WO2014103747A1

WO2014103747A1 - タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法

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Publication number: WO2014103747A1
Application number: PCT/JP2013/083438
Authority: WO
Inventors: 敏幸木下; 健波木井; 宏石代; 和央吉田; 一成多田
Original assignee: コニカミノルタ株式会社
Priority date: 2012-12-26
Filing date: 2013-12-13
Publication date: 2014-07-03
Also published as: JP6164227B2; JPWO2014103747A1

Abstract

　薄膜化の進展が可能なタッチパネル用透明電極、これを備えたタッチパネルおよび表示装置、さらにはタッチパネル用透明電極の製造方法を提供する。タッチパネル用透明電極は、窒素含有層と、これに隣接して設けられた電極層とを備えている。窒素含有層は、窒素原子を含んだ化合物を用いて０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された層である。電極層は、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成されている。

Description

タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法

　本発明は、タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法に関し、特には薄型化に適するタッチパネル用透明電極と、これを備えたタッチパネルおよび表示装置、さらにはこのタッチパネル用透明電極の製造方法に関する。

　表示パネルの表示面側に配置されるタッチパネルには、抵抗膜式、表面型静電容量式、投影型静電容量式、光学式、超音波式などの様々な方式があるが、投影型静電容量式は多点入力できるという特徴を有しており、スマートフォンなどでの実用化が進んでいる。

　ところで、投影型静電容量方式のように、パネル面の全面にわたって電極が配置される構成のタッチパネルにおいては、透明導電性材料を用いて電極を構成することにより、タッチパネルを介して配置される表示画像の視認性を確保している。このようなタッチパネル用の電極（すなわち透明電極）としては、主としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のような金属酸化物が用いられてきた。しかしながら、ＩＴＯ等の金属酸化物は、光透過性には優れるものの導電性が十分ではなく、パネルの中央付近で電圧降下が起こりやく、タッチパネルの大型化が阻害される。また、抵抗値を低く抑えようとした場合、ある程度の膜厚が必要とされるため、投影型静電容量方式のように電極がパターンを有する場合、このパターンが視認され易くなり、結果として下地となる表示画像の視認性が低下する。

　そこで近年においては、タッチパネル用の透明電極として、ＩＴＯよりも導電性が高い金属ナノワイヤーを用いた構成が提案されている（例えば下記特許文献１参照）。

特開２０１２－３３４６６号公報

　ところが、金属ナノワイヤーを用いた透明電極は、抵抗を下げるために金属ナノワイヤーの添加量を増加させると、金属ナノワイヤーにおいての光散乱により下地となる表示画像の視認性が低下する課題を有していた。

　そこで本発明は、薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を提供することと、さらにはこれを用いることにより下地となる表示画像の視認性の向上が図られたタッチパネルおよび表示装置を提供すること、ならびにこのタッチパネル用透明電極の製造方法を提供することを目的とする。

　このような目的を達成するための本発明のタッチパネル用透明電極は、窒素原子を含んだ化合物を用いて０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された窒素含有層と、前記窒素含有層に隣接して設けられると共に、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層とを備えている。

　また本発明はこのような構成のタッチパネル用透明電極を用いたタッチパネル、およびこのタッチパネルとタッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備えた表示装置でもある。

　さらに本発明は、このような構成のタッチパネルの製造方法でもあり、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層を０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度により形成する工程と、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有すると共に銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層を前記窒素含有層に隣接させて形成する工程とを含む。

　以上のような構成の本発明のタッチパネル用透明電極は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層に隣接して、銀または銀を主成分とする合金からなる電極層を設けた構成である。これにより、窒素含有層に隣接して電極層を成膜する際には、電極層を構成する銀原子が窒素含有層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀が凝集することなく、連続膜として構成され易いことによって導電性が確保されたものとなっている。また電極層は、１２ｎｍ以下であることにより、電極用の膜としての実用性を確保しつつも光の吸収成分または反射成分が低く抑えられたものとなっている。そして特に、窒素含有層が０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜されたものであることにより、以降の実施例で説明するように、窒素含有層に隣接する電極層を、より連続性が高い膜とすることが可能となり、これによっても電極層の導電性および光透過性の向上が図られている。

　以上説明したように本発明によれば、実質的に電極としての機能を果たす電極層が、十分な光透過性を有しつつも導電性に優れたタッチパネル用透明電極を提供することが可能であり、またこのタッチパネル用透明電極を用いたことにより下地となる表示画像の視認性の向上が図られたタッチパネルおよび表示装置を提供することが可能である。

本発明の第１実施形態に係るタッチパネル用透明電極（２層構造）の構成を示す断面模式図である。窒素原子の結合様式を説明するためのＴＢＡＣとＩｒ（ｐｐｙ）_３の構造式を示す図である。ピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。 δ－カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。本発明の第１実施形態に係るタッチパネル用透明電極の製造方法を示す断面工程図である。本発明の第２実施形態に係るタッチパネル用透明電極（３層構造）の構成を示す断面模式図である。本発明の第３実施形態に係るタッチパネル用透明電極（４層構造）の構成を示す断面模式図である。本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの構成を示す斜視図である。本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの電極構成を示す２枚の透明電極の平面図である。本発明の第４実施形態に係るタッチパネルにおける電極部分の平面配置を示す模式図である。本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図１２に示すＡ－Ａ断面に相当する図である。本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１の構成を示す断面模式図である。本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの変形例２の構成を示す断面模式図である。本発明の第５実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。本発明の第６実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。本発明の第７実施形態に係るタッチパネルにおける電極部分の平面配置を示す模式図である。本発明の第７実施形態に係るタッチパネルの電極構成を示す拡大図平面図である。本発明の第７実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。本発明の第８実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。実施例１で作製した試料５の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料６の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料７の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料８の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料９の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料１０の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料１１の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料１２の透明電極のＳＥＭ画像である。実施例１で作製した試料１３の透明電極のＳＥＭ画像である。透明電極を構成する窒素含有層の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］とシート抵抗との関係を示すグラフである。

　以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
１．第１実施形態：２層構造のタッチパネル用透明電極
２．第２実施形態：３層構造のタッチパネル用透明電極
３．第３実施形態：４層構造のタッチパネル用透明電極
４．第４実施形態：タッチパネル…１枚の透明基板上に二層の透明電極を設けた構成
　４-1．第４実施形態のタッチパネルの変形例１
　４-2．第４実施形態のタッチパネルの変形例２
　４-3．第４実施形態のタッチパネルの変形例３
５．第５実施形態：タッチパネル…２枚の透明基板のそれぞれに透明電極を設けた構成
６．第６実施形態：タッチパネル…１枚の透明基板の両面に透明電極を設けた構成
７．第７実施形態：タッチパネル…透明基板上に２パターンの透明電極と共に接続電極を設けた構成
８．第８実施形態：表示装置…タッチパネルを用いた構成

≪１．第１実施形態：２層構造のタッチパネル用透明電極≫
　図１は、本発明の第１実施形態に係るタッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する）の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極１は、窒素含有層３と電極層５とを積層した２層構造であり、例えば透明基板１１の上部に、窒素含有層３、電極層５の順に設けられている。このうち、透明電極１における実質的な電極部分を構成する電極層５は、銀または銀（Ａｇ）を主成分として構成された層であり、ここでは窒素含有層３に隣接した状態で積層されている。一方、電極層５に隣接して配置された窒素含有層３は、電極層５を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子（Ｎ）を含有する化合物を用いて構成されており、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜されたことを特徴としている。

　以下に、このような積層構造の透明電極１が設けられる透明基板１１、透明電極１を構成する窒素含有層３、および電極層５の順に、詳細な構成を説明する。尚、本発明の透明電極１の透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。

＜透明基板１１＞
　本発明の透明電極１が形成される透明基板１１は、例えば表示パネルの前面板を兼ねるものであっても良い。このような透明基板１１としては、例えばガラス、石英、透明樹脂フィルムである。特に好ましい基材１１は、透明電極１およびこれを用いて構成される有機電界発光素子などの電子デバイスにフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

　ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、窒素含有層３との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理を施したり、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。

　樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

　樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、ＪＩＳ－Ｋ－７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ²・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ－Ｋ－７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０^-3ｍｌ／（ｍ²・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０^-5ｇ／（ｍ²・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

　以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

　バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

＜窒素含有層３＞
　窒素含有層３は、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜され、窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物を用いて構成された層である。より好ましくは、窒素含有層３は、０．５ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された層である。このような窒素含有層３は、透明基板１１上において電極層５に隣接して設けられる。

　以上のような窒素含有層３を構成する窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物は、特に次の様な化合物であることが好ましい。すなわち、窒素含有層３を構成する窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物は、化合物に含有される窒素原子のうち、特に電極層５を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対を［有効非共有電子対］とし、この［有効非共有電子対］の含有率が所定範囲であることが好ましい。

　ここで［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」(ｎ＝０、または自然数)個であることを条件としている。

　以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子の非共有電子対が、芳香族性に必須要素として直接的に関与しない非共有電子対、すなわち共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に芳香族性発現のために必須のものとして関与していない非共有電子対であれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対が芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。尚、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。

　次に、上述した［有効非共有電子対］について、具体例を挙げて詳細に説明する。

　窒素原子は、第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となる。このため、通常、窒素原子の結合本数は３本である。

