WO2014021171A1 - センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法 - Google Patents

センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014021171A1
WO2014021171A1 PCT/JP2013/070073 JP2013070073W WO2014021171A1 WO 2014021171 A1 WO2014021171 A1 WO 2014021171A1 JP 2013070073 W JP2013070073 W JP 2013070073W WO 2014021171 A1 WO2014021171 A1 WO 2014021171A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sensor
metal film
manufacturing
sensor member
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/070073
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
幸登 中村
正貴 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2014528096A priority Critical patent/JPWO2014021171A1/ja
Publication of WO2014021171A1 publication Critical patent/WO2014021171A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G01N21/552—Attenuated total reflection
    • G01N21/553—Attenuated total reflection and using surface plasmons
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/648—Specially adapted constructive features of fluorimeters using evanescent coupling or surface plasmon coupling for the excitation of fluorescence

Definitions

  • the present invention relates to a surface plasmon resonance (SPR) measuring device and a surface based on the principle of surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy (SPFS; Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy) applying the surface plasmon resonance phenomenon.
  • SPR surface plasmon resonance
  • SPFS Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy
  • the present invention relates to a sensor chip used in an optical analyte detection device such as a plasmon excitation enhanced fluorescence measurement device, a method for manufacturing a sensor member used in the sensor chip, and a method for using the sensor member.
  • SPFS device based on the principle of surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy (SPFS) using the surface plasmon resonance (SPR) phenomenon, analyte detection can be performed with higher accuracy than the SPR device.
  • SPFS device The surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectrometer (hereinafter referred to as “SPFS device”) is also one of such specimen detection devices.
  • surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy SPFS
  • surface plasmon light is applied to the surface of the metal thin film under the condition that excitation light such as laser light emitted from a light source attenuates total reflection (ATR) on the surface of the metal thin film.
  • excitation light such as laser light emitted from a light source attenuates total reflection (ATR) on the surface of the metal thin film.
  • ATR total reflection
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a conventional SPFS apparatus.
  • the SPFS device 100 includes a sensor chip 106 including a prism-shaped dielectric member 102 having a substantially trapezoidal vertical cross-sectional shape and a metal thin film 104 formed on a horizontal upper surface 102a of the dielectric member 102.
  • the sensor chip 106 is loaded in the sensor chip loading unit 108 of the SPFS device 100.
  • a light source 110 is arranged on one side surface 102 b below the dielectric member 102, and incident light 112 from the light source 110 is below the dielectric member 102. Then, the light enters the side surface 102b of the dielectric member 102 and is irradiated through the dielectric member 102 toward the metal thin film 104 formed on the upper surface 102a of the dielectric member 102.
  • the analyte to be detected is labeled with, for example, a fluorescent substance, and the fluorescent substance is excited by the surface plasmon light (dense wave) generated by the incident light 112 irradiated from the light source 110, and the fluorescence 118 is emitted. It emits light.
  • a fluorescent substance for example, a fluorescent substance
  • the fluorescent substance is excited by the surface plasmon light (dense wave) generated by the incident light 112 irradiated from the light source 110, and the fluorescence 118 is emitted. It emits light.
  • a light detection means 120 for receiving the fluorescence 118 is provided above the sensor chip 106.
  • the light source 110 irradiates the metal thin film 104 with incident light 112 at an incident angle ⁇ that is ATR, and the surface plasmon light (dense wave) generated on the surface of the metal thin film 104 causes an analyte Excitation of a fluorescent substance for labeling.
  • the light 118 emitted from the excited fluorescent material is received by the light detection means 120 to measure the light quantity of the fluorescence 118, and based on the light quantity of the fluorescence 118, the ratio of the analyte in the sample liquid Is configured to ask for.
  • the incident light 112 irradiated from the light source 110 is incident on the sensor chip 106, and the reflected light reflected on the metal thin film 104 is received by the light receiving means.
  • the intensity of the reflected light can be measured, and the ratio of the analyte in the sample liquid can be obtained based on the intensity of the reflected light.
  • a metal thin film deposited on the upper surface of a glass prism (dielectric member 102) was used.
  • a glass prism is expensive, it is not practical to replace a sensor chip using such a glass prism every time an analyte is measured because the measurement cost increases.
  • Patent Document 1 a sensor chip using a resin prism instead of a glass prism is also used.
  • the variation in detection accuracy due to individual differences has increased, and there has been concern about the reliability of detection accuracy.
  • a method for manufacturing a sensor member, a method for manufacturing a sensor chip, and a method for using the sensor member are provided.
  • the present invention has been invented in order to solve the above-described problems in the prior art, and in order to achieve at least one of the above-described objects, a sensor member reflecting one aspect of the present invention is provided.
  • the manufacturing method is a method for manufacturing a sensor member used in an optical sample detection apparatus that detects a sample by irradiating excitation light onto a metal film formed on a dielectric member, Forming a metal film on a flexible substrate having translucency; Forming a solid phase film used for immobilizing the specimen on the metal film formed on the flexible substrate; Cutting the flexible base material on which the metal film and the solid phase film are formed into a predetermined size.
  • a sensor chip manufacturing method reflecting another aspect of the present invention is used for an optical sample detection apparatus that detects a sample by irradiating a metal film formed on a dielectric member with excitation light.
  • a method for manufacturing a sensor chip comprising: Fixing the sensor member manufactured by any one of the above-described sensor member manufacturing methods on the dielectric member; A sample solution containing the sample is injected onto the dielectric member to which the sensor member is fixed, and a reaction space forming member for forming a reaction space for causing the reaction between the solid phase film and the sample is fixed. Process.
  • a method for using a sensor member reflecting still another aspect of the present invention includes a dielectric member, and an optical specimen detection device having a light source disposed on one side surface below the dielectric member.
  • a metal thin film and a solid phase film are formed on a flexible base material in advance to produce a film-like sensor member, and the film-like sensor member is fixed to a dielectric member to provide a sensor. Since the chip only needs to be manufactured, the manufacturing cost can be greatly reduced even when the sensor chip is mass-produced.
  • the plurality of sensor members are manufactured by cutting the sheet-like flexible substrate, individual differences among the sensor members can be suppressed, and the reliability of detection accuracy of the sensor chip can be improved. .
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing the configuration of a sensor member manufactured by the sensor member manufacturing method of the present invention described below.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining the flow of the manufacturing method of the sensor member of FIG.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram for explaining the convex portions 19 a and 19 b provided on the flexible base material 18.
  • FIG. 4 shows a configuration in which the flexible substrate 18 is wound up by the substrate take-up device 24 after the metal film 14 is formed on the flexible substrate 18 drawn out from the substrate feeding device 22. It is a schematic block diagram to explain.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a sensor chip manufactured by the method for manufacturing a sensor chip of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a sensor chip manufactured by the method for manufacturing a sensor chip of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram for explaining the flow of the manufacturing method of the sensor chip of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic configuration diagram when the dielectric member 32 and the reaction space forming member 34 are fixed by fixing the reaction space forming member 34 and the sensor chip holding member 40 using the fastening member 42.
  • FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a configuration of an optical specimen detection apparatus 50 using the sensor member 10 of the present invention.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the incident angle of the excitation light 54 measured using the sensor member 10 manufactured by the sensor member manufacturing method of the present invention and the SPR signal.
  • FIG. 10 is a graph showing the relationship between the incident angle of the excitation light 54 measured using the sensor member 10 manufactured by the sensor member manufacturing method of the present invention and the SPFS signal.
  • FIG. 11 is a graph showing the relationship between the incident angle of excitation light measured using a conventional sensor chip and the SPR signal as a comparative example.
  • FIG. 12 is a graph showing the relationship between the incident angle of excitation light measured using a conventional sensor chip and the SPFS signal as a comparative example.
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a conventional SPFS apparatus.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing the configuration of a sensor member manufactured by the method for manufacturing a sensor member of the present invention shown below.
  • FIG. 2 is a flow chart of the method for manufacturing the sensor member of FIG. It is a schematic block diagram for doing.
  • the sensor member 10 of the present invention includes a sensor base 12 having translucency and flexibility, a metal film 14 provided on the sensor base 12, and a metal film 14 provided on the sensor base 12. And the solid phase film 16 formed.
  • the sensor substrate 12 is not particularly limited as long as it has translucency and flexibility, but the refractive index n of the sensor substrate 12 is at least 1.4 or more, preferably 1.5 or more. It is hoped that.
