JP6028794B2 - 電子デバイスの製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイスの製造装置に関し、特には導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極を有する電子デバイスの製造装置に関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス（electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。

このような有機電界発光素子は、２枚の電極間に有機材料を用いて構成された発光層を挟持した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成される。

透明電極としては、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３：Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている（例えば下記特許文献１，２参照）。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために成膜後に３００℃程度でアニール処理する必要がある。そこで、電気伝導率の高い銀等の金属材料を薄膜化した構成や、銀にアルミニウムを混ぜることにより銀単独よりも薄い膜厚で導電性を確保する構成も提案されている（例えば下記特許文献３参照）。

特開２００２−１５６２３号公報 特開２００６−１６４９６１号公報 特開２００９−１５１９６３号公報

しかしながら、電気伝導率の高い銀やアルミニウムを用いて構成された透明電極であっても、十分な導電性と光透過性との両立を図ることは困難であり、有機電界発光素子のような電子デバイスの特性の向上を妨げる要因となっていた。

そこで本発明は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極の形成が可能な電子デバイスの製造装置を提供することを目的とする。

本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。

１．基材を保持するための保持部材と、
前記基材の一主面側において当該基材に対してその面方向に相対的に移動する状態で設けられると共に、当該基材の一主面に向かって窒素含有化合物を供給することにより当該基材の一主面上に窒素含有層を成膜するための第１供給源と、
前記第１供給源よりも前記基材の相対的な移動方向の下流側に設けられると共に、当該基材の一主面に向かって銀を主成分とする電極材料を供給することにより当該基材の一主面側に透明電極層を成膜するためのもので、当該基材の所定位置に対しての前記窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後２分までの間に、当該所定位置に対して透明電極層の成膜が開始されるように、当該第１供給源との間の間隔が保たれた第２供給源と、
を備えた電子デバイスの製造装置。

２．前記基材と前記第１供給源および前記第２供給源との相対的な移動速度は、前記透明電極層が膜厚１２ｎｍ以下で成膜される速度に設定されている
前記１記載の電子デバイスの製造装置。

３.前記基材と前記第１供給源および前記第２供給源とは、一方向に速度ｖで相対的に移動し、
前記第１供給源と前記第２供給源は、前記基材の一主面に対する前記窒素含有化合物の供給領域と前記電極部材の供給領域との間隔ｄ１が、ｄ１≦ｖ×２分となるように配置されている
前記１または２記載の電子デバイスの製造装置。

４．前記第1供給源よりも前記基材の相対的な移動方向の上流側および前記第２供給源よりも当該基材の相対的な移動方向の下流側の少なくとも一方に、当該基材の一主面側に向かって発光機能材料を供給する他の供給源を備えた
前記１〜３の何れかに記載の電子デバイスの製造装置。

５．前記保持部材は、円周に沿って基材を保持するものであり、
前記第１供給源と前記第２供給源とは、前記円周と同心円の他の円周に沿って配置されている
前記１〜４の何れかに記載の電子デバイスの製造装置。

以上のように構成された電子デバイスの製造装置によれば、窒素含有化合物を用いて構成された窒素含有層に隣接して、銀または銀を主成分とする合金からなる透明電極層を成膜することが可能になる。これにより、窒素含有層に隣接して透明電極層を成膜する際には、透明電極層を構成する銀原子が窒素含有層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀が凝集することなく、銀の連続膜として構成され易くなる。

また特に、透明電極層は、窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後２分までの間に窒素含有層に隣接して成膜が開始された層である。これにより、以降の実施例で説明するように、透明電極層がより連続性の高い膜として構成されることが確認されている。したがって、薄膜でありながらも連続性の高い透明電極膜を成膜することが可能になる。

以上説明したように本発明の電子デバイスの製造装置によれば、薄膜でありながらも連続性の高い透明電極膜を成膜することが可能になるため、これにより十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極の形成が可能な電子デバイスを作製することが可能になる。

第１実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。 第１実施形態の製造装置によって作製される電子デバイス（透明電極）の断面模式図である。 第１実施形態の変形例１の構成を示す模式図である。 第１実施形態の変形例２の構成を示す模式図である。 第２実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。 第２実施形態の製造装置によって作製される電子デバイス（透明電極）の断面模式図である。 第２実施形態の変形例の構成を示す模式図である。 第1実施形態または第２実施形態の製造装置を用いて作製されるその他の電子デバイス（有機電界発光素子）の第１例の断面模式図である。 第1実施形態または第２実施形態の製造装置を用いて作製されるその他の電子デバイス（有機電界発光素子）の第２例の断面模式図である。 第３実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。 第３実施形態の製造装置によって作製される電子デバイス（透明電極）の断面模式図である。 第３実施形態の変形例の構成を示す模式図である。 第４実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。 第４実施形態の製造装置を用いて作製される電子デバイス（透明電極および有機電界発光素子）の断面模式図である。 第５実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。 実施例１で作製した試料１-1の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-2の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-3の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-4の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-5の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-6の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-7の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-8の透明電極のＳＥＭ画像である。 実施例１で作製した試料１-9の透明電極のＳＥＭ画像である。

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
１．第１実施形態の電子デバイスの製造装置
２．第１実施形態の変形例１
３．第１実施形態の変形例２
４．第２実施形態の電子デバイスの製造装置
５．第２実施形態の変形例
６．実施形態の製造装置を用いて作製される有機電界発光素子の第１例
７．実施形態の製造装置を用いて作製される有機電界発光素子の第２例
８．第３実施形態の電子デバイスの製造装置
９．第３実施形態の変形例
１０．第４実施形態の電子デバイスの製造装置
１１．第５実施形態の電子デバイスの製造装置

尚、各実施形態およびその変形例においては、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

≪１．第１実施形態の電子デバイスの製造装置≫
図１は、第１実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。また図２は、この製造装置１０-1を用いて作製される電子デバイス（透明電極）の断面模式図である。以下これらの図に基づいて第１実施形態の製造装置１０-1の構成を説明する。

第１実施形態の製造装置１０-1は、基材１１の一主面上に電子デバイスを作製する際に用いる成膜装置であり、成膜室２０、基材１１の保持部材２３、第１供給源２５ａ、および第２供給源２５ｂを備えている。このうち特に、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂとの配置状態が特徴的である。以下、これらの構成要素の詳細、およびこの製造装置で用いられる材料の詳細を説明する。

＜成膜室２０＞
成膜室２０は、内部を減圧状態とすることが可能なもので、いわゆる真空チャンバーとして構成されている。

＜保持部材２３＞
保持部材２３は、この製造装置１０-1を用いて電子デバイスが作製される基材１１（以降に詳細に説明）を成膜室２０内において一定状態に保持するためのものである。この保持部材２３は、保持した基材１１を、一方向に移動させるための移送手段としても構成されている。基材１１を移動させる方向（移動方向ｘ）は、基材１１において電子デバイスが形成される一主面ａの延設方向のうちの何れかの一方向であることとする。

例えば図示したように、基材１１がフレキシブルに屈曲する長尺状のものであり、２つのロール間で巻き取りおよび巻き出しされるものである場合、保持部材２３としては、基材１１を巻き取りまたは巻き出しする２つのロールが用いられる。また基材１１が剛性を有していて屈曲しないものである場合、この基材１１を成膜室２０内で所定状態に支持しつつ、移動方向ｘに移送可能なものであることとする。

このような保持部材２３による基材１１の移動方向ｘへの移送は、速度ｖで行われることとする。この速度ｖは、後述する第２供給源２５ｂからの電極材料２７ｂの供給によって、基材１１の一主面ａ側に透明電極層１ｂが膜厚１２ｎｍ以下で成膜される速度であることとする。このような速度ｖは、例えば第２供給源２５ｂからの電極材料２７ｂの供給量、および一主面ａに対する電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂの大きさによって設定される。またこの速度ｖは、基材１１と、後述する第１供給源２５ａおよび第２供給源２５ｂとの相対的な移動速度でもある。

尚、この製造装置１０-1を用いて、基材１１上にパターニングされた透明電極１を作製する場合、この保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ側にはマスクを対向配置させ、このマスクも基材１１と同一方向に移送させる構成とする。

＜第１供給源２５ａ＞
第１供給源２５ａは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ側に配置され、基材１１の一主面ａに向かって窒素含有化合物２７ａをガス状で供給するものである。この第１供給源２５ａは、成膜室２０内に固定され、移動方向ｘとは垂直をなす基材１１の幅方向にわたって設けられている。尚、この第1供給源２５ａから供給される窒素含有化合物２７ａについては、以降に詳細に説明する。

このような第１供給源２５ａは、例えば蒸着成膜用のいわゆる加熱ボートであって良く、ボート内部に収納した窒素含有化合物２７ａを、加熱することによってガス状化して基材１１の一主面ａに向かって噴出させる構成である。このような第１供給源２５ａは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ上に窒素含有層１ａを成膜するためのものとして構成されている。

＜第２供給源２５ｂ＞
第２供給源２５ｂは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ側に配置され、基材１１の一主面ａに向かって銀を主成分とする電極材料２７ｂをガス状で供給するものである。この第２供給源２５ｂは、成膜室２０内に固定され、移動方向ｘとは垂直をなす基材１１の幅方向にわたって設けられている。尚、この第２供給源２５ｂから供給される電極材料２７ｂについては、以降に詳細に説明する。

このような第２供給源２５ｂは、例えば蒸着成膜用のいわゆる加熱ボートであって良く、ボート内部に収納した電極材料２７ｂを、加熱することによってガス状化し、基材１１の一主面ａに向かって噴出させる構成である。このような第２供給源２５ｂは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ上に、銀を主成分とする透明電極層１ｂを成膜するためのものとして構成されている。

