WO2014115865A1 - 電荷輸送性ワニス - Google Patents
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- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対するドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たす電荷輸送性ワニスは、不活性ガス雰囲気下や減圧下といった酸素が十分に存在しない条件下や低温下で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が高平坦性かつ高電荷輸送性を有し、有機ＥＬ素子に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を発揮させ得る。（１）（式中、Ｒ1～Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基等を表し、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～５の整数である。）
Description
本発明は、電荷輸送性ワニスに関し、さらに詳述すると、アニリン誘導体からなる電荷輸送性物質およびリンタングステン酸からなるドーパント物質を含む電荷輸送性ワニスに関する。
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。
この電荷輸送性薄膜の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスに大別される。ドライプロセスとウェットプロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できることから、有機ＥＬといった薄膜の大面積化が望まれる分野においては、ウェットプロセスにより薄膜が形成されることが多い。
この電荷輸送性薄膜の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスに大別される。ドライプロセスとウェットプロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できることから、有機ＥＬといった薄膜の大面積化が望まれる分野においては、ウェットプロセスにより薄膜が形成されることが多い。
この点に鑑み、本発明者らは、各種電子デバイスに適用可能な電荷輸送性薄膜を、ウェットプロセスで作製するための電荷輸送性ワニスの開発をしてきている（特許文献１等参照）。
しかし、近年の有機ＥＬ素子分野においては、高歩留で効率的に素子を製造するため、ウェットプロセスによる成膜であっても、不活性ガス雰囲気下や減圧下で焼成できるワニスへの要求が高まってきている。
また、デバイスの軽量化や薄型化の潮流から、ガラス基板の代わりに有機化合物からなる基板が用いられるようになってきていることから、従来よりも低温で焼成でき、またその場合にも良好な電荷輸送性を有する薄膜を与えるワニスも求められているが、既存のワニスではこれらの要求に十分対応できないことがあった。
しかし、近年の有機ＥＬ素子分野においては、高歩留で効率的に素子を製造するため、ウェットプロセスによる成膜であっても、不活性ガス雰囲気下や減圧下で焼成できるワニスへの要求が高まってきている。
また、デバイスの軽量化や薄型化の潮流から、ガラス基板の代わりに有機化合物からなる基板が用いられるようになってきていることから、従来よりも低温で焼成でき、またその場合にも良好な電荷輸送性を有する薄膜を与えるワニスも求められているが、既存のワニスではこれらの要求に十分対応できないことがあった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、不活性ガス雰囲気下や減圧下といった酸素が十分に存在しない条件下や低温下で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が高平坦性かつ高電荷輸送性を有し、有機ＥＬ素子に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を発揮させ得る電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、アニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含むワニスにおいて、ワニス中に含まれる電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対するリンタングステン酸の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）を所定範囲に調節することで、不活性ガス雰囲気下や減圧下といった酸素が十分に存在しない条件下や低温下で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が高平坦性および高電荷輸送性を有すること、並びに当該薄膜を正孔注入層に適用した場合に、優れた輝度特性を実現し得る有機ＥＬ素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、
１． 式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、前記電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対する前記ドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たすことを特徴とする電荷輸送性ワニス、
（式中、Ｒ1～Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基、－ＮＨＹ1、－ＮＹ2Ｙ3、－ＯＹ4、または－ＳＹ5基を表し、Ｙ1～Ｙ5は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基を表し、Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはアミノ基を表し、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～５の整数である。）
２．前記Ｒ1～Ｒ6が、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、－ＮＨＹ1、－ＮＹ2Ｙ3、－ＯＹ4、または－ＳＹ5を表し、前記Ｙ1～Ｙ5が、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基またはＺ2で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、前記Ｚ1が、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、前記Ｚ2が、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基を表す１の電荷輸送性ワニス、
３． １または２の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
４． 式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質とを用いて作製された電荷輸送性薄膜であって、前記電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対する前記ドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たす電荷輸送性薄膜、
