JP6939795B2 - 透明電極及び電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、透明電極及び電子デバイスに関する。詳しくは、本発明は、導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた透明電極と、この透明電極を用いた電子デバイスに関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下、「ＥＬ」と略記する。）を利用した有機ＥＬ素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、近年では、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の分野で用いられる面発光体として注目されている。

この有機ＥＬ素子は、２枚の対向する電極間に、少なくとも有機材料からなる発光層を配置した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成される。

透明電極の形成材料としては、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下、「ＩＴＯ」と略記する。）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられており、更には、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を図る検討もなされている。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルであるインジウムを使用しているため、材料コストが高く、成膜方法としては、主にはスパッタ法が用いられている。しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子等の電子デバイスにおいて、主に有機材料から構成されている有機層上にスパッタ成膜により透明電極の形成を行うと、有機層へダメージを与え、有機層本来の性能が損なわれてしまう問題がある。

上記問題に対し、スパッタ法を適用しない成膜方法として、蒸着法を用い、金属材料を薄膜形成して透明電極とする試みがなされており、電気伝導性の高い銀、又は銀とマグネシウムとの合金を用いて薄膜構成することにより、光透過性と導電性との両立を図った技術の検討がなされている。銀、又は銀とマグネシウムの合金を薄膜化した際には、銀がマイグレーション（銀原子の移動）を起こしやすいため、導電性を低下させるという問題を抱えていいた。また、マイグレーションを抑制するために厚膜化すると、光透過性が低下してしまうといった問題があり、導電性と光透過性の両立は困難であった。

このような問題に対し、銀薄膜層を形成する際、下地層である電子注入層に着目した検討が行われている。例えば、下地層に公知の電子注入材料と金属材料を併用することにより、光透過性と導電性を両立させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に記載されている方法は、銀とマグネシウムの合金比率を調整しながら、光透過性と導電性を両立させようとしているものの、いまだその両立は不十分であった。

また、下地層に銀と相互作用する有機化合物を用いることで、光透過性と導電性を両立させる方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。この場合、特に、導電性層に銀を用いた場合には良好な性能が示されているが、銀とマグネシウムの合金を導電性層に用いた場合には、耐久性が劣るという問題があった。

このように透明電極としての光透過性や導電性等の特性に加え、電子デバイス又は有機エレクトロルミネッセンス素子に対して透明電極を適用する際の様々な性能を同時に向上させる必要があり、新たな技術の開発が望まれていた。

特許第５３２８８４５号公報 特開２０１４−１０３１０３号公報

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた透明電極と、当該透明電極を備えた電子デバイスを提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく上記問題の原因等について検討した結果、基板と、特定の有機材料とランタノイド（以下、「Ｌａ金属」とも称す。）を含む金属親和性層と、銀を主成分とし、前記金属親和性層に隣接して設けられる導電性層を、この順に有する透明電極により、優れた導電性と光透過性を両立し、かつ耐久性に優れた透明電極を実現できることを見出した。さらに、当該透明電極を電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に適用することで、デバイス特性を向上させることができることを見出し、本発明に至った。

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．導電性層と、当該導電性層に隣接して少なくとも１層の金属親和性層を有する透明電極であって、
前記導電性層が、銀を主成分として構成され、
前記金属親和性層が、有機化合物及びランタノイドを含有し、
前記有機化合物が、非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物である、
ことを特徴とする透明電極。

２．前記金属親和性層が含有する有機化合物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物であり、かつ下記式（１）で表される銀との有効作用エネルギーΔＥｅｆが、下記式（２）で規定する条件を満たすことを特徴とする第１項に記載の透明電極。

式（１）
ΔＥｅｆ＝ｎ×ΔＥ／ｓ
〔式中、ｎは銀（Ａｇ）と安定的に結合する化合物中の窒素原子（Ｎ）の和を表し、ΔＥは窒素原子（Ｎ）と銀（Ａｇ）との相互作用エネルギーを表し、ｓは化合物の表面積を表す。〕
式（２）
−０．５０≦ΔＥｅｆ≦−０．１０［ｋｃａｌ／ｍｏｌ・Å^２］
３．前記金属親和性層が含有する有機化合物が、最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が−２．２〜−１．６ｅＶの範囲内にある有機化合物であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明電極。

４．前記金属親和性層が含有する有機化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明電極。

〔一般式（Ｉ）中、Ｘは、ＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１〜Ｅ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_２又は窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。〕
５．前記ランタノイドが、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）又はイッテルビウム（Ｙｂ）であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明電極。

６．第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明電極を具備することを特徴とする電子デバイス。

７．前記電子デバイスが、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする第６項に記載の電子デバイス。

本発明の上記手段により、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性（耐熱性）に優れた透明電極と、当該透明電極を備え、光透過性と駆動電圧を両立させ、耐久性（素子寿命）に優れた電子デバイスを提供することができる。

本発明の効果の発現機構・作用機構については明確になっていないが、以下のように推察している。

すなわち、本発明の透明電極は、金属親和性層と、当該金属親和性層に隣接して導電性層を形成し、当該導電性層を、銀を主成分として構成し、かつ金属親和性層に銀原子と親和性のある原子を有する化合物（銀親和性化合物）とランタノイドを含有している構成とすることを特徴とする。

本発明の透明電極においては、金属親和性層と導電性層は隣接していれば良く、金属親和性層上に導電性層がある構成でも、導電性層上に金属親和性層がある構成でもよい。更には、第１の金属親和性層上に導電性層を形成し、さらに当該導電性層上に第２の金属親和性層を形成し、導電性層を、２層の金属親和性層で挟持する構成であってもよい。

金属親和性層の上部に、銀を主成分とする導電性層を成膜する際、導電性層を構成する銀原子が金属親和性層に含有されている銀親和性化合物及びランタノイドと相互作用し、金属親和性層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の移動（マイグレーション）に伴う銀原子の凝集を抑制することができたものである。

すなわち、銀原子は、まず銀原子と親和性のある原子を有する金属親和性層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。

なお、一般的には、金属親和性層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合して３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により、島状に成膜しやすいと考えられる。

しかし、本発明においては、金属親和性層に含有されている銀親和性化合物とランタノイドにより、島状成長（ＶＭ型）が抑制され、層状成長（ＦＭ型）が促進されると推察される。

従って、薄い層厚でありながらも均一な層厚の導電性層が得られるようになる。その結果、その薄い層厚により光透過性を保ちつつも、導電性が確保された透明電極とすることができる。

また、導電性層の上部に金属親和性層を成膜した場合、導電性層を構成する銀原子が金属親和性層に含有されている銀原子と親和性のある原子と相互作用し、運動性が抑制されるものと考えられる。これによって、導電性層の表面平滑性が良化することで乱反射を抑制することができ、透過率を向上することが可能である。また該相互作用によって、熱や温度といった物理刺激に対する導電性層の変化が抑制され、耐久性を向上させることができたものと推測している。

本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の構成の第１例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の構成の第２例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の構成の第３例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の構成の第４例を示す概略断面図

本発明の透明電極は、導電性層と、当該導電性層に隣接して少なくとも１層の金属親和性層を有し、前記導電性層が銀を主成分として構成され、前記金属親和性層が有機化合物及びランタノイドを含有し、当該有機化合物が、非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物であることを特徴とする。この特徴は、各請求項に共通する又は対応する技術的特徴である。

本発明においては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、前記金属親和性層が含有する有機化合物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物であり、かつ前記式（１）で表される銀との有効作用エネルギーΔＥｅｆが、前記式（２）で規定する条件を満たすことが、銀を主成分とする導電性層における銀の移動（マイグレーション）に伴う銀原子の凝集をより効果的に抑制することができ、より優れた導電性と光透過性とを備えた透明電極を得ることができる点で好ましい。

また、前記金属親和性層が含有する有機化合物が、最低空分子軌道（以下、「ＬＵＭＯ」と略記する。）のエネルギー準位が−２．２〜−１．６ｅＶの範囲内にある有機化合物であると、導電性層を構成する金属材料、特に銀原子とのエネルギー準位が近く、電子軌道間における相互作用することが可能になる。これによって、導電性層との親和性が向上し、銀の凝集を抑制することができるため、好ましい。また、有機エレクトロルミネッセンス素子においては、該エネルギー準位とすることで、導電性層からのキャリア注入および発光層へのキャリア輸送を起こしやすくなるため好ましい。

また、前記金属親和性層が含有する有機化合物が、前記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物を用いることで、化合物自体の安定性が向上し、さらに形成した金属親和性層の安定性が向上する点で好ましい。特に前記一般式（Ｉ）で表される化合物はπ平面が大きく、分子間スタックが強固となるために、Ｔｇ（ガラス転移点）が向上し、熱的な安定性が向上する点で好ましい。

また、ランタノイドが、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）又はイッテルビウム（Ｙｂ）であることが、本発明の目的効果をより発現することができる点で好ましい。

また、本発明の電子デバイスは、本発明の透明電極を備えることを特徴とする。また、電子デバイスとしては、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。すなわち、本発明の透明電極は、電子デバイス用透明電極、特に有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極として好適に用いることができる。

本発明の透明電極を、電子デバイス用透明電極、特に有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極として適用した際の効果は、以下のように推察している。

前述のように、本発明に係る導電性層を構成する主要成分が銀原子である場合、まず銀原子が、当該銀原子と親和性のある原子を有する銀親和性化合物とランタノイドとを含有する金属親和性層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって導電性層が成膜されるようになる。これによって光透過性と導電性を両立した透明電極を提供することが可能になる。

また、本発明の透明電極を、電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に適用する際には、導電性層から金属親和性層を含む有機エレクトロルミネッセンス層へ、電子注入させることが重要である。

これまでにも、公知の電子注入材料として、ＬｉＱ（モノ（８−キノリノラト）リチウム錯体）、ＬｉＦやＫＦ等のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等を、アルミニウムや銀−マグネシウム合金からなる導電性層に隣接させたり、電子注入層中に公知の電子注入材料を併用したりすることによって、電子注入特性の向上を図ってきた。

しかしながら、これらの金属塩は、成膜時又は駆動時において、一部の金属と配位子、又は金属とハロゲン原子が解離し、移動することが知られている。金属塩の解離現象により生成する解離物は、極少量ではあるものの、電子デバイス内に拡散し、キャリア輸送を阻害したり、励起子を失活させたり、別の材料と反応したりして、デバイス性能に悪影響を与えることが示唆されている。

また、これらアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩を単体で電子注入層として使用する場合、０．１〜３ｎｍの範囲内という極薄層として使用することが必要であり、これ以上厚膜化した場合には電子注入特性が発現せず、むしろ絶縁層として機能するため、電子注入特性が劣化することが知られている。このような薄膜層は、デバイス特性に大きな影響を与えるが、薄膜層を安定的に製造することは困難であり、製造バラつきを引き起こす要因となっている。

