WO2019088525A1 - 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 - Google Patents

태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 Download PDF

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WO2019088525A1
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solar cell
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glass frit
conductive paste
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김인철
김화중
전태현
고민수
장문석
노화영
김충호
박강주
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엘에스니꼬동제련 주식회사
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Definitions

  • the present invention relates to a conductive paste used for forming an electrode of a solar cell and a solar cell manufactured using the conductive paste.
  • a solar cell is a semiconductor device that converts solar energy into electrical energy. It has a p-n junction type and its basic structure is the same as a diode.
  • FIG. 1 shows a structure of a general solar cell element.
  • the solar cell element is generally constituted by using a p-type silicon semiconductor substrate 10 having a thickness of 180 to 250 .mu.m.
  • an n-type impurity layer 20 having a thickness of 0.3 to 0.6 ⁇ ⁇ , an anti-reflection film 30 and a front electrode 100 are formed thereon.
  • a back electrode 50 is formed on the back side of the p-type silicon semiconductor substrate.
  • the front electrode 100 is formed by applying a conductive paste, which is a mixture of silver powder, silver oxide, glass frit, organic vehicle and additives, which are mainly composed of silver, onto the antireflection film 30
  • the back electrode 50 is formed by applying an aluminum paste composition composed of aluminum powder, glass frit, organic vehicle and additives to the substrate by screen printing or the like, drying the substrate, Or more. Aluminum is diffused into the p-type silicon semiconductor substrate at the time of firing, so that an Al-Si alloy layer is formed between the back electrode and the p-type silicon semiconductor substrate, and the p + layer 40 Is formed.
  • a rear silver electrode 60 may be further disposed under the rear aluminum electrode 50.
  • the unit solar cell including the solar cell electrode has a small electromotive force
  • a plurality of unit solar cells are connected to constitute a photovoltaic module having a proper electromotive force.
  • the solar cells are connected by lead-coated conductor ribbons of constant length.
  • a so-called leaching phenomenon in which Ag, which is a component of the electrode, is dissolved by Sn, which is a component included in the ribbon may occur.
  • desired electrical characteristics and adhesion can be achieved by controlling the content and ratio of Ag and glass frit of the conductive paste.
  • the number of patterns of the bus bar electrodes constituting the front electrode There is a problem that the adhesion between the ribbon and the front electrode is deteriorated.
  • An object of the present invention is to provide a conductive paste composition for a solar cell electrode capable of reducing the leaching phenomenon in which components of the electrode are dissolved in the electrode ribbon soldering process in order to enhance the electrical characteristics of the front electrode.
  • the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal powder, a glass frit, a metal oxide, an organic binder and a solvent, wherein the metal oxide comprises a first metal oxide comprising tungsten and a second metal Wherein the conductive paste contains at least one of an oxide and an oxide.
  • the metal oxide comprises the first metal oxide and the second metal oxide, wherein the first metal oxide is WO 3 and the second metal oxide is Sb 2 O 3 .
  • the weight ratio of the first metal oxide to the second metal oxide is 1: 1 to 5, and a conductive paste for a solar cell electrode is provided.
  • the content of the first metal oxide is 0.1 wt% to 0.3 wt%
  • the content of the second metal oxide is 0.1 wt% to 0.4 wt%, based on the total weight of the conductive paste.
  • a conductive paste for a battery electrode is provided.
  • the content of the first metal oxide is 0.1 wt% and the content of the second metal oxide is 0.4 wt% based on the total weight of the conductive paste.
  • the content of the glass frit is in the range of 2.5 wt% to 3.1 wt% based on the total weight of the conductive paste.
  • the present invention also provides a solar cell having a front electrode on a substrate and a back electrode on a bottom of the substrate, wherein the front electrode is formed by applying one of the above-mentioned conductive pastes for a solar cell electrode, And then firing the resultant solar cell.
  • WO 3 and Sb 2 O 3 are added to the conductive paste for a solar cell electrode to increase the adhesion between the ribbon and the front electrode, thereby reducing the leaching phenomenon occurring in the process of soldering the ribbon to the front electrode .
  • the leaching phenomenon can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a general solar cell element.
  • the paste according to an embodiment of the present invention is a paste suitable for forming a solar cell electrode, and provides a conductive paste for a solar cell electrode for reducing leaching that occurs when a ribbon is attached.
  • the conductive paste composition may include a metal powder, a glass frit, a metal oxide, an organic vehicle, and the like.
  • various additives may be included.
  • the metal powder may be a silver powder, a copper powder, a nickel powder, or an aluminum powder.
  • powder is mainly used, and in the case of the rear electrode, aluminum powder is mainly used.
  • the metal powder will be described as an example for convenience. The following description is equally applicable to other metal powders.
  • the content of the metal powder is 70 to 95 wt%, and more preferably 85 to 95 wt%, based on the total weight (wt) of the conductive paste composition, considering the electrode thickness formed at the time of printing and the line resistance of the electrode.
