板１０に施す。これによっても、薄膜１５の緻密性の向上（高密度化）は可能である。
　しかしながら、上記したように、本実施の形態に係る成膜方法では、上記非成膜期間において、基板１０に対して、プラズマを照射している。これにより、活性種の安定化が促進され、薄膜１５の緻密性（高密度化）をより向上させることが出来る。
　なお、成膜処理期間中においても大気中でプラズマ照射を行うよりも、上記で説明したように、成膜処理期間中はプラズマ照射を行わず、非成膜期間においてのみ大気中でプラズマ照射を行う方が望ましい。これは、成膜処理期間中においても大気中でプラズマ照射を行うと、成膜対象物である基板１０表面での反応よりも、気相中での反応が支配的になり、結果として膜化せずに粉化してしまうという問題が発生するからである。これに対して、上記のように、非成膜期間においてのみ大気中でプラズマ照射を行うことにより、上記問題は発生することを防止できる。
　ここで、１回当たりの成膜処理期間に成膜する薄膜１５の膜厚は薄い程、薄膜１５の緻密性は向上する。
　図４，５は、上記各効果を説明する実験データである。
　ここで、図４は、１回の成膜処理で形成される薄膜１５の膜厚と屈折率との関係を示す実験データである。なお、図４の縦軸が成膜された薄膜１５の屈折率であり、図４の横軸が１回の成膜処理で形成される薄膜１５の膜厚（ｎｍ／回）である。また、図４には、非成膜期間にプラズマ照射を行ったときの実験データ（四角印）と、非成膜期間にプラズマ照射を行わなかったときの実験データ（菱形印）とを、併記している。
　また、図５は、１回の成膜処理で形成される薄膜１５の膜厚と抵抗率との関係を示す実験データである。なお、図５の縦軸が成膜された薄膜１５の抵抗率（Ω・ｃｍ）であり、図５の横軸が１回の成膜処理で形成される薄膜１５の膜厚（ｎｍ／回）である。また、図５中の「Ａ」は、非成膜期間にプラズマ照射を行わなかったときの実験データである。また、図５中の「Ｂ」は、非成膜期間にプラズマ照射を行ったときの実験データである。
　ここで、図４，５の結果が得られた実験では、一連の成膜処理の間（成膜処理期間および非成膜期間）、基板１０は２００℃に加熱されており、基板１０に成膜される薄膜１５は酸化亜鉛膜であった。
　一般的に、酸化亜鉛膜の屈折率が増加することは、当該酸化亜鉛膜の緻密性（高密度化）が向上していることを示す。図４の実験データを示すように、プラズマ照射を行う場合およびプラズマ照射を行わない場合共に、１回の成膜処理で形成される薄膜１５の膜厚が薄くなるに連れて、屈折率が増加している。つまり、プラズマ照射を行う場合およびプラズマ照射を行わない場合共に、１回の成膜処理で形成される酸化亜鉛膜の膜厚が薄くなるに連れて、酸化亜鉛膜の緻密性（高密度化）が向上することが確認された。
　なお、図４の実験データから、非成膜期間にプラズマ照射を行った場合の方が、非成膜期間にプラズマ照射を行わなかった場合よりも、酸化亜鉛膜の緻密性（高密度化）がより向上することも確認できる。
　また、図５の実験データを示すように、プラズマ照射を行う場合およびプラズマ照射を行わない場合共に、１回の成膜処理で形成される薄膜１５の膜厚が薄くなるに連れて、抵抗率が減少する傾向にある。当該傾向は、図３で確認されたように、「１回の成膜処理で形成される酸化亜鉛膜の膜厚が薄くなるに連れて、酸化亜鉛膜の緻密性（高密度化）が向上する」ことが要因であると考えられる。
　なお、図５の「Ａ」実験データと図５の「Ｂ」実験データとの比較から、非成膜期間にプラズマ照射を行った場合の方が、非成膜期間にプラズマ照射を行わなかった場合よりも、酸化亜鉛膜の抵抗率が低下しているも確認できる。
　なお、図４，５から、非成膜期間にプラズマ照射を行わなかった場合には、少なくとも０．７８ｎｍ以下になると、酸化亜鉛膜の緻密性（高密度化）が顕著となり、非成膜期間にプラズマ照射を行った場合には、少なくとも０．５７ｎｍ以下になると、酸化亜鉛膜の緻密性（高密度化）が顕著となることも確認できた。