（式中、Ｒ1～Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基、－ＮＨＹ1、－ＮＹ2Ｙ3、－ＯＹ4、または－ＳＹ5基を表し、Ｙ1～Ｙ5は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基を表し、Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはアミノ基を表し、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～５の整数である。）
５． ３または４の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス、
６． ３または４の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
７． 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である６の有機エレクトロルミネッセンス素子、
８． １または２の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法、
９． 窒素雰囲気下で焼成し、前記溶媒を蒸発させる８の電荷輸送性薄膜の製造方法、
１０． 真空下で焼成し、前記溶媒を蒸発させる８の電荷輸送性薄膜の製造方法、
１１． ３または４の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、
１２． ８～１０のいずれかの製造方法で得られた電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
を提供する。
１． 式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、前記電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対する前記ドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たすことを特徴とする電荷輸送性ワニス、
２．前記Ｒ1～Ｒ6が、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、－ＮＨＹ1、－ＮＹ2Ｙ3、－ＯＹ4、または－ＳＹ5を表し、前記Ｙ1～Ｙ5が、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基またはＺ2で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、前記Ｚ1が、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、前記Ｚ2が、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基を表す１の電荷輸送性ワニス、
３． １または２の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
４． 式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質とを用いて作製された電荷輸送性薄膜であって、前記電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対する前記ドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たす電荷輸送性薄膜、
５． ３または４の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス、
６． ３または４の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
７． 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である６の有機エレクトロルミネッセンス素子、
８． １または２の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法、
９． 窒素雰囲気下で焼成し、前記溶媒を蒸発させる８の電荷輸送性薄膜の製造方法、
１０． 真空下で焼成し、前記溶媒を蒸発させる８の電荷輸送性薄膜の製造方法、
１１． ３または４の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、
１２． ８～１０のいずれかの製造方法で得られた電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
を提供する。
本発明の電荷輸送性ワニスは、アニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸とを含み、電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対するリンタングステン酸の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が所定範囲に調節されているから、不活性ガス雰囲気下や減圧下といった酸素が十分に存在しない条件下や低温下で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が高平坦性および高電荷輸送性を有し、当該薄膜を正孔注入層に適用した場合に、優れた輝度特性を実現し得る有機ＥＬ素子が得られる。そのため、本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、製造プロセスの簡便化等による素子製造の高効率化や高歩留化、あるいは、素子の軽量化、コンパクト化等を図り得る。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法など、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
さらに、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等としても使用できる。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法など、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
さらに、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等としても使用できる。
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対するドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たすものである。
なお、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。また、本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対するドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たすものである。
なお、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。また、本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
式（１）において、Ｒ1～Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基、－ＮＨＹ1、－ＮＹ2Ｙ3、－ＯＹ4、または－ＳＹ5基を表し、Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、またはＺ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基を表し、Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはアミノ基を表す。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
