CN105121699A - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105121699A
CN105121699A CN201380075709.1A CN201380075709A CN105121699A CN 105121699 A CN105121699 A CN 105121699A CN 201380075709 A CN201380075709 A CN 201380075709A CN 105121699 A CN105121699 A CN 105121699A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
substrate
plasma
film forming
atomized spray
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380075709.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105121699B (zh
Inventor
平松孝浩
织田容征
白幡孝洋
藤田静雄
川原村敏幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Kochi University of Technology
Kyoto University NUC
Original Assignee
Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Kochi University of Technology
Kyoto University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp, Kochi University of Technology, Kyoto University NUC filed Critical Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Publication of CN105121699A publication Critical patent/CN105121699A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105121699B publication Critical patent/CN105121699B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216—Metal oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/145—Radiation by charged particles, e.g. electron beams or ion irradiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够实现所形成的膜密度的提高的成膜方法。对此，在本发明的成膜方法中，通过向基板(10)雾状喷射雾化的溶液，从而在基板上形成膜。接下来，中断成膜工序。接下来，向基板照射等离子。

Description

成膜方法
技术领域
本发明涉及一种在基板上形成膜的成膜方法。
背景技术
已知通过使气相中产生的活性物质在基板表面上进行吸附、扩散以及化学反应等，从而在基板上形成薄膜的技术。作为在基板上形成薄膜的方法，采用喷雾化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)法等。在该喷雾化学气相沉积法中，在大气中，向基板雾状喷射雾化了的溶液，从而在该基板上形成薄膜。需要说明的是，作为说明喷雾化学气相沉积法的文献，例如有专利文献1。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-197723号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在前述的吸附、扩散以及化学反应等不充分的情况下，会在膜中产生空穴，而使杂质混入膜中，其结果是，所形成的膜的致密性降低。另外，在上述喷雾化学气相沉积法中也同样，膜密度的降低的问题严重。特别是，在喷雾化学气相沉积法中，成膜处理所需的大部分反应能量依赖于从加热状态的基板获取的热能。因此，通过CVD法，在将基板加热至200℃以下的同时实施成膜处理时，会显著发生上述的膜密度的降低。
因此，本发明的目的在于提供一种能够实现膜密度的提高的成膜方法。
用于解决课题的方案
为了实现上述的目的，本发明的成膜方法包括：(A)通过向基板雾状喷射雾化了的溶液，从而在所述基板上形成膜的工序；(B)中断所述工序(A)的工序；以及(C)在所述工序(B)后，向所述基板照射等离子的工序。
发明效果
本发明的成膜方法包括：(A)通过向基板雾状喷射雾化了的溶液，从而在所述基板上形成膜的工序；(B)中断所述工序(A)的工序；以及(C)在所述工序(B)后，向所述基板照射等离子的工序。