  • the silver powder is preferably a pure silver powder, and in addition, a silver-coated composite powder having at least a silver layer on its surface, or an alloy containing silver as a main component may be used. Further, other metal powders may be mixed and used. For example, aluminum, gold, palladium, copper, and nickel.
  • the average particle diameter of the silver powder may be 0.05 to 3 ⁇ ⁇ .
  • the average particle diameter of the silver powder is preferably 0.5 to 2.5 ⁇ ⁇ in consideration of ease of paste formation and denseness at firing, and may be at least one of spherical, acicular, have.
  • the silver powder may be a mixture of powders of two or more kinds having different average particle diameter, particle size distribution and shape.
  • the composition, particle diameter and shape of the glass frit are not particularly limited. It is possible to use not only flexible glass frit but also lead-free glass frit.
  • the content and content of the glass frit are 5 to 29 mol% of PbO, 20 to 34 mol% of TeO 2 , 3 to 20 mol% of Bi 2 O 3 , 20 mol% or less of SiO 2 , 10 mol% or less of B 2 O 3 , 10 to 20 mol% of an alkali metal (Li, Na, K, etc.) and an alkaline earth metal (Ca, Mg, etc.)
  • the average particle size of the glass frit is not limited, but it may have a particle size within the range of 0.05 to 4 ⁇ ⁇ , and a mixture of various particles having different average particle sizes may be used.
  • at least one kind of glass frit has an average particle diameter of 0.1 ⁇ ⁇ or more and 3 ⁇ ⁇ or less.
  • the transition temperature of the glass frit may be 200 ° C to 500 ° C, preferably 250 ° C to 450 ° C, and if the range is satisfied, the effect of the desired physical properties can be achieved more efficiently.
  • the content of the glass frit is preferably 0.1 to 15 wt%, more preferably 0.5 to 4 wt%, based on the total weight of the conductive paste composition.
  • the metal oxide may be at least one selected from the group consisting of tungsten (W), antimony (Sb), nickel (Ni), copper (Cu), magnesium (Mg), calcium (Ca), ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and bismuth And an oxide of at least one metal selected from the group consisting of oxides of metals.
  • the average particle diameter may be 0.01 to 5 ⁇ ⁇ , and in consideration of the effect, it is preferably 0.02 to 2 ⁇ ⁇ .
  • the metal oxide includes at least one of the oxides of the metal, it preferably contains an oxide of antimony (Sb).
  • an oxide of antimony is contained, the content of the metal oxide is preferably 0.1 wt% to 0.5 wt%, more preferably 0.2 wt% to 0.4 wt%, based on the total weight of the conductive paste.
  • the metal oxide is preferably selected from the group consisting of tungsten (W), antimony (Sb), nickel (Ni), copper (Cu), magnesium (Mg), calcium (Ca), ruthenium (Ru), molybdenum (Bi), and at least two of the first metal oxide and the second metal oxide.
  • the metal oxide includes at least two kinds of oxides of the metal, it is preferable that an oxide of tungsten (W) as the first metal oxide and an oxide of antimony (Sb) as the second metal oxide are necessarily contained good.
  • the weight ratio of the first metal oxide to the second metal oxide is preferably 1: 1 to 5.
  • the content of the first metal oxide is 0.1 wt% to 0.3 wt%, and the content of the second metal oxide is 0.1 wt% to 0.5 wt%, based on the total weight of the conductive paste, when the oxide includes tungsten oxide and antimony oxide %, More preferably the content of the first metal oxide is 0.1 wt% to 0.3 wt%, and the content of the second metal oxide is 0.2 wt% to 0.4 wt%.
  • the organic vehicle is not limited, but organic binders, solvents, and the like may be included. Solvents may sometimes be omitted.
  • the organic vehicle is not limited, but may be from 3 to 25 wt%, and preferably from 5 to 15 wt%, based on the total weight of the conductive paste composition.
  • the organic vehicle is required to have a property of keeping the metal powder and the glass frit uniformly mixed.
  • the conductive paste becomes homogeneous, And a property to suppress the flow and to improve the discharging property and the plate separability of the conductive paste from the screen plate.
  • the organic binder contained in the organic vehicle is not limited, but examples of the cellulose ester compound include cellulose acetate and cellulose acetate butyrate.
  • examples of the cellulose ether compound include ethylcellulose, methylcellulose, hydroxypropylcellulose, hydroxyethylcellulose
  • examples of the acrylic compound include polyacrylamide, polymethacrylate, polymethylmethacrylate, and polyethylmethacrylate, and the like.
  • examples of the acrylic compound include polyacrylamide, polymethacrylate, polymethylmethacrylate, and polyethylmethacrylate
  • examples of vinyl based ones include polyvinyl butyral, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, and the like. At least one or more organic binders may be selected and used.
  • Examples of the solvent used for diluting the composition include alpha-terpineol, texanol, dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, cyclohexane, hexane, toluene, benzyl alcohol, dioxane, diethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene Glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, and the like.
