WO2014098351A1 - 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 - Google Patents

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 Download PDF

Info

Publication number
WO2014098351A1
WO2014098351A1 PCT/KR2013/008272 KR2013008272W WO2014098351A1 WO 2014098351 A1 WO2014098351 A1 WO 2014098351A1 KR 2013008272 W KR2013008272 W KR 2013008272W WO 2014098351 A1 WO2014098351 A1 WO 2014098351A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
composition
glass frit
solar cell
cell electrode
electrode
Prior art date
Application number
PCT/KR2013/008272
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
송대섭
김재호
박영기
양상현
최영욱
Original Assignee
제일모직 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직 주식회사 filed Critical 제일모직 주식회사
Priority to CN201380056107.1A priority Critical patent/CN104756197B/zh
Priority to US14/441,220 priority patent/US9748417B2/en
Publication of WO2014098351A1 publication Critical patent/WO2014098351A1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/80Constructional details
    • H10K10/82Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/12Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/122Silica-free oxide glass compositions containing oxides of As, Sb, Bi, Mo, W, V, Te as glass formers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/10Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
    • C03C8/12Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead containing titanium or zirconium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/20Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/22Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 은(Ag) 분말; PbO를 포함하는 제1 유리프릿과 V2O5와 TeO2를 포함하는 제2 유리프릿; 및 유기 비히클을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물에 관한 것으로, 상기 조성물은 PbO계 및 V2O5-TeO2계 2 종의 유리프릿을 도입하여 접촉저항과 실리콘 태양전지의 pn 접합(pn junction)에 의한 폐해를 최소화하였다.