以上の第２供給源２５ｂは、第１供給源２５ａよりも基材１１の移動方向ｘの下流側に配置されている。そしてこの第２供給源２５ｂが、第１供給源２５ａとの間に所定の間隔ｄで配置されているところが特徴的である。この間隔ｄは、移動する基材１１の所定位置に対して、第１供給源２５ａによる窒素含有層１ａの成膜開始後から成膜終了後２分までの間、好ましくは１分までの間に、第２供給源２５ｂによる透明電極層１ｂの成膜が開始される大きさに設定されている。ここでは、窒素含有層１ａの成膜終了後２分以内（好ましくは１分以内）に、透明電極層１ｂの成膜が開始されるように、間隔ｄが設定されていることとする。

このような間隔ｄは、次のように表される。すなわち、基材１１の移動方向ｘへの移動の速度ｖ、第１供給源２５ａから基材１１の一主面ａへの窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａ、第２供給源２５ｂから基材１１の一主面ａへの電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂ、これらの移動方向ｘの間隔ｄ１とする。この場合、ｄ１≦ｖ×２分（好ましくはｄ１≦ｖ×１分）となる範囲で、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂとの移動方向ｘにおける間隔ｄが設定される。

以上のような製造装置１０-1を用いることにより、基材１１の一主面ａ側に、窒素含有層１ａとこれに隣接して設けられた透明電極層１ｂとで構成された透明電極１が、電子デバイスとして形成される。

次に、このような製造に用いる基材１１、窒素含有化合物２７ａ、および電極材料２７ｂの詳細を説明する。

＜基材１１＞
上述した基材１１は、例えばガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基材１１は透明であっても不透明であってもよい。本発明の透明電極１が、基材１１側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材１１は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基材１１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、窒素含有層１ａとの密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理を施したり、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ²・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０^-3ｍｌ／（ｍ²・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０^-5ｇ／（ｍ²・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

一方、基材１１が不透明なものである場合、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。これらの基板は、フレキシブルに屈曲するフィルム状であっても良い。

＜窒素含有化合物２７ａ＞
窒素含有化合物２７ａは、窒素原子を含んだ化合物であり、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば、特に限定はないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物が好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−Ｃ−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。

また、以上のような窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物として特に好ましいのは、下記一般式（１）〜（３）で表される化合物である。

［一般式（１）］
一般式（１） （Ａｒ１）ｎ１−Ｙ１

一般式（１）の式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は後記する一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式（１）で表される化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）において、Ｙ１で表されるｎ１価の連結基としては、具体的には、２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基など）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、１−メチルビニレン基、１−メチルプロペニレン基、２−メチルプロペニレン基、１−メチルペンテニレン基、３−メチルペンテニレン基、１−エチルビニレン基、１−エチルプロペニレン基、１−エチルブテニレン基、３−エチルブテニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、１−プロピニレン基、１−ブチニレン基、１−ペンチニレン基、１−ヘキシニレン基、２−ブチニレン基、２−ペンチニレン基、１−メチルエチニレン基、３−メチル−１−プロピニレン基、３−メチル−１−ブチニレン基等）、アリーレン基（例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等）、ヘテロアリーレン基（例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等）、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等（ここで、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはＮ、Ｏ及びＳから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等）が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ１で表される３価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ１で表される４価の連結基としては、上記の３価の基にさらにひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、１，３−プロパンジイル−２−イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。

なお、上記の２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基は、各々さらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有していてもよい。

一般式（１）で表される化合物の好ましい態様としては、Ｙ１が３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環が好ましい。また、ｎ１が２以上であることが好ましい。

さらに、一般式（１）で表される化合物は、分子内に上記の３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

また、Ｙ１がｎ１価の連結基を表す場合、一般式（１）で表される化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Ｙ１は非共役であることが好ましく、さらに、Ｔｇ（ガラス転移点、ガラス転移温度ともいう）を向上させる点から、芳香環（芳香族炭化水素環＋芳香族複素環）で構成されていることが好ましい。

ここで、非共役とは、連結基が単結合（一重結合ともいう）と二重結合の繰り返しによって表記できないか、または連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。

［一般式（Ａ）で表される基］
一般式（１）中におけるＡｒ１は、下記一般式（Ａ）で表される基を表す。

式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ３及びＹ４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。

ここで、一般式（Ａ）のＸで表される−Ｎ（Ｒ）−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ′及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

また、一般式（Ａ）において、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。

さらに、一般式（Ａ）において、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる５員または６員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

さらに、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、当該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

（Ｙ３で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ３で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。

（Ｙ４で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ４で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、窒素原子を環構成原子と含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Ｙ４がピリジン環から導出される基であることである。

（一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様としては、下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）または（Ａ−４）のいずれかで表される基が挙げられる。

上記一般式（Ａ−１）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ１１〜Ｅ２０は、−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表す。但し、Ｅ１１、Ｅ１２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−２）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ２１〜Ｅ２５は−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、Ｅ２６〜Ｅ３０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ２１〜Ｅ３０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ２１またはＥ２２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−３）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ３１〜Ｅ３５は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ３６〜Ｅ４０は−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、Ｅ３１〜Ｅ４０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ３２またはＥ３３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−４）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ４１〜Ｅ５０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ４２またはＥ４３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

以下、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）のいずれかで表される基について説明する。

一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかのＸで表される−Ｎ（Ｒ）−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ′）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ′及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかにおいて、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。

一般式（Ａ−１）のＥ１１〜Ｅ２０、一般式（Ａ−２）のＥ２１〜Ｅ３０、一般式（Ａ−３）のＥ３１〜Ｅ４０、一般式（Ａ−４）のＥ４１〜Ｅ５０で、各々表される−Ｃ（Ｒ２）＝のＲ２で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

次に、本発明に係る一般式（１）で表される化合物のさらに好ましい態様について説明する。

［一般式（２）で表される化合物］
本発明では、上記一般式（１）で表される化合物の中でも、下記一般式（２）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（２）で表される化合物について説明する。

上記一般式（２）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、及びＹ８またはＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。

一般式（２）において、Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。

Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

一般式（２）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（２）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される基としては、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上及びＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。

一般式（２）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

さらに、前記芳香族炭化水素環は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（２）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

さらに、前記芳香族炭化水素環は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（２）において、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、及びＹ８またはＹ９の少なくとも一方で表されるＮ原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるＮ原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

一般式（２）において、Ｙ７、Ｙ９で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。

また、一般式（２）において、Ｙ６及びＹ８で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。

さらに、本発明に係る一般式（２）で表される化合物の中でもさらに好ましい態様について説明する。

［一般式（３）で表される化合物］
本発明では、上記一般式（２）で表される化合物の中でも、さらに下記一般式（３）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（３）で表される化合物について説明する。

上記一般式（３）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ７１〜Ｅ７９の少なくとも１つ及びＥ８０〜Ｅ８８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。

一般式（３）において、Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。

Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

一般式（３）において、Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（３）において、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上及びＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。

一般式（３）において、Ｅ７５〜Ｅ７９の少なくとも１つ及びＥ８４〜Ｅ８８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

さらには、一般式（３）において、Ｅ７５〜Ｅ７９のいずれか１つ及びＥ８４〜Ｅ８８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

また、一般式（３）において、Ｅ７１〜Ｅ７４及びＥ８０〜Ｅ８３が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。

さらに、一般式（２）または一般式（３）で表される化合物において、Ｅ５３が−Ｃ（Ｒ３）＝で表され、且つ、Ｒ３が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ６１も同時に−Ｃ（Ｒ３）＝で表され、且つ、Ｒ３が連結部位を表すことが好ましい。

さらに、Ｅ７５及びＥ８４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ７１〜Ｅ７４及びＥ８０〜Ｅ８３が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。

また窒素含有層１ａを構成する化合物の他の例として、下記一般式（４）で表される化合物が用いられる。

上記一般式（４）中、Ｒ２１は置換基を表わす。またＴ１１，Ｔ１２，Ｔ２１〜Ｅ２５、Ｔ３１〜Ｔ３５は、各々−Ｃ（Ｒ２２）＝または−Ｎ＝を表わす。さらにＴ１３〜Ｔ１５は、各々−Ｃ（Ｒ２２）＝を表わす。このうちＲ２２は、水素原子（Ｈ）または置換基を表わす。またＴ１１およびＴ１２のうち少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｔ２１〜Ｔ２５のうち少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｔ３１〜Ｔ３５のうち少なくとも１つは−Ｎ＝である。

Ｒ２１およびＲ２２が表す置換基の例としては、一般式（１）のＹ１と同様のものが挙げられる。これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。

［化合物の具体例］
以下に、本発明に係る一般式（１）、（２）、（３）、または（４）で表される化合物、及びその他の窒素含有化合物の具体例（１〜１２５）を示すが、これらに限定されない。

［化合物の合成例］
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。

工程１：（中間体１の合成）
窒素雰囲気下、２，８−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中で混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。

工程２：（中間体２の合成）
室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。

工程３：（化合物５の合成）
窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η_６−Ｃ_６Ｈ_６）ＲｕＣｌ_２］_２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下（８００Ｐａ、８０℃）において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ_２Ｃｌ_２：Ｅｔ_３Ｎ＝２０：１〜１０：１）にて精製した。

減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物５を収率６８％で得た。

＜電極材料２７ｂ＞
電極材料２７ｂは、銀または銀を主成分とした合金である。銀（Ａｇ）とは、銀の安定性を確保するために添加されるパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などを含んでいてもよく、銀の純度が９９％以上のものとする。また銀を主成分とした合金とは、銀の含有率が５０％以上のものとする。このような合金の一例として、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、銀金（ＡｇＡｕ）、銀アルミ（ＡｇＡｌ）、銀亜鉛（ＡｇＺｎ）、銀錫（ＡｇＳｎ）、銀白金（ＡｇＰｔ）、銀チタン（ＡｇＴｉ）、銀ビスマス（ＡｇＢｉ）などが挙げられる。

＜透明電極１＞
以上の第１実施形態の製造装置１０-1および上述した各材料を用いて作製された透明電極１は、窒素含有層１ａと、これに隣接して成膜された透明電極層１ｂとを積層した２層構造となる。そして特に、銀を主成分として構成された透明電極層１ｂが、窒素含有層１ａの成膜開始後から成膜終了後２分までの間にこの窒素含有層１ａに隣接して成膜が開始された層であり、膜厚１２ｎｍ以下のものとなる。

