WO2014126293A1 - 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 - Google Patents

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 Download PDF

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  • bismuth oxide-tellurium oxide-zinc oxide-lithium oxide-based (Bi2O3-TeO2-ZnO-LiO2) -based glass frit as a glass frit in order to simultaneously secure the physical properties such as the electrical properties and adhesive strength of the solar cell electrode described above Glass frit was introduced.
  • the glass frit can be prepared from the metal oxides described above using conventional methods. For example, it mixes with the composition of the metal oxide described above. Mixing can be performed using a ball mill or planetary mill. The mixed composition is melted at 900 ° C-1300 ° C and quenched at 25 ° C. The obtained result can be pulverized by a disk mill, planetary mill or the like to obtain a glass frit.
  • the glass frit may have an average particle diameter (D50) of 0.1 ⁇ m to 10 ⁇ m, and may be included in an amount of 0.5 to 20 wt% based on the total weight of the composition.
  • D50 average particle diameter
  • the shape of the glass frit may be spherical or irregular.

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Abstract

본 발명은 도전성 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물로서, 상기 유리 프릿은 산화비스무스 5 내지 20 중량%; 산화텔루륨 55 내지 80 중량%; 산화아연 0.1 내지 15 중량%; 및 산화리튬 0.1 내지 10 중량%;를 포함하는 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계 유리 프릿이며, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극은 낮은 직렬 저항(Rs)과 높은 개방 전압(Voc)을 가짐에 따라 변환효율이 우수하고, 리본과의 접착 강도가 우수하다.