これに対し、本発明においては、銀親和性化合物とランタノイドを含有する金属親和性層を電子注入層又は電子輸送層兼電子注入層として利用することにより、アルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩のように解離する金属塩を含有しない系においても、良好な電子注入特性を示すことができる。また、本発明に係る金属親和性層に、さらにアルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩を併用した場合、ランタノイド（Ｌａ金属）は該金属塩の配位子やハロゲン原子との親和性を有するため、一部解離した配位子又はハロゲン原子の拡散を抑制することが可能となり、その結果、より耐久性に優れた電子デバイスを提供することができる。

さらに、本発明においては、金属親和性層を有機エレクトロルミネッセンスの構成層として用いた場合には、キャリア輸送特性と電子注入特性を両立しているため、５ｎｍ以上の薄膜においても上記機能を発現することが可能となる。

上述したとおり、本発明に係る金属親和性層は、銀親和性化合物とＬａ金属を含有することで、隣接する導電性層の構成材料である銀原子の成長を調整することにより、光透過性と導電性を両立し、さらにキャリア注入性を有する透明電極を提供することが可能になったものと考えている。さらに、金属親和性層に含まれる銀親和性化合物とＬａ金属が、導電性層を構成する銀原子と相互作用するために、導電性層の物理変化を抑制し、耐久性の高い透明電極を提供することが可能である。また、本発明における金属親和性層は極薄膜状態のみならず、安定的に生産可能な膜厚で形成した場合にも電子注入機能を発現することが可能である。

さらに金属親和性層を導電性層の上部に用いた場合には、金属親和性層に含まれる銀親和性化合物とＬａ金属が、導電性層に含まれる銀原子と相互作用し、導電性層の表面平滑性を良化させることで、透過率と導電性を向上することが可能であり、また導電性層の物理的な変化を抑制することが可能となる。これによって、透過率、導電性及び耐久性の良好な透明電極とすることが可能である。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。なお、各図の説明において、構成要素の末尾に括弧内で記載した数字は、各図における符号を表す。

《透明電極》
本発明の透明電極は、導電性層と、当該導電性層に隣接して少なくとも１層の金属親和性層を有する透明電極であって、前記導電性層が銀を主成分として構成され、前記金属親和性層が、有機化合物及びランタノイドを含有し、かつ前記有機化合物が、非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物であることを特徴とし、十分な導電性と光透過性（透明性）とを兼ね備え、かつ耐久性（耐熱性）に優れた透明電極を得ることができる。

以下、本発明の透明電極の詳細について説明する。

〔透明電極の構成〕
図１は、本発明の透明電極の基本的な構成の一例を示す概略断面図である。

図１に示すように、透明電極（１）は、金属親和性層（１ａ）と、この金属親和性層（１ａ）の上部に導電性層（１ｂ）とが積層された２層構造であり、例えば、基材（１１）上に、金属親和性層（１ａ）及び導電性層（１ｂ）がこの順に設けられている。このうち金属親和性層（１ａ）には、少なくとも非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物である有機化合物である銀親和性化合物と、ランタノイドを含有して構成されている層であり、導電性層（１ｂ）は銀を主成分として構成されている層である。

なお、本発明でいう「銀を主成分とする」とは、導電性層を構成する材料成分に占める銀の比率が６０質量％以上であることをいい、好ましくは、７０質量％、より好ましくは８０質量％以上であり、さらに好ましくは９０質量％以上であり、特に好ましくは９９質量％以上である。また、本発明の透明電極（１）でいう「透明」とは、波長５００ｎｍにおける光透過率が５０％以上であることをいい、光透過率が６０％以上であることがより好ましく、光透過率が６５％以上であることが更に好ましい。

次に、このような積層構造の透明電極（１）が設けられる基材（１１）、透明電極（１）を構成する金属親和性層（１ａ）及び導電性層（１ｂ）の順に、それぞれの詳細な構成を説明する。

［基材］
本発明の透明電極（１）は、図１で示すように基材（１１）上に形成されていることが好ましい形態である。

本発明に適用可能な基材（１１）としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基材（１１）は透明であっても不透明であってもよいが、本発明の透明電極（１）が、基材（１１）側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材（１１）は透明であることが必要な条件となる。好ましく用いられる透明な基材（１１）としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等のガラス材料が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、金属親和性層（１ａ）との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的な加工処理が施されていてもよいし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン（略称：ＰＥ）、ポリプロピレン（略称：ＰＰ）、セロファン、セルロースジアセテート（略称：ＤＡＣ）、セルローストリアセテート（略称：ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（略称：ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール（略称：ＰＶＡ）、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート（略称：ＰＣ）、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド（略称：ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（略称：ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート（略称：ＰＭＭＡ）、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

上記した樹脂フィルムの表面には、ガラスと同様に、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜やハイブリッド被膜は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のバリアー性フィルム（バリアー膜等ともいう。）であることが好ましい。さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍＬ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリアー性フィルムであることが好ましい。

以上のようなバリアー性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスや有機ＥＬ素子の劣化をもたらす要因の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに、当該バリアー性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層との積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリアー性フィルムを構成するバリアー膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を挙げることができ、一例としては、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を挙げることができる。

一方、基材（１１）を光不透過性の材料で構成する場合には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。

［金属親和性層］
本発明に係る金属親和性層は、銀親和性化合物である非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む有機化合物と、ランタノイドを含有して構成された層である。その成膜方法としては、特に制限はなく、例えば、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる湿式法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる乾式法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。

非共有電子対とは、孤立電子対ともいい、原子の外殻電子軌道の1つにその原子に属する２個の電子が対となって入ってつくられた電子対で、共有結合に関与しない電子対を指す。本発明でいう非共有電子対とは、具体的には、化合物を構成するヘテロ原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せず、かつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。

ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に配列された不飽和環状構造をいい、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」（ｎは０以上の整数）個であることを条件としている。

さらに、この金属親和性層（１ａ）としては、その層厚が１〜１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、３〜５０ｎｍの範囲内にあることがより好ましく、この範囲内であればいずれの層厚であっても効果を得ることができる。具体的には、層厚が１００ｎｍ以下であれば、層の吸収成分が少なくなり、透明電極の透過率が向上するため好ましい。また、層厚が３ｎｍ以上であれば、均一で連続的な金属親和性層が形成されるため好ましい。

本発明においては、非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む有機化合物である銀親和性化合物としては、具体的には、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する硫黄原子を含有する化合物、ハロゲン原子を含有する化合物、窒素原子を含有する芳香族複素環化合物等を挙げることができる。

〔銀親和性化合物〕
（１）硫黄原子を含有する有機化合物
芳香族性に関与しない非共有電子対を有する硫黄原子を含有する有機化合物としては、分子内にスルフィド結合（チオエーテル結合ともいう。）、ジスルフィド結合、メルカプト基、スルホン基、チオカルボニル結合等を有していればよく、特に、スルフィド結合、メルカプト基を有する有機化合物が好ましい。

具体的には、下記一般式（１）〜（４）で表される含硫黄化合物を挙げることができる。

一般式（１）
Ｒ_１−Ｓ−Ｒ_２
一般式（２）
Ｒ_３−Ｓ−Ｓ−Ｒ_４
一般式（３）
Ｒ_５−Ｓ−Ｈ

上記一般式（１）において、Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、置換基を表す。

Ｒ_１及びＲ_２で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ置換基を表す。

Ｒ_３及びＲ_４で表される置換基としては、Ｒ_１及びＲ_２と同様の置換基が挙げられる。

上記一般式（３）において、Ｒ_５は、置換基を表す。

Ｒ_５で表される置換基としては、Ｒ_１及びＲ_２と同様の置換基が挙げられる。

上記一般式（４）において、Ｒ_６は、置換基を表す。

Ｒ_６で表される置換基としては、Ｒ_１及びＲ_２と同様の置換基が挙げられる。

以下に、本発明に係る金属親和性層に適用可能な硫黄原子を含有する有機化合物の具体例を挙げる。

更に、上記で例示した硫黄原子を有する有機化合物の中でも、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物が好ましい。

Ｒ_１〜Ｒ_６で表される置換基としては、芳香環基であることが好ましく、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を部分構造として有する置換基であることが特に好ましい。

また、一般式（１）〜（３）の中では、一般式（３）で表される有機化合物が、光透過性、導電性の観点から好ましく、一般式（１）で表される有機化合物が、光透過性、導電性及び耐久性の観点から好ましい。

（２）ハロゲン原子を含有する有機化合物
本発明の透明電極（１）において、金属親和性層（１ａ）に適用する非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む有機化合物として、芳香族性に関与しない非共有電子対を有するハロゲン原子を含有する有機化合物を用いることが好ましい。

本発明に適用可能なハロゲン原子を有する有機化合物としては、少なくとも、ハロゲン原子と炭素原子とを含む化合物であり、その構造に特に制限はないが、下記一般式（５）で表されるハロゲン化アリール化合物が好ましい。

以下、本発明に好適な下記一般式（５）で表されるハロゲン化アリール化合物について説明する。

一般式（５）
（Ｒ）_ｋ−Ａｒ−〔（Ｌ）_ｎ−Ｘ〕_ｍ
上記一般式（５）において、Ａｒは芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１〜５の整数である。Ｌは直接結合又は２価の連結基を表し、ｎは０又は１を表す。Ｒは水素原子又は置環基を表す。ｋは１〜５の整数を表す。

一般式（５）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基又はアリール基ともいう。）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等を挙げることができる。

また、Ａｒで表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等を挙げることができる。

本発明においては、Ａｒとしては、芳香族炭化水素環基であることが好ましく、更に好ましくはフェニル基である。

Ｘで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができるが、その中でも、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、更に好ましくは、臭素原子又はヨウ素原子である。