炭素数１～２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等の炭素数１～２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３～２０の環状アルキル基などが挙げられる。
炭素数１～２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等の炭素数１～２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３～２０の環状アルキル基などが挙げられる。
炭素数２～２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ－１－プロペニル基、ｎ－２－プロペニル基、１－メチルエテニル基、ｎ－１－ブテニル基、ｎ－２－ブテニル基、ｎ－３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－エチルエテニル基、１－メチル－１－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、ｎ－１－ペンテニル基、ｎ－１－デセニル基、ｎ－１－エイコセニル基等が挙げられる。
炭素数２～２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ－１－プロピニル基、ｎ－２－プロピニル基、ｎ－１－ブチニル基、ｎ－２－ブチニル基、ｎ－３－ブチニル基、１－メチル－２－プロピニル基、ｎ－１－ペンチニル基、ｎ－２－ペンチニル基、ｎ－３－ペンチニル基、ｎ－４－ペンチニル基、１－メチル－ｎ－ブチニル基、２－メチル－ｎ－ブチニル基、３－メチル－ｎ－ブチニル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピニル基、ｎ－１－ヘキシニル基、ｎ－１－デシニル基、ｎ－１－ペンタデシニル基、ｎ－１－エイコシニル基等が挙げられる。
炭素数６～２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基、１－フェナントリル基、２－フェナントリル基、３－フェナントリル基、４－フェナントリル基、９－フェナントリル基等が挙げられる。
炭素数２～２０のヘテロアリール基の具体例としては、２－チエニル基、３－チエニル基、２－フラニル基、３－フラニル基、２－オキサゾリル基、４－オキサゾリル基、５－オキサゾリル基、３－イソオキサゾリル基、４－イソオキサゾリル基、５－イソオキサゾリル基、２－チアゾリル基、４－チアゾリル基、５－チアゾリル基、３－イソチアゾリル基、４－イソチアゾリル基、５－イソチアゾリル基、２－イミダゾリル基、４－イミダゾリル基、２－ピリジル基、３－ピリジル基、４－ピリジル基等が挙げられる。
－ＮＨＹ1は、アミノ基（－ＮＨ2）の水素原子の１つがＹ1に置換された基を、－ＮＹ2Ｙ3は、アミノ基（－ＮＨ2）の水素原子がＹ2およびＹ3に置換された基を、－ＯＹ4は、水酸基（－ＯＨ）の水素原子がＹ4に置換された基を、－ＳＹ5は、チオール基（－ＳＨ）の水素原子がＹ5に置換された基を、それぞれ表す。
Ｙ1～Ｙ5は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ2で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、これらアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
Ｙ1～Ｙ5は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ2で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、これらアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｒ1～Ｒ6は、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、－ＮＨＹ1、－ＮＹ2Ｙ3、－ＯＹ4、または－ＳＹ5が好ましく、この場合において、Ｙ1～Ｙ5は、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基またはＺ2で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基が好ましく、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキル基またはＺ2で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、炭素数１～６のアルキル基またはフェニル基がより一層好ましい。
特に、Ｒ1～Ｒ6は、水素原子、フッ素原子、メチル基、フェニル基またはジフェニルアミノ基（Ｙ2およびＹ3がフェニル基である－ＮＹ2Ｙ3）がより好ましく、Ｒ1～Ｒ4が水素原子であり、かつ、Ｒ5およびＲ6が同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。
特に、Ｒ1～Ｒ6は、水素原子、フッ素原子、メチル基、フェニル基またはジフェニルアミノ基（Ｙ2およびＹ3がフェニル基である－ＮＹ2Ｙ3）がより好ましく、Ｒ1～Ｒ4が水素原子であり、かつ、Ｒ5およびＲ6が同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。
なお、Ｒ1～Ｒ6およびＹ1～Ｙ5のアルキル基、アルケニル基およびアルキニル基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基であるＺ1で置換されていてもよく、Ｒ1～Ｒ6およびＹ1～Ｙ5のアリール基およびヘテロアリール基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、またはＺ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基であるＺ2で置換されていてもよい。
このような、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられ、これらの基は、さらにハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはアミノ基であるＺ3で置換されていてもよい（ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。）。
このような、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられ、これらの基は、さらにハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはアミノ基であるＺ3で置換されていてもよい（ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。）。
とりわけ、Ｒ1～Ｒ6およびＹ1～Ｙ5においては、Ｚ1は、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基が好ましく、フッ素原子またはフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換の基であること）がより一層好ましく、また、Ｚ2は、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基が好ましく、フッ素原子または炭素数１～６のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換の基であること）がより一層好ましい。
