TW201421080A - 相位差元件、透明導電性元件、輸入裝置、顯示裝置及電子機器 - Google Patents

相位差元件、透明導電性元件、輸入裝置、顯示裝置及電子機器 Download PDF

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Taku Ishimori
Ken Hosoya
Hiroshi Sugata
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Abstract

可抑制向Z軸方向施加有傾斜之情形時延遲變化之相位差元件，其面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足0.7×R0≦Rth≦1.3×R0(R0：| Nx-Ny |×d，Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d，Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。

Description

相位差元件、透明導電性元件、輸入裝置、顯示裝置及電子機器
本技術係關於一種相位差元件、透明導電性元件、輸入裝置、顯示裝置及電子機器。詳細而言係關於一種用於輸入裝置或顯示裝置等之相位差元件。
近年來，相位差膜廣泛使用於圖像顯示領域。相位差膜通常為實施單軸或雙軸延伸等加工而成之延伸樹脂膜，且係經配合使用條件而控制三維折射率之大小關係(折射率橢球)者(例如參照專利文獻1、專利文獻2)。例如，於使異向性強之液晶分子水平配向於面內所使用之TN(Twisted Nematic，扭轉向列)模式下，使用具有以彌補厚度方向折射率之不足部分之折射率橢球的相位差膜，又，於使液晶分子豎立所使用之VA(Vertical Alignment，垂直配向)模式下，使用具有以降低厚度方向折射率之過量部分之折射率橢球的相位差膜。該等相位差膜發揮作為使LCD(Liquid Crystal DispLay，液晶顯示器)之視角特性提高之光學補償膜的作用。
專利文獻1：日本特開2005-91598號公報
專利文獻2：日本特開2005-99848號公報
近年來，伴隨具有圖像顯示裝置之行動式機器之普及而期望有各種相位差膜。例如，期望有可抑制向Z軸方向施加有傾斜時延遲變化(參照圖2)的相位差膜。因近年來智慧型手機或平板PC(個人電腦)等行動式機器之普及而期望有偏光太陽眼鏡予以應對，作為抑制向Z軸方向施加有傾斜時之延遲變化的一重要例，可列舉即便於對螢幕施加有Z軸方向之傾斜時亦抑制顯著之視認性惡化的情況。
因此，本技術之目的在於提供一種可抑制向Z軸方向施加有傾斜時延遲變化的相位差元件、透明導電性元件、輸入裝置、顯示裝置及電子機器。
為解決上述課題，第1技術係一種相位差元件，其面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
第2技術係一種透明導電性元件，其具備相位差元件、及透明導電層，相位差元件係面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)： 0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
第3技術係一種相位差元件之製造方法，其包括以面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)之方式向元件之厚度方向進行壓縮延伸的步驟，0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
第1技術之相位差元件係應用於透明導電性元件、輸入裝置、顯示裝置、電子機器之較佳者。第2技術之透明導電性元件係應用於輸入裝置、顯示裝置、電子機器之較佳者。
根據本技術，因面內延遲R0與厚度方向延遲滿足0.7×R0≦Rth≦1.3×R0之關係，故可將向Z軸方向施加有傾斜時之延遲變化抑制於30%以內。
如上述說明，根據本技術，可抑制向Z軸方向施加有傾斜時之延遲變化。
11‧‧‧相位差膜
12‧‧‧硬塗層
13‧‧‧透明導電層
14‧‧‧蛾眼構造體
21‧‧‧模具
22、23‧‧‧輥
50‧‧‧觸控面板
101‧‧‧電視裝置
110‧‧‧數位相機