Description

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
본 발명은 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극 형성용 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.
또한, 다양한 면저항의 웨이퍼의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지고 이에 따라 넓은 소성 온도에서도 열안정성을 확보할 수 있는 조성물에 대한 요구가 높아지고 있다.
본 발명자는 다양한 면저항 하에서 pn 접합에 대한 피해를 최소화함으로써 pn 접합 안정성을 확보할 수 있고 태양전지 효율을 높일 수 있는 태양전지 전극 형성용 조성물을 개발하기에 이르렀다.
본 발명의 목적은 접촉저항과 직렬저항을 최소화할 수 있는 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 변환효율이 우수한 태양전지 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 조성물로 제조된 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 일 관점인 태양전지 전극 형성용 조성물은 은(Ag) 분말; PbO를 포함하는 제1 유리프릿과 V2O5와 TeO2를 포함하는 제2 유리프릿; 및 유기 비히클을 포함한다.
상기 조성물은 은(Ag) 분말 60 중량% 내지 95 중량%; 제1 및 제2 유리프릿 0.1 중량% 내지 20 중량%; 및 상기 유기 비히클 1 중량% 내지 30 중량%를 포함할 수 있다.
상기 제2 유리프릿과 제1 유리프릿은 1 : 2 내지 1 : 3의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 제1 유리프릿은 산화납(PbO)을 50 중량% 내지 90 중량%로 포함할 수 있다.
상기 제2 유리프릿은 산화바나듐(V2O5)과 산화텔루륨(TeO2)을 1 : 2 내지 1 : 3 의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 제1 및 제2 유리프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛ 일 수 있다.
상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 태양전지 전극은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조될 수 있다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 PbO계 및 V2O5-TeO2계 2 종의 유리프릿을 도입하여 접촉저항과 실리콘 태양전지의 pn 접합(pn junction)에 의한 폐해를 최소화하였다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
태양전지 전극 형성용 조성물
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 은(Ag) 분말(A); PbO를 포함하는 제1 유리프릿과 V2O5와 TeO2를 포함하는 제2 유리프릿 을 포함하는 유리프릿(B); 및 유기 비히클(C)을 포함한다. 이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
(A) 은 분말
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말로서 은(Ag) 분말을 사용한다. 상기 은 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있는데, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 은 분말, 수 내지 수십 마이크로미터의 은 분말일 수 있으며, 2 이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 은 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.
은 분말은 입자 형상이 구형, 판상, 무정형 형상을 가질 수 있다.
은 분말의 평균입경(D50)은 바람직하게는 0.1㎛ 내지 3㎛이며, 더 바람직하게는 0.5㎛ 내지 2㎛이 될 수 있다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위 내에서, 접촉 저항과 선 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다.
은 분말은 조성물 전체 중량 대비 60 중량% 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저항의 증가로 변환 효율이 낮아지는 것을 막을 수 있고, 유기 비히클 양의 상대적인 감소로 페이스트화가 어려워지는 것을 막을 수 있다. 바람직하게는 70 중량% 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
(B) 유리프릿
유리프릿(glass frit)은 전극 형성용 조성물의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 은 입자를 용융시켜 저항이 낮아질 수 있도록 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키고, 전도성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.
태양전지의 효율을 증가시키기 위하여 태양전지의 면적을 증가시키면 태양전지의 접촉저항이 높아질 수 있으므로 pn 접합(pn junction)에 대한 피해를 최소화함과 동시에 직렬저항을 최소화시켜야 한다. 또한, 다양한 면저항의 웨이퍼의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지므로 넓은 소성 온도에서도 열안정성을 충분히 확보될 수 있는 유리프릿을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유리프릿은 PbO를 포함하는 제1 유리프릿과 V2O5와 TeO2를 포함하는 제2 유리프릿을 포함한다. 상기 제1 유리프릿인 PbO계 유리프릿은 금속산화물인 산화납(PbO)을 필수적으로 포함하며, 상기 PbO 이외에 산화규소, 산화비스무스, 산화아연, 산화붕소, 산화리튬, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 산화텅스텐 및 이들 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 금속산화물을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 유리프릿은 산화납(PbO)을 50 중량% 내지 90 중량%로 포함할 수 있으며, 상기 범위에서 유리제조가 용이하고, 이를 포함하는 조성물은 부착력이 우수할 수 있다.
상기 제2 유리프릿인 V2O5-TeO2계 유리프릿은 금속산화물인 산화바나듐(V2O5)과 산화텔루륨(TeO2)을 필수적으로 포함하며, 산화규소, 산화비스무스, 산화아연, 산화붕소, 산화리튬, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 산화텅스텐 및 이들 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 금속산화물을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 유리프릿에서 산화바나듐(V2O5)과 산화텔루륨(TeO2)은 1 : 2 내지 1 : 3의 중량비로 포함될 수 있으며, 상기 범위에서 유리제조가 용이하고, 이를 포함하는 조성물은 전극 형성 후 전극탈락 현상이 발생하지 않을 수 있다.
상기 제1 및 제2 유리프릿은 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 기술된 금속산화물을 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill)로 혼합하고, 혼합된 조성물을 900℃ 내지 1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 퀀칭(quenching)한다. 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등으로 분쇄하여 유리프릿을 얻을 수 있다.
상기 제1 및 제2 유리프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛인 것이 사용될 수 있으며, 유리프릿의 형상은 구형이어도 부정형상이어도 무방하다.
본 발명에서 상기 제1 및 제2 유리프릿은 조성물 전체 중량 대비 0.5 중량% 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제2 유리프릿과 제1 유리프릿은 1 : 1.2 내지 1 : 3의 중량비로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 : 2 내지 1 : 3으로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 우수한 부착력을 가지며, 전극탈락 현상을 방지할 수 있다.
(C) 유기 비히클
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.
상기 유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있고, 통상의 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.
상기 용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸센로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤 또는 에틸락테이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 1 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.
(D) 첨가제
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기에서 기술한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있지만 필요에 따라 함량을 변경할 수 있다.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 한 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, p층(또는 n층)(101) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(102)을 포함하는 웨이퍼(100) 또는 기판 상에, 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200℃ 내지 400℃ 온도로 대략 10초 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400℃ 내지 950℃, 바람직하게는 850℃ 내지 950℃에서 30초 내지 50초 정도 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.
상기 제조된 태양전지 전극은 직렬저항(Rs)이 0.01 mΩ 이하일 수 있으며, 변환 효율이 15% 이상일 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
하기 실시예 및 비교예에서 사용된 각 성분의 사양은 다음과 같다:
(A) 은 분말: AG-4-8 (Dowa Hightech CO. LTD)를 사용하였다.
(B) 유리프릿 : 하기 표 1의 조성을 갖는 유리프릿을 사용하였다.
(C) 유기 비히클 : 에틸셀룰로오스 (Dow chemical company, STD4)를 용매인 부틸 카비톨 (Butyl Carbitol)에 60℃에서 용해시켜 사용하였다.
(D) 첨가제 : 분산제 BYK102(BYK-chemie)와 요변제 Thixatrol ST (Elementis co.)를 사용하였다.
표 1
PbO V2O5 TeO2 ZnO Li2O3 MgO ZrO2 SiO2 WO3
제1유리프릿 (B1) 86.2 - - 4.1 2.3 1 1.4 5 -
제2유리프릿 (B21) - 20 60 - - - - - 20
(B22) - 30 50 - - - - - 20
(B23) - 30 60 - - - - - 10
제3유리프릿 (B3) 40 50 10 - - - - -
(단위: 중량%)
실시예 1-3 및 비교예 1-7
실시예 1
유기 바인더로서 에틸셀룰로오스 (Dow chemical company, STD4) 0.95 중량%를 용매인 부틸 카비톨 (Butyl Carbitol) 8.55 중량%에 60℃에서 충분히 용해한 후 평균입경이 2.0㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-4-8) 87 중량%, 상기 표 1의 조성을 갖는 제1 유리프릿(B1) 2 중량% 및 제2 유리프릿(B21) 1 중량%, 및 첨가제로서 분산제 BYK102(BYK-chemie) 0.2 중량% 및 요변제 Thixatrol ST (Elementis co.) 0.3 중량%를 투입하여 골고루 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 조성물을 준비하였다.
실시예 2
제1 유리프릿(B1) 2 중량% 및 제2 유리프릿(B22) 1 중량%를 사용하고 하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
실시예 3
제1 유리프릿(B1) 2 중량% 및 제2 유리프릿(B23) 1 중량%를 사용하고 하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
비교예 1
유리프릿으로 상기 표 1의 제1 유리프릿(B1)만을 사용하고 하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
비교예 2
유리프릿으로 상기 표 1의 제2 유리프릿(B21)만을 사용하고 하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
비교예 3
유리프릿으로 상기 표 1의 제2 유리프릿(B22)만을 사용하고 하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
비교예 4
유리프릿으로 상기 표 1의 제2 유리프릿(B23)만을 사용하고 하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
비교예 5
하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
비교예 6
유리프릿으로 상기 표 1의 제3 유리프릿(B3)만을 사용하고 하기 표 2의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
비교예 7
하기 표 1의 함량으로 각 성분을 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
물성 평가 방법
상기 실시예 및 비교예에서 준비된 조성물을 결정계 모노 웨이퍼(Wafer) 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅하여 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 600℃ 내지 900 ℃사이로 60초에서 210초간 소성을 행하였으며, 이렇게 제조 완료된 Cell은 태양전지효율 측정장비 (Pasan社, CT-801)를 사용하여 태양전지의 변환효율(%)과, 직렬저항(Rs)을 측정하였으며 접촉저항은 Correscan Potential을 이용하여 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.
표 2
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5 비교예 6 비교예 7
은(Ag) 분말 87 87 87 87 87 87 87 87 87 87
제1 유리프릿 (B1) 2 2 2 3 - - - 2.5 - 1.7
제2 유리프릿(B2) (B21) 1 - - - 3 - - 0.5 - 1.3
(B22) - 1 - - - 3 - - - -
(B23) - - 1 - - - 3 - - -
제3 유리프릿 (B3) - - - - - - - - 3 -
유기비히클 바인더 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95
용매 8.55 8.55 8.55 8.55 8.55 8.55 8.55 8.55 8.55 8.55
첨가제 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
Efficiency(%) 16.82 16.24 16.87 2.52 7.96 8.92 11.28 5.32 1.2 15.87
직렬저항(Rs)(mΩ) 0.0068 0.0059 0.0054 0.162 0.0588 0.00476 0.0263 0.113 0.65 0.0084
Correscan Potential 16.08 14.03 12.11 218.23 63.25 54.53 44.24 120.3 350.6 21.60
(단위: 중량%)
상기 표 2에서 보듯이, 실시예 1-3 은 1 종의 유리프릿만 사용한 비교예 1-4 및 6과 제1 유리프릿을 과량 사용한 비교예 5, 제2 유리프릿을 과량 사용한 비교예 7에 비하여 직렬저항 및 Correscan potential 값이 낮고 변환효율이 우수한 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (8)

