WO2014024770A1 - 位相差素子、透明導電性素子、入力装置、表示装置および電子機器 - Google Patents

位相差素子、透明導電性素子、入力装置、表示装置および電子機器 Download PDF

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retardation
transparent conductive
film
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林　弘志
堀井　明宏
石森　拓
健 細谷
宏士 須賀田
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デクセリアルズ株式会社
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation

Definitions

  • This technology relates to a retardation element, a transparent conductive element, an input device, a display device, and an electronic device. In detail, it is related with the phase difference element used for an input device, a display apparatus, etc.
  • the retardation film is usually a stretched resin film that has been subjected to processing such as uniaxial or biaxial stretching, and has a three-dimensional refractive index magnitude relationship (refractive index ellipsoid) controlled in accordance with the use conditions (for example, (See Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • TN Transmission Nematic
  • VA Very refractive index
  • a retardation film having a refractive index ellipsoid that reduces the excess of the refractive index in the thickness direction is used.
  • These retardation films serve as an optical compensation film that improves the viewing angle characteristics of LCD (Liquid Crystal Display).
  • a retardation film that can suppress a change in retardation (see FIG. 2) when tilting in the Z-axis direction is desired.
  • the recent popularization of mobile devices such as smartphones and tablet PCs (personal computers) is required to support polarized sunglasses. Even when the tilt in the axial direction is applied, it is possible to suppress remarkable deterioration in visibility.
  • an object of the present technology is to provide a retardation element, a transparent conductive element, an input device, a display device, and an electronic device that can suppress a change in retardation when tilted in the Z-axis direction.
  • the first technique is: The retardation element in which the in-plane retardation R0 and the thickness direction retardation Rth satisfy the following formula (1).
  • the second technology is A phase difference element; A transparent conductive layer, and
  • the phase difference element is
  • the in-plane retardation R0 and the thickness direction retardation Rth are transparent conductive elements that satisfy the following formula (1).
  • the third technology is a method of manufacturing a retardation element including compressing and stretching in the thickness direction of the element so that the in-plane retardation R0 and the thickness direction retardation Rth satisfy the following formula (1).
  • the phase difference element according to the first technique is suitable for application to a transparent conductive element, an input device, a display device, and an electronic device.
  • the transparent conductive element according to the second technique is suitable for application to an input device, a display device, and an electronic device.
  • the in-plane retardation R0 and the thickness direction retardation Rth satisfy the relationship of 0.7 ⁇ R0 ⁇ Rth ⁇ 1.3 ⁇ R0, the change in retardation when the tilt is applied in the Z-axis direction. Can be suppressed within 30%.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of a retardation film according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1B is a perspective view illustrating an example of the overall shape of the retardation film according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a perspective view for explaining the definition of the tilt angle in the Z-axis direction.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a film manufacturing apparatus.
  • 4A and 4B are schematic cross-sectional views illustrating a first modification of the first embodiment of the present technology.
  • 4C and 4D are schematic cross-sectional views illustrating a second modification of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of the touch panel according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 6 is an external view illustrating an example of a television device as an electronic apparatus.
  • 7A and 7B are external views illustrating an example of a digital camera as an electronic device.
  • FIG. 8 is an external view illustrating an example of a notebook personal computer as an electronic device.
  • FIG. 9 is an external view illustrating an example of a video camera as an electronic apparatus.
  • FIG. 10A is an external view illustrating an example of a mobile phone as an electronic apparatus.
  • FIG. 10B is an external view illustrating an example of a tablet computer as an electronic device.
  • FIG. 11 is a graph showing the tilt angle dependency of retardation of the retardation films of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2.
  • FIG. 12 is a graph showing the tilt angle dependency of retardation of the retardation films of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating simulation results of
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of a retardation film according to the first embodiment of the present technology.
  • the retardation film (retardation element) 11 is, for example, a ⁇ / 4 retardation film.
  • the retardation film 11 has a rectangular shape, for example. It is preferable to further provide a hard coat layer 12 on at least one surface of the retardation film 11. This is because scratch resistance, chemical resistance, and the like can be imparted to the surface of the retardation film 11.
  • FIG. 1A shows an example in which a hard coat layer 12 is further provided on one surface of the retardation film 11.
  • the retardation film 11 may have a belt-like shape as a whole. By setting it as such a shape, the phase difference film 11 can be easily produced by a roll-to-roll process. Moreover, handling can be made easy by winding the phase difference film 11 in roll shape etc., and making it into a raw fabric.
  • the Z-axis direction tilt angle means a rotation angle when the retardation film is relatively rotated in the Z direction with the in-plane R0 axis as the central axis, as shown in FIG.
  • the width direction (transverse direction (TD)) of the retardation film 11 is the x-axis direction
  • the length direction (MD: Machine Direction) of the retardation film 11 is the y-axis direction
  • the phase difference is the phase difference.
  • the thickness direction of the film 11 is referred to as the z-axis direction.
  • the angle formed between the orientation direction of the thermoplastic resin in the vicinity of the surface of the retardation film 11 and the thickness direction of the retardation film 11 is the orientation direction of the thermoplastic resin in the central portion of the retardation film 11 and the thickness of the retardation film 11. It is smaller than the angle formed by the vertical direction. More specifically, for example, the orientation direction of the thermoplastic resin in the vicinity of the surface of the retardation film 11 is substantially parallel to the thickness direction of the retardation film 11, whereas in the vicinity of the center of the retardation film 11. The orientation direction of the thermoplastic resin is substantially parallel to the in-plane direction of the retardation film 11. With such a relationship, a relationship of 0.7 ⁇ R0 ⁇ Rth ⁇ 1.3 ⁇ R0 can be realized.
  • the refractive index in the x-direction n x of the retardation film 11 is n z
  • the refractive index n x, n y, n z is, n x
  • n x It is preferable that the relationship of> ny > nz is satisfied.
  • a relationship of 0.7 ⁇ R0 ⁇ Rth ⁇ 1.3 ⁇ R0 can be realized.
  • the thickness of the retardation film 11 is preferably in the range of 30 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the thickness of the retardation film 11 is less than 30 ⁇ m, the compression force cannot be sufficiently transmitted in the production process of the retardation film 11, and there is a possibility that sufficient in-plane retardation R 0 as the retardation film 11 cannot be secured. In addition, the retardation film itself may be difficult to handle.
  • the thickness of the retardation film 11 exceeds 200 ⁇ m, when a member such as a laminate is constituted by the retardation film 11, the total thickness may be increased.
  • the value of the in-plane retardation R0 of the retardation film 11 is preferably in the range of 50 nm to 276 nm. If the in-plane retardation R0 is less than 50 nm, the retardation film 11 may not function sufficiently. On the other hand, when the in-plane retardation R0 exceeds 276 nm, the wavelength dependency becomes large, which may cause color unevenness.
  • the dimensional change rate of the retardation film 11 before and after storage for 1 hour in a 150 ° C. environment is preferably in the range of ⁇ 1% ⁇ dimensional change rate ⁇ 1%.
  • a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) It is possible to prevent the film quality from being damaged due to the occurrence of waviness due to dimensional change during the annealing process of the material.
  • the dimensional change rate of the retardation film 11 before and after storage for 1 hour in a 150 ° C. environment is defined by the following equation.
  • (Dimension change rate) (%) ((retardation film dimension after environmental preservation ⁇ retardation film dimension before environmental preservation) / retardation film dimension before environmental preservation) ⁇ 100 (%)
  • the larger change is adopted among the dimensions in the MD and TD directions.