　例えば、窒素原子を有する基として、アミノ基（－ＮＲ^１Ｒ^２）、アミド基（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１Ｒ^２）、ニトロ基（－ＮＯ_２）、シアノ基（－ＣＮ）、ジアゾ基（－Ｎ_２）、アジド基（－Ｎ_３）、ウレア結合（－ＮＲ^１Ｃ＝ＯＮＲ^２－）、イソチオシアネート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（－Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ^１Ｒ^２）などが挙げられる。尚、Ｒ^１，Ｒ^２は、それぞれ水素原子（Ｈ）または置換基である。これらの基を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していないため、［有効非共有電子対］に該当する。このうち、ニトロ基（－ＮＯ_２）の窒素原子が有する非共有電子対は、酸素原子との共鳴構造に利用されているものの、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］として窒素上に存在すると考えられる。

　また、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。この場合の一例を図２を用いて説明する。図２は、テトラブチルアンモニウムクロライド（ＴＢＡＣ）の構造式と、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（III）［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］の構造式である。

　このうち、ＴＢＡＣは、四つのブチル基のうちの１つが窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。この場合、窒素原子の非共有電子対を構成する電子のうちの１つは、ブチル基とのイオン結合に供与される。このため、ＴＢＡＣの窒素原子は、そもそも非共有電子対が存在していないと同等になる。したがって、ＴＢＡＣを構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。

　また、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３は、イリジウム原子と窒素原子とが配位結合している中性の金属錯体である。このＩｒ（ｐｐｙ）_３を構成する窒素原子の非共有電子対は、イリジウム原子に配位していて、配位結合に利用されている。したがって、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３を構成する窒素原子の非共有電子対も、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。

　また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、たとえば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。

　図３は、以上に例示した基のうちの一つであるピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。図３に示すとおり、ピリジン環は、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０または自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、－ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。

　したがって、ピリジン環を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に該当する。

　図４は、ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。図４に示すとおり、ピロール環は、５員環を構成する炭素原子のうちの一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員される。

　したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、この非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして利用されているため、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。

　図５は、イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。図５に示すとおり、イミダゾール環は、二つの窒素原子Ｎ^１，Ｎ^２が、５員環内の１、３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。このうち一つの窒素原子Ｎ^１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子であり、この窒素原子Ｎ^１の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当する。これに対して、他方の窒素原子Ｎ^２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子であるため、この窒素原子Ｎ^２の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。

　したがって、イミダゾール環においては、これを構成する二つの窒素原子Ｎ^１，Ｎ^２のうちの一つの窒素原子Ｎ^１の非共有電子対のみが、［有効非共有電子対］に該当する。

　以上のような「含窒素芳香環」の窒素原子における非共有電子対の選別は、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物の場合も同様に適用される。

　図６は、δ－カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。図６に示すとおり、δ－カルボリン環は、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物であり、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格、およびピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。このうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は１個の不対電子のみをπ電子系に動員し、ピロール環の窒素原子Ｎ^４は非共有電子対をπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。

　したがって、δ-カルボリン環の二つの窒素原子Ｎ^３，Ｎ^４のうち、ピリジン環を構成する窒素原子Ｎ^３の非共有電子対は［有効非共有電子対］に該当するが、ピロール環を構成する窒素原子Ｎ^４の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。

　このように、縮環化合物を構成する窒素原子の非共有電子対は、縮環化合物を構成するピリジン環やピロール環等の単環中の結合と同様に、縮環化合物中の結合に関与する。

　そして以上説明した［有効非共有電子対］は、電極層５の主成分である銀と強い相互作用を発現するために重要である。そのような［有効非共有電子対］を有する窒素原子は、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。したがって、窒素含有層３に含有される化合物は、［有効非共有電子対］を持つ窒素原子をヘテロ原子とした芳香族複素環を有することが好ましい。

　特に本実施形態においては、このような化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、例えば有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義する。そして窒素含有層３は、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物を用いて構成されているところが特徴的である。また窒素含有層３は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、３．９×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば好ましく、６．５×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であればさらに好ましい。

　また窒素含有層３は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物を用いて構成されていれば良く、このような化合物のみで構成されていても良く、またこのような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていても良い。他の化合物は、窒素原子が含有されていてもいなくても良く、さらに有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲でなくても良い。

　窒素含有層３が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。つまり窒素含有層３自体の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であることが好ましい。

　尚、窒素含有層３が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、膜厚方向に化合物の混合比（含有比）が異なる構成であれば、電極層５と接する側の窒素含有層３の表面層における有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であれば良い。

［化合物Ｉ］
　以下に、窒素含有層３を構成する化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物の具体例（No.１～No. ４８）を示す。各化合物No.１～No.４８には、［有効非共有電子対］を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表１には、これらの化合物No.１～No. ４８の分子量Ｍ、［有効非共有電子対］の数ｎ、および有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を示す。下記化合物３３の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。

　尚、上記表１には、これらの例示化合物が、以降に説明する他の化合物ＩＩを表す一般式（１）～（８ａ）にも属する場合の該当一般式を示した。

［化合物ＩＩ］
　また窒素含有層３を構成する化合物としては、以上のような有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物に加え、他の化合物を用いても良い。窒素含有層３に用いられる他の化合物は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲で有る無しにかかわらず、窒素原子を含有する化合物が好ましく用いられる。中でも［有効非共有電子対］を有する窒素原子を含有する化合物が特に好ましく用いられる。また窒素含有層３に用いられる他の化合物は、その成膜性等の観点から窒素含有層３を構成する化合物として、以降に説明する一般式（１）～（８ａ）で表される構造を有する化合物が好ましく用いられる。

　これらの一般式（１）～（８ａ）で示される構造を有する化合物の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層３を構成する化合物として用いることができる（上記表１参照）。一方、下記一般式（１）～（８ａ）で示される構造を有する化合物が、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまらない化合物であれば、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した範囲の化合物と混合することで窒素含有層３を構成する化合物として用いることができる。

　上記一般式（１）中におけるＸ１１は、－Ｎ（Ｒ１１）－または－Ｏ－を表す。また一般式（１）中におけるＥ１０１～Ｅ１０８は、各々－Ｃ（Ｒ１２）＝または－Ｎ＝を表す。Ｅ１０１～Ｅ１０８のうち少なくとも１つは－Ｎ＝である。上記Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれが水素原子（Ｈ）または置換基を表す。

　この置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

　これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。これらの置換基は、化合物と銀（Ａｇ）との相互作用を阻害することのないものが好ましく用いられ、さらには上述した有効非共有電子対を有する窒素を有するものが特に好ましく適用される。尚、以上の置換基に関する記述は、以降に説明する一般式（２）～（８ａ）の説明において示される置換基に対して同様に適用される。

　以上のような一般式（１）で表される構造を有する化合物は、化合物中の窒素と、電極層５を構成する銀との間で強力な相互作用を発現できるため、好ましい。

　上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を－Ｎ（Ｒ１１）－とした化合物である。このような化合物であれば、上記相互作用をより強力に発現できるため、好ましい。

　上記一般式（１ａ－１）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０４を－Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

　上記一般式（１ａ－２）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０３およびＥ１０６を－Ｎ＝とした化合物である。このような化合物は、窒素原子の数が多いことから、より強力に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

　上記一般式（１ｂ）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を－Ｏ－とし、Ｅ１０４を－Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

　さらに、以下の一般式（２）～（８ａ）で表される構造を有する化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。

　上記一般式（２）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（２）の式中、Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ２０１～Ｅ２１６、Ｅ２２１～Ｅ２３８は、各々－Ｃ（Ｒ２１）＝または－Ｎ＝を表す。Ｒ２１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。ただし、Ｅ２２１～Ｅ２２９の少なくとも１つ、およびＥ２３０～Ｅ２３８の少なくとも１つは－Ｎ＝を表す。ｋ２１およびｋ２２は０～４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は２以上の整数である。

　一般式（２）において、Ｙ２１で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジイル基、３，３’－ビフェニルジイル基、３，６－ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。

　また一般式（２）において、Ｙ２１で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。

　Ｙ２１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

　一般式（２）において、Ｅ２０１～Ｅ２０８のうちの６つ以上、およびＥ２０９～Ｅ２１６のうちの６つ以上が、各々－Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。

　一般式（２）において、Ｅ２２５～Ｅ２２９の少なくとも１つ、およびＥ２３４～Ｅ２３８の少なくとも１つが－Ｎ＝を表すことが好ましい。

　さらには、一般式（２）において、Ｅ２２５～Ｅ２２９のいずれか１つ、およびＥ２３４～Ｅ２３８のいずれか１つが－Ｎ＝を表すことが好ましい。

　また、一般式（２）において、Ｅ２２１～Ｅ２２４およびＥ２３０～Ｅ２３３が、各々－Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。

　さらに、一般式（２）で表される化合物において、Ｅ２０３が－Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ２１１も同時に－Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましい。

　さらに、Ｅ２２５及びＥ２３４が－Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ２２１～Ｅ２２４およびＥ２３０～Ｅ２３３が、各々－Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。

　上記一般式（３）は、一般式（１ａ－２）の一形態でもある。上記一般式（３）の式中、Ｅ３０１～Ｅ３１２は、各々－Ｃ（Ｒ３１）＝を表し、Ｒ３１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。また、Ｙ３１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。

　また一般式（３）において、Ｙ３１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、一般式（２）のＹ２１と同様のものが挙げられる。

　上記一般式（４）は、一般式（１ａ－１）の一形態でもある。上記一般式（４）の式中、Ｅ４０１～Ｅ４１４は、各々－Ｃ（Ｒ４１）＝を表し、Ｒ４１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。またＡｒ４１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。さらにｋ４１は３以上の整数を表す。