  • the electric field enhancement can be increased and measurement can be performed with high accuracy.
  • the “translucency” of the sensor substrate 12 is required to transmit at least the excitation light irradiated from the light source of the SPR device or the SPFS device and to transmit light of all wavelengths, as will be described later. There is no.
  • Examples of such sensor substrate 12 include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene (PE) and polypropylene (PP), cyclic olefin copolymer (COC), and cyclic olefin polymer.
  • Polycyclic olefins such as (COP), vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, polystyrene, polyetheretherketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC)
  • Polyamide, polyimide, acrylic resin, triacetyl cellulose (TAC), or the like can be used.
  • ZEONOR registered trademark
  • the material of the metal film 14 is not particularly limited, but is preferably made of at least one metal selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, copper, and platinum, more preferably It is made of gold and may be made of an alloy of these metals.
  • the solid phase film 16 has a ligand for capturing an analyte immobilized when detecting an analyte using an SPR device or an SPFS device described later.
  • -Assembled Monolayer self-assembled monolayer
  • a solid-phased layer formed on the SAM.
  • Such a solid phase layer examples include glucose, carboxymethylated glucose, vinyl esters, acrylic esters, methacrylic esters, olefins, styrenes, crotonic esters, itaconic acid diesters, Including a polymer composed of at least one monomer selected from the group consisting of monomers included in maleic acid diesters, fumaric acid diesters, allyl compounds, vinyl ethers and vinyl ketones.
  • hydrophilic polymers such as dextran and dextran derivatives, vinyl esters, acrylic esters, methacrylic esters, olefins, styrenes, crotonic esters, itaconic diesters, maleic diesters, fumarate acid
  • a hydrophobic polymer composed of hydrophobic monomers included in esters, allyl compounds, vinyl ethers and vinyl ketones, and dextran such as carboxymethyldextran (CMD) is biocompatible. From the viewpoints of suppressing nonspecific adsorption reaction and high hydrophilicity, it is particularly preferable.
  • the solid-phased layer is not necessarily required, it does not need to have the solid-phased layer as the solid-phase film 16.
  • the sensor member 10 of the present invention configured as described above is manufactured by the following process.
  • a flexible substrate winding body 20 around which a long flexible substrate 18 to be a sensor substrate 12 is wound is attached to a substrate feeding device 22.
  • the flexible substrate 18 is fed out sequentially.
  • the method for forming the metal film 14 is not particularly limited, and examples thereof include sputtering, vapor deposition (resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, etc.), electrolytic plating, electroless plating, and the like. . It is preferable to use a sputtering method or a vapor deposition method because it is easy to adjust the thin film formation conditions.
  • the thickness of the metal film 14 is not particularly limited, but preferably gold: 5 to 500 nm, silver: 5 to 500 nm, aluminum: 5 to 500 nm, copper: 5 to 500 nm, platinum: 5 Desirably within the range of ⁇ 500 nm and their alloys: 5 to 500 nm.
  • more preferable thicknesses of the metal film 14 are: gold: 20 to 70 nm, silver: 20 to 70 nm, aluminum: 10 to 50 nm, copper: 20 to 70 nm, platinum: 20 to 70 nm and their alloys: preferably in the range of 10-70 nm.
  • the upper surface shape of the metal film 14 is not limited to a planar shape, but can of course be applied to a case where the metal film 14 is formed in an uneven surface shape formed in a lattice shape, for example.
  • the solid phase film 16 is sequentially formed on the metal film 14 by the solid phase film forming means 27.
  • the method for forming the solid phase film 16 is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.
  • the flexible substrate 18 is replaced with 10-carboxy-1-decanethiol (Co., Ltd.). And a method of dipping in an ethanol solution containing Dojindo Laboratories). In this way, the thiol group of 10-carboxy-1-decanethiol binds to the metal and is immobilized, and self-assembles on the surface of the metal film to form a SAM.
  • the solid phase film 16 is desirable to form only at a position necessary for the sensor member 10, that is, only in the reaction area 10 a of the sensor member 10 by inkjet coating.
  • a step of forming the solid phase layer may be provided after the SAM is formed.
  • a method for forming the solid phase layer is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.
  • the flexible substrate 18 is composed of carboxymethyldextran (CMD) having a molecular weight of 500,000 at 1 mg / kg.
  • CMD carboxymethyldextran
  • MES MES buffered saline
  • NHS 0.5 mM N-hydroxysuccinimide
  • WSC water-soluble carbodiimide
  • Examples thereof include a method and a method performed by inkjet coating.
  • the flexible base material 18 on which the metal film 14 and the solid phase film 16 are formed is cut into a size necessary for the sensor member 10 by the base material cutting means 28.
  • the size required for the sensor member 10 is particularly limited as long as it can be attached to a dielectric member and can secure the reaction area 10a when a sensor chip is used, as will be described later. is not.
  • the flexible base material 18 is flexible with a cutter or the like.
  • the rectangular sensor member 10 can be manufactured by cutting in a direction perpendicular to the traveling direction of the substrate 18 (hereinafter referred to as “width direction”).
  • the sensor member 10 having the optimum size and shape for a sensor chip to be described later is obtained by cutting (punching) the flexible base material 18 into a shape necessary for the sensor member 10 by punching. Can do.
  • the circular sensor member 10 is preferably formed by punching. Excitation light emitted from a light source used in an optical specimen detection apparatus such as an SPFS apparatus, which will be described later, is usually light having a circular irradiation shape. Can be matched. For this reason, in the sensor member 10, excitation light is not irradiated and the area
  • the sensor member 10 is punched along the optical axis.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the metal film 14 forming step, the solid phase film 16 forming step, and the flexible substrate 18 cutting step are described as being performed continuously. It can also be done.
  • the metal film 14 and the solid phase film 16 are formed on the flexible base material 18 drawn out by the base material feeding device 22, and then the base material winding is performed. It can be wound up by the take-up device 24.
  • the height of the protrusions 19a and 19b is such that when the flexible substrate 18 is wound up, the flexible substrate 18 does not directly touch the metal film 14 and the solid phase film 16. It may be sufficient, and can be appropriately determined according to the thickness of the metal film 14 and the thickness of the solid phase film 16.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a sensor chip manufactured by the sensor chip manufacturing method of the present invention described below.
  • the sensor chip 30 of the present invention includes a prism-shaped dielectric member 32 having a substantially trapezoidal vertical cross-sectional shape, a sensor member 10 mounted on the dielectric member 32, and an analyte.
  • a reaction space forming member 34 for injecting a sample liquid to be included and forming a reaction space for causing a reaction between the solid phase layer of the solid phase film 16 of the sensor member 10 and the analyte in the sample liquid is formed.
  • the dielectric member 32 is not particularly limited, but optically transparent, for example, various inorganic materials such as glass and ceramics, natural polymers, and synthetic polymers can be used. Chemical stability, production From the viewpoints of stability and optical transparency, those containing silicon dioxide (SiO 2 ) or titanium dioxide (TiO 2 ) are preferred.
  • the optical influence of the sensor base material 12 interposed between the dielectric member 32 and the metal film 14 is affected. Can be small.
  • the prism-shaped dielectric member 32 having a substantially trapezoidal vertical cross-sectional shape is used.
  • the vertical cross-sectional shape is a triangle (so-called triangular prism), a semicircular shape, a semi-elliptical shape, etc.
  • the shape of the member 32 can be changed as appropriate.
  • the reaction space forming member 34 may be a well member 35a capable of temporarily storing a sample liquid containing an analyte, or FIG. As shown in (), a flow path member 35b that can circulate the sample liquid to the reaction area 10a may be used.
  • the well member 35a constitutes a wall of the reaction area 10a so as to surround the reaction area 10a of the sensor member 10, and forms a reaction space 34a.
  • the analyte in the sample liquid reacts with the solid phase layer of the solid phase film 16 of the sensor member 10, and the solid phase. The analyte will be trapped in the activated layer.
  • the flow path member 35b forms a flow path 36 by the dielectric member 32 and the flow path member 35b so that the sample liquid circulates to the reaction area 10a. It is configured.
  • reaction space 34a is formed on the reaction area 10a of the flow path 36, and the analyte liquid in the sample liquid and the solid phase film 16 of the sensor member 10 are held by circulating the sample liquid in the reaction space 34a.
  • the analyte is trapped in the solid phase layer by reaction with the phase phase layer.
  • the method for allowing the sample liquid to flow through the flow path 36 is not particularly limited, but a pump (not shown) is connected to both end portions 36a and 36b of the flow path 36 so that the sample liquid is unidirectionally supplied.
  • the sample liquid may be circulated to the reaction area 10a by injecting the sample liquid from the end 36a of the flow path 36 using a pipette and sucking and discharging the sample liquid with the pipette. Also good.
  • the reaction efficiency between the analyte and the solid phase layer is increased even with a small amount of sample liquid, and the detection accuracy of the analyte is improved. Can do.
  • reaction space forming member 34 (well member 35a, flow path member 35b) is not particularly limited, and for example, various inorganic materials such as glass and ceramics, natural polymers, and synthetic polymers may be used. it can.
  • reaction area 10a When the reaction area 10a is covered with the reaction space forming member 34 as in the flow path member 35b, fluorescence can be observed from above the sensor chip 30 when the sensor chip 30 is used in an SPFS device, as will be described later. Thus, it is necessary to use an optically transparent material.
  • the sensor chip 30 of the present invention configured as described above is manufactured by the following process. First, as shown in FIG. 6A, the sensor member 10 is fixed to the dielectric member 32 via the refractive index matching liquid 38.
  • the refractive index matching liquid 38 is not particularly limited, and a conventionally known refractive index matching liquid (matching oil) can be used.