Description

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
본 발명은 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상?하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극용 페이스트 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.
최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 에미터(emitter)의 두께가 지속적으로 얇아짐에 따라, 태양전지의 성능을 저하시킬 수 있는 션팅(shunting) 현상을 유발시킬 수 있다. 또한, 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 태양전지의 면적을 점차 증가시키고 있는데, 이는 태양전지의 접촉저항을 높여 태양전지의 효율을 감소시킬 수 있다.
또한, 태양전지를 구성하는 셀(cell)들은 리본으로 서로 연결되는데, 전극과 리본의 접착력이 좋지 못한 경우에는 직렬 저항이 크고 변환효율이 저하될 우려가 있다.
본 발명자는 태양전지 변환효율 등의 전기적 특성과 접착 강도와 같은 물리적 특성을 동시에 만족시킬 수 태양전지를 제조하고자 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 목적은 우수한 변환효율 및 전극과 리본의 접착강도가 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다.
본 발명의 하나의 관점은 도전성 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하는 조성물이고, 상기 유리 프릿은 산화비스무스 5 내지 20 중량%; 산화텔루륨 55 내지 80 중량%; 산화아연 0.1 내지 15 중량%; 및 산화리튬 0.1 내지 10 중량%;를 포함하는 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계 유리 프릿인 태양전지 전극 형성용 조성물에 관한 것이다.
상기 유리 프릿은 산화텅스텐(WO3)을 0.1 내지 10 중량% 더 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 산화인(P2O5), 산화규소(SiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2), 산화스트론튬(SrO), 산화몰리브덴(MoO3), 산화티탄(TiO2), 산화주석(SnO), 산화인듐(In2O3), 산화바나듐(V2O5), 산화바륨(BaO), 산화니켈(NiO), 산화구리(Cu2O or CuO), 산화나트륨(Na2O), 산화칼륨(K2O), 산화안티몬(Sb2O3, Sb2O4 또는 Sb2O5), 산화게르마늄(GeO2), 산화갈륨(Ga2O3), 산화칼슘(CaO), 산화비소(As2O3), 산화코발트(CoO or Co2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화망간(MnO, Mn2O3 or Mn3O4), 산화납(PbO) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 더 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 산화텔루륨을 60 내지 80 중량%로 포함할 수 있다.
상기 조성물은 도전성 분말 60 내지 95 중량%; 상기 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 및 상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%; 를 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛ 일 수 있다.
상기 도전성 분말은 은(Ag)분말 일 수 있다.
상기 도전성 분말은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛ 일 수 있다.
상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 조성물로부터 제조된 태양전지 전극에 관한 것이다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극은 낮은 직렬 저항(Rs)과 높은 개방 전압(Voc)을 가지므로 변환효율이 우수하고, 리본과의 접착 강도가 우수하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
태양전지 전극 형성용 조성물
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말; 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물로서, 직렬 저항이(Rs)이 최소화되어 변환 효율이 우수하고, 태양전지 셀(cell)을 연결하는 리본과의 접착 강도가 우수하다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면, 다음과 같다.
(A) 도전성 분말
본 발명의 도전성 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 ITO(인듐틴옥사이드)로부터 선택되는 1종 이상의 금속분말을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 은(Ag) 분말 또는 은 분말을 포함하는 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 도전성 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있는데, 예를 들어 수십 내지 수백 nm 크기, 수 내지 수십 ㎛의 분말일 수 있으며, 2 이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 도전성 분말을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 도전성 분말은 입자 형상이 구형, 판상, 무정형 형상을 가질 수 있다
상기 도전성 분말의 평균입경(D50)은 바람직하게는 0.1㎛ 내지 10㎛이며, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 내지 5㎛이 될 수 있다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위 내에서, 접촉저항과 선 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다.
상기 도전성 분말은 조성물 전체 중량 대비 60 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저항의 증가로 변환 효율이 낮아지는 것을 막을 수 있다. 바람직하게는 70 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
(B) 유리 프릿
유리 프릿(glass frit)은 전극 페이스트의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 은 입자를 용융시켜 저항이 낮아질 수 있도록 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키고, 전도성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.
태양전지의 효율(Efficiency)을 증가시키기 위하여 태양전지의 면적을 증가시키면 태양전지의 접촉저항이 높아질 수 있으므로 pn 접합(pn junction)에 대한 피해를 최소화함과 동시에 직렬 저항(Rs)을 최소화하고 개방전압(Voc)을 최대화시키는 것이 유리하다. 또한, 다양한 면저항의 웨이퍼의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지므로 넓은 소성 온도에서도 열안정성을 충분히 확보될 수 있는 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하다.
더 나아가, 태양전지를 구성하는 셀(cell)들은 리본에 의하여 서로 연결되는데, 리본과 접착되는 태양전지 전극의 접착 강도(adhesion strength)가 충분하게 확보되지 않으면, 셀(cell)이 탈락되거나 신뢰성이 저하될 우려가 있다.
본 발명에서는 상기에서 기술한 태양전지 전극의 전기적 특성과 접착 강도와 같은 물리적 특성을 동시에 확보하고자 유리 프릿으로서 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계(Bi2O3-TeO2-ZnO-LiO2)계 유리 프릿을 도입하였다.
일 구체예로서, 상기 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계 유리 프릿은 산화비스무스 5 내지 20 중량%, 산화텔루륨 55 내지 80 중량%, 산화아연 0.1 내지 15 중량%, 및 산화리튬 0.1 내지 10 중량%를 포함할 수 있고, 바람직하게는 상기 산화텔루륨을 60 내지 80 중량%로 포함할 수 있으며, 상기 범위에서 우수한 접착 강도 및 변환효율(Efficiency)을 동시에 확보할 수 있다.
다른 구체예로서, 상기 유리 프릿은 산화텅스텐(WO3)을 0.1 내지 10 중량% 더 포함할 수 있다.
또 다른 구체예로서, 상기 유리 프릿은 산화인(P2O5), 산화규소(SiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2), 산화스트론튬(SrO), 산화몰리브덴(MoO3), 산화티탄(TiO2), 산화주석(SnO), 산화인듐(In2O3), 산화바나듐(V2O5), 산화바륨(BaO), 산화니켈(NiO), 산화구리(Cu2O or CuO), 산화나트륨(Na2O), 산화칼륨(K2O), 산화안티몬(Sb2O3, Sb2O4 또는 Sb2O5), 산화게르마늄(GeO2), 산화갈륨(Ga2O3), 산화칼슘(CaO), 산화비소(As2O3), 산화코발트(CoO or Co2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화망간(MnO, Mn2O3 or Mn3O4), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화붕소(B2O3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 더 포함할 수 있다. 이들은 전체 유리 프릿 중 0.1 내지 5 중량% 범위로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 유리 프릿은 산화납(PbO)을 포함할 수 있으나, 무연 유리 프릿인 것이 보다 우수한 접착 강도(adhesion strength)를 가질 수 있어 바람직하다.
상기 유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상기 기술된 금속 산화물로부터 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 기술된 금속 산화물의 조성으로 혼합한다. 혼합은 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill)을 사용하여 혼합할 수 있다. 혼합된 조성물을 900℃-1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 quenching한다. 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 유리 프릿을 얻을 수 있다.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛인 것이 사용될 수 있으며, 조성물 전체 중량을 기준으로 0.5 내지 20 중량% 포함될 수 있다. 상기 유리 프릿의 형상은 구형이거나 부정형상이어도 무방하다.
(C) 유기 비히클
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 페이스트 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.
상기 유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있는데, 통상 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.
상기 용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸센로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤 또는 에틸락테이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기 비히클의 배합량은 조성물 전체 중량에 대하여 1 내지 30 중량%일 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착 강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.
(D) 첨가제
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 조성물 전제 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 첨가되지만 필요에 따라 변경할 수 있다.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, p층(101) 및 에미터로서의 n층(102)을 포함하는 웨이퍼(100) 또는 기판 상에, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 태양전지 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200℃ 내지 400℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400℃ 내지 1000℃, 바람직하게는 850℃ 내지 1000℃에서 30초 내지 50초 정도 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
실시예
실시예 1
하기 표 1의 조성으로 금속 산화물을 혼합하여 900 내지 1400℃에서 용융 및 소결과정을 거쳐 평균입경(D50)이 2.5㎛인 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계 유리 프릿을 제조하였다.
유기 바인더로서 에틸셀룰로오스 (Dow chemical company, STD4) 0.8 중량%를 용매인 부틸 카비톨 (Butyl Carbitol) 8.5 중량%에 60℃에서 충분히 용해한 후 평균입경이 2.0㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-4-8) 87 중량%, 상기 제조된 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계 유리 프릿 3 중량%, 첨가제로서 분산제 BYK102(BYK-chemie) 0.2 중량% 및 요변제 Thixatrol ST (Elementis co.) 0.5 중량%를 투입하여 골고루 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.
상기 제조된 태양전지 전극 형성용 조성물을 결정계 모노 웨이퍼(Wafer) 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅 하여 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 이후 Wafer의 후면에 알루미늄을 포함하는 전극 형성용 조성물을 후면 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 980℃에서 40초 소성을 행하였으며, 이렇게 제조 완료된 Cell은 태양전지효율 측정장비 (Pasan社, CT-801)를 사용하여 변환효율(%), 직렬 저항 Rs(mΩ), 및 개방 전압(Voc)를 측정한 후, 전극에 플럭스(flux)를 바른 후 인두기(HAKKO社)로 300~400℃에서 리본과 접합시켰다. 이후 박리각 180°조건에서 장력기(Tinius olsen社)를 사용하여 50 mm/min의 신장속도로 접착 강도(N/mm)를 측정하였다. 측정한 변환효율, 직렬 저항, 개방 전압 및 접착 강도를 하기 표 1에 함께 나타내었다.
실시예 2 내지 20 및 비교예 1 내지 6
하기 표 1의 함량으로 유리 프릿을 제조한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조한 후 물성을 측정하여 하기 표 1에 함께 나타내었다.
표 1
유리프릿의 조성 (단위: 중량%) 효율(%) Voc(mV) Rs(mΩ) 접착강도(N/mm)
Bi2O3 TeO2 ZnO Li2O WO3
실시예 1 5.0 65.0 15.0 5.0 10.0 16.77 618.2 5.9 5.98
실시예 2 5.0 74.9 10.0 0.1 10.0 16.48 617.9 6.2 5.87
실시예 3 5.0 79.8 15.0 0.1 0.1 16.51 618.3 6.3 5.88
실시예 4 5.0 79.9 0.1 5.0 10.0 16.71 617.5 6.1 5.91
실시예 5 5.0 80.0 9.9 5.0 0.1 16.58 617.1 6.0 5.92
실시예 6 11.5 69.5 6.5 2.5 10.0 16.99 623.4 5.6 5.93
실시예 7 12.3 80.0 7.5 0.1 0.1 16.65 617.6 6.0 5.97
실시예 8 12.5 57.5 15.0 5.0 10.0 16.45 617.5 6.2 6.01
실시예 9 12.5 67.4 15.0 5.0 0.1 16.57 618.4 6.3 6.13
실시예 10 14.8 80.0 0.1 0.1 5.0 16.52 617.2 6.4 5.99
실시예 11 14.8 80.0 0.1 5.0 0.1 16.73 619.3 6.0 6.12
실시예 12 16.1 66.3 11.1 1.4 5.1 16.82 622.1 6.0 5.89
실시예 13 20.0 55 15.0 0.1 9.9 16.42 618.4 5.9 6.02
실시예 14 20.0 60 15.0 4.9 0.1 16.83 621.5 5.8 6.12
실시예 15 20.0 62.3 7.6 0.1 10.0 16.68 619.4 6.1 6.11
실시예 16 20.0 69.8 0.1 0.1 10.0 16.58 618.6 6.1 5.96
실시예 17 20.0 69.8 0.1 5.0 5.1 16.74 620.4 6.1 5.94
실시예 18 20.0 72.3 7.5 0.1 0.1 16.55 618.9 6.1 6.13
실시예 19 20.0 77.3 0.1 2.5 0.1 16.94 622.8 5.8 6.08
실시예 20 15.0 70.0 10.0 5.0 0.0 16.81 623.3 6.0 5.75
비교예 1 20.0 70.0 0.0 5.0 5.0 13.54 605.3 7.8 2.19
비교예 2 15.0 70.0 10.0 0.0 5.0 10.18 597.1 10.2 2.05
비교예 3 25.0 60.0 5.0 5.0 5.0 10.29 596.7 10.1 2.54
비교예 4 10.0 85.0 0.0 5.0 0.0 11.91 600.4 9.9 2.67
비교예 5 15.0 60.0 20.0 5.0 0.0 13.78 608.1 8.4 3.57
비교예 6 15.0 60.0 5.0 15.0 5.0 10.68 599.4 10.5 2.54
상기 표 1에서 보듯이, 실시예 1 내지 20의 유리 프릿을 사용한 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극은 본 발명의 유리 프릿 조성을 벗어나는유리 프릿을 사용한 비교예 1 내지 6에 비하여 직렬 저항(Rs)이 낮고, 개방 전압(Voc)이 높으며, 리본과의 접착 강도가 현저히 우수하여, 종국적으로 태양전지의 변환효율(Efficiency)이 우수한 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (10)