＜第１実施形態の効果＞
以上説明した第１実施形態の製造装置１０-1によれば、窒素含有化合物で構成された窒素含有層１ａに隣接させて、この窒素含有層１ａの成膜開始した後でこの成膜が終了してから２分以内に、銀を主成分とした透明電極層１ｂを成膜することができる。これにより、次のような効果を得ることができる。

すなわち、窒素含有層１ａに隣接して銀を主成分とする透明電極層１ｂが成膜される。このため、透明電極層１ｂが成膜される際には、透明電極層１ｂを構成する銀原子が窒素含有層１ａを構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の窒素含有層１ａ表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。これにより、一般的には核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって連続膜が成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の透明電極層１ｂが得られるようになる。

また、透明電極層１ｂは、窒素含有層１ａの成膜後２分以内（好ましくは１分以内）に窒素含有層１ａに隣接して成膜される。これにより、後の実施例で詳細に説明するように、透明電極層１ｂが、より連続性の高い膜となることが確認されている。

また、透明電極１を構成する透明電極層１ｂは、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚として成膜される。これにより、銀を主成分とした透明電極層１ｂは、電極用の膜としての実用性を確保しつつも光の吸収成分または反射成分が低く抑えられたものとなる。さらに、このように薄い膜厚を有する透明電極層１ｂは、上述したように窒素含有層１ａの成膜終了後２分以内に窒素含有層１ａに隣接して成膜が開始された層であることにより、連続性が良好である。したがって、透明電極層１ｂは、上述したように１２ｎｍ以下と言った極薄膜でありながらも、確実にシート抵抗の測定が可能な導電性を有するものとなる。これは、後の実施例で詳細に説明するように、このように窒素含有層１ａの成膜終了後２分以内に窒素含有層１ａに隣接して成膜された透明電極層１ｂは、極薄膜でありながらもシート抵抗の測定が可能であることが確認されている。

以上の結果、第１実施形態の製造装置１０-1を用いることにより、実質的に電極としての機能を果たす透明電極層１ｂを、薄膜でありながらも連続性の高い膜であることにより、光透過性を確保しつつも導電性に優れた膜として成膜することが可能になる。

≪２．第１実施形態の変形例１≫
図３は、上述した第１実施形態の電子デバイスの製造装置の変形例１を説明するための模式図である。図３に示すように、この製造装置１０-1’は、成膜室２０内に隔壁２９を設けた構成であり、他の構成については第１実施形態と同様である。

隔壁２９は、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂとの間において、第１供給源２５ａからの窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと、第２供給源２５ｂからの電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとを分離する位置に設けられている。またこの隔壁２９は、保持部材２３による基材１１の移送を妨げることのない状態で設けられている。

このような変形例１の製造装置１０-1’では、隔壁２９を設けたことにより、第１供給源２５ａからの窒素含有化合物２７ａおよび第２供給源２５ｂからの電極材料２７ｂが、成膜室２０の内壁各部に相互に付着することが防止され、成膜室２０内のクロス・コンタミネーションを防止することができる。この結果、膜質の良好な窒素含有層１ａおよび透明電極層１ｂを成膜することで、性能が確保された電子デバイスを作製することが可能になる。

≪３．第１実施形態の変形例２≫
図４は、上述した第１実施形態の電子デバイスの製造装置の変形例２を説明するための模式図である。図４に示すように、この製造装置１０-1”は、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとが一部で重なるように、第１供給源２５ａおよび第２供給源２５ｂを配置した構成である。他の構成については第１実施形態と同様である。

この場合、第１実施形態と同様に、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂの間隔ｄは、移動する基材１１の所定位置に対して、第１供給源２５ａによる窒素含有層１ａの成膜開始後から成膜終了後２分までの間、好ましくは１分までの間に、第２供給源２５ｂによる透明電極層１ｂの成膜が開始されるように設定されている。

しかしながら、基材１１の移動方向ｘにおける供給領域Ｓａと供給領域Ｓｂとの間隔ｄ１は、｜ｄ１｜≦ｖ×２分（好ましくはｄ１≦ｖ×１分）となる範囲で、かつｄ１＜０となるようにする。ただし、間隔ｄ１の絶対値は、電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂを超えることなく、移動方向ｘにおいて｜ｄ１｜＜Ｓｂであることとする。尚、この場合（ｄ１＜０）において、移動方向ｘにおいて｜ｄ１｜＜Ｓａでもある。これにより窒素含有化合物２７ａの供給による窒素含有層の成膜が開始された後に、電極材料２７ｂの供給による透明電極層の成膜が開始される構成となっている。

ここで、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとが一部で重なるようにすることで、窒素含有化合物２７ａの供給によって成膜される窒素含有層と、電極材料２７ｂの供給によって成膜される透明電極層との間に、窒素含有化合物２７ａと電極材料２７ｂとの混合領域が成膜されることになる。このため、電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂに対する間隔ｄ１の大きさは、電極材料２７ｂのみによって成膜される透明電極層１ｂの膜厚が、１２ｎｍ以下の範囲で、シート抵抗の測定が可能な膜厚（例えば２ｎｍ）以上となるように設定されることとする。

このような変形例２の製造装置１０-1”では、上述したように窒素含有化合物２７ａで構成された窒素含有層と、電極材料２７ｂで構成された透明電極層との間に、窒素含有化合物２７ａと電極材料２７ｂとを混合した共蒸着層を成膜することが可能になる。これにより、第１実施形態と同様の効果の他に、窒素含有層と透明電極層との密着性の良好な透明電極（電子デバイス）を作製することが可能になる。

≪４．第２実施形態の電子デバイスの製造装置≫
図５は、第２実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。また図６は、この製造装置１０-2を用いて作製される電子デバイス（透明電極１-2）の断面模式図である。以下これらの図に基づいて第２実施形態の製造装置１０-2の構成を説明する。

図５に示す製造装置１０-2が、図１を用いて説明した第１実施形態の製造装置と異なるところは、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂとの間に、第３供給源２５ｃを設けたところにあり、他の構成は第１実施形態と同様である。

第３供給源２５ｃは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ側に配置され、基材１１の一主面ａに向かって中間層材料２７ｃをガス状で供給するものである。この第３供給源２５ｃは、成膜室２０内に固定され、移動方向ｘとは垂直をなす基材１１の幅方向にわたって設けられている。中間層材料２７ｃとしては、例えば、金属、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸化窒化物、無機塩化合物、さらには有機錯体などが挙げられる。

ここで用いられる金属としては、例えばＡｌ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂが例示され、これらの金属は、酸化物、窒化物、酸窒化物としても用いられる。無機塩化合物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ、ＡｇＣｌ，Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、ＮａＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅが例示される。有機錯体としては、例えばＬｉｑ（８−ヒドロキシキノリナートリチウム）等が例示される。

この第３供給源２５ｃは、例えば蒸着成膜用のいわゆる加熱ボートであって良く、ボート内部に収納した中間層材料２７ｃを、加熱することによってガス状化して基材１１の一主面ａに向かって噴出させる構成である。このような第３供給源２５ｃは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ上に中間層１ｃを成膜するためのものとして構成されている。

このような第３供給源２５ｃは、窒素含有層１ａに隣接して、連続膜である必要のない極薄膜で中間層１ｃが成膜されるように、中間層材料２７ｃの供給量が調整されることとする。

このような第３供給源２５ｃを設けた構成では、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂの間隔ｄは、移動する基材１１の所定位置に対して、第１供給源２５ａによる窒素含有層１ａの成膜終了後２分以内、好ましくは１分以内に、第２供給源２５ｂによる透明電極層１ｂの成膜が開始されるように設定されている。そして、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとの間隔ｄ１は、ｄ１≦ｖ×２分（好ましくはｄ１≦ｖ×１分）となっている。ただし、供給領域Ｓａと供給領域Ｓｂとの間に、第３供給源２５ｃからの中間層材料２７ｃの供給領域Ｓｃが挟み込まれるため、供給領域Ｓａ−供給領域Ｓｂの間隔ｄ１は、ｄ１＞０となる。

また、この製造装置１０-2は、必要に応じて成膜室２０内に隔壁２９を設けても良い。隔壁２９は、第１供給源２５ａと第３供給源２５ｃとの間、および第３供給源２５ｃと第２供給源２５ｂとの間の一方、または両方に設けられる。このような隔壁２９は、第１実施形態の変形例１で説明したと同様のものであり、各供給源から供給される物質の供給領域を分離する位置に配置されると共に、保持部材２３による基材１１の移送を妨げることのない状態で設けられている。これにより、成膜室２０内においてのクロス・コンタミネーションを防止することができる。

＜透明電極１-2＞
以上の第２実施形態の製造装置１０-2および上述した各材料を用いて作製された透明電極１-2は、窒素含有層１ａと透明電極層１ｂとの間に極薄膜の中間層１ｃを挟持した３層構造となる。また銀を主成分として構成された透明電極層１ｂは、窒素含有層１ａの成膜終了後の２分以内に成膜が開始され、膜厚１２ｎｍ以下で成膜されたものとなる。

＜第２実施形態の効果＞
以上説明した第２実施形態の製造装置１０-2では、窒素含有層１ａの成膜終了後の２分以内に、銀を主成分とした透明電極層１ｂを成膜することができる。これにより、次のような効果を得ることができる。

すなわち、極薄膜の中間層１ｃを介して、窒素含有層１ａにほぼ隣接して銀を主成分とする透明電極層１ｂが成膜される。このため、透明電極層１ｂが成膜される際には、透明電極層１ｂを構成する銀原子が、極薄膜の中間層１ｃを介して、窒素含有層１ａを構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の成膜表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。さらに、中間層１ｃを構成するアルミニウムや無機塩化合物も、透明電極層１ｂを構成する銀原子との結合力が強い物質である。このため、この相互作用によっても、銀原子の成膜表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集を抑えることができる。以上により、一般的には核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって連続膜が成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の透明電極層１ｂが得られるようになる。