  • the amount of change ⁇ R0 of the in-plane retardation R0 of the retardation film 11 before and after storage for 1 hour in a 150 ° C. environment preferably satisfies the relationship of ⁇ R0 ⁇ 25 nm.
  • ⁇ R0 ⁇ 25 nm when the retardation film 11 is used as the transparent electrode base film, an initial retardation is ensured even after annealing of a metal oxide material such as indium tin oxide (ITO). However, the retardation can be secured almost as designed.
  • the retardation film 11 preferably contains one or more thermoplastic resins.
  • the retardation film 11 may further contain an additive as necessary.
  • the additive is selected from the group consisting of heat stabilizers, ultraviolet absorbers, plasticizers, lubricants, antioxidants, flame retardants, colorants, antistatic agents, compatibilizers, crosslinking agents, thickeners and fillers. 1 type or more to be mentioned.
  • the filler for example, inorganic or organic fine particles can be used.
  • Thermoplastic resins include norbornene resins, polyester resins (eg, polyethylene terephthalate (PET)), cycloolefin resins, cellulose resins, vinyl chloride resins, polycarbonate resins, acrylonitrile resins, olefin resins (eg, Polyethylene, polypropylene, etc.), polystyrene resins, poly (meth) methyl acrylate resins, polysulfone resins, polyarylate resins, polyether sulfone resins and copolymers thereof, and the retardation is minute.
  • a norbornene-based resin that can be easily adjusted is particularly preferable.
  • Drawing 3 is a mimetic diagram showing an example of 1 composition of a film manufacture device used for manufacture of phase contrast film concerning a 1st embodiment of this art.
  • the film manufacturing apparatus includes a die 21, a roll 22, and a roll 23.
  • the die 21 is a general T-die for melt molding, and extrudes the molten resin material 24 into a film shape.
  • the resin material 24 includes, for example, the above-described thermoplastic resin.
  • the rolls 22 and 23 have a configuration in which the resin material 24 extruded from the die 21 in a film shape can be nipped with an arbitrary pressure.
  • the roll 22 and the roll 23 are configured to be rotatable in an arbitrary direction. More specifically, the roll 22 is configured to be rotatable at an arbitrary rotational speed ratio by a rotational power transmission mechanism (not shown) with respect to the rotational speed based on the roll 23.
  • the surface shapes of the rolls 22 and 23 are not particularly limited, and for example, a mirror surface, a textured surface, a prism, a lenticular, or the like can be arbitrarily selected.
  • Each of the rolls 22 and 23 has a medium flow path therein, and has a function of controlling the surface to an arbitrary temperature by an individual temperature control device.
  • the material of the surface of the roll 22 and the roll 23 is not specifically limited, A metal, rubber
  • the input resin material is melted at an arbitrary temperature, and the resin material 24 is extruded from the die 21 into a film.
  • the extruded resin material 24 in a molten state is dropped and sandwiched between rolls 22 and 23 to perform compression and stretching. Retardation develops in the resin material 24 that has been formed into a film by this compression stretching, and the retardation film 11 is obtained.
  • the retardation film 11 is conveyed to the next step along the roll 23 and wound into a raw fabric by a running system (not shown).
  • the compressive force in the thickness direction (Z-axis direction) of the film-like resin material 24 is preferably 5 N / mm 2 or more, more preferably 5 N / mm 2 or more and 300 N / mm 2 or less. If the compressive force is less than 5 N / mm 2 , sufficient compression and stretching cannot be performed and a desired retardation may not be ensured. The higher the compression force, the easier it is to express the retardation, but it is preferable. However, if the compression force is too high, the rotational load of the roll becomes large, and there is a possibility that it becomes difficult to control running failure, device destruction, and desired film thickness. mm 2 or less is preferable.
  • the retardation film 11 as the retardation element has an in-plane retardation R0 and a thickness direction retardation Rth of 0.7 ⁇ R0 ⁇ Rth ⁇ 1.3 ⁇ R0. Satisfies the relationship. Accordingly, it is possible to suppress a change in retardation when the tilt is applied in the Z-axis direction. Therefore, even when the monitor (display device) is tilted in the Z-axis direction, deterioration in visibility can be suppressed.
  • the thickness of the retardation film 11 can be set from the initial stage of molding. Furthermore, in order to express retardation by compressive stretching at a high temperature, the retardation film 11 is compared with the conventional case where retardation is expressed by stretching treatment in a uniaxial direction or biaxial direction at a relatively low temperature. The dimensional change with time can be reduced. In addition, the retardation value can be manipulated only by the nip pressure between the roll 22 and the roll 23.
  • a transparent conductive film may be configured using the above-described retardation film 11 as a base film (base material).
  • this transparent conductive film comprises a retardation film (retardation element) 11 as a base film (base material), and a transparent conductive layer 13 provided on at least one surface of the retardation film 11.
  • FIG. 4A shows an example in which the transparent conductive layer 13 is provided on one surface of the retardation film 11.
  • FIG. 4B shows an example in which the transparent conductive layer 13 is provided on both surfaces of the retardation film 11.
  • a hard coat layer 12 may be further provided between the retardation film 11 and the transparent conductive layer 13.
  • the material of the transparent conductive layer 13 for example, one or more selected from the group consisting of electrically conductive metal oxide materials, metal materials, carbon materials, conductive polymers, and the like can be used.
  • the metal oxide material include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony-added tin oxide, fluorine-added tin oxide, aluminum-added zinc oxide, gallium-added zinc oxide, silicon-added zinc oxide, and zinc oxide.
  • ITO indium tin oxide
  • zinc oxide indium oxide-tin oxide system
  • zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide system and the like.
  • metal material for example, metal nanofillers such as metal nanoparticles and metal nanowires can be used.
  • Such materials include copper, silver, gold, platinum, palladium, nickel, tin, cobalt, rhodium, iridium, iron, ruthenium, osmium, manganese, molybdenum, tungsten, niobium, tantel, titanium, bismuth, Examples thereof include metals such as antimony and lead, and alloys thereof.
  • the carbon material include carbon black, carbon fiber, fullerene, graphene, carbon nanotube, carbon microcoil, and nanohorn.
  • the conductive polymer for example, substituted or unsubstituted polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and one or two (co) polymers selected from these can be used.
  • the transparent conductive layer 13 As a method for forming the transparent conductive layer 13, for example, a PVD method such as a sputtering method, a vacuum deposition method, or an ion plating method, a CVD method, a coating method, a printing method, or the like can be used.
  • the transparent conductive layer 13 may be a transparent electrode having a predetermined electrode pattern. Examples of the electrode pattern include a stripe shape, but are not limited thereto.
  • the material of the hard coat layer 12 is preferably an ionizing radiation curable resin that is cured by light or an electron beam, or a thermosetting resin that is cured by heat, and is most preferably a photosensitive resin that is cured by ultraviolet rays.
  • a photosensitive resin for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate, polyol acrylate, polyether acrylate, and melamine acrylate can be used.
  • a urethane acrylate resin is obtained by reacting a polyester polyol with an isocyanate monomer or a prepolymer, and reacting the resulting product with an acrylate or methacrylate monomer having a hydroxyl group.
  • the thickness of the hard coat layer 12 is preferably 1 ⁇ m to 20 ⁇ m, but is not particularly limited to this range.
  • a moth-eye structure 14 as an antireflection layer may be provided on at least one surface of the retardation film 11 described above.
  • FIG. 4A shows an example in which the moth-eye structure 14 is provided on one surface of the retardation film 11.