　また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ－テルフェニル環、ｍ－テルフェニル環、ｐ－テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有しても良い。

　また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。尚、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は、さらに一般式（１）において、Ｒ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有しても良い。

　上記一般式（５）の式中、Ｒ５１は置換基を表す。Ｅ５０１，Ｅ５０２、Ｅ５１１～Ｅ５１５、Ｅ５２１～Ｅ５２５は、各々－Ｃ（Ｒ５２）＝または－Ｎ＝を表す。Ｅ５０３～Ｅ５０５は、各々－Ｃ（Ｒ５２）＝を表す。Ｒ５２は、水素原子（Ｈ）または置換基を表す。Ｅ５０１およびＥ５０２のうちの少なくとも１つは－Ｎ＝であり、Ｅ５１１～Ｅ５１５のうちの少なくとも１つは－Ｎ＝であり、Ｅ５２１～Ｅ５２５のうちの少なくとも１つは－Ｎ＝である。

　上記一般式（６）の式中、Ｅ６０１～Ｅ６１２は、各々－Ｃ（Ｒ６１）＝または－Ｎ＝を表し、Ｒ６１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。またＡｒ６１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。

　また一般式（６）において、Ａｒ６１が表す、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。

　上記一般式（７）の式中、Ｒ７１～Ｒ７３は、各々水素原子（Ｈ）または置換基を表し、Ａｒ７１は、芳香族炭化水素環基あるいは芳香族複素環基を表す。

　また一般式（７）において、Ａｒ７１が表す芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。

　上記一般式（８）は、一般式（７）の一形態でもある。上記一般式（８）の式中、Ｒ８１～Ｒ８６は、各々水素原子（Ｈ）または置換基を表す。Ｅ８０１～Ｅ８０３は、各々－Ｃ（Ｒ８７）＝または－Ｎ＝を表し、Ｒ８７は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。Ａｒ８１は、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。

　また一般式（８）において、Ａｒ８１が表す、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。

　上記一般式（８ａ）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（８）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（８）におけるＡｒ８１がカルバゾール誘導体である。上記一般式（８ａ）の式中、Ｅ８０４～Ｅ８１１は、各々－Ｃ（Ｒ８８）＝または－Ｎ＝を表し、Ｒ８８は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。Ｅ８０８～Ｅ８１１のうち少なくとも一つは－Ｎ＝であり、Ｅ８０４～Ｅ８０７、Ｅ８０８～Ｅ８１１は、各々互いに結合して新たな環を形成してもよい。

［化合物ＩＩＩ］
　また窒素含有層３を構成するさらに他の化合物として、以上のような一般式（１）～（８ａ）で表される構造を有する化合物の他、下記に具体例を示す化合物１～１６６が例示される。これらの化合物は、電極層５を構成する銀と相互作用する窒素原子を含有する化合物である。尚、これらの化合物１～１６６の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層３を構成する化合物として用いることができる。さらに、これらの化合物１～１６６の中には、上述した一般式（１）～（８ａ）に当てはまる化合物もある。

［化合物の合成例］
　以下に代表的な化合物の合成例として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。

　工程１：（中間体１の合成）
　窒素雰囲気下、２，８－ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中で混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ－ヘプタン：トルエン＝４：１～３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。

　工程２：（中間体２の合成）
　室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ－ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。

　工程３：（化合物５の合成）
　窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２－フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η_６－Ｃ_６Ｈ_６）ＲｕＣｌ_２］_２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。

　反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下（８００Ｐａ、８０℃）において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ_２Ｃｌ_２：Ｅｔ_３Ｎ＝２０：１～１０：１）にて精製した。

　減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物５を収率６８％で得た。

＜電極層５＞
　電極層５は、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された層であって、図１の断面模式図に示すように、窒素含有層３に隣接して設けられた層である。この電極層５は、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有する。電極層５は、シート抵抗の測定が可能な膜厚とすることにより、電極層５を構成する金属が面内方向においての２次元的な連続性を備えたものとなり、電極用の膜としての実用性が確保されている。また電極層５は、１２ｎｍ以下の膜厚であることにより、電極層５における吸収成分または反射成分が低く抑えられ、透明電極１の光透過率が確保されている。また、電極層５は、少なくとも厚さが４ｎｍ以上あれば、透明電極１の導電性が確保される。

　このような電極層５を構成する金属は、例えば銀（Ａｇ）、または銀を主成分とした合金である。銀（Ａｇ）とは、銀の安定性を確保するために添加されるパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などを含んでいてもよく、銀の純度が９９％以上のものとする。また銀を主成分とした合金とは、銀の含有率が５０％以上のものとする。このような合金の一例として、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、銀金（ＡｇＡｕ）、銀アルミ（ＡｇＡｌ）、銀亜鉛（ＡｇＺｎ）、銀錫（ＡｇＳｎ）、銀白金（ＡｇＰｔ）、銀チタン（ＡｇＴｉ）、銀ビスマス（ＡｇＢｉ）などが挙げられる。

　また以上のような電極層５は、銀または銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。

　また、上述の電極層５は、電極パターンとして形成されていることが好ましい。電極層５の電極パターンとしては、例えば、マトリクス状に複数の電極パターンが形成されていることが好ましい。マトリクス状の電極パターンとしては、複数のｘ電極パターンまたはｙ電極パターンを有し、各ｘ電極パターンまたはｙ電極パターンが、それぞれがｘ方向又はｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置される。これらの各ｘ電極パターン又はｙ電極パターンは、例えばｘ方向に配列されたひし形やその他の形状のパターン部分を、ｘ方向またはｙ方向に直線状に連結した形状とすることができる。また、各ｘ電極パターンとｙ電極パターンとは、絶縁膜を介することで絶縁されていることとする。さらにまた、各ｘ電極パターン、ｙ電極パターンの端部に、電極層５からなる配線パターンが接続され、透明基板１１上における周縁領域から端縁にこの配線パターンが引き出されていてもよい。

　また、透明電極１は、ｘ電極パターン又はｙ電極パターンのいずれか一方の電極パターンを有する構成としてもよく、ｘ電極パターンとｙ電極パターンとの両方の電極パターンを有する構成としてもよい。さらに、電極パターンとしては、上記マトリクス状に限らず、他のパターンとしてもよい。

＜保護層＞
　尚、以上のような電極層５を有する透明電極１は、電極層５を覆う状態で保護層を備えていてもよい。この場合、透明電極１の光透過性を損なうことのないように、保護層が光透過性を有することが好ましい。

　保護層は、透明電極１の電極層５を覆う、板状又はフィルム状の部材や、電極層５を覆う無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成された保護層等から構成される。この保護層は、透明電極１において少なくとも電極層５を覆う状態で設けられている。

　保護層を構成する板状又はフィルム状の部材としては、上述の透明基板１１と同様の部材を用いることができる。なかでも、透明電極１を薄型化できることから、薄型の樹脂フィルムを好ましく使用することができる。

　さらに樹脂フィルムは、透明基板１１と同様に、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。被膜は、ＪＩＳ－Ｋ－７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^－３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ－Ｋ－７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下であることが好ましい。

　また、無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成された保護層としては、特に、水分や酸素等、電極層５の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることが好ましい。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。

　これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

＜透明電極１の製造方法＞
　次に、透明電極１の製造方法を、図７を用いて説明する。

　先ず図７Ａに示すように、透明基板１１上に、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度により、窒素含有層３を形成する。より好ましくは、０．５ｎｍ／秒以上の成膜速度により、窒素含有層３を形成する。この窒素含有層３の形成は、インクジェット法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、蒸着法が好ましく適用されるが、スパッタ法であっても良い。

　尚、複数の化合物を用いて窒素含有層３を蒸着法によって成膜する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて窒素含有層３を成膜する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すれば良い。

　次に図７Ｂに示すように、窒素含有層３上に隣接して、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層５を成膜する。電極層５の成膜は、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、蒸着法が好ましく適用されるが、スパッタ法であっても良く、電極層５として用いられる材料によって適する成膜方法が選択される。尚、複数の材料を用いた電極層５の成膜において、スパッタ法を適用した電極層５の成膜を行う場合であれば、主材料である銀（Ａｇ）に対して添加する元素の濃度があらかじめ調整されたスパッタターゲット用意し、このスパッタゲートを用いたスパッタ成膜を行う。また特に、添加する元素としてアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、Ｉｎ（インジウム）を用いる場合であれば、蒸着法を適用した電極層５の成膜が行われる。この場合、これらの添加元素と銀（Ａｇ）とを共蒸着する。この際、添加元素の蒸着速度と銀（Ａｇ）の蒸着速度とをそれぞれ調整することにより、主材料である銀（Ａｇ）に対して添加する元素の添加濃度を調整した蒸着成膜を行う。

　また電極層５を成膜する際には、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度により成膜することが好ましい。所定の成膜速度で成膜された窒素含有層３に隣接させて、電極層５を所定の成膜速度で成膜することにより、より連続性の高い膜で電極層５を形成することができる。

　以上により、透明基板１１上に所望の透明電極１が得られる。

＜第１実施形態に係る透明電極１の効果＞
　以上のような構成の透明電極１は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層３に隣接して、銀または銀を主成分とする合金からなる電極層５を設けた構成である。これにより、窒素含有層３の上部に電極層５を成膜する際には、電極層５を構成する銀原子が窒素含有層３を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の窒素含有層３表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって連続膜が成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の電極層５が得られるようになる。