因此，结果是，在基板上形成膜密度提高了的规定膜厚的膜。另外，通过照射等离子，促进了活性物质的稳定化，从而能够进一步提高膜的致密性(高密度化)。
通过以下的详细说明与附图进一步明确本发明的目的、特征、状况以及优点。
附图说明
图1是用于说明实施方式的成膜方法的剖视图。
图2是用于说明实施方式的成膜方法的剖视图。
图3是用于说明实施方式的成膜方法的剖视图。
图4是说明本发明的成膜方法的效果的说明图。
图5是说明本发明的成膜方法的效果的说明图。
具体实施方式
本发明能够应用于通过在大气中实施喷雾化学气相沉积法从而在基板上形成膜的成膜方法。以下，根据表示本发明的实施方式的附图具体说明本发明。
<实施方式>
图1-3是用于说明本实施方式的成膜方法的剖视图。由图1-3可知，实施本发明的成膜装置具有喷雾喷嘴1与等离子照射喷嘴2。以下，利用附图详细说明本实施方式的成膜方法。
在图1-3中省略图示的基板载置部上配置实施成膜处理的基板10。这里，在该基板载置部上配设有加热器，基板10被加热至200℃左右。而且，如图1所示，使该基板10位于喷雾喷嘴1的下方。
从喷雾喷嘴1雾状喷出利用超声波振子等而被雾化(液滴的大小被微小化成几微米左右)的溶液。这里，在该溶液中含有在基板10上形成的膜的原材料。在图1所示的状态下，在大气压下，从喷雾喷嘴1将雾化了的溶液整流而向基板10雾状喷射(成膜处理)。
需要说明的是，在进行雾化了的溶液的雾状喷射处理时，沿水平方向驱动基板载置部，从而使基板10沿水平方向移动。像这样，一边使基板10沿水平方向移动一边实施雾状喷射处理，从而向基板10的上表面整个表面雾状喷射雾化了的溶液。由此，通过该雾化溶液的雾状喷射处理，在基板10的上表面整个表面上形成膜厚较薄的薄膜15。
接下来，中断溶液的雾状喷射处理(成膜中断处理)。
例如，如图2所示，通过沿水平方向驱动基板载置部，使基板10从雾状喷射溶液的雾状喷射区域向不实施溶液的雾状喷射的非雾状喷射区域移动，能够实现溶液向基板10的雾状喷射处理的中断。这里，如图2所示，在非雾状喷射区域配置有等离子照射喷嘴2，在该非雾状喷射区域内，使基板10位于等离子照射喷嘴2的下方。
通过对等离子生成气体施加电压而生成等离子，等离子照射喷嘴2能够向基板10照射所生成的等离子(等离子照射喷嘴2是所谓的等离子枪)。在图2所示的状态下，利用等离子照射喷嘴2，在大气压下，向形成有薄膜15的基板10照射等离子(等离子照射处理)。
需要说明的是，在进行等离子照射处理时，沿水平方向驱动基板载置部，从而使基板10沿水平方向移动。像这样，一边使基板10沿水平方向移动一边实施等离子照射，从而能够对基板10(具体而言，薄膜15)的上表面整个表面进行等离子照射。
这里，在该等离子照射处理中，也通过基板载置部的加热器来加热基板10。需要说明的是，作为等离子生成气体，例如，能够使用包含稀有气体的气体，或者也能够使用包含氧化剂(氧、一氧化二氮等)的气体等。
这里，在形成金属氧化膜等作为薄膜15的情况下，通过采用氧化剂作为等离子生成气体，从而在等离子照射处理期间内，能够实现氧化作用的促进。
另一方面，通过采用稀有气体作为等离子生成气体，能够防止在等离子照射处理期间内因等离子处理而引起的对通过成膜处理而形成的薄膜15的污染等。
接下来，中断等离子照射处理(等离子照射中断处理)。
例如，如图3所示，沿水平方向驱动基板载置部，使基板10从上述的非雾状喷射区域向上述的雾状喷射区域(并且，不受等离子照射喷嘴2的等离子照射的影响的区域)移动，从而能够实现对于基板10的等离子照射处理的中断。这里，如图3所示，与图1相同，在雾状喷射区域配置有喷雾喷嘴1。如图3所示，在雾状喷射区域内，使基板10位于喷雾喷嘴1的下方。
之后，如利用图1所说明那样，在图3所示的状态下，向形成有薄膜15且实施了等离子照射处理的基板10雾状喷射雾化的溶液(可以理解为再一次的成膜处理)。这里，在该再一次的成膜处理中，也通过基板载置部的加热器来加热基板10。
像这样，将由(成膜处理→成膜中断处理→等离子照射处理→等离子照射中断处理)构成的一系列的工序作为一个周期，而反复实施两个周期以上的该一系列的工序。换句话说，对基板10实施间歇的成膜处理，在不实施成膜处理的期间内实施等离子照射处理。
例如，反复实施三个周期的上述一系列的工序的情况是，成膜处理→成膜中断处理→等离子照射处理→等离子照射中断处理→成膜处理→成膜中断处理→等离子照射处理→等离子照射中断处理→成膜处理→成膜中断处理→等离子照射处理→等离子照射中断处理。
如上所述，在本实施方式的成膜方法中，通过间歇地实施成膜处理从而在基板10上形成(堆积)膜15，在各成膜处理期间之间设有非成膜期间。
因此，在上述非成膜期间内，实现了较薄地堆积在基板10表面上的薄膜15的稳定化。另外，在非成膜期间内，使溶液中所包含的溶剂等高效地从基板10上气化等。由此，进一步提高了该薄膜15的致密性，其结果是，在基板10上形成膜密度提高了的规定膜厚的膜。
这里，与上述的说明不同，非成膜期间也可以是不进行等离子照射而仅实施针对基板10的加热的期间。换句话说，中断成膜处理，将基板10在大气中放置规定的期间，即对基板10实施加热。由此，也能够提高薄膜15的致密性(高密度化)。