  • a conventionally known refractive index matching liquid matching oil
  • the refractive index matching liquid 38 for example, by using an adhesive such as an ultraviolet curable adhesive, the refractive index matching between the dielectric member 32 and the sensor member 10 can be obtained, and the dielectric member 32 and the sensor.
  • the member 10 can be bonded and fixed.
  • the sensor member 10 is preferably fixed to the dielectric member 32 so that the sensor member 10 can be removed.
  • the sensor member 10 is removed from the sensor chip 30 used for the detection of the analyte, and the sensor member 30 is manufactured by reusing the dielectric member 32 simply by attaching a new sensor member 10. can do.
  • the reaction space forming member 34 is placed on the dielectric member 32 to which the sensor member 10 is fixed, and the reaction space forming member 34 and the dielectric member 32 are, for example, Fix using adhesive 29 or the like.
  • the dielectric member 32 and the reaction space forming member 34 may be fixed by a fastening member such as a screw.
  • a fastening member such as a screw
  • the dielectric member 32 and the reaction space forming member 34 may be directly fastened and fixed.
  • the dielectric member 32 is attached to the sensor chip holding member 40.
  • the dielectric member 32 and the sensor member 10 are sandwiched between the reaction space forming member 34 and the sensor chip holding member 40 and fixed using, for example, a fastening member 42 such as a screw. Also good.
  • the seal member 44 is placed so as to surround the sensor member 10 and is fixed so that the seal member 44 is sandwiched between the dielectric member 32 and the reaction space forming member 34.
  • the sealing property (sealing property) between the dielectric member 32 and the reaction space forming member 34 can be ensured, and when the sample liquid is injected into the reaction space 34a. The specimen liquid does not leak from between the dielectric member 32 and the reaction space forming member 34.
  • FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a configuration of an optical specimen detection apparatus 50 using the sensor member 10 of the present invention. As shown in FIG. 8, in the optical sample detection device 50, the sensor chip 30 having the sensor member 10 attached on the dielectric member 32 is loaded in the sensor chip loading unit 52.
  • a light source 52 is arranged on one side surface 32 b below the dielectric member 32, and excitation light 54 from the light source 52 is below the dielectric member 32. Then, the light is incident on the side surface 32b of the dielectric member 32 and irradiated through the dielectric member 32 toward the metal film 14 of the sensor member 10 attached to the upper surface of the dielectric member 32. .
  • an LD Laser Diode
  • an LED Light Emitting Diode
  • an HID High Intensity Discharge lamp (high intensity discharge lamp), or the like
  • LD Laser Diode
  • LED Light Emitting Diode
  • HID High Intensity Discharge lamp
  • a polarizing filter 56 is provided between the light source 52 and the dielectric member 32 to convert the excitation light 54 emitted from the light source 52 into P-polarized light that efficiently generates surface plasmons on the metal film 14. ing.
  • light receiving means 58 for receiving the metal film reflected light 55 obtained by reflecting the excitation light 54 by the metal film 14 is provided on the other side surface 32 c below the dielectric member 32. ing.
  • the light source 52 is provided with incident angle adjusting means (not shown) that can appropriately change the incident angle of the excitation light 54 emitted from the light source 52 with respect to the metal film 14.
  • the light receiving means 58 is also provided with a movable means (not shown). Even when the reflection angle of the metal film reflected light 55 changes, the metal film reflected light 55 is reliably received in synchronization with the light source 52. Is configured to do.
  • the incident angle adjusting means of the light source 52 and the moving means of the light receiving means 58 are not particularly limited.
  • the light source 52 and the light receiving means 58 are rotated using a stepping motor or a gear train. (For example, in FIG. 8, it can be configured to rotate around the irradiation position of incident light on the metal film 14 in a plane).
  • the sensor chip 30, the light source 52, and the light receiving means 58 constitute an SPR device for performing SPR measurement.
  • a light detection means 60 for receiving the fluorescence 59 generated from the fluorescent substance that labels the analyte excited by the surface plasmon light (dense wave) generated on the metal film 14. ing.
  • the photodetection means 60 is not particularly limited.
  • an ultrasensitive photomultiplier tube a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor capable of multipoint measurement, and a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor).
  • An image sensor or the like can be used.
  • a condensing member 62 for condensing light efficiently and a wavelength selection function member 64 formed so as to selectively transmit only the fluorescence 59 are provided between the sensor chip 30 and the light detection means 60. Is provided.
  • any condensing system may be used as long as it aims at efficiently condensing the fluorescence on the light detecting means 60.
  • a simple condensing system for example, a commercially available objective lens used in a microscope or the like may be used. The magnification of the objective lens is preferably 10 to 100 times.
  • an optical filter As the wavelength selection function member 64, an optical filter, a cut filter, or the like can be used.
  • the optical filter include a neutral density (ND) filter and a diaphragm lens.
  • cut filters external light (illumination light outside the device), excitation light (excitation light transmission component), stray light (excitation light scattering component in various places), plasmon scattered light (excitation light originated from, Scattered light generated by the influence of structures or deposits on the sensor chip surface), and various noise lights such as autofluorescence of the oxygen fluorescent substrate, such as interference filters and color filters.
  • the sensor chip 30, the light source 52, and the light detection means 60 constitute an SPFS apparatus for performing SPFS measurement.
  • a ligand for capturing an analyte is solid-phased on the solid-phase film 16 of the sensor member 10.
  • An appropriate amount of the antibody solution containing is fed and circulated for a predetermined time.
  • the ligand for capturing the analyte is immobilized on the solid phase membrane.
  • an appropriate amount of the sample liquid containing the analyte is fed and circulated for a predetermined time.
  • the analyte is captured by the ligand solid-phased on the solid-phase film 16 on the metal film 14.
  • an appropriate amount of a fluorescent substance solution containing a fluorescent substance for labeling the analyte is fed to the flow path 36 and circulated for a predetermined time.
  • the analyte captured by the solid phase layer (solid phase film 16) on the metal film 14 is labeled with the fluorescent substance.
  • the excitation light 54 from the light source 52 is applied to the metal film 14 of the sensor member 10 via the dielectric member 32, and the metal film reflected light 55 is received by the light receiving means 58.
  • SPR signal the relationship between the light intensity of the metal film reflected light 55 (hereinafter referred to as “SPR signal”) and the incident angle of the excitation light 54. SPR measurement can be performed by examining the above.
  • the excitation light 54 from the light source 52 is applied to the metal film 14 of the sensor member 10 via the dielectric member 32 and the light 59 is received by the light detection means 60, whereby the amount of fluorescence by SPFS measurement is measured. (Hereinafter referred to as “SPFS signal”).
  • the total amount of analyte (analyte concentration) in the sample liquid is calculated by comparing with a calibration curve relating to the analyte concentration and SPFS signal created in advance. can do.
  • the sensor chip 30 may be configured by mounting the sensor member 10 on the dielectric member 32 mounted on the optical sample detection device 50.
  • a sensor member is applied to an SPR device and an SPFS device as an optical specimen detection device.
  • the present invention is not limited to this, and various modifications can be made without departing from the object of the present invention, such as application to other optical specimen detection devices.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the incident angle of the excitation light 54 measured using the sensor member 10 manufactured by the sensor member manufacturing method of the present invention and the SPR signal
  • FIG. 10 shows the sensor member of the present invention. It is a graph which shows the relationship between the incident angle of the excitation light 54 measured using the sensor member 10 manufactured by this manufacturing method, and an SPFS signal.
  • the ratio (reflectance) of the light amount of the excitation light 54 and the light amount of the metal film reflected light is used as the SPR signal.
  • the light quantity of the fluorescence 59 measured by the CCD sensor is used as the SPFS signal.
  • a ZEONOR (registered trademark) film (ZF14-188, refractive index: 1.53, thickness: 188 ⁇ m) manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd. was used as the sensor substrate 12, and the metal film 14 was thickened by vapor deposition. It is formed as a thin film having a thickness of about 41 nm.
  • the dielectric member 32 a glass prism (BK7, refractive index: 1.5168) is used, and the sensor member 10 and the dielectric member 32 are made of a refractive index matching liquid (refractive index: 1.51). It is fixed through.
  • FIG. 11 is a comparative example, a graph showing the relationship between the incident angle of excitation light measured using a conventional sensor chip and the SPR signal
  • FIG. 12 is a comparative example, using a conventional sensor chip. It is a graph which shows the relationship between the incident angle of the measured excitation light, and a SPFS signal.
  • a metal film substrate provided with a metal film (thickness: about 42 nm) by vapor deposition on a glass substrate (BK7, thickness: 1000 ⁇ m, refractive index: 1.5168) is formed on a dielectric member. It is fixed.
  • a glass prism (BK7, refractive index: 1.5168) is used as the dielectric member, and the metal film substrate and the dielectric member are connected via a refractive index matching liquid (refractive index: 1.51). It is fixed.
  • both the SPR signal and the SPFS signal are almost the same as the measurement using the conventional glass substrate. The result was obtained.
  • the present invention provides a sensor chip which is a member to be measured for an optical specimen detection device used in a field where high-precision measurement is required, such as clinical tests such as AFP sugar chain measurement and CEA sugar chain measurement. Cost and stability can be provided.