また、透明電極層１ｂは、窒素含有層１ａの成膜終了後２分以内（好ましくは１分以内）に窒素含有層１ａに連続膜である必要のない極薄膜として成膜された中間層１ｃを介して成膜される。これにより、第１実施形態と同様に（後の実施例で詳細に説明するように）、透明電極層１ｂが、より連続性の高い膜となることが確認されている。

また、透明電極１を構成する透明電極層１ｂは、第１実施形態と同様に、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚として成膜される。これにより、銀を主成分とした透明電極層１ｂは、電極用の膜としての実用性を確保しつつも光の吸収成分または反射成分が低く抑えられたものとなる。さらに、このように薄い膜厚を有する透明電極層１ｂは、上述したように窒素含有層１ａの成膜終了後２分以内に窒素含有層１ａにほぼ隣接した状態で成膜されることにより、連続性が良好である。したがって、透明電極層１ｂは、上述したように１２ｎｍ以下と言った極薄膜でありながらも、確実にシート抵抗の測定が可能な導電性を有するものとなる。これについては、後の実施例で詳細に説明する。

以上の結果、第２実施形態の製造装置１０-2を用いることにより、実質的に電極としての機能を果たす透明電極層１ｂを、薄膜でありながらも連続性の高い膜であることにより、光透過性を確保しつつも導電性に優れた膜として成膜することが可能になる。

≪５．第２実施形態の変形例≫
図７は、上述した第２実施形態の電子デバイスの製造装置の変形例を説明するための模式図である。図７に示すように、この製造装置１０-2'は、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと中間層材料２７ｃの供給領域Ｓｃとが重なるように、第１供給源２５ａおよび第３供給源２５ｃを配置した構成である。このため、第１供給源２５ａと第３供給源２５ｃとの間に隔壁が設けられることは無い。一方、ここでの図示は省略したが、第３供給源２５ｃと第２供給源２５ｂとの間には、クロス・コンタミネーションを防止するための隔壁を設けても良い。

窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと、中間層材料２７ｃの供給領域Ｓｃとは、完全に重なっても良い。この場合、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａの一部に対して、中間層材料２７ｃの供給領域Ｓｃが完全に重なっても良い。このような成膜は、第１供給源２５ａおよび第３供給源２５ｃを傾けるか、または第１供給源２５ａと第３供給源２５ｃとを、基材１１の移動方向ｘに対して垂直方向に配列することで実現される。ただし、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと、中間層材料２７ｃの供給領域Ｓｃとは、移動方向ｘにおける下流側の端部を一致させることが好ましい。

このような変形例の製造装置１０-2'では、窒素含有化合物２７ａの供給によって成膜される窒素含有層が、中間層材料２７ｃを含有した層として成膜されることになる。そして、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと、中間層材料２７ｃの供給領域Ｓｃとを、移動方向ｘの端部を一致させるように構成することにより、窒素含有層の成膜表面側に中間層材料２７ｃが含有されることになる。これにより、第２実施形態と同様の効果を得ることが可能になる。

≪６．実施形態の製造装置を用いて作製される有機電界発光素子の第１例≫
＜有機電界発光素子ＥＬ-1の構成＞
図８は、上述した第１実施形態または第２実施形態の製造装置を用いて作製される電子デバイスの一例として、透明電極１を用いた有機電界発光素子の第１例を示す断面構成図である。以下にこの図に基づいて有機電界発光素子の構成を説明する。

図８に示す有機電界発光素子ＥＬ-1は、透明基板１３上に設けられており、透明基板１３側から順に、透明電極１、有機材料等を用いて構成された発光機能層３、および対向電極５-1をこの順に積層して構成されている。この有機電界発光素子ＥＬ-1においては、透明電極１として、上述した第１実施形態または第２実施形態の製造装置を用いて作製した透明電極１を用いるところが特徴的である。この場合、第１実施形態および第２実施形態で説明した基材１１として、透明基板１３が用いられる。このため有機電界発光素子ＥＬ-1は、発生させた光（以下、発光光ｈと記す）を、少なくとも透明基板１３側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。尚、以降に説明するように、この有機電界発光素子ＥＬ-1は、透明基板１３とは逆側からも発光光ｈを取りだす両面発光型とすることもできる。

このような有機電界発光素子ＥＬ-1の層構造が限定されることはなく、一般的な層構造であって良い。ここでは、透明電極１がアノード（すなわち陽極）として機能し、対向電極５-1がカソード（すなわち陰極）として機能することとする。この場合、例えば発光機能層３は、アノードである透明電極１側から順に正孔注入層３ａ／正孔輸送層３ｂ／発光層３ｃ／電子輸送層３ｄ／電子注入層３ｅを積層した構成が例示されるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層３ｃを有することが必須である。正孔注入層３ａおよび正孔輸送層３ｂは、正孔輸送／注入層として設けられても良い。電子輸送層３ｄおよび電子注入層３ｅは、電子輸送／注入層として設けられても良い。またこれらの発光機能層３のうち、例えば電子注入層３ｅは無機材料で構成されている場合もある。

また発光機能層３は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていて良い。さらに発光層３ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させた構造としても良い。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。さらにカソードである対向電極５-1も、必要に応じた積層構造であっても良い。このような構成において、透明電極１と対向電極５-1とで発光機能層３が挟持された部分のみが、有機電界発光素子ＥＬ-1における発光領域となる。

また以上のような層構成においては、透明電極１の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１の透明電極層１ｂに接して補助電極１５が設けられていても良い。

以上のような構成の有機電界発光素子ＥＬ-1は、有機材料等を用いて構成された発光機能層３の劣化を防止することを目的として、透明基板１３上において後述する封止材１７で封止されている。この封止材１７は、接着剤１９を介して透明基板１３側に固定されている。ただし、透明電極１および対向電極５-1の端子部分は、透明基板１３上において発光機能層３によって互いに絶縁性を保った状態で封止材１７から露出させた状態で設けられていることとする。

以下、上述した有機電界発光素子ＥＬ-1を構成するための主要各層の詳細を、透明基板１３、透明電極１、対向電極５-1、発光機能層３の発光層３ｃ、発光機能層３の他の層、補助電極１５、および封止材１７の順に説明する。その後、有機電界発光素子ＥＬ-1の作製方法を説明する。

［透明基板１３］
透明基板１３は、先に説明した本発明の透明電極１が設けられる基材１１であり、先に説明した基材１１のうち光透過性を有する透明な基材１１が用いられる。

［透明電極１（アノード）］
透明電極１は、先に説明した本発明の透明電極１であり、透明基板１３側から順に窒素含有層１ａおよび透明電極層１ｂを順に成膜した構成である。ここでは特に、透明電極１はアノードとして機能するものであり、透明電極層１ｂが実質的なアノードとなる。

［対向電極５-1（カソード）］
対向電極５-1は、発光機能層３に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機または無機の導電性化合物、およびこれらの混合物が用いられる。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体などが挙げられる。

対向電極５-1は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極５-1としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

尚、この有機電界発光素子ＥＬ-1が、対向電極５-1側からも発光光ｈを取り出すものである場合であれば、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択して対向電極５-1を構成すれば良い。このような光透過性を有する対向電極５-1として、先の透明電極１を適用しても良い。この場合、透明基板１３上に発光機能層３までが形成されたものを基材とし、先に説明した第１実施形態または第２実施形態の製造装置を用いてこの基材上に、窒素含有層１ａ、透明電極層１ｂをとの積層構造の透明電極１を形成すれば良い。

［発光層３ｃ］
本発明に用いられる発光層３ｃは、発光材料として燐光発光化合物が含有されている。

この発光層３ｃは、電極または電子輸送層３ｄから注入された電子と、正孔輸送層３ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層３ｃの層内であっても発光層３ｃと隣接する層との界面であってもよい。

このような発光層３ｃとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層３ｃ間には非発光性の中間層（図示せず）を有していることが好ましい。

発光層３ｃの膜厚の総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍである。尚、発光層３ｃの膜厚の総和とは、発光層３ｃ間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。

複数層を積層した構成の発光層３ｃの場合、個々の発光層の膜厚としては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは１〜２０ｎｍの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。

また発光層３ｃは、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）を同一発光層３ｃ中に混合して用いてもよい。

発光層３ｃの構成として、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）、発光材料（発光ドーパント化合物ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

（ホスト化合物）
発光層３ｃに含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくは燐光量子収率が０．０１未満である。また、発光層３ｃに含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子ＥＬ-1を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。

以下に、本発明で用いることのできるホスト化合物の具体例（Ｈ１〜Ｈ７９）を示すが、これらに限定されない。なお、ホスト化合物Ｈ６８〜Ｈ７９において、ｘ及びｙはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、ｘ：ｙ＝１：１０などとすることができる。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。

（発光材料）
本発明で用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物（燐光性化合物、燐光発光材料ともいう）が挙げられる。

燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。

上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

燐光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

燐光発光性化合物は、一般的な有機電界発光素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明においては、少なくとも一つの発光層３ｃに２種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層３ｃにおける燐光発光性化合物の濃度比が発光層３ｃの厚さ方向で変化していてもよい。

燐光発光性化合物は好ましくは発光層３ｃの総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。

（一般式（５）で表される化合物）
発光層３ｃに含まれる化合物（燐光発光性化合物）は、下記一般式（５）で表される化合物であることが好ましい。

なお、一般式（５）で表される燐光発光性化合物（燐光発光性の金属錯体ともいう）は、有機電界発光素子ＥＬ-1の発光層３ｃに発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層３ｃ以外の発光機能層に含有されていてもよい。

上記一般式（５）中、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ２はＱ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

一般式（５）において、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表す。

そして、一般式（５）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（５）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（５）において、Ａ２が、Ｑ−Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（５）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。

Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

一般式（５）において、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（５）において、Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウム好ましい。

（一般式（６）で表される化合物）
一般式（５）で表される化合物の中でも、下記一般式（６）で表される化合物であることがさらに好ましい。

上記一般式（６）式中、Ｚは、炭化水素環基または複素環基を表す。Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ３は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−または−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ０１、Ｒ０２は、各々水素原子または置換基を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

一般式（６）において、Ｚで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（６）において、Ｚで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げられる。

これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

好ましくは、Ｚで表される基は芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。

一般式（６）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（６）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（６）のＡ３で表される、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−において、Ｒ０１、Ｒ０２で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（６）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

また、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（６）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）は、一般式（５）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

（一般式（７）で表される化合物）
上記一般式（６）で表される化合物の好ましい態様の一つとして、下記一般式（７）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（７）式中、Ｒ０３は置換基を表し、Ｒ０４は水素原子または置換基を表し、複数のＲ０４は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０１は１〜４の整数を表す。Ｒ０５は水素原子または置換基を表し、複数のＲ０５は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０２は１〜２の整数を表す。Ｒ０６は水素原子または置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０３は１〜４の整数を表す。Ｚ１はＣ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環もしくは、５員または６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ２は炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｒ０３とＲ０６、Ｒ０４とＲ０６及びＲ０５とＲ０６は互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（７）において、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５、Ｒ０６で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（７）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（７）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する５員または６員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（７）において、Ｚ２で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（７）において、Ｚ２で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でもよく、また、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

これらの環は無置換でもよく、さらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（７）において、Ｚ１及びＺ２で形成される基としては、ベンゼン環が好ましい。

一般式（７）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子は、一般式（５）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（７）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（５）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

また、燐光発光性化合物は、有機電界発光素子ＥＬ-1の発光層３ｃに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本発明に係る燐光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明に係る燐光発光性化合物の具体例（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ａ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−５０）を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、これらの化合物において、ｍ及びｎは繰り返し数を表す。

上記の燐光発光性化合物（燐光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ．３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

（蛍光発光材料）
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

［注入層：電子注入層３ｅ、正孔注入層３ａ］
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層３ｃの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層３ａと電子注入層３ｅとがある。

注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層３ａであれば、アノードと発光層３ｃまたは正孔輸送層３ｂの間、電子注入層３ｅであればカソードと発光層３ｃまたは電子輸送層３ｄとの間に存在させてもよい。

正孔注入層３ａは、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。

電子注入層３ｅは、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明の電子注入層３ｅはごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。

［正孔輸送層３ｂ］
正孔輸送層３ｂは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層３ａ、電子阻止層も正孔輸送層３ｂに含まれる。正孔輸送層３ｂは単層または複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような所謂、ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層３ｂは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層３ｂの膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層３ｂは、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、正孔輸送層３ｂの材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

このように、正孔輸送層３ｂのｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

［電子輸送層３ｄ］
電子輸送層３ｄは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層３ｅ、正孔阻止層（図示せず）も電子輸送層３ｄに含まれる。電子輸送層３ｄは単層構造または複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層３ｄ、および積層構造の電子輸送層３ｄにおいて発光層３ｃに隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層３ｃに伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層３ｄの材料として好ましく用いることができる。また、発光層３ｃの材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層３ｄの材料として用いることができるし、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂと同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。

電子輸送層３ｄの膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層３ｄは上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、電子輸送層３ｄに不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層３ｄには、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層３ｄのｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。

また電子輸送層３ｄの材料（電子輸送性化合物）として、上述した窒素含有層１ａを構成する材料と同様のものを用いても良い。これは、電子注入層３ｅを兼ねた電子輸送層３ｄであっても同様であり、上述した窒素含有層１ａを構成する材料と同様のものを用いても良い。

［阻止層：正孔阻止層、電子阻止層］
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層３ｄの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層３ｄの構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層３ｃに隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層３ｂの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層３ｂの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層の膜厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。

［補助電極１５］
補助電極１５は、透明電極１の抵抗を下げる目的で設けるものであって、透明電極１の透明電極層１ｂに接して設けられる。補助電極１５を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面１３ａからの発光光ｈの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極１５の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極１５の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極１５の厚さは、導電性の観点から１μ以上であることが好ましい。

［封止材１７］
封止材１７は、有機電界発光素子ＥＬを覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤１９によって透明基板１３側に固定されるものであっても良く、封止膜であっても良い。このような封止材１７は、有機電界発光素子ＥＬにおける透明電極１および対向電極５-1の端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層３を覆う状態で設けられている。また封止材１７に電極を設け、有機電界発光素子ＥＬ-1の透明電極１および対向電極５-1の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていても良い。

板状（フィルム状）の封止材１７としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いても良い。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。

なかでも、素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。

さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０-3ｍｌ／（ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０-3ｇ／（ｍ2・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

また以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材１７として用いても良い。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。

尚、この有機電界発光素子ＥＬ-1が、対向電極５-1側からも発光光ｈを取り出すものである場合、封止材１７としては、上述した材料のうち光透過性の良好な材料を選択して用いれば良い。

またこのような板状の封止材１７を透明基板１３側に固定するための接着剤１９は、封止材１７と透明基板１３との間に挟持された有機電界発光素子ＥＬ-1を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤１９は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。

またこのような接着剤１９としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機電界発光素子ＥＬ-1を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤１９は、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤１９中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

封止材１７と透明基板１３との接着部分への接着剤１９の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また板状の封止材１７と透明基板１３と接着剤１９との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

一方、封止材１７として封止膜を用いる場合、有機電界発光素子ＥＬ-1における発光機能層３を完全に覆い、かつ有機電界発光素子ＥＬ-1における透明電極１および対向電極５-1の端子部分を露出させる状態で、透明基板１３上に封止膜が設けられる。

このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機電界発光素子ＥＬ-1における発光機能層３の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としても良い。

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

［保護膜、保護板］
尚、ここでの図示は省略したが、透明基板１３との間に有機電界発光素子ＥＬおよび封止材１７を挟んで保護膜もしくは保護板を設けても良い。この保護膜もしくは保護板は、有機電界発光素子ＥＬを機械的に保護するためのものであり、特に封止材１７が封止膜である場合には、有機電界発光素子ＥＬに対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜もしくは保護板を設けることが好ましい。

以上のような保護膜もしくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、またはポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

＜有機電界発光素子ＥＬ-1の作製方法＞
次に、図８に示す有機電界発光素子ＥＬ-1の製造方法を説明する。

先ず、第１実施形態または第２実施形態で説明した製造装置を用いて、基材１１として用意した透明基板１３上に、アノードとなる透明電極１を形成する。この際、例えば図１を参照し、移動する基材１１の所定位置に対して、第１供給源２５ａによる窒素含有層１ａの成膜開始後から、窒素含有層１ａの成膜終了後２分までの間、好ましくは１分までの間に、第２供給源２５ｂによる透明電極層１ｂの成膜を開始するようにして透明電極１を形成する。この際、基材１１である透明基板１３の移動方向ｘへの移動の速度ｖ、各供給源２５ａ，２５ｂからの材料の供給量、および供給領域Ｓａ，Ｓｂの大きさを調整する。これにより、窒素原子を含んだ化合物からなる窒素含有層１ａを、１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚になるように成膜する。さらに、銀（または銀を主成分とした合金）からなる透明電極層１ｂを、１２ｎｍ以下の膜厚になるように成膜する。

次に、この上に正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送層３ｄ、電子注入層３ｅの順に成膜し、発光機能層３を形成する。これらの各層の成膜は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０-6Ｐａ〜１０-2Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、膜厚０．１μｍ〜５μｍの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。

以上のようにして発光機能層３を形成した後、この上部にカソードとなる対向電極５-1を、蒸着法やスパッタ法などの適宜の成膜法によって形成する。この際、対向電極５-1は、発光機能層３によって透明電極１に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層３の上方から透明基板１３の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機電界発光素子ＥＬ-1が得られる。またその後には、有機電界発光素子ＥＬ-1における透明電極１および対向電極５-1の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層３を覆う封止材１７を設ける。

以上により、透明基板１３上に所望の有機電界発光素子ＥＬが得られる。このような有機電界発光素子ＥＬ-1の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層３から対向電極５-1まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板１３を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

このようにして得られた有機電界発光素子ＥＬ-1に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極１を＋の極性とし、カソードである対向電極５-1を−の極性として、電圧２Ｖ以上４０Ｖ以下程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

＜有機電界発光素子ＥＬ-1の効果＞
以上説明した有機電界発光素子ＥＬ-1は、本発明の導電性と光透過性とを兼ね備えて作製された透明電極１をアノードとして用い、この上部に発光機能層３とカソードとなる対向電極５-1とを設けた構成である。このため、透明電極1と対向電極５-1との間に十分な電圧を印加して有機電界発光素子ＥＬ-1での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

≪７．実施形態の製造装置を用いて作製される有機電界発光素子の第２例≫
＜有機電界発光素子ＥＬ-2の構成＞
図９は、上述した第１実施形態または第２実施形態の製造装置を用いて作製される電子デバイスの一例として、透明電極１を用いた有機電界発光素子の第２例を示す断面構成図である。以下にこの図に基づいて有機電界発光素子の構成を説明する。

図９に示す第２例の有機電界発光素子ＥＬ-2が、図８を用いて説明した第１例の有機電界発光素子ＥＬ-1と異なるところは、透明電極１をカソードとして用いるところにある。この透明電極１として、上述した第１実施形態または第２実施形態の製造装置を用いて作製した透明電極１を用いるところは同様である。以下、第1例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第２例の有機電界発光素子ＥＬ-2の特徴的な構成を説明する。

図９に示す有機電界発光素子ＥＬ-2は、透明基板１３上に設けられており、第1例と同様に、透明基板１３上の透明電極１として先に説明した本発明の透明電極１を用いているところが特徴的である。このため有機電界発光素子ＥＬ-2は、少なくとも透明基板１３側から発光光ｈを取り出すように構成されている。ただし、この透明電極１は、カソード（陰極）として用いられる。このため、対向電極５-2は、アノードとして用いられることになる。

このような有機電界発光素子ＥＬ-2の層構造が限定されることはなく、一般的な層構造であって良いことは、第1例と同様である。本第２例の場合の一例としては、カソードとして機能する透明電極１の上部に、電子注入層３ｅ／電子輸送層３ｄ／発光層３ｃ／正孔輸送層３ｂ／正孔注入層３ａをこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料で構成された発光層３ｃを有することが必須である。