　また、窒素含有層３は、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された層である。さらに好ましくは、０．５ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された層である。これにより、この窒素含有層３に隣接して設けられる電極層５が、より連続性の高い膜となる。これは、後の実施例で詳細に説明するように、窒素含有層３の成膜速度が速いほど、この窒素含有層３に隣接して設けられる電極層５が、より連続性の高い膜となることが確認されている。この理由として、次のような仮説が考えられている。すなわち、窒素含有層３の成膜速度が速いほど、成膜された窒素含有層３の表面がより欠陥の多い不安定な状態となり、電極層５を構成する銀原子が窒素含有層３を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用しやすくなるからだと推察される。

　また、透明電極１を構成する電極層５は、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有する。これにより、電極層５は、電極用の膜としての実用性を確保しつつも光の吸収成分または反射成分が低く抑えられたものとなる。さらに、このように薄い膜厚である電極層５は、上述したように窒素含有層３に隣接して設けられることにより、均一な膜厚と連続性を有する。したがって、電極層５は、上述したように１２ｎｍ以下と言った極薄膜でありながらも、確実にシート抵抗の測定が可能な導電性を有するものとなる。これは、後の実施例で詳細に説明するように、このように窒素含有層３を０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜し、これに隣接して電極層５を設けた場合には、極薄膜でありながらもシート抵抗の測定が可能な電極層５が形成されることからも確認された。

　以上のように、透明電極１は、薄膜でありながらも光透過性の向上と共に導電性の向上が図られたものとなり、さらに電極層５の連続性が高く均質であることによって光散乱も抑えられたものとなる。この結果、透明電極１は下地となる表示画像の視認性が良好であり、タッチパネル用の透明電極として良好に適用できる。

　しかも、このような透明電極１は、後の実施例で詳細に説明するように、ＩＴＯを用いた透明電極と比較して、薄膜でありながらもシート抵抗が低いことが確認された。これにより、パターニングされた電極層５の自体の視認性を抑えつつ、電極層５の電圧降下を抑制できるため、大型化されたタッチパネル用の透明電極としても好適に用いられる。

　またこのような透明電極１は、レアメタルであるインジウム（Ｉｎ）を用いていないため低コストであり、またＺｎＯのような化学的に不安定な材料を用いていないため長期信頼性にも優れている。

≪２．第２実施形態：３層構造のタッチパネル用透明電極≫
　図８は、本発明の第２実施形態に係るタッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する）の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極１ａが、先の図１を用いて説明した透明電極と異なるところは、高屈折率層Ｈを設けて３層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

　すなわち、３層構造の透明電極１ａは、電極層５との間に窒素含有層３を狭持する位置に、窒素含有層３よりも屈折率の高い高屈折率層Ｈを備えた３層構造であり、透明基板１１の上部に、高屈折率層Ｈ、窒素含有層３、電極層５の順に設けられている。このうち、高屈折率層Ｈは、以下のような構成である。

＜高屈折率層Ｈ＞
　高屈折率層Ｈは、上層の窒素含有層３よりも高い屈折率を有する層である。高屈折率層Ｈの屈折率は、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が、窒素含有層３の屈折率（ｎ＝１．７～１．８）より０．１以上高いと好ましく、０．３以上高いとさらに好ましい。典型的には、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が２．０以上の層であることが好ましい。このような高屈折率層Ｈは、先に説明した高い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成され、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２：ｎ＝２．３～２．４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ：ｎ＝２．４）、酸化カドミウム（ＣｄＯ：ｎ＝２．４９）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：ｎ＝２．１～２．２）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＺｎＯ：ｎ＝２．０～２．４）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：ｎ＝１．９～２．１）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２：ｎ＝１．９～２．１）、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５：ｎ＝２．１６）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５：ｎ＝２．２～２．４）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２：ｎ＝２．２）等が用いられる他、光学フィルムに一般的に用いられる高屈折率材料が用いられる。

　尚、高屈折率層Ｈは、導電性を有する材料で構成されている場合であっても、電極の主材料として用いられることはないが、導電性を有する材料で構成されている場合であれば電極層５と同様に導電できるようにパターニングされていることとする。また、電極として必要な膜厚を備えている必要はない。

　以上のような高屈折率層Ｈが透明基板１１上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）またはスパッタ法が挙げられる。特に、ＥＢ蒸着であれば、イオンアシストを用いた方法が好適である。このような高屈折率層Ｈの成膜方法は、これを構成する材料によって適切な方法が選択されることとする。

　尚、ここでの図示は省略したが、透明電極１ａは、高屈折率層Ｈに接して低屈折率層が設けられていてもよい。図８に示す構成においては、高屈折率層Ｈと窒素含有層３が接する面とは反対の面、すなわち、高屈折率層Ｈと透明基板１１の間に低屈折率層を有していてもよい。高屈折率層Ｈに接して低屈折率層を有することで、光学アドミッタンスを調整することにより、透明電極の光透過性がさらに向上する。

　このような低屈折率層は、高屈折率層Ｈよりも低い屈折率を有する層である。特に波長５５０ｎｍにおける屈折率が、高屈折率層Ｈよりも０．１以上低いことが好ましく、高屈折率層Ｈよりも０．３以上低いことがさらに好ましい。このような低屈折率層は、低い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成される。例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ_３）等が用いられる他、光学フィルムに一般的に用いられる低屈折率材料が用いられる。

＜第２実施形態に係る透明電極１ａの効果＞
　以上のように構成された透明電極１ａでは、先の第１実施形態の透明電極の効果に加え、さらに窒素含有層３に接して高屈折率層Ｈを設けた３層構造であることにより、銀を主成分とする電極層５で生じる反射が抑制され、これと共にタッチパネル用透明電極１ａにおける光散乱がさらに抑制される。この結果、透明電極１ａは、下地となる表示画像の視認性がさらに良好なものとなり、タッチパネル用の透明電極としてさらに良好に適用可能なものとなる。

≪３．第３実施形態：４層構造のタッチパネル用透明電極≫
　図９は、本発明の第３実施形態に係るタッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する）の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極１ｂが、先の図１を用いて説明した透明電極と異なるところは、２つの高屈折率層Ｈを設けて４層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

　すなわち、４層構造の透明電極１ｂは、２つの高屈折率層Ｈの間に、窒素含有層３と電極層５とを挟んだ４層構造であり、例えば透明基板１１の上部に、高屈折率層Ｈ、窒素含有層３、電極層５、高屈折率層Ｈの順に設けられている。このうち、２つの高屈折率層Ｈは、先の図８に示した３層構造の透明電極に用いた高屈折率層と同様のものであって良い。

　これらの２つの高屈折率層Ｈは、同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良い。また同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。ただし、電極層５がパターニングされている場合において、２つの高屈折率層Ｈのうち電極層５に隣接して配置される高屈折率層Ｈは、次のようである。すなわち、この高屈折率層Ｈは、先の高屈折率材料として示した材料のうち、導電性を有する材料で構成されている場合であれば、電極層５と同様にパターニングされている必要がある。一方、この高屈折率層Ｈは、導電性を有していない材料で構成されている場合であれば、パターニングされていてもされていなくても良い。

　また透明電極１ｂは、ここでの図示を省略した低屈折率層を備えていてもよい。例えば、図９に示す透明電極１ｂでは、２つの高屈折率層Ｈをさらに外側から挟む状態で、２つの低屈折率層が設けられていても良い。高屈折率層Ｈの外側に低屈折率層を有することにより、透明電極の光透過性がさらに向上する。これらの低屈折率層は、第２実施形態で説明した低屈折率層と同様のものが用いられる。

＜第３実施形態に係る透明電極１ｂの効果＞
　このような透明電極１ｂは、窒素含有層３と電極層５とを２つの高屈折率層Ｈにより挟持した構成であり、高屈折率層Ｈ、窒素含有層３、電極層５、および高屈折率層Ｈがこの順に積層されている。これにより、透明電極１ｂは、図８に示した３層構造の透明電極と比較して、さらに電極層５で生じる反射が抑制されて光透過率の向上を図ることが可能になり、さらに下地の表示画像の視認性の向上を図ることが可能になる。

≪４．第４実施形態：タッチパネル≫
（１枚の透明基板上に二層の透明電極を設けた構成）
　図１０は、本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの概略構成を示す斜視図である。また図１１は、このタッチパネルの電極構成を示す２枚の透明電極１-1，１-2の平面図である。

　これらの図に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、１枚の透明基板１１の一主面上に、第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2は、それぞれが、図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極である。したがって、第１の透明電極１-1は、第１の窒素含有層３-1と第１の電極層５-1とがこの順に積層された構成である。同様に第２の透明電極１-2は、第２の窒素含有層３-2と第２の電極層５-2とがこの順に積層された構成である。

　以下、タッチパネル２１を構成する主要各層の詳細を、透明基板１１側から順に説明する。尚、ここでは、図１０および図１１と共に、図１２の電極部分の平面模式図および、そのＡ－Ａ断面に相当する図１３の断面模式図を用いて説明を行う。また、先の実施形態で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

＜透明基板１１＞
　透明基板１１は、先のタッチパネル用透明電極で説明した透明基板１１である。

＜第１の窒素含有層３-1（第１の透明電極１-1）＞
　第１の窒素含有層３-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した窒素含有層であり、透明基板１１の一主面に成膜されている。ここでは一例として、第１の窒素含有層３-1は、透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第１の電極層５-1と同一形状にパターニングされていても良い。