然而，如上述那样，在本实施方式的成膜方法中，在上述非成膜期间内，向基板10照射等离子。由此，促进了活性物质的稳定化，从而能够进一步提高薄膜15的致密性(高密度化)。
需要说明的是，与在成膜处理期间中也在大气中进行等离子照射的情况相比，优选如上述说明那样，在成膜处理期间中不进行等离子照射，而仅在非成膜期间在大气中进行等离子照射。这是由于，若在成膜处理期间中也在大气中进行等离子照射，则与作为成膜对象物的基板10表面上的反应相比，主要发生气相中的反应，其结果是，会产生未膜化而粉化的问题。相对于此，如上述那样，通过仅在非成膜期间在大气中进行等离子照射，能够防止上述问题产生。
这里，在每次成膜处理期间内形成的薄膜15的膜厚越薄，则薄膜15的致密性越提高。
图4、5是说明上述各效果的实验数据。
这里，图4是表示通过一次成膜处理形成的薄膜15的膜厚与折射率的关系的实验数据。需要说明的是，图4的纵轴是成膜后的薄膜15的折射率，图4的横轴是通过一次成膜处理形成的薄膜15的膜厚(nm/次)。另外，在图4中一并标注有，在非成膜期间内进行等离子照射时的实验数据(方形符号)、在非成膜期间内不进行等离子照射时的实验数据(菱形符号)。
另外，图5是表示通过一次成膜处理形成的薄膜15的膜厚与电阻率的关系的实验数据。需要说明的是，图5的纵轴是成膜后的薄膜15的电阻率(Ω·cm)，图5的横轴是通过一次成膜处理形成的薄膜15的膜厚(nm/次)。另外，图5中的“A”是在非成膜期间内不进行等离子照射时的实验数据。另外，图5中的“B”是在表示非成膜期间内进行了等离子照射时的实验数据。
这里，在得到了图4、5的结果的实验中，一系列的成膜处理期间(成膜处理期间以及非成膜期间)，基板10被加热至200℃，基板10上形成的薄膜15是氧化锌膜。
一般来讲，氧化锌膜的折射率增加表示该氧化锌膜的致密性(高密度化)提高。如图4的实验数据所示，在进行等离子照射的情况以及不进行等离子照射的情况下，折射率都随着通过一次成膜处理形成的薄膜15的膜厚变薄而增加。换句话说，可以确认，在进行等离子照射的情况以及不进行等离子照射的情况下，氧化锌膜的致密性(高密度化)都随着通过一次成膜处理形成的氧化锌膜的膜厚变薄而提高。
需要说明的是，由图4的实验数据也可以确认，与在非成膜期间内不进行等离子照射的情况相比，在非成膜期间内进行等离子照射的情况下的氧化锌膜的致密性(高密度化)进一步提高。
另外，如图5的实验数据所示，在进行等离子照射的情况以及不进行等离子照射的情况下，电阻率都具有随着通过一次成膜处理形成的薄膜15的膜厚变薄而减小的趋势。如图3中确认那样，认为，“氧化锌膜的致密性(高密度化)随着通过一次成膜处理形成的氧化锌膜的膜厚变薄而提高”是该趋势的主要原因。
需要说明的是，根据图5的“A”实验数据与图5的“B”实验数据的比较也可以确认，与在非成膜期间内不进行等离子照射的情况相比，在非成膜期间内进行等离子照射的情况下，氧化锌膜的电阻率降低。
需要说明的是，由图4、5也可以确认，在非成膜期间内不进行等离子照射的情况下，在至少达到0.78nm以下时，氧化锌膜的致密性(高密度化)变得明显，在非成膜期间内进行等离子照射的情况下，至少达到0.57nm以下时，氧化锌膜的致密性(高密度化)变得明显。
需要说明的是，图4、5中是薄膜15为氧化锌膜的情况的结果，然而在薄膜15是其他膜的情况下，每次成膜处理期间内形成的薄膜15的膜厚越薄，则薄膜15的致密性越提高，与非成膜期间内不进行等离子照射的情况相比，在非成膜期间内进行等离子照射的情况下，薄膜15的致密性(高密度化)进一步提高。
因此，从减薄每次成膜处理期间内形成的薄膜15的膜厚的角度出发，也优选将上述一系列的工序作为一个周期，而反复实施两个周期以上的该一系列的工序。
这是由于，若最终形成在基板10上的膜的目标膜厚确定，则通过增加到达该目标膜厚为止的一系列的工序的周期数，能够减薄每次成膜处理期间内形成的薄膜15的膜厚，从而能够进一步提高最终在基板10上制成的膜整体的致密性。
另外，如上述那样，每次成膜处理期间内形成的薄膜15的膜厚越薄，则薄膜15的致密性越提高。因此，管理成膜时的成膜条件(加热温度、雾状溶液的供给量)以及成膜处理期间的时间等以减薄每次成膜处理期间内形成的薄膜15的膜厚是很重要的。需要说明的是，若能够测定每次成膜处理期间内形成的薄膜15的膜厚，则优选进行该膜厚的测定，在达到了所期望的膜厚的时刻中断成膜处理期间。
另外，在上述说明中，通过使基板10从雾状喷射溶液的雾状喷射区域向不实施溶液的雾状喷射的非雾状喷射区域移动，从而实现了成膜处理的中断。取而代之，也可以通过停止、开始溶液从喷雾喷嘴1向基板10的雾状喷射(溶液的雾状喷射的接通、断开)，来实现成膜处理的中断。
相同地，在上述说明中，通过使基板10从非雾状喷射区域向雾状喷射区域(不受等离子照射的影响的区域)移动，从而实现了等离子照射处理的中断。取而代之，也可以通过进行自等离子照射喷嘴2的等离子照射的接通、断开，来实现等离子照射处理的中断。
对本发明进行了详细说明，然而上述的说明在所有方面仅为例示，本发明不限定于此。可以理解为，在不脱离本发明的范围的情况下能够想到未例示的无数变形例。
附图标记说明
1喷雾喷嘴
2等离子照射喷嘴
10基板
15薄膜