尚、発光機能層３は、これらの層の他にも、第1例で説明したと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用される。このような構成において、透明電極１と対向電極５-2とで発光機能層３が挟持された部分のみが、有機電界発光素子ＥＬ-2における発光領域となることも第1例と同様である。

また以上のような層構成においては、透明電極１の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１の透明電極層１ｂに接して補助電極１５が設けられていても良いことも、第1例と同様である。

ここで、アノードとして用いられる対向電極５-2は、金属、合金、有機または無機の導電性化合物、およびこれらの混合物が用いられる。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体などが挙げられる。

以上のような対向電極５-2は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極５-2としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

尚、この有機電界発光素子ＥＬ-2が、対向電極５-2側からも発光光ｈを取り出すものである場合、対向電極５-2を構成する材料として、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択すれば良い。このような光透過性を有する対向電極５-2として、先の透明電極１を適用しても良い。この場合、透明基板１３上に発光機能層３までが形成されたものを基材とし、先に説明した第１実施形態または第２実施形態の製造装置を用いてこの基材上に、窒素含有層１ａ、透明電極層１ｂをとの積層構造の透明電極１を形成すれば良い。

以上のような構成の有機電界発光素子ＥＬ-2は、発光機能層３の劣化を防止することを目的として、第１例と同様に封止材１７で封止されている。

以上説明した有機電界発光素子ＥＬ-2を構成する主要各層のうち、アノードとして用いられる対向電極５-2以外の構成要素の詳細な構成、および有機電界発光素子ＥＬ-2の作製方法は、第１例と同様である。このため詳細な説明は省略する。

＜有機電界発光素子ＥＬ-2の作製方法＞
以上のような図９に示す有機電界発光素子ＥＬ-2の製造方法は、図８を用いて説明した有機電界発光素子ＥＬ-2と同様であって良く、第１実施形態または第２実施形態で説明した製造装置を用いて、基材１１として用意した透明基板１３上に、透明電極１を形成する手順が特徴的である。ただし、この透明電極１が、カソードとして形成されること、およびこの上部に設ける発光機能層３の形成順が逆であることのみが先の第1例とは異なる。

＜有機電界発光素子ＥＬ-2の効果＞
以上説明した有機電界発光素子ＥＬ-2は、本発明の導電性と光透過性とを兼ね備えて作製された透明電極１をカソードとして用い、この上部に発光機能層３とアノードとなる対向電極５-2とを設けた構成である。このため、第１例と同様に、透明電極1と対向電極５-1との間に十分な電圧を印加して有機電界発光素子ＥＬ-2での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

≪８．第３実施形態の電子デバイスの製造装置≫
図１０は、第３実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。また図１１は、この製造装置１０-3を用いて作製される電子デバイス（透明電極１-3）の断面模式図である。以下これらの図に基づいて第３実施形態の製造装置１０-3の構成を説明する。

図１０に示す製造装置１０-3が、図１を用いて説明した第１実施形態の製造装置と異なるところは、第２供給源２５ｂの下流側に、他の供給源２５ｄ，２５ｅを設けたところにあり、他の構成は第１実施形態と同様である。

他の供給源２５ｄ，２５ｅは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ側に配置され、第２供給源２５ｂ側から基材１１の移動方向ｘに、供給源２５ｄ、供給源２５ｅの順に配置されている。これらの供給源２５ｄ，２５ｅは、成膜室２０内に固定され、移動方向ｘとは垂直をなす基材１１の幅方向にわたって設けられている。このうち、上流側の供給源２５ｄは、例えば有機保護材料２７ｄを供給するためのものであり、また下流側の供給源２５ｅは、無機保護材料２７ｅを供給するためのものである。有機保護材料２７ｄとしては、例えばキノリン誘導体を配位子とする金属錯体化合物や、先に一般式（１），一般式（Ａ）、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）を用いて説明した窒素含有化合物が用いられる。また無機保護材料２７ｅとしては、例えばＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＯ_２等が例示される。

これらの供給源２５ｄ，２５ｅは、例えば蒸着成膜用のいわゆる加熱ボートであって良く、ボート内部に収納した各材料２７ｄ，２７ｅを、加熱することによってガス状化して基材１１の一主面ａに向かって噴出させる構成である。これにより、供給源２５ｄは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ上に有機保護膜１ｄを成膜するためのものとして構成されている。一方、供給源２５ｅは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ上に無機保護膜１ｅを成膜するためのものとして構成されている。尚、供給源２５ｄ，２５ｅは、どちらか一方のみを用いても良い。これらの有機保護材料２７ｄおよび無機保護材料２７ｅは、光学調整層としても機能する。

このような他の供給源２５ｄ，２５ｅを設けた構成であっても、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂの間隔ｄは、第１実施形態と同様である。すなわち、間隔ｄは、移動する基材１１の所定位置に対して、第１供給源２５ａによる窒素含有層１ａの成膜開始後から、成膜終了後２分までの間、好ましくは１分までの間に、第２供給源２５ｂによる透明電極層１ｂの成膜が開始されるように設定されている。そして、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとの間隔ｄ１が、ｄ１≦ｖ×２分（好ましくはｄ１≦ｖ×１分）となっている。

尚、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂの間隔ｄは、第1実施形態の変形例２(図４)と同様に、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとが一部で重なっていて、ｄ１＜０となっていても良い。これにより、窒素含有層１ａと透明電極層１ｂとの間に、窒素含有化合物２７ａと電極材料２７ｂとを混合した共蒸着層が成膜されるようにし、窒素含有層１ａと透明電極層１ｂとの密着性の向上を図るようにしても良い。

＜透明電極１-3＞
以上の第３実施形態の製造装置１０-3および上述した各材料を用いて作製された透明電極１-3は、窒素含有層１ａ、透明電極層１ｂ、有機保護膜１ｄ、および無機保護膜１ｅがこの順に積層された構造となる。また銀を主成分として構成された透明電極層１ｂは、窒素含有層１ａの成膜開始後から成膜終了後２分までの間に成膜が開始された層であり、膜厚１２ｎｍ以下で成膜されたものとなる。

＜第３実施形態の効果＞
以上説明した第３実施形態の製造装置１０-3では、窒素含有化合物で構成された窒素含有層１ａに隣接させて、この窒素含有層１ａの成膜開始後から成膜終了後２分までの間に、銀を主成分とした透明電極層１ｂを成膜することができる。これにより、第１実施形態で説明したと同様に、銀を主成分とする透明電極層１ｂを、光透過性を確保しつつも導電性に優れた膜として成膜することが可能になる。

しかも、透明電極層１ｂの成膜に連続して、この上部に有機保護膜１ｄと無機保護膜１ｅとを積層させて成膜することができる。これにより、透明電極層１ｂを大気などの劣化雰囲気にさらすことなく、有機保護膜１ｄおよび無機保護膜１ｅで覆った構成とすることができ、劣化が抑えられた透明電極１-3を得ることが可能になる。

≪９．第３実施形態の変形例≫
図１２は、上述した第３実施形態の電子デバイスの製造装置の変形例を説明するための模式図である。図１２に示すように、この製造装置１０-3'は、成膜室２０内に隔壁２９を設けた構成であり、他の構成については第３実施形態と同様である。

隔壁２９は、例えば供給源２５ｄと供給源２５ｅとの間において、供給源２５ｄからの有機保護材料２７ｄと、供給源２５ｅからの無機保護材料２７ｅとを分離する位置に設けられている。他の実施形態と同様に、この隔壁２９は、保持部材２３による基材１１の移送を妨げることのない状態で設けられている。尚、隔壁２９は、このほかにも各供給源の間に必要に応じて設けられる。

このような変形例の製造装置１０-3’では、隔壁２９を設けたことにより、有機保護材料２７ｄと無機保護材料２７ｅとによる成膜室２０内のクロス・コンタミネーションを防止できる。この結果、保護特性に優れたバリア性の高い有機保護膜１ｄと無機保護膜１ｅとで、透明電極層1ｂを保護することが可能になる。

≪１０．第４実施形態の電子デバイスの製造装置≫
図１３は、第４実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。また図１４は、この製造装置１０-4を用いて作製される電子デバイス（有機電界発光素子ＥＬ-3）の断面模式図である。以下これらの図に基づいて第４実施形態の製造装置１０-4の構成を説明する。

図１３に示す製造装置１０-4が、図１を用いて説明した第１実施形態の製造装置と異なるところは、第１供給源２５ａの上流側に、他の供給源３１ａ，…３１ｃを設けたところにあり、他の構成は第１実施形態と同様である。

他の供給源３１ａ，…３１ｃは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ側に配置され、ここでは有機電界発光素子の発光機能層を構成する各材料をガス状で供給するものであることとする。このような供給源３１ａ，…３１ｃは、基材１１の移動方向ｘに向かって、例えば正孔注入材料３３ａを供給するための供給源３１ａ，ここでの図示を省略した正孔輸送材料を供給するための供給源、…および発光層材料３３ｃを供給するための供給源３１ｃ等が、発光機能層の積層順に配置されている。またこれらの供給源３１ａ，…３１ｃは、成膜室２０内に固定され、移動方向ｘとは垂直をなす基材１１の幅方向にわたって設けられている。尚、各供給源３１ａ，…３１ｃから供給される材料の詳細は、先の有機電界発光素子ＥＬ-1で説明した、発光機能層を構成する各材料が用いられる。

これらの供給源３１ａ，…３１ｃは、例えば蒸着成膜用のいわゆる加熱ボートであって良く、ボート内部に収納した各材料３３ａ，…３３ｃを、加熱することによってガス状化して基材１１の一主面ａに向かって噴出させる構成である。これにより、供給源３１ａ，…３１ｃは、保持部材２３によって移送される基材１１の一主面ａ上に、発光機能層３を構成する各層、すなわち正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ等を順次成膜するためのものとして構成されている。尚、これらの供給源３１ａ，…３１ｃは、発光機能層３の層構成によって、必要に応じた材料層が基材１１側から順に成膜されるように配置されれば良い。