  • FIG. 4B shows an example in which the moth-eye structure 14 is provided on both surfaces of the retardation film 11.
  • the antireflection layer provided on the surface of the retardation film 11 is not limited to the moth-eye structure 14 described above, and a conventionally known antireflection layer such as a low refractive index layer can also be used.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of the touch panel according to the second embodiment of the present technology.
  • the touch panel (input device) 50 is a so-called resistive film type touch panel.
  • the resistive film type touch panel may be either an analog resistive film type touch panel or a digital resistive film type touch panel.
  • the touch panel 50 includes a first transparent conductive film 51 and a second transparent conductive film 52 facing the first transparent conductive film 51.
  • the 1st transparent conductive film 51 and the 2nd transparent conductive film 52 are bonded together via the bonding part 55 arrange
  • As the bonding unit 55 for example, an adhesive paste, an adhesive tape, or the like is used.
  • the touch panel 50 is bonded to the display device 54 via the bonding layer 53, for example.
  • a material of the bonding layer 53 for example, an acrylic, rubber, or silicon adhesive can be used, and an acrylic adhesive is preferable from the viewpoint of transparency.
  • the touch panel 50 further includes a polarizer 58 bonded to the surface on the touch side of the first transparent conductive film 51 via a bonding layer 60 or the like.
  • the transparent conductive film transparent conductive element
  • the retardation film 11 as the base film (base material)
  • the moth-eye structure 14 is provided on the opposing surfaces of the first transparent conductive film 51 and the second transparent conductive film 52, that is, on the surface where the transparent conductive layer 13 is provided. This is because the optical characteristics (for example, reflection characteristics and transmission characteristics) of the first transparent conductive film 51 and the second transparent conductive film 52 can be improved. From the viewpoint of improving optical characteristics, the transparent conductive layer 13 is preferably provided following the surface of the moth-eye structure 14.
  • the touch panel 50 preferably further includes a single-layer or multi-layer antireflection layer (not shown) on the surface of the first transparent conductive film 51 on the touch side. This is because the reflectance can be reduced and the visibility can be improved.
  • the touch panel 50 preferably further includes a hard coat layer on the surface on the touch side of the first transparent conductive film 51.
  • the surface of the hard coat layer is preferably imparted with antifouling properties.
  • the touch panel 50 may further include a front panel (surface member) 59 bonded to the surface on the touch side of the first transparent conductive film 51 via a bonding layer 61 or the like.
  • the touch panel 50 may further include a glass substrate 56 bonded to the surface of the second transparent conductive film 52 bonded to the display device 54 or the like via a bonding layer 57 or the like.
  • the touch panel 50 preferably further includes a plurality of structures on the surface to be bonded to the display device 54 of the second transparent conductive film 52 and the like. This is because the adhesion between the touch panel 50 and the bonding layer 53 can be improved by the anchor effect of the plurality of structures. As this structure, a moth-eye structure is preferable. This is because interface reflection can be suppressed.
  • Examples of the display device 54 include a liquid crystal display, a CRT (Cathode Ray Tube) display, a plasma display panel (PDP), and electroluminescence (Electro Luminescence (EL) display, surface-conduction electron-emitting device display (Surface-conduction) Various display devices such as Electron-emitter Display (SED) can be used.
  • a liquid crystal display a CRT (Cathode Ray Tube) display, a plasma display panel (PDP), and electroluminescence (Electro Luminescence (EL) display, surface-conduction electron-emitting device display (Surface-conduction)
  • EL Electroluminescence
  • SED Electron-emitter Display
  • An electronic apparatus includes the input device 50 according to the second embodiment in a display unit.
  • An example of an electronic device according to the third embodiment of the present technology will be described below.
  • FIG. 6 is an external view showing an example of a television device as an electronic device.
  • the television apparatus 101 includes a display unit 102, and the display unit 102 includes the touch panel 50 according to the second embodiment.
  • FIG. 7A and 7B are external views showing examples of digital cameras as electronic devices.
  • FIG. 7A is an external view of the digital camera as viewed from the front side.
  • FIG. 7B is an external view of the digital camera as viewed from the back side.
  • the digital camera 110 includes a flash light emitting unit 111, a display unit 112, a menu switch 113, a shutter button 114, and the like, and the display unit 112 includes the touch panel 50 according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is an external view showing an example of a notebook personal computer as an electronic device.
  • the notebook personal computer 120 includes a main body 121 that includes a keyboard 122 that is operated when inputting characters and the like, a display unit 123 that displays an image, and the display unit 123 includes the touch panel 50 according to the second embodiment. .
  • FIG. 9 is an external view showing an example of a video camera as an electronic device.
  • the video camera 130 includes a main body 131, a lens 132 for shooting an object on the side facing forward, a start / stop switch 133 at the time of shooting, a display unit 134, and the like, and the display unit 134 according to the second embodiment.
  • a touch panel 50 is provided.
  • FIG. 10A is an external view illustrating an example of a mobile phone as an electronic device.
  • the mobile phone 141 is a so-called smartphone, and the display unit 142 includes the touch panel 50 according to the second embodiment.
  • FIG. 10B is an external view illustrating an example of a tablet computer as an electronic device.
  • the tablet computer 151 includes the touch panel 50 according to the second embodiment on the display unit 152.
  • Example 1 the film manufacturing apparatus shown in FIG. 3 was used as the film manufacturing apparatus.
  • stretches the film extruded from T die to a uniaxial direction was used as a film manufacturing apparatus.
  • Example 1 a norbornene resin (glass transition point Tg: 170 ° C.) was prepared as a thermoplastic resin material. Next, this resin material was extruded into a film having a thickness of 100 ⁇ m from the T die 21 of the film manufacturing apparatus. Thereafter, the extruded film was nipped by a roll 22 and a roll 23 at a surface pressure of 88 N / mm 2 and subjected to compression stretching to obtain a retardation film. At this time, the surface temperature of the roll 22 was set to 40 ° C., the surface temperature of the roll 23 was set to 60 ° C., and the rotation speed was set to a peripheral speed of about 5 to 10 m / min.
  • glass transition point Tg glass transition point
  • Example 2 A retardation film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a film having a thickness of 30 ⁇ m was extruded using a film production apparatus and then subjected to compression stretching at a surface pressure of 120 N / mm 2 .
  • Example 3 A retardation film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a film having a thickness of 200 ⁇ m was extruded using a film production apparatus and then subjected to compression stretching at a surface pressure of 40 N / mm 2 .
  • Example 4 A retardation film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a film having a thickness of 100 ⁇ m was extruded using a film production apparatus and then subjected to compression stretching at a surface pressure of 5 N / mm 2 .
  • Example 5 A retardation film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 100 ⁇ m film was extruded using a film production apparatus and then subjected to compression stretching at a surface pressure of 150 N / mm 2 .
  • Example 1 A retardation film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a film having a thickness of 100 ⁇ m was extruded using a film production apparatus, and then the film was stretched in the uniaxial direction instead of being subjected to compression.
  • the in-plane retardation R0 and the thickness direction retardation Rth of the retardation film were measured using a retardation film / optical material inspection apparatus (trade name: RETS-100, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.).
  • the dimensional change rate of the retardation film before and after environmental preservation was determined as follows. First, the dimensions of the retardation film in the MD and TD directions (hereinafter referred to as “retardation film dimensions before environmental preservation”) were measured. Next, after storing the retardation film in a 150 ° C. environment for 1 hour, the dimensions of the retardation film in the MD and TD directions (hereinafter referred to as “retardation film dimensions after environmental storage”) were measured again. Next, the dimensional change rate of the retardation film before and after environmental preservation was determined using the following equation.