  1. 도전성 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하는 조성물이고,
    상기 유리 프릿은
    산화비스무스 5 내지 20 중량%;
    산화텔루륨 55 내지 80 중량%;
    산화아연 0.1 내지 15 중량%; 및
    산화리튬 0.1 내지 10 중량%;를 포함하는 산화비스무스-산화텔루륨-산화아연-산화리튬계 유리 프릿인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 산화텅스텐(WO3)을 0.1 내지 10 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 산화인(P2O5), 산화규소(SiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2), 산화스트론튬(SrO), 산화몰리브덴(MoO3), 산화티탄(TiO2), 산화주석(SnO), 산화인듐(In2O3), 산화바나듐(V2O5), 산화바륨(BaO), 산화니켈(NiO), 산화구리(Cu2O or CuO), 산화나트륨(Na2O), 산화칼륨(K2O), 산화안티몬(Sb2O3, Sb2O4 또는 Sb2O5), 산화게르마늄(GeO2), 산화갈륨(Ga2O3), 산화칼슘(CaO), 산화비소(As2O3), 산화코발트(CoO or Co2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화망간(MnO, Mn2O3 or Mn3O4), 산화납(PbO) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 더 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 산화텔루륨을 60 내지 80 중량%로 포함하는 것을 특징을 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말 60 내지 95 중량%; 상기 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 및 상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%; 를 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말은 은(Ag)분말인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104376894A (zh) * 2014-11-26 2015-02-25 江苏欧耐尔新型材料有限公司 太阳能电池导电正面银浆
US20160163892A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Giga Solar Materials Corp. Conductive paste containing lead-free glass frit
US20160163894A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Giga Solar Materials Corp. Conductive paste containing lead-free glass frit
US20160163893A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Giga Solar Materials Corp. Conductive paste containing lead-free glass frit
EP3032545A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-15 Giga Solar Materials Corp. A conductive paste containing lead-free glass frit
CN105679402A (zh) * 2014-12-08 2016-06-15 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
CN105679405A (zh) * 2014-12-08 2016-06-15 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
JP2016127276A (ja) * 2014-12-30 2016-07-11 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極
JP2016155743A (ja) * 2014-12-31 2016-09-01 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 電気伝導性ペースト組成物用のガラス組成物