＜第１の電極層５-1（第１の透明電極１-1）＞
　第１の電極層５-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した電極層であり、第１の窒素含有層３-1上においてパターニングされた複数のｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…として構成されている。各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、例えばｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｘ方向に直線状に連結した形状であることとする。

　また、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…には、それぞれの端部にｘ配線１７ｘが接続されている。これらのｘ配線１７ｘは、透明基板１１上における周縁領域において配線され、透明基板１１の端縁に引き出されている。このような各ｘ配線１７ｘは、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と同様に、銀を主成分とする第１の電極層５-1として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。

＜第２の窒素含有層３-2（第２の透明電極１-2）＞
　第２の窒素含有層３-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した窒素含有層であり、第１の電極層５-1を覆う状態で、透明基板１１の一主面に成膜されている。このような第２の窒素含有層３-2は、第１の電極層５-1を覆いつつ、少なくともｘ配線１７ｘの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。ここでは一例として、第２の窒素含有層３-2は、ｘ配線１７ｘの端子部分を露出させ、他の部分は透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第２の電極層５-2と同一形状にパターニングされていても良い。

＜第２の電極層５-2（第２の透明電極１-2）＞
　第２の電極層５-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した電極層であり、第２の窒素含有層３-2上においてパターニングされた複数のｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…として構成されている。各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、それぞれがｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、例えばｙ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｙ方向に直線状に連結した形状であることとする。

　ここで、図１２に示すように、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するひし形のパターン部分は、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…を形成するひし形のパターン部分に対して平面視的に重なることのない位置に配置され、重なることのない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板１１の中央部の領域においては、第１の電極層５-1で構成されたｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…、および第２の電極層５-2で構成されたｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…が視認され難い構成となっている。

　各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と積層される。これらの積層部分には、第２の窒素含有層３-2が挟持され、これによってｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…との絶縁性が確保された状態となっている。

　また、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…には、それぞれの端部にｙ配線１７ｙが接続されている。これらのｙ配線１７ｙは、透明基板１１上における周縁領域において配線され、ｘ配線１７ｘと並ぶように透明基板１１の端縁に引き出されている。このような各ｙ配線１７ｙは、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…と同様に、銀を主成分とする第２の電極層５-2として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。

　尚、透明基板１１の端縁に引き出されたｘ配線１７ｘおよびｙ配線１７ｙには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。

＜前面板１３＞
　図１０および図１３に図示した前面板１３は、タッチパネル２１において入力位置に対応する部分が押し圧される板材である。このような前面板１３は、光透過性を有する板材であって、透明基板１１と同様のものが用いられる。またこの前面板１３は、必要に応じた光学特性を備えた材料を選択して用いても良い。このような前面板１３は、例えば接着剤１５に（図１３参照）よって第２の透明電極１-2側に張り合わせられていることとする。この接着剤１５は、光透過性および絶縁性を有するものであれば特に材料が限定されることはない。

　またこの前面板１３には、透明基板１１の周縁を覆う遮光膜が設けられ（図１０参照）、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…から引き出されたｘ配線１７ｘ、およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…から引き出されたｙ配線１７ｙが、前面板１３側から視認されることを防止している。

＜タッチパネルの動作＞
　以上のようなタッチパネル２１を動作させる場合、ｘ配線１７ｘおよびｙ配線１７ｙに接続させたフレキシブルプリント基板などから、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…に対して電圧を印加しておく。この状態で、前面板１３の表面に指またはタッチペンが触れると、タッチパネル２１内に存在する各部の容量が変化し、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…の電圧の変化となって現れる。この変化は、指またはタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指またはタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…でアドレスされた位置が、指またはタッチペンが触れた位置として検出される。

＜第４実施形態に係るタッチパネルの効果＞
　以上のようなタッチパネル２１は、２層の透明電極１-1，１-2として、先に説明した光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いている。これにより、下地の表示画像の視認性の向上を図ることが可能である。また、導電性が十分なことにより、タッチパネル用透明電極を大型化した際の電圧降下を抑えることができ、タッチパネル２１の大型化を図ることも可能となる。

　特に、このタッチパネル２１は、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびこれに直交して配置された電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を有する投影型静電容量式である。このため、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…には、高い導電性が要求される。しかしながら、これらのｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、先に説明したタッチパネル用透明電極の電極層５であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。したがって、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…自体が視認され難くなり、パターニングされた透明電極を有するタッチパネル２１であっても、これを介しての下地の表示画像の視認性を向上させることが可能である。

≪４-1．第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１≫
　図１４は、上述した第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１を示す断面模式図であり、図１２のＡ－Ａ断面に相当する図である。図１４に示すように、変形例１のタッチパネル２１ａは、２枚の透明電極として３層構造の透明電極（図８参照）を用いたことのみが、図１３に示すタッチパネルとは異なる。このため、図１３に示すタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

　すなわち、図１４に示す変形例１のタッチパネル２１ａは、透明基板１１の一主面上に、第１の透明電極１ａ－１および第２の透明電極１ａ－２がこの順に配置され、この上部が接着剤１５を介して前面板１３で覆われている。第１の透明電極１ａ-1および第２の透明電極１ａ-2は、それぞれが、図８を用いて説明した３層構造のタッチパネル用透明電極である。したがって、第１の透明電極１ａ-1は、透明基板１１側から順に、第１の高屈折率層Ｈ-1と、第１の窒素含有層３-1と、第１の電極層５-1とが積層された構成である。同様に第２の透明電極１ａ-2は、第１の透明電極１ａ-1側から順に、第２の高屈折率層Ｈ-2と、第２の窒素含有層３-2と、第２の電極層５-2とが積層された構成である。

　ここで、第１の高屈折率層Ｈ-1および第２の高屈折率層Ｈ-2は、次のような構成である。

＜第１の高屈折率層Ｈ-1（第１の透明電極１ａ-1）＞
　第１の高屈折率層Ｈ-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、透明基板１１の一主面に成膜されている。ここでは一例として、第１の高屈折率層Ｈ-1は、透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、先に説明した第１の窒素含有層３-1と共に、第１の電極層５-1と同一形状にパターニングされていても良い。尚、第１の高屈折率層Ｈ-1は、先の高屈折率材料として示した材料から適宜選択した材料を用いて構成される。

＜第２の高屈折率層Ｈ-2（第２の透明電極１ａ-2）＞
　第２の高屈折率層Ｈ-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、第１の電極層５-1を覆う状態で、透明基板１１の一主面に成膜されている。このような第２の高屈折率層Ｈ-2は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることとする。このような第２の高屈折率層Ｈ-2は、第１の電極層５-1を覆いつつ、少なくともｘ配線１７ｘの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。ここでは一例として、第２の高屈折率層Ｈ-2は、ｘ配線１７ｘの端子部分を露出させ、他の部分は透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、第２の窒素含有層３-2と共に第２の電極層５-2と同一形状にパターニングされていても良い。

　尚、第２の高屈折率層Ｈ-2は、絶縁性を有していれば第１の高屈折率層Ｈ-1と同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良い。また第１の高屈折率層Ｈ-1と同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。

＜変形例１のタッチパネル２１ａの効果＞
　このような変形例１のタッチパネル２１ａは、先に説明した３層構造の透明電極（図８参照）を、第１の透明電極１ａ-1および第２の透明電極１ａ-2として用いている。これにより、図１３に示した３層構造の透明電極を用いた構成のタッチパネルよりも、さらに銀を主成分とする第１の電極層５-1および第２の電極層５-2で生じる反射が抑制されたものとなり、さらなる下地の表示画像の視認性の向上を図ることが可能となる。

≪４-2．第４実施形態に係るタッチパネルの変形例２≫
　図１５は、上述した第４実施形態に係るタッチパネルの変形例２を示す断面模式図であり、図１２のＡ－Ａ断面に相当する図である。図１５に示すように、変形例２のタッチパネル２１ｂは、２枚の透明電極として４層構造の透明電極(図９参照）を用いたことのみが、図１３に示す第４実施形態のタッチパネルとは異なる。このため、図１３に示す第４実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

　すなわち、図１５に示す変形例２のタッチパネル２１ｂは、透明基板１１の一主面上に、第１の透明電極１ｂ-1および第２の透明電極１ｂ-2がこの順に配置され、この上部が接着剤１５を介して前面板１３で覆われている。第１の透明電極１ｂ-1および第２の透明電極１ｂ-2は、それぞれが、図９を用いて説明した４層構造のタッチパネル用透明電極である。ここでは、第１の透明電極１ｂ-1と第２の透明電極１ｂ-2とが、１つの高屈折率層を共有した構成であることする。したがって、第１の透明電極１ｂ-1は、透明基板１１側から順に、第１の高屈折率層Ｈ-1と、第１の窒素含有層３-1と、第１の電極層５-1と、第２の高屈折率材料Ｈ-2が積層された構成である。同様に第２の透明電極１ｂ-2は、透明基板１１側から順に、第２の高屈折率層Ｈ-2と、第２の窒素含有層３-2と、第２の電極層５-2と、第３の高屈折率層Ｈ-3が積層された構成である。

　ここで、透明基板１１から第２の電極層５-2までは、第１の高屈折率層Ｈ-1および第２の高屈折率層Ｈ-2を含んで、図１４を用いて説明したタッチパネルの変形例1と同様のものが適用される。また第３の高屈折率層Ｈ-3は、次のような構成である。