120‧‧‧筆記型個人電腦
130‧‧‧視訊攝影機
141‧‧‧行動電話
151‧‧‧平板型電腦
圖1A係表示本技術之第1實施形態之相位差膜之一構成例 之概略剖面圖。圖1B係表示本技術之第1實施形態之相位差膜之整體形狀之一例之立體圖。
圖2係用以說明Z軸方向傾斜角度之定義之立體圖。
圖3係表示膜製造裝置之一構成例之示意圖。
圖4A及圖4B係表示本技術之第1實施形態的第1變形例之概略剖面圖。圖4C及圖4D係表示本技術之第1實施形態的第2變形例之概略剖面圖。
圖5係表示本技術之第1實施形態之觸控面板之一構成例之概略剖面圖。
圖6係表示作為電子機器之電視裝置之例之外觀圖。
圖7A、圖7B係表示作為電子機器之數位相機之例之外觀圖。
圖8係表示作為電子機器之筆記型個人電腦之例之外觀圖。
圖9係表示作為電子機器之視訊攝影機之例之外觀圖。
圖10A係表示作為電子機器之行動電話之一例之外觀圖。圖10B係表示作為電子機器之平板型電腦之一例之外觀圖。
圖11係表示實施例1~5、比較例1、2之相位差膜之延遲之傾斜角度相依性之圖。
圖12係表示實施例1~3、比較例1之相位差膜之延遲之傾斜角度相依性之圖。
圖13係表示試驗例1、2之模擬結果之圖。
一面參照圖式一面按照以下之順序對本技術之實施形態進行說明。
1.第1實施形態(相位差膜之例)
2.第2實施形態(輸入裝置之例)
3.第3實施形態(電子機器之例)
<1.第1實施形態>
[相位差膜之構成]
圖1A係表示本技術之第1實施形態之相位差膜的一構成例之概略剖面圖。相位差膜(相位差元件)11例如為λ/4相位差膜。相位差膜11例如具有矩形狀。較佳為於相位差膜11之至少一表面進而設置硬塗層12。藉此，可對相位差膜11之表面賦予耐擦傷性或耐化學品性等。再者，圖1A中，示出有於相位差膜11之一表面進而設置有硬塗層12之例。
如圖1B所示，相位差膜11整體亦可具有帶狀之形狀。藉由設為此種形狀，可利用卷對卷(roll to roll)步驟容易地製作相位差膜11。又，藉由將相位差膜11捲繞成捲筒狀等而製成原片，可使處理變得容易。
相位差膜11之面內延遲R0與厚度方向延遲Rth之關係滿足以下之式(1)0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：相位差膜11之寬度方向折射率，Ny：相位差膜11之長度方向折射率，Nz：相位差膜11之厚度方向折射率，d：相位差膜11之厚度)。
藉由設為0.7×R0≦Rth≦1.3×R0，可將相對於以R0為軸之Z軸方向傾斜角度之延遲變化抑制於±30%以內。藉由將延遲變化抑制於±30%以內，即便對螢幕施加有Z軸方向之傾斜時亦可抑制視認性之惡化。此處，所謂Z軸方向傾斜角度係指如圖2所示般以面內R0軸為中心軸使相位差膜朝Z方向相對地旋轉時之旋轉角度。此處，將相位差膜11之寬度方向(橫 向方向(TD：Transverse Direction))稱為x軸方向，將相位差膜11之長度方向(縱向方向(MD：Machine Direction))稱為y軸方向，將相位差膜11之厚度方向稱為z軸方向。
相位差膜11表面附近之熱塑性樹脂之配向方向與相位差膜11之厚度方向所成之角度，其係小於相位差膜11中央部分之熱塑性樹脂之配向方向與相位差膜11之厚度方向所成之角度。更具體而言，例如相位差膜11表面附近之熱塑性樹脂之配向方向與相位差膜11之厚度方向處於大致平行之關係，相對於此，相位差膜11中央附近之熱塑性樹脂之配向方向與相位差膜11之面內方向處於略呈平行之關係。藉由處於此種關係，可實現0.7×R0≦Rth≦1.3×R0之關係。
於將相位差膜11之x方向之折射率設為Nx，將y方向之折射率設為Ny，將z軸方向之折射率設為Nz時，較佳為折射率Nx、Ny、Nz滿足Nx>Ny>Nz之關係。藉由滿足該關係，可實現0.7×R0≦Rth≦1.3×R0之關係。
相位差膜11之厚度較佳為30μm以上200μm以下之範圍內。若相位差膜11之厚度未達30μm，則有於相位差膜11之製作步驟中無法充分傳遞壓縮力，作為相位差膜11無法確保充分之面內延遲R0之虞。又，亦有相位差膜本身變得難以處理之虞。另一方面，若相位差膜11之厚度超過200μm，則有於藉由相位差膜11構成積層體等之構件之情形時其總厚度變厚之虞。