また、Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換の基であること）がより一層好ましい。
また、Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換の基であること）がより一層好ましい。
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～５の整数であるが、アニリン誘導体の溶解性を高める観点から、好ましくは、ｍ＋ｎ≦８であり、より好ましくｍ＋ｎ≦５である。
本発明で用いるアニリン誘導体の分子量は、通常３００～５０００であるが、その溶解性を高める観点から、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下である。
本発明で用いるアニリン誘導体の分子量は、通常３００～５０００であるが、その溶解性を高める観点から、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下である。
以下、本発明において好適なアニリン誘導体を挙げるが、これらに限定されるわけではない。
上述のとおり、本発明の電荷輸送性ワニスは、ヘテロポリ酸化合物の１種であるリンタングステン酸を含む。
ヘテロポリ酸化合物とは、代表的に式（Ａ）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ｂ）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）の酸素酸が挙げられる。
ヘテロポリ酸化合物とは、代表的に式（Ａ）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ｂ）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）の酸素酸が挙げられる。
リンタングステン酸（Ｐｈｏｓｐｈｏｔｕｎｇｓｔｉｃ ａｃｉｄ ｈｙｄｒａｔｅ、または１２ Ｔｕｎｇｓｔｏ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ Ａｃｉｄ ｎ－ｈｙｄｒａｔｅ）は、市販品として入手可能である。また、リンタングステン酸は、公知の方法により合成してもよい。
なお、一般的には、リンタングステン酸は化学式Ｈ3（ＰＷ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏで示されるが、元素分析等の定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）またはＷ（タングステン）の数が多く、または少ないものであっても、それが市販品として入手し、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるリンタングステン酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
なお、一般的には、リンタングステン酸は化学式Ｈ3（ＰＷ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏで示されるが、元素分析等の定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）またはＷ（タングステン）の数が多く、または少ないものであっても、それが市販品として入手し、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるリンタングステン酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
本発明の電荷輸送性ワニスでは、電荷輸送性物質およびリンタングステン酸（ドーパント物質）を、質量比で、電荷輸送性物質１に対してリンタングステン酸３．５～１５．０とする必要がある。
すなわち、電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対するリンタングステン酸の質量（ＷD）の比が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たす必要があり、３．６≦ＷD／ＷH≦１４．０を満たすことが好ましく、３．７≦ＷD／ＷH≦１３．０を満たすことがより好ましく、３．８≦ＷD／ＷH≦１２．０を満たすことがより一層好ましく、以下、３．９≦ＷD／ＷH≦１１．０，４．０≦ＷD／ＷH≦１０．０，４．５≦ＷD／ＷH≦９．０，５．０≦ＷD／ＷH≦７．０の順で好ましくなる。
ＷD／ＷHが３．５未満となったり、１５．０を超えたりすると、不活性ガス雰囲気下や真空下といった酸素が十分に存在しない条件下や低温下で焼成した場合に優れた電荷輸送性を有する薄膜を得ることができず、当該薄膜を利用した有機ＥＬ素子の輝度特性の向上を図ることができない。
なお、本発明において「真空下」とは、大気圧（１．０１３×１０5Ｐａ）より低い圧力を意味し、「減圧下」と同義である。
すなわち、電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対するリンタングステン酸の質量（ＷD）の比が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たす必要があり、３．６≦ＷD／ＷH≦１４．０を満たすことが好ましく、３．７≦ＷD／ＷH≦１３．０を満たすことがより好ましく、３．８≦ＷD／ＷH≦１２．０を満たすことがより一層好ましく、以下、３．９≦ＷD／ＷH≦１１．０，４．０≦ＷD／ＷH≦１０．０，４．５≦ＷD／ＷH≦９．０，５．０≦ＷD／ＷH≦７．０の順で好ましくなる。
ＷD／ＷHが３．５未満となったり、１５．０を超えたりすると、不活性ガス雰囲気下や真空下といった酸素が十分に存在しない条件下や低温下で焼成した場合に優れた電荷輸送性を有する薄膜を得ることができず、当該薄膜を利用した有機ＥＬ素子の輝度特性の向上を図ることができない。
なお、本発明において「真空下」とは、大気圧（１．０１３×１０5Ｐａ）より低い圧力を意味し、「減圧下」と同義である。
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる溶媒としては、電荷輸送性物質およびドーパント物質を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。このような高溶解性溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒を用いることができる。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５～１００質量％とすることができる。
なお、電荷輸送性物質およびドーパント物質は、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましい。
なお、電荷輸送性物質およびドーパント物質は、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましい。
また、本発明の電荷輸送性ワニスに、２５℃で１０～２００ｍＰａ・ｓ、特に３５～１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０～３００℃、特に１５０～２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも一種類含有させることができる。このような溶媒を加えることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、平坦性の高い薄膜を再現性良く与える、用いる塗布方法に応じたワニス調製が容易になる。