ｍは１〜５の整数を表すが、好ましくは１又は２である。

Ｌは直接結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基など）、シクロアルキレン基（例えば、１，２−シクロブタンジイル基、１，２−シクロペンタンジイル基、１，３−シクロペンタンジイル基、１，２−シクロヘキサンジイル基、１，３−シクロヘキサンジイル基、１，４−シクロヘキサンジイル基、１，２−シクロヘプタンジイル基、１，３−シクロヘプタンジイル基、１，４−シクロヘプタンジイル基、など）、アリーレン基（例えば、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、１，２−ナフチレン基、２，３−ナフトレン基、１，３−ナフチレン基、１，４−ナフチレン基、２，７−ナフチレン基など）、ヘテロアリーレン基（例えば、チオフェン−２，５−ジイル基、２，６−ピリジンジイル基、２，３−ピリジンジイル基、２，４−ピリジンジイル基、２，４−ジベンゾフランジイル基、２，８−ジベンゾフランジイル基、４，６−ジベンゾフランジイル基、３，７−ジベンゾフランジイル基、２，４−ジベンゾチオフェンジイル基、２，８−ジベンゾチオフェンジイル基、４，６−ジベンゾチオフェンジイル基、３，７−ジベンゾチオフェンジイル基、１，３−カルバゾールジイル基、１，８−カルバゾールジイル基、３，６−カルバゾールジイル基、２，７−カルバゾールジイル基、１，９−カルバゾールジイル基、２，９−カルバゾールジイル基、３，９−カルバゾールジイル基、４，９−カルバゾールジイル基、など）、−Ｏ−基、−ＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯ−基、−ＣＯ−Ｏ−基、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ_２−基等を挙げることができる。

Ｌで表される２価の連結基として、好ましくはアルキレン基であり、更に好ましくはメチレン基である。

ｎは０又は１を表すが、好ましくは０である。

Ｒは、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、例えば、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）等が挙げられる。これらの置換基のうち、好ましいものはアリール基であり、更に複数のアリール基を有し、これらのアリール基が更にハロゲン原子を置換している構造が好ましい。

ｋは、１〜５の整数を表す。

ハロゲン原子を有する有機化合物の具体的な化合物に関しては、例えば、特開２０１５−１２２１８４号公報の段落（００７０）〜同（００７９）に記載の化合物（１）〜（６１）を挙げることができる。

（３）芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含有する芳香族複素環化合物
本発明に係る非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物として、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含有する芳香族複素環化合物を用いることが好ましく、更には、ポリマー化合物ではなく、窒素原子を含有する低分子有機化合物が好ましい。低分子有機化合物の分子量としては、１５０〜１２００の範囲内であることが好ましく、６５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。このような分子量の範囲内とすることで、膜密度を維持しながら、アモルファス性を向上することが可能となり、膜の安定性に優れ、且つ、表面粗さの少ない膜を形成することが可能となる。

窒素原子を含有する低分子有機化合物としては、融点が８０℃以上であり、かつ、分子量Ｍが１５０〜１２００の範囲内にある化合物が好ましい。また、窒素原子を含有する低分子有機化合物は、銀等との相互作用が大きい方が好ましく、例えば、含窒素複素環化合物、フェニル基置換アミン化合物が挙げられる。

窒素原子を含有する有機化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎの比の値を有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義すると、窒素原子を含有する低分子有機化合物とは、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物であり、３．９×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］であることがより好ましく、７．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］であることが更に好ましい。

ここでいう［有効非共有電子対］とは、前述のとおり、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せず、かつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。

ここでの芳香族性とは、前述のとおり、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造をいい、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」（ｎ＝０、又は自然数）個であることを条件としている。

以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子が芳香族性に関与しない非共有電子対を有していれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。

これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対の全てが芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。

なお、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。

窒素原子を有する有機化合物が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば、化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。

以下に、窒素原子を含有する低分子有機化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物として、以下の例示化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４２を示す。

なお、下記に示す例示化合物Ｎｏ．３１の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち、銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。

上記した化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４２、ついて、［有効非共有電子対］の個数（ｎ）、分子量（Ｍ）及び有効非共有電子対含有率（ｎ／Ｍ）を表Ｉに示す。

窒素原子を含有する低分子有機化合物として、更に上記した化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４２の他に、下記化合物Ｎｏ．４３及びＮｏ．４４とを挙げることができる。

また、金属親和性層（１ａ）に含有される有機化合物が、下記一般式（Ｉ）〜（IV）で表される部分構造を有する化合物であることが特に好ましい。

〔一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する化合物〕
本発明の透明電極（１）において、金属親和性層（１ａ）に含有される化合物としては、下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ｘは、ＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１〜Ｅ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_２又は窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。一般式（Ｉ）において、特に、Ｅ_１〜Ｅ_８の少なくとも一つは窒素原子であることが好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_１で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう。）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えば、ジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_２で表される置換基としては、Ｒ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

〔一般式（II）で表される部分構造を有する化合物］
上記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する化合物は、下記一般式（II）で表される部分構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（II）において、Ｅ_９〜Ｅ_１５は、それぞれ独立に、ＣＲ_４を表す。Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。

一般式（II）において、Ｒ_３及びＲ_４で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

〔一般式（III）で表される構造を有する化合物〕
上記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物は、下記一般式（III）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（III）において、Ｅ_１６〜Ｅ_２２は、それぞれ独立に、ＣＲ_５を表す。Ｒ_５は、水素原子又は置換基を表す。

一般式（III）において、Ｒ_５で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

〔一般式（IV）で表される構造を有する化合物〕
上記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物は、下記一般式（IV）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（IV）において、Ｅ_２３〜Ｅ_２８は、それぞれ独立に、ＣＲ_７を表す。Ｒ_６及びＲ_７は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。

一般式（IV）において、Ｒ_６及びＲ_７で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

［金属親和性層に含有される有機化合物の具体例］
また、本発明においては、金属親和性層が含有する有機化合物が、ＬＵＭＯのエネルギー準位が−２．２〜−１．６ｅＶの範囲内にある有機化合物であることが好ましく、更に好ましくは−２．０５〜−１．７５ｅＶの範囲内である。

ＬＵＭＯのエネルギー準位が−１．６ｅＶより大きい場合には、銀（仕事関数：−４．３ｅＶ）とのエネルギー準位が遠く、これにより電子軌道間における相互作用が小さくなり、銀の凝集を抑制できず、膜質を低下させてしまう。ＬＵＭＯのエネルギー準位が−２．２ｅＶより小さい場合には、発光層から電子や励起子が流れてきてしまい、発光効率が低下してしまう。

以下に、本発明に係る金属親和性層（１ａ）に含有される有機化合物の具体例（例示化合物Ｎｏ．４５〜Ｎｏ．１００とそのＬＵＭＯのエネルギー準位（ｅＶ）を示すが、これらに限定されるものではない。

本発明に係る有機化合物は、従来公知の合成方法に準じて、容易に合成することができる。

（有効作用エネルギーΔＥｅｆ）
本発明の透明電極においては、金属親和性層が含有する有機化合物が、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有し、下記式（１）で表される銀との有効作用エネルギーΔＥｅｆの値が、下記式（２）で規定する条件を満たす化合物であることが好ましい。

式（１）
ΔＥｅｆ＝ｎ×ΔＥ／ｓ
上記式（１）において、ｎは銀（Ａｇ）と安定的に結合する化合物中の窒素原子（Ｎ）の和を表し、ΔＥは窒素原子（Ｎ）と銀（Ａｇ）との相互作用エネルギーを表し、ｓは化合物の表面積を表す。
式（２）
−０．５０≦ΔＥｅｆ≦−０．１０［ｋｃａｌ／ｍｏｌ・Å^２］
銀と安定的に結合する化合物中の窒素原子の数［ｎ］とは、有機化合物中に含有される窒素原子のうちから、銀と安定的に結合する窒素原子のみを、特定の窒素原子として選択してカウントした数である。選択対象となる窒素原子は、化合物中に含まれる全ての窒素原子であり、複素環を構成する窒素原子に限定されることはない。

このような化合物中に含まれる全ての窒素原子の中からの、特定の窒素原子の選択は、例えば、分子軌道計算法によって算出される銀と化合物中の窒素原子との結合距離［ｒ（Ａｇ・Ｎ）］、又は化合物中の窒素原子を含む環に対して当該窒素原子と銀とのなす角度、すなわち二面角［Ｄ］を指標として次のように行われる。なお、分子軌道計算は、例えばＧａｕｓｓｉａｎ ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｗａｌｌｉｎｇｆｏｒｄ，ＣＴ，２００３）を用いて行われる。

先ず、結合距離［ｒ（Ａｇ・Ｎ）］を指標とした場合、各化合物の立体的な構造を考慮し、当該化合物において窒素原子と銀とが安定的に結合する距離を、「安定結合距離」として設定しておく。そして、当該化合物に含有される各窒素原子について、分子軌道計算法を用いて結合距離［ｒ（Ａｇ・Ｎ）］を算出する。そして算出された結合距離［ｒ（Ａｇ・Ｎ）］が、「安定結合距離」と近い値を示す窒素原子を、特定の窒素原子として選択する。このような窒素原子の選択は、複素環を構成する窒素原子が多く含まれる化合物、及び複素環を構成しない窒素原子が多く含まれる化合物に対して適用される。

また、二面角［Ｄ］を指標とした場合、分子軌道計算法を用いて上述した二面角［Ｄ］を算出する。そして算出された二面角［Ｄ］がＤ＜１０度をなす窒素原子を、特定の窒素原子として選択する。このような窒素原子の選択は、複素環を構成する窒素原子が多く含まれる化合物に対して適用される。

また、銀（Ａｇ）と化合物中における窒素（Ｎ）との相互作用エネルギー［ΔＥ］は、分子軌道計算法によって算出することができ、上記のように選択された窒素と銀との間の相互作用エネルギーである。

さらに表面積［ｓ］は、Ｔｅｎｃｕｂｅ／ＷＭ（株式会社テンキューブ製）を用いて、上記最適化された構造に対して算出されるものである。

前記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する化合物の銀との有効作用エネルギーΔＥｅｆが上記範囲内であると、金属層としてのシート抵抗値（Ω／ｓｑ．）が低下し好ましい。有効作用エネルギーΔＥｅｆの好ましい範囲として、−０．１５以下であることが好ましく、−０．２０以下であることがより好ましい。

代表的な本発明に係る有機化合物として、例示化合物Ｎｏ．３〜７、Ｎｏ．１４，Ｎｏ．１５及びＮｏ．２７の有効作用エネルギーΔＥｅｆを、下記表IIに示す。

〔Ｌａ金属〕
本発明に係るＬａ金属（ランタノイド又はランタニドともいう。）とは、元素周期表第６周期、第３族に含まれる遷移金属を示す。具体的には、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、及びルテチウム（Ｌｕ）である。なお、プロメチウム（Ｐｍ）もランタノイドに含まれるが、放射性同位体しか存在しないため、安全性に課題があるため、本発明では不適である。Ｌａ金属は、公知のように最外殻の電子が充填されているために、各元素の性質が類似しているが、ランタノイド収縮等興味深い性質を示すことが知られている。本願において、ランタノイドであれば特に限定されないが、蒸着適性の観点から、Ｓｍ、Ｅｕ及びＹｂが好ましく、Ｓｍ又はＹｂであることがさらに好ましい。