相位差膜11之面內延遲R0之值較佳為50nm以上276nm以下之範圍內。若面內延遲R0未達50nm，則有作為相位差膜11無法充分發揮功能之虞。另一方面，若面內延遲R0超過276nm，則有波長相依性變大而成為色不均之原因之虞。
150℃環境下保存1小時前後之相位差膜11之尺寸變化率較 佳為-1%≦尺寸變化率≦1%之範圍內。藉由使尺寸變化率為-1%≦尺寸變化率≦1%之範圍內，於將相位差膜11用作透明電極用基底膜時，在例如銦錫氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)等金屬氧化物材料之退火處理時，可抑制由尺寸變化引起之起伏產生等而導致有損膜品質之情況。
此處，150℃環境下保存1小時前後之相位差膜11之尺寸變化率係藉由以下之式而定義。
(尺寸變化率)(%)=((環境保存後之相位差膜尺寸-環境保存前之相位差膜尺寸)/環境保存前之相位差膜尺寸)×100(%)
再者，作為上述之尺寸變化率之數值係採用MD及TD方向之尺寸中變化較大者。
150℃環境下保存1小時前後之相位差膜11之面內延遲R0之變化量△R0較佳為滿足△R0≦25nm之關係。藉由設為△R0≦25nm，於將相位差膜11用作透明電極用基底膜之情形時，即便於例如銦錫氧化物(ITO)等金屬氧化物材料之退火處理後，亦可確保初期之相位差並確保大致遵循所設計之延遲。
相位差膜11較佳為含有1種或2種以上之熱塑性樹脂。相位差膜11視需要亦可進而含有添加劑。作為添加劑，可列舉選自由熱穩定劑、紫外線吸收劑、塑化劑、潤滑劑、抗氧化劑、難燃劑、著色劑、抗靜電劑、相溶劑、交聯劑、增黏劑及填料等所構成之群中之1種以上。作為填料，例如可使用無機或有機微粒子。
作為熱塑性樹脂，可使用降莰烯系樹脂、聚酯系樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET，Polyethylene Terephthalate)等)、環烯烴系樹脂、纖維素樹脂、氯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、丙烯腈系樹脂、烯烴系樹脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)、聚苯乙烯系樹脂、聚(甲基)丙烯酸甲酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚醚碸系樹脂以及該等之共聚物，特 佳為可微小地調整延遲之降莰烯系樹脂。
[膜製造裝置之構成]
圖3係表示用於本技術之第1實施形態之相位差膜之製造的膜製造裝置之一構成例之示意圖。該膜製造裝置具備模具21、輥22及輥23。
模具21為一般之熔融成形用之T型模具，將熔融狀態之樹脂材料24擠出成膜狀。樹脂材料24含有例如上述之熱塑性樹脂。輥22與輥23具有能以任意之壓力夾持自模具21被擠出成膜狀之樹脂材料24之構成。輥22及輥23構成為可向任意之方向旋轉。更具體而言，輥22構成為可藉由未圖示之旋轉動力傳遞機構，相對於以輥23為基準之旋轉速度而以任意之旋轉速度比進行旋轉。輥22及輥23之表面形狀並無特別限定，可任意選擇例如鏡面、褶皺面、角柱狀(prism)或雙凸透鏡狀(lenticular)等。輥22及輥23於其內部具有介質之流路，且具有可利用各自不同之調溫裝置將表面調溫至任意溫度之功能。輥22及輥23之表面之材質並無特別限定，可使用金屬、橡膠、樹脂、彈性體等。
[相位差膜之製造方法]
對使用具有上述構成之膜製造裝置之相位差膜之製造方法的一例進行說明。
首先，以任意之溫度使投入之樹脂材料成為熔融狀態，且自模具21擠出膜狀樹脂材料24。使被擠出之熔融狀態之樹脂材料24落下，藉由利用輥22與輥23進行夾持，而實施壓縮延伸。藉由該壓縮延伸而使成為膜狀之樹脂材料24表現出延遲，從而獲得相位差膜11。繼而，視需要沿輥23將相位差膜11搬送至下一步驟，藉由未圖示之移動系統捲取成原片狀。
於壓縮延伸時，較佳為以面內延遲R0與厚度方向延遲Rth之關係滿足上述之式(1)之方式向膜狀之樹脂材料24之厚度方向進行壓縮延伸。向膜狀之樹脂材料24之厚度方向(Z軸方向)之壓縮力較佳為5 N/mm2以上，更佳為5N/mm2以上300N/mm2以下之範圍內。若壓縮力未達5N/mm2，則有無法進行充分之壓縮延伸而無法確保所需之延遲之虞。壓縮力越高越易表現出延遲而越佳，但若過高，則輥之旋轉負荷變大而有產生移動不良或器件之破壞，所需膜厚之控制變得困難之虞，因此較佳為300N/mm2以下。