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Optical Measuring Cells (AREA)

Description

センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法
　本発明は、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ；Surface Plasmon Resonance）測定装置、及び、表面プラズモン共鳴現象を応用した表面プラズモン励起増強蛍光分光法（ＳＰＦＳ；Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy）の原理に基づいた表面プラズモン励起増強蛍光測定装置などの光学式検体検出装置に用いられるセンサーチップ、及び、このセンサーチップに用いられるセンサー部材の製造方法ならびにこのセンサー部材の使用方法に関する。
　従来、極微少な物質の検出を行う場合において、物質の物理的現象を応用することでこのような物質の検出を可能とした様々な検体検出装置が用いられている。
　このような検体検出装置の一つとして、ナノメートルレベルなどの微細領域中で電子と光が共鳴することにより、高い光出力を得る現象（表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ；Surface Plasmon Resonance）現象）を応用し、例えば、生体内の極微少なアナライトの検出を行うようにした表面プラズモン共鳴装置（以下、「ＳＰＲ装置」と言う）が挙げられる。
　また、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）現象を応用した、表面プラズモン励起増強蛍光分光法（ＳＰＦＳ；Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy）の原理に基づき、ＳＰＲ装置よりもさらに高精度にアナライト検出を行えるようにした表面プラズモン励起増強蛍光分光測定装置（以下、「ＳＰＦＳ装置」と言う）も、このような検体検出装置の一つである。
　この表面プラズモン励起増強蛍光分光法（ＳＰＦＳ）は、光源より照射したレーザー光などの励起光が、金属薄膜表面で全反射減衰（ＡＴＲ；Attenuated Total Reflectance）する条件において、金属薄膜表面に表面プラズモン光（疎密波）を発生させることによって、光源より照射した励起光が有するフォトン量を数十倍～数百倍に増やして、表面プラズモン光の電場増強効果を得るようになっている。
　図１３は、従来のＳＰＦＳ装置の一例を示す概略構成図である。
　このＳＰＦＳ装置１００は、鉛直断面形状が略台形であるプリズム形状の誘電体部材１０２と、この誘電体部材１０２の水平な上面１０２ａに形成された金属薄膜１０４とからなるセンサーチップ１０６を備えており、このセンサーチップ１０６は、ＳＰＦＳ装置１００のセンサーチップ装填部１０８に装填されている。
　また、誘電体部材１０２の下方の一方の側面１０２ｂの側には、図１３に示すように、光源１１０が配置されており、この光源１１０からの入射光１１２が、誘電体部材１０２の外側下方から、誘電体部材１０２の側面１０２ｂに入射して、誘電体部材１０２を介して、誘電体部材１０２の上面１０２ａに形成された金属薄膜１０４に向かって照射されるようになっている。
　なお、センサーチップ１０６の金属薄膜１０４上には、被検出検体であるアナライトを含む検体液を送液するための流路１１４が形成されており、この流路１１４の一部には、特定のアナライトと特異的に結合するリガンドが固定化されたセンサー領域１１６が設けられている。
　被検出検体であるアナライトは、例えば、蛍光物質などによって標識されており、光源１１０から照射された入射光１１２によって発生した表面プラズモン光（疎密波）によって、蛍光物質が励起され、蛍光１１８が発光するようになっている。
　また、センサーチップ１０６の上方には、この蛍光１１８を受光するための光検出手段１２０が備えられている。
　このように構成されたＳＰＦＳ装置１００では、光源１１０からＡＴＲとなる入射角αで入射光１１２を金属薄膜１０４に照射し、金属薄膜１０４表面に発生した表面プラズモン光（疎密波）によって、アナライトを標識する蛍光物質を励起する。
　そして、励起された蛍光物質から発光される蛍光１１８を、光検出手段１２０によって受光することによって、蛍光１１８の光量を測定し、この蛍光１１８の光量に基づいて、検体液中のアナライトの割合を求めるように構成されている。
　また、従来のＳＰＲ装置においても、特許文献１などに記載されているように、センサーチップ１０６に光源１１０から照射した入射光１１２を入射して、金属薄膜１０４に反射した反射光を受光手段によって受光することによって、反射光の強度を測定し、この反射光の強度に基づいて、検体液中のアナライトの割合を求めることができる。
　このようなＳＰＲ装置やＳＰＦＳ装置で用いられるセンサーチップ１０６としては、ガラス製プリズム（誘電体部材１０２）の上面に金属薄膜を蒸着したものが用いられていた。しかしながら、ガラス製プリズムは高価であるため、このようなガラス製プリズムを用いたセンサーチップを、アナライトの測定のたびに交換することは測定コストが高くなり実用的ではない。
　このため、ガラス製プリズムの代わりに樹脂製プリズムを用いたセンサーチップも使われている（特許文献１）。
特開２００７－１９２８４１号公報
　しかしながら、ガラス製プリズムや樹脂製プリズムなどの誘電体部材上に金属薄膜を直接形成したセンサーチップや、特許文献１のように、容器状部の内底面に金属薄膜を形成したセンサーチップでは、センサーチップを量産する場合にも製造コストを大幅に低減することは困難である。
　また、上記のようなセンサーチップでは、個体差による検出精度のばらつきが大きくなり、検出精度の信頼性にも懸念が生じていた。
　本発明では、このような現状に鑑み、センサーチップを量産する場合にも、容易に製造が可能で、製造コストを大幅に低減することができるとともに、個体差による検出精度のばらつきを抑制することができるセンサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法を提供する。
　本発明は、前述したような従来技術における課題を解決するために発明されたものであって、上述した目的のうち少なくとも一つを実現するために、本発明の一側面を反映したセンサー部材の製造方法は、誘電体部材上に形成された金属膜に励起光を照射することで検体の検出を行う光学式検体検出装置に用いられるセンサー部材の製造方法であって、
　透光性を有する可撓性基材上に金属膜を形成する工程と、
　前記可撓性基材上に形成された前記金属膜上に、前記検体を固定化するために用いられる固相膜を形成する工程と、
　前記金属膜及び前記固相膜が形成された前記可撓性基材を、所定の大きさに切断する工程とを含む。
　また、本発明の別の一側面を反映したセンサーチップの製造方法は、誘電体部材上に形成された金属膜に励起光を照射することで検体の検出を行う光学式検体検出装置に用いられるセンサーチップの製造方法であって、
　前記誘電体部材上に、上述するいずれかのセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材を固定する工程と、
　前記センサー部材が固定された誘電体部材上に、前記検体を含む検体液を注入し、前記固相膜と前記検体との反応を行わせる反応空間を形成するための反応空間形成部材を固定する工程とを含む。
　また、本発明のさらに別の一側面を反映したセンサー部材の使用方法は、誘電体部材と、該誘電体部材の下方の一方の側面側に配置された光源と、を有する光学式検体検出装置で用いられるセンサー部材の使用方法であって、
　前記誘電体部材上に、上述するいずれかのセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材を取り付ける工程と、
　前記センサー部材の金属膜に、前記光源から励起光を照射する工程と、
を有することを特徴とする。
　本発明によれば、事前に可撓性基材上に金属薄膜と固相膜を形成して、フィルム状のセンサー部材を作製し、このフィルム状のセンサー部材を誘電体部材に固定してセンサーチップを作製すればよいので、センサーチップを量産する場合にも製造コストを大幅に低減することができる。
　また、シート状の可撓性基板を切断して複数のセンサー部材を作製しているため、センサー部材の個体差を抑制することができ、センサーチップの検出精度の信頼性を向上させることができる。