〔導電性層〕
本発明の透明電極を構成する導電性層（１ｂ）は、銀を主成分として構成されている層であって、金属親和性層（１ａ）上に成膜された層である。本発明でいう銀を主成分として構成されているとは、前述のとおり、導電性層を構成する材料成分に占める銀の比率が６０質量％以上であることをいい、好ましくは、７０質量％、より好ましくは８０質量％以上であり、さらに好ましくは９０質量％以上であり、特に好ましくは９９質量％以上である。

このような導電性層（１ｂ）の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。

また、導電性層（１ｂ）は、前述の金属親和性層（１ａ）上に成膜されることにより、導電性層成膜後の高温アニール処理（例えば、１５０℃以上の加熱プロセス）等がなくても十分な導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。

導電性層（１ｂ）は銀（Ａｇ）を含有する合金から構成されていてもよく、そのような合金としては、例えば、銀マグネシウム（Ａｇ−Ｍｇ）、銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）、銀パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銀パラジウム銅（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）、銀インジウム（Ａｇ−Ｉｎ）等が挙げられる。

以上のような導電性層（１ｂ）は、銀を主成分として構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。

さらに、この導電性層（１ｂ）は、層厚が５〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましく、５〜１２ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

導電性層（１ｂ）の層厚が２０ｎｍ以下であれば、吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極の透過率が向上する点で好ましい。また、層厚が５ｎｍ以上であれば、導電性が十分になる観点から好ましい。

透明電極のシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、１００Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましい。また、電極の大面積化のために５０Ω／ｓｑ．以下であることがさらに好ましく、２０Ω／ｓｑ．以下であることが特に好ましい。

なお、以上のような金属親和性層（１ａ）とこの上部に成膜された導電性層（１ｂ）とからなる積層構造の透明電極（１）では、導電性層（１ｂ）の上部が更に保護膜で覆われていてもよいし、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明電極（１）の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び別の導電性層が、所望の光透過性を有することが好ましい。また、金属親和性層（１ａ）の下部、すなわち金属親和性層（１ａ）と基材（１１）との間にも、必要に応じ、構成層を設けた構成としてもよい。

〔透明電極の効果〕
以上のような構成の透明電極（１）は、非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む有機化合物及びランタノイドを用いて構成されている金属親和性層（１ａ）上に、銀を主成分として構成されている導電性層（１ｂ）を設けた構成である。これにより、金属親和性層（１ａ）の上部に導電性層（１ｂ）を成膜する際、導電性層（１ｂ）を構成する銀原子が金属親和性層（１ａ）を構成する非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物と相互作用し、銀原子の金属親和性層（１ａ）表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられ、均一組成の層を形成することができる。

前述のように、一般的に銀を主成分として構成されている導電性層の成膜においては、島状成長型（ＶＷ型）で薄膜成長するため、銀粒子が島状に孤立しやすく、層厚が薄いときは導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなる。

したがって、導電性を確保するには層厚を厚くする必要があるが、層厚を厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。

しかしながら、本発明構成の透明電極（１）によれば、上述したように金属親和性層（１ａ）上において銀の凝集が抑えられるため、銀を主成分として構成されている導電性層（１ｂ）の成膜においては、層状成長型（ＦＭ型）で薄膜成長するようになる。

また、ここで、本発明の透明電極（１）でいう透明とは、前述のとおり、波長５００ｎｍにおける光透過率が５０％以上であることをいうが、上述した各材料により構成される金属親和性層（１ａ）は、銀を主成分とした導電性層（１ｂ）と比較して、光透過性の良好な層を形成する。一方、透明電極（１）の導電性は、主に導電性層（１ｂ）によって確保される。したがって上述のように、銀を主成分として構成されている導電性層（１ｂ）が、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなることにより、透明電極（１）の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になるのである。

《透明電極の適用分野》
本発明の透明電極（１）は、各種電子デバイスに用いることを特徴とする。

電子デバイスの例としては、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて、光透過性を必要とされる電極部材として、本発明の透明電極（１）を用いることができる。その中でも、本発明の透明電極は、有機ＥＬ素子に適用することが特に好ましい。

以下、適用分野の一例として、本発明の透明電極（１）を用いた有機ＥＬ素子の実施の形態を説明する。

［有機ＥＬ素子への適用例１］
〔有機ＥＬ素子の構成〕
図２は、本発明の電子デバイスの構成例として、本発明の透明電極（１）の有機ＥＬ素子への適用例１を示す概略断面図である。

以下、図２に基づいて有機ＥＬ素子の構成を説明する。

図２に示すとおり、有機ＥＬ素子（１００）は、透明基板（基材、１３）上に設けられており、透明基板（１３）側から順に、透明電極（１）、有機材料等を用いて構成された発光機能層ユニット（３）、及び対向電極（５ａ）をこの順に積層して構成されている。

有機ＥＬ素子（１００）においては、透明電極（１）として、先に説明した本発明の透明電極（１）を用いている。このため、有機ＥＬ素子（１００）では、発光点（ｈ）より発生させた光（以下、発光光（Ｌ）と記す）を、少なくとも透明基板（１３）面側から取り出すように構成されている。

また、有機ＥＬ素子（１００）の層構造は、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明電極（１）がアノード（すなわち陽極）として機能し、対向電極（５ａ）がカソード（すなわち陰極）として機能する例を示してある。この場合、例えば、発光機能層ユニット（３）は、アノードである透明電極（１）側から順に正孔注入層（３ａ）／正孔輸送層（３ｂ）／発光層（３ｃ）／電子輸送層（３ｄ）／電子注入層（３ｅ）を積層した構成が例示されるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層（３ｃ）を有することが必須である。正孔注入層（３ａ）及び正孔輸送層（３ｂ）は、正孔輸送注入層として設けられていてもよい。また、電子輸送層（３ｄ）及び電子注入層（３ｅ）は、電子輸送注入層として設けられていてもよい。また、これらの発光機能層ユニット（３）のうち、例えば、電子注入層（３ｅ）は無機材料で構成されていてもよい。

また、発光機能層ユニット（３）は、これらの層の他に正孔阻止層や電子阻止層等を必要に応じて必要箇所に積層した構成としてもよい。さらに、発光層（３ｃ）は、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の補助層を介して積層させた積層構造としてもよい。補助層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらにカソードである対向電極（５ａ）も、必要に応じて積層構造であってもよい。このような構成においては、透明電極（１）と対向電極（５ａ）とで発光機能層ユニット（３）が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子（１００）における発光領域となる。

また、以上のような層構成においては、透明電極（１）の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極（１）の導電性層（１ｂ）に接して補助電極（１５）が設けられていてもよい。

以上のような構成の有機ＥＬ素子（１００）は、有機材料等を用いて構成された発光機能層ユニット（３）の劣化を防止することを目的として、図２で示すように、透明基板（１３）上において、後述する封止材（１７）で封止されている。この封止材（１７）は、接着剤（１９）を介して透明基板（１３）側に固定されている。ただし、透明電極（１）及び対向電極（５ａ）の端子部分は、透明基板（１３）上において発光機能層ユニット（３）によって互いに絶縁性を保った状態で封止材（１７）から露出させた状態で設けられていることとする。

次いで、上述した有機ＥＬ素子（１００）を構成する主要要素の詳細について、透明基板（１３）、透明電極（１）、対向電極（５ａ）、発光機能層ユニット（３）の発光層（３ｃ）、発光機能層ユニット（３）の他の層、補助電極（１５）、及び封止材（１７）の順に説明する。

（透明基板）
透明基板（１３）は、図１で説明した本発明の透明電極（１）が設けられる基材（１１）であり、透明電極で説明した基材（１１）のうち、光透過性を有する透明な基材が用いられる。

（透明電極：アノード）
透明電極（１）は、先に説明した本発明の透明電極（１）であり、透明基板（１３）側から順に金属親和性層（１ａ）及び導電性層（１ｂ）をこの順で成膜した構成である。ここでは、特に、透明電極（１）がアノード（陽極）として機能するものであり、導電性層（１ｂ）が実質的なアノードとなる。

（対向電極：カソード）
対向電極（５ａ）は、発光機能層ユニット（３）に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

対向電極（５ａ）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜形成させることにより作製することができる。また、対向電極（５ａ）としてのシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍの範囲内であり、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。

なお、この有機ＥＬ素子（１００）が、対向電極（５ａ）側からも発光光（Ｌ）を取り出す方式である場合には、上述した導電性材料の中から、光透過性の良好な導電性材料を選択して対向電極（５ａ）を構成すればよい。

（発光層）
本発明に用いられる発光層（３ｃ）には発光材料が含有されているが、中でも発光材料としてリン光発光性化合物（リン光発光材料、リン光発光化合物、リン光性化合物）が含有されている構成であることが好ましい。

この発光層（３ｃ）は、電極又は電子輸送層（３ｄ）から注入された電子と、正孔輸送層（３ｂ）から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光点（ｈ）は発光層（３ｃ）の層内であっても発光層（３ｃ）と隣接する層との界面領域であってもよい。

発光層（３ｃ）としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層（３ｃ）間には非発光性の補助層（中間層）を有していることが好ましい。

発光層（３ｃ）の層厚の総和は、好ましくは、１〜１００ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから観点から１〜３０ｎｍの範囲内である。なお、発光層（３ｃ）の層厚の総和とは、発光層（３ｃ）間に非発光性の補助層が存在する場合には、当該補助層も含む総層厚である。

複数層を積層した構成の発光層（３ｃ）の場合、個々の発光層の層厚としては、１〜５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、１〜２０ｎｍの範囲内に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の層厚のそれぞれの関係については、特に制限はない。

以上のように構成されている発光層（３ｃ）は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法を適用して成膜形成することができる。

また、発光層（３ｃ）は、複数の発光材料が混合されて構成されていてもよく、またリン光発光性化合物と蛍光性化合物（蛍光発光材料、蛍光ドーパント）とが混合されて構成されていてもよい。

発光層（３ｃ）の構成として、ホスト化合物（発光ホスト）、発光材料（発光ドーパント化合物）を含有し、発光材料より発光させる。

〈ホスト化合物〉
発光層（３ｃ）に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層３ｃに含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種併用してもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能となり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

適用可能なホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）の化合物が好ましい。

ここでいうガラス転移温度とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠した方法により求められる値である。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることができる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８−０７４９３９号公報、特開２００７−２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等が挙げられる。

〈発光材料〉
（１）リン光発光性化合物
本発明で用いることのできる発光材料の代表例として、リン光発光性化合物が挙げられる。

リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合には、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

リン光発光性化合物の発光の原理としては、以下の２種が挙げられる。

一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性化合物に移動させることでリン光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型である。