  • a dispersant As the additive, a dispersant, a thickener, a thixotropic agent and a leveling agent can be selected.
  • the dispersant include BYK-110, 111, 108 and 180, and BYK-410 as a thickener. 411. 420.
  • the retarding agent examples include BYK-203, 204, and 205, and leveling agents include but are not limited to BYK-308, 378, and 3440.
  • WO 3 , Sb 2 O 3 It is preferable to select at least one of NiO, CuO, MgO, CaO, RuO, MoO and Bi 2 O 3 so as to adjust the content ratio of the selected metal oxide so that leaching phenomenon .
  • the open-circuit voltage may decrease or the contact resistance may increase.
  • the glass frit was a Pb type having a Tg of 280 DEG C, and added to the paste composition in an amount of 2.5 wt%.
  • 0.5 wt% of DOW STD-10 was added to the resin, and 0.5 wt% of THIXATROL MAX of ELEMENTS Co., Ltd. was added as an additive.
  • 1.0 wt% ED-152 of KUSUMOTO was added as a dispersant.
  • the solvents were DBE (dimethyl adipate, dimethyl glutrate, dimethyl succinate, DIBASIC ester manufacturer, TCI) 1.5 wt% and 3.5 wt% butyryl carbitol acetate.
  • a 156 mm x 156 mm single crystal silicon wafer was used in the manufacture of a solar cell substrate.
  • Doped phosphorus (P) through a diffusion process using POCl 3 at 900 ° C in a tubular furnace to form a 100-500 nm thick emitter layer having a sheet resistance of 90 ⁇ / sq,
  • a silicon nitride film was formed on the emitter layer by PECVD to form an antireflection film having a thickness of 80 nm.
  • the front electrode was screen-printed on the top of the antireflection film.
  • the lower printed layer of the front electrode was screen printed using the 34 ⁇ ⁇ mask having a 15 ⁇ ⁇ emulsion film on the 360-16 mesh with the Baccini printing machine and the upper printing layer paste composition Were screen-printed in the same manner.
  • the back electrode was screen printed using the product of D Company. Thereafter, the substrate was dried at 300 ° C. for 30 seconds using a BTU drying furnace, and sintered at 900 ° C. for 60 seconds in a sintering furnace to produce a solar cell substrate. The drying process was carried out at 300 ° C for 30 seconds using BTU equipment and sintered at 900 ° C for 60 seconds using Despatch.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, except that the content of the same glass frit used was 2.7 wt%.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, except that the content of the same glass frit used was 2.9 wt%.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was conducted except that the same amount of the glass frit used was added in an amount of 3.1 wt%.
  • Example 2 Except that the same glass frit as used in Example 2 was added in an amount of 2.7 wt% and 0.1 wt% of WO 3 0.1 wt%).
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit was used and 0.2 wt% of WO 3 (0.1 mu m) was used in combination.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit was used and 0.3 wt% of WO 3 (0.1 mu m) was used in combination.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit was used and 0.1 wt% of WO 3 (0.2 mu m) was used in combination.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit was used, and 0.2 wt% of WO 3 (0.2 mu m) was mixed.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit used and 0.3 wt% of WO3 (0.2 mu m) were mixed together.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit was used and 0.4 wt% of WO 3 (0.2 mu m) was used in combination.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit was used and 0.5 wt% of WO 3 (0.2 mu m) was used in combination.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit used and 0.1 wt% of WO 3 (0.1 mu m) and 0.1 wt% of Sb 2 O 3 (0.2 mu m) Respectively.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit used was used, and 0.1 wt% of WO 3 (0.1 mu m) and 0.2 wt% of Sb 2 O 3 (0.2 mu m) Respectively.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit used was used, and 0.1 wt% of WO 3 (0.1 mu m) and 0.3 wt% of Sb 2 O 3 (0.2 mu m) Respectively.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit used and 0.1 wt% of WO 3 (0.1 mu m) and 0.4 wt% of Sb 2 O 3 (0.2 mu m) Respectively.
  • Example 2 In the same manner as in Example 2, except that 2.7 wt% of the same glass frit used and 0.1 wt% of WO 3 (0.1 mu m) and 0.5 wt% of Sb 2 O 3 (0.2 mu m) Respectively.
  • Example 2 the same operation was performed except that 2.7 wt% of glass frit was added and 0.1 wt% of NiO (0.1 mu m) was mixed.
  • Example 2 Except that 2.7 wt% of glass frit and 0.1 wt% of Bi 2 O 3 (0.1 ⁇ m) were mixed in Example 2.
  • Example 4 it can be seen that as the content of the glass frit increases, the adhesion increases, but in this case, the Voc decreases due to the junction damage.
  • Example 7 it can be confirmed that as the content of WO 3 increases, the adhesion increases. In this case, however, the FF tends to decrease due to the poor contact resistance.
  • Example 17 it can be seen that the adhesive force tends to decrease when Sb 2 O 3 occupies more than a certain amount.