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101631070B1 (ko) * 2014-05-30 2016-06-24 신세라믹 주식회사 유리프리트를 이용한 led 전등 디퓨저용 칼라 코팅 조성물 및 이를 이용한 칼라 코팅유리
KR101768276B1 (ko) * 2014-08-20 2017-08-16 삼성에스디아이 주식회사 태양전지
KR20160057583A (ko) * 2014-11-13 2016-05-24 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이로부터 제조된 전극
KR101716549B1 (ko) 2014-11-19 2017-03-15 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN104867537B (zh) * 2015-04-23 2017-03-01 江苏欧耐尔新型材料有限公司 低铅高方阻硅太阳能电池正面银电极浆料及其制备方法
GB201507148D0 (en) * 2015-04-27 2015-06-10 Johnson Matthey Plc Conductive paste, electrode and solar cell
TWI596073B (zh) * 2015-09-11 2017-08-21 Conductive paste for solar cell manufacturing
CN105118545B (zh) * 2015-09-15 2017-09-29 苏州晶银新材料股份有限公司 无铅太阳能电池正面电极银浆
KR101711390B1 (ko) * 2015-11-16 2017-03-13 대주전자재료 주식회사 알루미늄 페이스트 조성물, 이를 이용하여 형성된 태양전지용 후면전극 및 이를 채용한 태양전지
CN105800942B (zh) * 2016-03-16 2018-06-19 西南科技大学 一种硅太阳能电池正面电极银浆用碲酸盐玻璃粉的制备方法
KR20170108577A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 대주전자재료 주식회사 태양전지용 무연 도전 페이스트
CN105825912B (zh) * 2016-05-13 2017-09-12 浙江光达电子科技有限公司 一种硅太阳能电池正面电极无铅主栅浆料及其制备方法
JP6885188B2 (ja) * 2017-04-28 2021-06-09 住友金属鉱山株式会社 導電性組成物及び端子電極の製造方法
KR102018364B1 (ko) * 2017-06-05 2019-09-04 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6876537B2 (ja) * 2017-06-19 2021-05-26 日本山村硝子株式会社 ステンレス鋼製真空二重容器封着用無鉛ガラス組成物
US10109339B1 (en) * 2017-07-28 2018-10-23 Micron Technology, Inc. Memory devices with selective page-based refresh
JP6934352B2 (ja) * 2017-08-04 2021-09-15 日本山村硝子株式会社 封着材料
KR20190045758A (ko) * 2017-10-24 2019-05-03 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6877750B2 (ja) * 2017-12-06 2021-05-26 ナミックス株式会社 導電性ペースト
CN110603648B (zh) * 2018-03-30 2022-06-17 深圳市首骋新材料科技有限公司 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池
KR20190118036A (ko) * 2018-04-09 2019-10-17 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 핑거 전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 태양전지용 핑거 전극
CN110663087A (zh) * 2018-04-28 2020-01-07 深圳市首骋新材料科技有限公司 晶硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法和太阳能电池
KR20200015318A (ko) * 2018-08-03 2020-02-12 삼성에스디아이 주식회사 알루미늄 산화물층을 포함하는 태양 전지의 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 이로부터 제조된 전극을 포함하는 태양 전지
CN109961871B (zh) * 2018-08-15 2020-09-15 浙江光达电子科技有限公司 一种用于丝印烧结形成透明导体的浆料和应用
KR20200075682A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 삼성에스디아이 주식회사 Dsw 기반의 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 dsw 기반의 태양전지 전극
CN111732337B (zh) * 2020-08-07 2023-02-10 上海银浆科技有限公司 一种无铅玻璃组分以及含无铅玻璃组分的高焊接拉力的晶硅太阳能电池导电银浆
KR102753788B1 (ko) * 2020-10-30 2025-01-10 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극
JP7852624B2 (ja) * 2021-03-19 2026-04-28 株式会社ニコン ガラス
CN114649109B (zh) * 2022-04-24 2023-12-29 福建南新电缆有限公司 一种高导电率抗氧化电缆及其制作方法
WO2024057484A1 (ja) * 2022-09-15 2024-03-21 株式会社ニコン ガラス組成物、及び標準試料ガラス