もう一つは、リン光発光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。

いずれの場合においても、リン光発光性化合物の励起状態のエネルギーは、ホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のリン光発光性化合物の中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物（白金錯体系化合物）、又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明においては、一つの発光層（３ｃ）に２種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層（３ｃ）におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層（３ｃ）の厚さ方向で変化する傾斜構造としてもよい。

リン光発光性化合物は、好ましくは発光層（３ｃ）の総量に対し０．１体積％以上、３０体積％未満である。

本発明に使用できる公知のリン光発光性化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。

Ｎａｔｕｒｅ ３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２−０６９７３７号公報、特開２０１１−１８１３０３号公報、特開２００９−１１４０８６号公報、特開２００３−８１９８８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−３６３５５２号公報等が挙げられる。

中でも、好ましいリン光ドーパントとしては、Ｉｒを中心金属として有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合のうち少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。

上記のリン光発光性化合物（リン光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等に記載されている方法を適宜選択して適用することにより合成できる。

（２）蛍光性化合物
蛍光性化合物としては、例えば、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

〔注入層：正孔注入層、電子注入層〕
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層（３ｃ）の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）にその詳細が記載されており、正孔注入層（３ａ）と電子注入層（３ｅ）とがある。

注入層は、必要に応じて設けることができ、正孔注入層（３ａ）であれば、アノードと、発光層（３ｃ）又は正孔輸送層（３ｂ）との間、電子注入層（３ｅ）であればカソードと、発光層（３ｃ）又は電子輸送層（３ｄ）との間に存在させてもよい。

正孔注入層（３ａ）としては、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される金属酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。

電子注入層（３ｅ）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される金属酸化物層等が挙げられる。本発明においては、電子注入層（３ｅ）はごく薄い層であることが望ましく、構成材料にもよるがその層厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲内が好ましい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層（３ｂ）は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料から構成され、広い意味で正孔注入層（３ａ）や電子阻止層も正孔輸送層（３ｂ）に含まれる。正孔輸送層（３ｂ）は、単層又は複数層設けることができる。

正孔輸送層（３ｂ）を構成する正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかの機能を有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（例えば、チオフェンオリゴマー）等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記の化合物を使用することができるが、更には、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に、芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、例えば、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、
２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル、
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、
ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、
ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、
４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、
３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、
Ｎ−フェニルカルバゾール等、
さらには、米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する化合物、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（略称：ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つのスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層（３ｂ）は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層（３ｂ）の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。この正孔輸送層（３ｂ）は、上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、正孔輸送層（３ｂ）の構成材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

このように、正孔輸送層（３ｂ）のｐ性を高くすると、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することができるため好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層（３ｄ）は、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層（３ｅ）や正孔阻止層も電子輸送層（３ｄ）に含まれる。電子輸送層（３ｄ）は単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層（３ｄ）、及び積層構造の電子輸送層（３ｄ）におい、発光層（３ｃ）に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層（３ｃ）に伝達する機能を有していればよい。このような機能を備えた材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（略称：Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層（３ｄ）の構成材料として用いることができる。

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層（３ｄ）の構成材料として好ましく用いることができる。また、発光層（３ｃ）の構成材料としても用いられるジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送層（３ｄ）の構成材料として用いることができるし、正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層（３ｄ）の構成材料として用いることができる。

電子輸送層（３ｄ）は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層（３ｄ）の層厚については、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲内であり、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層（３ｄ）は、上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、電子輸送層（３ｄ）の構成材料に不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層（３ｄ）には、カリウムやカリウム化合物等を含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層（３ｄ）のｎ性を高くすることにより、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することができる。

また、電子輸送層（３ｄ）の構成材料（電子輸送性化合物）として、本発明に係る金属親和性層（１ａ）を構成する非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物を用いてもよい。これは、電子注入層（３ｅ）を兼ねた電子輸送層（３ｄ）であっても同様であり、本発明に係る金属親和性層（１ａ）を構成する非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物を用いてもよい。

（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、上記の発光機能層ユニット（３）の基本構成層の他に、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層や電子阻止層が挙げられる。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層（３ｄ）の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料から構成され、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の電子輸送層（３ｄ）の構成を、必要に応じて正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層（３ｃ）に隣接して設けられている構成が好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層（３ｂ）の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料から構成され、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで、電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の正孔輸送層（３ｂ）の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍの範囲内である。

（補助電極）
補助電極（１５）は、透明電極（１）の抵抗を下げる目的で設けられるもので、透明電極（１）の導電性層（１ｂ）に接して設けられる。補助電極（１５）を形成する材料としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の電気抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面（１３ａ）からの発光光（Ｌ）の取り出しの影響のない大きさの範囲でパターン形成される。このような補助電極（１５）の作製方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法等が挙げられる。補助電極（１５）の線幅は、光を取り出す領域における開口率の観点から、５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極（１５）の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。

（封止材）
封止材（１７）は、図２で示すように、有機ＥＬ素子（１００）全体を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤（１９）によって透明基板（１３）側に固定されるものであってもよく、封止膜であってもよい。このような封止材（１７）は、有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１）及び対向電極（５ａ）の端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層ユニット（３）を覆う状態で設けられている。また、封止材（１７）に電極を設け、有機ＥＬ素子（１００）の透明電極（１）及び対向電極（５ａ）の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。

板状（フィルム状）の封止材（１７）としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄層のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。

中でも、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。

さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍＬ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材（１７）として用いてもよい。この場合、上述した基板材料に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。

また、このような板状の封止材（１７）を透明基板（１３）側に固定するための接着剤（１９）は、封止材（１７）と透明基板（１３）との間に挟持された有機ＥＬ素子（１００）を封止するためのシール剤として用いられる。接着剤（１９）としては、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。

また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることもできる。

なお、有機ＥＬ素子（１００）を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、適用する接着剤（１９）としては、室温から８０℃までの温度範囲内で接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤（１９）中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

封止材（１７）と透明基板（１３）との接着部分への接着剤（１９）の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、板状の封止材（１７）と透明基板（１３）と接着剤（１９）との間に間隙（空間）が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することもできる。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては、無水塩が好適に用いられる。

一方、封止材（１７）として封止膜を用いる場合、有機ＥＬ素子（１００）における発光機能層ユニット（３）を完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１）及び対向電極（５ａ）の端子部分を露出させる状態で、透明基板（１３）上に封止膜が設けられる。

このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機ＥＬ素子（１００）における発光機能層ユニット（３）の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する（バリアーする）機能を有する材料で構成されることが好ましい。このような材料としては、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて両者を複数層交互積層したハイブリッド構造としてもよい。

これらの封止膜の作製方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

（保護膜、保護板）
透明基板（１３）とともに、有機ＥＬ素子（１００）及び封止材（１７）を挟むようにして保護膜又は保護板を設けてもよい。この保護膜又は保護板は、有機ＥＬ素子（１００）を機械的に保護するためのものであり、特に封止材（１７）が封止膜である場合には、有機ＥＬ素子（１００）に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜又は保護板を設けることが好ましい形態である。

以上のような保護膜又は保護板としては、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、図２に示す構成の有機ＥＬ素子（１００）の製造方法について説明する。

まず、透明基板（１３）上に、本発明に係る非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む有機化合物及びランタノイドを含有する金属親和性層（１ａ）を、１μｍ以下、好ましくは１０〜１００ｎｍの層厚になるように蒸着法等の公知の薄膜形成方法により形成する。次に、銀（又は銀を含有する合金）を主成分とする導電性層（１ｂ）を、５〜２０ｎｍ、好ましくは５〜１２ｎｍの層厚範囲になるように蒸着法等の公知の薄膜形成方法により金属親和性層（１ａ）上に形成し、アノードとなる透明電極（１）を作製する。

次に、透明電極（１）上に、正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）、発光層（３ｃ）、電子輸送層（３ｄ）、電子注入層（３ｅ）をこの順で成膜し、発光機能層ユニット（３）を形成する。これらの各層の成膜には、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等が適用できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生じにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１×１０^−６〜１×１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１〜５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。

以上のようにして発光機能層ユニット（３）を形成した後、この上部にカソードとなる対向電極（５ａ）を、蒸着法やスパッタ法等の公知の薄膜形成方法によって形成する。この際、対向電極（５ａ）は、発光機能層ユニット（３）を介して透明電極（１）と絶縁状態を保ちつつ、発光機能層ユニット（３）の上方から透明基板（１３）の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機ＥＬ素子（１００）が得られる。その後には、有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１）及び対向電極（５ａ）の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層ユニット（３）を覆う封止材（１７）を設ける。

以上により、透明基板（１３）上に所望の構成を有する有機ＥＬ素子（１００）が得られる。このような有機ＥＬ素子（１００）の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層ユニット（３）から対向電極（５ａ）まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板（１３）を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業は乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

このようにして得られた有機ＥＬ素子（１００）に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極（１）を＋の極性とし、カソードである対向電極（５ａ）を−の極性として、２〜４０Ｖの電圧範囲内で印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

〔有機ＥＬ素子の効果〕
以上説明した有機ＥＬ素子（１００）は、導電性と光透過性とを兼ね備えた本発明の透明電極（１）をアノードとして用い、この上部に発光機能層ユニット（３）とカソードとなる対向電極（５ａ）とを設けた構成である。このため、透明電極（１）と対向電極（５ａ）との間に十分な電圧を印加して、有機ＥＬ素子（１００）として高輝度発光を実現しつつ、透明電極（１）側からの発光光（Ｌ）の取り出し効率が向上することにより、高輝度化を図ることが可能となる。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低電圧化が可能となり、発光寿命の向上を図ることも可能になる。

［有機ＥＬ素子への適用例２］
〔有機ＥＬ素子の構成〕
図３は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極（１）を用いた有機ＥＬ素子の適用例２を示す概略断面図である。

図３に示す適用例２の有機ＥＬ素子（２００）の、先に説明した図２に示した適用例１の有機ＥＬ素子（１００）との相違点は、透明電極（１）をカソード（陰極）として用いるところにある。以下、図２で示した適用例１と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、適用例２の有機ＥＬ素子（２００）の特徴的な構成について説明する。

図３に示すとおり、有機ＥＬ素子（２００）は、透明基板（１３）上に設けられており、図２で示した適用例１と同様に、透明基板（１３）上の透明電極（１）として先に説明した本発明の透明電極（１）を用いている。このため有機ＥＬ素子（２００）は、少なくとも透明基板（１３）側から発光光（Ｌ）を取り出せるように構成されている。ただし、この透明電極（１）は、カソード（陰極）として用いられる。このため、対向電極（５ｂ）は、アノード（陽極）として用いられることになる。

このように構成される有機ＥＬ素子（２００）の層構造は、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、適用例１と同様である。