所要表現之延遲根據樹脂材料24之厚度有所變化，而樹脂材料24之厚度取決於樹脂材料24之溫度、輥22及輥23之壓縮力(表面壓力)、速度差、溫度、以及樹脂材料24之擠出速度與輥23之圓周速度之比。藉由應用該等，可控制任意之延遲表現。又，亦可控制相位差膜11之尺寸變化。
[效果]
如上所述，根據第1實施形態，作為相位差元件之相位差膜11之面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足0.7×R0≦Rth≦1.3×R0之關係。因此，可抑制向Z軸方向施加有傾斜時之延遲變化。因此，即便對螢幕(顯示裝置)施加有Z軸方向之傾斜時，亦可抑制視認性之惡化。
又，可自成形時初期設定相位差膜11之厚度。進而，因於溫度較高之狀態下藉由壓縮延伸而表現延遲，故與習知於溫度相對較低之狀態下藉由向1軸方向或2軸方向進行延伸處理而表現延遲之情形相比，可減小相位差膜11之尺寸經時變化。此外，僅以輥22與輥23之夾持壓便可操縱延遲值。
<變形例>
[變形例1]
如圖4A及圖4B所示，亦可將上述相位差膜11用作基底膜(基材)而構成透明導電性膜(透明導電性元件)。具體而言，該透明導電性膜具備作為基底膜(基材)之相位差膜(相位差元件)11、及設置於相位差膜11之 至少一表面之透明導電層13。圖4A中，表示有於相位差膜11之一表面設置有透明導電層13之例。圖4B中，表示有於相位差膜11之兩表面設置有透明導電層13之例。如圖4A及圖4B所示，亦可於相位差膜11與透明導電層13之間進而具備硬塗層12。
作為透明導電層13之材料，例如可使用選自由具有電氣導電性之金屬氧化物材料、金屬材料、碳材料及導電性聚合物等所構成之群中之1種以上。作為金屬氧化物材料，例如可列舉銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅、氧化銦、添加有銻之氧化錫、添加有氟之氧化錫、添加有鋁之氧化鋅、添加有鎵之氧化鋅、添加有矽之氧化鋅、氧化鋅-氧化錫系、氧化銦-氧化錫系、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂系等。作為金屬材料，例如可使用金屬奈米粒子、金屬奈米線等金屬奈米填料。作為該等之具體材料，例如可列舉銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛等金屬，或者該等之合金等。作為碳材料，例如可列舉碳黑、碳纖維、富勒烯、石墨烯、奈米碳管、螺旋碳纖維(carbon micro coil)及奈米角(nanohorn)等。作為導電性聚合物，例如可使用經取代或未經取代之聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、及由選自該等中之1種或2種所構成之(共)聚合物等。
作為透明導電層13之形成方法，例如可使用濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍著法等PVD(Physical Vapor Deposition)法，或者CVD(Chemical Vapor Deposition)法，塗佈法，印刷法等。透明導電層13亦可為具有特定之電極圖案之透明電極。作為電極圖案，可列舉條紋狀等，但並不限定於此。
作為硬塗層12之材料，較佳為使用藉由光或者電子束等而硬化之游離輻射硬化型樹脂、或者藉由熱而硬化之熱硬化型樹脂，最佳為藉由紫外線而硬化之感光性樹脂。作為此種感光性樹脂，例如可使用丙烯 酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、多元醇丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯等丙烯酸酯系樹脂。例如，丙烯酸胺基甲酸酯樹脂係藉由如下方式而獲得：使聚酯多元醇與異氰酸酯單體或預聚物進行反應，且使所獲得之產物與具有羥基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯系單體進行反應。硬塗層12之厚度較佳為1μm~20μm，但並不特別限定於該範圍。
[變形例2]