＜第３の高屈折率層Ｈ-3＞
　第３の高屈折率層Ｈ-3は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、第２の電極層５-2を覆う状態で、透明基板１１の一主面に成膜されている。このような第３の高屈折率層Ｈ-3は、例えば先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることとする。この場合、第３の高屈折率層Ｈ-3は、図示したように、第２の電極層５-2を覆いつつ、少なくともｘ配線１７ｘおよびｙ配線１７ｙの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。これに対して第３の高屈折率層Ｈ-3が、先の高屈折率材料として示した材料のうち、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＺｎＯ）のような導電性を有する材料を用いて構成されている場合、第３の高屈折率層Ｈ-3は、第２の電極層５-2と同様に導電できるようにパターニングされていることとする。

　尚、第３の高屈折率層Ｈ-3が上述した構成に保たれていれば、第３の高屈折率層Ｈ-3は、第１の高屈折率層Ｈ-1および第２の高屈折率層Ｈ-2と同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良く、同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。さらに、第３の高屈折率層Ｈ-3として接着性を有する材料が用いられる場合であれば、第３の高屈折率層Ｈ-3は、接着剤１５を兼ねても良い。

＜変形例２のタッチパネル２１ｂの効果＞
　このような変形例２のタッチパネル２１ｂは、先に説明した４層構造の透明電極（図９参照）を、第１の透明電極１ｂ-1および第２の透明電極１ｂ-2を用いている。これにより、図１４に示した３層構造の透明電極を用いた構成の変形例１のタッチパネルよりも、さらに銀を主成分とする第１の電極層５-1および第２の電極層５-2で生じる反射が抑制されたものとなり、さらなる下地の表示画像の視認性の向上を図ることが可能となる。

≪４-3．第４実施形態に係るタッチパネルの変形例３≫
　ここでの図示は省略したが、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例３として、上記図１５に示した変形例２のタッチパネル２１ｂで用いた第２の高屈折率層Ｈ-2を省略した構成が例示される。この場合、第１の窒素含有層３-1から第２の電極層５-2までの構成を２つの高屈折率層で挟持した構成となる。

　このような変形例３の構成であっても、変形例１の構成と比較して銀を主成分とする第１の電極層５-1および第２の電極層５-2で生じる反射がさらに抑制されたものとなり、さらなる下地の表示画像の視認性の向上を図ることが可能となる。

≪５．第５実施形態：タッチパネル≫
（２枚の透明基板のそれぞれに透明電極を設けた構成）
　図１６は、本発明の第５実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。尚、本第５実施形態に係るタッチパネルにおいても、タッチパネルの概略構成、タッチパネル用透明電極の電極構成、及びタッチパネルの電極部分の平面配置については、図１０～図１２に示す構成と同様である。また、図１６は図１２のＡ－Ａ断面に相当する。

　図１６に示すタッチパネル２２は、２枚の透明基板１１－１、１１－２の一主面上に、第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2を設けた構成であり、それ以外の構成は先の図１３に示した第４実施形態のタッチパネルの構成と同様である。このため、図１３に示した第４実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

　すなわち図１６に示すタッチパネル２２は、第１の透明電極１-1が設けられた第１の透明基板１１-1と、第２の透明電極１-2が設けられた第２の透明基板１１-2とを有する。これらの透明基板１１-1,１１-2は、透明電極１-1，１-2の形成面を同一方向に向け、第１の透明基板１１-1における第１の透明電極１-1の形成面上に、第２の透明基板１１-2が位置するように重ねて配置されている。また第２の透明基板１１-2に設けた第２の透明電極１-2の上部が、接着剤１５を介して前面板１３で覆われた状態となっている。

　第１の透明基板１１-1および第２の透明基板１１-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した構成と同様の透明基板１１である。また、第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2は、それぞれが図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極であり、それぞれが透明基板１１-1，１１-2上に、窒素含有層３-1，３-2、および電極層５-1，５-2をこの順に積層した構成となっている。

　また、積層された第１の透明基板１１-1と第２の透明基板１１-2との間は、ここでの図示を省略した接着剤によって貼り合せられていることとし、この接着剤によっても、第１の電極層５-1と第２の電極層５-2とが絶縁される。

　以上のようなタッチパネル２２であっても、先の第４実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。

＜第５実施形態に係るタッチパネルの効果＞
　このような構成のタッチパネル２２であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図１３を用いて説明した第４実施形態のタッチパネルと同様に、下地の表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。

　尚、以上のような構成のタッチパネル２２は、先に説明した第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１～３のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。

　例えば、本第５実施形態のタッチパネルを、第４実施形態のタッチパネルの変形例１と組み合わせた場合、図１６に示すタッチパネル２２における２層構造の透明電極１－１，１－２を、それぞれ図８に示した３層構造の透明電極と置き換える。この場合、第１の透明基板１１-1と第１の窒素含有層３-1との間に高屈折率層を設け、さらに第２の透明基板１１-2と第２の窒素含有層３-2との間に高屈折率層を設けた構成とする。

　また本第５実施形態に係るタッチパネルを、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例２と組み合わせた場合、図１６に示すタッチパネル２２における２層構造の透明電極１－１，１－２を、それぞれ図９に示した４層構造の透明電極と置き換える。この場合、各透明電極を構成する２層の高屈折率層のうち、電極層５-1，５-2に隣接して設けられる各高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されているか、または導電性材料で構成されている場合であれば隣接する電極層５-1，５-2と同一にパターニングされていることとする。

　さらに本第５実施形態に係るタッチパネルは、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例３を応用し、第１の窒素含有層３-1から第２の電極層５-2までの構成を挟持する位置のみに、２つの高屈折率層を設けた構成とすることもできる。

≪６．第６実施形態：タッチパネル≫
（１枚の透明基板の両面に透明電極を設けた構成）
　図１７は、本発明の第６実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。尚、本第６実施形態に係るタッチパネルにおいても、タッチパネルの概略構成、タッチパネル用透明電極の電極構成、及びタッチパネルの電極部分の平面配置については、図１０～図１２に示す構成と同様である。また図１７は図１２のＡ－Ａ断面に相当する。

　図１７に示すタッチパネル２３は、一枚の透明基板１１の一主面側に第１の透明電極１-1を設け、この透明基板１１の他主面側に第２の透明電極１-2を設けた構成であり、各構成要素は先の図１３に示した第４実施形態に係るタッチパネルの構成と同様である。このため、第４実施形態に係るタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

　すなわち図１７に示すタッチパネル２３は、透明基板１１の両面に設けられた第１の透明電極１-1と第２の透明電極１-2とを有する。また第２の透明電極１-2の上部が、接着剤１５を介して前面板１３で覆われた状態となっている。

　透明基板１１は、先のタッチパネル用透明電極で説明したと同様の透明基板１１である。また第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2は、それぞれが図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極である。このうち、第１の透明電極１-1は、透明基板１１の一主面側から窒素含有層３-1および電極層５-1がこの順に積層された構成である。一方、第２の透明電極１-2は、透明基板１１の他主面側から窒素含有層３-2および電極層５-2がこの順に積層された構成である。

　尚、このような構成のタッチパネル２３において、第１の透明電極１-1は、ここでの図示を省略した保護層で覆われていて良い。

　以上のようなタッチパネル２３であっても、先の第４実施形態に係るタッチパネルと同様に動作させることができる。

＜第６実施形態に係るタッチパネルの効果＞
　このような構成のタッチパネル２３であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図１３を用いて説明した第４実施形態のタッチパネルと同様に、下地の表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。

　尚、以上のような構成のタッチパネル２３は、先に説明した第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１～３のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。

　例えば、本第６実施形態に係るタッチパネルを、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１と組み合わせた場合、図１７に示すタッチパネル２３における２層構造の透明電極１-1，１-2を、それぞれ図８に示した３層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明基板１１と第１の窒素含有層３-1との間に高屈折率層を設け、さらに透明基板１１と第２の窒素含有層３-2との間に高屈折率層を設けた構成とする。

　また本第６実施形態に係るタッチパネルを、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例２と組み合わせた場合、図１７に示すタッチパネル２３における２層構造の透明電極１－１，１－２を、それぞれ図９に示した４層構造の透明電極と置き換える。この場合、各透明電極を構成する２層の高屈折率層のうち、電極層５-1，５-2に隣接して設けられる各高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されているか、または導電性材料で構成されている場合であれば隣接する電極層５-1，５-2と同一にパターニングされていることとする。

　さらに本第６実施形態に係るタッチパネルは、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例３を応用し、第１の電極層５-1から第２の電極層５-2までの構成を挟持する位置に、２つの高屈折率層を設けた構成とすることもできる。

≪７．第７実施形態：タッチパネル≫
（透明基板上に２パターンの透明電極と共に接続電極を設けた構成）
　図１８は、本発明の第７実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。図１９は、タッチパネル用透明電極の電極部分の拡大図である。図２０は、第７実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図１８および図１９のＢ－Ｂ断面に相当する図である。尚、以下の説明において、図１３に示した第４実施形態に係るタッチパネルと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

　これらの図に示すタッチパネル２４は、透明基板１１の同一平面上にｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…とを有する電極層５を有する２層構造の透明電極１を設けた構成であり、さらにこの上部に層間絶縁膜７３および接続電極７５を設けた構成である。透明電極１、層間絶縁膜７３、および接続電極７５が設けられた上部が、接着剤１５を介して前面板１３で覆われた状態となっている。