高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジクリシジルエーテル、１，３－オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５～８０質量％であることが好ましい。
高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジクリシジルエーテル、１，３－オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５～８０質量％であることが好ましい。
さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１～９０質量％、好ましくは１～５０質量％の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ－ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ－ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
このような溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ－ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ－ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１～５０ｍＰａ・ｓである。
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１～１０．０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させること、固形分の析出を抑制することなどを考慮すると、好ましくは０．５～５．０質量％、より好ましくは１．０～３．０質量％である。
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１～１０．０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させること、固形分の析出を抑制することなどを考慮すると、好ましくは０．５～５．０質量％、より好ましくは１．０～３．０質量％である。
以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることで基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられるが、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられるが、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
また、本発明のワニスを用いる場合、溶媒の蒸発（焼成）雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることが可能である。
焼成温度は、溶媒を蒸発させることができれば特に限定されないが、４０～２５０℃が好ましく、高電荷輸送性の薄膜を再現性よく得る観点から、より好ましくは１００℃以上、より一層好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１４０℃以上である。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で正孔注入層として用いる場合、５～２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素－プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素－プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（α－ＮＰＤ）、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、４，４’，４”－トリス［３－メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［１－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１－ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類、５，５”－ビス－｛４－［ビス（４－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－２，２’：５’，２”－ターチオフェン（ＢＭＡ－３Ｔ）等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。
発光層を形成する材料としては、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、ビス（８－キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ2）、ビス（２－メチル－８－キノリノラート）（ｐ－フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）および４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、電子輸送材料または正孔輸送材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。
電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。
発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン５４０、４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＭ）、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、（１，１０－フェナントロリン）－トリス（４，４，４－トリフルオロ－１－（２－チエニル）－ブタン－１，３－ジオナート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）3ｐｈｅｎ）等が挙げられる。
キャリアブロック層を形成する材料としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム－銀合金、アルミニウム－リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム－銀合金、アルミニウム－リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
使用する陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，１’－ビフェニレン－４，４－ジアミン）］、ポリ［（９，９－ビス｛１’－ペンテン－５’－イル｝フルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］－エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９－ジジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（ｐ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