如圖4C及圖4D所示，亦可於上述之相位差膜11之至少一表面設置作為抗反射層之蛾眼構造體(moth eye structure)14。圖4C中，表示有於相位差膜11之一表面設置有蛾眼構造體14之例。圖4D中，表示有於相位差膜11之兩表面設置有蛾眼構造體14之例。再者，設置於相位差膜11之表面之抗反射層並不限定於上述之蛾眼構造體14，亦可使用低折射率層等先前公知之抗反射層。
<2.第2實施形態>
圖5係表示本技術之第2實施形態之觸控面板之一構成例之概略剖面圖。該觸控面板(輸入裝置)50為所謂之電阻膜式觸控面板。作為電阻膜式觸控面板，可為類比電阻膜式觸控面板、及數位電阻膜式觸控面板中之任一者。
觸控面板50具備第1透明導電性膜51、及與該第1透明導電性膜51對向之第2透明導電性膜52。第1透明導電性膜51與第2透明導電性膜52係經由配置於其等之周緣部間之貼合部55而相互貼合。作為貼合部55，例如可使用黏著膏、黏著帶等。該觸控面板50例如經由貼合層53而對顯示裝置54貼合。作為貼合層53之材料，例如可使用丙烯酸系、橡膠系、矽系等黏著劑，若就透明性之觀點而言，則較佳為丙烯酸系黏著劑。
觸控面板50進而具備經由貼合層60等而對第1透明導電性 膜51之成為觸控側之面貼合的偏光元件58。作為第1透明導電性膜51及/或第2透明導電性膜52，可使用上述第1實施形態之變形例1之透明導電性膜(透明導電性元件)。其中，作為基底膜(基材)之相位差膜11可使用將上述第1實施形態之相位差膜11之相位差設定為λ/4的λ/4相位差膜。藉由如上所述般採用偏光元件58與相位差膜11，可降低反射率，提高視認性。
較佳為於第1透明導電性膜51及第2透明導電性膜52之相對向之表面、即設置透明導電層13之表面設置蛾眼構造體14。其原因在於，可提高第1透明導電性膜51及第2透明導電性膜52之光學特性(例如反射特性或透射特性等)。若就提高光學特性之觀點而言，則較佳為透明導電層13設置成仿照蛾眼構造體14之表面。
觸控面板50較佳為於第1透明導電性膜51之成為觸控側之面進而具備單層或多層之抗反射層(未圖示)。其原因在於，可降低反射率，提高視認性。
若就提高耐擦傷性之觀點而言，則觸控面板50較佳為於第1透明導電性膜51之成為觸控側之面進而具備硬塗層。較佳為對該硬塗層之表面賦予防污性。
觸控面板50亦可進而具備經由貼合層61等而對第1透明導電性膜51之成為觸控側之面貼合的前面板(表面構件)59。觸控面板50亦可進而具備經由貼合層57等而貼合於第2透明導電性膜52之要與顯示裝置54等貼合之面的玻璃基板56。
觸控面板50較佳為於第2透明導電性膜52的與顯示裝置54等貼合之面進而具備複數個構造體。其原因在於，藉由複數個構造體之投錨效應(anchor effect)，可提高觸控面板50與貼合層53之間之接著性。作為該構造體，較佳為蛾眼構造體。原因在於其可抑制界面反射。
作為顯示裝置54，例如可使用液晶顯示器、CRT(Cathode Ray Tube，陰極射線管)顯示器、電漿顯示器(Plasma Display Panel：PDP)、電致發光(Electro Luminescence：EL)顯示器、表面傳導電子發射顯示器(Surface-conduction ELectron-emitter Display：SED)等各種顯示裝置。
<3.第3實施形態>
本技術之第3實施形態之電子機器係於顯示部具備第2實施形態之輸入裝置50。以下，對本技術之第3實施形態之電子機器之例進行說明。
圖6係表示作為電子機器之電視裝置之例之外觀圖。電視裝置101具備顯示部102，於該顯示部102具備第2實施形態之觸控面板50。
圖7A、圖7B係表示作為電子機器之數位相機之例之外觀圖。圖7A係自正面側觀察數位相機之外觀圖。圖7B係自背面側觀察數位相機之外觀圖。數位相機110具備閃光燈用之發光部111、顯示部112、選單開關113、及快門按鈕114等，於該顯示部112具備第2實施形態之觸控面板50。
圖8係表示作為電子機器之筆記型個人電腦之例之外觀圖。筆記型個人電腦120係於本體121具備輸入文字等時所操作之鍵盤122、及顯示圖像之顯示部123等，於該顯示部123具備第2實施形態之觸控面板50。
圖9係表示作為電子機器之視訊攝影機之例之外觀圖。視訊攝影機130具備本體部131、位於朝向前方之側面之被攝體攝影用之透鏡132、攝影時之開始/停止開關133、及顯示部134等，於該顯示部134具備第2實施形態之觸控面板50。