図１は、以下に示す本発明のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材の構成を示す概略構成図である。 図２は、図１のセンサー部材の製造方法の流れを説明するための概略構成図である。 図３は、可撓性基材１８に設けられた凸部１９ａ，１９ｂを説明するための概略構成図である。 図４は、基材繰り出し装置２２から繰り出された可撓性基材１８に対して金属膜１４を形成した後、基材巻き取り装置２４によって可撓性基材１８を巻き取る場合の構成を説明する概略構成図である。 図５は、本発明のセンサーチップの製造方法によって製造されたセンサーチップの構成を示す概略構成図である。 図６は、本発明のセンサーチップの製造方法の流れを説明するための概略構成図である。 図７は、締結部材４２を用いて、反応空間形成部材３４とセンサーチップ保持部材４０を固定することによって、誘電体部材３２と反応空間形成部材３４とを固定した場合の概略構成図である。 図８は、図８は、本発明のセンサー部材１０を用いた光学式検体検出装置５０の構成を示す概略構成図である。 図９は、本発明のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材１０を用いて計測された励起光５４の入射角とＳＰＲシグナルとの関係を示すグラフである。 図１０は、本発明のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材１０を用いて計測された励起光５４の入射角とＳＰＦＳシグナルとの関係を示すグラフである。 図１１は、比較例であり、従来のセンサーチップを用いて計測された励起光の入射角とＳＰＲシグナルとの関係を示すグラフである。 図１２は、比較例であり、従来のセンサーチップを用いて計測された励起光の入射角とＳＰＦＳシグナルとの関係を示すグラフである。 図１３は、従来のＳＰＦＳ装置の一例を示す概略構成図である。
　以下、本発明の実施の形態（実施例）を図面に基づいて、より詳細に説明する。
１．センサー部材の製造方法
　図１は、以下に示す本発明のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材の構成を示す概略構成図、図２は、図１のセンサー部材の製造方法の流れを説明するための概略構成図である。
　図１に示すように、本発明のセンサー部材１０は、透光性・可撓性を有するセンサー基材１２と、センサー基材１２上に設けられた金属膜１４と、金属膜１４上に設けられた固相膜１６とから構成される。
　センサー基材１２は、透光性・可撓性を有していれば特に限定されるものではないが、センサー基材１２の屈折率ｎが少なくとも１．４以上、好ましくは１．５以上あることが望まれる。
　センサー基材１２がこのような屈折率ｎを有していることによって、後述するように、電場増強度を高めることができ、精度良く測定を行うことができる。
　なお、センサー基材１２が有する「透光性」とは、後述するように、ＳＰＲ装置やＳＰＦＳ装置の光源から照射される励起光が少なくとも透過すればよく、全ての波長の光が透過する必要はない。
　このようなセンサー基材１２としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などのポリオレフィン類、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）などのポリ環状オレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリスチレン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などを用いることができる。
　特に、光学性能として光学ガラス（例えば、ＢＫ７など）などと同程度の優れた性能を有する環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）を用いた日本ゼオン社製のＺＥＯＮＯＲ（登録商標）などが好ましい。
　また、金属膜１４の材質としては、特に限定されるものではないが、好ましくは、金、銀、アルミニウム、銅、および白金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属からなり、より好ましくは、金からなり、さらに、これらの金属の合金から構成してもよい。
　また、固相膜１６は、後述するＳＰＲ装置やＳＰＦＳ装置を用いてアナライトの検出を行う際に、アナライトを捕捉するためのリガンドが固定化されるものであって、例えば、ＳＡＭ（Self-Assembled Monolayer；自己組織化単分子膜）及びＳＡＭ上に形成された固相化層によって構成することができる。
　このような固相化層としては、例えば、グルコース，カルボキシメチル化グルコース，ならびにビニルエステル類，アクリル酸エステル類，メタクリル酸エステル類，オレフィン類，スチレン類，クロトン酸エステル類，イタコン酸ジエステル類，マレイン酸ジエステル類，フマル酸ジエステル類，アリル化合物類，ビニルエーテル類およびビニルケトン類それぞれに包含される単量体からなる群より選択される少なくとも１種の単量体から構成される高分子を含むことが好ましく、デキストランおよびデキストラン誘導体などの親水性高分子ならびにビニルエステル類，アクリル酸エステル類，メタクリル酸エステル類，オレフィン類，スチレン類，クロトン酸エステル類，イタコン酸ジエステル類，マレイン酸ジエステル類，フマル酸ジエステル類，アリル化合物類，ビニルエーテル類およびビニルケトン類それぞれに包含される疎水性単量体から構成される疎水性高分子を含むことがより好ましく、カルボキシメチルデキストラン（ＣＭＤ）などのデキストランが生体親和性、非特異的な吸着反応の抑制性、高い親水性の観点から特に好適である。
　なお、センサー部材１０を製造する段階では、固相化層は必ずしも必要ではないため、固相膜１６として固相化層を有していなくとも構わない。
　このように構成される本発明のセンサー部材１０は、以下のような工程で製造される。
　まず、図２に示すように、センサー基材１２となる長尺状の可撓性基材１８が巻装された可撓性基材巻装体２０を基材繰り出し装置２２に装着し、可撓性基材１８を順次繰り出す。
　そして、繰り出された可撓性基材１８上に、金属膜形成手段２６によって順次金属膜１４を形成する。なお、金属膜１４の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法、蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法など）、電解メッキ、無電解メッキ法などが挙げられる。好ましくは、スパッタリング法、蒸着法を使用するのが、薄膜形成条件の調整が容易であるので望ましい。
　また、金属膜１４の厚さとしては、特に限定されるものではないが、好ましくは、金：５～５００ｎｍ、銀：５～５００ｎｍ、アルミニウム：５～５００ｎｍ、銅：５～５００ｎｍ、白金：５～５００ｎｍ、および、それらの合金：５～５００ｎｍの範囲内であるのが望ましい。
　なお、後述する電場増強効果の観点から、より好ましい金属膜１４の厚さとしては、金：２０～７０ｎｍ、銀：２０～７０ｎｍ、アルミニウム：１０～５０ｎｍ、銅：２０～７０ｎｍ、白金：２０～７０ｎｍ、および、それらの合金：１０～７０ｎｍの範囲内であるのが望ましい。
　なお、金属膜１４の上面形状は平面状である場合に限らず、例えば格子状に形成された凹凸面状に形成されている場合にも適用できることは勿論である。
　次いで、金属膜１４上に、固相膜形成手段２７によって、順次固相膜１６を形成する。なお、固相膜１６の形成方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法を用いることができ、例えば、可撓性基材１８を１０－カルボキシ－１－デカンチオール（（株）同仁化学研究所製）を含むエタノール溶液に浸漬する方法などが挙げられる。このように、１０－カルボキシ－１－デカンチオールが有するチオール基が、金属と結合し固定化され、金属膜の表面上で自己組織化し、ＳＡＭを形成する。
　より好ましくは、インクジェット塗布によって、センサー部材１０に必要な位置にのみ、すなわち、センサー部材１０の反応エリア１０ａのみに固相膜１６を形成することが望ましい。このように固相膜１６を形成することによって、固相膜１６を形成するための材料の使用を低減させることができ、センサー部材１０の製造コストを削減できる。
　なお、固相化層を形成する場合には、ＳＡＭを形成した後に、固相化層を形成する工程を設ければよい。固相化層の形成方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法を用いることができ、例えば、可撓性基材１８を分子量５０万のカルボキシメチルデキストラン（ＣＭＤ）を１ｍｇ／ｍＬと、Ｎ－ヒドロキシコハク酸イミド（ＮＨＳ）を０．５ｍＭと、水溶性カルボジイミド（ＷＳＣ）を１ｍＭとを含むｐＨ７．４のＭＥＳ緩衝生理食塩水（ＭＥＳ）（イオン強度：１０ｍＭ）に浸漬する方法や、インクジェット塗布により行う方法などが挙げられる。
　次いで、金属膜１４及び固相膜１６が形成された可撓性基材１８を、基材切断手段２８によって、センサー部材１０として必要な大きさに切断する。センサー部材１０として必要な大きさは、後述するように、センサーチップとした場合に、誘電体部材に取付け可能であり、かつ、反応エリア１０ａを確保できる大きさであれば、特に限定されるものではない。
　なお、可撓性基材１８の切断方法としては、例えば、スリッターナイフなどによって可撓性基材１８の進行方向（以下、「長さ方向」という）に切断した後、カッターなどによって可撓性基材１８の進行方向とは垂直な方向（以下、「幅方向」という）に切断することによって、方形状のセンサー部材１０を製造することができる。
　より好ましくは、打ち抜き加工によって、可撓性基材１８からセンサー部材１０として必要な形状に切断（打ち抜き）することで、後述するセンサーチップに最適な大きさ・形状を有するセンサー部材１０とすることができる。
　なお、打ち抜き加工によって円形状のセンサー部材１０とすることが好ましい。後述するようなＳＰＦＳ装置などの光学式検体検出装置で用いられる光源から照射される励起光は、通常、照射形状が円形状の光であるため、励起光が照射される領域とセンサー部材１０とを一致させることができる。このため、センサー部材１０において、励起光が照射されず、測定に用いられない領域が生じない。