　すなわちタッチパネル２４は、透明基板１１と、透明基板１１の一主面上に設けられた透明電極１と、さらにこの上部に設けられた層間絶縁膜７３および接続電極７５を備えている。透明電極１は、図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極であり、透明基板１１上に、窒素含有層３および電極層５をこの順に積層した構成となっている。このうち電極層５が、窒素含有層３上に互いに絶縁状態を保って設けられたｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…とを有するところが特徴的である。

＜透明基板１１および窒素含有層３＞
　透明基板１１および窒素含有層３は、それぞれ先のタッチパネル用透明電極で説明したものと同様のものである。また窒素含有層３は、一例として、透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、先の実施形態と同様に、電極層５と同一形状にパターニングされていても良い。

＜電極層５＞
　電極層５は、先のタッチパネル用透明電極で説明したものと同様のものであり、窒素含有層３上においてパターニングされた複数のｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と、複数のｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…とを有して構成されている。

　各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、例えばｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｘ方向に直線状に連結した形状であることとする。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、全てが窒素含有層３に隣接して設けられている。

　各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、それぞれがｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。ここで、窒素含有層３に隣接して設けられる各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、ｙ方向に配列された複数のパターンＡで構成される。これらのパターンＡは、全てが窒素含有層３に隣接して設けられている。

　パターンＡは、例えばひし形であり、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と重なることなく絶縁状態を保てる程度の間隔を有して配置される。これにより、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するパターンＡとは、絶縁性が確保された状態となっている。またパターンＡは、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と絶縁状態を保てる程度の間隔を有する範囲内で、できるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板１１の中央部の領域においては、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するパターンＡが視認され難い構成となっている。

　また各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…および各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…には、先の実施形態と同様に、それぞれの端部にｘ配線７７ｘまたはｙ配線７７ｙが接続されている。

＜層間絶縁膜７３＞
　層間絶縁膜７３は、ひし形の頂点付近を連結した形状の各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…において、少なくともその連結した部分の上方を覆う形状にパターン形成されている。この層間絶縁膜７３は、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…のパターンＡを露出させていれば、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形の部分を覆う状態で設けられていても良い。

＜接続電極７５＞
　接続電極７５は、層間絶縁膜７３の上部にパターン形成されたものであり、ｙ方向に配列された複数のパターンＡを、そのひし形の頂点付近において接続させる状態で設けられて、複数のパターンＡとこれらをｙ方向に連結する各接続電極７５とでｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…が構成されている。

　この接続電極７５は、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、層間絶縁膜７３がｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分を覆っており、接続電極７５はｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…上に層間絶縁膜７３を介して積層される。したがって、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…との絶縁性が確保された状態となっている。

　尚、接続電極７５には、銀等の一般的な電極材料、またはＩＴＯ等の光透過性を有する電極材料を用いればよく、タッチパネル２４を介しての下地の表示画像の視認性の観点から、好ましくは光透過性を有する電極材料を用いる。

　またここでは接続電極７５が透明電極１の上層に設けられた例を先に説明したが、接続電極７５は透明電極１の下層に設けられてもよい。この場合、接続電極７５は、先の例と同様に、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。そして、窒素含有層３に設けた接続孔を介して、接続電極７５と、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するパターンＡとが接続される。また、接続電極７５とｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分との間には、少なくとも窒素含有層３が挟持されている。したがって、接続電極７５が透明電極１の下層に設けられた例においても、先の例と同様に、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…との絶縁性が確保された状態となっている。

＜第７実施形態に係るタッチパネルの効果＞
　このような構成のタッチパネル２４であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図１３を用いて説明した第４実施形態に係るタッチパネルと同様に、下地の表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。

　尚、以上のような本第７実施形態に係るタッチパネル２４は、先に説明した第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１～３のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。

　例えば、本第７実施形態のタッチパネルを、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１と組み合わせた場合、図２０に示すタッチパネル２４における２層構造の透明電極１を、図８に示した３層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明基板１１と窒素含有層３との間に高屈折率層を設けた構成とする。

　また本第７実施形態に係るタッチパネルを、第４実施形態に係るタッチパネルの変形例２と組み合わせた場合、図２０に示すタッチパネル２４における２層構造の透明電極１を、図９に示した４層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明電極を構成する２層の高屈折率層のうち、電極層５に隣接して設けられる高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることが好ましい。またこの場合、この高屈折率層は、電極層５とともに層間絶縁膜７３および接続電極７５を覆うものであってよく、接着剤１５を兼ねても良い。さらにこの高屈折率層が導電性材料で構成されている場合であれば、隣接する電極層５と同一にパターニングされていることとする。

≪８．第８実施形態：表示装置≫
（タッチパネルを用いた構成）
　図２１は、本発明の第８実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。この図に示す表示装置３１は、表示パネル３３における表示面上に、タッチパネルを設けた情報入力機能付きの表示装置であり、タッチパネルとして先に説明した本発明のタッチパネルの何れかを用いたものである。ここでは、例えば第４実施形形態に係るタッチパネル、すなわちタッチパネル２１を用いたこととする。

　表示パネル３３は、特に限定されるものではないが、例えば液晶表示パネルや有機電界発光素子を用いた表示パネルなどの平面型の表示パネルであったり、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイであっても良い。また表示パネル３３は、動画を表示する表示パネルに限定されることはなく、静止画用の表示パネルであっても良い。

　このような表示パネル３３における画像の表示面上に、表示面を覆う状態でタッチパネル２１が重ねて配置されている。またタッチパネル２１と表示パネル３３とは、必要に応じてさらに枠状のケース部材３５に収容されていても良く、このケース部材３５にさらに透明板材からなる前面板が設けられていても良い。

　これにより、ユーザは、表示パネル３３で表示された表示画像の一部に対して、タッチパネル２１を介して指やタッチペンを接触させることにより、接触部分の位置情報をタッチパネル２１に入力することができる。

＜第８実施形態に係る表示装置の効果＞
　このような構成の表示装置３１は、上述したタッチパネル２１を用いたことにより、表示特性に優れると共に薄型化および大型化が可能である。

≪タッチパネル用透明電極の作製≫
　ここでは、試料１～１４の各タッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する)を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように透明基板上に作製した。透明基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板を用意した。以降の表２には、試料１～１４の各透明電極における各層の構成を示した。以下に、試料１～１４の各透明電極の作製手順を説明する。

＜試料１の透明電極の作製＞
　透明基板の一主面上に、ＩＴＯ膜（膜厚１００ｎｍ）をスパッタ法によって形成した。これにより、ＩＴＯ膜を電極層とした単層構造の透明電極を作製した。

＜試料２～４の透明電極の作製＞
　試料２～４のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、銀ナノワイヤーを用いた電極層を塗布法によって形成した。これにより銀ナノワイヤーを用いた電極層のみの単層構造の透明電極を作製した。この際、透明基板上に銀ナノワイヤーの分散液を塗布し、その後乾燥処理した後の膜厚が、試料２では５０ｎｍ、試料３では１００ｎｍ、試料４では１５０ｎｍとなるように銀ナノワイヤー分散液の塗布膜厚を調整した。

＜試料５～１９の透明電極の作製＞
　試料５～１９のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、下記表２に示すように、前述にて例示した各化合物で構成された窒素含有層と、この上部の銀を用いた電極層との積層構造の透明電極を作製した。

　試料５～７の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、上述した化合物IIIで例示した下記化合物１０を用いた。この化合物１０は一般式（２）に含まれる化合物である。

　試料８～１０の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、上述した化合物IIIで例示した下記化合物９４を用いた。この化合物９４は一般式（１ａ）に含まれる化合物である。

　試料１１～１３の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、上述した化合物IIIで例示した下記化合物９９を用いた。

　試料１４～１６の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、上述した化合物Ｉで例示した下記化合物Ｎｏ．４６を用いた。この化合物Ｎｏ．４６は、化合物ＩＩで示した一般式（１ａ－１）に含まれる化合物でもある。

　試料１７～１９の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、上述した化合物Ｉで例示した下記化合物Ｎｏ．４８を用いた。この化合物Ｎｏ．４８は一般式（１ａ－１），（７），（８）にも含まれる化合物であり、上述した化合物IIIで例示した化合物１６１でもある。

　これらの試料５～１９の透明電極の作製手順は、次のようである。先ず、透明基板を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定した。また、各透明電極の作製において、上記化合物１０、化合物９４、及び化合物９９をそれぞれタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。さらにタングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽内に取り付けた。

　この状態で、先ず、第１真空槽内を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、下記表２に示すように各成膜速度（０．０２ｎｍ／秒、０．３ｎｍ／秒、または０．５ｎｍ／秒）で、透明基板上に膜厚２５ｎｍの各化合物で構成された窒素含有層を設けた。

　次に、窒素含有層まで成膜した透明基板を真空のまま第２真空槽内に移し、第２真空槽内を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着レート０．１ｎｍ／秒で、下記表２に示すように各膜厚（８ｎｍまたは１２ｎｍ）の銀からなる電極層を形成し、窒素含有層とこの上部の電極層との積層構造からなる試料５～１３の各透明電極を得た。

＜試料２０の透明電極の作製＞
　試料２０の透明電極の作製において、透明基板の一主面上に、下記表２に示すように、２つの高屈折率層を有する４層構造の透明電極を作製した。

　透明基板の一主面上に、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）からなる高屈折率層を膜厚３０ｎｍで形成し、化合物９４を用いた窒素含有層を３０ｎｍの膜厚で蒸着法によって形成した。これに続けて銀（Ａｇ）からなる電極層を１０ｎｍの膜厚で蒸着法によって形成し、さらに酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）からなる高屈折率層を膜厚３０ｎｍで形成した。これにより、高屈折率層、窒素含有層、電極層、および高屈折率層の４層構造の透明電極１ｂを作製した。