Claims (6)

1.一种成膜方法，其特征在于，包括：
(A)通过向基板(10)雾状喷射雾化的溶液，从而在所述基板上形成膜的工序；
(B)中断所述工序(A)的工序；以及
(C)在所述工序(B)后，向所述基板照射等离子的工序。
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
所述成膜方法还包括(D)中断所述工序(C)的工序，
将从所述工序(A)至所述工序(D)的一系列的工序作为一个周期，将该一系列的工序反复实施两个周期以上。
3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
所述工序(B)是使所述基板从雾状喷射所述溶液的雾状喷射区域向不实施所述溶液的雾状喷射的非雾状喷射区域移动的工序。
4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
所述工序(B)是停止所述溶液向所述基板的雾状喷射的工序。
5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
所述工序(C)是使用包含稀有气体的气体作为等离子生成气体而进行所述等离子的照射的工序。
6.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
所述工序(C)是使用包含氧化剂的气体作为等离子生成气体而进行所述等离子的照射的工序。
CN201380075709.1A 2013-04-17 2013-04-17 成膜方法 Active CN105121699B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2013/061401 WO2014170972A1 (ja) 2013-04-17 2013-04-17 成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105121699A true CN105121699A (zh) 2015-12-02
CN105121699B CN105121699B (zh) 2018-04-17

Family

ID=51730944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380075709.1A Active CN105121699B (zh) 2013-04-17 2013-04-17 成膜方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20160047037A1 (zh)
JP (1) JP6329533B2 (zh)
KR (1) KR20150130393A (zh)
CN (1) CN105121699B (zh)
DE (1) DE112013006955B4 (zh)
HK (1) HK1211994A1 (zh)
TW (1) TWI560311B (zh)
WO (1) WO2014170972A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111868297A (zh) * 2019-02-28 2020-10-30 东芝三菱电机产业系统株式会社 成膜装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2023047895A1 (zh) * 2021-09-22 2023-03-30