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Abstract

본 발명은 금속 분말, 유리 프릿, 금속 산화물, 유기 바인더 및 용매를 포함하고, 상기 금속 산화물은 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 루테늄(Ru), 몰리브데넘(Mo) 및 비스무트(Bi)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상의 금속의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.

Description

태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
본 발명은 태양전지의 전극 형성에 사용되는 도전성 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 태양전지에 관한 것이다.
태양 전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 반도체 소자로서 일반적으로 p-n 접합 형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다. 도 1은 일반적인 태양전지 소자의 구조로서, 태양 전지 소자는 일반적으로 두께가 180~250㎛인 p형 실리콘 반도체 기판(10)을 이용하여 구성된다. 실리콘 반도체 기판의 수광면측에는, 두께가 0.3~0.6㎛인 n형 불순물층(20)과, 그 위에 반사 방지막(30)과 전면 전극(100)이 형성되어 있다. 또한, p형 실리콘 반도체 기판의 이면측에는 배면 전극(50)이 형성되어 있다. 전면 전극(100)은 은을 주성분으로 하는 도전성 입자(silver powder), 유리 프릿(glasss frit), 유기 비히클(organic vehicle) 및 첨가제 등을 혼합한 도전성 페이스트를 반사 방지막(30) 상에 도포한 후 소성하여 전극을 형성하고 있으며, 배면 전극(50)은 알루미늄 분말, 유리 프릿, 유기 비히클(organic vehicle) 및 첨가제로 이루어지는 알루미늄 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 건조한 후, 660℃(알루미늄의 융점) 이상의 온도에서 소성함으로써 형성되어 있다. 이 소성시에 알루미늄이 p형 실리콘 반도체 기판의 내부로 확산됨으로써, 배면 전극과 p형 실리콘 반도체 기판 사이에 Al-Si 합금층이 형성됨과 동시에, 알루미늄 원자의 확산에 의한 불순물층으로서 p+층(40)이 형성된다. 이러한 p+층의 존재에 의해 전자의 재결합을 방지하고, 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field) 효과가 얻어진다. 배면 알루미늄 전극(50) 하부에는 배면 실버 전극(60)이 더 위치될 수 있다.
상기와 같이 태양전지 전극을 포함하는 단위 태양전지 셀은 그 기전력이 작기 때문에 다수의 단위 태양전지 셀을 연결하여 적정 기전력을 갖는 태양전지모듈(Photovoltaic Module)을 구성하여 사용하게 되는데, 이 때 각 단위 태양전지 셀들은 납이 피복된 일정 길이의 도체 리본들에 의해 연결된다. 이때 리본이 포함하는 구성 성분인 Sn에 의해서 전극의 구성 성분인 Ag가 용해되는 이른바 침식(leaching) 현상이 발생될 수 있다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해서 도전성 페이스트의 Ag와 유리 프릿의 함량 및 비율 조절을 통해서 원하는 전기적 특성 및 부착력을 구현할 수 있지만, 이 경우 고효율 달성을 위해서 전면 전극을 구성하는 버스바 전극의 패턴의 개수가 많아지고 좁아지게 되면서 리본과 전면 전극 사이의 부착력이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 전면 전극의 전기적 특성을 강화하기 위해서, 전극 리본 솔더링 과정에서 전극의 구성 성분이 용해되는 침식(leaching) 현상을 줄일 수 있는 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 금속 분말, 유리 프릿, 금속 산화물, 유기 바인더 및 용매를 포함하고, 상기 금속 산화물은 텅스텐을 포함하는 제1 금속 산화물 및 안티몬을 포함하는 제2 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 금속 산화물은 상기 제1 금속 산화물 및 상기 제2 금속 산화물을 포함하되, 상기 제1 금속 산화물은 WO3이고, 상기 제2 금속 산화물은 Sb2O3인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 제1 금속 산화물 대 상기 제2 금속 산화물의 중량비는 1:1~5인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로, 상기 제1 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.3wt%이고, 상기 제2 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.4wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로, 상기 제1 금속 산화물의 함량은 0.1wt%이고 상기 제2 금속 산화물의 함량은 0.4wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로, 상기 유리 프릿의 함량은 2.5wt% 내지 3.1wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
본 발명은 또한, 기재 상부에 전면 전극을 구비하고, 기재 하부에 배면 전극을 구비한 태양전지에 있어서, 상기 전면 전극은, 앞서 언급한 어느 하나의 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 도포한 후 건조 및 소성시켜 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지를 제공한다.
본 발명에서는 태양전지 전극용 도전성 페이스트에 WO3와 Sb2O3를 첨가하여 리본과 전면 전극 간의 부착력을 상승시켜 리본을 전면 전극에 솔더링 하는 과정에서 발생하는 침식(leaching) 현상을 감소시킬 수 있다. 또한, 태양전지 전극용 도전성 페이스에 NiO, CuO, 및 Bi2O3를 첨가하는 경우에도 침식(leaching) 현상을 감소시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 태양전지 소자의 개략 단면도를 나타낸 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트는 태양전지 전극 형성에 사용되기 적합한 페이스트로서, 리본 부착시 발생하는 침식(leaching)을 줄이기 위한 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다. 더욱 구체적으로 도전성 페이스트 조성물은 금속분말, 유리 프릿, 금속 산화물, 유기 비히클 등을 포함할 수 있다. 이외에도 다양한 첨가제가 포함될 수 있다.