  • the amount of change in the in-plane retardation R0 of the retardation film before and after environmental preservation was determined as follows. First, in-plane retardation R0 of the retardation film (hereinafter referred to as “retardation R0 before environmental preservation”) was measured. Next, after the retardation film was stored in an environment of 150 ° C. for 1 hour, the in-plane retardation R0 of the retardation film (hereinafter referred to as “retardation after environmental storage R0”) was measured again. Next, the amount of change in the in-plane retardation R0 of the retardation film before and after environmental preservation was determined using the following formula.
  • save were calculated
  • (Change amount of in-plane retardation R0) (retardation R0 before environmental preservation) ⁇ (retardation R0 after environmental preservation)
  • In-plane retardation R0 is 50 nm or more, and can be used as a retardation film. Further, Rth / R0 is in the range of 0.7 to 1.3, and the change in retardation tilt can be within 30%. Further, the dimensional change rate at 150 ° C. and 1H is within ⁇ 1%, and the change amount of the in-plane retardation R0 is 25 nm or less, so that the initial characteristics can be substantially maintained.
  • In-plane retardation R0 is 50 nm or more, and can be used as a retardation film. Further, Rth / R0 is in the range of 0.7 to 1.3, and the retardation tilt change can be made within 30%.
  • the transmittance is a transmittance for light having a wavelength of 550 nm.
  • First polarizer / retardation film / second polarizer However, the first polarizer and the second polarizer were in a crossed Nicols state. Further, the arrangement of both films was fixed so that the absorption axis of the first polarizer and the slow axis of the retardation film were 45 degrees.
  • Test Example 2 A change in transmittance with respect to the in-plane retardation R0 when a retardation film is inserted is obtained by simulation in the same manner as in Test Example 1 except that the first polarizer and the second polarizer are in a parallel Nicol state. It was. The result is shown in FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing the results of simulations in Test Examples 1 and 2.
  • FIG. 13 shows that when the in-plane retardation R0 of the retardation film is ⁇ / 4, a significant decrease in visibility can be suppressed if the retardation change is within 138 ⁇ 40 nm (about ⁇ 30%).
  • the present technology is not limited to this example, and other input such as a capacitive touch panel may be used.
  • the present technology can also be applied to an apparatus.
  • a phase difference element; A transparent conductive layer, and The phase difference element is A transparent conductive element in which in-plane retardation R0 and thickness direction retardation Rth satisfy the following formula (1).
  • An input device comprising the transparent conductive element according to any one of (7) to (12).
  • a display device comprising the retardation element according to any one of (1) to (6).
  • the transparent conductive element is A phase difference element;
  • the phase difference element is An input device in which in-plane retardation R0 and thickness direction retardation Rth satisfy the following formula (1).
  • the phase difference element is An in-plane retardation R0 and a thickness direction retardation Rth satisfy the following formula (1).
  • the phase difference element is An electronic device characterized in that the in-plane retardation R0 and the thickness direction retardation Rth satisfy the following formula (1).

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Abstract

　Ｚ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーションの変化を抑制できる位相差素子は、面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０（Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ、Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ、Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）を満たしている。

Description

位相差素子、透明導電性素子、入力装置、表示装置および電子機器
　本技術は、位相差素子、透明導電性素子、入力装置、表示装置および電子機器に関する。詳しくは、入力装置や表示装置などに用いられる位相差素子に関する。
　近年、位相差フィルムは画像表示分野において幅広く使用されている。位相差フィルムは通常、一軸または二軸延伸などの加工を施された延伸樹脂フィルムであり、三次元屈折率の大小関係（屈折率楕円体）を使用条件に合わせて制御したものである（例えば特許文献１、特許文献２参照）。例えば、異方性の強い液晶分子を面内に水平配向させて用いるＴＮ（Twisted Nematic）モードでは厚さ方向の屈折率の不足分を補うように、また、液晶分子を立たせて用いるＶＡ（Vertical Alignment）モードでは厚さ方向の屈折率の過剰分を低減させるような屈折率楕円体をもつ位相差フィルムが用いられる。これらの位相差フィルムは、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）の視野角特性を向上させる光学補償フィルムとしての役割を果たす。
特開２００５－９１５９８号公報
特開２００５－９９８４８号公報