圖10A係表示作為電子機器之行動電話之一例之外觀圖。行動電話141為所謂之智慧型手機，於其顯示部142具備第2實施形態之觸控面板50。
圖10B係表示作為電子機器之平板型電腦之一例之外觀圖。平板型電腦151於其顯示部152具備第2實施形態之觸控面板50。
實施例
以下，藉由實施例對本技術進行具體說明，但本技術並不僅限定於該等實施例。
以下之實施例1~5中，作為膜製造裝置係使用圖3所示之膜製造裝置。比較例1中，作為膜製造裝置係使用具備將自T型模具擠出之膜向單軸方向進行延伸之縱軸延伸機的裝置。
(實施例1)
首先，準備降莰烯樹脂(玻璃轉移點Tg：170℃)作為熱塑性樹脂材料。繼而，將該樹脂材料自膜製造裝置之T型模具21擠出成厚度100μm之膜狀。其後，以表面壓力88N/mm2藉由輥22及輥23夾持擠出之膜，實施壓縮延伸，藉此獲得相位差膜。此時，輥22之表面溫度設定為40℃，輥23之表面溫度設定為60℃，旋轉速度設定成圓周速度為5~10m/min左右。
(實施例2)
利用膜製造裝置擠出厚度30μm之膜後，以表面壓力120N/mm2實施壓縮延伸，除此以外以與實施例1相同之方式獲得相位差膜。
(實施例3)
利用膜製造裝置擠出厚度200μm之膜後，以表面壓力40N/mm2實施壓縮延伸，除此以外以與實施例1同樣之方式獲得相位差膜。
(實施例4)
利用膜製造裝置擠出厚度100μm之膜後，以表面壓力5N/mm2實施壓縮延伸，除此以外以與實施例1同樣之方式獲得相位差膜。
(實施例5)
利用膜製造裝置擠出100μm之膜後，以表面壓力150N/mm2實施壓縮 延伸，除此以外以與實施例1同樣之方式獲得相位差膜。
(比較例1)
利用膜製造裝置擠出厚度為100μm之膜後，不實施壓縮延伸，而向單軸方向實施延伸，除此以外以與實施例1同樣之方式獲得相位差膜。
(比較例2)
僅藉由利用膜製造裝置擠出厚度100μm之膜而獲得膜。
(評價)
將以上述方式獲得之實施例1~5、比較例1、2之相位差膜之延遲、尺寸變化率、延遲變化量及延遲之傾斜角度相依性以如下方式進行評價。將其等之結果示於表1、圖11及圖12。
(延遲)
相位差膜之面內延遲R0與厚度方向延遲Rth係使用相位差膜/光學材料檢查裝置(大塚電子股份有限公司製造，商品名：RETS-100)進行測定。
(尺寸變化率)
以如下方式求出環境保存前後之相位差膜之尺寸變化率。首先，測定相位差膜之MD及TD方向之尺寸(以下稱為「環境保存前之相位差膜尺寸」)。繼而，將相位差膜於150℃環境下保存1小時後，再次測定相位差膜之MD及TD方向之尺寸(以下稱為「環境保存後之相位差膜尺寸」)。繼而，使用以下之式，求出環境保存前後之相位差膜之尺寸變化率。
(尺寸變化率)(%)=((環境保存後之相位差膜尺寸-環境保存前之相位差膜尺寸)/環境保存前之相位差膜尺寸)×100(%)
再者，作為尺寸變化率之數值係採用MD及TD方向之尺寸中變化較大者。
(延遲變化)
以如下方式求出環境保存前後之相位差膜之面內延遲R0之變化量。首 先，測定相位差膜之面內延遲R0(以下稱為「環境保存前延遲R0」)。繼而，將相位差膜於150℃環境下保存1小時後，再次測定相位差膜之面內延遲R0(以下稱為「環境保存後延遲R0」)。繼而，使用以下之式，求出環境保存前後之相位差膜之面內延遲R0之變化量。再者，環境保存前延遲R0及環境保存後延遲R0係使用與上述之「延遲」之評價相同之裝置而求出。
(面內延遲R0之變化量)=(環境保存前延遲R0)-(環境保存後延遲R0)
(綜合評價)
使用上述之延遲、尺寸變化率及延遲變化量之各評價結果，以如下基準對相位差膜進行綜合評價。將其結果示於表1。
◎(優)：面內延遲R0為50nm以上，可作為相位差膜使用。又，Rth/R0處於0.7以上1.3以下之範圍內，可使延遲之傾斜變化為30%以內。進而，150℃ 1 H之尺寸變化率亦為±1%以內，且面內延遲R0之變化量亦為25nm以下，可大致維持初期特性。
○(良)：面內延遲R0為50nm以上，可作為相位差膜使用。又，Rth/R0處於0.7以上1.3以下之範圍內，可使延遲之傾斜變化為30%以內。
×(差)：面內延遲R0未達50nm，無法作為相位差膜使用。或者，Rth/R0不在0.7以上1.3以下之範圍內，於施加有傾斜之情形時之延遲變化較大，導致延遲之傾斜變化超過30%。