　この際、透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）を銅製の加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空蒸着装置の真空槽内に取り付けた。また、化合物９４をタンタル製の抵抗加熱ボートに入れ、真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。さらにタングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽内に取り付けた。

　次いで、電子ビーム蒸着装置の真空槽内を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明基板上に膜厚３０ｎｍの酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）からなる高屈折率層を設けた。

　次いで、高屈折率層まで成膜した透明基板を真空のまま真空蒸着装置の第１真空槽内に移し、第１真空槽内を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱した。これにより、高屈折率層上に、蒸着速度０．５ｎｍ／秒で膜厚３０ｎｍの化合物９４で構成された窒素含有層を設けた。

　次に、窒素含有層まで成膜した透明基板１１を真空のまま第２真空槽内に移し、第２真空槽内を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で膜厚１０ｎｍの銀からなる電極層を形成した。

　その後再び、電極層まで成膜した透明基板を真空のまま電子ビーム蒸着装置の真空層に移し、真空層内を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明基板上に膜厚３０ｎｍの酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）からなる高屈折率層を設けた。これにより、高屈折率層と、窒素含有層と、銀を用いた電極層と、高屈折率層とを、この順に積層した試料２０の透明電極を作製した。

＜実施例１の各試料の評価＞
　上記で作製した試料１～２０の各透明電極について、シート抵抗（面抵抗）、および文字の視認性を評価した。シート抵抗の測定は、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ－Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で行った。文字の視認性は、文字を表した画像の上部に透明電極が形成された透明基板を重ね合わせ、これらを介しての文字の見えやすさを５段階評価した。５段階評価は、透明電極の電極面に対する法線方向を０°とし０°と４５°の２つの角度から行い、これを平均した。これらの評価結果を下記表２に合わせて示す。

＜実施例１の評価結果＞
　表２において、窒素含有層を構成する材料が、化合物１０である試料５～７、化合物９４である試料８～１０、化合物９９である試料１１～１３、化合物１６１である試料１４～１６、化合物Ｎｏ．４６である試料１７～１９をそれぞれ比較した。試料５，８，１１，１４，１７の窒素含有層の成膜速度が０．０２ｎｍ／秒である本発明の範囲外の透明電極では、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．を超えて高かった。一方、試料６，９，１２，１５，１８の窒素含有層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極では、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．未満と低く抑えられていた。さらに、試料７，１０，１３，１６，１９の窒素含有層の成膜速度が０．５ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極でも同様に、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．未満と低く抑えられていた。

　また全体の結果として、電極層に隣接して設けられた窒素含有層を構成する材料が同じであれば、窒素含有層の成膜速度が速いほど、シート抵抗が低く、文字の視認性が良好であって光透過率が高かった。

　これにより本発明構成の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備えていることが確認された。

　また、図２２～図２４は試料５～７の各透明電極のＳＥＭ画像（倍率：１０万倍）を示している。これらを比較すると、次に説明するとおり、窒素含有層の成膜速度によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なることが明らかであった。すなわち図２２に示す試料５の窒素含有層の成膜速度が０．０２ｎｍ／秒である本発明の範囲外の透明電極では、窒素含有層に隣接して設けられる電極層を構成する銀（図中の白表示部）の連続性が低かった。さらに、銀に被覆されていない部分（図中の黒表示部）が目立って確認された。一方、図２３に示す試料６の窒素含有層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極では、窒素含有層に隣接して設けられる電極層を構成する銀が繋がっていた。また、図２４に示す試料７の窒素含有層の成膜速度が０．５ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極でも同様に、窒素含有層に隣接して設けられる電極層を構成する銀が繋がっていた。さらに、図２４に示す試料７の透明電極は、図２３に示す試料６の透明電極よりも、銀に被覆されていない部分が少なく、電極層を構成する銀の連続性が高かった。

　さらに、図２５～図２７は試料８～１０の各透明電極のＳＥＭ画像（倍率：１０万倍）を示している。これらを比較すると、上述した図２２～図２４と同様の傾向で、窒素含有層の成膜速度によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なっていた。

　これと同様に、図２８～図３０は試料１１～１３の各透明電極のＳＥＭ画像（倍率：１０万倍）を示している。これらを比較しても、上述した図２２～図２４と同様の傾向で、窒素含有層の成膜速度によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なっていた。

　これにより、窒素含有層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒以上である本発明構成の透明電極では、核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）ではなく、単層成長型（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）により近い膜成長によって、窒素含有層に隣接する電極層が形成されたことが確認された。

　また、電極層に隣接して設けられた窒素含有層を構成する材料が同じであれば、窒素含有層の成膜速度が速いほど、電極層を構成する銀（図中の白表示部）がより繋がっており、その連続性が高いことが確認された。

　尚、本実施例１では、窒素含有層の膜厚が２５ｎｍである例を説明したが、窒素含有層の膜厚はこれに限らず、これより薄くても厚くても、同様の結果が得られた。すなわち、窒素含有層の膜厚に関係なく、窒素含有層の成膜速度が速いほど、透明電極の光透過率とシート抵抗とが向上するという結果が得られた。

　また上記表２に示したように、試料１４の透明電極、すなわち高屈折率層を用いた透明電極は、文字の視認性が良好であり、高屈折率層を設けた透明電極においての光透過性の向上および光散乱性の低下の効果が確認された。

　これに対して、試料１のＩＴＯを用いた単層構造の透明電極は、１００ｎｍの厚膜でありながらも、試料５～１４の透明電極よりも高いシート抵抗しか得られなかった。また、試料２～４の銀ナノワイヤーを用いた単層構造の透明電極では、膜厚に対するシート抵抗の値が試料５～１４の透明電極よりも高く、さらに最もシート抵抗が低い試料４では、光散乱のために文字の視認性が１．５ときわめて低かった。

　尚、図３１には、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０^-3≦［ｎ／Ｍ］≦１．９×１０^-2である化合物No.１～No.20を用いた窒素含有層の上部に、膜厚６ｎｍの電極層を設けた透明電極について、窒素含有層を構成する化合物の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と、各透明電極について測定されたシート抵抗の値をプロットしたグラフを示す。

　図３１のグラフから、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^-3≦［ｎ／Ｍ］≦１．９×１０^-2の範囲では、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の値が大きいほど、透明電極のシート抵抗が低くなる傾向が見られた。そして有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］＝３．９×１０^-3を境にして、３．９×１０^-3≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば、飛躍的にシート抵抗を低下させる効果が得られることが確認された。また、６．５×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば、確実にシート抵抗を低下させる効果が得られることが確認された。

　また以上の結果は、塗布成膜によって窒素含有層を形成した場合でも同様であった。

　以上より、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を指標として、電極層に隣接して設けた窒素含有層を構成する化合物を選択して用いることにより、光透過性を得るために薄膜でありながらも低抵抗な電極膜（すなわち透明電極）が得られることが確認された。

≪タッチパネルの作製≫
　実施例１で作製した本発明構成の各透明電極（試料６，７，９，１０，１２，１３，１５，１６，１８－２０）を、それぞれ２枚重ねて簡易式の各タッチパネルを作製した。

＜実施例２の各試料の評価および評価結果＞
　作製した各タッチパネルについて、実施例１と同様の方法で文字の視認性を評価した。この結果、試料６，７，９，１０，１２，１３，１５，１６，１８－２０の各透明電極と同程度に、良好な文字の視認性が得られることが確認された。

　１，１ａ，１ｂ…タッチパネル用透明電極（透明電極）
　１-1，１ａ-1，１ｂ-1…第１の透明電極
　１-2，１ａ-2，１ｂ-2…第２の透明電極
　３…窒素含有層
　３-1…第１の窒素含有層
　３-2…第２の窒素含有層
　５…電極層
　５-1…第１の電極層
　５-2…第２の電極層
　５ｘ１，５ｘ２，５ｘ３，…ｘ電極パターン（第１の電極層）
　５ｙ１，５ｙ２，５ｙ３，…ｙ電極パターン（第２の電極層）
　２１，２２，２３，２４…タッチパネル
　３１…表示装置
　３３…表示パネル
　Ｈ…高屈折率層
　Ｈ-1…第１の高屈折率層
　Ｈ-2…第２の高屈折率層
　Ｈ-3…第３の高屈折率層

Claims

　窒素原子を含んだ化合物を用いて０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された窒素含有層と、
　前記窒素含有層に隣接して設けられると共に、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層と
　を備えたタッチパネル用透明電極。
　前記窒素含有層は、０．５ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された
　請求項１に記載のタッチパネル用透明電極。
　前記電極層との間に前記窒素含有層を狭持する位置に、前記窒素含有層よりも屈折率の高い高屈折率層を備えた
　請求項１または２に記載のタッチパネル用透明電極。
　前記電極層と前記窒素含有層とが、前記窒素含有層よりも屈折率の高い高屈折率層により挟持されている
　請求項１～３の何れかに記載のタッチパネル用透明電極。
　請求項１～４の何れかに記載のタッチパネル用透明電極を備えた
　タッチパネル。
　請求項５に記載のタッチパネルと、
　前記タッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備えた
　表示装置。
　窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層を、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度によって形成する工程と、
　シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有すると共に銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層を、前記窒素含有層に隣接させて形成する工程と
　を含むタッチパネル用透明電極の製造方法。