　さらに、可撓性基材１８（センサー基材１２）として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のような複屈折性の高い材料を用いる場合であっても、光学軸に沿ってセンサー部材１０を打ち抜くことによって、センサー部材１０としての使用に影響を与えないようにすることができる。
　なお、本実施例では、金属膜１４の形成工程、固相膜１６の形成工程、可撓性基材１８の切断工程を連続して行うように説明しているが、それぞれの工程にわけて行うこともできる。
　この場合、図３に示すように、可撓性基材１８の幅方向の両縁部１８ａ，１８ｂに凸部１９ａ，１９ｂが設けられた可撓性基材を用いることが好ましい。
　このように構成することで、図４に示すように、基材繰り出し装置２２によって繰り出された可撓性基材１８に対して、金属膜１４や固相膜１６を形成したのち、基材巻き取り装置２４によって巻き取ることができる。
　なお、凸部１９ａ，１９ｂの高さとしては、可撓性基材１８を巻き取った際に、金属膜１４及び固相膜１６に可撓性基材１８が直接触れないような高さであればよく、金属膜１４の厚さ及び固相膜１６の厚さに応じて適宜決定することができる。
　このようにセンサー部材を製造することによって、センサーチップを量産する場合にも、容易に製造が可能で、製造コストを大幅に低減することができるとともに、個体差による検出精度のばらつきを抑制することができる。
２．センサーチップの製造方法
　このように製造されたセンサー部材１０は、例えば、ＳＰＲ装置やＳＰＦＳ装置に用いられるセンサーチップに取り付けられて使用される。
　図５は、以下に示す本発明のセンサーチップの製造方法によって製造されたセンサーチップの構成を示す概略構成図である。
　図５に示すように、本発明のセンサーチップ３０は、鉛直断面形状が略台形であるプリズム形状の誘電体部材３２と、この誘電体部材３２上に取り付けられたセンサー部材１０と、アナライトを含む検体液を注入し、センサー部材１０の固相膜１６が有する固相化層と検体液中のアナライトとの反応を行わせる反応空間を形成するための反応空間形成部材３４とから構成される。
　誘電体部材３２としては、特に限定されるものではないが、光学的に透明な、例えば、ガラス、セラミックスなどの各種の無機物、天然ポリマー、合成ポリマーを用いることができ、化学的安定性、製造安定性、光学的透明性の観点から、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または二酸化チタン（ＴｉＯ2）を含むものが好ましい。
　なお、誘電体部材３２の材料として、センサー部材１０のセンサー基材１２と同じ材料を用いることによって、誘電体部材３２と金属膜１４との間に介在するセンサー基材１２の光学的な影響を小さくすることができる。
　また、この実施例では、鉛直断面形状が略台形であるプリズム形状の誘電体部材３２を用いたが、鉛直断面形状を三角形（いわゆる三角プリズム）、半円形状、半楕円形状にするなど誘電体部材３２の形状は、適宜変更可能である。
　また、反応空間形成部材３４としては、図５（ａ）に示すように、アナライトを含有した検体液を一時的に貯留することができるウェル部材３５ａであってもよいし、図５（ｂ）に示すように、検体液を反応エリア１０ａに対して循環させることができる流路部材３５ｂであってもよい。
　ウェル部材３５ａは、図５（ａ）に示すように、センサー部材１０の反応エリア１０ａを囲繞するように反応エリア１０ａの壁を構成し、反応空間３４ａを形成している。
　この反応空間３４ａに、例えば、ピペットなどを用いて検体液を注入することによって、検体液中のアナライトとセンサー部材１０の固相膜１６が有する固相化層とが反応して、固相化層にアナライトが捕捉されることになる。
　一方で、流路部材３５ｂは、図５（ｂ）に示すように、誘電体部材３２と流路部材３５ｂとによって流路３６を形成し、検体液が反応エリア１０ａに対して循環するように構成されている。
　すなわち、流路３６の反応エリア１０ａ上が反応空間３４ａとなっており、この反応空間３４ａに検体液を流通させることによって、検体液中のアナライトとセンサー部材１０の固相膜１６が有する固相化層とが反応して、固相化層にアナライトが捕捉されることになる。
　なお、流路３６に検体液を流通させる方法としては、特に限定されるものではないが、流路３６の両端部３６ａ，３６ｂにポンプ（図示せず）を接続して、検体液を一方向に循環させてもよいし、流路３６の端部３６ａからピペットを用いて検体液を注入するとともに、ピペットによって検体液を吸排することによって、反応エリア１０ａに対して検体液を往復移動させてもよい。
　特に、反応エリア１０ａに対して検体液を往復移動させることによって、少量の検体液であっても、アナライトと固相化層との反応効率が高くなり、アナライトの検出精度を向上させることができる。
　また、反応空間形成部材３４（ウェル部材３５ａ，流路部材３５ｂ）の材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス、セラミックスなどの各種の無機物、天然ポリマー、合成ポリマーを用いることができる。
　なお、流路部材３５ｂのように反応エリア１０ａを反応空間形成部材３４によって覆う場合には、後述するように、センサーチップ３０をＳＰＦＳ装置に用いる場合にセンサーチップ３０の上方から蛍光を観測可能なように、光学的に透明な材料を用いる必要がある。
　このように構成される本発明のセンサーチップ３０は、以下のような工程で製造される。
　まず、図６（ａ）に示すように、誘電体部材３２に屈折率整合液３８を介してセンサー部材１０を固定する。
　屈折率整合液３８としては、特に限定されるものではなく、従来公知の屈折率整合液（マッチングオイル）を用いることができる。なお、屈折率整合液３８として、例えば、紫外線硬化型接着剤などの接着剤を用いることによって、誘電体部材３２とセンサー部材１０との屈折率整合性を得られるとともに、誘電体部材３２とセンサー部材１０とを接着固定することができる。
　なお、センサー部材１０を取り外し可能なように、誘電体部材３２にセンサー部材１０を固定することが好ましい。このように構成することで、アナライトの検出に利用したセンサーチップ３０からセンサー部材１０を取り外して、新しいセンサー部材１０を取り付けるだけで、誘電体部材３２を再利用して、センサーチップ３０を製造することができる。
　このため、光学的特性に優れるが、高価なガラス製プリズムを誘電体部材３２として利用する場合であっても、ガラス製プリズムを再利用することができるため、センサーチップ３０の製造コストを低減することができる。
　次いで、図６（ｂ）に示すように、センサー部材１０が固定された誘電体部材３２上に反応空間形成部材３４を載置し、反応空間形成部材３４と誘電体部材３２とを、例えば、接着剤２９などを用いて固定する。
　なお、センサー部材１０を取り外し可能なように構成する場合には、例えば、誘電体部材３２と反応空間形成部材３４とを、例えば、ネジなどの締結部材によって固定するようにしてもよい。なお、締結部材によって固定する場合には、誘電体部材３２と反応空間形成部材３４とを直接締結・固定してもよいが、図７に示すように、誘電体部材３２をセンサーチップ保持部材４０に載置した状態で、反応空間形成部材３４とセンサーチップ保持部材４０とによって、誘電体部材３２及びセンサー部材１０を挟持して、例えば、ネジなどの締結部材４２を用いて固定するようにしてもよい。
　また、センサー部材１０を囲繞するようにシール部材４４を載置し、誘電体部材３２と反応空間形成部材３４とによって、シール部材４４を挟持するように固定することが好ましい。
　このように、シール部材４４を設けることによって、誘電体部材３２と反応空間形成部材３４との間のシール性（密閉性）を確保することができ、反応空間３４ａに検体液を注入した場合に、検体液が誘電体部材３２と反応空間形成部材３４との間から漏れ出るようなことがない。
３．センサー部材の使用方法
　図８は、本発明のセンサー部材１０を用いた光学式検体検出装置５０の構成を示す概略構成図である。
　図８に示すように、光学式検体検出装置５０では、誘電体部材３２上にセンサー部材１０が取り付けられたセンサーチップ３０が、センサーチップ装填部５２に装填されている。
　また、誘電体部材３２の下方の一方の側面３２ｂの側には、図８に示すように、光源５２が配置されており、この光源５２からの励起光５４が、誘電体部材３２の外側下方から、誘電体部材３２の側面３２ｂに入射して、誘電体部材３２を介して、誘電体部材３２の上面に取り付けられたセンサー部材１０の金属膜１４に向かって照射されるようになっている。
　なお、光源５２は、例えば、ＬＤ（Laser Diode；レーザーダイオード）やＬＥＤ（Light Emitting Diode；発光ダイオード）、ＨＩＤ（High Intensity Discharge）ランプ（高輝度放電ランプ）などを用いることができる。
　また、光源５２と誘電体部材３２との間には、光源５２から照射される励起光５４を、金属膜１４上で表面プラズモンを効率よく発生させるＰ偏光とするための偏光フィルタ５６が設けられている。
　また、誘電体部材３２の下方の他方の側面３２ｃの側には、図８に示すように、励起光５４が金属膜１４によって反射された金属膜反射光５５を受光する受光手段５８が備えられている。