(延遲之傾斜角度相依性)
藉由模擬而求出相對於Z軸方向之傾斜角度之延遲變化率。將其結果示於圖11及圖12。
由上述評價結果可知以下內容。
藉由將厚度方向延遲Rth抑制於面內延遲R0之0.7倍以上1.3倍以下(0.7×R0≦Rth≦1.3×R0)，可抑制自面內向Z軸方向施加有傾斜時之延遲變化。
藉由壓縮延伸而賦予有延遲之相位差膜與藉由單軸方向之延伸而賦予有延遲之相位差膜相比，可抑制尺寸變化率及面內延遲R0之變化。
(試驗例1)
假定具有以下之構成之積層體，藉由模擬而求出插入有相位差膜時之相對於面內延遲R0之透過率變化。將其結果示於圖13。再者，透過率係對於波長550nm之光之透過率。
(積層體構成)
第1偏光元件/相位差膜/第2偏光元件
其中，第1偏光元件與第2偏光元件設為正交偏光之狀態。又，以第1偏光元件之吸收軸與相位差膜之慢軸成為45度之方式固定兩膜之配置。
(試驗例2)
將第1偏光元件與第2偏光元件設為平行偏光之狀態，除此以外以與試驗例1相同之方式藉由模擬而求出插入有相位差膜時之相對於面內延遲R0之透過率變化。將其結果示於圖13。
圖13係表示試驗例1、2之模擬結果之圖。由圖13可知：當相位差膜之面內延遲R0為λ/4時，若延遲變化為138±40nm(約±30%)以內，則可抑制顯著之視認性下降。
以上，已對本技術之實施形態進行了具體說明，但本技術並不限定於上述實施形態，可進行基於本技術之技術思想之各種變形。
例如，於上述實施形態中所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等僅為示例，視需要亦可使用與其不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又，上述實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等於不脫離本技術之主旨之範圍內可相互組合。
又，於上述實施形態中，已對將本技術應用於作為輸入裝置之電阻膜式觸控面板之例進行了說明，但本技術並不限定於該例，亦可對於靜電電容式觸控面板等其他輸入裝置應用本技術。
又，本技術亦可採用以下之構成。
(1)
一種相位差元件，其面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
(2)
如(1)之相位差元件，其厚度為30μm以上200μm以下之範圍內。
(3)
如(1)或(2)之相位差元件，其面內延遲R0之值為50nm以上276nm以下之範圍內。
(4)如(1)至(3)中任一項之相位差元件，其150℃環境下保存1小時前後之尺寸變化率為-1%≦尺寸變化率≦1%之範圍內。
(5)
如(1)至(3)中任一項之相位差元件，其150℃環境下保存1小時前後之面內延遲R0之變化量為R0變化量≦25nm之範圍內。
(6)
如(1)至(5)中任一項之相位差元件，其含有降莰烯系樹脂。
(7)
一種透明導電性元件，其具備(1)至(6)中任一項之相位差元件作為基材。
(8)
一種透明導電性元件，其具備相位差元件、及透明導電層，上述相位差元件係面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
(9)
如(8)之透明導電性元件，其中上述透明導電層為透明電極。
(10)
如(8)或(9)之透明導電性元件，其中上述透明導電層含有銦錫氧化物。
(11)
如(8)或(9)之透明導電性元件，其中上述透明導電層含有金屬奈米填料。
(12)
如技術方案11之透明導電性元件，其中上述金屬奈米填料為金屬奈米線。
(13)
一種輸入裝置，其具備(7)至(12)中任一項之透明導電性元件。
(14)
一種顯示裝置，其具備(1)至(6)中任一項之相位差元件。
(15)
一種電子機器，其具備(1)至(6)中任一項之相位差元件。
(16)
一種相位差元件之製造方法，其包含以面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)之方式向元件之厚度方向進行壓縮延伸的步驟，0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
(17)
如(16)之相位差元件之製造方法，其中向厚度方向之壓縮力為5N/mm2 以上。
(18)