　なお、図４，５では、薄膜１５が酸化亜鉛膜の場合についての結果であるが、薄膜１５が他の膜の場合であっても、１回当たりの成膜処理期間に成膜する薄膜１５の膜厚は薄い程、薄膜１５の緻密性は向上し、非成膜期間にプラズマ照射を行った場合の方が、非成膜期間にプラズマ照射を行わなかった場合よりも、薄膜１５の緻密性（高密度化）がより向上する。
　したがって、１回当たりの成膜処理期間に成膜する薄膜１５の膜厚を薄くする観点からも、上記一連の工程を、１周期として、当該一連の工程を少なくとも２周期以上繰り返し実施することが好ましくなる。
　これは、最終的に基板１０に形成される膜の目標膜厚がきまっているなら、当該目標膜厚に到達するまでの一連の工程の周期数を増やすことにより、１回当たりの成膜処理期間に成膜される薄膜１５の膜厚は薄くできる、最終的に基板１０に作成される膜全体の緻密性がより向上できるからである。
　また、上記のように、１回当たりの成膜処理期間に成膜する薄膜１５の膜厚は薄い程、薄膜１５の緻密性は向上する。よって、１回当たりの成膜処理期間に成膜される薄膜１５の膜厚が薄くなるように、成膜時の成膜条件（加熱温度、ミスト溶液の供給量）および成膜処理期間の時間等を管理することが重要である。なお、１回当たりの成膜処理期間に成膜される薄膜１５の膜厚が測定することが可能なら、当該膜厚の測定を行い、所望の膜厚に達した時点で成膜処理期間を中断することが望ましい。
　また、上記説明では、基板１０を、溶液を噴霧している噴霧領域から、溶液の噴霧が施されない非噴霧領域へと移動させることにより、成膜処理の中断を達成していた。この代わりに、ミスト噴霧ノズル１からの、基板１０に対する溶液の噴霧を停止・開始（溶液の噴霧の入・切）を行うことにより、成膜処理の中断を実現しても良い。
　同様に、上記説明では、基板１０を、非噴霧領域から噴霧領域（プラズマ照射の影響を受けない領域）へと移動させることにより、プラズマ照射処理の中断を達成していた。この代わりに、プラズマ照射ノズル２からのプラズマ照射の入・切を行うことにより、プラズマ照射処理の中断を実現しても良い。
　この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
　１　ミスト噴霧ノズル
　２　プラズマ照射ノズル
　１０　基板
　１５　薄膜

Claims (6)

  1. 　（Ａ）基板（１０）に対してミスト化した溶液を噴霧することにより、前記基板に対して膜を成膜する工程と、
    　（Ｂ）前記工程（Ａ）を中断する工程と、
    　（Ｃ）前記工程（Ｂ）後に、前記基板に対してプラズマを照射する工程と、を備えている、
    ことを特徴とする成膜方法。
  2. 　（Ｄ）前記工程（Ｃ）を中断する工程を、さらに備えており、
    　前記工程（Ａ）から前記工程（Ｄ）までの一連の工程を、１周期として、当該一連の工程を少なくとも２周期以上繰り返し実施する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
  3. 　前記工程（Ｂ）は、
    　前記基板を、前記溶液を噴霧している噴霧領域から、前記溶液の噴霧が施されない非噴霧領域へと移動させる工程である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
  4. 　前記工程（Ｂ）は、
    　前記基板に対する前記溶液の噴霧を停止する工程である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
  5. 　前記工程（Ｃ）は、
    　プラズマ生成ガスとして希ガスを含むガスを用いて、前記プラズマ照射を行う工程である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
  6. 　前記工程（Ｃ）は、
    　プラズマ生成ガスとして酸化剤を含むガスを用いて、前記プラズマ照射を行う工程である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
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