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294677A (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corp 太陽電池電極用導電性ペースト
KR20100075661A (ko) * 2008-08-07 2010-07-02 교토 에렉스 가부시키가이샤 태양전지소자의 전극형성용 도전성 페이스트, 태양전지소자 및 그 태양전지소자의 제조방법
KR20100125273A (ko) * 2008-01-30 2010-11-30 바스프 에스이 유리 프릿
US20110095240A1 (en) * 2009-10-28 2011-04-28 Masami Nakamura Conductive paste for forming a solar cell electrode
KR20120045067A (ko) * 2009-09-04 2012-05-08 바스프 에스이 전극을 인쇄하기 위한 조성물
KR20130016344A (ko) * 2010-05-04 2013-02-14 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 납-텔루륨-붕소-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5162208B2 (ja) * 2007-11-13 2013-03-13 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 移動通信方法及び移動局
JP2009123333A (ja) 2009-02-05 2009-06-04 Sony Corp 移動操作機構並びに記録及び/又は再生装置
JP5559510B2 (ja) * 2009-10-28 2014-07-23 昭栄化学工業株式会社 太陽電池素子及びその製造方法
TWI576861B (zh) * 2010-02-12 2017-04-01 碩禾電子材料股份有限公司 導電鋁膠及其製造方法、太陽能電池及其模組
JP5673316B2 (ja) * 2011-04-11 2015-02-18 日立化成株式会社 電子部品、それに適用されるアルミニウム電極用導電性ペースト、及びアルミニウム電極用ガラス組成物
WO2014050703A1 (ja) 2012-09-26 2014-04-03 株式会社村田製作所 導電性ペースト及び太陽電池