発光性高分子材料としては、ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２－メトキシ－５－（２’－エチルヘキソキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨ－ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３－アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，１’－ビフェニレン－４，４－ジアミン）］、ポリ［（９，９－ビス｛１’－ペンテン－５’－イル｝フルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］－エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９－ジジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（ｐ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
発光性高分子材料としては、ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２－メトキシ－５－（２’－エチルヘキソキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨ－ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３－アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
以下、合成例、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例で使用した装置は以下のとおりである。
（１）1Ｈ－ＮＭＲ測定：バリアン製高分解能核磁気共鳴装置
（２）基板洗浄：長州産業（株）製 基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（３）ワニスの塗布：ミカサ（株）製 スピンコーターＭＳ－Ａ１００
（４）膜厚測定：（株）小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダＥＴ－４０００
（５）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製 多機能蒸着装置システムＣ－Ｅ２Ｌ１Ｇ１－Ｎ
（６）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製 Ｉ－Ｖ－Ｌ測定システム
（７）ＥＬ素子の寿命測定：（株）イーエッチシー製 有機ＥＬ輝度寿命評価システムＰＥＬ－１０５Ｓ
（１）1Ｈ－ＮＭＲ測定：バリアン製高分解能核磁気共鳴装置
（２）基板洗浄：長州産業（株）製 基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（３）ワニスの塗布：ミカサ（株）製 スピンコーターＭＳ－Ａ１００
（４）膜厚測定：（株）小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダＥＴ－４０００
（５）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製 多機能蒸着装置システムＣ－Ｅ２Ｌ１Ｇ１－Ｎ
（６）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製 Ｉ－Ｖ－Ｌ測定システム
（７）ＥＬ素子の寿命測定：（株）イーエッチシー製 有機ＥＬ輝度寿命評価システムＰＥＬ－１０５Ｓ
［１］電荷輸送性物質の合成
［合成例１］アニリン誘導体の合成
［合成例１］アニリン誘導体の合成
４，４’－ジアミノジフェニルアミン１０．００ｇ（５０．１９ｍｍｏｌ）、４－ブロモトリフェニルアミン３４．１７ｇ（１０５．４０ｍｍｏｌ）、およびキシレン（１００ｇ）の混合懸濁液に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５７９９ｇ（０．５０１８ｍｍｏｌ）とターシャルブトキシナトリウム１０．１３ｇ（１０５．４０ｍｍｏｌ）とを加え、窒素下１３０℃で１４時間撹拌した。
その後、反応混合液を濾過し、その濾液に飽和食塩水を加えて分液処理をした後、有機層から溶媒を留去して得られた固体を１，４－ジオキサンを用いて再結晶し、目的のアニリン誘導体を得た（収量：２２．３７ｇ、収率：６５％）。
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ７．８３（Ｓ，２Ｈ），７．６８（Ｓ，１Ｈ），７．２６－７．２０（ｍ，８Ｈ），７．０１－６．８９（ｍ，２８Ｈ）．
その後、反応混合液を濾過し、その濾液に飽和食塩水を加えて分液処理をした後、有機層から溶媒を留去して得られた固体を１，４－ジオキサンを用いて再結晶し、目的のアニリン誘導体を得た（収量：２２．３７ｇ、収率：６５％）。
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ７．８３（Ｓ，２Ｈ），７．６８（Ｓ，１Ｈ），７．２６－７．２０（ｍ，８Ｈ），７．０１－６．８９（ｍ，２８Ｈ）．
［２］電荷輸送性ワニスの調製
［実施例１－１］
合成例１で得られたアニリン誘導体０．０９８ｇと、リンタングステン酸（関東化学（株）製）０．３９２ｇとを、窒素雰囲気下で１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン（和光純薬（株）製）８ｇに溶解させた。得られた溶液に、シクロヘキサノール（和光純薬（株）製）１２ｇおよびプロピレングリコール（関東化学（株）製）４ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１－１］
合成例１で得られたアニリン誘導体０．０９８ｇと、リンタングステン酸（関東化学（株）製）０．３９２ｇとを、窒素雰囲気下で１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン（和光純薬（株）製）８ｇに溶解させた。得られた溶液に、シクロヘキサノール（和光純薬（株）製）１２ｇおよびプロピレングリコール（関東化学（株）製）４ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１－２～１－５］
アニリン誘導体の使用量およびリンタングステン酸の使用量を、それぞれ、０．０８２ｇおよび０．４０８ｇ、０．０７０ｇおよび０．４２０ｇ、０．０５４ｇおよび０．４３５ｇ、０．０４５ｇおよび０．４４５ｇとした以外は、実施例１－１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
アニリン誘導体の使用量およびリンタングステン酸の使用量を、それぞれ、０．０８２ｇおよび０．４０８ｇ、０．０７０ｇおよび０．４２０ｇ、０．０５４ｇおよび０．４３５ｇ、０．０４５ｇおよび０．４４５ｇとした以外は、実施例１－１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
［比較例１～３］
アニリン誘導体の使用量およびリンタングステン酸の使用量を、それぞれ、０．１６３ｇおよび０．３２７ｇ、０．１２２ｇおよび０．３６７ｇ、０．０２３ｇおよび０．４６６ｇとした以外は、実施例１－１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
アニリン誘導体の使用量およびリンタングステン酸の使用量を、それぞれ、０．１６３ｇおよび０．３２７ｇ、０．１２２ｇおよび０．３６７ｇ、０．０２３ｇおよび０．４６６ｇとした以外は、実施例１－１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
［比較例４］
アニリン誘導体の使用量を０．２４５ｇとし、リンタングステン酸０．３９２ｇの代わりに、リンモリブデン酸（関東化学（株））０．２４５ｇを用いた以外は、実施１－１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