  1. (A) 은(Ag) 분말;
    (B) PbO를 포함하는 제1 유리프릿(b-1)과 V2O5와 TeO2를 포함하는 제2 유리프릿(b-2) 를 포함하는 유리프릿; 및
    (C) 유기 비히클을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (A) 은(Ag) 분말 60 중량% 내지 95 중량%;
    상기 (B) 유리프릿 0.1 중량% 내지 20 중량%; 및
    상기 (C)유기 비히클 1 중량% 내지 30 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 유리프릿과 제1 유리프릿은 1 : 2 내지 1 : 3의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유리프릿은 산화납(PbO)을 50 중량% 내지 90 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 유리프릿은 산화바나듐(V2O5)과 산화텔루륨(TeO2)을 1 : 2 내지 1 : 3 의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유리프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극.
PCT/KR2013/008272 2012-12-21 2013-09-12 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 WO2014098351A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380056107.1A CN104756197B (zh) 2012-12-21 2013-09-12 用于形成太阳能电池电极的组成物及由其制备的电极
US14/441,220 US9748417B2 (en) 2012-12-21 2013-09-12 Composition for forming solar cell electrode and electrode produced from same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0151435 2012-12-21
KR1020120151435A KR101557536B1 (ko) 2012-12-21 2012-12-21 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014098351A1 true WO2014098351A1 (ko) 2014-06-26