一種輸入裝置，其具備透明導電性元件，上述透明導電性元件具備相位差元件、及透明導電層，上述相位差元件係面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
(19)
一種顯示裝置，其具備相位差膜，上述相位差膜係面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
(20)
一種電子機器，其具備相位差膜，上述相位差膜係 面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1)
R0：| Nx-Ny |×d
Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d
(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
11‧‧‧相位差膜
12‧‧‧硬塗層

Claims (17)

  1. 一種相位差元件，係面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1) R0：| Nx-Ny |×d Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
  2. 如申請專利範圍第1項之相位差元件，其厚度為30μm以上200μm以下之範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之相位差元件，其面內延遲R0之值為50nm以上276nm以下之範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之相位差元件，其於150℃環境下保存1小時前後之尺寸變化率為-1%≦尺寸變化率≦1%之範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之相位差元件，其於150℃環境下保存1小時前後之面內延遲R0之變化量為R0變化量≦25nm之範圍內。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之相位差元件，其含有降莰烯系樹脂。
  7. 一種透明導電性元件，係具備申請專利範圍第1至6項中任一項之相位差元件作為基材。
  8. 一種透明導電性元件，係具備相位差元件、及透明導電層，上述相位差元件係 面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)：0.7×R0≦Rth≦1.3×R0．．．(1) R0：| Nx-Ny |×d Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d(Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
  9. 如申請專利範圍第8項之透明導電性元件，其中上述透明導電層為透明電極。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之透明導電性元件，其中上述透明導電層含有銦錫氧化物。
  11. 如申請專利範圍第8或9項之透明導電性元件，其中上述透明導電層含有金屬奈米填料。
  12. 如申請專利範圍第11項之透明導電性元件，其中上述金屬奈米填料為金屬奈米線。
  13. 一種輸入裝置，係具備申請專利範圍第7至12項中任一項之透明導電性元件。
  14. 一種顯示裝置，係具備申請專利範圍第1至6項中任一項之相位差元件。
  15. 一種電子機器，係具備申請專利範圍第1至6項中任一項之相位差元件。
  16. 一種相位差元件之製造方法，係包含以面內延遲R0與厚度方向延遲Rth滿足以下之式(1)之方式向元件之厚度方向進行壓縮延伸的步驟，0.7xR0≦Rth≦1.3×R0．．．(1) R0：| Nx-Ny |×d Rth：| ((Nx+Ny)/2)-Nz |×d (Nx：寬度方向折射率，Ny：長度方向折射率，Nz：厚度方向折射率，d：元件厚度)。
  17. 如申請專利範圍第16項之相位差元件之製造方法，其中向厚度方向之壓縮力為5N/mm2以上。
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