상기 금속분말로는 은 분말, 구리 분말, 니켈 분말, 알루미늄 분말 등이 사용될 수 있는데, 전면 전극용의 경우 은 분말이 주로 사용되며, 배면 전극용은 주로 알루미늄 분말이 사용된다. 이하에서는 편의상 은 분말을 예로 들어 금속분말에 대해 설명한다. 하기의 설명은 다른 금속분말에도 동일하게 적용될 수 있다.
금속분말의 함량은 인쇄 시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선저항을 고려할 때 도전성 페이스트 조성물 총 중량(wt)을 기준으로 70 내지 95wt%이고, 좀 더 바람직하게는 85 내지 95 wt%이다.
은 분말은 순은 분말이 바람직하며, 이외에, 적어도 표면이 은 층으로 이루어지는 은 피복 복합 분말이나, 은을 주성분으로 하는 합금 등을 사용할 수 있다. 또한, 다른 금속분말을 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들면 알루미늄, 금, 팔라듐, 동, 니켈 등을 들 수 있다.
은 분말의 평균입경은 0.05 내지 3㎛ 일 수 있으며, 페이스트화 용이성 및 소성 시 치밀도를 고려할 때 0.5 내지 2.5㎛가 바람직하며, 그 형상이 구상, 침상, 판상 그리고 무정상 중 적어도 1종 이상일 수 있다. 은 분말은 평균 입자지름이나 입도 분포, 형상 등이 다른 2종 이상의 분말을 혼합하여 이용해도 좋다.
상기 유리 프릿의 조성이나 입경, 형상에 있어서 특별히 제한을 두지 않는다. 유연 유리 프릿 뿐만 아니라 무연 유리 프릿도 사용 가능하다. 바람직하기로는 유리 프릿의 성분 및 함량으로서, 산화물 환산 기준으로 PbO는 5 ~ 29 mol%, TeO2는 20 ~ 34 mol%, Bi2O3는 3 ~ 20 mol%, SiO2 20 mol% 이하, B2O3 10 mol% 이하, 알칼리 금속(Li, Na, K 등) 및 알칼리 토금속(Ca, Mg 등)은 10 ~ 20 mol%를 함유하는 것이 좋다. 상기 각 성분의 유기적 함량 조합에 의해 전극 선폭 증가를 막고 고면 저항에서 접촉저항을 우수하게 할 수 있으며, 단락전류 특성을 우수하게 할 수 있다.
유리 프릿의 평균 입경은 제한되지 않으나 0.05 내지 4㎛ 범위 내의 입경을 가질 수 있으며, 평균 입경이 다른 다종이 입자를 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하기로는 적어도 1종의 유리 프릿은 평균 입경이 0.1㎛ 이상 3 ㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 좋다. 이를 통해 소성시 반응성이 우수해지고, 특히 고온에서 n층의 데미지를 최소화할 수 있으며 부착력이 개선되고 개방 전압(Voc)을 우수하게 할 수 있다. 또한, 소성시 전극의 선폭이 증가하는 것을 감소시킬 수 있다.
유리 프릿의 전이온도는 200℃ 내지 500℃일 수 있고, 바람직하게는 250℃ 내지 450℃일 수 있고, 해당 범위를 만족하는 경우에는 목적하는 물성의 효과를 더 효율적으로 달성할 수 있다.
유리 프릿의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 내지 15 wt%이고, 나아가 0.5 내지 4 wt%가 바람직하다.
상기 금속 산화물은 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 루테늄(Ru), 몰리브데넘(Mo) 및 비스무트(Bi)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상의 금속의 산화물을 포함한다. 평균입경은 0.01 내지 5㎛ 일 수 있으며, 효과를 고려할 때 0.02 내지 2㎛가 바람직하다.
상기 금속 산화물은 상기 금속의 산화물 중 1종 이상을 포함하는 경우, 바람직하게는 안티몬(Sb)의 산화물을 반드시 포함하는 것이 좋다. 안티몬의 산화물을 포함하는 경우, 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.5wt%인 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 0.2wt% 내지 0.4wt%를 포함하는 것이 좋다.
상기 금속 산화물은 바람직하게는 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 루테늄(Ru), 몰리브데넘(Mo) 및 비스무트(Bi)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 2종 이상의 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 포함하는 것이 좋다.