Family

ID=50978632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/008272 WO2014098351A1 (ko) 2012-12-21 2013-09-12 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9748417B2 (ko)
KR (1) KR101557536B1 (ko)
CN (1) CN104756197B (ko)
TW (1) TWI523039B (ko)
WO (1) WO2014098351A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104485153A (zh) * 2014-11-27 2015-04-01 江苏泓源光电科技股份有限公司 一种具有良好触变性的正银浆料及其制备方法
WO2016050668A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Ferro Gmbh Tellurate joining glass having processing temperatures ≤ 420 °c
US10829407B2 (en) 2016-01-20 2020-11-10 Johnson Matthey Public Limited Company Conductive paste, method, electrode and solar cell

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102326611B1 (ko) * 2018-07-06 2021-11-16 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102406747B1 (ko) * 2018-12-21 2022-06-08 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. 태양전지 전극 형성 방법 및 태양전지
CN109903886A (zh) * 2019-01-17 2019-06-18 浙江光达电子科技有限公司 一种应用于无网结网版的正面细栅浆料
CN114180844B (zh) * 2021-12-29 2022-09-13 江苏日御光伏新材料科技有限公司 一种锂-碲硅二元玻璃氧化物复合体系及含有该复合体系的导电浆料

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110066431A (ko) * 2009-12-11 2011-06-17 제일모직주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
KR20110069593A (ko) * 2009-12-17 2011-06-23 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
KR20110105682A (ko) * 2010-03-19 2011-09-27 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
KR20120028789A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지
KR20120065037A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 제일모직주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 전극