　なお、光源５２には、光源５２から照射される励起光５４の、金属膜１４に対する入射角を適宜変更可能とする入射角調整手段（図示せず）が備えられている。一方で、受光手段５８にも、図示しない可動手段が備えられており、金属膜反射光５５の反射角が変わった場合にも、光源５２と同期して、確実に金属膜反射光５５を受光するように構成されている。
　このような、光源５２の入射角調整手段や受光手段５８の可動手段としては、特に限定されるものではなく、例えば、ステッピングモーターや歯車列などを用いて、光源５２や受光手段５８を回動（例えば、図８において、平面内で金属膜１４への入射光の照射位置を中心に回動）させるように構成することができる。
　なお、センサーチップ３０、光源５２、受光手段５８によって、ＳＰＲ測定を行うためのＳＰＲ装置が構成されている。
　また、センサーチップ３０の上方には、金属膜１４上に発生した表面プラズモン光（疎密波）によって励起されたアナライトを標識する蛍光物質から発生する蛍光５９を受光する光検出手段６０が設けられている。
　光検出手段６０としては、特に限定されるものではないが、例えば、超高感度の光電子増倍管や、多点計測が可能なＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサー、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサーなどを用いることができる。
　なお、センサーチップ３０と光検出手段６０との間には、光を効率よく集光するための集光部材６２と、蛍光５９のみを選択的に透過するように形成された波長選択機能部材６４が設けられている。
　集光部材６２としては、光検出手段６０に蛍光を効率よく集光することを目的とするものであれば、任意の集光系でよい。簡易な集光系としては、例えば、顕微鏡などで使用されている市販の対物レンズを転用してもよい。対物レンズの倍率としては、１０～１００倍が好ましい。
　また、波長選択機能部材６４としては、光学フィルタ、カットフィルタなどを用いることができる。
　光学フィルタとしては、減光（ＮＤ）フィルタ、ダイアフラムレンズなどが挙げられる。さらに、カットフィルタとしては、外光（装置外の照明光）、励起光（励起光の透過成分）、迷光（各所での励起光の散乱成分）、プラズモンの散乱光（励起光を起源とし、センサーチップ表面上の構造体または付着物などの影響で発生する散乱光）、酸素蛍光基質の自家蛍光などの各種ノイズ光を除去するフィルタであって、例えば、干渉フィルタ、色フィルタなどが挙げられる。
　なお、センサーチップ３０、光源５２、光検出手段６０によって、ＳＰＦＳ測定を行うためのＳＰＦＳ装置が構成されている。
　このように構成された光学式検体検出装置５０では、まず、アナライトを捕捉するためのリガンドをセンサー部材１０の固相膜１６に固相化するため、センサーチップ３０の流路３６に、リガンドを含む抗体溶液を適量送液し、所定時間循環させる。これによって、固相膜にアナライトを捕捉するためのリガンドが固相化されることになる。
　次に、アナライトを含む検体液を適量送液し、所定時間循環させる。これによって、金属膜１４上の固相膜１６に固相化されたリガンドにアナライトが捕捉されることになる。
　次に、アナライトを標識するための蛍光物質を含んだ蛍光物質溶液を、流路３６に適量送液し、所定時間循環させる。これによって、金属膜１４上の固相化層（固相膜１６）に捕捉されたアナライトが蛍光物質によって標識されることになる。
　このようにして、蛍光物質によって標識されたアナライトが、センサー部材１０の反応エリア１０ａに固定化されることになる。この状態で、光源５２から励起光５４を、誘電体部材３２を介して、センサー部材１０の金属膜１４に照射するとともに、金属膜反射光５５を受光手段５８によって受光する。
　そして、励起光５４の金属膜１４に対する入射角を所定の角度で変動させることによって、金属膜反射光５５の光強度（以下、「ＳＰＲシグナル」と呼ぶ）と励起光５４の入射角との関係を調べることにより、ＳＰＲ測定を行うことができる。
　一方で、光源５２から励起光５４を、誘電体部材３２を介して、センサー部材１０の金属膜１４に照射するとともに、蛍光５９を光検出手段６０によって受光することによって、ＳＰＦＳ測定による蛍光の光量（以下、「ＳＰＦＳシグナル」と呼ぶ）を測定する。
　このようにＳＰＲ測定もしくはＳＰＦＳ測定を行うことによって、例えば、事前に作成したアナライト濃度とＳＰＦＳシグナルとに関する検量線と比較することによって、検体液中のアナライトの総量（アナライト濃度）を算出することができる。
　なお、このような光学式検体検出装置５０に、本発明のセンサー部材１０を用いる場合には、上述したように、誘電体部材３２にセンサー部材１０を取り付けてセンサーチップ３０とした後、光学式検体検出装置５０に装填してもよいし、光学式検体検出装置５０に装填された誘電体部材３２にセンサー部材１０を取り付けることによって、センサーチップ３０を構成するようにしても構わない。
　以上、本発明の好ましい実施の態様を説明してきたが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば、上記実施例では、光学式検体検出装置としてＳＰＲ装置及びＳＰＦＳ装置にセンサー部材を適用する例を挙げたが、これに限らず、他の光学式検体検出装置などにも適用できるなど、本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　図９は、本発明のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材１０を用いて計測された励起光５４の入射角とＳＰＲシグナルとの関係を示すグラフ、図１０は、本発明のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材１０を用いて計測された励起光５４の入射角とＳＰＦＳシグナルとの関係を示すグラフである。
　なお、図９及び後述する図１１では、ＳＰＲシグナルとして、励起光５４の光量と金属膜反射光の光量の比率（反射率）を用いている。また、図１０及び後述する図１２では、ＳＰＦＳシグナルとして、ＣＣＤセンサーによって測定された蛍光５９の光量を用いている。
　この実施例では、センサー基材１２として、日本ゼオン社製のＺＥＯＮＯＲ（登録商標）フィルム（ＺＦ１４－１８８、屈折率：１．５３、厚さ：１８８μｍ）を用い、金属膜１４は、蒸着によって厚さ４１ｎｍ程度の薄膜として形成されている。
　また、誘電体部材３２としては、ガラス製プリズム（ＢＫ７、屈折率：１．５１６８）を用いており、センサー部材１０と誘電体部材３２とは、屈折率整合液（屈折率：１．５１）を介して固定されている。
　図１１は、比較例であり、従来のセンサーチップを用いて計測された励起光の入射角とＳＰＲシグナルとの関係を示すグラフ、図１２は、比較例であり、従来のセンサーチップを用いて計測された励起光の入射角とＳＰＦＳシグナルとの関係を示すグラフである。
　この比較例では、ガラス製基板（ＢＫ７、厚さ：１０００μｍ、屈折率：１．５１６８）上に蒸着によって金属膜（厚さ：４２ｎｍ程度）が設けられた金属膜基板が、誘電体部材上に固定されている。
　なお、誘電体部材としてはガラス製プリズム（ＢＫ７、屈折率：１．５１６８）を用いており、金属膜基板と誘電体部材とは、屈折率整合液（屈折率：１．５１）を介して固定されている。
　図９～１２に示したように、本発明のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材を用いた測定では、ＳＰＲシグナル、ＳＰＦＳシグナルともに、従来のガラス製基板を用いた測定とほぼ同程度という結果が得られた。
　このため、本発明のセンサー部材の製造方法を用いることによって、従来と同程度の精度を担保しつつも、容易に大量生産することができ、生産コストを低減することが可能となる。
　本発明は、ＡＦＰ糖鎖測定やＣＥＡ糖鎖測定などの臨床試験のような、高精度の測定が要求される分野において使用される光学式検体検出装置の被測定用部材であるセンサーチップを低コストかつ安定的に提供することができる。
１０　　　センサー部材
１０ａ　　反応エリア
１２　　　センサー基材
１４　　　金属膜
１６　　　固相膜
１８　　　可撓性基材
１８ａ，１８ｂ　　両縁部
１９ａ，１９ｂ　　凸部
２０　　　可撓性基材巻装体
２２　　　基材繰り出し装置
２４　　　基材巻き取り装置
２６　　　金属膜形成手段
２７　　　固相膜形成手段
２８　　　基材切断手段
２９　　　接着剤
３０　　　センサーチップ
３２　　　誘電体部材
３２ｂ　　側面
３２ｃ　　側面
３４　　　反応空間形成部材
３４ａ　　反応空間
３５ａ　　ウェル部材
３５ｂ　　流路部材
３６　　　流路
３６ａ，３６ｂ　　端部
３８　　　屈折率整合液
４０　　　センサーチップ保持部材
４２　　　締結部材
４４　　　シール部材
５０　　　光学式検体検出装置
５２　　　センサーチップ装填部
５２　　　光源
５４　　　励起光
５５　　　金属膜反射光
５６　　　偏光フィルタ
５８　　　受光手段
５９　　　蛍光
６０　　　光検出手段
６２　　　集光部材
６４　　　波長選択機能部材
１００　　ＳＰＦＳ装置
１０２　　誘電体部材
１０２ａ　上面
１０２ｂ　側面
１０４　　金属薄膜
１０６　　センサーチップ
１０８　　センサーチップ装填部
１１０　　光源
１１２　　入射光
１１４　　流路
１１６　　センサー領域
１１８　　蛍光
１２０　　光検出手段