図３に示す適用例２の場合の一例としては、カソードとして機能する透明電極（１）の上部に、電子注入層（３ｅ）／電子輸送層（３ｄ）／発光層（３ｃ）／正孔輸送層（３ｂ）／正孔注入層（３ａ）をこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料で構成された発光層（３ｃ）を有することが必須である。

なお、発光機能層ユニット（３）は、これらの層の他にも、適用例１で説明したのと同様に、必要に応じたさまざまな構成層を採用することができる。このような構成において、透明電極（１）と対向電極（５ｂ）とで発光機能層ユニット（３）が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子（２００）における発光領域となることも、適用例１と同様である。

また、以上のような層構成においては、透明電極（１）の低抵抗化を図ることを目的として、透明電極（１）の導電性層（１ｂ）に接して補助電極（１５）が設けられていてもよいことも、図２に示した適用例１と同様である。

ここで、アノードとして用いられる対向電極（５ｂ）は、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

以上のように構成されている対向電極（５ｂ）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極（５ｂ）としてのシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍの範囲内であり、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。

なお、この有機ＥＬ素子（２００）が、対向電極（５ｂ）側からも発光光（Ｌ）を取り出せるように構成されている場合、対向電極（５ｂ）を構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。

以上のような構成の有機ＥＬ素子（２００）は、発光機能層ユニット（３）の劣化を防止することを目的として、適用例１と同様に封止材（１７）で封止されている。

以上説明した有機ＥＬ素子（２００）を構成する主要各層のうち、アノードとして用いられる対向電極（５ｂ）以外の構成要素の詳細な構成、及び有機ＥＬ素子（２００）の製造方法は、適用例１と同様であり、それらの詳細な説明は省略する。

〔有機ＥＬ素子の効果〕
以上説明した有機ＥＬ素子（２００）は、導電性と光透過性とを兼ね備えた本発明の透明電極（１）をカソード（陰極）として用い、この上部に発光機能層ユニット（３）とアノードとなる対向電極（５ｂ）とを設けた構成である。このため、適用例１と同様に、透明電極（１）と対向電極（５ｂ）との間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（２００）での高輝度発光を実現しつつ、透明電極（１）側からの発光光（Ｌ）の取り出し効率が向上することにより、高輝度化を図ることが可能となる。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低電圧化が可能となり、発光寿命の向上を図ることも可能になる。

［有機ＥＬ素子の適用例３］
〔有機ＥＬ素子の構成〕
図４は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極（１）を用いた有機ＥＬ素子の適用例３を示す概略断面図である。

図４に示す適用例３の有機ＥＬ素子（３００）が、図２に示した適用例１の有機ＥＬ素子（１００）と異なるところは、基板（１３１）側に対向電極（５ｃ）を設け、この上部に発光機能層ユニット（３）と透明電極（１）とをこの順に積層したところにある。以下、適用例１と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、適用例３の有機ＥＬ素子（３００）の特徴的な構成についてのみ説明する。

図４に示す有機ＥＬ素子（３００）は、基板（１３１）上に設けられており、基板（１３１）側から、アノードとなる対向電極（５ｃ）、発光機能層ユニット（３）、及びカソードとなる透明電極（１）がこの順に積層されている。このうち、透明電極（１）として、先に説明した本発明の透明電極（１）を用いている。このため、有機ＥＬ素子（３００）は、少なくとも基板（１３１）とは逆の透明電極（１）側から発光光（Ｌ）を取り出せるように構成されている。

このように構成される有機ＥＬ素子（３００）の層構造としては、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、適用例１と同様である。

図４で示す適用例３の場合は、アノードとして機能する対向電極（５ｃ）の上部に、正孔注入層（３ａ）／正孔輸送層（３ｂ）／発光層（３ｃ）／電子輸送層（３ｄ）／電子注入層（３ｅ）をこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層（３ｃ）を有することが必須である。

特に、適用例３の有機ＥＬ素子（３００）に特徴的な構成としては、電子注入性を有する電子注入層（３ｅ）が、透明電極（１）における金属親和性層として機能するところにある。すなわち、適用例３においては、カソードとして用いられる透明電極（１）が、電子注入性を有する電子注入層（３ｅ）を兼ねる金属親和性層と、その上部に設けられた導電性層（１ｂ）とで構成されているものである。

このような電子注入層（３ｅ）は、上記説明した本発明の透明電極（１）の金属親和性層（１ａ）を構成する材料を用いて構成されている。

なお、発光機能層ユニット（３）は、これらの層の他にも、適用例１で説明したと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用されるが、透明電極（１）の金属親和性層（１ａ）を兼ねる電子注入層（３ｅ）と、透明電極（１）の導電性層（１ｂ）との間には、電子注入層や正孔阻止層が設けられることはない。以上のような構成において、透明電極（１）と対向電極（５ｃ）とで発光機能層ユニット（３）が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子（３００）における発光領域となることは、適用例１と同様である。

また、以上のような層構成においては、透明電極（１）の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極（１）の導電性層（１ｂ）に接して補助電極（１５）が設けられていてもよいことも、適用例１と同様である。

さらに、アノードとして用いられる対向電極（５ｃ）は、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

以上のように構成されている対向電極（５ｃ）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極（５ｃ）としてのシート抵抗値は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

なお、この有機ＥＬ素子（３００）が、対向電極（５ｃ）側からも発光光（Ｌ）を取り出せるように構成されている場合、対向電極（５ｃ）を構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。また、この場合、基板（１３１）としては、適用例１で説明した透明基板（１３）と同様のものが用いられ、基板（１３１）の外側に向かう面が光取り出し面（１３１ａ）となる。

〔有機ＥＬ素子の効果〕
以上説明した有機ＥＬ素子（３００）は、発光機能層ユニット（３）の最上部を構成する電子注入性を有する電子輸送層（３ｄ）を金属親和性層（１ａ）とし、この上部に導電性層（１ｂ）を設けることにより、金属親和性層（１ａ）とこの上部の導電性層（１ｂ）とからなる透明電極（１）をカソードとして設けた構成である。このため、適用例１及び適用例２と同様に、透明電極（１）と対向電極（５ｃ）との間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（３００）での高輝度発光を実現しつつ、透明電極（１）側からの発光光（Ｌ）の取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低電圧化が可能となり、発光寿命の向上を図ることができる。また、対向電極（５ｃ）が光透過性を有する場合には、破線で示すように対向電極（５ｃ）からも発光光（Ｌ）を取り出すことができる。

なお、図４に示す適用例３においては、透明電極（１）の金属親和性層（１ａ）が電子注入性を有する電子輸送層（３ｄ）を兼ねているものとして説明したが、本例はこれに限られるものではなく、金属親和性層（１ａ）が電子注入性を有していない電子輸送層（３ｄ）を兼ねているものであってもよいし、金属親和性層（１ａ）が電子輸送層ではなく電子注入層を兼ねているものであってもよい。また、金属親和性層（１ａ）が有機ＥＬ素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されているものとしてもよく、この場合には、金属親和性層（１ａ）は電子輸送性及び電子注入性を有していない。

さらに、透明電極（１）の金属親和性層（１ａ）が有機ＥＬ素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されている場合には、基板（１３１）側の対向電極（５ｃ）をカソードとし、発光機能層ユニット（３）上の透明電極（１）をアノードとしてもよい。この場合、発光機能層ユニット（３）は、基板（１３１）上の対向電極（カソード、５ｃ）側から順に、例えば、電子注入層（３ｅ）／電子輸送層（３ｄ）／発光層（３ｃ）／正孔輸送層（３ｂ）／正孔注入層（３ａ）が積層される。そしてこの上部に極薄い金属親和性層（１ａ）と導電性層（１ｂ）との積層構造からなる透明電極（１）が、アノードとして設けられる。

［有機ＥＬ素子の適用例４］
〔有機ＥＬ素子の構成〕
図５は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極（１）を用いた有機ＥＬ素子の適用例４を示す概略断面図である。

図５に示す適用例４の有機ＥＬ素子（４００）が、図４に示した適用例３の有機ＥＬ素子（３００）と異なるところは、アノードとして機能する対向電極（５ｃ）の上部に、正孔注入層（３ａ）／正孔輸送層（３ｂ）／発光層（３ｃ）／電子輸送層（３ｄ）をこの順に積層した構成である。ただし、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層３ｃを有することが必須である。ここで、電子輸送層（３ｄ）は、電子注入層（３ｅ）を兼ねたもので、電子注入性を有する電子輸送層（３ｄ）として設けられている。

特に、適用例４の有機ＥＬ素子（４００）に特徴的な構成としては、電子注入性を有する電子輸送層（３ｄ）が、透明電極（１）における金属親和性層（１ａ）として機能するところにある。すなわち、適用例４においては、カソードとして用いられる透明電極（１）が、電子注入性を有する電子輸送層（３ｄ）を兼ねる金属親和性層（１ａ）と、その上部に設けられた導電性層（１ｂ）とで構成されているものである。
けられることはない。

《有機ＥＬ素子の用途》
上述した各構成の有機ＥＬ素子は、それぞれが面発光体であるため、各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶表示装置のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機ＥＬ素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。

以下では、用途の一例として照明装置について説明し、次にタイリングによって発光面を大面積化した照明装置について説明する。

〔照明装置〕
本発明に係る照明装置には、本発明の有機ＥＬ素子を具備することができる。

本発明に係る照明装置に用いる有機ＥＬ素子は、上述した構成の各有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造を有するように構成された有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

なお、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて、混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものが好ましい。

このような白色有機ＥＬ素子は、各色発光の有機ＥＬ素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機ＥＬ素子自体が白色を発光する。このため、有機ＥＬ素子を構成するほとんどの層の成膜にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で成膜することができ、生産性も向上する。

また、このような白色有機ＥＬ素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば、液晶表示素子用のバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、上記した金属錯体や公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。

以上に説明した白色有機ＥＬ素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例１
《透明電極の作製》
下記の方法に従って、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍである透明電極１〜３０を作製した。透明電極１〜４は、導電性層（１ｂ）のみからなる単層構造の透明電極として作製し、透明電極５〜３０は、金属親和性層（１ａ）と導電性層（１ｂ）との積層構造の透明電極として作製した。

〔透明電極１の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、この基材ホルダーを真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。一方、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽内を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚が５ｎｍの銀からなる導電性層（１ｂ）を成膜し、単層構造の透明電極１を作製した。

〔透明電極２〜４の作製〕
上記透明電極１の作製において、蒸着時間を適宜変更し、導電性層（１ｂ）の層厚をそれぞれ８．５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２〜４を作製した。