　近年では、画像表示装置を有するモバイル系機器の普及に伴って、種々の位相差フィルムが望まれるようになっている。例えば、Ｚ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーションの変化（図２参照）を抑えることができる位相差フィルムが望まれている。Ｚ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーション変化抑制の要望の一例としては、近年のスマートフォンやタブレットＰＣ（パーソナルコンピュータ）等のモバイル系機器の普及により偏光サングラス対応が望まれており、モニターにＺ軸方向のチルトをかけた場合においても著しい視認性の悪化を抑制することが挙げられる。
　したがって、本技術の目的は、Ｚ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーションの変化を抑制できる位相差素子、透明導電性素子、入力装置、表示装置および電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の技術は、
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（１）を満たす位相差素子である。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
　第２の技術は、
　位相差素子と、
　透明導電層と
　を備え、
　位相差素子は、
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（1）を満たす透明導電性素子である。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
　第３の技術は、
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（１）を満たすように、素子の厚み方向へ圧縮延伸を行うことを含む位相差素子の製造方法である。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
　第１の技術に係る位相差素子は、透明導電性素子、入力装置、表示装置、電子機器に適用して好適なものである。第２の技術に係る透明導電性素子は、入力装置、表示装置、電子機器に適用して好適なものである。
　本技術によれば、面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０の関係を満たしているので、Ｚ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーションの変化を３０％以内に抑制できる。
　以上説明したように、本技術によれば、Ｚ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーションの変化を抑制できる。
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る位相差フィルムの一構成例を示す概略断面図である。図１Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る位相差フィルムの全体形状の一例を示す斜視図である。 図２は、Ｚ軸方向チルト角度の定義を説明するための斜視図である。 図３は、フィルム製造装置の一構成例を示す模式図である。 図４Ａおよび図４Ｂは、本技術の第１の実施形態の第１の変形例を示す概略断面図である。図４Ｃおよび図４Ｄは、本技術の第１の実施形態の第２の変形例を示す概略断面図である。 図５は、本技術の第１の実施形態に係るタッチパネルの一構成例を示す概略断面図である。 図６は、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。 図７Ａ、図７Ｂは、電子機器としてデジタルカメラの例を示す外観図である。 図８は、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。 図９は、電子機器としてビデオカメラの例を示す外観図である。 図１０Ａは、電子機器として携帯電話の一例を示す外観図である。図１０Ｂは、電子機器としてタブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。 図１１は、実施例１～５、比較例１、２の位相差フィルムのリタデーションのチルト角度依存性を示す図である。 図１２は、実施例１～３、比較例１の位相差フィルムのリタデーションのチルト角度依存性を示す図である。 図１３は、試験例１、２のシミュレーションの結果を示す図である。
　本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（位相差フィルムの例）
２．第２の実施形態（入力装置の例）
３．第３の実施形態（電子機器の例）
＜１．第１の実施形態＞
［位相差フィルムの構成］
　図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る位相差フィルムの一構成例を示す概略断面図である。位相差フィルム（位相差素子）１１は、例えばλ／４位相差フィルムである。位相差フィルム１１は、例えば矩形状を有している。位相差フィルム１１の少なくとも一方の表面にハードコート層１２をさらに設けることが好ましい。これにより、位相差フィルム１１の表面に対して耐擦傷性や耐薬品性などを付与することができるからである。なお、図１Ａでは、位相差フィルム１１の一方の表面にハードコート層１２をさらに設けた例が示されている。
　図１Ｂに示すように、位相差フィルム１１が全体として帯状の形状を有するようにしてもよい。このような形状とすることで、位相差フィルム１１をロール・ツー・ロール工程により容易に作製することができる。また、位相差フィルム１１をロール状などに巻回して原反とすることで、取り扱いを容易とすることができる。
　位相差フィルム１１の面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈの関係が以下の式（１）を満たしている。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：位相差フィルム１１の幅方向屈折率、Ｎｙ：位相差フィルム１１の長手方向屈折率、Ｎｚ：位相差フィルム１１の厚み方向屈折率、ｄ：位相差フィルム１１の厚み）
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０にすることにより、Ｒ０を軸としたＺ軸方向チルト角度に対するリタデーションの変化を±３０％以内に抑制することができる。リタデーションの変化を±３０％以内に抑制することで、モニターにＺ軸方向のチルトをかけた場合においても視認性の悪化を抑制することができる。ここで、Ｚ軸方向チルト角度とは、図２に示すように、面内Ｒ０軸を中心軸として位相差フィルムをＺ方向へ相対的に回転させたときの回転角度のことを意味する。ここでは、位相差フィルム１１の幅方向（横方向（ＴＤ：Transverse Direction））をｘ軸方向、位相差フィルム１１の長さ方向（縦方向（ＭＤ：Machine Direction））をｙ軸方向、位相差フィルム１１の厚さ方向をｚ軸方向という。
　位相差フィルム１１の表面近傍における熱可塑性樹脂の配向方向と位相差フィルム１１の厚さ方向とのなす角は、位相差フィルム１１の中央部分における熱可塑性樹脂の配向方向と位相差フィルム１１の厚さ方向とのなす角に比べて小さくなっている。より具体的には例えば、位相差フィルム１１の表面近傍における熱可塑性樹脂の配向方向は、位相差フィルム１１の厚さ方向とほぼ平行な関係にあるのに対して、位相差フィルム１１の中央近傍における熱可塑性樹脂の配向方向は、位相差フィルム１１の面内方向とほぼ平行な関係にある。このような関係にあることで、０．7×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０の関係を実現することができる。
　位相差フィルム１１のｘ方向の屈折率をｎｘ、ｙ方向の屈折率をｎｙ、ｚ軸方向の屈折率をｎｚとしたとき、屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚは、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの関係を満たしていることが好ましい。この関係を満たすことで、０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０の関係を実現することができる。
　位相差フィルム１１の厚さは、好ましくは３０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内である。位相差フィルム１１の厚さが３０μｍ未満であると、位相差フィルム１１の作製工程において圧縮力を十分伝達できず、位相差フィルム１１として十分な面内リタデーションＲ０を確保ができなくなる虞がある。また、位相差フィルム自体が取扱いづらくなる虞もある。一方、位相差フィルム１１の厚さが２００μｍを超えると、位相差フィルム１１により積層体などの部材を構成した場合にそのトータルな厚みが厚くなってしまう虞がある。
　位相差フィルム１１の面内リタデーションＲ０の値は、好ましくは５０ｎｍ以上２７６ｎｍ以下の範囲内である。面内リタデーションＲ０が５０ｎｍ未満であると、位相差フィルム１１として十分な機能を発揮できなくなる虞がある。一方、面内リタデーションＲ０が２７６ｎｍを超えると、波長依存性が大きくなり色ムラの原因となる虞がある。
　１５０℃環境下１時間保存前後の位相差フィルム１１の寸法変化率は、－１％≦寸法変化率≦１％の範囲内であることが好ましい。寸法変化率を－１％≦寸法変化率≦１％の範囲内にすることで、透明電極用ベースフィルムとして位相差フィルム１１を使用した場合、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物材料のアニール処理時に、寸法変化によるうねり発生等によりフィルム品位が損なわれることを抑制できる。
　ここで、１５０℃環境下１時間保存前後における位相差フィルム１１の寸法変化率は、以下の式により定義される。
　（寸法変化率）（％）＝（（環境保存後の位相差フィルム寸法－環境保存前の位相差フィルム寸法）／環境保存前の位相差フィルム寸法）×１００（％）
　なお、上述の寸法変化率の数値としては、ＭＤおよびＴＤ方向の寸法のうち変化が大きい方を採用する。