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334558A (en) 1992-10-19 1994-08-02 Diemat, Inc. Low temperature glass with improved thermal stress properties and method of use
JP4642593B2 (ja) 2005-08-11 2011-03-02 東京応化工業株式会社 機能性パターン形成用感光性樹脂組成物および機能性パターン形成方法
US8076570B2 (en) * 2006-03-20 2011-12-13 Ferro Corporation Aluminum-boron solar cell contacts
CN102576751A (zh) * 2009-10-28 2012-07-11 日立化成工业株式会社 太阳能电池单元
EP3070062A1 (en) 2010-05-04 2016-09-21 E. I. du Pont de Nemours and Company Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
JP2014512073A (ja) * 2011-03-24 2014-05-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ペースト組成物およびそれで製造される半導体デバイス
US8952245B2 (en) * 2012-01-23 2015-02-10 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Conductive thick film paste for solar cell contacts
US9029692B2 (en) * 2012-04-17 2015-05-12 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Tellurium inorganic reaction systems for conductive thick film paste for solar cell contacts
KR20150000486A (ko) * 2012-04-18 2015-01-02 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 태양전지 접촉부의 인쇄 방법
US8652873B1 (en) * 2012-08-03 2014-02-18 E I Du Pont De Nemours And Company Thick-film paste containing lead-vanadium-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110066431A (ko) * 2009-12-11 2011-06-17 제일모직주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
KR20110069593A (ko) * 2009-12-17 2011-06-23 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
KR20110105682A (ko) * 2010-03-19 2011-09-27 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
KR20120028789A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지
KR20120065037A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 제일모직주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 전극

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016050668A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Ferro Gmbh Tellurate joining glass having processing temperatures ≤ 420 °c
CN107074624A (zh) * 2014-10-01 2017-08-18 费柔股份有限公司 加工温度小于等于420℃的碲酸盐接合玻璃
AU2015327117B2 (en) * 2014-10-01 2017-09-21 Ferro Gmbh Tellurate joining glass having processing temperatures less than or equal to 420 °C
CN104485153A (zh) * 2014-11-27 2015-04-01 江苏泓源光电科技股份有限公司 一种具有良好触变性的正银浆料及其制备方法
US10829407B2 (en) 2016-01-20 2020-11-10 Johnson Matthey Public Limited Company Conductive paste, method, electrode and solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
US20150303325A1 (en) 2015-10-22
KR101557536B1 (ko) 2015-10-06
TW201432720A (zh) 2014-08-16
TWI523039B (zh) 2016-02-21
US9748417B2 (en) 2017-08-29
KR20140091091A (ko) 2014-07-21
CN104756197A (zh) 2015-07-01
CN104756197B (zh) 2017-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015037933A1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2014098351A1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2014126293A1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2013085112A1 (ko) 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2015037798A1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2014157800A1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2014196712A1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2017175902A1 (ko) 태양전지용 후면전극 페이스트 조성물
WO2011078629A2 (en) Glass frit, paste composition, and solar cell
WO2011046365A2 (ko) 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
WO2017061764A1 (ko) 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
TW201823172A (zh) 用於製備太陽能電池電極的糊劑組合物、太陽能電池電極及太陽能電池
KR101648245B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2019088526A1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR20140092489A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2019088525A1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
JP6917981B2 (ja) 太陽電池電極調製用ペースト組成物、太陽電池の電極及び太陽電池
WO2015160066A1 (en) Conductive paste composition and semiconductor device comprising the same
WO2017160074A1 (ko) 태양전지용 무연 도전 페이스트
WO2013100254A1 (ko) 실리콘 태양전지의 전면전극 형성용 무기첨가제 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 태양전지
KR20140127947A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2017183881A1 (ko) 태양전지 후면전극용 페이스트 조성물
WO2019103278A1 (ko) 유리프릿, 이를 포함하는 perc 태양전지 전극 형성용 페이스트, 및 perc 태양전지 전극
WO2015160067A1 (en) Conductive paste composition and semiconductor device comprising the same
WO2015160065A1 (en) Conductive paste composition and semiconductor device comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13864559

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14441220

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13864559

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1