상기 금속 산화물은 상기 금속의 산화물 중 2종 이상을 포함하는 경우, 바람직하게는 제1 금속 산화물로서 텅스텐(W)의 산화물을, 상기 제2 금속 산화물로서 안티몬(Sb)의 산화물을 반드시 포함하는 것이 좋다. 이 때 제1 금속 산화물 대 제2 금속 산화물의 중량비는 1:1~5인 것이 좋다. 또한 텅스텐의 산화물 및 안티몬의 산화물을 포함하는 경우, 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로 제1 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.3wt%이고, 제2 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.5wt%인 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 제1 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.3wt%이고, 제2 금속 산화물의 함량은 0.2wt% 내지 0.4wt%를 포함하는 것이 좋다.
상기 유기 비히클로는 제한되지 않으나 유기 바인더와 용제 등이 포함될 수 있다. 때로는 용제가 생략될 수 있다. 유기 비히클은 제한되지 않으나 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 3 내지 25wt%일 수 있고, 바람직하게는 5 내지 15 wt%일 수 있다.
유기 비히클은 금속분말과 유리 프릿 등이 균일하게 혼합된 상태를 유지하는 특성이 요구되며, 예를 들면 스크린 인쇄에 의해 도전성 페이스트가 기재에 도포될 때에, 도전성 페이스트를 균질하게 하여, 인쇄 패턴의 흐려짐 및 흐름을 억제하고, 또한 스크린판으로부터의 도전성 페이스트의 토출성 및 판분리성을 향상시키는 특성이 요구된다.
유기 비히클에 포함되는 유기 바인더는 제한되지 않으나 셀룰로오스 에스테르계 화합물로 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 등을 예로 들 수 있으며, 셀룰로오스 에테르 화합물로는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스 등을 예로 들 수 있으며, 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴아미드, 폴리 메타 아크릴레이트, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트, 폴리 에틸 메타 아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며, 비닐계로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 아세테이트 그리고 폴리비닐 알코올 등을 예로 들 수 있다. 상기 유기 바인더들은 적어도 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.
조성물의 희석을 위해 사용되는 용제로서는 알파-터피네올, 텍사놀, 디옥틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 디옥산, 디에틸렌글리콜, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상 선택되어 사용되는 것이 좋다.
첨가제로서, 분산제, 증점제, 요변제, 레벨링제 등이 사용이 선택될수 있으며 상기 분산제로는 BYK-110, 111, 108, 180 등을 들 수 있으며, 증점제로는 BYK-410. 411. 420 등이 있으며, 요변제로는 BYK-203, 204, 205등을 들 수 있으며, 레벨링제로는 BYK-308, 378, 3440등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서는 앞서 언급한 유리 프릿의 함량을 조절함으로써, 전극의 리본 솔더링 시 발생되는 침식(leaching) 현상을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는 앞서 언급한 금속 산화물의 함량을 조절함으로써, 전극의 리본 솔더링 시 발생되는 침식(leaching) 현상을 감소시킬 수 있다.
좀 더 구체적으로 설명하면, 본 발명에서는 WO3, Sb2O3, NiO, CuO, MgO, CaO, RuO, MoO, Bi2O3 중 1종 또는 2종 이상을 선택하여, 선택된 금속 산화물의 함량비를 조절하여, 전극의 리본 솔더링 시 발생되는 침식(leaching) 현상을 감소시킬 수 있다.
다만 후술하는 바와 같이 상기 금속 산화물의 함량비를 과도하게 증가시키는 경우에는 개방 전압이 하락하거나, 컨택 저항이 증가할 수 있다.
이하 실시예를 통해 보다 상세히 설명한다.
실시예 1
전극의 하부 인쇄층용 페이스트 조성물은 다음과 같다. 은 분말은 LS-Nikko 동제련社 (D50)=2.0㎛, Tap Density= 4.8g/㎤ 인 입자를 사용하였으며 페이스트 조성물 전체 대비 89.5wt%를 첨가하였다. 유리프릿은 280℃의 Tg를 가지는 Pb타입으로 페이스트 조성물 대비 2.5wt%를 첨가하였다. 수지로는 DOW社 STD-10 0.5 wt%을 첨가했으며, 첨가제로는 요변특성을 부여하기 위한 ELEMENTS社의 THIXATROL MAX 0.5wt%를 첨가하였으며 분산제로 KUSUMOTO社의 ED-152 1.0wt%를 첨가하였다. 용제는 DBE (Dibasic ester 제조사 TCI社 Dimethyl adipate, dimethyl glutrate, dimethyl succinate)를 1.5wt&, Eastman社 buthyl carbitol acetate로서, 3.5wt%를 첨가하였다.