尚、例えば発光層材料３３ｃを供給するための供給源３１ｃのように、ホスト化合物と発光ドーパント化合物などの複数種類の材料を供給する供給源は、複数種類の材料が収納可能な構成となっていることとする。これにより、複数種類の材料がガス状で同一の供給領域に共蒸着される構成となっている。

このような他の供給源３１ａ，…３１ｃを設けた構成であっても、その下流側に配置される第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂの間隔ｄは、第１実施形態と同様である。すなわち、間隔ｄは、移動する基材１１の所定位置に対して、この間隔ｄは、移動する基材１１の所定位置に対して、第１供給源２５ａによる窒素含有層１ａの成膜開始後から、成膜終了後２分までの間、好ましくは１分までの間に、第２供給源２５ｂによる透明電極層１ｂの成膜が開始されるように設定されている。そして、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとの間隔ｄ１が、ｄ１≦ｖ×２分（好ましくはｄ１≦ｖ×１分）となっている。

またこの第１供給源２５ａからは、電子輸送性および電子注入性の少なくとも一方を兼ね備えた窒素含有化合物２７ａを選択して用いても良い。これにより、電子輸送性や電子注入性を兼ね備えた窒素含有層１ａが、発光機能層３の構成要素として成膜されることになる。

尚、ここでは基材１１として、基板１３’上に対向電極５-3を設けたものが用いられる。この基板１３’は、第１実施形態および第２実施形態で説明した基材１１と同様のものが適用される。また対向電極５-3は、図示した例ではアノードとして用いられるものとなるが、発光機能層の積層順が図示した例と逆である場合には、カソードとして用いられる。このような対向電極５-3は、金属、合金、有機または無機の導電性化合物、およびこれらの混合物が用いられ、蒸着やスパッタリング等の方法により基板１３’上に形成される。また、対向電極５-3としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

尚、この製造装置１０-4によって作製する有機電界発光素子ＥＬ-3が、対向電極５-3側からも発光光ｈを取り出すものである場合、対向電極５-3を構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択して用いれば良い。またこの場合、基板１３’としては、光透過性を有する材料が用いられ、基板１３’の外側に向かう面が光取り出し面１３ａ’となる。

また、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂの間隔ｄは、第1実施形態の変形例２(図４)と同様に、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとが一部で重なっていて、ｄ１＜０となっていても良い。これにより、窒素含有層１ａと透明電極層１ｂとの間に、窒素含有化合物２７ａと電極材料２７ｂとを混合した共蒸着層が成膜されるようにし、窒素含有層１ａと透明電極層１ｂとの密着性の向上を図るようにしても良い。

さらに各供給源の間には、必要に応じた位置にクロス・コンタミネーションを防止するための隔壁を設けても良い。さらに、第２供給源２５ｂのさらに下流側に、第３実施形態で説明した保護膜形成用の供給源を設けても良い。

＜有機電界発光素子ＥＬ-3＞
以上の第４実施形態の製造装置１０-4および上述した各材料を用いて作製された有機電界発光素子ＥＬ-3は、基材１１を構成する対向電極５-3上に、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送性を備えた窒素含有層１ａ、および透明電極層１ｂがこの順に積層された構造となる。これにより、このため有機電界発光素子ＥＬ-3は、少なくとも基板１３'とは逆の透明電極１側から発光光ｈが取り出されるトップエミッション型として作製される。また銀を主成分として構成された透明電極層１ｂは、窒素含有層１ａの成膜終了後の２分以内に、膜厚１２ｎｍ以下で成膜されたものとなる。尚、この有機電界発光素子ＥＬ-3は、アノードとして用いられる対向電極５-3と基板１３’とを光透過性材料で構成することにより、基板１３’側からも発光光を取り出す両面発光型として構成することも可能である。この場合、光透過性を有する対向電極５-3として、先の透明電極１を適用しても良い。

＜第４実施形態の効果＞
以上説明した第４実施形態の製造装置１０-4では、他の実施形態と同様に、窒素含有化合物で構成された窒素含有層１ａに隣接させて、この窒素含有層１ａの成膜開始後から成膜終了後２分までの間に、銀を主成分とした透明電極層１ｂを成膜することができる。これにより、他の実施形態で説明したと同様に、銀を主成分とする透明電極層１ｂを、光透過性を確保しつつも導電性に優れた膜として成膜することが可能になる。したがって、透明電極1と対向電極５-3との間に十分な電圧を印加して有機電界発光素子ＥＬ-3での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

しかも、基材１１を構成する対向電極５-3上に、発光機能層３を形成した後、これに連続して窒素含有層１ａおよび透明電極層１ｂを成膜することができる。これにより、有機材料で構成された発光機能層３を大気などの劣化雰囲気にさらすことなく、透明電極１で覆った構成とすることができ、発光機能層３の劣化が抑えられた寿命特性の良好な有機電界発光素子ＬＥ-3を得ることが可能になる。

尚、以上の第４実施形態は、さらに第３実施形態と組み合わせ、透明電極層１ｂを成膜するための第２供給源２５ｂの下流側に、有機保護膜や無機保護膜を形成するための他の供給源を設けるようにしても良い。これにより、第３実施形態の効果も得ることができる。

さらに本第４実施形態の製造装置１０-4では、窒素含有層１ａを成膜するための第１供給源２５ａの上流側に、発光機能層３を形成するための複数の供給源を配置する構成とした。しかしながら、本発明の製造装置は、透明電極層１ｂを成膜するための第２供給源２５ｂの下流側に、発光機能層３を形成するための各供給源を所定の順序で配置する構成としても良い。製造装置をこのような構成とすることにより、窒素含有層１ａに隣接して設けた透明電極層１ｂ上に、発光機能層３を形成することができる。

また、発光機能層３を形成するための供給源よりも下流側に、さらに対向電極を形成するための供給源を設けてもよい。製造装置をこのような構成とすることにより、透明電極層１ｂ上に発光機能層３と対向電極とをこの順に積層したボトムエミッション型の有機電界発光素子を連続した成膜処理によって作製することができる。

さらに、このような対向電極を形成するための供給源として、先に説明した第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂとを所定の状態で設けても良く、これにより両面発光型の有機を連続した成膜処理によって作製することができる。

≪１１．第５実施形態の電子デバイスの製造装置≫
図１５は、第５実施形態の電子デバイスの製造装置の構成を示す模式図である。以下、図１５に基づいて第５実施形態の製造装置１０-5の構成を説明する。

図１５に示す製造装置１０-5が、図１を用いて説明した第１実施形態の製造装置と異なるところは、基材１１の保持部材４１が円筒形の回転ドラムとして構成され、この外周に沿って第１供給源２５ａおよび第２供給源２５ｂを配置したところにある。他の構成は第１実施形態と同様である。

すなわち保持部材４１は、円筒形の回転ドラムであって、その側周の一部に基材１１を巻き付ける状態で保持するものである。この保持部材４１に巻き付けられた基材１１は、保持部材４１の回転に伴って円筒形の側周に沿って移動するため、円周方向が移動方向ｘとなる。このような保持部材４１は、例えば、フレキシブルに屈曲する長尺状の基材１１を巻き出しおよび巻き取りする２つのロール間に配置される。そして、ロールによる基材１１の巻き取りが駆動源となり、一方のロールから巻き出された基材１１が、保持部材４１の側周に沿って移動し、他方のロールに巻き取られる構成となっている。

このような基材１１の移動方向ｘへの移送が速度ｖで行われることは、他の実施形態と同様である。またこの速度ｖは、基材１１と、第１供給源２５ａおよび第２供給源２５ｂとの相対的な移動速度でもある。

第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂとは、保持部材４１の側周に沿った外周部分に、保持部材４１と同心円の円周に沿って配置されている。これらの第１供給源２５ａおよび第２供給源２５ｂは、保持部材４１に保持された基材１１の移動方向ｘに沿って配置されている。

基材１１の移動方向ｘに対する第１供給源２５ａおよび第２供給源２５ｂの配置状態は、他の実施形態と同様である。すなわち、第１供給源２５ａと第２供給源２５ｂの間隔ｄは、移動する基材１１の所定位置に対して、第１供給源２５ａからの窒素含有化合物２７ａの供給による窒素含有層の成膜開始後から、この成膜終了後２分までの間、好ましくは１分までの間に、第２供給源２５ｂからの電極材料２７ｂの供給による透明電極層の成膜が開始されるように設定されている。そして、窒素含有化合物２７ａの供給領域Ｓａと電極材料２７ｂの供給領域Ｓｂとの間隔ｄ１が、ｄ１≦ｖ×２分（好ましくはｄ１≦ｖ×１分）となっている。

またここでの図示は省略したが、以上の保持部材４１および第１供給源２５ａおよび第２供給源２５ｂは、真空チャンバーとして構成された成膜室２０内に配置されていることとする。

＜第５実施形態の効果＞
以上説明した第５実施形態の製造装置１０-5であっても、窒素含有化合物２７ａで構成された窒素含有層に隣接させて、この窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後２分までの間に、銀を主成分とした電極材料２７ｂで構成された透明電極層１ｂを成膜することができる。これにより、第１実施形態と同様に、本第５実施形態の製造装置１０-5を用いることにより、実質的に電極としての機能を果たす透明電極層を、薄膜でありながらも連続性の高い膜であることにより、光透過性を確保しつつも導電性に優れた膜として成膜することが可能になる。

以上説明した第５実施形態の製造装置１０-5は、第１実施形態の変形例１，２、他の実施形態およびそれらの変形例と組み合わせた構成とすることができる。これにより、各実施形態および変形例で得られる効果を合わせて得ることが可能なる。

尚、以上で説明した各実施形態および変形例では、保持部材によって基材１１を所定の移動方向ｘに移送することにより、基材１１と各供給源とを相対的に移動させる構成を説明した。しかしながら、基材１１と各供給源との相対的な移動は、固定された基材１１に対して、各供給源を移動させる構成であっても良い。このような構成であっても、各供給源に対して相対的に移動する基材１１に対しての各供給源の配置状態を、上述した各実施形態および変形例と同様にすることで、これらの各実施形態および変形例と同様の効果を得ることができる。