アニリン誘導体の使用量を０．２４５ｇとし、リンタングステン酸０．３９２ｇの代わりに、リンモリブデン酸（関東化学（株））０．２４５ｇを用いた以外は、実施１－１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
［比較例５～９］
アニリン誘導体の使用量およびリンモリブデン酸の使用量を、それぞれ、０．１６３ｇおよび０．３２７ｇ、０．１２２ｇおよび０．３６７ｇ、０．０９８ｇおよび０．３９２ｇ、０．０８２ｇおよび０．４０８ｇ、０．０７０ｇおよび０．４２０ｇとした以外は、比較例４と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
アニリン誘導体の使用量およびリンモリブデン酸の使用量を、それぞれ、０．１６３ｇおよび０．３２７ｇ、０．１２２ｇおよび０．３６７ｇ、０．０９８ｇおよび０．３９２ｇ、０．０８２ｇおよび０．４０８ｇ、０．０７０ｇおよび０．４２０ｇとした以外は、比較例４と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
［３］有機ＥＬ素子の製造および特性評価
［実施例２－１］
実施例１－１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、さらに、大気雰囲気下、２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除去した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１．０×１０-5Ｐａ）を用いてＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（α－ＮＰＤ）、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、フッ化リチウム、およびアルミニウムの薄膜を順次積層し、有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、α－ＮＰＤ，Ａｌｑ3およびアルミニウムについては０．２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０．０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ、０．５ｎｍおよび１２０ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点－８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス（株）製，ＸＮＲ５５１６Ｚ－Ｂ１）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製，ＨＤ－０７１０１０Ｗ－４０）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。
貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
［実施例２－１］
実施例１－１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、さらに、大気雰囲気下、２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除去した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１．０×１０-5Ｐａ）を用いてＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（α－ＮＰＤ）、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、フッ化リチウム、およびアルミニウムの薄膜を順次積層し、有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、α－ＮＰＤ，Ａｌｑ3およびアルミニウムについては０．２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０．０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ、０．５ｎｍおよび１２０ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点－８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス（株）製，ＸＮＲ５５１６Ｚ－Ｂ１）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製，ＨＤ－０７１０１０Ｗ－４０）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。
貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
［実施例２－２～２－５および比較例１０～１８］
実施例１－１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１－２～１－５、比較例１～９で得られたワニスを用いた以外は、実施例２－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
実施例１－１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１－２～１－５、比較例１～９で得られたワニスを用いた以外は、実施例２－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
［実施例３－１］
焼成温度を１６０℃とした以外は、実施例２－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
焼成温度を１６０℃とした以外は、実施例２－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
［実施例３－２～３－５、比較例１９～２２］
実施例１－１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１－２～１－５、比較例１～３，５で得られたワニスを用いた以外は、実施例３－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
実施例１－１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１－２～１－５、比較例１～３，５で得られたワニスを用いた以外は、実施例３－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
上記で作製した有機ＥＬ素子の駆動電圧５Ｖにおける電流密度および輝度を測定した。結果を表１および表２に示す。
表１および表２に示されるように、電荷輸送性物質１に対してリンタングステン酸が３．５～１５．０の範囲内（質量比）で含まれる電荷輸送性ワニスを用いた場合（実施例２－１～２－５および３－１～３－５）、焼成温度によらず、優れた輝度特性を有するＥＬ素子を製造できた。
一方、上記の範囲外でリンタングステン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例１０～１２，１９～２１）や、リンモリブデン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例１３～１８，２２）を用いた場合、高温焼成、低温焼成のいずれの場合でも良好な輝度特性を実現できるＥＬ素子を与えるワニスは存在しなかった。