Claims (21)

  1. 　誘電体部材上に形成された金属膜に励起光を照射することで検体の検出を行う光学式検体検出装置に用いられるセンサー部材の製造方法であって、
    　透光性を有する可撓性基材上に金属膜を形成する工程と、
    　前記可撓性基材上に形成された前記金属膜上に、前記検体を固定化するために用いられる固相膜を形成する工程と、
    　前記金属膜及び前記固相膜が形成された前記可撓性基材を、所定の大きさに切断する工程と、
    を含むセンサー部材の製造方法。
  2. 　長尺状の前記可撓性基材が巻装された可撓性基材巻装体から、前記可撓性基材を順次繰り出すことによって、前記可撓性基材上に前記金属膜を順次形成し、前記金属膜上に前記固相膜を順次形成し、前記金属膜及び前記固相膜が形成された前記可撓性基材を、順次所定の大きさに切断する請求項１に記載のセンサー部材の製造方法。
  3. 　前記可撓性基材の幅方向の両縁部に凸部が設けられている請求項２に記載のセンサー部材の製造方法。
  4. 　前記金属膜が、スパッタリング法または蒸着法によって形成される請求項１から３のいずれかに記載のセンサー部材の製造方法。
  5. 　前記固相膜が、インクジェット塗布によって形成される請求項１から４のいずれかに記載のセンサー部材の製造方法。
  6. 　前記金属膜及び前記固相膜が形成された前記可撓性基材を、打ち抜き加工により所定の大きさに切断する請求項１から５のいずれかに記載のセンサー部材の製造方法。
  7. 　前記金属膜及び前記固相膜が形成された前記可撓性基材を、円形状に打ち抜き加工する請求項６に記載のセンサー部材の製造方法。
  8. 　前記可撓性基材の光学軸に沿って打ち抜き加工する請求項６または７に記載のセンサー部材の製造方法。
  9. 　前記可撓性基材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムである請求項８に記載のセンサー部材の製造方法。
  10. 　誘電体部材上に形成された金属膜に励起光を照射することで検体の検出を行う光学式検体検出装置に用いられるセンサーチップの製造方法であって、
    　前記誘電体部材上に、請求項１から９のいずれかに記載のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材を固定する工程と、
    　前記センサー部材が固定された誘電体部材上に、前記検体を含む検体液を注入し、前記固相膜と前記検体との反応を行わせる反応空間を形成するための反応空間形成部材を固定する工程と、
    を含むセンサーチップの製造方法。
  11. 　前記誘電体部材と前記センサー部材との間に、屈折率整合液を介在させる請求項１０に記載のセンサーチップの製造方法。
  12. 　前記屈折率整合液が、接着剤である請求項１１に記載のセンサーチップの製造方法。
  13. 　前記誘電体部材と前記反応空間形成部材とを締結部材によって固定する請求項１０から１３のいずれかに記載のセンサーチップの製造方法。
  14. 　前記誘電体部材をセンサーチップ保持部材に載置した状態で、前記センサーチップ保持部材と前記反応空間形成部材とによって、前記誘電体部材及び前記センサー部材とを挟持して、締結部材によって固定する請求項１０から１３のいずれかに記載のセンサーチップの製造方法。
  15. 　前記センサー部材を囲繞するようにシール部材を載置し、前記反応空間形成部材と前記誘電体部材とによって、前記シール部材を挟持するように固定する請求項１０から１４のいずれかに記載のセンサーチップの製造方法。
  16. 　前記反応空間形成部材が、前記検体液を一時的に貯留することができるウェル部材である請求項１０から１５のいずれかに記載のセンサーチップの製造方法。
  17. 　前記反応空間形成部材が、前記検体液を前記センサー部材の反応エリアに対して循環させることができる流路部材である請求項１０から１５のいずれかに記載のセンサーチップの製造方法。
  18. 　前記誘電体部材が、天然ポリマーもしくは合成ポリマーから形成されている請求項１０から１７のいずれかに記載のセンサーチップの製造方法。
  19. 　誘電体部材と、該誘電体部材の下方の一方の側面側に配置された光源と、を有する光学式検体検出装置で用いられるセンサー部材の使用方法であって、
    　前記誘電体部材上に、請求項１から９のいずれかに記載のセンサー部材の製造方法によって製造されたセンサー部材を取り付ける工程と、
    　前記センサー部材の金属膜に、前記光源から励起光を照射する工程と、
    を有するセンサー部材の使用方法。
  20. 　前記光学式検体検出装置は、前記誘電体部材の上方に配置された光検出手段をさらに備える請求項１８のセンサー部材の使用方法。
  21. 　前記光学式検体検出装置は、前記誘電体部材の下方の他方の側面側に配置された受光手段をさらに備える請求項１８のセンサー部材の使用方法。
PCT/JP2013/070073 2012-07-30 2013-07-24 センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法 Ceased WO2014021171A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014528096A JPWO2014021171A1 (ja) 2012-07-30 2013-07-24 センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012168282 2012-07-30
JP2012-168282 2012-07-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014021171A1 true WO2014021171A1 (ja) 2014-02-06

Family

ID=50027849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/070073 Ceased WO2014021171A1 (ja) 2012-07-30 2013-07-24 センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2014021171A1 (ja)
WO (1) WO2014021171A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3376210A4 (en) * 2015-11-13 2018-09-26 Konica Minolta, Inc. Detection device, detection method, and detection system
JP2020514771A (ja) * 2017-01-10 2020-05-21 オックスフォード インストゥルメンツ テクノロジーズ オサケユイチア 半導体放射線検出器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6375542A (ja) * 1986-08-19 1988-04-05 ソ−ン　イ−エムアイ　ピ−エルシ− 化学感応表面プラズモン共鳴装置
JPH11326339A (ja) * 1998-05-08 1999-11-26 Wako Pure Chem Ind Ltd 診断用自動分析装置用試験具
JP2006090758A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 全反射減衰を利用した測定装置
JP2008209278A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Aisin Seiki Co Ltd センサチップ
JP2012098256A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Konica Minolta Holdings Inc 表面プラズモン共鳴蛍光分析装置及び表面プラズモン共鳴蛍光分析方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6375542A (ja) * 1986-08-19 1988-04-05 ソ−ン　イ−エムアイ　ピ−エルシ− 化学感応表面プラズモン共鳴装置
JPH11326339A (ja) * 1998-05-08 1999-11-26 Wako Pure Chem Ind Ltd 診断用自動分析装置用試験具
JP2006090758A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 全反射減衰を利用した測定装置
JP2008209278A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Aisin Seiki Co Ltd センサチップ
JP2012098256A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Konica Minolta Holdings Inc 表面プラズモン共鳴蛍光分析装置及び表面プラズモン共鳴蛍光分析方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3376210A4 (en) * 2015-11-13 2018-09-26 Konica Minolta, Inc. Detection device, detection method, and detection system
EP4212854A1 (en) * 2015-11-13 2023-07-19 Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. Heated detection chip holder for measuring surface plasmon resonance and corresponding method
JP2020514771A (ja) * 2017-01-10 2020-05-21 オックスフォード インストゥルメンツ テクノロジーズ オサケユイチア 半導体放射線検出器
JP7114628B2 (ja) 2017-01-10 2022-08-08 オックスフォード インストゥルメンツ テクノロジーズ オサケユイチア 半導体放射線検出器

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2014021171A1 (ja) 2016-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5573843B2 (ja) 表面プラズモン増強蛍光測定装置
US20170370924A1 (en) Target substance detection chip, target substance detection plate, target substance detection device and target substance detection method
JP5920692B2 (ja) 目的物質検出チップ、目的物質検出装置及び目的物質検出方法
JP6766820B2 (ja) 光学式検体検出システム
JP2015184114A (ja) 増強ラマン分光装置
US11169090B2 (en) Diffracted light removal slit and optical sample detection system using same
JP5923811B2 (ja) 目的物質検出プレート、目的物質検出装置及び目的物質検出方法
WO2013099871A1 (ja) Ｓｐｆｓ測定用センサーチップ、およびｓｐｆｓ測定用センサーチップを用いたｓｐｆｓ測定方法、ならびにｓｐｆｓ測定用センサーチップを備えたｓｐｆｓ測定装置
WO2014021171A1 (ja) センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法
WO2014017433A1 (ja) 光学式検体検出装置
JP5673211B2 (ja) 光学式検体検出装置
JP2015111063A (ja) 表面プラズモン増強蛍光測定方法および表面プラズモン増強蛍光測定装置
JP5891990B2 (ja) 光学式検体検出装置
WO2014007134A1 (ja) センサーチップ
JP7093727B2 (ja) 光学式検体検出システムにおけるセンサーチップの位置検出方法及び位置検出装置
JP5663905B2 (ja) チップ構造体
WO2018235332A1 (ja) 検体検出装置及び検体検出方法
JP5655917B2 (ja) チップ構造体
WO2011074373A1 (ja) 表面プラズモン増強蛍光測定装置及びチップ構造体
JP6885458B2 (ja) 検体検出システム用センサーチップ
JP6398989B2 (ja) 光学式検体検出装置
JP6586884B2 (ja) チップおよび表面プラズモン増強蛍光測定方法
JP2012052917A (ja) 表面プラズモン励起増強蛍光測定装置およびこれに用いられるセンサ構造体
JP2016125937A (ja) 検出方法および検出キット

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13825723

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014528096

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13825723

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1