〔透明電極５の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材に、下記に示すＡｌｑ_３を用い、スパッタ法により層厚が３０ｎｍの金属親和性層（１ａ）を成膜し、この上部に、透明電極２と同様の方法にて、層厚が８．５ｎｍの銀からなる導電性層（１ｂ）を蒸着成膜して、透明電極５を作製した。

〔透明電極６の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、下記に示すＥＴ−１をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、この基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

はじめに、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＥＴ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚が３０ｎｍのＥＴ−１からなる金属親和性層（１ａ）を形成した。

次いで、金属親和性層（１ａ）まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚が８．５ｎｍの銀からなる導電性層（１ｂ）を形成し、ＥＴ−１で構成される金属親和性層（１ａ）と、銀で構成される導電性層（１ｂ）との積層構造からなる透明電極６を作製した。

〔透明電極７〜９の作製〕
上記透明電極６の作製において、金属親和性層（１ａ）の構成材料をそれぞれ下記に示すＥＴ−２〜ＥＴ−４に変更した以外は同様にして、透明電極７〜９を作製した。

〔透明電極１０の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む有機化合物として、例示化合物Ｎｏ．１４をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、この基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

この状態で、まず、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、例示化合物Ｎｏ．１４の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に、層厚が３０ｎｍの例示化合物Ｎｏ．１４からなる金属親和性層（１ａ）を形成した。

次いで、金属親和性層（１ａ）まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚が５ｎｍの銀からなる導電性層（１ｂ）を形成し、例示化合物Ｎｏ．１４のみから構成される金属親和性層（１ａ）と、銀で構成される導電性層（１ｂ）との積層構造からなる透明電極１０を作製した。

〔透明電極１１の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、ＬｉＱ（モノ（８−キノリノラト）リチウム錯体）と、ランタノイドとしてＹｂをそれぞれタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

この状態で、まず、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＬｉＱとＹｂとを１：１の蒸着速度となるように調整し、基材上に層厚が３０ｎｍのＬｉＱ及びＹｂから構成される金属親和性層（１ａ）を設けた。

次に、金属親和性層（１ａ）まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚が８．５ｎｍの銀からなる導電性層（１ｂ）を形成し、ＬｉＱとＹｂから構成される金属親和性層（１ａ）と、銀で構成される導電性層（１ｂ）との積層構造からなる透明電極１１を作製した。

〔透明電極１２〜１５の作製〕
上記透明電極１１の作製において、金属親和性層（１ａ）の構成材料を、ＬｉＱとＹｂに代えて、表IIIに示す材料を用いた以外は同様にして、透明電極１２〜１５を作製した。

〔透明電極１６の作製〕
前記透明電極２の作製において、導電性層（１ｂ）の構成材料をＡｇから、Ａｇ：Ｍｇ＝９：１（質量比）の合金に変更した以外は同様にして、透明電極１６を作製した。

〔透明電極１７の作製〕
前記透明電極３の作製において、導電性層（１ｂ）の構成材料をＡｇから、Ａｇ：Ｍｇ＝９：１（質量比）の合金に変更した以外は同様にして、透明電極１７を作製した。

〔透明電極１８の作製〕
前記透明電極１２の作製において、導電性層（１ｂ）の構成材料をＡｇから、Ａｇ：Ｍｇ＝９：１（質量比）の合金に変更した以外は同様にして、透明電極１８を作製した。

〔透明電極１９の作製〕
前記透明電極１０の作製において、導電性層（１ｂ）の構成材料をＡｇから、Ａｇ：Ｍｇ＝９：１（質量比）の合金に変更した以外は同様にして、透明電極１９を作製した。

〔透明電極２０の作製〕
前記透明電極１１の作製において、導電性層（１ｂ）の構成材料をＡｇから、Ａｇ：Ｍｇ＝９：１（質量比）の合金に変更した以外は同様にして、透明電極２０を作製した。

〔透明電極２１〜２３の作製〕
前記透明電極１３〜１５の作製において、導電性層（１ｂ）の構成材料をＡｇから、Ａｇ：Ｍｇ＝９：１（質量比）の合金に変更した以外は同様にして、透明電極２１〜２３を作製した。

〔透明電極２４〜２７の作製〕
上記透明電極１４の作製において、導電性層（１ｂ）上に、さらに表IIIに示す構成材料を用い、層厚６０ｎｍのキャッピング層を積層した以外は同様にして、透明電極２４〜２７を作製した。

〔透明電極２８〜３０の作製〕
上記透明電極２３の作製において、導電性層（１ｂ）上に、さらに表IIIに示す構成材料を用い、層厚６０ｎｍのキャッピング層を積層した以外は同様にして、透明電極２８〜３０を作製した。

《透明電極の評価》
上記作製した透明電極１〜３０について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値及び耐熱性（シート抵抗値の変化量）の測定を行った。

〔光透過率の測定〕
作製した各透明電極について、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、各透明電極の基材（透明無アルカリガラス）をリファレンスとして、波長５００ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。

〔シート抵抗値の測定〕
上記作製した各透明電極について、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製 ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式でシート抵抗値（Ω／ｓｑ．）を測定した。

〔シート抵抗値変化量の測定〕
上記作製した各透明電極を、高温環境（温度８０℃）下で２４０時間保存した後、シート抵抗値（Ω／ｓｑ．）を測定し、上記「シート抵抗値の測定」で求めた高温保存前のシート抵抗値に対する変化量（Ω／ｓｑ．）を算出した。

なお、シート抵抗値の変化量は、透明電極１０のシート抵抗値の変化量を１００とする相対値で示している。

以上により得られた各測定結果を表IIIに示す。

表IIIに記載の結果より明らかなように、下地層として、本発明で規定する非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物とランタノイドを含有する金属親和性層（１ａ）を有する透明電極１４及び１５は、６０％以上という高い光透過率と１０Ω／ｓｑ．未満の良好な導電性を両立していることが分かる。また、比較の透明電極１０においても透過率と導電性が良好ではあるものの、シート抵抗変化量（耐久性）の観点では、本発明の透明電極１４及び１５が、比較の透明電極１０よりも優位であり、本発明で規定する構成からなる透明電極は耐久性に優れていることが分かる。また、導電性層（１ｂ）の構成材料として、Ａｇ単体からＡｇとＭｇとの合金に変更した場合にも同様の傾向にあることが分かる。また、導電性層（１ｂ）の材料としてＡｇ単体と、ＡｇとＭｇとの合金を比較した場合、Ａｇ単体の方が光透過率及び導電性の観点で優位であることが分かる。

また、導電性層（１ｂ）上にキャッピング層を形成することで、光透過率がさらに向上しており、特に、キャッピング層の構成を、本発明で規定する金属親和性層とし、導電性層（１ｂ）を一対の金属親和性層で挟持する構成とすることにより、さらに光透過率が向上していることが分かる。

実施例２
《発光パネルの作製》
透明電極をカソードとして用いた、発光パネル（両面発光型有機エレクトロルミネッセンスパネル）１−１〜１−１５を作製した。

〔発光パネル１−１の作製〕
以下、図４を参照して発光パネルの作製手順を説明する。

（ガラス基板及び対向電極（５ｃ）の形成）
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板（１３１）上に、アノードとしてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）からなる対向電極（５ｃ）を層厚１００ｎｍで成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ対向電極（５ｃ）を設けたガラス基板（１３１）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

（透明電極（１）及び発光機能層ユニット（３）の形成）
洗浄済みの対向電極（５ｃ）を有するガラス基板（１３１）を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、加熱ボートの各々に透明電極（１）及び発光機能層ユニット（３）を構成する各材料を最適な量で充填した。なお、加熱ボートはタングステン性抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。

はじめに、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度４×１０^−４Ｐａまで減圧し、各材料が入った加熱ボートを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を成膜した。

〈正孔注入層（３ａ）の形成〉
正孔注入材料として、下記構造式に示すＨＡＴ−ＣＮが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＨＡＴ−ＣＮよりなる正孔注入層（３ａ）を、ＩＴＯ対向電極（５ｃ）上に成膜した。成膜条件は、蒸着速度が０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚は１０ｎｍとした。

〈正孔輸送層（３ｂ）の形成〉
次いで、正孔輸送注入材料としてα−ＮＰＤ（前出）が入った加熱ボートに通電して加熱し、α−ＮＰＤよりなる正孔輸送層（３ｂ）を、正孔注入層（３ａ）上に成膜した。成膜条件は、蒸着速度が０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚は１２０ｎｍとした。

〈発光層（３ｃ）の形成〉
次いで、ホスト材料として下記ホスト材料Ｈ１の入った加熱ボートと、リン光発光性化合物である下記リン光発光性化合物Ｉｒ−１の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ１とリン光発光性化合物Ｉｒ−１とよりなる発光層（３ｃ）を、正孔輸送層（３ｂ）上に成膜した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ１：リン光発光性化合物Ｉｒ−１＝８５：１５（質量比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、層厚は３０ｎｍとした。

〈電子輸送層（３ｄ）の形成〉
次いで、電子輸送材料としてＡｌｑ_３（前出）の入った加熱ボートを通電し、Ａｌｑ_３よりなる電子輸送層（３ｄ）を、発光層（３ｃ）上に成膜した。成膜条件は、蒸着速度が０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、膜厚３０ｎｍとした。

〈電子注入層（３ｅ）の形成〉
次に、電子注入材料としてＬｉＱ（前出）の入った加熱ボートに通電して加熱し、ＬｉＱよりなる電子注入層（３ｅ）を、電子輸送層（３ｄ）上に成膜した。成膜条件は、蒸着速度が０．０１〜０．０２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚は２ｎｍとした。

〈透明電極（１）の形成〉
次いで、電子注入層（３ｅ）まで成膜した透明基板（１３１）を、真空蒸着装置の蒸着室から、透明電極（１、導電性層１ｂ）形成用材料として銀（Ａｇ）が充填されたタングステン製の抵抗加熱ボートを備えた真空槽内に、真空状態を保持したまま移送した。

次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度が０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、電子注入層（３ｅ）上に層厚が１０ｎｍの銀からなる導電性層（１ｂ）をカソードとして成膜した。

〈キャッピング層の形成〉
その後、元の真空層内に移送し、図４には図示していないが、導電性層（１ｂ）上に、α−ＮＰＤ（前出）を蒸着速度が０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚が４０ｎｍの条件で蒸着し、キャッピング層を形成した。

以上の手順により、透明基板（１３１）上に有機ＥＬ素子（３００）を形成した。

（有機ＥＬ素子の封止）
その後、有機ＥＬ素子（３００）を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材（１７）で覆い、有機ＥＬ素子（３００）を囲む状態で、封止材（１７）と透明基板（１３１）との間に接着剤（１９、シール材）をシールした。接着剤（１９）としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。封止材（１７）と透明基板（１３１）との間に充填した接着剤（１９）に対して、ガラス基板（封止材、１７）側からＵＶ光を照射し、接着剤（１９）を硬化させて有機ＥＬ素子（３００）を封止した。