≪透明電極の作製≫
以下に説明するように、試料１-1〜１-9の各透明電極を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。

試料１-1〜１-9では、下記表１に示すように、各化合物で構成された窒素含有層とこの上部の銀を用いた電極層との積層構造の透明電極を作製した。

試料１-1〜１-3の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、窒素を含有する下記化合物１０を用いた。この化合物１０は一般式（３）に含まれる化合物である。

試料１-4〜１-6の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、窒素を含有する下記化合物９４を用いた。この化合物９４は一般式（３）に含まれる化合物である。

試料１-7〜１-9の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、窒素を含有する下記化合物９９を用いた。この化合物９９は一般式（１）に含まれる化合物である。

＜試料１-1〜１-9の透明電極の作製手順＞
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定した。また、各透明電極の作製において、上記化合物１０、化合物９４、及び化合物９９をそれぞれタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、第２真空槽内に取り付けた。

この状態で、先ず、第１真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、成膜速度０．３ｎｍ／ｓで、基材上に膜厚２５ｎｍの各化合物で構成された窒素含有層を成膜した。

次に、窒素含有層まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、成膜速度０．０２ｎｍ／ｓで、上記表１に示すように各膜厚（８ｎｍまたは１２ｎｍ）の銀からなる電極層を成膜した。この際、窒素含有層の成膜とその後の電極層の成膜との間隔が、記表１に示した各成膜間隔（１分、２分、または１０分）となるように、電極層の成膜を行った。つまり、この成膜間隔の時間内に、窒素含有層まで成膜した基材を第１真空槽から第２真空槽に移動し、第２真空槽の減圧および加熱ボートの加熱を行い、電極層の成膜を行った。以上により、窒素含有層とこの上部の電極層との積層構造からなる試料１-1〜１-9の各透明電極を得た。

＜実施例１の各試料の評価−１＞
上記で作製した試料１-1〜１-9の各透明電極について、光透過率を測定した。光透過率の測定は、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、試料と同じ基材をベースラインとして行った。この結果を上記表１に合わせて示した。

＜実施例１の各試料の評価−２＞
上記で作製した試料１-1〜１-9の各透明電極について、シート抵抗値を測定した。シート抵抗値の測定は、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で行った。この結果を上記表１に合わせて示した。

＜実施例１の評価結果＞
表１において、窒素含有層を構成する材料が化合物１０であり、電極層の膜厚が８ｎｍである試料１-1〜１-3を比較した。試料１-1及び１-2の窒素含有層と電極層との成膜間隔が２分以内である本発明構成の透明電極では、光透過率が７０％以上と高く、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．未満と低く抑えられていた。一方、試料１-3の窒素含有層と電極層との成膜間隔が１０分である本発明の範囲外の透明電極では、光透過率が６０％であり、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．を超えていた。

また表１において、窒素含有層を構成する材料が化合物９４であり、電極層の膜厚が１２ｎｍである試料１-4〜１-6を比較した。試料１-4及び１-5の窒素含有層と電極層との成膜間隔が２分以内である本発明構成の透明電極では、光透過率が６５％以上と高く、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．未満と低く抑えられていた。一方、試料１-6の窒素含有層と電極層との成膜間隔が１０分である本発明の範囲外の透明電極では、光透過率が５０％程度であり、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．を超えていた。

また表１において、窒素含有層を構成する材料が化合物９９であり、電極層の膜厚が１２ｎｍである試料１-7〜１-9を比較した。試料１-7及び１-8の窒素含有層と電極層との成膜間隔が２分以内である本発明構成の透明電極では、光透過率が６０％以上と高く、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．未満と低く抑えられていた。一方、試料１-9の窒素含有層と電極層との成膜間隔が１０分である本発明の範囲外の透明電極では、光透過率が５０％以下であり、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．を超えていた。

さらに表１の全体の結果として、窒素含有層を構成する材料が同じであれば、窒素含有層と電極層との成膜間隔が短時間であるほど、シート抵抗が低く、光透過率が高かった。また、一般式（３）に該当する化合物９４を窒素含有層に用いた試料１-4及び１-5は、一般式（１）に該当する化合物９９を窒素含有層に用いた試料１-7及び１-8と比較して、光透過率が高く、シート抵抗も高かった。

以上より、窒素含有層と電極層との成膜間隔が２分以内である本発明構成の透明電極は、光透過率が５０％以上かつシート抵抗が１０Ω／ｓｑ．未満であった。したがって、本発明の透明電極を構成する電極層が１２ｎｍ以下の薄膜でありながらも、連続性が確保されていることにより、本発明構成の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備えていることが確認された。

また、図１６〜図２４には、試料１-1〜１-9の各透明電極のＳＥＭ画像（倍率：５万倍）を示した。試料１-1〜１-9と、図１６〜図２４との対応関係は、上記表1に示した通りである。

先ず、成膜間隔のみが異なる試料１-1〜1-3に対応する図１６〜図１８を比較すると、次に説明するとおり、窒素含有層と電極層との成膜間隔の時間によって、電極層を構成する銀の成膜状態が異なることが明らかであった。図１６に示す試料１-1の窒素含有層と電極層との成膜間隔が１分である本発明構成の透明電極では、窒素含有層に隣接して設けられる電極層を構成する銀が繋がっていた。また、図１７に示す試料１-2の窒素含有層と電極層との成膜間隔が２分である本発明構成の透明電極でも同様に、窒素含有層に隣接して設けられる電極層を構成する銀が繋がっていた。さらに、図１６に示す試料１-1の透明電極は、図１７に示す試料１-2の透明電極よりも、銀に被覆されていない部分（図中の黒表示部）が少なく、電極層を構成する銀（図中の白表示部）の連続性が高かった。一方、図１８に示す試料１-3の窒素含有層と電極層との成膜間隔が１０分である本発明の範囲外の透明電極では、窒素含有層に隣接して設けられる電極層を構成する銀の連続性が低かった。さらに、銀に被覆されていない部分が目立って確認された。

さらに、成膜間隔のみが異なる試料１-4〜１-6の各透明電極のＳＥＭ画像（倍率：５万倍）を示す図１９〜２１を比較すると、上述した図１６〜１８と同様に、窒素含有層と電極層との成膜間隔の時間によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なっていた。これと同様に、成膜間隔のみが異なる試料１-7〜１-9の各透明電極のＳＥＭ画像（倍率：５万倍）を示す図２２〜２４を比較しても、上述した図１６〜１８と同様に、窒素含有層と電極層との成膜間隔の時間によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なっていた。

これにより、窒素含有層と電極層との成膜間隔が２分以内である本発明構成の透明電極では、核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）ではなく、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）により近い膜成長によって、窒素含有層に隣接する電極層が形成されたことが確認された。

また、電極層に隣接して設けられた窒素含有層を構成する材料が同じであれば、窒素含有層と電極層との成膜間隔が短時間であるほど、電極層を構成する銀（図中の白表示部）がより繋がっており、その連続性が高いことが確認された。

以上より、窒素含有化合物で構成された窒素含有層１ａに隣接させて、この窒素含有層１ａの成膜開始した後でこの成膜が終了してから２分以内に、銀を主成分とした透明電極層１ｂを成膜することが可能な本発明の製造装置を用いることにより、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極の形成が可能となることが確認された。

１，１-2，１-3…透明電極（電子デバイス）、１ａ…窒素含有層、１ｂ…透明電極層、１０-1，１０-1’，１０-1”，１０-2，１０-2’，１０-3，１０-3’，１０-4，１０-5…製造装置（電子デバイスの製造装置）、１１…基材、２３…保持部材、２５ａ…第１供給源、２５ｂ…第２供給源、２５ｄ，２５ｅ，３１ａ，３１ｃ…供給源、２７ａ…窒素含有化合物、２７ｂ…電極材料、３３ａ…正孔注入材料（発光機能材料）、３３ｃ…発光層材料（発光機能材料）、ｄ…間隔（供給源）、ｄ１…間隔(供給領域)、ｖ…速度、ｘ…移送方向、ＬＥ-1，ＥＬ-2，ＥＬ-3…有機電界発光素子（電子デバイス）

Claims (5)

1. 基材を保持するための保持部材と、
   前記基材の一主面側において当該基材に対してその面方向に相対的に移動する状態で設けられると共に、当該基材の一主面に向かって窒素含有化合物を供給することにより当該基材の一主面上に窒素含有層を成膜するための第１供給源と、
   前記第１供給源よりも前記基材の相対的な移動方向の下流側に設けられると共に、当該基材の一主面に向かって銀を主成分とする電極材料を供給することにより当該基材の一主面側に透明電極層を成膜するためのもので、当該基材の所定位置に対しての前記窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後２分までの間に、当該所定位置に対して透明電極層の成膜が開始されるように、当該第１供給源との間の間隔が保たれた第２供給源と、
   を備えた電子デバイスの製造装置。
2. 前記基材と前記第１供給源および前記第２供給源との相対的な移動速度は、前記透明電極層が膜厚１２ｎｍ以下で成膜される速度に設定されている
   請求項１記載の電子デバイスの製造装置。
3. 前記基材と前記第１供給源および前記第２供給源とは、一方向に速度ｖで相対的に移動し、
   前記第１供給源と前記第２供給源は、前記基材の一主面に対する前記窒素含有化合物の供給領域と前記電極材料の供給領域との間隔ｄ１が、ｄ１≦ｖ×２分となるように配置されている
   請求項１または２記載の電子デバイスの製造装置。
4. 前記第1供給源よりも前記基材の相対的な移動方向の上流側および前記第２供給源よりも当該基材の相対的な移動方向の下流側の少なくとも一方に、当該基材の一主面側に向かって発光機能材料を供給する他の供給源を備えた
   請求項１〜３の何れかに記載の電子デバイスの製造装置。
5. 前記保持部材は、円周に沿って基材を保持するものであり、
   前記第１供給源と前記第２供給源とは、前記円周と同心円の他の円周に沿って配置されている
   請求項１〜４の何れかに記載の電子デバイスの製造装置。