　１５０℃環境下１時間保存前後における位相差フィルム１１の面内リタデーションＲ０の変化量ΔＲ０は、好ましくはΔＲ０≦２５ｎｍの関係を満たしている。ΔＲ０≦２５ｎｍとすることで、透明電極用ベースフィルムとして位相差フィルム１１を使用した場合、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物材料のアニール処理後においても、初期の位相差を確保しほぼ設計通りのリタデーションを確保できる。
　位相差フィルム１１は、熱可塑性樹脂を１種または２種以上含んでいることが好ましい。位相差フィルム１１が、必要に応じて添加剤をさらに含んでいてもよい。添加剤としては、熱安定剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、抗酸化剤、難燃剤、着色剤、帯電防止剤、相溶化剤、架橋剤、増粘剤およびフィラーなどからなる群より選ばれる１種以上が挙げられる。フィラーとしては、例えば、無機または有機の微粒子を用いることができる。
　熱可塑性樹脂としては、ノルボルネン系樹脂、ポリエステル系樹脂（例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）など）、シクロオレフィン系樹脂、セルロース樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、オレフィン系樹脂（例えばポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリスチレン系樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸メチル系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂およびそれらの共重合体を用いることができ、リタデーションの微小な調整が可能であるノルボルネン系樹脂が特に好ましい。
［フィルム製造装置の構成］
　図３は、本技術の第１の実施形態に係る位相差フィルムの製造に用いられるフィルム製造装置の一構成例を示す模式図である。このフィルム製造装置は、ダイ２１、ロール２２およびロール２３を備える。
　ダイ２１は、一般的な溶融成形用のＴダイであり、溶融状態の樹脂材料２４をフィルム状に押し出す。樹脂材料２４は、例えば上述の熱可塑性樹脂を含んでいる。ロール２２とロール２３とは、ダイ２１からフィルム状に押し出された樹脂材料２４を任意の圧力にてニップできる構成を有している。ロール２２およびロール２３は、任意の方向に回転可能に構成されている。より具体的には、ロール２２はロール２３を基準とした回転速度に対し、図示しない回転動力伝達機構により任意の回転速度比にて回転可能に構成されている。ロール２２およびロール２３の表面形状は特に限定されるものではなく、例えばミラー面、シボ面、プリズムやレンチキュラーなどを任意に選択できる。ロール２２およびロール２３はその内部に媒体の流路をもち、それぞれ個別の温調装置により任意の温度に表面を温調できる機能を有する。ロール２２およびロール２３の表面の材質は特に限定されるものではなく、金属、ゴム、樹脂、エラストマーなどを用いることができる。
［位相差フィルムの製造方法］
　上述の構成を有するフィルム製造装置を用いた位相差フィルムの製造方法の一例について説明する。
　まず、投入樹脂材料を任意の温度にて溶融状態とし、樹脂材料２４をダイ２１からフィルム状に押し出す。押し出された溶融状態の樹脂材料２４を落下させて、ロール２２とロール２３とにより挟むことにより、圧縮延伸を施す。この圧縮延伸によりフィルム状となった樹脂材料２４にリタデーションが発現し、位相差フィルム１１が得られる。次に、必要に応じて、ロール２３に沿って位相差フィルム１１を次工程に搬送し、図示しない走行系により原反状に巻き取る。
　圧縮延伸の際には、面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈの関係が上述の式（１）を満たすように、フィルム状の樹脂材料２４の厚み方向へ圧縮延伸を行うことが好ましい。フィルム状の樹脂材料２４の厚み方向（Ｚ軸方向）への圧縮力は、好ましくは５Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは５Ｎ／ｍｍ２以上３００Ｎ／ｍｍ２以下の範囲内である。圧縮力が５Ｎ／ｍｍ２未満であると、十分な圧縮延伸が行えず所望のリタデーションを確保できない虞がある。圧縮力は高ければ高い程リタデーションを発現させ易くなり好ましいが、あまり高いとロールの回転負荷が大きくなり走行不良やデバイスの破壊、所望のフィルム厚の制御が困難になる虞があるため、３００Ｎ／ｍｍ２以下が好ましい。
　樹脂材料２４の温度、ロール２２およびロール２３の圧縮力（面圧）、速度差、温度、および樹脂材料２４の押出速度とロール２３の周速度の比による樹脂材料２４の厚みにより、発現するリタデーションに変化がある。これらを応用することで任意のリタデーション発現を制御することが可能となる。また、位相差フィルム１１の寸法変化も制御することが可能となる。
［効果］
　上述したように、第１の実施形態によれば、位相差素子としての位相差フィルム１１は、面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０の関係を満たしている。したがって、Ｚ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーションの変化を抑制できる。したがって、モニター（表示装置）にＺ軸方向のチルトをかけた場合においても視認性の悪化を抑制することができる。
　また、成形時初期から位相差フィルム１１の厚みを設定できる。更に、温度が高い状態において圧縮延伸によりリタデーションを発現させるため、従来の比較的温度が低い状態において１軸方向または２軸方向に延伸処理によりリタデーションを発現させる場合に比べて、位相差フィルム１１の経時的な寸法変化を小さくできる。加えて、リタデーションの値をロール２２とロール２３とのニップ圧のみで操作できる。
＜変形例＞
［変形例１］
　図４Ａおよび図４Ｂに示すように、上述の位相差フィルム１１をベースフィルム（基材）として用いて透明導電性フィルム（透明導電性素子）を構成してもよい。具体的には、この透明導電性フィルムは、ベースフィルム（基材）としての位相差フィルム（位相差素子）１１と、位相差フィルム１１の少なくとも一方の表面に設けられた透明導電層１３とを備える。図４Ａでは、位相差フィルム１１の一方の表面に透明導電層１３を設けた例が示されている。図４Ｂでは、位相差フィルム１１の両方の表面に透明導電層１３を設けた例が示されている。図４Ａおよび図４Ｂに示すように、位相差フィルム１１と透明導電層１３との間にハードコート層１２をさらに備えるようにしてもよい。
　透明導電層１３の材料としては、例えば、電気的導電性を有する金属酸化物材料、金属材料、炭素材料および導電性ポリマーなどからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。金属酸化物材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛－酸化錫系、酸化インジウム－酸化錫系、酸化亜鉛－酸化インジウム－酸化マグネシウム系などが挙げられる。金属材料としては、例えば、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤーなどの金属ナノフィラーを用いることができる。それらの具体的材料としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイルおよびナノホーンなどが挙げられる。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができる。
　透明導電層１３の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法などを用いることができる。透明導電層１３は、所定の電極パターンを有する透明電極であってもよい。電極パターンとしては、ストライプ状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
　ハードコート層１２の材料としては、光または電子線などにより硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、紫外線により硬化する感光性樹脂が最も好ましい。このような感光性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレート、メラミンアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。例えば、ウレタンアクリレート樹脂は、ポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、あるいはプレポリマーを反応させ、得られた生成物に、水酸基を有するアクリレートまたはメタクリレート系のモノマーを反応させることによって得られる。ハードコート層１２の厚みは、１μｍ～２０μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
［変形例２］
　図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、上述の位相差フィルム１１の少なくとも一方の表面に反射防止層としてのモスアイ構造体１４を設けるようにしてもよい。図４Ａでは、位相差フィルム１１の一方の表面にモスアイ構造体１４を設けた例が示されている。図４Ｂでは、位相差フィルム１１の両方の表面にモスアイ構造体１４を設けた例が示されている。なお、位相差フィルム１１の表面に設けられる反射防止層は、上述のモスアイ構造体１４に限定されるものではなく、低屈折率層などの従来公知の反射防止層を用いることも可能である。
＜２．第２の実施形態＞
　図５は、本技術の第２の実施形態に係るタッチパネルの一構成例を示す概略断面図である。このタッチパネル（入力装置）５０は、いわゆる抵抗膜方式タッチパネルである。抵抗膜方式タッチパネルとしては、アナログ抵抗膜方式タッチパネル、およびデジタル抵抗膜方式タッチパネルのいずれであってもよい。
　タッチパネル５０は、第１の透明導電性フィルム５１と、この第１の透明導電性フィルム５１と対向する第２の透明導電性フィルム５２とを備える。第１の透明導電性フィルム５１と、第２の透明導電性フィルム５２は、それらの周縁部間に配置された貼り合わせ部５５を介して互いに貼り合わされている。貼り合わせ部５５としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して貼り合わせ層５３を介して貼り合わされる。貼り合わせ層５３の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。