태양전지용 기판의 제조에 있어, 156mm x 156mm 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용하였다. 관상로(Tube furnace)에서 900℃로 POCl3을 사용하는 확산공정을 통해 인(P)을 도핑하여 90Ω/sq의 시트저항(sheet resistance)을 가지는 100-500nm 두께의 에미터층을 형성하고, 상기 에미터층에 PECVD 방법으로 실리콘 질화막을 80nm두께로 반사 방지막을 형성하였다. 반사 방지막 상부에 전면전극을 스크린 인쇄하였다. 전면전극의 하부 인쇄층은 상기 제조된 하부 인쇄층용 페이스트 조성물을 Baccini社 인쇄기로 360-16 메쉬에 15㎛ 유제막을 가지는 34㎛ 마스크를 이용하여 스크린 인쇄하였고, 하부 인쇄층 상부에 상부 인쇄층용 페이스트 조성물을 동일한 방법으로 스크린 인쇄하였다. 후면전극으로는 D社제품을 사용하여 스크린 인쇄하였다. 그 후 300℃, 30초간 BTU건조로를 사용하여 건조공정을 거친 후 900℃ 소성로에서 60초간 소결하여 태양전지용 기판을 제조하였다. 건조 공정은 BTU 장비를 사용하여 300℃, 30초간 건조하였으며, 소성은 Despatch를 사용하여 900℃, 60초간 소결하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.9wt% 첨가한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 4
상기 실시예 1에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 3.1wt% 첨가한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 5
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO30.1㎛) 0.1wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 6
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.1㎛) 0.2wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 7
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.1㎛) 0.3wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 8
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.2㎛) 0.1wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 9
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.2㎛) 0.2wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 10
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.2㎛) 0.3wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 11
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.2㎛) 0.4wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 12
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.2㎛) 0.5wt% 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 13
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.1㎛) 0.1wt% 및 Sb2O3(0.2㎛) 0.1wt%을 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 14
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.1㎛) 0.1wt% 및 Sb2O3(0.2㎛) 0.2wt%을 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 15
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.1㎛) 0.1wt% 및 Sb2O3(0.2㎛) 0.3wt%을 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 16
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.1㎛) 0.1wt% 및 Sb2O3(0.2㎛) 0.4wt%을 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 17
상기 실시예 2에서, 사용한 동일한 유리 프릿의 함량을 2.7wt% 첨가하고, WO3(0.1㎛) 0.1wt% 및 Sb2O3(0.2㎛) 0.5wt%을 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 18
상기 실시예 16에서, 0.02㎛ 입자 사이즈의 WO3를 사용하여 제조하는 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 19
상기 실시예 16에서, 0.05㎛ 입자 사이즈의 WO3를 사용하여 제조하는 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 20
상기 실시예 2에서, 유리 프릿을 2.7wt% 첨가하고 NiO(0.1㎛) 0.1wt%를 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 21
상기 실시예 2에서, 유리 프릿을 2.7wt% 첨가하고 CuO(0.1㎛) 0.1wt%를 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실시예 22
상기 실시예 2에서, 유리 프릿을 2.7wt% 첨가하고 Bi2O3(0.1㎛) 0.1wt%를 혼용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
특성 테스트
실시예 1 내지 실시예 22의 부착력, 개방 전압, 컨택 저항을 평가하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. IV특성/EL특성은 HALM Electronix社장비를 사용하여 측정하였고. 부착특성은 SnPbAg조성의 리본을 전극에 본딩한 후 인장강도 측정기를 사용하여 본딩된 부분의 한쪽 끝을 잡고 180도 방향으로 잡아 당기면서 전면 전극과 리본이 박리될 때까지의 힘(N)을 측정하였다. EL단선은 육안으로 관찰하였다. 또한 부착력과 컨택 저항이 모두 우수한지 여부를 판단하기 위한 파라미터로서 최대 부착력(3.2N)에 대한 편차와 최소 컨택 저항(0.00095ohm)에 대한 편차의 합(Sd)을 계산한 값을 하기 표 1에 나타내었다.
　 유리 프릿 WO3(0.1㎛) WO3(0.1㎛) Sb2O3(0.2㎛) Sb2O3(0.05㎛) NiO CuO Bi2O3 부착력(N) Voc(V) FF(%) Rs(ohm) Sd
실시예1 2.5 - - - - - - - 1.8 0.6301 79.71 0.00097 0.46
실시예2 2.7 - - - - - - - 2 0.6301 79.72 0.00095 0.38