一方、上記の範囲外でリンタングステン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例１０～１２，１９～２１）や、リンモリブデン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例１３～１８，２２）を用いた場合、高温焼成、低温焼成のいずれの場合でも良好な輝度特性を実現できるＥＬ素子を与えるワニスは存在しなかった。
［実施例４－１］
焼成雰囲気を窒素雰囲気とした以外は、実施例２－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
焼成雰囲気を窒素雰囲気とした以外は、実施例２－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
［実施例４－２，４－３、比較例２３～２５］
実施例１－１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１－２，１－３、比較例１，２，５で得られたワニスを用いた以外は、実施例４－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
実施例１－１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１－２，１－３、比較例１，２，５で得られたワニスを用いた以外は、実施例４－１と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
［実施例５－１］
焼成温度を２００℃とし、焼成雰囲気を減圧下（２１．３ｋＰａ）とした以外は、実施例２－３と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
焼成温度を２００℃とし、焼成雰囲気を減圧下（２１．３ｋＰａ）とした以外は、実施例２－３と同様の方法でＥＬ素子を作製した。
上記で作製した有機ＥＬ素子の駆動電圧５Ｖにおける電流密度および輝度を測定した。結果を表３に示す。
表１および表３に示されるように、電荷輸送性物質１に対してリンタングステン酸が３．５～１５．０の範囲内（質量比）で含まれる電荷輸送性ワニスを用いた場合（実施例２－１～２－５，４－１～４－３および５－１）、焼成雰囲気によらず、優れた輝度特性を有するＥＬ素子を製造できた。
一方、上記の範囲外でリンタングステン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例２３，２４）や、リンモリブデン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例２５）を用いた場合、大気下焼成、酸素が十分存在しない雰囲気下での焼成（窒素下焼成または減圧下焼成）のいずれの場合でも良好な輝度特性を実現できるＥＬ素子を与えるワニスは存在しなかった。
一方、上記の範囲外でリンタングステン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例２３，２４）や、リンモリブデン酸を含む電荷輸送性ワニス（比較例２５）を用いた場合、大気下焼成、酸素が十分存在しない雰囲気下での焼成（窒素下焼成または減圧下焼成）のいずれの場合でも良好な輝度特性を実現できるＥＬ素子を与えるワニスは存在しなかった。
実施例２－１～２－４，３－１～３－４，４－１～４－３，５－１および比較例１５，２２で作製したＥＬ素子の耐久性試験を行った。輝度の半減期（初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2）を表４に示す。
表４に示されるように、実施例で作製した電荷輸送性薄膜を備える有機ＥＬ素子の輝度の半減期は、比較例で作製した電荷輸送性薄膜を備える有機ＥＬ素子のそれよりも長いことがわかる。
これらの結果から、電荷輸送性物質１に対してリンタングステン酸を３．５～１５．０の範囲内（質量比）で用いることで、高い耐久性を有する有機ＥＬ素子を実現できる電荷輸送性薄膜、特に正孔注入層として適した電荷輸送性薄膜を製造できることがわかる。
これらの結果から、電荷輸送性物質１に対してリンタングステン酸を３．５～１５．０の範囲内（質量比）で用いることで、高い耐久性を有する有機ＥＬ素子を実現できる電荷輸送性薄膜、特に正孔注入層として適した電荷輸送性薄膜を製造できることがわかる。
Claims (12)
- 式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、
前記電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対する前記ドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たすことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
Ｙ1～Ｙ5は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはアミノ基を表し、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～５の整数である。） - 前記Ｒ1～Ｒ6が、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、－ＮＨＹ1、－ＮＹ2Ｙ3、－ＯＹ4、または－ＳＹ5を表し、
前記Ｙ1～Ｙ5が、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基またはＺ2で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、
前記Ｚ1が、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、
前記Ｚ2が、ハロゲン原子またはＺ3で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基を表す請求項１記載の電荷輸送性ワニス。 - 請求項１または２記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
- 式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、リンタングステン酸からなるドーパント物質とを用いて作製された電荷輸送性薄膜であって、
前記電荷輸送性物質の質量（ＷH）に対する前記ドーパント物質の質量（ＷD）の比（ＷD／ＷH）が、３．５≦ＷD／ＷH≦１５．０を満たす電荷輸送性薄膜。
Ｙ1～Ｙ5は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはアミノ基を表し、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～５の整数である。） - 請求項３または４記載の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス。
- 請求項３または４記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項１または２記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
- 窒素雰囲気下で焼成し、前記溶媒を蒸発させる請求項８記載の電荷輸送性薄膜の製造方法。
- 真空下で焼成し、前記溶媒を蒸発させる請求項８記載の電荷輸送性薄膜の製造方法。
- 請求項３または４記載の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 請求項８～１０のいずれか１項記載の製造方法で得られた電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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