　タッチパネル５０は、第１の透明導電性フィルム５１のタッチ側となる面に対して、貼り合わせ層６０などを介して貼り合わされた偏光子５８をさらに備える。第１の透明導電性フィルム５１および／または第２の透明導電性フィルム５２としては、上述の第１の実施形態の変形例１に係る透明導電性フィルム（透明導電性素子）を用いることができる。但し、ベースフィルム（基材）としての位相差フィルム１１としては、上述の第１の実施形態に係る位相差フィルム１１の位相差をλ／４に設定したλ／４位相差フィルムが用いられる。このように偏光子５８と位相差フィルム１１とを採用することで、反射率を低減し、視認性を向上することができる。
　第１の透明導電性フィルム５１および第２の透明導電性フィルム５２の対向する表面、すなわち透明導電層１３が設けられる表面にはモスアイ構造体１４を設けることが好ましい。第１の透明導電性フィルム５１および第２の透明導電性フィルム５２の光学特性（例えば反射特性や透過特性など）を向上することができるからである。光学特性の向上の観点からすると、透明導電層１３はモスアイ構造体１４の表面に倣って設けられていることが好ましい。
　タッチパネル５０は、第１の透明導電性フィルム５１のタッチ側となる面に単層または多層の反射防止層（図示せず）をさらに備えることが好ましい。反射率を低減し、視認性を向上することができるからである。
　タッチパネル５０は、耐擦傷性の向上の観点からすると、第１の透明導電性フィルム５１のタッチ側となる面にハードコート層をさらに備えることが好ましい。このハードコート層の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。
　タッチパネル５０は、第１の透明導電性フィルム５１のタッチ側となる面に対して、貼り合わせ層６１などを介して貼り合わされたフロントパネル（表面部材）５９をさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル５０は、第２の透明導電性フィルム５２の表示装置５４などに貼り合わされる面に、貼り合わせ層５７などを介して貼り合わされたガラス基板５６をさらに備えるようにしてもよい。
　タッチパネル５０は、第２の透明導電性フィルム５２の表示装置５４などと貼り合わされる面に、複数の構造体をさらに備えることが好ましい。複数の構造体のアンカー効果により、タッチパネル５０と貼り合わせ層５３との間の接着性を向上することができるからである。この構造体としてはモスアイ構造体が好ましい。界面反射を抑制することができるからである。
　表示装置５４としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro
Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction
Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。
＜３．第３の実施形態＞
　本技術の第３の実施形態に係る電子機器は、第２の実施形態に係る入力装置５０を表示部に備えている。以下に、本技術の第３の実施形態に係る電子機器の例について説明する。
　図６は、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。テレビ装置１０１は、表示部１０２を備え、その表示部１０２に第２の実施形態に係るタッチパネル５０を備える。
　図７Ａ、図７Ｂは、電子機器としてデジタルカメラの例を示す外観図である。図７Ａは、デジタルカメラを表側から見た外観図である。図７Ｂは、デジタルカメラを裏側から見た外観図である。デジタルカメラ１１０は、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４などを備え、その表示部１１２に第２の実施形態に係るタッチパネル５０を備える。
　図８は、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。ノート型パーソナルコンピュータ１２０は、本体１２１に、文字などを入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３などを備え、その表示部１２３に第２の実施形態に係るタッチパネル５０を備える。
　図９は、電子機器としてビデオカメラの例を示す外観図である。ビデオカメラ１３０は、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４などを備え、その表示部１３４に第２の実施形態に係るタッチパネル５０を備える。
　図１０Ａは、電子機器として携帯電話の一例を示す外観図である。携帯電話１４１は、いわゆるスマートフォンであり、その表示部１４２に第２の実施形態に係るタッチパネル５０を備える。
　図１０Ｂは、電子機器としてタブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。タブレット型コンピュータ１５１は、その表示部１５２に第２の実施形態に係るタッチパネル５０を備える。
　以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
　以下の実施例１～５では、フィルム製造装置として、図３に示したフィルム製造装置を用いた。比較例１では、フィルム製造装置として、Ｔダイから押し出されたフィルムを、単軸方向に延伸する縦軸延伸機が備えられた装置を用いた。
（実施例１）
　まず、熱可塑性樹脂材料としてノルボルネン樹脂（ガラス転移点Ｔｇ：１７０℃）を準備した。次に、この樹脂材料をフィルム製造装置のＴダイ２１から、厚さ１００μｍのフィルム状に押し出した。その後、押し出したフィルムを面圧８８Ｎ／ｍｍ２でロール２２およびロール２３によりニップし、圧縮延伸を施すことにより、位相差フィルムを得た。この際、ロール２２の表面温度は４０℃、ロール２３の表面温度は６０℃、回転速度は周速が５～１０ｍ／ｍｉｎ程度となるように設定した。
（実施例２）
　フィルム製造装置にて厚さ３０μｍのフィルムを押し出した後、面圧１２０Ｎ／ｍｍ２で圧縮延伸を施すこと以外は実施例１と同様にして、位相差フィルムを得た。
（実施例３）
　フィルム製造装置にて厚さ２００μｍのフィルムを押し出した後、面圧４０Ｎ／ｍｍ２で圧縮延伸を施すこと以外は実施例１と同様にして、位相差フィルムを得た。
（実施例４）
　フィルム製造装置にて厚さ１００μｍのフィルムを押し出した後、面圧５Ｎ／ｍｍ２で圧縮延伸を施すこと以外は実施例１と同様にして、位相差フィルムを得た。
（実施例５）
　フィルム製造装置にて１００μｍのフィルムを押し出した後、面圧１５０Ｎ／ｍｍ２で圧縮延伸を施すこと以外は実施例１と同様にして、位相差フィルムを得た。
（比較例１）
　フィルム製造装置にて厚さ１００μｍのフィルムを押し出した後、圧縮延伸を施すのではなく、単軸方向に延伸を施すこと以外は実施例１と同様にして、位相差フィルムを得た。
（比較例２）
　フィルム製造装置にて厚さ１００μｍのフィルムを押し出したのみでフィルムを得た。
（評価）
　上述のようにして得られた実施例１～５、比較例１、２の位相差フィルムのリタデーション、寸法変化率、リタデーション変化量およびリタデーションのチルト角度依存性を以下のようにして評価した。それらの結果を表１、図１１および図１２に示す。
（リタデーション）
　位相差フィルムの面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈについては、位相差フィルム・光学材料検査装置（大塚電子株式会社製、商品名：ＲＥＴＳ－１００）を用いて測定した。
（寸法変化率）
　環境保存前後における位相差フィルムの寸法変化率を以下のようにして求めた。まず、位相差フィルムのＭＤおよびＴＤ方向の寸法（以下「環境保存前の位相差フィルム寸法」という。）を測定した。次に、位相差フィルムを１５０℃環境下に１時間保存した後、位相差フィルムのＭＤおよびＴＤ方向の寸法（以下「環境保存後の位相差フィルム寸法」という。）を再度測定した。次に、以下の式を用いて、環境保存前後における位相差フィルムの寸法変化率を求めた。
　（寸法変化率）（％）＝（（環境保存後の位相差フィルム寸法－環境保存前の位相差フィルム寸法）／環境保存前の位相差フィルム寸法）×１００（％）
　なお、寸法変化率の数値としては、ＭＤおよびＴＤ方向の寸法のうち変化が大きい方を採用した。
（リタデーション変化）
　環境保存前後における位相差フィルムの面内リタデーションＲ０の変化量を以下のようにして求めた。まず、位相差フィルムの面内リタデーションＲ０（以下「環境保存前リタデーションＲ０」という。）を測定した。次に、位相差フィルムを１５０℃環境下に１時間保存した後、位相差フィルムの面内リタデーションＲ０（以下「環境保存後リタデーションＲ０」という。）を再度測定した。次に、以下の式を用いて、環境保存前後における位相差フィルムの面内リタデーションＲ０の変化量を求めた。なお、環境保存前リタデーションＲ０および環境保存後リタデーションＲ０は、上述の「リタデーション」の評価と同様の装置を用いて求めた。
　（面内リタデーションＲ０の変化量）＝（環境保存前リタデーションＲ０）－（環境保存後リタデーションＲ０）
（総合評価）
　上述のリタデーション、寸法変化率およびリタデーション変化量の各評価結果を用いて、以下の基準で位相差フィルムを総合評価した。その結果を表１に示す。
　◎（excellent）：面内リタデーションＲ０が５０ｎｍ以上であり、位相差フィルムとして使用可能である。また、Ｒｔｈ／Ｒ０が０．７以上１．３以下の範囲内にあり、リタデーションのチルト変化を３０％以内とすることができる。さらに、１５０℃１Ｈの寸法変化率も±１％以内であり、かつ、面内リタデーションＲ０の変化量も２５ｎｍ以下であり、初期特性をほぼ維持できている。
　○(good)：面内リタデーションＲ０が５０ｎｍ以上であり、位相差フィルムとして使用可能である。また、Ｒｔｈ／Ｒ０：０．７以上１．３以下の範囲内にあり、リタデーションのチルト変化を３０％以内とすることができる。
　×(poor)：面内リタデーションＲ０が５０ｎｍ未満であり、位相差フィルムとして使用できない。もしくは、Ｒｔｈ／Ｒ０が０．７以上１．３以下の範囲内に収まらず、チルトかけた場合のリタデーション変化が大きく、リタデーションのチルト変化が３０％を超えてしまう。
（リタデーションのチルト角度依存性）