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004002907A (ja) * 2002-05-09 2004-01-08 Ulvac Japan Ltd 酸化ケイ素薄膜の形成方法
CN101263565A (zh) * 2005-09-13 2008-09-10 株式会社藤仓 成膜装置及成膜方法
WO2009028452A1 (ja) * 2007-08-27 2009-03-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 金属酸化物半導体の製造方法およびこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ
WO2010035312A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 東芝三菱電機産業システム株式会社 酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム亜鉛膜（ＺｎＭｇＯ）の成膜方法および酸化亜鉛膜または酸化マグネシウム亜鉛膜の成膜装置
JP2011110451A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Touki Co Ltd ミスト噴出用ノズル、それを備えた成膜装置および成膜方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5366770A (en) * 1990-04-17 1994-11-22 Xingwu Wang Aerosol-plasma deposition of films for electronic cells
US5131752A (en) * 1990-06-28 1992-07-21 Tamarack Scientific Co., Inc. Method for film thickness endpoint control
US5451260A (en) * 1994-04-15 1995-09-19 Cornell Research Foundation, Inc. Method and apparatus for CVD using liquid delivery system with an ultrasonic nozzle
JP4055149B2 (ja) * 2003-06-27 2008-03-05 ソニー株式会社 液体吐出装置及び液体吐出方法
WO2006129461A1 (ja) 2005-06-01 2006-12-07 Konica Minolta Holdings, Inc. 薄膜形成方法及び透明導電膜
US8354294B2 (en) * 2006-01-24 2013-01-15 De Rochemont L Pierre Liquid chemical deposition apparatus and process and products therefrom
JP5437583B2 (ja) * 2008-03-18 2014-03-12 リンテック株式会社 金属酸化物の製膜方法
WO2010083510A1 (en) 2009-01-16 2010-07-22 Veeco Instruments, Inc. Composition and method for low temperature deposition of ruthenium
US20110014305A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Food Industry Research And Development Institute Extracts of eleutherococcus spp., preparation method thereof and use of the same
JP2011111664A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp 機能膜形成方法および機能膜形成体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004002907A (ja) * 2002-05-09 2004-01-08 Ulvac Japan Ltd 酸化ケイ素薄膜の形成方法
CN101263565A (zh) * 2005-09-13 2008-09-10 株式会社藤仓 成膜装置及成膜方法
WO2009028452A1 (ja) * 2007-08-27 2009-03-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 金属酸化物半導体の製造方法およびこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ
WO2010035312A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 東芝三菱電機産業システム株式会社 酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム亜鉛膜（ＺｎＭｇＯ）の成膜方法および酸化亜鉛膜または酸化マグネシウム亜鉛膜の成膜装置
JP2011110451A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Touki Co Ltd ミスト噴出用ノズル、それを備えた成膜装置および成膜方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.G.LU: "ZnO-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition", 《JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111868297A (zh) * 2019-02-28 2020-10-30 东芝三菱电机产业系统株式会社 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE112013006955B4 (de) 2024-02-08
JP6329533B2 (ja) 2018-05-23
DE112013006955T5 (de) 2016-01-07
KR20150130393A (ko) 2015-11-23
JPWO2014170972A1 (ja) 2017-02-16
WO2014170972A1 (ja) 2014-10-23
CN105121699B (zh) 2018-04-17
US20160047037A1 (en) 2016-02-18
TWI560311B (en) 2016-12-01
TW201441411A (zh) 2014-11-01
HK1211994A1 (zh) 2016-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11183383B2 (en) Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing
TWI646212B (zh) 保形氮化鋁的高成長速度製程
TWI530582B (zh) 利用電漿噴塗之電池活性鋰材料的原位沉積
US20090252945A1 (en) Method and apparatus for the coating and for the surface treatment of substrates by means of a plasma beam
KR102540865B1 (ko) 패터닝된 금속 박막을 기판 상에 형성하는 방법과 시스템
TW201207148A (en) Improved silicon nitride films and methods
WO2002052627A1 (fr) Procede de formation de motif, dispositif a semi-conducteur, circuit electrique, module d&#39;element d&#39;affichage et element lumineux
TWI705479B (zh) 電子元件的製造方法及積層體
US12051589B2 (en) Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing
TWI579900B (zh) 電漿退火方法及其裝置
TWI453909B (zh) 清潔圖案化元件的方法與系統以及在基材上沉積一層系統的方法與塗覆系統
KR101895769B1 (ko) 반도체 제조용 챔버의 코팅막 및 그 제조 방법
CN102127757A (zh) Mocvd反应系统
CN105121699A (zh) 成膜方法
US20120112187A1 (en) Method for forming metal oxide film, metal oxide film and apparatus for forming metal oxide film
KR102495458B1 (ko) 기판 공정처리용 히터
JP2017022118A (ja) 積層体およびそれの製造方法
JP2013191275A (ja) 透明導電膜の形成方法及び透明電極の形成方法
JP5881475B2 (ja) 酸化マグネシウム薄膜の製造方法
CN107731711A (zh) 一种等离子减薄装置与方法
RU2316612C1 (ru) Способ получения пленочных покрытий посредством лазерной абляции
JP4991950B1 (ja) ミスト成膜装置
CN114868234A (zh) 实现无缝高质量填隙的方法
JP2012062527A (ja) 金属酸化物薄膜の製造方法およびその方法を用いる金属酸化物薄膜形成装置
JP2007077433A (ja) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1211994

Country of ref document: HK

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1211994

Country of ref document: HK