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294677A (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corp 太陽電池電極用導電性ペースト
KR20100125273A (ko) * 2008-01-30 2010-11-30 바스프 에스이 유리 프릿
KR20100075661A (ko) * 2008-08-07 2010-07-02 교토 에렉스 가부시키가이샤 태양전지소자의 전극형성용 도전성 페이스트, 태양전지소자 및 그 태양전지소자의 제조방법
KR20120045067A (ko) * 2009-09-04 2012-05-08 바스프 에스이 전극을 인쇄하기 위한 조성물
US20110095240A1 (en) * 2009-10-28 2011-04-28 Masami Nakamura Conductive paste for forming a solar cell electrode
KR20130016344A (ko) * 2010-05-04 2013-02-14 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 납-텔루륨-붕소-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104376894A (zh) * 2014-11-26 2015-02-25 江苏欧耐尔新型材料有限公司 太阳能电池导电正面银浆
EP3032543A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-15 Giga Solar Materials Corp. A conductive paste containing lead-free glass frit
EP3032544A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-15 Giga Solar Materials Corp. A conductive paste containing lead-free glass frit
US20160163893A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Giga Solar Materials Corp. Conductive paste containing lead-free glass frit
EP3032545A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-15 Giga Solar Materials Corp. A conductive paste containing lead-free glass frit
EP3032546A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-15 Giga Solar Materials Corp. A conductive paste containing lead-free glass frit
CN105679404A (zh) * 2014-12-08 2016-06-15 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
US20160163894A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Giga Solar Materials Corp. Conductive paste containing lead-free glass frit
CN105679402A (zh) * 2014-12-08 2016-06-15 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
CN105679399A (zh) * 2014-12-08 2016-06-15 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
US20160163892A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Giga Solar Materials Corp. Conductive paste containing lead-free glass frit
CN105679405A (zh) * 2014-12-08 2016-06-15 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
CN105679403A (zh) * 2014-12-08 2016-06-15 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
CN105679402B (zh) * 2014-12-08 2018-01-12 硕禾电子材料股份有限公司 含无铅玻璃料的导电浆
EP3032547B1 (en) 2014-12-08 2017-06-28 Giga Solar Materials Corp. A conductive paste containing lead-free glass frit
JP2016127276A (ja) * 2014-12-30 2016-07-11 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極
JP2016155743A (ja) * 2014-12-31 2016-09-01 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 電気伝導性ペースト組成物用のガラス組成物

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