　Ｚ軸方向のチルト角度に対するリタデーションの変化率をシミュレーションにより求めた。その結果を図１１および図１２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　上記評価結果から以下のことがわかる。
　厚み方向リタデーションＲｔｈを面内リタデーションＲ０の０．７倍以上１．３倍以下（０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０）に抑えることにより、面内よりＺ軸方向にチルトをかけた場合のリタデーションの変化を抑えることができる。
　圧縮延伸によりリタデーションを付与した位相差フィルムでは、単軸方向の延伸によりリタデーションを付与した位相差フィルムに比して、寸法変化率および面内リタデーションＲ０の変化を抑制することができる。
（試験例１）
　以下の構成を有する積層体を想定し、位相差フィルムを挿入したときの、面内リタデーションＲ０に対する透過率変化をシミュレーションにより求めた。その結果を図１３に示す。なお、透過率は波長５５０ｎｍの光に対する透過率である。
（積層体構成）
　第１の偏光子／位相差フィルム／第２の偏光子
　但し、第１の偏光子と第２の偏光子とはクロスニコルの状態とした。また、第１の偏光子の吸収軸と位相差フィルムの遅相軸とが４５度となるように、両フィルムの配置を固定した。
（試験例２）
　第１の偏光子と第２の偏光子とをパラレルニコルの状態とする以外は試験例１と同様にして、位相差フィルムを挿入したときの、面内リタデーションＲ０に対する透過率変化をシミュレーションにより求めた。その結果を図１３に示す。
　図１３は、試験例１、２のシミュレーションの結果を示す図である。図１３から、位相差フィルムの面内リタデーションＲ０がλ／４の場合、１３８±４０ｎｍ（約±３０％）以内のリタデーション変化であれば、著しい視認性の低下を抑制することができることがわかる。
　以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、上述の実施形態では、入力装置として抵抗膜方式タッチパネルに本技術を適用する例について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、静電容量方式タッチパネルなどの他の入力装置に対しても本技術は適用可能である。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（１）を満たす位相差素子。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
（２）
　厚みが３０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内である（１）に記載の位相差素子。
（３）
　面内リタデーションＲ０の値が５０ｎｍ以上２７６ｎｍ以下の範囲内である（１）または（２）に記載の位相差素子。
（４）
　１５０℃環境下1時間保存前後における寸法変化率が、－１％≦寸法変化率≦１％の範囲内である（１）から（３）のいずれかに記載の位相差素子。
（５）
　１５０℃環境下１時間保存前後における面内リタデーションＲ０の変化量が、Ｒ０変化量≦２５ｎｍの範囲内である（１）から（３）のいずれかに記載の位相差素子。
（６）
　ノルボルネン系樹脂を含んでいる（１）から（５）のいずれかに記載の位相差素子。
（７）
　（１）から（６）のいずれかに記載の位相差素子を基材として備える透明導電性素子。
（８）
　位相差素子と、
　透明導電層と
　を備え、
　上記位相差素子は、
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（1）を満たす透明導電性素子。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
（９）
　上記透明導電層は、透明電極である（８）に記載の透明導電性素子。
（１０）
　上記透明導電層が、インジウム錫酸化物を含んでいる（８）または（９）に記載の透明導電性素子。
（１１）
　上記透明導電層が、金属ナノフィラーを含んでいる（８）または（９）に記載の透明導電性素子。
（１２）
　上記金属ナノフィラーが、金属ナノワイヤーである請求項１１に記載の透明導電性素子。
（１３）
　（７）から（１２）のいずれかに記載の透明導電性素子を備える入力装置。
（１４）
　（１）から（６）のいずれかに記載の位相差素子を備える表示装置。
（１５）
　（１）から（６）のいずれかに記載の位相差素子を備える電子機器。
（１６）
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（１）を満たすように、素子の厚み方向へ圧縮延伸を行うことを含む位相差素子の製造方法。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
（１７）
　厚み方向へ圧縮力が、５Ｎ／ｍｍ２以上である（１６）に記載の位相差素子の製造方法。
（１８）
　透明導電性素子を備え、
　上記透明導電性素子は、
　位相差素子と、
　透明導電層と
　を備え、
　上記位相差素子は、
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（1）を満たすことを特徴とする入力装置。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
（１９）
　位相差フィルムを備え、
　上記位相差素子は、
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（1）を満たすことを特徴とする表示装置。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
（２０）
　位相差フィルムを備え、
　上記位相差素子は、
　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（1）を満たすことを特徴とする電子機器。
　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
（Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
　１１　　位相差フィルム
　１２　　ハードコート層
　１３　　透明導電層
　１４　　モスアイ構造体
　２１　　ダイ
　２２、２３　　ロール
　５０　　タッチパネル
　１０１　　テレビ装置
　１１０　　デジタルカメラ
　１２０　　ノート型パーソナルコンピュータ
　１３０　　ビデオカメラ
　１４１　　携帯電話
　１５１　　タブレット型コンピュータ

Claims (17)

  1. 　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（１）を満たす位相差素子。
    　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
    　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
    　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
    （Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
  2. 　厚みが３０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内である請求項１に記載の位相差素子。
  3. 　面内リタデーションＲ０の値が５０ｎｍ以上２７６ｎｍ以下の範囲内である請求項１または２に記載の位相差素子。
  4. 　１５０℃環境下1時間保存前後における寸法変化率が、－１％≦寸法変化率≦１％の範囲内である請求項１から３のいずれかに記載の位相差素子。
  5. 　１５０℃環境下１時間保存前後における面内リタデーションＲ０の変化量が、Ｒ０変化量≦２５ｎｍの範囲内である請求項１から３のいずれかに記載の位相差素子。
  6. 　ノルボルネン系樹脂を含んでいる請求項１から５のいずれかに記載の位相差素子。
  7. 　請求項１から６のいずれかに記載の位相差素子を基材として備える透明導電性素子。
  8. 　位相差素子と、
    　透明導電層と
    　を備え、
    　上記位相差素子は、
    　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（1）を満たす透明導電性素子。
    　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
    　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
    　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
    （Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
  9. 　上記透明導電層は、透明電極である請求項８に記載の透明導電性素子。
  10. 　上記透明導電層が、インジウム錫酸化物を含んでいる請求項８または９に記載の透明導電性素子。
  11. 　上記透明導電層が、金属ナノフィラーを含んでいる請求項８または９に記載の透明導電性素子。
  12. 　上記金属ナノフィラーが、金属ナノワイヤーである請求項１１に記載の透明導電性素子。
  13. 　請求項７から１２のいずれかに記載の透明導電性素子を備える入力装置。
  14. 　請求項１から６のいずれかに記載の位相差素子を備える表示装置。
  15. 　請求項１から６のいずれかに記載の位相差素子を備える電子機器。
  16. 　面内リタデーションＲ０と厚み方向リタデーションＲｔｈが、以下の式（１）を満たすように、素子の厚み方向へ圧縮延伸を行うことを含む位相差素子の製造方法。
    　０．７×Ｒ０≦Ｒｔｈ≦１．３×Ｒ０　・・・（１）
    　Ｒ０：｜Ｎｘ－Ｎｙ｜×ｄ
    　Ｒｔｈ：｜（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２）－Ｎｚ｜×ｄ
    （Ｎｘ：幅方向屈折率、Ｎｙ：長さ方向屈折率、Ｎｚ：厚み方向屈折率、ｄ：素子厚み）
  17. 　厚み方向への圧縮力が５Ｎ／ｍｍ２以上である請求項１６に記載の位相差素子の製造方法。
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