なお、有機ＥＬ素子（３００）の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、１００ｍｍ×１００ｍｍの透明基板（１３１）における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域Ａとし、発光領域Ａの全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域Ｂを設けた。また、アノードである対向電極（５ｃ）とカソードである透明電極（１）とは、正孔輸送層（３ａ）〜電子注入層（３ｅ）までの発光機能層ユニット（３）によって絶縁された状態で、透明基板（１３１）の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

以上のようにして、透明基板（１３１）上に有機ＥＬ素子（３００）を設け、これを封止材（１７）と接着剤（１９）とで封止した発光パネル１−１を作製した。

発光パネル１−１においては、発光層（３ｃ）で発生した各色の発光光（Ｌ）が、透明電極（１）側、すなわち封止材（１７）側と、対向電極側（５ｃ）すなわち透明基板（１３１）側の両方から取り出される。

〔発光パネル１−２〜１−１５の作製〕
上記発光パネル１−１の作製において、電子輸送層（３ｄ）、電子注入層（３ｅ）及び導電性層（１ｂ）の構成材料及び層厚を、表IVに記載の条件に変更した以外は同様にして、発光パネル１−２〜１−１５を作製した。なお、発光パネル１−１５の電子注入層（３ｅ）の形成において、電子注入層材料として、例示化合物Ｎｏ．９２、Ｙｂ及びＬｉＱが蒸着速度２：２：１の比となるように調整し、膜厚１０ｎｍの電子注入層（３ｅ）を形成した。

《発光パネルの評価》
上記作製した発光パネル１−１〜１−１５について、下記の方法に従い、光透過率、駆動電圧の測定、駆動電圧のばらつき及び高温素子寿命の測定を行った。

〔光透過率の測定〕
上記作製した各発光パネルについて、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、各発光パネルの透明基板（１３１）をリファレンスとして、波長５００ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。

〔駆動電圧の測定〕
上記作製した各発光パネルについて、各発光パネルの透明電極（１）側（すなわち、封止剤１７側）と、対向電極（５ｃ）側（すなわち、基板（１３１）側）との両側での正面輝度を測定し、その和が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧（Ｖ）として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ製）を用いた。評価は、同様の製造方法により別バッチで作製した５パネルについて測定し、その平均値を表す。得られた駆動電圧（Ｖ）の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。

〔駆動電圧ばらつきの評価〕
各発光パネルについて、同様の製造方法で５つのサンプルをそれぞれ別バッチにて作製し、上記の方法と同様にして各サンプルの駆動電圧と平均駆動電圧を測定し、そのばらつき度合いを、下記基準によって評価した。

○：平均駆動電圧に対し、五つのパネル全てにおける差異が０．２Ｖ未満である
△：平均駆動電圧に対し、一つ以上のパネルで、差異が０．２Ｖ以上、０．５Ｖ未満である
×：平均駆動電圧に対し、三つ以上のパネルの差異が０．５Ｖ以上、又は一つ以上のパネルの差異が１．０Ｖ以上である
〔高温素子寿命の測定〕
上記作製した各発光パネルについて、室温が５０℃の環境下において、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下で連続発光させ、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間（半減期）を測定した。なお、高温素子寿命は、発光パネル１−８の輝度半減寿命（時間）を１００とする相対値で求めた。

以上により得られた結果を、表IVに示す。

表IVに記載の結果より明らかなように、電子注入層（３ｅ）を２ｎｍという極薄層とした場合には、駆動電圧のばらつきが劣化していることが分かる。また、発光パネル番号１−１と１−２を比較すると、電子注入層（３ｅ）を２ｎｍから１０ｎｍに厚層化することで、確かに、駆動電圧ばらつきは抑制できるものの、電子注入層（３ｅ）が電子注入層材料として金属塩又は金属錯体のみから構成されている場合には、駆動電圧が上昇してしまうという問題がある。また、導電性層（１ｂ）に隣接する電子注入層（３ｅ）に金属親和性化合物と金属塩を含有する場合には、光透過率と駆動電圧を両立は可能であるが、高温素子寿命はいまだ不十分なものである。これに対し、本発明で規定する構造の金属親和性化合物とランタノイド（Ｙｂ）を含有する電子注入層（３ｅ）を導電性層（１ｂ）に隣接させた場合には、光透過性と駆動電圧を両立しながら、さらに高温素子寿命をも向上させることが可能であることが分かる。また、更には、本発明に係る金属親和性化合物とランタノイド（Ｙｂ）を含有する層は、電子輸送層（３ｄ）としても機能を発揮することが分かる。

さらに、パネル番号１−１４と１−１５を比較すると、導電性層（１ｂ）に隣接する電子注入層（３ｅ）に金属塩材料を含まない１−１４と、金属塩材料（ＬｉＱ）を含む１−１５では、多少の差異はあるものの、ほぼ同等の性能を示すことが分かり、本発明に係る銀親和性層は金属塩の悪影響を抑制する効果があることが示唆されている。

実施例３
《発光パネルの作製２》
〔発光パネル２−１の作製〕
透明電極をカソードとして用いた発光パネル（トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネル）２−１を作製した。

実施例２に記載の発光パネル１−３の作製において、下記に記載の方法に変更した以外は同様にして、発光パネル２−１を作製した。

洗浄済みのガラス基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、加熱ボートの各々に各電極材料（５ｃ及び１）及び発光機能層ユニット（３）を構成する各材料を最適な量で充填した。なお、加熱ボートはタングステン性抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。

対向電極（５ｃ）の形成材料としてタングステン製の抵抗加熱ボートに、ＩＴＯに代えてアルミニウム（Ａｌ）が充填された真空槽内に、ガラス基板（１３１）を、真空状態を保持したまま移送した。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、アルミニウムを層厚１００ｎｍで蒸着し、反射電極である対向電極（５ｃ）とした。

〔発光パネル２−２〜２−９の作製〕
発光パネル２−１の作製において、電子注入層（３ｅ）及びキャッピング層の構成材料を表Ｖに示すように変更した以外は同様にして、発光パネル２−２〜２−９を作製した。

《発光パネルの評価》
上記作製した発光パネル２−１〜２−９について、有機ＥＬ素子の駆動電圧変化率及び保存後の素子寿命を下記の方法によって評価した。

〔駆動電圧変化率の評価〕
上記作製した各発光パネルについて、発光パネルの透明電極（１）側（すなわち、封止材（１７）側）の正面輝度を測定し、その和が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧（Ｖ）として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用いた。さらに各発光パネルを高温環境（温度１２０℃）下で、２４時間保存した際の駆動電圧（Ｖ′）を測定し、下式に従って駆動電圧変化率（５）を求め、下記のランクに従って、評価した。

駆動電圧変化率（％）＝〔保存後駆動電圧（Ｖ′）／初期駆動電圧（Ｖ）〕×１００
○：駆動電圧変化率が、５．０％未満である
△：駆動電圧変化率が、５．０％以上、１５．０％未満である
×：駆動電圧変化率が、１５．０％以上である
〔保存後の素子寿命の評価〕
上記駆動電圧変化率の評価で作製した高温環境（温度１２０℃）下で、２４時間保存した各発光パネルについて、室温（２５℃）下において、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下で連続発光させ、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間（半減期）を測定した。なお、高温保存後の素子寿命は発光パネル２−３の輝度半減寿命を１００とする相対値で求めた。

以上により得られた結果を、表Ｖに示す。

表Ｖに記載の結果より明らかなように、導電性層（１ｂ）に隣接する電子注入層（３ｅ）又はキャッピング層のいずれかに、本発明に係る金属親和性化合物とランタノイド（Ｙｂ）を含有する層を設けることで、駆動電圧変化率が抑制されることが分かる。さらに、本発明に係る金属親和性化合物とランタノイド（Ｙｂ）を含有する層が導電性層（１ｂ）を挟む構成としたパネル番号２−６〜２−９においては、導電性層のいずれかの面側にのみ金属親和性化合物とランタノイド（Ｙｂ）を含有する層が存在するパネル番号２−３〜２−５に比較して、保存後素子寿命が向上していることが分かる。

本発明の透明電極は、有機ＥＬ素子に好適に用いることができ、当該有機ＥＬは、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶表示装置のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等に適用することができる。

１ 透明電極
１ａ 金属親和性層
１ｂ 導電性層
３ 発光機能層ユニット
３ａ 正孔注入層
３ｂ 正孔輸送層
３ｃ 発光層
３ｄ 電子輸送層
３ｅ 電子注入層
５ａ、５ｂ、５ｃ 対向電極
１１ 基材
１３、１３１ 透明基板（基材）
１３ａ、１３１ａ 光取り出し面
１５ 補助電極
１７ 封止材
１９ 接着剤
１００、２００、３００、４００ 有機ＥＬ素子
ｈ 発光点
Ｌ 発光光

Claims (7)

1. 導電性層と、当該導電性層に隣接して少なくとも１層の金属親和性層を有する透明電極であって、
   前記導電性層が、銀を主成分として構成され、
   前記金属親和性層が、有機化合物及びランタノイドを含有し、
   前記有機化合物が、非共有電子対を有するヘテロ原子を分子内に含む化合物である、
   ことを特徴とする透明電極。
2. 前記金属親和性層が含有する有機化合物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物であり、かつ下記式（１）で表される銀との有効作用エネルギーΔＥｅｆが、下記式（２）で規定する条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
   式（１）
   ΔＥｅｆ＝ｎ×ΔＥ／ｓ
   〔式中、ｎは銀（Ａｇ）と安定的に結合する化合物中の窒素原子（Ｎ）の和を表し、ΔＥは窒素原子（Ｎ）と銀（Ａｇ）との相互作用エネルギーを表し、ｓは化合物の表面積を表す。〕
   式（２）
   −０．５０≦ΔＥｅｆ≦−０．１０［ｋｃａｌ／ｍｏｌ・Å^２］
3. 前記金属親和性層が含有する有機化合物が、最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が−２．２〜−１．６ｅＶの範囲内にある有機化合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明電極。
4. 前記金属親和性層が含有する有機化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明電極。
   

   

   〔一般式（Ｉ）中、Ｘは、ＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１〜Ｅ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_２又は窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。〕
5. 前記ランタノイドが、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）又はイッテルビウム（Ｙｂ）であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明電極。
6. 請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明電極を具備することを特徴とする電子デバイス。
7. 前記電子デバイスが、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。

Images