실시예3 2.9 - - - - - - - 2.1 0.6285 79.77 0.00098 0.38
실시예4 3.1 - - - - - - - 2.3 0.628 79.78 0.00098 0.31
실시예5 2.7 0.1 - - - - - - 2.2 0.6301 79.71 0.00095 0.31
실시예6 2.7 0.2 - - - - - - 2.4 0.63 79.51 0.00103 0.33
실시예7 2.7 0.3 - - - - - - 2.5 0.6301 79.37 0.00127 0.56
실시예8 2.7 - - 0.1 - - - - 2.3 0.63 79.71 0.00098 0.31
실시예9 2.7 - - 0.2 - - - - 2.6 0.6299 79.73 0.00096 0.20
실시예10 2.7 - - 0.3 - - - - 2.7 0.6298 79.73 0.00096 0.17
실시예11 2.7 - - 0.4 - - - - 2.9 0.63 79.75 0.00097 0.11
실시예12 2.7 - - 0.5 - - - - 2.6 0.63 79.69 0.00101 0.25
실시예13 2.7 0.1 - 0.1 - - - - 2.4 0.6298 79.71 0.00097 0.27
실시예14 2.7 0.1 - 0.2 - - - - 2.5 0.6298 79.73 0.00098 0.25
실시예15 2.7 0.1 - 0.3 - - - - 2.8 0.63 79.73 0.00098 0.16
실시예16 2.7 0.1 - 0.4 - - - - 3.2 0.6299 79.72 0.001 0.05
실시예17 2.7 0.1 - 0.5 - - - - 2.6 0.6295 79.68 0.00105 0.29
실시예18 2.7 - 0.1 0.4 - - - - 2.1 0.6295 79.65 0.00103 0.43
실시예19 2.7 0.1 - - 0.4 - - - 2.3 0.6296 79.67 0.00105 0.39
실시예20 2.7 - - - - 0.1 - - 2.4 0.63 79.41 0.00131 0.63
실시예21 2.7 - - - - - 0.1 - 2.5 0.6299 79.35 0.00133 0.62
실시예22 2.7 - - - - - - 0.1 2.2 0.63 79.36 0.0013 0.68
상기 결과에서 알 수 있듯이, 부착력을 높이기 위해서, 리본 부착시 발생하는 침식(leaching) 현상을 줄일 수 있는 방법으로는 금속 산화물 중에 Sb2O3와 WO3을 첨가하게 되면, 부착력이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 또한 0.2μm의 Sb2O3를 첨가한 실시예 8 내지 17의 경우, 최대 부착력(3.2N)에 대한 편차 및 최소 컨택 저항(0.00095ohm)에 대한 편차의 합(Sd)이 0.31 이하로서 부착력이 우수하면서도 컨택 저항 또한 우수한 효과를 갖는 것을 알 수 있다. 또한 0.2μm의 Sb2O3를 0.2 내지 0.4% 첨가한 실시예 9 내지 11, 14 내지 16의 경우 최대 부착력(3.2N)에 대한 편차 및 최소 컨택 저항(0.00095ohm)에 대한 편차의 합(Sd)이 0.2 이하로서 가장 부착력이 우수하면서도 컨택 저항이 우수한 효과를 갖는 것을 알 수 있다. 또한 2μm의 Sb2O3를 0.1 내지 0.5% 범위에서 같은 양을 첨가하였을 때, 0.1 μm의 WO3를 첨가한 실시예 13 내지 17이 WO3를 첨가하지 않은 실시예 8 내지 12보다 부착력과 컨택 저항이 우수한 것을 알 수 있다.
또한 NiO, CuO, 및 Bi2O3를 첨가한 실시예 20 내지 22의 경우에도 부착력이 상승하는 것을 확인할 수 있다. 다만 NiO, CuO, 및 Bi2O3를 첨가하는 경우에는 태양전지용 전극재료 요구 물성인 컨택 저항이 매우 상승하는 것으로 확인되어 컨택 저항 특성에 불리함이 있다.
또한 실시예 4를 참조하면, 유리 프릿의 함량을 증가할수록 부착력이 증가하는 것을 확인할 수 있지만, 이 경우 junction damage 때문에 Voc가 하락하는 것을 알 수 있다.
또한 실시예 7을 참조하면, WO3의 함량을 증가할 수록 부착력을 증가하는 것을 확인할 수 있지만, 이 경우 컨택 저항의 불량으로 인하여 FF가 하락하는 경향을 보이는 것을 확인할 수 있다.
또한 실시예 17을 참조하면, Sb2O3가 일정함량 이상을 차지하게 되면 오히려 부착력이 하락하는 경향이 보이는 것을 확인할 수 있다.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
[부호의 설명]
10 : P형 실리콘 반도체 기판
20 : N형 불순물층
30 : 반사 방지막
40 : P+층(BSF : back surface field)
50 : 배면 알루미늄 전극
60 : 배면 실버 전극
100 : 전면 전극

Claims (9)

  1. 금속 분말, 유리 프릿, 금속 산화물, 유기 바인더 및 용매를 포함하고,
    상기 금속 산화물은 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 루테늄(Ru), 몰리브데넘(Mo) 및 비스무트(Bi)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상의 금속의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 안티몬(Sb)의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로, 상기 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.5wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 루테늄(Ru), 몰리브데넘(Mo) 및 비스무트(Bi)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 2종 이상의 제1 금속 산화물 및 제2 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물은 텅스텐(W)의 산화물이고, 상기 제2 금속 산화물은 안티몬(Sb)의 산화물인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물 대 상기 제2 금속 산화물의 중량비는 1:1~5인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로, 상기 제1 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.3wt%이고, 상기 제2 금속 산화물의 함량은 0.1wt% 내지 0.5wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트의 총 중량을 기준으로, 상기 유리 프릿의 함량은 2.5wt% 내지 3.1wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  9. 기재 상부에 전면 전극을 구비하고, 기재 하부에 배면 전극을 구비한 태양전지에 있어서,
    상기 전면 전극은, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 도포한 후 건조 및 소성시켜 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지.
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